JP2003297744A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JP2003297744A
JP2003297744A JP2003123003A JP2003123003A JP2003297744A JP 2003297744 A JP2003297744 A JP 2003297744A JP 2003123003 A JP2003123003 A JP 2003123003A JP 2003123003 A JP2003123003 A JP 2003123003A JP 2003297744 A JP2003297744 A JP 2003297744A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
illuminance
light
wafer
illumination
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003123003A
Other languages
English (en)
Inventor
Takechika Nishi
健爾 西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2003123003A priority Critical patent/JP2003297744A/ja
Publication of JP2003297744A publication Critical patent/JP2003297744A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 感光性の基板上での積算露光量のばらつきが
小さい走査露光型の露光装置を提供する。 【構成】 水銀ランプ1によるウエハW上での照度を水
銀ランプ電源電流制御系69、及びNDフィルタ板34
で選択するNDフィルタの透過率により制御する。ウエ
ハW上での照度をインテグレータセンサー11によりモ
ニターし、インテグレータセンサー11の検出信号が一
定レベルになるように水銀ランプ電源電流制御系69の
動作を制御する定照度モードと、水銀ランプ1に供給す
る電流を一定値に維持する定電力モードとを有する。走
査露光方式で露光するときには定照度モードを使用し、
アライメント等を行うときには定電力モードを使用す
る。インテグレータセンサー11の検出信号を複数の露
光装置で共用される所定の基準照度計を用いて較正す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子又は
液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際
に使用される露光装置に関し、特に矩形又は円弧状等の
照明領域に対してマスク及び感光性の基板を同期して走
査することにより、マスク上のパターンを逐次その基板
上に露光する所謂スリットスキャン方式、又はステップ
・アンド・スキャン方式等の走査露光型の露光装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子等を製造する際に使用
されていた露光装置は、主にレチクル(又はフォトマス
ク等)のパターンを投影光学系を介してステップ・アン
ド・リピート方式でフォトレジストが塗布されたウエハ
(又はガラスプレート等)上の各ショット領域に露光す
る一括露光方式の投影露光装置(ステッパー等)であっ
た。斯かる投影露光装置では、ウエハ上の各ショット領
域への露光量をそれぞれ適正範囲に収めるための照度制
御機構が設けられている。
【0003】図12は、従来の照度制御機構を備えたス
テッパー方式の投影露光装置を示し、この図12におい
て、水銀ランプ1からの照明光は楕円鏡2によって集光
された後、集光光学系3a、及び所望の波長帯の光(例
えばi線)を選択する光学フィルタ3bよりなる集光フ
ィルタ系3を経てシャッター4に達する。シャッター4
は、タイマー制御系6からの指令に基づいてシャッター
制御機構5が開閉を行う。シャッター4が開状態の場
合、照明光はインプットレンズ7を介してほぼ平行光束
となってフライアイレンズ8に入射する。
【0004】フライアイレンズ8の射出面に多数の光源
像が形成され、これにより照明光のレチクル19上での
照度分布の平坦化が行われる。その射出面に複数種類の
照明系開口絞りが形成されたターレット板22が配置さ
れ、その中の所定の照明系開口絞りを通過した照明光
が、反射率が98%程度の反射ミラー9に入射する。反
射ミラー9で反射された照明光が、第1リレーレンズ1
3を経て、ブラインド駆動系15により制御された照明
用ブラインド(可変視野絞り)14上で一定の照明エリ
アに制限され、照明用ブラインド14を通過した照明光
が、第2リレーレンズ16、反射ミラー17、及びコン
デンサーレンズ18によりリレーされて、レチクル19
上の照明領域を均一な照度分布で照明する。その照明光
のもとで、レチクル19上のパターンが投影光学系20
を介して例えば1/5に縮小されてウエハ21の各ショ
ット領域上に投影露光される。
【0005】この際に、反射率が98%程度の反射ミラ
ー9を透過した漏れ光が、集光レンズ10を介して光電
検出器よりなるインテグレータセンサー11に入射し、
この出力信号が照度算出系12に供給されている。イン
テグレータセンサー11は、レチクル19のパターン形
成面と共役な位置にあり、ウエハ21での露光エネルギ
ーとインテグレータセンサー11上での照度との間の換
算係数が予め記憶されている。照度算出系12でその換
算係数を乗ずることにより、ウエハ21上での単位時間
当りの露光エネルギーが分かる。この単位時間当りの露
光エネルギーの情報が主制御系25に供給され、主制御
系25は、ウエハ21上での適正露光量をその単位時間
当りの露光エネルギーで除算して得られる露光時間をタ
イマー制御系6に入力する。これに応じてタイマー制御
系6が、その露光時間だけシャッター4を開状態にする
ことにより、ウエハ21上での積算露光量が適正露光量
に制御される。
【0006】また、最近、例えばピッチの小さな周期的
なパターンに対する解像度、及び焦点深度を向上させる
ために、照明系開口絞りを光軸に対して偏心した複数の
開口を有する形状とする変形光源法(例えば特開平4−
225358号公報参照)、又は照明系開口絞りの形状
を輪帯状にする輪帯照明法等が提案されている。そこ
で、図12の場合にも、ターレット板22中には、変形
光源法用の開口絞り、及び輪帯照明法用の輪帯状開口絞
り等が形成されている。主制御系25が露光対象のパタ
ーン等の情報を照明系開口絞り制御系24に供給する
と、照明系開口絞り制御系24が、駆動モータ23を介
してターレット板22を回転させて対応する開口絞りを
フライアイレンズ8の射出面に設定する。
【0007】ところが、このように照明系開口絞りの形
状を変化させると、照明系開口絞り中の光源像の個数及
び分布が変化することにより、ウエハ21上での照度が
変化する。このように照度が変化しても、ウエハ21の
露光面と共役な面に配置された受光面を有するインテグ
レータセンサー11からの出力信号をモニターし、その
出力信号に応じてシャッター4の開時間を調整すること
により、常にウエハの各ショット領域で適正露光量が得
られる構成となっていた。
【0008】このような一括露光方式では、照射面内の
照度むらはオプティカル・インテグレータ(フライアイ
レンズ8)等により抑制されている。また、インテグレ
ータセンサー11の出力信号を用いて間接的にウエハ2
1上での積算露光量をモニタすることにより、シャッタ
ー4の制御が行われるので、ウエハ21の各ショット領
域における照度の時間的安定性は、全く問題にならなか
った。更に、インテグレータセンサー11と照明光源
(水銀ランプ1)との間で変形光源法等による照明条件
の変更が行われても、積算露光量が目標値に達するまで
の時間が変化するだけで、特に不都合は無かった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
は、レチクルとウエハとを投影光学系に対して静止させ
た状態で、ウエハ上の各ショット領域に対してそれぞれ
シャッターを1回開閉することにより露光を行う、一括
露光方式の露光装置において照度制御機構を設けたもの
である。このような一括露光方式では、照度制御上での
不都合は特に無かった。
【0010】これに対して最近、半導体素子等の1個の
チップパターンが大型化する傾向にあり、投影露光装置
においては、より大きな面積のパターンを効率的にウエ
ハ上に露光する大面積化が求められている。このような
大面積化を行うためには、特にディストーションを全面
で所定量以下に収めることが必要となる。そこで、ディ
ストーションを全面で小さくし、且つ大面積化に応える
ために、ウエハ上の各ショット領域を走査開始位置にス
テッピングした後、例えば矩形、円弧状又は複数の台形
等からなる照明領域(これを「スリット状の照明領域」
という)に対してレチクル及び感光基板を同期して走査
することにより、レチクル上のパターンを各ショット領
域に逐次露光する所謂ステップ・アンド・スキャン方
式、又はスリットスキャン方式等の走査露光型の露光装
置が見直されている。
【0011】この走査露光型の露光装置に従来技術を適
用すると、種々の不都合が発生してしまう。先ず、走査
露光では、ウエハの各ショット領域をこれらショット領
域の長さより短いスリット状の露光フィールドに対して
走査させるため、各ショット領域内の積算露光量の制御
は、そのスリット状の露光フィールド内の積算露光量を
ウエハ上の全ての点で一定にすることで実行される。仮
に、ウエハ上の各点での積算露光量が異なると、各ショ
ット領域内で積算露光量のむらが生じることになり、こ
れは一括露光方式の露光装置における照射面内での照度
むらと同様の誤差となってしまう。
【0012】また、一括露光方式では積算露光量を制御
するためにシャッター4を用いていたが、走査露光型で
はシャッターの開閉を制御するのではなく、例えばレチ
