JP2003324113A - 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および半導体製造装置Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイボンダにおけるズーム光学系の分解能を
ダイボンディングする半導体チップの大きさに合わせて
指定し、それに対応したパルス数でパルスモータを動作
させる。 【解決手段】 ズーム光学系の分解能値とパルスモータ
のズーム回転量（パルス数）値との組み合わせからなる
データテーブルを形成し、そのデータテーブルを参照し
ながらボンディング対象となる半導体チップおよびリー
ドフレームの大きさに応じたズーム光学系の分解能を指
定し、その分解能に対応したズーム回転量でパルスモー
タを動作させる。
ダイボンディングする半導体チップの大きさに合わせて
指定し、それに対応したパルス数でパルスモータを動作
させる。 【解決手段】 ズーム光学系の分解能値とパルスモータ
のズーム回転量（パルス数）値との組み合わせからなる
データテーブルを形成し、そのデータテーブルを参照し
ながらボンディング対象となる半導体チップおよびリー
ドフレームの大きさに応じたズーム光学系の分解能を指
定し、その分解能に対応したズーム回転量でパルスモー
タを動作させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術および半導体製造装置に関し、特に、ダイボンダな
どの半導体製造装置における光学系の分解能データの作
成工程に適用して有効な技術に関するものである。
技術および半導体製造装置に関し、特に、ダイボンダな
どの半導体製造装置における光学系の分解能データの作
成工程に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ダイボンダのボンディング精度の
高精度化が要求されている。この要求を高速ボンディン
グ工程において実現するために、たとえばダイ（半導体
チップ）の位置決めを行う工程においては、ズーム光学
系の倍率を選択してズームを行い、水平方向の位置決め
およびダイの回転誤差の検出を行う方法を適用してい
る。また、ズーム光学系の倍率は、分解能によって表さ
れる。この分解能は、たとえばボンディング作業部位を
観察するモニター画面の端部に観察するターゲット配置
して位置決めを行った後、そのターゲットを画面内の対
向する端部まで動かし、ターゲットの実際の移動距離を
画面内の移動量（ピクセル）で割ることによって求めら
れる。
高精度化が要求されている。この要求を高速ボンディン
グ工程において実現するために、たとえばダイ（半導体
チップ）の位置決めを行う工程においては、ズーム光学
系の倍率を選択してズームを行い、水平方向の位置決め
およびダイの回転誤差の検出を行う方法を適用してい
る。また、ズーム光学系の倍率は、分解能によって表さ
れる。この分解能は、たとえばボンディング作業部位を
観察するモニター画面の端部に観察するターゲット配置
して位置決めを行った後、そのターゲットを画面内の対
向する端部まで動かし、ターゲットの実際の移動距離を
画面内の移動量（ピクセル）で割ることによって求めら
れる。
【０００３】ここで、種々のダイボンダについては、た
とえば２００１年１２月１４日、株式会社プレスジャー
ナル発行、「Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＦＰＤ Ｗ
ｏｒｌｄ 増刊号 ’０２最新半導体プロセス技術」、
ｐ３２５〜ｐ３３０に記載されている。
とえば２００１年１２月１４日、株式会社プレスジャー
ナル発行、「Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＦＰＤ Ｗ
ｏｒｌｄ 増刊号 ’０２最新半導体プロセス技術」、
ｐ３２５〜ｐ３３０に記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、ズーム
光学系において分解能を先に指定し、その分解能に対応
してズーム光学系に含まれるズームレンズを動作させる
技術について検討している。その中で、本発明者らは以
下のような課題を見出した。
光学系において分解能を先に指定し、その分解能に対応
してズーム光学系に含まれるズームレンズを動作させる
技術について検討している。その中で、本発明者らは以
下のような課題を見出した。
【０００５】すなわち、ズーム光学系においては、たと
えばパルスモータによってズームレンズを回転させ、そ
の回転によってズームレンズは上下動する。この上下動
によってズームレンズの焦点が変わることから、ズーム
光学系の倍率を変化させることができる。ここで、ズー
ムレンズを回転させるためのパルスモータのパルス数と
実際のズーム光学系の倍率との関係は、曲線で図示され
ることから、近似式で表すことはできる。しかしなが
ら、この近似式にパルス数を代入することによってズー
ム光学系の倍率を厳密に求めることはできない。上記し
たように、ズーム光学系の倍率は分解能によって表され
ることから、予め分解能を指定した場合には、それに対
応したパルス数でパルスモータを動作させることができ
なくなる課題がある。
えばパルスモータによってズームレンズを回転させ、そ
の回転によってズームレンズは上下動する。この上下動
によってズームレンズの焦点が変わることから、ズーム
光学系の倍率を変化させることができる。ここで、ズー
ムレンズを回転させるためのパルスモータのパルス数と
実際のズーム光学系の倍率との関係は、曲線で図示され
ることから、近似式で表すことはできる。しかしなが
ら、この近似式にパルス数を代入することによってズー
ム光学系の倍率を厳密に求めることはできない。上記し
たように、ズーム光学系の倍率は分解能によって表され
ることから、予め分解能を指定した場合には、それに対
応したパルス数でパルスモータを動作させることができ
なくなる課題がある。
【０００６】本発明の目的は、ダイボンダにおけるズー
ム光学系の分解能をダイボンディングする半導体チップ
の大きさに合わせて指定し、それに対応したパルス数で
パルスモータを動作させることのできる技術を提供する
ことにある。
ム光学系の分解能をダイボンディングする半導体チップ
の大きさに合わせて指定し、それに対応したパルス数で
