JP2003286308A - エチレン系ワックスの製造方法 - Google Patents

エチレン系ワックスの製造方法

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JP2003286308A JP2002091035A JP2002091035A JP2003286308A JP 2003286308 A JP2003286308 A JP 2003286308A JP 2002091035 A JP2002091035 A JP 2002091035A JP 2002091035 A JP2002091035 A JP 2002091035A JP 2003286308 A JP2003286308 A JP 2003286308A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】分子量分布の狭いエチレン系ワックスを得ると
ともに、このようなエチレン系ワックスを効率よく製造
する方法を提供する。 【解決手段】(A)シクロペンタジエニル骨格を有する
配位子を1個以上含む第IVB族遷移金属化合物であっ
て、該第IVB族遷移金属と結合する炭素数1〜10の炭
化水素基、または炭素数10以下の中性、共役または非
共役ジエンを含むものと、(B)前記第IVB族遷移金属
化合物(A)と反応してイオン対を形成する化合物とか
らなるオレフィン重合用触媒の存在下にエチレンを単独
重合させるか、あるいはエチレンと炭素原子数が3以上
のオレフィンとを共重合させて、極限粘度[η]が0.
40dl/g以下であるエチレン(共)重合体を形成さ
せることを特徴とするエチレン系ワックスの製造方法。
平均滞留時間が3時間以下である上記エチレン系ワック
スの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エチレン系ワック
スの製造方法に関し、さらに詳しくは分子量分布の狭い
エチレン系ワックスを高い生産性で製造するエチレン系
ワックスの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ポリエチレンワックスなどのオレフィン
系低分子量重合体は、たとえば顔料分散剤、樹脂加工助
剤、印刷インキ用添加剤、塗料用添加剤、ゴム加工助
剤、繊維処理剤などの用途に用いられている。また、オ
レフィン系低分子量重合体は、トナー用離型剤にも用い
られている。近年、省エネルギー化の観点から低温定着
トナーが求められており、低温での離型性のよいワック
ス、すなわち同一組成、同一分子量であっても、融点の
低いワックスの出現が望まれている。
【0003】ところでこのようなオレフィン系低分子量
重合体を製造する方法としては、従来から工業的には通
常チタン系触媒が使用されている。しかし、この触媒系
では触媒単位量当たりの低分子量重合体の収量は大き
く、高活性であるという利点はあるが、重合系内の気相
の水素分圧を大きく維持することが必要であり、その結
果、アルカンの副生が多いという欠点があった。さらに
は、得られた低分子量重合体の分子量分布が広く、とく
に分子量が1000以下の低分子量重合体においては、
ベタつきが大きいために、低分子量部を除去しなければ
上記の用途には使用することが困難であった。
【0004】これらの欠点を改善する方法として、特開
昭59−210905号公報にはバナジウム系触媒によ
る低分子量重合体を製造する方法が提案されている。こ
の公報にはチタン系触媒に比べ、低水素分圧下で分子量
分布の狭い低分子量重合体を製造できることが記載され
ているが、分子量分布などが必ずしも充分ではなかっ
た。
【0005】また、本願出願人は、特開昭60−784
62号において、(A) 周期律表のIVB族、VB族及びVIB族
よりなる群から選ばれた遷移金属の化合物、(B) アルミ
ノオキサンからなるメタロセン系触媒の存在下に、エチ
レンを重合させるかまたはエチレンとα−オレフィンと
を重合させるエチレン系ワックスの製造方法を提案して
いる。この方法によると、分子量分布の狭いエチレン系
ワックスを製造することが可能であるが、さらに生産性
に優れたエチレン系ワックスの製造方法が望まれてい
る。
【0006】さらに、特開平1−203410号公報、
特開平6−49129号公報などには、メタロセンとア
ルミノキサンとからなるメタロセン系触媒を用いてエチ
レン系ワックスを製造することが記載されているが、こ
れらの方法も生産性が必ずしも充分ではない。重合温度
を高くすると、重合熱の除熱が容易になり、生産性を向
上させることができるが、触媒単位重量当りの低分子量
重合体の収量が低下するという問題があった。
【0007】また、本願出願人は、特開平8−2394
14号において、(A)シクロペンタジエニル骨格を有
する配位子を含む第IVB族遷移金属化合物と、(B)前
記(A)と反応してイオン対を形成する化合物と、
(C)有機アルミニウム化合物とからなるオレフィン重
合用触媒の存在下にエチレンを(共)重合させるエチレ
ン系ワックスの製造方法を提案している。この方法によ
ると、分子量分布の狭いエチレン系ワックスを高い生産
効率で製造することが可能であるが、重合系中における
(A)シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む
第IVB族遷移金属化合物の濃度が高い範囲では、その生
産効率、すなわち単位時間当り、遷移金属化合物1分子
当りの重合活性は必ずしも充分ではなく、このような濃
度範囲において、さらに生産性に優れたエチレン系ワッ
クスの製造方法が望まれている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記の
ような従来技術における問題点に鑑み鋭意検討した結
果、特定の炭化水素基またはジエン含有遷移金属化合物
の存在下にエチレンを単独重合させるか、あるいはエチ
レンと炭素原子数が3以上のオレフィンとを共重合させ
ると、高い生産性で分子量分布の狭いエチレン系ワック
スが得られることを見出した。また、100℃以上の温
度で上記(共)重合を行うとさらに高い生産性で分子量
分布が狭く、融点が低いエチレン系ワックスが得られる
ことを見出し本発明を完成するに至った。すなわち、本
発明は、分子量分布の狭いエチレン系ワックスを得ると
ともに、このようなエチレン系ワックスを効率よく製造
する方法を提供することを目的としている。
【0009】
【発明を解決するための手段】本発明に係るエチレン系
ワックスの製造方法は、(A)シクロペンタジエニル骨
格を有する配位子を1個以上含む第IVB族遷移金属化合
物であって、該第IVB族遷移金属と結合する炭素数1〜
10の炭化水素基、または炭素数10以下の中性、共役
または非共役ジエンを含むものと、(B)前記第IVB族
遷移金属化合物(A)と反応してイオン対を形成する化
合物と、また場合によっては(C)有機アルミニウム化
合物とからなるオレフィン重合用触媒の存在下にエチレ
ンを単独重合させるか、あるいはエチレンと炭素原子数
が3以上のオレフィンとを共重合させて、極限粘度
[η]が0.40dl/g以下であるエチレン(共)重
合体を形成させることを特徴としている。
【0010】本発明では、前記重合または共重合におけ
る重合温度が100℃以上であることが好ましい。ま
た、前記重合または共重合における平均滞留時間が3時
間以下であることが好ましい。本発明では、特に前記重
合または共重合における重合温度が100℃以上であ
り、かつ平均滞留時間が3時間以下であることが好まし
い。
【0011】以下、本発明に係るエチレン系ワックスの
製造方法について具体的に説明する。なお、本明細書に
おいて「重合」という語は、単独重合だけでなく、共重
合をも包含した意味で用いられることがあり、「重合
体」という語は、単独重合体だけでなく、共重合体をも
包含した意味で用いられることがある。
【0012】まず、本発明で用いられるオレフィン重合
用触媒を形成する各成分について説明する。オレフィン
重合用触媒を形成する(A)シクロペンタジエニル骨格
を有する配位子を1個以上含む第IVB族遷移金属化合物
であって、該第IVB族遷移金属と結合する炭素数1〜1
0の炭化水素基、または炭素数10以下の中性、共役ま
たは非共役ジエンを含むものとしては、下記式(I)で
表される化合物を例示することができる。
【0013】MLab… (I) (式中、Mは、周期律表第IVB族の遷移金属であり、具
体的には、ジルコニウム、チタンまたはハフニウムであ
り、Lは、遷移金属に配位する配位子であり、aは1以
上の整数であって、Lの個数を示し、Xは遷移金属に結
合する、炭素数が1〜10の炭化水素基、あるいは炭素
数が10以下の中性、共役または非共役ジエンであり、
bは1以上の整数であって、Xの個数を示す。)
【0014】上記一般式(I)において、Lは遷移金属
に配位する配位子であり、そのうち少なくとも1つはシ
クロペンタジエニル骨格を有する配位子である。シクロ
ペンタジエニル骨格を有する配位子としては、例えばシ
クロペンタジエニル基;メチルシクロペンタジエニル
基、ジメチルシクロペンタジエニル基、トリメチルシク
ロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニ
ル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル基、エチルシ
クロペンタジエニル基、メチルエチルシクロペンタジエ
ニル基、プロピルシクロペンタジエニル基、メチルプロ
ピルシクロペンタジエニル基、ブチルシクロペンタジエ
ニル基、メチルブチルシクロペンタジエニル基、ヘキシ
ルシクロペンタジエニル基などのアルキル置換シクロペ
ンタジエニル基;インデニル基;4,5,6,7-テトラヒドロ
インデニル基;フルオレニル基などを例示することがで
きる。これらの基はハロゲン原子、トリアルキルシリル
基などが置換していてもよい。
【0015】上記一般式(I)において、aは1以上の
整数であり、Lの個数を示す。上記一般式(I)におい
て、Mはジルコニウム、チタンまたはハフニウムであ
る。Xは、遷移金属に結合する、炭素数が1〜10の炭
化水素基、あるいは炭素数が10以下の中性、共役また
は非共役ジエンである。ここで、中性、共役または非共
役ジエンとは、非環状構造を有し、遷移金属とη4−結
