JP2003347731A - Stacked ceramic electronic part and method for its manufacturing - Google Patents

Stacked ceramic electronic part and method for its manufacturing

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JP2003347731A
JP2003347731A JP2002152483A JP2002152483A JP2003347731A JP 2003347731 A JP2003347731 A JP 2003347731A JP 2002152483 A JP2002152483 A JP 2002152483A JP 2002152483 A JP2002152483 A JP 2002152483A JP 2003347731 A JP2003347731 A JP 2003347731A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate having conductive films and via hole conductors which prevent contraction caused in baking and thus ensure high reliability in connection. <P>SOLUTION: The multilayer ceramic substrate 11 is obtained by; forming on a support 16 a metal foil 17 which is integrally provided with sheets 18 that serve as the conductive films 14, and bumps 19 that serve as the via hole conductors 15; transferring the metal foil 17 to a ceramic green sheet 20 from the support 16 so that the bumps 19 are thrusted thicknesswise into the ceramic green sheet 20; stacking a plurality of such ceramic green sheets 20; and baking the resulting green stacked body 23. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、積層型セラミッ
ク電子部品およびその製造方法に関するもので、特に、
積層型セラミック電子部品に備える導体膜およびビアホ
ール導体の形成方法の改良に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer ceramic electronic component and a method for manufacturing the same.
The present invention relates to an improvement in a method of forming a conductor film and a via-hole conductor provided in a multilayer ceramic electronic component.

【0002】[0002]

【従来の技術】この発明にとって興味ある積層型セラミ
ック電子部品として、多層セラミック基板がある。近
年、高周波化および高密度化が進むICやLSI等の半
導体素子を搭載する多層セラミック基板に対して、高速
伝播を可能にするため、小型化の要求が高まっている。
2. Description of the Related Art A multilayer ceramic electronic component is an interesting multilayer ceramic electronic component for the present invention. 2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increasing demand for miniaturization in order to enable high-speed propagation to a multilayer ceramic substrate on which a semiconductor element such as an IC or an LSI, which is becoming higher in frequency and higher in density, is mounted.

【0003】そのため、多層セラミック基板に備えるセ
ラミック層にあたっては、より低い誘電率を有する材料
から構成されることが要求され、他方、多層セラミック
基板に備える導体膜やビアホール導体のような配線導体
にあっては、より低い電気抵抗を有する材料から構成さ
れることが要求される。より低い誘電率を与えるセラミ
ック層を構成する材料として、たとえばBaO−Al2
3 −SiO2 系混合セラミック等のたとえば1000
℃以下の温度で焼結させることが可能な低温焼結セラミ
ックが注目され、他方、配線導体を構成する材料とし
て、低温焼結セラミックと同時焼成可能であり、かつ電
気抵抗の低い金属である、たとえば、銅または銀等が注
目されている。
Therefore, the ceramic layer provided on the multilayer ceramic substrate is required to be made of a material having a lower dielectric constant. On the other hand, a wiring layer such as a conductor film provided on the multilayer ceramic substrate or a via-hole conductor is required. In some cases, it is required to be made of a material having a lower electric resistance. As a material constituting the ceramic layer giving a lower dielectric constant, for example, BaO-Al 2
For example, 1000, such as O 3 —SiO 2 mixed ceramics
Attention has been focused on low-temperature sintered ceramics that can be sintered at a temperature of not more than ℃. For example, attention has been paid to copper or silver.

【0004】上述のように、低温焼結セラミックをもっ
て構成されたセラミック層を備える多層セラミック基板
は、一般に、次のようにして製造されている。
As described above, a multilayer ceramic substrate having a ceramic layer formed of a low-temperature sintered ceramic is generally manufactured as follows.

【0005】まず、低温焼結セラミック原料粉末と有機
バインダと有機溶剤とを混合して得られたスラリーを、
ドクターブレード法等のシート成形法によってシート状
に成形し、セラミックグリーンシートを作製する。次
に、セラミックグリーンシートに、ビアホール導体のた
めの貫通孔を打ち抜き加工し、この貫通孔に銅メタライ
ズ組成物または銀メタライズ組成物を含む導電性ペース
トを充填し、また、セラミックグリーンシート上に、同
様の導電性ペーストを用いて導体膜をスクリーン印刷法
等によって形成する。次に、複数のセラミックグリーン
シートを積層し、かつ積層方向にプレスして得られた生
の積層体に対して、脱バインダのための加熱工程を実施
し、次いで、焼成工程を実施する。
First, a slurry obtained by mixing a low-temperature sintered ceramic raw material powder, an organic binder, and an organic solvent is
The sheet is formed into a sheet shape by a sheet forming method such as a doctor blade method to produce a ceramic green sheet. Next, a through-hole for a via-hole conductor is punched into the ceramic green sheet, and the through-hole is filled with a conductive paste containing a copper metallized composition or a silver metallized composition. A conductive film is formed by a screen printing method or the like using the same conductive paste. Next, a heating step for removing the binder is performed on the green laminate obtained by laminating a plurality of ceramic green sheets and pressing in the laminating direction, and then a firing step.

【0006】しかしながら、上述のような多層セラミッ
ク基板の製造方法によれば、導体膜やビアホール導体の
ような配線導体は、導電性ペーストの焼結体から構成さ
れる。すなわち、導電性ペーストは、金属粉末だけでな
く、樹脂、溶剤およびその他の添加物を含むものであ
り、乾燥工程において、溶剤が揮発し、また、焼成工程
において、樹脂および添加物が熱分解または昇華し、金
属粉末と添加物の一部とが焼結することによって、配線
導体が形成される。その結果、配線導体の内部には、空
隙や粒界が存在することが避けられず、配線導体の低抵
抗化には限界があり、さらなる低抵抗化が要求される高
周波回路の形成には必ずしも適していない。
However, according to the above-described method for manufacturing a multilayer ceramic substrate, a wiring conductor such as a conductor film or a via-hole conductor is formed of a sintered body of a conductive paste. That is, the conductive paste contains not only the metal powder but also a resin, a solvent and other additives, the solvent is volatilized in the drying step, and the resin and the additive are thermally decomposed or decomposed in the firing step. The wiring conductor is formed by sublimation and sintering of the metal powder and part of the additive. As a result, voids and grain boundaries are unavoidable inside the wiring conductor, and there is a limit to the reduction in the resistance of the wiring conductor, and it is not always necessary to form a high-frequency circuit that requires a further reduction in resistance. Not suitable.

【0007】また、導体膜の形成のための導電性ペース
トの印刷精度を高めるには限界があり、したがって、た
とえば、配線幅100μmより狭い微細な配線を良好な
歩留まりをもって形成することは困難である。そのた
め、多層セラミック基板のさらなる小型化および配線の
さらなる高密度化に対する要求を満たすには限界があ
る。
Further, there is a limit in improving the printing accuracy of a conductive paste for forming a conductive film. Therefore, for example, it is difficult to form fine wiring having a wiring width of less than 100 μm with a good yield. . Therefore, there is a limit to satisfy the demand for further miniaturization of the multilayer ceramic substrate and further higher density of the wiring.

【0008】そこで、銅等からなる金属箔を、導体膜と
して用いた多層セラミック基板が提案されている。配線
導体を金属箔から構成することにより、金属箔は緻密で
あるので配線導体の低抵抗化が可能であり、また、配線
導体の表面粗さに関して、これを導電性ペーストを用い
て形成した場合と比較して、より平滑な表面を与えるこ
とができるので、高周波用途での損失が小さく、また、
フォトリソグラフィ技術を用いることによって微細なパ
ターニングが可能でありかつ直線性も向上させることが
できるので、高周波用途での損失が小さい、という利点
を期待することができる。
Accordingly, a multilayer ceramic substrate using a metal foil made of copper or the like as a conductor film has been proposed. By forming the wiring conductor from a metal foil, the metal foil is dense, so that the resistance of the wiring conductor can be reduced.Also, regarding the surface roughness of the wiring conductor, when this is formed using a conductive paste Can provide a smoother surface as compared with, so the loss in high frequency applications is small, and
By using photolithography technology, fine patterning is possible and linearity can be improved, so that an advantage that loss in high frequency applications is small can be expected.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、配線導
体における導体膜を金属箔から構成することにより、上
述のような利点がもたらされるものの、ビアホール導体
については、あくまでも、導電性ペーストを付与し、こ
れを焼結させて得られるものであるため、前述したよう
な問題が残る。
However, although the above-mentioned advantages are provided by forming the conductor film of the wiring conductor from a metal foil, the conductive paste is applied to the via-hole conductor. Since this is obtained by sintering, the above-described problem remains.

【0010】また、以下に説明するように、導電性ペー
ストの収縮によって、ビアホール導体と導体膜との間で
接続不良が生じやすいという問題にも遭遇する。
Further, as described below, a problem is also encountered in that the connection failure between the via-hole conductor and the conductor film is likely to occur due to shrinkage of the conductive paste.

【0011】図6および図7は、多層セラミック基板に
備えるあるセラミック層1を示す断面図である。図6お
よび図7には、ビアホール導体2およびこれに接続され
る導体膜3が図示されている。
FIGS. 6 and 7 are sectional views showing a ceramic layer 1 provided on a multilayer ceramic substrate. 6 and 7 show the via-hole conductor 2 and the conductor film 3 connected thereto.

【0012】ビアホール導体2は、導電性ペーストの焼
結体から構成され、他方、導体膜3は、金属箔から構成
されている。このようなビアホール導体2および導体膜
3を構成する材料やこれらを形成するための工程のた
め、ビアホール導体2と導体膜3との接続部分の構造に
関して、図6に示すように、ビアホール導体2の端面を
覆う状態で導体膜3が形成されるか、あるいは、図7に
示すように、導体膜3を貫通するようにビアホール導体
2が形成されるかのいずれかの構造になる。
The via-hole conductor 2 is made of a sintered body of a conductive paste, while the conductor film 3 is made of a metal foil. Due to the materials constituting the via-hole conductor 2 and the conductor film 3 and the process for forming them, the structure of the connection portion between the via-hole conductor 2 and the conductor film 3 is as shown in FIG. In this case, the conductor film 3 is formed so as to cover the end surface of the conductor film 3, or the via hole conductor 2 is formed so as to penetrate the conductor film 3 as shown in FIG.

