JP2003295244A - 青色レーザ光発生装置および青色レーザ光の発生方法 - Google Patents
青色レーザ光発生装置および青色レーザ光の発生方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】実用的な波長４５７ｎｍの青色レーザ光の発生
装置を提供することである。 【解決手段】青色レーザ発生装置は、長さが０．１ｍｍ
以上、１．０ｍｍ以下のＮｄドープＹＶＯ４結晶からな
る固体レーザ発振体３、発振体３に設けられた反射手段
６Ａ、６Ｂ、発振体３に対して励起光を照射する励起光
照射手段１、および導波路型高調波発生素子５を備えて
いる。発振体３と反射手段６Ａ、６Ｂとによって共振器
７が構成されている。高調波発生素子５が共振器７の外
部に配置されている。発振体３から波長９１４ｎｍ±１
ｎｍのレーザ光を発振させ、高調波発生素子５から波長
４５７±１ｎｍの青色レーザ光Ｅを発生させる。
装置を提供することである。 【解決手段】青色レーザ発生装置は、長さが０．１ｍｍ
以上、１．０ｍｍ以下のＮｄドープＹＶＯ４結晶からな
る固体レーザ発振体３、発振体３に設けられた反射手段
６Ａ、６Ｂ、発振体３に対して励起光を照射する励起光
照射手段１、および導波路型高調波発生素子５を備えて
いる。発振体３と反射手段６Ａ、６Ｂとによって共振器
７が構成されている。高調波発生素子５が共振器７の外
部に配置されている。発振体３から波長９１４ｎｍ±１
ｎｍのレーザ光を発振させ、高調波発生素子５から波長
４５７±１ｎｍの青色レーザ光Ｅを発生させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長４５７ｎｍの
青色光を高効率で発生する青色レーザ発生装置に関する
ものである。
青色光を高効率で発生する青色レーザ発生装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】光情報処理技術全般において、高密度光
記録を実現するために、波長４００−４３０ｎｍ程度の
青色光を，３０ｍＷ以上の出力で安定的に発振する青色
光レーザが要望されており、開発競争が行われている。
青色光光源としては、赤色光を基本波として発振するレ
ーザと、擬似位相整合方式の第二高調波発生素子とを組
み合わせた光導波路型の波長変換素子が期待されてい
る。
記録を実現するために、波長４００−４３０ｎｍ程度の
青色光を，３０ｍＷ以上の出力で安定的に発振する青色
光レーザが要望されており、開発競争が行われている。
青色光光源としては、赤色光を基本波として発振するレ
ーザと、擬似位相整合方式の第二高調波発生素子とを組
み合わせた光導波路型の波長変換素子が期待されてい
る。
【０００３】特に、波長４５７ｎｍ近辺の青色レーザ光
は、ＲＧＢ三原色のＢ（ブルー）光源、プリントラボ、
プロジェクター等の各種用途において強く要望されてい
る。用途にもよるが、その出力は２００ｍＷ以上が望ま
れている。
は、ＲＧＢ三原色のＢ（ブルー）光源、プリントラボ、
プロジェクター等の各種用途において強く要望されてい
る。用途にもよるが、その出力は２００ｍＷ以上が望ま
れている。
【０００４】特開平１０−２９３２６８号においては、
波長４６０ｎｍの青色レーザ光を、ネオジウム・ヤグレ
ーザの波長１０６４ｎｍの第二高調波発生による５３２
ｎｍの光と、前記波長１０６４ｎｍのパラメトリック発
振による３．３ミクロンの赤外光とを、和周波発生する
ことによって得ている。この方法だと、波長変換装置が
３つ必要である上、総合変換効率が低く、実用的ではな
い。
波長４６０ｎｍの青色レーザ光を、ネオジウム・ヤグレ
ーザの波長１０６４ｎｍの第二高調波発生による５３２
ｎｍの光と、前記波長１０６４ｎｍのパラメトリック発
振による３．３ミクロンの赤外光とを、和周波発生する
ことによって得ている。この方法だと、波長変換装置が
３つ必要である上、総合変換効率が低く、実用的ではな
い。
【０００５】特許第３２６０４５７号においては、８０
９ｎｍの励起光源を用いてのＮｄドープＹＡＧ結晶を励
起し、波長９４６ｎｍのレーザ光を発振させ、この９４
６ｎｍの光を共振器内部に配置した、ＭｇＯ−ＬＮ基板
による第二高調波発生素子により波長変換し、波長４７
３ｎｍのレーザ光を得ている。励起光出力２００ｍＷの
とき、１０ｍＷ、つまり光−光の総合効率は５％であ
る。
９ｎｍの励起光源を用いてのＮｄドープＹＡＧ結晶を励
起し、波長９４６ｎｍのレーザ光を発振させ、この９４
６ｎｍの光を共振器内部に配置した、ＭｇＯ−ＬＮ基板
による第二高調波発生素子により波長変換し、波長４７
３ｎｍのレーザ光を得ている。励起光出力２００ｍＷの
とき、１０ｍＷ、つまり光−光の総合効率は５％であ
る。
【０００６】特開平６−１９４７０６号においては、波
長８８０ｎｍの半導体レーザの光を、ＭｇＯ−ＬＮ基板
上にプロトン交換導波路型第二高調波発生素子によって
波長４４０ｎｍのレーザ光を得ている。半導体レーザ出
力が１００ｍＷのとき、１２ｍＷの出力を得ている。
長８８０ｎｍの半導体レーザの光を、ＭｇＯ−ＬＮ基板
上にプロトン交換導波路型第二高調波発生素子によって
波長４４０ｎｍのレーザ光を得ている。半導体レーザ出
力が１００ｍＷのとき、１２ｍＷの出力を得ている。
【０００７】特開平５−１１２８９および特開平５−９
０６８７号においては、Ｎｄ：ＹＶＯ４とＫＮｂＯ３を
用いて４５７ｎｍのレーザを作成できるとの簡単な記述
はあるが、具体的な実施例はない。
０６８７号においては、Ｎｄ：ＹＶＯ４とＫＮｂＯ３を
用いて４５７ｎｍのレーザを作成できるとの簡単な記述
はあるが、具体的な実施例はない。
【０００８】特開平５−２４３６５９号においても同様
の記載がある。また、波長８０９ｎｍの半導体レーザ光
と波長１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＶＯ４レーザ光の和周波
をＫＴＰ結晶を用いて発生させる記述があるが具体的な
数値の記載は全くない。
の記載がある。また、波長８０９ｎｍの半導体レーザ光
と波長１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＶＯ４レーザ光の和周波
をＫＴＰ結晶を用いて発生させる記述があるが具体的な
数値の記載は全くない。
【０００９】特表平９−５０２０５４号においては、Ｎ
ｄ：ＹＶＯ４あるいはＮｄ：ＧｄＶＯ４と第二高調波発
生結晶のＫＮｂＯ３もしくはＢＢＯを接合した材料を用
いた４５７ｎｍあるいは４５６ｎｍのレーザの記載があ