パルスモータを動作させることのできる技術を提供する
ことにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【０００９】すなわち、本発明は、ボンディング工具に
よって保持された半導体チップおよび前記半導体チップ
と対向するように配置されたチップ支持部材を撮影する
光学系を配置する工程と、所定の倍率に設定した前記光
学系にて前記半導体チップおよび前記チップ支持部材を
撮影することで前記半導体チップおよび前記チップ支持
部材の接合箇所を求め、求められた前記接合箇所に基づ
いて前記半導体チップおよび前記チップ支持部材を位置
合わせして接合する工程とを含み、前記光学系はパルス
モータの動作によって前記倍率を変化させ、前記パルス
モータは複数のデータの組み合わせを有するデータテー
ブルから選択された前記データの組み合わせに基づいて
動作し、前記データテーブルは、前記パルスモータの動
作によって前記光学系が含むモニター画面にターゲット
を映し出し、前記パルスモータの動作に要したパルス数
値を保持する工程と、前記ターゲットを所定量移動さ
せ、前記モニター画面内での前記ターゲットの移動量が
測定できない場合には、前記ターゲットの移動量を１０
倍以上または１／１０倍以下として前記モニター画面内
での前記ターゲットの移動量を測定し直し、前記ターゲ
ットの実際の移動距離を前記モニター画面内での前記タ
ーゲットの移動量で割ることによって単位画素当たりの
移動距離を求める工程と、前記単位画素当たりの移動距
離に基づき、前記ターゲットを前記モニター画面内にて
水平方向の端部間および上下方向の端部間を移動させる
ための前記ターゲットの移動距離の概算値を求める工程
と、前記概算値に基づいて前記ターゲットを前記モニタ
ー画面内にて水平方向の端部間および上下方向の端部間
を移動させ、前記ターゲットの水平方向および上下方向
における実際の移動距離を求める工程と、前記ターゲッ
トの水平方向および上下方向における実際の移動距離を
それぞれ前記モニター画面の水平方向の端部間の画素数
および上下方向の端部間の画素数で割ることにより、前
記光学系の水平方向における第１分解能値および上下方
向における第２分解能値を求める工程と、前記パルス数
値、前記パルス数値に対応した前記第２分解能値および
前記第２分解能値からなる前記データの組み合わせを形
成する工程とを含む工程によって形成するものである。
よって保持された半導体チップおよび前記半導体チップ
と対向するように配置されたチップ支持部材を撮影する
光学系を配置する工程と、所定の倍率に設定した前記光
学系にて前記半導体チップおよび前記チップ支持部材を
撮影することで前記半導体チップおよび前記チップ支持
部材の接合箇所を求め、求められた前記接合箇所に基づ
いて前記半導体チップおよび前記チップ支持部材を位置
合わせして接合する工程とを含み、前記光学系はパルス
モータの動作によって前記倍率を変化させ、前記パルス
モータは複数のデータの組み合わせを有するデータテー
ブルから選択された前記データの組み合わせに基づいて
動作し、前記データテーブルは、前記パルスモータの動
作によって前記光学系が含むモニター画面にターゲット
を映し出し、前記パルスモータの動作に要したパルス数
値を保持する工程と、前記ターゲットを所定量移動さ
せ、前記モニター画面内での前記ターゲットの移動量が
測定できない場合には、前記ターゲットの移動量を１０
倍以上または１／１０倍以下として前記モニター画面内
での前記ターゲットの移動量を測定し直し、前記ターゲ
ットの実際の移動距離を前記モニター画面内での前記タ
ーゲットの移動量で割ることによって単位画素当たりの
移動距離を求める工程と、前記単位画素当たりの移動距
離に基づき、前記ターゲットを前記モニター画面内にて
水平方向の端部間および上下方向の端部間を移動させる
ための前記ターゲットの移動距離の概算値を求める工程
と、前記概算値に基づいて前記ターゲットを前記モニタ
ー画面内にて水平方向の端部間および上下方向の端部間
を移動させ、前記ターゲットの水平方向および上下方向
における実際の移動距離を求める工程と、前記ターゲッ
トの水平方向および上下方向における実際の移動距離を
それぞれ前記モニター画面の水平方向の端部間の画素数
および上下方向の端部間の画素数で割ることにより、前
記光学系の水平方向における第１分解能値および上下方
向における第２分解能値を求める工程と、前記パルス数
値、前記パルス数値に対応した前記第２分解能値および
前記第２分解能値からなる前記データの組み合わせを形
成する工程とを含む工程によって形成するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１１】（実施の形態１）図１および図２は、それ
ぞれ本実施の形態１の半導体製造装置の一例であるダイ
ボンダの斜視図および上面図である。
ぞれ本実施の形態１の半導体製造装置の一例であるダイ
ボンダの斜視図および上面図である。
【００１２】図１および図２に示すように、本実施の形
態１のダイボンダにおいて、ウェハカセット１から取り
出された半導体ウェハ２は、ウェハホルダＷＨによって
保持された状態でＸＹテーブル３上に搬送された後、こ
のＸＹテーブル３によってウェハ認識カメラ４の下部へ
搬送される。この時、半導体ウェハ２は、ウェハリング
ＷＲ（図２参照）およびウェハシートによっても保持さ
れている。
態１のダイボンダにおいて、ウェハカセット１から取り
出された半導体ウェハ２は、ウェハホルダＷＨによって
保持された状態でＸＹテーブル３上に搬送された後、こ
のＸＹテーブル３によってウェハ認識カメラ４の下部へ
搬送される。この時、半導体ウェハ２は、ウェハリング
ＷＲ（図２参照）およびウェハシートによっても保持さ
れている。
【００１３】リードフレーム（チップ支持部材）６は、
ローダ７によってフレームフィーダ８上へ搬送された
後、このフレームフィーダ８に沿ってプリフォーム位置
９へ搬送される。プリフォーム位置９においては、たと
えばプリフォームヘッド１０によってリードフレーム６
における半導体チップ（ダイ）のボンディング位置にＡ
ｇ（銀）ペーストが塗布される。このＡｇペーストは、
リードフレーム６と半導体チップとを接合するための接
合材料として用いられる。その後、リードフレーム６
は、フレームフィーダ８に沿ってボンディング位置１１
