JP2003287472A - Pressure sensor - Google Patents

Pressure sensor

Info

Publication number
JP2003287472A
JP2003287472A JP2002092250A JP2002092250A JP2003287472A JP 2003287472 A JP2003287472 A JP 2003287472A JP 2002092250 A JP2002092250 A JP 2002092250A JP 2002092250 A JP2002092250 A JP 2002092250A JP 2003287472 A JP2003287472 A JP 2003287472A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure sensor
pressure
semiconductor
holder
sensor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002092250A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Keiji Sasaki
慶治 佐々木
Hitoshi Nagase
仁 長瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikoki Corp
Original Assignee
Fujikoki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikoki Corp filed Critical Fujikoki Corp
Priority to JP2002092250A priority Critical patent/JP2003287472A/en
Publication of JP2003287472A publication Critical patent/JP2003287472A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pressure sensor in which the structure of a pressure sensor main body is simplified to reduce both the number of components and the number of manufacturing man-hours. <P>SOLUTION: A liquid is sealed in a pressure detecting chamber 31 housing a semiconductor pressure sensor element 41. By transmitting the pressure exerted on the pressure detecting chamber from the outside to the semiconductor pressure sensor element via the liquid, the semiconductor pressure sensor outputs a voltage signal corresponding to the pressure from the pressure sensor element. In the semiconductor pressure senor, a lid member 1 provided with a pressure conduit 12, a diaphragm 2 for receiving pressure, and a holder 3 in which the semiconductor pressure sensor is fixed in its internal space are integrated by welding 91 to form the pressure sensor main body. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、圧力センサに関
し、特に圧力検出素子を収容した間接受圧室に液体を封
入するとともに、ハウジングとコネクタケースとを具備
した圧力センサの構造に関する。 【0002】 【従来の技術】従来から、半導体圧力センサ素子が収納
された圧力検出室内に液体を封入し、この圧力検出室に
外部から加えられた圧力を半導体圧力センサ素子に液体
を介して伝えることで、この圧力センサ素子から圧力に
応じた電圧信号を出力する半導体圧力検出器が種々提案
されている。 【0003】かかる従来の半導体圧力検出器において
は、構成が複雑であり組立工数を要するという問題点が
あった。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、受
圧空間と加圧空間を簡単な構成により実現し、しかも漏
れのない圧力センサを提供することを目的とする。 【0005】 【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明の圧力センサは、半導体圧力センサ素子が
収納された圧力検出室内に液体を封入し、この圧力検出
室に外部から加えられた圧力を前記液体を介して前記半
導体圧力センサ素子に伝えることで、この圧力センサ素
子から前記圧力に応じた電圧信号を出力する半導体圧力
センサにおいて、圧力導入管を備えた蓋部材と、圧力を
受けるダイヤフラムと、半導体圧力センサを内部空間に
固定したホルダを、溶接により一体化して圧力センサ本
体部とした。 【0006】 【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる圧力センサ
の第1の実施の形態について、図1を用いて説明する。
図1は第1の実施の形態にかかる圧力センサの構成を示
す縦断面図である。 【0007】本発明の第1の実施の形態にかかる圧力セ
ンサは、蓋部材1と、ダイヤフラム2と、ホルダー3
と、ホルダー3の内部に形成された受圧空間31に配置
された圧力検出素子41と、コネクタケース5と、蓋部
材1およびダイヤフラム2およびホルダ3ならびにコネ
クタケース5を一体に固定するカラー6とから構成され
る。 【0008】蓋部材1は、例えば、ステンレススチール
で構成され、周囲が立上り平坦な鍔部とされた円盤状に
形成されている。蓋部材1の中心部には開口が設けら
れ、加圧空間12に連通する圧力導入管11がロー付け
