JP2003324051A

JP2003324051A - 電子ビーム描画装置

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Publication number: JP2003324051A
Application number: JP2002128369A
Authority: JP
Inventors: Tomohiro Iijima; 智浩飯島; Kazumichi Yasui; 和道安井
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Machine Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Shibaura Machine Co Ltd
Priority date: 2002-04-30
Filing date: 2002-04-30
Publication date: 2003-11-14
Anticipated expiration: 2022-04-30
Also published as: JP3588088B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、連続描画型のＥＢマスク描画装置
において、パターンの描画位置の精度をより向上できる
ようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、干渉光学系２３ａ，２３ｂに
よりステージの位置を測定し、その測定結果を、位相係
数ボード２５ａ，２５ｂを用いて位置データＸ，Ｙに変
換する。また、位置データＸ，Ｙをもとに、非線形誤差
成分の振幅および位相データを、メモリマップ２７ａ-
1，２７ｂ-1内より読み出す。また、振幅および位相デ
ータと位置データＸ，Ｙとから、非線形誤差成分をキャ
ンセルするための正弦波データを、正弦波メモリ部２７
ａ-2，２７ｂ-2内から読み出す。こうして、正弦波デー
タと位置データＸ，Ｙとを加算器２７ａ-3，２７ｂ-3に
送ることで、補正の施された位置データＸ’，Ｙ’を得
る構成となっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電子ビーム描画
装置に関するもので、特に、パターンの描画位置精度の
向上を図った荷電ビーム描画装置のフィードバック制御
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体ウェハやマスク基板などの
試料上に微細パターンを描画する技術として、荷電ビー
ム描画装置が用いられている。この荷電ビーム描画装置
において、試料上に所望のパターンを形成するにあた
り、電子ビームを高速かつ高精度に偏向制御できる範囲
は通常１ｍｍ角程度と限られている。このことから、試
料上の全面にわたって繰り返しパターンを形成するため
には、逐次、試料を移動させながら描画する方法がとら
れている。

【０００３】荷電ビーム描画装置には、ステップ＆リピ
ート型と連続描画型とがある。ステップ＆リピート型と
は、パターン形成の方式として、ステージ移動、停止、
描画、ステージ移動…を繰り返し行うものである。連続
描画型とは、ステージの移動中に描画を行う方式のもの
である。

【０００４】連続描画型の場合、ステージの移動ととも
にパターンを描画する位置も移動してしまう。そのた
め、移動中のステージの位置を高速に測定して、電子ビ
ームによる描画位置をステージの移動分だけもとにもど
す、偏向制御のためのフィードバック機構を備えてい
る。

【０００５】ここで、連続描画型の荷電ビーム描画装置
においては、移動中のステージの位置を高速に測定する
ために、従来、ヘテロダイン方式のレーザ干渉光学系と
干渉光の位相を位置データに変換する位相係数ボードと
が用いられている。しかしながら、ステージの位置の高
速測定を高精度に行おうとする場合、レーザ干渉光学系
に起因する光学的非線形誤差が問題となることがあっ
た。光学的非線形誤差については、各種の要因により発
生することが論文などによって報告されており、その低
減の方法に関しても各種の提案がなされている。

【０００６】光学的非線形誤差を低減する方法として
は、たとえば、発生の要因を光学的に除去する方法があ
る（特公平６−７４９６４号公報および特開平６−１８
２１４号公報など参照）。また、ステージの位置の測定
結果より、その非線形誤差成分を除去する方法（たとえ
ば、特開平１０−１６０４０８号公報参照）などが知ら
れている。

【０００７】上記した、光学的非線形誤差の発生の要因
を光学的に除去する方法の場合、完全には非線形誤差成
分を取り除くことが困難であり、しかも、複雑な光学系
を必要とする。そのため、新たな誤差発生要因を導入す
ることになり、特に、高精度な荷電ビーム描画装置では
精度の低下を招くという問題があった。一方、上記のス
テージの位置の測定結果より、その非線形誤差成分を除
去する方法の場合、連続描画型の荷電ビーム描画装置へ
の適用が困難であったり、また、面倒な計算が必要で処
理に時間を要するため、パターンの高速描画には適さな
いものであった。すなわち、レーザ干渉光学系に起因す
る光学的非線形誤差は、多用な要因により発生する。し
たがって、特定の誤差発生要因をキャンセル（除去）す
る上述の方法では、完全に非線形誤差成分のみを高速に
取り除くことが困難である。

