JP2003340799A - 微小駆動部品の製造方法 - Google Patents
微小駆動部品の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 梁部と基板との接着を防止することができる
微小駆動部品の製造方法を提供する。 【解決手段】 マイクロアクチュエータを製作する場合
は、Ｓｉ基板上に片持ち梁部を形成した後、Ｓｉ基板に
おける片持ち梁部の下側部分をエッチングする。このと
き、先ずＸｅＦ2ガスを導入し、このＸｅＦ2ガスにサン
プルの表面を所定時間さらしておく。これにより、Ｓｉ
基板にＸｅＦ2が吸着して化学反応が起こり、ＳｉＦ4及
びＸｅが生成される。次いで、真空ポンプにより所定の
到達真空度まで真空引きすることで、ＳｉＦ4及びＸｅ
を減圧排気する。以上により、１サイクルにおけるＳｉ
基板のエッチング処理が完了する。
微小駆動部品の製造方法を提供する。 【解決手段】 マイクロアクチュエータを製作する場合
は、Ｓｉ基板上に片持ち梁部を形成した後、Ｓｉ基板に
おける片持ち梁部の下側部分をエッチングする。このと
き、先ずＸｅＦ2ガスを導入し、このＸｅＦ2ガスにサン
プルの表面を所定時間さらしておく。これにより、Ｓｉ
基板にＸｅＦ2が吸着して化学反応が起こり、ＳｉＦ4及
びＸｅが生成される。次いで、真空ポンプにより所定の
到達真空度まで真空引きすることで、ＳｉＦ4及びＸｅ
を減圧排気する。以上により、１サイクルにおけるＳｉ
基板のエッチング処理が完了する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光スイッチ等に使
用される微小駆動部品を製造する微小駆動部品の製造方
法に関するものである。
用される微小駆動部品を製造する微小駆動部品の製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】初期状態で基板の裏面側に反るような梁
部を有する微小駆動部品（マイクロアクチュエータ）を
製作する方法としては、例えば、基板の表面に犠牲層を
介して梁部を形成した後、ウェットエッチングによって
梁部下の基板及び犠牲層を除去する方法がある。
部を有する微小駆動部品（マイクロアクチュエータ）を
製作する方法としては、例えば、基板の表面に犠牲層を
介して梁部を形成した後、ウェットエッチングによって
梁部下の基板及び犠牲層を除去する方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては、エッチング液や洗浄液の乾燥時に、
これら液体の表面張力によって梁部と基板とが接着して
しまい、梁部を基板から離すのが困難になることがあっ
た。
来技術においては、エッチング液や洗浄液の乾燥時に、
これら液体の表面張力によって梁部と基板とが接着して
しまい、梁部を基板から離すのが困難になることがあっ
た。
【０００４】本発明の目的は、梁部と基板との接着を防
止することができる微小駆動部品の製造方法を提供する
ことである。
止することができる微小駆動部品の製造方法を提供する
ことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、初期状態で基
板の裏面側に反るように基板に設けられた梁部を有する
微小駆動部品を製造する微小駆動部品の製造方法であっ
て、基板の表面部に梁部を形成する工程と、ＸｅＦ2ガ
スを導入して基板と化学反応させ、化学反応により発生
した生成物を減圧排気することにより、基板の表面側か
ら基板をエッチングして、梁部を基板の裏面側に反らせ
る工程とを含むことを特徴とするものである。
板の裏面側に反るように基板に設けられた梁部を有する
微小駆動部品を製造する微小駆動部品の製造方法であっ
て、基板の表面部に梁部を形成する工程と、ＸｅＦ2ガ
スを導入して基板と化学反応させ、化学反応により発生
した生成物を減圧排気することにより、基板の表面側か
ら基板をエッチングして、梁部を基板の裏面側に反らせ