合するものであり、上記のシクロペンタジエニル骨格を
有する配位子とは明確に区別される。炭素数が1〜10
の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基などを例示することができる。また、炭素
数が10以下の中性、共役または非共役ジエンの具体例
としては、s-シス-またはs-トランス-η4-1,3-ブタジエ
ン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-ジフェニル-1,3
-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-3-メチル-
1,3-ペンタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-
ジベンジル-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス
4-2,4-ヘキサジエン、s-シス-またはs-トランス-η4
-1,3-ペンタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4
-ジトリル-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-
η4-1,4-ビス(トリメチルシリル)-1,3-ブタジエン等
が挙げられる。上記一般式(I)において、bは1以上
の整数であり、Xの個数を示す。
【0016】上記一般式(I)で表される化合物が、シ
クロペンタジエニル骨格を有する配位子を2個以上含む
場合、そのうち2個のシクロペンタジエニル骨格を有す
る配位子は、エチレン、プロピレンなどのアルキレン
基;ジフェニルメチレンなどの置換アルキレン基;イソ
プロピリデンなどのアルキリデン基;シリレン基;ジメ
チルシリレン基、ジフェニルシリレン基、メチルフェニ
ルシリレン基などの置換シリレン基などを介して結合さ
れていてもよい。また、2個以上のシクロペンタジエニ
ル骨格を有する配位子は、同一であっても異なっていて
もよい。
【0017】上記一般式(I)で表される化合物は、例
えば遷移金属の原子価が4である場合、より具体的には
下記一般式(II)で表される。
【0018】R1 2 3 4 M … (II) (式中、Mは、ジルコニウム、チタンまたはハフニウム
であり、R1 は、シクロペンタジエニル骨格を有する配
位子であり、R2 およびR3は、互いに同一でも異なっ
ていてもよく、シクロペンタジエニル骨格を有する配位
子、あるいは炭素数が1〜10の炭化水素基であり、R
4は、炭素数が1〜10の炭化水素基である。)
【0019】上記一般式(II)において、シクロペンタ
ジエニル骨格を有する配位子としては、例えばシクロペ
ンタジエニル基;メチルシクロペンタジエニル基、ジメ
チルシクロペンタジエニル基、トリメチルシクロペンタ
ジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、ペ
ンタメチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペン
タジエニル基、メチルエチルシクロペンタジエニル基、
プロピルシクロペンタジエニル基、メチルプロピルシク
ロペンタジエニル基、ブチルシクロペンタジエニル基、
メチルブチルシクロペンタジエニル基、ヘキシルシクロ
ペンタジエニル基などのアルキル置換シクロペンタジエ
ニル基;インデニル基;4,5,6,7-テトラヒドロインデニ
ル基;フルオレニル基などを例示することができる。こ
れらの基はハロゲン原子、トリアルキルシリル基などが
置換していてもよい。
【0020】上記一般式(II)において、Mは、ジルコ
ニウム、チタンまたはハフニウムである。炭素数が1〜
10の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基などを例示することができる。
【0021】本発明では、上記一般式(II)において、
2 およびR3のうち1個がシクロペンタジエニル骨格
を有する配位子である遷移金属化合物、例えばR1 およ
びR 2がシクロペンタジエニル骨格を有する配位子であ
る遷移金属化合物が好ましく用いられる。この場合、こ
れらのシクロペンタジエニル骨格を有する基は、アルキ
レン基、置換アルキレン基、アルキリデン基、シリレン
基、置換シリレン基などを介して結合されていてもよ
い。またこのとき、R3およびR4は、炭素数が1〜10
の炭化水素基である。
【0022】また、上記一般式(I)で表される化合物
は、例えば遷移金属の原子価が2である場合、より具体
的には下記一般式(II')で表される。
【0023】R1 2 5 M … (II') (式中、Mは、ジルコニウム、チタンまたはハフニウム
であり、R1 は、シクロペンタジエニル骨格を有する配
位子であり、R2 は、シクロペンタジエニル骨格を有す
る配位子、あるいは炭素数が1〜10の炭化水素基であ
り、R5は、炭素数が10以下の中性、共役または非共
役ジエンである。)
【0024】上記一般式(II')において、シクロペン
タジエニル骨格を有する配位子としては、例えばシクロ
ペンタジエニル基;メチルシクロペンタジエニル基、ジ
メチルシクロペンタジエニル基、トリメチルシクロペン
タジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、
ペンタメチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペ
ンタジエニル基、メチルエチルシクロペンタジエニル
基、プロピルシクロペンタジエニル基、メチルプロピル
シクロペンタジエニル基、ブチルシクロペンタジエニル
基、メチルブチルシクロペンタジエニル基、ヘキシルシ
クロペンタジエニル基などのアルキル置換シクロペンタ
ジエニル基;インデニル基;4,5,6,7-テトラヒドロイン
デニル基;フルオレニル基などを例示することができ
る。これらの基はハロゲン原子、トリアルキルシリル基
などが置換していてもよい。
【0025】上記一般式(II')において、Mは、ジル
コニウム、チタンまたはハフニウムである。炭素数が1
〜10の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基などを例示することができる。ま
た、中性、共役または非共役ジエンは、非環状構造を有
し、遷移金属とη4−結合するものであり、上記のシク
ロペンタジエニル骨格を有する配位子とは明確に区別さ
れる。炭素数が10以下の中性、共役または非共役ジエ
ンの具体例としては、s-シス-またはs-トランス-η4-1,
3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-ジフ
ェニル-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4
-3-メチル-1,3-ペンタジエン、s-シス-またはs-トラン
ス-η4-1,4-ジベンジル-1,3-ブタジエン、s-シス-また
はs-トランス-η4-2,4-ヘキサジエン、s-シス-またはs-
トランス-η4-1,3-ペンタジエン、s-シス-またはs-トラ
ンス-η4-1,4-ジトリル-1,3-ブタジエン、s-シス-また
はs-トランス-η4-1,4-ビス(トリメチルシリル)-1,3-
ブタジエン等が挙げられる。
【0026】本発明では、上記一般式(II')におい
て、R2がシクロペンタジエニル骨格を有する配位子で
ある遷移金属化合物が好ましく用いられる。このとき、
これらのシクロペンタジエニル骨格を有する基は、アル
キレン基、置換アルキレン基、アルキリデン基、シリレ
ン基、置換シリレン基などを介して結合されていてもよ
い。
【0027】上記一般式(II)または(II')で表され
る化合物は、上記一般式(II)または(II')における
1およびR2が、シクロペンタジエニル骨格を有する配
位子である場合、より具体的には下記一般式(III)ま
たは(III')で表される。
【0028】
【化1】
【0029】(式中、Mは、ジルコニウム、チタンまた
はハフニウムであり、R6、R7、R8、R9、R10
11、R12、R13、R14、R15は水素、炭化水素基、ケ
イ素含有炭化水素基から選ばれ、それぞれ同一でも異な
っていてもよく、R6からR15までの隣接した置換基は
互いに結合して環を形成していてもよく、Xは、炭素数
が1〜10の炭化水素基、または炭素数が10以下の中
性、共役または非共役ジエンであり、それぞれ同一でも
異なっていてもよく、nは1または2であり、Xの個数
を示す。)
【0030】
【化2】
【0031】(式中、Mは、ジルコニウム、チタンまた
はハフニウムであり、R6、R7、R8、R9、R10
11、R12、R13、R14、R15は水素、炭化水素基、ケ
イ素含有炭化水素基から選ばれ、それぞれ同一でも異な
っていてもよく、R6からR13までの隣接した置換基は
互いに結合して環を形成していてもよく、Xは、炭素数
が1〜10の炭化水素基、または炭素数が10以下の中
性、共役または非共役ジエンであり、それぞれ同一でも
異なっていてもよく、nは1または2であって、Xの個
数を示し、Qは、炭素、ケイ素またはゲルマニウムから
選ばれ、Y1およびY2は水素、炭化水素基、ケイ素含有炭
化水素基から選ばれ、それぞれ同一でも異なっていても
よく、互いに結合して環を形成していてもよい。)
【0032】上記一般式(III)または(III')におい
て、Rn(n;6〜15の整数)またはYn(n;1〜2
の整数)が炭化水素基である場合、炭化水素基として
は、好ましくは炭素数1〜20のアルキル基、炭素数7
〜20のアリールアルキル基、炭素数6〜20のアリー
ル基、または炭素数7〜20のアルキルアリール基であ
り、1つ以上の環構造を含んでいてもよい。その具体例
としては、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピ
ル、2-メチルプロピル、1,1-ジメチルプロピル、2,2-ジ
メチルプロピル、1,1-ジエチルプロピル、1-エチル-1-
メチルプロピル、1,1,2,2-テトラメチルプロピル、sec-
ブチル、tert-ブチル、1,1-ジメチルブチル、1,1,3-ト
リメチルブチル、ネオペンチル、シクロヘキシルメチ
