JP2003345271A - Both-face display device - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表裏両面に情報を
表示する両面表示装置に関する。本発明の両面表示装置
は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置、
無機ＥＬ表示装置、液晶表示装置、プラズマディスプレ
イパネル（ＰＤＰ）、真空蛍光表示（ＶＦＤ）装置など
に適用できる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a double-sided display device that displays information on both front and back sides. The double-sided display device of the present invention is an organic electroluminescence (EL) display device,
It can be applied to an inorganic EL display device, a liquid crystal display device, a plasma display panel (PDP), a vacuum fluorescent display (VFD) device, and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】表裏両面に同種の情報を動的表示する両
面表示装置は、ＶＦＤ装置やＰＤＰ装置などにより、駅
の行き先案内、店舗のキャッシュレジスター、銀行窓口
案内など色々な用途に使用されている。従来の両面表示
装置は、２つの表示パネルを有するタイプと、表示パネ
ルは１つで、２つの表示媒体層を有するタイプとに概ね
分けることができる。2. Description of the Related Art A double-sided display device that dynamically displays the same type of information on both front and back sides is used for various purposes such as station destination information, store cash registers, and bank teller information by VFD devices and PDP devices. There is. The conventional double-sided display device can be roughly divided into a type having two display panels and a type having one display panel and two display medium layers.
【０００３】図９は、２つの表示パネルを有するタイプ
の両面表示装置の側面図である。図９に示す両面表示装
置では、片面表示を行う表示ユニット１００が２個用い
られている。表示ユニット１００は、表示装置１０１
と、表示装置１０１を駆動制御する駆動回路１０２とか
らなる。２個の表示ユニット１００は、互いに背中合わ
せで配置され、連結部材１０３を介して支持基板１０４
に支持されている。FIG. 9 is a side view of a double-sided display device of the type having two display panels. In the double-sided display device shown in FIG. 9, two display units 100 that perform single-sided display are used. The display unit 100 is a display device 101.
And a drive circuit 102 for driving and controlling the display device 101. The two display units 100 are arranged back-to-back with each other, and the support substrate 104 is interposed via the connecting member 103.
Supported by.
【０００４】２つの表示媒体層を有するタイプとして、
例えば特開平5-61024 号公報に開示された液晶表示装置
を挙げることができる。図１０は、同公報に開示された
液晶表示装置の断面図である。図１０に示す液晶表示装
置は、３枚の基板１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃを備え
ており、中間基板１１６ｃの上下面には、それぞれ表示
電極１１４ａ，１１４ｂとスイッチング素子１１５ａ，
１１５ｂとが形成されている。上側基板１１６ａおよび
下側基板１１６ｂにも、電極１１３ａ，１１３ｂがそれ
ぞれ形成されている。上側基板１１６ａと中間基板１１
６ｃとの間、および下側基板１１６ｂの中間基板１１６
ｃとの間には、それぞれ液晶層１１２ａ，１１２ｂが介
在している。As a type having two display medium layers,
For example, a liquid crystal display device disclosed in JP-A-5-61024 can be mentioned. FIG. 10 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device disclosed in the publication. The liquid crystal display device shown in FIG. 10 includes three substrates 116a, 116b, and 116c, and display electrodes 114a and 114b and switching elements 115a and 115a are provided on the upper and lower surfaces of the intermediate substrate 116c, respectively.
115b are formed. Electrodes 113a and 113b are also formed on the upper substrate 116a and the lower substrate 116b, respectively. Upper substrate 116a and intermediate substrate 11
6c, and the intermediate substrate 116 of the lower substrate 116b.
Liquid crystal layers 112a and 112b are respectively interposed between the two and c.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】図９に示す両面表示装
置では、２個の表示ユニット１００の電気的な絶縁と配
線を行うために、２個の表示ユニット１００間の空間を
十分確保する必要があるので、薄型化が困難である。ま
た、表示装置１０１が２個必要なだけでなく、駆動回路
１０２も２個必要であるので、低コスト化が困難であ
る。In the double-sided display device shown in FIG. 9, it is necessary to secure a sufficient space between the two display units 100 in order to electrically insulate and wire the two display units 100. Therefore, it is difficult to reduce the thickness. Further, not only two display devices 101 are required, but also two drive circuits 102 are required, which makes it difficult to reduce the cost.
【０００６】一方、特開平5-61024 号公報に開示された
液晶表示装置では、中間基板１１６ｃの両面に、表示電
極１１４ａ，１１４ｂとスイッチング素子１１５ａ，１
１５ｂとを形成し、さらに中間基板１１６ｃの両側に液
晶層１１２ａ，１１２ｂを形成する必要がある。したが
って、製造が煩雑となり、表示パネルの低コスト化が困
難である。また、表示パネルを駆動または制御するため
のドライバＩＣを中間基板１１６ｃの裏表の両面に接続
する必要があるので、表示装置を形成する際にも低コス
ト化が困難であるという問題点がある。On the other hand, in the liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-61024, the display electrodes 114a and 114b and the switching elements 115a and 1 are provided on both surfaces of the intermediate substrate 116c.
15b and liquid crystal layers 112a and 112b must be formed on both sides of the intermediate substrate 116c. Therefore, manufacturing becomes complicated and it is difficult to reduce the cost of the display panel. In addition, since it is necessary to connect driver ICs for driving or controlling the display panel to both the front and back surfaces of the intermediate substrate 116c, it is difficult to reduce the cost when forming the display device.
【０００７】本発明は、上記問題点に鑑み、薄型化が可
能で、低コスト化が可能である両面表示装置を提供する
ことを目的とする。In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a double-sided display device which can be thinned and can be manufactured at low cost.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、互
いに対向する表電極および裏電極と、前記表電極および
前記裏電極間に介在する表示媒体層とを有し、前記表電
極および前記裏電極によりマトリクス状に複数の画素が
規定された表示装置であって、前記複数の画素は、前記
表電極側での表示を行う表側画素と、前記裏電極側での
表示を行う裏側画素とに区別されている。A display device of the present invention has a front electrode and a back electrode facing each other, and a display medium layer interposed between the front electrode and the back electrode, and the front electrode and the back electrode are provided. A display device in which a plurality of pixels are defined in a matrix by a back electrode, wherein the plurality of pixels include a front side pixel that performs display on the front electrode side and a back side pixel that performs display on the back electrode side. Are distinguished.
【０００９】ここで、「表」側および「裏」側とは、表
示媒体層の一方面側および他方面側をいう。「表示媒体
層」とは、互いに対向する表電極および裏電極に電圧を
印加することによって、両電極の電位差により光透過率
が変調される層、または両電極間を流れる電流により自
発光する層である。表示媒体層は、例えば液晶層、無機
または有機ＥＬ層、発光ガス層、電気泳動層、エレクト
ロクロミック層などである。Here, the "front" side and the "back" side mean the one surface side and the other surface side of the display medium layer. The "display medium layer" is a layer in which light transmittance is modulated by a potential difference between both electrodes by applying a voltage to the front electrode and the back electrode facing each other, or a layer which emits light by a current flowing between the electrodes. Is. The display medium layer is, for example, a liquid crystal layer, an inorganic or organic EL layer, a luminescent gas layer, an electrophoretic layer, an electrochromic layer, or the like.
【００１０】「画素」とは、表示を行うために光学的な
状態が制御される最小単位を指す。「画素」は、単純マ
トリクス型表示装置においては、複数の列電極と、列電
極に交差するように設けられる複数の行電極とによって
規定され、両電極が互いに交差するそれぞれの領域が画
素を構成する。また、アクティブマトリクス型表示装置
においては、画素電極と画素電極に対向する共通電極
（対向電極）とが「画素」を規定する。なお、カラー表
示においては、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれの最小表
示単位が、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素となる。さらにブラ
ックマトリクスが設けられる構成においては、厳密に
は、表示すべき状態に応じて電圧が印加される領域のう
ち、ブラックマトリクスの開口部に対応する領域が「画
素」に対応することになる。"Pixel" refers to the smallest unit whose optical state is controlled for displaying. In a simple matrix display device, a “pixel” is defined by a plurality of column electrodes and a plurality of row electrodes provided so as to intersect with the column electrodes, and each region where both electrodes intersect each other constitutes a pixel. To do. Further, in the active matrix display device, the pixel electrode and the common electrode (counter electrode) facing the pixel electrode define a “pixel”. In color display, for example, the minimum display units of R, G, and B are R pixels, G pixels, and B pixels. Further, in the configuration in which the black matrix is further provided, strictly speaking, among the areas to which the voltage is applied according to the state to be displayed, the area corresponding to the opening of the black matrix corresponds to the “pixel”.
