KR20020015228A - method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same - Google Patents

method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same Download PDF

Info

Publication number
KR20020015228A
KR20020015228A KR1020000048421A KR20000048421A KR20020015228A KR 20020015228 A KR20020015228 A KR 20020015228A KR 1020000048421 A KR1020000048421 A KR 1020000048421A KR 20000048421 A KR20000048421 A KR 20000048421A KR 20020015228 A KR20020015228 A KR 20020015228A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
reflective
liquid crystal
crystal display
substrate
Prior art date
Application number
KR1020000048421A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김종성
임병호
박귀복
추교섭
Original Assignee
구본준, 론 위라하디락사
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구본준, 론 위라하디락사, 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 구본준, 론 위라하디락사
Priority to KR1020000048421A priority Critical patent/KR20020015228A/en
Publication of KR20020015228A publication Critical patent/KR20020015228A/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/81Electrodes
    • H10K30/82Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/04Maintaining the quality of display appearance
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PURPOSE: An array substrate for a transflective LCD(Liquid Crystal Display) device is provided to simplify the manufacturing process as well as to remove residual image effect. CONSTITUTION: A gate line(113) and a data line(115) are formed on a substrate(111). A switching element for driving LC, a TFT(Thin Film Transistor,T) is formed at the cross point of the two lines. The TFT includes a gate electrode(117), a source electrode(119), a drain electrode(122) and an active layer(123). A semi-transmissive pixel electrode(121) consisting of a reflective electrode(121a) and a transparent electrode(121b) is formed on a pixel area(P). The reflective electrode integrated in one direction is connected with a common line(125) patterned to the outside of an LCD panel. The common electrode for the transparent electrode is fed regularly via the common line even though the reflective electrode is not directly contacted with the transparent electrode. Therefore, the residual image generated by voltage difference is removed.

Description

반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법{method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same}Array substrate for reflective transmissive liquid crystal display device and manufacturing method thereof

본 발명은 액정표시장치(liquid crystal display device)에 관한 것으로 특히, 반사모드와 투과모드를 선택적으로 사용할 수 있는 반사투과형 액정표시장치(Transflective liquid crystal display device)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a reflective liquid crystal display device capable of selectively using a reflection mode and a transmission mode.

일반적으로 반사투과형 액정표시장치는 투과형 액정표시장치와 반사형 액정표시장치의 기능을 동시에 지닌 것으로, 백라이트(backlight)의 빛과 외부의 자연광원 또는 인조광원을 모두 이용할 수 있음으로 주변환경에 제약을 받지 않고, 전력소비(power consumption)를 줄일 수 있는 장점이 있다.Generally, the transflective liquid crystal display device has the functions of a transmissive liquid crystal display device and a reflective liquid crystal display device, and it is possible to use both a backlight light and an external natural light or artificial light source to limit the surrounding environment. It does not receive, there is an advantage that can reduce the power consumption (power consumption).

도 1 은 일반적인 반사투과형 컬러액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.FIG. 1 is an exploded perspective view showing a general reflective transmissive color liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 일반적인 반사투과형 액정표시장치(11)는 블랙매트릭스(16)를 포함하는 컬러필터(17)와 컬러필터 상에 투명한 공통전극(13)이 형성된 상부기판(15)과, 화소영역(P)과 화소영역에 투과부(A)와 반사부(C)가 동시에 형성된 화소전극(19)과 스위칭소자(T)와 어레이배선이 형성된 하부기판(21)으로 구성되며, 상기 상부기판(15)과 하부기판(21) 사이에는 액정(23)이 충진되어 있다.As shown in the drawing, a general reflection-transmissive liquid crystal display 11 includes a color filter 17 including a black matrix 16, an upper substrate 15 having a transparent common electrode 13 formed on the color filter, and a pixel region. A pixel electrode 19 having a transmissive portion A and a reflecting portion C formed at the same time as the pixel region 19 and a lower substrate 21 having a switching element T and an array wiring formed thereon. ) And the lower substrate 21 are filled with the liquid crystal 23.

상기 하부기판(21)은 어레이기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스 형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터를 교차하여 지나가는 게이트배선(25)과 데이터배선(27)이 형성된다.The lower substrate 21 is also referred to as an array substrate, and the thin film transistor T, which is a switching element, is positioned in a matrix type, and the gate wiring 25 and the data wiring 27 passing through the plurality of thin film transistors cross each other. Is formed.

이때, 상기 화소영역(P)은 상기 게이트배선(25)과 데이터배선(27)이 교차하여 정의되는 영역이다.In this case, the pixel area P is an area where the gate line 25 and the data line 27 cross each other.

이와 같은 구성을 갖는 반사투과형 액정표시장치의 동작특성을 도 2를 참조하여 설명한다.The operation characteristics of the reflective liquid crystal display device having such a configuration will be described with reference to FIG.

도 2는 일반적인 반사투과형 액정표시장치를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a general reflective transmissive liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 개략적인 반사투과형 액정표시장치(11)는 공통전극(13)이 형성된 상부기판(15)과, 투과홀(A)을 포함한 반사전극(19b)과 투명전극(19a)으로 구성된 화소전극(19)이 형성된 하부기판(21)과, 상기 상부기판(15)과 하부기판(21)의 사이에 충진된 액정(23)과, 상기 하부기판(21)의 하부에 위치한 백라이트(41)로 구성된다.As shown in the drawing, the schematic reflection-transmissive liquid crystal display device 11 is composed of an upper substrate 15 having the common electrode 13 formed thereon, a reflective electrode 19b including a transmission hole A, and a transparent electrode 19a. A lower substrate 21 on which the pixel electrode 19 is formed, a liquid crystal 23 filled between the upper substrate 15 and the lower substrate 21, and a backlight 41 positioned below the lower substrate 21. It is composed of

이러한 구성을 갖는 반사투과형 액정표시장치(11)를 반사모드(reflective mode)로 사용할 경우에는 빛의 대부분을 외부의 자연광원 또는 인조광원을 사용하게 된다.When the reflective liquid crystal display device 11 having such a configuration is used in a reflective mode, most of the light is used as an external natural light or an artificial light source.

전술한 구성을 참조로 반사모드일 때와 투과모드일 때의 액정표시장치의 동작을 설명한다.The operation of the liquid crystal display device in the reflection mode and the transmission mode will be described with reference to the above-described configuration.

반사모드일 경우, 액정표시장치는 외부의 자연광원 또는 인조광원을 사용하게 되며, 상기 액정표시장치의 상부기판(15)으로 입사된 빛(B)은 상기 반사전극(19b)에 반사되어 상기 반사전극과 상기 공통전극(13)의 전계에 의해 배열된 액정(23)을 통과하게 되고, 상기 액정(23)의 배열에 따라 액정을 통과하는 빛(B)의 양이 조절되어 이미지(Image)를 구현하게 된다.In the reflective mode, the liquid crystal display uses an external natural or artificial light source, and the light B incident on the upper substrate 15 of the liquid crystal display is reflected by the reflective electrode 19b to reflect the light. Passing through the liquid crystal 23 arranged by the electric field of the electrode and the common electrode 13, the amount of light (B) passing through the liquid crystal is adjusted according to the arrangement of the liquid crystal 23 to display an image (Image) Will be implemented.

반대로, 투과모드(Transmission mode)로 동작할 경우에는, 광원을 상기 하부기판(21)의 하부에 위치한 백라이트(41)의 빛(F)을 사용하게 된다. 상기 백라이트(41)로부터 출사한 빛은 상기 투명전극(19a)을 통해 상기 액정(23)에 입사하게 되며, 상기 투과홀 하부의 투명전극(19a)과 상기 공통전극(13)의 전계에 의해배열된 액정(23)에 의해 상기 하부 백라이트(41)로부터 입사한 빛의 양을 조절하여 이미지를 구현하게 된다.On the contrary, when operating in the transmission mode, the light source uses the light F of the backlight 41 positioned below the lower substrate 21. Light emitted from the backlight 41 enters the liquid crystal 23 through the transparent electrode 19a and is arranged by an electric field of the transparent electrode 19a and the common electrode 13 below the through hole. By adjusting the amount of light incident from the lower backlight 41 by the liquid crystal 23 is implemented an image.