る工程とを含むことを特徴とするものである。
【０００６】基板の材質がシリコン（Ｓｉ）である場
合、ＸｅＦ2ガスを導入すると、基板の表面部において
ＸｅＦ2とＳｉとが化学反応し、その結果ＳｉＦ4及びＸ
ｅが生成される。そして、これらの生成物を減圧排気す
ることで、梁部下の基板のエッチングが進んでいき、エ
ッチング面に沿って梁部が基板の裏面側に反るようにな
る。このようにウェットエッチングではなくＸｅＦ2ガ
スを用いて基板をエッチングすることにより、液体の表
面張力によって発生しやすい梁部と基板との接着を防止
することができる。また、ウェットエッチングを用いた
場合には、エッチング液等の液体乾燥時にかかる表面張
力やエッチング量を均一化するために、エッチング液等
を攪拌させることがあるが、この場合には、梁部に余計
な力が加わって梁部の変形が起こるため、梁部の反り量
を均一にするのが困難である。しかし本発明では、ウェ
ットエッチングを用いなくて済むので、梁部の反り量を
安定に保つこともできる。
合、ＸｅＦ2ガスを導入すると、基板の表面部において
ＸｅＦ2とＳｉとが化学反応し、その結果ＳｉＦ4及びＸ
ｅが生成される。そして、これらの生成物を減圧排気す
ることで、梁部下の基板のエッチングが進んでいき、エ
ッチング面に沿って梁部が基板の裏面側に反るようにな
る。このようにウェットエッチングではなくＸｅＦ2ガ
スを用いて基板をエッチングすることにより、液体の表
面張力によって発生しやすい梁部と基板との接着を防止
することができる。また、ウェットエッチングを用いた
場合には、エッチング液等の液体乾燥時にかかる表面張
力やエッチング量を均一化するために、エッチング液等
を攪拌させることがあるが、この場合には、梁部に余計
な力が加わって梁部の変形が起こるため、梁部の反り量
を均一にするのが困難である。しかし本発明では、ウェ
ットエッチングを用いなくて済むので、梁部の反り量を
安定に保つこともできる。
【０００７】好ましくは、ＸｅＦ2ガスを導入するとき
のガス圧を１〜５Ｔｏｒｒとする。これにより、最適な
量のＸｅＦ2ガスが梁部下の基板表面に到達するため、
エッチングレートが高くかつ効率の良いエッチングが可
能となる。
のガス圧を１〜５Ｔｏｒｒとする。これにより、最適な
量のＸｅＦ2ガスが梁部下の基板表面に到達するため、
エッチングレートが高くかつ効率の良いエッチングが可
能となる。
【０００８】また、好ましくは、基板をＸｅＦ2ガスに
連続的に６０〜３６０秒さらす。これにより、ＸｅＦ2
ガスが梁部下の基板の表面全体に確実に達するようにな
るため、梁部下の基板を均一にエッチングすることがで
きる。また、基板をＸｅＦ2ガスに連続的に長時間さら
すことは無いので、生産性が向上する。
連続的に６０〜３６０秒さらす。これにより、ＸｅＦ2
ガスが梁部下の基板の表面全体に確実に達するようにな
るため、梁部下の基板を均一にエッチングすることがで
きる。また、基板をＸｅＦ2ガスに連続的に長時間さら
すことは無いので、生産性が向上する。
【０００９】さらに、好ましくは、生成物を０．０１〜
０．５Ｔｏｒｒで減圧排気する。これにより、生成物が
短時間で確実に排気されるため、梁部下の基板のエッチ
ングがより促進されると共に、生産性が向上する。
０．５Ｔｏｒｒで減圧排気する。これにより、生成物が
短時間で確実に排気されるため、梁部下の基板のエッチ
ングがより促進されると共に、生産性が向上する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る微小駆動部品
の製造方法の好適な実施形態について図面を参照して説
明する。
の製造方法の好適な実施形態について図面を参照して説
明する。
【００１１】図１は、本発明に係る微小駆動部品の製造
方法が適用される光スイッチを示す垂直方向断面図であ
る。同図において、光スイッチ１は、ＯＮ／ＯＦＦスイ
ッチである。
方法が適用される光スイッチを示す垂直方向断面図であ