【0013】これらビアホール導体2および導体膜3の
うち、ビアホール導体2は、導電性ペーストから形成さ
れるものであるので、乾燥時または焼成時において、そ
こに含まれる溶剤および樹脂等の熱分解または揮発によ
って必ず収縮する。その結果、図6および図7のいずれ
の構造にあっても、ビアホール導体2の収縮によって、
ビアホール導体2と導体膜3との間で接続不良が生じる
ことがある。
Since the via-hole conductor 2 of the via-hole conductor 2 and the conductor film 3 is formed from a conductive paste, the solvent or resin contained therein may be thermally decomposed or dried during drying or firing. Always shrinks due to volatilization. As a result, in any of the structures of FIGS.
A connection failure may occur between the via-hole conductor 2 and the conductor film 3.

【0014】なお、金属箔からなる導体膜3は、焼成工
程において実質的に収縮しないので、この導体膜3とセ
ラミック層1との収縮挙動を合わせるため、たとえば、
セラミック層1となるべきセラミックグリーンシートを
含む複数の積層されたセラミックグリーンシートを備え
る生の積層体の上下に、セラミックグリーンシートに含
まれるセラミック材料粉末の焼結温度では焼結しない収
縮抑制用無機材料粉末を含む外側拘束層を配置した状態
で焼成する、いわゆる無収縮プロセスを適用した方法も
提案されている。
Since the conductive film 3 made of a metal foil does not substantially shrink in the firing step, for example, in order to match the shrinkage behavior of the conductive film 3 and the ceramic layer 1, for example,
An inorganic material for shrinkage suppression, which does not sinter at the sintering temperature of the ceramic material powder contained in the ceramic green sheet, is placed above and below a green laminate including a plurality of laminated ceramic green sheets including the ceramic green sheet to be the ceramic layer 1. A method of applying a so-called non-shrinkage process in which firing is performed in a state in which an outer constraining layer containing a material powder is arranged has also been proposed.

【0015】この無収縮プロセスによれば、セラミック
層1における面方向の収縮挙動を金属箔からなる導体膜
3の面方向での収縮挙動と実質的に一致させることがで
きるが、導電性ペーストから形成され、そのため、焼成
時に必ず収縮するビアホール導体2との間での収縮挙動
を一致させることに対しては全く無力である。
According to the non-shrinkage process, the shrinkage behavior in the plane direction of the ceramic layer 1 can be made substantially coincident with the shrinkage behavior in the plane direction of the conductor film 3 made of metal foil. It is completely powerless to match the shrinkage behavior with the via-hole conductor 2 which is formed and therefore always shrinks during firing.

【0016】このような問題は、多層セラミック基板に
限らず、積層された複数のセラミック層をもって構成さ
れる積層体と、導体膜およびビアホール導体のような配
線導体とを備える、積層型セラミック電子部品であれ
ば、どのような積層型セラミック電子部品についても当
てはまることである。
Such a problem is not limited to a multilayer ceramic substrate, but a multilayer ceramic electronic component including a multilayer body composed of a plurality of laminated ceramic layers and a wiring conductor such as a conductor film and a via-hole conductor. This is true for any multilayer ceramic electronic component.

【0017】そこで、この発明の目的は、上述のような
問題を解決し得る、積層型セラミック電子部品およびそ
の製造方法を提供しようとすることである。
An object of the present invention is to provide a multilayer ceramic electronic component and a method for manufacturing the same, which can solve the above-described problems.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】この発明は、積層された
複数のセラミック層をもって構成される積層体と、セラ
ミック層上に形成される導体膜と、導体膜に接続されな
がら特定のセラミック層を厚み方向に貫通するように設
けられるビアホール導体とを備える、積層型セラミック
電子部品にまず向けられるものであって、上述した技術
的課題を解決するため、次のような構成を備えることを
特徴としている。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, there is provided a laminate comprising a plurality of laminated ceramic layers, a conductor film formed on the ceramic layer, and a specific ceramic layer connected to the conductor film. And a via-hole conductor provided so as to penetrate in the thickness direction, which is firstly directed to a multilayer ceramic electronic component, and is characterized by having the following configuration in order to solve the above-described technical problem. I have.

【0019】すなわち、この発明に係る積層型セラミッ
ク電子部品においては、導体膜およびビアホール導体
は、金属箔から一体的に構成され、この金属箔は、導体
膜を与えるシート状部分とビアホール導体を与えるよう
にシート状部分の一部から盛り上がるように形成された
バンプ部分とを備えることを特徴としている。
That is, in the multilayer ceramic electronic component according to the present invention, the conductor film and the via-hole conductor are integrally formed of a metal foil, and the metal foil provides the sheet-like portion providing the conductor film and the via-hole conductor. And a bump portion formed so as to swell from a part of the sheet-like portion.

【0020】上述の金属箔は、好ましくは、銅および銀
の少なくとも一方を含むようにされる。
The above-mentioned metal foil preferably contains at least one of copper and silver.

【0021】この発明は、また、積層された複数のセラ
ミック層をもって構成される積層体と、セラミック層上
に形成される導体膜と、導体膜に接続されながら特定の
セラミック層を厚み方向に貫通するように設けられるビ
アホール導体とを備える、積層型セラミック電子部品を
製造する方法にも向けられる。
According to another aspect of the present invention, there is provided a laminate comprising a plurality of laminated ceramic layers, a conductor film formed on the ceramic layer, and penetrating a specific ceramic layer in the thickness direction while being connected to the conductor film. And a via-hole conductor provided to perform the method described above.

【0022】この発明に係る積層型セラミック電子部品
の製造方法は、前述した技術的課題を解決するため、次
のような工程が実施されることを特徴としている。
The method of manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to the present invention is characterized in that the following steps are performed in order to solve the above-mentioned technical problem.

【0023】まず、導体膜を与えるシート状部分とビア
ホール導体を与えるようにシート状部分の一部から盛り
上がるように形成されたバンプ部分とを一体的に備える
金属箔を、支持体上において形成する、金属箔形成工程
が実施される。
First, a metal foil integrally provided with a sheet-shaped portion providing a conductor film and a bump portion formed so as to rise from a part of the sheet-shaped portion so as to provide a via-hole conductor is formed on a support. Then, a metal foil forming step is performed.

【0024】他方、セラミック層となるべきセラミック
グリーンシートを準備する、セラミックグリーンシート
準備工程が実施される。
On the other hand, a ceramic green sheet preparing step of preparing a ceramic green sheet to be a ceramic layer is performed.

【0025】次に、金属箔のバンプ部分をセラミックグ
リーンシートの厚み方向に突入させた状態とするよう
に、金属箔を支持体からセラミックグリーンシートへ転
移させる、転移工程が実施される。
Next, a transfer step of transferring the metal foil from the support to the ceramic green sheet is performed so that the bump portions of the metal foil are made to protrude in the thickness direction of the ceramic green sheet.

【0026】また、複数のセラミックグリーンシートを
積層する、積層工程が実施される。
In addition, a laminating step of laminating a plurality of ceramic green sheets is performed.

【0027】また、積層された複数のセラミックグリー
ンシートをもって構成される生の積層体を焼成する、焼
成工程が実施される。
In addition, a firing step of firing a green laminate composed of a plurality of stacked ceramic green sheets is performed.

【0028】この発明に係る積層型セラミック電子部品
の製造方法において、前述した金属箔形成工程に関し
て、次のようないくつかの実施態様がある。
In the method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to the present invention, there are several embodiments regarding the metal foil forming step described above.

【0029】第1の実施態様では、支持体上に、少なく
ともバンプ部分の高さに相当する厚みを有する金属箔を
貼り付ける工程と、フォトリソグラフィ技術を用いなが
ら金属箔をエッチングすることによって、金属箔に対し
て、シート状部分とバンプ部分との形状を与える工程と
が実施される。
In the first embodiment, a metal foil having a thickness at least corresponding to the height of a bump portion is attached to a support, and the metal foil is etched by using a photolithography technique to thereby form a metal foil. A step of giving a shape of a sheet portion and a bump portion to the foil is performed.

【0030】第2の実施態様では、支持体上に、フォト
リソグラフィ技術を用いながら、シート状部分およびバ
ンプ部分を順次アディティブめっき法によって形成する
工程が実施される。
In the second embodiment, a step of sequentially forming a sheet portion and a bump portion on a support by an additive plating method using a photolithography technique is performed.

【0031】第3の実施態様では、支持体上に、シート
状部分となるべき金属膜を形成する工程と、金属膜をエ
ッチングによってパターニングする工程と、フォトリソ
グラフィ技術を用いながら、金属膜上にバンプ部分をア
ディティブめっき法によって形成する工程とが実施され
る。
In the third embodiment, a step of forming a metal film to be a sheet-shaped portion on a support, a step of patterning the metal film by etching, and a step of forming a metal film on the metal film by using a photolithography technique. And forming a bump portion by an additive plating method.

【0032】また、この発明に係る積層型セラミック電
子部品の製造方法において、積層工程に関して、次のよ
うないくつかの実施態様がある。
In the method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to the present invention, there are several embodiments regarding the laminating step as follows.

【0033】第1の実施態様では、積層工程は、転移工
程を終えた後のセラミックグリーンシートを積層するよ
うに実施される。
In the first embodiment, the laminating step is performed such that the ceramic green sheets after the transfer step are laminated.

【0034】上述の実施態様の場合、セラミックグリー
ンシートの軟弱性をカバーするため、セラミックグリー
ンシートがキャリアフィルムによって裏打ちされた状態
で準備され、転移工程は、キャリアフィルムによって裏
打ちされたセラミックグリーンシートに対して実施さ
れ、積層工程において、セラミックグリーンシートを積
層した後にキャリアフィルムを剥離するようにすること
が好ましい。
In the above embodiment, the ceramic green sheet is prepared in a state of being lined with a carrier film to cover the softness of the ceramic green sheet, and the transfer step is performed on the ceramic green sheet lined with the carrier film. In the laminating step, the carrier film is preferably peeled after laminating the ceramic green sheets.

【0035】第2の実施態様では、積層工程は、転移工
程を実施する前のセラミックグリーンシートを積層する
ように実施され、転移工程は、積層工程を終えた後のセ
ラミックグリーンシートに対して実施される。
In the second embodiment, the laminating step is performed so as to laminate the ceramic green sheets before performing the transferring step, and the transferring step is performed on the ceramic green sheets after completing the laminating step. Is done.

【0036】金属箔のバンプ部分は先細状であることが
好ましい。
The bump portion of the metal foil is preferably tapered.