도 3은 종래의 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 도시한 확대 평면도이다.FIG. 3 is an enlarged plan view showing a portion of a conventional array substrate for reflective transmissive liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 게이트배선(25)과 데이터배선(27)이 교차하여 형성되며, 상기 두 배선(25, 27)의 교차지점에는 게이트전극(32)과 소스전극(33) 및 드레인전극(35)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 구성된다.As illustrated, the gate wiring 25 and the data wiring 27 are formed to cross each other, and the gate electrode 32, the source electrode 33, and the drain electrode 35 are formed at the intersections of the two wirings 25 and 27. A thin film transistor (T) comprising a) is configured.

이때, 상기 화소영역(P)에 위치한 반투과 화소전극(19)은 투명전극(19a)과 반사전극(19b)으로 형성되어, 크게 투과부(A)와 반사부(B)로 구분된다.In this case, the transflective pixel electrode 19 positioned in the pixel region P is formed of a transparent electrode 19a and a reflective electrode 19b, and is largely divided into a transmissive portion A and a reflective portion B.

이때, 반사부(B)는 화소(P)의 중앙으로 구성되고 상기 투과부(A)는 화소의 가장자리로 구성된다In this case, the reflecting portion B is composed of the center of the pixel P and the transmitting portion A is composed of the edge of the pixel.

여기서, 상기 투과부(A)와 반사부(B)에 동일한 신호를 주기 위해, 상기 투명전극(19a)은 제 1 콘택홀(31)을 통해 박막트랜지스터(T)의 드레인전극(35)과 접촉하고, 상기 반사전극(19b)은 상기 투명전극(19a)상부에 형성된 제 2 콘택홀(37)을 통해 상기 투명전극(19a)과 접촉되는 구조로 형성된다.Here, in order to give the same signal to the transmitting portion (A) and the reflecting portion (B), the transparent electrode (19a) is in contact with the drain electrode 35 of the thin film transistor (T) through the first contact hole (31) The reflective electrode 19b is formed in contact with the transparent electrode 19a through a second contact hole 37 formed on the transparent electrode 19a.

이때, 상기 반사전극(19b)은 상기 투명전극(19a)과 접촉하지 않고 형성될 수도 있다.In this case, the reflective electrode 19b may be formed without contacting the transparent electrode 19a.

이하, 도 4a와 도 4b를 참조하여 도 3의 구성과 제작방법을 간단히 살펴본다.Hereinafter, the configuration and manufacturing method of FIG. 3 will be briefly described with reference to FIGS. 4A and 4B.

도 4a와 도 4b는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ와 Ⅲ-Ⅲ를 따라 절단하여 도시한 단면도로서,상기 반사전극이 상기 투명전극과 콘택홀을 통해 접촉한 구조이다.4A and 4B are cross-sectional views taken along lines II-II and III-III of FIG. 3, wherein the reflective electrode is in contact with the transparent electrode through a contact hole.

도시한 바와 같이, 기판(11) 상에 게이트전극(32)과 게이트배선(도 3의 25)을 형성한후, 게이트절연막(43)을 형성한다.As shown in the drawing, after the gate electrode 32 and the gate wiring (25 in FIG. 3) are formed on the substrate 11, the gate insulating film 43 is formed.

다음으로, 상기 게이트전극(32)상부의 게이트절연막(43)상에 액티브채널층인 반도체층을 형성한다.Next, a semiconductor layer as an active channel layer is formed on the gate insulating film 43 on the gate electrode 32.

이때, 반도체층은 순수 비정질실리콘으로 구성된 액티브층(active layer)(45)과, 불순물이 함유된 비정질 실리콘으로 구성된 오믹콘택층(ohmic contact layer)(47)으로 이루어 진다.In this case, the semiconductor layer includes an active layer 45 made of pure amorphous silicon and an ohmic contact layer 47 made of amorphous silicon containing impurities.

상기 액티브층(45)상부에 소스전극(33)과 드레인전극(35)과, 상기 소스전극(33)과 수직하여 연장된 데이터배선(27)을 형성한다.A source electrode 33, a drain electrode 35, and a data line 27 extending perpendicular to the source electrode 33 are formed on the active layer 45.

다음으로, 상기 데이터배선(27)등이 형성된 기판(11)상에 절연물질을 증착하여 제 1 보호층(49)을 형성한다.Next, an insulating material is deposited on the substrate 11 on which the data line 27 and the like are formed to form the first protective layer 49.

다음으로, 상기 제 1 보호층(49) 상부에 반사율과 전도율이 뛰어난 알루미늄(Al)또는 알루미늄계(AlNd)금속을 증착하고 패턴하여 제 1 화소전극인 반사전극(19b)을 형성한다.Next, an aluminum (Al) or aluminum-based (AlNd) metal having excellent reflectance and conductivity is deposited and patterned on the first passivation layer 49 to form a reflective electrode 19b as a first pixel electrode.

다음으로, 상기 반사전극(19b)이 형성된 기판(11)상에 절연물질을 증착하여 제 2 보호층(51)을 형성한 후 패턴하여, 상기 드레인전극 상부에 드레인콘택홀인 제 1 콘택홀(31)을 형성하고, 상기 제 1 콘택홀(31)과 근접한 상기 반사전극(19b) 상부에 제 2 콘택홀(37)을 형성한다.Next, an insulating material is deposited on the substrate 11 on which the reflective electrode 19b is formed to form a second protective layer 51, and then patterned to form a first contact hole 31 that is a drain contact hole on the drain electrode. ) And a second contact hole 37 is formed on the reflective electrode 19b adjacent to the first contact hole 31.

다음으로, 투명 도전성물질을 증착하고 패턴하여 상기 제 1 콘택홀(31)을 통해 상기 드레인전극(35)과 접촉하고, 동시에 상기 제 2 콘택홀(37)을 통해 상기 반사전극(19b)과 접촉하면서 상기 반사전극의 상부로 연장된 제 2 화소전극인 투명전극(19a)을 형성한다.Next, a transparent conductive material is deposited and patterned to contact the drain electrode 35 through the first contact hole 31 and at the same time to contact the reflective electrode 19b through the second contact hole 37. The transparent electrode 19a, which is a second pixel electrode extending over the reflective electrode, is formed.

이와 같은 방법으로, 반사투과형 액정표시장치를 구성할 수 있다.In this way, a reflective transmissive liquid crystal display device can be constructed.

일반적으로, 상기 투명전극(19a)은 인듐-틴-옥사이드(Indium-tin-oxide : ITO)나 인듐-징크-옥사이드(Indium-zinc-oxide)등의 산화금속을 사용하게 된다.In general, the transparent electrode 19a may use a metal oxide such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide.

이때, 상기 반사전극(19b)으로 사용되는 알루미늄 재질은 반사율과 도전성은 뛰어나지만 산소를 만나면 쉽게 산화되어 표면에 산화막을 형성하는 경향이 있다.In this case, the aluminum material used as the reflective electrode 19b has excellent reflectance and conductivity, but tends to be easily oxidized when oxygen is encountered to form an oxide film on the surface.

따라서, 종래의 제 1 예에서는 상기 제 2 콘택홀(37)을 통해 투명전극(19a)과 반사전극(19b)이 접촉하는 구조이므로, 상기 두 전극의 계면에서 발생하는 산화막에 의한 접촉저항 값이 매우 크다.Therefore, in the first example of the related art, since the transparent electrode 19a and the reflective electrode 19b contact each other through the second contact hole 37, the contact resistance value due to the oxide film generated at the interface between the two electrodes is increased. very big.

