KR100870667B1 - Trans-reflecting type in plane switching mode liquid crystal display device - Google Patents

Trans-reflecting type in plane switching mode liquid crystal display device Download PDF

Info

Publication number
KR100870667B1
KR100870667B1 KR1020020057448A KR20020057448A KR100870667B1 KR 100870667 B1 KR100870667 B1 KR 100870667B1 KR 1020020057448 A KR1020020057448 A KR 1020020057448A KR 20020057448 A KR20020057448 A KR 20020057448A KR 100870667 B1 KR100870667 B1 KR 100870667B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
electric field
display device
transverse electric
Prior art date
Application number
KR1020020057448A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20040025471A (en
Inventor
백흠일
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020020057448A priority Critical patent/KR100870667B1/en
Publication of KR20040025471A publication Critical patent/KR20040025471A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100870667B1 publication Critical patent/KR100870667B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G02F1/133555—Transflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/09—Function characteristic transflective

Abstract

본 발명의 반투과형 횡전계모드 액정표시소자는 복수의 화소를 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인과, 각 화소내에 배치된 구동소자와, 상기 화소내에 형성되어 횡전계를 생성하는 전극으로 구성되며, 상기 화소내에는 외부로부터 입사되는 광을 반사하는 금속층이 형성되어, 외부광원이 존재하는 경우에는 반사모드로 작동하고 외부광원이 존재하지 않는 경우에는 투과모드로 작동한다.The transflective transverse electric field mode liquid crystal display device of the present invention comprises a plurality of gate lines and data lines defining a plurality of pixels, a driving element disposed in each pixel, and an electrode formed in the pixel to generate a transverse electric field. In the pixel, a metal layer reflecting light incident from the outside is formed to operate in a reflection mode when an external light source is present and to operate in a transmission mode when no external light source is present.

반투과형, 횡전계모드, 홈, 전극, 투과모드, 반사모드Transflective, Transverse electric field mode, Groove, Electrode, Transmissive mode, Reflective mode

Description

반투과형 횡전계모드 액정표시소자{TRANS-REFLECTING TYPE IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}Transflective transverse electric field mode liquid crystal display device {TRANS-REFLECTING TYPE IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

도 1은 종래 횡전계모드 액정표시소자의 평면도.1 is a plan view of a conventional transverse electric field mode liquid crystal display device.

도 2(a)는 도 1의 I-I'선 단면도.(A) is sectional drawing along the II 'line | wire of FIG.

도 2(b)는 도 1의 II-II'선 단면도.(B) is sectional drawing along the II-II 'line | wire of FIG.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반투과형 횡전계모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 단면도.3 is a cross-sectional view showing the structure of a transflective transverse electric field mode liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 4(a)∼도 4(c)는 투과부와 반사부의 폭비에 따른 투과도를 나타내는 도면.4 (a) to 4 (c) are diagrams showing the transmittance according to the width ratio of the transmission portion and the reflection portion.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반투과형 횡전계모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 단면도.5 is a cross-sectional view illustrating a structure of a transflective transverse electric field mode liquid crystal display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

120,130 : 기판 104 : 데이터라인120,130: substrate 104: data line

105 : 공통전극 106 : 금속층105: common electrode 106: metal layer

122 : 게이트절연층 124 : 유기보호층122: gate insulating layer 124: organic protective layer

132 : 블랙매트릭스 134 : 컬러필터층132: black matrix 134: color filter layer

140 : 액정층140: liquid crystal layer

본 발명은 횡전계모드 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 투과부와 반사부의 전극 구조를 달리하여 반사모드와 투과모드의 동작이 가능한 반투과형 횡전계모드 액정표시소자에 관한 것이다.The present invention relates to a transverse electric field mode liquid crystal display device, and more particularly, to a transflective transverse electric field mode liquid crystal display device capable of operating in a reflective mode and a transmissive mode by changing the electrode structures of the transmissive part and the reflecting part.

근래, 핸드폰(Mobile Phone), PDA, 노트북컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경박단소용의 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등이 활발히 연구되고 있지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 이유로 인해 현재에는 액정표시소자(LCD)가 각광을 받고 있다.Recently, with the development of various portable electronic devices such as mobile phones, PDAs, and notebook computers, there is a growing demand for flat panel display devices for light and thin applications. Such flat panel displays are being actively researched, such as LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), FED (Field Emission Display), and VFD (Vacuum Fluorescent Display). Liquid crystal display devices (LCDs) are in the spotlight for reasons of implementation.

이러한 액정표시소자는 액정분자의 배열에 따라 다양한 표시모드가 존재하지만, 현재에는 흑백표시가 용이하고 응답속도가 빠르며 구동전압이 낮다는 장점때문에 주로 TN모드의 액정표시소자가 사용되고 있다. 이러한 TN모드 액정표시소자에서는 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직으로 배향된다. 따라서, 액정분자의 굴절율 이방성(refractive anisotropy)에 의해 전압의 인가시 시야각이 좁아진다는 문제가 있었다.Such liquid crystal display devices have various display modes according to the arrangement of liquid crystal molecules. However, TN mode liquid crystal display devices are mainly used because of the advantages of easy monochrome display, fast response speed, and low driving voltage. In such a TN mode liquid crystal display device, liquid crystal molecules aligned horizontally with the substrate are almost perpendicular to the substrate when a voltage is applied. Therefore, there is a problem that the viewing angle is narrowed upon application of voltage due to the refractive anisotropy of the liquid crystal molecules.

