JP2003321475A - トリス（ジイソブチリルメタナート）ランタンとその製法およびそれを用いた化学気相成長法によるｐｌｚｔ薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】溶液気化方式で原料を供給するＣＶＤでＰＬＺ
Ｔ膜を製造する方法において、Ｌａ源としてＬａ（ｄｐ
ｍ）_３より熱分解堆積しやすく、基板温度が４５０℃と
低くても強誘電性の膜が得られるＬａ原料化合物を特定
し、その製法とＰＬＺＴ膜の製法を提供する。 【解決手段】Ｌａ源としてＬａ（ｄｉｂｍ）_３を用い、
Ｐｂ（ｄｐｍ）_２−Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３−Ｚｒ（ＯｉＰ
ｒ）（ｄｐｍ）_３−Ｔｉ（ＯｉＰｒ）_２（ｄｉｂｍ）_２
の組合せの酢酸ｎ−ブチル溶液を、２４０℃で気化供給
し、酸素雰囲気下で、基板温度４５０℃、ＣＶＤ室圧１
ＴｏｒｒでＣＶＤすると、良好なＰＬＺＴ膜ができる。
Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３は、融点１１０℃で溶解度は大き
く、０．１Ｔｏｒｒ／１９５℃の蒸気圧を持ち、その酢
酸ｎ−ブチル溶液は３ケ月のポットライフを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、化学気相成長法
（以下ＣＶＤ法と表す）に用いられるトリス（β−ジケ
トナート）ランタンとその製法およびそれを用いるＰＬ
ＺＴ薄膜の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】高集積の不揮発性メモリーなどに用いら
れる（Ｐｂ_１−ｘ，Ｌａ_ｘ）（Ｚｒ_１−ｙ，Ｔｉ_ｙ）Ｏ
_３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）（以下ＰＬＺＴと表す）
薄膜を量産性よく製造する方法として、ＣＶＤ法が用い
られる。その原料供給方式には、Ｐｂ，Ｌａ，Ｚｒ，Ｔ
ｉの各化合物をそのまま気化して供給する方式と溶液に
して気化供給する方式があるが、後者の方が量産に向い
ている。

【０００３】溶液気化法に用いられるＬａ源としては、
従来ビス（ジピバロイルメタナート）ランタン（以下Ｌ
ａ（ｄｐｍ）_３と表す）が用いられてきたが、この化合
物は融点が２６０℃と高いため、気化器での固体析出の
可能性があり、また、溶解度の点で使用可能な有機溶媒
が限られているという欠点があった。

【０００４】日本国特許第２７９９７６３号では、ジピ
バロイルメタネート化合物に代わるＩＩＡ，ＩＩＩＡ，
ＩＶＡ，ＩＢ族の多くの金属元素のトリス（２，６−ジ
メチル３，５−ヘプタンジオネート）すなわちトリス
（ジイソブチリルメタネート）とトリス（２，２，６−
トリメチル−３，５−ヘプタンジオネート）が挙げられ
ている。その特徴は、キャリヤーガスを導入して、気化
同伴させて供給する場合、これらの化合物の気化温度と
分解温度がはっきり離れており、不活性ガスに同伴され
る錯体量が従来品よりも多いため高速成膜が可能で、成
膜された金属膜の特性も優れていることである。本発明
のトリス（ジイソブチリルメタナート）ランタン［トリ
ス（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナート）
ランタン，Ｌａ（Ｃ_９Ｈ_１５Ｏ_２）_３，以下Ｌａ（ｄｉ
ｂｍ）_３と表す］も該特許のクレームに含まれるが、合
成・同定はされていない。さらに、本化合物の融点が１
１０℃と低く、有機溶媒に非常によく溶け、溶液気化法
で使用し、Ｌａ（ｄｐｍ）_３より低温でＬａ_２Ｏ_３の堆
積ができるということは、なんら示唆されていなかっ
た。

【０００５】Ａｌ配線が耐える温度以下でＰＺＴの不揮
発性メモリーを作れば、高集積化され、多層メタル化さ
れた半導体装置ができるので、５００℃以下、好ましく
は４５０℃以下の基板温度で薄膜を製造する方法が特開
２０００−５８５２６号などで開示されている。ＰＬＺ
Ｔ膜はＰＺＴより優れた耐疲労特性や強誘電体特性を持
ち、ＰＺＴの次の世代に期待される膜であるが、良好な
ＰＬＺＴ膜を６００℃以下で成膜した例はまだない。