결과적으로 이러한 큰 값의 접촉저항은 액정을 구동하기 위한 액정 캐패시터(liquid capacitance :LC)의 충전특성을 저하하는 원인이 된다.As a result, such a large value of contact resistance causes a decrease in the charging characteristics of a liquid crystal capacitor (LC) for driving a liquid crystal.

이러한 단점을 고려하여 도 4b에 도시한 바와 같이, 종래 제 2 예는 상기 반사전극(19b)을 투명전극(19a)과 접촉하지 않은 상태로 구성하고, 상기 화소영역(P)을 구동하는 전압은 상기 투명전극(19a)을 통하여 인가되도록 하는 구조로 구성된다.In consideration of these disadvantages, as shown in FIG. 4B, the conventional second example configures the reflective electrode 19b without contacting the transparent electrode 19a, and the voltage driving the pixel region P is It is configured to have a structure to be applied through the transparent electrode (19a).

그러나, 이러한 구조에서는 상기 반사전극(19b)은 단순한 반사판의 기능을 하도록 형성한 구조이다.However, in this structure, the reflecting electrode 19b is formed to function as a simple reflector.

자세히 설명하면, 상기 반사판(19b)이 투명전극(19a)과 연결되지 않고 상/하부의 절연층(49, 51)사이에 위치하여 플로팅(floating)된 구조이므로, 상기 반사판(19b)상부에 구성된 투명화소전극(19a)에 전압을 인가하면, 상기 반사판(19b)상에 형성된 보호층(51)의 표면에 발생한 미세한 결함에 의해 상기 전하가 반사판(19b)으로 유도되는 경향이 있다. 이러한 기생충전용량은 액정을 배향하는 액정 캐패시터의 충전특성을 저하시킨다.In detail, since the reflective plate 19b is not connected to the transparent electrode 19a and is positioned between the upper and lower insulating layers 49 and 51 to float, the reflective plate 19b is formed on the reflective plate 19b. When a voltage is applied to the transparent pixel electrode 19a, the charge tends to be induced to the reflecting plate 19b by a minute defect generated on the surface of the protective layer 51 formed on the reflecting plate 19b. This parasitic charge decreases the charging characteristics of the liquid crystal capacitor for orienting the liquid crystal.

또한, 상기 두 구조는 화소영역상에 구성된 단일한 화소전극을 기준으로 보았을 경우, 전압인가 상태가 불균일 함으로 잔상이 나타나는 문제가 발생한다.In addition, when the two structures are viewed based on a single pixel electrode formed on the pixel area, a problem occurs in that an afterimage occurs due to an uneven voltage application state.

전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 잔상효과가 없을 뿐 아니라 공정이 단순한 반사투과형 액정표시장치를 제작하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention for solving the above-mentioned problems is not only an afterimage effect, but also an object of the present invention is to manufacture a reflective transmissive liquid crystal display device having a simple process.

도 1은 일반적인 반사투과형 액정표시장치의 일부를 도시한 분해사시도이고,1 is an exploded perspective view showing a part of a general reflective transmissive liquid crystal display device;

도 2는 일반적인 반사투과형 액정표시장치의 단면도이고,2 is a cross-sectional view of a general reflective transmissive liquid crystal display device,

도 3은 종래의 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 확대 평면도이고,3 is an enlarged plan view showing some pixels of a conventional array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device;

도 4a 와 4b는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ와 Ⅲ-Ⅲ를 절단한 공정단면도이다.4A and 4B are process cross-sectional views cut along II-II and III-III of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 확대 평면도이고,FIG. 5 is an enlarged plan view showing some pixels of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention;

도 6a 내지 도 6c는 도 5의 Ⅳ-Ⅳ와 Ⅴ-Ⅴ를 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정단면도이고,6A to 6C are cross-sectional views illustrating a process sequence of cutting IV-IV and V-V of FIG.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 확대 평면도이고,FIG. 7 is an enlarged plan view showing some pixels of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention;

도 8a 내지 도 8c는 도 7의 Ⅷ-Ⅷ을 따라 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정단면도이고,8A to 8C are cross-sectional views illustrating a process sequence, taken along the line VIII-VIII of FIG.

도 9는 본발명의 제 3 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 확대 평면도이고,9 is an enlarged plan view showing some pixels of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention;

도 10a 내지 도 10d는 도 9의 Ⅸ-Ⅸ와Ⅹ-Ⅹ를 따라 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정단면도이고,10A to 10D are cross-sectional views illustrating a process sequence by cutting along VIII-VIII and VIII-VIII of FIG.

도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반사전극의 제 1 변형예를 도시한 평면도이고,11A to 11C are plan views illustrating a first modification of the reflective electrode according to the fourth embodiment of the present invention.

도 12a 내지 도 12c는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반사전극의 제 2 변형예를 도시한 평면도이다.12A to 12C are plan views illustrating a second modified example of the reflective electrode according to the fourth exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

111 : 기판 113 : 게이트배선111 substrate 113 gate wiring

115 : 데이터배선 117 : 게이트전극115: data wiring 117: gate electrode

119 : 소스전극 122 : 드레인전극119 source electrode 122 drain electrode

121 : 화소전극 121a, 121b : 반사전극, 투명전극121: pixel electrode 121a, 121b: reflective electrode, transparent electrode

123 : 반도체층 125 : 공통배선123: semiconductor layer 125: common wiring

127 : 제 1 콘택홀127: first contact hole

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판은 기판과; 상기 기판 상에 형성되고, 게이트전극과 소스전극과 드레인전극으로 구성된 스위칭소자와; 상기 기판의 둘레에 구성되고, 공통전압을 인가하는 공통배선과; 상기 드레인전극과 연결되는 투명전극과, 상기 투명전극과 동일위치에 구성되고 상기 공통배선에 연결되는 반사전극으로 구성되어 반사부와 투과부로 정의된 화소전극을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an array substrate for a transflective liquid crystal display device comprising: a substrate; A switching element formed on the substrate, the switching element comprising a gate electrode, a source electrode and a drain electrode; A common wiring formed around the substrate and configured to apply a common voltage; The pixel electrode includes a transparent electrode connected to the drain electrode, and a reflective electrode formed at the same position as the transparent electrode and connected to the common wiring, and defined as a reflecting unit and a transmitting unit.

상기 투명전극과 반사전극은 절연층을 사이에 두고 구성되는 것을 특징으로한다.The transparent electrode and the reflective electrode is characterized by being configured with an insulating layer therebetween.

상기 반사전극은 상기 스위칭소자의 게이트전극과 동일층에 구성될 수 있고, 이러한 경우에는 각 반사전극을 연결하는 연결부는 상기 게이트배선과 평행하게 구성한다.The reflective electrode may be configured on the same layer as the gate electrode of the switching element, and in this case, the connecting portion connecting each reflective electrode is configured in parallel with the gate wiring.

이때, 상기 반사전극은 상기 드레인전극과 동일층에 구성된 공통배선과 콘택홀을 통해 연결되어 구성된다.In this case, the reflective electrode is connected to the drain electrode through a common wiring and a contact hole formed on the same layer.

다른 예로, 상기 반사전극은 드레인전극과 동일층에 구성될 수 있고, 이러한 경우에는 각 반사전극을 연결하는 연결부는 상기 데이터배선과 평행하게 구성한다.As another example, the reflective electrode may be configured on the same layer as the drain electrode, and in this case, the connecting portion connecting each reflective electrode is configured in parallel with the data wiring.

이때, 상기 반사전극은 상기 게이트전극과 동일층에 구성된 공통배선과 콘택홀을 통해 연결되어 구성된다.In this case, the reflective electrode is connected through a common wiring and a contact hole formed on the same layer as the gate electrode.