【0037】また、転移工程において、金属箔のバンプ
部分は、自らのセラミックグリーンシート内への突入に
よってセラミックグリーンシートに貫通孔を形成するよ
うにすれば、セラミックグリーンシートにビアホール導
体のための貫通孔を予め設けておく必要がない。
In the transfer step, if the bump portion of the metal foil is formed so as to penetrate into the ceramic green sheet to form a through hole in the ceramic green sheet, the ceramic green sheet has a through hole for a via hole conductor. There is no need to provide holes in advance.

【0038】この発明に係る積層型セラミック電子部品
の製造方法において、無収縮プロセスが適用されてもよ
い。
In the method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to the present invention, a non-shrinkage process may be applied.

【0039】無収縮プロセスを適用する場合、たとえ
ば、セラミックグリーンシートに含まれるセラミック材
料粉末の焼結温度では焼結しない収縮抑制用無機材料粉
末を含む層間拘束層が、生の積層体を構成する複数のセ
ラミックグリーンシート間の界面に沿って位置されるよ
うに、特定のセラミックグリーンシート上に層間拘束層
を形成する工程が実施される。
When the non-shrinkage process is applied, for example, an interlayer constraining layer containing a shrinkage-suppressing inorganic material powder that does not sinter at the sintering temperature of the ceramic material powder contained in the ceramic green sheet forms a raw laminate. A step of forming an interlayer constraining layer on a specific ceramic green sheet so as to be located along an interface between the plurality of ceramic green sheets is performed.

【0040】上述した実施態様に代えて、あるいは、上
述した実施態様に加えて、セラミックグリーンシートに
含まれるセラミック材料粉末の焼結温度では焼結しない
第2の収縮抑制用無機材料粉末を含む外側拘束層を、生
の積層体を積層方向に挟むように配置し、焼成工程の
後、外側拘束層を除去するようにしてもよい。
In place of or in addition to the above-described embodiment, the outer material containing the second inorganic material powder for shrinkage suppression which does not sinter at the sintering temperature of the ceramic material powder contained in the ceramic green sheet. The constraining layer may be arranged so as to sandwich the green laminate in the laminating direction, and the outer constraining layer may be removed after the firing step.

【0041】この発明は、また、上述したような製造方
法によって得られた積層型セラミック電子部品にも向け
られる。
The present invention is also directed to a multilayer ceramic electronic component obtained by the above-described manufacturing method.

【0042】[0042]

【発明の実施の形態】以下には、この発明の実施の形態
を説明するにあたり、積層型セラミック電子部品の一例
としての多層セラミック基板について説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following, in describing embodiments of the present invention, a multilayer ceramic substrate as an example of a multilayer ceramic electronic component will be described.

【0043】図1は、この発明の第1の実施形態を説明
するためのもので、多層セラミック基板の製造方法に含
まれるいくつかの典型的な工程が順次断面図で示されて
いる。
FIG. 1 is a view for explaining a first embodiment of the present invention, in which several typical steps included in a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate are sequentially shown in sectional views.

【0044】図1(7)は、図1(1)〜(6)に示し
た各工程を経て得られた多層セラミック基板11を示し
ている。多層セラミック基板11は、積層された複数の
セラミック層12をもって構成される積層体13と、セ
ラミック層12上に形成されることによって積層体13
の外表面上および/またはセラミック層12間の特定の
界面に沿うように位置されるいくつかの導体膜14と、
導体膜14に接続されながら特定のセラミック層12を
厚み方向に貫通するように設けられるいくつかのビアホ
ール導体15とを備えている。
FIG. 1 (7) shows a multilayer ceramic substrate 11 obtained through the steps shown in FIGS. 1 (1) to 1 (6). The multilayer ceramic substrate 11 includes a multilayer body 13 including a plurality of stacked ceramic layers 12 and a multilayer body 13 formed on the ceramic layer 12.
A number of conductor films 14 located on the outer surface of the substrate and / or along a particular interface between the ceramic layers 12;
Several via-hole conductors 15 are provided so as to penetrate the specific ceramic layer 12 in the thickness direction while being connected to the conductor film 14.

【0045】なお、図示した多層セラミック基板11
は、図面の煩雑化を避けるため、簡略化されて図示され
ている。実際の多層セラミック基板には、より多数のセ
ラミック層が積層されたものや、導体膜およびビアホー
ル導体によってコンデンサおよび/またはインダクタの
ような受動素子を構成しているものや、キャビティを形
成しているものなどがある。また、図1(7)において
は、多層セラミック基板11上あるいはキャビティ内に
搭載される半導体ICチップのような能動素子やチップ
コンデンサのような受動素子の図示が省略されている。
The illustrated multilayer ceramic substrate 11
Is simplified to avoid complication of the drawings. In an actual multilayer ceramic substrate, a substrate in which a larger number of ceramic layers are laminated, a substrate constituting a passive element such as a capacitor and / or an inductor by a conductor film and a via-hole conductor, and a cavity are formed. There are things. Also, in FIG. 1 (7), illustration of active elements such as semiconductor IC chips and passive elements such as chip capacitors mounted on the multilayer ceramic substrate 11 or in the cavity is omitted.

【0046】このような多層セラミック基板11を製造
するため、まず、図1(1)に示すように、支持体16
が用意され、この支持体16上に金属箔17が貼り付け
られる。支持体16としては、たとえば、ポリエチレン
系樹脂、ポリエステル系樹脂またはポリカーボネート系
樹脂等からなる有機フィルム、あるいは、アルミニウム
またはステンレス鋼等からなる金属フィルムが用いられ
る。金属箔17としては、たとえば、銅、銅合金、銀ま
たは銀合金からなるものが用いられる。
In order to manufacture such a multilayer ceramic substrate 11, first, as shown in FIG.
Is prepared, and a metal foil 17 is attached on the support 16. As the support 16, for example, an organic film made of a polyethylene resin, a polyester resin, a polycarbonate resin, or the like, or a metal film made of aluminum, stainless steel, or the like is used. The metal foil 17 is made of, for example, copper, a copper alloy, silver, or a silver alloy.

【0047】金属箔17を支持体16上に貼り付けるた
め、図示しないが、支持体16上に、たとえば、ポリア
クリル系樹脂またはポリイソブチレン系樹脂等からなる
市販の接着剤が塗布されたり、あるいは、たとえば、エ
チルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラー
ル、メタクリル樹脂またはエポキシ樹脂等に、テレピネ
オール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセ
テートまたはアルコール類を混合して得られた接着性有
機混合物等が塗布され、これら接着剤または接着性有機
混合物上に金属箔17が積層される。
Although not shown, a commercially available adhesive made of, for example, a polyacrylic resin or a polyisobutylene-based resin is applied to the support 16 for attaching the metal foil 17 on the support 16 or For example, an adhesive organic mixture or the like obtained by mixing terpineol, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, or an alcohol with ethyl cellulose, acrylic resin, polyvinyl butyral, methacrylic resin, or epoxy resin, and the like is applied. The metal foil 17 is laminated on the agent or the adhesive organic mixture.

【0048】次に、フォトリソグラフィ技術を用いなが
ら金属箔17をエッチングすることによって、図1
(2)に示すように、金属箔17に対して、シート状部
分18とシート状部分18の一部から盛り上がるバンプ
部分19との形状が与えられる。シート状部分18は、
図1(7)に示した導体膜14を与えるためのものであ
り、バンプ部分19は、ビアホール導体15を与えるた
めのものである。
Next, the metal foil 17 is etched while using the photolithography technique, as shown in FIG.
As shown in (2), the metal foil 17 is given the shape of a sheet-like portion 18 and a bump portion 19 rising from a part of the sheet-like portion 18. The sheet-like portion 18
This is for providing the conductor film 14 shown in FIG. 1 (7), and the bump portion 19 is for providing the via hole conductor 15.

【0049】より具体的には、図1(1)に示した金属
箔17の表面に感光性フィルムを貼り付け、これを、所
望の露光パターンが形成されたガラス原版によってマス
クし、露光処理を行なった後、感光性フィルムに所望の
パターンを与えるように現像処理する。
More specifically, a photosensitive film is adhered to the surface of the metal foil 17 shown in FIG. 1 (1), and this is masked by a glass master on which a desired exposure pattern is formed. After the development, the photosensitive film is developed so as to give a desired pattern.

【0050】次に、上述のようにパターニングされた感
光性フィルムをレジストとして、金属箔17をエッチン
グすることによって、まず、バンプ部分19を形成す
る。ここで、金属箔17が銅からなる場合には、たとえ
ば、ペルオキソ2硫酸アンモニウムまたは塩化第2鉄等
の溶液がエッチャントとして用いられ、金属箔17が銀
からなる場合には、たとえば、硝酸等がエッチャントと
して用いられる。
Next, by using the photosensitive film patterned as described above as a resist, the metal foil 17 is etched to form the bump portions 19 first. Here, when the metal foil 17 is made of copper, for example, a solution of ammonium peroxodisulfate or ferric chloride is used as an etchant. When the metal foil 17 is made of silver, for example, nitric acid or the like is used as an etchant. Used as

【0051】次に、上述の方法と同様の方法を繰り返
し、シート状部分18において所望のパターンが与えら
れる。
Next, the same method as described above is repeated to give a desired pattern on the sheet-like portion 18.

【0052】このようにして、シート状部分18とバン
プ部分19とを一体的に備える金属箔17が、支持体1
6上において形成される。なお、上述した方法から明ら
かなように、図1(1)において支持体16上に貼り付
けられる金属箔17は、少なくともバンプ部分19の高
さに相当する厚みを有していることになる。
As described above, the metal foil 17 integrally including the sheet-like portion 18 and the bump portion 19 is provided on the support 1.
6 are formed. As apparent from the above-described method, the metal foil 17 attached to the support 16 in FIG. 1A has a thickness corresponding to at least the height of the bump portion 19.

【0053】上述したシート状部分18は、図1(2)
の左側に示すように、バンプ部分19の径より広く延び
るものも、右側に示すように、バンプ部分19の径と同
じ平面寸法しか有しないものもある。
The above-mentioned sheet-like portion 18 corresponds to FIG.
As shown on the left side of the figure, there are those that extend wider than the diameter of the bump portion 19, and those shown on the right side have only the same planar dimensions as the diameter of the bump portion 19.

【0054】他方、図1(3)に示すように、セラミッ
ク層12となるべきセラミックグリーンシート20が準
備される。セラミックグリーンシート20は、後述する
焼成工程において、銅または銀を含む金属箔17との同
時焼成を可能とするため、低温焼結セラミック材料を含
むものであることが好ましい。
On the other hand, as shown in FIG. 1C, a ceramic green sheet 20 to be the ceramic layer 12 is prepared. The ceramic green sheet 20 preferably contains a low-temperature sintered ceramic material in order to enable simultaneous firing with the metal foil 17 containing copper or silver in a firing step described later.

