JP2003298068A - マイクロ反応室用加熱要素として使用する薄膜トランジスタ - Google Patents
マイクロ反応室用加熱要素として使用する薄膜トランジスタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロ反応室用の小型の加熱要素を提供す
る。 【解決手段】 本発明によれば、熱反応室に隣接して多
結晶シリコンから形成された薄膜トランジスタが位置さ
れている。該トランジスタのゲート電極はシリコン基板
内に形成されており且つゲート誘電体がゲート電極上に
位置されている。パストランジスタがゲート電極へ結合
されており、該パストランジスタは薄膜加熱用トランジ
スタのゲート電極に隣接して位置され同一の半導体基板
内にソース／ドレイン領域を有している。パストランジ
スタがイネーブルされると、電圧がゲート電極へ印加さ
れて薄膜トランジスタのドレインからソースへ電流を流
させる。この電流の流れは高抵抗領域を介して通過し、
それにより熱を発生し熱反応室へ伝達される。
る。 【解決手段】 本発明によれば、熱反応室に隣接して多
結晶シリコンから形成された薄膜トランジスタが位置さ
れている。該トランジスタのゲート電極はシリコン基板
内に形成されており且つゲート誘電体がゲート電極上に
位置されている。パストランジスタがゲート電極へ結合
されており、該パストランジスタは薄膜加熱用トランジ
スタのゲート電極に隣接して位置され同一の半導体基板
内にソース／ドレイン領域を有している。パストランジ
スタがイネーブルされると、電圧がゲート電極へ印加さ
れて薄膜トランジスタのドレインからソースへ電流を流
させる。この電流の流れは高抵抗領域を介して通過し、
それにより熱を発生し熱反応室へ伝達される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ反応室用の
ヒーターに関するものであって、更に詳細には、マイク
ロ反応室における加熱要素としての薄膜トランジスタの
使用及びその製造方法に関するものである。
ヒーターに関するものであって、更に詳細には、マイク
ロ反応室における加熱要素としての薄膜トランジスタの
使用及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液体であると気体であるとに拘わらず何
等かの流体の処置は益々精密化する温度調整が関与す
る。精密な制御下において非常に小さな量の流体を迅速
に特定の温度へ昇温させることがしばしば必要となる。
等かの流体の処置は益々精密化する温度調整が関与す
る。精密な制御下において非常に小さな量の流体を迅速
に特定の温度へ昇温させることがしばしば必要となる。
【０００３】現在のインクジェット技術は、インク室内
に少量のインクを配置させ、該インクを迅速に加熱し且
つそれを排出させて例えば用紙等の隣接する表面上の選
択した位置にインク滴を与えることに依存している。従
来、それを介して電流が通過される場合に迅速に加熱さ
れるオーミック抵抗を使用して必要なインクの温度上昇
を提供していた。例えば、インクの排出に関する詳細な
説明は、Ａｌｌｅｎｅｔ ａｌ．著「サーマルインクジ
ェットの熱力学及び流体力学 (Ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍ
ｉｃｓ ａｎｄ Ｈｙｄｒｏｄｙｎａｍｉｃｓ ｏｆ
Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｎｋ Ｊｅｔｓ)」、ヒューレット
・パッカード・ジャーナル、１９８５年５月、ｐｐ．２
０−２７の文献に記載されており、尚この文献を引用に
よって本明細書に取込む。
に少量のインクを配置させ、該インクを迅速に加熱し且
つそれを排出させて例えば用紙等の隣接する表面上の選
択した位置にインク滴を与えることに依存している。従
来、それを介して電流が通過される場合に迅速に加熱さ
れるオーミック抵抗を使用して必要なインクの温度上昇
を提供していた。例えば、インクの排出に関する詳細な
説明は、Ａｌｌｅｎｅｔ ａｌ．著「サーマルインクジ
ェットの熱力学及び流体力学 (Ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍ
ｉｃｓ ａｎｄ Ｈｙｄｒｏｄｙｎａｍｉｃｓ ｏｆ
Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｎｋ Ｊｅｔｓ)」、ヒューレット
・パッカード・ジャーナル、１９８５年５月、ｐｐ．２
０−２７の文献に記載されており、尚この文献を引用に
よって本明細書に取込む。
【０００４】ＤＮＡ増幅処理も種々のフェーズにおける
精密な温度制御に依存する。ＤＮＡ増幅処理の種々のフ
ェーズ期間中に、流体は多数の熱サイクルを経験するこ
とが必要とされる。ＤＮＡを基礎とした流体は選択され
た温度範囲内において繰返し加熱及び冷却される多数の
サイクルを経験しながら、ある熱的に活性化された生物
学的／化学的処理が実施される。
精密な温度制御に依存する。ＤＮＡ増幅処理の種々のフ
ェーズ期間中に、流体は多数の熱サイクルを経験するこ
とが必要とされる。ＤＮＡを基礎とした流体は選択され
た温度範囲内において繰返し加熱及び冷却される多数の
サイクルを経験しながら、ある熱的に活性化された生物
学的／化学的処理が実施される。
【０００５】マイクロヒーターは、又、光ビームを偏向
させるための蒸気バブルの形成に基づく光学的スイッチ
ング、液晶の光学的スイッチング、及び生物有機化合物
の分解検知のための生物学的流体の繰返し加熱のために
も使用される。
させるための蒸気バブルの形成に基づく光学的スイッチ
ング、液晶の光学的スイッチング、及び生物有機化合物
の分解検知のための生物学的流体の繰返し加熱のために
も使用される。
【０００６】今日まで使用されている上述した各々の場
合において、電流が通過されるオーミック抵抗が加熱要
素として使用される。
合において、電流が通過されるオーミック抵抗が加熱要
素として使用される。
【０００７】これらの装置は入力トレンチ及び出力トレ
ンチを介して夫々入力貯蔵器及び出力貯蔵器へ接続され
ている埋込チャンネルを収容する半導体物質本体を有し
ており、それに対して処理すべき流体が供給され且つ反
応の終わりにおいてそれから流体が回収される。埋込チ
ャンネルの上方には加熱要素及びサーマルセンサーが設
けられており反応の熱的条件を制御し (それは、通常、
異なる温度サイクルを必要とし、該サイクルを正確に制
御することを必要とする)、且つ、出力貯蔵器において
は、反応した流体を検査するために検知電極が設けられ
ている。該加熱要素の両端部と電気的に接触しているコ
ンタクト領域を具備しており且つ典型的に同一のウエハ
上に形成されているＭＯＳＦＥＴである駆動トランジス
タへ接続されている半導体本体を有するウエハ上に形成
されている金属加熱要素ヘ電流を供給することによって
熱が発生される。
ンチを介して夫々入力貯蔵器及び出力貯蔵器へ接続され
ている埋込チャンネルを収容する半導体物質本体を有し
ており、それに対して処理すべき流体が供給され且つ反
応の終わりにおいてそれから流体が回収される。埋込チ
ャンネルの上方には加熱要素及びサーマルセンサーが設
けられており反応の熱的条件を制御し (それは、通常、
異なる温度サイクルを必要とし、該サイクルを正確に制
御することを必要とする)、且つ、出力貯蔵器において
は、反応した流体を検査するために検知電極が設けられ
ている。該加熱要素の両端部と電気的に接触しているコ
ンタクト領域を具備しており且つ典型的に同一のウエハ
上に形成されているＭＯＳＦＥＴである駆動トランジス
タへ接続されている半導体本体を有するウエハ上に形成
されている金属加熱要素ヘ電流を供給することによって
熱が発生される。
【０００８】小型化させたヒーター適用例に対してマイ
クロチップは極めて適したものである。一般的に、マイ
クロチップにおいて局所的な加熱を発生させる現在の技
術は例えばＴａＡｌ、ＨｆＢ、三元合金等の金属合金又
は多結晶半導体からなるオーミック抵抗に基づいてい
る。加熱用の抵抗は外部回路又は集積化したパワーＭＯ
ＳＦＥＴによって駆動される。サーマルインクジェット
プリンタ等の既存の適用例においては、加熱抵抗値は、
好適には、寄生効果を最小とさせ且つ加熱抵抗において
のみ電力を散逸させるためにＭＯＳＦＥＴチャンネル抵
抗 (ＲON又はＲDS)よりも高いものであることが望まし
い。通常、各パワーＭＯＳＦＥＴはそのＲO Nを最小とさ
せるためにチップ面積において大きな百分率を占有す
る。
クロチップは極めて適したものである。一般的に、マイ
クロチップにおいて局所的な加熱を発生させる現在の技
術は例えばＴａＡｌ、ＨｆＢ、三元合金等の金属合金又
は多結晶半導体からなるオーミック抵抗に基づいてい
る。加熱用の抵抗は外部回路又は集積化したパワーＭＯ
ＳＦＥＴによって駆動される。サーマルインクジェット
プリンタ等の既存の適用例においては、加熱抵抗値は、
好適には、寄生効果を最小とさせ且つ加熱抵抗において
のみ電力を散逸させるためにＭＯＳＦＥＴチャンネル抵
抗 (ＲON又はＲDS)よりも高いものであることが望まし
い。通常、各パワーＭＯＳＦＥＴはそのＲO Nを最小とさ
せるためにチップ面積において大きな百分率を占有す
る。
【０００９】現在の所、種々の技術が化学的又は生物学
