JP2003283042A - 光モジュールおよび光素子制御回路 - Google Patents

光モジュールおよび光素子制御回路

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JP2003283042A JP2002218535A JP2002218535A JP2003283042A JP 2003283042 A JP2003283042 A JP 2003283042A JP 2002218535 A JP2002218535 A JP 2002218535A JP 2002218535 A JP2002218535 A JP 2002218535A JP 2003283042 A JP2003283042 A JP 2003283042A
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power supply
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Masahiro Sato
正啓 佐藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】消費電力を低減可能な発光モジュールを提供す
る。 【解決手段】 発光モジュール１ａは、ハウジング４
と、ペルチェ素子２４と、半導体発光素子３４と、光導
波路８と、電力供給回路素子４８とを備える。ハウジン
グ４は、第１および第２の電源端子を有する。ペルチェ
素子２４は、ハウジング４内に配置されている。半導体
発光素子３４は、ペルチェ素子２４上に配置されてい
る。光導波路８は、半導体発光素子３４に光学的に結合
されている。電力供給回路素子４８は、ハウジング４内
に配置され半導体発光素子３４に接続されている。半導
体発光素子３４およびペルチェ素子２４は、第１および
第２の電源端子間に直列に設けられている。発光モジュ
ール１ａでは、半導体発光素子３４およびペルチェ素子
２４のうちの一方に流れた電流は、半導体発光素子３４
およびペルチェ素子２４のうちの他方にも流れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光モジュール、お
よびそのための光素子制御回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】光モジュールは、受けた電気信号に応じ
た光信号を発生する。このような光モジュールには様々
な構成のものがある。その一つの形態の光モジュール
は、ペルチェ素子と、このペルチェ素子上に配置された
半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子を駆動する
回路素子とを備える。別の形態の発光モジュールは、ペ
ルチェ素子と、このペルチェ素子上に配置された半導体
光増幅素子と、この半導体光増幅素子に光学的に結合さ
れた回折格子を有する光導波路と、この半導体光増幅素
子を駆動する回路素子とを備える。更に別の形態によれ
ば、発光モジュールは、ペルチェ素子と、このペルチェ
素子上に配置され半導体光集積素子と、この半導体光集
積素子を駆動する回路素子とを備える。半導体光集積素
子は、半導体発光素子部および半導体変調素子を含む。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これらの発光モジュー
ルでは、半導体レーザ素子、半導体光増幅素子および半
導体光集積素子といった半導体発光素子の温度をペルチ
ェ素子により変化させている。ペルチェ素子は、ペルチ
ェ電流制御回路素子により制御されている。
【０００４】これらの発光モジュール内には、ペルチェ
素子および半導体発光素子が配置されている。そして、
発光モジュールでは、ペルチェ素子および半導体発光素
子が個々に電源に接続されているので、発光モジュール
の消費電力は大きい。つまり、発光モジュールの消費電
力を低減するという要求があることを発明者は発見し
た。また、発明者は、ペルチェ電流制御回路素子を発光
モジュール内に収容するな形態では、この要求はさらに
高まると考えている。
【０００５】そこで、本発明の目的は、消費電力を低減
可能な発光モジュール、およびそのための光素子制御回
路を提供することとした。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一の側面は、光
モジュールのための光素子制御回路に関する。光素子制
御回路は、第１及び第２の電源線と、半導体発光素子
と、電力供給回路と、ペルチェ素子とを備える。電力供
給回路は、半導体発光素子に流れる電流を制御する。ペ
ルチェ素子は、半導体発光素子の温度を調整するように
動作する。半導体発光素子およびペルチェ素子は、第１
および第２の電源端子間に直列に設けられている。
【０００７】この光素子制御回路では、半導体発光素子
およびペルチェ素子のうちの一方に流れた電流は、半導
体発光素子およびペルチェ素子のうちの他方にも流れ
る。
【０００８】光素子制御回路では、電力供給回路部は、
半導体発光素子のための電流を流す駆動回路部を含むよ
うにしてもよい。駆動回路部は、半導体発光素子とペル
チェ素子との間に配置される。また、駆動回路部は、変
調電流回路およびバイアス電流回路を含むようにしても
よい。
【０００９】光素子制御回路は、半導体発光素子とペル
チェ素子との間に位置するノードに接続され、ペルチェ
素子に流れる電流を制御するペルチェ素子駆動回路を更
に備えるようにしてもよい。ペルチェ素子駆動回路によ
れば、半導体発光素子に流れる電流を利用しつつ、ペル
チェ素子に流れる電流を調整できる。
【００１０】光素子制御回路では、ペルチェ素子駆動回
路は、電流供給部と、電流吸い込み部と、制御部とを有
するようにしてもよい。電流供給部は、ノードへの電流
を供給する。電流吸い込み部は、ノードからの電流を吸
い込む。制御部は、電流供給部及び電流吸い込み部を制
御する。
【００１１】本発明の別の側面は、光モジュールに関す
る。光モジュールは、ハウジングと、ペルチェ素子と、
半導体発光素子と、光導波路と、電力供給回路素子とを
備える。ハウジングは、第１および第２の電源端子を有
する。ペルチェ素子は、ハウジング内に配置されてい
る。半導体発光素子は、ペルチェ素子上に配置されてい
る。光導波路は、半導体発光素子に光学的に結合されて
いる。電力供給回路素子は、ハウジング内に配置され半
導体発光素子に接続されている。半導体発光素子および
ペルチェ素子は、第１および第２の電源端子間に直列に
設けられている。半導体発光素子は半導体レーザ素子を
含む。
【００１２】光モジュールは、ハウジングと、ペルチェ
素子と、半導体発光素子と、光導波路と、回折格子と、
電力供給回路素子とを備える。回折格子は、光導波路と
光学的に結合されている。半導体発光素子は半導体光増
幅素子を含む。
【００１３】光モジュールは、ハウジングと、ペルチェ
