JP2003346381A - 書換形酸化亜鉛型近接場光ディスク - Google Patents

書換形酸化亜鉛型近接場光ディスク

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zinc oxide
rewritable
film layer
field optical
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Din-Ping Tsai
蔡定平
Yu-Hsuan Lin
林宇軒
Wei-Chih Lin
林威志
Hsun-Hao Chang
張▲くん▼豪
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National Taiwan University NTU
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Abstract

(57)【要約】 【課題】局部近接場光学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄
膜層は、書換形の記録薄膜層の近接場光学作用範囲内
で、超高密度の近接場光学記録を行うことのできる書換
形酸化亜鉛型近接場光ディスクを提供する。 【解決手段】透光基板1と、透光基板1上にある複数の
薄膜層から構成され、この複数の薄膜層には、局部近接
場光学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層3と、書換形
の記録薄膜層5と、全体の薄膜構成特性を保護と保持す
る第1、第2、第3透光誘電体薄膜層2,4,6とから
構成される書換形酸化亜鉛型近接場光ディスク。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化亜鉛ナノ薄膜
層の局部近接場光学作用により、超高密度近接場光学記
録を達成する書換形光ディスクに関する。
【0002】
【従来の技術】光ディスクが実用且つ普及な光学記録媒
体の一つであり、有する、優れた記憶品質及び高安定特
性が、データのバックアップ及び多媒体娯楽に広く適用
されるとともに、関係する技術の高度発展に従って、多
数の種類及び規格の光ディスクが登場し、大雑把に、再
生専用形(Read only)や、追記形(Write once)及び書換
形(Rewritable)の3種類に分けられる。再生専用形の典
型製品が、CD-DA、CD-ROM、CD-I、VCD、DVD-ROM、DVD-V
ideo等で、追記形の典型製品がCD-R、DVD-R等であり、
書換形の典型製品がMD、MO、PD、CD-RW、DVD-RW、CD-RA
M等である。
【0003】書換形光ディスクの基本原理は、ビデオデ
ィスクプレーヤーのレンズセットにより、ディスクにあ
る書換形の記録薄膜層に、レーザビームをフォーカシン
グして、微細なマーク(Marks)を書込みや読出しして、
デジタル信号として処理され、これにより記録内容を入
出力するが、当該書換形の記録薄膜層にはマークの書込
みや消去が複数回できるため、書込みや消去を重複する
目的ができる。
【0004】現在、一般な光ディスク記録技術の読み書
き機制が遠距離場光学であるため、即ち、ビデオディス
クプレーヤーのヘッド及びディスク上の記録膜層の距離
が、光学読み書き作用を行うヘッドに使われる光源の波
長より、かなり大きいので、光の変動特性による干渉や
回折の光導電効果が避けられない。故に、読み書きのマ
ークの大きさが回折限度(1.22λ/2nsinθ、λが、使わ
れる光の波長で、nがメディアの屈折率であり、θが光
学半値角である)によって制限され、より高い光学記録
密度が実現できない。言い換えれば、現在の、一般な光
ディスクの記録容量を増大するには、下記の方法による
ことしか実現できない。 (1)より効率なデータコーディングと、(2)記録ピ
ット及び記録トラックピッチの縮小と、(3)より短い
波長の光源の使いと、(4)レンズの開口数の向上と、
(5)多膜層(multi -layer)記録、ホログラフィー(hol
ography)記録のような容積測定(volumetric)記録技術と
である。
【0005】上述の各方法では、回折限度の範囲内での
最適化改善であるため、根本的に、回折限度によって限
制され、有効に光学記録密度を高くするには、最も根本
的な方法は、近接場光学の技術を応用し、回折限度の限
制を避けて、目的とする超高密度の光学記録が達成でき
る。
【0006】光学回折限度により制限されることを避け
るため、光学記録容量及び密度を、十分に高くする近接
