JP2003501930A - 利得が切り換えられる低雑音増幅器および方法 - Google Patents

利得が切り換えられる低雑音増幅器および方法

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JP2003501930A
JP2003501930A JP2001502227A JP2001502227A JP2003501930A JP 2003501930 A JP2003501930 A JP 2003501930A JP 2001502227 A JP2001502227 A JP 2001502227A JP 2001502227 A JP2001502227 A JP 2001502227A JP 2003501930 A JP2003501930 A JP 2003501930A
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emitter
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グラント アーヴィン ロバート
アルフレッド ティラー サミュエル
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    • H—ELECTRICITY
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    • H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
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Abstract

(57)【要約】 ローゲインモードとハイゲインモードとの間で切り換え可能な低雑音増幅器である。第１のエミッタ接地型トランジスタはハイゲインモードでアクチブであって、ローゲインモードでインアクチブである。この第１のトランジスタは、ラジオ周波数入力側および第１のバイアス入力側に接続されたベースと、アースに接続されたエミッタと、ラジオ周波数増幅出力側に接続されたコレクタとを有する。第２のベース接地型トランジスタはローゲインモードでアクチブであって、ハイゲインモードでインアクチブである。この第２のトランジスタはラジオ周波数入力側に接続されたベースと、第２のバイアス入力側に接続されたベースと、ラジオ周波数増幅出力側に接続されたコレクタとを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 発明の背景 本発明は、例えばラジオ周波数受信機で使用される低雑音増幅器に関する。
【０００２】 一般的に、ラジオ受信機はラジオ周波数（ＲＦ）信号を例えばアンテナを介し
て受信する。一般的に、受信されたＲＦ信号は増幅されてその後ミクサに送信さ
れる。ここで周波数はミクサを介してより低い周波数にダウンコンバートされ、
このより低い周波数は受信機によってより容易に処理される。増幅器はＲＦ入力
信号のレベルを等価のミクサ入力雑音より高めるべきであり、その結果適正なＳ
/Ｎ比が維持される。また入力信号が既に十分に高いレベルにある場合、増幅器
はより低いゲインに切り換え可能であるべきである。それはミクサの線形性への
要求を緩和するためである。
【０００３】 通例、ＲＦ増幅は通信システム、例えばセルラ方式通信システムおよびコード
レス電話等で使用される。例えば、受信機はＲＦ信号をアンテナを介して受信す
る。このＲＦ信号は増幅され、その後ミクサを介して中間周波数（ＩＦ）信号に
ダウンコンバートされる。増幅器が低雑音であり、元のＲＦ信号に含まれている
情報を著しく弱めたり、マスクしないということは重要である。とりわけセルラ
方式の受信機に対しては増幅器が消費する電力が低いということも重要である。
さらにセルラ方式の受信機での適用に対しては、増幅器が切り換え可能なゲイン
を有していることが望ましい。このことが重要であるのは、受信機によって受信
