JP2003318333A - Hybrid integrated circuit device - Google Patents

Hybrid integrated circuit device

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JP2003318333A JP2002121747A JP2002121747A JP2003318333A JP 2003318333 A JP2003318333 A JP 2003318333A JP 2002121747 A JP2002121747 A JP 2002121747A JP 2002121747 A JP2002121747 A JP 2002121747A JP 2003318333 A JP2003318333 A JP 2003318333A
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秀史 西塔
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昌巳 茂木
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勝義 三野
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    • H01L2924/1815Shape

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the warpage of a hybrid integrated circuit device 10 and the separation of a metal base board 16 from an insulating resin 12. <P>SOLUTION: Grooves 13 are formed on the upper surface of the insulating resin 12 along the length direction of the metal base board 16. According to this method, the generation of warpage in the metal base board 16 can be prevented even when bending stress is applied in a direction wherein the grooves 13 are formed. The metal base board 16 is molded with the insulating resin 12 while setting the sag surfaces 16B of the board 16 downward. According to this constitution, the insulating resin 12 is turned around the circumference of the sag surfaces 16B whereby a bonding force between the metal base board 16 and the insulating resin is improved. Accordingly, the separation of the metal base board 16 from the insulating resin 12 can be prevented. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は混成集積回路装置に
関し、特に、混成集積回路装置が湾曲するのを防止でき
る混成集積回路装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hybrid integrated circuit device, and more particularly to a hybrid integrated circuit device capable of preventing the hybrid integrated circuit device from bending.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5を参照して、従来の混成集積回路装
置の構成を説明する。図5(A)は混成集積回路装置3
0の斜視図であり、図5(B)は図5(A)のX−X
‘線に於ける断面図である。
2. Description of the Related Art The structure of a conventional hybrid integrated circuit device will be described with reference to FIG. FIG. 5A shows a hybrid integrated circuit device 3
5 is a perspective view of FIG. 0, and FIG. 5 (B) is XX of FIG. 5 (A).
It is sectional drawing in a line.

【0003】図5(A)および図5(B)を参照して、
従来の混成集積回路装置30は次のような構成を有す
る。矩形の基板36と、基板36の表面に設けられた絶
縁層37上に形成された導電パターン38と、導電パタ
ーン38上に固着された回路素子34と、回路素子35
と導電パターン38とを電気的に接続する金属細線35
と、導電パターンと電気的に接続されたリード31と
で、混成集積回路装置30は構成されている。
Referring to FIGS. 5 (A) and 5 (B),
The conventional hybrid integrated circuit device 30 has the following configuration. A rectangular substrate 36, a conductive pattern 38 formed on an insulating layer 37 provided on the surface of the substrate 36, a circuit element 34 fixed on the conductive pattern 38, and a circuit element 35.
Thin metal wire 35 for electrically connecting the conductive pattern 38 with the conductive pattern 38
And the lead 31 electrically connected to the conductive pattern constitute the hybrid integrated circuit device 30.

【0004】以上のように、混成集積回路装置30は基
板36の裏面を除いて、全体が絶縁性樹脂32で封止さ
れている。絶縁性樹脂11で封止する方法としては、熱
可塑性樹脂を用いたインジェクションモールドと、熱硬
化性樹脂を用いたトランスファーモールドとがある。
As described above, the entire hybrid integrated circuit device 30 is sealed with the insulating resin 32 except for the back surface of the substrate 36. As a method of sealing with the insulating resin 11, there are an injection mold using a thermoplastic resin and a transfer mold using a thermosetting resin.

【0005】図6を参照して、トランスファーモールド
により樹脂封止を行う工程を説明する。図6は金型40
を用いて樹脂封止を行う状態を示す断面図である。ここ
では、基板36は、リード31が導出する辺を紙面方向
にして載置されている。そしてリード31が上下金型に
より狭持されることにより、基板36の位置は固定され
ている。
The process of resin sealing by transfer molding will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows a mold 40
It is sectional drawing which shows the state which performs resin sealing using. Here, the substrate 36 is placed with the side from which the lead 31 is led out in the direction of the paper surface. The position of the substrate 36 is fixed by holding the lead 31 between the upper and lower molds.

【0006】基板36の表面には、回路素子34等から
成る電気回路が表面に形成されている。この基板36は
下金型40Bに載置される。上金型40Aを下金型40
Bに接合させることにより、樹脂が封入される空間であ
るキャビティが形成される。ゲート41から熱硬化性樹
脂である絶縁性樹脂32を注入することにより、金属板
20は、裏面を除いて封止される。ここでは、ゲート4
1に対向する部分には、エアベント42が設けられてお
り、この箇所以外の部分にもエアベント42が設けられ
る場合もある。そして、エアベント42からキャビティ
内部の空気を外部に放出させることにより、樹脂の注入
は確実に行われる。
On the surface of the substrate 36, an electric circuit including the circuit elements 34 and the like is formed on the surface. The substrate 36 is placed on the lower mold 40B. Upper mold 40A to lower mold 40
By bonding to B, a cavity that is a space for enclosing the resin is formed. By injecting the insulating resin 32, which is a thermosetting resin, from the gate 41, the metal plate 20 is sealed except for the back surface. Here, gate 4
The air vent 42 is provided in a portion facing 1 and the air vent 42 may be provided in a portion other than this portion. Then, by injecting the air inside the cavity from the air vent 42 to the outside, the resin is reliably injected.

【0007】以上の工程で封止された混成集積回路装置
30は、熱硬化性樹脂を硬化させるアフターキュアの工
程等を経て、製品として完成する。
The hybrid integrated circuit device 30 sealed in the above steps is completed as a product through an after-curing step of hardening a thermosetting resin and the like.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような混成集積回路装置は以下に示すような問題を有
していた。
However, the hybrid integrated circuit device as described above has the following problems.

【0009】第1に、熱硬化性樹脂から成る絶縁性樹脂
を硬化させるアフターキュアの工程や、使用状況下に於
いて、混成集積回路装置に反りが発生してしまい、内部
の電気回路が破損してしまう問題があった。以上のこと
は、特に、大型の金属基板を用いる混成集積回路装置に
於いて顕著であった。
First, in the after-curing step of curing the insulating resin made of a thermosetting resin or in the usage condition, the hybrid integrated circuit device is warped and the internal electric circuit is damaged. I had a problem. The above is particularly remarkable in the hybrid integrated circuit device using a large metal substrate.