場光学の記録技術は、1992年、米ベル実験室(Bell
Labs)のEric Betzigによって、近接場光学プローブ(ne
ar-field optical probe)で近接場光学超高密度の記録
が実現できることが確認された。その方法としては、波
長よりかなり小さい距離範囲内(即ち、近接場内)の、端
部に数十ナノ(nm)の大きさの光学穴を有する光ファイバ
ープローブで、光磁気プラチナ・コバルト多層膜に対し
て、精密な近接場光学書込み及び読出しである技術であ
る。近接場内であるため、回折限度の限制がないので、
平方英寸ごとに45 Gbitsに相当する超高記録密度が実現
できる。しかしながら、光ファイバープローブで集光及
び光伝送を行う方法には、多数の問題が存在する。例え
ば、精密的にプローブと記録層の表面との距離(約数ナ
ノ)を制御しなければならないし、光ファイバープロー
ブが外力や振動により壊れやすいし、データ読取りや書
込みの速度が遅すぎるし、光学メッセージがプローブを
通す時の減衰率がかなり大きいし(約10-6〜10-3レベル
の減衰)、また、光ファイバープローブの端部穴の大き
さが制御しにくい等の問題がある。
【0007】一方、米国第5、125、750号特許公
報には、米スタンフォード(Stanford)大学のG. S. Kino
研究グループから、実質上可能な近接場ビデオディスク
プレーヤーの原型としてのソリッドイマージョンレンズ
(Solid Immersion Lens、SIL)を提案した。その方法と
しては、高屈折率nの半球状及び超半球状透光固体から
構成されるヘッドにより、有効に読み書きのスポットを
縮小する。このような光学ヘッドにより、有効に近接場
光学記録の読取り速度を早くするだけでなく、現在の、
既存の光ディスク技術を持って、直接に、高光学記録密
度の近接場ビデオディスクプレーヤーを開発することも
できる。1995年、米カリフォルニアサンノゼのTera
Stor会社は、ソリッドイマージョンレンズを、近接場光
学記録のビデオディスクプレーヤー浮動ヘッドとし、初
めの高光学記録密度の近接場ビデオディスクプレーヤー
を製造したが、高速浮動のヘッドが有効にディスクの近
接場範囲内に制御されなければならないし、様々の技術
問題に直面したから、当該会社は、すでに高光学記録密
度の近接場ビデオディスクプレーヤーの研究及び開発を
止めた。
【0008】米国特許第6、226、258号、第6、
242、157号、第6、319、582号 及び第
6、340、813号公報には、日本の富永淳二(Junji
Tominaga) 博士は、近接場内の機能について、近接場
光学走査プローブ顕微鏡の光ファイバープローブの代わ
りに、一般的な相変化光ディスクに、二つのナノレベル
の薄膜を、即ち、20nmの窒化シリカ(SiN)及び15nm
のアンチモン(Sb)を増設して、回折限度より小さいサイ
ズのマークを読み書くのを提案した。
【0009】この方法は、光ディスク上の薄膜構成を変
更することにより、近接場超高密度信号の光学記録を達
成する発想を提供し、また、ディスク上の膜層構成の改
善により、アンチモン(Sb)及び窒化シリカ(SiNx)等の薄
膜を主とする第1類構成から、酸化銀(AgOx)及び硫化亜
鉛-シリカ(ZnS-SiO2)等の膜層を主とする第2類構成に
改良する。しかしながら、上述の両方の、局部近接場光
学作用を発生するアンチモン(Sb)及び酸化銀(AgOx)のナ
ノ薄膜層は、材料自身に不安定であるため、高温や水蒸
気の吸着により破壊され、局部光学材料の特性を失う。
【0010】本発明において、非常に安定的な局部近接
場光学作用を有する、酸化亜鉛(ZnO)及び硫化亜鉛-シリ
カ(ZnS-SiO2)等の薄膜を主とする第3類構成で、書換形
の記録薄膜層を合わせて、書換形酸化亜鉛型近接場光デ
ィスクを製造し、有効に超高密度近接場光学記録の目的
を実現する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、短い波
長の光源のコストが高いし、一般ビデオディスクプレー
ヤーが読み書くスポットが回折限度により制限されるた
め、近接場光学しか回折限度に制限されないが、近接場
走査プローブ式及びソリッドイマージョン式等の近接場
光学記録技術には、多数の問題点が存在するから、近接
場光学ディスクが、近接場光学記録技術の最適な選択に
なるが、既知のアンチモン及び酸化銀の両類の近接場光
ディスクの材料自身が不安定であるため、本発明におい
て、より安定且つ局部近接場光学作用の極上である、酸
化亜鉛ナノ薄膜層で、書換形の酸化亜鉛型近接場光ディ
スクを製造する。この発明は、透光基板上に、透光の多
層薄膜層を覆って、局部近接場光学作用を発生する酸化
