JP2003338079A - 光学的情報記録媒体及びその光学測定方法及び光学的情報記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の多層の光学的情報記録媒体では、レー
ザ入射側から見て奥の情報層に記録を行う場合、手前の
情報層の状態の影響を受ける可能性があった。 【解決手段】 ２層の情報層２，３を有し、レーザ光が
情報層２，３のいずれかに集束して照射されることによ
って情報信号が記録再生される光学的情報記録媒体であ
って、レーザ光の入射側から見て最も遠い情報層３より
も手前に位置する情報層２が、光学的に検知しうる２つ
の状態間で変化する記録層を有し、前記記録層が状態ａ
の場合の前記手前に位置する情報層２の透過率をT_c、状
態ｂの場合の透過率をT_aとするとき、 ０≦|T_c-T_a|/T_c≦0.1 とする。これによって、手前の情報層の記録・未記録に
かかわらず奥の情報層に情報を正確に記録再生すること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクなどの
光学的情報記録媒体等に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光学的に情報を記録する媒体とし
て、光ディスク、光カード、光テープなどが提案・開発
されている。その中でも光ディスクは、大容量かつ高密
度に情報を記録・再生できる媒体として注目されてい
る。

【０００３】書き換え型光ディスクの一つの方式に相変
化型光ディスクがある。相変化型光ディスクに用いる記
録膜は、レーザ光による加熱条件および冷却条件によっ
てアモルファス状態と結晶状態のいずれかの状態にな
り、かつ２つの状態に可逆性がある。また、アモルファ
ス状態と結晶状態では記録膜の光学定数が異なる。相変
化型光ディスクでは、情報信号に応じて選択的に２つの
状態を記録膜に形成し、この結果生じる光学的変化（す
なわち、透過率または反射率の変化）を利用して情報信
号の記録・再生を行う。上記の２つの状態を得るため
に、以下のような方法で情報信号を記録する。

【０００４】記録膜の温度を融点以上に上昇させるパワ
ー（これをピークパワーと呼ぶ）で光ディスクの記録膜
にパルス状に照射すると、レーザ光の通過とともに溶融
部分は急速に冷却されてアモルファス状態の記録マーク
になる。また、記録膜の温度を結晶化温度以上かつ融点
以下の温度まで上昇させる程度の強度のレーザ光（これ
をバイアスパワーと呼ぶ）を集束して照射すると、照射
部の記録膜は結晶状態になる。

【０００５】さらに、近年、光ディスクの高密度化が強
く要求されている。それに伴って、ディスクの厚さ方向
に２層以上の情報層を有し、各情報層に対して情報を記
録再生できる多層記録媒体が提案されている（例えば特
許文献１参照）。

【０００６】

【特許文献１】特開平１１−３９６５７号公報

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法でレーザ入射側から見て奥の情報層に記録を行う場
合、手前の情報層の状態の影響を受ける可能性があっ
た。

【０００８】例えば、情報記録層の記録再生領域に信号
が記録されているか否かで、その層の透過率が異なる。
従って、奥の情報層で記録を行う際に、手前の情報記録
層上でのレーザスポット中に占めるアモルファス領域と
結晶領域との割合によって、奥の情報層に到達するレー
ザ光の光量が変化するために正確な記録ができないとい
う課題を有していた。

【０００９】さらに、奥の情報層のデータを再生する場
合でも、手前の情報層の記録状態によって透過率が変化
するために、再生信号の品質が低下する課題を有してい
た。

【００１０】本発明はこれら従来の課題を解決するもの
で、多層記録媒体の奥の情報層で正確にデータを記録再
生できる光学的情報記録媒体等を提供することを目的と
する。

【００１１】

【課題を解決するための手段】第１の本発明は、２層の
情報層を有し、レーザ光が前記情報層のいずれかに集束
して照射されることによって情報信号が記録再生される
光学的情報記録媒体であって、前記レーザ光の入射側か
ら見て最も遠い情報層よりも手前に位置する情報層が、
光学的に検知しうる２つの状態間で変化する記録層を有
し、前記記録層が状態ａの場合の前記手前に位置する情
報層の透過率をT_c、状態ｂの場合の透過率をT_aとすると
き、

【００１２】

【数１】０≦|T_c-T_a|/T_c≦0.1 となる構成を有する光学的情報記録媒体である。

【００１３】第２の本発明は、３層以上の情報層を有
し、レーザ光が前記情報層のいずれかに集束して照射さ
れることによって情報信号が記録再生される光学的情報
記録媒体であって、前記レーザ光の入射側から見て最も
遠い情報層よりも手前に位置する複数の情報層がそれぞ
れ、光学的に検知しうる２つの状態間で変化する記録層
を有し、前記複数の情報層が有する各記録層がいずれも
状態ａの場合の、前記複数の情報層の合成透過率をT_c、
前記複数の情報層の合成透過率が最小となる、前記各記
録層の状態の組み合わせの場合の、その合成透過率をT
_min、前記複数の情報層の合成透過率が最大となる、前
記各記録層の状態の組み合わせの場合の、その合成透過
率をT_maxとするとき、

【００１４】

【数２】 ０≦|T_c-T_min|/T_c≦0.1 且つ ０≦|T_c-T_max|/T_c≦0.1 となる構成を有する光学的情報記録媒体である。

【００１５】第３の本発明は、さらに、

【００１６】

【数３】(T_a+T_c)/2≧0.4 となる構成を有する第１の本発明の光学的情報記録媒体
である。

【００１７】第４の本発明は、前記レーザ光の入射側か
ら見て最も遠い情報層よりも手前に位置する情報層の有
する前記記録層が状態ａの場合の前記記録層の吸収率を
A_c[%]、状態ｂの場合の吸収率をA_a[%]とし、前記記録層
が状態ａの場合の前記手前に位置する情報層の反射率を
R_c[%]、状態ｂの場合の反射率をR_a[%]とするとき、

【００１８】

【数４】A_c＜A_a かつ R_c＞R_a、あるいは、 A_c＞A_a かつ R_c＜R_a となる構成を有する第１又は３の本発明の光学的情報記
録媒体である。

【００１９】第５の本発明は、前記レーザ光の入射側か
ら見て最も遠い情報層よりも手前に位置する情報層が、
少なくとも第１の誘電体層、相変化記録層、第２の誘電
体層、金属反射層を有し、前記各層は入射側から前記第
１の誘電体層、前記相変化記録層、前記第２の誘電体
層、前記金属反射層の順序で配置されている第３の本発
明の光学的情報記録媒体である。

【００２０】第６の本発明は、前記レーザ光の波長を39
0nm〜430nmの範囲とし、前記金属反射層がAg、もしくは
Agを主成分とする合金からなり、前記相変化記録層の厚
さをｔ_a[nm]、前記金属反射層の厚さをｔ_b[nm]とする
と、

【００２１】

【数５】ｔ_b≦18 のとき ｔ_a≦12 18＜ｔ_b≦22 のとき ｔ_a≦10 22＜ｔ_b≦30 のとき ｔ_a≦32−ｔ_b となる構成を有する第５の本発明の光学的情報記録媒体
である。

【００２２】第６の本発明は、前記レーザ光の入射側か
ら見て最も遠い情報層よりも手前に位置する情報層が、
少なくとも第１の誘電体層、相変化記録層、第２の誘電
体層、金属反射層、第３の誘電体層を有し、前記各層は
入射側から前記第１の誘電体層、前記相変化記録層、前
記第２の誘電体層、前記金属反射層、前記第３の誘電体
層の順序で配置されている第３の本発明の光学的情報記
録媒体である。

【００２３】第８の本発明は、前記レーザ光の波長を39
0nm〜430nmの範囲とし、前記金属反射層が少なくともA
g、もしくはAgを主成分とする合金からなり、前記相変
化記録層の厚さをｔ_a[nm]、前記金属反射層の厚さをｔ_b
[nm]とするとき、

【００２４】

【数６】ｔ_b≦18 のとき ｔ_a≦12 16＜ｔ_b≦18 のとき ｔ_a≦38−ｔ_b 18＜ｔ_b≦20 のとき ｔ_a≦10 20＜ｔ_b≦24 のとき ｔ_a≦30−ｔ_b 24＜ｔ_b≦26 のとき ｔ_a≦28−ｔ_b となる構成を有する第７の本発明の光学的情報記録媒体
である。

【００２５】第９の本発明は、前記レーザ光の入射側か
ら見て最も遠い情報層よりも手前に位置する情報層の有
する前記記録層が結晶の場合の前記相変化記録層の吸収
率をA_c[%]、アモルファスの場合の吸収率をA_a[%]とし、
前記記録層が結晶の場合の前記情報層の反射率をR
_c[%]、アモルファスの場合の反射率をR_a[%]とすると
き、

【００２６】

【数７】A_c＜A_a かつ R_c＞R_a、あるいは、 A_c＞A_a かつ R_c＜R_a となる構成を有する第５〜８のいずれかの本発明の光学
的情報記録媒体である。

【００２７】また、本発明に係る第１の光学測定方法
は、例えば次の第１０の本発明である。

【００２８】第１０の本発明は、２層の情報層を有し、
レーザ光が前記情報層のいずれかに集束されることによ
って情報信号が記録再生され、前記レーザ光の入射側か
ら見て最も遠い情報層よりも手前に位置する情報層が、
光学的に検知しうる２つの状態間で変化する記録層を有
する光学的情報記録媒体に、前記レーザ光を収束し、前
記情報層のいずれかによって反射された前記レーザ光を
光検出器によって受光し、透過率変化を測定する光学測
定方法であって、前記手前に位置する情報層に含まれる
記録層の、前記レーザ光が透過する領域が状態ａである
ときに、前記手前に位置する情報層を透過し、前記最も
遠い情報層によって反射された後前記手前に位置する情
報層を再び透過して前記光学的情報記録媒体から出た前
記レーザ光の強度をＳ_aとして前記光検出器によって測
定するステップと、前記手前に位置する情報層に含まれ
る記録層の、前記レーザ光が透過する領域の一部又は全
部が状態ｂであるときに、前記手前に位置する情報層を
透過し、前記最も遠い情報層によって反射された後前記
手前に位置する情報層を再び透過して前記光学的情報記
録媒体から出た前記レーザ光の強度をＳ_bとして前記光
検出器によって測定するステップと、前記Ｓ_aとＳ_bを基
に前記手前に位置する情報層の透過率変化を導出するス
テップとを備えた光学測定方法である。

