JP2003295210A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JP2003295210A JP2003295210A JP2002100723A JP2002100723A JP2003295210A JP 2003295210 A JP2003295210 A JP 2003295210A JP 2002100723 A JP2002100723 A JP 2002100723A JP 2002100723 A JP2002100723 A JP 2002100723A JP 2003295210 A JP2003295210 A JP 2003295210A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素の開口率を低減させることなく、容量素
子の容量を適切な値に設定する。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に容量素子と、
この容量素子を構成する一方の電極の層と他方の電極の
層との間に少なくとも有機膜からなる層が形成され、こ
の有機膜は該容量素子の部分で開口が形成されている。
子の容量を適切な値に設定する。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に容量素子と、
この容量素子を構成する一方の電極の層と他方の電極の
層との間に少なくとも有機膜からなる層が形成され、こ
の有機膜は該容量素子の部分で開口が形成されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関す
る。
る。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、液晶を介して対向配置
される各基板の液晶側の各画素領域に少なくとも一対の
電極を備える電子回路が組み込まれ、該各電極に発生す
る電界によって液晶の光透過率を制御させるようにして
いる。
される各基板の液晶側の各画素領域に少なくとも一対の
電極を備える電子回路が組み込まれ、該各電極に発生す
る電界によって液晶の光透過率を制御させるようにして
いる。
【0003】そして、各基板のうち前記電子回路が形成
されている基板側において有機膜、さらには有機膜の一
例としてカラーフィルタをも形成したものが知られるに
至っている。このようにした場合、一方の基板に対する
他方の基板の合わせずれによる裕度が飛躍的に向上する
からである。
されている基板側において有機膜、さらには有機膜の一
例としてカラーフィルタをも形成したものが知られるに
至っている。このようにした場合、一方の基板に対する
他方の基板の合わせずれによる裕度が飛躍的に向上する
からである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このように構
成された液晶表示装置は、該電子回路の一つを構成する
容量素子の容量値が低減してしまうことが指摘されるに
至った。
成された液晶表示装置は、該電子回路の一つを構成する
容量素子の容量値が低減してしまうことが指摘されるに
至った。
【0005】該容量素子は一対の電極に映像情報を書き
込んだ後に比較的長く蓄積等させるためのもので、所定
の容量値が得られない場合に画質の向上が図れないとい
う不都合が生じる。
込んだ後に比較的長く蓄積等させるためのもので、所定
の容量値が得られない場合に画質の向上が図れないとい
う不都合が生じる。
【0006】また、この容量素子の容量値を増大させる
場合に、その各電極の重畳面積を増大させる等の構成が
考えられるが、その分画素のいわゆる開口率が低減して
しまう等の不都合が生じる。
場合に、その各電極の重畳面積を増大させる等の構成が
考えられるが、その分画素のいわゆる開口率が低減して
しまう等の不都合が生じる。
【0007】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、その目的は、画素の開口率を低減させるこ
となく、容量素子の容量を適切な値に設定できる液晶表
示装置を提供することにある。
れたもので、その目的は、画素の開口率を低減させるこ
となく、容量素子の容量を適切な値に設定できる液晶表
示装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0009】手段1.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に容量素子と、この容
量素子を構成する一方の電極の層と他方の電極の層との
間に少なくとも有機膜からなる層が形成され、この有機
膜は該容量素子の部分で開口が形成されていることを特
徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に容量素子と、この容
量素子を構成する一方の電極の層と他方の電極の層との
間に少なくとも有機膜からなる層が形成され、この有機
膜は該容量素子の部分で開口が形成されていることを特
徴とするものである。
【0010】手段2.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に容量素子と、この容
量素子を構成する一方の電極の層と他方の電極の層との
間に少なくとも有機膜からなる層が形成され、この有機
膜は該容量素子の部分を境にして分離されて形成されて
いることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に容量素子と、この容
量素子を構成する一方の電極の層と他方の電極の層との
間に少なくとも有機膜からなる層が形成され、この有機
膜は該容量素子の部分を境にして分離されて形成されて
いることを特徴とするものである。
【0011】手段3.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面のマトリクス状に配置された各画素
領域毎に液晶を駆動させる電子回路と、一方向に配列さ
れる各画素領域群に共通な色のカラーフィルタとが形成
され、このカラーフィルタは、前記電子回路の一つを構
成する容量素子の各電極の間の誘電体膜と積層されて形
成されているとともに、各電極の間の少なくとも一部に
除去部分を有していることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面のマトリクス状に配置された各画素
領域毎に液晶を駆動させる電子回路と、一方向に配列さ
れる各画素領域群に共通な色のカラーフィルタとが形成
され、このカラーフィルタは、前記電子回路の一つを構
成する容量素子の各電極の間の誘電体膜と積層されて形
成されているとともに、各電極の間の少なくとも一部に
除去部分を有していることを特徴とするものである。
【0012】手段4.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段3の構成を前提として、前記カラーフィル
タは、前記容量素子の形成部分にて分離されていること
を特徴とするものである。
とえば、手段3の構成を前提として、前記カラーフィル
タは、前記容量素子の形成部分にて分離されていること
を特徴とするものである。
【0013】手段5.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段3の構成を前提として、前記カラーフィル
タは、その長手方向辺の少なくとも一方の辺側から前記
容量素子の形成領域の一部にまで延在された切欠きが形
成されていることを特徴とするものである。
とえば、手段3の構成を前提として、前記カラーフィル
タは、その長手方向辺の少なくとも一方の辺側から前記
容量素子の形成領域の一部にまで延在された切欠きが形
成されていることを特徴とするものである。
【0014】手段6.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段5の構成を前提として、前記切欠きの延在
部の長さ調整によって前記容量素子の容量値が調整され
ていることを特徴とするものである。
とえば、手段5の構成を前提として、前記切欠きの延在
部の長さ調整によって前記容量素子の容量値が調整され
ていることを特徴とするものである。
【0015】手段7.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号によって作動するスイッチング素子と、この
スイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信
号が供給される画素電極と、前記ゲート信号線とほぼ平
行に配置される第1対向電圧信号線を介して基準電圧が
供給される対向電極とが形成されているとともに、前記
第1対向電圧信号線が形成される層と画素電極が形成さ
れる層との間に少なくとも保護膜と有機膜との順次積層
体が介在され、前記有機膜は前記第1対向電圧信号線の
上方で分離されて形成されているとともに、前記第1対
向電圧信号線と画素電極の重畳部におけるそれらの介在
層が前記保護膜となっていることを特徴とするものであ
る。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号によって作動するスイッチング素子と、この
スイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信
号が供給される画素電極と、前記ゲート信号線とほぼ平
行に配置される第1対向電圧信号線を介して基準電圧が
供給される対向電極とが形成されているとともに、前記
第1対向電圧信号線が形成される層と画素電極が形成さ
れる層との間に少なくとも保護膜と有機膜との順次積層
体が介在され、前記有機膜は前記第1対向電圧信号線の
上方で分離されて形成されているとともに、前記第1対
向電圧信号線と画素電極の重畳部におけるそれらの介在
層が前記保護膜となっていることを特徴とするものであ
る。
【0016】手段8.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段7の構成を前提として、対向電極は有機膜
の上方の層に形成され、ドレイン信号線を被って形成さ
れるものを含む複数の電極から構成されるとともに、そ
れら各電極は第1対向電圧信号線を被って形成される対
向電圧信号線と一体に形成され、この対向電圧信号線は
前記有機膜の分離個所でスルーホールを介して前記第1
対向電圧信号線と電気的接続されていることを特徴とす
るものである。
とえば、手段7の構成を前提として、対向電極は有機膜
の上方の層に形成され、ドレイン信号線を被って形成さ
れるものを含む複数の電極から構成されるとともに、そ
れら各電極は第1対向電圧信号線を被って形成される対
向電圧信号線と一体に形成され、この対向電圧信号線は
前記有機膜の分離個所でスルーホールを介して前記第1
対向電圧信号線と電気的接続されていることを特徴とす
るものである。
【0017】手段9.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号によって作動するスイッチング素子と、この
スイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信
号が供給される画素電極と、前記ゲート信号線とほぼ平
行に配置される第1対向電圧信号線を介して基準電圧が
供給される対向電極とが形成されているとともに、前記
第1対向電圧信号線が形成される層と画素電極が形成さ
れる層との間に少なくとも保護膜と有機膜との順次積層
体が介在され、前記有機膜は一方のドレイン信号線側か
ら前記第1対向電圧信号線に沿って延在する切欠きが形
成されているとともに、前記第1対向電圧信号線と画素
電極の重畳部の一部におけるそれらの介在層が前記保護
膜となっていることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号によって作動するスイッチング素子と、この
スイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信
号が供給される画素電極と、前記ゲート信号線とほぼ平
行に配置される第1対向電圧信号線を介して基準電圧が
供給される対向電極とが形成されているとともに、前記
第1対向電圧信号線が形成される層と画素電極が形成さ
れる層との間に少なくとも保護膜と有機膜との順次積層
体が介在され、前記有機膜は一方のドレイン信号線側か
ら前記第1対向電圧信号線に沿って延在する切欠きが形
成されているとともに、前記第1対向電圧信号線と画素
電極の重畳部の一部におけるそれらの介在層が前記保護
膜となっていることを特徴とするものである。
【0018】手段10.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、手段9の構成を前提として、対向電極は有機
膜の上方の層に形成され、ドレイン信号線を被って形成
されるものを含む複数の電極から構成されるとともに、
それら各電極は第1対向電圧信号線を被って形成される
対向電圧信号線と一体に形成され、この対向電圧信号線
は前記有機膜の前記切欠きの部分でスルーホールを介し
て前記第1対向電圧信号線と電気的接続されていること
を特徴とするものである。
たとえば、手段9の構成を前提として、対向電極は有機
膜の上方の層に形成され、ドレイン信号線を被って形成
されるものを含む複数の電極から構成されるとともに、
それら各電極は第1対向電圧信号線を被って形成される
対向電圧信号線と一体に形成され、この対向電圧信号線
は前記有機膜の前記切欠きの部分でスルーホールを介し
て前記第1対向電圧信号線と電気的接続されていること
を特徴とするものである。
【0019】手段11.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一
方の基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号線か
らの走査信号によって作動するスイッチング素子と、こ
のスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像
信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電
界を発生せしめる対向電極と、前記画素電極が形成され
る層と対向電極が形成される層との間に配置された少な
くとも有機膜を含む層とを有し、前記対向電極は、前記
有機膜を含む層の上層に形成され、前記ドレイン信号線
を被って形成される電極を含むとともに、前記ゲート信
号線を被って形成される対向電圧信号線と一体に形成さ
れ、前記画素電極の一部が前記対向電圧信号線と重ねら
れて形成された部分を境にして有機膜が分離されて形成
されていることを特徴とするものである。
たとえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一
方の基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号線か
らの走査信号によって作動するスイッチング素子と、こ
のスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像
信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電
界を発生せしめる対向電極と、前記画素電極が形成され
る層と対向電極が形成される層との間に配置された少な
くとも有機膜を含む層とを有し、前記対向電極は、前記
有機膜を含む層の上層に形成され、前記ドレイン信号線
を被って形成される電極を含むとともに、前記ゲート信
号線を被って形成される対向電圧信号線と一体に形成さ
れ、前記画素電極の一部が前記対向電圧信号線と重ねら
れて形成された部分を境にして有機膜が分離されて形成
されていることを特徴とするものである。
【0020】手段12.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、手段1、2、7ないし11のうちいずれかの
構成を前提とし、前記有機膜がカラーフィルタであるこ
とを特徴とするものである。
たとえば、手段1、2、7ないし11のうちいずれかの
構成を前提とし、前記有機膜がカラーフィルタであるこ
とを特徴とするものである。
【0021】なお、本発明は以上の構成に限定されず、
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能
である。
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能
である。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例1. 《全体の構成》図2は、本発明による液晶表示装置の一
実施例を示す構成図である。同図は等価回路で示してい
るが、実際の幾何学的配置に対応する図となっている。
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例1. 《全体の構成》図2は、本発明による液晶表示装置の一
実施例を示す構成図である。同図は等価回路で示してい
るが、実際の幾何学的配置に対応する図となっている。
【0023】液晶を介して互いに対向配置される一対の
透明基板SUB1、SUB2があり、該液晶は一方の透
明基板SUB1に対する他方の透明基板SUB2の固定
を兼ねるシール材SLによって封入されている。
透明基板SUB1、SUB2があり、該液晶は一方の透
明基板SUB1に対する他方の透明基板SUB2の固定
を兼ねるシール材SLによって封入されている。
【0024】シール材SLによって囲まれた前記一方の
透明基板SUB1の液晶側の面には、そのx方向に延在
しy方向に並設されたゲート信号線GLとy方向に延在
しx方向に並設されたドレイン信号線DLとが形成され
ている。
透明基板SUB1の液晶側の面には、そのx方向に延在
しy方向に並設されたゲート信号線GLとy方向に延在
しx方向に並設されたドレイン信号線DLとが形成され
ている。
【0025】各ゲート信号線GLと各ドレイン信号線D
Lとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部A
Rを構成するようになっている。
Lとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部A
Rを構成するようになっている。
【0026】また、x方向に並設される各画素領域のそ
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線CLが形成されている。この対向電圧信号線
CLは各画素領域の後述する対向電極CTに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線CLが形成されている。この対向電圧信号線
CLは各画素領域の後述する対向電極CTに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
【0027】各画素領域には、その片側のゲート信号線
GLからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タTFTと、この薄膜トランジスタTFTを介して片側
のドレイン信号線DLからの映像信号が供給される画素
電極PXが形成されている。
GLからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タTFTと、この薄膜トランジスタTFTを介して片側
のドレイン信号線DLからの映像信号が供給される画素
電極PXが形成されている。
【0028】この画素電極PXは、前記対向電圧信号線
CLと接続された対向電極CTとの間に電界を発生さ
せ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるよう
になっている。
CLと接続された対向電極CTとの間に電界を発生さ
せ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるよう
になっている。
【0029】前記ゲート信号線GLのそれぞれの一端は
前記シール材SLを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Vの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Vの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
前記シール材SLを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Vの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Vの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
【0030】垂直走査駆動回路Vは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どおしが
グループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装
置があてがわれるようになっている。
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どおしが
グループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装
置があてがわれるようになっている。
【0031】同様に、前記ドレイン信号線DLのそれぞ
れの一端は前記シール材SLを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Heの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Heの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