이러한 시야각문제를 해결하기 위해, 근래 광시야각특성(wide viewing angle characteristic)을 갖는 각종 모드의 액정표시소자가 제안되고 있지만, 그중에서도 횡전계모드(In Plane Switching Mode)의 액정표시소자가 실제 양산에 적용되어 생산되고 있다. 상기 IPS모드 액정표시소자는 화소내에 평행으로 배열된 적어도 한쌍의 전극을 형성하여 기판과 실질적으로 평행한 횡전계를 형성함으로써 액정분자를 평면상으로 배향시키는 것이다.In order to solve this viewing angle problem, liquid crystal display devices of various modes having wide viewing angle characteristics have recently been proposed, but among them, the liquid crystal display device of the lateral field mode (In Plane Switching Mode) is applied to actual production. It is produced. The IPS mode liquid crystal display device aligns liquid crystal molecules in a plane by forming at least one pair of electrodes arranged in parallel in a pixel to form a transverse electric field substantially parallel to the substrate.

도 1에 상기한 IPS모드 액정표시소자의 구조가 도시되어 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 액정패널(1)의 화소는 종횡으로 배치된 게이트라인(3) 및 데이터라인(4)에 의해 정의된다. 도면에는 비록 (n,m)번째의 화소만을 도시하고 있지만 실제의 액정패널(1)에는 상기한 게이트라인(3)과 데이터라인(4)이 각각 n개 및 m개 배치되어 액정패널(1) 전체에 걸쳐서 n×m개의 화소를 형성한다. 상기 화소내의 게이트라인(3)과 데이터트라인(4)의 교차영역에는 박막트랜지스터(10)가 형성되어 있다. 상기 박막트랜지스터(10)는 게이트라인(3)으로부터 주사신호가 인가되는 게이트전극(11)과, 상기 게이트전극(11) 위에 형성되어 주사신호가 인가됨에 따라 활성화되어 채널층을 형성하는 반도체층(12)과, 상기 반도체층(12) 위에 형성되어 데이터라인(4)을 통해 화상신호가 인가되는 소스전극(13) 및 드레인전극(14)으로 구성되어 외부로부터 입력되는 화상신호를 액정층에 인가한다.The structure of the IPS mode liquid crystal display device described above is shown in FIG. As shown in the figure, the pixels of the liquid crystal panel 1 are defined by gate lines 3 and data lines 4 arranged vertically and horizontally. Although only the (n, m) th pixels are shown in the drawing, in the liquid crystal panel 1, n and m gate lines 3 and data lines 4 are disposed, respectively, and thus the liquid crystal panel 1 is disposed. N x m pixels are formed throughout. The thin film transistor 10 is formed at the intersection of the gate line 3 and the data line 4 in the pixel. The thin film transistor 10 includes a gate electrode 11 to which a scan signal is applied from the gate line 3, and a semiconductor layer formed on the gate electrode 11 and activated as a scan signal is applied to form a channel layer. 12 and a source electrode 13 and a drain electrode 14 formed on the semiconductor layer 12 and to which an image signal is applied through the data line 4. The image signal input from the outside is applied to the liquid crystal layer. do.

화소내에는 데이터라인(4)과 실질적으로 평행하게 배열된 복수의 공통전극(5a∼5c)과 화소전극(7a,7b)이 배치되어 있다. 또한, 화소의 중간에는 상기 공통전극(5a∼5c)과 접속되는 공통라인(16)이 배치되어 있으며, 상기 공통라인(16) 위에는 화소전극(7a,7b)과 접속되는 화소전극라인(18)이 배치되어 상 기 공통라인(16)과 오버랩되어 있다.In the pixel, a plurality of common electrodes 5a to 5c and pixel electrodes 7a and 7b are arranged substantially parallel to the data line 4. In addition, a common line 16 connected to the common electrodes 5a to 5c is disposed in the middle of the pixel, and a pixel electrode line 18 connected to the pixel electrodes 7a and 7b is disposed on the common line 16. This arrangement is overlapped with the common line 16.

상기와 같이, 구성된 IPS모드 액정표시소자에서 액정분자는 공통전극(5a∼5c) 및 화소전극(7a,7b)과 실질적으로 평행하게 배향되어 있다. 박막트랜지스터(10)가 작동하여 화소전극(7a,7b)에 신호가 인가되면, 공통전극(5a∼5c)과 화소전극(7a,7b) 사이에는 액정패널(1)과 실질적으로 평행한 횡전계가 발생하게 된다. 액정분자는 상기 횡전계를 따라 동일 평면상에서 회전하게 되므로, 액정분자의 굴절율 이방성에 의한 계조반전을 방지할 수 있게 된다.As described above, in the configured IPS mode liquid crystal display device, the liquid crystal molecules are aligned substantially parallel to the common electrodes 5a to 5c and the pixel electrodes 7a and 7b. When the thin film transistor 10 is operated and a signal is applied to the pixel electrodes 7a and 7b, the transverse electric field is substantially parallel to the liquid crystal panel 1 between the common electrodes 5a to 5c and the pixel electrodes 7a and 7b. Will occur. Since the liquid crystal molecules rotate on the same plane along the transverse electric field, gray level inversion due to the refractive anisotropy of the liquid crystal molecules can be prevented.

도 2는 종래 IPS모드 액정표시소자의 단면도로서, 도 2(a)는 I-I'선 단면도이고 도 2(b)는 II-II'선 단면도이다. 도 2(a)에 도시된 바와 같이, 제1기판(20) 위에는 게이트전극(11)이 형성되어 있으며, 상기 그 위에 제1기판(20) 전체에 걸쳐 게이트절연층(22)이 적층되어 있다. 상기 게이트절연층(22) 위에는 반도체층(12)이 형성되어 있으며, 그 위에 소스전극(13) 및 드레인전극(14)이 형성되어 있다. 또한, 상기 제1기판(20) 전체에 걸쳐 보호층(passivation layer;24)이 형성되어 있다.FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional IPS mode liquid crystal display device. FIG. 2 (a) is a cross-sectional view taken along the line II ′ and FIG. 2 (b) is a cross-sectional view taken along the line II-II ′. As shown in FIG. 2A, a gate electrode 11 is formed on the first substrate 20, and a gate insulating layer 22 is stacked over the entire first substrate 20. . The semiconductor layer 12 is formed on the gate insulating layer 22, and the source electrode 13 and the drain electrode 14 are formed thereon. In addition, a passivation layer 24 is formed on the entire first substrate 20.