亜鉛ナノ薄膜層が、ビームを集光する作用により、局部
の近接場光学作用を発生して、近接場距離内で、精確
に、書換形の記録膜層上にある微細なマークを読み書
き、超高密度で近接場光学記録の目的を達成する。
【0012】
【課題を解決するための手段】 請求項1に記載の書換
形酸化亜鉛型近接場光ディスクは、少なくとも、書換形
の記録薄膜層と、当該透光基板と当該局部近接場光学作
用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層の間を覆う第1透光誘
電体薄膜層と、透光基板と、局部近接場光学作用を発生
する酸化亜鉛ナノ薄膜層と、当該局部近接場光学作用を
発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層と当該書換形の記録薄膜層
の間に覆う第2透光誘電体薄膜層と、当該書換形の記録
薄膜層の表面を覆う第3透光誘電体薄膜層とを有するこ
とを特徴とする。請求項2に記載の書換形酸化亜鉛型近
接場光ディスクは、請求項1における、当該透光基板が
シリカ(SiO2)ガラス材や、様々の比例でナトリウム(N
a)、リチウム(Li) 、カルシウム(Ca)、カリウム(K)、ア
ルミニウム(Al)、ゲルマニウム(Ge)、ホウ素(B)等をド
ーピングしたシリカ(SiO2)ガラス材から構成されること
を特徴とする。請求項3に記載の書換形酸化亜鉛型近接
場光ディスクは、請求項1における、当該透光基板が、
例えば、ポリカーボネート(Polycarbonate)やエポキシ
樹脂等の透明の重合体から構成されることを特徴とす
る。請求項4に記載の書換形酸化亜鉛型近接場光ディス
クは、請求項1における、当該第1透光誘電体薄膜層及
び第2、3透光誘電体薄膜層が、少なくとも、硫化亜鉛-
シリカ(ZnS-SiOx)や、シリカ(SiOx)、窒化シリカ(SiNx)
等の誘電体材からの何れかを選択して構成されることを
特徴とする。請求項5に記載の書換形酸化亜鉛型近接場
光ディスクは、請求項1または4における、当該第1透
光誘電体薄膜層及び第2、3透光誘電体薄膜層が多層構
成であることを特徴とする。請求項6に記載の書換形酸
化亜鉛型近接場光ディスクは、請求項1または4におけ
る、当該第1透光誘電体薄膜層のより良い厚さ範囲が5
0nm〜300nmであることを特徴とする。請求項7に記
載の書換形酸化亜鉛型近接場光ディスクは、請求項1ま
たは4における、当該第2透光誘電体薄膜層のより良い
厚さ範囲が5nm〜100nmであることを特徴とする。請
求項8に記載の書換形酸化亜鉛型近接場光ディスクは、
請求項1または4における、当該第3透光誘電体薄膜層
のより良い厚さ範囲が5nm〜100nmであることを特徴
とする。請求項9に記載の書換形酸化亜鉛型近接場光デ
ィスクは、請求項1における、当該局部近接場光学作用
を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層が、酸化亜鉛化合物や酸
化亜鉛及び亜鉛の混合材から構成されることを特徴とす
る。請求項10に記載の書換形酸化亜鉛型近接場光ディ
スクは、請求項1または9における、当該局部近接場光
学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層のより良い厚さ範
囲が為5nm〜100nmであることを特徴とする。請求項
11に記載の書換形酸化亜鉛型近接場光ディスクは、請
求項1における、当該書換形の記録薄膜層が、光熱及び
光磁気等の作用により変化が発生する書換形記録材から
構成され、材料が、ゲルマニウム・アンチモン・テルル(G
exSbyTez)、インジウム・アンチモン・テルル(InxSbyT
ez)、シルバー・インジウム・アンチモン・テルル(AgwInxS
byTez)、鉄・テルビウム・コバルト(FexTbyCoz)、ガドリ
ウム・テルビウム・鉄(GdxTbyFez)、コバルト・プラチナ(C
oxPty)等及び、少なくとも銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ヒ素
(As)、スズ(Sn)、金(Au)、水銀(Hg)、タリウム
(Tl)、鉛(Pb)、ビスマス(Bi)、ガリウム(Ga)、
ゲルマニウム(Ge)、カドミウム(Cd)、インジウム
(In)、アンチモン(Sb)、銀(Ag)、セレン(Se)、
テルル(Te)の一つをドーピングしたドープ材のいずれ
かであることを特徴とする。請求項12に記載の書換形
酸化亜鉛型近接場光ディスクは、請求項1または11に
おける、当該書換形の記録薄膜層が多数の層から構成さ
れることを特徴とする。請求項13に記載の書換形酸化
