JP2003293199A - 錫−銀合金用水性電解剥離液及び電解剥離法 - Google Patents
錫−銀合金用水性電解剥離液及び電解剥離法Info
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- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 42
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 19
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 14
- -1 thiol compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 11
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 4
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N butane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCS(O)(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N propane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCS(O)(=O)=O KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003556 thioamides Chemical class 0.000 claims description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 16
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- DIORMHZUUKOISG-UHFFFAOYSA-N sulfoformic acid Chemical compound OC(=O)S(O)(=O)=O DIORMHZUUKOISG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N thiophenol Chemical compound SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VRVRGVPWCUEOGV-UHFFFAOYSA-N 2-aminothiophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1S VRVRGVPWCUEOGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001174 tin-lead alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSSCTTQONPHGRA-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2-(2-methylphenyl)disulfanylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1SSC1=CC=CC=C1C ZSSCTTQONPHGRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXUNZSDDXMPKLP-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenethiol Chemical compound CC1=CC=CC=C1S LXUNZSDDXMPKLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAFIBTDNARUFOG-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-sulfanylpropanoic acid Chemical compound CC(O)(S)C(O)=O YAFIBTDNARUFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKIFPWHZEZQCQA-UHFFFAOYSA-N 2-nitrobenzenethiol Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1S JKIFPWHZEZQCQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMKYTRPNOVFCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1S VMKYTRPNOVFCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWGKEVWFBOUAND-UHFFFAOYSA-N 4,4'-thiodiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1SC1=CC=C(O)C=C1 VWGKEVWFBOUAND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZQVSGOOKNNDFU-UHFFFAOYSA-N 4-phenylsulfanylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=CC=C1 TZQVSGOOKNNDFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDQAZBWRQCGBEV-UHFFFAOYSA-N Ethylenethiourea Chemical compound S=C1NCCN1 PDQAZBWRQCGBEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VLCDUOXHFNUCKK-UHFFFAOYSA-N N,N'-Dimethylthiourea Chemical compound CNC(=S)NC VLCDUOXHFNUCKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLVIGYVXZHLUHP-UHFFFAOYSA-N N,N'-diethylthiourea Chemical compound CCNC(=S)NCC FLVIGYVXZHLUHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNOILHPDHOHILI-UHFFFAOYSA-N Tetramethylthiourea Chemical compound CN(C)C(=S)N(C)C MNOILHPDHOHILI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- HTKFORQRBXIQHD-UHFFFAOYSA-N allylthiourea Chemical compound NC(=S)NCC=C HTKFORQRBXIQHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001748 allylthiourea Drugs 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHMDPDGBKYUEMW-UHFFFAOYSA-N pyridine-2-thiol Chemical compound SC1=CC=CC=N1 WHMDPDGBKYUEMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- NJRXVEJTAYWCQJ-UHFFFAOYSA-N thiomalic acid Chemical compound OC(=O)CC(S)C(O)=O NJRXVEJTAYWCQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N thiosalicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1S NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940103494 thiosalicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、導電性基体に施された錫−銀合金
皮膜を電解により、導電性基体から迅速に、かつ効率的
に剥離させることができる錫−銀合金皮膜用水性電解剥
離液を提供することを目的とする。また、本発明は、上
記水性電解剥離液を用いた、錫−銀合金皮膜の電解剥離
方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 アルカンスルホン酸及び／又はその塩を
５００〜８００ｇ／Ｌ以上含有することを特徴とする錫
−銀合金用水性電解剥離液、及び上記水性電解剥離液中
で錫−銀合金皮膜を有する導電性基体を陽極として電解
することを特徴とする錫−銀合金皮膜の電解剥離方法。
皮膜を電解により、導電性基体から迅速に、かつ効率的