【００１１】本発明の表示装置は、複数の画素がマトリ
クス状に配列されている。したがって、複数の画素は、
典型的には、行方向およびそれに直交する列方向に配列
されている。但し、画素の配列はこれに限られず、互い
に異なる方向であればよい。例えば、デルタ配列の表示
装置においては、行方向に対して傾斜した方向に列方向
が設定され得る。列方向および行方向は、表示画面の一
方向と、これに交差する他の方向とを表すにすぎず、表
示画面の長手方向や短手方向を規定するものではない。In the display device of the present invention, a plurality of pixels are arranged in a matrix. Therefore, the pixels are
Typically, they are arranged in the row direction and the column direction orthogonal thereto. However, the arrangement of the pixels is not limited to this, and the pixels may be arranged in different directions. For example, in a delta array display device, the column direction can be set in a direction inclined with respect to the row direction. The column direction and the row direction merely represent one direction of the display screen and the other direction intersecting the display screen, and do not define the longitudinal direction or the lateral direction of the display screen.
【００１２】本発明の表示装置によれば、一つの表示媒
体層による複数の画素が表側画素と裏側画素とに区別さ
れている。言い換えれば、複数の画素のそれぞれは、表
側画素または裏側画素のいずれかに属し、表側画素と裏
側画素とが重複することなく規則的に混在する。したが
って、表側と裏側とで異なる表示をすることができる。
また、一つの表示媒体層を形成するだけで両面表示が可
能となるので、製造が簡単であり、また表示装置を非常
に薄くすることができる。本発明の表示装置は、現行と
同じ製造装置を用いて、従来と同様のプロセスで製造す
ることができる。表示媒体層を駆動させるためのドライ
バＩＣを基板の一方側のみに接続すれば良いので、駆動
用ドライバＩＣの実装が簡単であり、製造コストを削減
することができる。According to the display device of the present invention, a plurality of pixels of one display medium layer are classified into front side pixels and back side pixels. In other words, each of the plurality of pixels belongs to either the front side pixel or the back side pixel, and the front side pixel and the back side pixel are regularly mixed without overlapping. Therefore, different displays can be displayed on the front side and the back side.
Also, since double-sided display is possible by forming only one display medium layer, manufacturing is simple and the display device can be made extremely thin. The display device of the present invention can be manufactured by the same process as the conventional process using the same manufacturing device as the current one. Since the driver IC for driving the display medium layer only needs to be connected to one side of the substrate, the driving driver IC can be easily mounted and the manufacturing cost can be reduced.
【００１３】前記表側画素および前記裏側画素は、それ
ぞれ列方向に連続し、かつ行方向に交互に配列されてい
ても良い。これにより、一列間隔のストライプで文字な
どが表示されるので、行方向のライン数を１／２にする
ことができる。列方向に延びるストライプ状の電極と、
それに交差する行方向に延びるストライプ状の電極の間
に表示媒体層を有し、ストライプ状の両電極が交差する
領域が画素となる表示装置では、コモン電極（列電極）
側のデューティ比を１／２にして表示品位を上げたり、
駆動周波数を２倍にして輝度を向上させたりすることが
できる。あるいは、コモン電極側のドライバの数を１／
２にすることができる。この表示装置は、列方向のライ
ン数が多い場合に有効である。The front side pixels and the back side pixels may be arranged continuously in the column direction and alternately in the row direction. As a result, characters and the like are displayed in stripes at intervals of one column, so that the number of lines in the row direction can be halved. Striped electrodes extending in the column direction,
In a display device having a display medium layer between stripe-shaped electrodes that extend in the row direction and intersecting the stripe-shaped electrodes, the area where the stripe-shaped electrodes intersect is a pixel.
The duty ratio on the side is halved to improve the display quality,
The driving frequency can be doubled to improve the brightness. Alternatively, set the number of drivers on the common electrode side to 1 /
It can be 2. This display device is effective when the number of lines in the column direction is large.
【００１４】前記表側画素および前記裏側画素は、それ
ぞれ行方向に連続し、かつ列方向に交互に配列されてい
ても良い。これにより、一行間隔のストライプで文字な
どが表示されるので、列方向のライン数を１／２にする
ことができる。列方向に延びるストライプ状の電極と、
それに交差する行方向に延びるストライプ状の電極の間
に表示媒体層を有し、ストライプ状の両電極が交差する
領域が画素となる表示装置では、セグメント電極（行電
極）側のデューティ比を１／２にして表示品位を上げた
り、駆動周波数を２倍にして輝度を向上させたりするこ
とができる。あるいは、セグメント電極側のドライバの
数を１／２にすることができる。この表示装置は、列方
向のライン数が多い場合に有効である。The front side pixels and the back side pixels may be arranged continuously in the row direction and alternately in the column direction. As a result, characters and the like are displayed in stripes at intervals of one row, so that the number of lines in the column direction can be halved. Striped electrodes extending in the column direction,
In a display device in which a display medium layer is provided between stripe-shaped electrodes that extend in the row direction that intersects with each other, and a pixel is formed in a region where the stripe-shaped electrodes intersect, the duty ratio on the segment electrode (row electrode) side is 1 It is possible to raise the display quality by setting it to / 2 and to double the driving frequency to improve the luminance. Alternatively, the number of drivers on the segment electrode side can be halved. This display device is effective when the number of lines in the column direction is large.
【００１５】前記表電極および前記裏電極は、互いに交
差するストライプ電極であって、前記表電極または前記
裏電極のいずれかの電極の外側に、光遮蔽性または反射
性を有する導電層が形成されていることが好ましい。駆
動表示領域が列方向または行方向に長い表示装置の場合
には、長い方向の電極の抵抗が問題になりやすい。長い
方向の電極の外側に導電層を形成することによって、導
電層がバスラインとして機能して、電極の抵抗が低下す
る。また、導電層は光遮蔽性または反射性を有するの
で、導電層が形成された表側または裏側への光の出射が
阻止される。したがって、光遮蔽性または反射性を有す
る導電層を形成することによって、複数の画素を表側画
素と裏側画素とに分けることができる。The front electrode and the back electrode are stripe electrodes intersecting each other, and a conductive layer having a light shielding property or a reflective property is formed on the outer side of either the front electrode or the back electrode. Preferably. In the case of a display device in which the drive display region is long in the column direction or the row direction, the resistance of the electrodes in the long direction easily becomes a problem. By forming the conductive layer on the outer side of the electrode in the long direction, the conductive layer functions as a bus line, and the resistance of the electrode is reduced. Further, since the conductive layer has a light shielding property or a reflective property, the emission of light to the front side or the back side where the conductive layer is formed is blocked. Therefore, a plurality of pixels can be divided into a front side pixel and a back side pixel by forming a conductive layer having a light shielding property or a reflective property.
【００１６】前記表側画素および前記裏側画素は、それ
ぞれ千鳥状に配列されていても良い。画素のサイズが大
きい場合には、文字や絵を表現するための画素の間隔が
広くなるので、表示が荒くなる傾向にある。この表示装
置では、千鳥状に画素を配列することにより画素間隔が
狭くなるので、表示する文字や絵の品位を上げることが
できる。The front side pixels and the back side pixels may be arranged in a staggered manner. When the size of the pixel is large, the interval between pixels for expressing a character or a picture becomes large, so that the display tends to be rough. In this display device, the pixels are arranged in a zigzag pattern so that the pixel interval is narrowed, so that it is possible to improve the quality of characters or pictures to be displayed.
【００１７】前記表示媒体層は、エレクトロルミネッセ
ンス層または液晶層であっても良い。表示媒体層として
エレクトロルミネッセンス層を用いることで、暗い環境
下でも見え、視野角が非常に広い、自発光型の両面表示
装置が得られる。また、表示媒体層として液晶層を用い
ることで、明るい環境下では鮮明に見え、消費電力の小
さい反射型の両面表示装置が得られる。The display medium layer may be an electroluminescence layer or a liquid crystal layer. By using the electroluminescence layer as the display medium layer, it is possible to obtain a self-luminous double-sided display device that can be seen even in a dark environment and has a very wide viewing angle. Further, by using the liquid crystal layer as the display medium layer, a reflective double-sided display device that can be seen clearly in a bright environment and consumes less power can be obtained.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態を説明する。以下の実施形態では、パッシブ
（マルチプレックス）駆動型の表示装置について説明す
るが、本発明の表示装置は、アクティブ駆動型の表示装
置にも適用することができる。アクティブ駆動型の表示
装置は、マトリクス状に配置された複数のアクティブ素
子と、アクティブ素子に接続された複数の画素電極と、
画素電極に対向する共通電極（対向電極）とを有する。
アクティブ素子としては、ＴＦＴ(Thin Film Transisto
r)や他のＦＥＴ（Field Effect Transistor) などの３
端子素子、ＭＩＭ(MetalInsulator Metal) などの２端
子素子が挙げられる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following embodiments, a passive (multiplex) drive type display device will be described, but the display device of the present invention can also be applied to an active drive type display device. The active drive type display device includes a plurality of active elements arranged in a matrix, a plurality of pixel electrodes connected to the active elements,
A common electrode (counter electrode) facing the pixel electrode.
As an active element, a TFT (Thin Film Transistor)
r) and other FET (Field Effect Transistor) etc. 3
Examples thereof include a terminal element and a two-terminal element such as MIM (Metal Insulator Metal).