れの一端は前記シール材SLを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Heの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Heの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
【0032】この映像信号駆動回路Heも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
どおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の
半導体装置があてがわれるようになっている。
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
どおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の
半導体装置があてがわれるようになっている。
【0033】また、x方向に併設された各画素領域に共
通な前記対向電圧信号線CLは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材SLを超えて延在さ
れ、その延在端において端子を構成している。この端子
からは映像信号に対して基準となる電圧が供給されるよ
うになっている。
通な前記対向電圧信号線CLは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材SLを超えて延在さ
れ、その延在端において端子を構成している。この端子
からは映像信号に対して基準となる電圧が供給されるよ
うになっている。
【0034】前記各ゲート信号線GLは、垂直走査駆動
回路Vからの走査信号によって、その一つが順次選択さ
れるようになっている。
回路Vからの走査信号によって、その一つが順次選択さ
れるようになっている。
【0035】また、前記各ドレイン信号線DLのそれぞ
れには、映像信号駆動回路Heによって、前記ゲート信
号線GLの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
れには、映像信号駆動回路Heによって、前記ゲート信
号線GLの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
【0036】なお、上述した実施例では、垂直走査駆動
回路Vおよび映像信号駆動回路Heは透明基板SUB1
に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえ
ば透明基板SUB1とプリント基板との間を跨って接続
されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であっ
てもよく、さらに、前記薄膜トランジスタTFTの半導
体層が多結晶シリコン(p−Si)から構成される場
合、透明基板SUB1面に前記多結晶シリコンからなる
半導体素子を配線層とともに形成されたものであっても
よい。
回路Vおよび映像信号駆動回路Heは透明基板SUB1
に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえ
ば透明基板SUB1とプリント基板との間を跨って接続
されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であっ
てもよく、さらに、前記薄膜トランジスタTFTの半導
体層が多結晶シリコン(p−Si)から構成される場
合、透明基板SUB1面に前記多結晶シリコンからなる
半導体素子を配線層とともに形成されたものであっても
よい。
【0037】《画素の構成》図1は前記画素領域の構成
の一実施例を示す構成図である。図1(a)は平面図、
図1(b)は図1(a)のb−b線における断面図、図
1(c)は図1(a)のc−c線における断面図、図1
(d)は図1(a)のd−d線における断面図である。
の一実施例を示す構成図である。図1(a)は平面図、
図1(b)は図1(a)のb−b線における断面図、図
1(c)は図1(a)のc−c線における断面図、図1
(d)は図1(a)のd−d線における断面図である。
【0038】透明基板SUB1の液晶側の面に、まず、
x方向に延在しy方向に並設される一対のゲート信号線
GLが形成されている。
x方向に延在しy方向に並設される一対のゲート信号線
GLが形成されている。
【0039】これらゲート信号線GLは後述の一対のド
レイン信号線DLとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。
レイン信号線DLとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。
【0040】また、一対のゲート信号線GLのそれらの
中央に該ゲート信号線GLと平行に第1対向電圧信号線
CL1が形成されている。この第1対向電圧信号線CL
1はたとえばゲート信号線GLの形成の際に同時に形成
されるようになっている。
中央に該ゲート信号線GLと平行に第1対向電圧信号線
CL1が形成されている。この第1対向電圧信号線CL
1はたとえばゲート信号線GLの形成の際に同時に形成
されるようになっている。
【0041】ここで、第1対向電圧信号線CL1とした
のは後述する対向電圧信号線CLと区別するためであ
る。
のは後述する対向電圧信号線CLと区別するためであ
る。
【0042】このようにゲート信号線GLおよび第1対
向電圧信号線CL1が形成された透明基板SUB1の表
面にはたとえばSiNからなる絶縁膜GIが該ゲート信
号線GL等をも被って形成されている。
向電圧信号線CL1が形成された透明基板SUB1の表
面にはたとえばSiNからなる絶縁膜GIが該ゲート信
号線GL等をも被って形成されている。
【0043】この絶縁膜GIは、後述のドレイン信号線
DLの形成領域においては前記ゲート信号線GLに対す
る層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタ
TFTの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての
機能を有するようになっている。
DLの形成領域においては前記ゲート信号線GLに対す
る層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタ
TFTの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての
機能を有するようになっている。
【0044】そして、この絶縁膜GIの表面であって、
前記ゲート信号線GLの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスSiからなる半導体層ASが形成され
ている。
前記ゲート信号線GLの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスSiからなる半導体層ASが形成され
ている。
【0045】この半導体層ASは、薄膜トランジスタT
FTのそれであって、その上面にドレイン電極SD1お
よびソース電極SD2を形成することにより、ゲート信
号線の一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS(met
al insulator semiconductor)型トランジスタを構成
することができる。
FTのそれであって、その上面にドレイン電極SD1お
よびソース電極SD2を形成することにより、ゲート信
号線の一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS(met
al insulator semiconductor)型トランジスタを構成
することができる。
【0046】ここで、前記ドイレン電極SD1およびソ
ース電極SD2はドレイン信号線DLの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
ース電極SD2はドレイン信号線DLの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
【0047】すなわち、y方向に延在されx方向に並設
されるドレイン信号線DLが形成され、その一部が前記
半導体層ASの上面にまで延在されてドレイン電極SD
1が形成され、また、このドレイン電極SD1と薄膜ト
ランジスタTFTのチャネル長分だけ離間されてソース
電極SD2が形成されている。
されるドレイン信号線DLが形成され、その一部が前記
半導体層ASの上面にまで延在されてドレイン電極SD
1が形成され、また、このドレイン電極SD1と薄膜ト
ランジスタTFTのチャネル長分だけ離間されてソース
電極SD2が形成されている。
【0048】また、このソース電極SD2は画素領域内
に形成される画素電極PXと一体に形成されている。
に形成される画素電極PXと一体に形成されている。
【0049】画素電極PXは画素領域内をそのy方向に
延在しx方向に並設された単数もしくは複数(図では2
本)の電極群から構成されている。このうち一つの画素
電極PXの一方の端部は前記ソース電極SD2を兼ね、
その中央部の前記対向電圧信号線CL1の上方にて他の
画素電極PXの対応する個所との間に互いに電気的接続
が図れるようになっている。換言すれば、各画素電極P
Xはそれぞれ前記対向電圧信号線CL1に重畳する接続
部によって互いに電気的接続がなされている。
延在しx方向に並設された単数もしくは複数(図では2
本)の電極群から構成されている。このうち一つの画素
電極PXの一方の端部は前記ソース電極SD2を兼ね、
その中央部の前記対向電圧信号線CL1の上方にて他の
画素電極PXの対応する個所との間に互いに電気的接続
が図れるようになっている。換言すれば、各画素電極P
Xはそれぞれ前記対向電圧信号線CL1に重畳する接続
部によって互いに電気的接続がなされている。
【0050】このように薄膜トランジスタTFT、ドイ
レン信号線DL、ドレイン電極SD1、ソース電極SD
2、および画素電極PXが形成された透明基板SUB1
の表面には保護膜PASが形成されている。この保護膜
PASは前記薄膜トランジスタTFTの液晶との直接の
接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタTFTの特性
劣化を防止せんとするようになっている。
レン信号線DL、ドレイン電極SD1、ソース電極SD
2、および画素電極PXが形成された透明基板SUB1
の表面には保護膜PASが形成されている。この保護膜
PASは前記薄膜トランジスタTFTの液晶との直接の
接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタTFTの特性
劣化を防止せんとするようになっている。
【0051】なお、この保護膜PASは樹脂等の有機材
料層、あるいはSiNのような無機材料層と樹脂等の有
機材料層の順次積層体から構成されていてもよい。
料層、あるいはSiNのような無機材料層と樹脂等の有
機材料層の順次積層体から構成されていてもよい。