へ搬送される。
ローダ７によってフレームフィーダ８上へ搬送された
後、このフレームフィーダ８に沿ってプリフォーム位置
９へ搬送される。プリフォーム位置９においては、たと
えばプリフォームヘッド１０によってリードフレーム６
における半導体チップ（ダイ）のボンディング位置にＡ
ｇ（銀）ペーストが塗布される。このＡｇペーストは、
リードフレーム６と半導体チップとを接合するための接
合材料として用いられる。その後、リードフレーム６
は、フレームフィーダ８に沿ってボンディング位置１１
へ搬送される。
【００１４】半導体ウェハ２から切り出された半導体チ
ップは、ウェハ認識カメラ４の下部のピックアップ位置
１２においてボンディングヘッド（ボンディング工具）
１３によりピックアップされ、ボンディング位置１１へ
搬送されたリードフレーム６のボンディング位置（接合
箇所）へボンディングされる。半導体チップがボンディ
ングされたリードフレーム６は、フレームフィーダ８に
沿ってマガジンラック１４へと収納される。
ップは、ウェハ認識カメラ４の下部のピックアップ位置
１２においてボンディングヘッド（ボンディング工具）
１３によりピックアップされ、ボンディング位置１１へ
搬送されたリードフレーム６のボンディング位置（接合
箇所）へボンディングされる。半導体チップがボンディ
ングされたリードフレーム６は、フレームフィーダ８に
沿ってマガジンラック１４へと収納される。
【００１５】上記ウェハ認識カメラ４（図１参照）が用
いている光学系は、パルスモータ（図示は省略）を用い
たズーム光学系である。パルスモータのパルス回転（以
下、ズーム回転という）によってズーム光学系のズーム
レンズは上下動し、この上下動によってズームレンズの
焦点を変えることによってズーム光学系の倍率を変化さ
せている。ウェハ認識カメラ４によって観察される被写
体は、半導体ウェハ２であり、ウェハ認識カメラ４によ
って撮影された画像は、観察用モニター画面に映し出さ
れる。ここで、図３は、その観察用モニター画面を示し
たものである。観察用モニター画面にターゲットとなる
半導体チップ２Ａを映し出した後、半導体チップ２に形
成されている特徴パターン１５をテンプレート登録す
る。これにより、その特徴パターン１５を認識処理する
ことが可能となる（図３（ａ）参照）。
いている光学系は、パルスモータ（図示は省略）を用い
たズーム光学系である。パルスモータのパルス回転（以
下、ズーム回転という）によってズーム光学系のズーム
レンズは上下動し、この上下動によってズームレンズの
焦点を変えることによってズーム光学系の倍率を変化さ
せている。ウェハ認識カメラ４によって観察される被写
体は、半導体ウェハ２であり、ウェハ認識カメラ４によ
って撮影された画像は、観察用モニター画面に映し出さ
れる。ここで、図３は、その観察用モニター画面を示し
たものである。観察用モニター画面にターゲットとなる
半導体チップ２Ａを映し出した後、半導体チップ２に形
成されている特徴パターン１５をテンプレート登録す
る。これにより、その特徴パターン１５を認識処理する
ことが可能となる（図３（ａ）参照）。
【００１６】次に、ＸＹテーブル３を適当に動かし、観
察用モニター画面内での特徴パターン１５の移動量（ピ
クセル）を測定する（図３（ｂ）参照）。この時、観察
用モニター画面内での特徴パターン１５の移動量が小さ
すぎたり、または大きすぎて画面から外れてしまい特徴
パターン１５の移動量が測定できない場合には、ＸＹテ
ーブル３の動作量を自動的に指数的に変化させて再度観
察用モニター画面内での特徴パターン１５の移動量を測
定する。この工程は、特徴パターン１５の移動量が測定
できるまで繰り返す。ここで、本実施の形態１におい
て、指数的とは、１０倍程度以上もしくは１／１０倍程
度以下にすることを言う。続いて、ＸＹテーブル３の動
作量、すなわち特徴パターン１５の実際の移動距離（単
位は、たとえばμｍ）を特徴パターン１５の観察用モニ
ター画面内での移動量（ピクセル）で割り、単位画素
（ピクセル）当たりの移動距離（μｍ）を求める。この
単位画素当たりの移動距離をもとに、特徴パターン１５
を観察用モニター画面における端部間（水平方向（以
下、Ｘ方向という）および上下方向（以下、Ｙ方向とい
う））を移動させるための概算値（μｍ）を求める。次
いで、図４に示すように、観察用モニター画面内におい
て特徴パターン１５を水平方向での端部Ａに配置した
後、前記概算値を参考にしてＸＹテーブル３を動かし、
前記端部Ａに水平方向で対向する端部Ｂへ特徴パターン
１５を移動させる。この時の特徴パターン１５の実際の
移動距離（μｍ）を観察用モニター画面の水平方向の画
素数で割ることによって、Ｘ方向（端部Ａと端部Ｂとの
間）での分解能（第１分解能）を求めることができる。
同様にして、Ｙ方向（端部Ｃと端部Ｄとの間）での分解
能（第２分解能）を求めることができる。これにより、
上記パルスモータのズーム回転量（パルス数）値とズー
ム光学系の分解能値とを対応させることができる。この
ようにして、ズーム光学系の複数の分解能値のそれぞれ
に対応するパルスモータのズーム回転量（パルス数）値
を求め、そのズーム光学系の分解能値とパルスモータの
ズーム回転量値との組み合わせからなるデータテーブル
を形成する（図５参照）。このようなデータテーブルを
形成し、そのデータテーブルを参照することにより、ボ
ンディング対象となる半導体チップおよびリードフレー
ム６（図１および図２参照）の大きさに応じたズーム光
学系の分解能を予め指定し、その分解能に対応したズー
ム回転量でパルスモータを動作させることが可能とな
る。
察用モニター画面内での特徴パターン１５の移動量（ピ
クセル）を測定する（図３（ｂ）参照）。この時、観察
用モニター画面内での特徴パターン１５の移動量が小さ
すぎたり、または大きすぎて画面から外れてしまい特徴
パターン１５の移動量が測定できない場合には、ＸＹテ
ーブル３の動作量を自動的に指数的に変化させて再度観
察用モニター画面内での特徴パターン１５の移動量を測
定する。この工程は、特徴パターン１５の移動量が測定
できるまで繰り返す。ここで、本実施の形態１におい
て、指数的とは、１０倍程度以上もしくは１／１０倍程
度以下にすることを言う。続いて、ＸＹテーブル３の動
作量、すなわち特徴パターン１５の実際の移動距離（単
位は、たとえばμｍ）を特徴パターン１５の観察用モニ