されるＲＦ信号は受信機の位置に依存して弱くまたは強く受信されるからである
。例えば受信機がセルの端にある場合、ＲＦ信号が弱く受信される可能性があり
、こに信号はハイゲイン増幅を必要とする。このような状況では低雑音増幅器を
使用して、弱く、低電力のＲＦ信号を増幅することも重要である。これは周囲の
低レベルのノイズと重要な情報とを区別するためである。また受信機がセルの中
心に近い場合、ＲＦ信号は強く受信される可能性があり、僅かな増幅しか必要と
しない。さらに全ての増幅器は有利には集積回路と同じくらい容易に製造される
べきである。
【０００４】 従来の増幅技術は性能および/または集積回路としての実現の点で欠点を有す
る。
【０００５】 ここで制御電圧（ＶＣＴＬ）が増幅器１０をハイゲインモードとローゲインモ
ードとの間で切り換えるために使用される。以下で説明するように、増幅器１０
がローゲインＶＣＴＬ ｌｏｗに切り換えられると、ＦＥＴ１４および１６は非
増幅バイパスをＲＦ信号に提供する。増幅器１０がハイゲインＶＣＴＬ ｈｉｇ
ｈに切り換えられると、カスケードされたＦＥＴ１８および１９によって増幅が
行われる。
【０００６】 詳細にはＶＣＴＬはｎｐｎ型トランジスタ１２のベースと、ＦＥＴ１４および
１６のソースと接続されている。ＦＥＴ１４および１６のゲートは接地されてい
る。ＦＥＴ１４のドレインはＲＦ入力側と接続されており、さらにＦＥＴ１６の
ドレインはＲＦ出力側と接続されている。
【０００７】 トランジスタ１２のエミッタは接地され、トランジスタ１２のコレクタは増幅
ＦＥＴ１８および１９のソースと接続されている。ＦＥＴ１８のゲートはＲＦ入
力側と接続されており、ＦＥＴ１８のドレインはＦＥＴ１９のゲートと接続され
ている。ＦＥＴ１９のドレインはＲＦ出力側と接続されている。
【０００８】 ＶＣＴＬが高い場合、増幅器はハイゲインモードにある。詳細には高いＶＣＴ
Ｌはトランジスタ１２をバイアスする。これによって増幅ＦＥＴ１８および１９
のソースにアースが提供され、これらの増幅ＦＥＴはＲＦ入力信号を増幅するこ
とができる。同時にバイパスＦＥＴ１４および１６のソースが高くなり、スイッ
チオフされる。スイッチオフされた場合にもバイパスＦＥＴ１４および１６は、
ＲＦ出力側からＲＦ入力側へと至る容量性の帰還路を提供する。帰還キャパシタ
ンスを低くするために、典型的に図１の回路はコストの高いガリウム砒素ＦＥＴ
を必要とする。
【０００９】 ＶＣＴＬが低い場合、増幅器はローゲインモードにある。低い信号はバイパス
ＦＥＴ１４および１６をバイアスし、ＲＦ入力側からＲＦ出力側へとＦＥＴ１４
および１６を通って至るノンゲインバイパスを形成する。同時にトランジスタ１
２のバイアスが切られ、これによってＦＥＴ１８および１９のバイアスも切られ
る。
【００１０】 ローゲインモードで図１に対する増幅器の利得値は、バイパスＦＥＴ１４およ
び１６およびその他の入力回路の挿入損出によって決められる。このようにして
ゲインは必然的に０ｄＢより低くなり、図１の増幅器は０ｄＢを上回るローゲイ
ンまたは多段のゲインを設けることができない。またローゲインモードでこの増
幅器は厳格な線形性を要求し、この線形性への要求はコストが高いガリウム砒素
ＦＥＴの使用を必要とする。
【００１１】 従って容易にかつ低コストで、例えば低コストのシリコンバイポーラ技術で製
造できる低雑音増幅器に対する要求が存在する。ローゲインモードおよび、ある
状況では２つ以上のゲインステップ（例えば高ゲインモード、低ゲインモードお
よび中間ゲインモード）を有する低雑音増幅器に対する要求も存在する。
【００１２】 発明の要約 低雑音で、ゲインが切り換えられるＲＦ増幅器が提供される。ハイゲインモー
ドで増幅器は、エミッタ接地ｎｐｎ型トランジスタを増幅のために使用する。ロ
ーゲインモードで増幅器は、ベース接地ｎｐｎ型トランジスタをより低いゲイン
の増幅のために切り換える。選択的な実施例では、付加的なベース接地トランジ
