JP2003337340A - 液晶パネル基板及び液晶パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】歩留りを高くすることができる液晶パネル基板
を提供すること。 【解決手段】本発明にかかる液晶パネル基板は、ＣＦ基
板１００、メインシール１０、ダミーシール８０及び８
１を備えている。ＣＦ基板１００は、液晶セルを形成す
るメインシール１０が複数の箇所に塗布されている。メ
インシール１０は、ＴＦＴ基板と貼り合わせた際に所定
の空間を有する液晶セルを形成する様に塗布されてい
る。ダミーシール８０及び８１は、メインシール１０の
近傍に直線状に塗布されている。ダミーシール８０及び
８１が塗布されていることにより、ＣＦ基板及びＴＦＴ
基板を貼り合わせる際の粘着力が高められＣＦ基板１０
０及びＴＦＴ基板２００が離れることが無く、歩留りを
高くすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、液晶セルを形成す
るシール材が塗布された液晶パネル基板及び液晶パネル
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、コントラストの向上、黒画面
の表示品位向上、さらには製品歩留まりの向上を目的と
し、カラーフィルター（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）基
板（以下ＣＦ基板とする。）あるいはＴＦＴ（Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を形成したアレイ
基板上に、有機膜によりスペーサを形成する製品が実用
化されている。以下に、ＣＦ基板上に柱状であるカラム
スペーサ（以下ＣＳとする。）を形成した例について説
明する。

【０００３】図１２は、ＣＦ基板に液晶セルを形成する
シール材を塗布した従来例を示す。図１２に示すよう
に、ＣＦ基板１００上に６個の液晶セルを形成するため
のメインシール１０が塗布されている。図１３及び１４
は、液晶セルの断面構成図を示す。この液晶セルは、Ｃ
Ｆ基板１００上に塗布されたメインシール１０にＴＦＴ
基板２００が貼り付けられ、さらに各液晶セル毎に切り
出されたものである。メインシール１０には、ＣＦ基板
１００上に塗布される際にガラスファイバー１１が含ま
れており、強度が高められている。液晶セル内には液晶
分子３０が封入されている。また、液晶セル内には、セ
ルギャップを均一に保持するための球形状のプラスチッ
クスペーサ２０が配置されている。図１４は、ＣＳ４０
が内部に配置された液晶セルの断面構成図を示す。この
ＣＳ４０は、柱状に形成されセルギャップを均一に保持
するためのものである。

【０００４】一般的にこのＣＳ４０は、感光性を持つ有
機材料をＣＦ基板の上にスピンコート法あるいはスリッ
ト＆スピンコート法により塗布し、写真製版工程により
露光・現像を行う、即ちフォトリソグラフィーによって
形成する。同手法による利点は、写真製版によりＣＳを
形成するため所望の位置に配置することができること
と、スピンコート法あるいはスリット＆スピンコート法
によりＣＳ４０の材料を塗布するため膜厚が均一であ
る、即ち高さが均一であることである。

【０００５】ＣＳ４０は、所望の位置に配置することが
可能であるのでＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
Ｄｉｓｐｌａｙ）の光を透過する部分、すなわち画素
開口部以外の遮光部に配置することが可能となる。これ
によりＣＳ４０周辺部の液晶の配向乱れを遮光部により
隠すことが可能となり、それによる表示不良をなくすこ
とができる。特に黒表示時の液晶の配向乱れ部分は白く
見えるため、黒表示の品位向上という点からは効果が大
きい。さらに、黒表示時に液晶に電圧を印加しないノー
マリーブラック（ＮＢ）の液晶モードでは、液晶の配向
状態が黒表示の特性を大きく支配するため、その効果が
大きく、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎ
ｇ）モード（横方向電界方式）やＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａ
ｌ Ａｒｒａｉｇｎｍｅｎｔ）モードに実用化されてい
る。また、各ＣＳ４０の高さが均一であることでＬＣＤ
の液晶層の厚みを一定に形成することができ、すなわち
液晶の電気的・光学的な応答を均一にすることができ
る。

【０００６】一方、球形状のプラスチックスペーサ２０
を散布し液晶層の厚みを形成する従来技術では、図１３
に示すように、プラスチックスペーサ２０同士が凝集す
ることやその散布装置を通すことによる異物の発生又は
プラスチックスペーサ２０の周辺部にある液晶分子３１
がプラスチックスペーサ２０の表面に配向し配向乱れを
引き起こしたり、さらにはプラスチックスペーサ２０が
動き、液晶の配向を制御する配向膜上を傷つける不良が
発生し歩留まりの低下要因となっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このようなＣＳを利用
する従来技術は、配置位置や高さを均一に形成できる手
法として有効であるが、その均一さゆえに次のような問
題が生じる。

【０００８】即ち、ＴＦＴ基板とＣＦ基板を貼り合わせ
る時、ＣＦ基板上の液晶セル内に形成したＣＳがＴＦＴ
基板上の指定配置した場所に接触する。このとき、ＣＳ
は若干撓み、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とが剥がれる方向に
付勢する。ＣＳが基板に固定された状態で均一に形成さ
れているため、力の伝達効率が高く、すなわち反力が大
きくなり両基板の剥がれが生じやすくなるという問題が
発生する。さらに、剥がれ初期の状態では、メインシー
ル部が高くなっていることから、同部近傍の液晶層厚み
が大きくなり、表示上のむらとして視認される。さら
に、基板上に構成した２つの電極の間の基板面に、ほぼ
平行な電界により液晶を動作させ、光を変調して表示す
る方式（以下、横方向電界方式と呼ぶ）では液晶層厚み
のむらに対しシビアであるため特に問題となる。