亜鉛型近接場光ディスクは、請求項1または11におけ
る、当該書換形の記録薄膜層のより良い厚さ範囲が5nm
〜100nmであることを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の書換形酸化亜鉛型近接場
光ディスクの典型構成が、図1のようであり、透光基板
1と、透光基板1上に覆う少なくとも5層の薄膜から構
成され、それらが、第1透光誘電体薄膜層2と、局部近
接場光学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層3と、第2
透光誘電体薄膜層4と、書換形の記録薄膜層5と、第3
透光誘電体薄膜層6とである。当該透光基板1が、シリ
カ(SiO2)ガラス材や、様々の比例でナトリウム(Na)、リ
チウム(Li) 、カルシウム(Ca)、カリウム(K)、アルミニ
ウム(Al)、ゲルマニウム(Ge)、ホウ素(B)等をドーピン
グしたシリカ(SiO2)ガラス材、或いはポリカーボネート
(Polycarbonate)やエポキシ樹脂等の透明重合体材から
構成され、その中、当該第1透光誘電体薄膜層2、第2
透光誘電体薄膜層4及び第3透光誘電体薄膜層6の構成
上には、少なくとも、硫化亜鉛-シリカ(ZnS-SiO2)、硫
化亜鉛-シリカ(ZnS-SiOx)、シリカ(SiO2) 、シリカ(SiO
x)、或いは窒化シリカ(SiNx)等の材料グループのいずれ
かの一つを含むメディア材から構成され、また、当該第
1透光誘電体薄膜層2、第2透光誘電体薄膜層4及び第
3透光誘電体薄膜層6の自身が多層構成であり、また、
当該第1透光誘電体薄膜層2のより良い厚さ範囲が50
nm〜300nmの間で、第2透光誘電体薄膜層4のより良
い厚さ範囲が5nm〜100nmの間であり、第3透光誘電
体薄膜層6のより良い厚さ範囲が5nm〜100nmの間で
ある。局部近接場光学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜
層3は、酸化亜鉛化合物や酸化亜鉛及び亜鉛の混合材か
らなり、より良い厚さ範囲が5nm〜100nmである。書
換形の記録薄膜層5が、光熱及び光磁気等の作用により
変化を行う書換形材から構成され、材料が、ゲルマニウ
ム・アンチモン・テルル(GexSbyTez)、インジウム・アンチ
モン・テルル(InxSbyTez)、シルバー・インジウム・アンチ
モン・テルル(AgwInxSbyTez)、鉄・テルビウム・コバルト
(FexTbyCoz)、ガドリニウム・テルビウム・鉄(GdxTbyF
ez)、コバルト・プラチナ(CoxPty)等及び、少なくとも銅
(Cu)、亜鉛(Zn)、ヒ素(As)、スズ(Sn)、金(A
u)、水銀(Hg)、タリウム(Tl)、鉛(Pb)、ビスマ
ス(Bi)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、カド
ミウム(Cd)、インジウム(In)、アンチモン(Sb)、
銀(Ag)、セレン(Se)、テルル(Te)の一つをドーピ
ングしたドープ材のいずれかであり、また、当該書換形
の記録薄膜層5自身が多層構成で、より良い厚さ範囲が
5nm〜100nmである。
【0014】図2は、書換形酸化亜鉛型近接場光ディス
クにマークを書込み及び読出しする時の工作原理概念図
であり、図のように、上述の構成により、光源から入出
射するビーム7が、ビデオディスクプレーヤーの光学ヘ
ッド8の光学レンズ9を介して、透光基板1及び第1透
光誘電体薄膜層2を透過した後、局部近接場光学作用を
発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層3上にフォーカシングさ
れ、薄膜及びフォーカシングスポット作用により回折限
度より小さいサイズの局部近接場光学作用10により、
及び書換形の記録薄膜層5に発生した近接場光学作用に
より、回折限度より小さいサイズのマーク11を書込み
及び読出しする。ディスクの回転及びビデオディスクプ
レーヤーの高速光学ヘッドの走査を合わせて、超高の記
録密度を達成した。また、局部近接場光学作用を発生す
る酸化亜鉛ナノ薄膜層3の上、下にある、第1、第2透
光誘電体薄膜層2、4は、局部近接場光学作用を発生す
る酸化亜鉛ナノ薄膜層3を保護及び安定する外、第2透
光誘電体薄膜層4は、更に、書換形の記録薄膜層5と、
局部近接場光学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層3と
の近接場距離を一定に維持する。第3透光誘電体薄膜層
6の作用は、書換形の記録薄膜層5の構成を保護及び安
定して、耐用寿命及びサイクルを延長する。