る。同図において、光スイッチ１は、ＯＮ／ＯＦＦスイ
ッチである。
【００１２】光スイッチ１は、Ｓｉ等からなる基板２を
有し、この基板２には光導波路３が設けられている。ま
た、基板２には、溝部４が光導波路３を分断するように
形成されている。基板２の上面には、Ｎｉ等からなる電
極５が設けられ、この電極５上には、ＳｉＯ2等からな
る絶縁層６が設けられている。
有し、この基板２には光導波路３が設けられている。ま
た、基板２には、溝部４が光導波路３を分断するように
形成されている。基板２の上面には、Ｎｉ等からなる電
極５が設けられ、この電極５上には、ＳｉＯ2等からな
る絶縁層６が設けられている。
【００１３】基板２の上部には、微小駆動部品（マイク
ロアクチュエータ）７が載置・固定されている。マイク
ロアクチュエータ７はＳｉ基板８を有し、このＳｉ基板
８には凹部８ａが形成されている。Ｓｉ基板８の表面
（下面）には、ＳｉＯ2等からなる絶縁層（犠牲層）９
が設けられ、この絶縁層９上には、Ｎｉ等からなる片持
ち梁１０が設けられている。片持ち梁１０は、その基端
部が絶縁層９に固着されていると共に、先端部が溝部４
の位置まで延びている。片持ち梁１０の先端部には、光
導波路３を通る光を遮断するミラー１１が固定されてい
る。このミラー１１は、片持ち梁１０と同様にＮｉ等で
形成されている。
ロアクチュエータ）７が載置・固定されている。マイク
ロアクチュエータ７はＳｉ基板８を有し、このＳｉ基板
８には凹部８ａが形成されている。Ｓｉ基板８の表面
（下面）には、ＳｉＯ2等からなる絶縁層（犠牲層）９
が設けられ、この絶縁層９上には、Ｎｉ等からなる片持
ち梁１０が設けられている。片持ち梁１０は、その基端
部が絶縁層９に固着されていると共に、先端部が溝部４
の位置まで延びている。片持ち梁１０の先端部には、光
導波路３を通る光を遮断するミラー１１が固定されてい
る。このミラー１１は、片持ち梁１０と同様にＮｉ等で
形成されている。
【００１４】片持ち梁１０と電極５とは、電圧源１２を
介して接続されている。そして、この電圧源１２により
片持ち梁１０と電極５との間に所定の電圧を印可するこ
とで、両者間に静電気力を発生させ、ミラー１１を上下
動させる。
介して接続されている。そして、この電圧源１２により
片持ち梁１０と電極５との間に所定の電圧を印可するこ
とで、両者間に静電気力を発生させ、ミラー１１を上下
動させる。
【００１５】このような光スイッチ１において、初期状
態では、図１に示すように、片持ち梁１０の先端側が、
基板８の凹部８ａ内に入り込むように基板８の上面（裏
面）側に反っている。この状態では、光導波路３を通る
信号光は、溝部４をそのままスルーする。一方、電圧源
１２により片持ち梁１０と電極５との間に所定の電圧を
印可すると、両者間に生じる静電気力によって片持ち梁
１０の先端側が電極５に引き寄せられ、これに伴ってミ
ラー１１が溝部４内に入り込む。この状態では、光導波
路３を通る光はミラー１１で反射される。
態では、図１に示すように、片持ち梁１０の先端側が、
基板８の凹部８ａ内に入り込むように基板８の上面（裏
面）側に反っている。この状態では、光導波路３を通る
信号光は、溝部４をそのままスルーする。一方、電圧源
１２により片持ち梁１０と電極５との間に所定の電圧を
印可すると、両者間に生じる静電気力によって片持ち梁
１０の先端側が電極５に引き寄せられ、これに伴ってミ
ラー１１が溝部４内に入り込む。この状態では、光導波
路３を通る光はミラー１１で反射される。
【００１６】図２は、マイクロアクチュエータ７の製作
方法の一例を示したものである。同図において、まずＳ
ｉ基板１３を用意し、このＳｉ基板１３上にエッチング
マスク（後でエッチングする部分が開口した層）１４を
形成する（図２（ａ）参照）。このとき、例えばフォト
リソグラフィー及びエッチングを用いて、Ｓｉ基板１３
の表面の一部分にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ア