る。これは波長変換素子をレーザの共振器内部に配置す
るいわゆる内部共振器型であるので本願とは構造が異な
る。出力、効率等の記載は全くない。以上述べたよう
に、これまで、波長約４５７ｎｍの青色レーザ光を高効
率・高出力で発振させた成功例はなかった。
ｄ：ＹＶＯ４あるいはＮｄ：ＧｄＶＯ４と第二高調波発
生結晶のＫＮｂＯ３もしくはＢＢＯを接合した材料を用
いた４５７ｎｍあるいは４５６ｎｍのレーザの記載があ
る。これは波長変換素子をレーザの共振器内部に配置す
るいわゆる内部共振器型であるので本願とは構造が異な
る。出力、効率等の記載は全くない。以上述べたよう
に、これまで、波長約４５７ｎｍの青色レーザ光を高効
率・高出力で発振させた成功例はなかった。
【００１０】「OPTICS LETTERS」Vol. 25, No. 01, (20
00) January, pages 34to 36 には、ＮｄドープＹＶＯ
４結晶の４Ｆ３／２−４Ｉ９／２遷移に基づくレーザ発
振が記載されている。即ち、波長８０８ｎｍの励起光を
ＮｄドープＹＶＯ ４結晶に入射させ、波長約９１４ｎｍ
のレーザ光を発振させることに成功している。
00) January, pages 34to 36 には、ＮｄドープＹＶＯ
４結晶の４Ｆ３／２−４Ｉ９／２遷移に基づくレーザ発
振が記載されている。即ち、波長８０８ｎｍの励起光を
ＮｄドープＹＶＯ ４結晶に入射させ、波長約９１４ｎｍ
のレーザ光を発振させることに成功している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、このよう
な波長約９１４ｎｍのレーザ光を用い、第二高調波を発
振させることによって、波長４５７ｎｍの青色光を得る
ことを検討した。しかし、前述の文献に記載の波長９１
４ｎｍのレーザ光は、発振のしきい値が約３．５Ｗ以上
であり、しきい値が高い。その上、スロープ効率が低
く、発熱量が大きい。このように発振のしきい値が高い
ことから、低駆動電圧の青色光発振素子を得ることが難
しい。しかも、スロープ効率が低く、発熱量が大きいこ
とから、実用的な青色発光素子を得ることは難しいもの
であった。
な波長約９１４ｎｍのレーザ光を用い、第二高調波を発
振させることによって、波長４５７ｎｍの青色光を得る
ことを検討した。しかし、前述の文献に記載の波長９１
４ｎｍのレーザ光は、発振のしきい値が約３．５Ｗ以上
であり、しきい値が高い。その上、スロープ効率が低
く、発熱量が大きい。このように発振のしきい値が高い
ことから、低駆動電圧の青色光発振素子を得ることが難
しい。しかも、スロープ効率が低く、発熱量が大きいこ
とから、実用的な青色発光素子を得ることは難しいもの
であった。
【００１２】本発明の課題は、実用的な波長４５７ｎｍ
の青色レーザ光の発生装置を提供することである。
の青色レーザ光の発生装置を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、長さが０．１
ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下のＮｄドープＹＶＯ４結晶か
らなる固体レーザ発振体、固体レーザ発振体に設けられ
た反射手段、固体レーザ発振体に対して励起光を照射す
る励起光照射手段、および導波路型高調波発生素子を備
えており、固体レーザ発振体と反射手段とによって共振
器が構成されており、導波路型高調波発生素子が共振器
の外部に配置されており、固体レーザ発振体から波長９
１４ｎｍ±１ｎｍのレーザ光を発振させ、導波路型高調
波発生素子から波長４５７±１ｎｍの青色レーザ光を発
生させることを特徴とする、青色レーザ光装置に係るも
のである。
ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下のＮｄドープＹＶＯ４結晶か
らなる固体レーザ発振体、固体レーザ発振体に設けられ
た反射手段、固体レーザ発振体に対して励起光を照射す
る励起光照射手段、および導波路型高調波発生素子を備
えており、固体レーザ発振体と反射手段とによって共振
器が構成されており、導波路型高調波発生素子が共振器
の外部に配置されており、固体レーザ発振体から波長９
１４ｎｍ±１ｎｍのレーザ光を発振させ、導波路型高調
波発生素子から波長４５７±１ｎｍの青色レーザ光を発
生させることを特徴とする、青色レーザ光装置に係るも
のである。
【００１４】また、本発明は、長さが０．１ｍｍ以上、
１．０ｍｍ以下のＮｄドープＹＶＯ４結晶からなる固体
レーザ発振体、固体レーザ発振体に設けられた反射手
段、および導波路型高調波発生素子を使用し、固体レー
ザ発振体と反射手段とによって共振器が構成されてお
り、導波路型高調波発生素子が共振器の外部に配置され
ており、固体レーザ発振体に対して励起光を照射するこ
とにより、固体レーザ発振体から波長９１４ｎｍ±１ｎ
ｍのレーザ光を発振させ、導波路型高調波発生素子から
波長４５７±１ｎｍの青色レーザ光を発生させることを
特徴とする、青色レーザの発生方法に係るものである。
１．０ｍｍ以下のＮｄドープＹＶＯ４結晶からなる固体
レーザ発振体、固体レーザ発振体に設けられた反射手
段、および導波路型高調波発生素子を使用し、固体レー
ザ発振体と反射手段とによって共振器が構成されてお
り、導波路型高調波発生素子が共振器の外部に配置され
ており、固体レーザ発振体に対して励起光を照射するこ
とにより、固体レーザ発振体から波長９１４ｎｍ±１ｎ
ｍのレーザ光を発振させ、導波路型高調波発生素子から
波長４５７±１ｎｍの青色レーザ光を発生させることを
特徴とする、青色レーザの発生方法に係るものである。
【００１５】本発明者は、前述の構成によって、波長４
５７ｎｍ±１ｎｍの青色光を発振させることに成功し、
実用的な青色レーザ装置を提供することを可能とした。
５７ｎｍ±１ｎｍの青色光を発振させることに成功し、
実用的な青色レーザ装置を提供することを可能とした。
【００１６】波長４５７ｎｍの青色光は、ＲＧＢ三原色
の青色光源として好適であり、低い発振しきい値と発熱
量とを有する光源が強く望まれてきた。従って、本発明
は産業上多大な貢献をなすものである。
の青色光源として好適であり、低い発振しきい値と発熱
量とを有する光源が強く望まれてきた。従って、本発明
は産業上多大な貢献をなすものである。
【００１７】以下、更に詳細に本発明を説明する。図１
は、ＮｄドープＹＶＯ４結晶における主要な準位を示す
模式図である。ＮｄドープＹＶＯ４結晶に対して８０８
ｎｍの励起光を照射し、この励起光が吸収されると、電
子が基底準位から ４Ｆ５／２準位に励起される。そし