スタを使用してもよく、多重ゲインステップを設けることもできる。
【００１３】 詳細には増幅器はＲＦ信号入力側およびＲＦ信号出力側を有する。入力側はエ
ミッタ接地トランジスタのベースおよびベース接地トランジスタのエミッタに接
続されている。２つのトランジスタのコレクタはＲＦ出力側に接続されている。
エミッタ接地トランジスタのベースは第１のバイアスＢｉａｓ１と接続されてお
り、ベース接地トランジスタのベースは第２のバイアスＢｉａｓ２と接続されて
いる。エミッタ接地トランジスタのエミッタは接地されている。
【００１４】 ベース接地トランジスタに対してバイアス電流を供給する第３のトランジスタ
のコレクタはベース接地トランジスタのエミッタと接続されている。またこの第
３のトランジスタのベースは第３のバイアスＢｉａｓ３と接続されており、エミ
ッタは接地されている。
【００１５】 Ｂｉａｓ１を高くし、かつＢｉａｓ２およびＢｉａｓ３を低くするまたはフロ
ーティング状態にすることで増幅器はハイゲインモードにされる。このモードで
エミッタ接地トランジスタはアクチブであり、ＲＦ信号をハイゲインで増幅する
。ベース接地トランジスタおよび第３のトランジスタは２つともスイッチオフさ
れる。
【００１６】 Ｂｉａｓ２およびＢｉａｓ３を高くし、かつＢｉａｓ１をフローティング状態
にすることで増幅器はローゲインモードにされる。このモードでベース接地トラ
ンジスタおよび第３のトランジスタはアクチブである。エミッタ接地トランジス
タはスイッチオフされる。このモードでベース接地トランジスタはＲＦ信号のロ
ーゲイン増幅を行う。
【００１７】 従って本発明の増幅器はハイゲイン増幅段階およびローゲイン増幅段階の２つ
を提供する。有利には他方のステージがアクチブである場合、インアクチブステ
ージは完全にスイッチオフされ、アクチブステージの動作に干渉しない。本発明
の低雑音増幅器は、有利には集積回路と同じように容易に、有利にはコストのか
からないシリコンバイポーラトランジスタ技術を使用して製造される。
【００１８】 選択的な実施例では、そのベースが第４のバイアスＢｉａｓ４と接続されてい
る第２のベース接地トランジスタは、第１のベース接地トランジスタと並列に接
続されている。この種のトランジスタによって次の場合にさらなるゲインステッ
プが得られる。すなわちこのトランジスタのバイアスが高く、第１のベース接地
増幅器に対するＢｉａｓ２が低く、またはフローティング状態で、かつエミッタ
接地トランジスタに対するＢｉａｓ１がフローティング状態の場合にさらなるゲ
インステップが設けられる。付加的にベース接地ステージを加えてもよく、付加
的なゲインステップが実現される。
【００１９】 図面 図１は公知の増幅器の回路ダイアグラムである。
【００２０】 図２は利得が切り換えられる低雑音増幅器に対する本発明による第１の実施例
の回路ダイアグラムである。
【００２１】 図３は利得が切り換えられる低雑音増幅器に対する本発明による第２の実施例
の回路ダイアグラムである。
【００２２】 図４は利得が切り換えられる低雑音増幅器に対する本発明による第３の実施例
の回路ダイアグラムである。
【００２３】 図５は利得が切り換えられる低雑音増幅器に対する本発明による第４の実施例
の回路ダイアグラムである。
【００２４】 実施例の説明 図２には利得が切り換えられる低雑音増幅器２０の本発明による第１の実施例
が示されている。ラジオ周波数の入力信号は、エミッタ接地ｎｐｎ型トランジス
タ２２のベースに入力される。トランジスタ２２のエミッタは接地されている。
トランジスタ２２は抵抗２４およびバイアス電圧Ｂｉａｓ１を介してバイアスさ
れる。トランジスタ２２のコレクタはＲＦ出力側に接続されている。
【００２５】 第２のｎｐｎ型トランジスタ２６のコレクタも出力側に接続されている。トラ
ンジスタ２６のベースは第２のバイアス電圧Ｂｉａｓ２に接続されている。第３
のｎｐｎ型トランジスタ２８が設けられており、このトランジスタ２８のコレク
タはトランジスタ２６のエミッタおよびトランジスタ２６のベースと接続点２９