【0055】セラミックグリーンシート20は、たとえ
ば、酸化バリウム、酸化ケイ素、アルミナ、酸化カルシ
ウムおよび酸化ホウ素の各粉末を混合したものに、ポリ
ビニルブチラールからなるバインダとジ−n−ブチルフ
タレートからなる可塑剤とトルエンおよびイソプロピレ
ンアルコールからなる溶剤とを混合して得られたスラリ
ーを、ドクターブレード法等によりシート状に成形し、
これを乾燥させることによって得ることができる。
The ceramic green sheet 20 is made of, for example, a mixture of powders of barium oxide, silicon oxide, alumina, calcium oxide and boron oxide, a binder of polyvinyl butyral and a plasticizer of di-n-butyl phthalate. A slurry obtained by mixing a solvent consisting of toluene and isopropylene alcohol is formed into a sheet by a doctor blade method or the like,
This can be obtained by drying.

【0056】セラミックグリーンシート20に含まれる
低温焼結セラミック材料としては、上記の例のように、
焼成時にガラスが生成するもののほか、予め、ガラスや
酸化銅や酸化マグネシウム等の焼結助剤を含有させてお
くことによって、より低温で焼結し得る組成としたもの
であってもよい。また、セラミックグリーンシート20
に含まれるバインダ、可塑剤および溶剤についても、上
記の例以外のものを用いてもよい。
As the low-temperature sintered ceramic material contained in the ceramic green sheet 20, as described in the above example,
In addition to the glass that is produced at the time of firing, a composition that can be sintered at a lower temperature by adding a sintering aid such as glass or copper oxide or magnesium oxide in advance may be used. The ceramic green sheet 20
As for the binder, plasticizer and solvent contained in the above, those other than the above examples may be used.

【0057】次に、図1(3)に示すように、セラミッ
クグリーンシート20に向かって、矢印21で示すよう
に、支持体16によって保持された金属箔17が押し付
けられ、これによって、図1(4)に示すように、金属
箔17のバンプ部分19がセラミックグリーンシート2
0の厚み方向に突入した状態とされる。そして、図1
(5)に示すように、支持体16が金属箔17から剥離
されたとき、金属箔17はセラミックグリーンシート2
0側に転移される。
Next, as shown in FIG. 1 (3), the metal foil 17 held by the support 16 is pressed against the ceramic green sheet 20 as shown by an arrow 21. As shown in (4), the bump portion 19 of the metal foil 17 is
0 in the thickness direction. And FIG.
As shown in (5), when the support 16 is peeled from the metal foil 17, the metal foil 17
Transferred to 0 side.

【0058】より具体的には、図1(4)に示した構造
物を、70〜150℃の温度範囲に加熱された加圧板を
用いて、1〜100MPaの圧力範囲において1〜60
秒間加圧することによって、金属箔17を、支持体16
からセラミックグリーンシート20へと容易に転移させ
ることができる。
More specifically, the structure shown in FIG. 1 (4) was compressed from 1 to 60 MPa in a pressure range of 1 to 100 MPa using a pressure plate heated to a temperature range of 70 to 150 ° C.
By pressing for 2 seconds, the metal foil 17 is
To the ceramic green sheet 20.

【0059】この場合、金属箔17の片面または両面
を、高周波特性が問題とならない程度に荒らしておく
と、アンカー効果によって、上述の転移性がより向上
し、また、セラミックグリーンシート20に対する密着
性がより向上する。また、焼成工程において焼失する樹
脂接着剤を、金属箔7の表面に予め塗布しておいてもよ
い。これによっても、金属箔17とこれが転移されたセ
ラミックグリーンシート20との間の密着力をより高め
ることができる。
In this case, if one or both surfaces of the metal foil 17 are roughened to such an extent that the high-frequency characteristics do not become a problem, the above-mentioned transferability is further improved by the anchor effect, and the adhesion to the ceramic green sheet 20 is improved. Is more improved. Further, a resin adhesive which is burned off in the firing step may be applied to the surface of the metal foil 7 in advance. This can further enhance the adhesion between the metal foil 17 and the ceramic green sheet 20 to which the metal foil 17 has been transferred.

【0060】なお、上述した実施形態では、金属箔17
のバンプ部分19は、自らのセラミックグリーンシート
20内への突入によってセラミックグリーンシート20
に貫通孔を形成したが、図1(3)において破線で示す
ように、セラミックグリーンシート20に、バンプ部分
19を受け入れるための貫通孔22を予め設けておいて
もよい。
In the above embodiment, the metal foil 17
The bump portion 19 of the ceramic green sheet 20
The through holes are formed in the ceramic green sheet 20 as shown by the broken lines in FIG. 1 (3).

【0061】また、図示のように、バンプ部分19は、
先細状であることが好ましい。バンプ部分19を先細状
とすることにより、自らのセラミックグリーンシート2
0内の突入によってセラミックグリーンシート20に貫
通孔を形成することが容易になるからである。また、貫
通孔22が予めセラミックグリーンシート20に設けら
れる場合であっても、バンプ部分19が先細状であれ
ば、貫通孔22内へバンプ部分19が円滑に挿入される
ことが可能になる。
As shown in FIG.
It is preferably tapered. By making the bump portion 19 tapered, the ceramic green sheet 2 of its own can be formed.
This is because it is easy to form a through hole in the ceramic green sheet 20 due to the entry into 0. Further, even when the through-hole 22 is provided in the ceramic green sheet 20 in advance, if the bump 19 is tapered, the bump 19 can be smoothly inserted into the through-hole 22.

【0062】上述のように、先細状のバンプ部分19を
形成するには、この実施形態のようにエッチングが適用
される場合には、完全にエッチングが完了する前にエッ
チングを止めるようにすればよい。一般に、エッチング
は、端部になるほどエッチングされにくく、また、上側
より下側の方がエッチングされにくいので、バンプ部分
19において、先細形状を与えることが可能になる。
As described above, in order to form the tapered bump portion 19, if the etching is applied as in this embodiment, the etching may be stopped before the etching is completely completed. Good. In general, the etching is less likely to be etched toward the end portion, and is more difficult to be etched on the lower side than on the upper side, so that the bump portion 19 can have a tapered shape.

【0063】次に、図1(6)に示すように、金属箔1
7を保持した複数のセラミックグリーンシート20を含
む複数のセラミックグリーンシート20が積層され、次
いで、たとえば温度80℃および圧力150MPaの条
件で積層方向にプレスされることによって、生の積層体
23が得られる。
Next, as shown in FIG.
A plurality of ceramic green sheets 20 including a plurality of ceramic green sheets 20 holding 7 are laminated and then pressed in the laminating direction at a temperature of 80 ° C. and a pressure of 150 MPa, for example, to obtain a raw laminate 23. Can be

【0064】次に、生の積層体23は、脱バインダ工程
を経て、還元性雰囲気中で、たとえば温度900℃およ
び1時間の条件で焼成され、それによって、図1(7)
に示した焼結後の多層セラミック基板11が得られる。
Next, the green laminate 23 is baked in a reducing atmosphere, for example, at a temperature of 900 ° C. for one hour through a binder removal process, whereby the green laminate 23 shown in FIG.
2 is obtained.

【0065】多層セラミック基板11において、セラミ
ック層12はセラミックグリーンシート20に由来する
ものであり、導体膜14は金属箔17のシート状部分1
8に由来するものであり、ビアホール導体15は金属箔
17のバンプ部分19に由来するものである。その後、
必要に応じて、積層体13の表面に露出する導体膜14
に対して、Ni/Auめっき、Ni/Snめっきおよび
/またはNi/半田めっきが施される。
In the multilayer ceramic substrate 11, the ceramic layer 12 is derived from the ceramic green sheet 20, and the conductor film 14 is formed on the sheet-like portion 1 of the metal foil 17.
8, and the via-hole conductor 15 is derived from the bump portion 19 of the metal foil 17. afterwards,
If necessary, the conductor film 14 exposed on the surface of the laminate 13
Is subjected to Ni / Au plating, Ni / Sn plating and / or Ni / solder plating.

【0066】この実施形態によれば、導体膜14を与え
るシート状部分18とビアホール15を与えるバンプ部
分19とが金属箔17から一体的に構成されるので、シ
ート状部分18とバンプ部分19との焼成過程における
収縮挙動が実質的に同じであるので、導体膜14とビア
ホール導体15との間で接続不良が生じることがない。
According to this embodiment, since the sheet portion 18 for providing the conductor film 14 and the bump portion 19 for providing the via hole 15 are integrally formed from the metal foil 17, the sheet portion 18 and the bump portion 19 are formed integrally. Since the shrinkage behavior during the firing process is substantially the same, a connection failure does not occur between the conductor film 14 and the via-hole conductor 15.

【0067】図1を参照して説明した第1の実施形態の
変形例として、以下に説明するような無収縮プロセスを
適用した実施形態も可能である。
As a modification of the first embodiment described with reference to FIG. 1, an embodiment in which a non-shrink process as described below is applied is also possible.

【0068】図1(6)を参照して説明すると、生の積
層体23を積層方向に挟むように外側拘束層24を配置
した状態で、焼成工程が実施される。外側拘束層24
は、セラミックグリーンシート20に含まれるセラミッ
ク材料粉末の焼結温度では焼結しない収縮抑制用無機材
料粉末に適当なバインダおよび溶剤を添加し、混合して
得られたスラリーをシート状に成形することによって得
られるものである。
Referring to FIG. 1 (6), the firing step is performed with the outer constraining layer 24 disposed so as to sandwich the raw laminate 23 in the laminating direction. Outer restraint layer 24
Is to add a suitable binder and a solvent to the shrinkage-suppressing inorganic material powder that does not sinter at the sintering temperature of the ceramic material powder contained in the ceramic green sheet 20, and form a slurry obtained by mixing into a sheet. Is obtained by

【0069】前述したように、セラミックグリーンシー
ト20に含まれるセラミック材料粉末が、たとえば10
00℃以下の温度で焼結可能な低温焼結セラミック材料
粉末である場合には、外側拘束層24に含まれる収縮抑
制用無機材料粉末として、たとえば、アルミナ、ムライ
ト、窒化アルミニウム、ジルコニア、アノーサイト、フ
ォルステライトおよびコージライトの各粉末の少なくと
も1種が有利に用いられる。
As described above, the ceramic material powder contained in the ceramic green sheet 20 is, for example, 10%.
In the case of a low-temperature sintered ceramic material powder that can be sintered at a temperature of 00 ° C. or less, examples of the inorganic material powder for suppressing shrinkage included in the outer constraining layer 24 include alumina, mullite, aluminum nitride, zirconia, and anorthite. , Forsterite and cordierite powders are advantageously used.