素子と、半導体発光素子と、光導波路と、電力供給回路
素子とを備える。半導体発光素子は、発光素子部と、発
光素子部と光学的に結合された変調素子部とを含む。発
光素子部およびペルチェ素子は、第１および第２の電源
端子間に直列に設けられている。
【００１４】これらの光モジュールにおいて、半導体発
光素子からの電流は、ペルチェ素子に流れる。半導体発
光素子の温度が降下すると、半導体発光素子を流れる電
流は減少する。この電流はペルチェ素子に流れるので、
ペルチェ素子の冷却能力が小さくなる。また、半導体発
光素子の温度が上昇すると、半導体発光素子を流れる電
流は増加する。この電流はペルチェ素子に流れるので、
ペルチェ素子の冷却能力が大きくなる。故に、ペルチェ
素子は、半導体発光素子の温度を下げるように動作す
る。
【００１５】光モジュールおよび光素子制御回路では、
電力供給回路素子は、また、半導体発光素子に流れる電
流を制御している駆動回路部を含むようにしてもよい。
駆動回路部は、半導体発光素子とペルチェ素子との間に
配置されている。発光モジュールでは、駆動回路部は、
変調電流回路およびバイアス電流回路を含むようにして
もよい。
【００１６】光モジュールは、半導体発光素子とペルチ
ェ素子との間のノードに接続されたペルチェ素子駆動素
子を更に備えることができる。ペルチェ素子駆動回路素
子は、半導体発光素子からペルチェ素子へ流れ込む電流
を調整できる。
【００１７】ペルチェ素子駆動素子は、電流供給部と、
電流吸い込み部と、制御部とを有する。電流供給部は、
ペルチェ素子に流す電流を供給できるように構成されて
いる。電流吸い込み部は、半導体発光素子に流れた電流
を吸い込むことができるように構成されている。制御部
は、電流供給部及び電流吸い込み部を制御できるように
構成されている。ペルチェ素子駆動回路素子の制御部
は、電流供給部及び電流吸い込み部の少なくともいずれ
か一方を非導通にすることにより、半導体発光素子から
ペルチェ素子へ流れ込む電流を調整できる。
【００１８】光モジュールは、第１の半導体素子と、第
２の半導体素子と、制御素子とを備えるようにしてもよ
い。第１の半導体素子は、半導体発光素子とペルチェ素
子との間のノードに接続されノードに電流を供給するよ
うに設けられている。第２の半導体素子は、半導体発光
素子とペルチェ素子との間のノードに接続されノードか
ら電流を吸い込むように設けられている。制御素子は、
第１および第２の半導体素子の少なくともいずれか一方
を非導通にすることにより、半導体発光素子からペルチ
ェ素子へ流れ込む電流を調整できる。
【００１９】本発明の更なる別の側面は、光素子制御回
路に係わる。この光素子制御回路は、光モジュールに使
用できる。この光素子制御回路は、第１及び第２の電源
ノードと、発光素子回路と、ペルチェ素子とを備える。
発光素子回路は、一又は複数の入力と、第１及び第２の
端子を有する半導体発光素子と、入力に受けた信号から
半導体発光素子の第１の端子を駆動する信号を生成する
駆動回路とを含む。ペルチェ素子は、半導体発光素子の
温度を制御するように動作する。発光素子回路及びペル
チェ素子は、発光素子回路及びペルチェ素子のための電
力を提供するように第１の電源ノードと第２の電源ノー
ドとの間に設けられている。ペルチェ素子及び発光素子
回路は、互いに直列に電気的に接続されている。
【００２０】本発明の光素子制御回路は、下記に記述さ
れるいくつかの形態を備える。光素子制御回路のある形
態では、発光素子回路は、第１の電源ノードと中間ノー
ドとの間に電気的に接続されている。ペルチェ素子は、
中間ノードと第２の電源ノードとの間に電気的に接続さ
れている。半導体発光素子の第２の端子は、第１の電源
ノードに電気的に接続されている。
【００２１】光素子制御回路の別の形態では、発光素子
回路は、第１の電源ノードと中間ノードとの間に電気的
に接続されている。ペルチェ素子は、中間ノードと第２
の電源ノードとの間に電気的に接続されている。半導体
発光素子の第２の端子は、中間ノードに電気的に接続さ
れている。
【００２２】光素子制御回路の更なる別の形態では、発
光素子回路は、第２の電源ノードと中間ノードとの間に
電気的に接続されている。ペルチェ素子は、中間ノード
と第１の電源ノードとの間に電気的に接続されている。
半導体発光素子の第２の端子は、第１の電源ノードに電
気的に接続されていている。
【００２３】光素子制御回路及び光モジュールのまた更
なる別の形態では、発光素子回路は、第２の電源ノード
と中間ノードとの間に電気的に接続されている。ペルチ
ェ素子は、中間ノードと第１の電源ノードとの間に電気
的に接続されている。半導体発光素子の第２の端子は、
中間ノードに電気的に接続されている。
【００２４】これらの光素子制御回路では、発光素子回
路及びペルチェ素子の一方に流れた電流は、発光素子回
路及びペルチェ素子の他方に流れる。
【００２５】本発明の光素子制御回路では、発光素子回
路は、第１及び第２の内部ノードを有している。駆動回
路は、駆動回路のための電力を受けるように第１の内部
ノードと第２の内部ノードとの間に設けられている。駆
動回路は、一又は複数の入力と、増幅回路部と、第１の
トランジスタと、第２のトランジスタと、第１の回路部
と、第２の回路部と、第１の出力と、第２の出力と、バ
イアス電流・変調電流制御回路部とを備える。駆動回路
において、増幅回路部は、入力に受けた信号から一対の
駆動信号を生成する。第１及び第２のトランジスタの各
々は、一対の駆動信号の一方を受ける制御端子並びに第
１及び第２の電流端子を有しており、制御端子上の信号
に応じて第１及び第２の電流端子間に流れる電流を制御
可能である。第１の回路部は、第１のトランジスタの第
１及び第２の電流端子のうちの一端子及び第２のトラン
ジスタの第１及び第２の電流端子のうちの一端子に接続
され変調電流を生成する。第１の出力は、第１のトラン
ジスタの第１及び第２の電流端子のうちの他端子に接続
されている。第２の出力は、第２のトランジスタの第１
及び第２の電流端子のうちの他端子に接続されている。
第２の回路部は、第１の出力に接続されバイアス電流を
生成する。バイアス電流・変調電流制御回路部は、第１
の回路部及び第２の回路部に接続され、変調電流を制御
するための信号及びバイアス電流を制御するための信号
を生成する。半導体発光素子の第１の端子は、第１の出
力に電気的に接続されている。半導体発光素子の第２の
端子は、第１の内部ラインに電気的に接続されている。
第２の出力は、第１の内部ラインに電気的に接続されて
いる。
【００２６】この光素子制御回路及び光モジュールで
は、駆動回路及び半導体発光素子に流れる電流並びにペ
ルチェ素子に流れた電流の一方は、駆動回路及び半導体
発光素子に流れる電流並びにペルチェ素子に流れる電流
の他方に流れる。
【００２７】この光素子制御回路及び光モジュールで
は、発光素子回路は、第１の内部ラインと駆動回路の第
２の出力との間に電気的に接続された負荷を更に備える
ことができる。
【００２８】本発明のまた更なる別の側面は光モジュー