ター画面内での移動量（ピクセル）で割り、単位画素
（ピクセル）当たりの移動距離（μｍ）を求める。この
単位画素当たりの移動距離をもとに、特徴パターン１５
を観察用モニター画面における端部間（水平方向（以
下、Ｘ方向という）および上下方向（以下、Ｙ方向とい
う））を移動させるための概算値（μｍ）を求める。次
いで、図４に示すように、観察用モニター画面内におい
て特徴パターン１５を水平方向での端部Ａに配置した
後、前記概算値を参考にしてＸＹテーブル３を動かし、
前記端部Ａに水平方向で対向する端部Ｂへ特徴パターン
１５を移動させる。この時の特徴パターン１５の実際の
移動距離（μｍ）を観察用モニター画面の水平方向の画
素数で割ることによって、Ｘ方向（端部Ａと端部Ｂとの
間）での分解能（第１分解能）を求めることができる。
同様にして、Ｙ方向（端部Ｃと端部Ｄとの間）での分解
能（第２分解能）を求めることができる。これにより、
上記パルスモータのズーム回転量（パルス数）値とズー
ム光学系の分解能値とを対応させることができる。この
ようにして、ズーム光学系の複数の分解能値のそれぞれ
に対応するパルスモータのズーム回転量（パルス数）値
を求め、そのズーム光学系の分解能値とパルスモータの
ズーム回転量値との組み合わせからなるデータテーブル
を形成する（図５参照）。このようなデータテーブルを
形成し、そのデータテーブルを参照することにより、ボ
ンディング対象となる半導体チップおよびリードフレー
ム６（図１および図２参照）の大きさに応じたズーム光
学系の分解能を予め指定し、その分解能に対応したズー
ム回転量でパルスモータを動作させることが可能とな
る。
【００１７】次に、半導体チップをリードフレーム６の
ボンディング位置（ダイパッド）へボンディングする工
程について図６および図７を用いて説明する。
ボンディング位置（ダイパッド）へボンディングする工
程について図６および図７を用いて説明する。
【００１８】図６に示すように、ウェハシートＷＳおよ
びウェハリングＷＲによって保持された半導体ウェハ２
（図２参照）は、本実施の形態１のダイボンダにおける
ピックアップ位置１２（図２参照）へ搬送される。この
時、半導体ウェハ２は、個々の半導体チップ２Ａへと切
り出されているものである。続いて、突き上げピン２１
を用いて半導体チップ２ＡをウェハシートＷＳ側から突
き上げた後、ボンディングヘッド１３（図１および図２
参照）が有するコレット１３Ａによって半導体チップ２
Ａを吸着する。
びウェハリングＷＲによって保持された半導体ウェハ２
（図２参照）は、本実施の形態１のダイボンダにおける
ピックアップ位置１２（図２参照）へ搬送される。この
時、半導体ウェハ２は、個々の半導体チップ２Ａへと切
り出されているものである。続いて、突き上げピン２１
を用いて半導体チップ２ＡをウェハシートＷＳ側から突
き上げた後、ボンディングヘッド１３（図１および図２
参照）が有するコレット１３Ａによって半導体チップ２
Ａを吸着する。
【００１９】次に、図７に示すように、コレット１３Ａ
によって吸着された半導体チップ２Ａを、リードフレー
ム６におけるダイパッド（ボンディング位置）６Ａへ配
置する。この時、ダイパッド６Ａには、半導体チップ２
Ａとダイパッド６Ａとを接着するＡｇペースト２２が塗
布されている。これにより、半導体チップ２Ａをリード
フレーム６へボンディングし、本実施の形態１の半導体
装置を製造する。
によって吸着された半導体チップ２Ａを、リードフレー
ム６におけるダイパッド（ボンディング位置）６Ａへ配
置する。この時、ダイパッド６Ａには、半導体チップ２
Ａとダイパッド６Ａとを接着するＡｇペースト２２が塗
布されている。これにより、半導体チップ２Ａをリード
フレーム６へボンディングし、本実施の形態１の半導体
装置を製造する。
【００２０】（実施の形態２）本実施の形態２は、前記
実施の形態１におけるデータテーブル（図５参照）の作
成方法の応用例である。
実施の形態１におけるデータテーブル（図５参照）の作
成方法の応用例である。
【００２１】本実施の形態２は、前記実施の形態１にお
いて作成したデータテーブルを有する状況下において、
設定したい分解能値がデータテーブルに含まれる分解能
値の間に存在する場合である。まず、その設定したい分
解能値がデータテーブルに含まれるどの分解能値の間に
あるのか判断する。たとえば、設定したい分解能値Ｃ
が、図５に示したデータテーブルに含まれる分解能値Ａ
と分解能値Ｂとの間にあり、Ａ＞Ｂであるとする。この
場合、分解能値Ａ、Ｂとそれらに対応するズーム回転量
値Ｍ、Ｎ（Ｍ＞Ｎ）とから、分解能Ｘとズーム回転量値
Ｙに関する比例式Ｙ−Ｎ＝（Ｍ−Ｎ）×（Ｘ−Ｂ）／
（Ａ−Ｂ）を作成する。この比例式において、Ｘに上記
分解能値Ｃを代入することで分解能値Ｃに対応する仮の
ズーム回転量値Ｐ１を求める。
いて作成したデータテーブルを有する状況下において、
設定したい分解能値がデータテーブルに含まれる分解能
値の間に存在する場合である。まず、その設定したい分
解能値がデータテーブルに含まれるどの分解能値の間に
あるのか判断する。たとえば、設定したい分解能値Ｃ
が、図５に示したデータテーブルに含まれる分解能値Ａ
と分解能値Ｂとの間にあり、Ａ＞Ｂであるとする。この
場合、分解能値Ａ、Ｂとそれらに対応するズーム回転量
値Ｍ、Ｎ（Ｍ＞Ｎ）とから、分解能Ｘとズーム回転量値
Ｙに関する比例式Ｙ−Ｎ＝（Ｍ−Ｎ）×（Ｘ−Ｂ）／
（Ａ−Ｂ）を作成する。この比例式において、Ｘに上記
分解能値Ｃを代入することで分解能値Ｃに対応する仮の
ズーム回転量値Ｐ１を求める。
【００２２】次に、前記実施の形態１において図３およ
び図４を用いて説明した工程と同様の工程により、上記
ズーム回転量値Ｐ１に実際に対応する分解能値Ｃ１を求
め、このズーム回転量値Ｐ１および分解能値Ｃ１からな
る組み合わせを上記データテーブルに追加する。続い
て、上記設定した分解能値Ｃが分解能値Ｃ１より大きい
場合には分解能値Ｃ１を新たな分解能値Ｂとして設定
し、ズーム回転量値Ｐ１を新たなズーム回転量値Ｎとし
て設定する。分解能値Ｃが分解能値Ｃ１より小さい場合
には分解能値Ｃ１を新たな分解能値Ａとして設定し、ズ
ーム回転量値Ｐ１を新たなズーム回転量値Ｍとして設定
する。この時、ズーム回転量値Ｍとズーム回転量値Ｎと
の差が１以下となった場合には、上記ズーム回転量値Ｐ