ル、シクロヘキシル、1-メチル-1-シクロヘキシル、1-
アダマンチル、2-アダマンチル、2-メチル-2-アダマン
チル、メンチル、ノルボルニル、ベンジル、2-フェニル
エチル、1-テトラヒドロナフチル、1-メチル-1-テトラ
ヒドロナフチル、フェニル、ナフチル、トリル等が挙げ
られる。
【0033】上記一般式(III)または(III')におい
て、ケイ素含有炭化水素基としては、好ましくはケイ素
数1〜4、炭素数3〜20のアルキルまたはアリールシ
リル基であり、その具体例としては、トリメチルシリ
ル、tert-ブチルジメチルシリル、トリフェニルシリル
等が挙げられる。
【0034】本発明において、上記一般式(III)の
6、R7、R8、R9、R10、R11、R1 2、R13、R14
15は水素、炭化水素基、ケイ素含有炭化水素基から選
ばれ、それぞれ同一でも異なっていてもよい。好ましい
炭化水素基、ケイ素含有炭化水素基の具体例としては、
上記と同様のものを挙げることができる。また、上記一
般式(III')のR6、R7、R8、R9、R10、R11
12、R13は水素、炭化水素基、ケイ素含有炭化水素基
から選ばれ、それぞれ同一でも異なっていてもよい。好
ましい炭化水素基、ケイ素含有炭化水素基の具体例とし
ては、上記と同様のものを挙げることができる。
【0035】上記一般式(III)のシクロペンタジエニ
ル環上のR6からR15までの隣接した置換基は、互いに
結合して環を形成してもよい。そのような置換シクロペ
ンタジエニル基として、インデニル、2-メチルインデニ
ル、テトラヒドロインデニル、2-メチルテトラヒドロイ
ンデニル、2,4,4-トリメチルテトラヒドロインデニル、
フルオレニル、ベンゾフルオレニル、ジベンゾフルオレ
ニル、オクタヒドロジベンゾフルオレニル、オクタメチ
ルオクタヒドロジベンゾフルオレニル等を挙げることが
できる。また、上記一般式(III')のシクロペンタジエ
ニル環上のR6からR13までの隣接した置換基は、互い
に結合して環を形成してもよい。そのような置換シクロ
ペンタジエニル基として、インデニル、2-メチルインデ
ニル、テトラヒドロインデニル、2-メチルテトラヒドロ
インデニル、2,4,4-トリメチルテトラヒドロインデニ
ル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、ジベンゾフル
オレニル、オクタヒドロジベンゾフルオレニル、オクタ
メチルオクタヒドロジベンゾフルオレニル等を挙げるこ
とができる。
【0036】本発明において、一般式(III)または(I
II')のMは、ジルコニウム、チタンまたはハフニウム
である。Xは、炭素数が1〜10の炭化水素基、または
炭素数が10以下の中性、共役または非共役ジエンから
同一または異なる組み合わせで選ばれる。炭化水素基の
具体例としては、メチル、エチル、n-プロピル、イソプ
ロピル、2-メチルプロピル、1,1-ジメチルプロピル、2,
2-ジメチルプロピル、1,1-ジエチルプロピル、1-エチル
-1-メチルプロピル、1,1,2,2-テトラメチルプロピル、s
ec-ブチル、tert-ブチル、1,1-ジメチルブチル、1,1,3-
トリメチルブチル、ネオペンチル、シクロヘキシルメチ
ル、シクロヘキシル、1-メチル-1-シクロヘキシル等が
挙げられる。炭素数が10以下の中性、共役または非共
役ジエンの具体例としては、s-シス-またはs-トランス-
η4-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,
4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トラン
ス-η4-3-メチル-1,3-ペンタジエン、s-シス-またはs-
トランス-η4-1,4-ジベンジル-1,3-ブタジエン、s-シス
-またはs-トランス-η4-2,4-ヘキサジエン、s-シス-ま
たはs-トランス-η4-1,3-ペンタジエン、s-シス-または
s-トランス-η4-1,4-ジトリル-1,3-ブタジエン、s-シス
-またはs-トランス-η4-1,4-ビス(トリメチルシリル)
-1,3-ブタジエン等が挙げられる。
【0037】以下に、上記一般式(III)で表される第I
VB族遷移金属化合物の具体例を示すが、特にこれによっ
て本発明の範囲が限定されるものではない。一般式(II
I)に示す第IVB族遷移金属化合物のMXn(金属部分)を
除いたリガンド構造を、表記上、Cp(シクロペンタジエ
ニル骨格を有する配位子部分)とし、その構造の具体
例、およびそれらの組み合わせによるリガンド構造の具
体例を以下の表に示す。
【0038】
【表1】
【0039】
【表2】
【0040】
【表3】
【0041】
【表4】
【0042】
【表5】
【0043】
【表6】
【0044】
【表7】
【0045】
【表8】
【0046】上記の表に従えば、No. 166のリガンド構
造はa6-a6の組み合わせを意味し、金属部分のMXnがZrMe
2の場合は、下記メタロセン化合物(化3)を例示した
ことになる。
【0047】
【化3】
【0048】上記一般式(III)のMXnの具体例として
は、ZrMe2、ZrEt2、Zr(n-Pr)2、ZrMeEt、Zr(s-trans-η
4-1,3-butadiene)、Zr(s-trans-η4-1,4-Ph2-1,3-butad
iene)、Zr(s-trans-η4-3-Me-1,3-pentadiene)、Zr(s-t
rans-η4-1,4-(CH2Ph)2-1,3-butadiene)、Zr(s-trans-
η4-2,4-hexadiene)、Zr(s-trans-η4-1,3-pentadien
e)、Zr(s-trans-η4-1,4-(p-tol)2-1,3-butadiene)、Zr
(s-trans-η4-1,4-(SiMe3) 2-1,3-butadiene)、Zr(s-cis
4-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-1,4-Ph2-1,3-buta
diene)、Zr(s-cis-η4-3-Me-1,3-pentadiene)、Zr(s-ci
s-η4-1,4-(CH2Ph)2-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-2,
4-hexadiene)、Zr(s-cis-η4-1,3-pentadiene)、Zr(s-c
is-η4-1,4-(p-tol)2-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-
1,4-(SiMe3)2-1,3-butadiene)、およびこれら遷移金属
を、ジルコニウムからチタンまたはハフニウムに替えた
ものなどを挙げることができる。
【0049】また、以下に、上記一般式(III')で表さ
れる第IVB族遷移金属化合物の具体例を示すが、特にこ
れによって本発明の範囲が限定されるものではない。一
般式(III')に示す第IVB族遷移金属化合物のMXn(金属
部分)を除いたリガンド構造を、表記上、Cp(シクロペ
ンタジエニル骨格を有する配位子部分)、およびBridge
(架橋部分)の2つに分け、それぞれの部分構造の具体
例、およびそれらの組み合わせによるリガンド構造の具
体例を以下の表に示す。尚、CpおよびBridgeの具体例に
おいて、黒丸(●)で示した点は、それぞれBridgeおよ
びCpとの結合点を表す。
【0050】
【表9】
【0051】
【表10】
【0052】
【表11】
【0053】
【表12】
【0054】
【表13】
【0055】
【表14】
【0056】
【表15】
【0057】
【表16】
【0058】
【表17】
【0059】
【表18】
【0060】
【表19】
【0061】
【表20】
【0062】
【表21】
【0063】
【表22】
【0064】
【表23】
【0065】
【表24】
【0066】
【表25】
【0067】
【表26】
【0068】
【表27】
【0069】
【表28】
【0070】
【表29】
【0071】
【表30】
【0072】
【表31】
【0073】
【表32】
【0074】
【表33】
【0075】
【表34】
【0076】
【表35】
【0077】
【表36】
【0078】
【表37】
【0079】
【表38】
【0080】
【表39】
【0081】
【表40】
【0082】
【表41】
【0083】
【表42】
【0084】
【表43】
【0085】
【表44】
【0086】
【表45】
【0087】
【表46】
【0088】
【表47】
【0089】
【表48】
【0090】
【表49】
【0091】
【表50】
【0092】
【表51】
【0093】
【表52】
【0094】
【表53】
【0095】
【表54】
【0096】
【表55】
【0097】
【表56】
【0098】
【表57】
【0099】
【表58】
【0100】
【表59】
【0101】
【表60】
【0102】
【表61】
【0103】
【表62】
【0104】
【表63】
【0105】
【表64】
【0106】
【表65】
【0107】
【表66】
【0108】
【表67】
【0109】
【表68】
【0110】
【表69】
【0111】
【表70】
【0112】
【表71】
【0113】
【表72】
【0114】
【表73】
【0115】
【表74】
【0116】
【表75】
【0117】
【表76】
【0118】
【表77】
【0119】
【表78】
【0120】
【表79】
【0121】
【表80】
【0122】
【表81】
【0123】
【表82】
【0124】
【表83】
【0125】
【表84】
【0126】
【表85】
【0127】
【表86】
【0128】
【表87】
【0129】
【表88】
【0130】
【表89】
【0131】
【表90】
【0132】
【表91】
【0133】
【表92】
【0134】上記の表に従えば、No. 7127のリガンド構
造はa1-b4-a57の組み合わせを意味し、金属部分のMXn
ZrMe2の場合は、下記メタロセン化合物(化4)を例示
したことになる。
【0135】
【化4】
【0136】上記一般式(III')のMXnの具体例として
は、ZrMe2、ZrEt2、Zr(n-Pr)2、ZrMeEt、Zr(s-trans-η