ルに係わる。光モジュールは、光素子制御回路を使用で
きる。光モジュールは、ハウジングと、ペルチェ素子
と、半導体発光素子と、駆動素子と、光導波路とを備え
る。ハウジングは、第１及び第２の電源端子を有する。
ペルチェ素子は、ハウジング内に配置されている。半導
体発光素子は、ペルチェ素子上に搭載されている。駆動
素子は、半導体発光素子に電気的に接続されている。光
導波路は、半導体発光素子に光学的に結合されている。
【００２９】この光素子制御回路及び光モジュールにお
いて、半導体発光素子及び駆動素子とペルチェ素子と
は、第１の電源端子と前記第２の電源端子との間に直列
に電気的に接続されている。半導体発光素子は半導体レ
ーザ素子を含む。
【００３０】この光素子制御回路及び光モジュールにお
いて、半導体発光素子及び駆動素子とペルチェ素子と
は、第１の電源端子と第２の電源端子との間に直列に電
気的に接続されている。半導体発光素子は半導体光増幅
素子を含む。この光モジュールは、光導波路に光学的に
結合された回折格子を更に備える。
【００３１】この光モジュールにおいて、半導体発光素
子は、発光素子部と、発光素子部と光学的に結合された
変調素子部とを含むことができる。半導体発光素子の発
光素子部及び駆動素子とペルチェ素子とは、第１の電源
端子と第２の電源端子との間に直列に電気的に接続され
ている。
【００３２】これらの光モジュールの各々では、半導体
発光素子及び駆動回路とペルチェ素子との一方に流れた
電流は、半導体発光素子及び駆動回路とペルチェ素子と
の他方に流れる。半導体発光素子及び／又は駆動回路に
流れる電流が変化すると、この電流の変化に応じてペル
チェ素子に流れる電流も変化する。
【００３３】本発明の光モジュールにおいては、駆動素
子はペルチェ素子上に搭載されていることができる。駆
動素子の温度はペルチェ素子により変更される。駆動素
子の電流が増加すると、駆動素子における発熱量も増加
すると共にペルチェ素子に流れる電流も増加する。ペル
チェ素子に流れる電流が増加すると、ペルチェ素子の冷
却能力が向上する。結果的に、ペルチェ素子は、駆動素
子の温度を下げるように動作する。
【００３４】本発明の上記の目的および他の目的、特
徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発
明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述からより容易
に明らかになる。
【００３５】
【発明の実施の形態】本発明は、添付図面と共に以下の
詳細な記述を考慮することによって容易に理解される。
図面に共通な同一要素を示すために、可能な場合には、
同一の参照番号が使用される。
【００３６】(第１の実施の形態)図１は、半導体レーザ
モジュールといった発光モジュールを示す斜視図であ
る。半導体レーザモジュール１ａは、光モジュール主要
部(光モジュール主要部品)２ａ、ハウジング４、光結合
部６、及び光ファイバ８といった光導波路を備える。光
モジュール主要部２ａは、ハウジング４内に配置されて
おり、レーザ光を発生する。ハウジング４としてはバタ
フライ型パッケージが例示される。ハウジング４は、収
容部４ａ、光ファイバ支持部４ｂ、第１及び第２の電源
端子を含むリード端子４ｃ及び光通過孔４ｄを有する。
収容部４ａは、光モジュール主要部２ａを収容する配置
空間を規定している。光ファイバ支持部４ｂは、収容部
４ａの前壁に設けられており、光ファイバ８が光モジュ
ール主要部２ａと光学的に結合するように光ファイバ８
を支持している。リード端子４ｃは、収容部４ａの側壁
に設けられており、光モジュール主要部２ａに電気的に
接続されている。光通過孔４ｄは、収容部４ａの前壁に
設けられており、光モジュール主要部２ａから光ファイ
バ支持部４ｂに向かう光が通過する。光通過孔４ｄに
は、ハーメチックガラス１０が配置されており、これよ
って、配置空間が気密にされる。
【００３７】光結合部６は、レンズ１２、レンズホルダ
１４、フェルール１６、およびフェルールホルダ１８を
含む。光結合部６は、光ファイバ支持部４ｂに配置され
ている。光ファイバ支持部４ｂには、レンズホルダ１４
が配置されている。レンズホルダ１４には、フェルール
ホルダ１８が固定されている。フェルールホルダ１８
は、光ファイバ８を保持するフェルール１６を収容して
いる。レンズホルダ１４は、光モジュール主要部２ａを
光ファイバ８の一端に光学的に結合するように、レンズ
１２を保持している。この構成により、光モジュール主
要部２ａからの光が光ファイバ８に提供される。
【００３８】引き続いて、光モジュール主要部２ａの詳
細な形態を説明する。光モジュール主要部２ａは、固定
部材２２上に固定されたペルチェ素子２４といった熱電
子冷却素子を有する。ペルチェ素子２４上には、搭載部
材２６が配置されている。ペルチェ素子２４といった温
度変更手段は、半導体レーザ素子といった半導体発光素
子３４の温度を変更するために利用される。
【００３９】ペルチェ素子２４上には、Ｌキャリアとい
った搭載部材３０が配置されている。搭載部材３０は、
素子搭載部３０ａおよびレンズ保持部３０ｂを有する。
素子搭載部３０ａ上には、チップキャリアといった素子
搭載部材３６が、搭載部材３２を介して配置されてい
る。素子搭載部材３６の配置面３６ａ上には、半導体発
光素子３４が配置されている。半導体発光素子３４は、
P型クラッド層とＮ型クラッド層との間に配置された半
導体発光層を有している。
【００４０】図１に示された実施の形態では、ペルチェ
素子２４および半導体発光素子３４は、第１および第２
の電源端子間に接続されている。
【００４１】素子搭載部材３６は、搭載部材３２の配置
面３２ａ上に位置している。レンズ保持部３０ｂには、
レンズ３８を保持するレンズ保持部材４０が固定されて
いる。レンズ３８は、半導体発光素子３４からの光を受
けるように配置されており、また半導体発光素子３４か
らの光をレンズ１２を介して光ファイバ８の一端に提供
できるように配置されている。
【００４２】また、搭載部材３２の主面３２ａ上には、
搭載部材２８が配置されている。搭載部材２８の主面２
８ａ上には、半導体発光素子３４の光をモニタできるよ
うに、フォトダイオードといった半導体受光素子４２が
配置されている。この配置により、半導体受光素子４２
は、半導体発光素子３４と光学的に結合される。半導体
受光素子４２は、半導体発光素子３４からの光を受け
て、半導体発光素子３４が発生する光パワーを示す電気
信号を発生する。
【００４３】ハウジング４内には、固定部材２２上にペ
ルチェ素子駆動素子４４が配置されている。ペルチェ素
子駆動素子４４は、ペルチェ素子２４に接続されてお
り、ペルチェ素子２４に流れる電流を制御している。ま
た、ハウジング４内には、搭載部材４６上に配置された
電力制御素子４８を含む。電力制御素子４８は、半導体
発光素子３４に接続されており、半導体発光素子３４を
駆動するための信号を生成する。