【００２９】第１１の本発明は、３層以上の情報層を有
し、レーザ光が前記情報層のいずれかに集束されること
によって情報信号が記録再生され、前記レーザ光の入射
側から見て最も遠い情報層よりも手前に位置する複数の
情報層が、光学的に検知しうる２つの状態間で変化する
記録層を有する光学的情報記録媒体に、前記レーザ光を
収束し、前記情報層のいずれかによって反射された前記
レーザ光を光検出器によって受光し、透過率変化を測定
する光学測定方法であって、前記手前に位置する複数の
情報層の合成透過率が最小となる、前記記録層の状態の
組み合わせの場合を場合ａとし、前記手前に位置する複
数の情報層の合成透過率が最大となる、前記記録層の状
態の組み合わせの場合を場合ｂとし、前記手前に位置す
る複数の情報層に含まれる各記録層の状態の組み合わせ
が前記場合ａであるときに、前記手前に位置する複数の
情報層を透過し、その透過した情報層より奥にある所定
の情報層によって反射された後前記手前に位置する複数
の情報層を再び透過して前記光学的情報記録媒体から出
た前記レーザ光の強度をＳ_aとして前記光検出器によっ
て測定するステップと、前記手前に位置する複数の情報
層に含まれる記録層の状態の組み合わせが前記状態ｂで
あるときに、前記手前に位置する複数の情報層を透過
し、前記最も遠い情報層によって反射された後前記手前
に位置する複数の情報層を再び透過して前記光学的情報
記録媒体から出た前記レーザ光の強度をＳ_bとして前記
光検出器によって測定するステップと、前記Ｓ_aとＳ_bを
基に前記手前に位置する複数の情報層の透過率変化を導
出するステップとを備えた光学測定方法である。

【００３０】第１２の本発明は、２層の情報層を有し、
レーザ光が前記情報層のいずれかに集束されることによ
って情報信号が記録再生され、前記レーザ光の入射側か
ら見て最も遠い情報層よりも手前に位置する情報層が、
光学的に検知しうる２つの状態間で変化する記録層を有
する光学的情報記録媒体に、前記レーザ光を収束し、前
記情報層のいずれかによって反射された前記レーザ光を
光検出器によって受光し、前記レーザ光の強度変化を測
定する光学測定方法であって、前記手前に位置する情報
層に含まれる記録層の、前記レーザ光が透過する領域が
状態ａであるときに、前記手前に位置する情報層を透過
し、前記最も遠い情報層によって反射された後前記手前
に位置する情報層を再び透過して前記光学的情報記録媒
体から出た前記レーザ光の強度をＳ_aとして前記光検出
器によって測定するステップと、前記手前に位置する情
報層に含まれる記録層の、前記レーザ光が透過する領域
の一部又は全部が状態ｂであるときに、前記手前に位置
する情報層を透過し、前記最も遠い情報層によって反射
された後前記手前に位置する情報層を再び透過して前記
光学的情報記録媒体から出た前記レーザ光の強度をＳ_b
として前記光検出器によって測定するステップと、前記
Ｓ_aとＳ_bを基に前記レーザ光の強度変化を導出するステ
ップとを備えた光学測定方法である。

【００３１】第１３の本発明は、３層以上の情報層を有
し、レーザ光が前記情報層のいずれかに集束されること
によって情報信号が記録再生され、前記レーザ光の入射
側から見て最も遠い情報層よりも手前に位置する複数の
情報層が、光学的に検知しうる２つの状態間で変化する
記録層を有する光学的情報記録媒体に、前記レーザ光を
収束し、前記情報層のいずれかによって反射された前記
レーザ光を光検出器によって受光し、前記レーザ光の強
度変化を測定する光学測定方法であって、前記手前に位
置する複数の情報層の合成透過率が最小となる、前記記
録層の状態の組み合わせの場合を場合ａとし、前記手前
に位置する複数の情報層の合成透過率が最大となる、前
記記録層の状態の組み合わせの場合を場合ｂとし、前記
手前に位置する複数の情報層に含まれる各記録層の状態
の組み合わせが前記場合ａであるときに、前記手前に位
置する複数の情報層を透過し、その透過した情報層より
奥にある所定の情報層によって反射された後前記手前に
位置する複数の情報層を再び透過して前記光学的情報記
録媒体から出た前記レーザ光の強度をＳ_aとして前記光
検出器によって測定するステップと、前記手前に位置す
る複数の情報層に含まれる記録層の状態の組み合わせが
前記状態ｂであるときに、前記手前に位置する複数の情
報層を透過し、前記最も遠い情報層によって反射された
後前記手前に位置する複数の情報層を再び透過して前記
光学的情報記録媒体から出た前記レーザ光の強度をＳ_b
として前記光検出器によって測定するステップと、前記
Ｓ_aとＳ_bを基に前記レーザ光の強度変化を導出するステ
ップとを備えた光学測定方法である。

【００３２】第１２，第１３の本発明では、透過率を求
めること無しに、前記手前に位置する情報層の透過率変
化の大小を容易に判定できる。

【００３３】また、本発明に係る第２の光学測定方法
は、例えば、次の第１４の本発明である。

【００３４】第１４の本発明は、２層の情報層を有し、
レーザ光が前記情報層のいずれかに集束されて情報信号
が記録再生され、前記レーザ光の入射側から見て最も遠
い情報層よりも手前に位置する情報層が、光学的に検知
しうる２つの状態間で変化する記録層を有する光学的情
報記録媒体に、前記レーザ光を収束し、前記情報層のい
ずれかによって反射された前記レーザ光を光検出器によ
って受光し、透過率変化を測定する光学測定方法であっ
て、前記手前に位置する情報層に含まれる記録層の、前
記レーザ光が透過する領域が状態ａであるときに、前記
手前に位置する情報層を透過し、前記最も遠い情報層に
記録された前記情報信号によって変調を受けた後前記手
前に位置する情報層を再び透過して前記光学的情報記録
媒体から出た前記レーザ光の変調振幅をＡ₁として、前
記光検出器によって測定するステップと、前記手前に位
置する情報層に含まれる記録層の、前記レーザ光が透過
する領域の一部又は全部が状態ｂであるときに、前記手
前に位置する情報層を透過し、前記最も遠い情報層に記
録された前記情報信号によって変調を受けた後前記手前
に位置する情報層を再び透過して前記光学的情報記録媒
体から出た前記レーザ光の変調振幅をＡ₂として前記光
検出器によって測定するステップと、前記Ａ₁とＡ₂を基
に前記手前に位置する情報層の透過率変化を導出するス
テップとを備えた光学測定方法である。

【００３５】第１５の本発明は、３層以上の情報層を有
し、レーザ光が前記情報層のいずれかに集束されて情報
信号が記録再生され、前記レーザ光の入射側から見て最
も遠い情報層よりも手前に位置する複数の情報層が、光
学的に検知しうる２つの状態間で変化する記録層を有す
る光学的情報記録媒体に、前記レーザ光を収束し、前記
情報層のいずれかによって反射された前記レーザ光を光
検出器によって受光する光学測定方法であって、前記手
前に位置する複数の情報層の合成透過率が最小となる、
前記記録層の状態の組み合わせの場合を場合ａとし、前
記手前に位置する複数の情報層の合成透過率が最大とな
る、前記記録層の状態の組み合わせの場合を場合ｂと
し、前記手前に位置する複数の情報層に含まれる各記録
層の状態の組み合わせが状態ａであるときに、前記手前
に位置する複数の情報層を透過し、その透過した情報層
より奥にある所定の情報層に記録された前記情報信号に
よって変調を受けた後前記手前に位置する複数の情報層
を再び透過して前記光学的情報記録媒体から出た前記レ
ーザ光の変調振幅をＡ₁として、前記光検出器によって
測定するステップと、前記手前に位置する複数の情報層
に含まれる各記録層の状態の組み合わせが状態ｂである
ときに、前記手前に位置する複数の情報層を透過し、前
記最も遠い情報層に記録された前記情報信号によって変
調を受けた後前記手前に位置する情報層を再び透過して
前記光学的情報記録媒体から出た前記レーザ光の変調振
幅をＡ ₂として前記光検出器によって測定するステップ
と、前記Ａ₁とＡ₂を基に前記手前に位置する情報層の透
過率変化を導出するステップとを備えた光学測定方法で
ある。

【００３６】第１６の本発明は、２層の情報層を有し、
レーザ光が前記情報層のいずれかに集束されて情報信号
が記録再生され、前記レーザ光の入射側から見て最も遠
い情報層よりも手前に位置する情報層が、光学的に検知
しうる２つの状態間で変化する記録層を有する光学的情
報記録媒体に、前記レーザ光を収束し、前記情報層のい
ずれかによって反射された前記レーザ光を光検出器によ
って受光し、前記レーザ光の変調振幅の変化を測定する
光学測定方法であって、前記手前に位置する情報層に含
まれる記録層の、前記レーザ光が透過する領域が状態ａ
であるときに、前記手前に位置する情報層を透過し、前
記最も遠い情報層に記録された前記情報信号によって変
調を受けた後前記手前に位置する情報層を再び透過して
前記光学的情報記録媒体から出た前記レーザ光の変調振
幅をＡ₁として、前記光検出器によって測定するステッ
プと、前記手前に位置する情報層に含まれる記録層の、
前記レーザ光が透過する領域の一部又は全部が状態ｂで
あるときに、前記手前に位置する情報層を透過し、前記
最も遠い情報層に記録された前記情報信号によって変調
を受けた後前記手前に位置する情報層を再び透過して前
記光学的情報記録媒体から出た前記レーザ光の変調振幅
をＡ₂として前記光検出器によって測定するステップ
と、前記Ａ₁とＡ₂を基に前記レーザ光の変調振幅の変化
を導出するステップとを備えた光学測定方法である。

【００３７】第１７の本発明は、３層以上の情報層を有
し、レーザ光が前記情報層のいずれかに集束されて情報
信号が記録再生され、前記レーザ光の入射側から見て最
も遠い情報層よりも手前に位置する複数の情報層が、光
学的に検知しうる２つの状態間で変化する記録層を有す
る光学的情報記録媒体に、前記レーザ光を収束し、前記
情報層のいずれかによって反射された前記レーザ光を光
検出器によって受光し、前記レーザ光の変調振幅の変化
を測定する光学測定方法であって、前記手前に位置する
複数の情報層の合成透過率が最小となる、前記記録層の
状態の組み合わせの場合を場合ａとし、前記手前に位置
する複数の情報層の合成透過率が最大となる、前記記録
層の状態の組み合わせの場合を場合ｂとし、前記手前に
位置する複数の情報層に含まれる各記録層の状態の組み
合わせが状態ａであるときに、前記手前に位置する複数
の情報層を透過し、その透過した情報層より奥にある所
定の情報層に記録された前記情報信号によって変調を受
けた後前記手前に位置する複数の情報層を再び透過して
前記光学的情報記録媒体から出た前記レーザ光の変調振
幅をＡ₁として、前記光検出器によって測定するステッ
プと、前記手前に位置する複数の情報層に含まれる各記
録層の状態の組み合わせが状態ｂであるときに、前記手
前に位置する複数の情報層を透過し、前記最も遠い情報
層に記録された前記情報信号によって変調を受けた後前
記手前に位置する情報層を再び透過して前記光学的情報
記録媒体から出た前記レーザ光の変調振幅をＡ ₂として
前記光検出器によって測定するステップと、前記Ａ₁と
Ａ₂を基に前記レーザ光の変調振幅の変化を導出するス
テップとを備えた光学測定方法である。