4-1,3-butadiene)、Zr(s-trans-η4-1,4-Ph2-1,3-butad
iene)、Zr(s-trans-η4-3-Me-1,3-pentadiene)、Zr(s-t
rans-η4-1,4-(CH2Ph)2-1,3-butadiene)、Zr(s-trans-
η4-2,4-hexadiene)、Zr(s-trans-η4-1,3-pentadien
e)、Zr(s-trans-η4-1,4-(p-tol)2-1,3-butadiene)、Zr
(s-trans-η4-1,4-(SiMe3) 2-1,3-butadiene)、Zr(s-cis
4-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-1,4-Ph2-1,3-buta
diene)、Zr(s-cis-η4-3-Me-1,3-pentadiene)、Zr(s-ci
s-η4-1,4-(CH2Ph)2-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-2,
4-hexadiene)、Zr(s-cis-η4-1,3-pentadiene)、Zr(s-c
is-η4-1,4-(p-tol)2-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-
1,4-(SiMe3)2-1,3-butadiene)、およびこれら遷移金属
を、ジルコニウムからチタンまたはハフニウムに替えた
ものなどを挙げることができる。
【0137】本発明においては、上記したような第IVB
族遷移金属化合物のうち、シクロペンタジエニル骨格を
有する配位子を2個有するものが好ましく、さらに好ま
しくはシクロペンタジエニル骨格を有する配位子を2個
有し、且つ炭素数が1〜10の炭化水素基を2個有する
ものが用いられる。また、上記したような第IVB族遷移
金属化合物は、2種以上組み合わせて用いることもでき
る。
【0138】前記第IVB族遷移金属化合物(A)と反応
してイオン対を形成する化合物としては、特開平1−5
01950号公報、特開平1−502036号公報、特
開平3−179005号公報、特開平3−179006
号公報、特開平3−207703号公報、特開平3−2
07704号公報、USP−5321106号などに記
載されたルイス酸、イオン性化合物、ボラン化合物およ
びカルボラン化合物などを挙げることができる。
【0139】具体的には、ルイス酸としては、BR3
(Rは、フッ素、メチル基、トリフルオロメチル基など
の置換基を有していてもよいフェニル基またはフッ素で
ある。)で示される化合物が挙げられ、たとえば トリ
フルオロボロン、トリフェニルボロン、トリス(4-フル
オロフェニル)ボロン、トリス(3,5-ジフルオロフェニ
ル)ボロン、トリス(4-フルオロメチルフェニル)ボロ
ン、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボロン、トリス(p
-トリル)ボロン、トリス(o-トリル)ボロン、トリス(3,5
-ジメチルフェニル)ボロン、トリメチルボロン、トリイ
ソブチルボロンなどが挙げられる。
【0140】イオン性化合物としては、たとえば下記一
般式(IV)で表される化合物が挙げられる。
【0141】
【化5】
【0142】式中、Re+としては、H+、カルベニウム
カチオン、オキソニウムカチオン、アンモニウムカチオ
ン、ホスホニウムカチオン、シクロヘプチルトリエニル
カチオン、遷移金属を有するフェロセニウムカチオンな
どが挙げられる。Rf〜Riは、互いに同一でも異なって
いてもよく、有機基、好ましくはアリール基または置換
アリール基である。
【0143】前記カルベニウムカチオンとして具体的に
は、トリフェニルカルベニウムカチオン、トリス(メチ
ルフェニル)カルベニウムカチオン、トリス(ジメチルフ
ェニル)カルベニウムカチオンなどの三置換カルベニウ
ムカチオンなどが挙げられる。
【0144】前記アンモニウムカチオンとして具体的に
は、トリメチルアンモニウムカチオン、トリエチルアン
モニウムカチオン、トリ(n-プロピル)アンモニウムカチ
オン、トリイソプロピルアンモニウムカチオン、トリ(n
-ブチル)アンモニウムカチオン、トリイソブチルアンモ
ニウムカチオンなどのトリアルキルアンモニウムカチオ
ン、N,N-ジメチルアニリニウムカチオン、N,N-ジエチル
アニリニウムカチオン、N,N,2,4,6-ペンタメチルアニリ
ニウムカチオンなどのN,N-ジアルキルアニリニウムカチ
オン、ジイソプロピルアンモニウムカチオン、ジシクロ
ヘキシルアンモニウムカチオンなどのジアルキルアンモ
ニウムカチオンなどが挙げられる。
【0145】前記ホスホニウムカチオンとして具体的に
は、トリフェニルホスホニウムカチオン、トリス(メチ
ルフェニル)ホスホニウムカチオン、トリス(ジメチルフ
ェニル)ホスホニウムカチオンなどのトリアリールホス
ホニウムカチオンなどが挙げられる。
【0146】上記のうち、Re+としては、カルベニウム
カチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましく、特に
トリフェニルカルベニウムカチオン、N,N-ジメチルアニ
リニウムカチオン、N,N-ジエチルアニリニウムカチオン
が好ましい。
【0147】カルベニウム塩として具体的には、トリフ
ェニルカルベニウムテトラフェニルボレート、トリフェ
ニルカルベニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)
ボレート、トリフェニルカルベニウムテトラキス(3,5-
ジトリフルオロメチルフェニル)ボレート、トリス(4-メ
チルフェニル)カルベニウムテトラキス(ペンタフルオロ
フェニル)ボレート、トリス(3,5-ジメチルフェニル)カ
ルベニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレー
トなどを挙げることができる。
【0148】アンモニウム塩としては、トリアルキル置
換アンモニウム塩、N,N-ジアルキルアニリニウム塩、ジ
アルキルアンモニウム塩などを挙げることができる。
【0149】トリアルキル置換アンモニウム塩として具
体的には、たとえばトリエチルアンモニウムテトラフェ
ニルボレート、トリプロピルアンモニウムテトラフェニ
ルボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムテトラフェニ
ルボレート、トリメチルアンモニウムテトラキス(p-ト
リル)ボレート、トリメチルアンモニウムテトラキス(o-
トリル)ボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムテトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリエチルア
ンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレー
ト、トリプロピルアンモニウムテトラキス(ペンタフル
オロフェニル)ボレート、トリプロピルアンモニウムテ
トラキス(2,4-ジメチルフェニル)ボレート、トリ(n-ブ
チル)アンモニウムテトラキス(3,5-ジメチルフェニル)
ボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムテトラキス(4-
トリフルオロメチルフェニル)ボレート、トリ(n-ブチ
ル)アンモニウムテトラキス(3,5-ジトリフルオロメチル
フェニル)ボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムテト
ラキス(o-トリル)ボレート、ジオクタデシルメチルアン
モニウムテトラフェニルボレート、ジオクタデシルメチ
ルアンモニウムテトラキス(p-トリル)ボレート、ジオク
タデシルメチルアンモニウムテトラキス(o-トリル)ボレ
ート、ジオクタデシルメチルアンモニウムテトラキス
(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ジオクタデシルメ
チルアンモニウムテトラキス(2,4-ジメチルフェニル)ボ
レート、ジオクタデシルメチルアンモニウムテトラキス
(3,5-ジメチルフェニル)ボレート、ジオクタデシルメチ
ルアンモニウムテトラキス(4-トリフルオロメチルフェ
ニル)ボレート、ジオクタデシルメチルアンモニウムテ
トラキス(3,5-ジトリフルオロメチルフェニル)ボレー
ト、ジオクタデシルメチルアンモニウムテトラキス(4-
トリフルオロメチルフェニル)ボレートなどが挙げられ
る。
【0150】N,N-ジアルキルアニリニウム塩として具体
的には、たとえばN,N-ジメチルアニリニウムテトラフェ
ニルボレート、 N,N-ジメチルアニリニウムテトラキス
(ペンタフルオロフェニル)ボレート、 N,N-ジメチルア
ニリニウムテトラキス(3,5-ジトリフルオロメチルフェ
ニル)ボレート、N,N-ジエチルアニリニウムテトラフェ
ニルボレート、 N,N-ジエチルアニリニウムテトラキス
(ペンタフルオロフェニル)ボレート、 N,N-ジエチルア
ニリニウムテトラキス(3,5-ジトリフルオロメチルフェ
ニル)ボレート、N,N-2,4,6-ペンタメチルアニリニウム
テトラフェニルボレート、N,N-2,4,6-ペンタメチルアニ
リニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート
などが挙げられる。
【0151】ジアルキルアンモニウム塩として具体的に
は、たとえばジ(1-プロピル)アンモニウムテトラキス
(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ジシクロヘキシル
アンモニウムテトラフェニルボレートなどが挙げられ
る。
【0152】さらに、フェロセニウムテトラキス(ペン
タフルオロフェニル)ボレート、トリフェニルカルベニ
ウムペンタフェニルシクロペンタジエニル錯体、N,N-ジ
エチルアニリニウムペンタフェニルシクロペンタジエニ
ル錯体、あるいは下記式(V)または(VI)で表される
ボレート化合物、または下記式(VII)で表される活性
水素を含むボレート化合物、または下記式(VIII)で表