또 다른 예로 상기 반사전극과 상기 공통배선은 동일층에 구성될 수 있고, 이때 상기 반사전극은 상기 공통배선으로 연장 형성된다.As another example, the reflective electrode and the common wiring may be configured on the same layer. In this case, the reflective electrode extends to the common wiring.

상기 반사전극은 반사율이 뛰어나고 도전성이 뛰어난 알루미늄과 알루미늄 합금등이 포함된 도전성금속 그룹 중 선택된 하나인 것을 특징으로 한다.The reflective electrode is one selected from the group of conductive metals including aluminum and aluminum alloys having excellent reflectivity and excellent conductivity.

상기 투명전극은 ITO 와 IZO등이 포함된 투명도전성 금속그룹 중 선택된 하나인 것을 특징으로 한다.The transparent electrode is one selected from the group of transparent conductive metals including ITO and IZO.

반사부는 상기 투과부의 주변에 구성되도록 정의한 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.The reflection unit may include a pixel electrode defined to be configured around the transmission unit.

상기 반사부는 상기 투과부의 중앙에 구성되도록 정의한 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.The reflector may include a pixel electrode defined to be configured at the center of the transmission part.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

-- 제 1 실시예 --First Embodiment

본 발명의 제 1 실시예는 반사전극에 연결된 공통배선이 드레인전극과 동일층에 형성되는 구조이다. 이하, 도 5를 참조하여 설명한다.In the first embodiment of the present invention, the common wiring connected to the reflective electrode is formed on the same layer as the drain electrode. A description with reference to FIG. 5 is as follows.

도 5는 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 확대 평면도이다.5 is an enlarged plan view illustrating some pixels of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to the present invention.

도시한 바와 같이, 반사투과형 액정표시장치는 기판(111)을 기준으로 가로방향으로 연장된 게이트배선(113)과, 상기 게이트배선과 절연층을 사이에 두고 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 세로방향의 데이터배선(115)을 형성한다.As shown, the reflective liquid crystal display device defines a pixel area P by crossing the gate line 113 extending in the horizontal direction with respect to the substrate 111 and the gate line and the insulating layer interposed therebetween. The vertical data line 115 is formed.

여기서, 상기 두 배선(113, 115)의 교차지점에 액정을 구동하는 스위칭소자인 박막트랜지스터(T)가 형성된다. 이때, 박막트랜지스터(T)는 게이트전극(117)과 소스전극(119)및 드레인전극(122)과 액티브층(123)을 포함한다.Here, the thin film transistor T, which is a switching element for driving the liquid crystal, is formed at the intersection of the two wires 113 and 115. In this case, the thin film transistor T includes a gate electrode 117, a source electrode 119, a drain electrode 122, and an active layer 123.

상기 화소영역(P) 상에는 반사전극(121a)과 투명전극(121b)으로 구성된 반투과 화소전극(121)을 형성하며, 상기 반사전극(121a) 상부에 투명전극(121b)이 절연층을 사이에 두고 적층된 구조로 형성한다.The transflective pixel electrode 121 including the reflective electrode 121a and the transparent electrode 121b is formed on the pixel region P, and the transparent electrode 121b is disposed between the insulating layer 121b and the insulating layer. It is formed in a stacked structure.

이 때, 상기 임의의 화소영역에 형성된 반사전극(121a)은 근접한 화소영역(P)의 상부에 형성된 반사전극(121a)과 연결되며, 이러한 방식으로 일 방향으로 일체화된 반사전극(121a)은 액정패널의 외곽에 패턴된 공통배선(125)과 연결하여 형성한다.In this case, the reflective electrode 121a formed in the arbitrary pixel region is connected to the reflective electrode 121a formed above the adjacent pixel region P. The reflective electrode 121a integrated in one direction in this manner is a liquid crystal. It is formed by connecting with the common wiring 125 patterned on the outer side of the panel.

이때, 상기 반사전극(121)은 박막트랜지스터(T)의 공정과정 중 상기 게이트전극(117)과 동일층에 패턴되며, 상기 반사전극(121a)과 접촉하는 공통배선(125)은 드레인전극(122)과 드레인배선(115) 패턴시 콘택홀(127)을 통해 상기 반사전극(121a)과 연결된다.In this case, the reflective electrode 121 is patterned on the same layer as the gate electrode 117 during the process of the thin film transistor T, and the common wiring 125 contacting the reflective electrode 121a is the drain electrode 122. ) And the drain wiring 115 are connected to the reflective electrode 121a through the contact hole 127.

이하, 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a reflective transmissive liquid crystal display device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 6A to 6C.

도 6a 내지 도 6c는 도 5의 Ⅳ-Ⅳ와 Ⅴ-Ⅴ를 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정단면도이다.6A through 6C are cross-sectional views of the IV-V and the V-V of FIG. 5 and shown in a process sequence.

먼저, 도 6a에 도시한 바와 같이, 기판(111) 상에 알루미늄(Al), 알루미늄계 금속(AlNd)과 몰리브덴(Mo), 텅스텐(Mo)중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 게이트전극(117)과 추후에 형성되는 데이터배선과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트배선(도 5의 113)과, 상기 정의되는 화소영역(P)상에 "I"자형의 반사전극(121a)을 형성한다.First, as shown in FIG. 6A, one selected from aluminum (Al), aluminum-based metal (AlNd), molybdenum (Mo), and tungsten (Mo) is deposited and patterned on the substrate 111 to form a gate electrode 117. ) And a gate wiring (113 in FIG. 5) defining the pixel region P intersecting with the data wiring formed later, and a reflective electrode 121a having an "I" shape on the defined pixel region P. Form.

이때, 상기 임의의 화소영역 상에 구성한 반사전극(121a)은 근접한 화소의 영역 상에 구성한 반사전극과 연결되어 상기 게이트배선과 평행한 방향으로 일체화되도록 하며, 상기 액정패널의 양측 끝단은 상기 반사전극(121a)에서 연장된 접촉배선(121a')을 형성한다.In this case, the reflective electrode 121a formed on the arbitrary pixel region is connected to the reflective electrode formed on the region of the adjacent pixel so as to be integrated in a direction parallel to the gate wiring, and both ends of the liquid crystal panel are formed on the reflective electrode. The contact wiring 121a 'extending from 121a is formed.

다음으로, 상기 게이트전극(117)과 반사전극(121a)이 구성된 기판(111)의 전면에 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiO2)등이 포함된 무기절연물질과 벤조사이클로부텐(Benzocyclobuten)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)등이 포함된 유기절연물질 중 선택된 하나를 증착하여 게이트 절연막(126)을 형성한다.Next, an inorganic insulating material including silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (SiO 2 ), and the like, and benzocyclobuten (Benzocyclobuten) on the entire surface of the substrate 111 including the gate electrode 117 and the reflective electrode 121a. ) And a gate insulating layer 126 is formed by depositing one selected from an organic insulating material including an acrylic resin and the like.

다음으로, 상기 게이트전극(117)상부에 아일랜드 형태의 액티브층(123a)과 이와는 평면적으로 겹쳐진 오믹콘택(123b)층을 형성한다.Next, an island type active layer 123a and an ohmic contact 123b layer planarly overlap with the gate electrode 117 is formed.

상기 액티브층(123a)은 일반적으로 순수 비정질실리콘을 증착하여 형성하며, 상기 오믹콘택층(123b)은 n+ 또는 p+의 불순물이 함유된 비정질실리콘을 증착하여 형성한다.The active layer 123a is generally formed by depositing pure amorphous silicon, and the ohmic contact layer 123b is formed by depositing amorphous silicon containing n + or p + impurities.