モルファスシリコン等を形成して、エッチングマスク１
４とする。
方法の一例を示したものである。同図において、まずＳ
ｉ基板１３を用意し、このＳｉ基板１３上にエッチング
マスク（後でエッチングする部分が開口した層）１４を
形成する（図２（ａ）参照）。このとき、例えばフォト
リソグラフィー及びエッチングを用いて、Ｓｉ基板１３
の表面の一部分にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ア
モルファスシリコン等を形成して、エッチングマスク１
４とする。
【００１７】続いて、フォトリソグラフィー並びにエッ
チング、めっき、スパッタ、ＣＶＤ等を用いて、Ｓｉ基
板１３上に片持ち梁部１５を形成する（図２（ｂ）参
照）。このとき、めっきにより片持ち梁部１５を形成す
る場合は、片持ち梁部のフォトリソグラフィー後、開口
部にめっきを施すことにより行う。また、スパッタによ
る片持ち梁部１５の形成方法としては、片持ち梁部のフ
ォトリソグラフィー後、Ｓｉ基板１３の全面にスパッタ
を行い、レジストを除去するときに、レジスト上面のス
パッタを一緒に除去するリフトオフ法や、先にＳｉ基板
１３の全面にスパッタを行った後、片持ち梁部のフォト
リソグラフィーを行い、開口部下のスパッタ膜をエッチ
ングする方法がある。ＣＶＤによる片持ち梁部１５の形
成方法は、スパッタと同様である。
チング、めっき、スパッタ、ＣＶＤ等を用いて、Ｓｉ基
板１３上に片持ち梁部１５を形成する（図２（ｂ）参
照）。このとき、めっきにより片持ち梁部１５を形成す
る場合は、片持ち梁部のフォトリソグラフィー後、開口
部にめっきを施すことにより行う。また、スパッタによ
る片持ち梁部１５の形成方法としては、片持ち梁部のフ
ォトリソグラフィー後、Ｓｉ基板１３の全面にスパッタ
を行い、レジストを除去するときに、レジスト上面のス
パッタを一緒に除去するリフトオフ法や、先にＳｉ基板
１３の全面にスパッタを行った後、片持ち梁部のフォト
リソグラフィーを行い、開口部下のスパッタ膜をエッチ
ングする方法がある。ＣＶＤによる片持ち梁部１５の形
成方法は、スパッタと同様である。
【００１８】続いて、片持ち梁部１５上にミラー部１６
を形成する（図２（ｃ）参照）。このとき、例えばＳＲ
（シンクロトロン放射光）リソグラフィーによってＳｉ
基板１３の上部にレジストを形成した後、めっきにより
片持ち梁部１５上にミラー部１６を形成し、その後レジ
ストを剥離する。
を形成する（図２（ｃ）参照）。このとき、例えばＳＲ
（シンクロトロン放射光）リソグラフィーによってＳｉ
基板１３の上部にレジストを形成した後、めっきにより
片持ち梁部１５上にミラー部１６を形成し、その後レジ
ストを剥離する。
【００１９】続いて、Ｓｉ基板１３における片持ち梁部
１５の下側部分をエッチングする（図２（ｄ）参照）。
このエッチングは、図３に示すようなエッチング装置１
７を使用して行う。エッチング装置１７は、図２（ｃ）
に示すような構造をもったサンプル１８を収容するため
のチャンバ１９を有し、このチャンバ１９には、チャン
バ１９内を真空減圧するための真空ポンプ２０が開閉弁
２１を介して接続されている。また、チャンバ１９に
は、ＸｅＦ2（２フッ化キセノン）ガスをチャンバ１９
内に導入するためのＸｅＦ2ガス供給源２２が開閉弁２
３を介して接続されている。なお、ＸｅＦ2ガスは、容
易に凝固しないように３０〜６０℃程度まで加熱されて
いる。
１５の下側部分をエッチングする（図２（ｄ）参照）。
このエッチングは、図３に示すようなエッチング装置１
７を使用して行う。エッチング装置１７は、図２（ｃ）
に示すような構造をもったサンプル１８を収容するため
のチャンバ１９を有し、このチャンバ１９には、チャン
バ１９内を真空減圧するための真空ポンプ２０が開閉弁
２１を介して接続されている。また、チャンバ１９に
は、ＸｅＦ2（２フッ化キセノン）ガスをチャンバ１９
内に導入するためのＸｅＦ2ガス供給源２２が開閉弁２