的試薬の熱的制御を可能とさせる。特に、１９８０年代
の終わり頃から、小型化した装置が開発され、従って、
熱質量が減少され、そのことはＤＮＡ増幅処理を完了す
るのに必要な時間を減少させることが可能である。最
近、半導体物質のモノリシック集積化装置が提案されて
おり、それは反応を制御した状態で且つ低コストで少量
の流体を処理することが可能である (例えば、２００１
年２月８日付で出願した米国特許出願第０９／７７９，
９８０号、２００１年６月４日付で出願した米国特許出
願第０９／８７４，３８２号、２００１年９月２６日付
で出願した米国特許出願第０９／９６５，１２８号を参
照すると良く、尚これらは全てエスティーマイクロエレ
クトロニクス、Ｓ．Ｒ．Ｌ．へ譲渡されており且つ引用
によって本明細書に取込む)。
的試薬の熱的制御を可能とさせる。特に、１９８０年代
の終わり頃から、小型化した装置が開発され、従って、
熱質量が減少され、そのことはＤＮＡ増幅処理を完了す
るのに必要な時間を減少させることが可能である。最
近、半導体物質のモノリシック集積化装置が提案されて
おり、それは反応を制御した状態で且つ低コストで少量
の流体を処理することが可能である (例えば、２００１
年２月８日付で出願した米国特許出願第０９／７７９，
９８０号、２００１年６月４日付で出願した米国特許出
願第０９／８７４，３８２号、２００１年９月２６日付
で出願した米国特許出願第０９／９６５，１２８号を参
照すると良く、尚これらは全てエスティーマイクロエレ
クトロニクス、Ｓ．Ｒ．Ｌ．へ譲渡されており且つ引用
によって本明細書に取込む)。
【００１０】このような構成における１つの欠点は、こ
のようなオーミック抵抗の抵抗値は固定されおり且つ変
調させることは不可能であり、従ってその柔軟性が制限
されているということである。その他の欠点としては、
オーミック抵抗は、特に高い温度において、物質が劣化
し (例えば、酸化、偏析等)、及びエレクトロマイグレ
ーションが発生する。これらの現象は寿命を制限し且つ
それらを設計に組込んだ場合の装置の信頼性に対する懸
念事項である。
のようなオーミック抵抗の抵抗値は固定されおり且つ変
調させることは不可能であり、従ってその柔軟性が制限
されているということである。その他の欠点としては、
オーミック抵抗は、特に高い温度において、物質が劣化
し (例えば、酸化、偏析等)、及びエレクトロマイグレ
ーションが発生する。これらの現象は寿命を制限し且つ
それらを設計に組込んだ場合の装置の信頼性に対する懸
念事項である。
【００１１】更に別の欠点はパワー即ち電力の制御であ
る。電力か電圧のいずれかで駆動されるオーミック抵抗
はパワー即ち電力を散逸させ、それはパラメータの二次
関数である。そのことは、その出力に関する制御を劣っ
たものとさせる。何故ならば、電流又は電圧における小
さな変化がパワー (電力)及び温度出力において顕著な
変動を発生させる場合があるからである。
る。電力か電圧のいずれかで駆動されるオーミック抵抗
はパワー即ち電力を散逸させ、それはパラメータの二次
関数である。そのことは、その出力に関する制御を劣っ
たものとさせる。何故ならば、電流又は電圧における小
さな変化がパワー (電力)及び温度出力において顕著な
変動を発生させる場合があるからである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点に
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し、改良した薄膜半導体ヒーター組立体及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、改
良した小型のヒーターを提供し、それは上述した欠点を
解消すると共に多くのマイクロ流体及びマイクロ機械的
適用例に対して所望の特性を提供すると共にその他の関
連した利点を提供するものである。
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し、改良した薄膜半導体ヒーター組立体及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、改
良した小型のヒーターを提供し、それは上述した欠点を
解消すると共に多くのマイクロ流体及びマイクロ機械的
適用例に対して所望の特性を提供すると共にその他の関
連した利点を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の原理によれば、
薄膜トランジスタがマイクロリアクションチャンバ即ち
マイクロ反応室用の加熱要素として使用される。該薄膜
トランジスタのチャンネルは該加熱要素として使用され
る。該チャンネルを介して流れる電流が該チャンネル自
身の温度を高いレベルへ上昇させる。チャンネル物質及
びその寸法及び特性は、それを介して流れる電流に対し
て既知であり且つ所望の温度特性を有するように選択さ
れる。ゲート電圧、従って電流の量は、チャンネル領域
自身の温度を増加させ従ってマイクロ反応室等の隣接す
る構成体を加熱すべく所望の熱応答性を提供すべく選択
されている。
薄膜トランジスタがマイクロリアクションチャンバ即ち
マイクロ反応室用の加熱要素として使用される。該薄膜
トランジスタのチャンネルは該加熱要素として使用され
る。該チャンネルを介して流れる電流が該チャンネル自
身の温度を高いレベルへ上昇させる。チャンネル物質及
びその寸法及び特性は、それを介して流れる電流に対し
て既知であり且つ所望の温度特性を有するように選択さ
れる。ゲート電圧、従って電流の量は、チャンネル領域
自身の温度を増加させ従ってマイクロ反応室等の隣接す
る構成体を加熱すべく所望の熱応答性を提供すべく選択
されている。
【００１４】該薄膜トランジスタは半導体基板の上側に
形成されており且つ誘電体層によってそれから分離され
ているチャンネル領域を有している。ソース及びドレイ
ンは該チャンネル層と隣接しており且つそれに直接接続
されており且つ該半導体基板の上側に位置されている。
ゲート電極が半導体基板内において且つチャンネル領域
に隣接して位置されている。ゲート電極上に選択した電
圧を与えることによって所望量の電流を該チャンネル領
域を介して通過させ、所望の温度増加を与える。マイク
ロ反応室が該チャンネル領域に隣接して位置されてお
り、従ってチャンネル領域の温度が増加するに従い、マ
イクロ反応室が加熱される。
形成されており且つ誘電体層によってそれから分離され
ているチャンネル領域を有している。ソース及びドレイ
ンは該チャンネル層と隣接しており且つそれに直接接続
されており且つ該半導体基板の上側に位置されている。
ゲート電極が半導体基板内において且つチャンネル領域
に隣接して位置されている。ゲート電極上に選択した電
圧を与えることによって所望量の電流を該チャンネル領
域を介して通過させ、所望の温度増加を与える。マイク
ロ反応室が該チャンネル領域に隣接して位置されてお
り、従ってチャンネル領域の温度が増加するに従い、マ
イクロ反応室が加熱される。
【００１５】１実施例によれば、チャンネル領域をマイ
クロ反応室から電気的に分離するためにチャンネル領域
の上側に電気的絶縁層が位置されている。別の実施例に
おいては、該誘電体層は必要ではなく且つチャンネル領
域自身がマイクロ反応室内に直接的に露出されている。
クロ反応室から電気的に分離するためにチャンネル領域
の上側に電気的絶縁層が位置されている。別の実施例に
おいては、該誘電体層は必要ではなく且つチャンネル領
域自身がマイクロ反応室内に直接的に露出されている。
【００１６】マイクロ反応室は容易にエッチングするこ
とが可能であるか又はマイクロマシニングすることが可
能な物質の層から形成されている。例えば、マイクロ反
応室は有機ポリマー物質から構成することが可能であ
る。１実施例においては、マイクロ反応室は、熱応答性
反応室に対する包囲体を与えるためにその上部に蓋を有
している。
とが可能であるか又はマイクロマシニングすることが可
能な物質の層から形成されている。例えば、マイクロ反
応室は有機ポリマー物質から構成することが可能であ
る。１実施例においては、マイクロ反応室は、熱応答性
反応室に対する包囲体を与えるためにその上部に蓋を有
している。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の原理に基づくヒー
ター組立体用の加熱要素を与える薄膜トランジスタ１０
の概略図である。トランジスタ１０はドレイン領域１２
と、チャンネル領域１４と、ソース領域１６とを有して
いる。チャンネル領域１４内には抵抗要素１８が存在し
ており、それはドレインからソースへ流れる電流に応答
して加熱する。チャンネル領域１４に隣接してゲート電
極２０が設けられている。電圧がゲート電極２０へ与え
られると、トランジスタ１０がイネーブル即ち動作可能
状態とされ、従って電流がチャンネル領域１４を介して
ドレインからソースへ流れることが可能であり、従って
チャンネル領域内の抵抗領域を所望の温度へ加熱する。
ター組立体用の加熱要素を与える薄膜トランジスタ１０
の概略図である。トランジスタ１０はドレイン領域１２
と、チャンネル領域１４と、ソース領域１６とを有して
いる。チャンネル領域１４内には抵抗要素１８が存在し
ており、それはドレインからソースへ流れる電流に応答
して加熱する。チャンネル領域１４に隣接してゲート電