【０００９】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたもので、歩留りを高くすることが可能な液
晶パネル基板を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる液晶パネ
ル基板は、第１の基板と第２の基板を備え、前記第１の
基板上又は前記第２の基板上に有機材料により柱状のス
ペーサが形成されるとともに、液晶セルを形成するメイ
ンシールと、前記メインシールの近傍であって、切断さ
れて用いられない領域に粘着力を高めるためのダミーシ
ールとが前記第１の基板と前記第２の基板の間に塗布さ
れたものである。このような構成により、粘着力が高め
られることによって２枚の液晶パネル基板を貼り合わせ
た際に確実に保持されるので、歩留りを高くすることが
できる。このとき、メインシールとダミーシールとは１
対１の関係にあることが望ましい。

【００１１】また、前記液晶セルの一部に形成された液
晶注入口の近傍に、前記ダミーシール（例えば本実施の
形態におけるダミーシール８２）がさらに塗布されてい
ても良い。このような構成により、粘着力がより高めら
れるので、２枚の液晶パネル基板を貼り合わせた際によ
り確実に保持される。

【００１２】上述の液晶注入口の近傍に塗布されたダミ
ーシールは、柱状に形成されて塗布されても良い。この
ような構成により、粘着力を高めるとともに、柱状に形
成されたダミーシールの隙間から液晶セル内に液晶を注
入することが可能である。

【００１３】上述の液晶注入口の近傍に塗布されたダミ
ーシールは、液晶セルを切り出すラインを横切る折れ線
を形成して塗布されていても良い。このような構成によ
り、粘着力を高めるとともに、液晶セルを切り出した際
には液晶注入口が形成されるので、液晶を注入すること
が可能である。

【００１４】上述のダミーシールは、前記メインシール
よりも粘着力が強い材料より構成されていても良い。こ
のような構成により、２枚の液晶パネル基板を貼り合わ
せた際の粘着力がより高められる。

【００１５】上述のダミーシールは、前記メインシール
よりも液晶に対する親和性が低い材料により構成されて
も良い。このような構成により、例えばメインシールよ
りも液晶に対する親和性が低く、安価な材料をダミーシ
ールに用いることが可能である。

【００１６】また、本発明にかかる他の液晶パネル基板
は、第１の基板と第２の基板を備え、液晶セルを形成す
るメインシールが塗布された液晶パネル基板であって、
前記メインシールの内側に、セルギャップを保持するた
めの第１のスペーサ（例えば本実施の形態におけるＣＳ
４０）と、前記メインシールの周囲に、前記第１のスペ
ーサの反発力を分散させるための第２のスペーサ（例え
ば本実施の形態におけるＣＳ４１）とが、前記第１の基
板と前記第２の基板のいずれか一方の基板上に配置さ
れ、一体化されたものである。このような構成により、
２枚の液晶パネル基板を貼り合わせた際の第１のスペー
サによる反発力が分散され弱められるので、２枚の液晶
パネル基板が離れることを防止することができる。

【００１７】上述の第２のスペーサは、前記メインシー
ルの周囲を覆う様に配置されていても良い（例えば本実
施の形態におけるＣＳ４２）。このような構成により、
第１のスペーサによる反発力がより効果的に分散され
る。

【００１８】さらに、本発明にかかる他の液晶パネル基
板は、第１の基板と第２の基板を備えた液晶パネル基板
であって、液晶セルを形成して塗布されたメインシール
と、前記メインシールの周囲に塗布された、接着面積を
拡大するためのダミーシールと、前記メインシールの内
側に配置された、セルギャップを保持するための第１の
スペーサと、前記メインシールの周囲に配置された、反
発力を分散させるための第２のスペーサとを前記第１の
基板と前記第２の基板のいずれか一方の基板上に一体化
したものである。このような構成により、ダミーシール
により粘着力が高められ２枚の液晶パネル基板が確実に
保持されるとともに、第２のスペーサにより第１のスペ
ーサによる反発力が分散され弱められるので、２枚の液
晶パネル基板が離れることがさらに効果的に防止され
る。

【００１９】前記液晶パネル基板は、カラーフィルタ基
板であっても良い。このような構成により、カラーフィ
ルタ基板を備えた表示装置にも利用することができる。
また、前記液晶パネル基板は、横方向電界方式による液
晶表示装置において用いられるものであることが好まし
い。液晶層厚みのむらに対し、シビアなＩＰＳモードで
は特に問題となるため、より効果的である。

【００２０】さらに、本発明にかかる液晶パネルの製造
方法は、第１の基板上又は第２の基板上に有機材料によ
り柱状のスペーサを形成するステップと、液晶セルを形
成するメインシールを塗布するステップと、前記メイン
シールの周囲に、粘着力を高めるためのダミーシールを
塗布するステップとを備えたものである。これにより、
粘着力が高められることによって２枚の液晶パネル基板
を貼り合わせた際に確実に保持されるので、歩留りを高
くすることができる。