【００１９】（実施形態１：両面表示型無機ＥＬ表示装
置）図１は、実施形態１の表示装置を簡略化して示す斜
視図であり、図２は、本実施形態の表示装置を行方向に
切断した断面図である。本実施形態の表示装置は、ガラ
ス基板６上に形成されたストライプ状の列電極２ｂと、
列電極２ｂに交差するように設けられたストライプ状の
行電極２ａと、列電極２ｂおよび行電極２ａ間に介在す
るＥＬ発光層３とを有する。ストライプ状の両電極２
ａ，２ｂは、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などの透明
電極である。本実施形態の表示装置では、両電極２ａ，
２ｂに選択的に電圧を印加することにより、両電極２
ａ，２ｂが交差する領域におけるＥＬ発光層３が発光す
る。すなわち、マトリクス状に配置された複数の画素の
うち任意の画素を発光させることができる。(Embodiment 1: Double-sided display type inorganic EL display device) FIG. 1 is a simplified perspective view showing the display device of embodiment 1, and FIG. 2 shows the display device of this embodiment in the row direction. It is sectional drawing cut. The display device according to the present embodiment includes striped column electrodes 2b formed on a glass substrate 6,
It has a striped row electrode 2a provided so as to intersect the column electrode 2b, and an EL light emitting layer 3 interposed between the column electrode 2b and the row electrode 2a. Striped electrodes 2
a and 2b are transparent electrodes such as ITO (indium tin oxide). In the display device of the present embodiment, both electrodes 2a,
By selectively applying a voltage to 2b, both electrodes 2
The EL light emitting layer 3 emits light in the region where a and 2b intersect. That is, it is possible to cause any pixel of the plurality of pixels arranged in a matrix to emit light.
【００２０】本実施形態の表示装置は、各電極２ａ，２
ｂの外側（言い換えれば、ＥＬ発光層３に対して反対
側）に、それぞれが列方向に延びるストライプ状の光遮
蔽層１ａ，１ｂが形成されている。表側の光遮蔽層１ａ
および裏側の光遮蔽層１ｂは、互いに重畳しないよう
に、行方向に交互に配列されている。これにより、ＥＬ
発光層３から発光される光は、光遮蔽層１ａ，１ｂが形
成されている側へ出射することができない。例えば、表
側に光遮蔽層１ａが形成された画素のＥＬ発光層３を発
光させた場合、表側へは発光せずに、裏側へ発光する。
したがって、表側の光遮蔽層１ａで覆われていないスト
ライプ状の画素が表側画素４ａとなり、裏側の光遮蔽層
１ｂで覆われていないストライプ状の画素が裏側画素４
ｂとなる。The display device according to the present embodiment has the electrodes 2a, 2
Stripe-shaped light shielding layers 1a and 1b each extending in the column direction are formed outside b (in other words, on the side opposite to the EL light emitting layer 3). Front side light shielding layer 1a
The light shielding layers 1b on the back side are arranged alternately in the row direction so as not to overlap each other. This makes EL
The light emitted from the light emitting layer 3 cannot be emitted to the side where the light shielding layers 1a and 1b are formed. For example, when the EL light emitting layer 3 of the pixel having the light shielding layer 1a formed on the front side is made to emit light, it does not emit light to the front side but emits light to the back side.
Therefore, the stripe-shaped pixels that are not covered with the front light-shielding layer 1a become the front-side pixels 4a, and the stripe-shaped pixels that are not covered with the back-side light-shielding layer 1b are the back-side pixels 4a.
b.
【００２１】本実施形態では、表側画素４ａおよび裏側
画素４ｂは、それぞれ行方向に１列間隔でストライプに
配列される。１画素の平面形状を正方形とした場合、行
方向の表示が荒くなるので、１画素の行方向の長さを列
方向の長さよりも短くするのが望ましい。例えば、１画
素の行方向の長さを列方向の長さの１／２にする。In this embodiment, the front side pixels 4a and the back side pixels 4b are arranged in stripes at intervals of one column in the row direction. When the planar shape of one pixel is square, the display in the row direction becomes rough. Therefore, it is desirable to make the length of one pixel in the row direction shorter than the length in the column direction. For example, the length of one pixel in the row direction is ½ of the length in the column direction.
【００２２】図３は、本実施形態の表示装置を用いて、
表側に“Ａ”の文字を表示させ、裏側に“Ｂ”の文字を
表示させたときのイメージ図である。なお、図３では、
分かり易くするために、発光している画素を黒で塗り潰
し、発光していない画素および遮光された画素を白抜き
で表示する。また観察側と反対側で発光している画素を
斜線で表示する。図３に示すように、裏表の両面におい
て十分な表示が得られる。FIG. 3 shows a display device of this embodiment,
It is an image figure when the character of "A" is displayed on the front side and the character of "B" is displayed on the back side. In addition, in FIG.
For ease of understanding, pixels that are emitting light are filled in with black, and pixels that are not emitting light and pixels that are shielded from light are displayed in white. Pixels emitting light on the side opposite to the viewing side are displayed with diagonal lines. As shown in FIG. 3, sufficient display can be obtained on both the front and back sides.
【００２３】本実施形態の表示装置によれば、一列間隔
のストライプで文字などが表示されるので、行方向のラ
イン数を１／２にすることができる。また、コモン電極
（列電極）側のデューティ比を１／２にして表示品位を
上げたり、駆動周波数を２倍にして輝度を向上させたり
することができる。あるいは、コモン電極側のドライバ
の数を１／２にすることができる。ＥＬ発光層３を駆動
させるためのドライバＩＣを基板６の一方側のみに接続
すれば良いので、駆動用ドライバＩＣの実装が簡単であ
り、製造コストを削減することができる。According to the display device of this embodiment, since characters and the like are displayed in stripes arranged at intervals of one column, the number of lines in the row direction can be halved. Further, the display quality can be improved by setting the duty ratio on the common electrode (column electrode) side to 1/2, or the drive frequency can be doubled to improve the brightness. Alternatively, the number of drivers on the common electrode side can be halved. Since the driver IC for driving the EL light emitting layer 3 only needs to be connected to one side of the substrate 6, the driving driver IC can be easily mounted and the manufacturing cost can be reduced.
【００２４】次に、本実施形態の表示装置の製造工程に
ついて説明する。まず、ガラス基板６上に、モリブデン
（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）またはチタン（Ｔｉ）な
どの高融点の金属を蒸着またはスパッタなどの方法に
て、光が透過しない程度の厚み（５０ｎｍ〜２００ｎｍ
程度）まで成膜する。フォトリソグラフの手法を用い
て、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸との混合
液にてエッチングする。後述の裏側電極２ｂと同じ幅ま
たはそれより広い幅で、かつ裏側電極２ｂの１本おきの
間隔でストライプ形成して、第１光遮蔽層１ｂとする。
なお、第１光遮蔽層１ｂ以外の領域における金属は、完
全にエッチング除去しても良く、あるいは光が透過可能
な程度の厚み（５０ｎｍ以下程度）までエッチングして
も良い。Next, the manufacturing process of the display device of this embodiment will be described. First, a high melting point metal such as molybdenum (Mo), tungsten (W) or titanium (Ti) is vapor-deposited or sputtered on the glass substrate 6 to a thickness (50 nm to 200 nm) at which light is not transmitted.
Film is formed up to the degree. Etching is performed using a photolithographic method with a mixed solution of ceric ammonium nitrate and perchloric acid. Stripes are formed with a width equal to or wider than that of a back electrode 2b, which will be described later, and at intervals of every other back electrode 2b to form a first light shielding layer 1b.
The metal in the region other than the first light shielding layer 1b may be completely removed by etching, or may be etched to a thickness (about 50 nm or less) that allows light to pass therethrough.
【００２５】第１光遮蔽層１ｂの上に、ＩＴＯに代表さ
れる透明導電膜を１００ｎｍ〜２００ｎｍ成膜する。第
１光遮蔽層１ｂと同じ幅またはそれより狭い幅で、第１
光遮蔽層１ｂと平行に電極パターン加工を施して、第１
透明電極層（裏側電極２ｂ）とする。ガラス基板６上
に、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ2）もしくは酸化チタンなどの酸化膜、または窒化
シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）などの窒化膜からなる第１絶縁層
５ｂを形成して、第１透明電極層および第１光遮蔽層１
ｂを被覆する。On the first light shielding layer 1b, a transparent conductive film typified by ITO is formed in a thickness of 100 nm to 200 nm. The first light-shielding layer 1b has the same width as or a width narrower than that of the first light-shielding layer 1b.
The electrode pattern is processed in parallel with the light shielding layer 1b, and the first
The transparent electrode layer (backside electrode 2b) is used. Aluminum oxide (Al 2 O 3 ) and silicon oxide (S
The first transparent electrode layer and the first light shielding layer 1 are formed by forming the first insulating layer 5b made of an oxide film such as iO 2 ) or titanium oxide or a nitride film such as silicon nitride (Si 3 N 4 ).
coat b.