極２０が設けられている。電圧がゲート電極２０へ与え
られると、トランジスタ１０がイネーブル即ち動作可能
状態とされ、従って電流がチャンネル領域１４を介して
ドレインからソースへ流れることが可能であり、従って
チャンネル領域内の抵抗領域を所望の温度へ加熱する。
【００１８】図２は薄膜トランジスタ半導体ヒーター組
立体の１実施例の概略断面図である。半導体基板１１は
軽度にドープされており所望の導電型を有しており、且
つ所望のコンフィギュレーション即ち形態に依存してＰ
型又はＮ型のいずれかとすることが可能である。半導体
領域１１内には適宜の絶縁領域２２の間に活性区域が画
定されている。絶縁領域２２はトレンチ、フィールド酸
化物、当該技術分野において公知の如く誘電体又は任意
の許容可能な物質２２で充填されたトレンチ分離から構
成することが可能である。活性区域内においてゲート電
極２０が高濃度のドーパント物質を注入することにより
形成されている。ドーパント物質は基板の導電型と反対
の導電型であり且つＮ型又はＰ型のいずれかとすること
が可能である。ゲートは従来のドーパント注入技術によ
って形成され且つ使用する処理に依存して電気的分離領
域２２を形成する前又はその後に形成することが可能で
ある。ゲート電極２０の上にゲート誘電体２４が形成さ
れている。ゲート誘電体２４は二酸化シリコン、窒化シ
リコン、二酸化シリコン／窒化シリコンのサンドイッチ
層、又はゲート電極を形成するのに適したその他の何等
かの誘電体物質の組合わせとすることが可能である。ポ
リシリコン層がゲート誘電体２４の上側に形成されてお
り且つ電気的分離領域２２の上方に隣接する単一の層と
して延在している。ポリシリコン層は両側をドーピング
してドレイン領域１２とソース領域１６とを形成してい
る。中央領域１４は薄膜トランジスタ１０のチャンネル
領域となる。ソース及びドレインは形成すべきトランジ
スタのタイプに依存する適宜の導電型で高度にドープさ
れる。例えば、Ｐチャンネルトランジスタを形成するた
めにボロンで高度にドープすることが可能であり、一
方、Ｎチャンネル装置を形成するために燐及び／又は砒
素で高度にドープすることが可能である。チャンネル領
域１４は、それを介して電流が流される場合に顕著な温
度へ加熱する高抵抗領域を与えるために適宜の導電型で
軽度にドープされている。チャンネル領域１４は、好適
には、ソース及びドレインと反対の導電型でドープさ
れ、例えば、ソース及びドレインがＮ型にドープされる
場合には、チャンネル領域はＰ型にドープされ且つその
逆も又真である。
立体の１実施例の概略断面図である。半導体基板１１は
軽度にドープされており所望の導電型を有しており、且
つ所望のコンフィギュレーション即ち形態に依存してＰ
型又はＮ型のいずれかとすることが可能である。半導体
領域１１内には適宜の絶縁領域２２の間に活性区域が画
定されている。絶縁領域２２はトレンチ、フィールド酸
化物、当該技術分野において公知の如く誘電体又は任意
の許容可能な物質２２で充填されたトレンチ分離から構
成することが可能である。活性区域内においてゲート電
極２０が高濃度のドーパント物質を注入することにより
形成されている。ドーパント物質は基板の導電型と反対
の導電型であり且つＮ型又はＰ型のいずれかとすること
が可能である。ゲートは従来のドーパント注入技術によ
って形成され且つ使用する処理に依存して電気的分離領
域２２を形成する前又はその後に形成することが可能で
ある。ゲート電極２０の上にゲート誘電体２４が形成さ
れている。ゲート誘電体２４は二酸化シリコン、窒化シ
リコン、二酸化シリコン／窒化シリコンのサンドイッチ
層、又はゲート電極を形成するのに適したその他の何等
かの誘電体物質の組合わせとすることが可能である。ポ
リシリコン層がゲート誘電体２４の上側に形成されてお
り且つ電気的分離領域２２の上方に隣接する単一の層と
して延在している。ポリシリコン層は両側をドーピング
してドレイン領域１２とソース領域１６とを形成してい
る。中央領域１４は薄膜トランジスタ１０のチャンネル
領域となる。ソース及びドレインは形成すべきトランジ
スタのタイプに依存する適宜の導電型で高度にドープさ
れる。例えば、Ｐチャンネルトランジスタを形成するた
めにボロンで高度にドープすることが可能であり、一
方、Ｎチャンネル装置を形成するために燐及び／又は砒
素で高度にドープすることが可能である。チャンネル領
域１４は、それを介して電流が流される場合に顕著な温
度へ加熱する高抵抗領域を与えるために適宜の導電型で
軽度にドープされている。チャンネル領域１４は、好適
には、ソース及びドレインと反対の導電型でドープさ
れ、例えば、ソース及びドレインがＮ型にドープされる
場合には、チャンネル領域はＰ型にドープされ且つその
逆も又真である。
【００１９】薄膜トランジスタは軽度にドープされた場
合に異常な特性を有する多結晶シリコンから構成されて
いる。ある場合においては、ドープされていないか又は
非常に軽度にドープされている多結晶シリコンはＰ型物
質として動作する。従って、１実施例においては、チャ
ンネル領域１４はドープされていない多結晶シリコンで
あり且つ見かけのＰ型導電性特性が薄膜トランジスタに
おいて使用される。それは、又、所望の抵抗領域１８及
び所望のスレッシュホールドを有するチャンネルを形成
するために軽度にＰ型又はＮ型にドープさせることが可
能である。チャンネルドーピングはソース及びドレイン
のチャンネルドーピングと同じものとするか又は反対の
ものとすることが可能である。物質がポリシリコンであ
るので、種々のドーピングレベルに対する電気的応答は
公知の如く、単結晶シリコンのものとは異なるものであ
る。
合に異常な特性を有する多結晶シリコンから構成されて
いる。ある場合においては、ドープされていないか又は
非常に軽度にドープされている多結晶シリコンはＰ型物
質として動作する。従って、１実施例においては、チャ
ンネル領域１４はドープされていない多結晶シリコンで
あり且つ見かけのＰ型導電性特性が薄膜トランジスタに
おいて使用される。それは、又、所望の抵抗領域１８及
び所望のスレッシュホールドを有するチャンネルを形成
するために軽度にＰ型又はＮ型にドープさせることが可
能である。チャンネルドーピングはソース及びドレイン
のチャンネルドーピングと同じものとするか又は反対の
ものとすることが可能である。物質がポリシリコンであ
るので、種々のドーピングレベルに対する電気的応答は
公知の如く、単結晶シリコンのものとは異なるものであ
る。
【００２０】薄膜トランジスタ１０の上にパッシベーシ
ョン層２６が形成されている。パッシベーション層２６
はその熱的特性のため及びその電気的絶縁特性のために
選択することが可能である。例えば、それは二酸化シリ
コン、窒化シリコン、又は電気的絶縁体であり且つ比較
的安定な熱的特性を有するその他の物質とすることが可
能である。一方、それは炭化珪素とすることが可能であ
り、その場合は、誘電体であるが二酸化シリコン又は窒
化シリコンとは異なる熱伝導度を有している。その他の
物質を選択することも可能であり、それは誘電体層でな
い場合があるが、高度に熱伝導性であり且つチャンバ内
の流体に対して不活性である。例えば、タンタル合金、
アルミニウム、金属酸化物又はその他のパッシベーショ
ン層とすることが可能である。導電層は電気的絶縁を与
えるためにチャンネル物質と加熱チャンバ (室)との間
に誘電体を必要とする場合がある。パッシベーション層
２６の目的は、トランジスタ１０に対して保護を与える
ことであり、従って、異なる物質がリアクションチャン
バ即ち反応室に入る場合に、トランジスタ１０の動作が
劣化されることはない。
ョン層２６が形成されている。パッシベーション層２６
はその熱的特性のため及びその電気的絶縁特性のために
選択することが可能である。例えば、それは二酸化シリ
コン、窒化シリコン、又は電気的絶縁体であり且つ比較
的安定な熱的特性を有するその他の物質とすることが可
能である。一方、それは炭化珪素とすることが可能であ
り、その場合は、誘電体であるが二酸化シリコン又は窒
化シリコンとは異なる熱伝導度を有している。その他の
物質を選択することも可能であり、それは誘電体層でな
い場合があるが、高度に熱伝導性であり且つチャンバ内
の流体に対して不活性である。例えば、タンタル合金、
アルミニウム、金属酸化物又はその他のパッシベーショ
ン層とすることが可能である。導電層は電気的絶縁を与
えるためにチャンネル物質と加熱チャンバ (室)との間
に誘電体を必要とする場合がある。パッシベーション層
２６の目的は、トランジスタ１０に対して保護を与える
ことであり、従って、異なる物質がリアクションチャン
バ即ち反応室に入る場合に、トランジスタ１０の動作が
劣化されることはない。
【００２１】高度に導電性の配線２８がドレイン１２へ
結合しており且つ高度に導電性の配線３０がソース１６
へ接続している。好適には、配線２８及び３０はアルミ
ニウム、銅、チタン、タングステン又はそれらの合金等
の金属層から構成されている。配線層２８及び３０は、
夫々、適宜のコンタクト３２及び３４によってソース及
びドレインへ結合されている。コンタクト３２及び３４
はタングステン、アルミニウム、チタンバリアとそれに
続くタングステン、又は配線層２８および３０とその下
側に存在する多結晶シリコンとの間のその他の許容可能
なコンタクトとすることが可能である。
結合しており且つ高度に導電性の配線３０がソース１６