３を介して接続されている。なお、ＸｅＦ2ガスは、容
易に凝固しないように３０〜６０℃程度まで加熱されて
いる。
【００２０】このようなエッチング装置１７によりＳｉ
基板１３のエッチングを行う場合は、まずサンプル１８
をチャンバ１９内の支持台（図示せず）に載置する。そ
の状態で、開閉弁２１を開き、真空ポンプ２０によりチ
ャンバ１９の内部を所定の到達真空度まで真空引きする
（図４のステップ１０１）。
基板１３のエッチングを行う場合は、まずサンプル１８
をチャンバ１９内の支持台（図示せず）に載置する。そ
の状態で、開閉弁２１を開き、真空ポンプ２０によりチ
ャンバ１９の内部を所定の到達真空度まで真空引きする
（図４のステップ１０１）。
【００２１】次いで、開閉弁２１を閉じると共に、開閉
弁２３を開き、ＸｅＦ2ガス供給源２２のＸｅＦ2ガスを
チャンバ１９の内部に導入する（図４のステップ１０
２）。そして、ＸｅＦ2ガスにサンプル１８の表面を連
続的に所定時間さらしておく（図４のステップ１０
３）。これにより、ＸｅＦ2ガスがサンプル１８の表面
部の開口部分（図２（ｃ）のＰ部分）を介してＳｉ基板
１３の表面に到達し、Ｓｉ基板１３にＸｅＦ2が吸着し
て下記の化学反応が起こり、Ｓｉ基板１３の表面部が分
解してガス化される。
弁２３を開き、ＸｅＦ2ガス供給源２２のＸｅＦ2ガスを
チャンバ１９の内部に導入する（図４のステップ１０
２）。そして、ＸｅＦ2ガスにサンプル１８の表面を連
続的に所定時間さらしておく（図４のステップ１０
３）。これにより、ＸｅＦ2ガスがサンプル１８の表面
部の開口部分（図２（ｃ）のＰ部分）を介してＳｉ基板
１３の表面に到達し、Ｓｉ基板１３にＸｅＦ2が吸着し
て下記の化学反応が起こり、Ｓｉ基板１３の表面部が分
解してガス化される。
【００２２】Ｓｉ＋２ＸｅＦ2→ＳｉＦ4＋２Ｘｅ
次いで、開閉弁２３を閉じると共に、開閉弁２１を開
き、再び真空ポンプ２０によりチャンバ１９の内部を所
定の到達真空度まで真空引きする（図４のステップ１０
４）。これにより、上記の化学反応によって発生したガ
ス（生成物）であるＳｉＦ4及びＸｅが減圧排気され、
１サイクルにおけるエッチング処理が完了する。
き、再び真空ポンプ２０によりチャンバ１９の内部を所
定の到達真空度まで真空引きする（図４のステップ１０
４）。これにより、上記の化学反応によって発生したガ
ス（生成物）であるＳｉＦ4及びＸｅが減圧排気され、
１サイクルにおけるエッチング処理が完了する。
【００２３】このような図４のステップ１０２〜１０４
の工程は、複数サイクル繰り返して行う。これにより、
図５に示すように、サンプル１８の表面部の開口部分Ｐ
から開始されたＳｉ基板１３のエッチングが、徐々に片
持ち梁部１５の下側部分に回り込んで行われるようにな
り、片持ち梁部１５下のＳｉ基板１３のエッチングが進
行していく。そして、これに伴って片持ち梁部１５の先
端側が下がっていく。つまり、片持ち梁部１５が、エッ
チング面に沿ってＳｉ基板１３の裏面側に反るようにな
る。
の工程は、複数サイクル繰り返して行う。これにより、
図５に示すように、サンプル１８の表面部の開口部分Ｐ
から開始されたＳｉ基板１３のエッチングが、徐々に片
持ち梁部１５の下側部分に回り込んで行われるようにな
り、片持ち梁部１５下のＳｉ基板１３のエッチングが進
行していく。そして、これに伴って片持ち梁部１５の先
端側が下がっていく。つまり、片持ち梁部１５が、エッ
チング面に沿ってＳｉ基板１３の裏面側に反るようにな
る。
【００２４】ここで、図４のステップ１０２の工程にお
いては、ＸｅＦ2ガスを導入するときの供給圧（ガス
圧）を、１〜５Ｔｏｒｒとするのが好ましい。これによ
り、十分な量のＸｅＦ2ガスが片持ち梁部１５下のエッ
チング面に到達するので、エッチングレートが高くな
る。また、ＸｅＦ2がＳｉ基板１３に過剰に吸着するこ
とは無いため、Ｓｉ基板１３を効率良くエッチングする
ことができる。
いては、ＸｅＦ2ガスを導入するときの供給圧（ガス