【００２６】第１絶縁層５ｂ上に、硫化亜鉛（ＺｎＳ）
などからなる母材に発光中心としてマンガン（Ｍｎ）な
どを微量に添加した組成を有するＥＬ発光層３を形成す
る。ＥＬ発光層３上に、上記の酸化膜または窒化膜から
なる第２絶縁層５ａを形成し、さらにＩＴＯからなる透
明導電膜を形成する。フォトリソグラフの手法を用い
て、第１透明電極層（裏側電極２ｂ）と直交する方向
に、透明導電膜をストライプ形成して、第２透明電極層
（表側電極２ａ）とする。第２透明電極層（表側電極２
ａ）の上に、上記の酸化膜または窒化膜からなる第３絶
縁層５ｃを３００ｎｍ〜１０００ｎｍ形成する。Zinc sulfide (ZnS) is formed on the first insulating layer 5b.
An EL light emitting layer 3 having a composition in which a minute amount of manganese (Mn) or the like is added as a luminescent center to a base material made of, for example, is formed. The second insulating layer 5a made of the above oxide film or nitride film is formed on the EL light emitting layer 3, and a transparent conductive film made of ITO is further formed. Using a photolithographic method, a transparent conductive film is formed in stripes in a direction orthogonal to the first transparent electrode layer (back side electrode 2b) to form a second transparent electrode layer (front side electrode 2a). Second transparent electrode layer (front side electrode 2
On the a), the third insulating layer 5c made of the above oxide film or nitride film is formed to a thickness of 300 nm to 1000 nm.
【００２７】第３絶縁層５ｃ上に、第１光遮蔽層１ｂと
同じ金属を蒸着またはスパッタなどの方法にて、光を透
過しない厚み（５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度）まで成膜す
る。金属膜をエッチングにより、ストライプ形成する。
ストライプの幅は、第１透明導電層（裏側電極２ｂ）と
同じ幅またはそれより広い幅とする。また、第１光遮蔽
層１ｂと同じ間隔、同じ方向（列方向）で、第１光遮蔽
層１ｂが重畳しない領域にストライプを形成する。この
ストライプは、第２光遮蔽層１ａになる。The same metal as that of the first light shielding layer 1b is formed on the third insulating layer 5c by a method such as vapor deposition or sputtering to a thickness (about 50 nm to 200 nm) that does not transmit light. The metal film is etched to form stripes.
The width of the stripe is the same as or wider than that of the first transparent conductive layer (backside electrode 2b). In addition, stripes are formed in regions where the first light shielding layer 1b does not overlap, at the same intervals and in the same direction (column direction) as the first light shielding layer 1b. This stripe becomes the second light shielding layer 1a.
【００２８】このように本実施形態の表示装置は、一つ
のＥＬ発光層３を形成するだけで両面表示が可能となる
ので、製造が簡単であり、また表示装置を非常に薄くす
ることができる。本実施形態の表示装置は、現行と同じ
製造装置を用いて、従来と同様のプロセスで製造するこ
とができる。したがって、低コストの表示装置が提供さ
れる。As described above, the display device of this embodiment can perform double-sided display only by forming one EL light emitting layer 3, and therefore the manufacturing is simple and the display device can be made extremely thin. . The display device of the present embodiment can be manufactured by the same process as the conventional one, using the same manufacturing device as the current one. Therefore, a low-cost display device is provided.
【００２９】本実施形態では、光遮蔽層１ａ，１ｂの材
料として金属を用いているが、製造工程上の問題が生じ
ない限り、光遮蔽特性を有する様々な材料を光遮蔽層に
用いることができる。また、本実施形態では、光遮蔽層
１ａ，１ｂを形成することにより、光の透過を防いでい
るが、反射性を有する材料を用いて反射層を形成しても
良い。例えば、光が反射する程度の膜厚を有するアルミ
ニウム膜を形成することによっても、アルミニウム膜の
形成側へ光が透過するのを防ぐことができる。In the present embodiment, metal is used as the material of the light shielding layers 1a and 1b, but various materials having light shielding properties may be used for the light shielding layer unless problems in the manufacturing process occur. it can. Further, in the present embodiment, the light shielding layers 1a and 1b are formed to prevent the transmission of light, but the reflective layer may be formed using a material having reflectivity. For example, by forming an aluminum film having a thickness that allows light to be reflected, it is possible to prevent light from being transmitted to the side where the aluminum film is formed.
【００３０】駆動表示領域が列方向に長い表示装置の場
合には、列方向に延びる裏側電極２ｂの抵抗が問題にな
りやすい。本実施形態では、裏側電極２ｂと金属からな
る第１光遮蔽層１ｂとが重なって同じ方向（列方向）に
延びているので、第１光遮蔽層１ｂはバスラインとして
機能し、低抵抗になるという利点がある。In the case of a display device in which the drive display area is long in the column direction, the resistance of the back electrode 2b extending in the column direction tends to be a problem. In the present embodiment, since the back electrode 2b and the first light shielding layer 1b made of metal overlap and extend in the same direction (column direction), the first light shielding layer 1b functions as a bus line and has a low resistance. Has the advantage that
【００３１】なお、本実施形態のように、第１光遮蔽層
１ｂが導電性の金属膜から形成される場合には、第１光
遮蔽層１ｂと重なる裏側電極２ｂが無くてもよい。When the first light shielding layer 1b is formed of a conductive metal film as in this embodiment, the back electrode 2b overlapping the first light shielding layer 1b may be omitted.
【００３２】（実施形態２：両面表示型無機ＥＬ表示装
置）図４は、実施形態２の表示装置を簡略化して示す斜
視図である。本実施形態の表示装置は、光遮蔽層の配置
が実施形態１と異なり、他の構成要素は実施形態１と同
様であるので、光遮蔽層以外の説明を省略する。(Second Embodiment: Double-sided Display Inorganic EL Display Device) FIG. 4 is a schematic perspective view of the display device of the second embodiment. The arrangement of the light shielding layer of the display device of the present embodiment is different from that of the first embodiment, and the other constituent elements are the same as those of the first embodiment, and therefore the description other than the light shielding layer is omitted.
【００３３】本実施形態の表示装置は、各電極２ａ，２
ｂの外側（言い換えれば、ＥＬ発光層３に対して反対
側）に、それぞれが行方向に延びるストライプ状の光遮
蔽層１ａ，１ｂが形成されている。表側の光遮蔽層１ａ
および裏側の光遮蔽層１ｂは、互いに重畳しないよう
に、列方向に交互に配列されている。これにより、表側
の光遮蔽層１ａで覆われていないストライプ状の画素が
表側画素４ａとなり、裏側の光遮蔽層１ｂで覆われてい
ないストライプ状の画素が裏側画素４ｂとなる。The display device according to the present embodiment has the electrodes 2a, 2
Stripe-shaped light shielding layers 1a and 1b each extending in the row direction are formed outside b (in other words, on the side opposite to the EL light emitting layer 3). Front side light shielding layer 1a
The light shielding layers 1b on the back side are alternately arranged in the column direction so as not to overlap each other. As a result, the stripe-shaped pixels that are not covered with the front light-shielding layer 1a become the front-side pixels 4a, and the stripe-shaped pixels that are not covered with the back-side light-shielding layer 1b become the back-side pixels 4b.
【００３４】本実施形態では、表側画素４ａおよび裏側
画素４ｂは、それぞれ列方向に１行間隔でストライプに
配列される。１画素の平面形状を正方形とした場合、列
方向の表示が荒くなるので、１画素の列方向の長さを行
方向の長さよりも短くするのが望ましい。例えば、１画
素の列方向の長さを行方向の長さの１／２にする。In this embodiment, the front side pixels 4a and the back side pixels 4b are arranged in stripes at intervals of one row in the column direction. When the planar shape of one pixel is square, the display in the column direction becomes rough. Therefore, it is desirable to make the length of the one pixel in the column direction shorter than the length in the row direction. For example, the length of one pixel in the column direction is ½ of the length in the row direction.
【００３５】図５は、本実施形態の表示装置を用いて、
表側に“Ａ”の文字を表示させ、裏側に“Ｂ”の文字を
表示させたときのイメージ図である。なお、図５では、
分かり易くするために、発光している画素を黒で塗り潰
し、発光していない画素および遮光された画素を白抜き
で表示する。また観察側と反対側で発光している画素を
斜線で表示する。図５に示すように、裏表の両面におい
て十分な表示が得られる。FIG. 5 shows a display device of this embodiment,
It is an image figure when the character of "A" is displayed on the front side and the character of "B" is displayed on the back side. In addition, in FIG.
For ease of understanding, pixels that are emitting light are filled in with black, and pixels that are not emitting light and pixels that are shielded from light are displayed in white. Pixels emitting light on the side opposite to the viewing side are displayed with diagonal lines. As shown in FIG. 5, sufficient display can be obtained on both the front and back sides.
