JP2003286014A

JP2003286014A - カーボンナノチューブ含有炭素材料及びその製造方法

Info

Publication number: JP2003286014A
Application number: JP2002089734A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Nishino; 仁西野; Haruyuki Nakaoka; 春雪中岡; Katsuhide Okimi; 克英沖見; Ryoichi Nishida; 亮一西田; Atsushi Miyayasu; 淳宮保
Original assignee: Osaka Gas Co Ltd
Current assignee: Osaka Gas Co Ltd
Priority date: 2002-03-27
Filing date: 2002-03-27
Publication date: 2003-10-07
Anticipated expiration: 2022-03-27
Also published as: JP3818193B2

Abstract

(57)【要約】【課題】電子放出材料として好適に使用できるカーボ
ンナノチューブ含有炭素材料、及び、かかるカーボンナ
ノチューブ含有炭素材料を、超音波照射装置などの専用
の装置を必要とせず、簡単な工程で、製造する方法を提
供する。【解決手段】粗大不純物を含有するカーボンナノチュ
ーブ含有粗生成物に少量の溶媒を混合してなるペースト
状混合物を、外力を加えながら、ふるいを通過せしめる
ことにより、カーボンナノチューブを含有すると共に不
純物を含有するカーボンナノチューブ含有炭素材料であ
って、該炭素材料を構成する成分の最大サイズが２０μ
ｍ以下であることを特徴とするカーボンナノチューブ含
有炭素材料及び該炭素材料からなる電子放出材料を製造
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、カーボンナノチュ
ーブ含有炭素材料、特に電子放出材料として好適なカー
ボンナノチューブ含有炭素材料、及びそれらの製造法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】１９９１年に発見されたカーボンナノチ
ューブはフラーレンに続く新しい炭素の形態としてその
物性が注目され、材料科学、エレクトロニクスからライ
フサイエンスまでの広範囲の分野への応用が検討されて
いる。

【０００３】カーボンナノチューブの製造法として、ア
ーク放電、レーザーアブレーション、化学気相成長法
（ＣＶＤ法）などの方法が知られている。しかしなが
ら、いずれの方法においてもカーボンナノチューブ以外
に黒鉛状物質やアモルファスカーボン等の不純物が同時
に生成する。

【０００４】通常これらの不純物は数ナノメートル程度
のものから数百ミクロン程度までの種々の大きさを持つ
炭素物質の混合物である。また、不純物には、カーボン
ナノチューブ製造時に触媒を使用する場合は、触媒由来
の金属酸化物等の金属不純物も含まれることがある。こ
れらの不純物は、カーボンナノチューブに付着又は絡ま
ることなく、あるいは、カーボンナノチューブに付着又
は絡まった状態で存在する。

【０００５】一般には、カーボンナノチューブとともに
生成するこれらの不純物を粗生成物から除去して、カー
ボンナノチューブの純度をできるだけ向上させて使用す
る。例えば、電界放出用途の場合に、カーボンナノチュ
ーブをバインダーでペースト状にして塗布し薄膜を形成
するが、その際に数百ミクロン程度の粗大不純物は電子
放出特性に悪影響を与えるので、粗大な不純物及び他の
不純物をできる限り除去し、できる限り純度の高いカー
ボンナノチューブを単離することが行われている。

【０００６】例えば、特開平７−４８１１１号には、カ
ーボン不純物を含むカーボンナノチューブを0.4μｍ以
下に微粉砕処理後、水等の液体中で分散させて遠心分離
し、その後上澄みを濾過して得た分散物を大気雰囲気
中、５００〜８００℃で高温焼成する方法が開示されて
いる。

【０００７】また、特開平８−１９８６１１号には、金
属触媒を用いて製造され、金属触媒と金属の炭化物とカ
ーボンナノチューブ以外の炭素物質を不純物として含む
カーボンナノチューブ粗生成物を、液体中に粉砕、分散
し、液体中に含まれる非晶質炭素、グラファイト等の炭
素物質を遠心分離や浮選により除去し、炭素物質を除去
した後の液体に酸を加えて前記金属不純物を溶解する
か、あるいは、炭素物質を除去した後の液体を磁場中を
通過させることにより精製する方法が開示されている。