１を分解能値Ｃの時のズーム回転量の最適値とすること
ができる。一方、ズーム回転量値Ｍとズーム回転量値Ｎ
との差が１以下とならなかった場合には、上記比例式を
求めた工程以降の工程を分解能値Ｃの時のズーム回転量
の最適値を求められるまで繰り返す。
び図４を用いて説明した工程と同様の工程により、上記
ズーム回転量値Ｐ１に実際に対応する分解能値Ｃ１を求
め、このズーム回転量値Ｐ１および分解能値Ｃ１からな
る組み合わせを上記データテーブルに追加する。続い
て、上記設定した分解能値Ｃが分解能値Ｃ１より大きい
場合には分解能値Ｃ１を新たな分解能値Ｂとして設定
し、ズーム回転量値Ｐ１を新たなズーム回転量値Ｎとし
て設定する。分解能値Ｃが分解能値Ｃ１より小さい場合
には分解能値Ｃ１を新たな分解能値Ａとして設定し、ズ
ーム回転量値Ｐ１を新たなズーム回転量値Ｍとして設定
する。この時、ズーム回転量値Ｍとズーム回転量値Ｎと
の差が１以下となった場合には、上記ズーム回転量値Ｐ
１を分解能値Ｃの時のズーム回転量の最適値とすること
ができる。一方、ズーム回転量値Ｍとズーム回転量値Ｎ
との差が１以下とならなかった場合には、上記比例式を
求めた工程以降の工程を分解能値Ｃの時のズーム回転量
の最適値を求められるまで繰り返す。
【００２３】上記したような本実施の形態２によれば、
設定したい分解能値Ｃに対応するズーム回転量値Ｐ１を
測定する毎にズーム回転量値Ｐ１および分解能値Ｃ１の
組み合わせをデータテーブルに追加し、データテーブル
が有するズーム回転量値Ｐ１および分解能値Ｃ１の組み
合わせを増加することができるので、新たに設定したい
分解能値に対応するズーム回転量値を測定する工程に要
する時間を短縮することが可能となる。
設定したい分解能値Ｃに対応するズーム回転量値Ｐ１を
測定する毎にズーム回転量値Ｐ１および分解能値Ｃ１の
組み合わせをデータテーブルに追加し、データテーブル
が有するズーム回転量値Ｐ１および分解能値Ｃ１の組み
合わせを増加することができるので、新たに設定したい
分解能値に対応するズーム回転量値を測定する工程に要
する時間を短縮することが可能となる。
【００２４】（実施の形態３）本実施の形態３は、前記
実施の形態１にて作成したデータテーブル（図５参照）
の使用方法の応用例である。
実施の形態１にて作成したデータテーブル（図５参照）
の使用方法の応用例である。
【００２５】前記実施の形態１において図１に示したウ
ェハ認識カメラ４が有するズームレンズによって撮影さ
れた画像は、ズーム（倍率）を変えた際に観察用モニタ
ー画面の端部において歪みが大きくなる。そのため、観
察用モニター画面内の位置によって分解能の測定値が変
わってしまう。そこで、図８に示すように、観察用モニ
ター画面の上下方向の中心を通るＸ−Ｘ線（第１中心
線）および水平方向の中心を通るＹ−Ｙ線（第２中心
線）に対して対称になるように、観察用モニター画面を
複数の区画（第１領域）に分割する（図８（ａ）参
照）。本実施の形態３では、観察用モニター画面を６４
の区画に分割する場合について例示するが、この数に限
定されるものではない。
ェハ認識カメラ４が有するズームレンズによって撮影さ
れた画像は、ズーム（倍率）を変えた際に観察用モニタ
ー画面の端部において歪みが大きくなる。そのため、観
察用モニター画面内の位置によって分解能の測定値が変
わってしまう。そこで、図８に示すように、観察用モニ
ター画面の上下方向の中心を通るＸ−Ｘ線（第１中心
線）および水平方向の中心を通るＹ−Ｙ線（第２中心
線）に対して対称になるように、観察用モニター画面を
複数の区画（第１領域）に分割する（図８（ａ）参
照）。本実施の形態３では、観察用モニター画面を６４
の区画に分割する場合について例示するが、この数に限
定されるものではない。
【００２６】次に、各区画について、Ｘ−Ｘ線およびＹ
−Ｙ線に対して対称な位置となる区画間での分解能（第
３分解能）値を測定する。この時、区画（２，４）を例
に取れば、Ｘ−Ｘ線に対して対称な位置になるのは区画
（２，３）であり、Ｙ−Ｙ線に対して対称な位置になる
のは区画（５，４）である。また、分解能値の測定に
は、前記実施の形態で説明した工程（図３参照）を用い
ることができる。このようにして求めた各区画間（区画
の組み合わせ）での分解能値およびその区画の組み合わ
せについては、データテーブルとして保存する（図８
（ｂ）参照）。すなわち、各区画のＸ−Ｘ線およびＹ−
Ｙ線からの距離に対する分解能値の誤差をデータテーブ
ルとして保存することができる。
−Ｙ線に対して対称な位置となる区画間での分解能（第
３分解能）値を測定する。この時、区画（２，４）を例
に取れば、Ｘ−Ｘ線に対して対称な位置になるのは区画
（２，３）であり、Ｙ−Ｙ線に対して対称な位置になる
のは区画（５，４）である。また、分解能値の測定に
は、前記実施の形態で説明した工程（図３参照）を用い
ることができる。このようにして求めた各区画間（区画
の組み合わせ）での分解能値およびその区画の組み合わ
せについては、データテーブルとして保存する（図８
（ｂ）参照）。すなわち、各区画のＸ−Ｘ線およびＹ−
Ｙ線からの距離に対する分解能値の誤差をデータテーブ
ルとして保存することができる。
【００２７】本実施の形態３においては、前記実施の形
態１または前記実施の形態２にて形成したデータテーブ
ルを参照することにより、ボンディング対象となる半導
体チップおよびリードフレーム６（図１および図２参
照）の大きさに応じたズーム光学系の分解能を予め指定
し、その分解能に対応したズーム回転量でパルスモータ
を動作させた後、上記半導体チップが観察用モニター画
面内のどの区画（図８（ａ）参照）にあるかを確認す
る。次いで、本実施の形態３のデータテーブル（図８
（ｂ）参照）を参照することにより、上記区画に対応し
たさらに正確な分解能値を参照することが可能となる。
たとえば、観察用モニター画面内において、半導体チッ
プを認識した位置が区画（２，４）ならば、Ｘ方向にお
いては（２，４）−（５，４）の組み合わせの分解能値
を用い、Ｙ方向においては（２，３）−（２，４）の組
み合わせを用いるものである。これにより、観察用モニ
ター画面の端部の歪みに起因する分解能値の誤差を補正
することができるので、半導体チップをより正確な位置
へボンディングすることが可能となる。
態１または前記実施の形態２にて形成したデータテーブ