【０００６】純原料プリカーサーだけからなるバブリン
グ供給法は、大量の溶媒で希釈されている溶液気化法に
比べ、一般により低い温度で成膜ができる。バブリング
供給法でＬａ_２Ｏ_３やＰＬＺＴ成膜の例としては、以下
のものが公知である。Ｔｏｍｉｎａｇａら、Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．２９，Ｌ１８７４
（１９９０）は、Ｌａ（ｄｐｍ）_３のＣＶＤによるＬａ
_２Ｏ_３の堆積は基板温度５００℃付近からはじまり６０
０℃以上で最大になることを開示している。藤沢ら、第
４２回応用物理学会学術講演会講演予稿集ｐ４８５（１
９９５）では、Ｌａ（ｄｐｍ）_３を用いＰＬＺＴ膜（９
２／８／５７／４３）が６００℃で得られている。中島
ら、第４２回応用物理学会学術講演会講演予稿集ｐ４８
４（１９９５）では、Ｌａ（ｄｐｍ）_３を用いＰＬＺＴ
膜（８５／１５／４５／５５）が６５０℃で得られてい
る。以上の例にあるように、ＰＬＺＴ成膜は、６００〜
６５０℃の高温が必要であった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、溶液気
化の原料として、Ｐｂ（ｄｐｍ）_２−Ｌａ（ｄｐｍ）_３
−Ｚｒ（ＯｉＰｒ）（ｄｐｍ）_３−Ｔｉ（ＯｉＰｒ）_２
（ｄｐｍ）_２の組み合わせを用い、溶媒として酢酸ｎ−
ブチルを用いてＰＬＺＴの成膜をしたところ、基板温度
５００℃以下では、膜にＬａ_２Ｏ_３が入りにくく、大過
剰のＬａ（ｄｐｍ）_３を供給しなければならず、問題で
あることがわかった。その原因はＬａ（ｄｐｍ）_３から
のＬａ_２Ｏ_３堆積温度がＰｂ（ｄｐｍ）_２やＴｉ（Ｏｉ
Ｐｒ）_２（ｄｐｍ）_２の堆積温度に比べて高いためと推
定された。さらにＬａ（ｄｐｍ）_３は酢酸ｎ−ブチルに
対する溶解度が０．４ｍｏｌ／Ｌと小さく、融点も２６
０℃と高いため、溶媒の先飛びや配管の加熱不足が原因
の固体析出を起こしやすいことがわかった。

【０００８】本発明の目的は、上記問題を解決するため
に、Ｌａ_２Ｏ_３堆積温度がＬａ（ｄｐｍ）_３より低く、
各種溶媒に対する十分な溶解度をもち、さらに融点が低
いＬａ化合物を見つけ、５００℃以下でのＰＬＺＴ薄膜
の製造方法を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、Ｌａ（ｄ
ｉｂｍ）_３を使えば５００℃以下の低温で成膜できるこ
と、さらに融点は１１０℃と室温では固体であるが、有
機溶媒によく溶け安定であること、２００〜２５０℃の
気化温度で分解することなく気化し、その溶液の気化特
性も優れていることを見出し本発明を完成するに至っ
た。

【００１０】本発明は、融点が１１０℃と低く、有機溶
媒に非常によく溶け、溶液気化法で低温成膜が可能なＬ
ａ（ｄｉｂｍ）_３である。

【００１１】本発明は、水−アルコール溶媒中で硝酸ラ
ンタンとジイソブチリルメタンとアンモニア水を反応さ
せ、得られた粗結晶を水洗・乾燥した後、蒸発回収する
Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３の製法である。

【００１２】本発明は、溶液気化により原料を供給し、
化学気相成長法でＰＬＺＴ薄膜を製造する方法におい
て、ランタン源としてＬａ（ｄｉｂｍ）_３を用いること
を特徴とするＰＬＺＴ薄膜の製造方法である。