クルとウエハとをそれぞれ所定の定速度で走査させるこ
とで積算露光量を制御している。このため、積算露光量
を時間的に微調整することは困難である。従って、走査
露光型では、各ショット領域への露光を行っている間、
連続して照度の時間的安定性を保つように照度を制御す
る必要がある。このように照度を一定に保つ制御方法と
しては、一括露光方式では、照明光の照度を常時モニタ
し、その結果を照明光源の電源にフィードバックして、
その電源から照明光源に供給する電力を制御する定照度
制御法が知られているが、これをそのままで走査露光型
の露光装置に適用するのは困難である。
【0013】本発明は斯かる点に鑑み、感光性の基板上
での積算露光量を適正範囲内に正確に収めることができ
る走査露光型の露光装置を提供することを目的とする。
更に本発明は、感光性の基板上での積算露光量のばらつ
きが少ない走査露光型の露光装置を提供することをも目
的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の露光装
置は、露光用光源(1)からの照明光で転写用のパター
ンが形成されたマスク(R)上の照明領域を照明し、こ
の照明領域に対してマスクを走査するのと同期して、そ
の照明領域と光学的に共役な露光領域(61)に対して
感光性の基板(W)を走査することにより、マスクのパ
ターンを逐次基板上に露光する走査露光型の露光装置に
おいて、マスクと共役な面にその受光面を有し、露光用
光源から射出される照明光の露光エネルギーを連続して
計測する露光量計測手段(11)と、複数の互いに光量
が異なる光束を露光量計測手段で光電変換して得られた
信号から、光束を所定の基準照度計(72)で光電変換
して得られた信号への変換係数を近似して記憶した変換
係数記憶手段(77)と、露光量計測手段から出力され
る光電変換信号を変換係数記憶手段から読み出された変
換係数で補正する信号補正手段(38)と、を有するも
のである。
【0015】
【作用】基板(W)上での露光量をモニタするための露
光量計測手段(11)の感度に露光装置毎のばらつきが
あると、複数の露光装置によって基板(W)に対する積
算露光量にばらつきが生じてしまう。これを避けるため
には、請求項1に記載の発明のように、所定の基準照度
計(72)を用いて、露光量計測手段(11)の較正を
行っておけばよい。この際に、単に1つの比例係数を求
めるのではなく、例えば図11(b)に示すように、照
度を変えて順次計測を行って、それぞれ露光量計測手段
(11)の出力信号P0 ,P1 ,P2 ,…から基準照度
計(72)の出力信号Q0 ,Q1 ,Q2 ,…に対する変
換係数を求め、これら複数の変換係数を例えばN次(N
は2以上の整数)曲線で近似して変換係数記憶手段(7
7)に記憶させておく。但し、N次曲線の代わりに、折
れ線で近似を行ってもよい。
【0016】
【実施例】以下、本発明による露光装置の一実施例につ
き図面を参照して説明する。本実施例は、ステップ・ア
ンド・スキャン方式の投影露光装置に本発明を適用した
ものである。以下の図1において従来例の図12に対応
する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略す
る。
【0017】図1は、本実施例の投影露光装置を示し、
この図1において、水銀ランプ1からの照明光は楕円鏡
2によって集光され、集光フィルタ系3を経てシャッタ
ー4に達する。シャッター4が開状態の場合、照明光は
インプットレンズ7を介してほぼ平行光束に変換された
後、ミラー31、及び集光レンズ32を経て視野絞り3
3に達する。
【0018】視野絞り33により制限された照明光は、
NDフィルター板34によって光量が調整された後、第
1リレーレンズ35Aを経て3段のフライアイレンズ群
の内の第1フライアイレンズ36Aに入射する。NDフ
ィルター板34は、例えばガラスの円板上に透過率が異
なる膜を円周方向に複数個形成したものであり、所望の
透過率を有する膜を光路中に配置して照明光の光量を調
整する。NDフィルター板34を、駆動モータよりなる
NDフィルター駆動機構37で回転させることにより、
所定範囲内でNDフィルター板34を通過した後の照明
光の光量を変化させることができる。本実施例では、ウ
エハWに対する露光量の制御を行うのは露光量制御系3
8であり、露光量制御系38がNDフィルター駆動機構
37の動作を制御すると共に、シャッター制御機構5の
動作をも制御する。更に、露光量制御系38は、水銀ラ
ンプ電源電流制御系69を介して、水銀ランプ1に供給
される電流を制御する。
【0019】第1フライアイレンズ36Aによる光源像
からの照明光が第2リレーレンズ35Bを介して第2フ
ライアイレンズ36Bに導かれ、第2フライアイレンズ
36Bによる光源像からの照明光が第3リレーレンズ3
5Cを介して第3フライアイレンズ36Cに導かれる。
本実施例では3段のフライアイレンズ36A〜36Cが
配置されているため、最終段のフライアイレンズ36C
の射出面には多数の光源像が形成され、レチクルR及び
ウエハW上での照度分布の均一性は極めて高くなってい
る。その第3フライアイレンズ36Cの射出面に、複数
種類の照明系開口絞りが配置された照明系開口絞り板3
9が設置されている。
【0020】図3は、その照明系開口絞り板39を示
し、照明系開口絞り板39上にはほぼ等角度間隔で、通
常の円形開口よりなる開口絞り42A、コヒーレンスフ
ァクターであるσ値が小さくする開口絞り42B、輪帯
照明用の輪帯状の開口絞り42C、及び変形光源法用の
複数の開口を偏心して配置した構成の変形開口絞り42
Dが配置されている。その照明系開口絞り板39を回転
させることにより、4個の開口絞りの内の所望の開口絞
りを選択できる。
【0021】図1に戻り、装置全体の動作を制御する主
制御系41が、駆動モータよりなる変形照明用絞り駆動
機構40を介して、照明系開口絞り板39の回転角を制
御する。第3フライアイレンズ36Cから射出された
後、照明系開口絞り板39中から選択された開口絞りを
通過した照明光ILは、反射率が98%程度の反射ミラ
ー43に入射する。そして、反射ミラー43で反射され
た照明光が、第1リレーレンズ44を経て2枚の可動ブ
レード45A及び45Bを有する可動ブラインド(可変
視野絞り:以下、「45A,45B」で表す)に至る。
この可動ブラインド45A,45Bの配置面は、第3フ
ライアイレンズ36Cの射出面のフーリエ変換面となっ
ている。即ち、可動ブラインド45A,45Bの配置面
は、後述のレチクルRのパターン形成面と共役であり、
可動ブラインド45A,45Bの近傍に固定ブラインド
48が配置されている。
【0022】固定ブラインド48は、ガラス基板上に遮
光膜を被着し、この遮光膜内に矩形の開口を穿設したも
のであり、その矩形の開口によりレチクルR上でのスリ
ット状の照明領域の形状が規定される。即ち、可動ブラ
インド46A,46B、及び固定ブラインド48により
制限された照明光が、第2リレーレンズ49、ミラー5
0、コンデンサーレンズ51、及びミラー17を介して
レチクルR上のスリット状の照明領域52を均一な照度
分布で照明する。
【0023】この場合、固定ブラインド48の配置面
は、レチクルRのパターン形成面の共役面から僅かにデ
フォーカスされているため、スリット状の照明領域52
の輪郭部の照度分布が所定の勾配をもって変化する。ま
た、可動ブラインド45A,45Bは、走査露光の開始
時及び終了時にスリット状の照明領域がレチクルR上の
露光すべきでない領域にかかるのを防止する役割を果た
す。そのため、可動ブレード45A及び45Bは、それ
ぞれスライド機構46A及び46Bにより開閉できるよ
うに支持されている。スライド機構46A及び46Bが
可動ブラインド駆動機構71を構成し、可動ブラインド
駆動機構71の動作はステージ制御系47により制御さ
れる。
【0024】レチクルR上の照明領域52内のパターン
の像が、投影光学系PLを介して投影倍率β(βは例え
ば1/4、又は1/5等)でウエハW上のスリット状の
露光フィールド61に投影される。投影光学系PLの光
軸に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内で走査露光
時のレチクルR及びウエハWの走査方向に平行にX軸を
取り、Z軸に垂直な平面内でX軸に垂直な方向(非走査
方向)にY軸を取る。この場合、レチクルRは、X方向
に摺動自在な走査ステージ53を介してレチクルベース
54上に保持され、ウエハWは、ウエハWをX方向に走
査すると共にY方向に位置決めするウエハステージ57
上に保持されている。ウエハステージ57には、ウエハ
WをZ方向に位置決めするZステージも組み込まれてい
る。
【0025】走査ステージ53及びウエハステージ57
よりステージ駆動機構70が構成され、ステージ駆動機
構70の動作がステージ制御系47により制御されてい
る。走査露光時には、走査ステージ53を介して照明領
域52に対して+X方向(又は−X方向)に所定速度V
R で走査するのと同期して、ウエハステージ57を介し
てウエハW上の所定のショット領域を露光フィールド6
1に対して−X方向(又は+X方向)に速度VW(=β・
R)で走査することにより、そのショット領域上にレチ
クルRのパターンが逐次転写露光される。
【0026】この走査露光の開始直後には、図6(a)
に示すように、レチクルRのパターン領域73を囲む遮
光帯74に対して、図1の固定ブラインド48の開口部
の像48Rが外側に出ている。そこで、不要な部分の露
光を避けるため、図1の可動ブレード45Bの位置を移
動させて、可動ブラインド45A,45Bの像45Rの
一方のエッジ部45Raを遮光帯74内に入れておく。
その後、図6(b)に示すように、固定ブラインド48
の像48Rが走査方向にパターン領域73内に収まって
いるときには、可動ブラインド45A,45Bの像45
Rをその像48Rを囲むように設定する。そして、走査
露光の終了時に、図6(c)に示すように、遮光帯74
に対して、固定ブラインド48の像48Rが外側に出る
ときには、図1の可動ブレード45Aの位置を移動させ