【0070】外側拘束層24に含まれる収縮抑制用無機
材料粉末は、焼成工程において、実質的に焼結しないた
め、外側拘束層24においては実質的な収縮が生じな
い。したがって、外側拘束層24による収縮抑制作用が
生の積層体23に及ぼされることになり、生の積層体2
3にあっては、厚み方向には収縮するが、セラミックグ
リーンシート20の主面方向には収縮が生じにくくな
る。
The shrinkage-suppressing inorganic material powder contained in the outer constraining layer 24 does not substantially sinter in the firing step, so that the outer constraining layer 24 does not substantially shrink. Therefore, the shrinkage suppressing action of the outer constraining layer 24 is exerted on the raw laminate 23, and the raw laminate 2
In No. 3, shrinkage occurs in the thickness direction, but shrinkage hardly occurs in the main surface direction of the ceramic green sheet 20.

【0071】その結果、図1(7)に示した焼結後の積
層体13の寸法精度を高くすることができ、導体膜14
およびビアホール導体15によって与えられる配線の高
密度化を高い信頼性をもって達成することができる。ま
た、セラミックグリーンシート20の焼成過程での主面
方向の収縮挙動と金属箔17のシート状部分18および
バンプ部分19の各々の収縮挙動とを実質的に一致させ
ることができる。したがって、得られた多層セラミック
基板11において、セラミック層12と導体膜13との
間での剥離を生じにくくすることができる。
As a result, the dimensional accuracy of the laminated body 13 after sintering shown in FIG.
In addition, high density wiring provided by the via hole conductor 15 can be achieved with high reliability. In addition, the shrinkage behavior of the ceramic green sheet 20 in the main surface direction during the firing process can be substantially matched with the shrinkage behavior of each of the sheet portion 18 and the bump portion 19 of the metal foil 17. Therefore, in the obtained multilayer ceramic substrate 11, peeling between the ceramic layer 12 and the conductor film 13 can be suppressed.

【0072】焼成工程の後、外側拘束層24は、たとえ
ばサンドブラスト等によって除去される。
After the firing step, outer constraining layer 24 is removed by, for example, sandblasting.

【0073】図2は、この発明の第2の実施形態を説明
するためのもので、特に、金属箔形成工程に関する他の
実施形態を説明するためのものである。図2において、
図1に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を
付し、重複する説明は省略する。
FIG. 2 is for explaining a second embodiment of the present invention, and is particularly for explaining another embodiment relating to a metal foil forming step. In FIG.
Elements corresponding to the elements shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0074】この実施形態では、まず、図2(1)に示
すように、支持体16が用意される。この支持体16上
に、フォトリソグラフィ技術を用いながら、図2(2)
に示すように、まず、シート状部分18がアディティブ
めっき法によって形成され、次いで、図2(3)に示す
ように、同様の方法により、バンプ部分19が形成され
る。
In this embodiment, first, as shown in FIG. 2A, a support 16 is prepared. While using the photolithography technique on this support 16, FIG.
As shown in FIG. 2, first, a sheet-like portion 18 is formed by an additive plating method, and then, as shown in FIG. 2C, a bump portion 19 is formed by a similar method.

【0075】上述のように、アディティブめっき法によ
ってバンプ部分19が形成される場合、通常、レジスト
から離れた箇所での析出スピードが速いため、このバン
プ部分19をほぼ自然に先細状にすることができる。し
かしながら、より確実に先細状のバンプ部分19を形成
するには、最初、広めの開口パターンを有するレジスト
を形成してめっき膜を析出させてから、より小さい開口
パターンを有するレジストを形成してめっき膜を析出さ
せるといった、2段階析出を適用することが好ましい。
As described above, when the bump portion 19 is formed by the additive plating method, the deposition speed is usually high at a position away from the resist, so that the bump portion 19 is tapered almost naturally. it can. However, in order to more reliably form the tapered bump portion 19, first, a resist having a wide opening pattern is formed and a plating film is deposited, and then a resist having a smaller opening pattern is formed and plating is performed. It is preferable to apply a two-stage deposition, such as depositing a film.

【0076】このようにして、シート状部分18とバン
プ部分19とを一体的に備える金属箔17を、支持体1
6上において形成する、金属箔形成工程を終えた後、第
1の実施形態の場合と同様、図1(3)〜(7)に示す
工程を実施し、目的とする多層セラミック基板11を得
ることができる。
In this manner, the metal foil 17 integrally including the sheet-like portion 18 and the bump portion 19 is placed on the support 1.
After completing the metal foil forming step of forming on 6, the steps shown in FIGS. 1 (3) to (7) are performed as in the case of the first embodiment, and the intended multilayer ceramic substrate 11 is obtained. be able to.

【0077】金属箔形成工程のさらに他の変形例とし
て、支持体16上に、シート状部分18となるべき金属
膜を形成し、この金属膜をエッチングによってパターニ
ングし、それによって、図2(2)に示すようなシート
状部分18を形成し、次いで、フォトリソグラフィ技術
を用いながら、パターニングされた金属膜すなわちシー
ト状部分18上にバンプ部分19を、図2(3)に示す
ように、アディティブめっき法によって形成するように
してもよい。
As still another modification of the metal foil forming step, a metal film to be the sheet-like portion 18 is formed on the support 16 and the metal film is patterned by etching. 2), a bump portion 19 is formed on the patterned metal film, that is, the sheet portion 18 by using a photolithography technique, as shown in FIG. It may be formed by a plating method.

【0078】図3は、この発明の第3の実施形態を説明
するためのもので、特に、セラミックグリーンシート準
備工程、転移工程および積層工程に関する変形例を示し
ている。図3において、図1に示した要素に相当する要
素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略す
る。
FIG. 3 is a view for explaining a third embodiment of the present invention, and particularly shows a modified example relating to a ceramic green sheet preparing step, a transferring step and a laminating step. 3, elements corresponding to the elements shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted.

【0079】図3(1)に示した工程は、図1(3)に
示した工程に相当している。この実施形態では、図3
(1)に示すように、セラミックグリーンシート20
は、キャリアフィルム25によって裏打ちされた状態で
用いられる。これによって、軟弱なセラミックグリーン
シート20が、積層工程までの工程において、不所望に
も変形したり、破損したりすることが防止される。
The step shown in FIG. 3A corresponds to the step shown in FIG. In this embodiment, FIG.
As shown in (1), the ceramic green sheet 20
Is used while being backed by a carrier film 25. This prevents the soft ceramic green sheet 20 from being undesirably deformed or damaged in the steps up to the laminating step.

【0080】セラミックグリーンシート20は、前述し
たように、セラミックスラリーをドクターブレード法等
により、シート状に成形することによって得られるもの
であるが、このシート成形工程は、通常、キャリアフィ
ルム25上でセラミックグリーンシート20が成形され
るように実施される。したがって、成形後のセラミック
グリーンシート20を、キャリアフィルム25から剥離
することなく、図3(1)に示す工程に供給すればよ
い。
As described above, the ceramic green sheet 20 is obtained by forming the ceramic slurry into a sheet by a doctor blade method or the like. This sheet forming step is usually performed on the carrier film 25. This is performed so that the ceramic green sheet 20 is formed. Therefore, the formed ceramic green sheet 20 may be supplied to the step shown in FIG. 3A without peeling from the carrier film 25.

【0081】図3(1)に示すように、キャリアフィル
ム25によって裏打ちされたセラミックグリーンシート
20に向くように、支持体16上に保持された金属箔1
7が配置され、矢印21で示すように金属箔17がセラ
ミックグリーンシートに向かって押し付けられる。これ
によって、図3(2)に示すように、金属箔17のバン
プ部分19がセラミックグリーンシート20の厚み方向
に突入される。次に、図3(3)に示すように、支持体
16が除去され、その結果、金属箔17が支持体16か
らセラミックグリーンシート20へ転移される。この段
階においても、セラミックグリーンシート20はキャリ
アフィルム25によって裏打ちされた状態にある。
As shown in FIG. 3A, the metal foil 1 held on the support 16 is directed to the ceramic green sheet 20 lined with the carrier film 25.
7 are arranged, and the metal foil 17 is pressed toward the ceramic green sheet as indicated by an arrow 21. As a result, as shown in FIG. 3B, the bump portions 19 of the metal foil 17 protrude in the thickness direction of the ceramic green sheet 20. Next, as shown in FIG. 3C, the support 16 is removed, and as a result, the metal foil 17 is transferred from the support 16 to the ceramic green sheet 20. At this stage, the ceramic green sheet 20 is also backed by the carrier film 25.

【0082】次に、図3(4)に示すように、セラミッ
クグリーンシート20は、キャリアフィルム25を上に
した状態で積層され、前に積層されたセラミックグリー
ンシート20に向かって圧着され、その後において、キ
ャリアフィルム25がセラミックグリーンシート20か
ら剥離される。
Next, as shown in FIG. 3 (4), the ceramic green sheets 20 are laminated with the carrier film 25 facing upward, and are pressed toward the previously laminated ceramic green sheets 20, and thereafter, In, the carrier film 25 is peeled from the ceramic green sheet 20.

【0083】このようにして、生の積層体23が得ら
れ、以後、第1の実施形態の場合と同様の工程が実施さ
れ、目的とする多層セラミック基板11が得られる。
In this way, the green laminate 23 is obtained, and thereafter, the same steps as those in the first embodiment are performed, and the intended multilayer ceramic substrate 11 is obtained.

【0084】図4は、この発明の第4の実施形態を説明
するためのもので、特に、転移工程および積層工程に関
する変形例を示している。図4において、図1または図
3に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付
し、重複する説明は省略する。
FIG. 4 is for explaining the fourth embodiment of the present invention, and particularly shows a modification relating to the transfer step and the laminating step. In FIG. 4, elements corresponding to the elements shown in FIG. 1 or FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0085】図4(1)を参照して、キャリアフィルム
25によって裏打ちされたセラミックグリーンシート2
0が、キャリアフィルム25を上にして、前に積層され
たセラミックグリーンシート20上に積み重ねられ、次
いで圧着され、その後、キャリアフィルム25が剥離さ
れる。この段階では、積層されたばかりのセラミックグ
リーンシート20には、金属箔17が設けられていな
い。
Referring to FIG. 4A, ceramic green sheet 2 lined with carrier film 25
0 are stacked on the previously laminated ceramic green sheet 20 with the carrier film 25 facing up and then pressed down, after which the carrier film 25 is peeled off. At this stage, the metal foil 17 is not provided on the ceramic green sheet 20 that has just been laminated.