【００１３】本発明は、基板温度が４００〜５００℃で
あることを特徴とする上記記載のＰＬＺＴ薄膜の製造方
法である。

【００１４】本発明は、鉛源としてビス（ジピバロイル
メタナート）鉛、ジルコニウム源として（イソプロポキ
シ）トリス（ジピバロイルメタナート）ジルコニウムま
たはテトラキス（ジイソブチリルメタナート）ジルコニ
ウム、チタン源としてジ（イソプロポキシ）ビス（ジピ
バロイルメタナート）チタンまたはジ（イソプロポキ
シ）ビス（ジイソブチリルメタナート）チタンと酸化剤
を用いることを特徴とする上記記載のＰＬＺＴ薄膜の製
造方法である。

【００１５】

【発明の実施の形態】Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３の製法は、
Ｒ．Ｃ．Ｙｏｕｎｇ，Ａ．Ａｒｃｈ，Ｉｎｏｒｇ．Ｓｙ
ｎｔｈ．Ｖｏｌ．２，１２１（１９４６）に記載され
た、金属塩の水溶液にβ−ジケトンを直接に加えて水に
不溶な金属キレートを析出させて得る製法を基に、改良
を加えた方法である。

【００１６】硝酸ランタンと１〜１．１当量のｄｉｂｍ
Ｈを水−アルコール溶媒中に溶かし、ｐＨ７〜８となる
までアンモニア水を加えるとＬａ（ｄｉｂｍ）_３の粗結
晶が得られる。これをデカンテーションによって分離し
た後、溶媒、未反応ｄｉｂｍＨを常圧〜減圧で留去す
る。精製は再結晶でも可能であるが、０．０１〜１Ｔｏ
ｒｒでの真空蒸留が好ましい。こうすることにより溶液
気化用原料として最適な、パーティクルや不揮発分を含
まない、完全な揮発成分のみのＬａ（ｄｉｂｍ）_３が得
られる。

【００１７】以下に実施例１で得られたＬａ（ｄｉｂ
ｍ）_３の同定とＣＶＤに必要な主な物性の測定結果を記
す。 （１）組成分析 ＩＣＰ発光分光分析の結果 Ｌａ分析値 ２２．７％ （理論値２３．０％） （２）不純物分析 ＩＣＰ発光分光分析の結果（単位ｐｐｍ） Ｋ＜１，Ｎａ ５，Ｍｇ＜１，Ｃａ＜１，Ｆｅ＜２，Ｃ
ｕ＜２，Ｚｎ＜１であり、高純度であった。 また、全Ｃｌ分析の結果、Ｃｌは＜２ｐｐｍであった。

【００１８】（３）ＥＩ−ＭＳ 測定条件 装置：ＪＥＯＬ ＡＸ５０５Ｗ、イオン化法：ＥＩ、導
入法：直接導入法、イオン化エネルギー：７０ｅＶ、 測定結果を図１に示した。 主なｍ／ｚと強度（％）とそのイオン種を以下に列挙し
た。 ｍ／ｚ＝６０４（２６％）Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３ ^＋分子イオン ５６１（１３％）Ｌａ（ｄｉｂｍ）_２（Ｍｅ_２ＨＣＣＯＣＨＣＯ）^＋ ４４９（１００％）Ｌａ（ｄｉｂｍ）_２ ^＋

【００１９】（４）^１Ｈ−ＮＭＲ 測定条件 装置：ＢＲＵＫＥＲ ＡＣ３００Ｐ（３００ＭＨｚ）、
溶媒：ベンゼン−ｄ_６、方法：１Ｄ、 測定結果を図２に示した。δ_Ｈ（ｐｐｍ）と（帰属）を
以下に列挙する。 １．０３＋１．１８＋１．２０（３６Ｈ，ＣＨ（Ｃ
Ｈ _３）_２） ２．５１（６Ｈ，ＣＨ（ＣＨ_３）_２） ５．３１＋５．５２（３Ｈ，ＣＨ）

【００２０】（５）ＦＴ−ＩＲ 測定条件 装置：ＳＨＩＭＡＤＺＵ ＦＴ−ＩＲ８６００、 方法：トルエン溶液をＫＢｒ板にキャスト後トルエンを
蒸発除去した。 分解能：４．０ｃｍ^−１、 測定結果を図３に示した。 スペクトル（ｃｍ^−１） ２９６３，２９２１，２８７０，１５９３，１５３１，
１５０４，１４２７，１３８３，１３６０，１３３１，
１３１３，１２３２，１１５５，１０９２，１０５７，
９５９，９１８，７８９，７６０，４３０，

