JP2003318383A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 半導体基板上に光電変換部が形成されているとともに前記光電変換部に蓄積された信号電荷を転送する電荷転送部を有し、かつ前記光電変換部の受光用表面に正孔蓄積層を形成してなる固体撮像素子であって、
   前記正孔蓄積層は、前記受光用表面に該受光用表面の全域に亘り所定の深さに形成された第１正孔蓄積層と、前記第１正孔蓄積層の表面領域を周囲から中央に向け縮小した所定面積の表面領域に前記第１正孔蓄積層を通して前記光電変換部の内部に達する深さに形成された前記第１正孔蓄積層より厚い層の第２正孔蓄積層とから構成される、
   ことを特徴とする固体撮像素子。
2. 前記光電変換部は、第１導電型の前記半導体基板上に形成された第２導電型の信号電荷蓄積領域を有し、前記第１及び第２正孔蓄積層は前記信号電荷蓄積領域の表面に形成され、かつ第１及び第２正孔蓄積層は第１導電型であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
3. 前記電荷転送部の転送電極は前記受光表面の周囲を取り囲むように配置され、この転送電極の内側壁部には、前記第１正孔蓄積層の表面領域を周囲から中央に向け縮小した所定の表面領域を設定する側壁絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
4. 半導体基板上に光電変換部を形成するとともに前記光電変換部に蓄積された信号電荷を転送する電荷転送部を形成してなる固体撮像素子の製造方法であって、
   前記受光用表面に不純物をドーピングして第１正孔蓄積層を該受光用表面の全域に亘り所定の厚さに形成する第１の工程と、
   前記第１正孔蓄積層の表面領域に該表面領域を周囲から中央に向け縮小した所定面積の不純物ドーピング領域を形成する第２の工程と、
   前記不純物ドーピング領域に前記第１正孔蓄積層を通して不純物をドーピングすることにより前記光電変換部の内部に達する第２正孔蓄積層を形成する第３の工程とを備える、
   ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
5. 前記第１の工程において、前記受光用表面の受光領域を除くように設けられた前記電荷転送部の転送電極をマスクとして、不純物がドーピングされるようにしたことを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子の製造方法。
6. 前記半導体基板の表面全域に絶縁膜を形成し、この絶縁膜をエッチングにより、前記受光用表面の周囲を囲むように設けられた前記電荷転送部の転送電極の側壁部のみを残して側壁絶縁膜を形成し、この側壁絶縁膜をマスクとして前記第２正孔蓄積層を形成するための不純物ドーピング領域を形成するようにしたことを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子の製造方法。
7. 前記光電変換部の信号電荷蓄積領域が第２導電型のとき、前記第１及び第２正孔蓄積層は第１導電型であることを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子の製造方法。
8. 前記側壁絶縁膜は、シリコン窒化物、ポリシリコンまたはシリコン酸化物であることを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子の製造方法。
9. 複数の画素を含む撮像領域を有し、
   前記画素の受光部は、Ｎ型半導体層の表面に形成された第１のＰ型半導体層と、前記第１のＰ型半導体層の内側に、前記第１のＰ型半導体層の底より深い位置に達するように形 成された第２のＰ型半導体層とを有することを特徴とする固体撮像素子。