されており、15はその溶接部を示す。 【0009】ダイヤフラム2は、圧力が加えられると変
形する例えばステンレススチールの薄板からなり、円盤
状に構成される。 【0010】ホルダ3は、例えばステンレススチールか
らなり、周囲に外側に広がる鍔部が形成された鍋形に構
成され、内部に形成された空間が、液体を充填された受
圧空間31として働く。ホルダ3の底部には、液体注入
孔32と、複数のピン引出孔33が形成される。ホルダ
3の受圧空間31の底部には、プリント配線基板43が
接着され、プリント配線基板43の表面には、表面に半
導体圧力センサ素子41が固定されたガラス製の台座4
2が固着される。 【0011】ホルダ3のピン引出孔33にピン71が挿
入され、ハーメチックシール79によって気密に固定さ
れる。 【0012】圧力センサ素子41は、半導体基板の平面
形状が矩形に形成されるとともに、中央部が肉薄状に構
成され、圧力によって変形するダイヤフラム部が形成さ
れており、上記ダイヤフラム部の上面には、複数のピエ
ゾ抵抗素子をブリッジ状に形成することによって歪ゲー
ジである圧力検知部が形成されるとともに、周辺部の肉
厚部上に集積回路製造技術を用いて製造した増幅回路や
演算処理回路などの電気回路を設けている。 【0013】さらに、圧力センサ素子22の上面に設け
たランド部とプリント配線基板43の上面に設けたラン
ド部とがボンディングワイヤによって接続されている。
さらに、プリント配線基板43の表面に設けたランド部
とピン71はボンディングワイヤによって接続される。 【0014】蓋部材1の上面に、ダイヤフラム2が配置
され、さらにダイヤフラム2の上に、ホルダ3が配置さ
れる。蓋部材1とダイヤフラム2とホルダ3の外形は同
一の形状に構成され、周囲をTIG溶接、プラズマ溶
接、レーザー溶接などによって接合され一体に形成され
ている。 【0015】接合されたホルダ3とダイヤフラム2によ
って形成される受圧空間31内に、液体注入孔32を経
由して液体が充填された後、封止ボール39を溶接して
密封される。 【0016】半導体圧力センサ素子41は、半導体基板
の表面にブリッジを構成するようにピエゾ抵抗が形成さ
れており、半導体基板の裏面には圧力検出用の密閉され
た空間が形成されている。 【0017】コネクタケース5は、電気絶縁性の樹脂か
ら構成されたターミナル8を差し込み固定する樹脂製ケ
ースであり、上部に設けたソケット部と、ソケット部の
下方に設けたコネクタケース内部空間54と、周壁のホ
ルダ受面51と、周壁の中断設けたOリング受面52
と、タ−ミナル貫通孔53と、周壁の外側上方に設けた
かしめ受け部55とを有し、ターミナル貫通孔53に
は、ターミナル8が下方から挿入されて固定されいる。
内部空間54内には、ターミナル8を固定したターミナ
ル台座89が挿入されている。 【0018】ターミナル8の他端部に設けた通電接続部
81には、ピン71がカシメまたはスポット溶接などに
よって接続されている。 【0019】カラー6は、例えば、アルミニウムを用い
て略円筒形状に構成されており、下端側蛾内側に折り曲
げられて受部61を形成し、上端側にコネクタケース5
のかしめ受部55をかしめるかしめ部62が設けられて
いる。 【0020】圧力導入管11を開口にロー付けした蓋部
材1の上にダイヤフラム2を位置させる。さらにその上
に、内部空間31内に半導体圧力センサ素子41を配置
するとともにピン引出孔33にピン71をハーメチック
シールによって固定したホルダー3を配置させた仮組立
体の周囲を、TIG溶接またはプラズマ溶接もしくはレ
ーザー溶接によって気密に溶接して一体化して圧力セン
サ本体部を形成する。 【0021】その後、液体注入口32からフッ素オイル
またはシリコンオイルなどの液体を、受圧室を構成する
内部空間31内に充填した後、封止ボール39をホルダ
3に溶接して液体注入口32を封止する。 【0022】この圧力センサ本体部を、カラー6内に挿
入しターミナル台座89をホルダ3の上に載置し、ピン
71とターミナル8の通電接続部81をかしめもしくは
スポット溶接などにより接続する。その後、この上から
コネクタケース5のターミナル貫通孔53にターミナル
8を挿入して、Oリング受面52にOリング95を配置
したコネクタケース5をホルダ3の上に設置し、カラー
6のかしめ部62をかしめて圧力センサを構成する。 【0023】Oリング95は、Oリング受け部を構成す
るOリング受面52に挿入され、外部からの水や湿気等
がコネクタケース5の内部空間54へ浸入することを防
ぐ。 【0024】この発明によれば、圧力センサ本体部をカ
ラー6内に位置させた後、コネクタケース5を上部から
かぶせて、カラー6のかしめ部62をかしめることによ
って、圧力センサを、少ない部品点数と、少ない製造工
程によって、容易に製造することができる。 【0025】本発明の第2の実施の形態にかかる圧力セ
ンサの構成を図2を用いて説明する。第2の実施の形態
は、第1の実施の形態における圧力センサにおいて、半
導体圧力センサ素子41の基板42をホルダ3の内部空
間に直接固定した構成であって、その他の構成は第1の
実施の形態と同様であり、同一の構成要素には、同一の
符号を付している。 【0026】本発明の第3の実施の形態にかかる圧力セ
ンサの構成を図3を用いて説明する。第3の実施の形態
は、第2の実施の形態における圧力センサにおいて、半
導体圧力センサ素子41の回路定数を外部から調整でき
るようにした構成であって、その他の構成は第2の実施
の形態と同様であり、同一の構成要素には、同一の符号
を付している。すなわち、この実施の形態では、ホルダ
3にトリミング用端子72を貫通させ、組立時に、この
端子72からブリッジを構成する抵抗をトリミングする
ようにしている。 【0027】本発明の第4の実施の形態にかかる圧力セ
ンサの構成を図4を用いて説明する。第4の実施の形態
は、第1の実施の形態における圧力センサにおいて、コ
ネクタケース5をカラー6によってかしめて固定するよ
うにした構成であり、圧力センサ本体部分は、Oリング
95によってカラー6に固定支持されている。その他の
構成は第1の実施の形態と同様であり、同一の構成要素
には、同一の符号を付している。 【0028】本発明の第5の実施の形態にかかる圧力セ
ンサの構成を図5を用いて説明する。第5の実施の形態
は、第1の実施の形態における圧力センサにおいて、タ
ーミナル台座89を省略した構成であり、その他の構成
は第1の実施の形態と同様であり、同一の構成要素に
は、同一の符号を付している。 【0029】本発明の第6の実施の形態にかかる圧力セ
ンサの構成を図6を用いて説明する。第6の実施の形態