【００２１】前記液晶セルの一部に形成された液晶注入
口の近傍に、前記ダミーシールをさらに塗布するステッ
プを備えても良い。これにより、粘着力がより高められ
るので、２枚の液晶パネル基板を貼り合わせた際により
確実に保持される。

【００２２】また、本発明にかかる他の液晶パネルの製
造方法は、液晶セルを形成するメインシールが液晶パネ
ル基板上に塗布された液晶パネルの製造方法であって、
前記メインシールの内側に、セルギャップを保持するた
めの第１のスペーサを第１の基板又は第２の基板に配置
するステップと、前記メインシールの周囲に、反発力を
分散させるための第２のスペーサを第１の基板又は第２
の基板に配置するステップを備えたものである。これに
より、２枚の液晶パネル基板を貼り合わせた際の第１の
スペーサによる反発力が分散され弱められるので、２枚
の液晶パネル基板が離れることを防止することができ
る。

【００２３】さらに、本発明にかかる他の液晶パネルの
製造方法は、液晶セルを形成するメインシールを塗布す
るステップと、前記メインシールの周囲に、粘着力を高
めるためのダミーシールを塗布するステップと、前記メ
インシールの内側に、セルギャップを保持するための第
１のスペーサを第１の基板又は第２の基板に配置するス
テップと、前記メインシールの周囲に、反発力を分散さ
せるための第２のスペーサを第１の基板又は第２の基板
に配置するステップとを備えたものである。これによ
り、第２のシール材により粘着力が高められ２枚の液晶
パネル基板が確実に保持されるとともに、第２のスペー
サにより第１のスペーサによる反発力が分散され弱めら
れるので、２枚の液晶パネル基板が離れることがさらに
効果的に防止される。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる液晶パネル
基板について、複数の実施の形態を用いて説明する。

【００２５】実施の形態1．図１は、本実施の形態１に
おける液晶パネル基板をＣＦ基板に利用した例の構成図
を示す。本実施の形態におけるＣＦ基板は、ＣＦ基板１
００、メインシール１０、ダミーシール８０及び８１を
備えている。

【００２６】ＣＦ基板１００は、図１に示すように、液
晶セルを形成するメインシール１０が複数の箇所に塗布
されている。

【００２７】メインシール１０は、エポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂、又はアクリル樹脂等の光硬化性樹脂等であ
って、図１に示すように、図示しないＴＦＴ基板２００
と貼り合わせた際に、所定の空間を有する液晶セルを形
成する様に、矩形状の輪郭を形成するように塗布されて
いる。この液晶セルの一部には、液晶の注入口が設けら
れている。メインシール１０は、液晶セルを形成する折
れ線の幅が０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度である。また、横方
向電界方式の場合には、ＣＦ基板と貼り合わせた際の液
晶セルの厚さが４μｍ程度となる様に高さが形成されて
いる。ＴＮモードの場合には、４．５μｍ程度となる様
に高さが形成されている。メインシール１０は、例えば
シール材の中にガラスファイバーが含まれ強度が高めら
れている。また、液晶セルの容器を構成しているため、
液晶及びガラス等の無機材料に対して親和性を有するも
のであることが好ましい。

【００２８】ダミーシール８０及び８１は、メインシー
ル１０と同様の樹脂であって図１に示すように、メイン
シール１０の近傍に直線状に塗布されている。この例で
は、メインシール１０の１側面に沿って略平行に塗布さ
れている。このように、メインシール１０と同様の材料
とした場合には、メインシール１０、ダミーシール８０
及び８１を同じ工程及び同じ材料で塗布することが可能
であり、効率の向上を図ることができる。これらのダミ
ーシール８０及び８１が塗布されていることにより、Ｃ
Ｆ基板及びＴＦＴ基板を貼り合わせる際の粘着力が高め
られているので、メインシール１０、ダミーシール８０
及び８１が硬化されるまでの間の粘着力が低いことによ
るＣＦ基板１００及びＴＦＴ基板２００が離れる等のト
ラブルの発生を防止することが可能である。また、ＣＦ
基板１００及びＴＦＴ基板２００が離れることにより隙
間が生じ液晶が漏れる、又は離れることにより貼り合わ
せの位置精度が低下する、又はメインシール近傍の液晶
セルの厚さが大きくなる等のトラブルの発生を防止する
こともできる。

【００２９】ここで、ダミーシール８０及び８１は、液
晶との親和性は必要ないため、コスト低減を図るため
に、一定の粘着力を有していればメインシール１０に用
いられる材料に限られず安価なもの等であっても良い。
より望ましくは、ダミーシール８０及び８１は、メイン
シール１０よりも高い粘着力を有する。