【００４４】図２は、発光モジュール１ａのための光素
子制御回路５０ａを示す回路図である。光素子制御回路
５０ａは、ペルチェ素子２４と、半導体発光素子３４
と、半導体受光素子４２と、電力供給回路４８とを備え
る。電力供給回路４８は、半導体発光素子３４を駆動す
るための信号を提供する。ペルチェ素子２４は、半導体
発光素子３４と熱的に結合されており、半導体発光素子
３４の温度を調整するように動作する。ペルチェ素子２
４、半導体発光素子３４及び電力供給素子４８は、第１
の電源線５２ａと第２の電源線５２ｂとの間に直列に設
けられている。
【００４５】電力供給回路４８は、駆動回路部４８ａ、
信号駆動回路部４８ｂ、バイアス電流・変調電流制御回
路部４８ｃを含む。駆動回路部４８ａは、半導体発光素
子３４とペルチェ素子２４との間に配置されており、半
導体発光素子３４に流れる電流を制御している。駆動回
路部４８ａは、バイアス電流回路部５４と、変調電流回
路部５６と、差動対部５８とを有する。差動対部５８
は、第１および第２のトランジスタ５８ａ、５８ｂを含
む。第１および第２のトランジスタ５８ａ、５８ｂの一
電流端子(エミッタ)は、共有ノード５８ｃにおいて互い
に接続されている。第１および第２のトランジスタ５８
ａ、５８ｂの制御端子(ベース)は、信号駆動回路部４８
ｂからの差動信号を受けている。第１のトランジスタ５
８ａの電流端子の他方(コレクタ)は、電源線５２ａに接
続されている。第２のトランジスタ５８ｂの電流端子の
他方(コレクタ)は、半導体発光素子３４のアノードおよ
びカソードの一方に接続されている。半導体発光素子３
４のアノードおよびカソードの他方は、電源線５２ａに
接続されている。
【００４６】バイアス電流・変調電流制御回路部４８ｃ
は、端子６８を介して制御信号を受けると共に、端子７
０を介してモニタ用受光素子４２からの信号を受ける。
バイアス電流・変調電流制御回路部４８ｃは、バイアス
電流のための信号Ｖ２を生成すると共に、変調電流のた
めの信号Ｖ１を生成する。
【００４７】信号駆動回路部４８ｂは、差動入力端子６
４を介して差動信号６６ａを受ける。信号駆動回路部４
８ｂは、受けた差動信号６６ａを増幅して、増幅された
差動信号６６ｂを差動対部５８に提供する。
【００４８】バイアス電流回路部５４は、ノード５８ｄ
とペルチェ素子２４との間に接続されている。バイアス
電流回路部５４は、トランジスタ５４ａを含む。トラン
ジスタ５４ａの電流端子の一方(コレクタ)は、半導体発
光素子３４のアノードおよびカソードのいずれか一方に
接続されている。トランジスタ５４ａの電流端子の他方
(エミッタ)は、ペルチェ素子２４の一端子に接続されて
いる。トランジスタ５４ａの制御端子(ベース)は、バイ
アス電流・変調電流制御回路部４８ｃからの制御信号Ｖ
２を受ける。トランジスタ５４ａは、バイアス電流・変
調電流制御回路部４８ｃからの制御信号Ｖ２に応答を示
してバイアス電流を生成する。
【００４９】変調電流回路部５６は、半導体発光素子３
４とペルチェ素子２４との間に接続されている。変調電
流回路部５６は、トランジスタ５６ａを含む。トランジ
スタ５６ａの電流端子の一方(コレクタ)は、ノード５８
ｃに接続されている。トランジスタ５６ａの電流端子の
他方(エミッタ)は、ペルチェ素子２４の一端子に接続さ
れている。トランジスタ５６ａの制御端子(ベース)は、
バイアス電流・変調電流制御回路部４８ｃからの制御信
号Ｖ１を受ける。トランジスタ５６ａは、バイアス電流
・変調電流制御回路部４８ｃからの制御信号Ｖ１に応答
を示して、変調電流を生成する。
【００５０】この光素子制御回路５０ａでは、半導体発
光素子３４およびペルチェ素子２４のうちの一方に流れ
た電流は、半導体発光素子３４およびペルチェ素子２４
のうちの他方にも流れる。温度センサおよびペルチェ素
子制御素子を用いなくても、半導体発光素子３４の温度
の上昇を抑えることができる。
【００５１】図１および図２に示された半導体レーザモ
ジュール１ａにおいては、半導体発光素子３４からの電
流は、ペルチェ素子２４に流れる。特に、電力供給回路
４８が光出力を一定値に近づけるような制御(ＡＰＣ制
御)を行う場合には、半導体発光素子３４の温度が降下
すると、半導体発光素子３４を流れる電流は減少する。
この電流はペルチェ素子２４に流れ込むので、ペルチェ
素子２４の冷却能力が小さくなる。また、半導体発光素
子３４の温度が上昇すると、半導体発光素子３４を流れ
る電流は増加する。この電流はペルチェ素子２４に流れ
込むので、ペルチェ素子２４の冷却能力が大きくなる。
故に、ペルチェ素子２４は、半導体発光素子３４の温度
を下げるように動作する。
【００５２】(第２の実施の形態)図３は、半導体レーザ
モジュール１ａのための光素子制御回路５０ｂを示す回
路図である。光素子制御回路５０ｂは、ペルチェ素子２
４と、半導体発光素子３４と、半導体受光素子４２と、
電力供給回路４８と、ペルチェ素子駆動回路６０と、温
度センサ７８とを備える。ペルチェ素子駆動回路６０
は、半導体発光素子３４とペルチェ素子２４との間のノ
ード６０ａに接続されており、温度センサ７８からの信
号に応答を示し半導体発光素子の温度を変更するように
ペルチェ素子２４に流れる電流を制御する。ペルチェ素
子駆動回路６０によれば、半導体発光素子２４に流れる
電流を利用しつつ、ペルチェ素子２４に流れる電流を調
整できる。
【００５３】ペルチェ素子駆動回路６０は、電流供給部
７２と、電流吸い込み部７４と、制御部７６とを有する
ようにしてもよい。電流供給部７２は、ペルチェ素子２
４に流す電流を供給する。電流吸い込み部７４は、半導
体発光素子３４に流れた電流を吸い込む。制御部７６
は、サーミスタといった温度センサ部７８からの信号に
応答を示して、電流供給部７２及び電流吸い込み部７４
を制御する。第１の電源線６２ａと第２の電源線６２ｂ
との間には、電流供給部７２及び電流吸い込み部７４が
直列に接続されている。電流供給部７２及び電流吸い込
み部７４は、ノード６０ａにおいて互いに接続されてい
る。
【００５４】電流供給部７２は、トランジスタ７２ａと
いった半導体素子を含む。この半導体素子は、制御部７
６からの制御信号に応答してスイッチとして動作する。
トランジスタ７２ａの電流端子の一方(コレクタ)は、第
１の電源線６２ａに接続されている。トランジスタ７２
ａの電流端子の他方(エミッタ)は、ノード６０ａに接続
されている。トランジスタ７２ａの制御端子(ベース)
は、制御部７６の第１の出力７６ａに接続されている。
電流吸い込み部７４は、トランジスタ７４ａを含む。ト
ランジスタ７４ａの電流端子の一方(エミッタ)は、第２
の電源線６２ｂに接続されている。トランジスタ７４ａ
の電流端子の他方(コレクタ)は、ノード６０ａに接続さ
れている。トランジスタ７４ａの制御端子(ベース)は、
制御部７６の第２の出力７６ｂに接続されている。制御
部７６は、温度センサ部７８からの信号を端子７６ｃに
受けると共に、この信号に応答を示して第１の出力７６