は、第1の実施の形態における圧力センサにおいてカラ
ー6を省略するとともに、蓋部材1とダイヤフラム2と
ホルダ3の周辺を下方に折り曲げた構成であり、溶接部
91を引き裂く方向の力が加わりにくくした構成であッ
て、特に高圧用に適している。その他の構成は第1の実
施の形態と同様であり、同一の構成要素には、同一の符
号を付している。 【0030】本発明の第7の実施の形態にかかる圧力セ
ンサの構成を図7を用いて説明する。第7の実施の形態
は、第1の実施の形態における圧力センサにおいて、蓋
部材1とカラー5を一体化するとともに、ホルダ32環
状の堤37,38を同心円状に設け、ダイヤフラム2を
環状の堤38にプロジェクション溶接することによって
ホルダ3とダイヤフラム2を一体化し、蓋部材1を環状
の堤37にプロジェクション溶接することによってホル
ダ3と蓋部材1を一体化している。その他の構成は第1
の実施の形態と同様であり、同一の構成要素には、同一
の符号を付している。 【0031】本発明の第8の実施の形態にかかる圧力セ
ンサの構成を図8を用いて説明する。第8の実施の形態
は、第7の実施の形態における圧力センサにおいて、半
導体圧力センサ素子41の基板42をホルダ3の内部空
間に直接固定した構成であって、その他の構成は第7の
実施の形態と同様であり、同一の構成要素には、同一の
符号を付している。 【0032】本発明の第9の実施の形態にかかる圧力セ
ンサの構成を図9を用いて説明する。第9の実施の形態
は、第8の実施の形態における圧力センサにおいて、半
導体圧力センサ素子41の回路定数を外部から調整でき
るようにした構成であって、その他の構成は第8の実施
の形態と同様であり、同一の構成要素には、同一の符号
を付している。すなわち、この実施の形態では、ホルダ
3にトリミング用端子72を貫通させ、組立時に、この
端子72からブリッジを構成する抵抗をトリミングする
ようにしている。 【0033】 【発明の効果】以上説明したように、本発明は、蓋部材
とダイヤフラムとホルダを溶接して一体化して圧力セン
サ本体を構成することによって、部品点数を削減すると
ともに、組立工数を削減した圧力センサを提供でき
る。。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a pressure sensor, and more particularly, to a pressure sensor in which a liquid is sealed in an indirect pressure receiving chamber containing a pressure detecting element, and a housing and a connector case are provided. Pressure sensor structure. 2. Description of the Related Art Conventionally, a liquid is sealed in a pressure detection chamber in which a semiconductor pressure sensor element is housed, and a pressure applied from the outside to the pressure detection chamber is transmitted to the semiconductor pressure sensor element via the liquid. Accordingly, various semiconductor pressure detectors that output a voltage signal according to pressure from the pressure sensor element have been proposed. Such a conventional semiconductor pressure detector has a problem that the structure is complicated and the number of assembling steps is required. Accordingly, an object of the present invention is to provide a pressure sensor which realizes a pressure receiving space and a pressurizing space with a simple structure and has no leakage. In order to achieve the above object, a pressure sensor according to the present invention encloses a liquid in a pressure detection chamber in which a semiconductor pressure sensor element is housed, and externally supplies the liquid to the pressure detection chamber. By transmitting the pressure applied to the semiconductor pressure sensor element via the liquid to the semiconductor pressure sensor element, a semiconductor pressure sensor that outputs a voltage signal corresponding to the pressure from the pressure sensor element. The pressure receiving diaphragm and the holder in which the semiconductor pressure sensor is fixed in the internal space are integrated by welding to form a pressure sensor main body. A first embodiment of a pressure sensor according to the present invention will be described below with reference to FIG.