【0086】次に、図4(2)に示すように、積層され
たばかりのセラミックグリーンシート20に向かって、
支持体16上に形成された金属箔17が、矢印21で示
すように押し付けられ、それによって、図4(3)に示
すように、金属箔17のバンプ部分19がセラミックグ
リーンシート20の厚み方向に突入される。その後、支
持体16が除去され、その結果、金属箔17が支持体1
6からセラミックグリーンシート20へと転移される。
Next, as shown in FIG. 4B, toward the ceramic green sheet 20 just laminated,
The metal foil 17 formed on the support 16 is pressed as shown by an arrow 21, and as a result, as shown in FIG. Rushed into. Thereafter, the support 16 is removed, and as a result, the metal foil 17 is removed from the support 1.
6 to a ceramic green sheet 20.

【0087】このようにして、図1(6)に示した生の
積層体23が得られ、以後、第1の実施形態の場合と同
様の工程が実施され、目的とする多層セラミック基板1
1が得られる。
In this way, the green laminate 23 shown in FIG. 1 (6) is obtained. Thereafter, the same steps as those in the first embodiment are performed, and the intended multilayer ceramic substrate 1 is formed.
1 is obtained.

【0088】図5は、この発明の第5の実施形態を説明
するためのもので、特に、無収縮プロセスの変形例を説
明するためのものである。図5において、図1に示した
要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複す
る説明は省略する。
FIG. 5 is for explaining the fifth embodiment of the present invention, and particularly for explaining a modification of the non-shrinkage process. In FIG. 5, elements corresponding to the elements shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0089】図5に示した工程は、図1(3)に示した
工程に相当している。図5に示すように、セラミックグ
リーンシート20に含まれるセラミック材料粉末の焼結
温度では焼結しない収縮抑制用無機材料粉末を含む層間
拘束層26が、セラミックグリーンシート20上に形成
されている。
The step shown in FIG. 5 corresponds to the step shown in FIG. As shown in FIG. 5, an interlayer constraining layer 26 containing a shrinkage-suppressing inorganic material powder that does not sinter at the sintering temperature of the ceramic material powder contained in the ceramic green sheet 20 is formed on the ceramic green sheet 20.

【0090】この実施形態では、層間拘束層26が形成
されたセラミックグリーンシート20に対して、図1
(3)〜(7)に示した各工程に相当する工程が実施さ
れる。したがって、図1(6)に示した生の積層体23
においては、セラミックグリーンシート20間の界面に
沿って層間拘束層26が位置され、また、図1(7)に
示した焼結後の積層体13においては、セラミック層1
2間の界面に沿って層間拘束層26が位置されている。
In this embodiment, the ceramic green sheet 20 on which the interlayer constraining layer 26 is formed is shown in FIG.
Steps corresponding to the steps (3) to (7) are performed. Therefore, the raw laminate 23 shown in FIG.
In FIG. 1, the interlayer constraining layer 26 is located along the interface between the ceramic green sheets 20. In the laminated body 13 after sintering shown in FIG.
An interlayer constraining layer 26 is located along the interface between the two.

【0091】前述したように、セラミックグリーンシー
ト20に含まれるセラミック材料粉末が1000℃以下
の温度で焼結可能である場合、層間拘束層26は、たと
えば、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウム、ガラス
セラミック、ジルコニア、アノーサイト、フォルステラ
イトおよびコージライトの各粉末の少なくとも1種を主
成分とし、軟化点780℃で粒径1.5μmのホウケイ
酸ガラス粉末を15〜60体積%含み、さらに、ポリビ
ニルブチラールからなるバインダとジ−n−ブチルフタ
レートからなる可塑剤とトルエンおよびイソプロピレン
アルコールからなる溶剤とを混合して得られたスラリー
を、セラミックグリーンシート20上に塗布することに
よって形成される。
As described above, when the ceramic material powder contained in the ceramic green sheet 20 can be sintered at a temperature of 1000 ° C. or less, the interlayer constraining layer 26 is made of, for example, alumina, mullite, aluminum nitride, glass ceramic, It contains at least one of zirconia, anorthite, forsterite and cordierite powder as a main component, contains 15 to 60% by volume of a borosilicate glass powder having a softening point of 780 ° C and a particle size of 1.5 μm, and further contains polyvinyl butyral. A slurry obtained by mixing a binder made of di-n-butylphthalate and a plasticizer made of di-n-butyl phthalate with a solvent made of toluene and isopropylene alcohol is applied on the ceramic green sheet 20.

【0092】このような層間拘束層26に含まれる、た
とえばアルミナ粉末のような収縮抑制用無機材料粉末
は、焼成工程において、実質的に焼結しないため、層間
拘束層26には実質的な収縮が生じない。したがって、
層間拘束層26による収縮抑制作用がセラミックグリー
ンシート20に及ぼされ、焼成工程において、セラミッ
クグリーンシート20が主面方向に収縮することが抑制
される。その結果、焼結後の積層体13の寸法精度を高
くでき、配線の高密度化を高い信頼性をもって達成する
ことができる。また、焼成工程において、セラミックグ
リーンシート20の収縮挙動と金属箔17の収縮挙動と
を実質的に一致させることができ、焼結後の積層体13
において、セラミック層12の剥がれの問題等を生じに
くくすることができる。
The inorganic material powder for suppressing shrinkage, such as alumina powder, contained in the interlayer constrained layer 26 does not substantially sinter in the firing step. Does not occur. Therefore,
The shrinkage-suppressing action of the interlayer constraining layer 26 is exerted on the ceramic green sheet 20, and the shrinkage of the ceramic green sheet 20 in the main surface direction in the firing step is suppressed. As a result, the dimensional accuracy of the laminated body 13 after sintering can be increased, and high density wiring can be achieved with high reliability. Further, in the firing step, the shrinkage behavior of the ceramic green sheet 20 and the shrinkage behavior of the metal foil 17 can be substantially matched, and the laminated body 13 after sintering can be obtained.
In this case, the problem of peeling of the ceramic layer 12 or the like can be suppressed.

【0093】層間拘束層26は、前述したような組成と
されることにより、焼成工程の結果、緻密化されかつ固
化され、したがって、焼成工程の後、除去されず、製品
としての多層セラミック基板11に残される。
The interlayer constraining layer 26 has the above-described composition, and as a result of the firing step, is densified and solidified. Therefore, it is not removed after the firing step, and the multilayer ceramic substrate 11 as a product is not removed. Will be left.

【0094】このような層間拘束層26による無収縮プ
ロセスは、必要に応じて、前述の図1(6)に想像線で
示した外側拘束層24による無収縮プロセスと併用され
ることもある。
Such a non-shrink process by the interlayer constraining layer 26 may be used together with the non-shrink process by the outer constraining layer 24 shown by the imaginary line in FIG.

【0095】また、層間拘束層26による無収縮プロセ
スは、図3および図4を参照してそれぞれ説明した、第
3および第4の各実施形態においても適用することがで
きる。
The non-shrink process by the interlayer constraining layer 26 can be applied to the third and fourth embodiments described with reference to FIGS. 3 and 4, respectively.

【0096】また、層間拘束層26は、図5に示すよう
に、セラミックグリーンシート20上に全面にわたって
形成するようにすれば、位置合わせ精度の問題は生じな
いが、たとえば、金属箔17のシート状部分18が形成
された領域に対応する領域にのみ形成するようにしても
よい。
If the interlayer constraining layer 26 is formed over the entire surface of the ceramic green sheet 20 as shown in FIG. 5, there is no problem of alignment accuracy. You may make it form only in the area | region corresponding to the area | region where the shape part 18 was formed.

【0097】また、層間拘束層26は、生の積層体23
における複数のセラミックグリーンシート20間のすべ
ての界面に沿って位置される必要はなく、特定の界面の
みに沿って位置されるようにしてもよい。
Further, the interlayer constraining layer 26 is
It is not necessary to be located along all the interfaces between the plurality of ceramic green sheets 20 in the above, and it may be located along only a specific interface.

【0098】また、図5に示した状態では、セラミック
グリーンシート20の、金属箔17のバンプ部分19の
突入を受ける側に層間拘束層26が形成されたが、これ
とは上下逆の状態、すなわち、セラミックグリーンシー
ト20の下面側に層間拘束層26が形成されてもよい。
In the state shown in FIG. 5, the interlayer constraining layer 26 is formed on the side of the ceramic green sheet 20 where the bump portion 19 of the metal foil 17 enters, but it is upside down. That is, the interlayer constraining layer 26 may be formed on the lower surface side of the ceramic green sheet 20.

【0099】以上、この発明を、図示した実施形態に関
連して説明したが、この発明の範囲内において、その
他、種々の変形例が可能である。
Although the present invention has been described with reference to the illustrated embodiment, various other modifications are possible within the scope of the present invention.

【0100】たとえば、前述した実施形態では、金属箔
17は、銅または銀を主成分とするものであったが、そ
の他、ニッケル、パラジウム、タングステン、金または
白金等を主成分とするものであってもよい。
For example, in the above-described embodiment, the metal foil 17 is mainly composed of copper or silver. However, the metal foil 17 is mainly composed of nickel, palladium, tungsten, gold, platinum or the like. You may.

【0101】また、図示した実施形態では、金属箔17
に備えるバンプ部分19は、1枚のセラミックグリーン
シート20を貫通する高さを有していたが、2枚以上の
セラミックグリーンシートを貫通する高さを有していて
もよい。
In the illustrated embodiment, the metal foil 17
The bump portion 19 provided in the above has a height that penetrates one ceramic green sheet 20, but may have a height that penetrates two or more ceramic green sheets.