へ接続している。好適には、配線２８及び３０はアルミ
ニウム、銅、チタン、タングステン又はそれらの合金等
の金属層から構成されている。配線層２８及び３０は、
夫々、適宜のコンタクト３２及び３４によってソース及
びドレインへ結合されている。コンタクト３２及び３４
はタングステン、アルミニウム、チタンバリアとそれに
続くタングステン、又は配線層２８および３０とその下
側に存在する多結晶シリコンとの間のその他の許容可能
なコンタクトとすることが可能である。
【００２２】薄膜トランジスタ１０の上に熱反応室３６
が形成されている。熱反応室３６はソース電極及びドレ
イン電極の上側に形成されており且つ適宜エッチングさ
れている適宜の誘電体層４０の壁によって形成されてい
る。反応室の壁４０は二酸化シリコン、窒化シリコン、
例えばＴＥＯＳ等の高密度二酸化シリコン等の誘電体物
質から構成することが可能である。好適実施例において
は、反応室の壁４０はトランジスタを形成するシーケン
スの処理と適合性がある有機ポリマー物質から形成され
ている。有機ポリマー物質は任意の許容可能な有機ポリ
マーとすることが可能であり、且つ１実施例において
は、ＳＵ８として知られる市販されている物質を使用
し、一方別の実施例においては、感光性ポリイミドが使
用される。蓋４２がヒーター反応室３６の上に形成され
ている。蓋４２は反応室の壁４０と同一の物質から且つ
同一の処理ステップで形成することが可能である。一
方、それは別の処理ステップで形成することが可能であ
り、且つ後に説明するように、熱反応室の物質とは別の
物質から構成することが可能である。
が形成されている。熱反応室３６はソース電極及びドレ
イン電極の上側に形成されており且つ適宜エッチングさ
れている適宜の誘電体層４０の壁によって形成されてい
る。反応室の壁４０は二酸化シリコン、窒化シリコン、
例えばＴＥＯＳ等の高密度二酸化シリコン等の誘電体物
質から構成することが可能である。好適実施例において
は、反応室の壁４０はトランジスタを形成するシーケン
スの処理と適合性がある有機ポリマー物質から形成され
ている。有機ポリマー物質は任意の許容可能な有機ポリ
マーとすることが可能であり、且つ１実施例において
は、ＳＵ８として知られる市販されている物質を使用
し、一方別の実施例においては、感光性ポリイミドが使
用される。蓋４２がヒーター反応室３６の上に形成され
ている。蓋４２は反応室の壁４０と同一の物質から且つ
同一の処理ステップで形成することが可能である。一
方、それは別の処理ステップで形成することが可能であ
り、且つ後に説明するように、熱反応室の物質とは別の
物質から構成することが可能である。
【００２３】図３及び４は本発明の更なる詳細を示して
いる。ゲート電極２０はチャンネル領域１４の下側を延
在している。導電性領域４２がゲート電極２０へ接続し
ており、導電性領域４２はパスゲートトランジスタ５０
のソース又はドレインのいずれかである。パスゲートト
ランジスタ５０は単結晶基板１１内のチャンネル領域４
３を有しており且つドレイン領域４６とソース領域４２
とを有しているスタンダードのＭＯＳトランジスタの形
態をしている。１実施例においては、パスゲートトラン
ジスタ５０及びゲート誘電体２５は薄膜トランジスタゲ
ート誘電体２４と同一であり、層２４はパスゲートトラ
ンジスタ５０及び加熱用トランジスタ１０から隣接 (連
続)した単一層として且つ同一の処理ステップで形成さ
れている。別の実施例においては、これら２つのトラン
ジスタは、夫々、ゲート誘電体２４及び２５に対して別
々の厚さ及び／又は異なる物質を有している。多くの実
施例において、異なるスレッシュホールド特性及び異な
るターンオン及びターンオフ特性を有するトランジスタ
を有することが所望される。このことを達成する１つの
方法は、異なるゲート誘電体２４及び２５を有すること
である。従って、幾つかの実施例においては、ゲート誘
電体２４及び２５は２つのトランジスタ５０及び１０に
対して同一であり且つ夫々のゲート電極及びチャンネル
のドーピング分布は異なる。一方、ゲート誘電体２４及
び２５は異なるステップで形成され且つ異なる厚さを有
するか又は異なる物質から構成されて異なるものである
場合がある。
いる。ゲート電極２０はチャンネル領域１４の下側を延
在している。導電性領域４２がゲート電極２０へ接続し
ており、導電性領域４２はパスゲートトランジスタ５０
のソース又はドレインのいずれかである。パスゲートト
ランジスタ５０は単結晶基板１１内のチャンネル領域４
３を有しており且つドレイン領域４６とソース領域４２
とを有しているスタンダードのＭＯＳトランジスタの形
態をしている。１実施例においては、パスゲートトラン
ジスタ５０及びゲート誘電体２５は薄膜トランジスタゲ
ート誘電体２４と同一であり、層２４はパスゲートトラ
ンジスタ５０及び加熱用トランジスタ１０から隣接 (連
続)した単一層として且つ同一の処理ステップで形成さ
れている。別の実施例においては、これら２つのトラン
ジスタは、夫々、ゲート誘電体２４及び２５に対して別
々の厚さ及び／又は異なる物質を有している。多くの実
施例において、異なるスレッシュホールド特性及び異な
るターンオン及びターンオフ特性を有するトランジスタ
を有することが所望される。このことを達成する１つの
方法は、異なるゲート誘電体２４及び２５を有すること
である。従って、幾つかの実施例においては、ゲート誘
電体２４及び２５は２つのトランジスタ５０及び１０に
対して同一であり且つ夫々のゲート電極及びチャンネル
のドーピング分布は異なる。一方、ゲート誘電体２４及
び２５は異なるステップで形成され且つ異なる厚さを有
するか又は異なる物質から構成されて異なるものである
場合がある。
【００２４】ＭＯＳトランジスタ５０はドレイン領域４
６を有しており、それはコンタクト４８によって電力供
給源５４へ電気的接続されている。コンタクト４８は例
えば３Ｖ、５Ｖ、８Ｖ又は薄膜トランジスタ１０のゲー
ト電極２０へ伝達することが所望される任意の選択した
値の所望の値の電圧を有している。導電性経路５６はパ
スゲート５０のゲート電極４４へ結合している。薄膜ト
ランジスタ１０のゲート４０へ電圧を与えるためにパス
ゲートにおけるゲート電極４４に電力を供給するため
に、導電線５６が所望のシーケンスで選択的高又は低と
される適宜の制御回路へ結合している。ゲート電極４４
が高とされる場合には、トランジスタ５０がイネーブル
され、ドレイン４６における電圧をドレイン４２へ通過
させ、従ってゲート電極２０へ通過させる。１実施例に
おけるトランジスタ５０はＮ型であり、従って高電圧を
印加すると該トランジスタをイネーブルさせ且つ印加電
圧はスタンダードのＶDDとすることが可能であり又はよ
り高い電圧を通過させるためにＶDDを超えるスレッシュ
ホールド値の２倍等の増加させた値とすることが可能で
ある。一方、パスゲートトランジスタ５０はＰチャンネ
ルトランジスタとすることが可能であり、その場合に
は、ゲート電極４４を低とさせて薄膜トランジスタのゲ
ート電極２０上に所望の電圧を与えた場合にイネーブル
される。
６を有しており、それはコンタクト４８によって電力供
給源５４へ電気的接続されている。コンタクト４８は例
えば３Ｖ、５Ｖ、８Ｖ又は薄膜トランジスタ１０のゲー
ト電極２０へ伝達することが所望される任意の選択した
値の所望の値の電圧を有している。導電性経路５６はパ
スゲート５０のゲート電極４４へ結合している。薄膜ト
ランジスタ１０のゲート４０へ電圧を与えるためにパス
ゲートにおけるゲート電極４４に電力を供給するため
に、導電線５６が所望のシーケンスで選択的高又は低と
される適宜の制御回路へ結合している。ゲート電極４４
が高とされる場合には、トランジスタ５０がイネーブル
され、ドレイン４６における電圧をドレイン４２へ通過
させ、従ってゲート電極２０へ通過させる。１実施例に
おけるトランジスタ５０はＮ型であり、従って高電圧を
印加すると該トランジスタをイネーブルさせ且つ印加電
圧はスタンダードのＶDDとすることが可能であり又はよ
り高い電圧を通過させるためにＶDDを超えるスレッシュ
ホールド値の２倍等の増加させた値とすることが可能で
ある。一方、パスゲートトランジスタ５０はＰチャンネ
ルトランジスタとすることが可能であり、その場合に
は、ゲート電極４４を低とさせて薄膜トランジスタのゲ
ート電極２０上に所望の電圧を与えた場合にイネーブル
される。
【００２５】「ソース」及び「ドレイン」という用語は
電流の流れ及び使用されるトランジスタのタイプに依存
して交換可能なものであり、従って、幾つかの実施例に
おいては、ソースが４６であり且つドレインが４２とす
ることが可能である。例えば、動作の１部分における期
間中、ゲート電極２０を高電圧とさせた後に接地させる
ことが望ましい場合がある。このような実施例において
は、電力供給線５４上の電圧が高から接地へスイッチさ
れ、それに続いてパスゲート５０をイネーブルさせる。
このことはゲート電極２０上の電圧又は余分の電荷を除
去し、それを接地へ結合されている電力供給線５４を介
して接地へ移行させる。この動作においてはソースが４
６であり且つドレインが４２である。これらの名称は、
これら２つの領域の間の相対的な電圧レベル及び動作状
態に依存して、Ｐチャンネルトランジスタの場合にスイ
ッチさせることが可能である。又、ヒータートランジス