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing the configuration of the pressure sensor according to the first embodiment. A pressure sensor according to a first embodiment of the present invention comprises a cover member 1, a diaphragm 2, a holder 3,
And a pressure detecting element 41 arranged in a pressure receiving space 31 formed inside the holder 3, a connector case 5, a lid member 1, the diaphragm 2, the holder 3, and a collar 6 for integrally fixing the connector case 5. Be composed. The lid member 1 is made of, for example, stainless steel, and is formed in a disk shape having a flat rising flange. An opening is provided in the center of the lid member 1, and a pressure introducing pipe 11 communicating with the pressurizing space 12 is brazed. Numeral 15 denotes a welded portion. The diaphragm 2 is formed of, for example, a stainless steel thin plate which is deformed when pressure is applied, and is formed in a disk shape. The holder 3 is made of, for example, stainless steel and is formed in a pot shape having a flange portion extending outwardly around the holder. The space formed therein serves as a pressure receiving space 31 filled with liquid. A liquid injection hole 32 and a plurality of pin extraction holes 33 are formed at the bottom of the holder 3. A printed wiring board 43 is adhered to the bottom of the pressure receiving space 31 of the holder 3, and a glass pedestal 4 on which a semiconductor pressure sensor element 41 is fixed is provided on the surface of the printed wiring board 43.
2 is fixed. A pin 71 is inserted into the pin extraction hole 33 of the holder 3 and is hermetically fixed by a hermetic seal 79. The pressure sensor element 41 has a semiconductor substrate having a rectangular planar shape, a thin central portion, a diaphragm portion deformed by pressure, and an upper surface of the diaphragm portion. By forming a plurality of piezoresistive elements in the form of a bridge, a pressure sensing portion, which is a strain gauge, is formed, and an amplification circuit and an arithmetic processing circuit manufactured using integrated circuit manufacturing technology on a thick portion around the periphery. And other electrical circuits. Further, the lands provided on the upper surface of the pressure sensor element 22 and the lands provided on the upper surface of the printed wiring board 43 are connected by bonding wires.
Further, the lands provided on the surface of the printed wiring board 43 and the pins 71 are connected by bonding wires. A diaphragm 2 is arranged on the upper surface of the lid member 1, and a holder 3 is arranged on the diaphragm 2. The outer shapes of the lid member 1, the diaphragm 2, and the holder 3 are formed in the same shape, and the periphery thereof is joined and integrally formed by TIG welding, plasma welding, laser welding, or the like. After the liquid is filled into the pressure receiving space 31 formed by the joined holder 3 and the diaphragm 2 through the liquid injection hole 32, the sealing ball 39 is welded and sealed. In the semiconductor pressure sensor element 41, a piezoresistor is formed on the surface of the semiconductor substrate so as to form a bridge, and a closed space for pressure detection is formed on the back surface of the semiconductor substrate. The connector case 5 is a resin case into which the terminal 8 made of an electrically insulating resin is inserted and fixed. The connector case 5 has a socket portion provided above, a connector case internal space 54 provided below the socket portion, and , A holder receiving surface 51 of the peripheral wall and an O-ring receiving surface 52 of the peripheral wall
And a terminal through hole 53 and a caulking receiving portion 55 provided above and outside the peripheral wall. The terminal 8 is inserted into the terminal through hole 53 from below and fixed.