【０００８】特に、ステージの可動範囲内において、描
画位置ごとに、光学的非線形誤差の大きさや位相が異な
る場合、非線形誤差成分の除去はさらに困難な状態とな
る。ステージの可動範囲内において、光学的非線形誤差
の大きさや位相が異なる場合としては、たとえば以下の
ような理由が考えられる。

【０００９】光学的非線形誤差の発生は、ステージの移
動距離に比例する位相情報をもったビート信号（メイン
ビート信号）に、不要なビート信号（ステージの移動距
離に比例しない、または、異なった係数で比例する誤差
ビート信号）が混合されることに起因する場合がある。
メインビート信号は、被測定対象物であるステージ上か
らの反射光を利用するものである。このため、ステージ
の移動にともなって、ステージまでの距離や角度が変動
することにより、その大きさも変動する。

【００１０】光学的非線形誤差は、このメインビート信
号と誤差ビート信号との相対的な比に比例する。このこ
とから、両者の比率が変われば、その大きさも変わるこ
とになる。また、誤差ビート信号を発生させるレーザ光
の経路も、ステージの位置によって若干の変動を受ける
場合があり、同様に、光学的非線形誤差の位相を変動さ
せる要因となる。

【００１１】ここで、誤差ビート信号の周波数は、基本
的には、メインビート信号の周波数と同一である。ま
た、メインビート信号の位相変化周期は、レーザ波長の
１／ｎ（ｎは整数で、レーザ干渉光学系の構成および位
相係数方式により異なる）に比例する。したがって、発
生する非線形誤差成分の周期は、レーザ波長の１／ｍ
（ｍは整数で、レーザ干渉光学系の構成および誤差ビー
ト信号を発生させるレーザ光の経路による）に正確に比
例することになる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来にお
いては、ステージの位置をレーザ干渉光学系によって測
定し、その位置の測定結果によって電子ビームによる描
画位置にフィードバックをかける方式の連続描画型の荷
電ビーム描画装置の場合、電子ビームをステージの位置
に応じて偏向制御できるものの、位置の測定結果に含ま
れる非線形誤差成分が直に電子ビームによる描画位置の
誤差として現れることがあり、これが、精度の低下を招
くという問題があった。

【００１３】また、非線形誤差成分の大きさや位相が、
ステージの移動にともなって変動しやすいという問題が
あった。

【００１４】本発明は、上記の問題を解決するためにな
されたもので、その目的とするところは、より精度の高
い電子ビーム描画装置を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の電子ビーム描画装置にあっては、描画
用試料が載置されるステージの移動量を測定する測定手
段と、前記ステージの移動量を位置データに変換する変
換手段と、前記位置データにもとづいて、前記試料に対
する電子ビームの照射位置を制御する制御手段と、前記
位置データに対応させて、前記測定手段の測定結果に含
まれる非線形誤差成分に関する補正量データを記憶する
第１の記憶手段と、前記位置データおよび前記補正量デ
ータに対応させて、少なくとも１周期分の非線形誤差を
含む非線形誤差形状をもつキャンセル用データを格納す
る第２の記憶手段と、前記キャンセル用データを用い
て、前記制御手段に与える前記位置データを補正する補
正手段とを具備したことを特徴とする。

【００１６】この発明の電子ビーム描画装置によれば、
ステージの可動範囲内に対応する非線形誤差成分のみを
高速にキャンセルできるようになる。これにより、パタ
ーン形成のための描画位置の精度をより向上することが
可能となるものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。

【００１８】図１は、本発明の一実施形態にかかる荷電
ビーム描画装置の概略構成を示すものである。なお、こ
こでは、ステージの移動中にマスク基板（描画用試料）
上に微細パターンを描画してマスク（レチクルともい
う）を製造する、連続描画型のＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｂｅａｍ）マスク描画装置を例に説明する。