て、可動ブラインド45A,45Bの像45Rの他方の
エッジ部45Rbを遮光帯74内に入れておく。このよ
うな動作により、スリット状の照明領域52が遮光帯7
4の外側に出ることが防止され、ウエハW上への不要な
パターンの露光が防止される。
【0027】また、図1において、ウエハステージ57
のウエハWの近傍に、ウエハWの露光面と同じ高さの受
光面を有する光電検出器よりなる照度むらセンサ58が
設置され、照度むらセンサ58から出力される検出信号
が主制御系41に供給されている。更に、ウエハステー
ジ57上にレチクルアライメント用の基準マーク板59
が設けられ、この基準マーク板59上に開口パターンよ
りなる基準マークが形成され、レチクルR上にも対応す
るようにアライメントマークが形成されている。例えば
レチクルRを交換したときには、基準マーク板59を投
影光学系PLの有効露光フィールド内に移動させ、基準
マーク板59の基準マークを底面側から光源60により
照明光ILと同じ波長帯の照明光により照明する。この
照明光のもとで、レチクルRの上方のミラー56を介し
てレチクルアライメント顕微鏡53により、基準マーク
及びレチクルR上のアライメントマークの像を観察す
る。そして、この観察結果に基づいて基準マーク板59
に対するレチクルRの位置合わせを行う。
【0028】更に、ウエハステージ57上には、図4
(a)に示すようにフォーカス・キャリブレーション用
の基準マーク板62も設置され、この基準マーク板62
に例えば十字型の開口パターンよりなる基準マーク62
aが形成されている。この基準マーク62aを用いて、
次のように投影光学系PLの結像面の位置が求められ
る。即ち、光ファイバ63によりウエハステージ57の
内部に図1の照明光ILと同じ波長帯の照明光を導き、
この照明光によりコリメータレンズ64、ハーフミラー
65、及び集光レンズ66を介して基準マーク62aを
底面側から照明する。この基準マーク62aを通過した
照明光が、投影光学系PLを介してレチクルRのパター
ン形成面に基準マーク62aの像を結像し、このパター
ン形成面からの反射光が投影光学系PLを介して基準マ
ーク62aに戻る。そして、基準マーク62aに戻った
照明光が、集光レンズ66、ハーフミラー65、及び集
光レンズ67を経て光電検出器68に入射する。
【0029】光電検出器68の検出信号(光電変換信
号)S2は、図1の主制御系41に供給される。この場
合、ウエハステージ57内のZステージを駆動して、基
準マーク62のZ方向の位置を変化させると、図4
(b)に示すように、検出信号S2は基準マーク62の
Z座標が投影光学系PLの結像面の位置に合致するとき
にピークとなるように変化する。従って、検出信号S2
の変化より、投影光学系PLの結像面の位置を求めるこ
とができ、それ以後はその位置にウエハWの露光面を設
定することにより、良好な状態で露光が行われる。従っ
て、その基準マーク板62を用いることにより、投影光
学系PLの結像面の位置のキャリブレーション(フォー
カス・キャリブレーション)が行われる。
【0030】図1に戻り、透過率が98%程度の反射ミ
ラー43を透過した漏れ光が、集光レンズ10を介して
インテグレータセンサー11の受光面に集光されてい
る。インテグレータセンサー11の受光面は、レチクル
Rのパターン形成面、及びウエハWの露光面と共役であ
り、インテグレータセンサー11の検出信号(光電変換
信号)が露光量制御系38、及び水銀ランプ電源電流制
御系69に供給されている。露光量制御系38にはメモ
リ77が接続され、メモリ77内にインテグレータセン
サー11の出力信号からウエハW上での露光エネルギー
を求めるための変換係数等が格納されている。但し、本
実施例では、後述のようにインテグレータセンサー11
の出力信号は、所定の基準照度計を用いて較正され、こ
の較正結果に基づいてインテグレータセンサー11の出
力信号を補正するための補正係数もメモリ77内に記憶
されている。
【0031】図2は、図1内の制御系の構成を示し、こ
の図2において、主制御系41が変形照明用絞り駆動機
構40を介して照明系開口絞りを変更すると、それに応
じて露光量制御系38は、水銀ランプ電源電流制御系6
9を介して水銀ランプ1に供給する電流の値を設定す
る。その電流の値はインテグレータセンサー11の検出
信号が所定の値になるように選択される。水銀ランプ1
に供給する電流の制御だけでは不十分の場合には、露光
量制御系38はNDフィルター駆動機構37を介して図
1のNDフィルター板34の透過率を変更する。また、
後述のように定電力モードでは、水銀ランプ電源電流制
御系69は設定された電流を水銀ランプ1に供給し、定
照度モードでは、水銀ランプ電源電流制御系69はイン
テグレータセンサー11からの検出信号が一定レベルに
なるように水銀ランプ1に対する電流を制御する。
【0032】次に、本実施例の投影露光装置における照
度制御動作につき説明する。先ず、本実施例では、大き
く分けて図1の水銀ランプ1に対して一定の電流を供給
する定電力モード、又は図1のインテグレータセンサー
11からの出力信号が一定になるように水銀ランプ1に
対する電流を制御する定照度モードでレチクルRに対す
る照明を行う。また、本実施例の投影露光装置は走査露
光型であるが、例えばレチクルR上の所定のアライメン
トマークをウエハW上に露光するような場合には、レチ
クルRとウエハWとを静止させて、部分的な一括露光方
式で露光を行うこともできるようになっている。このよ
うに静止状態で行う露光をスタティック露光と呼び、走
査露光型の露光をダイナミック露光と呼ぶ。
【0033】このように、スタティック露光、ダイナミ
ック露光、又はフォーカス・キャリブレーションのよう
な計測を行う際に、本実施例の投影露光装置の動作はそ
れぞれ図5の〜の場合に分かれる。以下では図5の
各場合につき説明する。 露光フィールド設定 先ず、スタティック露光では、従来のステッパーのよう
な一括露光方式と同様に、レチクルRの遮光帯74(図
6参照)より外に照明光が漏れないように可動ブライン
ド45A,45Bの位置が設定される。露光時は可動ブ
ラインド45A,45Bは固定されている。
【0034】一方、ダイナミック露光では、図6を参照
して既に説明したように、レチクルRのスキャンに伴
い、レチクルRの遮光帯74より外に照明光が漏れない
ように、走査ステージ53、ウエハステージ57の動作
に同期して可動ブラインド45A,45Bが駆動され
る。 シャッター制御 スタティック露光では、高速度なシャッター4の開閉動
作により、露光時間が制御される。
【0035】一方、ダイナミック露光を行う場合、通常
のシーケンスでは、ウエハW上の隣接するショット領域
への露光を行う際に、レチクルRの走査方向が交互に変
化する。このような通常のシーケンスでは、それに追従
して可動ブラインドの2枚の可動ブレード45A,45
Bが交互にシャッター4の役割を果たすため、シャッタ
ー4は常に開状態でよい。但し、ウエハW上の或る列の
ショット領域から別の列のショット領域に移行するよう
な場合には、レチクルRを同一方向に走査する特殊なシ
ーケンスが実行されることがある。このような特殊なシ
ーケンスでは、レチクルRを走査終了後に再び走査開始
位置に戻すために、露光を行うことなくレチクルRを戻
す空戻し動作を行う必要がある。このような空戻し動作
の間は、可動ブラインドの2枚の可動ブレード45A,
45B間に隙間ができてしまうため、露光を避けるため
シャッター4を閉状態にしておく必要がある。
【0036】また、図4で説明したようなフォーカス・
キャリブレーション、又は図1のレチクルアライメント
顕微鏡55等を使用したレチクルアライメント等を行う
場合には、シャッター4は閉じておく。 照明条件変更時 照明条件の変更とは、図1の照明系開口絞り板39の回
転角を変えて、照明系開口絞りの種類を変更することを
言う。この場合には通常シャッター4の開閉も行われ
る。そのように照明系開口絞りを変更すると、レチクル
R及びウエハW上での照度が変化するため、その照度を
所定の目標値に戻すために、水銀ランプ1に供給する電
流、及びNDフィルター板34の回転角を調整する必要
がある。ところが、水銀ランプ1とインテグレータセン
サー11との間に存在する、シャッター4、NDフィル
ター板34、又は照明系開口絞り等の光量可変部材を駆
動した場合、インテグレータセンサー11上での照度が
不連続に大きく変化することがあり、水銀ランプ1の定
照度制御ができなくなる。従って、スタティック露光、
ダイナミック露光、及び各種計測時の何れの場合でも、
予め、水銀ランプ1を定電力制御で発光させるモードに
切り換えておく必要がある。
【0037】インテグレータモード これはインテグレータセンサー11の検出信号に基づい
て制御を行うモードである。先ず、スタティック露光で
は、従来の一括露光方式の露光装置と同様に、露光量制
御系38でインテグレータセンサ11からの検出信号を
積算することにより、ウエハW上での積算露光量を計測
し、高速度のシャッター4の開閉制御によりその積算露
光量を目標露光量にする。この場合、水銀ランプ1の照
度に経時変化があっても構わないので、定電力制御を行
う。
【0038】一方、ダイナミック露光では、ウエハW上
の各点での積算露光量は、スリット状の露光フィールド
61の走査方向の幅をD1、ウエハWの走査速度を
W 、ウエハW上での照度をEW とすると、次式で決定
される。 積算露光量=(D1/VW )EW (1) この場合、スリット状の露光フィールド61の幅D1は
一定であり、スキャン速度VW も一定に制御されるの
で、積算露光量を一定に保つためには、水銀ランプ1を
定照度制御で発光させる必要がある。水銀ランプ1の定
照度制御では、インテグレータセンサー11で計測され
た照度が一定になるように、水銀ランプ1に対する電流
が制御されるので、その定照度制御中には、水銀ランプ
1とインテグレータセンサー11との間に存在する光量
可変部材の駆動動作を行うことは禁止される。
【0039】また、フォーカス・キャリブレーション等
の計測時には、特に定照度モードで制御を行う必要がな
いため、定電力モードで制御が行われる。但し、例えば