In the internal space 54, a terminal base 89 to which the terminal 8 is fixed is inserted. A pin 71 is connected to an energization connection portion 81 provided at the other end of the terminal 8 by caulking or spot welding. The collar 6 is formed in a substantially cylindrical shape using aluminum, for example, and is bent inwardly on the lower end side to form a receiving portion 61, and the connector case 5 is formed on the upper end side.
A caulking portion 62 for caulking the caulking receiving portion 55 is provided. The diaphragm 2 is positioned on the cover 1 on which the pressure introducing pipe 11 is brazed to the opening. Furthermore, the periphery of the temporary assembly in which the semiconductor pressure sensor element 41 is disposed in the internal space 31 and the holder 3 in which the pin 71 is fixed to the pin lead-out hole 33 by a hermetic seal is disposed by TIG welding or plasma welding. Alternatively, the pressure sensor body is formed by airtight welding by laser welding and integrated. Thereafter, a liquid such as fluorine oil or silicone oil is filled into the internal space 31 constituting the pressure receiving chamber from the liquid injection port 32, and then the sealing ball 39 is welded to the holder 3 so that the liquid injection port 32 is opened. Seal. The pressure sensor main body is inserted into the collar 6, the terminal pedestal 89 is placed on the holder 3, and the pin 71 and the current-carrying connection portion 81 of the terminal 8 are connected by caulking or spot welding. Thereafter, the terminal 8 is inserted into the terminal through hole 53 of the connector case 5 from above, the connector case 5 having the O-ring 95 disposed on the O-ring receiving surface 52 is set on the holder 3, and the caulking portion of the collar 6 is formed. A pressure sensor is formed by caulking 62. The O-ring 95 is inserted into the O-ring receiving surface 52 constituting the O-ring receiving portion, and prevents water, moisture and the like from the outside from entering the internal space 54 of the connector case 5. According to the present invention, after the pressure sensor main body is positioned in the collar 6, the connector case 5 is covered from above, and the caulked portion 62 of the collar 6 is caulked, so that the pressure sensor can be reduced in number of parts. It can be easily manufactured with a small number of points and a small number of manufacturing steps. A configuration of a pressure sensor according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The second embodiment is different from the first embodiment in that the substrate 42 of the semiconductor pressure sensor element 41 is directly fixed to the internal space of the holder 3 in the pressure sensor of the first embodiment. And the same components are denoted by the same reference numerals. A configuration of a pressure sensor according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The third embodiment has a configuration in which the circuit constant of the semiconductor pressure sensor element 41 can be adjusted from the outside in the pressure sensor according to the second embodiment. Other configurations are the same as those of the second embodiment. And the same components are denoted by the same reference numerals. That is, in this embodiment, the trimming terminal 72 is penetrated through the holder 3, and the resistor constituting the bridge is trimmed from the terminal 72 at the time of assembly. A configuration of a pressure sensor according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The fourth embodiment has a configuration in which the connector case 5 is caulked and fixed by the collar 6 in the pressure sensor of the first embodiment, and the pressure sensor main body is attached to the collar 6 by the O-ring 95. Fixedly supported. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals. A configuration of a pressure sensor according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The fifth embodiment has a configuration in which the terminal pedestal 89 is omitted from the pressure sensor according to the first embodiment, and the other configuration is the same as that of the first embodiment. , Are assigned the same reference numerals. A configuration of a pressure sensor according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The sixth embodiment has a configuration in which the collar 6 is omitted from the pressure sensor according to the first embodiment, and the periphery of the lid member 1, the diaphragm 2, and the holder 3 is bent downward, and the welded portion 91 is torn. The structure in which the directional force is hardly applied is particularly suitable for high pressure. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals. A configuration of a pressure sensor according to a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The seventh embodiment is different from the pressure sensor of the first embodiment in that the lid member 1 and the collar 5 are integrated, the holder 32 is provided with annular ridges 37 and 38 concentrically, and the diaphragm 2 is provided with an annular shape. The holder 3 and the diaphragm 2 are integrated by projection welding to the bank 38, and the holder 3 and the lid member 1 are integrated by projecting the lid member 1 to the annular bank 37. Other configurations are first
This embodiment is the same as the above embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals. A configuration of a pressure sensor according to an eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The eighth embodiment is different from the pressure sensor according to the seventh embodiment in that the substrate 42 of the semiconductor pressure sensor element 41 is directly fixed to the internal space of the holder 3, and the other components are the same as those of the seventh embodiment. And the same components are denoted by the same reference numerals. A configuration of a pressure sensor according to a ninth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The ninth embodiment is different from the pressure sensor according to the eighth embodiment in that the circuit constant of the semiconductor pressure sensor element 41 can be adjusted from the outside. And the same components are denoted by the same reference numerals. That is, in this embodiment, the trimming terminal 72 is penetrated through the holder 3, and the resistor constituting the bridge is trimmed from the terminal 72 at the time of assembly. As described above, according to the present invention, the lid member, the diaphragm, and the holder are welded and integrated to form the pressure sensor main body, thereby reducing the number of parts and reducing the number of assembly steps. A reduced pressure sensor can be provided. .