ａおよび第２の出力７６ｂを生成する。トランジスタ７
２ａ、７４ａは、上記の出力７６ａ、７６ｂに応答をし
て、ペルチェ素子２４への電流を調整している。
【００５５】この形態では、半導体レーザモジュールが
温度センサ部を備えているので、半導体発光素子３４の
温度に関する信号を得ることができる。この信号に基づ
いて、半導体発光素子の温度を所定値に近づけるように
制御可能である。温度センサ部７８からの信号が半導体
発光素子３４の温度の上昇を示す場合に電流供給部７２
が導通して、ペルチェ素子２４へ電流を提供する。ペル
チェ素子２４への電流が増加するので、半導体発光素子
３４の温度の上昇は抑制される傾向になる。また、温度
センサ部７８からの信号が半導体発光素子３４の温度の
降下を示す場合に電流吸い込み部７４が導通して、半導
体発光素子３４からの電流を吸い込む。ペルチェ素子２
４への電流が減少するので、半導体発光素子３４の温度
の低下は抑制される傾向になる。
【００５６】(第３の実施の形態)引き続いて、発光モジ
ュールのための光素子制御回路を適用可能な発光モジュ
ールの構成を説明する。図４(ａ)は、図１に示された半
導体レーザモジュールのブロック図である。図４(ｂ)お
よび４(ｃ)は、図２および図３に示された光素子制御回
路を適用可能な別の半導体レーザモジュールのブロック
図である。
【００５７】図４(ａ)を参照すると、半導体レーザモジ
ュール１ａが示されている。半導体レーザモジュール１
ａでは、半導体レーザ素子といった半導体発光素子３４
の温度がペルチェ素子２４によって制御される。半導体
発光素子３４を流れる電流Ｉ 1は、電力供給回路４８お
よびペルチェ素子２４に流れる。
【００５８】図４(ｂ)を参照すると、外部共振器型の半
導体レーザモジュール１ｂが示されている。半導体レー
ザモジュール１ｂでは、半導体光増幅素子といった半導
体発光素子３５の温度がペルチェ素子２４によって制御
される。半導体発光素子３５を流れる電流Ｉ2は、電力
供給回路４８およびペルチェ素子２４に流れる。半導体
発光素子３５は、グレーティングファイバといった光導
波路９の一端９ａと光学的に結合されている。光導波路
９は、回折格子９ｂを備えている。光共振器は、半導体
発光素子３５の一端面と回折格子９ｂとから構成されて
いる。
【００５９】図４(ｃ)を参照すると、半導体レーザモジ
ュール１ｃが示されている。半導体レーザモジュール１
ｃでは、半導体光集積素子といった半導体発光素子３３
の温度がペルチェ素子２４によって制御される。半導体
発光素子３３は、レーザ素子部３３ａと変調素子部３３
ｂとを含む。レーザ素子部３３ａは、定常的に光を発生
する。変調素子部３３ｂは、レーザ素子部３３ａと光学
的に結合され、レーザ素子部３３ａにおいて発生された
光を変調する。変調された光は、光ファイバ８に提供さ
れる。レーザ素子部３３ａを流れる電流Ｉ3は、電力供
給回路４９およびペルチェ素子２４に流れる。
【００６０】図４(ｂ)および４(ｃ)に示されるように、
発光モジュールはペルチェ素子制御素子６０を含むこと
ができる。図４(ｂ)および４(ｃ)に示された発光モジュ
ールは、図１に示された構成によって実現されることが
できるが、これに限定されるものではない。また、本明
細書の実施の形態においては、発光モジュールを説明し
たけれども、発光モジュールは、光信号の発生だけでな
く、光信号の受信も行うことができる。さらに、第１〜
第３の実施の形態において、電力供給素子４８をペルチ
ェ素子２４上に搭載されるようにしてもよい。
【００６１】(第４の実施の形態)本実施の形態の光モジ
ュールおよび光素子制御回路では、半導体発光素子及び
駆動回路とペルチェ素子との一方に流れた電流は、半導
体発光素子及び駆動回路とペルチェ素子との他方に流れ
る。故に、半導体発光素子及び／又は駆動回路に流れる
電流が変化すると、この電流の変化に応じてペルチェ素
子に流れる電流も変化する。半導体発光素子及び／又は
駆動回路に流れる電流が増加すると、ペルチェ素子の冷
却能力が大きくなる。半導体発光素子及び／又は駆動回
路に流れる電流が減少すると、ペルチェ素子の冷却能力
が小さくなる。
【００６２】図５は、半導体レーザモジュールといった
光モジュールを示す斜視図である。半導体レーザモジュ
ール１ｄは、光モジュール主要部品２ｄ、ハウジング
４、光結合部６、及び光ファイバ８といった光導波路を
備える。光モジュール主要部２ｄは、ハウジング４内に
配置されており、レーザ光を発生する。レンズホルダ１
４は、光モジュール主要部２ｄを光ファイバ８の一端に
光学的に結合するように、レンズ１２を保持している。
この構成により、光モジュール主要部２ｄからの光が光
ファイバ８に提供される。
【００６３】引き続いて、光モジュール主要部品２ｄの
詳細な形態を説明する。搭載部材３１は、例えばＬキャ
リアといった部材であり、素子搭載部３１ａおよびレン
ズ保持部３１ｂを有する。素子搭載部３１ａ上には、搭
載部材３３が搭載されている。素子搭載部材３６の配置
面上には、半導体発光素子３４が搭載されている。搭載
部材３２の主面３２ａ上には、搭載部材２８が配置され
ている。搭載部材２８の主面２８ａ上には、半導体発光
素子３５の光をモニタできるように、フォトダイオード
といった半導体受光素子４２が配置されている。この配
置により、半導体受光素子４２は、半導体発光素子３５
と光学的に結合される。
【００６４】光モジュール主要部品２ｄは、固定部材２
２上に固定されたペルチェ素子２５といった熱電子冷却
素子を有する。ペルチェ素子２５上には、搭載部材２７
が配置されている。ペルチェ素子２５といった温度変更
手段は、半導体レーザ素子といった半導体発光素子３４
の温度を変更するために利用される。図５に示された実
施の形態では、ペルチェ素子２５上には、搭載部材３１
が配置されている。
【００６５】ハウジング４内には、搭載部材３３上に配
置された駆動素子４７を含む。駆動素子４７は、半導体
発光素子３４に接続されている。駆動素子４７は、ボン
ディングワイヤといった接続部材を介してリード端子４
ｅから一又は複数の信号を入力４７ａ、４７ｂに受け
て、これらの信号から半導体発光素子３４を駆動するた
めの信号を出力４７ｃに生成する。駆動素子４７は、ま
た、電力を受けるパワー端子４７ｄ、４７ｅを備えてい
る。パワー端子４７ｄは、ボンディングワイヤといった
接続部材を介して電源端子４ｇに接続されており、パワ
ー端子４７ｅは、ボンディングワイヤといった接続部材
を介してペルチェ素子２５の一端子２５ａに接続されて
いる。ペルチェ素子２５の他端子２５ｂは、ボンディン
グワイヤといった接続部材を介して電源端子４ｆに接続
されている。したがって、ペルチェ素子２５並びに駆動
素子４７及び半導体発光素子３４は、第１の電源端子
(リード端子４ｆ)と第２の電源端子(リード端子４ｇ)と
の間に接続されている。
【００６６】光モジュールでは、半導体発光素子及び駆
動回路並びにペルチェ素子の一方に流れた電流は、半導
体発光素子及び駆動回路並びにペルチェ素子の他方に流