【００３８】第１６，第１７の本発明では、透過率を求
めること無しに、前記手前に位置する情報層の透過率変
化の大小を容易に判定できるである。

【００３９】第１８の本発明は、前記レーザ光の変調振
幅Ａ₁の代わりに、零レベルと変調振幅の上側エンベロ
ープとの差異Ａ_1'を測定し、前記レーザ光の変調振幅Ａ
₂の代わりに、零レベルと変調振幅の上側エンベロープ
との差異Ａ_2'を測定し、前記Ａ₁とＡ₂とに基づいて、前
記レーザ光の変調振幅の変化を導出するステップの代わ
りに、前記Ａ_1'とＡ_2'とに基づいて、前記レーザ光の振
幅変調の上側エンベロープとの変化を導出するステップ
を備えた、第１６又は１７の本発明の光学測定方法であ
る。

【００４０】さらには、本発明は、次のような特徴を有
する。

【００４１】第１９の本発明は、前記手前に位置する情
報層に含まれる記録層の、レーザ光が透過する領域が状
態ｂである状態で、前記最も遠い情報層に情報信号を記
録した後、変調振幅Ａ₂の測定を行う第１４の本発明の
光学測定方法である。

【００４２】第２０の本発明は、前記状態ａは結晶状態
であり、前記状態ｂはアモルファス状態である第１０、
１２、１４，１６又は１９の本発明の光学測定方法であ
る。

【００４３】第２１の本発明は、前記Ｓ_b又はＡ₂又はＡ
_2' を測定するときは、前記手前に位置する情報層の記
録層は、アモルファス状態の多数の記録マークとその周
辺の結晶部とからなる状態である第２０の本発明の光学
測定方法である。

【００４４】第２２の本発明は、前記状態ａはアモルフ
ァス状態であり、前記状態ｂは結晶状態である第１０、
１２，１４、１６又は１９の本発明の光学測定方法であ
る。

【００４５】第２３の本発明は、前記Ｓ_b又はＡ₂又はＡ
_2'を測定するときは、前記手前に位置する情報層の記録
層は、結晶状態の多数の記録マークとその周辺のアモル
ファス部とからなる状態である第２２の本発明の光学測
定方法である。

【００４６】第２４の本発明は、前記第１０の本発明の
光学測定方法で用いられた前記Ｓ_bを測定する時の前記
レーザ光が透過する面積に占める前記記録マーク部の面
積の割合をαとしたとき、

【００４７】

【数８】0≦|1+(Ｓ_b/Ｓ_a)^1/2|≦0.1α となる構成を有する光学的情報記録媒体である。

【００４８】第２５の本発明は、前記第１４の本発明の
光学測定方法で用いられた前記Ａ₂を測定する時の前記
レーザ光が透過する面積に占める前記記録マーク部の面
積の割合をαとしたとき、

【００４９】

【数９】0≦|1-(Ａ₂/Ａ₁)^1/2|≦0.1α となる構成を有する光学的情報記録媒体である。

【００５０】第２６の本発明は、第１，３，４，５，
６，７，８，９，２４又は２５の本発明の光学的情報記
録媒体にレーザ光を照射することによって情報信号の記
録または再生を行う光学的情報記録再生方法であって、
前記光学的情報記録媒体の片側の面から２つ以上の情報
層のうちの一つに前記レーザ光を照射することにより、
情報信号を記録または再生する光学的情報記録再生方法
である。

【００５１】

【発明の実施の形態】以下、実施の形態を用いて本発明
をさらに具体的に説明する。

【００５２】（第１の実施の形態）図１および図２は本
発明の第１の実施の形態に係る光学的情報記録媒体媒体
の概略図である。

【００５３】図１における光ディスク１の断面を図２に
示している。図２は情報記録層が２層からなる場合の光
ディスク、およびそれにレーザ光を照射した状態を示
す。光ディスク１は、光源から見て手前に位置する第１
の情報層２と、奥に位置する第２の情報層３とを有す
る。各情報層は、基板４、５に溝または位相ピットをあ
らかじめ形成し、誘電体層、記録層、反射層等を成膜す
ることにより作製する。それぞれの基板を紫外線硬化樹
脂等で接着し、中間層６を形成する。

【００５４】または、溝または位相ピットを形成した基
板４に第２の情報層３を構成する各層を成膜した後に、
溝または位相ピットを有する中間層６を形成し、第１の
情報層２を構成する各層を成膜してから基板５（カバー
層ともいう）を接着するものであっても良い。

【００５５】基板４、５にはガラス・樹脂等の透明な平
板を用いる。または、樹脂を溶剤に溶かして塗布・乾燥
させたものでも良い。

【００５６】図２は、図１でレーザ光の入射側から見て
手前の情報層となる、第１の情報層３の構成の一例を示
す断面図である。

【００５７】基板５上の第１の誘電体層９、第２の誘電
体層１０としてはSiO₂、SiO、TiO₂、MgO、GeO₂等の酸化
物、Si₃N₄、BN、AlN等の窒化物、ZnS、PbS等の硫化物あ
るいはこれらの混合物が使える。

【００５８】記録層１１に用いる記録薄膜材料としては
アモルファス・結晶間の相変化をする材料、例えばSbTe
系、InTe系、GeTeSn系、SbSe系、TeSeSb系、SnTeSe系、
InSe系、TeGeSnO系、TeGeSnAu系、TeGeSnSb系、TeGeSb
系等のカルコゲン化合物が使える。Te-TeO₂系、Te-TeO₂
-Au系、Te-TeO₂-Pd系等の酸化物系材料も使える。これ
らの材料の場合、結晶（すなわち状態ａに相当）−アモ
ルファス（すなわち状態ｂに相当）の間で相変化を生ず
る。また、AgZn系、InSb系等の結晶（状態ａ）−結晶
（状態ｂ）間の相変化を生ずる金属化合物であっても良
い。

【００５９】反射層１２としては、Au、Ag、Al、Cu等の
金属材料あるいは所定の波長における反射率の高い誘電
体多層膜等が使える。

【００６０】これらの材料を成膜する方法としては真空
蒸着法やスパッタリング法等が使える。

【００６１】なお、第２の情報層３については、レーザ
光により反射光の光学的変化が情報として検出可能なも
のであればどのような形態でもかまわない。第１の情報
層２と同様に相変化記録層を含む多層膜であっても良い
し、光磁気記録層や色素層を含む多層膜でも良い。ま
た、基板４に位相ピットとして記録されている形態であ
っても良い。

【００６２】本発明のポイントは、上記構成において各
層の膜厚を適切に選ぶことにより、記録前後の２つの状
態（記録状態と未記録（消去）状態）における第１の情
報層２の透過率を同等にして、いずれの状態において
も、第２の情報層への記録再生時に到達するレーザ光の
光量を同等にすることである。また、第２の情報層に到
達するレーザ光の光量を記録再生に十分とすることであ
る。なお、以下の説明では一例として、未記録（消去）
部分が結晶状態で、記録部分がアモルファス状態の場合
について述べる。

【００６３】第１の情報層２の透過率は、第１の情報層
を構成する各層の材料の光学定数および膜厚にから、マ
トリクス法と呼ばれる計算で求めることができる（マト
リクス法については、例えば久保田広著「波動光学」岩
波書店、1971年、第３章に記載されている）。

【００６４】表１に、本実施の形態において試作したデ
ィスクの第１の情報層２の膜厚構成例と、計算したアモ
ルファス状態(T_a)および結晶状態での透過率(T_c)、アモ
ルファス状態(R_a)および結晶状態での反射率(R_c)、アモ
ルファス状態(A_a)および結晶状態での吸収率(A_c)、アモ
ルファス状態と結晶状態の透過率比(T_c-T_a)/T_cと、平均
透過率(T_a+T_c)/2を示す。

【００６５】

【表１】

【００６６】本実施の形態では、第２の情報層への記録
再生時に到達するレーザ光の光量をアモルファス状態と
結晶状態で同等にするために、透過率比(T_c-T_a)/T_cの絶
対値が小さいほど好ましい。また、平均透過率(T_a+T_c)/
2をできるだけ高くして、第２の情報層に到達するレー
ザ光の光量が記録再生に十分とすることがより好ましい
ことになる。本実施の形態では表１のように、記録層の
厚さｔ_a、反射層の厚さｔ_b、第１の誘電体層の厚さｔ
1、第２の誘電体層の厚さｔ₂を変化させることにより、
第１の情報層２の透過率比と平均透過率を種々異ならせ
た６種類のディスクを作成した。

【００６７】ディスクの作製は以下のようにして行っ
た。基板４として、直径120mm、厚さ1.1mmのポリカーボ
ネート板を用い、表面にスパイラル状の幅0.25um、ピッ
チ0.32um、深さ20nmの溝を形成した。第２の情報層３は
この基板４の表面上に形成し、反射層AgPdCu（光学定数
0.32-2.06i）を100nm、誘電体層ZnS-SiO₂（光学定数2.2
5-0.00i）を15nm、記録層GeSbTe（結晶状態の光学定数
1.78-3.51i、アモルファス状態の光学定数3.31-2.29i）
を12nm、誘電体層ZnS-SiO₂を60nm、順番に成膜した。

【００６８】次に、第２の情報層３の記録層を、レーザ
光の照射によりアモルファス状態から結晶状態に変化さ
せて初期化した後、基板４と同様の溝形状を転写した中
間層６を形成した。

【００６９】さらに、第１の情報層２として反射層AgPd
Cuをｔ_bnm、第２の誘電体層ZnS-SiO ₂をｔ₂nm、記録層Ge
SbTeをｔ_anm、第１の誘電体層ZnS-SiO₂をｔ1nm、順番に
成膜した。成膜後、第１の情報層３の記録層をレーザ光
の照射によりアモルファス状態から結晶状態に変化させ
て初期化した。