【００２１】以上の結果からＬａ（ｄｉｂｍ）_３と同定
した。

【００２２】（６）性状と融点 淡橙色固体 融点 １１０℃

【００２３】（７）蒸気圧 １９５℃／０．１Ｔｏｒｒ

【００２４】（８）ＴＧ−ＤＴＡ 測定条件 昇温速度１０．０ｄｅｇ／ｍｉｎ 測定はＡｒ １気圧とＡｒ ２Ｔｏｒｒの２条件で行っ
た。Ａｒ２００ｓｃｃｍ、１気圧、試料１２．１９ｍｇ
の結果を図４に示す。Ａｒ５０ｓｃｃｍ、２Ｔｏｒｒ、
試料１６．５５ｍｇの結果を図５に示す。図４、５より
Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３は２５０℃で熱分解している様子は
ない。しかし図４よりＬａ（ｄｉｂｍ）_３は３５０℃付
近から熱分解していることがわかる。また、図５より３
００℃での気化率が９９．５６％で１００％ではない
が、試料皿には何も残っていなかったことから、完全に
気化したと考えられる。

【００２５】（９）溶解度 溶媒１Ｌに室温で溶解する質量（単位ｇ）を表１に示
す。

【００２６】

【表１】

【００２７】比較にＬａ（ｄｐｍ）_３の酢酸ｎ−ブチル
中への溶解度は３００ｇ、トルエン、ヘキサンにはまっ
たく溶けないことから、Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３がかなりよ
くこれらの溶媒に溶けることがわかる。溶媒種の選択範
囲が非常に広くなった。

【００２８】Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３のＣＶＤで基板へのＬ
ａ_２Ｏ_３の堆積が確認される下限の基板温度を実施例２
で調べた結果、約４００℃であった。この温度は比較例
１の結果、Ｌａ（ｄｐｍ）_３の約５００℃に比べ、約１
００℃ほど低かった。これは、ｄｉｂｍ基の方が、ｄｐ
ｍ基より、低温で酸化分解するためと考えられる。すな
わちＬａ（ｄｉｂｍ）_３の方がＰＬＺＴ膜を低温で形成
可能なことを表している。なお温度の絶対値は、ＣＶＤ
の圧力や酸化ガスの種類により異なるが、両者の傾向は
変わらない。

【００２９】本発明のＰＬＺＴ膜形成用の１成分である
ビス（β−ジケトナート）鉛としては、Ｐｂ（ｄｐｍ）
_２、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−オ
クタンジオナート）鉛、ビス（２，２，６−トリメチル
−３，５−ヘプタンジオナート）鉛、ビス（６−エチル
−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオナート）鉛
などである。好ましくは、最も熱安定性の高いＰｂ（ｄ
ｐｍ）_２である。

【００３０】本発明のＰＬＺＴ形成用の１成分であるＺ
ｒ化合物としては、低温成膜できるＺｒ（ＯｉＰｒ）
（ｄｐｍ）_３あるいはＺｒ（ｄｉｂｍ）_４である。Ｔｉ
化合物としては、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）_２（ｄｐｍ）_２ある
いはＴｉ（ＯｉＰｒ）_２（ｄｉｂｍ）_２である。

【００３１】原料溶液の供給方法は、Ｐｂ，Ｌａ，Ｚ
ｒ，Ｔｉ化合物の個々の溶液を、それぞれのソースシリ
ンダーから計量、気化器直前で混合され、一つの気化器
で気化された後、ＣＶＤ室に供給する方法と、Ｐｂ，Ｌ
ａ，Ｚｒ，Ｔｉ化合物を１つの溶液に含んだ原料を用
い、その溶液を気化器で気化後、ＣＶＤ室に供給する方
法がある。前者は、例えばＰｂ原料とＴｉ原料とを用い
てＰｂＴｉＯ_３核付け処理を行い、これに引き続いてＰ
ＬＺＴの成膜を行うような２段階成膜が可能である。溶
液のポットライフも一溶液法に比べ長い。気化器を一つ
にする装置上の利点もある。後者は、供給装置が最も簡
素化され、しかも溶液の組成均一性や得られた膜組成の
均一性が優れている。