제2기판(30)에는 블랙매트릭스(32)와 컬러필터층(34)이 형성되어 있다. 상기 블랙매트릭스(32)는 액정분자가 동작하지 않는 영역으로 광이 누설되는 것을 방지하기 위한 것으로, 도면에 도시한 바와 같이 박막트랜지스터(10) 영역과 화소와 화소 사이(즉, 게이트라인 및 데이터라인 영역)에 주로 형성된다. 컬러필터층(34)은 R(Red), B(Blue), G(Green)로 구성되어 실제 컬러를 구현하기 위한 것이다.The black matrix 32 and the color filter layer 34 are formed on the second substrate 30. The black matrix 32 is to prevent light leakage into a region in which the liquid crystal molecules do not operate. As shown in the drawing, the black matrix 32 is between the thin film transistor 10 region and the pixel and the pixel (that is, the gate line and the data line). Area). The color filter layer 34 is composed of R (Red), B (Blue), and G (Green) to realize actual colors.

상기 제1기판(20) 및 제2기판(30) 사이에는 액정층(40)이 형성되어 액정패널(1)이 완성된다.The liquid crystal layer 40 is formed between the first substrate 20 and the second substrate 30 to complete the liquid crystal panel 1.

한편, 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 공통전극(5a∼5c)은 제1기판(20) 위에 형성되어 있고 화소전극(7a,7b)은 게이트절연층(22) 위에 형성되어, 상기 공통전극(5a∼5c) 및 화소전극(7a,7b) 사이에 횡전계가 발생한다. 최초에 배향막의 배향방향(통상적으로 공통전극 및 화소전극과 일정 각도로 방향지어진)을 따라 배열된 액정분자는 공통전극(5a∼5c)과 화소전극(7a,7b) 사이에 형성된 횡전계를 따라 회전하게 되어 화면상에 화상을 표시한다.Meanwhile, as shown in FIG. 2B, the common electrodes 5a to 5c are formed on the first substrate 20 and the pixel electrodes 7a and 7b are formed on the gate insulating layer 22. The transverse electric field is generated between the common electrodes 5a to 5c and the pixel electrodes 7a and 7b. The liquid crystal molecules initially arranged along the alignment direction of the alignment layer (typically oriented at a predetermined angle with the common electrode and the pixel electrode) follow the transverse electric field formed between the common electrodes 5a to 5c and the pixel electrodes 7a and 7b. It rotates to display an image on the screen.

상기와 같은 IPS모드 액정표시소자는 제1기판(20)의 하부에 백라이트(backlight)가 부착되어 상기 백라이트로부터 입사되는 광이 액정층(40)을 투과하면서 화상을 화면상에 표시하는 것이다. 일반적으로 액정표시소자는 노트북 컴퓨터나 이동전화기 등과 같은 휴대전자기기에 주로 적용된다. 따라서, 휴대전자기기의 1회 충전사용시간을 증가시키기 위해서는 전력소모가 가장 큰 액정표시소자의 소비전력을 최소화해야만 한다. 그러나, 투과형 표시소자인 액정표시소자에서 백라이트는 필수적인 구성요소이므로, IPS모드 액정표시소자의 전력소비를 절감하는 것은 한계가 있었다.In the IPS mode liquid crystal display as described above, a backlight is attached to the lower portion of the first substrate 20 so that light incident from the backlight passes through the liquid crystal layer 40 to display an image on the screen. In general, the liquid crystal display device is mainly applied to portable electronic devices such as notebook computers and mobile phones. Therefore, in order to increase the one-time charge usage time of the portable electronic device, the power consumption of the liquid crystal display device having the largest power consumption must be minimized. However, since the backlight is an essential component in the liquid crystal display device which is a transmissive display device, there is a limit in reducing the power consumption of the IPS mode liquid crystal display device.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 반사모드 및 투과모드로 작동함으로써 소모전력을 최소화할 수 있는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to provide a transflective transverse electric field mode liquid crystal display device capable of minimizing power consumption by operating in a reflection mode and a transmission mode.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 반투과형 횡전계모드 액정표 시소자는 복수의 화소를 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인과, 각 화소내에 배치된 박막트랜지스터와, 상기 화소내에 형성되며, 적어도 한쌍의 제1전극이 배치되어 제1횡전계를 형성하는 투과부와, 상기 화소내에 형성되어 외부광원으로부터 입사되는 광을 반사하며, 적어도 한쌍의 제2전극이 배치되어 제2횡전계를 형성하는 반사부로 구성된다.In order to achieve the above object, the transflective transverse electric field mode liquid crystal display according to the present invention includes a plurality of gate lines and data lines defining a plurality of pixels, a thin film transistor disposed in each pixel, and formed in the pixel. At least one pair of first electrodes disposed to form a first transverse electric field, and a reflection formed in the pixel to reflect light incident from an external light source, and at least one pair of second electrodes disposed to form a second transverse electric field. It consists of a reflector.

상기 보호층은 유기보호층으로 이루어진다. 투과영역에는 상기 절연층 및 보호층이 제거된 홈이 형성되며, 상기 홈의 양경사면에 전극이 형성되어 횡전계를 생성한다.The protective layer is made of an organic protective layer. Grooves in which the insulating layer and the protective layer are removed are formed in the transmission area, and electrodes are formed on both slopes of the groove to generate a transverse electric field.

상기 반사부의 절연층 위에는 금속층이 형성되어 외부로부터 입사되는 광을 반사시키며, 그 위의 보호층에 한쌍의 전극이 형성되어 횡전계를 생성한다.A metal layer is formed on the insulating layer of the reflector to reflect light incident from the outside, and a pair of electrodes are formed on the protective layer thereon to generate a transverse electric field.