ウエハWを交換する毎にフォーカス・キャリブレーショ
ン等の計測を行うような場合には、このような計測を行
う際に定電力モードに切り換えられる。 タイマーモード これは、水銀ランプ1を定電力モードで発光させて、露
光量制御系38内にあるタイマーにより設定された時間
だけシャッター4を開状態にして、水銀ランプ1からの
照明光をレチクルR側に導くモードである。
【0040】先ずスタティック露光では、露光シーケン
スとしてタイマーモードを残す必要はない。しかしなが
ら、例えば投影光学系PLの結像特性を制御するための
パラメータを設定するために所定時間だけ投影光学系P
Lに照明光を照射する場合、又はウエハステージ57上
での照度むらを計測する場合等に、計測用に一時的に使
用される可能性がある。そこで、スタティック露光に関
して、使用可能な計測モードとして、定電力制御、且つ
タイマーモードを残しておく。
【0041】一方、ダイナミック露光でも、走査露光方
式で露光を行う際の投影光学系の結像特性の制御動作の
チェック時、又はレチクルRを一方向に送って露光を行
う場合等に、計測用に一時的に使用される可能性があ
る。この場合、可動ブラインド45A,45Bと高速の
シャッター4を併用する可能性がある。このように、可
動ブラインド45A,45B、及びシャッター4を併用
する際にも、定電力制御、且つタイマーモードを使用す
る。
【0042】同様に、ウエハを交換する際に、フォーカ
ス・キャリブレーション等の計測を行う場合には、その
定電力モードのままで計測を行う。
【0043】インテリジェントモード これは、定照度モードの一態様であるが、水銀ランプ1
を許容最大電力近傍で駆動するのではなく、水銀ランプ
1を許容最大電力より或る程度低い電力で発光させて、
水銀ランプ1の使用を継続した場合でも、ウエハ上での
照度を常に一定値に維持するモードである。これに対し
て、上述のインテグレータモード、及びタイマーモード
で定照度モードを使用する場合には、水銀ランプ1を許
容最大電力の近傍(例えば98%程度)で使用すること
があるため、使用するにつれて、次第に水銀ランプ1の
発光パワーが低下し、ウエハW上での照度も低下してく
る。
【0044】先ず、スタティック露光では、インテリジ
ェントモードは使用しない。次に、ダイナミック露光で
は、例えば投影光学系PLの解像度をチェックする場合
に、そのインテリジェントモードが使用される。例えば
水銀ランプ1のi線(波長365nm)を使用して走査
露光方式で露光する場合、量産時のウエハ上での最大照
度をPi [mW/cm2 ]とする。そして、そのときの
電流と同じ駆動電流で水銀ランプ1の発光を続けさせて
も、水銀ランプ1の寿命が尽きる頃には、ウエハ上での
照度は初期の照度の70%程度に劣化する。これを考慮
して、インテリジェントモードでは、初期状態でウエハ
上での最大照度が0.7・Pi[mW/cm2 ]程度に
なるように水銀ランプ1に供給する電流を制限する。そ
の後、インテグレータセンサー11の出力値をモニタし
て、照度劣化に相当する量だけ水銀ランプ1に供給する
電流を増加させて、常にウエハ上での照度が0.7・P
i [mW/cm2 ]程度に維持されるようにする。
【0045】但し、ウエハを交換する際に、フォーカス
・キャリブレーション等の計測を行う場合には、定電力
モードに切り換えて計測を行う。 高感度レジストを使用する場合 スタティック露光で高感度のフォトレジストを使用する
場合は、従来の一括露光方式の露光装置の場合と同様
に、シャッター4の開閉時間を短縮して露光量を制御す
る。但し、図1の視野絞り33の開口径を大きくした場
合、その開口全体を通過する光束の開閉を行うためには
シャッター4を大型化する必要がある。このようにシャ
ッター4を大型化すると、シャッター4が重くなり、従
来と同様の図1のシャッター制御機構5ではシャッター
4を高速開閉できない可能性がある。更に、シャッター
制御機構5の駆動モータのトルクを上げることも困難な
場合には、NDフィルター板34の透過率を低下させ
て、ウエハ上での照度を下げる制御を併用してもよい。
【0046】一方、ダイナミック露光で高感度のフォト
レジストを使用する場合は、図1のNDフィルター板3
4よりなる光量切り換え機構による制御と、水銀ランプ
1に供給する電流を調整する制御とを組み合わせて、ウ
エハ上で目標とする照度を連続的に変化させて対応す
る。 低感度レジストを使用する場合 スタティック露光で低感度のフォトレジストを使用する
場合は、シャッター4の開時間を長くして対応する。
【0047】一方、ダイナミック露光で低感度のフォト
レジストを使用する場合は、図1の走査ステージ53、
及びウエハステージ57による走査速度を落として対応
する。
【0048】次に、図7を参照して本実施例においてウ
エハWの各ショット領域に対する積算露光量を適正露光
量にするための制御シーケンスの一例につき説明する。
先ず、本実施例における露光量制御の原理につき説明す
る。この場合、図1のウエハW上のスリット状の露光フ
ィールド61の走査方向の幅(以下、「スリット幅」と
いう)をL(図10(a)のD1に相当する)、ウエハ
Wのスキャン速度をv、ウエハW上のフォトレジストの
感光感度(レジスト感度)をE、ウエハW上での照度を
pとすると、ウエハW上のフォトレジストに対して適正
な積算露光量を与えるための条件は次のようになる。
【0049】Ev=pL (2) この(2)式を変形すると次のようになる。 p/v=E/L (3) ここで、スリット幅Lは一定であり、レジスト感度Eは
任意に与えられるとすると、(3)式の左辺のp/vと
して連続した任意の値が設定できる必要がある。
【0050】次に、ウエハW上の各ショット領域の走査
方向の長さ(ショット長)をSとすると、各ショット領
域への露光時間はS/vとなり、スキャン速度vが大き
い方がスループットが高いことになる。即ち、スキャン
速度vをステージ系で定まる最大速度にして露光を行う
場合、(2)式でスキャン速度vが所定の最大値になる
ため、任意のレジスト感度Eに対して(2)式を満足さ
せるためには、照度pをほぼ連続的に変化させる必要が
ある。
【0051】このように照度pを変化させる方法として
は、水銀ランプ1自体の発光パワーを下げるランプ電流
制御法と、照明光の光路に透過率が可変のフィルタ、又
は開口面積が可変の絞りを入れて光量を変化させる光量
可変法とがある。前者は所定レベルを中心とする微小範
囲で光量を連続的に変化させることができ、後者は広域
で不連続的に照度を変化させることができる。本実施例
では、この2つの方法を組み合わせて、ウエハ上での照
度Pを広い範囲で且つ連続的に変化させることができる
ようになっている。
【0052】但し、低感度レジストを使用する場合に
は、レジスト感度E(適正露光量)が大きくなるため、
(3)式の左辺において、照度pを最大値Pとして、ス
キャン速度vを最大値Vとしても、次のようになって
(3)式の条件が満たされないことがある。 P/V<E/L (4) このような低感度レジストに対しては、(3)式が満た
されるようにスキャン速度vを下げる必要がある。
【0053】更に、図1の水銀ランプ1とウエハWとの
間に、変形光源法(変形照明法)用の開口絞り(図3の
開口絞り42D)や、照明系の開口数(コヒーレンスフ
ァクターσ)を小さくするための開口絞り(図3の開口
絞り42B等)を挿入する場合、ウエハ上での照度Pが
低下する。そのため、(3)式を満たすためには、同様
にスキャン速度vを下げる必要がある。
【0054】このような原理のもとで、露光量を制御す
る場合の動作の一例を図7を参照して説明する。この例
は、光量切り換え機構として図1のNDフィルタ板34
等を用いた場合の、照明光に対する透過率の変化を±
1.0%以下、及び経時変化による水銀ランプ1の発光
パワーの最大劣化率を30%と仮定した場合のシーケン
スである。
【0055】先ず、図7のステップ101において、図
1の水銀ランプ1の点灯を行い、許容される最大電力
(最大電流)を水銀ランプ1に供給して、定電力モード
で発光を行わせる。その後、シャッター4を開状態にし
て、NDフィルター板34を透過率100%に設定し、
照明系開口絞り板39中の最も大面積の開口絞りを第3
フライアイレンズ36Cの射出面に設定する(ステップ
102)。そのときのウエハW上での照度、即ち最大照
度Pを間接的にインテグレータセンサー11により計測
し、計測結果を露光量制御系38内の記憶部に記憶させ
た後(ステップ103)、シャッター4を閉じる(ステ
ップ104)。
【0056】そして、露光対象とするレチクルRに応じ
て、照明系開口絞り板39中の変形光源法(変形照明
法)用の開口絞り42D、又は最大の開口より小さな開
口の開口絞り42Bを設定する(ステップ105)。こ
の際に、予め試し焼き等でレジスト感度Eが測定され、
このレジスト感度Eがパラメータとして露光量制御系3
8に入力され(ステップ107)、ウエハステージ57
の走査露光時の最大速度V、及びスリット長Lも露光量
制御系38に入力され(ステップ108)、露光モード
も露光量制御系38に入力されている(ステップ10
9)。
【0057】次に、ステップ105からステップ106
に移行して、露光量制御系38は露光モードの判別を行
い、インテグレータモードのときにはステップ110に
移行してウエハW上でのこれからの最大照度をステップ
103で計測された最大照度Pの98%に設定してステ
ップ111に移行する。また、インテリジェントモード
のときにはステップ112に移行して、ウエハW上での
これからの最大照度を、水銀ランプ1を交換するときの
照度、即ち水銀ランプ1の発光パワーが最も低くなると
きのウエハW上での照度の71.5%に設定してステッ
プ111に移行する。一方、タイマーモードのときに
は、ステップ119に移行してウエハW上でのこれから
の最大照度を最大照度Pの98%に設定してステップ1
20に移行する。
【0058】そして、インテグレータモード又はインテ
リジェントモードでは、ステップ111において、露光
量制御系38はレジスト感度E、最大スキャン速度V、