【００３０】図２は、図１のＣＦ基板１００上に形成さ
れた液晶セルの拡大図を示す。各液晶セルは切り出す際
に、図２に示すように、ライン９０に沿って切り出され
る。

【００３１】ここでＣＦ基板とＴＦＴ基板の貼り合わせ
工程について説明する。まず図３に示すように、シール
塗布（Ｓ１００）工程においてＣＦ基板１００の上面
に、上述のようにメインシール１０、ダミーシール８０
及び８１が塗布され、プレキュア（Ｓ１０１）工程にお
いてシール材の仮乾燥が行われると、図示しない搬送装
置によりＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１００の上位置に
配置され、下降してＣＦ基板１００に塗布されたメイン
シール１０、ダミーシール８０及び８１に押し付けるよ
うにしてＣＦ基板１００に重ねられる（Ｓ１０２）。

【００３２】このとき、各液晶セルを形成するメインシ
ール１０の近傍にダミーシール８０が塗布され粘着力が
高められているので、ＴＦＴ基板２００が剥がれたりす
ることが無く確実にＣＦ基板１００に粘着される。そし
て、加熱手段又は紫外線照射手段等によりメインシール
１０、ダミーシール８０及び８１が硬化されるまでの間
に、ＣＦ基板１００及びＴＦＴ基板２００に挟まれたス
ペーサの反発力によりＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１０
０から離れることがないので位置精度及び液晶層厚みの
均一性に優れた貼り合わせを実現することが可能であ
る。

【００３３】また本キュア（Ｓ１０３）において、メイ
ンシール１０を硬化してＣＦ基板１００及びＴＦＴ基板
２００を確実に固定させた後は、図２に示すように、ラ
イン９０に沿って各液晶セル毎が切り出されることによ
ってダミーシール８０及び８１は、各液晶セルから切り
離される。

【００３４】以上のように本実施の形態１にかかる液晶
パネル基板によれば、メインシール１０の周囲にダミー
シール８０、８１が塗布され粘着力が高められている。
このため、ＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１００に貼り合
わされてから加熱手段又は紫外線照射手段等によりメイ
ンシール１０、ダミーシール８０及び８１が硬化される
までの間に、ＣＦ基板１００及びＴＦＴ基板２００に挟
まれたスペーサの反発力によりＴＦＴ基板２００がＣＦ
基板１００から離れることがないので位置精度に優れた
貼り合わせを実現することが可能である。

【００３５】実施の形態２．図４は、本実施の形態２に
おけるＣＦ基板の構成を示す。本実施の形態におけるカ
ラーフィルタ基板は、実施の形態１におけるＣＦ基板と
略同様であって、図４に示すように、メインシール１０
の液晶注入口の近傍にダミーシール８２が塗布されてい
る。また、メインシール１０の近傍であって、各側面と
略平行にダミーシール８３、８４及び８５が直線状に塗
布されており、ＴＦＴ基板２００を貼り合わせるための
粘着力がさらに高められている。

【００３６】図５は、図４のＣＦ基板１００上に形成さ
れた液晶セルの拡大図を示す。各液晶セルは切り出す際
に、図５に示すように、ライン９０に沿って切り出され
る。

【００３７】本実施の形態２におけるＣＦ基板は、上述
のような構成を有することにより実施の形態１と同様の
効果を奏する。ダミーシール８２、８３、８４、８５が
塗布されていることにより、ＣＦ基板１００及びＴＦＴ
基板２００を貼り合わせるための粘着力がより高められ
ているので、ＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１００により
確実に粘着され位置精度に優れた貼り合わせを実現する
ことが可能である。特に液晶注入口の近傍は、メインシ
ール１０がないためＣＦ基板１００とＴＦＴ基板２００
が剥がれやすいので、より効果的に両者の粘着力を高め
ることができる。

【００３８】また、図３における本キュア（Ｓ１０３）
において、メインシール１０を硬化してＣＦ基板１００
及びＴＦＴ基板２００を確実に固定させた後は、図５に
おけるライン９０に沿って各液晶セル毎が切り出される
ことにより、ダミーシール８２、８３、８４及び８５
は、各液晶セルから切り離されそのまま廃棄される。

【００３９】以上のように本実施の形態２にかかる液晶
パネル基板によっても、ＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１
００から離れることがないので位置精度に優れた貼り合
わせを実現することが可能である。

【００４０】なお、液晶注入口に塗布されたダミーシー
ル８２は、図６（ａ）に示すように、複数の柱状を形成
するように塗布したものとすることも可能である。ま
た、図６（ｂ）又は（ｃ）に示すように、折れ線状に塗
布したもの、又はライン９０より外側において帯状に塗
布し内側において複数の柱状に塗布したものとすること
も可能である。このダミーシール８２は、各液晶セルに
切り出される前の段階において液晶注入口を塞ぐことが
無いような構成を有している。これにより、製造工程上
で液晶セル内に生じた圧力を緩和できる。また、ダミー
シール８３、８４、８５も各々独立して設けられてい
る。このため、ダミーシールによって密閉された空間が
形成されることが無い。従って、密閉空間によって圧力
の不均衡が発生することも無い。さらに、図６（ｂ）に
示すように折れ線状にダミーシール８２を形成しても、
ライン９０に沿って各液晶セル毎に切り出された際にこ
の折れ線の一部が切り離され、液晶注入口が形成され
る。