【０００８】さらに、特開平８−２３１２１０号にはカ
ーボンナノチューブ粗生成物からカラムクロマトグラフ
ィ、超遠心分離、超音波粉砕などを行った後、帯電化さ
せることによりカーボンナノチューブを分離する方法が
開示されている。

【０００９】しかしながら、これらの方法は、微粉砕処
理、遠心分離及び高温焼成（特開平７−４８１１１
号）、遠心分離と酸溶解又は磁場通過（特開平８−１９
８６１１号）、分離及び帯電化（特開平８−２３１２１
０号）のように異なる複数の処理を組み合わせる点、お
よびこれら処理のための特殊な装置を用いる点で、工業
的な観点からは非効率的である。

【００１０】このように、カーボンナノチューブを含有
する炭素材料、特に電子放出材料として使用できる炭素
材料を、簡便な方法で提供する方法は知られていない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来技術の実情に鑑み、カーボンナノチューブ含有炭素
材料、特に電子放出材料として好適に使用できるカーボ
ンナノチューブ含有炭素材料、及び、かかるカーボンナ
ノチューブ含有炭素材料を、超音波照射装置などの専用
の装置を必要とせず、簡単な工程で、製造する方法を提
供することを主な課題とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を行った。その過程で、従来のよ
うに不純物を完全に除去することなく、電子放出材料と
して好適な炭素材料を得ることを着想した。そして更に
検討を続けた結果、(1)数百ミクロン程度の粗大不純物
を含むカーボンナノチューブ含有粗生成物を少量の溶媒
に含浸させ、物理的外力で強制的にふるいを通過せしめ
る場合には、含有される粒子、特に不純物の最大サイズ
が２０μｍ以下の大きさとなった炭素材料が得られるこ
と、(2)こうして得られるカーボンナノチューブ含有炭
素材料は、粗生成物に含まれていた不純物をかなりの量
で含有しているにもかかわらず、電界放出用途において
バインダーでペースト化すると、安定した電子放出特性
を示す薄膜を形成できるという驚くべき事実を発見し
た。

【００１３】本発明はこれら知見に基づき、更に検討を
重ねて完成されたものであり、次の炭素材料及び製造方
法を提供するものである。

【００１４】項１カーボンナノチューブを含有すると
共に、カーボンナノチューブ製造時に副生する不純物を
含有するカーボンナノチューブ含有炭素材料であって、
該炭素材料を構成する成分の最大サイズが２０μｍ以下
であることを特徴とするカーボンナノチューブ含有炭素
材料。

【００１５】項２粗大不純物を含有するカーボンナノ
チューブ含有粗生成物に少量の溶媒を混合して得られる
ペースト状の混合物を、外力を加えながら、ふるいを通
過せしめることを特徴とする上記項１に記載の炭素材料
の製造方法。

【００１６】項３ふるいの目開きが２０ミクロン以下
であることを特徴とする上記項２に記載の製造方法。

【００１７】項４カーボンナノチューブを含有すると
共に不純物を含有するカーボンナノチューブ含有炭素材
料からなる電子放出材料であって、該炭素材料を構成す
る成分の最大サイズが２０μｍ以下であることを特徴と
する電子放出材料。

【００１８】項５カーボンナノチューブの含有量が、
カーボンナノチューブ含有炭素材料に対して２０％以上
である上記項４に記載の電子放出材料。

【００１９】項６粗大不純物を含有するカーボンナノ
チューブ含有粗生成物に少量の溶媒を混合して得られる
ペースト状の混合物を、外力を加えながら、ふるいを通
過せしめることを特徴とする上記項４に記載の電子放出
材料の製造方法。