圧）を、１〜５Ｔｏｒｒとするのが好ましい。これによ
り、十分な量のＸｅＦ2ガスが片持ち梁部１５下のエッ
チング面に到達するので、エッチングレートが高くな
る。また、ＸｅＦ2がＳｉ基板１３に過剰に吸着するこ
とは無いため、Ｓｉ基板１３を効率良くエッチングする
ことができる。
【００２５】また、図４のステップ１０３の工程におい
ては、サンプル１８をＸｅＦ2ガスにさらしておく時間
を、１サイクルで６０〜３６０秒とするのが好ましい。
これにより、ＸｅＦ2ガスが片持ち梁部１５下のエッチ
ング面全体に達し、その状態で上記の化学反応が進むた
め、より高いエッチングレートが確保されると共に、エ
ッチングむらが形成されることはほとんど無い。従っ
て、片持ち梁部１５下のＳｉ基板１３の表面全体を均一
にエッチングすることができる。また、１回のサイクル
中でサンプル１８をＸｅＦ2ガスにさらす時間は比較的
短いので、生産性が向上する。
ては、サンプル１８をＸｅＦ2ガスにさらしておく時間
を、１サイクルで６０〜３６０秒とするのが好ましい。
これにより、ＸｅＦ2ガスが片持ち梁部１５下のエッチ
ング面全体に達し、その状態で上記の化学反応が進むた
め、より高いエッチングレートが確保されると共に、エ
ッチングむらが形成されることはほとんど無い。従っ
て、片持ち梁部１５下のＳｉ基板１３の表面全体を均一
にエッチングすることができる。また、１回のサイクル
中でサンプル１８をＸｅＦ2ガスにさらす時間は比較的
短いので、生産性が向上する。
【００２６】さらに、図４のステップ１０４の工程にお
いては、上記の化学反応によって発生したＳｉＦ4及び
Ｘｅを０．０１〜０．５Ｔｏｒｒで減圧排気するのが好
ましい。これにより、ＳｉＦ4及びＸｅがチャンバ１９
内にほとんど残ることなく確実に排気されるため、Ｓｉ
基板１３のエッチングが促進される。また、ＳｉＦ4及
びＸｅが比較的短時間で排気されるため、生産性の面で
有利である。
いては、上記の化学反応によって発生したＳｉＦ4及び
Ｘｅを０．０１〜０．５Ｔｏｒｒで減圧排気するのが好
ましい。これにより、ＳｉＦ4及びＸｅがチャンバ１９
内にほとんど残ることなく確実に排気されるため、Ｓｉ
基板１３のエッチングが促進される。また、ＳｉＦ4及
びＸｅが比較的短時間で排気されるため、生産性の面で
有利である。
【００２７】以上のようにしてＳｉ基板１３における片
持ち梁部１５の下側部分をエッチングすることで、最終
的に、初期状態において片持ち梁１０がＳｉ基板８の裏
面側に反った構造を有するマイクロアクチュエータ７が
形成される。
持ち梁部１５の下側部分をエッチングすることで、最終
的に、初期状態において片持ち梁１０がＳｉ基板８の裏
面側に反った構造を有するマイクロアクチュエータ７が
形成される。
【００２８】以上のように本実施形態にあっては、Ｓｉ
基板１３の表面部に片持ち梁部１５を形成した後、Ｘｅ
Ｆ2ガスを導入してＳｉ基板１３の表面部に化学反応を
起こさせ、これによって生成されたＳｉＦ4及びＸｅを
減圧排気して、片持ち梁部１５下のＳｉ基板１３をエッ
チングするので、ウェットエッチングを用いた場合に生
じやすい片持ち梁部１５とＳｉ基板１３との接着を防止
することができる。また、このようなマイクロアクチュ
エータの製作時に片持ち梁部１５の変形が起きることは
ほとんど無いため、初期状態における片持ち梁部１５の
反り量を安定に保つことができる。
基板１３の表面部に片持ち梁部１５を形成した後、Ｘｅ
Ｆ2ガスを導入してＳｉ基板１３の表面部に化学反応を
起こさせ、これによって生成されたＳｉＦ4及びＸｅを
減圧排気して、片持ち梁部１５下のＳｉ基板１３をエッ
チングするので、ウェットエッチングを用いた場合に生
じやすい片持ち梁部１５とＳｉ基板１３との接着を防止
することができる。また、このようなマイクロアクチュ
エータの製作時に片持ち梁部１５の変形が起きることは
ほとんど無いため、初期状態における片持ち梁部１５の
反り量を安定に保つことができる。
【００２９】なお、本発明に係る微小駆動部品の製造方