투과부의 셀갭은 반사부의 셀갭의 2배이며, 투과부의 폭(A)과 반사부의 폭(B)의 비(A:B)는 2:1로 설계된다.The cell gap of the transmission portion is twice the cell gap of the reflection portion, and the ratio A: B of the width A of the transmission portion and the width B of the reflection portion is designed to be 2: 1.

본 발명에서는 전력소모를 최소화함으로써 휴대용 전자기기에 유용하게 적용할 수 있는 IPS모드 액정표시소자를 제공한다. 이를 위해서, 본 발명에서는 반투과형 IPS모드 액정표시소자를 제공한다.The present invention provides an IPS mode liquid crystal display device that can be usefully applied to portable electronic devices by minimizing power consumption. To this end, the present invention provides a transflective IPS mode liquid crystal display device.

일반적으로 반투과형 액정표시소자는 투과형 액정표시소자와 반사형 액정표시소자의 장점을 모두 취합하기 위해 연구되었다. 반사형 액정표시소자는 주변광을 광원으로 사용하므로 전력 소모의 약 70% 이상을 차지하는 백라이트에 의한 전력 소모가 없고 백라이트에 의한 두께 및 무게 증가가 없다. 따라서, 매우 적은 전력 으로 우수한 표시 품위를 가지는 정보 표시소자를 실현할 수 있지만, 외부 광원이 없는 곳에서는 사용을 할 수 없다는 치명적인 결함을 갖고 있다.In general, the transflective liquid crystal display device has been studied to combine the advantages of both the transmissive liquid crystal display device and the reflective liquid crystal display device. Since the reflective liquid crystal display uses ambient light as a light source, there is no power consumption by the backlight which occupies about 70% or more of power consumption, and there is no increase in thickness and weight by the backlight. Therefore, although an information display element having excellent display quality can be realized with very little power, it has a fatal defect that it cannot be used where there is no external light source.

반투과형 IPS모드 액정표시소자에서는 외부광원이 존재하는 곳에서는 반사형 모드로 사용하고 외부광원이 존재하지 않는 곳에서는 투과형 모드로 사용함으로써 소비전력을 최소화할 수 있게 되는 것이다. 이하, 첨부한 도면을 참조하여 반투과형 IPS모드 액정표시소자에 대해 상세히 설명한다.In the transflective IPS mode liquid crystal display, power consumption can be minimized by using the reflective mode where the external light source exists and the transmissive mode where the external light source does not exist. Hereinafter, the transflective IPS mode liquid crystal display device will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 반투과형 IPS모드 액정표시소자의 일실시예를 나타내는 도면이다. 상기 도면에서는 한 화소의 구조만을 도시하였는데, 상기 화소는 투과모드시 화상을 표시하는 투과부와 반사모드시 화상을 표시하는 반사부로 이루어져 있다.3 is a view showing an embodiment of a transflective IPS mode liquid crystal display device according to the present invention. In the drawing, only the structure of one pixel is shown. The pixel includes a transmissive part for displaying an image in a transmissive mode and a reflector for displaying an image in a reflective mode.

제1기판(120)에는 게이트절연층(122)이 적층되어 있으며, 그 위에는 데이터라인(104)이 형성되어 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제1기판(120) 위에는 박막트랜지스터의 게이트전극이 형성되어 있으며, 게이트절연층(122) 위에는 반도체층과 소스/드레인전극이 형성되어 있다.A gate insulating layer 122 is stacked on the first substrate 120, and a data line 104 is formed thereon. Although not shown in the drawing, a gate electrode of a thin film transistor is formed on the first substrate 120, and a semiconductor layer and a source / drain electrode are formed on the gate insulating layer 122.

또한, 반사부 영역의 게이트절연층(122) 위에는 반사용 금속층(106)이 형성되어 있다. 상기 금속층(106)은 Al, Al합금 또는 Ag 등으로 이루어진 것으로, 외부광원의 존재시 입사되는 광을 반사함으로써 화상을 화면상에 표시하기 위한 것이다.In addition, a reflective metal layer 106 is formed on the gate insulating layer 122 in the reflector region. The metal layer 106 is made of Al, Al alloy or Ag, and is used to display an image on a screen by reflecting light incident upon the presence of an external light source.

상기 게이트절연층(122) 위에는 BCB(Benzo-Cyclo-Butene)나 포토아크릴(Photo-acryl) 등과 같은 유기물질로 이루어진 보호층(124)이 적층되어 있다. 한편, 도면에 도시된 바와 같이, 투과부의 게이트절연층(122) 또는 게이트절연층/유기보호층은 식각되어 경사를 가진 홈을 이루고 있다. 상기와 같이, 투과부의 게이트절연층(122)과 유기보호층(124)을 식각하는 이유는 반사부와 투과부의 온/오프(on/off)모드를 정합시키고 투과모드의 효율을 최대화하기 위한 것으로서, 이와 같은 홈의 형성에 의해 투과부의 셀갭(d1)과 반사부의 셀갭(d2)을 약 2:1로 비(d1:d2)로 형성할 수 있게 된다.A protective layer 124 made of an organic material such as Benzo-Cyclo-Butene (BCB) or photo-acryl is stacked on the gate insulating layer 122. On the other hand, as shown in the figure, the gate insulating layer 122 or the gate insulating layer / organic protective layer of the transmission portion is etched to form a groove with an inclination. As described above, the reason for etching the gate insulating layer 122 and the organic protective layer 124 of the transmission part is to match the on / off mode of the reflection part and the transmission part and to maximize the efficiency of the transmission mode. By forming the grooves, the cell gap d1 of the transmissive part and the cell gap d2 of the reflecting part can be formed in a ratio (d1: d2) at about 2: 1.