【００３６】本実施形態の表示装置によれば、一行間隔
のストライプで文字などが表示されるので、列方向のラ
イン数を１／２にすることができる。また、セグメント
電極（行電極）側のデューティ比を１／２にして表示品
位を上げたり、駆動周波数を２倍にして輝度を向上させ
たりすることができる。あるいは、セグメント電極側の
ドライバの数を１／２にすることができる。ＥＬ発光層
３を駆動させるためのドライバＩＣを基板６の一方側の
みに接続すれば良いので、駆動用ドライバＩＣの実装が
簡単であり、製造コストを削減することができる。According to the display device of the present embodiment, characters and the like are displayed in stripes at intervals of one row, so the number of lines in the column direction can be halved. Further, the display quality can be improved by setting the duty ratio on the segment electrode (row electrode) side to 1/2, or the drive frequency can be doubled to improve the brightness. Alternatively, the number of drivers on the segment electrode side can be halved. Since the driver IC for driving the EL light emitting layer 3 only needs to be connected to one side of the substrate 6, the driving driver IC can be easily mounted and the manufacturing cost can be reduced.
【００３７】本実施形態の表示装置は、実施形態１と同
様に、一つのＥＬ発光層３を形成するだけで両面表示が
可能となるので、製造が簡単であり、また表示装置を非
常に薄くすることができる。本実施形態の表示装置は、
実施形態１と同様に、現行と同じ製造装置を用いて、従
来と同様のプロセスで製造することができる。したがっ
て、低コストの表示装置が提供される。Like the first embodiment, the display device of the present embodiment enables double-sided display only by forming one EL light emitting layer 3, and therefore the manufacturing is simple and the display device is very thin. can do. The display device of the present embodiment is
Similar to the first embodiment, the same manufacturing apparatus as the current one can be used to manufacture by the same process as the conventional one. Therefore, a low-cost display device is provided.
【００３８】駆動表示領域が行方向に長い表示装置の場
合には、行方向に延びる表側電極２ａの抵抗が問題にな
りやすい。本実施形態では、表側電極２ａと金属からな
る第２光遮蔽層１ａとが重なって同じ方向（行方向）に
延びているので、第２光遮蔽層１ａはバスラインとして
機能し、低抵抗になるという利点がある。In the case of a display device in which the drive display area is long in the row direction, the resistance of the front side electrode 2a extending in the row direction tends to be a problem. In the present embodiment, since the front electrode 2a and the second light shielding layer 1a made of metal overlap and extend in the same direction (row direction), the second light shielding layer 1a functions as a bus line and has a low resistance. Has the advantage that
【００３９】なお、本実施形態のように、第２光遮蔽層
１ａが導電性の金属膜から形成される場合には、第２光
遮蔽層１ａと重なる表側電極２ａが無くてもよい。When the second light shielding layer 1a is formed of a conductive metal film as in this embodiment, the front side electrode 2a which overlaps the second light shielding layer 1a may be omitted.
【００４０】（実施形態３：両面表示型無機ＥＬ表示装
置）図６は、実施形態３の表示装置を簡略化して示す斜
視図である。本実施形態の表示装置は、光遮蔽層の配置
が実施形態１と異なり、他の構成要素は実施形態１と同
様であるので、光遮蔽層以外の説明を省略する。(Embodiment 3: Double-sided display type inorganic EL display device) FIG. 6 is a perspective view showing the display device of embodiment 3 in a simplified manner. The arrangement of the light shielding layer of the display device of the present embodiment is different from that of the first embodiment, and the other constituent elements are the same as those of the first embodiment, and therefore the description other than the light shielding layer is omitted.
【００４１】本実施形態の表示装置は、各電極２ａ，２
ｂの外側（言い換えれば、ＥＬ発光層３に対して反対
側）に、それぞれ千鳥状に配列された光遮蔽層１ａ，１
ｂが形成されている。表側の光遮蔽層１ａおよび裏側の
光遮蔽層１ｂは、互いに重畳しないように配列されてい
る。これにより、表側の光遮蔽層１ａで覆われていない
千鳥状の画素が表側画素４ａとなり、裏側の光遮蔽層１
ｂで覆われていない千鳥状の画素が裏側画素４ｂとな
る。The display device according to the present embodiment has the electrodes 2a, 2
Light-shielding layers 1a, 1 arranged in a zigzag pattern on the outer side of b (in other words, on the side opposite to the EL light-emitting layer 3).
b is formed. The light-shielding layer 1a on the front side and the light-shielding layer 1b on the back side are arranged so as not to overlap each other. As a result, the staggered pixels that are not covered by the front side light shielding layer 1a become the front side pixels 4a, and the back side light shielding layer 1 is formed.
The staggered pixels not covered with b are the back side pixels 4b.
【００４２】図７は、本実施形態の表示装置を用いて、
表側に“Ａ”の文字を表示させ、裏側に“Ｂ”の文字を
表示させたときのイメージ図である。なお、図７では、
分かり易くするために、発光している画素を黒で塗り潰
し、発光していない画素および遮光された画素を白抜き
で表示する。また観察側と反対側で発光している画素を
斜線で表示する。画素のサイズが大きい場合には、文字
や絵を表現するための画素の間隔が広くなるので、表示
が荒くなる傾向がある。本実施形態の表示装置では、表
側画素４ａおよび裏側画素４ｂがともに、千鳥状に配列
されるので、画素間隔が狭くなり、表示する文字や絵の
品位を上げることができる。FIG. 7 shows a display device of the present embodiment,
It is an image figure when the character of "A" is displayed on the front side and the character of "B" is displayed on the back side. In addition, in FIG.
For ease of understanding, pixels that are emitting light are filled in with black, and pixels that are not emitting light and pixels that are shielded from light are displayed in white. Pixels emitting light on the side opposite to the viewing side are displayed with diagonal lines. When the size of the pixel is large, the interval between the pixels for expressing a character or a picture becomes large, so that the display tends to be rough. In the display device of the present embodiment, since the front side pixels 4a and the back side pixels 4b are both arranged in a staggered pattern, the pixel interval is narrowed and the quality of the displayed character or picture can be improved.
【００４３】本実施形態の表示装置は、実施形態１と同
様に、一つのＥＬ発光層３を形成するだけで両面表示が
可能となるので、製造が簡単であり、また表示装置を非
常に薄くすることができる。本実施形態の表示装置は、
実施形態１と同様に、現行と同じ製造装置を用いて、従
来と同様のプロセスで製造することができる。したがっ
て、低コストの表示装置が提供される。Like the first embodiment, the display device of the present embodiment enables double-sided display only by forming one EL light emitting layer 3, so that the display device is easy to manufacture and the display device is very thin. can do. The display device of the present embodiment is
Similar to the first embodiment, the same manufacturing apparatus as the current one can be used to manufacture by the same process as the conventional one. Therefore, a low-cost display device is provided.
【００４４】なお、本実施形態のように、第１および第
２光遮蔽層１ａ，１ｂが導電性の金属膜から形成される
場合には、光遮蔽層１ａ，１ｂと重なる部分について
は、表側電極２ａおよび裏側画素４ｂが無くてもよい。When the first and second light shielding layers 1a and 1b are formed of a conductive metal film as in the present embodiment, the portion overlapping the light shielding layers 1a and 1b is on the front side. The electrode 2a and the back side pixel 4b may be omitted.
【００４５】（実施形態４：両面表示型液晶表示装置）
図８は、実施形態４の表示装置を模式的に示す断面図で
ある。本実施形態の表示装置は、互いに対向配置される
表側内面反射板１０および裏側内面反射板２０と、両内
面反射板１０，２０に挟まれた液晶層３０とを有する。(Embodiment 4: Double-sided display type liquid crystal display device)
FIG. 8 is a sectional view schematically showing the display device of the fourth embodiment. The display device according to the present embodiment includes a front-side inner reflection plate 10 and a back-side inner reflection plate 20 that are arranged to face each other, and a liquid crystal layer 30 sandwiched between the inner reflection plates 10 and 20.
【００４６】裏側内面反射板２０は、ストライプ状の列
電極２ｂを有する。裏側内面反射板２０に対向する表側
内面反射板１０は、列電極２ｂに交差するように設けら
れたストライプ状の行電極２ａを有する。ストライプ状
の両電極２ａ，２ｂは、ＩＴＯなどの透明電極である。
本実施形態の表示装置では、両電極２ａ，２ｂに選択的
に電圧を印加することにより、両電極２ａ，２ｂが交差
する領域における液晶層３０の光透過率が変化する。す
なわち、マトリクス状に配置された複数の画素のうち任
意の画素の光透過率を変化させることができる。The back side inner reflection plate 20 has stripe-shaped column electrodes 2b. The front side inner surface reflection plate 10 facing the back side inner surface reflection plate 20 has stripe-shaped row electrodes 2a provided so as to intersect with the column electrodes 2b. The striped electrodes 2a and 2b are transparent electrodes such as ITO.
In the display device of the present embodiment, the light transmittance of the liquid crystal layer 30 in the region where the electrodes 2a and 2b intersect is changed by selectively applying a voltage to the electrodes 2a and 2b. That is, the light transmittance of any pixel among the plurality of pixels arranged in a matrix can be changed.