【0015】図3は、本発明の書換形酸化亜鉛型近接場
光ディスク12とビデオディスクプレーヤー光学ヘッド
8との組み合わせの実施例であり、書換形酸化亜鉛型近
接場光ディスク12が、回転方向13に従い回転し、ビ
デオディスクプレーヤー光学ヘッド8が、ビデオディス
クプレーヤーのトラッキング及びフォーカシング技術に
より、読み書きスポットを同一平面及び同一トラック上
にフォーカシングする。局部近接場光学作用を発生する
酸化亜鉛ナノ薄膜層3、及び書換形の記録薄膜層5によ
る、回折限度より小さいサイズの局部近接場光学作用1
0で、回折限度より小さいサイズのマーク11の書込み
及び読出しを達成した。
【0016】図4は、本発明の書換形酸化亜鉛型近接場
光ディスクについて、光ディスクテスト機での実験結果
の一つであり方法としては、波長が637ナノ(n
m)、NA値が0.6であるビデオディスクプレーヤー光
学ヘッドと、光ディスクテスト機(DDU−1000、Pulstec
Inc.)とで、書換形酸化亜鉛型近接場光ディスクに1
00nmのスポットを書込みと読出しし、実験におい
て、ディスクの回転の定線速度(Constant linear velo
city)が3.5m/sで、スポットの書込み周波数が1
7.5Mhzであり、即ち、100nm大きさのスポットを
書込み、書込みパワーが14mWで、読出しパワーが5
mWであり、またエネルギー分析器(Spectrum analyze
r)で測定し、書換形酸化亜鉛型近接場光ディスクに書
き込まれた100nmスポットの搬送波対雑音比(CN
R)は、実験結果により、スポットのサイズが100n
mである時、搬送波対雑音比(CNR)が33.23d
bに達するのは、書換形酸化亜鉛型近接場光ディスクに
回折限度より小さいサイズ(100nm)スポットを書
込み及び読出しすることを表し、本発明の可能性が実験
によって証明される。
【0017】前述したのは、ただ本発明のより良い実施
例であり、本発明の特許請求の範囲内での様々の設計変
更は、例えば、構成順番の変更、フォーカシングビーム
の読出し方向及び角度の変更等は、本発明の技術と認め
られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の書換形酸化亜鉛型近接場光ディスクの
構成図である。
【図2】本発明の書換形酸化亜鉛型近接場光ディスクに
おいてのマークの書込み及び読出し時の工作原理概念図
である。
【図3】本発明の書換形酸化亜鉛型近接場光ディスク及
びビデオディスクプレーヤーヘッドの組み合わせの実施
例の説明図である。
【図4】本発明の書換形酸化亜鉛型近接場光ディスクに
ついて、光ディスクテスト機で実際にスポットの書込み
と読出しをする実験結果の一つを示すグラフである。
【符号の説明】
1 透光基板 2 第1透光誘電体薄膜層 3 局部近接場光学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層 4 第2透光誘電体薄膜層 5 書換形の記録薄膜層 6 第3透光誘電体薄膜層 7 入出射ビーム 8 ビデオディスクプレーヤー光学ヘッド 9 光学レンズ 10 回折限度より小さいサイズの局部近接場光学作
用 11 回折限度より小さいサイズのマーク 12 書換形酸化亜鉛型近接場光ディスク 13 回転方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 7/24 G11B 7/24 526V 534 534L 534M 534N 535 535G 535H B41M 5/26 11/105 521A G11B 11/105 521 521B 531D 531 531E 531F 531K B41M 5/26 X (72)発明者 張▲くん▼豪 台湾台北縣新店市20張路129巷1弄3號3 樓 Fターム(参考) 2H111 EA04 EA23 FA11 FA21 FA25 FA27 FA28 FA33 FA37 FB05 FB09 FB12 FB17 FB18 FB21 FB23 5D029 JA01 JB03 JB05 JB18 JB35 JB47 KA07 KA24 LA14 LA16 LA17 LB07 LB11 NA07 NA08 5D075 EE03 FF04 FF12 FG04 FG10 FG13 FG15 FH01

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも、 書換形の記録薄膜層と、 当該透光基板と当該局部近接場光学作用を発生する酸化