【0052】また、保護膜PASの上面には有機膜たと
えばカラーフィルタCF(OPAS)が形成されてい
る。このカラーフィルタはたとえば赤(R)、緑(G)、
青(B)の各色のフィルタからなり、y方向に並設される
各画素領域群にたとえば赤色のフィルタが共通に形成さ
れ、該画素領域群にx方向に順次隣接する画素領域群に
共通に赤(R)色、緑(G)色、青(B)色、赤(R)色、…
…、というような配列で形成されている。これら各フィ
ルタはその色に対応する顔料が含有された樹脂膜で構成
されている。このため、このカラーフィルタCF(OP
AS)も前記保護膜PASと同様に保護膜OPASとし
て機能することになる。
えばカラーフィルタCF(OPAS)が形成されてい
る。このカラーフィルタはたとえば赤(R)、緑(G)、
青(B)の各色のフィルタからなり、y方向に並設される
各画素領域群にたとえば赤色のフィルタが共通に形成さ
れ、該画素領域群にx方向に順次隣接する画素領域群に
共通に赤(R)色、緑(G)色、青(B)色、赤(R)色、…
…、というような配列で形成されている。これら各フィ
ルタはその色に対応する顔料が含有された樹脂膜で構成
されている。このため、このカラーフィルタCF(OP
AS)も前記保護膜PASと同様に保護膜OPASとし
て機能することになる。
【0053】ここで、これら各カラーフィルタCF(O
PAS)は各画素領域において物理的に分離されてお
り、その分離部は前記第1対向電圧信号線CL1上に位
置づけられている。換言すれば、前記第1対向電圧信号
線CL1の上方においてその走行方向と平行な辺部を除
く中央部において該カラーフィルタCF(OPAS)が
形成されていないようになっている。
PAS)は各画素領域において物理的に分離されてお
り、その分離部は前記第1対向電圧信号線CL1上に位
置づけられている。換言すれば、前記第1対向電圧信号
線CL1の上方においてその走行方向と平行な辺部を除
く中央部において該カラーフィルタCF(OPAS)が
形成されていないようになっている。
【0054】このように構成したのは、ここの部分が容
量素子Cstgの形成領域であり、また後述のように第
1対向電圧信号線CL1を液晶に近接する側の面に引き
出すためのコンタクトを形成するからである。
量素子Cstgの形成領域であり、また後述のように第
1対向電圧信号線CL1を液晶に近接する側の面に引き
出すためのコンタクトを形成するからである。
【0055】そして、カラーフィルタCF(OPAS)
が形成された面には対向電極CTが形成されている。こ
の対向電極CTは前述の画素電極PXと同様にy方向に
延在されx方向に並設された複数(図では3本)の電極
群から構成され、かつ、それら各電極は、平面的に観た場
合、前記画素電極PXを間にして位置付けられるように
なっている。
が形成された面には対向電極CTが形成されている。こ
の対向電極CTは前述の画素電極PXと同様にy方向に
延在されx方向に並設された複数(図では3本)の電極
群から構成され、かつ、それら各電極は、平面的に観た場
合、前記画素電極PXを間にして位置付けられるように
なっている。
【0056】すなわち、対向電極CTと画素電極PX
は、一方の側のドレイン信号線から他方の側のドレイン
信号線にかけて、対向電極、画素電極、対向電極、画素
電極、……、対向電極の順にそれぞれ等間隔に配置され
ている。
は、一方の側のドレイン信号線から他方の側のドレイン
信号線にかけて、対向電極、画素電極、対向電極、画素
電極、……、対向電極の順にそれぞれ等間隔に配置され
ている。
【0057】ここで、画素領域の両側に位置づけられる
対向電極CTは、その一部がドレイン信号線DLに重畳
されて形成されているとともに、隣接する画素領域の対
応する対向電極CTと共通に形成されている。
対向電極CTは、その一部がドレイン信号線DLに重畳
されて形成されているとともに、隣接する画素領域の対
応する対向電極CTと共通に形成されている。
【0058】換言すれは、ドレイン信号線DL上には対
向電極CTがその中心軸をほぼ一致づけて重畳され、該
対向電極CTの幅はドレイン信号線DLのそれよりも大
きく形成されている。ドレイン信号線DLに対して左側
の対向電極CTは左側の画素領域の各対向電極CTの一
つを構成し、右側の対向電極CTは右側の画素領域の各
対向電極CTの一つを構成するようになっている。
向電極CTがその中心軸をほぼ一致づけて重畳され、該
対向電極CTの幅はドレイン信号線DLのそれよりも大
きく形成されている。ドレイン信号線DLに対して左側
の対向電極CTは左側の画素領域の各対向電極CTの一
つを構成し、右側の対向電極CTは右側の画素領域の各
対向電極CTの一つを構成するようになっている。
【0059】このようにドレイン信号線DLの上方にて
該ドレイン信号線DLよりも幅の広い対向電極CTを形
成することにより、該ドレイン信号線DLからの電気力
線が該対向電極CTに終端し画素電極PXに終端するこ
とを回避できるという効果を奏する。ドレイン信号線D
Lからの電気力線が画素電極PXに終端した場合、それ
がノイズとなってしまうからである。
該ドレイン信号線DLよりも幅の広い対向電極CTを形
成することにより、該ドレイン信号線DLからの電気力
線が該対向電極CTに終端し画素電極PXに終端するこ
とを回避できるという効果を奏する。ドレイン信号線D
Lからの電気力線が画素電極PXに終端した場合、それ
がノイズとなってしまうからである。
【0060】電極群からなる各対向電極CTは、第1対
向電圧信号線CL1およびゲート信号線GLを被って形
成される同一の材料からなる対向電圧信号線CLと一体
的に形成されている。
向電圧信号線CL1およびゲート信号線GLを被って形
成される同一の材料からなる対向電圧信号線CLと一体
的に形成されている。
【0061】そして、第1対向電圧信号線CL1はその
一部において保護膜PASおよび絶縁膜GIを貫通して
形成されるスルーホールによって該第1対向電圧信号線
CL1に重畳して形成された対向電圧信号線CLと電気
的な接続がなされている。すなわち、各対向電極CTに
供給される基準信号は第1対向電圧信号線CL1から対
向電圧信号線CLを介して供給されるようになってい
る。
一部において保護膜PASおよび絶縁膜GIを貫通して
形成されるスルーホールによって該第1対向電圧信号線
CL1に重畳して形成された対向電圧信号線CLと電気
的な接続がなされている。すなわち、各対向電極CTに
供給される基準信号は第1対向電圧信号線CL1から対
向電圧信号線CLを介して供給されるようになってい
る。
【0062】これら各対向電極CTおよび対向電圧信号
線CLは金属層で形成してもよいが、たとえばITO (Ind
ium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO
(Indium Zinc Oxide)、SnO2(酸化スズ)、In2O3(酸化
インジウム)等の透光性の導電層で形成することにより
開口率を向上させることができる。
線CLは金属層で形成してもよいが、たとえばITO (Ind
ium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO
(Indium Zinc Oxide)、SnO2(酸化スズ)、In2O3(酸化
インジウム)等の透光性の導電層で形成することにより
開口率を向上させることができる。
【0063】この場合、透光性の導電層は電気的抵抗が
比較的大きいことから、前記第1対向電圧信号線CL1
を低抵抗の導電層で構成することにより、第1対向電圧
信号線CL1から対向電圧信号線CLを介して各対向電
極CTに至る配線層の全体的な電気抵抗値を小さく構成
することができるようになる。
比較的大きいことから、前記第1対向電圧信号線CL1
を低抵抗の導電層で構成することにより、第1対向電圧
信号線CL1から対向電圧信号線CLを介して各対向電
極CTに至る配線層の全体的な電気抵抗値を小さく構成
することができるようになる。
【0064】各画素電極PXの接続部とこれに重畳され
て形成される第1対向電圧信号CL1との間には保護膜
PASを誘電体膜とする容量素子Cstgが形成され、
この容量素子Cstgは、たとえば画素電極PXに供給
された映像信号を比較的長く蓄積させる等の機能をもた
せるようになっている。
て形成される第1対向電圧信号CL1との間には保護膜
PASを誘電体膜とする容量素子Cstgが形成され、
この容量素子Cstgは、たとえば画素電極PXに供給
された映像信号を比較的長く蓄積させる等の機能をもた
せるようになっている。
【0065】そして、このように対向電極CTが形成さ
れた透明基板SUB1の上面には該対向電極CTをも被
って配向膜(図示せず)が形成されている。この配向膜
は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラ
ビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけ
るようになっている。
れた透明基板SUB1の上面には該対向電極CTをも被
って配向膜(図示せず)が形成されている。この配向膜
は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラ
ビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけ
るようになっている。
【0066】《効果》このように構成された液晶表示装
置は、第1対向電圧信号線CL1上の一部とその上層に
形成されている対向電圧信号線CLとの電気的接続を図
るスルーホールTHの近傍にて、カラーフィルタCF
(OPAS)が形成されていないことから、該スルーホ
ールTHの加工制約を緩くすることができるようにな
る。
置は、第1対向電圧信号線CL1上の一部とその上層に
形成されている対向電圧信号線CLとの電気的接続を図
るスルーホールTHの近傍にて、カラーフィルタCF
(OPAS)が形成されていないことから、該スルーホ
ールTHの加工制約を緩くすることができるようにな
る。
【0067】また、保持容量素子Cstgは、その部分
においてカラーフィルタCF(OPAS)が存在しない
ことから、画素電極PXと第1対向電圧信号線CL1と
の間の絶縁膜GI、画素電極PXと対向電圧信号線CL
との間の保護膜PASを誘電体膜とし、その容量値の低
減を抑制することができるようになる。
においてカラーフィルタCF(OPAS)が存在しない
ことから、画素電極PXと第1対向電圧信号線CL1と
の間の絶縁膜GI、画素電極PXと対向電圧信号線CL
との間の保護膜PASを誘電体膜とし、その容量値の低
減を抑制することができるようになる。
【0068】さらに、このように保持容量素子Cstg
の容量値の確保ができることから、該保持容量素子Cs
tgの占有面積を大きくする必要がなく、開口率の向上
を図ることができるようになる。
の容量値の確保ができることから、該保持容量素子Cs
tgの占有面積を大きくする必要がなく、開口率の向上
を図ることができるようになる。