タとパスゲートとの間にプルダウン回路を付加させて、
ヒータートランジスタゲートノード電圧を接地へ移行さ
せることが可能である。プルダウン回路は、例えば、高
い値の抵抗又はトランジスタとすることが可能である。
電流の流れ及び使用されるトランジスタのタイプに依存
して交換可能なものであり、従って、幾つかの実施例に
おいては、ソースが４６であり且つドレインが４２とす
ることが可能である。例えば、動作の１部分における期
間中、ゲート電極２０を高電圧とさせた後に接地させる
ことが望ましい場合がある。このような実施例において
は、電力供給線５４上の電圧が高から接地へスイッチさ
れ、それに続いてパスゲート５０をイネーブルさせる。
このことはゲート電極２０上の電圧又は余分の電荷を除
去し、それを接地へ結合されている電力供給線５４を介
して接地へ移行させる。この動作においてはソースが４
６であり且つドレインが４２である。これらの名称は、
これら２つの領域の間の相対的な電圧レベル及び動作状
態に依存して、Ｐチャンネルトランジスタの場合にスイ
ッチさせることが可能である。又、ヒータートランジス
タとパスゲートとの間にプルダウン回路を付加させて、
ヒータートランジスタゲートノード電圧を接地へ移行さ
せることが可能である。プルダウン回路は、例えば、高
い値の抵抗又はトランジスタとすることが可能である。
【００２６】薄膜トランジスタ１０は、ゲート電極２０
を適宜の電圧、即ちＮ型トランジスタの場合には高又は
Ｐチャンネルトランジスタの場合は低とさせる場合にイ
ネーブルされる。比較的高い電圧が電力供給線２８を介
してドレイン１２へ結合される。複数個のコンタクト３
２が電力供給線２８からドレイン領域１２に対して高い
電流担持能力を提供する。ゲート電極２０が高電圧とさ
れると、そのことはゲート酸化物２４を介してチャンネ
ル領域１４への電界を形成し、ドレイン１２からソース
１６へ電流を通過させ且つ電力供給線２８から線３０へ
の直列電気接続を与える。中央抵抗領域１８が、それを
介して電流が流される場合に、迅速に高い温度へ加熱す
る。熱反応室３６が抵抗部材１８によって所望のレベル
へ加熱される。このような薄膜トランジスタ１０を介し
て流れる電流の量及びタイミングはゲート電極２０によ
って精密に制御され、熱反応室３６の所望量の加熱を与
える。
を適宜の電圧、即ちＮ型トランジスタの場合には高又は
Ｐチャンネルトランジスタの場合は低とさせる場合にイ
ネーブルされる。比較的高い電圧が電力供給線２８を介
してドレイン１２へ結合される。複数個のコンタクト３
２が電力供給線２８からドレイン領域１２に対して高い
電流担持能力を提供する。ゲート電極２０が高電圧とさ
れると、そのことはゲート酸化物２４を介してチャンネ
ル領域１４への電界を形成し、ドレイン１２からソース
１６へ電流を通過させ且つ電力供給線２８から線３０へ
の直列電気接続を与える。中央抵抗領域１８が、それを
介して電流が流される場合に、迅速に高い温度へ加熱す
る。熱反応室３６が抵抗部材１８によって所望のレベル
へ加熱される。このような薄膜トランジスタ１０を介し
て流れる電流の量及びタイミングはゲート電極２０によ
って精密に制御され、熱反応室３６の所望量の加熱を与
える。
【００２７】ゲート電極２０は電圧制御型装置であり、
それはパスゲート５０を介して供給される電圧に応答す
る。ゲート電極２０は絶縁されているゲート装置である
のでそれによる電流消費は殆どないか又は全くない。従
って、該トランジスタの応答時間は非常に迅速である。
何故ならば、電流の流れは殆どないか又は全くなく且つ
該トランジスタは低い寄生容量で高速の応答時間を有す
るように構成されているからである。このことはタイミ
ング及びパスゲートによって駆動される制御論理を介し
ての薄膜トランジスタ１０を介しての電流の量及び電力
供給線５４上の電圧レベルの微調整制御を与える。従っ
て、実際の制御端子２０は電流を担持する装置ではなく
寧ろ電圧制御型スイッチであり、従来技術のオーミック
抵抗と比較して顕著な利点を有している。
それはパスゲート５０を介して供給される電圧に応答す
る。ゲート電極２０は絶縁されているゲート装置である
のでそれによる電流消費は殆どないか又は全くない。従
って、該トランジスタの応答時間は非常に迅速である。
何故ならば、電流の流れは殆どないか又は全くなく且つ
該トランジスタは低い寄生容量で高速の応答時間を有す
るように構成されているからである。このことはタイミ
ング及びパスゲートによって駆動される制御論理を介し
ての薄膜トランジスタ１０を介しての電流の量及び電力
供給線５４上の電圧レベルの微調整制御を与える。従っ
て、実際の制御端子２０は電流を担持する装置ではなく
寧ろ電圧制御型スイッチであり、従来技術のオーミック
抵抗と比較して顕著な利点を有している。
【００２８】図５は本発明の原理に基づく別の実施例を
示している。図５の実施例においては、抵抗領域１８は
熱反応室３６と同延である。高度にドープしたドレイン
１２及びソース１６は熱反応室３６の完全に外側にあ
る。高抵抗領域１８は熱反応室の底部と同延でありチャ
ンネル領域１４自身よりも著しくより大きい。この場合
には、該トランジスタのターンオン特性は著しく変更さ
れており、従って導通とさせるためにげート電極２０に
幾分より高い電圧レベルが必要とされる。薄膜トランジ
スタ１０がイネーブルされると、抵抗領域全体を介して
ドレインからソースへ同一の電流が流れ、抵抗領域の底
部全体にわたって均一な加熱を与える。このことは幾つ
かの実施例において有益的である場合がある。更に、図
５の実施例においては、パッシベーション層２６は使用
されていない。幾つかの実施例においては、熱反応室内
の物質は抵抗１８を劣化させるものではなく、又、抵抗
要素１８を熱反応室３６内の物質と直接接触させること
が望ましい場合がある。これらの実施例の場合には、パ
ッシベーション層２６は使用されない。
示している。図５の実施例においては、抵抗領域１８は
熱反応室３６と同延である。高度にドープしたドレイン
１２及びソース１６は熱反応室３６の完全に外側にあ
る。高抵抗領域１８は熱反応室の底部と同延でありチャ
ンネル領域１４自身よりも著しくより大きい。この場合
には、該トランジスタのターンオン特性は著しく変更さ
れており、従って導通とさせるためにげート電極２０に
幾分より高い電圧レベルが必要とされる。薄膜トランジ
スタ１０がイネーブルされると、抵抗領域全体を介して
ドレインからソースへ同一の電流が流れ、抵抗領域の底
部全体にわたって均一な加熱を与える。このことは幾つ
かの実施例において有益的である場合がある。更に、図
５の実施例においては、パッシベーション層２６は使用
されていない。幾つかの実施例においては、熱反応室内
の物質は抵抗１８を劣化させるものではなく、又、抵抗
要素１８を熱反応室３６内の物質と直接接触させること
が望ましい場合がある。これらの実施例の場合には、パ
ッシベーション層２６は使用されない。
【００２９】図６は別の実施例を示しており、この場合
には、薄膜トランジスタ１０はＩOF F電流を最小とさせ
るためのドレインオフセットを有している。図６の実施
例は、充分に迅速なターンオン特性を維持しながら薄膜
トランジスタ１０の精密な制御が所望される場合に好適
である。
には、薄膜トランジスタ１０はＩOF F電流を最小とさせ
るためのドレインオフセットを有している。図６の実施
例は、充分に迅速なターンオン特性を維持しながら薄膜
トランジスタ１０の精密な制御が所望される場合に好適
である。
【００３０】図７は抵抗領域１８がゲート電極２０より
著しく小さい別の実施例を示している。この実施例にお
いては、抵抗領域１８は比較的小さなストリップであ
り、且つゲート電極２０は高抵抗領域１８の両側にかな
り延在している。従って、チャンネル長は所望のターン
オン特性と結合された所望の加熱特性を与え且つ所望の
速度で及び所望の位置において反応室３６を加熱すべく
選択することが可能である。
著しく小さい別の実施例を示している。この実施例にお
いては、抵抗領域１８は比較的小さなストリップであ
り、且つゲート電極２０は高抵抗領域１８の両側にかな
り延在している。従って、チャンネル長は所望のターン
オン特性と結合された所望の加熱特性を与え且つ所望の
速度で及び所望の位置において反応室３６を加熱すべく
選択することが可能である。
【００３１】従って、図７の実施例に基づいて構成され
たトランジスタは非常に速いターンオン特性を有してお
り、且つ他の実施例よりもより迅速に与えられた区域に
対してより高い電流密度を与えることが可能である。
たトランジスタは非常に速いターンオン特性を有してお
り、且つ他の実施例よりもより迅速に与えられた区域に
対してより高い電流密度を与えることが可能である。
【００３２】反応室３６の寸法及び位置は所望の最終用
途に従って選択することが可能であり且つ抵抗領域１８
と相対的に位置決めさせることが可能である。抵抗１８
は図２−７に示したように種々の位置に位置させること
が可能であり、熱反応室３６に関してほぼ中央に位置さ
せ且つ反応室と相対的に所望の幅を有することが可能で
ある。それは、又、左右端部又は反応室内のその他の選
択した位置に位置させることが可能である。一方、反応
室３６はチャンネル領域自身又はゲート電極２０と正確
に等しい寸法に形成することが可能である。例えば、図
５の実施例においては、反応室３６は、所望により、抵
抗領域１８の寸法と正確に等しくすることが可能であ