ルを参照することにより、ボンディング対象となる半導
体チップおよびリードフレーム６（図１および図２参
照）の大きさに応じたズーム光学系の分解能を予め指定
し、その分解能に対応したズーム回転量でパルスモータ
を動作させた後、上記半導体チップが観察用モニター画
面内のどの区画（図８（ａ）参照）にあるかを確認す
る。次いで、本実施の形態３のデータテーブル（図８
（ｂ）参照）を参照することにより、上記区画に対応し
たさらに正確な分解能値を参照することが可能となる。
たとえば、観察用モニター画面内において、半導体チッ
プを認識した位置が区画（２，４）ならば、Ｘ方向にお
いては（２，４）−（５，４）の組み合わせの分解能値
を用い、Ｙ方向においては（２，３）−（２，４）の組
み合わせを用いるものである。これにより、観察用モニ
ター画面の端部の歪みに起因する分解能値の誤差を補正
することができるので、半導体チップをより正確な位置
へボンディングすることが可能となる。
【００２８】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでも
ない。
【００２９】前記実施の形態においては、本発明をダイ
ボンダにおけるズーム光学系に対して適用する場合につ
いて例示したが、これに限定されるものではなく、ＣＳ
Ｐ（Chip Size Package）マウンタおよびＬＯＣ（Lead
On Chip）マウンタなどが有するズーム光学系に対して
適用してもよい。
ボンダにおけるズーム光学系に対して適用する場合につ
いて例示したが、これに限定されるものではなく、ＣＳ
Ｐ（Chip Size Package）マウンタおよびＬＯＣ（Lead
On Chip）マウンタなどが有するズーム光学系に対して
適用してもよい。
【００３０】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。 （１）パルスモータおよびパルスモータのズーム回転に
よって上下動を行うズームレンズを有するズーム光学系
において、ズーム光学系の複数の分解能（第１分解能お
よび第２分解能）値のそれぞれに対応するパルスモータ
のズーム回転量（パルス数）値を求め、そのズーム光学
系の分解能値とパルスモータのズーム回転量値との組み
合わせからなるデータテーブルを形成し、そのデータテ
ーブルを参照することができるので、半導体チップの大
きさに応じたズーム光学系の分解能を予め指定し、その
分解能に対応したズーム回転量でパルスモータを動作さ
せることが可能となる。 （２）半導体チップを観察するモニター画面を、画面の
上下方向の中心を通る線（第１中心線）および水平方向
の中心を通る線（第２中心線）に対して対象になるよう
に複数の区画（第１領域）に分割し、各区画の各区画の
第１中心線および第２中心線からの距離に対する分解能
（第３分解能）値の誤差をデータテーブルとして保存す
ることができる。これにより、前記モニター画面内で半
導体チップの位置する区画を確認し前記データテーブル
を参照することによって、分解能値の誤差を補正するこ
とができるので、半導体チップをより正確な位置（接合
箇所）へボンディングすることができる。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。 （１）パルスモータおよびパルスモータのズーム回転に
よって上下動を行うズームレンズを有するズーム光学系
において、ズーム光学系の複数の分解能（第１分解能お
よび第２分解能）値のそれぞれに対応するパルスモータ
のズーム回転量（パルス数）値を求め、そのズーム光学
系の分解能値とパルスモータのズーム回転量値との組み
合わせからなるデータテーブルを形成し、そのデータテ
ーブルを参照することができるので、半導体チップの大
きさに応じたズーム光学系の分解能を予め指定し、その
分解能に対応したズーム回転量でパルスモータを動作さ
せることが可能となる。 （２）半導体チップを観察するモニター画面を、画面の
上下方向の中心を通る線（第１中心線）および水平方向
の中心を通る線（第２中心線）に対して対象になるよう
に複数の区画（第１領域）に分割し、各区画の各区画の
第１中心線および第２中心線からの距離に対する分解能
（第３分解能）値の誤差をデータテーブルとして保存す
ることができる。これにより、前記モニター画面内で半
導体チップの位置する区画を確認し前記データテーブル
を参照することによって、分解能値の誤差を補正するこ
とができるので、半導体チップをより正確な位置（接合
箇所）へボンディングすることができる。
【図１】本発明の一実施の形態である半導体製造装置の
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体製造装置の
上面図である。
上面図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、本発明の一実施の形態
である半導体製造装置における観察用モニター画面内に
よる半導体チップの観察を説明する説明図である。
である半導体製造装置における観察用モニター画面内に
よる半導体チップの観察を説明する説明図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体製造装置に
おける観察用モニター画面内による半導体チップの観察
を説明する説明図である。
おける観察用モニター画面内による半導体チップの観察
を説明する説明図である。
【図５】本発明の一実施の形態である半導体製造装置に
おけるズーム光学系の分解能値とそれに対応するパルス
モータのズーム回転量値とからなるデータテーブルを説
明する説明図である。
おけるズーム光学系の分解能値とそれに対応するパルス
モータのズーム回転量値とからなるデータテーブルを説
明する説明図である。
【図６】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造
方法を説明する要部断面図である。
方法を説明する要部断面図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程中の要部断面
図である。
図である。
【図８】（ａ）および（ｂ）は、本発明の他の実施の形
態である半導体装置の製造方法を説明する説明図であ
る。
態である半導体装置の製造方法を説明する説明図であ
る。
１ ウェハカセット