【0069】実施例2.図3は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図1(b)に対応し
た図となっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図1(b)に対応し
た図となっている。
【0070】図1(b)と比較して異なる構成は、カラ
ーフィルタCF(OPAS)を被うようにしてたとえば
樹脂膜からなる平坦化膜OCが形成され、第1対向電圧
信号線CL1に重畳する部分において、該カラーフィル
タCF(OPAS)とともに該平坦化膜OCも開口が形
成されていることにある。
ーフィルタCF(OPAS)を被うようにしてたとえば
樹脂膜からなる平坦化膜OCが形成され、第1対向電圧
信号線CL1に重畳する部分において、該カラーフィル
タCF(OPAS)とともに該平坦化膜OCも開口が形
成されていることにある。
【0071】平坦化膜OCはカラーフィルタCF(OP
AS)からの成分が液晶側へ析出されるのを防止するこ
とができる。そして、容量素子Cstgの容量値を確保
するため該平坦化膜OCに上述した開口を形成したもの
であり、これにより第1対向電圧信号線CL1を細線化
させることができ、画素の開口率を向上させることがで
きる。
AS)からの成分が液晶側へ析出されるのを防止するこ
とができる。そして、容量素子Cstgの容量値を確保
するため該平坦化膜OCに上述した開口を形成したもの
であり、これにより第1対向電圧信号線CL1を細線化
させることができ、画素の開口率を向上させることがで
きる。
【0072】実施例3.図4は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図3に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図3に対応した図と
なっている。
【0073】図3と比較して異なる構成は、カラーフィ
ルタCF(OPAS)の上面に平坦化膜OCが形成され
ている構成において、第1対向電圧信号線CL1に重畳
する部分において、カラーフィルタCF(OPAS)の
みに開口を形成して、平坦化膜OCには開口を形成して
いない構成としている。これにより、容量素子Cstg
の誘電体膜は保護膜PASと平坦化膜OCとなる。
ルタCF(OPAS)の上面に平坦化膜OCが形成され
ている構成において、第1対向電圧信号線CL1に重畳
する部分において、カラーフィルタCF(OPAS)の
みに開口を形成して、平坦化膜OCには開口を形成して
いない構成としている。これにより、容量素子Cstg
の誘電体膜は保護膜PASと平坦化膜OCとなる。
【0074】実施例4.図5は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図1に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図1に対応した図と
なっている。
【0075】図1と比較して異なる構成は、第1対向電
圧信号線CL1と対向電圧信号線CLとの電気的接続の
ためのスルーホールが画素領域内に設けられていない構
成となっている。
圧信号線CL1と対向電圧信号線CLとの電気的接続の
ためのスルーホールが画素領域内に設けられていない構
成となっている。
【0076】この場合にあっても、第1対向電圧信号線
CL1と重畳する部分のカラーフィルタCF(OPA
S)に開口が形成され、これにより、容量素子Cstg
の容量値の低減を回避させている。
CL1と重畳する部分のカラーフィルタCF(OPA
S)に開口が形成され、これにより、容量素子Cstg
の容量値の低減を回避させている。
【0077】実施例5.図6は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図5(b)に対応し
た図となっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図5(b)に対応し
た図となっている。
【0078】図5(b)と比較して異なる構成は、カラ
ーフィルタCF(OPAS)を被うようにして平坦化膜
OCが形成され、第1対向電圧信号線CL1に重畳する
部分において、該カラーフィルタCF(OPAS)とと
もに該平坦化膜OCも開口が形成されていることにあ
る。
ーフィルタCF(OPAS)を被うようにして平坦化膜
OCが形成され、第1対向電圧信号線CL1に重畳する
部分において、該カラーフィルタCF(OPAS)とと
もに該平坦化膜OCも開口が形成されていることにあ
る。
【0079】実施例6.図7は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図6に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図6に対応した図と
なっている。
【0080】図6と比較して異なる構成は、カラーフィ
ルタCF(OPAS)の上面に平坦化膜OCが形成され
ている構成において、第1対向電圧信号線CL1に重畳
する部分において、カラーフィルタCF(OPAS)の
みに開口を形成して、平坦化膜OCには開口を形成して
いない構成としている。
ルタCF(OPAS)の上面に平坦化膜OCが形成され
ている構成において、第1対向電圧信号線CL1に重畳
する部分において、カラーフィルタCF(OPAS)の
みに開口を形成して、平坦化膜OCには開口を形成して
いない構成としている。
【0081】実施例7.図8(a)は、本発明による液
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図1(a)に
対応した図となっている。なお、図8(a)のb−b線
における断面図を図8(b)に示している。
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図1(a)に
対応した図となっている。なお、図8(a)のb−b線
における断面図を図8(b)に示している。
【0082】図1(a)と比較して異なる構成は、第1
対向電圧信号線CL1に重畳して配置される対向電圧信
号線CLは該第1対向電圧信号線CL1の全域に形成さ
れておらず、一方の映像信号線DLに重畳して配置され
る対向電極CTから所定の長さ分だけ延在され該第1対
向電圧信号線CL1に重畳して形成されている。
対向電圧信号線CL1に重畳して配置される対向電圧信
号線CLは該第1対向電圧信号線CL1の全域に形成さ
れておらず、一方の映像信号線DLに重畳して配置され
る対向電極CTから所定の長さ分だけ延在され該第1対
向電圧信号線CL1に重畳して形成されている。
【0083】すなわち、前記対向電極CTから延在され
た延在部を所定の長さに設定することによって容量素子
Cstgの容量値を所望の値に制御できるようになって
いる。
た延在部を所定の長さに設定することによって容量素子
Cstgの容量値を所望の値に制御できるようになって
いる。
【0084】そして、前記対向電極CTから延在された
延在部の一部において、第1対向電圧信号線CL1との
電気的接続を図るスルーホールTHが形成されている。
延在部の一部において、第1対向電圧信号線CL1との
電気的接続を図るスルーホールTHが形成されている。
【0085】図9は、前記対向電極CTから延在された
延在部とスルーホールTHとの位置関係を示した図であ
る。スルーホールTHの径をW1とした場合、前記延在
部はスルーホールTHの左端からW2の長さで延在さ
れ、W1<W2となっている。この場合、W2の長さを
調整することによって、容量素子Cstgの容量値を所
望の値に設定することができるようになる。
延在部とスルーホールTHとの位置関係を示した図であ
る。スルーホールTHの径をW1とした場合、前記延在
部はスルーホールTHの左端からW2の長さで延在さ
れ、W1<W2となっている。この場合、W2の長さを
調整することによって、容量素子Cstgの容量値を所
望の値に設定することができるようになる。
【0086】図10、図11は、図8(a)のX−X線
における断面図を示しており、これらの各図はカラーフ
ィルタCF(OPAS)の上面に平坦化膜OCが形成さ
れていてもいなくてもよいことを示している。
における断面図を示しており、これらの各図はカラーフ
ィルタCF(OPAS)の上面に平坦化膜OCが形成さ
れていてもいなくてもよいことを示している。
【0087】実施例8.図12は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す構成図で、図8(a)と対応
した図となっている。
示装置の他の実施例を示す構成図で、図8(a)と対応
した図となっている。
【0088】図8(a)と比較して異なる構成は、第1
対向電圧信号線CL1と対向電圧信号CLとの電気的接
続を図るスルーホールTHに近接するドレイン信号線D
Lとは異なる他のドレイン信号線DLに重畳された対向
電極CTにおいても、該第1対向電圧信号線CL1に重
畳するようにした延在部が設けられている。
対向電圧信号線CL1と対向電圧信号CLとの電気的接
続を図るスルーホールTHに近接するドレイン信号線D
Lとは異なる他のドレイン信号線DLに重畳された対向
電極CTにおいても、該第1対向電圧信号線CL1に重
畳するようにした延在部が設けられている。
【0089】そして、この延在部の長さW3を調整する
ことによって、容量素子Cstgの容量値を制御するよ
うにしたものである。
ことによって、容量素子Cstgの容量値を制御するよ
うにしたものである。
【0090】実施例9.図13は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す構成図で、図1に対応した図
となっている。
示装置の他の実施例を示す構成図で、図1に対応した図
となっている。
【0091】図1と比較して異なる構成は、一画素にお
けるカラーフィルタCF(OPAS)は第1対向電圧信
号線CL1の上方で完全に分離されてはおらず、一方の
辺側から所定の長さW4を有する切欠きが形成されてい
ることにある。
けるカラーフィルタCF(OPAS)は第1対向電圧信
号線CL1の上方で完全に分離されてはおらず、一方の
辺側から所定の長さW4を有する切欠きが形成されてい
ることにある。
【0092】そして、この切欠きは第1対向電圧信号線
CL1と対向電圧信号線CLとの電気的接続を図るスル
ーホールTHが形成されている側に設けられ、該スルー
ホールTHは該切欠き内に位置づけられるようになって
いる。
CL1と対向電圧信号線CLとの電気的接続を図るスル
ーホールTHが形成されている側に設けられ、該スルー
ホールTHは該切欠き内に位置づけられるようになって
いる。
【0093】このように構成された液晶表示装置は、図
1に示した構成と同様な効果を有するとともに、前記切
欠きW4の長さを制御することによって容量素子Cst
gの容量値を所定の値に設定することができるようにな
る。
1に示した構成と同様な効果を有するとともに、前記切
欠きW4の長さを制御することによって容量素子Cst
gの容量値を所定の値に設定することができるようにな
る。