【0010】第2に、基板36の裏面は絶縁性樹脂32
から露出している。従って、基板36と絶縁性樹脂32
との接着力が弱い問題があった。
Second, the back surface of the substrate 36 is covered with the insulating resin 32.
Exposed from. Therefore, the substrate 36 and the insulating resin 32
There was a problem that the adhesive strength with was weak.

【0011】本発明は、上記した問題を鑑みて成された
ものである。従って、本発明の主な目的は、混成集積回
路装置の反り上がりを防止することができる混成集積回
路装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems. Therefore, a main object of the present invention is to provide a hybrid integrated circuit device capable of preventing warping of the hybrid integrated circuit device.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、第1に、金属
基板の表面に設けられた導電パターンと、前記導電パタ
ーンに固着された回路素子と、前記導電パターンと接続
され、出力または入力となり外部に延在されるリード
と、前記金属基板の少なくとも裏面を露出させて前記回
路素子を封止する熱硬化性樹脂から成る絶縁性樹脂とを
備えた混成集積回路装置に於いて、前記絶縁性樹脂の上
面に溝を設けることで、装置全体の反りを防止すること
を特徴とする。
According to the present invention, first, a conductive pattern provided on a surface of a metal substrate, a circuit element fixed to the conductive pattern, and an output or an input connected to the conductive pattern. In the hybrid integrated circuit device including a lead extending to the outside and an insulating resin made of a thermosetting resin that seals the circuit element by exposing at least the back surface of the metal substrate, By providing a groove on the upper surface of the resin, it is possible to prevent warpage of the entire device.

【0013】本発明は、第2に、前記溝を、前記絶縁性
樹脂の周辺部に設けることを特徴とする。
Secondly, the present invention is characterized in that the groove is provided in the peripheral portion of the insulating resin.

【0014】本発明は、第3に、前記溝を、前記金属基
板の長手方向に設けることを特徴とする。
Thirdly, the present invention is characterized in that the groove is provided in the longitudinal direction of the metal substrate.

【0015】本発明は、第4に、前記溝を、前記リード
が前記導電パターンに接続する箇所の上方に設けること
を特徴とする。
Fourthly, the present invention is characterized in that the groove is provided above a portion where the lead is connected to the conductive pattern.

【0016】本発明は、第5に、金属基板の表面に設け
られた導電パターンと、前記導電パターンに固着された
回路素子と、前記回路素子と前記導電パターンとを電気
的に接続する金属細線と、前記導電パターンと接続さ
れ、出力または入力となり外部に延在されるリードと、
前記金属基板の少なくとも裏面を露出させて前記回路素
子を封止する熱硬化性樹脂から成る絶縁性樹脂とを備え
た混成集積回路装置に於いて、前記金属基板のダレ面を
前記絶縁性樹脂から露出させることを特徴とする。
Fifthly, the present invention provides a conductive pattern provided on the surface of a metal substrate, a circuit element fixed to the conductive pattern, and a thin metal wire for electrically connecting the circuit element and the conductive pattern. And a lead that is connected to the conductive pattern and serves as an output or an input and extends to the outside,
In a hybrid integrated circuit device including an insulating resin made of a thermosetting resin that exposes at least the back surface of the metal substrate and seals the circuit element, the sag surface of the metal substrate is made of the insulating resin. It is characterized by exposing.

【0017】本発明は、第6に、前記ダレ面の周辺部に
前記絶縁性樹脂が回り込むことによって、前記金属基板
が前記絶縁性樹脂から離脱するのを防止することを特徴
とする。
A sixth aspect of the present invention is characterized in that the metal substrate is prevented from separating from the insulating resin due to the insulating resin wrapping around the peripheral portion of the sagging surface.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】(混成集積回路装置10を説明す
る第1の実施の形態)図1を参照して、本発明に斯かる
混成集積回路装置10の構成を説明する。混成集積回路
装置10は次のような構成を有している。即ち、矩形の
金属基板16と、金属基板16の表面に設けられた絶縁
層17上に形成された導電パターン18と、導電パター
ン18上に固着された回路素子14と、回路素子14と
導電パターン18とを電気的に接続する金属細線15
と、導電パターン18と電気的に接続されたリード11
とで、混成集積回路装置10は構成されている。このよ
うな各構成要素を以下にて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (First Embodiment for Explaining Hybrid Integrated Circuit Device 10) The configuration of a hybrid integrated circuit device 10 according to the present invention will be described with reference to FIG. The hybrid integrated circuit device 10 has the following configuration. That is, the rectangular metal substrate 16, the conductive pattern 18 formed on the insulating layer 17 provided on the surface of the metal substrate 16, the circuit element 14 fixed on the conductive pattern 18, the circuit element 14 and the conductive pattern. Thin metal wire 15 for electrically connecting with 18
And the lead 11 electrically connected to the conductive pattern 18.
The hybrid integrated circuit device 10 is constituted by Each of these components will be described below.

【0019】金属基板16は、アルミや同等の金属から
成る基板である。1例として金属基板16としてアルミ
より成る基板を採用した場合、金属基板16とその表面
に形成される導電パターン18とを絶縁させる方法は2
つの方法がある。1つは、アルミ基板の表面を酸化させ
てアルマイト処理する方法である。もう1つの方法は、
アルミ基板の表面に絶縁層17を形成して、絶縁層17
の表面に導電パターン18を形成する方法である。ま
た、金属基板は、プレス機による「打ち抜き」により形
成される。このことから、金属基板の片面の周辺部には
「バリ」が形成される。本発明では、金属基板に於い
て、「バリ」が周端部に形成される面を「バリ面」と呼
び、「バリ」が形成されない面を「ダレ面」と呼ぶ。更
に、金属基板16の側面とダレ面16Bとが連続する部
分の断面は、直角には形成されない。具体的には、金属
基板16の側面とダレ面16Bとが連続する部分の断面
は、丸みを帯びた断面である。従って、ダレ面16Bの
周端部にはバリは全く形成されない。
The metal substrate 16 is a substrate made of aluminum or an equivalent metal. As an example, when a substrate made of aluminum is used as the metal substrate 16, a method of insulating the metal substrate 16 from the conductive pattern 18 formed on the surface is 2
There are two ways. One is a method in which the surface of an aluminum substrate is oxidized and anodized. Another way is
By forming the insulating layer 17 on the surface of the aluminum substrate,
This is a method of forming the conductive pattern 18 on the surface of the. Further, the metal substrate is formed by “punching” with a press machine. As a result, "burrs" are formed on the peripheral portion of one surface of the metal substrate. In the present invention, in the metal substrate, the surface on which the “burr” is formed at the peripheral end portion is referred to as the “burr surface”, and the surface on which the “burr” is not formed is referred to as the “sag surface”. Furthermore, the cross section of the portion where the side surface of the metal substrate 16 and the sag surface 16B are continuous is not formed at a right angle. Specifically, the cross section of the portion where the side surface of the metal substrate 16 and the sag surface 16B are continuous is a rounded cross section. Therefore, no burr is formed at the peripheral edge of the sag surface 16B.