スリット長L、及び最大照度Pに基づいて、(3)式を
満たすようにウエハステージ57のスキャン速度v、及
びウエハW上での照度pを決定する。その後、ステップ
113で、露光量制御系38は、その照度pが得られる
ようにNDフィルター板34の透過率を設定し、ステー
ジ制御系47を介して可動ブラインド45A,45Bを
閉じて照明光の光路を遮蔽する。その後、ステップ11
4においてシャッター4を開けた後、露光量制御系38
は目標照度をpとして定照度モードでの水銀ランプ1の
発光制御を開始する。その後、ウエハステージ57のス
キャン速度をvとして、インテグレータセンサー11か
らの検出信号が一定値に維持されるように走査露光方式
で露光を行う。そして、露光終了後に、水銀ランプ1の
発光制御を定電力制御に切り換えた後(ステップ11
7)、シャッター4を閉じて(ステップ118)、ウエ
ハW上の1つのショット領域への露光を終了する。
【0059】一方、タイマーモードでは、ステップ12
0において、レジスト感度E、最大スキャン速度V、ス
リット長L、及び最大照度Pに基づいて、(3)式を満
たすようにウエハステージ57のスキャン速度v、及び
ウエハW上での照度pを決定する。その後、ステップ1
21で、その照度pが得られるようにNDフィルター板
34の透過率を設定し、ステージ制御系47を介して可
動ブラインド45A,45Bを閉じて照明光の光路を遮
蔽する。その後、シャッター4を開けた後(ステップ1
22)、露光量制御系38は目標照度をpとして定照度
モードでの水銀ランプ1の発光制御を開始する。この際
に、水銀ランプ1に供給する目標電流値Iが決定されて
いる(ステップ123)。その後、水銀ランプ1の発光
制御を定電力モードに切り換えて、シャッター4を閉じ
た後(ステップ124)、ウエハステージ57のスキャ
ン速度をvとして、タイマー制御方式で所定の時間だけ
露光を行う(ステップ125)。
【0060】次に、上述の動作の内のステップ111又
は120におけるスキャン速度v等の露光条件の決定方
法につき、図8のフローチャートを参照して詳細に説明
する。ここで、水銀ランプ1の照明光によるウエハW上
での基本的な照度P1[mW/cm2 ]、ウエハステー
ジ57の最大走査速度V1[mm/s]、及びウエハW
上のフォトレジストの感度の最小値E1[mJ/c
2 ]が許容される条件の検討を行う。この場合、ウエ
ハステージ57の機構上での最大走査速度をV2(>V
1)[mm/s]とすると、NDフィルター板39によ
り光量を切り換える方式を使用するためには、ウエハス
テージ57の最大走査速度をV1にすることが望まし
い。
【0061】また、ウエハW上での最低照度P2は、レ
ジスト感度をE1[mJ/cm2 ]、ウエハステージ5
7の最大走査速度をV1[mm/s]、スリット幅をL
とすると、次のようになる。 P2=E1・V1/(4L) (5) この場合、一例として最低照度P2は、望ましい照度P
1の16%程度になる。このとき、水銀ランプ1に供給
する電流の制御により変化できる照度の範囲を100〜
70%とすると、NDフィルター板34で23%程度ま
で非連続に照度を低下させると共に、その非連続区間で
は水銀ランプ1に供給する電流の制御による補間によ
り、連続的に照度を変化させる必要がある。
【0062】しかしながら、一般的なNDフィルタの透
過率は±10%程度の誤差を持っている。そこで、安価
な機構を考えると、5枚の互いに異なる透過率のNDフ
ィルタから所望の1枚のNDフィルタを設定する第1の
NDフィルタ可変機構と、4枚の互いに異なる透過率の
NDフィルタから所望の1枚のNDフィルタを設定する
第2のNDフィルタ可変機構との組み合わせで、ほぼ連
続的に照度を変化させる機構が実現できる。従って、本
実施例では、図1において、NDフィルタ板34が円板
上に5種類のNDフィルタを配置したものであるとする
と、そのNDフィルタ板34の後に、円板上に4種類の
NDフィルタを配置した第2のNDフィルタ板を配置
し、それら5種類のNDフィルタと4種類のNDフィル
タとを組み合わせて得られる20種類の透過率中から、
順次1つの透過率を選択して照度の制御を行う。
【0063】具体的に、第1のNDフィルタ板34中の
5種類のNDフィルタをパラメータaの値1〜5で区別
し、パラメータaが1〜5のNDフィルタの透過率をそ
れぞれ100%、82%、74%、66%、及び59%
とする。また、第2のNDフィルタ板中の4種類のND
フィルタをパラメータbの値1〜4で区別するようにし
て、パラメータbが1〜4のNDフィルタの透過率をそ
れぞれ100%、53%、31%、及び19%とする。
そして、パラメータaが1〜5のNDフィルタとパラメ
ータbが1〜4のNDフィルタとを組み合わせると、表
1に示すような種々の透過率が得られる。但し、表1に
おいては、パラメータa及びbの各組合せにおいて、更
に水銀ランプ1に供給する電流を最大電流の98.0
%、及び71.5%に設定した場合の照度の減衰率を表
している。例えばパラメータaが1、且つパラメータb
が1の欄では、照度の総合的な減衰率は98.0%、及
び71.5%となっている。そして、水銀ランプ1に供
給する電流の可変範囲を最大電流に対して98.0%〜
71.5%の範囲とする。
【0064】
【表1】
【0065】この表1から分かるように、上述の水銀ラ
ンプ1に対する電流制御、及び2枚のNDフィルタ板の
組合せにより、照度の減衰率を98.0%〜15.5%
の範囲で連続的に変化させることができる。ここで、電
流制御の可変範囲を98.0〜71.5%としているの
は、電流制御誤差のマージンを±0.5%、NDフィル
タでの透過率のドリフトを±1.0%、1ロットのウエ
ハへの露光を行う際の水銀ランプ1の発光パワーの劣化
を−0.5%として、これらの補正が可能で、且つ1ロ
ットのウエハへの露光中は、NDフィルタの組合せの変
更を行わなくともよいシステムにするためである。
【0066】但し、2枚のNDフィルタ板の各NDフィ
ルタの透過率を表1のように設定したとしても、実際に
製造されるNDフィルタの透過率が正確に表1のように
なるとは限らない。そこで、実際の透過率が設計値から
外れている際の補正を行うために、先ず各NDフィルタ
の透過率を測定する。この計測は、水銀ランプ1を定電
圧制御で発光させた状態で、NDフィルタを切り換えな
がら、インテグレータセンサー11の検出信号をモニタ
して行う。そして、パラメータaが1、且つパラメータ
bが1の場合、即ち第1のNDフィルタ板34の透過率
の設計値が100%で、且つ第2のNDフィルタ板の透
過率の設計値も100%である場合のインテグレータセ
ンサー11の検出信号を基準信号として、パラメータa
及びbの値を任意の組合せた場合のインテグレータセン
サー11の検出信号をその基準信号で除算して得られる
値を、パラメータpa1(a,b)として露光量制御系
38内の記憶部に記憶しておく。
【0067】更に、照明系開口絞り板39を回転させ
て、変形照明(変形光源)用の開口絞り、又は照明系の
開口数を変化させる開口絞り等を設定した場合について
も、それぞれ同様にインテグレータセンサー11で照度
を測定し、この際の照度比(通常の開口絞り42Aを設
定した場合の照度との比)もパラメータpa2(c)と
して記憶しておく。但し、パラメータcは各照明条件
(使用される開口絞りの種類)を示すパラメータであ
る。
【0068】また、図1において、主制御系41から露
光量制御系38に対して露光条件が以下のように与えら
れているとする。
【0069】
【表2】 レジスト感度 :E [mJ/cm2 ] スキャン最大速度:Vm[mm/sec] 最大照度 :Pm[mW/cm2 ](ランプ交換時の最大照度) 照明条件 :パラメータc 露光モード :パラメータd 但し、d=1はインテグレータモード、d=2はインテ
リジェントモード、d=3はタイマーモードである。
【0070】この場合、図8に示すシーケンスに従っ
て、実際の露光条件が決定される。先ず、図8のステッ
プ131において、水銀ランプ1に許容最大電流を供給
し、2枚のNDフィルタ板のNDフィルタの透過率をそ
れぞれ100%(設計値)とし、照明系開口絞り板39
中で最大面積の開口絞り42Aを設定した状態で、イン
テグレータセンサー11により現在の最大照度Pnを測
定する。その後、ステップ132でパラメータdの値よ
り露光モードを判別し、インテグレータモード、又はタ
イマーモードではパラメータm1の値を1として(ステ
ップ135)からステップ134に移行し、インテリジ
ェントモードではパラメータm1の値をPm/Pnとし
て(ステップ133)、ステップ134に移行する。
【0071】そして、ステップ134でパラメータa及
びbをそれぞれ1に設定し、即ち2枚のNDフィルタ板
のNDフィルタの透過率をそれぞれ100%にした後、
ステップ136において、最大速度v1及び最低速度v
2を次式から算出する。 v1=0.98・m1・Pn・pa1(a,b)・pa2(c)・L/E (6) v2=0.715・Pn・pa1(a,b)・pa2(c)・L/E (7)
【0072】その後、ステップ137において、表2中
のスキャン時の最大速度Vmの値と変数v1及びv2と
の比較を行う。そして、v1>Vm、且つVm≧v2の
ときにはステップ138に移行して、水銀ランプ1の駆
動する際の目標照度PをVm・E/Lに設定した後、ウ
エハステージ57のスキャン速度Vを最大速度Vmに設
定して(ステップ139)、ステップ140に移行す
る。また、ステップ137で、Vm≧v1の場合には、
ステップ146に移行してウエハステージ57のスキャ
ン速度Vを最大速度v1に下げた後、目標照度Pを最大
照度Pnの98%に設定して(ステップ147)、ステ
ップ140に移行する。一方、ステップ137におい
て、最大スキャン速度Vmが最低速度v2より小さい場
合には、ステップ148に移行してパラメータaが5に
達したかどうかを調べる。
【0073】現在はパラメータaの値は1であるため、
パラメータaの値を1増加させた後(ステップ15
1)、パラメータm1を1に設定して(ステップ15
2)、ステップ136に戻る。また、ステップ148に