て、４Ｆ５／２準位からＰのように緩和された後、電子
が４Ｆ３／２準位から４Ｉ１１／２準位あるいは４Ｉ
９／２準位に遷移する。この遷移の際にフォトン（光
子）を発生させる。ここで、４Ｆ３／２準位から４Ｉ
９／２準位への遷移に伴って波長９１４ｎｍの光が発振
され、４Ｆ３ ／２準位から４Ｉ１１／２準位への遷移に
伴って波長１０６４ｎｍの光が発振される。
は、ＮｄドープＹＶＯ４結晶における主要な準位を示す
模式図である。ＮｄドープＹＶＯ４結晶に対して８０８
ｎｍの励起光を照射し、この励起光が吸収されると、電
子が基底準位から ４Ｆ５／２準位に励起される。そし
て、４Ｆ５／２準位からＰのように緩和された後、電子
が４Ｆ３／２準位から４Ｉ１１／２準位あるいは４Ｉ
９／２準位に遷移する。この遷移の際にフォトン（光
子）を発生させる。ここで、４Ｆ３／２準位から４Ｉ
９／２準位への遷移に伴って波長９１４ｎｍの光が発振
され、４Ｆ３ ／２準位から４Ｉ１１／２準位への遷移に
伴って波長１０６４ｎｍの光が発振される。
【００１８】「OPTICS LETTERS」Vol. 25, No. 01, (20
00) January, pages 34to 36 においては、Ｎｄドープ
ＹＶＯ４結晶に対して、波長８０８ｎｍの励起光を照射
し、波長９１４ｎｍの光を発振させている。
00) January, pages 34to 36 においては、Ｎｄドープ
ＹＶＯ４結晶に対して、波長８０８ｎｍの励起光を照射
し、波長９１４ｎｍの光を発振させている。
【００１９】これに対して、本発明者は、ＮｄドープＹ
ＶＯ４結晶からなるレーザ発振体に対して波長８８０±
２ｎｍの励起光を照射し、電子を直接に４Ｆ３／ ２準位
へ励起し、次いでこの電子の４Ｉ９／２準位への遷移に
伴った波長９１４ｎｍの光を発振させた。この方法によ
って、波長９１４ｎｍの光の発振のしきい値が低くな
り、かつスロープ効率が向上した。
ＶＯ４結晶からなるレーザ発振体に対して波長８８０±
２ｎｍの励起光を照射し、電子を直接に４Ｆ３／ ２準位
へ励起し、次いでこの電子の４Ｉ９／２準位への遷移に
伴った波長９１４ｎｍの光を発振させた。この方法によ
って、波長９１４ｎｍの光の発振のしきい値が低くな
り、かつスロープ効率が向上した。
【００２０】「APPLIED PHYSICS LETTERS」Vol. 79, N
o. 5, (2001) July, pages 590 to 592 にはＮｄドー
プＹＡＧセラミックスを８８５ｎｍの光で励起し、Ｎｄ
の４Ｆ３／２準位から４Ｉ１１／２準位への遷移に伴う
１０６４ｎｍのレーザ発振が記載されている。しかしな
がらＮｄの４Ｆ３／２準位から４Ｉ９／２準位への遷移
に伴うレーザ発振に関しての記載はなかった。
o. 5, (2001) July, pages 590 to 592 にはＮｄドー
プＹＡＧセラミックスを８８５ｎｍの光で励起し、Ｎｄ
の４Ｆ３／２準位から４Ｉ１１／２準位への遷移に伴う
１０６４ｎｍのレーザ発振が記載されている。しかしな
がらＮｄの４Ｆ３／２準位から４Ｉ９／２準位への遷移
に伴うレーザ発振に関しての記載はなかった。
【００２１】本発明におけるＮｄドープＹＶＯ４結晶は
特に限定されず、温度勾配法、フラックス法、エピタキ
シャル薄膜堆積法、セラミックス技術によって製造され
たものを含む。
特に限定されず、温度勾配法、フラックス法、エピタキ
シャル薄膜堆積法、セラミックス技術によって製造され
たものを含む。
【００２２】本発明におけるＮｄドープＹＶＯ４結晶の
形状は、平行平板に限定されず、平面−凹面(flat-conc
ave type）、平面−凸面、凹面−平面(concave-flat ty
pe)、凸面−平面、凹面−凹面(concave-concave typ
e)、凹面−凸面、凸面−凹面、凸面−凸面でも良い。
形状は、平行平板に限定されず、平面−凹面(flat-conc
ave type）、平面−凸面、凹面−平面(concave-flat ty
pe)、凸面−平面、凹面−凹面(concave-concave typ
e)、凹面−凸面、凸面−凹面、凸面−凸面でも良い。
【００２３】励起光照射手段は特に限定されないが、波
長８８０±２ｎｍのＮｄドープＹＶＯ４結晶の吸収帯に
合わせて効率良く励起光を発振する必要がある。この点
で，縦シングルモードのガリウム砒素系の半導体レーザ
が好ましい。
長８８０±２ｎｍのＮｄドープＹＶＯ４結晶の吸収帯に
合わせて効率良く励起光を発振する必要がある。この点
で，縦シングルモードのガリウム砒素系の半導体レーザ
が好ましい。
【００２４】レーザ発振体から発振されるレーザ光の波
長は９１４ｎｍである。ただし、発振状態による若干の
ずれは許容され、例えば±１ｎｍのずれは許容されるも
のとする。
長は９１４ｎｍである。ただし、発振状態による若干の
ずれは許容され、例えば±１ｎｍのずれは許容されるも
のとする。
【００２５】レーザ発振体の励起光と平行な方向におけ
る長さは、発振効率の点で０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ
以下とする。この観点からは、０．２ｍｍ以上が更に好
ましく、０．５ｍｍ以下が更に好ましい。
る長さは、発振効率の点で０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ
以下とする。この観点からは、０．２ｍｍ以上が更に好
ましく、０．５ｍｍ以下が更に好ましい。
【００２６】ＮｄドープＹＶＯ４におけるＮｄのドープ
量は限定されず、例えば１．０〜２．５ａｔ．％であっ
てよい。ただし、レーザ発振効率を向上させるという観
点からは、１ａｔ．％以上であることが好ましい。ま
た、結晶性が良好なものを得やすく、９１４ｎｍの波長
に対する内部ロスが小さいものが得やすいという観点か
らは、１．５ａｔ．％以下とすることが好ましい。
量は限定されず、例えば１．０〜２．５ａｔ．％であっ
てよい。ただし、レーザ発振効率を向上させるという観
点からは、１ａｔ．％以上であることが好ましい。ま
た、結晶性が良好なものを得やすく、９１４ｎｍの波長
に対する内部ロスが小さいものが得やすいという観点か
らは、１．５ａｔ．％以下とすることが好ましい。
【００２７】好適な実施形態においては、導波路型高調
波発生素子が、導波路が接合層あるいは基板から突出す
るリッジ型の波長変換素子である。このような素子を前
記レーザ光源と組み合わせることによって、駆動電圧、
発熱量を特に低減できる。
波発生素子が、導波路が接合層あるいは基板から突出す
るリッジ型の波長変換素子である。このような素子を前