【００３２】本発明では、ＰＬＺＴ成膜の基板温度が４
００〜５００℃である。Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉ源を低温堆積
可能な化合物を使うことにより、このような低温でも良
好な強誘電性を示す膜が得られる。酸化ガスとしては、
Ｏ_２，Ｏ_３，Ｎ_２Ｏ，ＮＯ_２などが使える。ＣＶＤ室の
圧力は、０．００１〜１０Ｔｏｒｒである。

【００３３】

【実施例１】Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３の製造 攪拌子を備えた３００ｍｌ三つ口フラスコにメタノール
１００ｍｌとｄｉｂｍＨ１２．５ｇ（８０．０ｍｍｏ
ｌ）を仕込み、次いで硝酸ランタン六水和物１０．４ｇ
（２４．２ｍｍｏｌ）をイオン交換水１５．９ｇで溶解
した溶液を攪拌下添加した。次いで２８％アンモニア水
５．０ｇをイオン交換水１０．０ｇで希釈したものを滴
下ロートより添加すると、液中に白色の粗製Ｌａ（ｄｉ
ｂｍ）_３が析出しはじめ、液温もわずかに上昇し、反応
溶液はｐＨ７．５となった。これをそのまま室温で２時
間攪拌した後、粗製Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３の結晶をデカン
テーションで分離して分離・回収した。回収した結晶を
釜温度１００〜１１０℃、圧力１〜２Ｔｏｒｒで溶媒や
未反応ｄｉｂｍＨを留去し、粗製Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３を
得た。この粗製Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３を、加熱温度２４０
℃、圧力０．１〜０．２Ｔｏｒｒで蒸留し、精製品８．
４ｇを得た。収率５７．９％であった。

【００３４】

【実施例２】Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３のＣＶＤによるＬａ_２
Ｏ_３膜の成膜 Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３の酢酸ブチル溶液（濃度０．１ｍｏ
ｌ／Ｌ）０．１ｍｌ／ｍｉｎを２５０℃の気化器に送
り、予熱したＡｒガス２００ｓｃｃｍとともに蒸発さ
せ、ＣＶＤ室に送った。これに予熱したＯ_２ガス１００
ｓｃｃｍをＣＶＤ室入り口で混合し、反応圧力１Ｔｏｒ
ｒ、４００〜５００℃の加熱されたＳｉ基板上に導き、
熱分解堆積させた。２０分後、基板を取り出し膜厚測定
すると、４００℃で約１５ｎｍのＬａ_２Ｏ_３膜が形成さ
れていた。５００℃では約５５ｎｍであった。

【００３５】

【比較例１】Ｌａ（ｄｐｍ）_３のＣＶＤによるＬａ_２Ｏ
_３膜の成膜 実施例２において、Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３をＬａ（ｄｐ
ｍ）_３に代えた他は、実施例２と同様にした。４００℃
では、Ｌａ_２Ｏ_３膜は形成されていなかった。５００℃
では約２０ｎｍであった。

【００３６】

【実施例３】Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３溶液を用いたＰＬＺＴ
膜の製造 Ｐｂ（ｄｐｍ）_２の酢酸ｎ−ブチル溶液（濃度０．１ｍ
ｏｌ／ｌ）を０．１８ｍｌ／ｍｉｎで送り、Ｌａ（ｄｉ
ｂｍ）_３の酢酸ｎ−ブチル溶液（濃度０．１ｍｏｌ／
ｌ）を０．０２ｍｌ／ｍｉｎで送り、Ｚｒ（ＯｉＰｒ）
（ｄｐｍ）_３の酢酸ｎ−ブチル溶液（濃度０．１ｍｏｌ
／ｌ）を０．０８ｍｌ／ｍｉｎで送り、Ｔｉ（ＯｉＰ
ｒ）_２（ｄｉｂｍ）_２の酢酸ｎ−ブチル溶液（濃度０．
１ｍｏｌ／ｌ）を０．１２ｍｌ／ｍｉｎで送り、この４
液を気化器直前で混合し、２４０℃の気化器で、予熱し
たＡｒガス３００ｓｃｃｍとともに気化させ、ＣＶＤ室
に送った。これと予熱したＯ_２ガス７００ｓｃｃｍとを
ＣＶＤ室入り口で混合し、反応圧１Ｔｏｒｒ、４５０℃
に加熱されたＰｔ（１１１）／ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板上に
導き、熱分解堆積させた。２０分後基板を取り出し膜厚
測定すると２５０ｎｍの膜が形成されていた。この膜は
ＸＲＤよりペロブスカイト相のＰＬＺＴで、組成分析の
結果Ｐｂ：Ｌａ：Ｚｒ：Ｔｉ＝０．９２：０．０８：
０．３５：０．６５であった。