る。このとは抵抗領域１８及びチャンネル領域３６の両
方に対して同一のマスク寸法を使用することにより容易
に行うことが可能である。反応室３６は図５及び７に示
したタイプの抵抗領域１８と一致するように構成するこ
とが可能である。
途に従って選択することが可能であり且つ抵抗領域１８
と相対的に位置決めさせることが可能である。抵抗１８
は図２−７に示したように種々の位置に位置させること
が可能であり、熱反応室３６に関してほぼ中央に位置さ
せ且つ反応室と相対的に所望の幅を有することが可能で
ある。それは、又、左右端部又は反応室内のその他の選
択した位置に位置させることが可能である。一方、反応
室３６はチャンネル領域自身又はゲート電極２０と正確
に等しい寸法に形成することが可能である。例えば、図
５の実施例においては、反応室３６は、所望により、抵
抗領域１８の寸法と正確に等しくすることが可能であ
る。このとは抵抗領域１８及びチャンネル領域３６の両
方に対して同一のマスク寸法を使用することにより容易
に行うことが可能である。反応室３６は図５及び７に示
したタイプの抵抗領域１８と一致するように構成するこ
とが可能である。
【００３３】図８−１１は本発明に基づく装置を製造す
る場合に実施されるべき処理ステップを例示している。
シリコン基板１１で開始し、分離層２２を形成し、それ
は分離領域２２が存在しない活性区域２３を提供する。
分離領域２２はトレンチ分離、酸化物で充填されている
トレンチ又は凹所、スタンダードのフィールド酸化物、
フィールド分離層を使用することのない単純な接合分
離、又は図示した寸法及びタイプの活性区域を形成する
ために任意の許容可能な分離構造とすることが可能であ
り、このような構造は当該技術において公知である。活
性区域の形成に続いて、ゲート誘電体２５を形成する。
１実施例においては、単一ゲート誘電体を形成し、それ
はパスゲート５０と薄膜トランジスタ１０の両方の下側
を延在する。一方、この段階において選択した物質から
ゲート誘電体２５を形成し、且つゲート誘電体２４を後
に異なる物質から薄膜トランジスタ１０のために形成す
る。適宜のゲート誘電体２５を形成した後に、パストラ
ンジスタ５０に対するゲート電極４４を形成するための
マスキング及びエッチングと共に一様のポリシリコン付
着形成を実施する。その後に、ゲート電極４４を高度に
ドープさせて導電性とさせ、一方同時にパストランジス
タのソース領域及びドレイン領域４６及び４２及び薄膜
トランジスタのゲート電極２０を形成する。このドーピ
ングは活性区域を完全に露出させるか又は当該技術にお
いて公知の如く犠牲パッド酸化物で被覆した状態で実施
することが可能である。同一のゲート誘電体２４を両方
のトランジスタに対して使用する場合には、ゲート電極
領域２０内への注入エネルギはゲート誘電体２４を完全
に貫通して通過するのに充分に高い物である。別個のゲ
ート電極が使用される別の実施例においては、ゲート電
極２０はその上にゲート誘電体を有するものではない。
従って、該基板に対して直接的に又は後に除去される犠
牲パッド酸化物を介して基板への注入が行われる。従っ
て、ゲート電極２０は、好適には、パストランジスタ５
０のソース領域及びドレイン領域４２及び４６を形成す
るのと同一の注入で形成される。論理制御回路の一部で
あるその他の活性トランジスタもトランジスタ５０と同
時に且つ同一の処理ステップで形成される。
る場合に実施されるべき処理ステップを例示している。
シリコン基板１１で開始し、分離層２２を形成し、それ
は分離領域２２が存在しない活性区域２３を提供する。
分離領域２２はトレンチ分離、酸化物で充填されている
トレンチ又は凹所、スタンダードのフィールド酸化物、
フィールド分離層を使用することのない単純な接合分
離、又は図示した寸法及びタイプの活性区域を形成する
ために任意の許容可能な分離構造とすることが可能であ
り、このような構造は当該技術において公知である。活
性区域の形成に続いて、ゲート誘電体２５を形成する。
１実施例においては、単一ゲート誘電体を形成し、それ
はパスゲート５０と薄膜トランジスタ１０の両方の下側
を延在する。一方、この段階において選択した物質から
ゲート誘電体２５を形成し、且つゲート誘電体２４を後
に異なる物質から薄膜トランジスタ１０のために形成す
る。適宜のゲート誘電体２５を形成した後に、パストラ
ンジスタ５０に対するゲート電極４４を形成するための
マスキング及びエッチングと共に一様のポリシリコン付
着形成を実施する。その後に、ゲート電極４４を高度に
ドープさせて導電性とさせ、一方同時にパストランジス
タのソース領域及びドレイン領域４６及び４２及び薄膜
トランジスタのゲート電極２０を形成する。このドーピ
ングは活性区域を完全に露出させるか又は当該技術にお
いて公知の如く犠牲パッド酸化物で被覆した状態で実施
することが可能である。同一のゲート誘電体２４を両方
のトランジスタに対して使用する場合には、ゲート電極
領域２０内への注入エネルギはゲート誘電体２４を完全
に貫通して通過するのに充分に高い物である。別個のゲ
ート電極が使用される別の実施例においては、ゲート電
極２０はその上にゲート誘電体を有するものではない。
従って、該基板に対して直接的に又は後に除去される犠
牲パッド酸化物を介して基板への注入が行われる。従っ
て、ゲート電極２０は、好適には、パストランジスタ５
０のソース領域及びドレイン領域４２及び４６を形成す
るのと同一の注入で形成される。論理制御回路の一部で
あるその他の活性トランジスタもトランジスタ５０と同
時に且つ同一の処理ステップで形成される。
【００３４】その後に、薄膜トランジスタ１０は、その
上にゲート誘電体２４を形成するが、その場合に薄膜ト
ランジスタ１０に対して所望されるゲート誘電体２４の
タイプに依存して、酸化物層を成長させるか又は付着形
成させるか又は適宜の窒化物層及び酸化物のサンドイッ
チを付着形成させる。次に、薄膜トランジスタに対して
第二ポリシリコン付着を行って隣接する即ち連続したポ
リシリコン層６１を形成し、それは薄膜トランジスタ１
０のドレイン１２、チャンネル１４、ソース１６とな
る。図９は薄膜トランジスタ１０用のポリシリコン層６
１が付着されるのに十分に実施した処理を示している。
１実施例によれば、適宜のチャンネルスレッシュホール
ド及び抵抗ドーピングを図９に示したようにポリシリコ
ン層６１に対して実施して、高抵抗領域１８に対して物
質をドープし適宜のチャンネルスレッシュホールド電圧
とさせる。幾つかの場合においては、このドーピングは
Ｐ型とすることが可能であるが、その他の実施例におい
ては、このドーピングをＮ型とすることが可能である。
１実施例においては、ドーピングを行うことはなく且つ
高抵抗領域及びチャンネル１４に対してドープしていな
いポリシリコンを使用する。使用した場合にはこの抵抗
注入に続いて、図９における抵抗１８に対して、図１０
に示したように抵抗領域１８の上にマスクを配置させ
る。次いで高度にドープした注入を露出したポリシリコ
ンに与えてドレイン１２とソース１６とを形成する。こ
のドーパントは前のステップのチャンネルドーパントと
反対のものとすることが可能であり且つポリシリコンを
カウンタドーピングするために充分に高いドーズのもの
とすることが可能である。一方、トランジスタチャンネ
ルはポリシリコン内にあり且つこのようなトランジスタ
は形成すべきトランジスタのタイプに依存して従来公知
の如く別個のターンオン特性を有するものであるので、
チャンネルと同一の導電型のものとすることが可能であ
る。
上にゲート誘電体２４を形成するが、その場合に薄膜ト
ランジスタ１０に対して所望されるゲート誘電体２４の
タイプに依存して、酸化物層を成長させるか又は付着形
成させるか又は適宜の窒化物層及び酸化物のサンドイッ
チを付着形成させる。次に、薄膜トランジスタに対して
第二ポリシリコン付着を行って隣接する即ち連続したポ
リシリコン層６１を形成し、それは薄膜トランジスタ１
０のドレイン１２、チャンネル１４、ソース１６とな
る。図９は薄膜トランジスタ１０用のポリシリコン層６
１が付着されるのに十分に実施した処理を示している。
１実施例によれば、適宜のチャンネルスレッシュホール
ド及び抵抗ドーピングを図９に示したようにポリシリコ
ン層６１に対して実施して、高抵抗領域１８に対して物
質をドープし適宜のチャンネルスレッシュホールド電圧
とさせる。幾つかの場合においては、このドーピングは
Ｐ型とすることが可能であるが、その他の実施例におい
ては、このドーピングをＮ型とすることが可能である。
１実施例においては、ドーピングを行うことはなく且つ
高抵抗領域及びチャンネル１４に対してドープしていな
いポリシリコンを使用する。使用した場合にはこの抵抗
注入に続いて、図９における抵抗１８に対して、図１０
に示したように抵抗領域１８の上にマスクを配置させ
る。次いで高度にドープした注入を露出したポリシリコ
ンに与えてドレイン１２とソース１６とを形成する。こ
のドーパントは前のステップのチャンネルドーパントと
反対のものとすることが可能であり且つポリシリコンを
カウンタドーピングするために充分に高いドーズのもの
とすることが可能である。一方、トランジスタチャンネ
ルはポリシリコン内にあり且つこのようなトランジスタ
は形成すべきトランジスタのタイプに依存して従来公知
の如く別個のターンオン特性を有するものであるので、