【0102】また、前述した実施形態は、たとえば、L
Cフィルタ、マルチチップモジュール、チップスケール
パッケージ等に用いる多層セラミック基板11に向けら
れるものであったが、この発明は、積層された複数のセ
ラミック層をもって構成される積層体と、セラミック層
上に形成される導体膜と、導体膜に接続されながら特定
のセラミック層を厚み方向に貫通するように設けられる
ビアホール導体とを備えるものであれば、たとえば、積
層コンデンサや積層インダクタ等の他の積層型セラミッ
ク電子部品に対しても適用することができる。
In the above-described embodiment, for example, L
Although the present invention is directed to a multilayer ceramic substrate 11 used for a C filter, a multi-chip module, a chip scale package, and the like, the present invention is directed to a laminate including a plurality of laminated ceramic layers, Other multilayer ceramics such as a multilayer capacitor and a multilayer inductor as long as they include a conductive film to be formed and a via-hole conductor provided so as to penetrate a specific ceramic layer in the thickness direction while being connected to the conductive film. It can also be applied to electronic components.

【0103】[0103]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、導体
膜およびビアホール導体が、シート状部分とバンプ部分
とを備える金属箔から一体に構成されるので、たとえば
乾燥および収縮工程での導体膜とビアホール導体との収
縮挙動に差が生じることがなく、したがって、導体膜と
ビアホール導体との間で接続不良がもたらされることは
ない。
As described above, according to the present invention, since the conductor film and the via-hole conductor are integrally formed of the metal foil having the sheet-like portion and the bump portion, the conductor film and the via-hole conductor are formed in the drying and shrinking steps, for example. There is no difference in the shrinkage behavior between the film and the via-hole conductor, and therefore no connection failure occurs between the conductor film and the via-hole conductor.

【0104】また、金属箔は、導電性ペーストの焼結体
から構成されるのではなく、緻密な金属体から構成され
るので、導体中の空隙や粒界の存在による電気抵抗の増
大を避けることができ、そのため、配線導体の低抵抗化
にとって有利であり、特に低抵抗化が要求される高周波
回路の形成に適したものとすることができる。
Further, since the metal foil is not made of a sintered body of a conductive paste but made of a dense metal body, an increase in electric resistance due to the presence of voids and grain boundaries in the conductor is avoided. Therefore, it is advantageous for lowering the resistance of the wiring conductor, and can be particularly suitable for forming a high-frequency circuit requiring low resistance.

【0105】この発明に係る積層型セラミック電子部品
の製造方法において、ビアホール導体となるバンプ部分
を金属箔に形成する工程は、バンプ部分の数が増えて
も、増えることはなく、1個の支持体上にある金属箔に
対して、複数のバンプ部分を同時に形成することができ
る。また、金属箔を支持体からセラミックグリーンシー
トへ転移させる工程では、金属箔に形成された複数のバ
ンプ部分を、同時に、セラミックグリーンシートの厚み
方向に突入させることができる。このようなことから、
従来のように、セラミックグリーンシートに貫通孔を設
け、そこに導電性ペーストを充填することによって、ビ
アホール導体を形成する場合に比べて、高い生産性を実
現することができる。
In the method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to the present invention, the step of forming a bump portion serving as a via-hole conductor on a metal foil does not increase even if the number of bump portions increases, and one support A plurality of bump portions can be simultaneously formed on the metal foil on the body. In the step of transferring the metal foil from the support to the ceramic green sheet, a plurality of bump portions formed on the metal foil can simultaneously protrude in the thickness direction of the ceramic green sheet. From such a thing,
By providing a through hole in a ceramic green sheet and filling it with a conductive paste as in the related art, higher productivity can be realized as compared with the case where a via hole conductor is formed.

【0106】また、ビアホール導体を設けるため、従来
のように、セラミックグリーンシートに貫通孔を設け、
そこに導電性ペーストを充填する方法を採用する場合に
は、空気または異物の混入等により導電性ペーストの充
填不足が生じ、そのため、接続不良が生じる可能性があ
り、また、このような充填不足をセラミックグリーンシ
ートの積層前の段階で検出することは比較的困難であ
る。これに対して、この発明では、ビアホール導体とな
るべきバンプ部分を備える金属箔が、積層前のセラミッ
クグリーンシートから露出した状態にあるので、たとえ
ば、金属探知や導通検査等によって、接続不良を容易に
検出することができ、その結果、歩留まりが向上する。
Further, in order to provide a via-hole conductor, a through-hole is provided in a ceramic green sheet as in a conventional case,
If the method of filling the conductive paste there is adopted, insufficient filling of the conductive paste may occur due to air or foreign matter mixed in, and therefore, a connection failure may occur. Is relatively difficult to detect at a stage before lamination of the ceramic green sheets. On the other hand, according to the present invention, since the metal foil having the bump portion to be the via-hole conductor is exposed from the ceramic green sheet before lamination, the connection failure can be easily performed by, for example, metal detection or continuity inspection. , And as a result, the yield is improved.

【0107】また、導体膜およびビアホール導体は金属
箔から構成されるので、焼成前の段階であっても、ある
程度の電気的特性を測定することができる。したがっ
て、電気的特性が不良と判定された場合、焼成前の段階
でこれを選別することができ、無駄な焼成工程を実施す
ることを避けることができる。また、多層セラミック基
板の場合には、高価なIC等の部品を、電気的特性が不
良である多層セラミック基板上に搭載することを避ける
ことができる。
Further, since the conductive film and the via-hole conductor are made of metal foil, it is possible to measure a certain degree of electrical characteristics even before firing. Therefore, when it is determined that the electric characteristics are defective, it can be selected at a stage before firing, and it is possible to avoid performing an unnecessary firing process. In the case of a multilayer ceramic substrate, it is possible to avoid mounting expensive components such as an IC on a multilayer ceramic substrate having poor electrical characteristics.

【0108】また、積層型セラミック電子部品の外表面
上に現れている導体膜および/またはビアホール導体に
対して、湿式めっきが施されることがあるが、これら導
体膜やビアホール導体が導電性ペーストの焼結体から構
成される場合には、めっき液が浸透し、積層型セラミッ
ク電子部品の特性を劣化させたり、信頼性を低下させた
りすることがあるが、この発明によれば、これら導体膜
やビアホール導体が緻密な金属箔から構成されるので、
このようなめっき液の浸透といった問題を回避すること
ができる。
In some cases, the conductive film and / or the via-hole conductor appearing on the outer surface of the multilayer ceramic electronic component are subjected to wet plating. In the case of being composed of a sintered body of the above, the plating solution may permeate and deteriorate the characteristics of the multilayer ceramic electronic component or reduce the reliability. Since the film and via-hole conductor are made of dense metal foil,
Such a problem as the penetration of the plating solution can be avoided.

【0109】また、金属箔によって与えられる導体膜の
ためのシート状部分およびビアホール導体のためのバン
プ部分は、たとえばフォトリソグラフィ技術を用いて、
高い精度をもって微細に形成することができるので、積
層型セラミック電子部品のさらなる小型化および配線の
さらなる高密度化に対する要求を十分に応えることがで
きる。
The sheet portion for the conductor film provided by the metal foil and the bump portion for the via hole conductor are formed by using, for example, a photolithography technique.
Since it can be finely formed with high accuracy, it is possible to sufficiently meet the demand for further miniaturization of the multilayer ceramic electronic component and further higher density of the wiring.

【0110】この発明に係る積層型セラミック電子部品
の製造方法に含まれる転移工程において、金属箔のバン
プ部分が、自らのセラミックグリーンシート内への突入
によってセラミックグリーンシートに貫通孔を形成する
ようにすれば、セラミックグリーンシートに予め貫通孔
を設けるための工程が不要となり、工程数の削減を図る
ことができる。
In the transfer step included in the method for manufacturing a laminated ceramic electronic component according to the present invention, the bump portion of the metal foil forms a through-hole in the ceramic green sheet by entering the ceramic green sheet by itself. This eliminates the need for a step of providing a through hole in the ceramic green sheet in advance, and can reduce the number of steps.

【0111】また、金属箔のバンプ部分が先細状にされ
ると、バンプ部分のセラミックグリーンシート内への突
入をより円滑にすることができる。
Further, when the bump portion of the metal foil is tapered, the protrusion of the bump portion into the ceramic green sheet can be more smoothly performed.

【0112】また、この発明に係る積層型セラミック電
子部品の製造方法において、生の積層体に層間拘束層や
外側拘束層を配置した状態で焼成工程を実施する、いわ
ゆる無収縮プロセスを適用すれば、焼結後の積層体の寸
法精度を高くすることができ、導体膜およびビアホール
導体によって与えられる配線の高密度化を高い信頼性を
もって達成することができる。また、セラミックグリー
ンシートの焼成過程での主面方向の収縮挙動と金属箔の
シート状部分およびバンプ部分の各々の収縮挙動とを実
質的に一致させることができる。したがって、得られた
積層型セラミック電子部品において、セラミック層と導
体膜との間での剥離を生じにくくすることができる。
In the method of manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to the present invention, a so-called non-shrinkage process in which a firing step is performed in a state where an interlayer constraining layer and an outer constraining layer are arranged on a green laminate is applied. In addition, the dimensional accuracy of the laminated body after sintering can be increased, and the density of the wiring provided by the conductor film and the via-hole conductor can be increased with high reliability. In addition, the shrinkage behavior of the ceramic green sheet in the main surface direction during the firing process can be substantially matched with the shrinkage behavior of each of the metal foil sheet portion and the bump portion. Therefore, in the obtained multilayer ceramic electronic component, peeling between the ceramic layer and the conductive film can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の第1の実施形態による多層セラミッ
ク基板11の製造方法に含まれるいくつかの典型的な工
程を順次示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view sequentially showing several typical steps included in a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate 11 according to a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の第2の実施形態に含まれる特徴的工
程を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing characteristic steps included in a second embodiment of the present invention.

【図3】この発明の第3の実施形態に含まれる特徴的工
程を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing characteristic steps included in a third embodiment of the present invention.

【図4】この発明の第4の実施形態に含まれる特徴的工
程を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing characteristic steps included in a fourth embodiment of the present invention.

【図5】この発明の第5の実施形態に含まれる特徴的工
程を示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing a characteristic step included in a fifth embodiment of the present invention.

【図6】この発明が解決しようとする課題を説明するた
めのもので、従来の多層セラミック基板に備える1つの
セラミック層1を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view for illustrating a problem to be solved by the present invention and showing one ceramic layer 1 provided on a conventional multilayer ceramic substrate.