【００３７】

【比較例２】Ｌａ（ｄｐｍ）_３溶液を用いたＰＬＺＴ膜
の製造 実施例３において、Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３をＬａ（ｄｐ
ｍ）_３に代えた他は、実施例３と同様にして、成膜し
た。しかし膜組成分析の結果、Ｐｂ：Ｌａ：Ｚｒ：Ｔｉ
＝０．９９：０．０１：０．３５：０．６５とＬａが少
なかった。

【００３８】

【実施例４】Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３の酢酸ｎ−ブチル溶液
のポットライフ Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３３．０ｇ（５ｍｍｏｌ）をメスフラ
スコに入れ、脱酸素した水分１５ｐｐｍの酢酸ｎ−ブチ
ルで５０ｍｌとし、気相部を乾燥Ａｒとし、密封した。
この溶液を室温に保ち、３ケ月後に色、濁りの生成を観
察したが、淡黄色の完全透明状態が保たれていた。この
３ケ月後の溶液をフラスコにとり、室温真空下で溶媒を
蒸発除去し、次いで、２４０℃で真空蒸留したところ、
全量が蒸発回収され、フラスコ内壁に薄い茶色の膜がわ
ずかに残った程度であった。気化特性は全く変化してい
ず、正常であることがわかった。よって３ケ月のポット
ライフがあると言える。

【００３９】

【発明の効果】溶液気化方式のＣＶＤ法でＰＬＺＴ薄膜
を製造する場合、Ｌａ源としてＬａ（ｄｉｂｍ）_３を用
いることにより、基板温度４００〜５００℃の低温で成
膜できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３のＥＩ−ＭＳによる測定結
果を示す図である。

【図２】Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３の^１Ｈ−ＮＭＲによる測定
結果を示す図である。

【図３】Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３のＦＴ−ＩＲによる測定結
果を示す図である。

【図４】Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３の１気圧でのＴＧ−ＤＴＡ
による測定結果を示す図である。

【図５】Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３の１０ＴｏｒｒでのＴＧ−
ＤＴＡによる測定結果を示す図である。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】トリス（ジイソブチリルメタナート）ラン
   タン。
2. 【請求項２】水−アルコール溶媒中で硝酸ランタンとジ
   イソブチリルメタンとアンモニア水を反応させ、得られ
   た粗結晶を水洗・乾燥した後、蒸発回収するトリス（ジ
   イソブチリルメタナート）ランタンの製法。
3. 【請求項３】溶液気化により原料を供給し、化学気相成
   長法でＰＬＺＴ薄膜を製造する方法において、ランタン
   源としてトリス（ジイソブチリルメタナート）ランタン
   を用いることを特徴とするＰＬＺＴ薄膜の製造方法。
4. 【請求項４】基板温度が４００〜５００℃であることを
   特徴とする請求項３記載のＰＬＺＴ薄膜の製造方法。
5. 【請求項５】鉛源としてビス（ジピバロイルメタナー
   ト）鉛、ジルコニウム源として（イソプロポキシ）トリ
   ス（ジピバロイルメタナート）ジルコニウムまたはテト
   ラキス（ジイソブチリルメタナート）ジルコニウム、チ
   タン源としてジ（イソプロポキシ）ビス（ジピバロイル
   メタナート）チタンまたはジ（イソプロポキシ）ビス
   （ジイソブチリルメタナート）チタンと酸化剤を用いる
   ことを特徴とする請求項３および請求項４記載のＰＬＺ
   Ｔ薄膜の製造方法。