【0094】実施例10.図14は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図14(a)は
図13(b)に対応し、図14(b)は図13(c)に
対応した図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図14(a)は
図13(b)に対応し、図14(b)は図13(c)に
対応した図となっている。
【0095】本実施例は、カラーフィルタCF(OPA
S)を被うようにして平坦化膜OCが形成され、該カラ
ーフィルタCF(OPAS)の切欠きとともに、その切
欠きの周辺部を除く中央部を露出させるようにして該平
坦化膜OCにも切欠きが形成された構成となっている。
S)を被うようにして平坦化膜OCが形成され、該カラ
ーフィルタCF(OPAS)の切欠きとともに、その切
欠きの周辺部を除く中央部を露出させるようにして該平
坦化膜OCにも切欠きが形成された構成となっている。
【0096】実施例11.図15は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図12に示す構
成と図13に示す構成とを組み合わせた構成となってい
る。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図12に示す構
成と図13に示す構成とを組み合わせた構成となってい
る。
【0097】すなわち、図15は第1対向電圧信号線C
L1の中心軸に沿った線における断面図を示しており、
対向電極CTから延在される延在部の長さW3およびカ
ラーフィルタCF(OPAS)の切欠きの長さW4を制
御することによって、容量素子Cstgの容量値を所定
の値に設定するようにしたものである。
L1の中心軸に沿った線における断面図を示しており、
対向電極CTから延在される延在部の長さW3およびカ
ラーフィルタCF(OPAS)の切欠きの長さW4を制
御することによって、容量素子Cstgの容量値を所定
の値に設定するようにしたものである。
【0098】実施例12.図16は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す図で、図1(a)に対応し
た図となっている。
表示装置の他の実施例を示す図で、図1(a)に対応し
た図となっている。
【0099】図1(a)と比較して異なる構成は、第1
対向電圧信号線CL1を一方のゲート信号線GLに近接
して配置させた構成にある。
対向電圧信号線CL1を一方のゲート信号線GLに近接
して配置させた構成にある。
【0100】これにより、カラーフィルタCF(OPA
S)の分離個所は該第1対向電圧信号線CL1上に位置
づけられることになる。また、複数の画素電極PXのそ
れぞれの端部の接続部は該第1対向電圧信号線CL1に
重畳される部分となる。
S)の分離個所は該第1対向電圧信号線CL1上に位置
づけられることになる。また、複数の画素電極PXのそ
れぞれの端部の接続部は該第1対向電圧信号線CL1に
重畳される部分となる。
【0101】この場合において、該第1対向電圧信号線
CL1に隣接するゲート信号線GLの上方にカラーフィ
ルタCF(OPAS)を形成しない構成も考えられる
が、該ゲート信号線GL上方にカラーフィルタCF(O
PAS)を形成することが好ましい。ゲート信号線GL
の上方にカラーフィルタCF(OPAS)を形成しない
場合、いわゆるゲート負荷が上がる不都合が生じるから
である。
CL1に隣接するゲート信号線GLの上方にカラーフィ
ルタCF(OPAS)を形成しない構成も考えられる
が、該ゲート信号線GL上方にカラーフィルタCF(O
PAS)を形成することが好ましい。ゲート信号線GL
の上方にカラーフィルタCF(OPAS)を形成しない
場合、いわゆるゲート負荷が上がる不都合が生じるから
である。
【0102】また、この場合にあってもカラーフィルタ
CF(OPAS)を被うようにして平坦化膜OCを形成
してもしなくてもよい。なお、平坦化膜OCを形成した
場合、上述したようにカラーフィルタCF(OPAS)
から液晶側へ成分が析出されるのを防止することができ
る。
CF(OPAS)を被うようにして平坦化膜OCを形成
してもしなくてもよい。なお、平坦化膜OCを形成した
場合、上述したようにカラーフィルタCF(OPAS)
から液晶側へ成分が析出されるのを防止することができ
る。
【0103】実施例13.図17(a)は、本発明によ
る液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図16と
対応した図となっている。また、図17(b)は図17
(a)のb−b線における断面図を、図17(c)は図
17(a)のc−c線における断面図を示している。
る液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図16と
対応した図となっている。また、図17(b)は図17
(a)のb−b線における断面図を、図17(c)は図
17(a)のc−c線における断面図を示している。
【0104】図16と比較して異なる構成は、一画素中
に第1対向電圧信号線が二つ設けられ、そのうちの一方
は一方のゲート信号線GLに近接して配置され、他方は
他方のゲート信号線GLに近接して配置されている。
に第1対向電圧信号線が二つ設けられ、そのうちの一方
は一方のゲート信号線GLに近接して配置され、他方は
他方のゲート信号線GLに近接して配置されている。
【0105】この場合においても、カラーフィルタCF
(OPAS)の分離個所は各第1対向電圧信号線CL1
上に位置づけられている。
(OPAS)の分離個所は各第1対向電圧信号線CL1
上に位置づけられている。
【0106】このように構成した場合、容量素子Cst
gの容量を増大でき、また、第1対向電圧信号線CL1
から各対向電極CTへの電気抵抗の低減を図ることがで
きるようになる。
gの容量を増大でき、また、第1対向電圧信号線CL1
から各対向電極CTへの電気抵抗の低減を図ることがで
きるようになる。
【0107】実施例14.図18(a)は、本発明によ
る液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図16に
対応した図となっている。また、図18(b)は図18
(a)のb−b線における断面図、図18(c)は図1
8(a)のc−c線における断面図である。
る液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図16に
対応した図となっている。また、図18(b)は図18
(a)のb−b線における断面図、図18(c)は図1
8(a)のc−c線における断面図である。
【0108】図16と比較して異なる構成は、カラーフ
ィルタCF(OPAS)は第1対向電圧信号線CL1の
上方にて分離されていることはなく、一方のドレイン信
号線DL側から該第1対向電圧信号線CL1の上方に沿
って延在された切欠きが設けられた構成となっている。
ィルタCF(OPAS)は第1対向電圧信号線CL1の
上方にて分離されていることはなく、一方のドレイン信
号線DL側から該第1対向電圧信号線CL1の上方に沿
って延在された切欠きが設けられた構成となっている。
【0109】この場合、該切欠きが形成された個所に
て、第1対向電圧信号線CL1と対向電圧信号線CLと
を電気的に接続させるスルーホールTHが設けられてい
る。
て、第1対向電圧信号線CL1と対向電圧信号線CLと
を電気的に接続させるスルーホールTHが設けられてい
る。
【0110】実施例15.図19は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図17(a)に
対応した図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図17(a)に
対応した図となっている。
【0111】図17(a)と比較して異なる構成は、一
方のドレイン信号線DL側から該第1対向電圧信号線C
L1の上方に沿って延在された切欠きが設けられた構成
となっており、この切欠きが形成された個所にて、第1
対向電圧信号線CL1と対向電圧信号線CLとを電気的
に接続させるスルーホールTHが設けられている。
方のドレイン信号線DL側から該第1対向電圧信号線C
L1の上方に沿って延在された切欠きが設けられた構成
となっており、この切欠きが形成された個所にて、第1
対向電圧信号線CL1と対向電圧信号線CLとを電気的
に接続させるスルーホールTHが設けられている。
【0112】実施例16.図20は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図16と対応し
た図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図16と対応し
た図となっている。
【0113】図16と比較して異なる構成は、まず、第
1対向電圧信号線CL1が形成されていない構成となっ
ている。画素の開口率の向上を優先させているからであ
る。
1対向電圧信号線CL1が形成されていない構成となっ
ている。画素の開口率の向上を優先させているからであ
る。
【0114】そして、複数の各画素電極PXはそれぞれ
の両端部にて互いに接続され、この接続部は対向電圧信
号線CLの下方に位置づけられて容量素子Cstgを構
成するようになっている。
の両端部にて互いに接続され、この接続部は対向電圧信
号線CLの下方に位置づけられて容量素子Cstgを構
成するようになっている。
【0115】さらに、この容量素子Cstgの形成個所
において、カラーフィルタCF(OPAS)の分離個所
が一致づけられるようになっている。
において、カラーフィルタCF(OPAS)の分離個所
が一致づけられるようになっている。
【0116】このようにした場合、容量素子Cstgの
誘電体膜は保護膜PASのみとなり害カラーフィルタC
F(OPAS)は誘電体膜として機能しないことにな
る。このため、該容量素子Cstgの容量の増大を図る
ことができる。
誘電体膜は保護膜PASのみとなり害カラーフィルタC
F(OPAS)は誘電体膜として機能しないことにな
る。このため、該容量素子Cstgの容量の増大を図る
ことができる。
【0117】この実施例では、カラーフィルタCF(O
PAS)の上面に平坦化膜OCを形成しない構成とした
ものであるが、該平坦化膜OCを形成するようにしても
よいことはもちろんである。この場合、図21に示すよ
うに平坦化膜OCにも開口を形成してもよく、また、図
22に示すように該開口を形成しなくてもよい。
PAS)の上面に平坦化膜OCを形成しない構成とした
ものであるが、該平坦化膜OCを形成するようにしても
よいことはもちろんである。この場合、図21に示すよ
うに平坦化膜OCにも開口を形成してもよく、また、図
22に示すように該開口を形成しなくてもよい。
【0118】実施例17.図23(a)は、本発明によ
る液晶表示装置の他の実施例を示す構成図であり、図8
(a)に対応した図となっている。図23(b)は図2
3(a)のb−b線における断面図で、図23(c)は
図23(a)のc−c線における断面図である。
る液晶表示装置の他の実施例を示す構成図であり、図8