２ 半導体ウェハ
２Ａ 半導体チップ
３ ＸＹテーブル
４ ウェハ認識カメラ
６ リードフレーム（チップ支持部材）
６Ａ ダイパッド
７ ローダ
８ フレームフィーダ
９ プリフォーム位置
１０ プリフォームヘッド
１１ ボンディング位置
１２ ピックアップ位置
１３ ボンディングヘッド（ボンディング工具）
１３Ａ コレット
１４ マガジンラック
１５ 特徴パターン
２１ 突き上げピン
２２ Ａｇペースト
ＷＨ ウェハホルダ
ＷＲ ウェハリング
ＷＳ ウェハシート
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 藤森 洋幸
東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東
京エレクトロニクス株式会社内
Ｆターム(参考） 5B047 AA12 AB02 BB04 BC05 BC14
CA17 CB10
5B057 AA03 BA02 CH07 DA07 DB02
DC03 DC05 DC08
5F047 FA02 FA15 FA73
Claims (4)
- 【請求項１】 ボンディング工具によって保持された半
導体チップおよび前記半導体チップと対向するように配
置されたチップ支持部材を撮影する光学系を配置する工
程と、所定の倍率に設定した前記光学系にて前記半導体
チップおよび前記チップ支持部材を撮影することで前記
半導体チップおよび前記チップ支持部材の接合箇所を求
める工程と、求められた前記接合箇所に基づいて前記半
導体チップおよび前記チップ支持部材を位置合わせして
接合する工程とを含み、前記光学系はパルスモータの動
作によって前記倍率を変化させ、前記パルスモータは複
数のデータの組み合わせを有するデータテーブルから選
択された前記データの組み合わせに基づいて動作し、前
記データテーブルは、（ａ）前記パルスモータの動作に
よって前記光学系が含むモニター画面にターゲットを映
し出し、前記パルスモータの動作に要したパルス数値を
保持する工程と、（ｂ）前記ターゲットを所定量移動さ
せ、前記ターゲットの実際の移動距離を前記モニター画
面内での前記ターゲットの移動量で割ることによって単
位画素当たりの移動距離を求める工程と、（ｃ）前記単
位画素当たりの移動距離に基づき、前記ターゲットを前
記モニター画面内にて水平方向の端部間および上下方向
の端部間を移動させるための前記ターゲットの移動距離
の概算値を求める工程と、（ｄ）前記概算値に基づいて
前記ターゲットを前記モニター画面内にて水平方向の端
部間および上下方向の端部間を移動させ、前記ターゲッ
トの水平方向および上下方向における実際の移動距離を
求める工程と、（ｅ）前記ターゲットの水平方向および
上下方向における実際の移動距離をそれぞれ前記モニタ
ー画面の水平方向の端部間の画素数および上下方向の端
部間の画素数で割ることにより、前記光学系の水平方向
における第１分解能値および上下方向における第２分解
能値を求める工程と、（ｆ）前記パルス数値、前記パル
ス数値に対応した前記第２分解能値および前記第２分解
能値からなる前記データの組み合わせを形成する工程と
を含む工程によって形成し、前記（ｂ）工程において前
記モニター画面内での前記ターゲットの移動量が測定で
きない場合には、前記ターゲットの移動量を１０倍以上
または１／１０倍以下として前記モニター画面内での前
記ターゲットの移動量を測定し直すことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 ボンディング工具によって保持された半
導体チップおよび前記半導体チップと対向するように配
置されたチップ支持部材を撮影する光学系を配置する工
程と、所定の倍率に設定した前記光学系にて前記半導体
チップおよび前記チップ支持部材を撮影することで前記
半導体チップおよび前記チップ支持部材の接合箇所を求
める工程と、求められた前記接合箇所に基づいて前記半
導体チップおよび前記チップ支持部材を位置合わせして
接合する工程とを含み、前記光学系はパルスモータの動
作によって前記倍率を変化させ、前記パルスモータは複
数のデータの組み合わせを有するデータテーブルから選
択された前記データの組み合わせに基づいて動作し、前
記データテーブルは、（ａ）前記パルスモータの動作に
よって前記光学系が含むモニター画面にターゲットを映
し出し、前記パルスモータの動作に要したパルス数値を
保持する工程と、（ｂ）前記モニター画面に、前記モニ
ター画面の上下方向の中心を通る第１中心線および前記
モニター画面の水平方向の中心を通る第２中心線を配置
し、前記モニター画面を前記第１中心線および前記第２
中心線に対して対称な位置に配置される複数の第１領域
に分割する工程と、（ｃ）前記第１中心線および前記第
２中心線に対して対称な位置に配置された各前記第１領
域間における前記光学系の第３分解能値を求める工程
と、（ｄ）前記パルス数値、前記パルス数値に対応した
各前記第１領域間での前記第３分解能値からなる前記デ
ータの組み合わせを形成する工程とを含む工程によって
形成し、前記（ｃ）工程は、（ｃ１）前記ターゲットを
所定量移動させ、前記ターゲットの実際の移動距離を前
記モニター画面内での前記ターゲットの移動量で割るこ
とによって単位画素当たりの移動距離を求める工程と、
（ｃ２）前記単位画素当たりの移動距離に基づき、前記
ターゲットを前記第１中心線または前記第２中心線に対
して対称な位置に配置された前記第１領域間を移動させ
るための前記ターゲットの移動距離の概算値を求める工
程と、（ｃ３）前記概算値に基づいて前記ターゲットを
前記第１中心線または前記第２中心線に対して対称な位
置に配置された前記第１領域間を移動させ、前記ターゲ
ットの実際の移動距離を求める工程と、（ｃ４）前記タ
ーゲットの実際の移動距離を前記第１領域間の画素数で
割ることにより、前記第１領域間に対応した前記第３分
解能値を求める工程と、（ｃ５）前記パルス数値、前記
パルス数値および前記第１領域間に対応した前記第３分
解能値からなる前記データの組み合わせを形成する工程
とを含み、前記（ｃ１）工程において前記モニター画面
内での前記ターゲットの移動量が測定できない場合に
は、前記ターゲットの移動量を１０倍以上または１／１
０倍以下として前記モニター画面内での前記ターゲット