【００２０】項７ふるいの目開きが２０ミクロン以下
であることを特徴とする上記項６に記載の製造方法。

【００２１】本発明の炭素材料が電子放出用途において
好適である理由は、完全には解明されてはいないが、不
純物の大きさがペースト塗布膜の膜厚以下となること、
数百ミクロン程度の粗大不純物の中に埋もれていたカー
ボンナノチューブが、上記本発明の解砕処理により表層
部に露出すること等のためと思われる。

【００２２】

【発明の実施の形態】粗大不純物を含有するカーボンナ
ノチューブ含有粗生成物本発明に用いるカーボンナノチューブ含有粗生成物は、
アーク放電、レーザーアブレーション、化学気相成長法
（ＣＶＤ法）等の従来公知の方法により製造された粗生
成物が、いずれも使用できる。

【００２３】これらいずれの方法においてもカーボンナ
ノチューブ以外に黒鉛状物質やアモルファスカーボン等
の炭素物質が不純物として同時に生成する。また、カー
ボンナノチューブ製造時に触媒を使用する場合は、触媒
由来の金属酸化物等の金属不純物も含まれることがあ
る。

【００２４】通常、これらの不純物は数ナノメートル程
度のものから数百ミクロン程度までの種々の大きさを持
つ不純物の混合物である。これらの不純物は、単独で、
あるいは、カーボンナノチューブに付着又は絡まった状
態で存在する。

【００２５】これら不純物の含有量は、特に限定されな
いが、一般には、サイズ２０μｍ以上の不純物の含量
が、粗生成物に対して１〜９９％程度、特に１０〜９０
％程度である。本明細書において、不純物のサイズは、
不純物の長軸最大長さのサイズを指し、走査型電子顕微
鏡（SEM）で観察することにより測定されるサイズであ
る。

【００２６】また、カーボンナノチューブ含有粗生成物
中のカーボンナノチューブとしては、単層カーボンナノ
チューブ、入れ子構造の多層カーボンナノチューブ、ナ
ノフレークカーボンチューブ、アモルファスナノスケー
ルカーボンチューブ等のいずれであってもよい。

【００２７】カーボンナノチューブ含有粗生成物中のカ
ーボンナノチューブの含有量（純度）は、特に限定され
ないが、一般には、１〜９９％程度、特に１〜９０％程
度であるのが好ましい。しかし、電子放出用途に使用す
るには、原料としてのカーボンナノチューブ含有粗生成
物中のカーボンナノチューブの含有量（純度）は、２０
％以上、特に２０〜９９％、好ましくは３０％〜９９％
であることが望ましい。

【００２８】ここで、本明細書において、カーボンナノ
チューブ含有粗生成物中のカーボンナノチューブの含有
量（純度）は、後記実施例に記載の方法により測定した
純度である。

【００２９】解砕方法本発明では、上記カーボンナノチューブ含有粗生成物
に、まず溶媒を加えて混合し、ペースト状混合物を調製
する。粗生成物と溶媒の比率に特に限定はないが、後に
ふるい上で外力を加えることが出来るように、流動しな
い程度に溶媒を加える。一般的にはカーボンナノチュー
ブ含有粗生成物１ｇに対して１〜１００ｍｌ、好ましく
は５〜５０ｍｌ、より好ましくは１０〜３０ｍｌであ
る。

【００３０】溶媒に特に限定はなく、カーボンナノチュ
ーブの分散性（即ち、不純物からのカーボンナノチュー
ブの分離性）が優れた溶媒であることが重要である。一
般的にはメタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ールなどのアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キ
シレンなどの芳香族系炭化水素溶媒、塩化メチレン、ク
ロロホルム、四塩化炭素などの塩化炭化水素系溶媒、水
などが挙げられる。必要に応じて、分散性を向上させる
ために、界面活性剤などを添加することも可能である。