【００１９】このＥＢマスク描画装置は、たとえば同図
（ａ）に示すように、ステージ１１を有して構成されて
いる。このステージ１１は、図示していない駆動機構に
より、二次元（ｘ，ｙ）方向に移動可能に設けられてい
る。

【００２０】上記ステージ１１上には、ガラス基板から
なるマスク基板１３が搭載される。また、このマスク基
板１３に対向する、上記ステージ１１の上方には電子銃
１６、偏向電極１７、図示していないブランカおよびレ
ンズなどからなる電子ビーム光学系１５が設けられてい
る。この電子ビーム光学系１５は、上記マスク基板１３
の表面に、微細パターンを描画するための電子ビームを
照射するものである。この電子ビーム光学系１５は、そ
の駆動が図示していない描画制御回路によって制御され
る。さらに、上記電子ビーム光学系１５の偏向電極１７
は、２組設けられている（便宜上、本図面ではｘ方向の
１組の偏向電極１７のみを示している）。この偏向電極
１７は、電子ビームを高速かつ高精度に偏向制御するた
めのもので、たとえば、電子ビームの経路の四方を囲む
ようにして設けられている。

【００２１】一方、このＥＢマスク描画装置には、上記
偏向電極１７の駆動を制御するためのフィードバック機
構２１が備えられている。すなわち、上記フィードバッ
ク機構２１は、たとえば、測定手段としての干渉光学系
（レーザ干渉計）２３、変換手段としての位相係数ボー
ド２５、および、補正回路２７を有して構成されてい
る。このフィードバック機構２１は、上記ステージ１１
の位置の測定結果（移動量）をもとに、光学的非線形誤
差成分がキャンセルされた位置データを算出するもの
で、その詳細については後述する。

【００２２】このフィードバック機構２１の出力段に
は、さらに、減算器３１および増幅器（ＡＭＰ．）３３
が設けられている。減算器３１は、上記フィードバック
機構２１の出力とパターンデータ発生器３５の出力との
差分より、電子ビームの偏向量Δ（Δｘはｘ方向の偏向
量であり、ｙ方向の偏向量はΔｙで表される）を算出す
るものである。増幅器３３は、上記減算器３１の出力で
ある偏向量Δに応じて上記偏向電極１７を駆動するもの
である。

【００２３】なお、上記パターンデータ発生器３５は、
描画すべき微細パターンに応じたパターンデータを発生
するものである。

【００２４】ここで、電子ビームによる描画時におい
て、マスク基板１３上における微細パターンの描画位置
は、ステージ１１の移動分だけもとにもどされる（偏向
制御）。すなわち、ステージ１１の移動により、マスク
基板１３の表面における微細パターンの描画位置は、た
とえば同図（ｂ）に示すように、図示破線で示される電
子ビームにより描画されるパターンＰａの位置となる。
これに対し、電子ビームの偏向制御により、マスク基板
１３の表面における微細パターンの実際の描画位置は、
図示実線で示される電子ビームにより描画されるパター
ンＰｂの位置となる。

【００２５】図２は、上記フィードバック機構２１の構
成例を示すものである。本実施形態の場合、フィードバ
ック機構２１は、ｘ方向についてのフィードバック機構
２１Ａとｙ方向についてのフィードバック機構２１Ｂと
を有して構成されている。

【００２６】すなわち、ｘ方向についてのフィードバッ
ク機構２１Ａは、たとえば、干渉光学系２３ａ、位相係
数ボード２５ａ、および、補正回路２７ａからなってい
る。また、上記補正回路２７ａは、第１の記憶手段とし
てのメモリマップ２７ａ-1と、第２の記憶手段としての
正弦波メモリ部２７ａ-2と、補正手段としての加算器２
７ａ-3とを備えて構成されている。

【００２７】同様に、ｙ方向についてのフィードバック
機構２１Ｂは、たとえば、干渉光学系２３ｂ、位相係数
ボード２５ｂ、および、補正回路２７ｂからなってい
る。また、上記補正回路２７ｂは、第１の記憶手段とし
てのメモリマップ２７ｂ-1と、第２の記憶手段としての
正弦波メモリ部２７ｂ-2と、補正手段としての加算器２
７ｂ-3とを備えて構成されている。