【００４７】本実施形態の表示装置は、各電極２ａ，２
ｂの外側（言い換えれば、液晶層３０に対して反対側）
に、それぞれが列方向に延びるストライプ状の反射層３
１ａ，３１ｂが形成されている。表側の反射層３１ａお
よび裏側の反射層３１ｂは、互いに重畳しないように、
行方向に交互に配列されている。これにより、例えば表
側から観察した場合、表側画素４ａでは、表側から液晶
層３０に入射した環境光が裏側の反射層３１ｂにより反
射される。このとき、液晶層３０の光透過率を調整する
ことにより、明暗表示の切り換えが可能となる。一方、
裏側画素４ｂでは、表側から入射した環境光が、液晶層
３０に入射する前に、表側の反射層３１ａで反射される
ので、常に明るい表示となる。したがって、表側の反射
層３１ａで覆われていないストライプ状の画素が表側画
素４ａとなり、裏側の反射層３１ｂで覆われていないス
トライプ状の画素が裏側画素４ｂとなる。The display device according to the present embodiment has the electrodes 2a, 2
Outside of b (in other words, the opposite side to the liquid crystal layer 30)
And stripe-shaped reflective layers 3 each extending in the column direction.
1a and 31b are formed. The front side reflection layer 31a and the back side reflection layer 31b do not overlap each other,
They are arranged alternately in the row direction. Thereby, when observed from the front side, for example, in the front side pixel 4a, the ambient light incident on the liquid crystal layer 30 from the front side is reflected by the reflection layer 31b on the back side. At this time, the light / dark display can be switched by adjusting the light transmittance of the liquid crystal layer 30. on the other hand,
In the back side pixel 4b, the ambient light incident from the front side is reflected by the front side reflection layer 31a before entering the liquid crystal layer 30, so that a bright display is always provided. Therefore, the stripe-shaped pixels that are not covered with the front-side reflection layer 31a become the front-side pixels 4a, and the stripe-shaped pixels that are not covered with the back-side reflection layer 31b become the back-side pixels 4b.
【００４８】本実施形態の表示装置では、例えば表側か
ら観察した場合、表側の反射層３１ａの反射光により裏
側画素４ｂの領域が明るくなる。したがって、表示する
文字などを黒表示することが望まれる。例えば、表側に
“Ａ”の文字を表示させ、裏側に“Ｂ”の文字を表示さ
せる場合、図３に示す通りに、表示する文字を黒で表示
する。すなわち、本実施形態では、実施形態１と異な
り、図３に示す白抜きで表示された画素は、反射光によ
り明るく表示されていることを示し、黒で塗り潰された
画素は、液晶層３０の透過率低下により暗く表示されて
いることを示している。また観察側と反対側の画素であ
って、斜線で表示された画素は、反対側から観察すれ
ば、暗く表示されていることを示している。なお、反射
層３１ａ，３１ｂの外側に光遮蔽層を形成すれば、実施
形態１と同様に、表示する文字を明るく表示することが
できる。In the display device of this embodiment, for example, when viewed from the front side, the area of the back side pixel 4b becomes bright due to the reflected light of the front side reflection layer 31a. Therefore, it is desired to display the characters to be displayed in black. For example, when the character "A" is displayed on the front side and the character "B" is displayed on the back side, the displayed character is displayed in black as shown in FIG. That is, in the present embodiment, unlike the first embodiment, the white pixels shown in FIG. 3 are displayed brightly by reflected light, and the black pixels are the liquid crystal layer 30. This indicates that the display is dark due to the decrease in transmittance. Further, the pixels on the side opposite to the viewing side, which are displayed with diagonal lines, are displayed dark when viewed from the opposite side. If a light shielding layer is formed outside the reflective layers 31a and 31b, the characters to be displayed can be displayed brightly as in the first embodiment.
【００４９】本実施形態では、実施形態１と同様に、反
射層３１ａ，３１ｂの配列を列方向に延びるストライプ
状としているが、実施形態２に示すように行方向に延び
るストライプ状とする、あるいは実施形態３に示すよう
に千鳥状にすることもできる。In the present embodiment, the reflective layers 31a and 31b are arranged in stripes extending in the column direction as in the first embodiment. However, as shown in the second embodiment, the reflecting layers 31a and 31b are arranged in stripes extending in the row direction. It can also be staggered as shown in the third embodiment.
【００５０】次に、本実施形態の表示装置の製造工程に
ついて説明する。まず、内面反射板１０，２０の製造工
程について説明する。ガラス基板６ａ，６ｂ（コーニン
グ社製７０５９）の一方の面に、好ましくは５００r.p.
m 〜３０００r.p.m でレジスト材料をスピンコートす
る。レジスト材料としては、例えばOFPR-800（東京応化
社製）を用いる。本実施形態では、３０００r.p.m で３
０秒塗布し、レジスト膜を厚み０．５μｍに成膜する。
円形領域が不規則的（ランダム）に配置されたマスクを
用いて、露光を行う。さらに、格子状にパターンが配置
されたマスクでもう一度露光を行う。Next, the manufacturing process of the display device of this embodiment will be described. First, the manufacturing process of the inner reflection plates 10 and 20 will be described. On one surface of the glass substrates 6a and 6b (7059 manufactured by Corning Incorporated), preferably 500 r.p.
Spin coat resist material at m-3000 rpm. OFPR-800 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is used as the resist material. In this embodiment, 3 at 3000 rpm
Application is performed for 0 seconds, and a resist film having a thickness of 0.5 μm is formed.
Exposure is performed using a mask in which circular regions are arranged irregularly (randomly). Further, exposure is performed again with a mask in which patterns are arranged in a grid pattern.
【００５１】現像剤を用いて、露光後のレジスト膜を現
像すると、マスクの円形領域に対応する領域のレジスト
膜に円柱部が形成される。この円柱部は格子状に並んで
いる。格子の幅は、後に形成する反射膜と同じ幅または
反射膜の幅より広くなるように設定する。円柱部は、１
２０℃〜２５０℃で熱処理されることによって、角がと
れ、表面が滑らかな凸部となる。これにより、凹凸樹脂
層９ａ，９ｂが形成される。When the resist film after exposure is developed with a developer, a columnar portion is formed in the resist film in the area corresponding to the circular area of the mask. The columns are arranged in a grid. The width of the grating is set to be the same as that of a reflective film to be formed later or wider than the width of the reflective film. The column is 1
By heat-treating at 20 ° C to 250 ° C, the corners are removed and the surface becomes a smooth convex portion. As a result, the uneven resin layers 9a and 9b are formed.
【００５２】さらに、基板６ａ，６ｂの全面に、アルミ
ニウム膜を３００ｎｍの均一な厚さにスパッタリングし
て形成する。これにより、凹凸樹脂層９ａ，９ｂの凸部
を覆う反射膜が形成される。反射膜の材料は、アルミニ
ウムに限らず、Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｔなどの他
の金属でもよい。スパッタ法に限らず、蒸着などの他の
方法で反射膜を形成してもよい。反射膜の膜厚は、光を
充分反射する程度であればよい。Further, an aluminum film having a uniform thickness of 300 nm is formed on the entire surfaces of the substrates 6a and 6b by sputtering. As a result, a reflective film that covers the convex portions of the concave-convex resin layers 9a and 9b is formed. The material of the reflective film is not limited to aluminum, but may be another metal such as Ti, Ta, Cu, Ag, or Pt. The reflective film may be formed by another method such as vapor deposition as well as the sputtering method. The thickness of the reflective film may be such that it reflects light sufficiently.
【００５３】凹凸樹脂層９ａ，９ｂの列方向の凸部に沿
って、アルミニウム膜を列方向に延びるストライプ状に
パターニングする。これにより、列方向に延びるストラ
イプ状の反射層３１ａ，３１ｂが形成される。反射層３
１ａ，３１ｂは、凹凸樹脂層９ａ，９ｂの凸部によっ
て、表面が連続的な曲面となり、円錐状の緩やかな起伏
の凹凸形状に形成される。反射層３１ａ，３１ｂが凹凸
形状に形成されることによって、反射光が散乱されるの
で、視認性が向上する。反射層３１ａ，３１ｂは、実施
形態１と同様に、表側と裏側とで重畳しないように形成
する。The aluminum film is patterned into stripes extending in the column direction along the protrusions in the column direction of the uneven resin layers 9a and 9b. As a result, stripe-shaped reflective layers 31a and 31b extending in the column direction are formed. Reflective layer 3
The surfaces 1a and 31b have a continuous curved surface due to the convex portions of the concave-convex resin layers 9a and 9b, and are formed in a conical concave-convex concave-convex shape. Since the reflection layers 31a and 31b are formed in an uneven shape, the reflected light is scattered, so that the visibility is improved. Similar to the first embodiment, the reflective layers 31a and 31b are formed so as not to overlap on the front side and the back side.