투과부의 유기보호층(124)의 상부 및 게이트절연층(122)과 유기보호층(124)의 식각된 양경사면에는 각각 제1공통전극(105a)과 화소전극(107)이 형성되어 제1횡전계(E1)을 형성한다. 상기 화소전극(107)은 반사부까지 연장되어 유기보호층(124) 위에 형성된 제2공통전극(105b)과 제2횡전계(E2)를 형성한다. 제1공통전극(105a), 제2공통전극(105b) 및 화소전극(107)은 Al, Al합금, Cu, Mo, Ta, Ti, Cr과 같은 금속을 증착(evaporation)이나 스퍼터링(sputtering)방법에 의해 적층한 후 에천트(etchant)로 에칭하여 형성된 단일층 또는 복수의 층으로 이루어진다.The first common electrode 105a and the pixel electrode 107 are formed on the upper portion of the organic passivation layer 124 of the transmissive portion and the etched inclined surfaces of the gate insulating layer 122 and the organic passivation layer 124, respectively. The electric field E1 is formed. The pixel electrode 107 extends to the reflecting portion to form a second common electrode 105b and a second transverse electric field E2 formed on the organic protective layer 124. The first common electrode 105a, the second common electrode 105b, and the pixel electrode 107 are formed by evaporation or sputtering a metal such as Al, Al alloy, Cu, Mo, Ta, Ti, Cr. It is made up of a single layer or a plurality of layers formed by laminating by etching with an etchant (etchant).

한편, 제2기판(130)에는 비표시영역, 예를 들면, 박막트랜지스터 영역, 게이트라인 및 데이터라인 영역으로 광이 누설되는 것을 방지하기 위한 블랙매트릭스(132)와 실제 컬러를 구현하기 위한 R,G,B의 색소를 가진 컬러필터층(134)이 형성되어 있다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 제2기판(130)의 평탄성을 향상시키기 위한 오버코트층(overcoat layer)이 형성될 수도 있다. 상기 제1기판(120) 및 제2기판(130) 사이에 액정층(140)이 형성되어 IPS모드 액정표시소자가 완성된다.Meanwhile, the second substrate 130 may include a black matrix 132 for preventing light from leaking into a non-display area, for example, a thin film transistor area, a gate line, and a data line area, and an R for real color. The color filter layer 134 which has the pigment | dye of G and B is formed. In addition, although not shown, an overcoat layer may be formed to improve the flatness of the second substrate 130. The liquid crystal layer 140 is formed between the first substrate 120 and the second substrate 130 to complete the IPS mode liquid crystal display device.

상기한 바와 같이, 본 발명에서는 투과부 및 반사부에 각각 서로 평행하게 배열된 공통전극 및 화소전극이 형성되어 있다. 투과부에서는 서로 대향하는 경사면(게이트절연층 및 유기보호층의 경사면)에 형성된 제1공통전극(105a)과 화소전극(107)에 의해 투과부의 셀갭(d1) 전체에 걸쳐서 제1횡전계(E1)를 형성하며, 반사부에서는 유기보호층(124) 위에 형성된 제2공통전극(105b)과 화소전극(107)에 의해 반사부의 셀갭(d2) 전체에 걸쳐서 제2횡전계(E2)를 형성할 수 있게 된다. 따라서, 외부광원이 존재하지 않는 경우에는 제1횡전계(E1)에 의한 투과모드로 IPS모드 액정표시소자를 구동하고 외부광원이 존재하는 경우에는 제2횡전계(E2)에 의한 반사모드로 IPS모드 액정표시소자를 구동한다.As described above, in the present invention, the common electrode and the pixel electrode arranged in parallel with each other in the transmissive portion and the reflecting portion are formed. In the transmissive part, the first transverse electric field E1 is formed over the entire cell gap d1 of the transmissive part by the first common electrode 105a and the pixel electrode 107 formed on the inclined surfaces facing each other (the inclined surfaces of the gate insulating layer and the organic protective layer). The second common electric field 105b formed on the organic protective layer 124 and the pixel electrode 107 may form the second transverse electric field E2 over the cell gap d2 of the reflective part. Will be. Accordingly, the IPS mode liquid crystal display is driven in the transmission mode by the first transverse electric field E1 when no external light source exists, and the IPS in the reflection mode by the second transverse electric field E2 when the external light source exists. The mode liquid crystal display device is driven.

이때, 투과부의 폭(또는 넓이)은 A로 설계되고 반사부의 폭(또는 넓이)은 B로 설계된다. 상기 투과부와 반사부의 폭(A,B)은 실질적으로 제작되는 IPS모드 액정표시소자의 크기나 화소의 수에 따라 달라질 수 있다. 다시 말해서, 투과부와 반사부의 폭은 어떠한 크기로도 형성할 수 있는 것이다. 그러나, 액정표시소자의 투과도를 감안하는 경우, 투과부와 반사부의 폭(또는 넓이)의 비(A:B)는 특정한 값을 설정하는 것이 바람직하다.At this time, the width (or width) of the transmission part is designed as A and the width (or width) of the reflection part is designed as B. The widths A and B of the transmission part and the reflection part may vary depending on the size of the IPS mode liquid crystal display device or the number of pixels. In other words, the width of the transmission portion and the reflection portion can be formed to any size. However, when considering the transmittance of the liquid crystal display element, it is preferable to set a specific value of the ratio (A: B) of the width (or width) of the transmission portion and the reflection portion.

투과부와 반사부의 폭의 비(A:B)는 1:1∼3:1으로 설정하는 것이 바람직하며, 2:1로 설정하는 것이 더욱 바람직한데, 그 이유가 도 4(a)∼도 4(c)에 도시되어 있다.It is preferable to set the ratio (A: B) of the width of the transmissive part and the reflecting part to 1: 1 to 3: 1, and more preferably to 2: 1, because of the reason of FIGS. 4 (a) to 4 ( c).