【0020】導電パターン12は銅等の金属から成り、
絶縁層11上に形成される。また、リード11が導出す
る辺に、導電パターン12からなるパッドが形成され
る。
The conductive pattern 12 is made of metal such as copper,
It is formed on the insulating layer 11. Further, a pad made of the conductive pattern 12 is formed on the side where the lead 11 is led out.

【0021】回路素子14は、半田等のロウ材を介して
導電パターン12上の所定の位置に実装される。回路素
子14としては、受動素子や能動素子を全般的に採用す
ることができる。更に、樹脂封止型の回路装置等も回路
素子14として使用することも可能である。ここで、フ
ェイスアップで実装される能動素子等は、金属細線15
を介して、導電パターン12と電気的に接続される。
The circuit element 14 is mounted at a predetermined position on the conductive pattern 12 via a brazing material such as solder. As the circuit element 14, passive elements or active elements can be generally adopted. Furthermore, a resin-sealed circuit device or the like can also be used as the circuit element 14. Here, the active elements and the like mounted by face-up are metal thin wires 15
And is electrically connected to the conductive pattern 12 via.

【0022】リード11は、金属基板16の周辺部に設
けられたパッドに固着され、外部との入力・出力を行う
働きを有する。ここでは、対向する2辺に多数個のリー
ド113が設けられている。リード11は金属基板16
の4辺から導出させることも可能であり、1辺のみから
導出させることも可能である。
The lead 11 is fixed to a pad provided on the peripheral portion of the metal substrate 16 and has a function of performing input / output with the outside. Here, a large number of leads 113 are provided on two opposite sides. The lead 11 is a metal substrate 16
It is also possible to derive from the four sides of, and it is also possible to derive from only one side.

【0023】絶縁性樹脂12は、熱硬化性樹脂を用いる
トランスファーモールドにより形成される。そして、絶
縁性樹脂12は、金属基板16のダレ面16Bを下部に
露出させて装置全体を封止している。上述したように、
金属基板16の側面とダレ面16Bとが連続する部分の
断面は、丸みを帯びた断面である。従って、トランスフ
ァーモールドを行うことにより、金属基板16の側面と
ダレ面16Bとが連続する部分に、熱硬化性樹脂が回り
込む構造となる。具体的には、金属基板16のダレ面1
6Bが有する4辺の周端部に、熱硬化性樹脂が回り込む
構造となる。
The insulating resin 12 is formed by transfer molding using a thermosetting resin. The insulating resin 12 exposes the sagging surface 16B of the metal substrate 16 to the lower part to seal the entire device. As mentioned above,
The cross section of the portion where the side surface of the metal substrate 16 and the sag surface 16B are continuous is a rounded cross section. Therefore, by carrying out the transfer molding, the thermosetting resin wraps around the portion where the side surface of the metal substrate 16 and the sagging surface 16B are continuous. Specifically, the sagging surface 1 of the metal substrate 16
6B has a structure in which the thermosetting resin wraps around the peripheral edges of the four sides.

【0024】溝13は、絶縁性樹脂12の上面に設けら
れる。具体的には、溝13は、絶縁性樹脂12の周辺部
付近に於いて、金属基板16の長手方向に設けられてい
る。溝13をこのように形成することにより金属基板1
6の反り上がりを防止することが可能になる。具体的に
いうと、第1に、金属基板16の反り上がりに対して金
属基板16の上面部では薄く形成された部分が早期に充
填され早く硬化し基板と一体になることで対抗すること
ができる。第2に、溝13を設けることにより、金属基
板16上の絶縁性樹脂12の上面には、金属基板16の
実装面に対して様々な角度を有する面を有している。そ
のため、それらの面の組み合わせることにより金属基板
16の反り上がらせる応力に対して、その応力を低減さ
せる辺が形成され、金属基板16の反り上がらせる応力
に対抗することができる。従って、装置全体の長手方向
の剛性が向上し、応力が作用しても変形しにくい構造と
なる。また、溝13は絶縁性樹脂12の上面に於いて、
周辺部以外の箇所に形成することも可能である。更に、
絶縁性樹脂12の上面に於いて、四方の周辺部に溝13
を設けることも可能である。
The groove 13 is provided on the upper surface of the insulating resin 12. Specifically, the groove 13 is provided in the longitudinal direction of the metal substrate 16 near the periphery of the insulating resin 12. By forming the groove 13 in this manner, the metal substrate 1
It is possible to prevent the warp of No. 6 from rising. Specifically, firstly, the warp of the metal substrate 16 can be countered by the fact that the thin portion on the upper surface of the metal substrate 16 is filled early and hardened to be integrated with the substrate. it can. Secondly, by providing the groove 13, the upper surface of the insulating resin 12 on the metal substrate 16 has a surface having various angles with respect to the mounting surface of the metal substrate 16. Therefore, by combining these surfaces, a side for reducing the warp of the metal substrate 16 is formed, so that the stress for warping the metal substrate 16 can be countered. Therefore, the rigidity of the entire device in the longitudinal direction is improved, and the structure does not easily deform even when stress is applied. Further, the groove 13 is formed on the upper surface of the insulating resin 12,
It is also possible to form it at a place other than the peripheral portion. Furthermore,
Grooves 13 are formed on the upper surface of the insulating resin 12 in the four sides.
It is also possible to provide.