【００４１】実施の形態３．図７は、本実施の形態３に
おけるＣＦ基板の構成図を示す。本実施の形態３におけ
るＣＦ基板は、ＣＦ基板１００、メインシール１０、カ
ラムスペーサ（以下ＣＳとする。）４０、ＣＳ４１を備
えている。メインシール１０は、実施の形態１における
ものと同様である。

【００４２】ＣＳ４０は、ＣＦ基板１００上の各液晶セ
ルを形成するメインシール１０の内側に配置された、セ
ルギャップを保持するためのスペーサである。ＣＳ４０
は、例えばフォトリソグラフィにより柱状に形成されて
いる。また、このＣＳ４０は、ＣＦ基板１００と図示し
ないＴＦＴ基板２００を貼り合わせた際におけるＴＦＴ
基板２００の画素開口部以外の遮光部と対向する箇所に
配置されている。ＣＳ４０は、図示しないＴＦＴ基板２
００にも同様に形成されている。

【００４３】ＣＳ４１は、ＣＦ基板１００に形成された
各液晶セルの周囲に配置されたスペーサである。ＣＳ４
１が各液晶セルの周囲に広範囲に配置されていることに
より、ＣＦ基板１００及びＴＦＴ基板２００を貼り合わ
せた際の、ＣＳ４０の反発力がＣＦ基板１００上の全面
に分散され、ＣＦ基板１００及びＴＦＴ基板２００が局
所的に剥がれることを防止することが可能である。この
ＣＳ４１は、ＣＳ４０と同じ密度で設けても良く、又は
異なる密度でも良い。ＣＳ４１の密度をＣＳ４０の密度
よりも高くすると、分散の効果を高めることができる。
尚、ＣＳ４０の反発力を分散するために、ＣＳ４１を液
晶セルの内部に設ける、即ちＣＳ４０の数を多くするこ
とも考えられるが、スペーサを多くすると開口率を低下
させたり、低温環境下で液晶材料の収縮により泡が発生
する低温発泡という問題も生じさせるため好ましくな
い。このため、本実施の形態では液晶セルの外部に設け
ている。

【００４４】図８は、図示しないＴＦＴ基板２００に構
成された画素の拡大図を示す。この画素は、画面表示の
信号電圧を伝達するための配線であるソース配線５０、
電圧の高低により画素開口部７０をＯＮ／ＯＦＦ制御す
るためのゲート配線６０、基板上の液晶に電圧を加える
ための画素電極７０を備えている。

【００４５】ＴＦＴ基板２００に形成されたＣＳ４０
は、図８に示すように、画素間に配置されたゲート配線
６０上、即ちＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
Ｄｉｓｐｌａｙ）の光を透過する部分、すなわち画素開
口部以外の遮光部に配置されている。このため、ＣＳ４
０周辺部分の液晶の配向乱れを遮光部により隠すことが
可能となり、配向乱れによる画像品質の低下を無くすこ
とが可能である。また、ＣＦ基板１００に配置されたＣ
Ｓ４０が、当該画素開口部以外の遮光部と対向する箇所
に配置されているので、ＣＦ基板１００及びＴＦＴ基板
２００を貼り合わせた際のこのＣＳ４０周辺部分の液晶
の配向乱れが遮光部により隠れて、配向乱れによる画像
品質の低下も無い。

【００４６】ここでＣＦ基板とＴＦＴ基板の貼り合わせ
工程について説明する。まず図３に示すように、シール
塗布（Ｓ１００）工程においてＣＦ基板１００の上面
に、上述のようにメインシール１０、ダミーシール８０
及び８１が塗布され、プレキュア（Ｓ１０１）工程にお
いてシール材の仮乾燥が行われる。そして、図示しない
搬送装置によりＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１００の上
位置に配置され、下降してＣＦ基板１００上のメインシ
ール１０に押し付けるようにしてＣＦ基板１００に重ね
られる（Ｓ１０２）。

【００４７】このとき、ＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１
００に貼り付けた際におけるＣＳ４０の反発力が各液晶
セルの外側に配置されたＣＳ４１により分散される。こ
のため、ＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１００から局所的
に剥がれることを防止することが可能である。そして、
加熱手段又は紫外線照射手段等によりメインシール１０
が硬化されるまでの間に、ＣＦ基板１００及びＴＦＴ基
板２００に挟まれたＣＳ４０の反発力によりＴＦＴ基板
２００がＣＦ基板１００から離れることがないので位置
精度に優れた貼り合わせを実現することが可能である。

【００４８】また本キュア（Ｓ１０３）において、メイ
ンシール１０を硬化してＣＦ基板１００及びＴＦＴ基板
２００を確実に固定させた後は、各液晶セル毎に切り出
されることによってＣＳ４１は、各液晶セルから切り離
される。

【００４９】以上のように本実施の形態３にかかる液晶
パネル基板によれば、各液晶セルを形成するメインシー
ル１０の外側にＣＳ４１が配置されているので、ＣＦ基
板１００及びＴＦＴ基板２００を貼り合わせた際のＣＳ
４０の反発力を分散させることが可能である。このた
め、メインシール１０近傍のＣＳ４０の反発力を弱める
ことができ、ＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１００から剥
がれることを防止することができる。従って、ＴＦＴ基
板２００がＣＦ基板１００に貼り合わされてから加熱手
段又は紫外線照射手段等によりメインシール１０が硬化
されるまでの間に、ＣＦ基板１００及びＴＦＴ基板２０
０に挟まれたＣＳ４０の反発力によりＴＦＴ基板２００
がＣＦ基板１００から離れることがないので位置精度に
優れた貼り合わせを実現することが可能である。