れる。したがって、本実施の形態によれば、消費電力を
低減可能な光モジュールが提供された。
【００６７】図６(ａ)〜図６(ｄ)は、図５に示された光
モジュールに適用可能ないくつかの形態を示す図面であ
る。図６(ａ)〜図６(ｄ)では、半導体発光素子３４及び
駆動回路４７は、光素子制御回路を構成している。
【００６８】図６(ａ)を参照すると、図５に例示的に示
された光モジュールの光素子制御回路のための回路図が
示されている。光素子制御回路７８ａは、第１の電源ノ
ード８０ａと、第２の電源ノード８０ｂと、中間ノード
８０ｃと、発光素子回路８２と、ペルチェ素子２５とを
備えている。
【００６９】発光素子回路８２は、半導体発光素子３４
と、駆動回路４７と、第１の電源ノード８０ａ(電源端
子４ｇ)に接続された第１の電流端子８２ａと、中間ノ
ード８０ｃに接続された第２の電流端子８２ｂと、半導
体発光素子３４のための入力信号を受ける信号入力８２
ｃとを有する。半導体発光素子３４は、アノード及びカ
ソードといった第１及び第２の端子３４ａ、３４ｂを有
する。駆動回路４７は、一又は複数の入力８２ｃに受け
た信号から半導体発光素子３４を駆動する信号を生成す
る。第１の電流端子８２ａは、半導体発光素子３４の第
１の端子３４ａ及び駆動回路４７のパワー端子４７ｄに
接続されている。第２の電流端子８２ｂは、駆動回路４
７のパワー端子４７ｅに接続されている。半導体発光素
子３４の第２の端子３４ｂは、駆動素子４７の出力４７
ｃに接続されている。ペルチェ素子２５の一端子２５ａ
は、中間ノード８０ｃを介して第２の電流端子８２ｂに
接続されている。ペルチェ素子２５の他端子２５ｂは、
第２の電源ノード８０ｂに接続されている。
【００７０】図６(ｂ)を参照すると、図５に例示的に示
された光モジュールの光素子制御回路の変形例の回路図
が示されている。光素子制御回路７８ｂは、第１の電源
ノード８０ａと、第２の電源ノード８０ｂと、中間ノー
ド８０ｃと、発光素子回路８４と、ペルチェ素子２５と
を備えている。
【００７１】発光素子回路８４は、半導体発光素子３４
と、駆動回路４５と、第１の電源ノード８０ａ(電源端
子４ｇ)に接続された第１の電流端子８４ａと、中間ノ
ード８０ｃに接続された第２の電流端子８４ｂと、半導
体発光素子３４のための入力信号を受ける信号入力８４
ｃとを有する。駆動回路４５は、一又は複数の入力８４
ｃに受けた信号から半導体発光素子３４を駆動する信号
を生成する。第１の電流端子８４ａは、駆動回路４５の
パワー端子４５ｄに接続されている。第２の電流端子８
４ｂは、半導体発光素子３４の第２の端子３４ｂ及び駆
動回路４５のパワー端子４５ｅに接続されている。半導
体発光素子３４の第１の端子３４ａは、駆動素子４５の
出力４５ｃに接続されている。ペルチェ素子２５の一端
子２５ａは、中間ノード８０ｃを介して第２の電流端子
８４ｂに接続されている。ペルチェ素子２５の他端子２
５ｂは、第２の電源ノード８０ｂに接続されている。
【００７２】図６(ｃ)を参照すると、図５に例示的に示
された光モジュールの光素子制御回路の変形例のための
回路図が示されている。光素子制御回路７８ｃは、第１
の電源ノード８０ａと、第２の電源ノード８０ｂと、中
間ノード８０ｃと、発光素子回路８２と、ペルチェ素子
２５とを備えている。
【００７３】ペルチェ素子２５の一端子２５ａは、第１
の電源ノード８０ａに接続されている。ペルチェ素子２
５の他端子２５ｂは、中間ノード８０ｃを介して第１の
電流端子８２ａに接続されている。発光素子回路８２
は、半導体発光素子３４と、駆動回路４７と、中間ノー
ド８０ｃに接続された第１の電流端子８２ａと、第２の
電源ノード８０ｂに接続された第２の電流端子８２ｂ
と、半導体発光素子３４のための入力信号を受ける信号
入力８２ｃとを有する。第１の電流端子８２ａは、半導
体発光素子３４の第１の端子３４ａ及び駆動回路４７の
パワー端子４７ｄに接続されている。第２の電流端子８
２ｂは、駆動回路４７のパワー端子４７ｅに接続されて
いる。半導体発光素子３４の第２の端子３４ｂは、駆動
素子４７の出力４７ｃに接続されている。
【００７４】図６(ｄ)を参照すると、図５に例示的に示
された光モジュールの光素子制御回路の変形例の回路図
が示されている。光素子制御回路７８ｄは、第１の電源
ノード８０ａと、第２の電源ノード８０ｂと、中間ノー
ド８０ｃと、発光素子回路８４と、ペルチェ素子２５と
を備えている。
【００７５】発光素子回路８４は、半導体発光素子３４
と、駆動回路４５と、中間ノード８０ｃに接続された第
１の電流端子８４ａと、第２の電源ノード８０ｂに接続
された第２の電流端子８４ｂと、半導体発光素子３４の
ための入力信号を受ける信号入力８４ｃとを有する。
【００７６】ペルチェ素子２５の一端子２５ａは、第１
の電源ノード８０ａに接続されている。ペルチェ素子２
５の他端子２５ｂは、中間ノード８０ｃを介して第１の
電流端子８４ａに接続されている。第１の電流端子８４
ａは、駆動回路４５のパワー端子４５ｄに接続されてい
る。第２の電流端子８４ｂは、半導体発光素子３４の第
２の端子３４ｂ及び駆動回路４５のパワー端子４５ｅに
接続されている。半導体発光素子３４の第１の端子３４
ａは、駆動素子４５の出力４５ｃに接続されている。
【００７７】以上説明したように、図６(ａ)〜図６(ｄ)
では、発光素子回路及びペルチェ素子は、発光素子回路
及びペルチェ素子のための電力を受けるように第１の電
源ノードと第２の電源ノードとの間に設けられており、
また、ペルチェ素子及び発光素子回路は、互いに直列に
電気的に接続されている。これらの光素子制御回路７８
ａから７８ｄ及び光モジュール１ｄでは、半導体発光素
子及び駆動回路並びにペルチェ素子の一方に流れた電流
Ｉは、半導体発光素子及び駆動回路並びにペルチェ素子
の他方に流れる。したがって、本実施の形態の光素子制
御回路７８ａ〜７８ｄ及び光モジュール１ｄ光モジュー
ルは、消費電力を低減可能なの構造を有する。
【００７８】図７は、図６(ａ)及び図６(ｂ)に示された
駆動回路を示す回路図である。図７を参照すると、発光
素子回路８６は、第１の内部ライン８６ａ及び第２の内
部ノード８６ｂを有している。駆動回路４７は、駆動回
路４７のための電力を受けるように第１の内部ノード８
６ａと第２の内部ノード８６ｂとの間に設けられてい
る。駆動回路４７は、一又は複数の入力４７ａ、４７ｂ
と、第１の出力４７ｃと、第２の出力４７ｆと、増幅回
路部８８と、第１のトランジスタ９０と、第２のトラン
ジスタ９２と、第１の回路部９４と、第２の回路部９６
と、バイアス電流・変調電流制御回路部９８とを備え
る。第１の回路部９４と、第２の回路部９６と、バイア
ス電流・変調電流制御回路部９８とは、第１の内部ノー
ド８６ａと第２の内部ノード８６ｂとの間に設けられて
いる。
【００７９】駆動回路４７において、増幅回路部８８
は、入力４７ａ、４７ｂからの差動信号といった信号Ｓ
を受ける入力８８ａと、この信号Ｓから増幅回路部８８
によって生成された一対の駆動信号Ｉ1、Ｉ2を提供する