【0025】ここでは、金属基板16の長手方向の対向
する周辺部に於いて、リード11が導電パターン12に
固着されている。そして、溝13は、リード11が導電
パターン12に接続する箇所の上方に対応する絶縁性樹
脂12の上面に設けられている。リード11は水平に延
在しているので、リード11の高さは、回路素子14と
比較すると低くなっている。このことから、リード11
が導電パターン12に接続する箇所の上方は、絶縁性樹
脂12より成るマージンと成っている。従って、このマ
ージンの箇所に溝13を設けることによって、絶縁性樹
脂12の厚みを増すことなく、溝13を形成させること
ができる。
Here, the leads 11 are fixed to the conductive patterns 12 at the peripheral portions of the metal substrate 16 which face each other in the longitudinal direction. Then, the groove 13 is provided on the upper surface of the insulating resin 12 corresponding to above the portion where the lead 11 is connected to the conductive pattern 12. Since the lead 11 extends horizontally, the height of the lead 11 is lower than that of the circuit element 14. From this, lead 11
The upper part of the area connected to the conductive pattern 12 is a margin made of the insulating resin 12. Therefore, by providing the groove 13 at the margin, the groove 13 can be formed without increasing the thickness of the insulating resin 12.

【0026】図2を参照して、絶縁性樹脂12の熱膨張
係数と、アフターキュア時に於ける基板の反りとの関係
を説明する。本発明では、絶縁性樹脂12として熱硬化
性樹脂を採用することができる。そして熱硬化性樹脂を
採用する場合は、モールドの工程の後に、炉を用いて装
置全体を熱硬化性樹脂のガラス転移温度付近まで加熱す
ることにより、熱硬化性樹脂を硬化させている。このよ
うに、加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させる
工程をアフターキュアの工程と言う。従来に於いては、
アフターキュアの工程に於いて、混成集積回路装置全体
に反りが発生していた。このため、重ね合わされた複数
個の混成集積回路装置に圧力を加える圧着の工程によ
り、アフターキュアの工程において混成集積回路装置に
反りが発生するのを防止していた。
The relationship between the thermal expansion coefficient of the insulating resin 12 and the warp of the substrate during after cure will be described with reference to FIG. In the present invention, a thermosetting resin can be used as the insulating resin 12. When a thermosetting resin is used, the thermosetting resin is cured by heating the entire apparatus to near the glass transition temperature of the thermosetting resin using a furnace after the molding step. In this way, the step of curing the thermosetting resin by heating is called an after-curing step. In the past,
In the after-cure process, warpage occurred in the entire hybrid integrated circuit device. Therefore, warping of the hybrid integrated circuit device is prevented in the after-curing process by the pressure bonding process of applying pressure to the plurality of stacked hybrid integrated circuit devices.

【0027】このことから、熱硬化性樹脂の熱膨張係数
と、アフターキュアの工程における混成集積回路装置の
反りとの関係を明らかにするために実験を行った。具体
的には、金属基板16としてアルミ基板を採用した。そ
して、熱膨張係数の異なる熱硬化性樹脂にて封止した複
数の混成集積回路装置を用意し、それぞれに付いて発生
する反りの量を計測した。具体的には、使用する熱硬化
性樹脂の熱膨張係数を10×10-6/℃から17×10
-6/℃の間で異ならせた8個の混成集積回路装置を用い
て実験を行った。なお、金属基板16の材料であるアル
ミの熱膨張係数は、23×10-6/℃である。
From this, an experiment was conducted to clarify the relationship between the thermal expansion coefficient of the thermosetting resin and the warp of the hybrid integrated circuit device in the after-cure process. Specifically, an aluminum substrate was used as the metal substrate 16. Then, a plurality of hybrid integrated circuit devices sealed with thermosetting resins having different thermal expansion coefficients were prepared, and the amount of warpage that occurred with each was measured. Specifically, the coefficient of thermal expansion of the thermosetting resin used is 10 × 10 −6 / ° C. to 17 × 10
Experiments were carried out using eight hybrid integrated circuit devices that differed between -6 / ° C. The thermal expansion coefficient of aluminum, which is the material of the metal substrate 16, is 23 × 10 −6 / ° C.

【0028】ここで、上述したように、金属基板16の
材料であるアルミの熱膨張係数は23×10-6/℃であ
る。従って、単純な考え方を行うと、金属基板16を封
止する樹脂として、アルミと同等の熱膨張係数(23×
10-6/℃)を有する熱硬化性樹脂を用いると、アフタ
ーキュアの工程に於いて基板の反りが発生しないように
思える。しかしながら、混成集積回路装置10の構成要
素としては、金属基板16と絶縁性樹脂12以外にも、
金属基板16の表面には回路素子や絶縁層17等が設け
られている。従って、金属基板と同等の熱膨張係数(2
3×10-6/℃)を有する熱硬化性樹脂を使用しても、
回路素子や絶縁層等が相互に影響を及ぼすので、結果的
に装置全体に反りが生じてしまう事が判明した。
Here, as described above, the thermal expansion coefficient of aluminum, which is the material of the metal substrate 16, is 23 × 10 -6 / ° C. Therefore, in a simple way, as a resin that seals the metal substrate 16, a coefficient of thermal expansion (23 ×
When a thermosetting resin having a temperature of 10 −6 / ° C.) is used, it seems that the substrate does not warp in the after-curing process. However, as components of the hybrid integrated circuit device 10, other than the metal substrate 16 and the insulating resin 12,
A circuit element, an insulating layer 17 and the like are provided on the surface of the metal substrate 16. Therefore, the coefficient of thermal expansion (2
Even if a thermosetting resin having 3 × 10 −6 / ° C.) is used,
It was found that the circuit elements, the insulating layers, and the like affect each other, resulting in warpage of the entire device.

【0029】図2のグラフは、上記の条件で実験を行っ
た結果を示している。同グラフに於いて、横軸は熱硬化
性樹脂の熱膨張係数を示しており、縦軸はアフターキュ
アの工程において混成集積回路装置に発生する反りの量
を示している。このグラフから明らかなように、熱膨張
係数が13×10-6/℃の熱硬化性樹脂を用いた混成集
積回路装置の反りの量が、最も小さく成っている。この
ことから、熱膨張係数が13×10-6/℃の熱硬化性樹
脂を用いてトランスファーモールドを行うと、アフター
キュアの工程に於いて、金属基板16に反りが発生する
のを防止することができる。従って、基板を形成する材
料の半分程度の熱膨張係数を有する熱硬化性樹脂を使用
すると、アフターキュアの工程に於ける装置全体の反り
を極力防止できる。
The graph of FIG. 2 shows the results of experiments conducted under the above conditions. In the graph, the horizontal axis represents the coefficient of thermal expansion of the thermosetting resin, and the vertical axis represents the amount of warpage that occurs in the hybrid integrated circuit device during the after-cure process. As is clear from this graph, the amount of warpage of the hybrid integrated circuit device using the thermosetting resin having the thermal expansion coefficient of 13 × 10 −6 / ° C. is the smallest. Therefore, when transfer molding is performed using a thermosetting resin having a thermal expansion coefficient of 13 × 10 −6 / ° C., it is possible to prevent warpage of the metal substrate 16 in the after-curing process. You can Therefore, if a thermosetting resin having a coefficient of thermal expansion about half that of the material forming the substrate is used, it is possible to prevent warpage of the entire apparatus in the after-curing process as much as possible.