で接続されている。トランジスタ２８のエミッタは接地されている。トランジス
タ２８のベースは第３のバイアス電圧Ｂｉａｓ３に接続されている。
【００２６】 増幅器２０がハイゲインモードにある場合、Ｂｉａｓ１が高く、Ｂｉａｓ２お
よび３が接地またはフローティング状態である。通例、トランジスタ２６および
２８はスイッチオフされ、トランジスタ２２はエミッタ接地増幅器として動作す
る。ＲＦ入力信号はトランジスタ２２によって増幅され、トランジスタ２２のコ
レクタを介してＲＦ増幅出力側に出力される。
【００２７】 増幅器２０がローゲインモードにある場合、Ｂｉａｓ２およびＢｉａｓ３は高
く、Ｂｉａｓ１はフローティング状態である。ここでアクチブなトランジスタ２
８はバイアス電流をトランジスタ２６に供給する。Ｂｉａｓ２が選択されてＤＣ
電圧が供給される。このＤＣ電圧はトランジスタ２２をスイッチオフするのに十
分に低く、トランジスタ２８の飽和を回避するのに十分に高い。ＤＣ入力電圧は
有利には約４２０ｍＶである。
【００２８】 ローゲインモードでトランジスタ２６はベース接地増幅器として動作する。こ
のトランジスタによって所定の電流ではエミッタ接地増幅器より低いゲインが得
られる。なぜならこのトランジスタは、より低い入力インピーダンスを有するか
らである。
【００２９】 従って増幅器２０はハイゲインモードとローゲインモードとの間で切り換え可
能である。ハイゲインモードで増幅器２０はエミッタ接地ｎｐｎ型バイポーラト
ランジスタ２２をハイゲイン増幅作用のために使用する。ローゲインモードでト
ランジスタ２２はスイッチオフされ、増幅器２０はベース接地ｎｐｎ型バイポー
ラトランジスタ２６をローゲイン増幅のために切り換える。さらにハイゲインモ
ードとローゲインモードとの間で切り換えが行われると、それぞれのゲインモー
ドでインアクチブステージは完全にスイッチオフされてアクチブステージの動作
に干渉しない。従って図２の回路によってハイゲインモードとローゲインモード
との間で切り換え可能な低雑音増幅が実現される。さらに増幅器は集積回路と同
じように容易に、かつ低いコストでバイポーラトランジスタを用いて製造される
。さらに２つのステージ（エミッタ接地およびベース接地）は異なる電流で容易
に駆動され、利得値およびゲインステップのワイドレンジを化を可能にする。
【００３０】 図３には利得が切り換えられる低雑音増幅器３０の第２の実施例が示されてい
る。明確かつ簡略にするために同一の素子には複数の図を通して同一の参照番号
が付されている。
【００３１】 ここで任意選択的なインダクタ３２がトランジスタ２２のエミッタとアースと
の間に接続されている。インダクタ３２によってエミッタデジェネレーションが
引き起こされ、増幅器３０がハイゲインモードにあるとき、このデジェネレーシ
ョンは線形性を改善する。もちろん、他のタイプのインピーダンス（図示されな
い）をトランジスタ２２のエミッタとアースとの間に接続して、ハイゲインの線
形性を改善することもできる。
【００３２】 任意選択的な抵抗３４ａを入力側と接続点２９との間に接続することができる
。抵抗３４ａはトランジスタ２６に対するエミッタデジェネレーションを提供し
、これは増幅器３０がローゲインモードにある場合に線形性を改善する。任意選
択的な抵抗３４ｂもトランジスタ２６のエミッタをデジェネレーションし、これ
によってローゲインモードの線形性が改善される。付加的に抵抗３４ｂは、トラ
ンジスタ２８からのコレクタ電流の雑音量を減らすことで雑音を減少させる。も
ちろん、他のタイプのエミッタデジェネレーションインピーダンスも使用するこ
とができる。
【００３３】 任意選択的な第４のｎｐｎ型トランジスタ３６が示されており、そのベースは
電圧バイアスＢｉａｓ４に接続され、コレクタは出力側に、エミッタは接続点２
９に（任意選択的な抵抗３８を介して）接続されている。トランジスタ３６は付
加的なローゲイン増幅、ベース接地増幅器ステージとして動作し、増幅器３０に