【図7】図6と同様、この発明が解決しようとする課題
を説明するためのもので、従来の多層セラミック基板に
備える他の形態の1つのセラミック層1を示す断面図で
ある。
7 is a cross-sectional view similar to FIG. 6, for explaining a problem to be solved by the present invention, and showing another form of ceramic layer 1 provided in a conventional multilayer ceramic substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 多層セラミック基板 12 セラミック層 13 積層体 14 導体膜 15 ビアホール導体 16 支持体 17 金属箔 18 シート状部分 19 バンプ部分 20 セラミックグリーンシート 23 生の積層体 24 外側拘束層 25 キャリアフィルム 26 層間拘束層 11 Multilayer ceramic substrate 12 ceramic layer 13 laminate 14 Conductive film 15 Via hole conductor 16 Support 17 Metal foil 18 Sheet-shaped part 19 Bump part 20 ceramic green sheets 23 Raw laminate 24 Outer restraint layer 25 Carrier film 26 interlayer constrained layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E346 AA12 AA15 AA32 AA35 AA38 AA43 BB01 BB11 CC18 CC32 CC39 DD02 DD12 DD33 EE24 FF24 FF35 FF36 GG08 GG09 HH07 HH11    ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page    F term (reference) 5E346 AA12 AA15 AA32 AA35 AA38                       AA43 BB01 BB11 CC18 CC32                       CC39 DD02 DD12 DD33 EE24                       FF24 FF35 FF36 GG08 GG09                       HH07 HH11

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 積層された複数のセラミック層をもって
構成される積層体と、前記セラミック層上に形成される
導体膜と、前記導体膜に接続されながら特定の前記セラ
ミック層を厚み方向に貫通するように設けられるビアホ
ール導体とを備える、積層型セラミック電子部品であっ
て、 前記導体膜および前記ビアホール導体は、金属箔から一
体的に構成され、前記金属箔は、前記導体膜を与えるシ
ート状部分と前記ビアホール導体を与えるように前記シ
ート状部分の一部から盛り上がるように形成されたバン
プ部分とを備えることを特徴とする、積層型セラミック
電子部品。
1. A laminate comprising a plurality of laminated ceramic layers, a conductor film formed on the ceramic layer, and a specific ceramic layer penetrating in a thickness direction while being connected to the conductor film. And a via-hole conductor provided as described above, wherein the conductive film and the via-hole conductor are integrally formed of a metal foil, and the metal foil is a sheet-shaped portion that provides the conductive film. And a bump portion formed so as to rise from a part of the sheet-shaped portion so as to provide the via-hole conductor.
【請求項2】 前記金属箔は、銅および銀の少なくとも
一方を含む、請求項1に記載の積層型セラミック電子部
品。
2. The multilayer ceramic electronic component according to claim 1, wherein said metal foil contains at least one of copper and silver.
【請求項3】 積層された複数のセラミック層をもって
構成される積層体と、前記セラミック層上に形成される
導体膜と、前記導体膜に接続されながら特定の前記セラ
ミック層を厚み方向に貫通するように設けられるビアホ
ール導体とを備える、積層型セラミック電子部品を製造
する方法であって、 前記導体膜を与えるシート状部分と前記ビアホール導体
を与えるように前記シート状部分の一部から盛り上がる
ように形成されたバンプ部分とを一体的に備える金属箔
を、支持体上において形成する、金属箔形成工程と、 前記セラミック層となるべきセラミックグリーンシート
を準備する、セラミックグリーンシート準備工程と、 前記金属箔の前記バンプ部分を前記セラミックグリーン
シートの厚み方向に突入させた状態とするように、前記
金属箔を前記支持体から前記セラミックグリーンシート
へ転移させる、転移工程と、 複数の前記セラミックグリーンシートを積層する、積層
工程と、 積層された複数の前記セラミックグリーンシートをもっ
て構成される生の積層体を焼成する、焼成工程とを備え
る、積層型セラミック電子部品の製造方法。
3. A laminate comprising a plurality of laminated ceramic layers, a conductor film formed on the ceramic layer, and penetrating a specific ceramic layer in the thickness direction while being connected to the conductor film. And a via-hole conductor provided as described above, comprising: a sheet-shaped portion providing the conductive film and a part of the sheet-shaped portion provided to provide the via-hole conductor. Forming a metal foil integrally provided with the formed bump portion on a support, a metal foil forming step; preparing a ceramic green sheet to be the ceramic layer; a ceramic green sheet preparing step; The gold is placed in such a manner that the bump portion of the foil protrudes in the thickness direction of the ceramic green sheet. Transferring a metal foil from the support to the ceramic green sheet; transferring the plurality of ceramic green sheets; and stacking the plurality of ceramic green sheets; and a raw laminate including the stacked plurality of ceramic green sheets. And a firing step of firing the multilayer ceramic electronic component.
【請求項4】 前記金属箔形成工程は、前記支持体上
に、少なくとも前記バンプ部分の高さに相当する厚みを
有する金属箔を貼り付ける工程と、フォトリソグラフィ
技術を用いながら前記金属箔をエッチングすることによ
って、前記金属箔に対して、前記シート状部分と前記バ
ンプ部分との形状を与える工程とを備える、請求項3に
記載の積層型セラミック電子部品の製造方法。
4. The step of forming a metal foil includes the steps of: attaching a metal foil having a thickness corresponding to at least the height of the bump portion on the support; and etching the metal foil using a photolithography technique. 4. A method of manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to claim 3, further comprising: giving a shape of the sheet-like portion and the bump portion to the metal foil.
【請求項5】 前記金属箔形成工程は、前記支持体上
に、フォトリソグラフィ技術を用いながら、前記シート
状部分および前記バンプ部分を順次アディティブめっき
法によって形成する工程を備える、請求項3に記載の積
層型セラミック電子部品の製造方法。
5. The metal foil forming step includes a step of sequentially forming the sheet-shaped portion and the bump portion on the support by using an additive plating method while using a photolithography technique. Of manufacturing a multilayer ceramic electronic component.
【請求項6】 前記金属箔形成工程は、前記支持体上
に、前記シート状部分となるべき金属膜を形成する工程
と、前記金属膜をエッチングによってパターニングする
工程と、フォトリソグラフィ技術を用いながら、前記金
属膜上に前記バンプ部分をアディティブめっき法によっ
て形成する工程とを備える、請求項3に記載の積層型セ
ラミック電子部品の製造方法。
6. The metal foil forming step includes: forming a metal film to be the sheet portion on the support; patterning the metal film by etching; and using a photolithography technique. Forming the bump portion on the metal film by an additive plating method. The method of manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to claim 3, further comprising:
【請求項7】 前記積層工程は、前記転移工程を終えた
後の前記セラミックグリーンシートを積層するように実
施される、請求項3ないし6のいずれかに記載の積層型
セラミック電子部品の製造方法。
7. The method of manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to claim 3, wherein said laminating step is performed so as to laminate said ceramic green sheets after said transfer step. .
【請求項8】 前記セラミックグリーンシート準備工程
は、キャリアフィルムによって裏打ちされた状態で前記
セラミックグリーンシートを準備する工程を備え、前記
転移工程は、前記キャリアフィルムによって裏打ちされ
た前記セラミックグリーンシートに対して実施され、前
記積層工程は、前記セラミックグリーンシートを積層し
た後に前記キャリアフィルムを剥離する工程を備える、
請求項7に記載の積層型セラミック電子部品の製造方
法。
8. The ceramic green sheet preparing step includes a step of preparing the ceramic green sheet in a state where the ceramic green sheet is lined with a carrier film, and the transfer step includes a step of preparing the ceramic green sheet lined with the carrier film. The laminating step includes a step of peeling the carrier film after laminating the ceramic green sheets,
A method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to claim 7.
【請求項9】 前記積層工程は、前記転移工程を実施す
る前の前記セラミックグリーンシートを積層するように
実施され、前記転移工程は、前記積層工程を終えた後の
前記セラミックグリーンシートに対して実施される、請
求項3ないし6のいずれかに記載の積層型セラミック電
子部品の製造方法。
9. The stacking step is performed so as to stack the ceramic green sheets before performing the transfer step, and the transfer step is performed on the ceramic green sheets after the stacking step is completed. The method for producing a multilayer ceramic electronic component according to claim 3, wherein the method is performed.
【請求項10】 前記金属箔の前記バンプ部分は先細状
である、請求項3ないし9のいずれかに記載の積層型セ
ラミック電子部品の製造方法。
10. The method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to claim 3, wherein said bump portion of said metal foil is tapered.
【請求項11】 前記転移工程において、前記金属箔の
前記バンプ部分は、自らの前記セラミックグリーンシー
ト内への突入によって前記セラミックグリーンシートに
貫通孔を形成する、請求項3ないし10のいずれかに記
載の積層型セラミック電子部品の製造方法。
11. The ceramic green sheet according to claim 3, wherein, in the transferring step, the bump portion of the metal foil forms a through hole in the ceramic green sheet by intruding itself into the ceramic green sheet. A manufacturing method of the multilayer ceramic electronic component according to the above.
【請求項12】 前記セラミックグリーンシートに含ま
れるセラミック材料粉末の焼結温度では焼結しない第1
の収縮抑制用無機材料粉末を含む層間拘束層が、前記生
の積層体を構成する複数の前記セラミックグリーンシー
ト間の界面に沿って位置されるように、特定の前記セラ
ミックグリーンシート上に前記層間拘束層を形成する工
程をさらに備える、請求項3ないし11のいずれかに記
載の積層型セラミック電子部品の製造方法。
12. A first material that does not sinter at the sintering temperature of the ceramic material powder contained in the ceramic green sheet.
The interlayer constraining layer containing the shrinkage-suppressing inorganic material powder is located along an interface between the plurality of ceramic green sheets constituting the green laminate, so that the interlayer confining layer is formed on a specific ceramic green sheet. The method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to claim 3, further comprising a step of forming a constraining layer.
【請求項13】 前記セラミックグリーンシートに含ま
れるセラミック材料粉末の焼結温度では焼結しない第2
の収縮抑制用無機材料粉末を含む外側拘束層を、前記生
の積層体を積層方向に挟むように配置する工程をさらに
備えるとともに、前記焼成工程の後、前記外側拘束層を
除去する工程をさらに備える、請求項3ないし12のい
ずれかに記載の積層型セラミック電子部品の製造方法。
13. A second material that does not sinter at the sintering temperature of the ceramic material powder contained in the ceramic green sheet.
Further comprising a step of arranging the outer constraining layer containing the inorganic material powder for suppressing shrinkage in such a manner as to sandwich the green laminate in the laminating direction. The method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to claim 3, further comprising:
【請求項14】 請求項3ないし13のいずれかに記載
の製造方法によって得られた、積層型セラミック電子部
品。
14. A multilayer ceramic electronic component obtained by the manufacturing method according to claim 3. Description:
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