【0030】上記したような混成集積回路装置10の構
成により、以下に示すような効果を奏することができ
る。
With the structure of the hybrid integrated circuit device 10 as described above, the following effects can be obtained.

【0031】第1に、混成集積回路装置の裏面に、金属
基板16のダレ面16Bを絶縁性樹脂から露出させてい
る。バリが全く形成されないダレ面16Bを裏面に露出
させることで、混成集積回路装置10の裏面の平坦性を
確保することができる。
First, the sagging surface 16B of the metal substrate 16 is exposed from the insulating resin on the back surface of the hybrid integrated circuit device. The flatness of the back surface of the hybrid integrated circuit device 10 can be ensured by exposing the sagging surface 16B on which no burr is formed to the back surface.

【0032】第2に、金属基板16のダレ面16Bを下
にして絶縁性樹脂12でモールドすることにより、金属
基板16のダレ面16Bの周辺部に絶縁性樹脂12を回
り込ませることができる。従って、金属基板16と絶縁
性樹脂12の接着が強固になり、金属基板16が絶縁性
樹脂12から離脱してしまうのを防止することができ
る。
Secondly, the insulating resin 12 can be made to wrap around the peripheral portion of the sagging surface 16B of the metal substrate 16 by molding with the insulating resin 12 with the sagging surface 16B of the metal substrate 16 facing downward. Therefore, the adhesion between the metal substrate 16 and the insulating resin 12 becomes strong, and the metal substrate 16 can be prevented from being separated from the insulating resin 12.

【0033】第3に、絶縁性樹脂12の上面に溝13を
設けることによって、熱硬化性樹脂を硬化させるアフタ
ーキュアの工程に於いて、金属基板16に反りが発生し
てしまうのを防止することができる。
Thirdly, by providing the groove 13 on the upper surface of the insulating resin 12, it is possible to prevent the metal substrate 16 from being warped in the after-curing step of curing the thermosetting resin. be able to.

【0034】第4に、溝13は、絶縁性樹脂12の上面
に於いて、金属基板16の長手方向に形成されている。
アフターキュアの工程において、最も大きい曲げ応力が
発生するのは金属基板16の長手方向である。従って、
溝13を金属基板16の長手方向に設けることで、金属
基板16に反りが発生するのを防止することができる。
Fourth, the groove 13 is formed on the upper surface of the insulating resin 12 in the longitudinal direction of the metal substrate 16.
In the after-curing process, the largest bending stress occurs in the longitudinal direction of the metal substrate 16. Therefore,
By providing the groove 13 in the longitudinal direction of the metal substrate 16, it is possible to prevent the metal substrate 16 from warping.

【0035】第5に、溝13は、絶縁性樹脂12の上面
に於いて、リード11が導電パターン12に固着される
箇所の上方に設けられている。従って、絶縁性樹脂12
の厚さを増加させずに、溝13を形成することができ
る。
Fifth, the groove 13 is provided on the upper surface of the insulating resin 12 above the portion where the lead 11 is fixed to the conductive pattern 12. Therefore, the insulating resin 12
The groove 13 can be formed without increasing the thickness of the groove 13.

【0036】第6に、金属基板16の材料の約半分の熱
膨張係数である熱硬化性樹脂を使用することにより、ア
フターキュアの工程に於ける混成集積回路装置全体の反
りを防止できる。
Sixth, by using a thermosetting resin having a coefficient of thermal expansion about half that of the material of the metal substrate 16, it is possible to prevent warpage of the entire hybrid integrated circuit device in the after-cure process.

【0037】第7に、金属基板16の材料としてアルミ
ニウムを使用した場合は、熱硬化性樹脂の熱膨張係数を
13×10-6/℃程度にすることにより、アフターキュ
アの工程に於ける混成集積回路装置全体の反りを防止で
きる。
Seventh, when aluminum is used as the material of the metal substrate 16, the thermal expansion coefficient of the thermosetting resin is set to about 13 × 10 −6 / ° C., so that the composition in the after-curing step is mixed. The warp of the entire integrated circuit device can be prevented.

【0038】(混成集積回路装置10の製造方法を説明
する第2の実施の形態)図3および図4を参照して、混
成集積回路装置10の製造方法を説明する。本実施混成
集積回路装置10は、金属基板16上に導電パターン1
8及び回路素子14等から成る混成集積回路を組み込む
工程と、金属基板16の裏面を露出させて金属基板16
を封止するモールドの工程とを有している。更に、モー
ルドの工程は、金属基板16の裏面に対応する部分に空
洞部21が設けられた金型20を用いて、金属基板16
の裏面の周辺部を下金型20Bに当接させ、金属基板1
6の少なくとも表面を前記絶縁性樹脂で封止する工程で
ある。このモールドの工程を以下にて説明する。
(Second Embodiment for Explaining Method of Manufacturing Hybrid Integrated Circuit Device 10) With reference to FIGS. 3 and 4, a method of manufacturing the hybrid integrated circuit device 10 will be described. The hybrid integrated circuit device 10 according to the present embodiment includes a conductive pattern 1 on a metal substrate 16.
8 and a circuit element 14 and the like, and a step of incorporating the hybrid integrated circuit, and exposing the back surface of the metal substrate 16 to the metal substrate 16
And a step of molding for sealing. Further, in the molding step, the metal substrate 16 is formed by using the mold 20 in which the cavity 21 is provided in the portion corresponding to the back surface of the metal substrate 16.
The peripheral portion of the back surface of the metal substrate 1 is brought into contact with the lower mold 20B,
6 is a step of sealing at least the surface of 6 with the insulating resin. The molding process will be described below.