(a)に対応した図となっている。図23(b)は図2
3(a)のb−b線における断面図で、図23(c)は
図23(a)のc−c線における断面図である。
【0119】図8(a)と比較して異なる構成は、画素
電極PXは対向電極CTと同層かつ同一の材料で形成さ
れている。このため、該画素電極PXはその一部が保護
膜PASに形成されたスルーホールTHを通して薄膜ト
ランジスタTFTのソース電極SD1と接続されてい
る。
電極PXは対向電極CTと同層かつ同一の材料で形成さ
れている。このため、該画素電極PXはその一部が保護
膜PASに形成されたスルーホールTHを通して薄膜ト
ランジスタTFTのソース電極SD1と接続されてい
る。
【0120】また、各画素電極PXは第1対向電極信号
線CL1の上方で互いに接続され、この接続部と該第1
対向電極信号線CL1の間に容量素子Cstgを構成す
るようになっている。
線CL1の上方で互いに接続され、この接続部と該第1
対向電極信号線CL1の間に容量素子Cstgを構成す
るようになっている。
【0121】そして、カラーフィルタCF(OPAS)
は該第1対向電極信号線CL1の上方の個所にて分離さ
れて形成され、前記容量素子Cstgの誘電体膜として
機能されないようになっている。
は該第1対向電極信号線CL1の上方の個所にて分離さ
れて形成され、前記容量素子Cstgの誘電体膜として
機能されないようになっている。
【0122】なお、各画素電極PXの前記接続部に交差
して配置される対向電極CTは該接続部にて電気的接続
がなされてしまうのを回避させるため、互いに分離され
て形成されている。
して配置される対向電極CTは該接続部にて電気的接続
がなされてしまうのを回避させるため、互いに分離され
て形成されている。
【0123】この実施例では、カラーフィルタCF(O
PAS)の上面に平坦化膜OCを形成しない構成とした
ものであるが、該平坦化膜OCを形成するようにしても
よいことはもちろんである。この場合、図24に示すよ
うに平坦化膜OCにも開口を形成してもよく、また、図
25に示すように該開口を形成しなくてもよい。
PAS)の上面に平坦化膜OCを形成しない構成とした
ものであるが、該平坦化膜OCを形成するようにしても
よいことはもちろんである。この場合、図24に示すよ
うに平坦化膜OCにも開口を形成してもよく、また、図
25に示すように該開口を形成しなくてもよい。
【0124】実施例18.図26は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図1(a)に対
応した図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図1(a)に対
応した図となっている。
【0125】図1(a)と比較して異なる構成は、第1
対向電圧信号線CL1にあり、画素の中央部においてそ
の幅が小さくなるように切り欠いていることにある。
対向電圧信号線CL1にあり、画素の中央部においてそ
の幅が小さくなるように切り欠いていることにある。
【0126】第1対向電圧信号線CL1の上方にはカラ
ーフィルタCF(OPAS)が存在しないことから、容
量素子Cstgの容量値を大きくでき、これにともない
第1対向電圧信号線CL1の幅を狭めていることにあ
る。
ーフィルタCF(OPAS)が存在しないことから、容
量素子Cstgの容量値を大きくでき、これにともない
第1対向電圧信号線CL1の幅を狭めていることにあ
る。
【0127】これにより、第1対向電圧信号線CL1の
幅を狭めた分だけ画素の開口率を向上させることができ
る。
幅を狭めた分だけ画素の開口率を向上させることができ
る。
【0128】実施例19.上述した実施例は、画素電極
PXと対向電極CTとが透明基板SUB1側に形成され
たいわゆる横電界方式と称される液晶表示装置について
説明したものである。しかし、対向電極CTが透明基板
SUB2側に形成されたいわゆる縦電界方式の液晶表示
装置にも適用できることはいうまでもない。
PXと対向電極CTとが透明基板SUB1側に形成され
たいわゆる横電界方式と称される液晶表示装置について
説明したものである。しかし、対向電極CTが透明基板
SUB2側に形成されたいわゆる縦電界方式の液晶表示
装置にも適用できることはいうまでもない。
【0129】図27は縦電界方式の液晶表示装置の画素
の構成を示す平面図である。薄膜トランジスタTFTの
ソース電極SD2と接続される画素電極PXは画素領域
の全体を被って形成され、その材料としてはITO等の
透光性の導電層で形成されている。
の構成を示す平面図である。薄膜トランジスタTFTの
ソース電極SD2と接続される画素電極PXは画素領域
の全体を被って形成され、その材料としてはITO等の
透光性の導電層で形成されている。
【0130】そして、該画素電極PXは、前記薄膜トラ
ンジスタTFTを駆動させるゲート信号線GLと異なる
他の隣接するゲート信号線GLに重畳するように延在さ
れて形成され、この延在部において該ゲート信号線GL
との間に容量素子Caddを構成している。
ンジスタTFTを駆動させるゲート信号線GLと異なる
他の隣接するゲート信号線GLに重畳するように延在さ
れて形成され、この延在部において該ゲート信号線GL
との間に容量素子Caddを構成している。
【0131】また、対向電極CTは、図示していない
が、透明基板SUB2の液晶側の面に各画素領域に共通
にたとえばITO等の透光性の導電層で形成されてい
る。
が、透明基板SUB2の液晶側の面に各画素領域に共通
にたとえばITO等の透光性の導電層で形成されてい
る。
【0132】この場合においても、カラーフィルタCF
(OPAS)は透明基板SUB1側に形成され、このカ
ラーフィルタCF(OPAS)は前記容量素子Cadd
の部分が切り欠かれて構成されている。
(OPAS)は透明基板SUB1側に形成され、このカ
ラーフィルタCF(OPAS)は前記容量素子Cadd
の部分が切り欠かれて構成されている。
【0133】これによって、容量素子Caddの誘電体
膜はたとえば保護膜PASのみとしカラーフィルタCF
(OPAS)が含まれない構成とすることができるの
で,該容量素子Caddの容量値を増大させることがで
きる。
膜はたとえば保護膜PASのみとしカラーフィルタCF
(OPAS)が含まれない構成とすることができるの
で,該容量素子Caddの容量値を増大させることがで
きる。
【0134】また、同様の趣旨から、図28に示すよう
に、カラーフィルタCF(OPAS)をゲート信号線G
L上において分離させた構成とし、これにより、前記容
量素子Caddの形成領域に該カラーフィルタCF(O
PAS)を形成しない構成としてもよいことはもちろん
である。
に、カラーフィルタCF(OPAS)をゲート信号線G
L上において分離させた構成とし、これにより、前記容
量素子Caddの形成領域に該カラーフィルタCF(O
PAS)を形成しない構成としてもよいことはもちろん
である。
【0135】実施例20.図29は、上述した実施例の
うち第1対向電圧信号線CL1と対向電圧信号線CLと
の電気的接続を図るためのスルーホールTHを形成した
場合において、その寸法関係を示したものである。図
中、W1はスルーホール寸法、W2は平坦化膜OCの寸
法(ただし、平坦化膜OCが存在する場合)、W3はカ
ラーフィルタCF(OPAS)の切欠き寸法、W4は対
向電圧信号線CLの寸法、W5は第1対向電圧信号線C
L1の寸法、W6はコンタクトホール寸法、W7は対向
電極CTの延在部の寸法(スルーホールの端部からの長
さ)としている。
うち第1対向電圧信号線CL1と対向電圧信号線CLと
の電気的接続を図るためのスルーホールTHを形成した
場合において、その寸法関係を示したものである。図
中、W1はスルーホール寸法、W2は平坦化膜OCの寸
法(ただし、平坦化膜OCが存在する場合)、W3はカ
ラーフィルタCF(OPAS)の切欠き寸法、W4は対
向電圧信号線CLの寸法、W5は第1対向電圧信号線C
L1の寸法、W6はコンタクトホール寸法、W7は対向
電極CTの延在部の寸法(スルーホールの端部からの長
さ)としている。
【0136】この場合、W1<W2、W1<W3、W1
<W4、W1<W5、W6<W7、W3<W5、W2<
W3を満足する寸法制約となっている。
<W4、W1<W5、W6<W7、W3<W5、W2<
W3を満足する寸法制約となっている。
【0137】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、画素の開口率を低
減させることなく容量素子の容量を適切な値に設定でき
るようになる。
本発明による液晶表示装置によれば、画素の開口率を低
減させることなく容量素子の容量を適切な値に設定でき
るようになる。
【図1】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図2】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す全
体構成図である。
体構成図である。
【図3】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図4】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図5】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図6】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図7】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図8】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図9】図8の構成の詳細を示す平面図である。