おいて、パラメータaの値が5に達した場合には、パラ
メータbの値が4に達したかどうかを調べ(ステップ1
49)、パラメータbが4である場合には、レジスト感
度が高すぎて対応できないため、ステップ150で露光
量制御系38はレジスト感度設定エラーの情報を主制御
系41に供給し、これに応じて主制御系41は不図示の
ディスプレイにレジスト感度設定エラーの表示を行う。
また、ステップ149でパラメータbが3以下であると
きには、パラメータaを1として、パラメータbの値を
1だけ増加させた後(ステップ153)、ステップ15
2に移行する。
【0074】更に、ステップ140においては、パラメ
ータcに応じて照明系開口絞り板39内の対応する開口
絞りを設定すると共に、パラメータa及びbに応じて2
枚のNDフィルタ板中の対応するNDフィルタを設定し
た後、ステップ141においてシャッター4を開ける。
その後、ウエハステージ57のスキャン速度をV、水銀
ランプ1による照度の目標値をPとして、定照度制御を
開始し(ステップ142)、パラメータdの値より露光
モードを判別する(ステップ143)。そして、インテ
グレータモード、又はインテリジェントモードではその
まま走査露光方式で露光を行い、タイマーモードでは、
ステップ144で定照度制御を行う際の水銀ランプ1の
平均電流値Iを決定した後、ステップ145でその電流
目標値Iを用いて定電力制御に切り換えて露光を行い、
タイマーで設定された時間経過後にシャッター4を閉じ
る。
【0075】次に、上述のように照度制御を行ってウエ
ハ上での露光量の制御を行うのは、露光量の変化による
照度むらを抑えるためであるが、インテグレータセンサ
ー11等の各種センサの精度向上や、照度の計測方法等
の改善によっても照度むらを或る程度軽減することがで
きる。以下では各種センサの精度向上方法や、照度の計
測方法等について説明する。
【0076】(A)基準照度計 図2に示すように、本実施例では、インテグレータセン
サー11の検出信号の較正用として基準照度計72を使
用する。この基準照度計72は、複数の投影露光装置間
の露光量のマッチングを図るための基準となる。インテ
グレータセンサー11は、応答速度や計測精度等に応じ
て受光部の大きさ、及び受光位置が決定されるので、そ
の較正を行うための基準照度計72も、倍率を考慮した
上で等価の受光部の大きさを有し、且つインテグレータ
センサー11と共役な位置で計測を行う必要がある。こ
の際に、実際に使用される照明光の照度の範囲内で、そ
の照度とインテグレータセンサー11の検出信号との間
の関係を確認するために、露光量制御系38と連動させ
て照明光の照度を種々に変化させてそれぞれインテグレ
ータセンサー11の検出信号、及び基準照度計72の検
出信号を取り込んで比較する。
【0077】なお、基準照度計72自体も、別の照度の
絶対値を計測できるセンサを基準として、キャリブレー
ションを行う可能性がある。しかしながら、照度の絶対
値管理は困難であることが予想されるため、例えば1つ
のウエハの異なる層(レイア)に重ね合わせ露光を行う
1組の投影露光装置に関しては、全て1つの基準照度計
72の出力信号を絶対値基準とみなして、各投影露光装
置のインテグレータセンサー11の較正を行うようにす
る。
【0078】この方法では、その1組の投影露光装置に
関してそれぞれ基準照度計72で較正を実施する期間だ
け、基準照度計72の出力安定性が確保されればよい。
また、ウエハの各ショット領域への露光量の決定は各投
影露光装置で独立に行われ、その露光量がそれぞれ目標
値となるので、絶対照度に対する直線性はあまり重要で
はない。但し、照度とインテグレータセンサー11の検
出信号との間の直線性は、基準照度計72を基準として
設定されるので、或る程度の基準となる直線性は必要で
ある。
【0079】(B)インテグレータセンサー インテグレータセンサー11は、スタティック露光時に
積算露光量制御を行うための、及びダイナミック露光時
に水銀ランプ1の定照度制御を行うための照度測定セン
サとしてそれぞれ用いられる。照度計測は、変形光源法
への切り換え等の照明条件変更の際も、高精度に行う必
要があるので、インテグレータセンサー11の受光面は
レチクルと共役な面に配置する必要がある。また、信頼
性を高めるために、インテグレータセンサー11の受光
部は大きい方が望ましい。但し、同時に検出信号の安定
性、及び高速度サンプリングが望まれるので、検出信号
の安定性及び応答速度に対する要求を満たす範囲で、そ
の受光部をできるだけ大きくする。
【0080】図2に示すように、基準照度計72を用い
てインテグレータセンサー11の較正を行うと、それ以
後、そのインテグレータセンサー11はこのインテグレ
ータセンサー11が設けられた投影露光装置における照
明光の照度の絶対基準となる。そのため、高い計測再現
性、及び安定性が要求される。また、例えばウエハ上の
異なる層に複数台の投影露光装置によりそれぞれ所定の
露光量で露光を行う場合には、それら複数台の投影露光
装置間での露光量を合わせる(マッチングさせる)必要
がある。このために上述の基準照度計72が使用され
る。そして、実際にウエハ上の各層への露光を行う際に
は、各投影露光装置で独立に対応する層への露光量の目
標値が決定されるので、基準照度計72の出力信号に対
するインテグレータセンサー11の検出信号の直線性
も、投影露光装置間での露光量のマッチング精度の誤差
要因となる。
【0081】(C)照度むら計測用センサー 図1に示すように、本実施例ではウエハステージ57上
に光電変換素子を有する照度むらセンサー58が設けら
れている。照度むらセンサー58は、可動ブラインド4
5A,45B、及び固定ブラインド48の位置計測、ス
タティック露光時の照度むら計測、更にはダイナミック
露光時の照度むら計測に使用される。
【0082】図9は、照度むらセンサー58の受光面の
形状を示し、図9において、X方向(走査方向)の長さ
D2でY方向の幅H2のスリット状の開口部75、及び
直径がほぼH2の小さな円形の開口部76がその受光面
上に設けられている。この場合、開口部75のX方向の
長さD2は、露光フィールド61のX方向(走査方向)
の幅D1より大きく設定され(例えば10mm程度)、
開口部75のY方向の幅H2(即ち開口部76の直径と
等しい)は照度計測を行う際の位置的な分解能程度(例
えば0.1mmのオーダー)に設定されている。そし
て、スリット状の開口部75に入射した光束はシリンド
リカルレンズにより第1の光電変換素子の受光面に集光
され、開口部76に入射した光束は第2の光電変換素子
の受光面に入射し、第1の光電変換素子から第1の検出
信号S1が図1の主制御系41に供給され、第2の光電
変換素子からの第2の検出信号もその主制御系41に供
給されている。投影光学系PLの露光フィールド61を
含む面内で開口部76をX方向及びY方向に走査するこ
とにより、可動ブラインド45A,45B、及び固定ブ
ラインド48の位置計測、並びにスタティック露光時の
照度むら計測が実行される。この計測のためには、シャ
ッター4を開いて照明光を可動ブラインド45A,45
B等に照射した状態で、露光フィールド61の輪郭部付
近で開口部76を走査すればよい。
【0083】一方、図10(a)に示すように、スリッ
ト状の開口部75を露光フィールド61に対して走査方
向に垂直なY方向に走査しながら、Y方向の各点で所定
時間検出信号S1の積算を行うことにより、図10
(b)に示すように、位置Yに応じて変化する積算信号
ΣS1が得られる(詳細後述)。この積算信号ΣS1
は、幅D1の露光フィールド61でウエハに対する走査
露光を行った場合の、ウエハ上の各点での積算露光量の
Y方向(非走査方向)へのばらつきを示す。従って、開
口部75でダイナミック露光時の照度むら計測が行われ
る。
【0084】この計測の際に、図1のNDフィルタ板3
4のNDフィルタ等の選択を行って、開口部75に対し
て計測精度が最も良いように照度を最適化しておく。ま
た、開口部75、及び開口部76を交互に使用するよう
な場合に、ゲイン制御を行わないと検出信号のレベルが
大きく変化する。そこで、両者の検出信号が同程度にな
るように、対応する光電変換素子の検出信号に対してオ
ートゲインコントロール(AGC)制御を行う必要があ
る。
【0085】次に、その照度むらセンサー58を用いた
各機構の調整方法の一例を示す。 (C−1)可動ブラインド調整 可動ブラインド45A,45Bは、図6に示したように
スキャン方向にはレチクルRの遮光帯74の位置に同期
して駆動する必要があるが、基本的には従来の結像方式
のレチクルブラインドと同様の機能を持つ。従って、可
動ブラインド45A,45Bに沿って独自の位置計測手
段(リニアエンコーダ等)を設け、任意の位置に正確に
駆動できるようにすると共に、必要な駆動範囲の外に可
動ブラインド45A,45Bが移動しないようにリミッ
ト位置を設定する。可動ブラインド45A,45Bの位
置をレチクルRの遮光帯74の位置に合わせるために
は、レチクル搭載後実際に露光を行い、照明領域52の
一方のエッジ部がレチクルRの遮光帯74上に収まると
きのレチクルRの座標と可動ブラインド45A,45B
の座標とのオフセット量を計測し、以後はそのオフセッ
トを用いて補正すればよい。その他に、図9に示す照度
むらセンサー58の小さな開口部76を走査して直接可
動ブラインド45A,45Bの座標を計測してもよい。
【0086】(C−2)スタティック露光時の照度むら
計測 スタティック露光は、投影光学系PLの限界解像度のチ
ェック用や、計測用の露光として用いられる。投影光学
系PLの限界解像度のチェックは、露光フィールドの中
心及び周辺4隅の計測点での解像度を調べて行われる場
合が多く、それら計測点での照度むらを所定の許容範囲
以下にすればよいので、スタティック露光時の照度むら
計測点は限界解像度チェック点のみに限定してもよい。
【0087】(C−3)ダイナミック露光時の照度むら
計測 ダイナミック露光は走査露光型の通常の露光シーケンス
であり、照度むらに関する許容値は極めて小さい値であ
る。そのために、図9に示すように、照度むらセンサー