【0039】図3を参照して、表面に混成集積回路が形
成された金属基板16をモールドする方法を説明する。
図3(A)は上金型20Aおよび下金型20Bから成る
金型を用いて、金属基板16をモールドする状態を示す
断面図である。図3(B)は図3(A)にて点線で示し
たサークルの部分の拡大図である。ここでは、金属基板
16は、リード11が導出する辺を紙面方向にして載置
されている。そしてリード31が上下金型により狭持さ
れることにより、金属基板16の位置は固定されてい
る。
A method of molding the metal substrate 16 having the hybrid integrated circuit formed on the surface thereof will be described with reference to FIG.
FIG. 3A is a cross-sectional view showing a state in which the metal substrate 16 is molded using the mold including the upper mold 20A and the lower mold 20B. FIG. 3B is an enlarged view of the portion of the circle shown by the dotted line in FIG. Here, the metal substrate 16 is placed with the side from which the lead 11 is led out in the direction of the paper surface. The position of the metal substrate 16 is fixed by holding the lead 31 between the upper and lower molds.

【0040】図3(A)を参照して、モールドに使用す
る金型の形状を説明する。モールドに使用する金型は、
上金型20Aおよび下金型20Bから成り、この2つを
噛み合わせることにより、内部に熱硬化性樹脂が充填さ
れるキャビティが形成される。熱硬化性樹脂は、ゲート
23よりキャビティ内部に注入される。また、キャビテ
ィ内部の空気を外部に放出させるために、エアベント2
4が設けられている。そして、ゲート23より注入され
る熱硬化性樹脂の量に応じた量の空気が、エアベント2
4から外部に放出される。
The shape of the mold used for the mold will be described with reference to FIG. The mold used for the mold is
It is composed of an upper mold 20A and a lower mold 20B, and by engaging these two with each other, a cavity filled with a thermosetting resin is formed. The thermosetting resin is injected into the cavity through the gate 23. In addition, in order to release the air inside the cavity to the outside, the air vent 2
4 are provided. Then, an amount of air corresponding to the amount of the thermosetting resin injected from the gate 23 is generated by the air vent 2
4 is released to the outside.

【0041】空洞部21は、下金型20Bに於いて、金
属基板16が載置される領域に設けられている。空洞部
21の平面的な大きさは、金属基板16の平面的な大き
さよりも小さく形成されている。従って、モールドの工
程に於いては、空洞部21を覆うようにして、金属基板
16は載置される。
The cavity 21 is provided in the lower die 20B in a region where the metal substrate 16 is placed. The planar size of the cavity 21 is smaller than the planar size of the metal substrate 16. Therefore, in the molding process, the metal substrate 16 is placed so as to cover the cavity 21.

【0042】凸部22は、空洞部21内部に設けられて
いる。そして、凸部22の頂部の高さは、下金型20B
と金属基板16が接する面と同一の高さである。
The protrusion 22 is provided inside the cavity 21. And, the height of the top of the convex portion 22 is the lower die 20B.
Has the same height as the surface where the metal substrate 16 contacts.

【0043】以下にて、金属基板16を絶縁性樹脂12
でモールドする工程を詳細に説明する。先ず、下金型2
0Bに金属基板16を載置する。具体的には、空洞部2
1を覆い被すように金属基板16を載置する。上述した
ように、空洞部21の平面的な大きさは、金属基板16
よりも小さく形成されているので、空洞部21は完全に
金属基板16により覆われる。その後に、上金型20A
と下金型20Bとを噛み合わせることにより、絶縁性樹
脂12が注入される領域であるキャビティを形成する。
In the following, the metal substrate 16 is attached to the insulating resin 12
The step of molding will be described in detail. First, lower mold 2
The metal substrate 16 is placed on 0B. Specifically, the cavity 2
The metal substrate 16 is placed so as to cover the substrate 1. As described above, the planar size of the cavity portion 21 depends on the metal substrate 16
The cavity 21 is completely covered with the metal substrate 16 because it is formed smaller than the above. After that, the upper mold 20A
The lower mold 20B is meshed with the lower mold 20B to form a cavity which is a region into which the insulating resin 12 is injected.

【0044】次に、ゲート23より絶縁性樹脂12を注
入する。本実施例では、絶縁性樹脂12として熱硬化性
樹脂を採用している。熱硬化性樹脂を用いるトランスフ
ァーモールドでは、絶縁性樹脂12を注入する際の圧力
が非常に大きい。このことから、従来例では、金属基板
16の裏面と下金型20Bとのわずかな隙間に、絶縁性
樹脂12が侵入してしまう問題があった。本発明では、
上述したように下金型20Bに空洞部21が設けられて
いる。従って、金属基板16の裏面と下金型20Bとの
わずかな隙間に、絶縁性樹脂12が侵入しても、絶縁性
樹脂12は空洞部21に貯留される。即ち、金属基板1
6の裏面に侵入した絶縁性樹脂12が、金属基板16の
裏面に付着しない。
Next, the insulating resin 12 is injected from the gate 23. In this embodiment, a thermosetting resin is used as the insulating resin 12. In transfer molding using a thermosetting resin, the pressure when injecting the insulating resin 12 is very large. Therefore, in the conventional example, there is a problem that the insulating resin 12 intrudes into a slight gap between the back surface of the metal substrate 16 and the lower mold 20B. In the present invention,
As described above, the cavity 21 is provided in the lower mold 20B. Therefore, even if the insulating resin 12 enters a slight gap between the back surface of the metal substrate 16 and the lower mold 20B, the insulating resin 12 is stored in the cavity 21. That is, the metal substrate 1
The insulating resin 12 that has entered the back surface of 6 does not adhere to the back surface of the metal substrate 16.

【0045】また、上述したように、金属基板16は空
洞部21を覆うように下金型20Bに載置されている。
従って、金属基板16の周辺部のみが下金型20Bに当
接しているので、金属基板16の裏面が下金型20Bに
接する面積が小さい。このことから、ゲート23より絶
縁性樹脂12を高圧力で注入すると、金属基板16が下
金型20Bに当接する圧力が非常に大きくなる。また、
金属基板16と下金型20Bが当接する面積が小さいの
で、金型に熱が伝導することにより、絶縁性樹脂12温
度が低下することを防止できる。
As described above, the metal substrate 16 is placed on the lower die 20B so as to cover the cavity 21.
Therefore, since only the peripheral portion of the metal substrate 16 is in contact with the lower die 20B, the area in which the back surface of the metal substrate 16 is in contact with the lower die 20B is small. From this, when the insulating resin 12 is injected from the gate 23 at a high pressure, the pressure with which the metal substrate 16 contacts the lower mold 20B becomes extremely large. Also,
Since the contact area between the metal substrate 16 and the lower mold 20B is small, it is possible to prevent the temperature of the insulating resin 12 from decreasing due to heat conduction to the mold.