記レーザ光源と組み合わせることによって、駆動電圧、
発熱量を特に低減できる。
【００２８】特願２０００−０７７６３０号において、
マグネシウムをドープしたニオブ酸リチウム結晶を用い
たリッジ導波路型の波長変換素子が記載されている。こ
の実施例において、１００ｍＷの基本波を用いて５０ｍ
Ｗの４２５ｎｍのレーザ光を得ている。つまり変換効率
は５０％であった。しかしながら、入力パワーを５００
ｍＷに増やしたところ、前記結晶に発生したレーザ光が
吸収されて熱となり、出射パワーが変動し、変換効率が
低下するという問題点があった。例えば、入射する光の
パワーを５００ｍＷに増やすと、変換効率は２０％程度
にまで低下し、得られた出力は１００ｍＷであった。
マグネシウムをドープしたニオブ酸リチウム結晶を用い
たリッジ導波路型の波長変換素子が記載されている。こ
の実施例において、１００ｍＷの基本波を用いて５０ｍ
Ｗの４２５ｎｍのレーザ光を得ている。つまり変換効率
は５０％であった。しかしながら、入力パワーを５００
ｍＷに増やしたところ、前記結晶に発生したレーザ光が
吸収されて熱となり、出射パワーが変動し、変換効率が
低下するという問題点があった。例えば、入射する光の
パワーを５００ｍＷに増やすと、変換効率は２０％程度
にまで低下し、得られた出力は１００ｍＷであった。
【００２９】本願においては、実施例に述べるように、
波長４５７ｎｍを発生するように、周期分極反転の周期
を４．２ミクロン、リッジ導波路の厚さを３．５ミクロ
ンとして素子を作成したところ、５００ｍＷの入力時で
も変換効率は５０％に達し、２５０ｍＷの青色レーザ光
が得られた。この理由については、定かではないが、入
射光と高調波光のモードの重なりの向上、導波路サイズ
を変更した事による熱の逃げのバランスが好適に作用し
たものと推定される。
波長４５７ｎｍを発生するように、周期分極反転の周期
を４．２ミクロン、リッジ導波路の厚さを３．５ミクロ
ンとして素子を作成したところ、５００ｍＷの入力時で
も変換効率は５０％に達し、２５０ｍＷの青色レーザ光
が得られた。この理由については、定かではないが、入
射光と高調波光のモードの重なりの向上、導波路サイズ
を変更した事による熱の逃げのバランスが好適に作用し
たものと推定される。
【００３０】さらに、本願装置の温度を室温から上下に
数十℃温度を変化させて、その時の出力を調べてみた
が、温度変化による出力の低下は見られず、広い温度範
囲で好適に使用可能であった。また、Ｎｄ：ＹＶＯ４結
晶が１ｍｍ以下と薄いマイクロチップ構造であるため、
結晶の温度を変化させることで、モードホップを起こさ
ずに発振波長を連続的に可変することが出来た。
数十℃温度を変化させて、その時の出力を調べてみた
が、温度変化による出力の低下は見られず、広い温度範
囲で好適に使用可能であった。また、Ｎｄ：ＹＶＯ４結
晶が１ｍｍ以下と薄いマイクロチップ構造であるため、
結晶の温度を変化させることで、モードホップを起こさ
ずに発振波長を連続的に可変することが出来た。
【００３１】図２、図３は、本発明によるレーザ発生装
置の模式図である。図２の装置においては、励起光光源
１から励起光Ａが発振され、励起光Ａが光学系２を通し
て矢印Ｂのように集光される。この励起光はレーザ発振
体３に照射される。レーザ発振体３の両面には反射手段
６Ａ、６Ｂが形成されており、これによって共振器７が
構成されている。この結果、レーザ発振体３から外部へ
と波長９１４ｎｍの光Ｃが発振される。このレーザ光Ｃ
は、光学系４によって集光され、高調波発生素子５の波
長変換部５ａに照射される。波長変換部は三次元光導波
路からなり、三次元光導波路の内部に周期分極反転構造
が形成されている。波長変換部５ａから青色レーザ光Ｅ
が出射する。
置の模式図である。図２の装置においては、励起光光源
１から励起光Ａが発振され、励起光Ａが光学系２を通し
て矢印Ｂのように集光される。この励起光はレーザ発振
体３に照射される。レーザ発振体３の両面には反射手段
６Ａ、６Ｂが形成されており、これによって共振器７が
構成されている。この結果、レーザ発振体３から外部へ
と波長９１４ｎｍの光Ｃが発振される。このレーザ光Ｃ
は、光学系４によって集光され、高調波発生素子５の波
長変換部５ａに照射される。波長変換部は三次元光導波
路からなり、三次元光導波路の内部に周期分極反転構造
が形成されている。波長変換部５ａから青色レーザ光Ｅ
が出射する。
【００３２】図３の装置においては、励起光光源１から
励起光Ａが発振され、励起光Ａが光学系２Ａを通して矢
印Ｂのように集光される。この励起光はレーザ発振体３
に照射される。本例では共振器７と波長変換素子５とが
一体化されている。共振器７から波長９１４ｎｍの光が
発振されると、このレーザ光は、波長変換素子５の波長
変換部５ａに直ちに入射する。波長変換部５ａから青色
レーザ光Ｅが出射する。
励起光Ａが発振され、励起光Ａが光学系２Ａを通して矢
印Ｂのように集光される。この励起光はレーザ発振体３
に照射される。本例では共振器７と波長変換素子５とが
一体化されている。共振器７から波長９１４ｎｍの光が
発振されると、このレーザ光は、波長変換素子５の波長
変換部５ａに直ちに入射する。波長変換部５ａから青色
レーザ光Ｅが出射する。
【００３３】本発明においては、図２、図３に例示した
ように、高調波発生素子５が、共振器７の外部に配置さ
れている。即ち、前記レーザ発振体を使用した場合に
は、共振器の内部に高調波発生素子を設置すると、レー
ザ発振効率が大きく低下する。このため、共振器の外部
に高調波発生素子を設置することが必要であった。ただ
し、共振器の外部に高調波発生素子を設置すると、波長
変換効率は一般に低くなる傾向がある。しかし、本発明
においては導波路型高調波発生素子を使用することで、
波長変換効率を高く維持できる。
ように、高調波発生素子５が、共振器７の外部に配置さ
れている。即ち、前記レーザ発振体を使用した場合に
は、共振器の内部に高調波発生素子を設置すると、レー
ザ発振効率が大きく低下する。このため、共振器の外部
に高調波発生素子を設置することが必要であった。ただ
し、共振器の外部に高調波発生素子を設置すると、波長
変換効率は一般に低くなる傾向がある。しかし、本発明
においては導波路型高調波発生素子を使用することで、
波長変換効率を高く維持できる。
【００３４】固体レーザ発振体に設ける反射手段として
は、誘電体多層膜コートが好ましい。
は、誘電体多層膜コートが好ましい。
【００３５】好適な実施形態においては、三次元光導波
路がリッジ型の光導波路であり、非線形光学結晶を加