【図10】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図11】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図12】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図13】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図14】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図15】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図16】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図17】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図18】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図19】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図20】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図21】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図22】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図23】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図24】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図25】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図26】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図27】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図28】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図29】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
SUB…透明基板、GL…ゲート信号線、DL…ドレイ
ン信号線、CL1…第1対向電圧信号線、TFT…薄膜
トランジスタ、PX…画素電極、CT…対向電極、CL
…対向電圧信号線、GI…絶縁膜(ゲート絶縁膜)、P
AS…保護膜、OPAS…カラーフィルタCF、TH…
スルーホール。
ン信号線、CL1…第1対向電圧信号線、TFT…薄膜
トランジスタ、PX…画素電極、CT…対向電極、CL
…対向電圧信号線、GI…絶縁膜(ゲート絶縁膜)、P
AS…保護膜、OPAS…カラーフィルタCF、TH…
スルーホール。
フロントページの続き
Fターム(参考) 2H091 FA02Y FB13 FD04 FD14
FD24 GA13 HA06 HA18 LA03
LA11 LA12 LA13 LA15 LA18
2H092 GA14 HA03 JA26 JA29 JA46
JB05 JB13 JB38 JB51 JB57
JB63 JB69 KA05 KA12 KA18
KA22 KB05 KB22 KB23 KB26
MA05 MA08 MA14 MA15 MA16
MA19 MA20 MA35 MA37 NA04
NA07 NA25 PA02 PA08 QA06
QA18
Claims (12)
- 【請求項1】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に容量素子と、
この容量素子を構成する一方の電極の層と他方の電極の
層との間に少なくとも有機膜からなる層が形成され、こ
の有機膜は該容量素子の部分で開口が形成されているこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に容量素子と、
この容量素子を構成する一方の電極の層と他方の電極の
層との間に少なくとも有機膜からなる層が形成され、こ
の有機膜は該容量素子の部分を境にして分離されて形成
されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項3】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面のマトリクス状に配置された
各画素領域毎に液晶を駆動させる電子回路と、一方向に
配列される各画素領域群に共通な色のカラーフィルタと
が形成され、 このカラーフィルタは、前記電子回路の一つを構成する
容量素子の各電極の間の誘電体膜と積層されて形成され
ているとともに、各電極の間の少なくとも一部に除去部
分を有していることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項4】 前記カラーフィルタは、前記容量素子の
形成部分にて分離されていることを特徴とする請求項3
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項5】 前記カラーフィルタは、その長手方向辺
の少なくとも一方の辺側から前記容量素子の形成領域の
一部にまで延在された切欠きが形成されていることを特
徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。 - 【請求項6】 前記切欠きの延在部の長さ調整によって
前記容量素子の容量値が調整されていることを特徴とす
る請求項5に記載の液晶表示装置。 - 【請求項7】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号
線からの走査信号によって作動するスイッチング素子
と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される画素電極と、前記ゲート信号線
とほぼ平行に配置される第1対向電圧信号線を介して基
準電圧が供給される対向電極とが形成されているととも
に、 前記第1対向電圧信号線が形成される層と画素電極が形
成される層との間に少なくとも保護膜と有機膜との順次
積層体が介在され、 前記有機膜は前記第1対向電圧信号線の上方で分離され
て形成されているとともに、前記第1対向電圧信号線と
画素電極の重畳部におけるそれらの介在層が前記保護膜
となっていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項8】 対向電極は有機膜の上方の層に形成さ
れ、ドレイン信号線を被って形成されるものを含む複数
の電極から構成されるとともに、それら各電極は第1対
向電圧信号線を被って形成される対向電圧信号線と一体
に形成され、この対向電圧信号線は前記有機膜の分離個
所でスルーホールを介して前記第1対向電圧信号線と電
気的接続されていることを特徴とする請求項7に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項9】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号
線からの走査信号によって作動するスイッチング素子
と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される画素電極と、前記ゲート信号線
とほぼ平行に配置される第1対向電圧信号線を介して基
準電圧が供給される対向電極とが形成されているととも
に、 前記第1対向電圧信号線が形成される層と画素電極が形
成される層との間に少なくとも保護膜と有機膜との順次
積層体が介在され、 前記有機膜は一方のドレイン信号線側から前記第1対向
電圧信号線に沿って延在する切欠きが形成されていると
ともに、前記第1対向電圧信号線と画素電極の重畳部の
一部におけるそれらの介在層が前記保護膜となっている
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項10】 対向電極は有機膜の上方の層に形成さ
れ、ドレイン信号線を被って形成されるものを含む複数
の電極から構成されるとともに、それら各電極は第1対
向電圧信号線を被って形成される対向電圧信号線と一体
に形成され、この対向電圧信号線は前記有機膜の前記切
欠きの部分でスルーホールを介して前記第1対向電圧信
号線と電気的接続されていることを特徴とする請求項9
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項11】 液晶を介して対向配置される各基板の
うち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、 ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチ
ング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信
号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素
電極との間に電界を発生せしめる対向電極と、 前記画素電極が形成される層と対向電極が形成される層
との間に配置された少なくとも有機膜を含む層とを有
し、 前記対向電極は、前記有機膜を含む層の上層に形成さ
れ、前記ドレイン信号線を被って形成される電極を含む
とともに、前記ゲート信号線を被って形成される対向電
圧信号線と一体に形成され、 前記画素電極の一部が前記対向電圧信号線と重ねられて
形成された部分を境にして有機膜が分離されて形成され
ていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項12】 前記有機膜がカラーフィルタであるこ
を特徴とする請求項1、2、7ないし11のうちいずれ
かに記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002100723A JP2003295210A (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002100723A JP2003295210A (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003295210A true JP2003295210A (ja) | 2003-10-15 |
Family
ID=29241465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002100723A Pending JP2003295210A (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003295210A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009003187A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
US7859628B2 (en) | 2003-12-29 | 2010-12-28 | Lg Display Co., Ltd. | IPS LCD having auxiliary common electrode lines |
-
2002
- 2002-04-03 JP JP2002100723A patent/JP2003295210A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7859628B2 (en) | 2003-12-29 | 2010-12-28 | Lg Display Co., Ltd. | IPS LCD having auxiliary common electrode lines |
JP2009003187A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
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