【００５４】さらに、ガラス基板６ａ，６ｂの上に、酸
化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2）もしくは酸化チタンなどの酸化膜、または窒化シ
リコン（Ｓｉ3Ｎ4）などの窒化膜からなる絶縁層５ａ，
５ｂを形成する。絶縁層５ａ，５ｂ上に、ＩＴＯ（イン
ジウム錫酸化物）に代表される透明導電膜を１００ｎｍ
〜２００ｎｍ成膜する。フォトリソグラフの手法を用い
て、透明導電膜をパターン加工して、それぞれがストラ
イプ状の表側電極２ａおよび裏側電極２ｂを形成する。
このとき、表側電極２ａと裏側電極２ｂとが直交するよ
うに設定する。Further, on the glass substrates 6a and 6b, aluminum oxide (Al 2 O 3 ) and silicon oxide (Si
An insulating layer 5a made of an oxide film such as O 2 ) or titanium oxide, or a nitride film such as silicon nitride (Si 3 N 4 ),
5b is formed. A transparent conductive film typified by ITO (indium tin oxide) having a thickness of 100 nm is formed on the insulating layers 5a and 5b.
A film is formed up to 200 nm. The transparent conductive film is patterned by using a photolithography technique to form a front electrode 2a and a back electrode 2b each having a stripe shape.
At this time, the front electrode 2a and the back electrode 2b are set to be orthogonal to each other.
【００５５】表側電極２ａが形成された表側内面反射板
１０と、裏側電極２ｂが形成された裏側内面反射板２０
とを、シール材（不図示）を介して貼り合わせる。両内
面反射板１０，２０の間隙に、液晶材料を充填し、注入
口を封止して、液晶層３０を形成する。両内面反射板１
０，２０の外側面に、それぞれ位相差板８ａ，８ｂおよ
び偏光板７ａ，７ｂを貼り付ける。A front side inner reflection plate 10 having a front side electrode 2a formed thereon and a back side inner reflection plate 20 having a back side electrode 2b formed thereon.
And are bonded together via a sealing material (not shown). A liquid crystal material is filled in the gap between the inner reflection plates 10 and 20, and the injection port is sealed to form the liquid crystal layer 30. Both inner reflectors 1
Retardation plates 8a and 8b and polarizing plates 7a and 7b are attached to the outer surfaces of 0 and 20, respectively.
【００５６】このように本実施形態の表示装置は、一つ
の液晶層３０を形成するだけで両面表示が可能となるの
で、製造が簡単であり、また表示装置を非常に薄くする
ことができる。本実施形態の表示装置は、現行と同じ製
造装置を用いて、従来と同様のプロセスで製造すること
ができる。したがって、低コストの表示装置が提供され
る。As described above, the display device of the present embodiment enables double-sided display only by forming one liquid crystal layer 30, so that the display device can be manufactured easily and the display device can be made extremely thin. The display device of the present embodiment can be manufactured by the same process as the conventional one, using the same manufacturing device as the current one. Therefore, a low-cost display device is provided.
【００５７】実施形態１〜４では、モノクロ表示の場合
について説明したが、カラーフィルタ層を適当に配置す
ることによりカラー表示も可能となる。また、実施形態
１〜４では、無機ＥＬ表示装置と液晶表示装置について
説明したが、本発明の表示装置は、プラズマディスプレ
イ、有機ＥＬディスプレイ、ＶＦＤなど表裏から見るこ
とのできる平面型ディスプレイであれば、いずれも適用
することができる。In the first to fourth embodiments, the case of monochrome display has been described, but color display is also possible by appropriately disposing the color filter layer. Further, although the inorganic EL display device and the liquid crystal display device have been described in the first to fourth embodiments, the display device of the present invention is a flat panel display such as a plasma display, an organic EL display, and a VFD that can be seen from the front and back. , Either can be applied.
【００５８】[0058]
【発明の効果】本発明によれば、薄型化が可能で、低コ
スト化が可能な両面表示型の表示装置が提供される。According to the present invention, there is provided a double-sided display device which can be made thin and can be manufactured at low cost.
【図１】実施形態１の表示装置を簡略化して示す斜視図
である。FIG. 1 is a perspective view showing a simplified display device according to a first exemplary embodiment.
【図２】実施形態１の表示装置を行方向に切断した断面
図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the display device according to the first embodiment taken along the row direction.
【図３】実施形態１の表示装置を用いて、表側に“Ａ”
の文字を表示させ、裏側に“Ｂ”の文字を表示させたと
きのイメージ図である。FIG. 3 is a diagram illustrating the display device according to the first embodiment, in which “A” is displayed on the front side
It is an image figure when the character of is displayed and the character of "B" is displayed on the back side.
【図４】実施形態２の表示装置を簡略化して示す斜視図
である。FIG. 4 is a perspective view showing a simplified display device according to a second exemplary embodiment.
【図５】実施形態２の表示装置を用いて、表側に“Ａ”
の文字を表示させ、裏側に“Ｂ”の文字を表示させたと
きのイメージ図である。FIG. 5: "A" is displayed on the front side by using the display device of the second embodiment.
It is an image figure when the character of is displayed and the character of "B" is displayed on the back side.
【図６】実施形態３の表示装置を簡略化して示す斜視図
である。FIG. 6 is a perspective view showing a simplified display device according to a third exemplary embodiment.
【図７】実施形態３の表示装置を用いて、表側に“Ａ”
の文字を表示させ、裏側に“Ｂ”の文字を表示させたと
きのイメージ図である。FIG. 7: "A" is displayed on the front side using the display device of the third embodiment.
It is an image figure when the character of is displayed and the character of "B" is displayed on the back side.
【図８】実施形態４の表示装置を模式的に示す断面図で
ある。FIG. 8 is a sectional view schematically showing a display device according to a fourth embodiment.
【図９】２つの表示パネルを有するタイプの両面表示装
置の側面図である。FIG. 9 is a side view of a double-sided display device of a type having two display panels.
【図１０】特開平5-61024 号公報に開示された液晶表示
装置の断面図である。FIG. 10 is a sectional view of a liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-61024.
２ａ 行電極（表電極） ２ｂ 裏電極（裏電極） ３ ＥＬ発光層（表示媒体層） ３０ 液晶層（表示媒体層） １ａ，１ｂ 光遮蔽層 ３１ａ，３１ｂ 反射層 ４ａ 表側画素 ４ｂ 裏側画素 2a row electrode (front electrode) 2b Back electrode (back electrode) 3 EL light emitting layer (display medium layer) 30 Liquid crystal layer (display medium layer) 1a, 1b Light shielding layer 31a, 31b Reflective layer 4a front side pixel 4b Back side pixel
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３９０ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３９０Ｃ 9/35 9/35 Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｚ 33/14 33/14 Ａ 33/22 33/22 Ｚ 33/26 33/26 Ｚ Ｆターム(参考） 2H091 FA07X FA07Z FA11X FA11Z FA14Y FC02 FC10 FC26 GA01 GA02 GA03 GA09 GA11 GA13 LA11 LA30 2H092 HA02 HA05 JA24 MA04 MA05 MA10 MA13 MA16 MA17 NA25 NA26 PA01 PA04 PA06 PA09 PA10 PA11 PA12 3K007 AB18 BA06 CB01 CC00 CC01 DA02 DA05 DB02 DB03 DC02 EA02 EC02 EC03 GA00 5C094 AA15 AA44 BA27 BA31 BA33 BA43 BA52 BA75 CA19 DA08 EA04 EA05 EA06 EA07 ED11 ED15 FA01 FA02 FB12 HA08Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G09F 9/30 390 G09F 9/30 390C 9/35 9/35 H05B 33/12 H05B 33/12 Z 33/14 33 / 14 A 33/22 33/22 Z 33/26 33/26 Z F term (reference) 2H091 FA07X FA07Z FA11X FA11Z FA14Y FC02 FC10 FC26 GA01 GA02 GA03 GA09 GA11 GA13 LA11 LA30 2H092 HA02 HA05 JA24 MA04 MA05 MA10 MA13 MA16 MA17 NA25 NA26 PA01 PA04 PA06 PA09 PA10 PA11 PA12 3K007 AB18 BA06 CB01 CC00 CC01 DA02 DA05 DB02 DB03 DC02 EA02 EC02 EC03 GA00 5C094 AA15 AA44 BA27 BA31 BA33 BA43 BA52 BA75 CA19 DA08 EA04 EA05 EA06 EA07 ED11 ED15 FA08 FA02 FA02
Claims (6)
前記表電極および前記裏電極間に介在する表示媒体層と
を有し、前記表電極および前記裏電極によりマトリクス
状に複数の画素が規定された表示装置であって、 前記複数の画素は、前記表電極側での表示を行う表側画
素と、前記裏電極側での表示を行う裏側画素とに区別さ
れる、表示装置。1. A front electrode and a back electrode facing each other,
A display device having a display medium layer interposed between the front electrode and the back electrode, wherein a plurality of pixels are defined in a matrix by the front electrode and the back electrode, wherein the plurality of pixels are A display device that is distinguished into a front side pixel that performs display on the front electrode side and a back side pixel that performs display on the back electrode side.
れぞれ列方向に連続し、かつ行方向に交互に配列され
た、請求項１に記載の表示装置。2. The display device according to claim 1, wherein the front side pixels and the back side pixels are arranged continuously in a column direction and alternately in a row direction.
れぞれ行方向に連続し、かつ列方向に交互に配列され
た、請求項１に記載の表示装置。3. The display device according to claim 1, wherein the front side pixels and the back side pixels are arranged continuously in a row direction and alternately in a column direction.