対する他のゲインの設定を可能にする。任意選択的な抵抗３８はエミッタデジェ
ネレーションインピーダンスとして機能し、増幅器３０が第２のローゲインモー
ドにある場合、増幅器３０の線形性を改善する。可変的なゲインステップは、バ
イアスおよび/または抵抗３４および３８等を変化することで容易に得ることが
できる。もちろん、付加的なベース接地トランジスタステージを加えて、さらな
るゲインを設定することも可能である。
【００３４】 図４には増幅器４０の第３の実施例が示されている。ここで任意選択的な第４
のトランジスタ４２が加えられる。このトランジスタのベースは第４のバイアス
電圧Ｂｉａｓ４と接続され、エミッタはトランジスタ２２のコレクタと、コレク
タは出力側と接続されている。このようにして増幅器がハイゲインモードにある
場合にトランジスタ２２および４２によって一組のカスケードトランジスタ増幅
器が設けられ、これにより増幅器４０のゲインを高くする。
【００３５】 任意選択的なキャパシタ４４が示されており、このキャパシタはトランジスタ
２２のベースと接続点２９との間で接続されている。ローゲインモードではこの
キャパシタによってベース接続増幅器２６のＤＣエミッタ電圧が増幅器４０の動
作に対してよりクリチカルでなくする。これはトランジスタ間のＤＣ結合を取り
除くことで可能となる。
【００３６】 図５には本発明による増幅器５０の第４の実施例が示されている。ここでトラ
ンジスタ２８は電源の代わりとして飽和状態で操作されるように意図されている
。直列抵抗５２はトランジスタ２６に対するバイアス電流の限界を定める。この
実現は増幅器の雑音指数を減らすことができる。なぜなら切り換えられた状態で
動作するトランジスタは典型的にアクチブトランジスタより雑音が少ないからで
ある。
【００３７】 もちろん、これまでに説明または図示された全ての実施例、または実施例の個
々の特徴は単独でも、または組み合わせでも所望のように使用可能である。同じ
ように有利な実施例としてｎｐｎ型トランジスタのみを示したが、例えばｐｎｐ
型トランジスタまたはＦＥＴトランジスタが容易に代用可能であることはよく理
解されるべきである。
【００３８】 上述の説明は、本発明の実施例の原則だけを説明したものである。さらに多く
の修正および変更が技術者によって行えるので、本発明を図示および説明した正
確な構成および用途に限定するのは望ましくない。全ての適切な修正および同等
なものは特許請求の範囲における本発明の概念の範囲および観点であると見なさ
れる。本発明の範囲は特許請求の範囲に示されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は公知の増幅器の回路ダイアグラムである。
【図２】 図２は利得が切り換えられる低雑音増幅器に対する本発明による第１の実施
例の回路ダイアグラムである。
【図３】 図３は利得が切り換えられる低雑音増幅器に対する本発明による第２の実施
例の回路ダイアグラムである。
【図４】 図４は利得が切り換えられる低雑音増幅器に対する本発明による第３の実施
例の回路ダイアグラムである。
【図５】 図５は利得が切り換えられる低雑音増幅器に対する本発明による第４の実施
例の回路ダイアグラムである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート グラント アーヴィン アメリカ合衆国 ニュージャージー プレ インズボロ ブラッドフォード レーン 18 (72)発明者 サミュエル アルフレッド ティラー アメリカ合衆国 ニュージャージー イー スト ウィンザー メドーブルック ドラ イヴ 14 Ｆターム(参考） 5J069 AA01 AA21 AA51 CA41 CA87 FA10 HA02 HA09 HA25 HA29 HA33 MA04 MA17 MA19 MA21 SA13 5J100 AA15 AA23 BA01 BA03 BB01 BC02 EA02 FA02