出力８８ｂ、８８ｃとを有する。増幅回路部８８には、
電源電流ＩP1が流れている。信号Ｓから駆動信号Ｉ1、
Ｉ2を生成するために、増幅回路部８８は、一又は複数
の増幅段を備える。第１のトランジスタ９０は、駆動信
号Ｉ1を受ける制御端子９０ａ並びに第１及び第２の電
流端子９０ｂ、９０ｃを有しており、制御端子９０ａ上
の信号に応じて第１及び第２の電流端子９０ｂ、９０ｃ
間に流れる電流を制御可能である。第２のトランジスタ
９２は、駆動信号Ｉ2を受ける制御端子９２ａ並びに第
１及び第２の電流端子９２ｂ、９２ｃを有しており、制
御端子９２ａ上の信号に応じて第１及び第２の電流端子
９２ｂ、９２ｃ間に流れる電流を制御可能である。第１
の出力４７ｃは、第１のトランジスタ９０第１の電流端
子９０ｂに接されている。第２の出力４７ｆは、第２の
トランジスタ９２の第２の電流端子９２ｂに接続されて
いる。
【００８０】第１の回路部９４は、第１のトランジスタ
９０の第２の電流端子９０ｃ及び第２のトランジスタ９
２の第２の電流端子９２ｃに接続されており、差動対ト
ランジスタ９０、９２のための変調電流Ｉｍを生成す
る。第１の回路部９４の構成を例示的に説明すれば、第
１の回路部９４は、制御端子並びに第１及び第２の電流
端子を有するトランジスタ９４ａを含むことができる。
第２の回路部９６は、第１の出力４７ｃに接続されてお
り、バイアス電流Ｉｂを生成する。第２の回路部９６の
構成を例示的に説明すれば、第１の回路部９６は、制御
端子並びに第１及び第２の電流端子を有するトランジス
タ９６ａを含むことができる。バイアス電流・変調電流
制御回路部９８は、第１の回路部９４及び第２の回路部
９６に接続されており、変調電流Ｉｍを制御するための
信号Ｖｍ及びバイアス電流Ｉｂを制御するための信号Ｖ
ｂを生成しており、これらの信号は出力９８ａ、９８ｂ
に提供される。バイアス電流・変調電流制御回路部９８
は、制御入力４７ｇに接続される入力９８ｃを有する。
バイアス電流・変調電流制御回路部９８には、電源電流
ＩP2が流れている。
【００８１】半導体発光素子３４の第２の端子３４ｂ
は、第１の出力４７ｃに電気的に接続されている。半導
体発光素子３４の第１の端子３４ａは、第１の内部ノー
ド８６ａに電気的に接続されている。第２の出力４７ｆ
は、第１の内部ライン８６ａに電気的に接続されていて
もよい。光素子制御回路及び光モジュールの変形例で
は、発光素子回路は、第１の内部ノード８６ａと駆動回
路４７の第２の出力４７ｆとの間に電気的に接続された
負荷８６ｃを更に備えることができる。負荷８６ｃとし
ては、抵抗が例示される。
【００８２】図８は、図６(ｃ)及び図６(ｃ)に示された
駆動回路を示す回路図である。図８を参照すると、発光
素子回路１００は、第１の内部ライン１００ａ及び第２
の内部ノード１００ｂを有している。駆動回路４５は、
駆動回路４５のための電力を受けるように第１の内部ノ
ード１００ａと第２の内部ノード１００ｂとの間に設け
られている。駆動回路４５は、一又は複数の入力４５
ａ、４５ｂと、第１の出力４５ｃと、第２の出力４５ｆ
と、増幅回路部１０２と、第１のトランジスタ１０４
と、第２のトランジスタ１０６と、第１の回路部１１０
と、第２の回路部１１２と、バイアス電流・変調電流制
御回路部１０８とを備える。第１の回路部１１０と、第
２の回路部１１２と、バイアス電流・変調電流制御回路
部１０８とは、第１の内部ノード１００ａと第２の内部
ノード１００ｂとの間に設けられている。
【００８３】駆動回路４５において、増幅回路部１０２
は、入力４５ａ、４５ｂからの差動信号といった信号Ｓ
を受ける入力１０２ａと、この信号Ｓから増幅回路部１
０２によって生成された一対の駆動信号Ｉ1、Ｉ2を提供
する出力１０２ｂ、１０２ｃとを有する。信号Ｓから駆
動信号Ｉ1、Ｉ2を生成するために、増幅回路部１０２
は、一又は複数の増幅段を備える。増幅回路部１０２に
は、電源電流ＩP1が流れている。第１のトランジスタ１
０４は、駆動信号Ｉ1を受ける制御端子１０４ａ並びに
第１及び第２の電流端子１０４ｂ、１０４ｃを有してお
り、制御端子１０４ａ上の信号に応じて第１及び第２の
電流端子１０４ｂ、１０４ｃ間に流れる電流を制御され
る。第２のトランジスタ１０６は、駆動信号Ｉ2を受け
る制御端子１０６ａ並びに第１及び第２の電流端子１０
６ｂ、１０６ｃを有しており、制御端子１０６ａ上の信
号に応じて第１及び第２の電流端子１０６ｂ、１０６ｃ
間に流れる電流を制御される。第１の出力４５ｃは、第
１のトランジスタ１０４の第１の電流端子１０４ｂに接
されている。第２の出力４５ｆは、第２のトランジスタ
１０６の第２の電流端子１０６ｂに接続されている。
【００８４】第１の回路部１１０は、第１のトランジス
タ１０４の第２の電流端子１０４ｃ及び第２のトランジ
スタ１０６の第２の電流端子１０６ｃに接続されてお
り、差動対トランジスタ１０４、１０６のための変調電
流Ｉｍを生成する。第１の回路部１１０の構成を例示的
に説明すれば、第１の回路部１１０は、制御端子並びに
第１及び第２の電流端子を有するトランジスタ１１０ａ
を含むことができる。第２の回路部１１２は、第１の出
力４５ｃに接続されており、バイアス電流Ｉｂを生成す
る。第２の回路部１１２の構成を例示的に説明すれば、
第１の回路部１１２は、制御端子並びに第１及び第２の
電流端子を有するトランジスタ１１２ａを含むことがで
きる。バイアス電流・変調電流制御回路部１０８は、第
１の回路部１１０及び第２の回路部１１２に接続されて
おり、変調電流Ｉｍを制御するための信号Ｖｍ及びバイ
アス電流Ｉｂを制御するための信号Ｖｂを生成してお
り、これらの信号は出力１０８ａ、１０８ｂに提供され
る。バイアス電流・変調電流制御回路部１０８は、制御
入力４５ｇに接続される入力１０８ｃを有する。バイア
ス電流・変調電流制御回路部１０８には、電源電流ＩP2
が流れている。
【００８５】半導体発光素子３４の第１の端子３４ａ
は、第１の出力４５ｃに電気的に接続されている。半導
体発光素子３４の第２の端子３４ｂは、第２の内部ノー
ド１００ｂに電気的に接続されている。第２の出力４５
ｆは、第２の内部ライン１００ｂに電気的に接続されて
いてもよい。光素子制御回路及び光モジュールの変形例
では、発光素子回路は、第２の内部ノード１００ｂと駆
動回路４５の第２の出力４５ｆとの間に電気的に接続さ
れた負荷１００ｃを更に備えることができる。負荷１０
０ｃとしては、抵抗が例示される。
【００８６】図７及び図８に示された光素子制御回路及
び光モジュールでは、駆動回路及び半導体発光素子に流
れる電流並びにペルチェ素子に流れた電流の一方は、駆
動回路及び半導体発光素子に流れる電流並びにペルチェ
素子に流れる電流の他方に流れる。
【００８７】(第５の実施の形態)図９(ａ)〜図９(ｃ)
は、光モジュールのための光素子制御回路を適用可能な
光モジュールの構成を示すブロック図である。図９(ａ)
は、図５に示された半導体レーザモジュールのブロック