【００５０】実施の形態４．図９は、本実施の形態４に
おけるＣＦ基板の構成図を示す。本実施の形態４におけ
るＣＦ基板は、実施の形態３におけるものと略同様であ
って、ＣＳ４１がメインシール１０の周囲を覆うＣＳ４
２に置き換えられている。メインシール１０及びＣＳ４
０は、実施の形態３におけるものと同様である。

【００５１】ＣＳ４２は、例えばＣＳ４０と同様の材料
であって、フォトリソグラフィによりＣＳ４０と同じ高
さに形成される。

【００５２】本実施の形態４におけるＣＦ基板が上述の
ような構成を有することにより、実施の形態３における
ＣＦ基板と同様の効果を奏する。また、ＣＳ４２がメイ
ンシール１０の周囲を覆うようにしてＣＦ基板１０上の
全面に形成されているので、ＴＦＴ基板２００をＣＦ基
板１００に貼り合わせた際のＣＳ４０の反発力がより効
果的に分散され、ＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１００か
ら剥がれることをより効果的に防止することが可能であ
る。

【００５３】また本キュア（Ｓ１０３）において、メイ
ンシール１０を硬化してＣＦ基板１００及びＴＦＴ基板
２００を確実に固定させた後は、ライン９０に沿って各
液晶セル毎が切り出されることによってＣＳ４２は、各
液晶セルから切り離される。

【００５４】以上のように本実施の形態４にかかる液晶
パネル基板によれば、各液晶セルをメインシール１０の
外側にＣＳ４２が配置されているので、ＣＦ基板１００
及びＴＦＴ基板２００を貼り合わせた際のＣＳ４０の反
発力をより効果的に分散させることが可能である。この
ため、ＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１００から局所的に
剥がれることをより効果的に防止することができる。従
って、ＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１００に貼り合わさ
れてから加熱手段又は紫外線照射手段等によりメインシ
ール１０が硬化されるまでの間に、ＣＦ基板１００及び
ＴＦＴ基板２００に挟まれたＣＳ４０の反発力によりＴ
ＦＴ基板２００がＣＦ基板１００から離れることがない
ので位置精度に優れた貼り合わせを実現することが可能
である。また、図１０のようにＣＳ４２の一部を切り欠
き、通気孔４２１を設けると、空気たまりによる不具合
がなくなり、より良好である。

【００５５】実施の形態５．図１１は、本実施の形態５
における液晶パネル基板をＣＦ基板に利用した例の構成
図を示す。本実施の形態におけるＣＦ基板は、実施の形
態１におけるものと実施の形態３におけるものを組み合
わせたものであり、ＣＦ基板１００、メインシール１
０、ＣＳ４０、ＣＳ４１、ダミーシール８０及び８１を
備えている。

【００５６】メインシール１０、ＣＳ４０、ダミーシー
ル８０及び８１は、実施の形態１と同様に塗布又は配置
され、説明を省略する。ＣＳ４１は、メインシール１
０、ダミーシール８０及び８１の周囲に、例えばフォト
リソグラフィにより柱状に形成されている。

【００５７】次に、本実施の形態５におけるＣＦ基板が
上述のような構成を有することにより生じる作用効果に
ついて説明する。まず図３に示すシール塗布（Ｓ１０
０）工程においてＣＦ基板１００の上面に、上述のよう
にメインシール１０、ダミーシール８０及び８１が塗布
され、プレキュア（Ｓ１０１）工程においてシール材の
仮乾燥が行われる。その後、図示しない搬送装置により
ＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１００の上位置に配置さ
れ、下降してＣＦ基板１００に塗布されたメインシール
１０、ダミーシール８０、８１に押し付けるようにして
ＣＦ基板１００に重ねられる（Ｓ１０２）。

【００５８】このとき、各液晶セルを形成するメインシ
ール１０の近傍にダミーシール８０が塗布され粘着力が
高められているので、ＴＦＴ基板２００が剥がれたりす
ることが無く確実にＣＦ基板１００に粘着される。また
さらに、メインシール１０及びダミーシール８０、又は
メインシール１０及びダミーシール８１の周囲にＣＳ４
１が配置されているので、ＴＦＴ基板２００をＣＦ基板
１００に押し付けた際に生じるＣＳ４０の反発力が分散
される。このため、ＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１００
から局所的に剥がれることが、実施の形態１乃至３と比
較してさらに効果的に防止される。そして、加熱手段又
は紫外線照射手段等によりメインシール１０、ダミーシ
ール８０及び８１が硬化されるまでの間に、ＣＦ基板１
００及びＣＦ基板に挟まれたスペーサの反発力によりＣ
Ｆ基板がＣＦ基板１００から離れることがないので位置
精度に優れた貼り合わせを実現することが可能である。

【００５９】また本キュア（Ｓ１０３）において、メイ
ンシール１０を硬化してＣＦ基板１００及びＴＦＴ基板
２００を確実に固定させた後は、ライン９０に沿って各
液晶セル毎が切り出されることによってＣＳ４１、ダミ
ーシール８０及び８１は、各液晶セルから切り離され
る。