58のスリット状の開口部75を用いた照度むら計測を
行う。具体的に、図10において、スリット状の露光フ
ィールド61の走査方向の幅をD1として、ウエハWの
走査速度をVW とすると、ウエハ上の各点での露光時間
はそれぞれD1/VW (これをTW とする)となる。そ
こで、露光フィールド61に照明光を照射した状態で、
ウエハステージ57を駆動して露光フィールド61の一
端に照度むらセンサー58の開口部75を設定し、時間
W だけ開口部75を介して照度むらセンサー58内の
第1の光電変換素子の検出信号S1を積算して積算信号
ΣS1を得る。
【0088】その後、ウエハステージ57を駆動して開
口部75をY方向に開口部75の幅H2だけ移動させた
後、同様に時間TW だけ開口部75を介して受光した光
束に対応する検出信号S1を積算して積算信号ΣS1を
得る。以下、同様に開口部75をY方向に幅H2だけ移
動させて、それぞれ時間TW だけ検出信号S1のサンプ
リングを行う。露光フィールド61のY方向の幅をH1
とすると、ウエハステージ57のステッピング時間を無
視した場合、幅H1の間でY方向の各点で積算信号ΣS
1を得るのに必要な時間は、ほぼ(H1/H2)T
W (これをΣTとする)となる。この計測により図10
(b)に示すように非走査方向への積算露光量のばらつ
き(照度むら)に対応する積算信号ΣS1の分布が得ら
れる。その計測に必要な時間ΣTは例えば数10秒程度
であり、短時間に計測が行われる。
【0089】この場合、図10(b)の積算信号ΣS1
から計測された照度むら(=最大偏差/平均値)をSと
すると、照度むらSには、照度分布の均一性の走査方向
(X方向)への平均誤差A、ウエハ上の各ショット領域
内での照度安定性B、及び照度むらの計測精度Cが入っ
ており、照度むらSが露光量の目標値に対する制御精度
(以下、「露光量目標値精度」と呼ぶ)を示している。
この露光量目標値精度Sから、走査方向への平均誤差A
と、ショット領域内の照度安定性B及び照度むらの計測
精度Cの和の誤差(以下、これも「ショット領域内の照
度安定性」と呼ぶ)B′とを分離する場合、図10のス
リット状の開口部75を静止させて、上述のY方向に1
回走査するのに要する時間ΣTだけ照度の計測を行い、
時間ΣT内の各時間TW 毎に検出信号S1を積算してそ
れぞれ積算信号ΣS1を求めた後、この積算信号ΣS1
のばらつきを求める。このばらつきが、スリット状の開
口部75のY方向の位置に依存しないその照度安定性
B′となる。この方式では以下の2つの誤差が計測され
る。
【0090】 露光量目標値精度S=(A2 +B2 +C2 1/2 (8) ショット領域内の照度安定性B′=(B2 +C2 1/2 (9) 従って、これら(8)式及び(9)式より、次のように
照度分布均一性の走査方向への平均誤差Aが求められ
る。 照度分布均一性の走査方向への平均誤差A=(S2 −B′2)1/2 (10) そこで、(8)式から求められる露光量目標制御精度
S、(9)式の安定性B′、及び(10)式の照度分布
均一性の走査方向への平均誤差Aがそれぞれ所定の第1
の要求精度、第2の要求精度、及び第3の要求精度より
小さくなるように調整を行う。この場合、各ショット領
域内の照度安定性Bに関して、この照度安定性Bの一要
因である水銀ランプ1の発光パワーの揺らぎ誤差を周波
数別に規定しておく。そして、(9)式で示される照度
安定性B′を周波数解析し、この解析結果がその周波数
別の揺らぎ誤差の規定値を満足するかどうかの確認を行
う。この場合、照度安定性B′のサンプルデータとして
は平均値でなく、全データを記憶する必要がある。サン
プリング周波数は周波数解析の際の分解能により定ま
る。
【0091】また、ウエハ上の複数のショット領域間の
照度安定性は、(9)式で表される照度安定性B′の計
測結果から、露光領域61の走査方向の幅D1をスキャ
ン速度VW で除して得られる時間(即ち、ウエハ上の各
点の露光時間)内の平均値の再現性を算出することで確
認される。更に、スリット状の開口部75内のX方向の
各点での感度むらは、可動ブラインド45A,45Bを
制御してその露光フィールド61をX方向に絞り、この
絞った露光フィールド61に対して開口部75をX方向
に走査して、得られる検出信号S1のばらつきを調べる
ことにより求められる。その感度むらの要求精度は緩い
ので、必ずしも計測する必要がないこともある。
【0092】例えば、開口部75により計測される照度
に対する感度むらが±x[%]存在する場合、照度均一
性の誤差をΔPとすると、その感度むらによる照度の計
測誤差は、±x・ΔP[%]となり小さい値である。但
し、本実施例では照度を計測する際に、更に走査方向の
積分値を使用するので、開口部75内の感度むらは実質
的にはより小さい誤差要因にしかならない。
【0093】(C−4)露光量制御動作の確認 本実施例における露光量制御は、図1のNDフィルタ板
34の切り換えと、水銀ランプ1に供給する電流制御
(電力制御)とを組み合わせて、連続的に照度を変化さ
せることにより行う。この照度の連続可変の確認は、水
銀ランプ1の点灯を定電力制御に切り換えて、NDフィ
ルタ板34(実際には2枚のNDフィルタ板)の全体の
透過率を順次切り換えていったときの、インテグレータ
センサー11の出力値を読み取ることにより行う。例え
ば図11(a)に示すように、2枚のNDフィルタ板の
角度を変えて照明光の照度を最大照度から次第に暗くし
たときのインテグレータセンサー11の出力値P0 ,P
1 ,P2 ,…,Pn が読み取られる。出力値P0 は、2
枚のNDフィルタ板の全体の透過率を最も大きくしたと
き(100%としたとき)の出力値であり、出力値Pn
は、その透過率を最も小さくしたときの出力値である。
【0094】それら2枚のNDフィルタ板の透過率を最
低値の次に小さい値にしたときのインテグレータセンサ
ー11の出力値をPn-1 とする。そして、このときの水
銀ランプ1を定電力制御で駆動するときの照度の目標値
を限界最大照度の100%としたとき、次の条件が成立
するかどうかを確認する。 0.98Pn >0.715Pn-1 (11) この条件が満たされないときには、それらNDフィルタ
板中のNDフィルタの交換を行う。
【0095】次に、水銀ランプ1を定電力制御で点灯さ
せるときの照度の目標値を最大値(限界最大照度の10
0%)と最小値(限界最大照度の70%)とにして、そ
れぞれの場合のインテグレータセンサー11の出力値の
比が7/10以下になることを確認する。この場合の計
測は、NDフィルタ板におけるNDフィルタの設定を或
る特定の組合せにした状態で行ってよい。
【0096】(C−5)露光量較正精度の確認 ウエハ上での露光量の較正精度は、基準となる基準照度
計72(図2参照)に対する較正精度と、インテグレー
タセンサー11の検出信号のドリフトとで定義される。
その較正を行うには、ウエハステージ57に基準照度計
72を設置し、定電力制御の状態でNDフィルタ板にお
けるNDフィルタの組合せを順次切り換えながら、イン
テグレータセンサー11の出力値と、基準照度計72の
出力値とをモニタし、図11(b)のようなグラフにプ
ロットしていけばよい。
【0097】図11(b)において、インテグレータセ
ンサー11の出力値がP0 ,P1 ,P2 ,…,Pn とな
っているときに、基準照度計72の出力値がそれぞれQ
0 ,Q1 ,Q2 ,…,Qn となっている。インテグレー
タセンサー11の出力値と基準照度計72との間の直線
性は、各出力値より最小2乗法により1次近似直線を求
め、その1次近似直線と図11(b)の各点との誤差で
示す。しかしながら、基準照度計72の直線性の値をイ
ンテグレータセンサー11に要求される直線性より小さ
くすることは困難である。
【0098】そこで、図11(b)の折れ線78で示す
ように、各計測ポイントを折れ線で結び、上述の1次近
似直線との差分を図1のメモリ77内に記憶させる。そ
の後、照度計測を行うときには、露光量制御系38にお
いてインテグレータセンサー11の出力値をメモリ77
に記憶された差分で補正する。これにより、基準照度計
72に対する較正誤差を、折れ線近似誤差及び計測誤差
のみに抑えることができる。この調整方法は、基準とな
る基準照度計72の直線性が悪い場合も、それに合わせ
て調整を行う方法である。この場合、露光量のマッチン
グを行う複数の投影露光装置は、全てその基準照度計7
2の直線性の特性に合わせて調整されるので、任意の1
台の投影露光装置で試し焼きを行えば、その試し焼きを
した条件では複数の投影露光装置で同じ露光量で露光を
行うことが可能となる。但し、絶対照度基準ではないこ
とを考慮しておく必要がある。
【0099】なお、上述実施例では、露光用の光源とし
て水銀ランプ1が使用されているが、露光用の光源とし
て例えばキセノンランプ等を使用するような場合にも本
発明は適用できる。更に、本発明は投影光学系を使用す
る露光装置のみに限定されず、コンタクト方式やプロキ
シミティ方式の露光装置にも適用できることも言うまで
もない。このように本発明は上述実施例に限定されず、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得
る。
【0100】
【発明の効果】請求項1に記載の露光装置によれば、複
数の互いに光量が異なる光束を露光量計測手段で光電変
換して得られた信号から、それら光束を所定の基準照度
計で光電変換して得られた信号への変換係数を近似して
記憶した変換係数記憶手段と、その露光量計測手段から
出力される光電変換信号をその変換係数記憶手段から読
み出された変換係数で補正する信号補正手段と、を設け
ているため、その基準照度計に基づいて複数の露光装置
の間の露光量のマッチングを行うことができる。この際
に、基準照度計の出力との関係を1次直線近似ではなく
曲線近似で記憶するときには、基準照度計に対する較正
誤差を小さく抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例の走査露光型の投影露光装
置を示す一部を切り欠いた構成図である。
【図2】 図1内の制御系を示すブロック図である。