도 4(a)∼도 4(c)는 투과부와 반사부의 폭에 따른 투과도를 나타내는 도면으 이다. 도 4(a)는 투과부의 폭(A)과 반사부의 폭(B)의 비(A:B)가 15:15(1:1)인 경우의 투과도이고 도 4(b)는 투과부의 폭(A)과 반사부의 폭(B)의 비(A:B)가 18:12(3:2)인 경우의 투과도이며, 도 4(c)는 투과부의 폭(A)과 반사부의 폭(B)의 비(A:B)가 20:10(2:1)인 경우의 투과도이다. 도면에 도시된 바와 같이, 투과부의 폭(A)과 반사부의 폭(B)의 비(A:B)가 커짐에 따라 투과도가 증가하며, 도 4(c)에 도시된 바와 같이, 투과부의 폭(A)과 반사부의 폭(B)의 비(A:B)가 2:1인 경우 투과도가 가장 커짐을 알 수 있다. 다시 말해서, 본 발명에 따른 반투과형 IPS모드 액정표시소자에서는 투과부의 폭(또는 넓이)을 반사부의 폭 보다 약 2배로 형성하는 것이 가장 바람직하다. 이때, 투과부의 폭(A)과 반사부의 폭(B)은 각각 특정 크기에 한정되는 것이 아니라, 투과부의 폭(A)과 반사부의 폭(B)의 비(A:B)가 2:1 정도라면 어떠한 크기라도 좋다(물론, 액정표시소자의 크기에 대응하는 범위내에서 가능하다).4 (a) to 4 (c) are diagrams showing the transmittance according to the width of the transmissive portion and the reflective portion. Fig. 4A shows the transmittance when the ratio A: B of the width A of the transmission portion and the width B of the reflection portion is 15:15 (1: 1), and Fig. 4B shows the width of the transmission portion ( A is the transmittance when the ratio (A: B) of the width B of the reflecting part is 18:12 (3: 2), and FIG. 4C shows the width A of the transmitting part and the width B of the reflecting part. Permeability when the ratio (A: B) is 20:10 (2: 1). As shown in the figure, the transmittance increases as the ratio (A: B) of the width A of the transmissive portion to the width B of the reflecting portion increases, and as shown in FIG. When the ratio (A: B) of (A) to the width B of the reflecting portion is 2: 1, it can be seen that the transmittance is greatest. In other words, in the semi-transmissive IPS mode liquid crystal display device according to the present invention, it is most preferable to form the width (or width) of the transmissive part about twice the width of the reflecting part. In this case, the width A of the transmission part and the width B of the reflection part are not limited to a specific size, respectively, but the ratio A: B of the width A of the transmission part and the width B of the reflection part is about 2: 1. Any size can be used (of course, it can be within a range corresponding to the size of the liquid crystal display element).

상기한 구조의 반투과형 IPS모드 액정표시소자는 2블럭(block) 액정표시소자이다. 일반적으로 블럭이란 한화소내에서 광이 액정층(140)을 통과하여 화상을 표시하는 영역을 의미한다. 이러한 블럭은 공통전극과 화소전극의 형성 갯수에 따라 달라진다. 도 3에 도시된 바와 같이, 2블럭 반투과형 IPS모드 액정표시소자에서는 투과부에 배열된 제1공통전극(105a) 및 화소전극(107)에 의해 형성된 블럭과 반사부에 배열된 제2공통전극(105b) 및 화소전극(107)에 의해 형성된 블럭으로 이루어진다.The transflective IPS mode liquid crystal display device having the above structure is a two block liquid crystal display device. In general, a block means an area in which light passes through the liquid crystal layer 140 to display an image in a pixel. This block depends on the number of formation of the common electrode and the pixel electrode. As shown in FIG. 3, in the two-block transflective IPS mode liquid crystal display device, a block formed by the first common electrode 105a and the pixel electrode 107 arranged in the transmissive portion and the second common electrode arranged in the reflective portion ( 105b) and a block formed by the pixel electrode 107.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반투과형 IPS모드 액정표시소자의 구 조를 나타내는 도면으로서, 이 구조의 반투과형 IPS모드 액정표시소자는 4블럭 액정표시소자이다. 도면에 도시된 바와 같이, 화소내에는 2개의 투과부와 반사부가 형성되어 4개의 블럭을 형성하고 있다. 2개의 투과부에는 각각 게이트절연층(222)과 유기보호층(224)이 식각되어 경사진 홈이 형성되어 있으며, 대향하는 경사면에 공통전극(205a,205b)과 화소전극(207a,207b)이 형성되어 있다. 또한, 상기 공통전극(205a,205b)과 화소전극(207a,207b)은 반사영역으로 연장되어 반사영역에 횡전계를 형성한다. 한편, 반사영역의 게이트절연층(122) 위에는 각각 반사용 금속층(206a,206b)이 형성되어 외부로부터 입사되는 광을 다시 액정층(240)으로 반사한다.5 is a view showing the structure of a transflective IPS mode liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention, wherein the transflective IPS mode liquid crystal display device of this structure is a four-block liquid crystal display device. As shown in the figure, two transmission parts and a reflection part are formed in the pixel to form four blocks. The gate insulating layer 222 and the organic protective layer 224 are etched to form two inclined portions, respectively, and inclined grooves are formed, and the common electrodes 205a and 205b and the pixel electrodes 207a and 207b are formed on opposite slopes. It is. In addition, the common electrodes 205a and 205b and the pixel electrodes 207a and 207b extend to the reflection area to form a transverse electric field in the reflection area. On the other hand, the reflective metal layers 206a and 206b are formed on the gate insulating layer 122 in the reflective region, respectively, to reflect light incident from the outside back to the liquid crystal layer 240.