工、例えば機械加工やレーザ加工することによって物理
的に加工し、成形することによって得られる。そして、
三次元光導波路が、非晶質材料からなる接合層を介して
基板に接合されている。
路がリッジ型の光導波路であり、非線形光学結晶を加
工、例えば機械加工やレーザ加工することによって物理
的に加工し、成形することによって得られる。そして、
三次元光導波路が、非晶質材料からなる接合層を介して
基板に接合されている。
【００３６】光導波路の材質は強誘電体単結晶であるこ
とが好ましく、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タ
ンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム
−タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウ
ム（Ｋ３Ｌｉ２Ｎｂ５Ｏ１５）の各単結晶が特に好まし
い。光導波路中には、その耐光損傷性を更に向上させる
ために、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、スカン
ジウム（Ｓｃ）及びインジウム（Ｉｎ）からなる群より
選ばれる１種以上の金属元素を含有させることができ、
マグネシウムが特に好ましい。
とが好ましく、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タ
ンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム
−タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウ
ム（Ｋ３Ｌｉ２Ｎｂ５Ｏ１５）の各単結晶が特に好まし
い。光導波路中には、その耐光損傷性を更に向上させる
ために、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、スカン
ジウム（Ｓｃ）及びインジウム（Ｉｎ）からなる群より
選ばれる１種以上の金属元素を含有させることができ、
マグネシウムが特に好ましい。
【００３７】この接合層の材質の屈折率は、光導波路の
材質の屈折率よりも低くすることが必要である。この屈
折率差は、５％以上であることが好ましく、１０％以上
であることが更に好ましい。また、接合層を構成する非
晶質材料は、有機樹脂やガラス（特に好ましくは低融点
ガラス）が好ましい。有機樹脂としては、アクリル系樹
脂、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂等を例示できる。
ガラスとしては、酸化珪素を主成分とする低融点ガラス
が好ましい。
材質の屈折率よりも低くすることが必要である。この屈
折率差は、５％以上であることが好ましく、１０％以上
であることが更に好ましい。また、接合層を構成する非
晶質材料は、有機樹脂やガラス（特に好ましくは低融点
ガラス）が好ましい。有機樹脂としては、アクリル系樹
脂、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂等を例示できる。
ガラスとしては、酸化珪素を主成分とする低融点ガラス
が好ましい。
【００３８】
【実施例】（波長９１４ｎｍのレーザ光の発振）Ｎｄド
ープＹＶＯ４単結晶（Ｎｄ添加量１ａｔ．％）を光学研
磨し、厚さ０．５ｍｍの平行平板を得た。励起光入射面
には、波長８７９−８８０ｎｍの光に対する反射率０．
５％以下かつ波長９１４ｎｍの光に対する反射率９９．
９％以上かつ波長１０６４ｎｍと１３４０ｎｍに対して
無反射の誘電多層膜コート６Ａを施した。光の出射面に
は、波長９１４ｎｍの光に対する反射率９８％、波長８
７９−８８０ｎｍおよび１０６４ｎｍおよび１３４０ｎ
ｍの光に対する透過率８０％以上の誘電多層膜コート６
Ｂを施した。パワー１Ｗ、波長８８０ｎｍの半導体レー
ザ光をNA０．６のレンズを用いて集光し、この単結晶基
板の励起光入射面に入射した。この結果、90% 以上の光
が吸収され、波長９１４ｎｍ、縦モード、横モードとも
にシングルモードでレーザ発振した。約５００ｍＷの出
力が得られた。
ープＹＶＯ４単結晶（Ｎｄ添加量１ａｔ．％）を光学研
磨し、厚さ０．５ｍｍの平行平板を得た。励起光入射面
には、波長８７９−８８０ｎｍの光に対する反射率０．
５％以下かつ波長９１４ｎｍの光に対する反射率９９．
９％以上かつ波長１０６４ｎｍと１３４０ｎｍに対して
無反射の誘電多層膜コート６Ａを施した。光の出射面に
は、波長９１４ｎｍの光に対する反射率９８％、波長８
７９−８８０ｎｍおよび１０６４ｎｍおよび１３４０ｎ
ｍの光に対する透過率８０％以上の誘電多層膜コート６
Ｂを施した。パワー１Ｗ、波長８８０ｎｍの半導体レー
ザ光をNA０．６のレンズを用いて集光し、この単結晶基
板の励起光入射面に入射した。この結果、90% 以上の光
が吸収され、波長９１４ｎｍ、縦モード、横モードとも
にシングルモードでレーザ発振した。約５００ｍＷの出
力が得られた。
【００３９】同様に、表１に示すように、入射光の出力
を種々変更し、波長９１４ｎｍの出射光の出力を測定し
た。この結果を表１および図４に示す。
を種々変更し、波長９１４ｎｍの出射光の出力を測定し
た。この結果を表１および図４に示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】本発明の装置においては、表１および図４
に示すように、レーザ発振のしきい値が約２００ｍＷで
あり、極めて低くなっている。しかも、励起光の出力が
増大したときに、出射する波長９１４ｎｍの光の出力も
ほぼ比例して増大し、スロープ効率が約６３％と高い。
に示すように、レーザ発振のしきい値が約２００ｍＷで
あり、極めて低くなっている。しかも、励起光の出力が
増大したときに、出射する波長９１４ｎｍの光の出力も
ほぼ比例して増大し、スロープ効率が約６３％と高い。
【００４２】（青色レーザ光の発生）図２に示すような
青色光発生装置を製造した。ただし、ＮｄドープＹＶＯ
４結晶からなるレーザ発振体３、光学系２、半導体レー
ザ１は前述のとおりである。
青色光発生装置を製造した。ただし、ＮｄドープＹＶＯ
４結晶からなるレーザ発振体３、光学系２、半導体レー
ザ１は前述のとおりである。
【００４３】なお、第二高調波発生素子５は、以下のよ
うにして製造した。
うにして製造した。
【００４４】３度オフカットのＸ面（８７°Ｚカット）
のＭｇＯを５ｍｏｌ％ドープしたニオブ酸リチウム材料
（厚さ０．５ｍｍ）に、電圧印加法によって、周期４．