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の第1の実施の形態にかかる圧力センサ
の構造を示す縦断面図。 【図2】本発明の第2実施の形態にかかる圧力センサの
構造を示す縦断面図。 【図3】本発明の第3の実施の形態にかかる圧力センサ
の構造を示す縦断面図。 【図4】本発明の第4の実施の形態にかかる圧力センサ
の構造を示す縦断面図。 【図5】本発明の第5の実施の形態にかかる圧力センサ
の構造を示す縦断面図。 【図6】本発明の第6の実施の形態にかかる圧力センサ
の構造を示す縦断面図。 【図7】本発明の第7の実施の形態にかかる圧力センサ
の構造を示す縦断面図。 【図8】本発明の第8の実施の形態にかかる圧力センサ
の構造を示す縦断面図。 【図9】本発明の第9の実施の形態にかかる圧力センサ
の構造を示す縦断面図。 【符号の説明】 1 蓋部材 11 圧力導入管 12 加圧空間 15 溶接部(ロー付け部) 2 ダイヤフラム 3 ホルダ 31 受圧室 32 液体注入口 33 ピン引出孔 37,38 環状の堤 39 封止ボール 41 半導体圧力センサ素子 42 台座 43 プリント配線基板 5 コネクタケース 51 ホルダ受面 52 Oリング受面 53 ターミナル貫通孔 54 内部空間 55 かしめ受け肩部 6 カラー 61 受け部 62 かしめ部 71 ピン 72 トリミング用ピン 79 ハーメチックシール 8 ターミナル 81 通電接続部 89 ターミナル台座 95 Oリング
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing the structure of a pressure sensor according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing the structure of a pressure sensor according to a second embodiment of the present invention. FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a structure of a pressure sensor according to a third embodiment of the present invention. FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a structure of a pressure sensor according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a structure of a pressure sensor according to a fifth embodiment of the present invention. FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a structure of a pressure sensor according to a sixth embodiment of the present invention. FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing the structure of a pressure sensor according to a seventh embodiment of the present invention. FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing the structure of a pressure sensor according to an eighth embodiment of the present invention. FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing the structure of a pressure sensor according to a ninth embodiment of the present invention. [Description of Signs] 1 lid member 11 pressure introduction pipe 12 pressurized space 15 welded part (brazing part) 2 diaphragm 3 holder 31 pressure receiving chamber 32 liquid injection port 33 pin extraction hole 37, 38 annular ridge 39 sealing ball 41 Semiconductor pressure sensor element 42 Base 43 Printed wiring board 5 Connector case 51 Holder receiving surface 52 O-ring receiving surface 53 Terminal through hole 54 Internal space 55 Caulking receiving shoulder 6 Collar 61 Receiving portion 62 Caulking 71 Pin 72 Trimming pin 79 Hermetic Seal 8 Terminal 81 Electric connection 89 Terminal base 95 O-ring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F055 AA40 BB20 CC02 DD01 DD04 EE13 FF43 GG01 GG12 GG22 GG25 4M112 AA01 BA01 CA01 DA18 EA01 EA11 EA14 FA07 GA01    ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page    F term (reference) 2F055 AA40 BB20 CC02 DD01 DD04                       EE13 FF43 GG01 GG12 GG22                       GG25                 4M112 AA01 BA01 CA01 DA18 EA01                       EA11 EA14 FA07 GA01

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 半導体圧力センサ素子が収納された圧力
検出室内に液体を封入し、この圧力検出室に外部から加
えられた圧力を前記液体を介して前記半導体圧力センサ
素子に伝えることで、この圧力センサ素子から前記圧力
に応じた電圧信号を出力する半導体圧力センサにおい
て、圧力導入管を備えた蓋部材と、圧力を受けるダイヤ
フラムと、半導体圧力センサを内部空間に固定したホル
ダを、溶接により一体化して圧力センサ本体部としたこ
とを特徴とする半導体圧力センサ。
Claims: 1. A liquid is sealed in a pressure detection chamber in which a semiconductor pressure sensor element is housed, and a pressure applied from outside to the pressure detection chamber is applied to the semiconductor pressure sensor element via the liquid. In the semiconductor pressure sensor that outputs a voltage signal corresponding to the pressure from the pressure sensor element, the lid member including the pressure introduction pipe, the diaphragm that receives the pressure, and the semiconductor pressure sensor are fixed to the internal space. A semiconductor pressure sensor wherein the holder is integrated by welding to form a pressure sensor main body.