チャンネルと同一の導電型のものとすることが可能であ
る。
【００３５】ソース領域及びドレイン領域を形成した後
に、適宜のエッチングによってブロック用マスク層６３
を除去し且つポリシリコン層１１の上にパッシベーショ
ン層２６を形成する。ヒーター要素用のパッシベーショ
ン層２６はチャンネルの陽極化、酸化、ニトロ化、酸化
物又は窒化物の付着又はその他の許容可能なパッシベー
ション層とすることが可能である。パッシベーション２
６に使用する物質は、熱反応室物質と且つ反応室内に存
在する可能性のある流体と適合性のある物質に選択され
る。１実施例においては、図５に関して前に説明したよ
うにパッシベーション層２６は形成されない。パッシベ
ーション層の形成に続いて、適宜の相互接続層を形成し
て電力供給層２８及び３０及び図３に関して前述した適
宜の電力供給線５４及び５６を与える。
に、適宜のエッチングによってブロック用マスク層６３
を除去し且つポリシリコン層１１の上にパッシベーショ
ン層２６を形成する。ヒーター要素用のパッシベーショ
ン層２６はチャンネルの陽極化、酸化、ニトロ化、酸化
物又は窒化物の付着又はその他の許容可能なパッシベー
ション層とすることが可能である。パッシベーション２
６に使用する物質は、熱反応室物質と且つ反応室内に存
在する可能性のある流体と適合性のある物質に選択され
る。１実施例においては、図５に関して前に説明したよ
うにパッシベーション層２６は形成されない。パッシベ
ーション層の形成に続いて、適宜の相互接続層を形成し
て電力供給層２８及び３０及び図３に関して前述した適
宜の電力供給線５４及び５６を与える。
【００３６】図１１は、適宜の技術によりヒートチャン
バ即ち熱反応室３６が形成されている状態を示してい
る。１実施例によれば、感光性ポリマー又はＳＵ８等の
有機ポリマーの一様の層を基板全体の上に付着形成させ
る。上表面下側の下側部分のみを露光させるために光源
の焦点深さを調節することによって有機ポリマー内にキ
ャビティ即ち凹所を形成する。この実施例においては、
有機ポリマーの内部部分を露光させ、一方熱反応室３６
上方の上部部分は露光させない。熱反応室３６へのイン
レット及びアウトレットを形成することが所望される位
置において適宜光の焦点を調節することによりこの時に
反応室３６へのインレット及びアウトレットを形成する
ことも可能である。このような反応室へのインレット及
びアウトレットの形成及び位置は従来の寸法及び形状及
び従来公知の位置のものとすることが可能である。その
ような位置の例としては現在係属中の米国特許出願第０
９／８７４，３８２号及び第０９／９６５，１２８号に
記載されている。一方、熱反応室は、これら２つの現在
係属中の特許出願に記載されている技術によって形成す
ることが可能であり、これらの特許出願の記載内容を引
用によって本明細書に取込む。
バ即ち熱反応室３６が形成されている状態を示してい
る。１実施例によれば、感光性ポリマー又はＳＵ８等の
有機ポリマーの一様の層を基板全体の上に付着形成させ
る。上表面下側の下側部分のみを露光させるために光源
の焦点深さを調節することによって有機ポリマー内にキ
ャビティ即ち凹所を形成する。この実施例においては、
有機ポリマーの内部部分を露光させ、一方熱反応室３６
上方の上部部分は露光させない。熱反応室３６へのイン
レット及びアウトレットを形成することが所望される位
置において適宜光の焦点を調節することによりこの時に
反応室３６へのインレット及びアウトレットを形成する
ことも可能である。このような反応室へのインレット及
びアウトレットの形成及び位置は従来の寸法及び形状及
び従来公知の位置のものとすることが可能である。その
ような位置の例としては現在係属中の米国特許出願第０
９／８７４，３８２号及び第０９／９６５，１２８号に
記載されている。一方、熱反応室は、これら２つの現在
係属中の特許出願に記載されている技術によって形成す
ることが可能であり、これらの特許出願の記載内容を引
用によって本明細書に取込む。
【００３７】１実施例によれば、熱反応室は２つの別々
の物質から形成される。感光性有機ポリマー８２等の第
一物質を付着形成させる。その上に、一様な層８４とし
て第一層８２とは異なる感光度を有することが可能であ
り異なるエッチング特性を有している第二物質から形成
する。上側の層８４をマスク層８６で被覆し、次いで、
適宜マスキング及びエッチングを行ってインレット及び
アウトレットチャンバを与える。マスク８６を上部層８
４の上側に配置し且つマスク８６を介して非感光層８４
を介してその下側の感光層８２に対して露光を行う。従
ってチャンバ物質８２は露光され、それに続いてスタン
ダードの現像、処理、エッチング、キュアリングを行
う。層８４は熱反応室３６となる部分の上側に蓋として
不変のまま残存する。その結果、適宜のインレット及び
アウトレットを具備する上部を有する熱反応室３６が形
成される。インレット及びアウトレットは公知の技術を
使用して側部又は底部に設けることが可能である。
の物質から形成される。感光性有機ポリマー８２等の第
一物質を付着形成させる。その上に、一様な層８４とし
て第一層８２とは異なる感光度を有することが可能であ
り異なるエッチング特性を有している第二物質から形成
する。上側の層８４をマスク層８６で被覆し、次いで、
適宜マスキング及びエッチングを行ってインレット及び
アウトレットチャンバを与える。マスク８６を上部層８
４の上側に配置し且つマスク８６を介して非感光層８４
を介してその下側の感光層８２に対して露光を行う。従
ってチャンバ物質８２は露光され、それに続いてスタン
ダードの現像、処理、エッチング、キュアリングを行
う。層８４は熱反応室３６となる部分の上側に蓋として
不変のまま残存する。その結果、適宜のインレット及び
アウトレットを具備する上部を有する熱反応室３６が形
成される。インレット及びアウトレットは公知の技術を
使用して側部又は底部に設けることが可能である。
【００３８】図１２はその底部部分における抵抗として
作用するトランジスタを具備する最終的な熱反応室を示
している。
作用するトランジスタを具備する最終的な熱反応室を示
している。
【００３９】図１３は更に別の実施例を示している。こ
の実施例においては、層２６は２つ又はそれ以上の物質
からなる層３１及び３３からなるサンドイッチ層であ
る。第一層３１はその熱的特性のために選択されてい
る。それは高度に熱導電性であり且つ誘電性とするか又
は誘電性でないものとすることが可能である。熱伝導層
３１の寸法、厚さ、位置及び面積は適切な伝熱特性を与
えるように選択されている。それは反応室３６の底部全
体にわたって一様な熱を与えるような大型のプレートと
することが可能である。それは抵抗領域１８のみを被覆
する小型のプレートとすることが可能であり、又は任意
の所望の形状及び厚さを有することが可能である。層３
１は前述したような全体的な構造に対して使用される処
理と適合性を有する許容可能な熱伝導体から構成するこ
とが可能である。第二層３３はその電気的特性に対して
選択される。それは高い電気的絶縁を与え且つ高い誘電
率を有することが可能である。層３３の物質及び厚さは
チャンネル領域１４の電気的絶縁を確保するために選択
される。それは二酸化シリコン、窒化シリコン、又は種
々の層におけるその組合わせから構成することが可能で
ある。
の実施例においては、層２６は２つ又はそれ以上の物質
からなる層３１及び３３からなるサンドイッチ層であ
る。第一層３１はその熱的特性のために選択されてい
る。それは高度に熱導電性であり且つ誘電性とするか又
は誘電性でないものとすることが可能である。熱伝導層
３１の寸法、厚さ、位置及び面積は適切な伝熱特性を与
えるように選択されている。それは反応室３６の底部全
体にわたって一様な熱を与えるような大型のプレートと
することが可能である。それは抵抗領域１８のみを被覆
する小型のプレートとすることが可能であり、又は任意
の所望の形状及び厚さを有することが可能である。層３
１は前述したような全体的な構造に対して使用される処
理と適合性を有する許容可能な熱伝導体から構成するこ
とが可能である。第二層３３はその電気的特性に対して
選択される。それは高い電気的絶縁を与え且つ高い誘電
率を有することが可能である。層３３の物質及び厚さは
チャンネル領域１４の電気的絶縁を確保するために選択
される。それは二酸化シリコン、窒化シリコン、又は種
々の層におけるその組合わせから構成することが可能で
ある。
【００４０】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ制限
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ制限
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図１】 薄膜トランジスタ加熱要素を示した概略図。
【図２】 図３の２−２線に沿ってとった加熱組立体の
概略断面図。
概略断面図。
【図３】 アクセストランジスタ及び駆動トランジスタ
を包含するヒーター組立体を示した概略平面図。
を包含するヒーター組立体を示した概略平面図。
【図４】 図２及び３の４−４線に沿って取った加熱組
立体の概略断面図。
立体の概略断面図。
【図５】 加熱組立体の別の実施例を示した概略断面
図。
図。
【図６】 加熱組立体の更に別の実施例を示した概略断
面図。