상기와 같이, 본 발명에 따른 반투과형 IPS모드 액정표시소자에서는 2블럭 구조에만 한정되는 것이 아니라, 4블럭 구조에도 적용될 수 있다. 실질적으로, 본 발명의 반투과형 IPS모드 액정표시소자는 모든 블럭의 액정표시소자에 적용될 수 있다. 액정표시소자의 블럭수는 특정한 수로 한정되는 것이 아니다. 이러한 블럭수는 액정표시소자의 면적이나 화소수, 화소간의 피치와 같은 여러가지 요인에 따라 달라질 것이다. 예를 들어, 동일한 크기의 액정표시소자의 경우, 화소의 피치가 작은 경우에는 화소의 면적이 상대적으로 작기 때문에, 개구율을 최대화할 필요가 있다. 따라서, 이러한 경우에는 도 3에 도시된 바와 같이 2블럭 구조로 반투과형 IPS모드 액정표시소자를 제작하는 것이 바람직하며, 반대로 화소의 피치가 큰 경우에는 4블럭이나 6블럭구조로 반투과형 IPS모드 액정표시소자를 제작하는 것이 바람직할 것이다.As described above, in the transflective IPS mode liquid crystal display device according to the present invention, the present invention is not limited to the two block structure but may be applied to the four block structure. Practically, the transflective IPS mode liquid crystal display device of the present invention can be applied to liquid crystal display devices of all blocks. The number of blocks of the liquid crystal display device is not limited to a specific number. The number of blocks will vary depending on various factors such as the area of the liquid crystal display, the number of pixels, and the pitch between the pixels. For example, in the case of liquid crystal display elements of the same size, when the pitch of the pixel is small, the area of the pixel is relatively small, so it is necessary to maximize the aperture ratio. Therefore, in this case, as shown in FIG. 3, it is preferable to fabricate a semi-transmissive IPS mode liquid crystal display device having a two-block structure. On the contrary, when the pixel pitch is large, the transflective IPS mode liquid crystal has a 4-block or 6-block structure. It would be desirable to fabricate the display device.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 횡전계모드 액정표시소자에서는 투과부와 반사부를 구비한 반투과형 액정표시소자이다. 따라서, 외부 광원이 존재하는 경우에는 반사모드로 동작시키고 외부광원이 존재하지 않는 경우에는 투과모드로 동작시켜 소비전력을 최소화할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, the transverse electric field mode liquid crystal display device is a transflective liquid crystal display device having a transmissive part and a reflecting part. Therefore, the power consumption can be minimized by operating in the reflection mode when the external light source is present, and by operating in the transmission mode when the external light source is not present.

Claims (16)

복수의 화소를 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인;A plurality of gate lines and data lines defining a plurality of pixels; 각 화소내에 배치된 구동소자;A drive element disposed in each pixel; 상기 화소내에 형성되며, 적어도 한쌍의 제1전극이 배치되어 제1횡전계를 형성하는 투과부; 및A transmissive part formed in the pixel, wherein at least one pair of first electrodes are disposed to form a first transverse electric field; And 상기 화소내에 형성되어 외부광원으로부터 입사되는 광을 반사하며, 적어도 한쌍의 제2전극이 배치되어 제2횡전계를 형성하는 반사부로 구성된 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.A transflective transverse electric field mode liquid crystal display device comprising a reflector formed in the pixel to reflect light incident from an external light source and having at least one pair of second electrodes disposed to form a second transverse electric field. 제1항에 있어서, 상기 구동소자는 박막트랜지스터인 것을 특징으로 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.The transflective transverse electric field mode liquid crystal display device according to claim 1, wherein the driving device is a thin film transistor. 제2항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는,The method of claim 2, wherein the thin film transistor, 기판위에 형성된 게이트전극;A gate electrode formed on the substrate; 상기 게이트전극이 형성된 기판 전체에 걸쳐 적층된 절연층;An insulating layer stacked over the entire substrate on which the gate electrode is formed; 상기 절연층 위에 형성된 반도체층;A semiconductor layer formed on the insulating layer; 상기 반도체층 위에 형성된 소스전극 및 드레인전극; 및A source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer; And 상기 소스전극 및 드레인전극이 형성된 기판 전체에 걸쳐 적층된 보호층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.A transflective transverse electric field mode liquid crystal display device comprising a protective layer stacked over an entire substrate on which the source electrode and the drain electrode are formed. 제3항에 있어서, 상기 보호층은 유기보호층인 것을 특징으로 하는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.4. The transflective transverse electric field mode liquid crystal display device according to claim 3, wherein the protective layer is an organic protective layer. 제3항에 있어서, 상기 투과부에는 상기 절연층 또는 절연층/보호층이 제거된 적어도 하나의 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.The transflective transverse electric field mode liquid crystal display device of claim 3, wherein the transmissive part has at least one groove formed by removing the insulating layer or the insulating layer / protective layer. 제5항에 있어서, 상기 홈은 경사면을 보유하는 것을 특징으로 하는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.6. The transflective transverse electric field mode liquid crystal display device according to claim 5, wherein the groove has an inclined surface. 제6항에 있어서, 상기 제1전극은 홈의 경사면에 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.The transflective transverse electric field mode liquid crystal display device according to claim 6, wherein the first electrode is formed on an inclined surface of the groove. 제3항에 있어서, 상기 반사부의 절연층 위에 형성된 금속층을 추가로 포함하 는 것을 특징으로 하는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.The transflective transverse electric field mode liquid crystal display device of claim 3, further comprising a metal layer formed on the insulating layer of the reflector. 제3항에 있어서, 상기 제2전극은 보호층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.4. The transflective transverse electric field mode liquid crystal display device according to claim 3, wherein the second electrode is formed on a protective layer. 제9항에 있어서, 상기 제2전극은 제1전극과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.10. The transflective transverse electric field mode liquid crystal display device according to claim 9, wherein the second electrode is formed integrally with the first electrode. 제1항에 있어서, 상기 투과부의 셀갭은 반사부의 셀갭의 2배인 것을 특징으로 하는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.The transflective transverse electric field mode liquid crystal display device according to claim 1, wherein the cell gap of the transmissive part is twice the cell gap of the reflective part. 제1항에 있어서, 상기 투과부의 폭(A)과 반사부의 폭(B)의 비(A:B)는 1:1∼3:1인 것을 특징으로 하는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.The transflective transverse electric field mode liquid crystal display device according to claim 1, wherein the ratio (A: B) of the width A of the transmissive part and the width B of the reflecting part is 1: 1 to 3: 1. 제12항에 있어서, 상기 투과부의 폭(A)과 반사부의 폭(B)의 비(A:B)는 2:1인 것을 특징으로 하는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.13. The transflective transverse electric field mode liquid crystal display device according to claim 12, wherein the ratio (A: B) of the width A of the transmissive part and the width B of the reflecting part is 2: 1. 복수의 화소를 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인;A plurality of gate lines and data lines defining a plurality of pixels; 각 화소내에 배치된 구동소자; 및A drive element disposed in each pixel; And 상기 화소내에 형성되어 횡전계를 생성하는 전극으로 구성되며,An electrode formed in the pixel to generate a transverse electric field, 상기 화소내에는 외부로부터 입사되는 광을 반사하는 금속층이 형성되어, 외부광원이 존재하는 경우에는 반사모드로 작동하고 외부광원이 존재하지 않는 경우에는 투과모드로 작동하는 것을 특징으로 하는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.A semi-transmissive transverse electric field is formed in the pixel, wherein a metal layer reflecting light incident from the outside is formed to operate in a reflection mode when an external light source exists and in a transmissive mode when no external light source exists. Mode liquid crystal display device. 제14항에 있어서, 상기 전극은,The method of claim 14, wherein the electrode, 적어도 한쌍의 투과모드전극; 및At least one pair of transmission mode electrodes; And 적어도 한쌍의 반사모드전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.A transflective transverse electric field mode liquid crystal display device comprising at least one pair of reflection mode electrodes. 제14항에 있어서, 상기 투과모드전극 사이의 간격(A)과 반사모드전극 사이의 간격(B)의 비(A:B)는 1:1∼3:1인 것을 특징으로 하는 반투과형 횡전계모드 액정표시소자.15. The transflective transverse electric field according to claim 14, wherein the ratio (A: B) of the spacing A between the transmissive mode electrodes and the spacing B between the reflective mode electrodes is 1: 1 to 3: 1. Mode liquid crystal display device.
KR1020020057448A 2002-09-19 2002-09-19 Trans-reflecting type in plane switching mode liquid crystal display device KR100870667B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020057448A KR100870667B1 (en) 2002-09-19 2002-09-19 Trans-reflecting type in plane switching mode liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020057448A KR100870667B1 (en) 2002-09-19 2002-09-19 Trans-reflecting type in plane switching mode liquid crystal display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040025471A KR20040025471A (en) 2004-03-24
KR100870667B1 true KR100870667B1 (en) 2008-11-26