されるシリル基を含むボレート化合物などを挙げること
もできる。
【0153】
【化6】
【0154】(式中、Etはエチル基を示す。)
【0155】
【化7】
【0156】活性水素を含むボレート化合物:
【0157】
【化8】
【0158】ここで、Bはホウ素を表す。Gは多結合性
ヒドロカーボンラジカルを表し、好ましい多結合性ヒド
ロカーボンとしては炭素数1〜20を含むアルキレン、
アリレン、エチレン、アルカリレンラジカルであり、G
の好ましい例としては、フェニレン、ビスフェニレン、
ナフタレン、メチレン、エチレン、プロピレン、1,4-ブ
タジエン、p-フェニレンメチレンがあげられる。多結合
性ラジカルGはr+1の結合、すなわち一つの結合はボ
レートアニオンと結合し、Gのその他の結合rは(T−
H)基と結合する。A+はカチオンである。
【0159】上記一般式中のTはO、S、NRj、また
はPRjを表し、Rjはヒドロカルバニルラジカル、トリ
ヒドロカルバニルシリルラジカル、トリヒドロカルバニ
ルゲルマニウムラジカル、またはハイドライドを表す。
qは1以上の整数で好ましくは1である。T−Hグルー
プとしては、−OH、−SH、−NRH、または−PR
jHが挙げられ、ここでRjは炭素数1〜18好ましくは
炭素数1〜10のヒドロカルビニルラジカルまたは水素
である。好ましいRjグループはアルキル、シクロアル
キル、アリル、アリルアルキルまたは炭素数1〜18を
有するアルキルアリルである。−OH、−SH、−NR
jHまたは−PRjHは、例えば、−C(O)−OH、−
C(S)−SH−C(O)−NRjH、及びC(O)−
PRjHでもかまわない。最も好ましい活性水素を有す
る基は−OH基である。Qは、ハイドライド、ジヒドロ
カルビルアミド、好ましくはジアルキルアミド、ハライ
ド、ヒドロカルビルオキシド、アルコキシド、アリルオ
キシド、ハイドロカルビル、置換ハイドロカルビルラジ
カルなどである。ここでn+zは4である。
【0160】上記一般式の[B−Qn(Gq(T−H)
r)z]として、例えば、トリフェニル(ヒドロキシフ
ェニル)ボレート、ジフェニルージ(ヒドロキシフェニ
ル)ボレート、トリフェニル(2,4-ジヒドロキシフェニ
ル)ボレート、トリ(p-トリル)(ヒドロキシフェニル)ボ
レート、トリス(ペンタフルオロフェニル)(ヒドロキシ
フェニル)ボレート、トリス(2,4-ジメチルフェニル)(ヒ
ドロキシフェニル)ボレート、トリス(3,5-ジメチルフェ
ニル)(ヒドロキシフェニル)ボレート、トリス〔3,5-ジ
(トリフルオロメチル)フェニル〕(ヒドロキシフェニル)
ボレート、トリス(ペンタフルオロフェニル)(2-ヒドロ
キシエチル)ボレート、トリス(ペンタフルオロフェニ
ル)(4-ヒドロキシブチル)ボレート、トリス(ペンタフル
オロフェニル)(4-ヒドロキシシクロヘキシル)ボレー
ト、トリス(ペンタフルオロフェニル)〔4-(4-ヒドロキ
シフェニル)フェニル〕ボレート、トリス(ペンタフルオ
ロフェニル)(6-ヒドロキシ-2-ナフチル)ボレートなどが
挙げられ、最も好ましくはトリス(ペンタフルオロフェ
ニル)(4-ヒドキシフェニル)ボレートである。さらに上
記ボレート化合物の−OH基を−NHRj(ここで、Rj
はメチル、エチル、tーブチル)で置換したものも好ま
しい。
【0161】ボレート化合物の対カチオンであるA+
しては、カルボニウムカチオン、トロピルリウムカチオ
ン、アンモニウムカチオン、オキソニウムカチオン、ス
ルホニウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げ
られる。またそれ自信が還元されやすい金属の陽イオン
や有機金属の陽イオンも挙げられる。これらカチオンの
具体例としては、トリフェニルカルボニウムイオン、ジ
フェニルカルボニウムイオン、シクロヘプタトリニウ
ム、インデニウム、トリエチルアンモニウム、トリプロ
ピルアンモニウム、トリブチルアンモニウム、ジメチル
アンモニウム、ジプロピルアンモニウム、ジシクロヘキ
シルアンモニウム、トリオクチルアンモニウム、N,N
−ジメチルアンモニウム、ジエチルアンモニウム、2,
4,6-ペンタメチルアンモニウム、N,N−ジメチル
フェニルアンモニウム、ジ−(i-プロピル)アンモニウ
ム、ジシクロヘキシルアンモニウム、トリフェニルホス
ホニウム、トリホスホニウム、トリジメチルフェニルホ
スホニウム、トリ(メチルフェニル)ホスホニウム、トリ
フェニルホスホニウムイオン、トリフェニルオキソニウ
ムイオン、トリエチルオキソニウムイオン、ピリニウ
ム、銀イオン、金イオン、白金イオン、銅イオン、パラ
ジュウムイオン、水銀イオン、フェロセニウムイオンな
どが挙げられる。なかでも特にアンモニウムイオンが好
ましい。
【0162】シリル基を含むボレート化合物:
【0163】
【化9】
【0164】ここで、Bはホウ素を表す。Gは多結合性
ヒドロカーボンラジカルを表し、好ましい多結合性ヒド
ロカーボンとしては炭素数1〜20を含むアルキレン、
アリレン、エチレン、アルカリレンラジカルであり、G
の好ましい例としては、フェニレン、ビスフェニレン、
ナフタレン、メチレン、エチレン、プロピレン、1,4-ブ
タジエン、p-フェニレンメチレンがあげられる。多結
合性ラジカルGはr+1の結合、すなわち一つの結合は
ボレートアニオンと結合し、Gのその他の結合rは(S
iRklm)基と結合する。A+はカチオンである。
【0165】上記一般式中のRk、Rl、Rmはヒドロカ
ルバニルラジカル、トリヒドロカルバニルシリルラジカ
ル、トリヒドロカルバニルゲルマニウムラジカル、水素
ラジカル、アルコキシラジカル、ヒドロキシラジカルま
たはハロゲン化合物ラジカル、を表す。Rk、Rl、Rm
は同一でも独立でも良い。Qは、ハイドライド、ジヒド
ロカルビルアミド、好ましくはジアルキルアミド、ハラ
イド、ヒドロカルビルオキシド、アルコキシド、アリル
オキシド、ハイドロカルビル、置換ハイドロカルビルラ
ジカルなどであり、さらに好ましくはペンタフルオロベ
ンジルラジカルである。ここでn+zは4である。
【0166】上記一般式の[B−Qn(Gq(SiRk
lm)r)z]として、例えば、トリフェニル(4−
ジメチルクロロシリルフェニル)ボレート、ジフェニル
ージ(4−ジメチルクロロシリルフェニル)ボレート、ト
リフェニル(4−ジメチルメトキシシリルフェニル)ボレ
ート、トリ(p−トリル)(4−トリエトキシシリルフェ
ニル)ボレート、トリス(ペンタフルオロフェニル)(4−
ジメチルクロロシリルフェニル)ボレート、トリス(ペン
タフルオロフェニル)(4−ジメチルメトキシシリルフェ
ニル)ボレート、トリス(ペンタフルオロフェニル)(4−
トリメトキシシリルフェニル)ボレート、トリス(ペンタ
フルオロフェニル)(6−ジメチルクロロシリル−2ナフ
チル)ボレートなどが挙げられる。
【0167】ボレート化合物の対カチオンであるA+
上記式(VII)中の A+と同じものが挙げられる。
【0168】ボラン化合物として具体的には、たとえば
デカボラン(14)、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニウ
ム〕ノナボレート、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニウ
ム〕デカボレート、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニウ
ム〕ウンデカボレート、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニ
ウム〕ドデカボレート、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニ
ウム〕デカクロロデカボレート、ビス〔トリ(n-ブチル)
アンモニウム〕ドデカクロロドデカボレートなどのアニ
オンの塩、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ドデカハ
イドライドドデカボレート)コバルト酸塩(III)、ビス
〔トリ(n-ブチル)アンモニウム〕ビス(ドデカハイドラ
イドドデカボレート)ニッケル酸塩(III)などの金属ボラ
ンアニオンの塩などが挙げられる。
【0169】カルボラン化合物として具体的には、たと
えば4-カルバノナボラン(14)、1,3-ジカルバノナボ
ラン(13)、6,9-ジカルバデカボラン(14)、ドデ
カハイドライド-1-フェニル-1,3-ジカルバノナボラン、
ドデカハイドライド-1-メチル-1,3-ジカルバノナボラ
ン、ウンデカハイドライド-1,3-ジメチル-1,3-ジカルバ
ノナボラン、7,8-ジカルバウンデカボラン(13)、2,
7-ジカルバウンデカボラン(13)、ウンデカハイドラ
イド-7,8-ジメチル-7,8-ジカルバウンデカボラン、ドデ
カハイドライド-11-メチル-2,7-ジカルバウンデカボラ
ン、トリ(n-ブチル)アンモニウム1-カルバデカボレー
ト、トリ(n-ブチル)アンモニウム1-カルバウンデカボレ
ート、トリ(n-ブチル)アンモニウム1-カルバドデカボレ
ート、トリ(n-ブチル)アンモニウム1-トリメチルシリル
-1-カルバデカボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウム
ブロモ-1-カルバドデカボレート、トリ(n-ブチル)アン
モニウム6-カルバデカボレート(14)、トリ(n-ブチ
ル)アンモニウム6-カルバデカボレート(12)、トリ
(n-ブチル)アンモニウム7-カルバウンデカボレート(1
3)、トリ(n-ブチル)アンモニウム7,8-ジカルバウンデ
カボレート(12)、トリ(n-ブチル)アンモニウム2,9-
ジカルバウンデカボレート(12)、トリ(n-ブチル)ア
ンモニウムドデカハイドライド-8-メチル-7,9-ジカルバ
ウンデカボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムウンデ
カハイドライド-8-エチル-7,9-ジカルバウンデカボレー
ト、トリ(n-ブチル)アンモニウムウンデカハイドライド
-8-ブチル-7,9-ジカルバウンデカボレート、トリ(n-ブ
チル)アンモニウムウンデカハイドライド-8-アリル-7,9
-ジカルバウンデカボレート、トリ(n-ブチル)アンモニ
ウムウンデカハイドライド-9-トリメチルシリル-7,8-ジ
カルバウンデカボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウム
ウンデカハイドライド-4,6-ジブロモ-7-カルバウンデカ
ボレートなどのアニオンの塩;トリ(n-ブチル)アンモニ
ウムビス(ノナハイドライド-1,3-ジカルバノナボレー
ト)コバルト酸塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビ
ス(ウンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレー
ト)鉄酸塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ウ
ンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート)コ
バルト酸塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ウ
ンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート)ニ
ッケル酸塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ウ
ンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート)銅
酸塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ウンデカ
ハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート)金酸塩(I
II)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ノナハイドライ
ド-7,8-ジメチル-7,8-ジカルバウンデカボレート)鉄酸
塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ノナハイド
ライド-7,8-ジメチル-7,8-ジカルバウンデカボレート)
クロム酸塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ト
リブロモオクタハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボ
レート)コバルト酸塩(III)、トリス〔トリ(n-ブチル)
アンモニウム〕ビス(ウンデカハイドライド-7-カルバウ
ンデカボレート)クロム酸塩(III)、ビス〔トリ(n-ブチ
ル)アンモニウム〕ビス(ウンデカハイドライド-7-カル
バウンデカボレート)マンガン酸塩(IV)、ビス〔トリ(n-
ブチル)アンモニウム〕ビス(ウンデカハイドライド-7-
カルバウンデカボレート)コバルト酸塩(III)、ビス〔ト
リ(n-ブチル)アンモニウム〕ビス(ウンデカハイドライ
ド-7-カルバウンデカボレート)ニッケル酸塩(IV)などの
金属カルボランアニオンの塩などが挙げられる。
【0170】尚、上記のような前記第IVB族遷移金属化
合物(A)と反応してイオン対を形成する化合物(B)
は、2種以上混合して用いることができる。
【0171】オレフィン重合用触媒を形成する(C)有
機アルミニウム化合物としては、例えば下記一般式(I
X)で表される有機アルミニウム化合物、下記一般式
(X)で表されるI族金属とアルミニウムとの錯アルキル
化物、または有機アルミニウムオキシ化合物などを挙げ
ることができる。
【0172】Ra m Al(ORb)npq …(IX) (式中、Ra およびRb は、互いに同一でも異なってい
てもよく、炭素原子数が1〜15、好ましくは1〜4の
炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を示し、mは0<
m≦3、nは0≦n<3、pは0≦p<3、qは0≦q
<3の数であり、かつm+n+p+q=3である。)
【0173】M2 AlRa 4 …(X) (式中、M2 はLi、NaまたはKを示し、Ra は炭素
原子数が1〜15、好ましくは1〜4の炭化水素基を示
す。) 上記一般式(IX)で表される有機アルミニウム化合物と
しては、例えば下記一般式(XI)、(XII)、(XII
I)、または(XIV)で表される化合物などを例示でき
る。
【0174】Ra m Al(ORb)3-m …(XI) (式中、Ra およびRb は、互いに同一でも異なってい
てもよく、炭素原子数が1〜15、好ましくは1〜4の
炭化水素基を示し、mは好ましくは1.5≦m≦3の数
である。)
【0175】Ra m AlX3-m …(XII) (式中、Ra は炭素原子数が1〜15、好ましくは1〜
4の炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を示し、mは
好ましくは0<m<3である。)
【0176】Ra m AlH3-m …(XIII) (式中、Ra は炭素原子数が1〜15、好ましくは1〜
4の炭化水素基を示し、mは好ましくは2≦m<3であ
る。)
【0177】Ra m Al(ORb)nq …(XIV) (式中、Ra およびRb は、互いに同一でも異なってい
てもよく、炭素原子数が1〜15、好ましくは1〜4の
炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を示し、mは0<
m≦3、nは0≦n<3、qは0≦q<3の数であり、
かつm+n+q=3である。)
【0178】上記一般式(XI)、(XII)、(XIII)、
または(XIV)で表されるアルミニウム化合物として、
より具体的には、トリメチルアルミニウム、トリエチル
アルミニウム、トリn-ブチルアルミニウム、トリプロピ
ルアルミニウム、トリペンチルアルミニウム、トリヘキ
シルアルミニウム、トリオクチルアルミニウム、トリデ
シルアルミニウムなどのトリn-アルキルアルミニウム;
トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミ
ニウム、トリsec-ブチルアルミニウム、トリ tert-ブチ
ルアルミニウム、トリ2-メチルブチルアルミニウム、ト
リ3-メチルブチルアルミニウム、トリ2-メチルペンチル
アルミニウム、トリ3-メチルペンチルアルミニウム、ト
リ4-メチルペンチルアルミニウム、トリ2-メチルヘキシ
ルアルミニウム、トリ3-メチルヘキシルアルミニウム、
トリ2-エチルヘキシルアルミニウムなどのトリ分岐鎖ア
ルキルアルミニウム;トリシクロヘキシルアルミニウ
ム、トリシクロオクチルアルミニウムなどのトリシクロ
アルキルアルミニウム;トリフェニルアルミニウム、ト
リトリルアルミニウムなどのトリアリールアルミニウ
ム;ジイソプロピルアルミニウムハイドライド、ジイソ
ブチルアルミニウムハイドライドなどのジアルキルアル
ミニウムハイドライド;一般式(i-C49)x Aly(C5
10)z (式中、x、y、zは正の数であり、z≧2x
である。)などで表されるイソプレニルアルミニウムな
どのアルケニルアルミニウム;イソブチルアルミニウム
メトキシド、イソブチルアルミニウムエトキシド、イソ
ブチルアルミニウムイソプロポキシドなどのアルキルア
ルミニウムアルコキシド;ジメチルアルミニウムメトキ
シド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジブチルアル
ミニウムブトキシドなどのジアルキルアルミニウムアル
コキシド;エチルアルミニウムセスキエトキシド、ブチ
ルアルミニウムセスキブトキシドなどのアルキルアルミ
ニウムセスキアルコキシド;一般式Ra 2.5 Al(ORb)
0.5 などで表される平均組成を有する部分的にアルコ
キシ化されたアルキルアルミニウム;ジエチルアルミニ
ウムフェノキシド、ジエチルアルミニウム(2,6-ジ-t-ブ
チル-4-メチルフェノキシド)、エチルアルミニウムビス
(2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノキシド)、ジイソブチ
ルアルミニウム(2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノキシ
ド)、イソブチルアルミニウムビス(2,6-ジ-t-ブチル-4-
メチルフェノキシド)などのアルキルアルミニウムアリ
ーロキシド;ジメチルアルミニウムクロリド、ジエチル
アルミニウムクロリド、ジブチルアルミニウムクロリ
ド、ジエチルアルミニウムブロミド、ジイソブチルアル
ミニウムクロリドなどのジアルキルアルミニウムハライ
ド;エチルアルミニウムセスキクロリド、ブチルアルミ
ニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムセスキブロ
ミドなどのアルキルアルミニウムセスキハライド;エチ
ルアルミニウムジクロリド、プロピルアルミニウムジク
ロリド、ブチルアルミニウムジブロミドなどのアルキル
アルミニウムジハライドなどの部分的にハロゲン化され
たアルキルアルミニウム;ジエチルアルミニウムヒドリ
ド、ジブチルアルミニウムヒドリドなどのジアルキルア
ルミニウムヒドリド;エチルアルミニウムジヒドリド、
プロピルアルミニウムジヒドリドなどのアルキルアルミ
ニウムジヒドリドなどその他の部分的に水素化されたア
ルキルアルミニウム;エチルアルミニウムエトキシクロ
リド、ブチルアルミニウムブトキシクロリド、エチルア
ルミニウムエトキシブロミドなどの部分的にアルコキシ
化およびハロゲン化されたアルキルアルミニウムなどを
挙げることができる。
【0179】また、上記一般式(IX)で表される化合物
に類似する化合物も使用することができ、例えば窒素原
子を介して2以上のアルミニウム化合物が結合した有機
アルミニウム化合物を挙げることができる。このような
化合物として具体的には、(C25 )2 AlN(C25
)Al(C25 )2などを挙げることができる。
【0180】上記一般式(X)で表される化合物として
は、例えば、LiAl(C25 )4、LiAl(C7
15)4 などを挙げることができる。
【0181】また重合系内で上記有機アルミニウム化合
物が形成されるような化合物、たとえばハロゲン化アル
ミニウムとアルキルリチウムとの組み合わせ、またはハ