【００７０】最後にポリカーボネートからなる基板５を
紫外線硬化樹脂により接着した。接着部の厚さと基板５
の厚さの合計は0.1mmとした。

【００７１】これら６種類のディスクを用いて記録再生
実験を行った。ディスクを線速度5m/sで回転させ、波長
405nmの半導体レーザ光を開口数(NA)0.85の対物レンズ
で絞ってディスクのいずれかの情報層２または３に照射
した。

【００７２】記録再生時の変調符号としては(8-16)変調
を用い、変調後の信号をマルチパルス化して半導体レー
ザを発光させた。３Ｔのマーク長は0.20umとした。

【００７３】次に図３を用いて、記録パワーの設定方法
について説明する。第１の情報層２に未記録の状態で、
第２の情報層３に対してピークパワーを変化させて３Ｔ
周期信号を記録し、記録後に再生信号のC/Nを測定し
た。C/Nのピークパワーに対する依存性を図３のように
プロットし、（C/N飽和値−３dB）となるピークパワー
をP _pthとして、情報の記録に用いる最適ピークパワーP
_psを、

【００７４】

【数１０】P_ps=P_pth×1.2 と定義して求めた。

【００７５】なお最適バイアスパワーは、ピークパワー
を一定としてバイアスパワーを変化させて３Ｔ信号を記
録し、その後11Ｔ信号をオーバーライトし、最も消去率
の高くなるバイアスパワーPboとして求めた。

【００７６】次に、光源から見て手前に位置する第１の
情報層が、奥に位置する第２の情報層に及ぼす影響につ
いて説明する。

【００７７】第１の情報層２の最内周から最外周までに
ついて、半周分の領域にランダム信号を記録した。

【００７８】さらに、第２の情報層３に対してピークパ
ワーをP_ps、バイアスパワーをPboとして３Ｔ周期信号を
１トラック１周分記録しこの信号を再生したところ、図
７に示すように、再生信号の振幅が第１の情報層２にお
ける未記録領域・記録領域に対応して半周ごとに変動し
た。この再生信号のエンベロープ（包絡線）の変動量を
測定し、第１の情報層２における未記録領域での再生信
号振幅を基準としてエンベロープ変動率を求めた。第１
の情報層２における未記録領域での再生信号振幅をA₁、
記録領域での再生信号振幅をA₂をとして、エンベロープ
の変動率は、下式のように定義した。

【００７９】

【数１１】変動率＝（A₁-A₂）/A₁ 同時に、再生信号のエラーレートを測定した。

【００８０】各ディスクに対するエンベロープ変動率と
エラーレートの結果を表２に示す。

【００８１】

【表２】

【００８２】ディスク(1)〜(3)では、一般的に認められ
ているエラーレートの閾値である1×10^-4より小さい良
好なエラーレートが得られたのに対し、(4)〜(6)のエラ
ーレートは十分ではなかった。

【００８３】またディスク(1)〜(4)では、エンベロープ
の変動率が５%以下と良好だったのに対し、ディスク
(5),(6)の変動率は大きかった。

【００８４】さらに、各ディスクの第２の情報層３を再
生時の信号を、２値化回路・ＰＬＬ（位相同期ループ）
回路からなる再生信号処理回路内で測定したところ、デ
ィスク(4)〜(6)ではエンベロープの変動が大きいために
２値化回路の動作が不安定になり、ディスク(4)〜(6)で
は再生信号品質が十分でないためにＰＬＬが安定に動作
しなかった。

【００８５】以上の結果が得られた理由は次のように考
えられる。ディスク(1)〜(3)は第１の情報層２の記録領
域の透過率と未記録領域の透過率の変化が小さいため
に、第１の情報層２の記録状態によって第２の情報層３
に到達するレーザ光の光量変化が小さく、エンベロープ
の変動が小さく２値化動作が安定になり、エラーレート
が低くなるものと考えられる。表２の結果より(1),(2),
(3)のディスクが良いことが分かり、その結果、表１よ
り、透過率比の絶対値が10%以下の場合に1×10^-4より小
さい良好なエラーレートが得られていることがわかる。

【００８６】また、ディスク(4)〜(6)では、第１の情報
層２の平均透過率が低いために、第２の情報層３の記録
再生時にこの情報層に到達するレーザ光の光量が少なく
なるので、再生信号品質が悪化してエラーレートが高く
なる要因となっていると考えられる。表２の結果より、
(4),(5),(6)のディスクが悪いことが分かり、その結
果、表２より、平均透過率が40％未満の場合にはエラー
レートが1×10^-4より大きくなり十分に良好ではないこ
とがわかる。

【００８７】以上のことから、ディスク(1)〜(3)では透
過率比(T_c-T_a)/T_cの絶対値を10％以下まで小さくし、第
１の情報層２の平均透過率(T_a+T_c)/2を40％以上に高く
したために、第２の情報層３に情報を良好に記録再生で
きることがわかった。

【００８８】さらに、図２に示す構成において、平均透
過率(T_a+T_c)/2が40％以上になり透過率比(T_c-T_a)/T_cの
絶対値を10％以下に小さくできる膜厚条件を、計算を用
いて詳細に調べた。図４(a)、(b)はその一例として、記
録層の厚さt_aを10nm、反射層の厚さｔ_bを10nmとし、第
１の誘電体層の膜厚t1と第２の誘電体層の膜厚t₂とを変
化させたときの平均透過率(T_a+T_c)/2と透過率比(T_c-T_a)
/T_cの変化をそれぞれプロットした図である。図４にお
いて、レーザ光の波長は405nmとし、上誘電体と下誘電
体の膜厚はレーザ光の波長(λ)を基準とした光学長で示
している。

【００８９】図４(a)で平均透過率(T_a+T_c)/2が40％以上
になる誘電体層の膜厚と、図４(b)で透過率比(T_c-T_a)/T
_cの絶対値を10％以下に小さくできる誘電体層の膜厚が
両立できれば、この記録層・反射層の膜厚の組み合わせ
にて、第２の情報層３に情報を良好に記録再生できる第
１の情報層２が構成できることになる。

【００９０】表３は、記録層の膜厚t_aを2〜32nm、反射
層の膜厚t_bを2〜36nmまで変化させたときに、平均透過
率(T_a+T_c)/2が40％以上になり、透過率比(T_c-T_a)/T_cの
絶対値を10％以下に小さくできる可能性を有する第１の
情報層２が構成できるか否かを示す表である。

【００９１】図中の○印は、該当する膜厚t_a、t_bで、平
均透過率が40％以上になり、透過率比の絶対値を10％以
下に小さくできることを示している。なお、×印は、ｔ
₁，ｔ₂をどのように選んでも、平均透過率が40％以上に
なり、透過率比の絶対値を10％以下に小さくできる可能
性が無いことを示す。つまり、図４（ａ），（ｂ）の平
均透過率が４０〜５０％で且つ、透過率比が−１０〜＋
１０％であるエリアが全くないということを示す。

【００９２】ここでは、各記録層・反射層のすべての組
み合わせに対して図４(a)および図４(b)と同様の計算を
行い、誘電体層の膜厚を変化させて平均透過率と透過率
比が両立できる点が存在すれば、条件を満たす第１の情
報層２が構成可能であるとしている。

【００９３】

【表３】

【００９４】この表から、以下の条件の膜厚で平均透過
率40％以上と透過率比の絶対値10％以下をみたす可能性
のある構成が得られることがわかる。

【００９５】

【数１２】ｔ_b≦18 のとき ｔ_a≦12 18＜ｔ_b≦22 のとき ｔ_a≦10 22＜ｔ_b≦30 のとき ｔ_a≦32−ｔ_b また表３は、記録層と反射層が共に薄い構成の場合に上
記の平均透過率と透過率比をみたす構成が得られること
を示している。これは、第１の情報層２で光学的吸収を
有する層が主として記録層と反射層であることを意味す
る。さらに、光源側から見て記録層の方が反射層よりも
手前にあることから、記録層の吸収率の方が反射層の吸
収率よりも大きく、記録層の膜厚を厚くすることの方が
反射層の膜厚を厚くすることよりも透過率に影響を与え
やすいこともいえる。

【００９６】また、ディスク(1)、(3)についてアモルフ
ァス状態での記録層の吸収率A_aと、結晶状態での記録層
の吸収率A_cの値を計算したところ、A_a>A_cとなった。こ
れは(1)と(3)の反射率をRa<Rcとなるようにしたので、
透過率比の絶対値を小さくする（すなわち、T_cとT_aがほ
ぼ等しくなる）ためには、記録層の吸収率（≒100％−
反射率−透過率）をA_a>A_cとなるようにしたほうが構成
が容易だからである。逆にディスク(2)の場合のように
反射率をRa>Rcとなるようにしたときには、記録層の吸
収率はA_a<A_cとすると容易に上記の条件を満たす構成が
できることになる。A _aとA_cの大小関係は、情報層を構成
する各膜の光学定数および膜厚によって変化するが、記
録膜のアモルファス状態での光学定数をn_a-ik_a、結晶状
態での光学定数をnc-ikcとすると、

【００９７】

【数１３】n_a+k_a＜n_c+k_c の場合には、記録膜の吸収率をA_a＞A_cとし、反射率をRa
<Rcとすると、T_cとT_aがほぼ等しくする構成が得やす
い。逆に、

【００９８】

【数１４】n_a+k_a＞n_c+k_c の場合には、記録膜の吸収率をA_a＜A_cとし、反射率をRa
＞Rcとすると、T_cとT_aがほぼ等しくする構成が得やすい
傾向がある。

【００９９】なお、段落番号００６７に記載した本実施
の形態の記録層ではn_a+k_a＜n_c+k_cの関係にあるので、記
録膜の吸収率をA_a＞A_cとし、反射率をRa<Rcとすると、T
_cとT _aがほぼ等しくする構成が得やすいことになる。

【０１００】以上要するに、光学定数がいずれの場合で
も、アモルファス状態での、RaとRcの大小関係に対する
T_aとＴ_cの大小関係が、結晶状態での、RaとRcの大小関
係に対するT_aとＴ_cの大小関係と異なることが望まし
い。

【０１０１】以上述べたように本実施の形態に係る光学
的情報記録媒体は、透過率比(T_c-T_a)/T_cの絶対値を10％
以下まで小さくし、第１の情報層２の平均透過率(T_a+
T_c)/2を40％以上に高くするように構成することによ
り、第２の情報層３に十分なレーザ光の光量を到達させ
ることができ、第１の情報層２の記録・未記録にかかわ
らず情報を正確に記録再生することができる。