JP2002092250A 2002-03-28 2002-03-28 Pressure sensor Pending JP2003287472A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002092250A JP2003287472A (en) 2002-03-28 2002-03-28 Pressure sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002092250A JP2003287472A (en) 2002-03-28 2002-03-28 Pressure sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003287472A true JP2003287472A (en) 2003-10-10

Family

ID=29237128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002092250A Pending JP2003287472A (en) 2002-03-28 2002-03-28 Pressure sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003287472A (en)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1562030A2 (en) * 2004-02-04 2005-08-10 Denso Corporation Pressure sensor wih metal diaphragm
JP2005308397A (en) * 2004-04-16 2005-11-04 Saginomiya Seisakusho Inc Pressure sensor
JP2012068105A (en) * 2010-09-22 2012-04-05 Fuji Koki Corp Pressure sensor
JP2012117992A (en) * 2010-12-03 2012-06-21 Fuji Koki Corp Pressure detector
CN102721506A (en) * 2011-03-30 2012-10-10 浙江三花股份有限公司 A pressure transducer
KR20130025804A (en) * 2011-09-02 2013-03-12 가부시기가이샤 후지고오키 Pressure sensor
JP2013096805A (en) * 2011-10-31 2013-05-20 Denso Corp Dynamic quantity sensor
JP2013148350A (en) * 2012-01-17 2013-08-01 Fuji Koki Corp Pressure sensor
JP2014006254A (en) * 2012-06-25 2014-01-16 Robert Bosch Gmbh Pressure detection module, and pressure sensor device including pressure detection module
CN103575430A (en) * 2012-08-07 2014-02-12 成都达瑞斯科技有限公司 Ceramic resistance type pressure sensor
JP2015042993A (en) * 2014-11-07 2015-03-05 株式会社不二工機 Pressure sensor
JP2016004016A (en) * 2014-06-19 2016-01-12 富士電機株式会社 Double diaphragm type pressure sensor
CN107084813A (en) * 2016-02-16 2017-08-22 株式会社不二工机 Pressure sensing cell and the pressure sensor using the pressure sensing cell
EP3208590A1 (en) * 2016-02-16 2017-08-23 Fujikoki Corporation Pressure detection unit, pressure sensor using the same, and method of manufacturing pressure detection unit
JP2019113332A (en) * 2017-12-21 2019-07-11 日本電産トーソク株式会社 pressure sensor
JP2020165805A (en) * 2019-03-29 2020-10-08 長野計器株式会社 Physical quantity measuring device and manufacturing method for physical quantity measuring device

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1562030A2 (en) * 2004-02-04 2005-08-10 Denso Corporation Pressure sensor wih metal diaphragm
EP1562030A3 (en) * 2004-02-04 2006-12-13 Denso Corporation Pressure sensor with metal diaphragm
KR100983814B1 (en) * 2004-02-04 2010-09-27 가부시키가이샤 덴소 Pressure sensor having a metal diaphragm responsive to pressure
JP2005308397A (en) * 2004-04-16 2005-11-04 Saginomiya Seisakusho Inc Pressure sensor
JP2012068105A (en) * 2010-09-22 2012-04-05 Fuji Koki Corp Pressure sensor
JP2012117992A (en) * 2010-12-03 2012-06-21 Fuji Koki Corp Pressure detector
CN102721506A (en) * 2011-03-30 2012-10-10 浙江三花股份有限公司 A pressure transducer
KR20130025804A (en) * 2011-09-02 2013-03-12 가부시기가이샤 후지고오키 Pressure sensor
JP2013064728A (en) * 2011-09-02 2013-04-11 Fuji Koki Corp Pressure sensor
KR102009043B1 (en) 2011-09-02 2019-08-08 가부시기가이샤 후지고오키 Pressure sensor
JP2013096805A (en) * 2011-10-31 2013-05-20 Denso Corp Dynamic quantity sensor
JP2013148350A (en) * 2012-01-17 2013-08-01 Fuji Koki Corp Pressure sensor
JP2014006254A (en) * 2012-06-25 2014-01-16 Robert Bosch Gmbh Pressure detection module, and pressure sensor device including pressure detection module