２μｍ、分極反転深さ２．５−３．５μｍの周期分極反
転構造を、電圧印加法によって形成した。次いで、この
材料をＸカットのニオブ酸リチウム基板（厚さ１ｍｍ）
へと、酸化珪素を主成分とする低融点ガラスによって接
着した。接着温度は約５００℃とした。接着層の厚さは
約０．５μｍとした。
のＭｇＯを５ｍｏｌ％ドープしたニオブ酸リチウム材料
（厚さ０．５ｍｍ）に、電圧印加法によって、周期４．
２μｍ、分極反転深さ２．５−３．５μｍの周期分極反
転構造を、電圧印加法によって形成した。次いで、この
材料をＸカットのニオブ酸リチウム基板（厚さ１ｍｍ）
へと、酸化珪素を主成分とする低融点ガラスによって接
着した。接着温度は約５００℃とした。接着層の厚さは
約０．５μｍとした。
【００４５】次いで、前記ニオブ酸リチウム材料を機械
研削装置によって研削加工し、厚さを３．５μｍとし
た。次いで、ダイシング加工装置を用いて、リッジ型の
三次元光導波路を形成した。この光導波路中に周期分極
反転構造が形成されるようにした。
研削装置によって研削加工し、厚さを３．５μｍとし
た。次いで、ダイシング加工装置を用いて、リッジ型の
三次元光導波路を形成した。この光導波路中に周期分極
反転構造が形成されるようにした。
【００４６】この素子５の入射側端面には、波長９１４
ｎｍのレーザ光に対する反射率０．５％以下、波長４５
７ｎｍのレーザ光に対する反射率９９％以上の誘電多層
膜コートを施した。出射側端面には、波長４５７ｎｍの
レーザ光に対する反射率０．５％以下の誘電多層膜コー
トを施した。
ｎｍのレーザ光に対する反射率０．５％以下、波長４５
７ｎｍのレーザ光に対する反射率９９％以上の誘電多層
膜コートを施した。出射側端面には、波長４５７ｎｍの
レーザ光に対する反射率０．５％以下の誘電多層膜コー
トを施した。
【００４７】レーザ発振体３から発振された波長９１４
ｎｍのレーザ光を、擬似位相整合方式の第二高調波発生
素子５に、レンズ結合にてコリメートし、波長４５７ｎ
ｍのレーザＥを発生させることに成功した。ここで、励
起光（波長８８０ｎｍ）の出力は、表１、図４に示すよ
うに変更し、得られた波長４５７ｎｍの青色レーザ光の
出力を測定し、表１、図４に示した。この結果からわか
るように、青色レーザ光の発振のしきい値は約２００ｍ
Ｗと低く、かつスロープ特性も良好である。励起光出力
１Ｗの時、２５０ｍＷの４５７ｎｍのレーザ光が得られ
た。光−光総合効率２５％と高く、実用的である。
ｎｍのレーザ光を、擬似位相整合方式の第二高調波発生
素子５に、レンズ結合にてコリメートし、波長４５７ｎ
ｍのレーザＥを発生させることに成功した。ここで、励
起光（波長８８０ｎｍ）の出力は、表１、図４に示すよ
うに変更し、得られた波長４５７ｎｍの青色レーザ光の
出力を測定し、表１、図４に示した。この結果からわか
るように、青色レーザ光の発振のしきい値は約２００ｍ
Ｗと低く、かつスロープ特性も良好である。励起光出力
１Ｗの時、２５０ｍＷの４５７ｎｍのレーザ光が得られ
た。光−光総合効率２５％と高く、実用的である。
【００４８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、波
長４５７±１ｎｍの青色レーザ光を発生させることがで
き、かつ駆動電圧が低く、発熱量の低い実用的な装置を
提供可能である。
長４５７±１ｎｍの青色レーザ光を発生させることがで
き、かつ駆動電圧が低く、発熱量の低い実用的な装置を
提供可能である。
【図１】ＮｄドープＹＶＯ４結晶においてレーザ発振に
関与する代表的なエネルギー準位を示す模式図である。
関与する代表的なエネルギー準位を示す模式図である。
【図２】青色レーザ光発生装置の一例を示す模式図であ
る。
る。
【図３】他の例のレーザ光発生装置を示す模式図であ
る。
る。
【図４】本発明例において、励起光の出力と、波長９１
４ｎｍの出射光および波長４５７ｎｍの出射光の出力と
の関係を示すグラフである。
４ｎｍの出射光および波長４５７ｎｍの出射光の出力と
の関係を示すグラフである。
１ 励起光光源 ２、２Ａ、４ 光学系
３ ＮｄドープＹＶＯ４結晶からなるレーザ発振体
５ 波長変換素子 ５ａ 波長変換部
６Ａ、６Ｂ 反射手段 ７ 共振器 Ａ、
Ｂ励起光 Ｃ、Ｄ 波長９１４ｎｍのレーザ光
Ｅ 波長４５７ｎｍのレーザ光
３ ＮｄドープＹＶＯ４結晶からなるレーザ発振体
５ 波長変換素子 ５ａ 波長変換部
６Ａ、６Ｂ 反射手段 ７ 共振器 Ａ、
Ｂ励起光 Ｃ、Ｄ 波長９１４ｎｍのレーザ光
Ｅ 波長４５７ｎｍのレーザ光
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 今枝 美能留
愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日
本碍子株式会社内
Ｆターム(参考） 2K002 AB12 BA03 CA03 DA06 FA27
GA04 HA20
5F072 AB20 AK03 KK06 KK12 PP07
QQ02
Claims (12)
- 【請求項１】長さが０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下の
ＮｄドープＹＶＯ４結晶からなる固体レーザ発振体、こ
の固体レーザ発振体に設けられた反射手段、前記固体レ
ーザ発振体に対して励起光を照射する励起光照射手段、
および導波路型高調波発生素子を備えており、前記固体
レーザ発振体と前記反射手段とによって共振器が構成さ
れており、前記導波路型高調波発生素子が前記共振器の
外部に配置されており、前記固体レーザ発振体から波長
９１４ｎｍ±１ｎｍのレーザ光を発振させ、前記導波路
型高調波発生素子から波長４５７±１ｎｍの青色レーザ
光を発生させることを特徴とする、青色レーザ光発生装
置。 - 【請求項２】前記導波路型高調波発生素子が、接合層あ
るいは基板から突出するリッジ型導波路からなる波長変
換部を備えることを特徴とする、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】前記励起光の波長が８８０ｎｍ±２ｎｍで
あることを特徴とする、請求項１または２記載の装置。 - 【請求項４】前記導波路型高調波発生素子が、酸化マグ
ネシウムをドープしたニオブ酸リチウム単結晶からなる
波長変換部を備えていることを特徴とする、請求項１〜
３のいずれか一つの請求項に記載の装置。 - 【請求項５】前記導波路型高調波発生素子が、ニオブ酸
リチウムカリウム単結晶からなる波長変換部を備えてい
ることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請
求項に記載の装置。 - 【請求項６】前記ＮｄドープＹＶＯ４結晶におけるＮｄ
のドープ量が１〜１．５ａｔ．％であることを特徴とす
る、請求項１〜５のいずれか一つの請求項に記載の装
置。 - 【請求項７】長さが０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下の
ＮｄドープＹＶＯ４結晶からなる固体レーザ発振体、こ
の固体レーザ発振体に設けられた反射手段、および導波
路型高調波発生素子を使用し、前記固体レーザ発振体と
前記反射手段とによって共振器が構成されており、前記
導波路型高調波発生素子が前記共振器の外部に配置され
ており、前記固体レーザ発振体に対して励起光を照射す
ることにより、前記固体レーザ発振体から波長９１４ｎ
ｍ±１ｎｍのレーザ光を発振させ、前記導波路型高調波
発生素子から波長４５７±１ｎｍの青色レーザ光を発生
させることを特徴とする、青色レーザの発生方法。 - 【請求項８】前記導波路型高調波発生素子が、接合層あ
るいは基板から突出するリッジ型導波路からなる波長変
換部を備えることを特徴とする、請求項７記載の方法。 - 【請求項９】前記励起光の波長が８８０ｎｍ±２ｎｍで
あることを特徴とする、請求項７または８記載の方法。 - 【請求項１０】前記導波路型高調波発生素子が、酸化マ
グネシウムをドープしたニオブ酸リチウム単結晶からな
る波長変換部を備えていることを特徴とする、請求項７
〜９のいずれか一つの請求項に記載の方法。 - 【請求項１１】前記導波路型高調波発生素子が、ニオブ
酸リチウムカリウム単結晶からなる波長変換部を備えて
いることを特徴とする、請求項７〜９のいずれか一つの
請求項に記載の方法。 - 【請求項１２】前記ＮｄドープＹＶＯ４結晶におけるＮ
ｄのドープ量が１〜１．５ａｔ．％であることを特徴と
する、請求項７〜１１のいずれか一つの請求項に記載の
方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002100130A JP2003295244A (ja) | 2002-04-02 | 2002-04-02 | 青色レーザ光発生装置および青色レーザ光の発生方法 |
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| EP03252055A EP1355188A3 (en) | 2002-04-02 | 2003-03-31 | Systems and a method for generating blue laser beam |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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|---|---|
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| EP (1) | EP1355188A3 (ja) |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007316339A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長変換レーザ |
| JP2011515869A (ja) * | 2008-03-28 | 2011-05-19 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 高効率利得媒質を有するレーザ |
| JP2013187212A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Shimadzu Corp | 小型固体レーザ素子 |
| US10367324B2 (en) | 2016-10-28 | 2019-07-30 | Inter-University Research Institute Corporation National Institutes Of Natural Sciences | Laser component |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039093A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Okazaki National Research Institutes | レーザ装置 |
| JP2005055528A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Ngk Insulators Ltd | 青色レーザ光の発振方法および装置 |
| US7535937B2 (en) * | 2005-03-18 | 2009-05-19 | Pavilion Integration Corporation | Monolithic microchip laser with intracavity beam combining and sum frequency or difference frequency mixing |
| CN100353252C (zh) * | 2005-09-28 | 2007-12-05 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 高斯倍频光脉冲的产生方法 |
| CN101000997A (zh) * | 2006-01-09 | 2007-07-18 | 中国科学院物理研究所 | 波长为916nm的Nd:LuVO4激光器 |
| US7733927B2 (en) * | 2006-06-22 | 2010-06-08 | Panasonic Corporation | Laser light source device and image display device |
| CN102273147A (zh) * | 2008-11-16 | 2011-12-07 | 瓦伦斯半导体有限责任公司 | 自配置非对称通信链路 |
| US9008144B2 (en) * | 2012-01-20 | 2015-04-14 | Henry Yang Pang | Low noise optically pumped laser structures utilizing dispersion elements |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03132628A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-06 | Nec Corp | 波長変換素子 |