【図3】 実施例で使用される照明系開口絞りの種類を
示す図である。
【図4】 (a)はフォーカスキャリブレーションを行
うための機構を示す要部の図、(b)は図4(a)の機
構により得られる検出信号を示す図である。
【図5】 実施例における定電力制御及び定照度制御等
の使い分けを示す図である。
【図6】 実施例で走査露光を行う場合の可動ブライン
ド45A,45Bの動作の説明に供給する図である。
【図7】 インテグレータモード、インテリジェントモ
ード、及びタイマーモードの切り換えシーケンスの一例
を示すフローチャートである。
【図8】 照度制御を行う場合の各パラメータの決定シ
ーケンスの一例を示すフローチャートである。
【図9】 照度むらセンサー58の受光面を示す拡大平
面図である。
【図10】 (a)は照度むらセンサーにより露光フィ
ールドを走査する状態を示す拡大平面図、(b)は図1
0(a)の走査により得られる積算信号を示す図であ
る。
【図11】 (a)はインテグレータセンサーの出力値
とNDフィルタ板の角度(照度)との関係を示す図、
(b)はインテグレータセンサーの出力値と基準照度計
の出力値との関係を示す図である。
【図12】 従来の投影露光装置を示す構成図である。
【符号の説明】
R…レチクル、PL…投影光学系、W…ウエハ、1…水
銀ランプ、4…シャッター、11…インテグレータセン
サー、34…NDフィルタ板、36A〜36C…フライ
アイレンズ、38…露光量制御系、39…照明系開口絞
り板、41…主制御系、45A,45B…可動ブライン
ド、48…固定ブラインド、51…コンデンサーレン
ズ、52…照明領域、53…走査ステージ、57…ウエ
ハステージ、58…照度むらセンサー、69…水銀ラン
プ電源電流制御系

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 露光用光源からの照明光で転写用のパタ
    ーンが形成されたマスク上の照明領域を照明し、該照明
    領域に対して前記マスクを走査するのと同期して、前記
    照明領域と光学的に共役な露光領域に対して感光性の基
    板を走査することにより、前記マスクのパターンを逐次
    前記基板上に露光する走査露光型の露光装置において、 前記マスクと共役な面にその受光面を有し、前記露光用
    光源から射出される照明光の露光エネルギーを連続して
    計測する露光量計測手段と、 複数の互いに光量が異なる光束を前記露光量計測手段で
    光電変換して得られた信号から、前記光束を所定の基準
    照度計で光電変換して得られた信号への変換係数を近似
    して記憶した変換係数記憶手段と、 前記露光量計測手段から出力される光電変換信号を前記
    変換係数記憶手段から読み出された変換係数で補正する
    信号補正手段と、を有することを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 前記基準照度計は、前記基板を支持する
    基板ステージ上に設けられており、その計測結果に基づ
    いて前記露光量計測手段の検出信号が較正されることを
    特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記照明光の照度と前記露光量計測手段
    の検出信号との間の直線性は、前記基準照度計を基準と
    して設定されることを特徴とする請求項1又は2に記載
    の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記変換係数記憶手段は、前記露光量計
    測手段で光電変換して得られた信号から、前記光束を前
    記基準照度計で光電変換して得られた信号への変換係数
    を曲線近似して記憶することを特徴とする請求項1〜3
    の何れか一項に記載の露光装置。
  5. 【請求項5】 前記照明光の照度を種々に変化させるこ
    とにより、前記複数の互いに光量が異なる光束を発生さ
    せる露光量制御系を有することを特徴とする請求項1〜
    3の何れか一項に記載の露光装置。
  6. 【請求項6】 前記露光量制御系は、前記照明光の減衰
    率を調整して前記基板上での照度を調整する照度可変手
    段を含むことを特徴とする請求項5に記載の露光装置。
JP2003123003A 2003-04-25 2003-04-25 露光装置 Pending JP2003297744A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003123003A JP2003297744A (ja) 2003-04-25 2003-04-25 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003123003A JP2003297744A (ja) 2003-04-25 2003-04-25 露光装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP07576694A Division JP3456597B2 (ja) 1994-04-14 1994-04-14 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003297744A true JP2003297744A (ja) 2003-10-17

Family

ID=29398291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003123003A Pending JP2003297744A (ja) 2003-04-25 2003-04-25 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003297744A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010067794A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2017227711A (ja) * 2016-06-21 2017-12-28 ウシオ電機株式会社 光照射装置、光配向装置、制御装置、および光照射装置の運転方法
JP2020106603A (ja) * 2018-12-26 2020-07-09 株式会社オーク製作所 光学装置及び露光装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010067794A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2017227711A (ja) * 2016-06-21 2017-12-28 ウシオ電機株式会社 光照射装置、光配向装置、制御装置、および光照射装置の運転方法
JP2020106603A (ja) * 2018-12-26 2020-07-09 株式会社オーク製作所 光学装置及び露光装置
JP7198659B2 (ja) 2018-12-26 2023-01-04 株式会社オーク製作所 露光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3456597B2 (ja) 露光装置
JP3395280B2 (ja) 投影露光装置及び方法
US6411364B1 (en) Exposure apparatus
US4780747A (en) Projection exposure apparatus
TWI418759B (zh) 位置偵測設備、曝光設備及裝置製造方法
JPH08250402A (ja) 走査型露光方法及び装置
WO1998059364A1 (fr) Aligneur de projection, son procede de fabrication, procede d'exposition dudit aligneur et procede de fabrication de composants au moyen de l'aligneur
JP3487383B2 (ja) 露光装置及びそれを用いる素子製造方法
US5965308A (en) Method of controlling exposure
JPH10172878A (ja) 走査型露光装置の調整方法及び該方法を使用する走査型露光装置
JP3521544B2 (ja) 露光装置
JPH09320945A (ja) 露光条件測定方法及び露光装置
JP3414476B2 (ja) 投影露光装置
JP2000235945A (ja) 走査型露光装置及び走査露光方法
JP2003297744A (ja) 露光装置
JPH10284363A (ja) スリット幅決定方法及び露光量制御方法
JPH1083953A (ja) 露光量調整方法及び走査型露光装置
JP3365567B2 (ja) 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法
JP3590825B2 (ja) 投影露光装置
US20230341786A1 (en) Calibration method, detection system, exposure apparatus, article manufacturing method, and non-transitory computer-readable storage medium
JPH10261577A (ja) 露光量制御方法及び該方法を使用する走査型露光装置
JPH0817713A (ja) 投影露光装置
JP3884968B2 (ja) 露光装置、露光方法、デバイス製造方法及びデバイス
JPH08255741A (ja) 露光装置
JPH09171956A (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060209

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060705