ロゲン化アルミニウムとアルキルマグネシウムとの組み
合わせなどを使用することもできる。これらのうち、有
機アルミニウム化合物が好ましい。
【0182】上記一般式(IX)で表される有機アルミニ
ウム化合物、または上記一般式(X)で表されるI族金属
とアルミニウムとの錯アルキル化物は、1種単独でまた
は2種以上組み合わせて用いられる。
【0183】本発明で用いられる有機アルミニウムオキ
シ化合物は、従来公知のアルミノキサンであってもよ
く、また特開平2−78687号公報に例示されている
ようなベンゼン不溶性の有機アルミニウムオキシ化合物
であってもよい。
【0184】従来公知のアルミノキサンは、たとえば下
記のような方法によって製造することができ、通常、炭
化水素溶媒の溶液として得られる。 (1)吸着水を含有する化合物または結晶水を含有する
塩類、たとえば塩化マグネシウム水和物、硫酸銅水和
物、硫酸アルミニウム水和物、硫酸ニッケル水和物、塩
化第1セリウム水和物などの炭化水素媒体懸濁液に、ト
リアルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物
を添加して、吸着水または結晶水と有機アルミニウム化
合物とを反応させる方法。 (2)ベンゼン、トルエン、エチルエーテル、テトラヒ
ドロフランなどの媒体中で、トリアルキルアルミニウム
などの有機アルミニウム化合物に直接水、氷または水蒸
気を作用させる方法。 (3)デカン、ベンゼン、トルエンなどの媒体中でトリ
アルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物
に、ジメチルスズオキシド、ジブチルスズオキシドなど
の有機スズ酸化物を反応させる方法。
【0185】なお該アルミノキサンは、少量の有機金属
成分を含有してもよい。また回収された上記のアルミノ
キサンの溶液から溶媒または未反応有機アルミニウム化
合物を蒸留して除去した後、溶媒に再溶解またはアルミ
ノキサンの貧溶媒に懸濁させてもよい。
【0186】アルミノキサンを調製する際に用いられる
有機アルミニウム化合物として具体的には、上記一般式
(XI)で表される有機アルミニウム化合物として例示し
たものと同様の有機アルミニウム化合物を挙げることが
できる。
【0187】これらのうち、トリアルキルアルミニウ
ム、トリシクロアルキルアルミニウムが好ましく、トリ
メチルアルミニウムが特に好ましい。
【0188】上記のような有機アルミニウム化合物は、
1種単独でまたは2種以上組み合わせて用いられる。な
お、トリメチルアルミニウムから調製されるアルミノキ
サンは、メチルアルミノキサンあるいはMAOと呼ば
れ、特によく用いられる化合物である。
【0189】アルミノキサンの調製に用いられる溶媒と
しては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン、シメ
ンなどの芳香族炭化水素、ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン、デカン、ドデカン、ヘキサデカン、オク
タデカンなどの脂肪族炭化水素、シクロペンタン、シク
ロヘキサン、シクロオクタン、メチルシクロペンタンな
どの脂環族炭化水素、ガソリン、灯油、軽油などの石油
留分または上記芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、脂環
族炭化水素のハロゲン化物とりわけ、塩素化物、臭素化
物などの炭化水素溶媒が挙げられる。さらにエチルエー
テル、テトラヒドロフランなどのエーテル類を用いるこ
ともできる。これらの溶媒のうち特に芳香族炭化水素ま
たは脂肪族炭化水素が好ましい。
【0190】また本発明で用いられるベンゼン不溶性の
有機アルミニウムオキシ化合物は、60℃のベンゼンに
溶解するAl成分がAl原子換算で通常10%以下、好
ましくは5%以下、特に好ましくは2%以下であり、ベ
ンゼンに対して不溶性または難溶性である。
【0191】本発明で用いられる有機アルミニウムオキ
シ化合物としては、下記一般式(XV)で表されるボロン
を含んだ有機アルミニウムオキシ化合物を挙げることも
できる。
【0192】
【化10】
【0193】(式中、Rcは炭素原子数が1〜10の炭
化水素基を示す。Rdは、互いに同一でも異なっていて
もよく、水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数が1
〜10の炭化水素基を示す。)
【0194】上記一般式(XV)で表されるボロンを含ん
だ有機アルミニウムオキシ化合物は、下記一般式(XV
I)で表されるアルキルボロン酸と有機アルミニウム化
合物とを、不活性ガス雰囲気下に不活性溶媒中で、−8
0℃〜室温の温度で1分〜24時間反応させることによ
り製造できる。
【0195】RcB(OH)2 …(XVI) (式中、Rcは前記と同じ基を示す。)
【0196】上記一般式(XVI)で表されるアルキルボ
ロン酸の具体的なものとしては、メチルボロン酸、エチ
ルボロン酸、イソプロピルボロン酸、n-プロピルボロン
酸、n-ブチルボロン酸、イソブチルボロン酸、n-ヘキシ
ルボロン酸、シクロヘキシルボロン酸、フェニルボロン
酸、3,5-ジフルオロフェニルボロン酸、ペンタフルオロ
フェニルボロン酸、3,5-ビス(トリフルオロメチル)フ
ェニルボロン酸などが挙げられる。これらの中では、メ
チルボロン酸、n-ブチルボロン酸、イソブチルボロン
酸、3,5-ジフルオロフェニルボロン酸、ペンタフルオロ
フェニルボロン酸が好ましい。これらは1種単独でまた
は2種以上組み合わせて用いられる。
【0197】このようなアルキルボロン酸と反応させる
有機アルミニウム化合物として具体的には、上記一般式
(IX)または(X)で表される有機アルミニウム化合物
として例示したものと同様の有機アルミニウム化合物を
挙げることができる。
【0198】これらのうち、トリアルキルアルミニウ
ム、トリシクロアルキルアルミニウムが好ましく、特に
トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ト
リイソブチルアルミニウムが好ましい。これらは1種単
独でまたは2種以上組み合わせて用いられる。
【0199】本発明で用いられる有機アルミニウムオキ
シ化合物は、1種単独でまたは2種以上組み合わせて用
いられる。
【0200】本発明で用いられるオレフィン重合用触媒
は、上記のような第IVB族遷移金属化合物(A)、前記
第IVB族遷移金属化合物(A)と反応してイオン対を形
成する化合物(B)、また、場合によっては有機アルミ
ニウム化合物(C)とから形成される。このようなオレ
フィン重合用触媒は、高い重合活性で分子量分布の狭い
エチレン(共)重合体を製造することができる。また、
重合活性が高いため滞留時間を短くすることができる。
【0201】(図1)に本発明で用いられるオレフィン
重合用触媒の調製工程を示す。本発明では、上記のよう
なオレフィン重合用触媒の存在下にエチレンを単独重合
させるか、あるいはエチレンと炭素原子数が3以上のオ
レフィンとを共重合させて低分子量エチレン(共)重合
体であるエチレン系ワックスを製造する。
【0202】ここで炭素原子数が3以上のオレフィンと
しては、プロピレン、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセ
ン、4-メチル-1-ペンテン、3-メチル-1-ペンテン、1-オ
クテン、1-ノネン、1-デセン、1-ウンデセン、1-ドデセ
ン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オクタデセ
ン、1-エイコセンなどの炭素原子数が3〜20のα−オ
レフィンを挙げることができる。これらの炭素原子数が
3以上のオレフィンは2種以上用いることもできる。
【0203】重合反応における重合原料オレフィン中の
エチレン含有量は、通常60〜100モル%、好ましく
は70〜100モル%の範囲であり、炭素原子数が3以
上のオレフィンの含有量は、通常0〜40モル%、好ま
しくは0〜30モル%の範囲である。
【0204】本発明では、重合反応は炭化水素媒体中で
実施される。このような炭化水素媒体として具体的に
は、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン、デカン、ドデカン、灯油などの脂肪族炭
化水素、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシク
ロペンタンなどの脂環族炭化水素、ベンゼン、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素、エチレンクロリ
ド、クロルベンゼン、ジクロロメタンなどのハロゲン化
炭化水素、ガソリン、灯油、軽油などの石油留分などを
挙げることができる。さらに、重合に用いるオレフィン
を用いることもできる。
【0205】本発明では、上記のようなオレフィン重合
用触媒の存在下に重合を行うが、この際には、上記第IV
B族遷移金属化合物(A)は、重合反応系内の遷移金属
原子の濃度として通常、10-9〜10-3グラム原子/リ
ットル、好ましくは10-8〜10-4グラム原子/リット
ルの範囲の量で用いられる。
【0206】前記第IVB族遷移金属化合物(A)と反応
してイオン対を形成する化合物(B)は、第IVB族遷移
金属化合物(A)中の遷移金属原子1モルに対して、通
常、約1〜50モル、好ましくは1〜20モルとなるよ
うな量で用いられる。
【0207】また、場合によって用いられる、有機アル
ミニウム化合物(C)は、第IVB族遷移金属化合物
(A)と反応してイオン対を形成する化合物(B)1モ
ルに対して、通常、約1〜500モル、好ましくは約1
〜300モルとなるような量で用いられる。さらに、重
合時のポリマー濃度〔ポリマー/(ポリマー + 溶媒)〕
は、通常、5重量%以上、好ましくは10重量%以上、
特に好ましくは15重量%以上である。
【0208】本発明では、エチレンの重合、またはエチ
レンと炭素原子数が3以上のオレフィンとの共重合は、
通常100℃以上、好ましくは100〜250℃、より
好ましくは120〜250℃、特に好ましくは130〜
200℃の範囲で行われる。
【0209】重合温度を上記のような範囲内にすると、
重合系の除熱が容易であり、除熱装置を小型化すること