【００２８】上記干渉光学系２３ａ，２３ｂは、たとえ
ば、ヘテロダイン方式のレーザ干渉計であり、それぞ
れ、レーザ光を用いて上記ステージ１１の位置（移動
量）を光学的に測定するものである。

【００２９】上記位相係数ボード２５ａ，２５ｂは、そ
れぞれ、上記干渉光学系２３ａ，２３ｂの出力（位置の
測定結果）である干渉光の位相を位置データに変換する
ためのものである。上記位相係数ボード２５ａ，２５ｂ
より出力される位置データは、たとえば図３に示すよう
に、測定波長の１／ｎの単位で量子化されたデジタル値
として表される（ｎは整数）。

【００３０】ここで、位置データ（この場合、ビット０
−３１）のうち、上位のビットは、上記ステージ１１の
可動範囲内の大まかな位置を表すもので、たとえば、最
上位ビットであるビット３１は２³¹×レーザ波長／ｎの
距離を表す。同様に、位置データの下位ビット、たとえ
ば、最下位ビットであるビット０は２⁰×レーザ波長／
ｎの距離を表す。また、たとえば図４（ａ），（ｂ）に
示すように、上記干渉光学系２３ａ，２３ｂに起因する
光学的非線形誤差は、必ず、レーザ波長の１／ｍの周期
で現れる（ｍは整数）。このことから、下位の数ビット
（＝ｌｏｇ₂（ｎ／ｍ）で表される距離が、ちょうど非
線形誤差の周期と等しくなる。なお、本実施形態の場
合、位置データにおける上位ビット２１−３１は、後述
するマップデータの選択に使用される。また、下位ビッ
ト０−７は、後述する正弦波データの選択に使用され
る。

【００３１】上記メモリマップ２７ａ-1，２７ｂ-1は、
たとえば図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、上記ステー
ジ１１の可動範囲内における非線形誤差成分の量（振幅
データ）および位相データをマップデータ（補正量デー
タ）として２次元状に格納するものであって、このメモ
リマップ２７ａ-1，２７ｂ-1からは、それぞれ、位置デ
ータの上位ビット（Ｘ，Ｙ）をアドレスとする箇所の振
幅データと位相データとが読み出されるようになってい
る。振幅データおよび位相データはあらかじめ測定さ
れ、上記メモリマップ２７ａ-1，２７ｂ-1内のそれぞれ
対応する箇所に格納される。

【００３２】すなわち、ステージ１１の可動範囲内を、
たとえば同図（ａ）に示すようなメッシュ状に区切った
場合において、位置データの上位ビット３１−２１をア
ドレスとして用いるとすると、１メッシュ当たりの距離
は２²⁰×レーザ波長／ｎとなる。この場合、レーザ波長
を６３３ｎｍとし、ｎを１０２４とすると、１メッシュ
当たりの距離は約６４８μｍとなる。

【００３３】このように、位置データの上位ビットをス
テージ１１の可動範囲内の位置を特定する情報として用
いることにより、非線形誤差成分の振幅データおよび位
相データは、上記メモリマップ２７ａ-1，２７ｂ-1の、
その上位ビットに該当する、Ｘ，Ｙ位置のメッシュ内よ
りメッシュ単位で読み出される。

【００３４】なお、振幅データおよび位相データをそれ
ぞれ８ビットのデータとして表すとすると、上記メモリ
マップ２７ａ-1，２７ｂ-1は、２ＭＢｙｔｅ（メガバイ
ト）程度の容量を有するテーブルルックアップ方式のメ
モリにより容易に実現できる。また、上記メモリマップ
２７ａ-1，２７ｂ-1内に格納される振幅データおよび位
相データは、そのすべてを測定して格納するようにして
もよい。あるいは、１点または数点の非線形誤差成分を
測定し、内挿（補間法）もしくは外挿（補外法）により
格納することもできる。