【００３１】このようにして得られたペースト状混合物
をふるいにのせ、外力を加えながら、濾過する（フルイ
を通過させる）。この際、カーボンナノチューブ、不純
物とふるいの目開きとの間にせん断力が働く。その結
果、大きな不純物は解砕され、絡み合ったカーボンナノ
チューブは解きほぐされ、カーボンナノチューブに付着
又は絡まっていた不純物はカーボンナノチューブから分
離する。以上の結果、フリーとなったカーボンチューブ
が増大する。

【００３２】外力の加え方には特に限定はなく、スパチ
ュラの腹を利用して手でふるいを通過せしめる（即ち、
ペースト状混合物をふるいで裏ごしする）方法や、機械
的に外力を加える方法も可能である。

【００３３】使用するふるいに特に限定はなく、解砕す
る不純物の大きさによって選択する。一般的には５〜５
０ミクロンの大きさの目開きを持つふるいを使用するの
が好ましい。特に、ふるいの目開きが２０ミクロン以下
であるのが、良好な電子放出特性を得る観点から好まし
い。本明細書において、ふるいの「目開き」は、JISZ-8
801による「目開き」を指す。

【００３４】必要であれば、上記溶媒を滴下しつつ、外
力を加えながら、ふるいを通過させてもよい。また、必
要ならば、上記のように外力を加えながらふるいを通過
させたペースト状混合物を、更に１回以上、外力を加え
ながら、ふるいを通過させてもよい。

【００３５】ふるいを通過させたペースト状混合物か
ら、溶媒を蒸発させて本発明の炭素材料を得る。溶媒の
蒸発方法は、空気乾燥、減圧乾燥等が採用でき、特に限
定されない。

【００３６】本発明の炭素材料及び電子放出材料前記カーボンナノチューブ含有粗生成物を、前記解砕方
法で解砕してなる本発明の炭素材料は、カーボンナノチ
ューブを含有すると共に、カーボンナノチューブ以外の
炭素物質からなる不純物を含有し、該炭素材料を構成す
る成分（粒子）の最大サイズが２０μｍ以下であること
を特徴とする。

【００３７】該不純物は、黒鉛状物質、アモルファスカ
ーボン等の炭素物質及び／又は金属不純物（粗生成物が
金属触媒を使用して製造された場合）が、カーボンナノ
チューブに付着又は絡まることなく、あるいは、カーボ
ンナノチューブに付着又は絡まった状態で存在する。

【００３８】ここで、「最大サイズ」とは、本発明の炭
素材料ないし電子放出材料を構成する全ての粒子の中
で、最も大きいサイズを有する粒子のサイズである。

【００３９】カーボンナノチューブは、「粒子」とは言
い難いので、「最大サイズ」を検討する場合、その全長
のサイズで検討する。尚、カーボンナノチューブは、
「粒子」とは言い難いが、本明細書では、記載の便宜
上、カーボンナノチューブを「粒子」として記載するこ
とがある。

【００４０】不純物のサイズは、該不純物の長軸の長さ
を指すものとし、SEM観察により求める。

【００４１】本発明の炭素材料を構成する粒子には、上
記炭素物質や金属不純物等の不純物単独、カーボンナノ
チューブ単独以外に、不純物の凝集体、不純物とカーボ
ンナノチューブとが絡み合った凝集体、及びカーボンナ
ノチューブの凝集体があるが、これら凝集体のサイズも
凝集体長軸のサイズを指す。

【００４２】本発明は、本発明の炭素材料ないし電子放
出材料を構成するこれら粒子のうち、最大サイズを有す
るものであっても、２０μｍを越えないことを特徴とす
る。

【００４３】また、本発明のカーボンナノチューブ含有
炭素材料中のカーボンナノチューブの含有量（純度）
は、特に限定されないが、一般には、１〜９９％程度、
特に１０〜９９％程度であるのが好ましい。しかし、電
子放出用途に使用するには、原料としてのカーボンナノ
チューブ含有粗生成物中のカーボンナノチューブの含有
量（純度）は、２０％以上、特に２０〜９９％、特に３
０〜９９％であるのが好ましい。