【０１０２】（第２の実施の形態）図５は、図２でレー
ザ光の入射側から見て手前の情報層となる、第１の情報
層３の構成の一例を示す断面図である。第１の実施の形
態と異なるのは、反射層１２の上に第３の誘電体層１３
を設けている点である。図６は、記録層の厚さを10nm、
反射層の厚さを10nm、第３の誘電体層の厚さを10nmと
し、第１の誘電体層と第２の誘電体層の膜厚を変化させ
たときの平均透過率(T_a+T_c)/2と透過率比(T_c-T _a)/T_cの
変化をプロットした図である。図６と図４を比較する
と、記録層と反射層の厚さが同じにもかかわらず、第３
の誘電体層を設けることによって、透過率比(T_c-T_a)/T_c
の絶対値が10％以下になる領域が増加している。また、
第３の誘電体層の厚さを適当に選べば、平均透過率を向
上させることも可能である。このように、第１の情報層
２の構成の自由度を上げる役割を有する。

【０１０３】表４に、本実施の形態において試作したデ
ィスクの第１の情報層２の膜厚構成例と、計算したアモ
ルファス状態(T_a)および結晶状態での透過率(T_c)、アモ
ルファス状態(Ra)および結晶状態での反射率(Rc)、アモ
ルファス状態と結晶状態の透過率比(T_c-T_a)/T_cと、平均
透過率(T_a+T_c)/2を示す。

【０１０４】

【表４】

【０１０５】本実施の形態では表４のように、記録層の
厚さｔ_a、反射層の厚さｔ_b、第１の誘電体層の厚さ
ｔ₁、第２の誘電体層の厚さｔ₂、第３の誘電体層の厚さ
ｔ₃を変化させることにより、第１の情報層２の透過率
比と平均透過率を種々異ならせたディスクを作成した。

【０１０６】ディスクは第１の実施の形態と同様にして
作成したが、第１の実施の形態と異なるのは以下の点で
ある。第１の情報層２として第３の誘電体層ZnS-SiO₂を
ｔ3nm、反射層AgPdCuをｔ_bnm、第２の誘電体層ZnS-SiO₂
をｔ₂nm、記録層GeSbTeをｔanm、第１の誘電体層ZnS-Si
O₂をｔ₁nm、順番に成膜した。

【０１０７】次に表３に示す６種類のディスクを用いて
記録再生実験を行った。第１の実施の形態と同様にディ
スクを線速度5m/sで回転させ、波長405nmの半導体レー
ザ光を開口数(NA)0.85の対物レンズで絞ってディスクの
いずれかの情報層２または３に照射した。記録条件・測
定条件も第１の実施の形態と同じとした。

【０１０８】各ディスクに対するエンベロープ変動率と
エラーレートの結果を表５に示す。

【０１０９】

【表５】

【０１１０】ディスク(7)〜(10)では、1×10^-4より小さ
い良好なエラーレートが得られたのに対し、(10)〜(12)
のエラーレートは十分ではなかった。またディスク(7)
〜(9)および(11)では、エンベロープの変動率が５%以下
と良好だったのに対し、ディスク(10)、(12)の変動率は
大きかった。

【０１１１】さらに、各ディスクの第２の情報層３を再
生時の信号を、２値化回路・ＰＬＬ（位相同期ループ）
回路からなる再生信号処理回路の内部で測定したとこ
ろ、ディスク(11)、(12)ではエンベロープの変動が大き
いために２値化回路の動作が不安定になり、エラーレー
トが高くなっていた。また、ディスク(10)〜(12)では再
生信号品質が十分でないためにＰＬＬが安定に動作して
いないことがエラーレートが高くなる要因となってい
た。

【０１１２】また表４および表５の結果より、透過率比
の絶対値が10%以下で、平均透過率が40％以上の場合に1
×10^-4より小さい良好なエラーレートが得られているこ
とがわかる。

【０１１３】以上のことから、ディスク(7)〜(9)では第
１の情報層２の平均透過率(T_a+T_c)/2を40％以上に高く
し、透過率比(T_c-T_a)/T_cの絶対値を10％以下まで小さく
したために、第２の情報層３に情報を良好に記録再生で
きることがわかった。

【０１１４】さらに、図５に示す構成において、平均透
過率(T_a+T_c)/2が40％以上になり透過率比(T_c-T_a)/T_cの
絶対値を10％以下に小さくできる膜厚条件を、計算を用
いて詳細に調べた。

【０１１５】表６は、記録層の膜厚t_aを2〜32nm、反射
層の膜厚t_bを2〜36nmの範囲で変化させ、第３の誘電体
層の膜厚t₃を10nmとしたときに、平均透過率(T_a+T_c)/2
が40％以上になり、透過率比(T_c-T_a)/T_cの絶対値を10％
以下に小さくできる第１の情報層２が構成可能か否かを
示す表である。また、記録層と反射層の膜厚を同様に変
化させ、第３の誘電体層の膜厚t₃を30nmとしたものを表
７、50nmとしたものを表８、70nmとしたものを表９に示
す。

【０１１６】

【表６】

【０１１７】

【表７】

【０１１８】

【表８】

【０１１９】

【表９】

【０１２０】これらの表から、記録層の厚さをｔ_a[n
m]、金属反射層の厚さをｔ_b[nm]とすると、第３の誘電
体層の膜厚が10〜70nmのいずれであっても、以下の条件
の膜厚で上記の平均透過率と透過率比をみたす構成が得
られることがわかる。

【０１２１】

【数１５】ｔ_b≦18 のとき ｔ_b≦12 16＜ｔ_a≦18 のとき ｔ_a≦38−ｔ_a 18＜ｔ_a≦20 のとき ｔ_a≦10 20＜ｔ_a≦24 のとき ｔ_a≦30−ｔ_a 24＜ｔ_a≦26 のとき ｔ_a≦28−ｔ_a また表６〜表９からわかるように、記録層と反射層が共
に薄い構成の場合に上記の平均透過率と透過率比をみた
す構成が得られている。これは、第１の情報層２で光学
的吸収を有する層が主として記録層と反射層であること
を意味する。

【０１２２】また、ディスク(7)〜(9)についてアモルフ
ァス状態での記録層の吸収率A_aと、結晶状態での記録層
の吸収率A_cの値を計算したところ、A_a>A_cとなった。こ
れは(7)〜(9)の反射率をR_a<R_cとなるようにしたので、
透過率比を小さくする（すなわち、T_cとT_aがほぼ等しく
なる）ためには、記録層の吸収率（≒100％−反射率−
透過率）をA_a>A_cとなるようにしたほうが構成が容易だ
からである。

【０１２３】以上述べたように本実施の形態に係る光学
的情報記録媒体においても、透過率比(T_c-T_a)/T_cの絶対
値を10％以下まで小さくし、第１の情報層２の平均透過
率(T _a+T_c)/2を40％以上に高くするように構成すること
により、第２の情報層３に十分なレーザ光の光量を到達
させることができ、第１の情報層２の記録・未記録にか
かわらず情報を正確に記録再生することができる。

【０１２４】最後に、前述の透過率Ｔ_aやＴ_cは一般に分
光器等の光学測定器で測定されるが、図７に示した様に
情報再生用のレーザ光を第２の情報層に当てたときに得
られる再生信号を利用することで、Ｔ_cとＴ_aの差を測定
することが容易となる。そのような光学測定法について
新たに図を使って説明する。

【０１２５】図９はそのような第１の光学測定方法の手
順を示す概略図で、上段はレーザ光の各情報層への照射
の様子を示した略式断面図であり、下段は第２の情報層
で反射されたレーザ光から得られる再生信号の波形図で
ある。

【０１２６】（ステップ１）まず図９（ａ）上段のよう
に、第１の情報層になにも記録されていない状態でレー
ザ光が第２の情報層に焦点を合わせて照射される。この
ときの照射位置は例えば１回転毎に元の位置に戻る、い
わゆるスチル状態にしておいて測定位置を特定出来るよ
うにしておくと、次のステップで測定した結果との比較
が容易でより好ましい。反射光量は信号再生用のフォト
ディテクタなどで電流や電圧に変換され、図９（ａ）下
段の様にほぼ直流の再生波形として観測される。実際の
波形は光ディスクの反射率等の様々なばらつきのため、
ある程度凸凹が見られるが、時間平均を取れば直流波形
と見て差し支えない。同図の縦軸の零レベルは、レーザ
光の光路上から光ディスクが取り外されたときのフォト
ディテクタの出力値を示してある。よって、図に示した
レベルＳ_aが第１の情報層になにも記録されていない状
態での反射光量を示す。

【０１２７】（ステップ２）次に、図９（ｂ）上段に示
すように、ステップ１でＳ_aを測定した位置の真下に位
置する第１の情報層にランダム信号もしくはモノトーン
信号を記録していく。記録する範囲は、レーザ光を第２
の情報層に焦点を合わせたときに、そのレーザ光が第１
の情報層を通過する領域を全て含む様に指定する。レー
ザ光の波長４０５ｎｍ、対物レンズＮＡ０．８５、中間
層の厚み３０ｕｍ、中間層の屈折率１．６０とすると、
第１の情報層におけるレーザ光の直径は約３７．６ｕｍ
になり、これに第１と第２の層の間の偏心を考慮する
と、２００ｕｍ程度の範囲にわたって記録すればよい。

【０１２８】（ステップ３）最後に、図９（ｃ）上段の
ように、ランダム信号もしくはモノトーン信号が記録さ
れた第１の情報層を通してレーザ光が第２の情報層に焦
点を合わせて照射される。このときの照射位置はステッ
プ１で測定したトラックに一致させるのが測定精度が高
くなるのでより好ましい。反射光量は図９（ｃ）下段の
様にほぼ直流の再生波形として観測される。図に示した
レベルＳ_bが第１の情報層が記録済みの状態での反射光
量を示す。この図では、第１の情報層において記録済み
の状態の方が未記録の状態よりも透過率が低くなる場合
を示している。

【０１２９】（ステップ４）Ｓ_aとＳ_bより、第１の情報
層が未記録の状態と記録済みの状態との間で透過率の変
化を次の計算で得ることが出来る。すなわち、レーザ光
が第２の情報層に焦点を結んでいるときの第１の情報層
上レーザ光の断面において、記録マークがレーザ光断面
全てに対して占める面積の割合をαとすると、記録済み
の第１の情報層の等価的な透過率Ｔ_a’は

【０１３０】

【数１６】 Ｔ_a’＝（１−α）Ｔ_c＋αＴ_a＝Ｔ_c−α（Ｔ_c−Ｔ_a） となる。未記録の第１の情報層の透過率はＴ_cのままで
あり、かつ、Ｓ_a及びＳ_bの測定ではレーザ光は第１の情
報層を２回透過するから、次の式が成り立つ。