【００３５】上記正弦波メモリ部２７ａ-2，２７ｂ-2
は、それぞれ、微小領域（たとえば、各メッシュ）内に
おける非線形誤差１周期分の非線形誤差形状をもつ正弦
波データを記憶するもので、その正弦波データを、上記
メモリマップ２７ａ-1，２７ｂ-1より読み出された振幅
データおよび位相データと上記位相係数ボード２５ａ，
２５ｂの出力である位置データの下位数ビット（＝ｎ／
ｍ）とにもとづいて読み出すようになっている。たとえ
ば、各正弦波メモリ部２７ａ-2，２７ｂ-2内には、位置
データの下位ビットが１波長周期分変化する間に、正弦
波メモリ部２７ａ-2，２７ｂ-2から読み出される正弦波
データも１波長周期分変化し、かつ、振幅データおよび
位相データに対応して正弦波状に変化するようなデータ
（正弦波データ）が、あらかじめセットされている。

【００３６】なお、本実施形態においては、たとえば図
６（ａ）に示すように、加算器２７-1を用いて、位相デ
ータと位置データの下位ビットとを加算し、その結果に
より、テーブルルックアップ方式のメモリ（振幅データ
により選択されるテーブル）２７-2内の異なる非線形誤
差形状をもつデータを読み出すようにしている。メモリ
容量の削減のためには有効な構成であるが、これに限ら
ず、直接テーブルを参照する形式として構成することな
ども可能である。

【００３７】また、たとえば図６（ｂ）に示すように、
メモリ２７-2の出力データを正弦波状としたが、場合に
よっては三角波状などの異なる形状であってもよい。さ
らには、位置測定結果に既に非線形誤差成分が含まれて
いるので、正確な正弦波データを出力するためには非線
形誤差成分の形状を変形させるようにしてもよい。

【００３８】ここで、最下位ビット０がレーザ波長の１
／１０２４の距離を表し、非線形誤差成分がレーザ波長
の１／４の周期で現れるとする。すると、ｌｏｇ₂（１
０２４／４）＝８となり、下位８ビット分のデータが非
線形誤差成分の１波長周期分に相当する。このとき、ビ
ット７−０が、正弦波データを読み出すための位置デー
タの下位数ビットとして使用されることになる。すなわ
ち、ビット７−０で表される範囲がちょうど非線形誤差
成分の周期と一致することから、同じ範囲でテーブル内
のデータが１波長周期分変化するように、あらかじめ正
弦波データを格納しておく。こうすることにより、非線
形誤差成分と同周期のキャンセル用データを発生させる
ことが可能となる。

【００３９】上記加算器２７ａ-3，２７ｂ-3は、それぞ
れ、上記正弦波メモリ部２７ａ-2，２７ｂ-2から読み出
された正弦波データと、上記位相係数ボード２５ａ，２
５ｂの出力とを加算（ここでの加算とは負数を含んだ加
算の意味であり、正弦波メモリ部２７ａ-2，２７ｂ-2内
のデータをあらかじめ反転しておけば加算器でよい。）
し、元の位置データＸ，Ｙから非線形誤差成分に対応す
る正弦波状の変動がキャンセルされた補正後の位置デー
タＸ’，Ｙ’を生成するものである。

【００４０】ここで、位相係数ボード２５ａ，２５ｂか
ら出力されて、非線形誤差成分がキャンセルされるまで
の遅れ時間は、非常に短い。すなわち、位置データＸ，
Ｙの補正に要する時間は、テーブル内から２回データを
読み出し、加算（または、減算）処理を行う時間だけで
ある。よって、クロック同期型としても３〜４クロック
内での出来事にしかすぎず、また、常に一定の値とな
る。

【００４１】位相係数ボード２５ａ，２５ｂそれ自体で
の遅れ時間（数μｓ）も含め、実際に電子ビームを照射
するまでの全体の遅れ時間は、通常、１０μｓを超える
値である。したがって、本実施形態の構成において、ク
ロック周波数を１０ＭＨｚだと仮定した場合、その遅れ
時間は０．３〜０．４μｓ程度の増加にしかならず、無
視できる程度である。