【００６０】以上のように本実施の形態５にかかる液晶
パネル基板によれば、メインシール１０の周囲にダミー
シール８０、８１が塗布され粘着力が高められており、
さらに、メインシール１０、ダミーシール８０及び８１
の周囲にＣＳ４１が配置されメインシール１０近傍のＣ
Ｓ４０の反発力が弱められている。このため、ＴＦＴ基
板２００がＣＦ基板１００に貼り合わされてから加熱手
段又は紫外線照射手段等によりメインシール１０及びダ
ミーシール８０、８１が硬化されるまでの間に、ＣＦ基
板１００及びＴＦＴ基板２００に挟まれたスペーサの反
発力によりＴＦＴ基板２００がＣＦ基板１００から離れ
ることがないので位置精度に優れた貼り合わせを実現す
ることが可能である。

【００６１】その他の実施の形態．貼り合わせの際の粘
着力を高めることができれば、ダミーシール８０、８
１、８２、８３、８４又は８５は直線状に限られず、メ
インシール１０の周囲に広範囲に塗布し、より効果的な
粘着力の向上を図っても良い。

【００６２】また、上述の複数の実施の形態におけるＣ
Ｆ基板１００の構成を組み合わせて利用することも可能
である。また、液晶層の厚みが光学特性に及ぼす影響が
大きいＩＰＳ方式に利用することは更に効果が大きい。
この点について、さらに詳細に説明する。広い視野角が
得られる横方向電界方式は、ＩＰＳ方式やＦＦＳ方式が
実用化されている。これらの方式は、複屈折効果を利用
し光学的なスイッチングを行っている。そのため、液晶
層の厚みが光学特性に与える影響が大きい。図１５に液
晶表示装置で最も汎用的であるＴＮ方式とＩＰＳ方式の
液晶層厚みに対する光学特性の変化を示す。ここで、横
軸は液晶分子の屈折率異方性を示すΔｎと液晶層の厚み
ｄの積で表し、縦軸は光学的な変化を示すΔＥ^＊で表し
た。ΔＥ^＊は、Ｌ^＊ｕ^＊ｖ^＊表色系に関するものであ
り、次の式により表すことができる。 ΔＥ^＊＝［（ΔＬ^＊）^２＋（Δｕ^＊）^２＋（Δ
ｖ^＊）^２］^１／２ また、図１５に示すグラフは、計算から得られた結果で
ある。図１５よりＩＰＳ方式とＴＮ方式はともにΔｎ・
ｄを２０ｎｍずつ変化させたときのΔＥ^＊の変化は、Ｉ
ＰＳ方式の方が２倍以上大きいことが判る。Δｎは液晶
分子固有の値であるため、同一パネル内では液晶層の厚
みｄのみがΔＥ^＊の変化に寄与する。よって、ＩＰＳ方
式の方がＴＮ方式より液晶層の厚みばらつきに対し厳し
いことが説明できる。これらのことから、メインシール
部周辺の厚みむらを改善する手法を、複屈折率効果を用
いた横方向電界方式に用いることが有効であることが説
明される。

【００６３】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば歩留
りを高くすることができる液晶パネル基板を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明の実施の形態１における液晶パネル基板を
示す概略構成図である。

【図２】発明の実施の形態１における液晶パネル基板上
の液晶セルを示す拡大構成図である。

【図３】発明の実施の形態１における液晶パネル基板の
貼り合わせの工程を示す図である。

【図４】発明の実施の形態２における液晶パネル基板を
示す概略構成図である。

【図５】発明の実施の形態２における液晶パネル基板上
の液晶セルを示す拡大構成図である。

【図６】発明の実施の形態２における液晶パネル基板上
に形成されたダミーシール８２を示す図である。

【図７】発明の実施の形態３における液晶パネル基板を
示す概略構成図である。

【図８】発明の実施の形態３における液晶パネル基板に
おけるＴＦＴ基板２００に構成された画素を示す拡大構
成図である。

【図９】発明の実施の形態４における液晶パネル基板を
示す概略構成図である。

【図１０】発明の実施の形態４における液晶パネル基板
を示す概略構成図である。

【図１１】発明の実施の形態５における液晶パネル基板
を示す概略構成図である。

【図１２】従来技術における液晶パネル基板を示す概略
構成図である。

【図１３】従来技術における液晶パネルの、内部にプラ
スチックスペーサ２０が配置された液晶セルを示す断面
図である。

【図１４】従来技術における液晶パネルの、内部にＣＳ
４０が配置された液晶セルを示す断面図である。

【図１５】ＴＮ方式とＩＰＳ方式の液晶層厚みに対する
光学特性の変化を示すグラフである。

【符号の説明】 １０ メインシール １１ ガラスファイバー ２０
プラスチックスペーサ ３０ 液晶 ３１ 液晶 ４０、４１、４２ ＣＳ ５
０ ソース配線 ６０ ゲート配線 ７０ 画素電極 ８０、８１、８２、８３、８４、８５ ダミーシール
９０ ライン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 LA09 LA41 MA03 NA05 NA37 PA01 PA15 QA02 QA14 TA02 TA12 2H090 JA15 JB05 JC17 JD01 JD13 LA01 LA02 LA03