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ローゲインモードおよびハイゲインモードを有するラジオ周
    波数増幅器であって、 該増幅器は第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを有しており、 前記第１のトランジスタはハイゲインモードでアクチブであり、ローゲインモ
    ードでインアクチブであって、ラジオ周波数入力側および第１のバイアス入力側
    に接続されているベースと、アースに接続されているエミッタと、ラジオ周波数
    増幅出力側に接続されているコレクタとを有しており、 前記第２のトランジスタはローゲインモードでアクチブであり、ハイゲインモ
    ードでインアクチブであって、前記ラジオ周波数入力側に接続されているエミッ
    タと、第２のバイアス入力側に接続されているベースと、前記増幅されたラジオ
    周波数出力側に接続されているコレクタとを有している、 ことを特徴とするローゲインモードおよびハイゲインモードを有するラジオ周波
    数増幅器。
  2. 【請求項２】 さらに第３のトランジスタを有しており、該第３のトランジ
    スタは第３のバイアス入力側と接続されているベースと、アースと接続されてい
    るエミッタと、前記第２のトランジスタのエミッタと接続されているコレクタと
    を備えている、請求項１記載の増幅器。
  3. 【請求項３】 前記第１のトランジスタのエミッタはインピーダンスを介し
    てアースと接続されている、請求項１記載の増幅器。
  4. 【請求項４】 さらにインピーダンスを有しており、該インピーダンスは前
    記第２のトランジスタのエミッタと前記ラジオ入力側との間に接続されている、
    請求項１記載の増幅器。
  5. 【請求項５】 前記第２のトランジスタのエミッタは容量的に前記ラジオ周
    波数入力側と接続されている、請求項１記載の増幅器。
  6. 【請求項６】 さらに第４のトランジスタを有しており、該第４のトランジ
    スタは第４のバイアス入力側と接続されているベースと、前記第１のトランジス
    タのコレクタと接続されているエミッタと、前記ラジオ周波数増幅出力側と接続
    されているコレクタとを備える、請求項２記載の増幅器。
  7. 【請求項７】 さらにインピーダンスを有しており、該インピーダンスは第
    ２のトランジスタのエミッタと第３のトランジスタのコレクタとの間で接続され
    ている、請求項２記載の増幅器。
  8. 【請求項８】 さらに第４のトランジスタを有しており、該第４のトランジ
    スタは第４のバイアス入力側と接続されているベースと、ラジオ周波数増幅出力
    側と接続されているコレクタと、前記第２のトランジスタのエミッタと接続され
    ているエミッタとを備える、請求項２記載の増幅器。
  9. 【請求項９】 前記第２のトランジスタおよび前記第４のトランジスタは接
    続点で接続されており、 さらに第２のトランジスタのエミッタと前記接続点との間で接続されている第
    １のインピーダンスと、前記第４のトランジスタのエミッタと接続点との間で接
    続されている第２のインピーダンスとを有する、請求項８記載の増幅器。
  10. 【請求項１０】 さらにインピーダンスを有しており、該インピーダンスは
    前記接続点と前記ラジオ周波数入力側との間で接続されている、請求項９記載の
    増幅器。
  11. 【請求項１１】 さらにキャパシタンスを有しており、該キャパシタンスは
    前記接続点と前記ラジオ周波数入力側との間で接続されている、請求項９記載の
    増幅器。
  12. 【請求項１２】 第１のトランジスタのエミッタは前記インピーダンスを介
    してアースと接続されている、請求項８記載の増幅器。
  13. 【請求項１３】 第１のトランジスタのエミッタは前記インピーダンスを介
    してアースと接続されている、請求項９記載の増幅器。