【0046】金属基板16が比較的大型のものである場
合、絶縁性樹脂12をキャビティ内に高圧で注入する
と、注入圧力による大きな曲げ応力が金属基板16に作
用する。従って、本発明では、空洞部21の内部に凸部
22を設けている。上述したように凸部22の高さは、
下金型20Bと金属基板16の裏面が当接する面と同じ
高さをである。従って、下金型20Bに金属基板16を
載置すると、凸部22の上面も金属基板16の裏面に接
触する。このことから、注入圧力により作用する金属基
板16の曲げ応力は半分以下になる。
When the metal substrate 16 is relatively large, when the insulating resin 12 is injected into the cavity at a high pressure, a large bending stress due to the injection pressure acts on the metal substrate 16. Therefore, in the present invention, the convex portion 22 is provided inside the cavity portion 21. As described above, the height of the convex portion 22 is
The height is the same as the surface where the lower die 20B and the back surface of the metal substrate 16 contact. Therefore, when the metal substrate 16 is placed on the lower die 20B, the upper surface of the convex portion 22 also contacts the back surface of the metal substrate 16. From this, the bending stress of the metal substrate 16 which acts by the injection pressure becomes half or less.

【0047】モールド工程を経た混成集積回路装置10
は、炉を用いて加熱するアフターキュアの工程により、
熱硬化性樹脂が硬化される。上述したように、熱硬化性
樹脂の熱膨張係数は、金属基板16の半分程度の値であ
るので、アフターキュアの工程に於いて、混成集積回路
装置の反りは防止できる。
Hybrid integrated circuit device 10 after the molding process
Is the after-curing process of heating using a furnace,
The thermosetting resin is cured. As described above, since the thermal expansion coefficient of the thermosetting resin is about half that of the metal substrate 16, the warp of the hybrid integrated circuit device can be prevented in the after-curing process.

【0048】図4に、上記したような工程を経てモール
ドされた混成集積回路装置10を示す。この混成集積回
路装置は、リードカットの工程等を経て、製品として完
成する。
FIG. 4 shows a hybrid integrated circuit device 10 molded through the above steps. This hybrid integrated circuit device is completed as a product through a lead cutting process and the like.

【0049】上記したような混成集積回路装置10の製
造方法により、以下に示すような効果を奏することがで
きる。
With the method of manufacturing the hybrid integrated circuit device 10 as described above, the following effects can be obtained.

【0050】第1に、下金型20Bに空洞部21を設け
ることにより、金属基板16の裏面と、下金型20Bと
が当接する領域を小さくすることができる。従って、絶
縁性樹脂12が高圧でキャビティに注入されると、強力
な圧力で金属基板16が下金型20Bに当接する。この
ことから、絶縁性樹脂12が、金属基板16の裏面と下
金型20Bとの当接部に侵入してしまうのを防止するこ
とができる。
First, by providing the cavity 21 in the lower die 20B, the area where the back surface of the metal substrate 16 and the lower die 20B are in contact with each other can be reduced. Therefore, when the insulating resin 12 is injected into the cavity with high pressure, the metal substrate 16 comes into contact with the lower mold 20B with strong pressure. Therefore, it is possible to prevent the insulating resin 12 from entering the contact portion between the back surface of the metal substrate 16 and the lower mold 20B.

【0051】第2に、金属基板16の裏面と下金型20
Bとの当接部に絶縁性樹脂12が侵入した場合でも、侵
入した絶縁性樹脂12は空洞部21に貯留される。従っ
て、侵入した絶縁性樹脂12が金属基板16の裏面に付
着するのを防止することができる。
Second, the back surface of the metal substrate 16 and the lower mold 20.
Even if the insulating resin 12 has entered the contact portion with B, the insulating resin 12 that has entered is stored in the cavity 21. Therefore, the insulative insulating resin 12 can be prevented from adhering to the back surface of the metal substrate 16.

【0052】第3に、下金型20Bに空洞部21を設け
たことにより、金属基板16の裏面と、下金型20Bと
が当接する領域が小さい。従って、高温の熱硬化性樹脂
をキャビティ内に注入した際に、下金型20Bを介して
熱硬化性樹脂の熱エネルギーが外部に放出されるのを防
止することができる。このことから、熱硬化性樹脂がモ
ールドの途中段階で硬化してしまい、モールド不良とな
ってしまうのを防止することができる。
Thirdly, since the cavity 21 is provided in the lower die 20B, the area where the back surface of the metal substrate 16 and the lower die 20B are in contact with each other is small. Therefore, when the high temperature thermosetting resin is injected into the cavity, it is possible to prevent the thermal energy of the thermosetting resin from being released to the outside through the lower mold 20B. As a result, it is possible to prevent the thermosetting resin from being cured in the middle of the molding process and resulting in defective molding.

【0053】第4に、モールド時に於いて、空洞部21
は金属基板16に覆われており、密閉された状態に成っ
ている。従って、モールド時に加熱された場合、空洞部
21内部は高圧の状態に成っている。それに対して、キ
ャビティの内部は、エアベント24が設けられているの
で、大気圧の状態である。従って、空洞部21の内部
は、キャビティよりも圧力が高く成っている。このこと
から、絶縁性樹脂12が金属基板16の裏面に回り込む
のを防止することができる。
Fourth, at the time of molding, the cavity 21
Is covered with the metal substrate 16 and is in a hermetically sealed state. Therefore, when heated during molding, the inside of the cavity 21 is in a high pressure state. On the other hand, the inside of the cavity is at atmospheric pressure because the air vent 24 is provided. Therefore, the pressure inside the cavity 21 is higher than that in the cavity. Therefore, it is possible to prevent the insulating resin 12 from flowing around the back surface of the metal substrate 16.