面図。
【図７】 加熱組立体の更に別の実施例を示した概略断
面図。
面図。
【図８】 本発明に基づいてヒーター組立体を製造する
処理の１段階における状態を示した概略断面図。
処理の１段階における状態を示した概略断面図。
【図９】 本発明に基づいてヒーター組立体を製造する
処理の１段階における状態を示した概略断面図。
処理の１段階における状態を示した概略断面図。
【図１０】 本発明に基づいてヒーター組立体を製造す
る処理の１段階における状態を示した概略断面図。
る処理の１段階における状態を示した概略断面図。
【図１１】 本発明に基づいてヒーター組立体を製造す
る処理の１段階における状態を示した概略断面図。
る処理の１段階における状態を示した概略断面図。
【図１２】 本発明に基づいてヒーター組立体を製造す
る処理の１段階における状態を示した概略断面図。
る処理の１段階における状態を示した概略断面図。
【図１３】 本発明の更に別の実施例を示した概略断面
図。
図。
１０ 薄膜トランジスタ
１２ ドレイン領域
１４ チャンネル領域
１６ ソース領域
１８ 抵抗要素
２０ ゲート電極
２２ 絶縁領域
２４ ゲート誘電体
２６ パッシベーション層
２８，３０ 配線層
３６ 熱反応室
４０ 壁
４２ 蓋
４８ コンタクト
５０ パスゲートトランジスタ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｂ４１Ｊ 3/04 １０３Ｈ
(72)発明者 フランク アール． ブライアント
アメリカ合衆国， テキサス 76209，
デントン， クレストウッド 2125
Ｆターム(参考） 2C057 AF65 AG46 AP14 AP31 AQ02
AR17 BA13
3K058 AA02 AA45
5F110 AA30 BB04 BB13 BB20 CC08
DD05 DD22 EE08 EE10 FF02
FF03 FF09 GG02 GG13 GG31
HJ01 HJ12 HJ30 HL02 HL03
HL04 NN01 NN03 NN22 NN23
NN24 NN27 NN38 NN62 NN74
Claims (21)
- 【請求項１】 薄膜半導体ヒーター組立体において、 半導体基板、 前記基板内に形成されているゲート電極、 前記ゲート電極上に位置されており且つ前記半導体基板
の上側に存在しているゲート誘電体層、 前記ゲート誘電体層の上に位置されており選択された固
有抵抗を有する抵抗領域を具備するチャンネル部材、 前記チャンネル領域に隣接して位置されているソース領
域、 前記チャンネル領域に隣接して位置されているドレイン
領域、 前記チャンネル領域へ電界を印加した場合に前記ゲート
電極に応答して前記ドレイン領域から前記チャンネルを
介して前記ソース領域へ電流を担持すべく前記ドレイン
領域へ結合されている電流担持用導体、 前記チャンネル領域に隣接して位置されている熱応答性
反応室、を有していることを特徴とするヒーター組立
体。 - 【請求項２】 請求項１において、更に、前記チャンネ
ル部材の上で且つ前記チャンネル部材と前記熱応答性反
応室との間に位置されている電気的絶縁性部材を有して
いることを特徴とするヒーター組立体。 - 【請求項３】 請求項２において、前記電気的絶縁性部
材が高い熱伝導率を有する物質から構成されていること
を特徴とするヒーター組立体。 - 【請求項４】 請求項２において、前記電気的絶縁性部
材が前記チャンネル部材から前記熱応答性反応室へ迅速
に熱を伝導する形状及び寸法を有していることを特徴と
するヒーター組立体。 - 【請求項５】 請求項１において、前記固有抵抗が前記
チャンネル部材を介しての選択した電流の流れに対して
選択した熱応答性を与えるべく選択されていることを特
徴とするヒーター組立体。 - 【請求項６】 請求項１において、前記抵抗領域が前記
ゲート電極の直上において前記チャンネル領域内に位置
されており且つ前記チャンネル領域より小さな長さを有
していることを特徴とするヒーター組立体。 - 【請求項７】 請求項１において、前記抵抗領域が部分
的に前記チャンネル領域内に位置されており且つ部分的
に前記ドレイン領域内に位置されており、前記抵抗領域
が前記チャンネル領域よりも長さが長いことを特徴とす
るヒーター組立体。 - 【請求項８】 請求項１において、前記抵抗領域の位置
及び寸法が、選択した位置において前記反応室内に指向
型加熱応答を与えるべく選択されていることを特徴とす
るヒーター組立体。 - 【請求項９】 請求項１において、前記抵抗領域が前記
ゲート電極よりも長さが長いことを特徴とするヒーター
組立体。 - 【請求項１０】 請求項１において、更に、前記熱応答
性反応室の上側に位置させたカバーを有しており、前記
カバーが前記反応室内の加熱応答を修正させる選択した
寸法及び物質を有していることを特徴とするヒーター組
立体。 - 【請求項１１】 請求項１において、更に、前記ゲート
電極に結合されているイネーブルトランジスタを有して
おり、前記イネーブルトランジスタが前記ヒーター組立
体のゲート電極と同じ半導体基板内に位置されているソ
ース及びドレインを有していることを特徴とするヒータ
ー組立体。 - 【請求項１２】 請求項１１において、更に、前記イネ
ーブルトランジスタへ結合している電圧供給源を有して
おり、前記電圧供給源が前記イネーブルトランジスタを
介して前記チャンネル部材内に電界を形成するために前
記ゲート電極上に選択した電圧を与えることを特徴とす
るヒーター組立体。 - 【請求項１３】 請求項１１において、前記イネーブル
トランジスタが、更に、 前記ヒーター組立体ゲート電極と同じ半導体基板内にお
けるチャンネル領域、 前記チャンネル領域の上側に位置されている第二ゲート
誘電体、 前記第二ゲート誘電体の上側に位置されているポリシリ
コンゲート電極、を有していることを特徴とするヒータ
ー組立体。 - 【請求項１４】 請求項１２において、前記ヒーター組
立体ゲート誘電体が前記第二ゲート誘電体と同一の連続
した層であることを特徴とするヒーター組立体。 - 【請求項１５】 請求項１２において、前記ヒーター組
立体ゲート誘電体が異なる厚さを有しており前記第二ゲ
ート誘電体と異なる層であることを特徴とするヒーター
組立体。 - 【請求項１６】 半導体ヒーター組立体の製造方法にお
いて、 半導体基板内に電気的に絶縁した領域を形成し、 前記半導体基板内にゲート電極を形成し、 前記ゲート電極の上側で且つ前記絶縁領域の間に位置さ
せてゲート誘電体を形成し、 前記絶縁領域及び前記絶縁層の上側に位置して多結晶シ
リコン層を形成し、 薄膜トランジスタを得るために選択した低い固有抵抗を
有するように前記多結晶シリコン層内にソース領域とド
レイン領域とをドーピングし、 前記抵抗領域の上側に熱応答性反応室を形成する、こと
を特徴とする方法。 - 【請求項１７】 請求項１６において、更に、選択した
高い固有抵抗を有する抵抗領域を形成するために前記チ
ャンネル領域の上側に位置させて前記多結晶シリコン層
内における領域をドーピングすることを特徴とする方
法。 - 【請求項１８】 請求項１７において、前記抵抗領域が
前記多結晶シリコン層内の前記ソース領域及びドレイン
領域と同一の導電型であることを特徴とする方法。 - 【請求項１９】 請求項１７において、前記抵抗領域が
前記多結晶シリコン層内の前記ソース領域及びドレイン
領域と異なる導電型であることを特徴とする方法。 - 【請求項２０】 請求項１６において、更に、同一の導
電型を有しており且つ同一の処理ステップを使用して前
記基板内に前記ゲート電極を形成するのと同時的に前記
ゲート電極に隣接してパストランジスタのソース領域及
びドレイン領域を形成することを特徴とする方法。 - 【請求項２１】 請求項２０において、更に、前記薄膜
トランジスタのゲート誘電体を形成する前に前記パスト
ランジスタ用の第二ゲート誘電体を形成することを特徴
とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/28849 | 2001-12-20 | ||
| US10/028,849 US6504226B1 (en) | 2001-12-20 | 2001-12-20 | Thin-film transistor used as heating element for microreaction chamber |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003298068A true JP2003298068A (ja) | 2003-10-17 |
Family
ID=21845815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002370039A Pending JP2003298068A (ja) | 2001-12-20 | 2002-12-20 | マイクロ反応室用加熱要素として使用する薄膜トランジスタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6504226B1 (ja) |
| EP (2) | EP1326279B1 (ja) |
| JP (1) | JP2003298068A (ja) |
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