| JPH03260457A (ja) | 1990-03-09 | 1991-11-20 | Toyota Motor Corp | 車両用自動変速機の変速制御装置 |
| JPH0511289A (ja) | 1991-07-01 | 1993-01-19 | Ricoh Co Ltd | 光源装置及びそれを用いた光ピツクアツプ |
| JPH0590687A (ja) | 1991-08-01 | 1993-04-09 | Ricoh Co Ltd | 光源装置及びそれを用いた光ピツクアツプ |
| JPH05243659A (ja) | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Hitachi Ltd | レーザ装置 |
| US5377212A (en) * | 1991-10-17 | 1994-12-27 | Hitachi, Ltd. | Solid-state laser device including uniaxial laser crystal emitting linearly polarized fundamental wave and nonlinear optical crystal emitting linearly polarized harmonic wave |
| JP3529144B2 (ja) | 1992-03-03 | 2004-05-24 | 富士写真フイルム株式会社 | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 |
| JP2919664B2 (ja) | 1992-04-16 | 1999-07-12 | 津田駒工業株式会社 | 自動リンキングシステム |
| WO1995006345A2 (en) * | 1993-08-26 | 1995-03-02 | Laser Power Corporation | Deep blue microlaser |
| FR2734092B1 (fr) * | 1995-05-12 | 1997-06-06 | Commissariat Energie Atomique | Microlaser monolithique declenche et materiau non lineaire intracavite |
| US5802086A (en) * | 1996-01-29 | 1998-09-01 | Laser Power Corporation | Single cavity solid state laser with intracavity optical frequency mixing |
| US5627849A (en) * | 1996-03-01 | 1997-05-06 | Baer; Thomas M. | Low amplitude noise, intracavity doubled laser |
| JPH10293268A (ja) | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Sony Corp | レーザディスプレイ装置 |
| US6181462B1 (en) * | 1998-05-27 | 2001-01-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Second harmonic wave-generation device |
| US6366596B1 (en) * | 2000-01-21 | 2002-04-02 | Photonics Industries International, Inc. | High power laser |
| JP2001223423A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Inst Of Physical & Chemical Res | レーザー装置 |
| JP3848093B2 (ja) | 2000-03-21 | 2006-11-22 | 松下電器産業株式会社 | 光導波路素子、光波長変換素子および光導波路素子の製造方法 |
-
2002
- 2002-04-02 JP JP2002100130A patent/JP2003295244A/ja active Pending
-
2003
- 2003-03-26 US US10/396,370 patent/US6807210B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-31 EP EP03252055A patent/EP1355188A3/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007316339A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長変換レーザ |
| JP4549313B2 (ja) * | 2006-05-25 | 2010-09-22 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換レーザ |
| JP2011515869A (ja) * | 2008-03-28 | 2011-05-19 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 高効率利得媒質を有するレーザ |
| JP2013187212A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Shimadzu Corp | 小型固体レーザ素子 |
| US10367324B2 (en) | 2016-10-28 | 2019-07-30 | Inter-University Research Institute Corporation National Institutes Of Natural Sciences | Laser component |
Also Published As
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