法は、上記実施形態に限定されるものではない。例え
ば、上記実施形態は、Ｓｉ基板８上に片持ち梁１０が設
けられたマイクロアクチュエータ７を製作するものであ
るが、本発明は、Ｓｉ以外の材質からなる基板上に片持
ち梁が設けられたマイクロアクチュエータの製作方法に
も適用可能である。
法は、上記実施形態に限定されるものではない。例え
ば、上記実施形態は、Ｓｉ基板８上に片持ち梁１０が設
けられたマイクロアクチュエータ７を製作するものであ
るが、本発明は、Ｓｉ以外の材質からなる基板上に片持
ち梁が設けられたマイクロアクチュエータの製作方法に
も適用可能である。
【００３０】また、本発明は、上記の光スイッチに限ら
ず、例えばマイクロバルブ等のように、初期状態で基板
の裏面側に反るように基板に設けられた梁部を有する微
小駆動部品に係るものであれば、適用可能である。
ず、例えばマイクロバルブ等のように、初期状態で基板
の裏面側に反るように基板に設けられた梁部を有する微
小駆動部品に係るものであれば、適用可能である。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、ＸｅＦ2ガスを導入し
て基板と化学反応させ、化学反応により発生した生成物
を減圧排気することにより、基板の表面側から基板をエ
ッチングして、梁部を基板の裏面側に反らせるので、梁
部と基板との接着を防止することができる。
て基板と化学反応させ、化学反応により発生した生成物
を減圧排気することにより、基板の表面側から基板をエ
ッチングして、梁部を基板の裏面側に反らせるので、梁
部と基板との接着を防止することができる。
【図１】本発明に係る微小駆動部品の製造方法が適用さ
れる光スイッチを示す垂直方向断面図である。
れる光スイッチを示す垂直方向断面図である。
【図２】図１に示すマイクロアクチュエータの製作方法
の一例を示す図である。
の一例を示す図である。
【図３】図２（ｄ）に示すエッチング処理に使用される
エッチング装置の概略構成図である。
エッチング装置の概略構成図である。
【図４】図３に示すエッチング装置を使用してＳｉ基板
をエッチングする工程を示すフローチャートである。
をエッチングする工程を示すフローチャートである。
【図５】図２に示すＳｉ基板がエッチングされる様子を
示す図である。
示す図である。
７…マイクロアクチュエータ（微小駆動部品）、８…Ｓ
ｉ基板、１０…片持ち梁（梁部）、１３…Ｓｉ基板、１
５…片持ち梁部。
ｉ基板、１０…片持ち梁（梁部）、１３…Ｓｉ基板、１
５…片持ち梁部。
Claims (4)
- 【請求項１】 初期状態で基板の裏面側に反るように前
記基板に設けられた梁部を有する微小駆動部品を製造す
る微小駆動部品の製造方法であって、 前記基板の表面部に前記梁部を形成する工程と、 ＸｅＦ2ガスを導入して前記基板と化学反応させ、前記
化学反応により発生した生成物を減圧排気することによ
り、前記基板の表面側から前記基板をエッチングして、
前記梁部を前記基板の裏面側に反らせる工程とを含むこ
とを特徴とする微小駆動部品の製造方法。 - 【請求項２】 前記ＸｅＦ2ガスを導入するときのガス
圧を１〜５Ｔｏｒｒとすることを特徴とする請求項１記
載の微小駆動部品の製造方法。 - 【請求項３】 前記基板を前記ＸｅＦ2ガスに連続的に
６０〜３６０秒さらすことを特徴とする請求項１または
２記載の微小駆動部品の製造方法。 - 【請求項４】 前記生成物を０．０１〜０．５Ｔｏｒｒ