【００４２】次に、図７を参照して、上述した構成の、
連続描画型のＥＢマスク描画装置の動作について簡単に
説明する。

【００４３】まず、ＥＢマスク描画装置のステージ１１
上にマスク基板１３が載置されると、ステージ１１の移
動が開始される。そして、そのステージ１１の移動中
に、上記マスク基板１３上に微細パターンの描画が行わ
れて、マスクの製造が開始される。

【００４４】その際、上記ステージ１１の位置（Ｘ，
Ｙ）が、干渉光学系２３ａ，２３ｂによって測定され
る。そして、その位置の測定結果は、位相係数ボード２
５ａ，２５ｂへと送られる。これにより、移動中のステ
ージ１１の位置を高速に測定して得た結果にもとづい
て、電子ビームによる描画位置をステージ１１の移動分
だけもとにもどしつつ、所定位置に定めるための偏向制
御のフィードバック制御が行われる。

【００４５】すなわち、位相係数ボード２５ａ，２５ｂ
からは、干渉光学系２３ａ，２３ｂによる上記ステージ
１１の位置の測定結果を、測定波長の整数（ｎ）分の１
の単位で量子化した位置データＸ，Ｙが出力される。

【００４６】位相係数ボード２５ａ，２５ｂから出力さ
れた位置データＸ，Ｙの上位ビットは、補正回路２７に
送られる。そして、位置データＸ，Ｙの上位ビットによ
って選択される、上記ステージ１１の可動範囲内におけ
るマップデータ（非線形誤差成分の振幅データおよび位
相データ）が、メモリマップ２７ａ-1，２７ｂ-1内より
読み出される。

【００４７】メモリマップ２７ａ-1，２７ｂ-1内より読
み出された振幅データおよび位相データは、正弦波メモ
リ部２７ａ-2，２７ｂ-2へと送られる。また、この正弦
波メモリ部２７ａ-2，２７ｂ-2には、上記位相係数ボー
ド２５ａ，２５ｂより位置データＸ，Ｙの下位ビットが
供給される。これにより、振幅データおよび位相データ
と下位ビットとにもとづいて、位置データＸ，Ｙにおけ
る非線形誤差成分をキャンセルするための、正弦波メモ
リ部２７ａ-2，２７ｂ-2内の正弦波データが読み出され
る。

【００４８】正弦波メモリ部２７ａ-2，２７ｂ-2から読
み出された正弦波データは、加算器２７ａ-3，２７ｂ-3
に送られ、上記位相係数ボード２５ａ，２５ｂの出力で
ある位置データＸ，Ｙと加算される。その結果、位置デ
ータＸ，Ｙにおける非線形誤差成分に対応する正弦波状
の変動がキャンセルされる。

【００４９】すなわち、ステージ１１の可動範囲内に対
応した非線形誤差振幅および位相をもつ正弦波データ
を、位置の測定結果である位置データＸ，Ｙに加算する
ことで、位置データＸ，Ｙにおける非線形誤差成分を容
易にキャンセルすることができる。したがって、ステー
ジ１１の可動範囲内の全面に対し、非線形誤差成分のキ
ャンセルが高速で可能となる。

【００５０】こうして、非線形誤差成分のキャンセルさ
れた位置データＸ’，Ｙ’を用いて、電子ビームを高速
かつ高精度に偏向制御するための、上記偏向電極１７の
駆動が制御される。

【００５１】上記したように、ステージの可動範囲内に
対応する非線形誤差成分のみを高速にキャンセルできる
ようにしている。すなわち、非線形誤差成分の周期性に
着目して、位置の測定結果に補正を施すようにしてい
る。これにより、微細パターン形成のための描画位置の
精度をより向上することが可能となる。したがって、よ
り精度の高いＥＢマスク描画装置を実現し得るものであ
る。