다음으로, 도 6b에 도시한 바와 같이 액티브층을 패턴한 후, 상기 다수의 접촉배선(121a') 상부에 각각 제 1 콘택홀(127)을 형성한다.Next, after the active layer is patterned as shown in FIG. 6B, first contact holes 127 are formed on the plurality of contact wires 121a ′, respectively.

다음으로, 상기 제 1 콘택홀(127)이 형성된 기판(111)의 상부에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta)등의 도전성금속을 증착하고 패턴하여, 상기 액티브층의(123) 일측과 겹쳐지는 소스전극(119)과, 이와는 소정간격 이격된 드레인전극(122)과, 상기 소스전극(119)과 수직하여 일 방향으로 연장된 데이터배선(115)을 형성한다.Next, a conductive metal such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), or tantalum (Ta) is deposited and patterned on the substrate 111 on which the first contact hole 127 is formed, thereby forming the active layer 123. A source electrode 119 overlapping with one side, a drain electrode 122 spaced apart from each other by a predetermined interval, and a data line 115 extending in one direction perpendicular to the source electrode 119 are formed.

이와 동시에, 상기 액정패널(111)의 가장자리서, 상기 다수의 반사전극(121a)에서 연장된 다수의 접촉배선(121a')과 상기 제 1 콘택홀을 통해 연결되도록 공통배선(125)을 형성한다.At the same time, a common wiring 125 is formed at the edge of the liquid crystal panel 111 to be connected to the plurality of contact wirings 121a 'extending from the plurality of reflective electrodes 121a through the first contact hole. .

따라서, 상기 반사전극(121a')은 상기 공통배선(125)에 연결되어 일정한 공통전압이 인가되고 있는 구조이다.Accordingly, the reflective electrode 121a 'is connected to the common wiring 125 and has a constant common voltage applied thereto.

다음으로, 도 6c에 도시한 바와 같이, 상기 데이터배선(115)과공통배선(125)등이 형성된 기판(111)의 상부에 전술한 절연물질을 증착 또는 도포하여 보호층(129)을 형성한 후 패턴하여, 상기 드레인전극(122) 상부에 제 1 콘택홀인 드레인콘택홀(131)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6C, the protective layer 129 is formed by depositing or applying the above-described insulating material on the substrate 111 on which the data wiring 115, the common wiring 125, and the like are formed. Afterwards, a drain contact hole 131 that is a first contact hole is formed on the drain electrode 122.

다음으로, 상기 드레인콘택홀(131)이 패턴된 보호층(129)의 상부에 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide : ITO)등의 투명 도전성금속을 증착하고 패턴하여, 상기 드레인콘택홀(131)을 통해 상기 드레인전극(122)과 접촉하고, 상기 반사전극(121a)이 구성된 화소영역(P)에 구성되는 화소전극(121b)을 형성한다.Next, indium-tin-oxide (ITO) and indium-zinc-oxide (ITO) are formed on the protective layer 129 having the drain contact hole 131 patterned thereon. A pixel electrode 121b formed in a pixel region P formed by depositing and patterning a transparent conductive metal such as a metal, and making contact with the drain electrode 122 through the drain contact hole 131 and having the reflective electrode 121a formed thereon. ).

이와 같은 방법으로, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치를 제작할 수 있다.In this way, the reflective liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention can be manufactured.

본 발명의 구조에 따른 반사전극(121a)은 상기 투명전극(121b)과 직접 콘택하지 않아도, 상기 투명전극에 공급되는 화소전압에 영향을 미치지 덜 미치는 공통전압이 상기 공통배선(125)을 통해 균일하게 인가되기 때문에, 종래의 반사전극과투명전극의 콘택저항에 따른 인가전압의 차이에 의해 발생하는 잔상(residual image)을 없앨 수 있다.Although the reflective electrode 121a according to the structure of the present invention does not directly contact the transparent electrode 121b, a common voltage having less influence on the pixel voltage supplied to the transparent electrode is uniform through the common wiring 125. Since it is applied in such a way, it is possible to eliminate residual images generated by the difference in the applied voltage according to the contact resistance of the conventional reflective electrode and the transparent electrode.

또한, 상기 반사전극(121a)과 상부의 투명전극(121b)사이에 축정용량이 발생하여, 이를 보조용량으로 사용할 수 있으므로 기존의 구조에서와 같이 상기 보조용량을 위한 스토리지 캐패시터를 따로 설계할 필요가 없다.In addition, since the storage capacitance is generated between the reflective electrode 121a and the transparent electrode 121b on the upper side, it can be used as a storage capacitor, so it is necessary to design a storage capacitor for the storage capacitor separately as in the conventional structure. none.

따라서, 더욱 단순화된 공정으로 반사투과형 어레이기판을 제작할 수 있다.Therefore, the reflective array substrate can be manufactured by a simpler process.

전술한 바와 같은 반사전극은 다양한 방법으로 구성할 수 있으며, 이하 실시예 2와 실시예 3에서 이들 변형예를 설명한다.The reflective electrode as described above can be configured in various ways, and the second and third embodiments will be described below.

-- 제 2 실시예 --Second Embodiment

본 발명의 제 2 실시예는 상기 반사전극을 드레인전극 공정과 동일한 공정으로 형성한 어레이기판의 구조와 제조방법을 제안한다.The second embodiment of the present invention proposes a structure and a manufacturing method of an array substrate in which the reflective electrode is formed in the same process as the drain electrode process.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 확대 평면도이다.FIG. 7 is an enlarged plan view showing some pixels of an array substrate for a transflective liquid crystal display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 반사전극(121a)은 데이터배선(113)과 평행하게 일 방향으로 서로 연결되어 구성되며, 이와 같이 일 방향으로 일체화된 각 반사전극(121a)들은 액정패널의 상/하부에서 패널의 주변에 구성된 공통배선(125)과 동시에 연결된다.As shown, the reflective electrodes 121a are connected to each other in one direction in parallel with the data wiring 113, and each of the reflective electrodes 121a integrated in one direction is formed on the upper and lower portions of the liquid crystal panel. It is connected to the common wiring 125 configured in the vicinity of the same time.

이와 같은 구조를 가진 어레이기판의 제조방법을 이하 도 7a 내지 도 7c를 참조하여 설명한다.A method of manufacturing an array substrate having such a structure will be described below with reference to FIGS. 7A to 7C.

도 8a 내지 도 8c는 도 7의 Ⅷ-Ⅷ을 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정단면도이다. (참조번호는 도 5의 번호를 동일하게 사용한다)8A to 8C are cross-sectional views illustrating a process sequence of FIG. 7 taken along the line VIII-VIII. (Reference numbers use the same numbers in FIG. 5)

먼저, 도 8a에 도시한 바와 같이, 실시예 1에서 설명한 도전성금속을 증착하고 패턴하여, 게이트전극(117)과 게이트배선(113)을 형성하는 동시에 기판(111)의 외곽에 상기 게이트배선(113)과 평행한 공통배선(125)을 형성한다.First, as shown in FIG. 8A, the conductive metal described in Embodiment 1 is deposited and patterned to form a gate electrode 117 and a gate wiring 113, and at the same time, the gate wiring 113 on the periphery of the substrate 111. ) To form a common wiring 125 parallel to the.

상기 공통배선(125)은 추후에 형성하는 반사전극과 연결되어야 하므로, 상기 공통배선에서 상기 어레이기판(111)의 표시영역 방향으로 연장된 다수의접촉부(125')를 가진다.Since the common wiring 125 should be connected to a reflective electrode formed later, the common wiring 125 has a plurality of contact portions 125 ′ extending from the common wiring in the direction of the display area of the array substrate 111.