【００４４】また、本発明のカーボンナノチューブ含有
炭素材料中の上記不純物の含有量は、原料として使用す
るカーボンナノチューブ含有粗生成物の製造条件等によ
っても異なるが、一般には、本発明の炭素材料に対して
１〜９９％、特に１〜９０％であるのが好ましい。但
し、電子放出材料として使用する場合、本発明のカーボ
ンナノチューブ含有炭素材料中の上記不純物の含有量
は、８０％以下、特に１％〜８０％、好ましくは１〜７
０％であるのが望ましい。

【００４５】ここで、本明細書において、本発明のカー
ボンナノチューブ含有炭素材料中のカーボンナノチュー
ブの含有量（純度）及び不純物の含有量は、後記実施例
に記載の方法により測定した含有量である。また、本明
細書では、カーボンナノチューブの純度を測定する際に
は、不純物と絡み合っているカーボンナノチューブもカ
ウントして、カーボンナノチューブの純度を決定するも
のとする。

【００４６】本発明の炭素材料は、上記のように不純物
を含有しているにもかかわらず、優れたエミッション特
性を有しており、電子放出用途に使用するのに適してい
る。

【００４７】電子放出用途に使用するには、上記本発明
の炭素材料（電子放出材料）を、気相成長、印刷、塗布
等の手法で、電極基板上に形成することにより製造され
る。

【００４８】例えば、本発明の電子放出材料を媒体に分
散させた分散液を電極上に塗布乾燥することにより、電
子放出体を形成することができる。該媒体としては、有
機溶媒、例えば、メタノール、エタノール、プロピルア
ルコール等の炭素数１〜４の低級アルコール、クロロホ
ルム等の炭素数１〜４のハロゲン化炭化水素等を例示で
きる。更にこれら有機溶媒にバインダー（例えば、エポ
キシ樹脂等）を含有させた媒体であってもよい。

【００４９】上記媒体に分散させる本発明の電子放出材
料の濃度は、広い範囲から選択できるが、一般には分散
液全重量に対して、５〜８０重量％程度、特に１０〜５
０重量％程度となる量が好ましい。

【００５０】上記分散液を電極基板に塗布する方法とし
ては、各種の塗布方法が採用できるが、例えば、滴下、
スプレー、スピンコート等の方法を例示できる。塗布し
た分散液の乾燥方法も特に限定されず、例えば、空気乾
燥、減圧乾燥、加熱乾燥等を採用できる。

【００５１】

【実施例】以下に実施例及び比較例を掲げて本発明をよ
り詳しく説明するが、本発明は下記実施例に限定される
ものではない。尚、実施例及び比較例において、物性の
測定は下記の方法により行った。

【００５２】電子放出特性試験炭素材料の電子放出材料としての好適性を、下記の電子
放出特性試験により評価した。

【００５３】ふるい濾過後のカーボンナノチューブ含有
炭素材料０．１ｇを、エタノール２mlに分散し、ＩＴＯ
を蒸着したガラス上に滴下して電子放出材料層を形成し
た。次いで、ギャップ２００ミクロンで、電子放出特性
を測定した。電流−電圧曲線（ＩＶ曲線）から一定の電
界値（電圧／ギャップ）における電流値を求めた。同一
電界値での電流値が大きいほど、エミッション特性に優
れている。

【００５４】カーボンナノチューブの含有量（純度）及
び不純物の含有量原料であるカーボンナノチューブ含有粗生成物及び本発
明により得られたカーボンナノチューブ含有炭素材料中
のカーボンナノチューブ含有量（純度）及び不純物の含
有量は、下記の方法により測定したものである。