    亜鉛ナノ薄膜層の間を覆う第1透光誘電体薄膜層と、 透光基板と、 局部近接場光学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層と、 当該局部近接場光学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層
    と当該書換形の記録薄膜層の間に覆う第2透光誘電体薄
    膜層と、 当該書換形の記録薄膜層の表面を覆う第3透光誘電体薄
    膜層とを有することを特徴とする書換形酸化亜鉛型近接
    場光ディスク。
  2. 【請求項2】 当該透光基板がシリカ(SiO2)ガラス材
    や、様々の比例でナトリウム(Na)、リチウム(Li) 、カ
    ルシウム(Ca)、カリウム(K)、アルミニウム(Al)、ゲル
    マニウム(Ge)、ホウ素(B)等をドーピングしたシリカ(Si
    O2)ガラス材から構成されることを特徴とする請求項1記
    載の書換形酸化亜鉛型近接場光ディスク。
  3. 【請求項3】 当該透光基板が、例えば、ポリカーボネ
    ート(Polycarbonate)やエポキシ樹脂等の透明の重合体
    から構成されることを特徴とする請求項1記載の書換形
    酸化亜鉛型近接場光ディスク。
  4. 【請求項4】 当該第1透光誘電体薄膜層及び第2、3
    透光誘電体薄膜層が、少なくとも、硫化亜鉛-シリカ(Zn
    S-SiOx)や、シリカ(SiOx)、窒化シリカ(SiNx)等の誘電
    体材からの何れかを選択して構成されることを特徴とす
    る請求項1記載の書換形酸化亜鉛型近接場光ディスク。
  5. 【請求項5】 当該第1透光誘電体薄膜層及び第2、3
    透光誘電体薄膜層が多層構成であることを特徴とする請
    求項1または4記載の書換形酸化亜鉛型近接場光ディス
    ク。
  6. 【請求項6】 当該第1透光誘電体薄膜層のより良い厚
    さ範囲が50nm〜300nmであることを特徴とする請求
    項1または4記載の書換形酸化亜鉛型近接場光ディス
    ク。
  7. 【請求項7】 当該第2透光誘電体薄膜層のより良い厚
    さ範囲が5nm〜100nmであることを特徴とする請求項
    1または4記載の書換形酸化亜鉛型近接場光ディスク。
  8. 【請求項8】 当該第3透光誘電体薄膜層のより良い厚
    さ範囲が5nm〜100nmであることを特徴とする請求項
    1または4記載の書換形酸化亜鉛型近接場光ディスク。
  9. 【請求項9】 当該局部近接場光学作用を発生する酸化
    亜鉛ナノ薄膜層が、酸化亜鉛化合物や酸化亜鉛及び亜鉛
    の混合材から構成されることを特徴とする請求項1記載
    の書換形酸化亜鉛型近接場光ディスク。
  10. 【請求項10】 当該局部近接場光学作用を発生する酸
    化亜鉛ナノ薄膜層のより良い厚さ範囲が為5nm〜100
    nmであることを特徴とする請求項1または9記載の書換
    形酸化亜鉛型近接場光ディスク。
  11. 【請求項11】 当該書換形の記録薄膜層が、光熱及び
    光磁気等の作用により変化が発生する書換形記録材から
    構成され、材料が、ゲルマニウム・アンチモン・テルル(G
    exSbyTez)、インジウム・アンチモン・テルル(InxSbyT
    ez)、シルバー・インジウム・アンチモン・テルル(AgwInxS
    byTez)、鉄・テルビウム・コバルト(FexTbyCoz)、ガドリ
    ウム・テルビウム・鉄(GdxTbyFez)、コバルト・プラチナ(C
    oxPty)等及び、少なくとも銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ヒ素
    (As)、スズ(Sn)、金(Au)、水銀(Hg)、タリウム
    (Tl)、鉛(Pb)、ビスマス(Bi)、ガリウム(Ga)、
    ゲルマニウム(Ge)、カドミウム(Cd)、インジウム
    (In)、アンチモン(Sb)、銀(Ag)、セレン(Se)、
    テルル(Te)の一つをドーピングしたドープ材のいずれ
    かであることを特徴とする請求項1記載の書換形酸化亜
    鉛型近接場光ディスク。
  12. 【請求項12】 当該書換形の記録薄膜層が多数の層か
    ら構成されることを特徴とする請求項1または11記載
    の書換形酸化亜鉛型近接場光ディスク。
  13. 【請求項13】 当該書換形の記録薄膜層のより良い厚
    さ範囲が5nm〜100nmであることを特徴とする請求項
    1または11記載の書換形酸化亜鉛型近接場光ディス
    ク。
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