【0054】第5に、熱硬化性樹脂の熱膨張係数が、金
属基板16の熱硬化性樹脂の半分程度の値であるので、
アフターキュアの工程に於いて、混成集積回路装置に反
りが発生するのを防止することができる。このことか
ら、従来では必要であった混成集積回路装置を圧着させ
る工程を排除させて、生産効率を向上させることができ
る。
Fifth, since the thermal expansion coefficient of the thermosetting resin is about half the value of the thermosetting resin of the metal substrate 16,
It is possible to prevent warpage of the hybrid integrated circuit device in the after-cure process. For this reason, it is possible to eliminate the step of crimping the hybrid integrated circuit device, which is conventionally necessary, and improve the production efficiency.

【0055】[0055]

【発明の効果】本発明では、以下に示すような効果を奏
することができる。
According to the present invention, the following effects can be obtained.

【0056】第1に、絶縁性樹脂12で封止された混成
集積回路装置10に於いて、絶縁性樹脂12の上面に溝
13を形成することにより、混成集積回路装置10全体
の反りを防止することができる。
First, in the hybrid integrated circuit device 10 sealed with the insulating resin 12, by forming the groove 13 on the upper surface of the insulating resin 12, the warpage of the entire hybrid integrated circuit device 10 is prevented. can do.

【0057】第2に、溝12を金属基板16の長手方向
に設けることにより、金属基板16の長手方向に反りが
発生するのを防止することができる。
Secondly, by providing the groove 12 in the longitudinal direction of the metal substrate 16, it is possible to prevent warpage in the longitudinal direction of the metal substrate 16.

【0058】第3に、金属基板16のダレ面を下にして
絶縁性樹脂12でモールドすることにより、金属基板1
6のダレ面の周辺部に絶縁性樹脂12を回り込ませるこ
とができる。従って、金属基板16と絶縁性樹脂12の
接着が強固になり、金属基板16が絶縁性樹脂12から
離脱してしまうのを防止することができる。
Third, the metal substrate 1 is molded by molding the insulating substrate 12 with the sagging surface of the metal substrate 16 facing downward.
The insulating resin 12 can be made to wrap around the peripheral portion of the sagging surface of 6. Therefore, the adhesion between the metal substrate 16 and the insulating resin 12 becomes strong, and the metal substrate 16 can be prevented from being separated from the insulating resin 12.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の混成集積回路装置の斜視図(A)、断
面図(B)である。
FIG. 1 is a perspective view (A) and a sectional view (B) of a hybrid integrated circuit device of the present invention.

【図2】樹脂の熱膨張係数と基板の反りとの関係を示す
グラフである。
FIG. 2 is a graph showing the relationship between the coefficient of thermal expansion of resin and the warpage of the substrate.

【図3】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明す
る断面図(A)、拡大図(B)である。
FIG. 3 is a sectional view (A) and an enlarged view (B) illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device of the present invention.

【図4】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明す
る斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view illustrating a method for manufacturing the hybrid integrated circuit device of the present invention.

【図5】従来の混成集積回路装置の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a conventional hybrid integrated circuit device.

【図6】従来の混成集積回路装置の製造方法を説明する
断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a conventional hybrid integrated circuit device.

フロントページの続き (72)発明者 三野 勝義 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 Fターム(参考) 4M109 AA01 BA03 CA21 DA08 DB02 EA11 GA02 Continued front page    (72) Inventor Katsuyoshi Mino             2-5-3 Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Prefecture             Within Yo Denki Co., Ltd. F-term (reference) 4M109 AA01 BA03 CA21 DA08 DB02                       EA11 GA02

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 金属基板の表面に設けられた導電パター
ンと、前記導電パターンに固着された回路素子と、前記
導電パターンと接続され、出力または入力となり外部に
延在されるリードと、前記金属基板の少なくとも裏面を
露出させて前記回路素子を封止する熱硬化性樹脂から成
る絶縁性樹脂とを備えた混成集積回路装置に於いて、 前記絶縁性樹脂の上面に溝を設けることで、装置全体の
反りを防止することを特徴とする混成集積回路装置。
1. A conductive pattern provided on the surface of a metal substrate, a circuit element fixed to the conductive pattern, a lead connected to the conductive pattern and extended to the outside as an output or an input, and the metal. In a hybrid integrated circuit device provided with an insulating resin made of a thermosetting resin that exposes at least the back surface of a substrate and seals the circuit element, by providing a groove on the upper surface of the insulating resin, A hybrid integrated circuit device characterized by preventing the warpage of the whole.
【請求項2】 前記溝を、前記絶縁性樹脂の周辺部に設
けることを特徴とする請求項1記載の混成集積回路装
置。
2. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the groove is provided in a peripheral portion of the insulating resin.
【請求項3】 前記溝を、前記金属基板の長手方向に設
けることを特徴とする請求項2記載の混成集積回路装
置。
3. The hybrid integrated circuit device according to claim 2, wherein the groove is provided in a longitudinal direction of the metal substrate.
【請求項4】 前記溝を、前記リードが前記導電パター
ンに接続する箇所の上方に設けることを特徴とする請求
項1記載の混成集積回路装置。
4. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the groove is provided above a portion where the lead is connected to the conductive pattern.
【請求項5】 金属基板の表面に設けられた導電パター
ンと、前記導電パターンに固着された回路素子と、前記
回路素子と前記導電パターンとを電気的に接続する金属
細線と、前記導電パターンと接続され、出力または入力
となり外部に延在されるリードと、前記金属基板の少な
くとも裏面を露出させて前記回路素子を封止する熱硬化
性樹脂から成る絶縁性樹脂とを備えた混成集積回路装置
に於いて、 前記金属基板のダレ面を前記絶縁性樹脂から露出させる
ことを特徴とする混成集積回路装置。
5. A conductive pattern provided on the surface of a metal substrate, a circuit element fixed to the conductive pattern, a thin metal wire electrically connecting the circuit element and the conductive pattern, and the conductive pattern. Hybrid integrated circuit device provided with leads connected to serve as outputs or inputs and extended to the outside, and an insulating resin made of a thermosetting resin that seals the circuit element by exposing at least the back surface of the metal substrate. In the hybrid integrated circuit device, the sagging surface of the metal substrate is exposed from the insulating resin.
【請求項6】 前記ダレ面の周辺部に前記絶縁性樹脂が
回り込むことによって、前記金属基板が前記絶縁性樹脂
から離脱するのを防止することを特徴とする請求項5記
載の混成集積回路装置。
6. The hybrid integrated circuit device according to claim 5, wherein the insulating substrate is prevented from coming off from the insulating resin when the insulating resin wraps around a peripheral portion of the sagging surface. .
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