に剥離させることができる錫−銀合金皮膜用水性電解剥
離液を提供することを目的とする。また、本発明は、上
記水性電解剥離液を用いた、錫−銀合金皮膜の電解剥離
方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 アルカンスルホン酸及び／又はその塩を
５００〜８００ｇ／Ｌ以上含有することを特徴とする錫
−銀合金用水性電解剥離液、及び上記水性電解剥離液中
で錫−銀合金皮膜を有する導電性基体を陽極として電解
することを特徴とする錫−銀合金皮膜の電解剥離方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性基体に施さ
れた錫−銀合金皮膜を電解により、導電性基体から剥離
するために使用する錫−銀合金用水性電解剥離液、及び
この水性電解剥離液を用いた錫−銀合金用皮膜の剥離方
法に関するものである。
れた錫−銀合金皮膜を電解により、導電性基体から剥離
するために使用する錫−銀合金用水性電解剥離液、及び
この水性電解剥離液を用いた錫−銀合金用皮膜の剥離方
法に関するものである。
【従来の技術】集積回路の製造工程において、リ−ドフ
レ−ムに規格外のめっきを施した場合、基材のリ−ドフ
レ−ムを腐食することなしにめっき層だけを剥離して、
再めっきする必要がある。また、リ−ドフレ−ムを短冊
にしてステンレス等の治具に引掛けてめっきした後、治
具だけを剥離する場合もある。
レ−ムに規格外のめっきを施した場合、基材のリ−ドフ
レ−ムを腐食することなしにめっき層だけを剥離して、
再めっきする必要がある。また、リ−ドフレ−ムを短冊
にしてステンレス等の治具に引掛けてめっきした後、治
具だけを剥離する場合もある。
【０００２】このような剥離に関する従来の技術とし
て、特開昭６２−２５７０００号公報及び特開平４−５
００２４２号公報には、メタンスルホン酸、エタンスル
ホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸などの
アルカンスルホン酸の水溶液に浸漬し、錫又は錫合金皮
膜等が付着した鉄及び鉄合金製品、同及び同合金、亜鉛
及び亜鉛合金を陽極にして定電圧で電解することにより
剥離する方法が開示されている。また、特開平６−２７
２０９８号公報には、アルカンスルホン酸、アルカノー
ルスルホン酸又はアリールスルホン酸の水溶液に、クエ
ン酸等の錯化剤を併用し、電解により錫又は錫合金のめ
っき皮膜を除去する方法が開示されている。さらに、特
開平１１−１８００号公報には、スルホカルボン酸及び
/又は素の塩を含有する水溶液に、錫又は錫合金皮膜を
有する導電性基体を浸漬し、電解することにより剥離す
る方法が開示されている。
て、特開昭６２−２５７０００号公報及び特開平４−５
００２４２号公報には、メタンスルホン酸、エタンスル
ホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸などの
アルカンスルホン酸の水溶液に浸漬し、錫又は錫合金皮
膜等が付着した鉄及び鉄合金製品、同及び同合金、亜鉛
及び亜鉛合金を陽極にして定電圧で電解することにより
剥離する方法が開示されている。また、特開平６−２７
２０９８号公報には、アルカンスルホン酸、アルカノー
ルスルホン酸又はアリールスルホン酸の水溶液に、クエ
ン酸等の錯化剤を併用し、電解により錫又は錫合金のめ
っき皮膜を除去する方法が開示されている。さらに、特
開平１１−１８００号公報には、スルホカルボン酸及び
/又は素の塩を含有する水溶液に、錫又は錫合金皮膜を
有する導電性基体を浸漬し、電解することにより剥離す
る方法が開示されている。
【０００３】近年、環境問題の立場から錫合金皮膜に関
しても鉛を使用しない方向に進んでおり、錫鉛合金皮膜
の代替として錫−銀合金皮膜が新しく開発され、上市さ
れるようになってきた。しかし、錫−銀合金皮膜は、従
来の錫又は錫鉛合金皮膜等と異なり、銀を含有するため
上述の従来の電解剥離方法を使用しても、銀がスマット
として残り充分に除去できないという問題があった。
しても鉛を使用しない方向に進んでおり、錫鉛合金皮膜
の代替として錫−銀合金皮膜が新しく開発され、上市さ
れるようになってきた。しかし、錫−銀合金皮膜は、従
来の錫又は錫鉛合金皮膜等と異なり、銀を含有するため
上述の従来の電解剥離方法を使用しても、銀がスマット
として残り充分に除去できないという問題があった。
【発明が解決しようとする課題】本発明は、導電性基体
に施された錫−銀合金皮膜を電解により、導電性基体か
ら迅速に、かつ効率的に剥離させることができる錫−銀
合金皮膜用水性電解剥離液を提供することを目的とす
る。また、本発明は、上記水性電解剥離液を用いた、錫
−銀合金皮膜の電解剥離方法を提供することを目的とす
る。
に施された錫−銀合金皮膜を電解により、導電性基体か
ら迅速に、かつ効率的に剥離させることができる錫−銀
合金皮膜用水性電解剥離液を提供することを目的とす
る。また、本発明は、上記水性電解剥離液を用いた、錫
−銀合金皮膜の電解剥離方法を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来使用され
ていた電解剥離液と比較して、高い濃度でアルカンスル
ホン酸を含有する水溶液を電解剥離液として用いること
で、上記課題を解決できるとの知見に基づいてなされた
のである。即ち、本発明はアルカンスルホン酸及び／又
はその塩を５００〜８００ｇ／Ｌ以上含有することを特
徴とする錫−銀合金用水性電解剥離液を提供する。ま
た、本発明は、上記水性電解剥離液中で錫−銀合金皮膜
を有する導電性基体を陽極として電解することを特徴と
する錫−銀合金皮膜の電解剥離方法を提供する。
ていた電解剥離液と比較して、高い濃度でアルカンスル
ホン酸を含有する水溶液を電解剥離液として用いること
で、上記課題を解決できるとの知見に基づいてなされた
のである。即ち、本発明はアルカンスルホン酸及び／又
はその塩を５００〜８００ｇ／Ｌ以上含有することを特
徴とする錫−銀合金用水性電解剥離液を提供する。ま
た、本発明は、上記水性電解剥離液中で錫−銀合金皮膜
を有する導電性基体を陽極として電解することを特徴と
する錫−銀合金皮膜の電解剥離方法を提供する。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明で用いるアルカンスルホン
酸及びその塩は、水溶性であれば任意の化合物であって
もよい。炭素数１〜４のアルカンスルホン酸及びその塩
が好ましい。さらに好ましいものとして、メタンスルホ
ン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタン
スルホン酸、及びこれらの塩が挙げられる。ここで、塩
としては、ナトリウム塩やカリウム塩等のアルカリ金属
塩、アンモニウム塩やアルカノールアミン塩等の有機ア
ミン塩が挙げられる。本発明で用いる水性電解剥離液
は、上記アルカンスルホン酸及び／又はその塩を水に溶
解してなる水溶液である。この水溶液におけるスルホカ
ルボン酸及び／又はその塩の濃度は、５００ｇ／Ｌ以上
であり、好ましくは５００〜８００ｇ／Ｌである。この
範囲のスルホカルボン酸濃度であれば、迅速、かつ効率
的な剥離が可能であり、高電流部部分で陽極酸化を生じ
黒色表面となることもない。より好ましくは６００〜７
５０ｇ／Ｌである。本発明で用いる水性電解剥離液のｐ
Ｈは２以下であるのが好ましい。
酸及びその塩は、水溶性であれば任意の化合物であって
もよい。炭素数１〜４のアルカンスルホン酸及びその塩
が好ましい。さらに好ましいものとして、メタンスルホ
ン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタン
スルホン酸、及びこれらの塩が挙げられる。ここで、塩
としては、ナトリウム塩やカリウム塩等のアルカリ金属
塩、アンモニウム塩やアルカノールアミン塩等の有機ア
ミン塩が挙げられる。本発明で用いる水性電解剥離液
は、上記アルカンスルホン酸及び／又はその塩を水に溶
解してなる水溶液である。この水溶液におけるスルホカ
ルボン酸及び／又はその塩の濃度は、５００ｇ／Ｌ以上
であり、好ましくは５００〜８００ｇ／Ｌである。この
範囲のスルホカルボン酸濃度であれば、迅速、かつ効率
的な剥離が可能であり、高電流部部分で陽極酸化を生じ
黒色表面となることもない。より好ましくは６００〜７
５０ｇ／Ｌである。本発明で用いる水性電解剥離液のｐ
Ｈは２以下であるのが好ましい。
【０００６】本発明で用いる水性電解剥離液には、さら
にチオアミド化合物、チオール化合物、芳香族チオール
化合物及び芳香族スルフィド化合物からなる群から選ば
れる一種以上の化合物を含有させるのが好ましい。チオ
アミド化合物としては、チオ尿素、ジメチルチオ尿素、
ジエチルチオ尿素、アリルチオ尿素、エチレンチオ尿
素、テトラメチルチオ尿素が挙げられるが、これらに限
定されない。チオール化合物としては、メルカプトコハ
ク酸、メルカプト乳酸が挙げられるが、これらに限定さ
れない。芳香族チオール化合物としては、チオフェノー
ル、メルカプトフェノール、チオクレゾール、ニトロチ
オフェノール、チオサルチル酸アミノチオフェノール、
ベンゼンチオフェノール、メルカプトピリジンが挙げら
れるが、これらに限定されない。芳香族スルフィド化合
物としては、４，４−チオジフェノール、４，４−アミ
ノジフェニルスルフィド、チオビスチオフェノール、
２，２−ジアミノジフェニルジスルフィド、２，２−ジ
チオジ安息香酸、ジトリルジスルフィド、２，２−ジピ
リジルジスルフィドが挙げられるが、これらに限定され
ない。上記化合物は単独で、又は２種以上組み合わせて
用いてもよい。上記化合物は、水性電解剥離液に０．１
〜５０ｇ／Ｌの量で含有させるのが好ましい。より好ま
しくは１〜２０ｇ／Ｌである。
にチオアミド化合物、チオール化合物、芳香族チオール
化合物及び芳香族スルフィド化合物からなる群から選ば
れる一種以上の化合物を含有させるのが好ましい。チオ
アミド化合物としては、チオ尿素、ジメチルチオ尿素、
ジエチルチオ尿素、アリルチオ尿素、エチレンチオ尿
素、テトラメチルチオ尿素が挙げられるが、これらに限
定されない。チオール化合物としては、メルカプトコハ
ク酸、メルカプト乳酸が挙げられるが、これらに限定さ
れない。芳香族チオール化合物としては、チオフェノー
ル、メルカプトフェノール、チオクレゾール、ニトロチ
オフェノール、チオサルチル酸アミノチオフェノール、
ベンゼンチオフェノール、メルカプトピリジンが挙げら
れるが、これらに限定されない。芳香族スルフィド化合
物としては、４，４−チオジフェノール、４，４−アミ
ノジフェニルスルフィド、チオビスチオフェノール、
２，２−ジアミノジフェニルジスルフィド、２，２−ジ
チオジ安息香酸、ジトリルジスルフィド、２，２−ジピ
リジルジスルフィドが挙げられるが、これらに限定され
ない。上記化合物は単独で、又は２種以上組み合わせて
用いてもよい。上記化合物は、水性電解剥離液に０．１
〜５０ｇ／Ｌの量で含有させるのが好ましい。より好ま
しくは１〜２０ｇ／Ｌである。
【０００７】また、本発明で用いる水性電解剥離得液に
は、上記化合物に代えて、又は上記化合物に加えて、ジ
メチルアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミ
ン、トリエチレンテトラミン等の炭素数２〜８の脂肪族
アミン、ピリジンやイミダゾ−ル等の炭素数７〜１２の
含チッ素複素環式化合物とエピクロルヒドリン等のエピ
ハロヒドリンを重合反応させて得られる水溶性高分子化
合物を含有させてもよい。本発明で用いるアルカンスル
ホン酸及びその塩は、電解により錫の酸化物の沈殿はほ
とんど生じないが、上記高分子化合物を含有させること
によって、錫の酸化物を均一に溶解させ、スラッジが生
成するのをより効率的に防止することができる。また、
上記高分子化合物はインヒビタ−としての働きもあるた
め、錫−銀合金剥離後の鉄系基材等を傷めることもない
といった利点もある。上記高分子化合物は、特公昭５３
−３２３４４号公報に記載の光沢剤としての反応物等で
ある。上記高分子化合物は単独で、又は２種以上組み合
わせて用いてもよい。上記高分子化合物は、水性電解剥
離液に１〜２０ｇ／Ｌの量で含有させるのが好ましい。
より好ましくは５〜２０ｇ／Ｌである。
は、上記化合物に代えて、又は上記化合物に加えて、ジ
メチルアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミ
ン、トリエチレンテトラミン等の炭素数２〜８の脂肪族
アミン、ピリジンやイミダゾ−ル等の炭素数７〜１２の
含チッ素複素環式化合物とエピクロルヒドリン等のエピ
ハロヒドリンを重合反応させて得られる水溶性高分子化
合物を含有させてもよい。本発明で用いるアルカンスル
ホン酸及びその塩は、電解により錫の酸化物の沈殿はほ
とんど生じないが、上記高分子化合物を含有させること
によって、錫の酸化物を均一に溶解させ、スラッジが生
成するのをより効率的に防止することができる。また、
上記高分子化合物はインヒビタ−としての働きもあるた
め、錫−銀合金剥離後の鉄系基材等を傷めることもない
といった利点もある。上記高分子化合物は、特公昭５３
−３２３４４号公報に記載の光沢剤としての反応物等で
ある。上記高分子化合物は単独で、又は２種以上組み合
わせて用いてもよい。上記高分子化合物は、水性電解剥
離液に１〜２０ｇ／Ｌの量で含有させるのが好ましい。
より好ましくは５〜２０ｇ／Ｌである。
【０００８】本発明では、上記水性電解剥離液中で、錫
―銀合金皮膜を有する導電性基体を陽極として電解する
ことにより錫―銀合金皮膜を導電性基体から効率的に剥
離することができる。ここで、錫―銀合金皮膜を有する
導電性基体としては、任意の厚みの錫―銀合金皮膜を有
する任意の導電性基体が挙げられる。一般的には、導電
性基体として、鉄、鉄系金属、銅、銅系金属等が挙げら
れる。また、皮膜の好適な厚みとしては、０．１〜５０
μｍが挙げられるが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。陰極で使用する鉄系基材、治具としては、
鉄、ステンレス、４２アロイ等が使用でき、一般的にス
テンレスを使用する。極比（陰極面積／陽極面積）は５
／１以上が好ましい。陽極電流密度は５〜２００Ａ／ｄ
ｍ2とするのが好ましく、より好ましくは１０〜５０Ａ
／ｄｍ2である。この範囲で電解を行うと非常に早い剥
離速度が得られ、また導電性基体への影響も少ないとい
った利点が得られる。また、一般的にステンレス等の鉄
系治具の溶解がほとんどなく、錫−銀合金皮膜の剥離が
充分に行えるような電流密度を与える電圧値に設定し、
定電圧で行うことが好ましい。電解温度は２０℃〜６０
℃であるのが好ましく、より好ましくは４０℃〜５０℃
である。処理時間は処理条件（特に電流密度）や付着し
た錫−銀合金の量によって異なるのが、例えば０．５分
〜１０分が例示される。しかしながら、電解時間は、剥
離速度が陽極電流密度に比例して大きくなる等電解条件
や付着した錫−銀合金の量によって異なるので、適宜に
設定するのが好ましい。
―銀合金皮膜を有する導電性基体を陽極として電解する
ことにより錫―銀合金皮膜を導電性基体から効率的に剥
離することができる。ここで、錫―銀合金皮膜を有する
導電性基体としては、任意の厚みの錫―銀合金皮膜を有
する任意の導電性基体が挙げられる。一般的には、導電
性基体として、鉄、鉄系金属、銅、銅系金属等が挙げら
れる。また、皮膜の好適な厚みとしては、０．１〜５０
μｍが挙げられるが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。陰極で使用する鉄系基材、治具としては、
鉄、ステンレス、４２アロイ等が使用でき、一般的にス
テンレスを使用する。極比（陰極面積／陽極面積）は５
／１以上が好ましい。陽極電流密度は５〜２００Ａ／ｄ
ｍ2とするのが好ましく、より好ましくは１０〜５０Ａ
／ｄｍ2である。この範囲で電解を行うと非常に早い剥
離速度が得られ、また導電性基体への影響も少ないとい
った利点が得られる。また、一般的にステンレス等の鉄
系治具の溶解がほとんどなく、錫−銀合金皮膜の剥離が
充分に行えるような電流密度を与える電圧値に設定し、
定電圧で行うことが好ましい。電解温度は２０℃〜６０
℃であるのが好ましく、より好ましくは４０℃〜５０℃
である。処理時間は処理条件（特に電流密度）や付着し
た錫−銀合金の量によって異なるのが、例えば０．５分
〜１０分が例示される。しかしながら、電解時間は、剥
離速度が陽極電流密度に比例して大きくなる等電解条件
や付着した錫−銀合金の量によって異なるので、適宜に
設定するのが好ましい。
【０００９】
【発明の効果】本発明の剥離液を用いれば、陽極電解に
より短時間でステンレス等の鉄系及び銅系基材や治具か
ら、錫−銀合金皮膜を均一な表面に剥離できる。次に、
実施例及び比較例を示して本発明を説明する。
より短時間でステンレス等の鉄系及び銅系基材や治具か
ら、錫−銀合金皮膜を均一な表面に剥離できる。次に、
実施例及び比較例を示して本発明を説明する。
【００１０】
【実施例】参考例１
実施例で用いるイミダゾールとエピクロヒドリンとの反
応物を、特公昭５３−３２３４４号公報第３欄１）の方
法で製造した。すなわち、温度計、コンデンサーと分液
ロートを付けた３００ｃｃの三角フラスコにイミダゾー
ル３０ｇを入れ、水１４０ｇを注加して撹拌溶解させ
た。次いで液温を５０℃に上昇させ分液ロートからエピ
クロヒドリン６０ｇを液温が５０〜８０℃の間になるよ
うに保持して約３０分間で滴下し反応させた。滴下終了
後さらに８０〜８５℃に保持して２時間撹拌し反応を完
結させた。
応物を、特公昭５３−３２３４４号公報第３欄１）の方
法で製造した。すなわち、温度計、コンデンサーと分液
ロートを付けた３００ｃｃの三角フラスコにイミダゾー
ル３０ｇを入れ、水１４０ｇを注加して撹拌溶解させ
た。次いで液温を５０℃に上昇させ分液ロートからエピ
クロヒドリン６０ｇを液温が５０〜８０℃の間になるよ
うに保持して約３０分間で滴下し反応させた。滴下終了
後さらに８０〜８５℃に保持して２時間撹拌し反応を完
結させた。
【００１１】実施例１
片面を被覆したＳＵＳ３０４平板（５０×１０×０．３
ｍｍ）に厚さ１０μｍの錫−銀合金めっき（Ｓｎ／Ａｇ
＝９６．５／３．５）を施したものを試験片とし、これ
をメタンスルホン酸５００ｇ／Ｌの剥離液に浸漬し、試
験片を陽極とし、ＳＵＳ３０４平板（１００×１００×
０．３ｍｍ）を陰極として、２．０Ｖ定電圧（電解開始
時の陽極電流密度は３０Ａ／ｄｍ2）で５０℃、６０秒
定電圧電解処理を行った。錫−銀合金めっきは除去さ
れ、処理後の基材表面は均一で損傷はなかった。
ｍｍ）に厚さ１０μｍの錫−銀合金めっき（Ｓｎ／Ａｇ
＝９６．５／３．５）を施したものを試験片とし、これ
をメタンスルホン酸５００ｇ／Ｌの剥離液に浸漬し、試
験片を陽極とし、ＳＵＳ３０４平板（１００×１００×
０．３ｍｍ）を陰極として、２．０Ｖ定電圧（電解開始
時の陽極電流密度は３０Ａ／ｄｍ2）で５０℃、６０秒
定電圧電解処理を行った。錫−銀合金めっきは除去さ
れ、処理後の基材表面は均一で損傷はなかった。
【００１２】実施例２
片面を被覆した４２アロイ平板（５０×１０×０．３ｍ
ｍ）に厚さ１０μｍの錫−銀合金めっき（Ｓｎ／Ａｇ＝
９６．５／３．５）を施したものを試験片とし、これを
メタンスルホン酸７５０ｇ／Ｌの剥離液に浸漬し、試験
片を陽極とし、ＳＵＳ３０４平板（１００×１００×
０．３ｍｍ）を陰極として、電解開始時の陽極電流密度
が３０Ａ／ｄｍ2になるように電圧を選んで５０℃、６
０秒定電圧電解処理を行った。錫−銀合金めっきは除去
され、処理後の基材表面は均一で損傷はなかった。
ｍ）に厚さ１０μｍの錫−銀合金めっき（Ｓｎ／Ａｇ＝
９６．５／３．５）を施したものを試験片とし、これを
メタンスルホン酸７５０ｇ／Ｌの剥離液に浸漬し、試験
片を陽極とし、ＳＵＳ３０４平板（１００×１００×
０．３ｍｍ）を陰極として、電解開始時の陽極電流密度
が３０Ａ／ｄｍ2になるように電圧を選んで５０℃、６
０秒定電圧電解処理を行った。錫−銀合金めっきは除去
され、処理後の基材表面は均一で損傷はなかった。
【００１３】実施例３
片面を被覆したＳＵＳ３０４平板（５０×１０×０．３
ｍｍ）に厚さ１０μｍの錫−銀合金めっき（Ｓｎ／Ａｇ
＝９６．５／３．５）を施したものを試験片とし、これ
をメタンスルホン酸７００ｇ／Ｌとチオ尿素１０ｇ／Ｌ
の剥離液に浸漬し、試験片を陽極とし、ＳＵＳ３０４平
板（１００×１００×０．３ｍｍ）を陰極として、２．
０Ｖ定電圧（電解開始時の陽極電流密度は３０Ａ／ｄｍ
2）で５０℃、６０秒定電圧電解処理を行った。錫−銀
合金めっきは完全に除去され、処理後の基材表面は均一
で損傷はなかった。
ｍｍ）に厚さ１０μｍの錫−銀合金めっき（Ｓｎ／Ａｇ
＝９６．５／３．５）を施したものを試験片とし、これ
をメタンスルホン酸７００ｇ／Ｌとチオ尿素１０ｇ／Ｌ
の剥離液に浸漬し、試験片を陽極とし、ＳＵＳ３０４平
板（１００×１００×０．３ｍｍ）を陰極として、２．
０Ｖ定電圧（電解開始時の陽極電流密度は３０Ａ／ｄｍ
2）で５０℃、６０秒定電圧電解処理を行った。錫−銀
合金めっきは完全に除去され、処理後の基材表面は均一
で損傷はなかった。
【００１４】実施例４
片面を被覆したＳＵＳ３０４平板（５０×１０×０．３
ｍｍ）に厚さ１０μｍの錫−銀合金めっき（Ｓｎ／Ａｇ
＝９６．５／３．５）を施したものを試験片とし、これ
をメタンスルホン酸７００ｇ／Ｌとアミノチオフェノー
ル５ｇ／Ｌの剥離液に浸漬し、試験片を陽極とし、ＳＵ
Ｓ３０４平板（１００×１００×０．３ｍｍ）を陰極と
して、２．０Ｖ定電圧（電解開始時の陽極電流密度は３
０Ａ／ｄｍ2）で５０℃、６０秒定電圧電解処理を行っ
た。錫−銀合金めっきは完全に除去され、処理後の基材
表面は均一で損傷はなかった。
ｍｍ）に厚さ１０μｍの錫−銀合金めっき（Ｓｎ／Ａｇ
＝９６．５／３．５）を施したものを試験片とし、これ
をメタンスルホン酸７００ｇ／Ｌとアミノチオフェノー
ル５ｇ／Ｌの剥離液に浸漬し、試験片を陽極とし、ＳＵ
Ｓ３０４平板（１００×１００×０．３ｍｍ）を陰極と
して、２．０Ｖ定電圧（電解開始時の陽極電流密度は３
０Ａ／ｄｍ2）で５０℃、６０秒定電圧電解処理を行っ
た。錫−銀合金めっきは完全に除去され、処理後の基材
表面は均一で損傷はなかった。
【００１５】実施例５
片面を被覆したＳＵＳ３０４平板（５０×１０×０．３
ｍｍ）に厚さ１０μｍの錫−銀合金めっき（Ｓｎ／Ａｇ
＝９６．５／３．５）を施したものを試験片とし、これ
をメタンスルホン酸６００ｇ／Ｌとイミダゾ−ルとエピ
クロヒドリンの反応物１０ｇ／Ｌの剥離液に浸漬し、試
験片を陽極とし、ＳＵＳ３０４平板（１００×１００×
０．３ｍｍ）を陰極として、２．０Ｖ定電圧（電解開始
時の陽極電流密度は３０Ａ／ｄｍ2）で５０℃、６０秒
定電圧電解処理を行った。錫−銀合金めっきは除去さ
れ、処理後の基材表面は均一で損傷はなかった。
ｍｍ）に厚さ１０μｍの錫−銀合金めっき（Ｓｎ／Ａｇ
＝９６．５／３．５）を施したものを試験片とし、これ
をメタンスルホン酸６００ｇ／Ｌとイミダゾ−ルとエピ
クロヒドリンの反応物１０ｇ／Ｌの剥離液に浸漬し、試
験片を陽極とし、ＳＵＳ３０４平板（１００×１００×
０．３ｍｍ）を陰極として、２．０Ｖ定電圧（電解開始
時の陽極電流密度は３０Ａ／ｄｍ2）で５０℃、６０秒
定電圧電解処理を行った。錫−銀合金めっきは除去さ
れ、処理後の基材表面は均一で損傷はなかった。
【００１６】比較例１
片面を被覆したＳＵＳ３０４平板（５０×１０×０．３
ｍｍ）に厚さ１０μｍの錫−銀合金めっき（Ｓｎ／Ａｇ
＝９６．５／３．５）を施したものを試験片とし、これ
をメタンスルホン酸３００ｇ／Ｌの剥離液に浸漬し、試
験片を陽極とし、ＳＵＳ３０４平板（１００×１００×