【００５５】SEMにより上記粗生成物又は本発明の炭素
材料を１００の視野で観察し、カーボンナノチューブの
平均存在率を求めて、カーボンナノチューブの含有量
（純度）（％）とした。より詳しくは、カーボンナノチ
ューブのSEM像の面積（Ａｃ）と不純物のSEM像面積（Ａ
ｉ）との合計に対する、Ａｃの割合（％）、即ち、１０
０×Ａｃ／（Ａｃ＋Ａｉ）、を各視野について求め、そ
の平均値を、カーボンナノチューブの含有量（純度）と
した。

【００５６】不純物の含有量（％）は、１００−（カー
ボンナノチューブの含有量）により算出した。

【００５７】最大サイズの測定原料であるカーボンナノチューブ含有粗生成物及び本発
明により得られたカーボンナノチューブ含有炭素材料に
ついて、それぞれ、SEMにより１００の視野を観察し、
観察した１００の視野において最大サイズを有する粒子
のサイズを測定した。

【００５８】製造例１：ＣＶＤ法によるカーボンナノチ
ューブ含有粗生成物の製造図１に示すような２つの加熱
装置（ヒーター）２及び３を備えた反応炉１からなる反
応装置を使用し、次のようにしてナノフレークカーボン
チューブに部分的に炭化鉄が内包された鉄−炭素複合体
を得た。

【００５９】工程(1) フェロセン（関東化学株式会社製）0.5ｇを磁製ボート
２０内に薄く広げて敷き詰める。これを石英管からなる
炉内中央に設置し、炉内を圧力50Paまで減圧する。この
とき、真空吸引するラインを取り付けた反応炉端部とは
反対側（図１の反応管の左側）からアルゴンガスを30ml
／minの速度で常圧になるまで供給し、その後再び50Pa
まで減圧する。次いで、ヒーター３で磁製ボート２０付
近を２００℃、ヒーター２で反応炉１の下流側（図１右
側）を800℃まで減圧のまま昇温する。

【００６０】工程(2) 800℃に到達した時点で、アルゴンを導入し、圧力を
６．７×１０⁴Paに制御する。一方、熱分解性炭素源と
して、ベンゼン槽にアルゴンガスをバブリングさせて、
揮発したベンゼンとアルゴンの混合ガスを、反応炉容積
１リットル当たり、60ml／minの流速で炉内に導入し、
希釈ガスとして、アルゴンガスを40ml／minの流速で導
入する。

【００６１】800℃の反応温度で30分間反応させ、500℃
まで20分で降温後、ヒーター２及び３を取り外して20分
で室温まで空冷することにより、カーボンナノチューブ
を２００ｍｇ得た。

【００６２】実施例１上記製造例１のＣＶＤ法によって得られたカーボンナノ
チューブ粗生成物（カーボンナノチューブ純度５０％、
サイズが数百ミクロン以上の不純物含有量１０％）５０
０ｍｇにエタノール１０ｍｌを加えてペースト状の混合
物を得た。得られた混合物を、ＪＩＳＺ−８８０１の目
開き２０ミクロンのふるいの上で、必要に応じてエタノ
ールを滴下しながら、スパチュラの腹で力を加えながら
濾過した（ふるいを通過させた）。

【００６３】得られた濾過物を、室温での減圧乾燥によ
り乾燥し、本発明のカーボンナノチューブ含有炭素材料
を得た。

【００６４】得られた本発明のカーボンナノチューブ含
有炭素材料をＳＥＭで観察した結果、サイズが数百ミク
ロン以上の不純物はほとんど消失しており、カーボンナ
ノチューブの含有量は５０％であり、残部は不純物であ
った。

【００６５】また、得られた本発明のカーボンナノチュ
ーブ含有炭素材料を構成する成分（不純物）の最大サイ
ズは、２０μｍであった。

【００６６】このカーボンナノチューブ含有炭素材料の
エミッション特性を測定したところ、電界値３．０Ｖ／
μｍにおける電流値は１０ｍＡであった。

【００６７】比較例１上記製造例１のＣＶＤ法によって得られたカーボンナノ
チューブ粗生成物（カーボンナノチューブ純度５０％、
数百ミクロン以上の不純物の含有量１０％）５００ｍｇ
にエタノール１００ｍｌを加えて懸濁液を得た。この懸
濁液を、ＪＩＳＺ−８８０１の目開き２０ミクロンのふ
るいで吸引濾過した。