다음으로, 상기 게이트전극(117)과 게이트배선(113)과 공통배선(125)이 형성된 기판(111)의 전면에 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiO2)등이 포함된 무기절연물질과 벤조사이클로부텐(Benzocyclobuten)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)등이 포함된 유기절연물질 중 선택된 하나를 증착하여 게이트 절연막(126)을 형성한다.Next, an inorganic insulating material including silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (SiO 2 ), and the like on the entire surface of the substrate 111 on which the gate electrode 117, the gate wiring 113, and the common wiring 125 are formed. And one selected from organic insulating materials including benzocyclobuten, acryl-based resin, and the like, to form a gate insulating layer 126.

다음으로, 상기 게이트전극(117) 상부의 게이트절연막(126) 상에 전술한 바와 같은 순수 비정질실리콘과 불순물이 함유된 비정질실리콘을 각각 사용한 아일랜드 형태의 액티브층(123a)과 이와는 평면적으로 겹쳐진 오믹콘택층(123b)을 형성한다.Next, the island-like active layer 123a using pure amorphous silicon and amorphous silicon containing impurities as described above on the gate insulating layer 126 on the gate electrode 117 and the ohmic contact planarly overlapped therewith. Form layer 123b.

다음으로, 도 8b에 도시한 바와 같이 액티브층(123a)과 오믹콘택층(123b)을 포함하는 반도체층(123)을 패턴한 후, 상기 공통배선(125)에서 일 방향으로 소정길이 연장된 접촉배선의 상부에 제 1 콘택홀(127)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8B, the semiconductor layer 123 including the active layer 123a and the ohmic contact layer 123b is patterned, and then the contact extends a predetermined length in one direction from the common wiring 125. The first contact hole 127 is formed in the upper portion of the wiring.

다음으로, 상기 제 1 콘택홀(127)이 형성된 기판(111)의 상부에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta)등의 도전성금속을 증착하고 패턴하여, 상기 액티브층(123)의 일측과 겹쳐지는 소스전극(119)과, 이와는 소정간격 이격된 드레인전극(122)과, 상기 소스전극(119)과 수직하여 일 방향으로 연장되고 상기 게이트배선(113)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(115)을 형성한다.Next, a conductive metal such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), or tantalum (Ta) is deposited and patterned on the substrate 111 on which the first contact hole 127 is formed, thereby forming the active layer 123. A source electrode 119 overlapping with one side of the source electrode, a drain electrode 122 spaced apart from the predetermined distance, and extending in one direction perpendicular to the source electrode 119 and intersecting with the gate wiring 113. The data wiring 115 defining P) is formed.

이와 동시에, 상기 화소영역 상에 "I"자 형태의 반사전극(121a)을 형성한다.At the same time, a reflective electrode 121a having an “I” shape is formed on the pixel region.

이때, 상기 반사전극(121)은 근접한 화소의 반사전극과 연결되어 상기 데이터배선(115)과 평행하게 일 방향으로 형성되어, 상기 액정패널의 대향되는 양측에서 상기 다수의 제 1 콘택홀(127)을 통해 상기 공통배선(125)과 연결된다.In this case, the reflective electrode 121 is connected to the reflective electrode of the adjacent pixel and is formed in one direction in parallel with the data line 115 so that the plurality of first contact holes 127 are opposite to each other of the liquid crystal panel. It is connected to the common wiring 125 through.

다음으로, 도 8c에 도시한 바와 같이, 상기 데이터배선(115)과 반사전극(121a)등이 형성된 기판(111)의 상부에 전술한 절연물질을 증착 또는 도포하여 보호층(129)을 형성한 후 패턴하여, 상기 드레인전극(122)상부에 제 2 콘택홀인 드레인콘택홀(131)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8C, the protective layer 129 is formed by depositing or applying the above-described insulating material on the substrate 111 on which the data line 115 and the reflective electrode 121a and the like are formed. Afterwards, a drain contact hole 131 that is a second contact hole is formed on the drain electrode 122.

다음으로, 상기 드레인콘택홀(131)이 패턴된 보호층(129)의 상부에 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide :ITO)와 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide : IZO)등의 투명 도전성금속을 증착하고 패턴하여, 상기 드레인콘택홀(131)을 통해 상기 드레인전극(122)과 접촉하고 상기 반사전극(121a)의 상부로 연장하여 화소전극(121b)을 형성한다.Next, indium-tin-oxide (ITO) and indium-zinc-oxide (IZO) are formed on the protective layer 129 having the drain contact hole 131 patterned thereon. A transparent conductive metal, such as a metal, is deposited and patterned to contact the drain electrode 122 through the drain contact hole 131 and extend above the reflective electrode 121a to form a pixel electrode 121b.

이와 같은 방법으로 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치를 제작할 수 있다.In this way, a reflective liquid crystal display device according to a second exemplary embodiment of the present invention can be manufactured.

-- 제 3 실시예 --Third Embodiment

본 발명의 제 3 실시예는 상기 반사전극이 일 방향으로만 연장되지 않고, 상/하/좌/우 방향으로 연장된 구조와 그 제조방법을 제안한다.The third embodiment of the present invention proposes a structure in which the reflective electrode extends in up / down / left / right directions, not only extending in one direction, and a method of manufacturing the same.

도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 확대 평면도이다.FIG. 9 is an enlarged plan view illustrating some pixels of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예는 전술한 제 1 실시예와 제 2 실시예를 모두 채용한 구조로서, 화소영역(P)상에 구성된 반사전극(121a)은 근접한 화소에 구성된 반사전극(121a)과 모두 연결되는 구조이다.As shown in the drawing, the third embodiment of the present invention employs both the first and second embodiments described above, and the reflection electrode 121a formed on the pixel region P has a reflection formed on adjacent pixels. All of the electrodes 121a are connected to each other.

따라서, 근접한 두 반사전극을 연결하는 연결부위는 상기 게이트배선(113)과 데이터배선(115)에 모두 교차하는 구조이다.Accordingly, the connection portion connecting two adjacent reflective electrodes crosses the gate wiring 113 and the data wiring 115.

이하, 도 10a 내지 도 10c를 참조하여 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10A to 10C.

도 9의 구성과 같이 기판을 구성하기 위해 서는 상기 반사전극과 공통배선은 상기 게이트전극 또는 드레인전극의 패턴공정과 동일하게 구성할 수는 없다. 따라서, 본 실시예에서는 상기 반사전극을 상기 드레인전극을 구성한 후 형성하는 방법을 예시한다.In order to form a substrate as shown in FIG. 9, the reflective electrode and the common wiring may not be configured in the same manner as the pattern process of the gate electrode or the drain electrode. Therefore, the present embodiment illustrates a method of forming the reflective electrode after forming the drain electrode.

도 10a에 도시한 바와 같이, 기판 상에 전술한 도전성금속을 증착하고 패턴하여, 게이트전극과 게이트배선을 형성한다.As shown in FIG. 10A, the above-mentioned conductive metal is deposited and patterned on a substrate to form a gate electrode and a gate wiring.

다음으로, 상기 게이트전극(117)과 게이트배선(도 9의 113)이 형성된 기판 (111)상에 전술한 절연물질을 증착하여 게이트절연막(126)을 형성한다.Next, the above-described insulating material is deposited on the substrate 111 on which the gate electrode 117 and the gate wiring (113 of FIG. 9) are formed to form a gate insulating film 126.

상기 게이트전극(117)상부의 게이트절연막(126)상에 아일랜드 형태의 액티브층(123a)과 이와 평면적으로 겹쳐진 오믹콘택층(123b)을 형성한다.An island-type active layer 123a and an ohmic contact layer 123b overlapping with each other are formed on the gate insulating layer 126 on the gate electrode 117.