で減圧排気することを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か一項記載の微小駆動部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002153005A JP2003340799A (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | 微小駆動部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002153005A JP2003340799A (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | 微小駆動部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003340799A true JP2003340799A (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=29770192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002153005A Pending JP2003340799A (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | 微小駆動部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003340799A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101840884A (zh) * | 2009-03-19 | 2010-09-22 | 东京毅力科创株式会社 | 衬底的蚀刻方法以及系统 |
| US8399349B2 (en) | 2006-04-18 | 2013-03-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | Materials and methods of forming controlled void |
| WO2017022086A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、エッチング方法、及び基板処理装置並びに記録媒体 |
| WO2017026001A1 (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
-
2002
- 2002-05-27 JP JP2002153005A patent/JP2003340799A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8399349B2 (en) | 2006-04-18 | 2013-03-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | Materials and methods of forming controlled void |
| US8846522B2 (en) | 2006-04-18 | 2014-09-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Materials and methods of forming controlled void |
| CN101840884A (zh) * | 2009-03-19 | 2010-09-22 | 东京毅力科创株式会社 | 衬底的蚀刻方法以及系统 |
| US8440568B2 (en) | 2009-03-19 | 2013-05-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate etching method and system |
| WO2017022086A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、エッチング方法、及び基板処理装置並びに記録媒体 |
| WO2017026001A1 (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
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