【００６８】得られた濾過物をＳＥＭで観察した結果、
濾液にはカーボンナノチューブ及び不純物ががほとんど
含まれておらず、実質上溶媒のエタノールのみが含まれ
ていた。即ち、不純物のサイズが大きく、また、ナノチ
ューブが不純物と絡まっているため、吸引濾過しても、
ふるいの目を追加せず、濾液中にはカーボンナノチュー
ブがほとんど含まれていなかった。また、不純物の最大
サイズは、数百μｍであった。

【００６９】上記吸引濾過後、ふるい上に残った原料の
エミッション特性を測定したところ、電界値３．０Ｖ／
μｍにおける電流値は７ｍＡであった。

【００７０】実施例１と比較例１を比較すると、外力を
加えながらふるいを通過せしめることにより数百ミクロ
ン程度の不純物が解砕されていることがわかる。また、
この解砕により埋もれていたカーボンナノチューブが表
面に露出する割合が増加するためか、電子放出特性が向
上することがわかる。

【００７１】

【発明の効果】本発明の製造法によれば、カーボンナノ
チューブ含有不純物に含まれる数百ミクロン程度の粗大
不純物を解砕し、カーボンナノチューブを分散できるこ
とがわかる。この解砕により、不純物の最大粒径が２０
μｍ以下である本発明のカーボンナノチューブ含有炭素
材料が得られる。

【００７２】得られた炭素材料は、かなりの量の不純物
を含んでいる場合であっても、電子放出材料として好適
なエミッション特性を有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】製造例１において使用した製造装置の概略図で
ある。

【符号の説明】

１反応炉２ヒーター３ヒーター２０磁製ボート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者沖見克英大阪府大阪市中央区平野町四丁目１番２号大阪瓦斯株式会社内 (72)発明者西田亮一大阪府大阪市中央区平野町四丁目１番２号大阪瓦斯株式会社内 (72)発明者宮保淳京都府京都市下京区中堂寺南町17 京都リサーチパーク株式会社関西新技術研究所内Ｆターム(参考） 4G146 AA19 AB03 BA04 BA12 BC03 CB04 CB05 CB09 CB10 CB40

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】カーボンナノチューブを含有すると共
に、カーボンナノチューブ製造時に副生する不純物を含
有するカーボンナノチューブ含有炭素材料であって、該
炭素材料を構成する成分の最大サイズが２０μｍ以下で
あることを特徴とするカーボンナノチューブ含有炭素材
料。
【請求項２】粗大不純物を含有するカーボンナノチュ
ーブ含有粗生成物に少量の溶媒を混合して得られるペー
スト状の混合物を、外力を加えながら、ふるいを通過せ
しめることを特徴とする請求項１に記載の炭素材料の製
造方法。
【請求項３】ふるいの目開きが２０ミクロン以下であ
ることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】カーボンナノチューブを含有すると共に
不純物を含有するカーボンナノチューブ含有炭素材料か
らなる電子放出材料であって、該炭素材料を構成する成
分の最大サイズが２０μｍ以下であることを特徴とする
電子放出材料。
【請求項５】カーボンナノチューブの含有量が、カー
ボンナノチューブ含有炭素材料に対して２０％以上であ
る請求項４に記載の電子放出材料。
【請求項６】粗大不純物を含有するカーボンナノチュ
ーブ含有粗生成物に少量の溶媒を混合して得られるペー
スト状の混合物を、外力を加えながら、ふるいを通過せ
しめることを特徴とする請求項４に記載の電子放出材料
の製造方法。
【請求項７】ふるいの目開きが２０ミクロン以下であ
ることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。