다음으로, 도 10b에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(123a)과 오믹콘택층(123b)을 포함한 반도체층(123)이 형성된 기판(111) 상에 전술한 도전성금속을 증착하고 패턴하여, 상기 반도체층(123)의 일측상부에 소스전극(119)과 이와는 소정간격 이격된 드레인전극(122)과, 상기 소스전극(119)과 수직으로 일방향으로 연장되고 상기 게이트배선(113)과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선(115)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 10B, the above-described conductive metal is deposited and patterned on the substrate 111 on which the semiconductor layer 123 including the active layer 123a and the ohmic contact layer 123b is formed. The source electrode 119 on one side of the semiconductor layer 123, the drain electrode 122 spaced apart from the predetermined distance, and extend in one direction perpendicular to the source electrode 119 and cross the gate wiring 113. The data line 115 defining an area is formed.

다음으로, 상기 드레인전극(122)과 데이터배선(115)등이 형성된 기판(111)상에 전술한 절연물질을 증착하여 제 1 보호층(129)을 형성한다.Next, the first insulating layer 129 is formed by depositing the above-described insulating material on the substrate 111 on which the drain electrode 122 and the data wiring 115 are formed.

다음으로, 도 10c에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 보호층(129)상에 반사율과 도전성이 뛰어난 알루미늄(Al)과 알루미늄(Al)계열의 도전성물질을 증착하고 패턴하여, 상기 화소영역(P) 상에 "I"자 형상의 반사전극(121a)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 10C, aluminum (Al) and aluminum (Al) based conductive materials having excellent reflectance and conductivity are deposited and patterned on the first protective layer 129 to form the pixel region P. FIG. ) Is formed on the reflection electrode 121a of the "I" shape.

이때, 상기 반사전극(121a)은 상/하/좌/우에 근접한 반사전극(121a)과 모두 연결하여 구성되고, 상기 액정패널의 외곽에는 상기 액정패널의 주변을 따라 형성된 사각형상의 공통배선(125)을 형성한다.In this case, the reflective electrode 121a is formed by connecting all of the reflective electrodes 121a close to the top / bottom / left / right, and the common common line 125 formed on the outer side of the liquid crystal panel along the periphery of the liquid crystal panel. To form.

이때, 상기 반사전극(121a)은 상기 공통배선(125)으로 연장되어 상기 공통배선(125)과 일체화하여 형성한다.In this case, the reflective electrode 121a extends to the common wiring 125 to be integrally formed with the common wiring 125.

이때, 상기 상/하/좌/우에서 반사전극(121a)을 연결하는 연결부(A)는 그 하부의 게이트배선(113)과 데이터배선(115)과 교차하여 형성되는 구조이다.In this case, the connecting portion A connecting the reflective electrodes 121a at the top, bottom, left, and right sides is formed to cross the gate wiring 113 and the data wiring 115 at the bottom thereof.

다음으로, 상기 반사전극(121a)과 공통배선(125)이 구성된 기판(111)상에 전술한 절연물질을 증착하여 제 2 보호층(129)을 형성한 후 패턴하여, 상기 드레인전극(122) 상부에 제 2 콘택홀인 드레인 콘택홀(131)을 형성한다.Next, a second protective layer 129 is formed by depositing the above-described insulating material on the substrate 111 including the reflective electrode 121a and the common wiring 125, and then patterning the drain electrode 122. A drain contact hole 131 that is a second contact hole is formed in the upper portion.

다음으로, 상기 드레인 콘택홀이 형성된 기판(111) 상에 전술한 바와 같은 투명도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 드레인 콘택홀(131)을 통해 상기 드레인전극(122)과 접촉하는 투명한 화소전극(121b)을 형성한다.Next, the transparent conductive metal as described above is deposited and patterned on the substrate 111 on which the drain contact hole is formed, and thus the transparent pixel electrode contacting the drain electrode 122 through the drain contact hole 131. 121b).

이와 같은 방법으로 본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.In this manner, an array substrate for a liquid crystal display device according to a third exemplary embodiment of the present invention can be manufactured.

전술한 제 1, 제 2, 제 3, 실시예에서는 상기 반사전극의 형태를 "I"자 형상을 예를 들어 설명하였지만, 이하 제 4 실시예에 도시한 바와 같이 다양하게 변형 가능하다.In the above-described first, second, third, and exemplary embodiments, the shape of the reflective electrode has been described by taking an “I” shape as an example, but various modifications can be made as shown in the fourth embodiment.

-- 제 4 실시예 --Fourth Embodiment

본 발명의 제 4 실시예에서는 전술한 제 1 내지 제 3 실시예에서 설명한 구조를 채용할 수 있는 전극의 변형 예를 이하 도면을 참조하여 설명한다.In the fourth embodiment of the present invention, a modification of the electrode that can employ the structure described in the first to third embodiments described above will be described with reference to the drawings.

도 11a 내지 도 11c와 도 12a 내지 도 12c는 본 발명에 따른 제 1 변형와 제 2 변형예에 따른 반사전극을 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 평면도이다.11A to 11C and FIGS. 12A to 12C are plan views illustrating some pixels of an array substrate for a transflective liquid crystal display including a reflective electrode according to a first modification and a second modification according to the present invention.

도시한 바와 같이, 도 11a 내지 도 11c에 도시한 투과반사형 화소전극(121)은 반사부(D)가 화소영역의 중앙에 구성되고, 투과부(E)가 상기 반사부(D)의 주변에 구성되는 형상이며, 도 12a 내지 도 12c는 투과부(E)가 화소영역의 중앙에 구성되고, 반사부(D)가 상기 투과부(E)의 주변에 구성된 형상을 예를 들어 설명한다.As shown in the drawing, the reflective reflection pixel electrode 121 shown in Figs. 11A to 11C has a reflecting portion D formed at the center of the pixel region, and the transmitting portion E is disposed around the reflecting portion D. 12A to 12C illustrate a shape in which the transmissive portion E is formed in the center of the pixel region and the reflecting portion D is formed around the transmissive portion E as an example.

도 11a 와 도 12a는 각각 전술한 제 1 실시예와 동일한 구성으로서, 각 반사전극(121a)은 게이트배선(113)과 게이트전극(117)을 구성할 때 동일한 공정으로 구성한다.11A and 12A are the same as those of the first embodiment described above, and each of the reflective electrodes 121a is configured in the same process when the gate wiring 113 and the gate electrode 117 are configured.

즉, 게이트배선(113)과 평행한 방향으로 근접한 반사전극(121a)이 연결되어일체화되는 형상으로 구성할 수 있다.That is, the reflective electrodes 121a which are adjacent to each other in a direction parallel to the gate wiring 113 may be connected and integrated.

다음으로, 도 11b와 도 12b는 각각 전술한 제 2 실시예와 동일한 구성으로, 상기 반사전극(121a)을 데이터배선(113)과 소스전극(119)및 드레인전극(122)을 구성할 때 동일한 공정으로 구성한다.Next, FIGS. 11B and 12B are the same as those of the above-described second embodiment, respectively, and are the same when the reflective electrode 121a forms the data wiring 113, the source electrode 119, and the drain electrode 122. It consists of a process.

즉, 데이터배선(113)과 평행한 방향으로 서로 근접한 반사전극(121a)이 연결되어 일체화되는 형상으로 구성할 수 있다.That is, the reflective electrodes 121a adjacent to each other in a direction parallel to the data line 113 may be connected and integrated.

다음으로, 도 11c와 도 12c는 각각 전술한 제 3 실시예와 동일한 구성으로, 반사전극은 상/하/좌/우/에 근접한 반사전극들과 모두 연결된 구조이다.Next, FIGS. 11C and 12C are the same as those of the above-described third embodiment, and the reflective electrodes are connected to all of the reflective electrodes close to the top, bottom, left, right and the like.