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１の基板と第２の基板を備え、 前記第１の基板上又は前記第２の基板上に有機材料によ
   り柱状のスペーサが形成されるとともに、 液晶セルを形成するメインシールと、 前記メインシールの近傍であって、切断されて用いられ
   ない領域に粘着力を高めるためのダミーシールとが前記
   第１の基板と前記第２の基板の間に塗布されたことを特
   徴とする液晶パネル基板。
2. 【請求項２】前記メインシールと前記ダミーシールとは
   １対１の関係にあることを特徴とする請求項１記載の液
   晶パネル基板。
3. 【請求項３】前記液晶セルの一部に形成された液晶注入
   口の近傍に、前記ダミーシールがさらに塗布されたこと
   を特徴とする請求項１記載の液晶パネル基板。
4. 【請求項４】前記液晶注入口の近傍に塗布されたダミー
   シールは、柱状に形成されて塗布されたことを特徴とす
   る請求項３記載の液晶パネル基板。
5. 【請求項５】前記液晶注入口の近傍に塗布されたダミー
   シールは、前記液晶セルを切り出すラインを横切る折れ
   線を形成して塗布されたことを特徴とする請求項３記載
   の液晶パネル基板。
6. 【請求項６】前記ダミーシールは、前記メインシールよ
   りも粘着力が強い材料より構成されていることを特徴と
   する請求項１乃至５のいずれかに記載の液晶パネル基
   板。
7. 【請求項７】前記ダミーシールは、前記メインシールよ
   りも液晶に対する親和性が低い材料により構成されてい
   ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の
   液晶パネル基板。
8. 【請求項８】第１の基板と第２の基板を備え、液晶セル
   を形成するメインシールが塗布された液晶パネル基板で
   あって、 前記メインシールの内側に、セルギャップを保持するた
   めの第１のスペーサと、 前記メインシールの周囲に、前記第１のスペーサの反発
   力を分散させるための第２のスペーサとが、前記第１の
   基板と前記第２の基板のいずれか一方の基板上に配置さ
   れ、一体化されたことを特徴とする液晶パネル基板。
9. 【請求項９】前記第２のスペーサは、前記メインシール
   の周囲を覆う様に配置されていることを特徴とする請求
   項８記載の液晶パネル基板。
10. 【請求項１０】第１の基板と第２の基板を備えた液晶パ
    ネル基板であって、 液晶セルを形成して塗布されたメインシールと、 前記メインシールの周囲に塗布された、接着力を高める
    ためのダミーシールと、 前記メインシールの内側に配置された、セルギャップを
    保持するための第１のスペーサと、 前記メインシールの周囲に配置された、反発力を分散さ
    せるための第２のスペーサとを、前記第１の基板と前記
    第２の基板のいずれか一方の基板上に一体化されたこと
    を特徴とする液晶パネル基板。
11. 【請求項１１】前記液晶パネル基板の一方の基板は、カ
    ラーフィルタ基板であることを特徴とする請求項１乃至
    １０のいずれかに記載の液晶パネル基板。
12. 【請求項１２】前記液晶パネル基板は、横方向電界方式
    による液晶表示装置において用いられるものであること
    を特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の液晶
    パネル基板。
13. 【請求項１３】第１の基板上又は第２の基板上に有機材
    料により柱状のスペーサを形成するステップと、 液晶セルを形成するメインシールを塗布するステップ
    と、 前記メインシールの周囲に、粘着力を高めるためのダミ
    ーシールを塗布するステップとを備えたことを特徴とす
    る液晶パネルの製造方法。
14. 【請求項１４】前記液晶セルの一部に形成された液晶注
    入口の近傍に、前記ダミーシールをさらに塗布するステ
    ップを備えたことを特徴とする請求項１３記載の液晶パ
    ネルの製造方法。
15. 【請求項１５】液晶セルを形成するメインシールが液晶
    パネル基板上に塗布された液晶パネル基板の製造方法で
    あって、 前記メインシールの内側に、セルギャップを保持するた
    めの第１のスペーサを第１の基板又は第２の基板に配置
    するステップと、 前記メインシールの周囲に、反発力を分散させるための
    第２のスペーサを第１の基板又は第２の基板に配置する
    ステップを備えたことを特徴とする液晶パネルの製造方
    法。
16. 【請求項１６】液晶セルを形成するメインシールを塗布
    するステップと、 前記メインシールの周囲に、粘着力を高めるためのダミ
    ーシールを塗布するステップと、 前記メインシールの内側に、セルギャップを保持するた
    めの第１のスペーサを第１の基板又は第２の基板に配置
    するステップと、 前記メインシールの周囲に、反発力を分散させるための
    第２のスペーサを第１の基板又は第２の基板に配置する
    ステップとを備えたことを特徴とする液晶パネルの製造
    方法。
17. 【請求項１７】前記液晶パネルは、横方向電界方式によ
    る液晶表示装置において用いられるものであることを特
    徴とする請求項１３乃至１６のいずれかに記載の液晶パ
    ネルの製造方法。