ができる。また、同一の除熱装置では、除熱効率が上が
るので生産性を向上させることができる。さらに、高温
で重合を行うためポリマー濃度を高くしても、溶液粘度
があまり高くならず攪拌動力も低減でき、高濃度で重合
することができるため生産性が向上する。
【0210】通常エチレンを(共)重合する場合には、
重合温度を安定させるために溶媒などを循環して除熱が
行われている。ここで用いられる除熱装置では、一般に
除熱量が同じであれは重合温度が高い程伝熱面積を小さ
くすることができ、その効果は、冷却媒体等の条件の選
択によって変化するが、たとえば冷却水を用いて単純な
向流型の熱交換器を用いたときに、重合温度が100℃
である場合には、重合温度が70℃である場合に比べ
て、必要伝熱面積を約2分の1にすることも可能とな
る。このように重合温度を高くすると、必要伝熱面積を
小さくすることができ、除熱装置を小型化することがで
きるため、設備費を削減することができる。
【0211】平均滞留時間(重合時間)は、3時間以
下、好ましくは2時間以下、より好ましくは1時間以下
である。重合圧力は、通常大気圧〜100kg/c
2 、好ましくは大気圧〜50kg/cm2 、より好ま
しくは大気圧〜40kg/cm2 の範囲である。
【0212】得られるエチレン系ワックスの分子量は、
重合反応系に供給する水素量および/または重合温度に
より調節することができる。重合反応系に供給される水
素量は、エチレンに対する水素のモル比として、通常0
〜2、好ましくは0.01〜1の範囲である。
【0213】本発明では、重合反応が終了した重合反応
混合物を、常法によって処理することによりエチレン系
ワックスが得られる。このようにして得られるエチレン
系ワックスは、エチレンの単独重合体、またはエチレン
とオレフィンとの共重合体であり、その135℃デカリ
ン中で測定した極限粘度[η]は、0.40dl/g以
下、好ましくは0.005〜0.40dl/g、より好
ましくは0.005〜0.35dl/g、特に好ましく
は0.01〜0.30dl/gの範囲である。この、エ
チレン系ワックス中の、エチレン成分単位の含有率は、
80〜100モル%、好ましくは85〜100モル%、
より好ましくは90〜100モル%の範囲であり、炭素
原子数が3以上のオレフィン成分単位の含有率は、0〜
20モル%、好ましくは0〜15モル%、より好ましく
は0〜10モル%の範囲である。
【0214】また、エチレン系ワックスのゲルパーミエ
イションクロマトグラフィー(GPC)によって測定し
た分子量分布(Mw/Mn)は、通常3以下、好ましく
は2.5以下であり、融点は、132℃以下、好ましく
は130〜40℃、より好ましくは128〜50℃の範
囲である。
【0215】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体
的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるも
のではない。
【0216】〔実施例1〕充分に窒素置換した内容積2
リットルのステンレス製オートクレーブにヘキサン1リ
ットルを装入し、系内の温度を145℃に昇温した後、
水素を0.2MPa-G となるまで導入した。その後、
エチレンのみを連続的に供給することにより全圧を3M
Pa-Gに保ち、トリイソブチルアルミニウム0.3ミリ
モル、N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)ボレート0.002ミリモルおよび
ビス(n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジ
メチル0.0002ミリモルを窒素で圧入することによ
り重合を開始した。150℃で30分間重合を行った。
少量のエタノールを系内に添加することにより重合を停
止した後、未反応のエチレンをパージした。得られたポ
リマー溶液を、80℃で減圧下で一晩乾燥した。その結
果、極限粘度[η]が0.20dl/gのエチレン重合体
64.5gを得た。結果を(第1表)に示す。
【0217】〔実施例2〜4〕第IVB族遷移金属化合物
〔成分(A)〕、第IVB族遷移金属化合物(A)と反応
してイオン対を形成する化合物〔成分(B)〕および有
機アルミニウム化合物〔成分(C)〕の量を(第1表)
に示すようにした以外は実施例1と同様にしてエチレン
重合体を製造した。結果を(第1表)に示す。
【0218】
【表93】
【0219】〔比較例1〕充分に窒素置換した内容積2
リットルのステンレス製オートクレーブにヘキサン1リ
ットルを装入し、系内の温度を145℃に昇温した後、
水素を0.2MPa-G となるまで導入した。その後、
エチレンのみを連続的に供給することにより全圧を3M
Pa-Gに保ち、トリイソブチルアルミニウム0.3ミリ
モル、N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)ボレート0.002ミリモルおよび
ビス(n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジ
クロリド0.0002ミリモルを窒素で圧入することに
より重合を開始した。150℃で30分間重合を行っ
た。少量のエタノールを系内に添加することにより重合
を停止した後、未反応のエチレンをパージした。得られ
たポリマー溶液を、80℃で減圧下で一晩乾燥した。そ
の結果、極限粘度[η]が0.09dl/gのエチレン重
合体43.2gを得た。結果を(第2表)に示す。
【0220】〔比較例2〜4〕第IVB族遷移金属化合物
〔成分(A)〕、第IVB族遷移金属化合物(A)と反応
してイオン対を形成する化合物〔成分(B)〕および有
機アルミニウム化合物〔成分(C)〕の量を(第2表)
に示すようにした以外は比較例1と同様にしてエチレン
重合体を製造した。結果を(第2表)に示す。
【0221】
【表94】
【0222】
【発明の効果】本発明は、分子量分布が狭いエチレン系
ワックスを高い生産効率で製造することができる。ま
た、重合温度を100℃以上にすると、分子量分布が狭
く、融点が低いエチレン系ワックスを高い生産効率で製
造することができる。さらに、除熱装置を小型化するこ
とができ、設備費を削減できるとともに、滞留時間を短
くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で用いられるオレフィン重合触媒の調製
工程を示す説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 筒井 俊之 山口県玖珂郡和木町和木6−1−2 三井 化学株式会社内 Fターム(参考) 4J128 AA01 AB00 AB01 AC01 AC10 AC20 AC28 AD01 AD02 AD05 AD06 AD07 AD08 AD11 AD13 BA00A BA01B BA02B BB00A BB00B BB01B BC12B BC13B BC15B BC16B BC17B BC19B BC24B BC25B BC27B BC29B EB02 EB04 EB05 EB07 EB08 EB09 EB10 EC01 EC02 FA02 FA07 GA04 GA06 GA19

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(A)シクロペンタジエニル骨格を有する
    配位子を1個以上含む第IVB族遷移金属化合物であっ
    て、該第IVB族遷移金属と結合する炭素数1〜10の炭
    化水素基、または炭素数10以下の中性、共役または非
    共役ジエンを含むものと、(B)前記第IVB族遷移金属
    化合物(A)と反応してイオン対を形成する化合物とか
    らなるオレフィン重合用触媒の存在下にエチレンを単独
    重合させるか、あるいはエチレンと炭素原子数が3以上
    のオレフィンとを共重合させて、極限粘度[η]が0.
    40dl/g以下であるエチレン(共)重合体を形成さ
    せることを特徴とするエチレン系ワックスの製造方法。
  2. 【請求項2】(A)シクロペンタジエニル骨格を有する
    配位子を1個以上含む第IVB族遷移金属化合物であっ
    て、該第IVB族遷移金属と結合する炭素数1〜10の炭
    化水素基、または炭素数10以下の中性、共役または非
    共役ジエンを含むものと、(B)前記第IVB族遷移金属
    化合物(A)と反応してイオン対を形成する化合物と、
    (C)有機アルミニウム化合物とからなるオレフィン重
    合用触媒の存在下にエチレンを単独重合させるか、ある
    いはエチレンと炭素原子数が3以上のオレフィンとを共
    重合させて、極限粘度[η]が0.40dl/g以下で
    あるエチレン(共)重合体を形成させることを特徴とす
    るエチレン系ワックスの製造方法。
  3. 【請求項3】 重合温度が100℃以上である請求項1
    または2に記載のエチレン系ワックスの製造方法。
  4. 【請求項4】 平均滞留時間が3時間以下である請求項
    1、2または3に記載のエチレン系ワックスの製造方
    法。
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JP2005200453A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Mitsui Chemicals Inc α−オレフィン(共)重合体の製造方法
JP2005200452A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Mitsui Chemicals Inc α−オレフィン(共)重合体の製造方法
JP2005314680A (ja) * 2004-03-31 2005-11-10 Mitsui Chemicals Inc オレフィン重合体の製造方法
JP2006063117A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Dow Corning Toray Co Ltd ワックス状オルガノポリシロキサン

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