【０１３１】

【数１７】Ｓ_b／Ｓ_a＝（Ｔ_a’／Ｔ_c）² これら２つの式より前述の透過率比は、

【０１３２】

【数１８】 （Ｔ_c−Ｔ_a）／Ｔ_c＝（１−（Ｓ_b／Ｓ_a）^1/2）／α … 式（１） から得ることが出来る。αは記録パワー等記録条件によ
って変化するが、通常略０．２５の値をとる。

【０１３３】以上ステップ１〜４によって第１の情報層
が未記録の状態と記録済みの状態との間で透過率の変化
を、専用の測定器を使用すること無しに簡単に測定する
ことが出来る。

【０１３４】図１０は第２の光学測定方法の手順を示す
概略図で、上段はレーザ光の各情報層への照射の様子を
示した略式断面図であり、下段は第２の情報層で反射さ
れたレーザ光から得られる再生信号の波形図である。

【０１３５】（ステップ１）まず図１０（ａ）上段のよ
うに、第１の情報層になにも記録されていない状態でレ
ーザ光が第２の情報層に焦点を合わせて照射され、ラン
ダムもしくはモノトーン信号が第２の情報層の所定トラ
ックに記録される。次にそのトラックに記録された信号
は再生レベルのレーザ光で照射され、フォトディテクタ
などで電流や電圧に変換され、図１０（ａ）下段の様に
一定の振幅を有したエンベロープ波形として観測され
る。図に示した振幅Ａ₁が第１の情報層になにも記録さ
れていない状態での再生信号振幅を示す。

【０１３６】（ステップ２）次に、図１０（ｂ）上段に
示すように、ステップ１でＡ₁を測定した位置の真下に
位置する第１の情報層にランダム信号もしくはモノトー
ン信号を記録していく。記録する範囲は第１の光学測定
方法と同じである。

【０１３７】（ステップ３）最後に、図１０（ｃ）上段
のように、ランダム信号が記録された第１の情報層を通
してレーザ光が第２の情報層に焦点を合わせて照射され
る。このときの照射位置はステップ１で測定したトラッ
クに一致させる。再生信号は図１０（ｃ）下段の様に一
定の振幅を有したエンベロープ波形として観測される。
図に示した振幅Ａ₂が第１の情報層が記録済みの状態で
の再生振幅を示す。この図においても、第１の情報層に
おいて記録済みの状態の方が未記録の状態よりも透過率
が低くなる場合を示している。

【０１３８】（ステップ４）第１の光学測定方法で示し
た計算でＳ_aをＡ₁に、Ｓ_bをＡ₂に置き換えることによ
り、第１の情報層が未記録の状態と記録済みの状態との
間で透過率比（Ｔ_c−Ｔ_a）／Ｔ_cを得ることが出来る。

【０１３９】以上ステップ１〜４によって、第１の情報
層が未記録の状態と記録済みの状態との間で透過率の変
化を、専用の測定器を使用すること無しに簡単に測定す
ることが出来る。また、図１０で説明した方法では、反
射光量を比較するために再生振幅Ａ₁及びＡ₂を用いてい
るため、たとえ第１の情報層からの反射光の一部が迷光
となってフォトディテクタに入射しても、振幅測定時に
キャンセルされるため、より精度良く透過率差を測定す
ることが可能となる。一方、図９で説明した方法におい
ても、フォトディテクタの大きさを十分小さくして迷光
量を例えば全入射光量の２％程度に抑えれば、透過率差
の精度を１００分の２に抑えることが出来るので十分高
精度の測定が可能となる。

【０１４０】なお、本発明の第２の光学測定方法に関し
ては、図１１に示すように、零レベルと変調振幅の上側
エンベロープとの差異Ａ_1'とＡ_2'を測定し、第１の光学
測定方法で示した計算でＳ_aをＡ_1'に、Ｓ_bをＡ_2'に置き
換えることにより、第１の情報層が未記録の状態と記録
済みの状態との間で透過率比（|T_c-T_a|/T_c）を得ること
も出来る。

【０１４１】以上述べた光学測定法を用いれば式（１）
を通じて透過率比を簡単に求めることが出来る。先に説
明したように、第１の情報層として好ましい透過率比の
条件は１０％以下であるので、式（１）を用いると、第
１の光学測定方法から得られるＳ_a及びＳ_bが、

【０１４２】

【数１９】0≦|1-(S_b/S_a)^1/2|≦0.1α を満たせばよいことになる。もしくは、第２の光学測定
方法から得られるＡ₁及びＡ₂が、

【０１４３】

【数２０】0≦|1-(A₂/A₁)^1/2|≦0.1α を満たせばよい。

【０１４４】なお、上述の実施の形態における媒体で
は、第１の情報層２の構成を図２に示すような４層構成
または図５に示すような５層構成としたが、各層の間に
界面層を有する多層構成であっても、上記の透過率比お
よび／または平均透過率を満たす条件になるように構成
すれば良い。また、反射層を有しない構成など、図２、
図５以外の構成としてもかまわない。各層の材料も本実
施の形態で用いたものに限定されるものではない。

【０１４５】また、上述の実施の形態では、媒体を２つ
の情報層を有する光ディスクとしたが、図８に示すよう
な３つ以上の情報層を有し、レーザ光の入射側から見て
最も遠い情報層よりも手前に位置する複数の情報層の合
成透過率が、上記の透過率比を満たす条件のものであっ
ても良い。

【０１４６】すなわち、この合成透過率は各情報層の透
過率の積となる。各層の記録・未記録状態の組み合わせ
により合成透過率が最小となる場合（この透過率をT_min
とする）と、最大になる場合（この透過率をT_maxとす
る）が存在することになる。情報層が２層の場合と同様
にして、これら複数の情報層より奥の情報層に到達する
レーザ光の光量変化を小さくするためには、

【０１４７】

【数２１】 ０≦|T_c-T_min|/T_c≦0.1 且つ ０≦|T_c-T_max|/T_c≦0.1 となるように構成すればよい。

【０１４８】ここでT_cは、複数の情報層が全て未記録状
態のときの合成透過率である。

【０１４９】ただしこの場合、手前に位置するすべての
情報層について40％以上の平均透過率が得られない可能
性があるので、十分な信号品質を得るためには再生回路
のS/Nを向上させる必要がある。

【０１５０】また、上述した光学測定方法についても、
測定の対象となる媒体は３層以上の情報層を有するもの
であってもよい。このときには、レーザ光の入射側から
みて最も遠い情報層よりも手前に位置する複数の情報層
の合成透過率が最小となる場合（これを場合ａという）
と、最大となる場合（これを場合ｂという）の反射光量
を測定すれば、手前に位置する複数の情報層についての
最大の透過率変動が測定できる。

【０１５１】さらに、上述の光学測定方法では、測定し
たＳ_a（またはＡ₁、Ａ_1'）とＳ_b（またはＡ₂、Ａ_2'）を
もとにしてステップ４で透過率比を導出するものとした
が、これらの測定した信号の変化を導出する方法とすれ
ば、透過率比を求めることなく、手前に位置する情報層
の透過率変化の良否を容易に判定することができる。

【０１５２】たとえば、信号の変化を表すパラメータと
して、（Ｓ_a−Ｓ_b）／Ｓ_aまたは（Ａ₁−Ａ₂）／Ａ₁また
は（Ａ_1'−Ａ_2'）／Ａ_1'を定義する。こうしたパラメー
タを導出することにより、透過率比（Ｔ_c−Ｔ_a）／Ｔ_c
を求めることなしに、手前に位置する情報層の、最も遠
い情報層の再生信号品質に与える影響の大小を見積もる
ことができ、手前に位置する情報層の透過率変化の良否
を容易に判定することが可能となる。

【０１５３】また、実際の測定では、ディスクの反射率
等のばらつきのために、Ｓ_a（またはＡ₁、Ａ_1'）とＳ_b
（またはＡ₂，Ａ_2'）には多少の変動が存在するが、最
も変動に大きな影響を与えるのは手前に位置する情報層
の透過率変化である。

【０１５４】したがって、手前の情報層に局所的に信号
を記録しておき、その後手前の情報層を通して最も遠い
情報層からの反射光量の変化を測定し、その最大値をＳ
_a 最小値をＳ_bとして測定し、上記のパラメータを求め
ることとしても、手前に位置する情報層の透過率変化の
良否を容易に判定するのには実質的には問題ない。変調
振幅Ａ₁、Ａ_1'、Ａ₂、Ａ_2'を測定する場合でも同様であ
る。

【０１５５】さらに、上記の実施の形態で用いられる変
調方式、記録密度は上述した形態に限定されるものでは
なく、媒体自身や記録再生装置に応じた適切な形態とす
ることが可能であることは言うまでもない。

【０１５６】

【発明の効果】以上述べたように本発明にかかる光学的
情報記録媒体は、奥の情報層に十分なレーザ光の光量を
到達させることができ、手前の情報層の記録・未記録に
かかわらず奥の情報層に情報を正確に記録再生すること
ができる。

【０１５７】また、本発明にかかる光学測定方法は、記
録、未記録による手前の情報層の透過率変化を容易に測
定することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光学的情報記
録媒体を示す外観・断面図

【図２】前記第１の実施の形態に係る第１の情報層を示
す断面図

【図３】前記第１の実施の形態に係るC/Nのピークパワ
ー依存性を示す図

【図４】前記第１の実施の形態に係る平均透過率および
透過率比の計算結果を示す図

【図５】前記第２の実施の形態に係る第１の情報層を示
す断面図

【図６】前記第２の実施の形態に係る平均透過率および
透過率比の計算結果を示す図

【図７】前記第１および第２の実施の形態に係る、第２
の情報記録層からの再生信号波形を示す図

【図８】本発明の別の実施の形態に係る光学的情報記録
媒体を示す外観・断面図

【図９】本発明の実施の形態に係る第１の光学測定方法
の手順を示す概略図

【図１０】本発明の実施の形態に係る第２の光学測定方
法の手順を示す概略図

【図１１】本発明の実施の形態に係る別の光学測定方法
の手順を示す概略図

【符号の説明】

１ 光ディスク ２ 第１の情報層 ３ 第２の情報層 ４、５ 基板 ６ 中間層 ７ 対物レンズ ８ レーザ光 ９ 第１の誘電体層 １０ 第２の誘電体層 １１ 記録層 １２ 反射層 １３ 第３の誘電体層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮川 直康 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 児島 理恵 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 西原 孝史 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山田 昇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 JB13 JB18 JB35 JB47 JC02 JC03 JC04 MA13 MA14 5D121 AA01 HH11 HH14