の移動量を測定し直すことを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項３】 半導体チップを保持し、前記半導体チッ
プと対向するように配置されたチップ支持部材へ前記半
導体チップを接合するボンディング工具と、前記半導体
チップおよび前記チップ支持部材を所定の倍率にて撮影
し、前記半導体チップおよび前記チップ支持部材の接合
箇所を求める光学系とを有し、前記光学系はパルスモー
タの動作によって前記倍率を変化させ、前記パルスモー
タは複数のデータの組み合わせを有するデータテーブル
から選択した前記データの組み合わせに基づいて動作
し、前記データテーブルを、（ａ）前記パルスモータの
動作によって前記光学系が含むモニター画面にターゲッ
トを映し出し、前記パルスモータの動作に要したパルス
数値を保持する工程と、（ｂ）前記ターゲットを所定量
移動させ、前記ターゲットの実際の移動距離を前記モニ
ター画面内での前記ターゲットの移動量で割ることによ
って単位画素当たりの移動距離を求める工程と、（ｃ）
前記単位画素当たりの移動距離に基づき、前記ターゲッ
トを前記モニター画面内にて水平方向の端部間および上
下方向の端部間を移動させるための前記ターゲットの移
動距離の概算値を求める工程と、（ｄ）前記概算値に基
づいて前記ターゲットを前記モニター画面内にて水平方
向の端部間および上下方向の端部間を移動させ、前記タ
ーゲットの水平方向および上下方向における実際の移動
距離を求める工程と、（ｅ）前記ターゲットの水平方向
および上下方向における実際の移動距離をそれぞれ前記
モニター画面の水平方向の端部間の画素数および上下方
向の端部間の画素数で割ることにより、前記光学系の水
平方向における第１分解能値および上下方向における第
２分解能値を求める工程と、（ｆ）前記パルス数値、前
記パルス数値に対応した前記第２分解能値および前記第
２分解能値からなる前記データの組み合わせを形成する
工程とを含む工程によって形成し、前記（ｂ）工程にお
いて前記モニター画面内での前記ターゲットの移動量が
測定できない場合には、前記ターゲットの移動量を１０
倍以上または１／１０倍以下として前記モニター画面内
での前記ターゲットの移動量を測定し直すことを特徴と
する半導体製造装置。 - 【請求項４】 半導体チップを保持し、前記半導体チッ
プと対向するように配置されたチップ支持部材へ前記半
導体チップを接合するボンディング工具と、前記半導体
チップおよび前記チップ支持部材を所定の倍率にて撮影
し、前記半導体チップおよび前記チップ支持部材の接合
箇所を求める光学系とを有し、前記光学系はパルスモー
タの動作によって前記倍率を変化させ、前記パルスモー
タは複数のデータの組み合わせを有するデータテーブル
から選択した前記データの組み合わせに基づいて動作
し、前記データテーブルを、（ａ）前記パルスモータの
動作によって前記光学系が含むモニター画面にターゲッ
トを映し出し、前記パルスモータの動作に要したパルス
数値を保持する工程と、（ｂ）前記モニター画面に、前
記モニター画面の上下方向の中心を通る第１中心線およ
び前記モニター画面の水平方向の中心を通る第２中心線
を配置し、前記モニター画面を前記第１中心線および前
記第２中心線に対して対称な位置に配置される複数の第
１領域に分割する工程と、（ｃ）前記第１中心線および
前記第２中心線に対して対称な位置に配置された各前記
第１領域間における前記光学系の第３分解能値を求める
工程と、（ｄ）前記パルス数値、前記パルス数値に対応
した各前記第１領域間での前記第３分解能値からなる前
記データの組み合わせを形成する工程とを含む工程によ
って形成し、前記（ｃ）工程は、（ｃ１）前記ターゲッ
トを所定量移動させ、前記ターゲットの実際の移動距離
を前記モニター画面内での前記ターゲットの移動量で割
ることによって単位画素当たりの移動距離を求める工程
と、（ｃ２）前記単位画素当たりの移動距離に基づき、
前記ターゲットを前記第１中心線または前記第２中心線
に対して対称な位置に配置された前記第１領域間を移動
させるための前記ターゲットの移動距離の概算値を求め
る工程と、（ｃ３）前記概算値に基づいて前記ターゲッ
トを前記第１中心線または前記第２中心線に対して対称
な位置に配置された前記第１領域間を移動させ、前記タ
ーゲットの実際の移動距離を求める工程と、（ｃ４）前
記ターゲットの実際の移動距離を前記第１領域間の画素
数で割ることにより、前記第１領域間に対応した前記第
３分解能値を求める工程と、（ｃ５）前記パルス数値、
前記パルス数値および前記第１領域間に対応した前記第
３分解能値からなる前記データの組み合わせを形成する
工程とを含み、前記（ｃ１）工程において前記モニター
画面内での前記ターゲットの移動量が測定できない場合
には、前記ターゲットの移動量を１０倍以上または１／
１０倍以下として前記モニター画面内での前記ターゲッ
トの移動量を測定し直すことを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002130636A JP2003324113A (ja) | 2002-05-02 | 2002-05-02 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
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|---|---|---|---|
| JP2002130636A JP2003324113A (ja) | 2002-05-02 | 2002-05-02 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2271125A2 (en) | 2009-07-01 | 2011-01-05 | FUJIFILM Corporation | Image pickup apparatus, zoom correction information creation method and program, and recording medium |
-
2002
- 2002-05-02 JP JP2002130636A patent/JP2003324113A/ja active Pending
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