본 발명에 따른 제 4 실시예에서는 반사전극(121a)의 제 1 변형예와 제 2 변형예를 예를 들어 설명하였지만, 상기 반사전극의 형상이나, 상기 반사전극과 투과전극의 구성은 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형 가능하다.In the fourth embodiment according to the present invention, the first modified example and the second modified example of the reflective electrode 121a have been described by way of example. However, the shape of the reflective electrode and the configuration of the reflective electrode and the transmissive electrode may be described. Various modifications can be made without departing from the spirit of the invention.

따라서, 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시자치용 어레이기판은 반사전극을 첫째, 투명전극과 연결하지 않기 때문에 불필요한 콘택공정을 줄여 공정의 신뢰성을 높일 수 있는 효과가 있다.Therefore, the reflective transmissive liquid crystal display autonomous array substrate according to the present invention has an effect of reducing the unnecessary contact process because the reflective electrode is not first connected to the transparent electrode, thereby increasing the reliability of the process.

둘째, 상기 알루미늄재질의 반사전극과 투명전극이 접촉하여 발생하는 콘택저항의 불균일에 의한 액정캐패시터의 축적특성의 저하를 막을 수 있어, 균일한 화질을 얻을 수 있는 효과가 있다.Second, it is possible to prevent the deterioration of the accumulation characteristics of the liquid crystal capacitor due to the non-uniformity of the contact resistance generated by the contact between the reflective electrode and the transparent electrode of the aluminum material, it is possible to obtain a uniform image quality.

셋째, 상기 반사전극과 화소전극 사이에 보조용량이 형성되므로, 따로 스토리지 캐패시터를 설계할 필요가 없으므로, 공정단순화를 통한 액정표시장치의 수율을 향상시킬 수 있다.Third, since the storage capacitor is formed between the reflective electrode and the pixel electrode, it is not necessary to design a storage capacitor separately, and thus the yield of the liquid crystal display device can be improved by simplifying the process.

Claims (11)

기판과;A substrate; 상기 기판 상에 형성되고, 게이트전극과 소스전극과 드레인전극으로 구성된 스위칭소자와;A switching element formed on the substrate, the switching element comprising a gate electrode, a source electrode and a drain electrode; 상기 기판의 둘레에 구성되고, 공통전압을 인가하는 공통배선과;A common wiring formed around the substrate and configured to apply a common voltage; 상기 드레인전극과 연결되는 투명전극과, 상기 공통배선에 연결되는 반사전극으로 구성되어 반사부와 투과부로 정의된 화소전극A pixel electrode including a transparent electrode connected to the drain electrode and a reflective electrode connected to the common wiring, the pixel electrode being defined as a reflection part and a transmission part 을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.Array substrate for a liquid crystal display device comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투명전극과 반사전극은 절연층을 사이에 두고 구성되는 액정표시장치용 어레이기판.And the transparent electrode and the reflective electrode are formed with an insulating layer interposed therebetween. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사전극은 상기 게이트전극과 동일층에 구성된 액정표시장치용 어레이기판.And the reflective electrode is formed on the same layer as the gate electrode. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 반사전극은 상기 드레인전극과 동일층에 구성된 공통배선과 콘택홀을 통해 연결되는 액정표시장치용 어레이기판.And the reflective electrode is connected to the drain electrode through a common wiring and a contact hole formed on the same layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사전극은 상기 드레인전극과 동일층에 구성된 액정표시장치용 어레이기판.And the reflective electrode is formed on the same layer as the drain electrode. 제 1 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 반사전극은 상기 게이트전극과 동일층에 구성된 공통배선과 콘택홀을 통해 연결된 액정표시장치용 어레이기판.And the reflective electrode is connected to the gate electrode through a common wiring and a contact hole formed on the same layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사전극은 상기 공통배선과 동일층에 구성되고, 상기 공통배선으로 연장 형성된 액정표시장치용 어레이기판.And the reflective electrode is formed on the same layer as the common wiring and extends on the common wiring. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사전극은 반사율이 뛰어나고 도전성이 뛰어난 알루미늄과 알루미늄 합금등이 포함된 도전성금속 그룹 중 선택된 하나인 액정표시장치용 어레이기판.The reflective electrode is an array substrate for a liquid crystal display device which is selected from the group of conductive metals including aluminum and aluminum alloys having excellent reflectivity and excellent conductivity. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투명전극은 ITO 와 IZO등이 포함된 투명도전성 금속그룹 중 선택된 하나인 액정표시장치용 어레이기판.And the transparent electrode is one selected from a group of transparent conductive metals including ITO and IZO. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 반사부는 상기 투과부의 주변에 구성되도록 정의한 화소전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.An array substrate for a liquid crystal display device comprising a pixel electrode defined to be formed around the transmission portion. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사부는 상기 투과부의 중앙에 구성되도록 정의한 화소전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.And the reflective portion includes a pixel electrode defined to be formed at the center of the transmissive portion.
KR1020000048421A 2000-08-21 2000-08-21 method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same KR20020015228A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000048421A KR20020015228A (en) 2000-08-21 2000-08-21 method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000048421A KR20020015228A (en) 2000-08-21 2000-08-21 method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020015228A true KR20020015228A (en) 2002-02-27

Family

ID=19684281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000048421A KR20020015228A (en) 2000-08-21 2000-08-21 method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20020015228A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100417917B1 (en) * 2002-04-03 2004-02-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Transreflective type Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the same
KR100461485B1 (en) * 2001-04-16 2004-12-14 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Liquid crystal display device
US7126658B2 (en) 2003-04-21 2006-10-24 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display device and electronic apparatus having particular dot regions
KR100870667B1 (en) * 2002-09-19 2008-11-26 엘지디스플레이 주식회사 Trans-reflecting type in plane switching mode liquid crystal display device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100461485B1 (en) * 2001-04-16 2004-12-14 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Liquid crystal display device
US6891588B2 (en) 2001-04-16 2005-05-10 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
KR100417917B1 (en) * 2002-04-03 2004-02-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Transreflective type Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the same
KR100870667B1 (en) * 2002-09-19 2008-11-26 엘지디스플레이 주식회사 Trans-reflecting type in plane switching mode liquid crystal display device
US7126658B2 (en) 2003-04-21 2006-10-24 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display device and electronic apparatus having particular dot regions
KR100743743B1 (en) * 2003-04-21 2007-07-27 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Liquid crystal display device and electronic apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101293950B1 (en) Display substrate and display panel having the same
KR100433805B1 (en) method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same
KR100380142B1 (en) Transflective liquid crystal display device
JP4813164B2 (en) Thin film transistor display panel and liquid crystal display device including the same
KR20040062167A (en) Transflective type LCD and method for fabricating the same
US7072012B2 (en) Liquid crystal display device including data line divided into first and second branch lines and method of fabricating the same
KR100741537B1 (en) Transflective liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR100684578B1 (en) Method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same
KR20030071114A (en) Method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same
US20070040951A1 (en) Thin film tansistor display plate and liquid crystal display having the same
KR100408346B1 (en) method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same
KR100684577B1 (en) Method for fabricating Transflective liquid crystal display device and the same
KR20030057227A (en) method for fabricating a Transflective liquid crystal display device
KR101323477B1 (en) Liquid crystal display and fabricating method thereof
KR20050104542A (en) Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof
KR100685296B1 (en) Method of fabricating array substrate for transflective liquid crystal dispaly device
KR20070000123A (en) Transflective lcd and method for fabricating of the same
KR20060136093A (en) Transflective LCD and method for fabricating of the same
US7180563B2 (en) Array substrate and fabrication method for in-plane switching mode liquid crystal display device having pixel electrode overlapping common line and adjacent gate line
JP2008216607A (en) Liquid crystal display device
KR20020051455A (en) a method for fabricating reflective and transflective liquid crystal display device and the same
KR20020015228A (en) method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same
KR20010066244A (en) Liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR100656694B1 (en) Transflective liquid crystal display device
KR100918279B1 (en) Array substrate for LCD and method for fabricating of the same

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid