JP2003293159A - 超微粒子の成膜方法およびその成膜装置 - Google Patents

超微粒子の成膜方法およびその成膜装置

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JP2003293159A JP2002102646A JP2002102646A JP2003293159A JP 2003293159 A JP2003293159 A JP 2003293159A JP 2002102646 A JP2002102646 A JP 2002102646A JP 2002102646 A JP2002102646 A JP 2002102646A JP 2003293159 A JP2003293159 A JP 2003293159A
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Yoichiro Kaga
洋一郎 加賀
Hiromi Kikuchi
広実 菊池
Motoe Nakajima
源衛 中嶋
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 膜の成長速度の速く、欠陥部分の少ない均一
な膜を形成できる超微粒子の成膜方法およびその装置を
提供する。 【解決手段】 エアロゾル形成室13内の超微粒子に超
音波を印加する、もしくは加熱することで超微粒子の凝
集を抑制してエアロゾル化を促進する。さらには搬送管
14に内壁を研磨した金属や石英の屈曲部分がなく、内
壁に凹凸のない直筒状の硬い材質の管を使用する。エア
ロゾル化した超微粒子が搬送管14内に付着することを
抑制し、基板18まで到達する超微粒子の量を多くし、
また基板18に到達し付着する凝集粉の量を減らす。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックスや金
属の超微粒子を含むエアロゾルを基板に吹き付け、微粒
子を基板に衝突させることによって基板上に膜を成長さ
せるための成膜方法およびその装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、ガスデポジション法は、例えば、
特許第1660799号に記されている超微粒子を用い
た膜形成法であって、真空蒸着法と同様に金属加熱源お
よび真空容器を配置させ、金属蒸気から微粒子を形成
し、この微粒子からなる膜を形成する方法である。
【0003】一方、セラミックス材料の超微粒子を用い
た膜形成も提案されている。このような方法によるセラ
ミックス膜の成膜方法は例えば、Jpn.J.App
l.Phys.36(1997)1159.にエアロゾ
ル化したジルコン酸チタン酸鉛(PZT)粉をPt膜を
付けたSi基板上に衝突させて、PZT膜を形成した結
果が示されており、750℃の熱処理を行うことで強誘
電体特性や圧電特性が測定され圧電膜としての機能する
ことが示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特に一
次粒子径が数μm以下の小さい超微粒子はお互いにファ
ンデルワールス力、静電引力または水分の架橋効果によ
り凝集し、数十〜数百μmの凝集粉を形成している。凝
集粉は一次粒子に比べて質量が大きいため、ガスの供給
や振動を与えることで浮遊させることが困難であり、エ
アロゾル形成室内で超微粒子とガスとの攪拌が進行せず
形成されたエアロゾル中の超微粒子の濃度が低くなって
いた。このため、エアロゾル形成室から搬送管およびノ
ズルを経由して、基板へ衝突する単位時間あたりの超微
粒子の量が少なく、膜の成長速度が遅くなるといった問
題があった。
【0005】また、凝集粉はエアロゾル化した場合で
も、その多くはエアロゾル中で一次粒子へと解砕されず
に凝集粉のまま基板に衝突する。凝集粉は質量が大きい
ため、十分に加速されず、基板へ衝突するときの運動エ
ネルギーが小さく、基板や他の粒子との強固な密着性が
得られず、緻密な膜を形成せずに基板上に付着してしま
う。成膜した膜上に付着した凝集粉は容易に欠落するた
め、膜上に欠陥部分ができてしまい、均一な膜を作製す
ることが困難であった。
【0006】一方、エアロゾル形成室で形成したエアロ
ゾルを成膜室へ搬送するために、フッ素樹脂チューブや
ポリアミド系樹脂チューブの可撓性を有する軟らかい材
質の搬送管を使用した場合、超微粒子が基板へと搬送さ
れる途中で、特に搬送管の屈曲部分で搬送管内壁に衝突
することによって内壁に超微粒子がくい込み、容易に堆
積してしまう。また、内壁を研磨していないステンレス
管を使用した場合、エアロゾル中の超微粒子が内壁の凹
凸により内壁上に容易に堆積してしまう。そのため、ノ
ズルから噴出して基板に衝突する微粒子の濃度が低くな
り、エアロゾル形成室から搬送管およびノズルを経由し
て、基板へ衝突する単位時間あたりの超微粒子の量が少
なく、膜の成長速度が遅くなるといった問題があった。
また、搬送管の内壁上に一時付着して凝集した超微粒子
が再びエアロゾル化することで、ノズルから噴出して膜
上に付着し、膜上に欠陥部分ができてしまい、均一な膜
の作製を困難にしていた。本発明は、上記従来の微粒子
の成膜装置および成膜方法の課題を解決するもので、膜
の成長速度が速く、欠陥部分の少ない均一な膜を形成す
ることが可能な成膜方法および成膜装置を提供すること
を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、エアロゾル形成室内に超音波を印加するた
めの装置を設置し、超微粒子をエアロゾル化させるとき
に、超微粒子に超音波を印加する。超音波の振動によ
り、質量の大きい凝集した超微粒子は解砕されて、これ
により、超微粒子とガスの攪拌を促進し、超微粒子のう
ち質量の小さい一次粒子もしくはエアロゾル中で一次粒
子となりやすい凝集粉がエアロゾル化し、基板へ衝突す
ることで膜上に欠陥部分をつくることを抑制でき、均一
な膜の作製が可能であり、また、膜の成長速度の速い成
膜方法およびその装置を提供することができる。
【0008】また、成膜前の準備としてエアロゾル形成
室内に超微粒子を投入する前に、超微粒子を100℃か
ら200℃の高温で1時間以上加熱しておき、十分に乾
燥した超微粒子を成膜に使う。さらには、エアロゾル形
成室に加熱源を設置し、60℃以上200℃以下、好ま
しくは80℃以上且つ200℃以下、より望ましくは1
00℃以上200℃以下の温度に加熱保持して超微粒子
を加熱乾燥しながら、ガスと超微粒子を攪拌し、エアロ
ゾル化を行う。超微粒子が凝集する一つの要因である水
分を除去することによって、超微粒子の一次粒子もしく
はエアロゾル中で一次粒子となりやすい凝集粉がエアロ
ゾル化し、基板へ衝突することで膜上に欠陥部分をつく
ることを抑制でき、均一な膜の作製が可能であり、ま
た、膜の成長速度の速い成膜方法およびその装置を提供
することができる。
【0009】エアロゾル形成室と基板への出口であるノ
ズルの間を繋ぐ搬送管をエアロゾル形成室からノズルま
で、直筒状に直結できる搬送管とする。搬送管に屈曲部
がなく、搬送管に導入されたエアロゾルが搬送管内を直
線状に通過できるため、搬送管の内壁への超微粒子が衝
突しにくく、内壁上に堆積が起こりにくい。さらには、
搬送管として内壁を電解研磨処理したステンレス製の金
属管もしくは石英管の内壁に凹凸がなく、硬い材質の管
を使用する。エアロゾルが搬送管内を通過するときに、
加速された超微粒子が搬送管の内壁に衝突した場合で
も、超微粒子は内壁上に密着しにくく、基板上まで到達
するエアロゾル中の微粒子の量を多くすることができ膜
の成長速度の速い成膜装置を提供することができる。ま
た、搬送管の内壁上に一時付着して凝集した超微粒子が
再びエアロゾル化することで、ノズルから噴出して膜上
に付着し、膜上に欠陥部分をつくることを抑制でき、均
一な膜の作製が可能な成膜装置を提供することができ
る。
【0010】[1] 本発明の超微粒子の成膜方法は、
超微粒子をガスと攪拌してエアロゾルを作製し、エアロ
ゾル中の超微粒子を基板上に衝突させることで基板上に
膜を成長させる成膜方法であって、エアロゾルを作製す
るエアロゾル形成室内に超音波を印加しながらエアロゾ
ルを作製することを特徴とする。
【0011】[2] 本発明他の超微粒子の成膜方法
は、超微粒子をガスと攪拌してエアロゾルを作製し、エ
アロゾル中の超微粒子を基板上に衝突させることで基板
上に膜を成長させる成膜方法であって、エアロゾルを作
製するエアロゾル形成室に加熱源を設置して、エアロゾ
ル形成室内の超微粒子を加熱しながらエアロゾルを作製
することを特徴とする。ここで、超微粒子の加熱温度
は、60℃以上200℃以下、好ましくは80℃以上且
つ200℃以下、より望ましくは100℃以上200℃
以下とすることができる。超微粒子の凝集や搬送管内壁
への付着を長期にわたって十分に防ぐためには、前記加
熱源によりエアロゾルもしくはその中の超微粒子を10
0℃以上且つ200℃以下の温度に加熱することが望ま
しい。温度を高くすると超微粒子を乾燥させて凝集を防
ぐ効果は大きくなる。ただし、加熱温度が高いと超微粒
子を構成する成分の融解、蒸発による組成ずれが起こる
可能性があるため、加熱温度の上限を200℃にするこ
とが望ましい。
【0012】[3] 上記[1]もしくは[2]に記載
の超微粒子の成膜方法であって、超微粒子をエアロゾル
形成室内に配置する前に、超微粒子を100℃以上且つ
200℃以下の温度で加熱乾燥しておくことを特徴とす
る成膜方法を用いることが望ましい。
【0013】[4] 本発明の超微粒子の成膜装置は、
超微粒子をガスと攪拌してエアロゾルを作製し、エアロ
ゾル中の超微粒子を基板上に衝突させることで基板上に
膜を成長させるための成膜装置であって、エアロゾルを
作製するエアロゾル形成室内に超音波を印加するための
超音波発生機を設置したことを特徴とする。
【0014】[5]本発明の他の超微粒子の成膜装置
は、超微粒子をガスと攪拌してエアロゾルを作製し、エ
アロゾル中の超微粒子を基板上に衝突させることで基板
上に膜を成長させるための成膜装置であって、エアロゾ
ルを作製するエアロゾル形成室に超微粒子を加熱するた
めの加熱源を設置したことを特徴とする。前記加熱源は
エアロゾルもしくはその中の超微粒子を100℃以上且
つ200℃以下の温度に加熱できることが望ましい。
【0015】[6] 上記[4]もしくは[5]に記載
の超微粒子の成膜装置であって、エアロゾルを作製する
エアロゾル形成室とノズルを繋ぎ、エアロゾルを搬送す
る搬送管を屈曲部のない直筒状の管としたことを特徴と
する超微粒子の成膜装置を用いると良い。
【0016】[7]上記[6]に記載の超微粒子の成膜
装置であって、エアロゾルを搬送する搬送管の材質を内
壁を研磨した金属もしくは石英とする成膜装置を用いる
ことが望ましい。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施例を
図面に従って説明する。ただし、これら実施例により本
発明が限定されるものではない。実施例1を説明する。
図1は、本発明の超微粒子の成膜装置1の構成図であ
る。空気を内蔵するガスボンベ11は、ガス導入管12
を介してエアロゾル形成室13に連結され、さらに搬送
管14を通じて成膜室15内に長さ5mm×幅0.5m
mの長方形の開口を持つノズル16が設置される。可動
式の基板ホルダ17にPt/Ti/SiO2/Siの基
板18がノズル16に対向して配置される。成膜室15
は排気ポンプ19に接続している。基板18は、Si基
板上にSiO 2膜、Ti膜、Pt膜を順に積層したもの
である。
【0018】図2は実施例1で使用されるエアロゾル形
成室13の断面図である。エアロゾル形成室13内に平
均一次粒子径が0.5μmのジルコン酸チタン酸鉛(P
ZT)のセラミック超微粒子132を貯蔵している。ガ
ス導入管133がエアロゾル形成室13上部より挿入さ
れ、その開口部はセラミック超微粒子132内に埋没し
ている。エアロゾル137を搬送するための搬送管13
4がエアロゾル形成室13上部より挿入されており、そ
の開口部はセラミック超微粒子132に接しない上部に
設置されている。また、超音波発生機135がエアロゾ
ル形成室13に接続されている。さらに、エアロゾル形
成室13には、機械的振動作用を与える振動器136が
接続される。エアロゾル形成室に貯蔵するセラミック超
微粒子は予め150℃の温度で加熱して乾燥させたもの
を使用した。
【0019】以上の構成からなる超微粒子の成膜装置1
による成膜方法の作用を次に述べる。ガスボンベ11を
開き、空気をガス導入管133からエアロゾル形成室1
3に導入し、また、振動器136により、エアロゾル形
成室13に機械的振動を与えることでセラミック超微粒
子132がエアロゾル形成室13内に巻き上げられ、エ
アロゾル137が発生する。エアロゾル137の状態と
なったセラミック超微粒子132は、エアロゾル形成室
13上部の搬送管134の開口部より搬送管134内に
導入される。このとき、同時にエアロゾル形成室13に
接続された超音波発生機135から超音波を発生させる
ことで、セラミック超微粒子132の凝集粉は超音波に
より解砕され、セラミック超微粒子132の一次粒子も
しくはエアロゾル137中で一次粒子へと解砕されやす
い凝集粉としてエアロゾル化する。このエアロゾル13
7中のセラミック超微粒子132の一次粒子が搬送管1
4及びノズル16を通過して基板18へ衝突する。この
とき、基板ホルダ17をノズル16の開口部の幅方向に
約20mm/分の速度で約10mmの距離を一往復させ
る。これにより、約15μmの厚さの緻密なPZTのセ
ラミック膜(長さ5mm×幅10mm)を短時間で基板
18上に成膜することができた。また、生成したセラミ
ック膜は凝集粉の付着が少なく、欠陥部分が少ない。従
来のように、超音波発生機を使用しないで成膜した場
合、同じ成膜時間では10μm以下の厚さとなり、生成
したセラミック膜には多くの欠陥が見られた。なお、図
2では、図1の構成をより詳細に説明するため、一部で
図1と異なる符号を用いて説明しているが、例えば、実
施例1では図1の搬送管14と図2の搬送管134は同
じ部材である。
【0020】他の実施例2を説明する。実施例2の超微
粒子の成膜装置1の全体の構成図は図1に示されるよう
に、実施例1と同様の構成となっている。実施例1とは
異なる細部を図3に示す。図3は実施例2で使用される
エアロゾル形成室23の断面図である。エアロゾル形成
室23内に平均一次粒子径が0.5μmのジルコン酸チ
タン酸鉛(PZT)のセラミック超微粒子232を貯蔵
している。ガス導入管233がエアロゾル形成室23上
部より挿入され、その開口部はセラミック超微粒子23
2内に埋没している。エアロゾル237を搬送するため
の搬送管234がエアロゾル形成室23上部より挿入さ
れており、その開口部はセラミック超微粒子232に接
しない上部に設置されている。エアロゾル形成室23の
回りには加熱源として捲き付け型のヒーター238が取
り付けられている。さらに、エアロゾル形成室23に
は、機械的振動作用を与える振動器236が接続され
る。
【0021】以上の構成からなる超微粒子の成膜装置に
よる成膜方法の作用を次に述べる。ガスボンベ11を開
き、空気をガス導入管233からエアロゾル形成室23
に導入し、また、振動器236により、エアロゾル形成
室23に機械的振動を与えることでセラミック超微粒子
232がエアロゾル形成室23内に巻き上げられ、エア
ロゾル237が発生する。エアロゾル237の状態とな
ったセラミック超微粒子232は、エアロゾル形成室2
3上部の搬送管234の開口部より搬送管234内に導
入される。このとき、エアロゾル形成室23に取り付け
られたヒーター238でエアロゾル形成室23内を約1
50℃に加熱しておく。セラミック超微粒子232中の
水分が取り除かれ、水分の架橋効果による凝集が起こり
にくく、セラミック超微粒子232は一次粒子もしくは
エアロゾル237中で一次粒子へと解砕されやすい凝集
粉としてエアロゾル化する。なお、セラミック超微粒子
232はエアロゾル形成室23に貯蔵する前に、あらか
じめ150℃のオーブンで1時間加熱保持し、十分に吸
着水分を除去しておく。このエアロゾル237中のセラ
ミック超微粒子232の一次粒子が搬送管234(図1
では搬送管14に相当)を通過して基板18へ衝突す
る。このとき、基板ホルダ17をノズル16の開口部の
幅方向に約20mm/分の速度で約10mmの距離を一
往復させることで、約15μmの厚さの緻密なPZTの
セラミック膜(長さ5mm×幅10mm)を短時間で基
板18上に成膜することができた。また、生成したセラ
ミック膜は凝集粉の付着が少なく、欠陥部分が少ない。
従来のように、ヒーターを使用しないで成膜した場合、
同じ成膜時間では10μm以下の厚さとなり、生成した
セラミック膜には多くの欠陥が見られた。なお、図3で
は、実施例2で用いる図1と同様の構成をより詳細に説
明するため、一部で図1と異なる符号を用いて説明して
いるが、例えば、実施例2では図1の搬送管14と図3
の搬送管234は同じ部材である。
【0022】実施例3を説明する。図4は、実施例3の
超微粒子の成膜装置3の構成図である。空気を内蔵する
ガスボンベ31は、ガス導入管32を介してエアロゾル
形成室33に連結され、さらに搬送管34を通じて成膜
室35内に5mm×0.5mmの長方形の開口を持つノ
ズル36が設置される。ここで搬送管34には内壁を電
解研磨処理したステンレス(SUS316L)製の内径
3.55mm、外径6.35mmの屈曲部分のない直筒
状の管を使用した。可動式の基板ホルダ37にPt/T
i/SiO2/Siの基板38がノズル36に対向して
配置される。成膜室35は排気ポンプ39に接続してい
る。
【0023】以上の構成からなる超微粒子の成膜装置3
の作用を次に述べる。エアロゾル形成室33には実施例
1および2と同様に超音波発生器およびヒーターが設置
されており、エアロゾル化を行うときに、エアロゾル形
成室33に超音波を印加するとともに、エアロゾル形成
室33内を約150℃に加熱保持し、超微粒子は一次粒
子もしくはエアロゾル中で一次粒子へと解砕されやすい
凝集粉としてエアロゾル化するようにしている。エアロ
ゾル形成室33内で発生したエアロゾルが搬送管34を
通過するときに搬送管34に屈曲部分がないため、超微
粒子が搬送管34の内壁に衝突しにくく、搬送管34内
へ微粒子が付着し難い。また、内壁を電解研磨処理した
ステンレス製の搬送管34を使用することで、内壁に凹
凸がなく、硬い材質であるため、エアロゾル中の超微粒
子が内壁に衝突した場合でも、内壁上に堆積し難い。そ
のため、ノズル36から飛散して基板へ衝突する超微粒
子の量を多くすることができ、基板38への膜の成長速
度を速くすることができた。また、搬送管34の内壁へ
の超微粒子の付着が少ないため、成膜中に搬送管34内
に堆積した微粒子が一度に放出され、凝集粉がノズルか
ら放出され、基板38上に付着することが少なく、欠陥
部分の少ない均一なセラミック膜を生成できた。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エアロゾル形成室内の超微粒子に超音波を印加する、も
しくは加熱することで超微粒子の凝集を抑制してエアロ
ゾル化を促進することができ、膜の成長速度を速くする
ことが可能であり、かつ基板に到達し付着する凝集粉の
量を減らし、欠陥部分の少ない均一な膜を生成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の超微粒子の成膜装置を示す
構成図。
【図2】本発明の一実施例のエアロゾル形成室を示す断
面図。
【図3】本発明の一実施例のエアロゾル形成室を示す断
面図。
【図4】本発明の一実施例の超微粒子の成膜装置を示す
構成図。
【符号の説明】
1、3:超微粒子の成膜装置。 11、31:ガスボンベ。 12、32:ガス導入管。 13、23、33:エアロゾル形成室。 132、232:セラミック超微粒子。 133、233:ガス導入管。 14、34、134、234:搬送管。 135:超音波発生機。 136、236:振動器。 137、237:エアロゾル。 238:ヒーター。 15、35:成膜室。 16、36:ノズル。 17、37:基板ホルダ。 18、38:基板。 19、39:排気ポンプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4K044 AA13 AB01 BA11 BB01 BC14 CA23 CA62

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 超微粒子をガスと攪拌してエアロゾルを
    作製し、エアロゾル中の超微粒子を基板上に衝突させる
    ことで基板上に膜を成長させる成膜方法であって、エア
    ロゾルを作製するエアロゾル形成室内に超音波を印加し
    ながらエアロゾルを作製することを特徴とする超微粒子
    の成膜方法。
  2. 【請求項2】 超微粒子をガスと攪拌してエアロゾルを
    作製し、エアロゾル中の超微粒子を基板上に衝突させる
    ことで基板上に膜を成長させる成膜方法であって、エア
    ロゾルを作製するエアロゾル形成室に加熱源を設置し、
    エアロゾル形成室内の超微粒子を加熱しながらエアロゾ
    ルを作製することを特徴とする超微粒子の成膜方法。
  3. 【請求項3】 請求項1もしくは2に記載の超微粒子の
    成膜方法であって、超微粒子をエアロゾル形成室内に配
    置する前に、超微粒子を100℃以上且つ200℃以下
    の温度で加熱乾燥しておくことを特徴とする超微粒子の
    成膜方法。
  4. 【請求項4】 超微粒子をガスと攪拌してエアロゾルを
    作製し、エアロゾル中の超微粒子を基板上に衝突させる
    ことで基板上に膜を成長させるための成膜装置であっ
    て、エアロゾルを作製するエアロゾル形成室内に超音波
    を印加するための超音波発生機を設置したことを特徴と
    する超微粒子の成膜装置。
  5. 【請求項5】 超微粒子をガスと攪拌してエアロゾルを
    作製し、エアロゾル中の超微粒子を基板上に衝突させる
    ことで基板上に膜を成長させるための成膜装置であっ
    て、エアロゾルを作製するエアロゾル形成室に超微粒子
    を加熱するための加熱源を設置したことを特徴とする超
    微粒子の成膜装置。
  6. 【請求項6】 請求項4もしくは5に記載の超微粒子の
    成膜装置であって、エアロゾルを作製するエアロゾル形
    成室とノズルを繋ぎ、エアロゾルを搬送する搬送管を屈
    曲部のない直筒状の管としたことを特徴とする超微粒子
    の成膜装置。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載の超微粒子の成膜装置で
    あって、エアロゾルを搬送する搬送管の材質を内壁を研
    磨した金属もしくは石英としたことを特徴とする超微粒
    子の成膜装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1757373A1 (en) * 2005-08-24 2007-02-28 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus, film forming method and method for manufacturing piezoelectric actuator
EP1757370A2 (en) 2005-08-24 2007-02-28 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus and jetting nozzle
EP1757372A1 (en) 2005-08-24 2007-02-28 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus and method of film formation
JP2007084924A (ja) * 2005-08-24 2007-04-05 Brother Ind Ltd 成膜装置および噴出ノズル
US7878143B2 (en) 2006-03-28 2011-02-01 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film-forming apparatus, film-forming method and particle-supplying apparatus
JP2011162855A (ja) * 2010-02-10 2011-08-25 Fuchita Nano Giken:Kk イットリア膜の成膜方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1757373A1 (en) * 2005-08-24 2007-02-28 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus, film forming method and method for manufacturing piezoelectric actuator
EP1757370A2 (en) 2005-08-24 2007-02-28 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus and jetting nozzle
EP1757372A1 (en) 2005-08-24 2007-02-28 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus and method of film formation
JP2007084924A (ja) * 2005-08-24 2007-04-05 Brother Ind Ltd 成膜装置および噴出ノズル
CN1920095B (zh) * 2005-08-24 2010-09-29 兄弟工业株式会社 成膜装置及成膜方法
US7866578B2 (en) 2005-08-24 2011-01-11 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus and jetting nozzle
US7954448B2 (en) 2005-08-24 2011-06-07 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus and method of film formation
US7878143B2 (en) 2006-03-28 2011-02-01 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film-forming apparatus, film-forming method and particle-supplying apparatus
JP2011162855A (ja) * 2010-02-10 2011-08-25 Fuchita Nano Giken:Kk イットリア膜の成膜方法

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