CN103575430A (en) * 2012-08-07 2014-02-12 成都达瑞斯科技有限公司 Ceramic resistance type pressure sensor
JP2016004016A (en) * 2014-06-19 2016-01-12 富士電機株式会社 Double diaphragm type pressure sensor
US9733140B2 (en) 2014-06-19 2017-08-15 Fuji Electric Co., Ltd. Double diaphragm type pressure sensor
JP2015042993A (en) * 2014-11-07 2015-03-05 株式会社不二工機 Pressure sensor
EP3208590A1 (en) * 2016-02-16 2017-08-23 Fujikoki Corporation Pressure detection unit, pressure sensor using the same, and method of manufacturing pressure detection unit
EP3208589A1 (en) * 2016-02-16 2017-08-23 Fujikoki Corporation Pressure detection unit and pressure sensor using the same
JP2017146136A (en) * 2016-02-16 2017-08-24 株式会社不二工機 Pressure detection unit and pressure sensor using the same
JP2017146137A (en) * 2016-02-16 2017-08-24 株式会社不二工機 Pressure detection unit, pressure sensor using the same, and method for manufacturing pressure detection unit
US10260978B2 (en) 2016-02-16 2019-04-16 Fujikoki Corporation Pressure detection unit and pressure sensor using the same
US10260979B2 (en) 2016-02-16 2019-04-16 Fujikoki Corporation Pressure detection unit, pressure sensor using the same, and method of manufacturing pressure detection unit
CN107084813A (en) * 2016-02-16 2017-08-22 株式会社不二工机 Pressure sensing cell and the pressure sensor using the pressure sensing cell
JP2019113332A (en) * 2017-12-21 2019-07-11 日本電産トーソク株式会社 pressure sensor
JP7087375B2 (en) 2017-12-21 2022-06-21 日本電産トーソク株式会社 pressure sensor
JP2020165805A (en) * 2019-03-29 2020-10-08 長野計器株式会社 Physical quantity measuring device and manufacturing method for physical quantity measuring device
JP7005550B2 (en) 2019-03-29 2022-01-21 長野計器株式会社 Manufacturing method of physical quantity measuring device and physical quantity measuring device
US11293820B2 (en) 2019-03-29 2022-04-05 Nagano Keiki Co., Ltd. Physical quantity measurement including improved corrosion protection

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003287472A (en) Pressure sensor
KR100590275B1 (en) Pressure sensor
US6227055B1 (en) Pressure sensor assembly with direct backside sensing
US7152483B2 (en) High pressure sensor comprising silicon membrane and solder layer
EP2873960B1 (en) Physical quantity measurement sensor
JP2005106796A (en) Pressure sensor
JPH11351990A (en) Pressure sensor
JPH07159263A (en) Pressure sensor
JP4027655B2 (en) Pressure sensor device
CN213688772U (en) Sensor packaging structure and differential pressure sensor
JPH11295174A (en) Pressure sensor
JP6500691B2 (en) Physical quantity sensor device and method of manufacturing physical quantity sensor device
CN213455953U (en) Sensor packaging structure and differential pressure sensor
JP4863571B2 (en) Pressure sensor
JPS58168930A (en) Pressure sensor unit
WO2021095404A1 (en) Pressure sensor device
JP4223273B2 (en) Pressure sensor
JP2004045076A (en) Pressure sensor
JPH09178596A (en) Pressure sensor
JP4118729B2 (en) Pressure sensor
JPH1130560A (en) Pressure sensor
JP4103227B2 (en) Pressure sensor
JP4304482B2 (en) Pressure sensor
JPH11237291A (en) Pressure sensor
JPH10300614A (en) Pressure sensor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050112

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061121

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070508