【００５２】なお、本実施形態においては、連続描画型
のＥＢマスク描画装置を例に用いて説明したが、これに
限らず、ステップ＆リピート型にも同様に適用できる。

【００５３】その他、本発明は、上記（各）実施形態に
限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱
しない範囲で種々に変形することが可能である。さら
に、上記（各）実施形態には種々の段階の発明が含まれ
ており、開示される複数の構成要件における適宜な組み
合わせにより種々の発明が抽出され得る。たとえば、
（各）実施形態に示される全構成要件からいくつかの構
成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の
欄で述べた課題（の少なくとも１つ）が解決でき、発明
の効果の欄で述べられている効果（の少なくとも１つ）
が得られる場合には、その構成要件が削除された構成が
発明として抽出され得る。

【００５４】

【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、より精度の高い電子ビーム描画装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態にかかる荷電ビーム描画装
置の概略を、連続描画型のＥＢマスク描画装置を例に示
す構成図。

【図２】同じく、図１のＥＢマスク描画装置におけるフ
ィードバック機構の構成例を示す回路ブロック図。

【図３】同じく、位置データの一例を示す構成図。

【図４】同じく、非線形誤差について説明するために示
す概略図。

【図５】同じく、図２のフィードバック機構におけるメ
モリマップの一構成例を示す概略図。

【図６】同じく、図２のフィードバック機構における正
弦波メモリ部の一構成例を示す概略図。

【図７】同じく、動作について説明するために示す概略
図。

【符号の説明】

１１…ステージ１３…マスク基板１５…電子ビーム光学系１６…電子銃１７…偏向電極２１…フィードバック機構２１Ａ…ｘ方向についてのフィードバック機構２１Ｂ…ｙ方向についてのフィードバック機構２３，２３ａ，２３ｂ…干渉光学系２５，２５ａ，２５ｂ…位相係数ボード２７，２７ａ，２７ｂ…補正回路２７ａ-1，２７ｂ-1…メモリマップ２７ａ-2，２７ｂ-2…正弦波メモリ部２７-1…加算器２７-2…テーブルルックアップ方式のメモリ２７ａ-3，２７ｂ-3…加算器３１…減算器３３…増幅器３５…パターンデータ発生器Ｘ，Ｙ…位置データＸ’，Ｙ’…位置データ（補正後）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｄ５４１Ｕ (72)発明者安井和道静岡県沼津市大岡2068の３東芝機械株式会社内Ｆターム(参考） 2F065 AA06 AA09 AA20 BB15 BB25 EE11 FF55 GG04 PP12 QQ25 RR05 5C033 GG03 5C034 BB06 BB07 5F031 CA02 CA07 JA02 JA27 JA51 MA27 PA04 PA30 5F056 BA08 BC10 CB22 CC05 EA14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】描画用試料が載置されるステージの移動
量を測定する測定手段と、前記ステージの移動量を位置データに変換する変換手段
と、前記位置データにもとづいて、前記試料に対する電子ビ
ームの照射位置を制御する制御手段と、前記位置データに対応させて、前記測定手段の測定結果
に含まれる非線形誤差成分に関する補正量データを記憶
する第１の記憶手段と、前記位置データおよび前記補正量データに対応させて、
少なくとも１周期分の非線形誤差を含む非線形誤差形状
をもつキャンセル用データを格納する第２の記憶手段
と、前記キャンセル用データを用いて、前記制御手段に与え
る前記位置データを補正する補正手段とを具備したこと
を特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項２】前記測定手段は、レーザ干渉光学系であ
ることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム描画装
置。
【請求項３】前記位置データは、前記レーザ干渉光学
系による測定結果を、測定波長の整数分の１の単位で量
子化したデジタル値であることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項４】前記位置データの上位ビットは前記ステ
ージの可動範囲内の大まかな位置を表し、下位ビットは
前記測定波長の整数分の１の距離を表すことを特徴とす
る請求項３に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項５】前記補正量データは、あらかじめ前記ス
テージ上の小領域に区切られた領域ごとに設定されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項６】前記補正量データは、前記非線形誤差成
分の振幅量と位相量とに対応するものであることを特徴
とする請求項５に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項７】前記第２の記憶手段は、前記非線形誤差
成分の少なくとも振幅量をもとに、異なる非線形誤差形
状をもつキャンセル用データを選択できるように構成さ
れてなることを特徴とする請求項１または６に記載の電
子ビーム描画装置。