Family

ID=37328390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020057448A KR100870667B1 (en) 2002-09-19 2002-09-19 Trans-reflecting type in plane switching mode liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100870667B1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007206292A (en) * 2006-02-01 2007-08-16 Hitachi Displays Ltd Transflective liquid crystal display device
JP4916770B2 (en) * 2006-05-22 2012-04-18 三菱電機株式会社 Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR101332108B1 (en) * 2006-12-21 2013-11-21 엘지디스플레이 주식회사 Transflective type liquid crystal panel and fabrication method thereof
KR101358221B1 (en) * 2007-05-31 2014-02-05 엘지디스플레이 주식회사 In plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
CN105116586B (en) * 2015-09-21 2017-11-10 深圳市华星光电技术有限公司 A kind of half Transflective blue phase liquid crystal display and its liquid crystal display die set

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020002984A (en) * 2000-06-30 2002-01-10 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 Reflective and transmittive liquid crystal display device
KR20020015228A (en) * 2000-08-21 2002-02-27 구본준, 론 위라하디락사 method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same
KR20020067885A (en) * 2001-02-19 2002-08-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 transflective liquid crystal display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020002984A (en) * 2000-06-30 2002-01-10 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 Reflective and transmittive liquid crystal display device
KR20020015228A (en) * 2000-08-21 2002-02-27 구본준, 론 위라하디락사 method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same
KR20020067885A (en) * 2001-02-19 2002-08-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 transflective liquid crystal display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040025471A (en) 2004-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11054705B2 (en) Liquid crystal display device
US20070146582A1 (en) Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US20070263142A1 (en) Transflective liquid crystal display device
US8243238B2 (en) Transflective liquid crystal display device
EP1189098A2 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus provided with the same
KR20040062113A (en) In plane switching mode liquid crystal display device
US7420640B2 (en) In-plane switching mode liquid crystal device and method for manufacturing the same
JP2005148740A (en) Reflection type liquid crystal display of dual display
KR100870667B1 (en) Trans-reflecting type in plane switching mode liquid crystal display device
KR20040050624A (en) In plane switching mode liquid crystal display device having improved aperture ratio
US20040085278A1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device having improved aperture ratio
KR20040025472A (en) In plane switching mode liquid crystal display device
KR100978251B1 (en) In plane switching mode liquid crystal display device having multi black matrix
JP2005115282A (en) Liquid crystal display
KR20080003085A (en) In plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating thereof
KR100914194B1 (en) In plane switching mode liquid crystal display device
KR100876404B1 (en) Transverse electric field mode liquid crystal display device
KR100928923B1 (en) Transverse electric field mode liquid crystal display element
KR100919195B1 (en) In plane switching mode liquid crystal display device having improved aperture ratio
KR100919185B1 (en) In plane switching mode liquid crystal display device
KR20040042274A (en) In plane switching mode liquid crystal display device having improved brightness
KR100919198B1 (en) In plane switching mode liquid crystal display device
KR20050066658A (en) Liquid crystal display device having shielding layer for blocking light incident from side
KR100793577B1 (en) Transflective type liquid crystal display device
KR100919194B1 (en) In plane switching mode liquid crystal display device having high quality image

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120928

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130930

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141021

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151028

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161012

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171016

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181015

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191015

Year of fee payment: 12