交差するストライプ電極であって、前記表電極または前
記裏電極のいずれかの電極の外側に、光遮蔽性または反
射性を有する導電層が形成された、請求項２または３に
記載の表示装置。4. The front electrode and the back electrode are stripe electrodes intersecting with each other, and a conductive layer having a light shielding property or a reflective property is provided on the outer side of either the front electrode or the back electrode. The display device according to claim 2, which is formed.
れぞれ千鳥状に配列された、請求項１に記載の表示装
置。5. The display device according to claim 1, wherein the front side pixels and the back side pixels are arranged in a staggered manner.
センス層または液晶層である、請求項１に記載の表示装
置。6. The display device according to claim 1, wherein the display medium layer is an electroluminescence layer or a liquid crystal layer.
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Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004026001A1 (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display device |
| WO2004049285A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus and electronic device |
| WO2004055763A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co.,Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
| WO2004061806A1 (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display and electronic device |
| WO2004061807A1 (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| WO2004068910A1 (en) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing same and electric apparatus using such light-emitting device |
| JP2005004188A (en) * | 2003-05-16 | 2005-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and electronic device |
| JP2005183006A (en) * | 2003-12-15 | 2005-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and electronic equipment |
| JP2005227762A (en) * | 2004-01-14 | 2005-08-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device and electronic apparatus |
| JP2005242370A (en) * | 2003-05-16 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
| JP2005340168A (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Samsung Sdi Co Ltd | Organic electroluminescent display element and its fabricating method |
| JP2005346075A (en) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Au Optronics Corp | Flat-panel display device, driving method thereof and multiplexer used for controlling flat-panel display device |
| JP2006134897A (en) * | 2006-02-20 | 2006-05-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device |
| US7176858B2 (en) | 2002-12-26 | 2007-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment |
| KR100707604B1 (en) | 2005-01-07 | 2007-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | Light emitting device |
| EP1814177A3 (en) * | 2006-01-27 | 2007-09-05 | Samsung SDI Co., Ltd. | Oganic light-emitting display device and method for fabricating the same |
| JP2007234591A (en) * | 2006-02-15 | 2007-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Double emission white pled for illumination |
| CN100392864C (en) * | 2004-08-05 | 2008-06-04 | 友达光电股份有限公司 | Electroluminescence device and method for manufacturing same |
| US7420324B2 (en) | 2004-06-03 | 2008-09-02 | Lg Display Co., Ltd. | Organic EL display and fabricating method thereof |
| US7453426B2 (en) | 2004-01-14 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus |
| US7566902B2 (en) | 2003-05-16 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
| US7586254B2 (en) | 2004-05-22 | 2009-09-08 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device |
| US7622863B2 (en) | 2003-06-30 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device including first and second light emitting elements |
| US8124962B2 (en) | 2004-11-11 | 2012-02-28 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and method of fabricating the same |
| JP2012186159A (en) * | 2011-02-14 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device |
| CN102914868A (en) * | 2011-08-02 | 2013-02-06 | 财团法人工业技术研究院 | Double-sided displaying monitor |
| CN104297968A (en) * | 2014-10-24 | 2015-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display panel, driving method thereof and display device |
| US9147862B2 (en) | 2013-09-13 | 2015-09-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting display device |
| WO2023181464A1 (en) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Display device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4559526B2 (en) * | 2008-06-10 | 2010-10-06 | ファナック株式会社 | Wire cut electric discharge machine control device and wire cut electric discharge machine machining path creation device |
-
2002
- 2002-05-28 JP JP2002153537A patent/JP4217426B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (65)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7608992B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Device for displaying images on its front and back surfaces |
| WO2004026001A1 (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display device |
| US7592984B2 (en) | 2002-11-27 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US7333077B2 (en) | 2002-11-27 | 2008-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| WO2004049285A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus and electronic device |
| WO2004055763A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co.,Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
| US7615785B2 (en) | 2002-12-13 | 2009-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8389997B2 (en) | 2002-12-13 | 2013-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP4549864B2 (en) * | 2002-12-13 | 2010-09-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting device, electronic device and portable information terminal |
| US7265383B2 (en) | 2002-12-13 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JPWO2004055763A1 (en) * | 2002-12-13 | 2006-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE |
| JP4849801B2 (en) * | 2002-12-26 | 2012-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE |
| US7808457B2 (en) | 2002-12-26 | 2010-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
| US7176858B2 (en) | 2002-12-26 | 2007-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment |
| US8947325B2 (en) | 2002-12-27 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP2010224545A (en) * | 2002-12-27 | 2010-10-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
| JPWO2004061807A1 (en) * | 2002-12-27 | 2006-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
| JP4646630B2 (en) * | 2002-12-27 | 2011-03-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
| JP2010212246A (en) * | 2002-12-27 | 2010-09-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display |
| US7221092B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having a double sided display panel |
| JP4675430B2 (en) * | 2002-12-27 | 2011-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
| US8242979B2 (en) | 2002-12-27 | 2012-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9111842B2 (en) | 2002-12-27 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| WO2004061807A1 (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7355338B2 (en) | 2002-12-27 | 2008-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device provided with multiple display panels including at least one dual electroluminescent light emission panel |
| WO2004061806A1 (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display and electronic device |
| JPWO2004068910A1 (en) * | 2003-01-24 | 2006-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRIC DEVICE USING THE LIGHT EMITTING DEVICE |
| US8084081B2 (en) | 2003-01-24 | 2011-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting emitting device, manufacturing method of the same, electronic apparatus having the same |
| US8860011B2 (en) | 2003-01-24 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and electronic book including double-sided light emitting display panel |
| US7199520B2 (en) | 2003-01-24 | 2007-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting emitting device and electronic apparatus having the same |
| WO2004068910A1 (en) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing same and electric apparatus using such light-emitting device |
| JP2015233019A (en) * | 2003-01-24 | 2015-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting device |
| US9324773B2 (en) | 2003-01-24 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel including a plurality of lighting emitting elements |
| JP2005242370A (en) * | 2003-05-16 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
| US7566902B2 (en) | 2003-05-16 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
| JP2005004188A (en) * | 2003-05-16 | 2005-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and electronic device |
| US7622863B2 (en) | 2003-06-30 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device including first and second light emitting elements |
| US7750552B2 (en) | 2003-12-15 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dual emission active matrix display |
| US8188655B2 (en) | 2003-12-15 | 2012-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic devices |
| JP4485184B2 (en) * | 2003-12-15 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE |
| JP2005183006A (en) * | 2003-12-15 | 2005-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and electronic equipment |
| US8907868B2 (en) | 2004-01-14 | 2014-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus |
| JP2005227762A (en) * | 2004-01-14 | 2005-08-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device and electronic apparatus |
| JP4712397B2 (en) * | 2004-01-14 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
| US7453426B2 (en) | 2004-01-14 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus |
| US7586254B2 (en) | 2004-05-22 | 2009-09-08 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device |
| JP4521295B2 (en) * | 2004-05-24 | 2010-08-11 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
| JP2005340168A (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Samsung Sdi Co Ltd | Organic electroluminescent display element and its fabricating method |
| JP2005346075A (en) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Au Optronics Corp | Flat-panel display device, driving method thereof and multiplexer used for controlling flat-panel display device |
| JP4573703B2 (en) * | 2004-06-02 | 2010-11-04 | 友達光電股▲ふん▼有限公司 | Flat panel display device, driving method thereof, and demultiplexer for controlling flat panel display device |
| US7420324B2 (en) | 2004-06-03 | 2008-09-02 | Lg Display Co., Ltd. | Organic EL display and fabricating method thereof |
| EP1603161A3 (en) * | 2004-06-03 | 2010-06-16 | LG Display Co., Ltd. | Organic EL display and fabricating method thereof |
| CN100392864C (en) * | 2004-08-05 | 2008-06-04 | 友达光电股份有限公司 | Electroluminescence device and method for manufacturing same |
| US8124962B2 (en) | 2004-11-11 | 2012-02-28 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and method of fabricating the same |
| KR100707604B1 (en) | 2005-01-07 | 2007-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | Light emitting device |
| US7919920B2 (en) | 2006-01-27 | 2011-04-05 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method for fabricating the same |
| EP1814177A3 (en) * | 2006-01-27 | 2007-09-05 | Samsung SDI Co., Ltd. | Oganic light-emitting display device and method for fabricating the same |
| JP2007234591A (en) * | 2006-02-15 | 2007-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Double emission white pled for illumination |
| JP2006134897A (en) * | 2006-02-20 | 2006-05-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device |
| JP4515398B2 (en) * | 2006-02-20 | 2010-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
| JP2012186159A (en) * | 2011-02-14 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device |
| CN102914868A (en) * | 2011-08-02 | 2013-02-06 | 财团法人工业技术研究院 | Double-sided displaying monitor |
| US9147862B2 (en) | 2013-09-13 | 2015-09-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting display device |
| CN104297968A (en) * | 2014-10-24 | 2015-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display panel, driving method thereof and display device |
| WO2023181464A1 (en) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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