  14. 【請求項１４】 前記第１、第２、第３および第４のトランジスタはＮＰＮ
    型バイポーラトランジスタである、請求項８記載の増幅器。
  15. 【請求項１５】 前記第１のトランジスタおよび第２のトランジスタはＮＰ
    Ｎ型バイポーラトランジスタである、請求項１記載の増幅器。
  16. 【請求項１６】 利得が切り換えられるラジオ周波数増幅器であって、 ラジオ周波数入力側およびラジオ周波数増幅出力側と； 前記ラジオ周波数入力側および前記ラジオ周波数出力側と接続されたハイゲイン
    増幅手段と； 前記ラジオ周波数入力側および前記ラジオ周波数出力側と接続されたローゲイ
    ン増幅手段と； ハイゲイン増幅手段とローゲイン増幅手段とを切り換える制御手段と； を有する、 ことを特徴とする利得が切り換えられるラジオ周波数増幅器。
  17. 【請求項１７】 さらに前記ラジオ周波数入力側および前記ラジオ周波数出
    力側と接続された中間増幅手段を有しており、 ここで前記制御手段はローゲイン増幅手段と、中間増幅手段と、ハイゲイン増幅
    手段との間を切り換える、請求項１６記載の増幅器。
  18. 【請求項１８】 ハイゲイン増幅手段はエミッタ接地ＮＰＮ型バイポーラト
    ランジスタを有する、請求項１６記載の増幅器。
  19. 【請求項１９】 ローゲイン増幅手段はベース接地ＮＰＮ型バイポーラトラ
    ンジスタを有する、請求項１８記載の増幅器。
  20. 【請求項２０】 利得が切り換えられるラジオ周波数増幅器であって、 ラジオ周波数入力側およびラジオ周波数増幅出力側と； 入力側が前記ラジオ周波数入力側と接続され、出力側が前記ラジオ周波数出力
    側と接続されているハイゲイン増幅器および入力側が第１のバイアス信号と接続
    されているハイゲイン増幅器と； 入力側が前記ラジオ周波数入力側と接続され、出力側が前記ラジオ周波数出力
    側と接続されているローゲイン増幅器および入力側が第２のバイアス信号と接続
    されているローゲイン増幅器と； アクチブモードおよびインアクチブモードを有する前記ハイゲイン増幅器およ
    び前記ローゲイン増幅器と； 前記ハイゲイン増幅器を前記アクチブモードと前記インアクチブモードとの間
    で切り換える前記第１のバイアス信号と； 前記ローゲイン増幅器を前記アクチブモードと前記インアクチブモードとの間
    で切り換える前記第２のバイアス信号と； を有する、 ことを特徴とする利得が切り換えられるラジオ周波数増幅器。
  21. 【請求項２１】 前記ハイゲイン増幅器はエミッタ接地ＮＰＮ型バイポーラ
    トランジスタを有する、請求項２０記載の増幅器。
  22. 【請求項２２】 前記ローゲイン増幅器はベース接地ＮＰＮ型バイポーラト
    ランジスタを有する、請求項２０記載の増幅器。
  23. 【請求項２３】 ラジオ周波数信号を増幅する方法であって、 前記ラジオ周波数信号をハイゲインのエミッタ接地トランジスタを使用して増
    幅するステップと； 前記ハイゲインのエミッタ接地トランジスタをスイッチオフするステップと； 前記ラジオ周波数信号をローゲインのベース接地トランジスタを使用して増幅
    するステップと； を有する、 ことを特徴とするラジオ周波数信号を増幅する方法。
  24. 【請求項２４】 前記ローゲインのベース接地トランジスタをスイッチオフ
    するステップと、 前記ラジオ周波数信号をハイゲインのエミッタ接地トランジスタを使用して増
    幅するステップと、を有する請求項２３記載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記ローゲインのベース接地トランジスタをスイッチオフするステップと、 前記ラジオ周波数信号を中間ゲインのベース接地トランジスタを使用して増幅
    するステップと、を有する請求項２３記載の方法。
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