Claims (26)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２層の情報層を有し、レーザ光が前記情
   報層のいずれかに集束して照射されることによって情報
   信号が記録再生される光学的情報記録媒体であって、 前記レーザ光の入射側から見て最も遠い情報層よりも手
   前に位置する情報層が、光学的に検知しうる２つの状態
   間で変化する記録層を有し、 前記記録層が状態ａの場合の前記手前に位置する情報層
   の透過率をT_c、状態ｂの場合の透過率をT_aとするとき、 【数１】０≦|T_c-T_a|/T_c≦0.1 となる構成を有する光学的情報記録媒体。
2. 【請求項２】 ３層以上の情報層を有し、レーザ光が前
   記情報層のいずれかに集束して照射されることによって
   情報信号が記録再生される光学的情報記録媒体であっ
   て、 前記レーザ光の入射側から見て最も遠い情報層よりも手
   前に位置する複数の情報層がそれぞれ、光学的に検知し
   うる２つの状態間で変化する記録層を有し、 前記複数の情報層が有する各記録層がいずれも状態ａの
   場合の、前記複数の情報層の合成透過率をT_c、 前記複数の情報層の合成透過率が最小となる、前記各記
   録層の状態の組み合わせの場合の、その合成透過率をT
   _min、 前記複数の情報層の合成透過率が最大となる、前記各記
   録層の状態の組み合わせの場合の、その合成透過率をT
   _maxとするとき、 【数２】 ０≦|T_c-T_min|/T_c≦0.1 且つ ０≦|T_c-T_max|/T_c≦0.1 となる構成を有する光学的情報記録媒体。
3. 【請求項３】 さらに、 【数３】(T_a+T_c)/2≧0.4 となる構成を有する請求項１に記載の光学的情報記録媒
   体。
4. 【請求項４】 前記レーザ光の入射側から見て最も遠い
   情報層よりも手前に位置する情報層の有する前記記録層
   が状態ａの場合の前記記録層の吸収率をA_c[%]、状態ｂ
   の場合の吸収率をA_a[%]とし、 前記記録層が状態ａの場合の前記手前に位置する情報層
   の反射率をR_c[%]、状態ｂの場合の反射率をR_a[%]とする
   とき、 【数４】A_c＜A_a かつ R_c＞R_a、あるいは、 A_c＞A_a かつ R_c＜R_a となる構成を有する請求項１又は３に記載の光学的情報
   記録媒体。
5. 【請求項５】 前記レーザ光の入射側から見て最も遠い
   情報層よりも手前に位置する情報層が、少なくとも第１
   の誘電体層、相変化記録層、第２の誘電体層、金属反射
   層を有し、 前記各層は入射側から前記第１の誘電体層、前記相変化
   記録層、前記第２の誘電体層、前記金属反射層の順序で
   配置されている請求項３に記載の光学的情報記録媒体。
6. 【請求項６】 前記レーザ光の波長を390nm〜430nmの範
   囲とし、 前記金属反射層がAg、もしくはAgを主成分とする合金か
   らなり、 前記相変化記録層の厚さをｔ_a[nm]、前記金属反射層の
   厚さをｔ_b[nm]とすると、 【数５】ｔ_b≦18 のとき ｔ_a≦12 18＜ｔ_b≦22 のとき ｔ_a≦10 22＜ｔ_b≦30 のとき ｔ_a≦32−ｔ_b となる構成を有する請求項５に記載の光学的情報記録媒
   体。
7. 【請求項７】 前記レーザ光の入射側から見て最も遠い
   情報層よりも手前に位置する情報層が、少なくとも第１
   の誘電体層、相変化記録層、第２の誘電体層、金属反射
   層、第３の誘電体層を有し、 前記各層は入射側から前記第１の誘電体層、前記相変化
   記録層、前記第２の誘電体層、前記金属反射層、前記第
   ３の誘電体層の順序で配置されている請求項３に記載の
   光学的情報記録媒体。
8. 【請求項８】 前記レーザ光の波長を390nm〜430nmの範
   囲とし、 前記金属反射層が少なくともAg、もしくはAgを主成分と
   する合金からなり、 前記相変化記録層の厚さをｔ_a[nm]、前記金属反射層の
   厚さをｔ_b[nm]とするとき、 【数６】ｔ_b≦18 のとき ｔ_a≦12 16＜ｔ_b≦18 のとき ｔ_a≦38−ｔ_b 18＜ｔ_b≦20 のとき ｔ_a≦10 20＜ｔ_b≦24 のとき ｔ_a≦30−ｔ_b 24＜ｔ_b≦26 のとき ｔ_a≦28−ｔ_b となる構成を有する請求項７に記載の光学的情報記録媒
   体。
9. 【請求項９】 前記レーザ光の入射側から見て最も遠い
   情報層よりも手前に位置する情報層の有する前記記録層
   が結晶の場合の前記相変化記録層の吸収率をA_c[%]、ア
   モルファスの場合の吸収率をA_a[%]とし、 前記記録層が結晶の場合の前記情報層の反射率をR
   _c[%]、アモルファスの場合の反射率をR_a[%]とすると
   き、 【数７】A_c＜A_a かつ R_c＞R_a、あるいは、 A_c＞A_a かつ R_c＜R_a となる構成を有する請求項５〜８のいずれかに記載の光
   学的情報記録媒体。
10. 【請求項１０】 ２層の情報層を有し、レーザ光が前記
    情報層のいずれかに集束されることによって情報信号が
    記録再生され、前記レーザ光の入射側から見て最も遠い
    情報層よりも手前に位置する情報層が、光学的に検知し
    うる２つの状態間で変化する記録層を有する光学的情報
    記録媒体に、前記レーザ光を収束し、前記情報層のいず
    れかによって反射された前記レーザ光を光検出器によっ
    て受光し、透過率変化を測定する光学測定方法であっ
    て、 前記手前に位置する情報層に含まれる記録層の、前記レ
    ーザ光が透過する領域が状態ａであるときに、前記手前
    に位置する情報層を透過し、前記最も遠い情報層によっ
    て反射された後前記手前に位置する情報層を再び透過し
    て前記光学的情報記録媒体から出た前記レーザ光の強度
    をＳ_aとして前記光検出器によって測定するステップ
    と、 前記手前に位置する情報層に含まれる記録層の、前記レ
    ーザ光が透過する領域の一部又は全部が状態ｂであると
    きに、前記手前に位置する情報層を透過し、前記最も遠
    い情報層によって反射された後前記手前に位置する情報
    層を再び透過して前記光学的情報記録媒体から出た前記
    レーザ光の強度をＳ_bとして前記光検出器によって測定
    するステップと、 前記Ｓ_aとＳ_bを基に前記手前に位置する情報層の透過率
    変化を導出するステップとを備えた光学測定方法。
11. 【請求項１１】 ３層以上の情報層を有し、レーザ光が
    前記情報層のいずれかに集束されることによって情報信
    号が記録再生され、前記レーザ光の入射側から見て最も
    遠い情報層よりも手前に位置する複数の情報層が、光学
    的に検知しうる２つの状態間で変化する記録層を有する
    光学的情報記録媒体に、前記レーザ光を収束し、前記情
    報層のいずれかによって反射された前記レーザ光を光検
    出器によって受光し、透過率変化を測定する光学測定方
    法であって、 前記手前に位置する複数の情報層の合成透過率が最小と
    なる、前記記録層の状態の組み合わせの場合を場合ａと
    し、 前記手前に位置する複数の情報層の合成透過率が最大と
    なる、前記記録層の状態の組み合わせの場合を場合ｂと
    し、 前記手前に位置する複数の情報層に含まれる各記録層の
    状態の組み合わせが前記場合ａであるときに、前記手前
    に位置する複数の情報層を透過し、その透過した情報層
    より奥にある所定の情報層によって反射された後前記手
    前に位置する複数の情報層を再び透過して前記光学的情
    報記録媒体から出た前記レーザ光の強度をＳ_aとして前
    記光検出器によって測定するステップと、 前記手前に位置する複数の情報層に含まれる記録層の状
    態の組み合わせが前記状態ｂであるときに、前記手前に
    位置する複数の情報層を透過し、前記最も遠い情報層に
    よって反射された後前記手前に位置する複数の情報層を
    再び透過して前記光学的情報記録媒体から出た前記レー
    ザ光の強度をＳ_bとして前記光検出器によって測定する
    ステップと、 前記Ｓ_aとＳ_bを基に前記手前に位置する複数の情報層の
    透過率変化を導出するステップとを備えた光学測定方
    法。
12. 【請求項１２】 ２層の情報層を有し、レーザ光が前記
    情報層のいずれかに集束されることによって情報信号が
    記録再生され、前記レーザ光の入射側から見て最も遠い
    情報層よりも手前に位置する情報層が、光学的に検知し
    うる２つの状態間で変化する記録層を有する光学的情報
    記録媒体に、前記レーザ光を収束し、前記情報層のいず
    れかによって反射された前記レーザ光を光検出器によっ
    て受光し、前記レーザ光の強度変化を測定する光学測定
    方法であって、 前記手前に位置する情報層に含まれる記録層の、前記レ
    ーザ光が透過する領域が状態ａであるときに、前記手前
    に位置する情報層を透過し、前記最も遠い情報層によっ
    て反射された後前記手前に位置する情報層を再び透過し
    て前記光学的情報記録媒体から出た前記レーザ光の強度
    をＳ_aとして前記光検出器によって測定するステップ
    と、 前記手前に位置する情報層に含まれる記録層の、前記レ
    ーザ光が透過する領域の一部又は全部が状態ｂであると
    きに、前記手前に位置する情報層を透過し、前記最も遠
    い情報層によって反射された後前記手前に位置する情報
    層を再び透過して前記光学的情報記録媒体から出た前記
    レーザ光の強度をＳ_bとして前記光検出器によって測定
    するステップと、 前記Ｓ_aとＳ_bを基に前記レーザ光の強度変化を導出する
    ステップとを備えた光学測定方法。
13. 【請求項１３】 ３層以上の情報層を有し、レーザ光が
    前記情報層のいずれかに集束されることによって情報信
    号が記録再生され、前記レーザ光の入射側から見て最も
    遠い情報層よりも手前に位置する複数の情報層が、光学
    的に検知しうる２つの状態間で変化する記録層を有する
    光学的情報記録媒体に、前記レーザ光を収束し、前記情
    報層のいずれかによって反射された前記レーザ光を光検
    出器によって受光し、前記レーザ光の強度変化を測定す
    る光学測定方法であって、 前記手前に位置する複数の情報層の合成透過率が最小と
    なる、前記記録層の状態の組み合わせの場合を場合ａと
    し、 前記手前に位置する複数の情報層の合成透過率が最大と
    なる、前記記録層の状態の組み合わせの場合を場合ｂと