０．３ｍｍ）を陰極として、２．０Ｖ定電圧（電解開始
時の陽極電流密度は３０Ａ／ｄｍ2）で５０℃、６０秒
定電圧電解処理を行った。錫−銀合金めっきは完全に除
去されなく、黒色のスマットが多量に残存した。
ｍｍ）に厚さ１０μｍの錫−銀合金めっき（Ｓｎ／Ａｇ
＝９６．５／３．５）を施したものを試験片とし、これ
をメタンスルホン酸３００ｇ／Ｌの剥離液に浸漬し、試
験片を陽極とし、ＳＵＳ３０４平板（１００×１００×
０．３ｍｍ）を陰極として、２．０Ｖ定電圧（電解開始
時の陽極電流密度は３０Ａ／ｄｍ2）で５０℃、６０秒
定電圧電解処理を行った。錫−銀合金めっきは完全に除
去されなく、黒色のスマットが多量に残存した。
Claims (5)
- 【請求項１】 アルカンスルホン酸及び／又はその塩を
５００〜８００ｇ／Ｌ以上含有することを特徴とする錫
−銀合金用水性電解剥離液。 - 【請求項２】 アルカンスルホン酸が、メタンスルホン
酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸及びブタン
スルホン酸からなる群から選択される請求の範囲第１項
に記載の電解剥離液。 - 【請求項３】 さらに、チオアミド化合物、チオール化
合物、芳香族チオール化合物及び芳香族スルフィド化合
物からなる群から選ばれる一種以上の化合物を含有する
請求の範囲第１項又は第２項に記載の電解剥離液。 - 【請求項４】 さらに、脂肪族アミン又は含チッ素複素
環式化合物とエピハロヒドリンの反応物からなる一種以
上の高分子化合物を含有する請求範囲第１項〜第３項に
記載の電解剥離液。 - 【請求項５】 請求範囲第１項〜第４項に記載の水性電
解剥離液中で、錫−銀合金皮膜を有する導電性基体を陽
極として電解することを特徴とする錫−銀合金の剥離方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002101457A JP4012760B2 (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 錫−銀合金用水性電解剥離液及び電解剥離法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002101457A JP4012760B2 (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 錫−銀合金用水性電解剥離液及び電解剥離法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003293199A true JP2003293199A (ja) | 2003-10-15 |
| JP4012760B2 JP4012760B2 (ja) | 2007-11-21 |
Family
ID=29241822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002101457A Expired - Fee Related JP4012760B2 (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 錫−銀合金用水性電解剥離液及び電解剥離法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4012760B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113136159A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-07-20 | 西南科技大学 | 一种通电可按需剥离的环氧结构胶黏剂的制备及使用方法 |
-
2002
- 2002-04-03 JP JP2002101457A patent/JP4012760B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113136159A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-07-20 | 西南科技大学 | 一种通电可按需剥离的环氧结构胶黏剂的制备及使用方法 |
| CN113136159B (zh) * | 2021-04-27 | 2022-07-19 | 西南科技大学 | 一种通电可按需剥离的环氧结构胶黏剂的制备及使用方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4012760B2 (ja) | 2007-11-21 |
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