    し、 前記手前に位置する複数の情報層に含まれる各記録層の
    状態の組み合わせが前記場合ａであるときに、前記手前
    に位置する複数の情報層を透過し、その透過した情報層
    より奥にある所定の情報層によって反射された後前記手
    前に位置する複数の情報層を再び透過して前記光学的情
    報記録媒体から出た前記レーザ光の強度をＳ_aとして前
    記光検出器によって測定するステップと、 前記手前に位置する複数の情報層に含まれる記録層の状
    態の組み合わせが前記状態ｂであるときに、前記手前に
    位置する複数の情報層を透過し、前記最も遠い情報層に
    よって反射された後前記手前に位置する複数の情報層を
    再び透過して前記光学的情報記録媒体から出た前記レー
    ザ光の強度をＳ_bとして前記光検出器によって測定する
    ステップと、 前記Ｓ_aとＳ_bを基に前記レーザ光の強度変化を導出する
    ステップとを備えた光学測定方法。
14. 【請求項１４】 ２層の情報層を有し、レーザ光が前記
    情報層のいずれかに集束されて情報信号が記録再生さ
    れ、前記レーザ光の入射側から見て最も遠い情報層より
    も手前に位置する情報層が、光学的に検知しうる２つの
    状態間で変化する記録層を有する光学的情報記録媒体
    に、前記レーザ光を収束し、前記情報層のいずれかによ
    って反射された前記レーザ光を光検出器によって受光
    し、透過率変化を測定する光学測定方法であって、 前記手前に位置する情報層に含まれる記録層の、前記レ
    ーザ光が透過する領域が状態ａであるときに、前記手前
    に位置する情報層を透過し、前記最も遠い情報層に記録
    された前記情報信号によって変調を受けた後前記手前に
    位置する情報層を再び透過して前記光学的情報記録媒体
    から出た前記レーザ光の変調振幅をＡ₁として、前記光
    検出器によって測定するステップと、 前記手前に位置する情報層に含まれる記録層の、前記レ
    ーザ光が透過する領域の一部又は全部が状態ｂであると
    きに、前記手前に位置する情報層を透過し、前記最も遠
    い情報層に記録された前記情報信号によって変調を受け
    た後前記手前に位置する情報層を再び透過して前記光学
    的情報記録媒体から出た前記レーザ光の変調振幅をＡ₂
    として前記光検出器によって測定するステップと、 前記Ａ₁とＡ₂を基に前記手前に位置する情報層の透過率
    変化を導出するステップとを備えた光学測定方法。
15. 【請求項１５】 ３層以上の情報層を有し、レーザ光が
    前記情報層のいずれかに集束されて情報信号が記録再生
    され、前記レーザ光の入射側から見て最も遠い情報層よ
    りも手前に位置する複数の情報層が、光学的に検知しう
    る２つの状態間で変化する記録層を有する光学的情報記
    録媒体に、前記レーザ光を収束し、前記情報層のいずれ
    かによって反射された前記レーザ光を光検出器によって
    受光する光学測定方法であって、 前記手前に位置する複数の情報層の合成透過率が最小と
    なる、前記記録層の状態の組み合わせの場合を場合ａと
    し、 前記手前に位置する複数の情報層の合成透過率が最大と
    なる、前記記録層の状態の組み合わせの場合を場合ｂと
    し、 前記手前に位置する複数の情報層に含まれる各記録層の
    状態の組み合わせが状態ａであるときに、前記手前に位
    置する複数の情報層を透過し、その透過した情報層より
    奥にある所定の情報層に記録された前記情報信号によっ
    て変調を受けた後前記手前に位置する複数の情報層を再
    び透過して前記光学的情報記録媒体から出た前記レーザ
    光の変調振幅をＡ₁として、前記光検出器によって測定
    するステップと、 前記手前に位置する複数の情報層に含まれる各記録層の
    状態の組み合わせが状態ｂであるときに、前記手前に位
    置する複数の情報層を透過し、前記最も遠い情報層に記
    録された前記情報信号によって変調を受けた後前記手前
    に位置する情報層を再び透過して前記光学的情報記録媒
    体から出た前記レーザ光の変調振幅をＡ ₂として前記光
    検出器によって測定するステップと、 前記Ａ₁とＡ₂を基に前記手前に位置する情報層の透過率
    変化を導出するステップとを備えた光学測定方法。
16. 【請求項１６】 ２層の情報層を有し、レーザ光が前記
    情報層のいずれかに集束されて情報信号が記録再生さ
    れ、前記レーザ光の入射側から見て最も遠い情報層より
    も手前に位置する情報層が、光学的に検知しうる２つの
    状態間で変化する記録層を有する光学的情報記録媒体
    に、前記レーザ光を収束し、前記情報層のいずれかによ
    って反射された前記レーザ光を光検出器によって受光
    し、前記レーザ光の変調振幅の変化を測定する光学測定
    方法であって、 前記手前に位置する情報層に含まれる記録層の、前記レ
    ーザ光が透過する領域が状態ａであるときに、前記手前
    に位置する情報層を透過し、前記最も遠い情報層に記録
    された前記情報信号によって変調を受けた後前記手前に
    位置する情報層を再び透過して前記光学的情報記録媒体
    から出た前記レーザ光の変調振幅をＡ₁として、前記光
    検出器によって測定するステップと、 前記手前に位置する情報層に含まれる記録層の、前記レ
    ーザ光が透過する領域の一部又は全部が状態ｂであると
    きに、前記手前に位置する情報層を透過し、前記最も遠
    い情報層に記録された前記情報信号によって変調を受け
    た後前記手前に位置する情報層を再び透過して前記光学
    的情報記録媒体から出た前記レーザ光の変調振幅をＡ₂
    として前記光検出器によって測定するステップと、 前記Ａ₁とＡ₂を基に前記レーザ光の変調振幅の変化を導
    出するステップとを備えた光学測定方法。
17. 【請求項１７】 ３層以上の情報層を有し、レーザ光が
    前記情報層のいずれかに集束されて情報信号が記録再生
    され、前記レーザ光の入射側から見て最も遠い情報層よ
    りも手前に位置する複数の情報層が、光学的に検知しう
    る２つの状態間で変化する記録層を有する光学的情報記
    録媒体に、前記レーザ光を収束し、前記情報層のいずれ
    かによって反射された前記レーザ光を光検出器によって
    受光し、前記レーザ光の変調振幅の変化を測定する光学
    測定方法であって、 前記手前に位置する複数の情報層の合成透過率が最小と
    なる、前記記録層の状態の組み合わせの場合を場合ａと
    し、 前記手前に位置する複数の情報層の合成透過率が最大と
    なる、前記記録層の状態の組み合わせの場合を場合ｂと
    し、 前記手前に位置する複数の情報層に含まれる各記録層の
    状態の組み合わせが状態ａであるときに、前記手前に位
    置する複数の情報層を透過し、その透過した情報層より
    奥にある所定の情報層に記録された前記情報信号によっ
    て変調を受けた後前記手前に位置する複数の情報層を再
    び透過して前記光学的情報記録媒体から出た前記レーザ
    光の変調振幅をＡ₁として、前記光検出器によって測定
    するステップと、 前記手前に位置する複数の情報層に含まれる各記録層の
    状態の組み合わせが状態ｂであるときに、前記手前に位
    置する複数の情報層を透過し、前記最も遠い情報層に記
    録された前記情報信号によって変調を受けた後前記手前
    に位置する情報層を再び透過して前記光学的情報記録媒
    体から出た前記レーザ光の変調振幅をＡ ₂として前記光
    検出器によって測定するステップと、 前記Ａ₁とＡ₂を基に前記レーザ光の変調振幅の変化を導
    出するステップとを備えた光学測定方法。
18. 【請求項１８】 前記レーザ光の変調振幅Ａ₁の代わり
    に、零レベルと変調振幅の上側エンベロープとの差異Ａ
    _1'を測定し、 前記レーザ光の変調振幅Ａ₂の代わりに、零レベルと変
    調振幅の上側エンベロープとの差異Ａ_2'を測定し、 前記Ａ₁とＡ₂とに基づいて、前記レーザ光の変調振幅の
    変化を導出するステップの代わりに、前記Ａ_1'とＡ_2'と
    に基づいて、前記レーザ光の振幅変調の上側エンベロー
    プとの変化を導出するステップを備えた、請求項１６又
    は１７に記載の光学測定方法。
19. 【請求項１９】 前記手前に位置する情報層に含まれる
    記録層の、レーザ光が透過する領域が状態ｂである状態
    で、前記最も遠い情報層に情報信号を記録した後、変調
    振幅Ａ₂の測定を行う請求項１４記載の光学測定方法。
20. 【請求項２０】 前記状態ａは結晶状態であり、前記状
    態ｂはアモルファス状態である請求項１０、１２、１
    ４，１６又は１９記載の光学測定方法。
21. 【請求項２１】 前記Ｓ_b又はＡ₂又はＡ_2' を測定する
    ときは、前記手前に位置する情報層の記録層は、アモル
    ファス状態の多数の記録マークとその周辺の結晶部とか
    らなる状態である請求項２０記載の光学測定方法。
22. 【請求項２２】 前記状態ａはアモルファス状態であ
    り、前記状態ｂは結晶状態である請求項１０、１２，１
    ４、１６又は１９に記載の光学測定方法。
23. 【請求項２３】 前記Ｓ_b又はＡ₂又はＡ_2'を測定すると
    きは、前記手前に位置する情報層の記録層は、結晶状態
    の多数の記録マークとその周辺のアモルファス部とから
    なる状態である請求項２２記載の光学測定方法。
24. 【請求項２４】 前記請求項１０に記載の光学測定方法
    で用いられた前記Ｓ_bを測定する時の前記レーザ光が透
    過する面積に占める前記記録マーク部の面積の割合をα
    としたとき、 【数８】0≦|1+(Ｓ_b/Ｓ_a)^1/2|≦0.1α となる構成を有する光学的情報記録媒体。
25. 【請求項２５】 前記請求項１４に記載の光学測定方法
    で用いられた前記Ａ₂を測定する時の前記レーザ光が透
    過する面積に占める前記記録マーク部の面積の割合をα
    としたとき、 【数９】0≦|1-(Ａ₂/Ａ₁)^1/2|≦0.1α となる構成を有する光学的情報記録媒体。
26. 【請求項２６】 請求項１，３，４，５，６，７，８，
    ９，２４又は２５に記載の光学的情報記録媒体にレーザ
    光を照射することによって情報信号の記録または再生を
    行う光学的情報記録再生方法であって、 前記光学的情報記録媒体の片側の面から２つ以上の情報
    層のうちの一つに前記レーザ光を照射することにより、
    情報信号を記録または再生する光学的情報記録再生方
    法。