図である。図９(ｂ)および図９(ｃ)は、図２および図３
に示された光素子制御回路を適用可能な別の半導体レー
ザモジュールのブロック図である。
【００８８】図９(ａ)を参照すると、半導体レーザモジ
ュール１ｄが示されている。半導体レーザモジュール１
ｄは、半導体レーザ素子といったといった半導体発光素
子３４を備える。半導体発光素子３４及び駆動素子４７
の温度がペルチェ素子２４によって制御される。半導体
発光素子３４を流れる電流Ｉ4及び駆動素子４７を流れ
る電流Ｉ5は、ペルチェ素子２４に流れる。半導体発光
素子３４及び駆動素子４７は、ペルチェ素子２４上に搭
載されている。半導体発光素子３４及び駆動素子４７に
流れる電流が増加して半導体発光素子３４及び駆動素子
４７における発熱量が増加するとき、ペルチェ素子２４
の冷却能力も増大する。
【００８９】図９(ｂ)を参照すると、外部共振器型の半
導体レーザモジュール１ｅが示されている。半導体レー
ザモジュール１ｅは、半導体光増幅素子といった半導体
発光素子３５と、光導波路９とを備える。半導体発光素
子３５は、グレーティングファイバといった光導波路９
の一端９ａと光学的に結合されている。光導波路９は、
回折格子９ｂを備えている。光共振器は、半導体発光素
子３５の一端面と回折格子９ｂとから構成されている。
半導体発光素子３５及び駆動素子４７の温度がペルチェ
素子２４によって制御される。半導体発光素子３５を流
れる電流Ｉ4及び駆動素子４７を流れる電流Ｉ5は、ペル
チェ素子２４に流れる。半導体発光素子３５及び駆動素
子４７は、ペルチェ素子２４上に搭載されている。半導
体発光素子３５及び駆動素子４７に流れる電流が増加し
て半導体発光素子３５及び駆動素子４７における発熱量
が増加するとき、ペルチェ素子２４の冷却能力も増大す
る。
【００９０】図９(ｃ)を参照すると、半導体レーザモジ
ュール１ｆが示されている。半導体レーザモジュール１
ｆでは、半導体光集積素子といった半導体発光素子３３
を備える。半導体発光素子３３及び駆動回路４３の温度
は、ペルチェ素子２４によって制御される。半導体発光
素子３３は、レーザ素子部３３ａと変調素子部３３ｂと
を含む。レーザ素子部３３ａは、定常的に光を発生す
る。変調素子部３３ｂは、レーザ素子部３３ａと光学的
に結合され、レーザ素子部３３ａにおいて発生された光
を変調する。変調された光は、光ファイバ８に提供され
る。半導体発光素子３３のレーザ素子部３３ａを流れる
電流Ｉ4及び駆動素子４３を流れる電流Ｉ5は、ペルチェ
素子２４に流れる。半導体発光素子３３及び駆動素子４
３は、ペルチェ素子２４上に搭載されている。半導体発
光素子３３及び駆動素子４３に流れる電流が増加して半
導体発光素子３３及び駆動素子４３における発熱量が増
加するとき、ペルチェ素子２４の冷却能力も増大する。
【００９１】図９(ａ)〜図９(ｃ)に示された光モジュー
ルは、図４(ｂ)および４(ｃ)に示されるように、ペルチ
ェ素子制御素子６０を含むことができる。図９(ａ)〜図
９(ｃ)に示された光モジュールは、図５に示された構成
によって実現されることができるが、これに限定される
ものではない。
【００９２】好適な実施の形態において本発明の原理を
図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から
逸脱することなく配置および詳細において変更され得る
ことは、当業者によって認識される。例えば、半導体発
光素子は、半導体レーザ素子、半導体光増幅素子および
半導体光集積素子のいずれかであってもよい。半導体光
増幅素子は、光導波路と光学的に結合された回折格子と
光学的に結合される配置され、これにより、外部共振器
が形成される。半導体光集積素子の発光素子部は、ＤＦ
Ｂ型発光素子部またはファブリペロー型発光素子を含む
ことができる。半導体光集積素子の変調素子部は、ＥＡ
型変調素子部を含むことができる。また、バイポーラト
ランジスタジスを用いる回路を説明したが、他のタイプ
のトランジスタを用いることができる。したがって、特
許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正
および変更に権利を請求する。
【００９３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
消費電力を低減可能な発光モジュールおよび発光モジュ
ールのための光素子制御回路が提供された。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、半導体レーザモジュールを示す斜視図
である。
【図２】図２は、半導体レーザモジュールのための光素
子制御回路を示す回路図である。
【図３】図３は、半導体レーザモジュールのための光素
子制御回路を示す回路図である。
【図４】図４(ａ)は、図１に示された半導体レーザモジ
ュールのブロック図である。図４(ｂ)および図４(ｃ)
は、図２および図３に示された光素子制御回路を適用可
能な別の半導体レーザモジュールのブロック図である。
【図５】図５は、半導体レーザモジュールを示す斜視図
である。
【図６】図６(ａ)〜図６(ｄ)は、光素子制御回路のいく
つかの形態を示すブロック図である。
【図７】図７は、半導体レーザモジュールのための光素
子制御回路を示す回路図である。
【図８】図８は、半導体レーザモジュールのための光素
子制御回路を示す回路図である。
【図９】図９(ａ)は、図１に示された半導体レーザモジ
ュールのブロック図である。図９(ｂ)および図９(ｃ)
は、光素子制御回路を適用可能な別の半導体レーザモジ
ュールのブロック図である。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｆ、１ｅ…半導体レーザモ
ジュール、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ…光モジュー
ル主要部品、４…ハウジング、６…光結合部、８…光フ
ァイバ、９…グレーティングファイバ、１０…ハーメチ
ックガラス、１２…レンズ、１４…レンズホルダ、１６
…フェルール、１８…フェルールホルダ、２４、２５…
ペルチェ素子、３３、３４、３５…半導体発光素子、４
２…半導体受光素子、４４…ペルチェ素子駆動素子、４
５、４７…駆動素子、４８…電力供給素子、

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 発光モジュールのための光素子制御回路
    であって、 第１及び第２の電源線と、 半導体発光素子と、 前記半導体発光素子に流れる電流を制御する電力供給回
    路部と、 前記半導体発光素子の温度を調整するためのペルチェ素
    子と、を備え、 前記半導体発光素子および前記ペルチェ素子は、前記第
    １および第２の電源端子間に直列に設けられている、光
    素子制御回路。
  2. 【請求項２】 前記半導体発光素子と前記ペルチェ素子
    との間のノードに接続され、ペルチェ素子に流れる電流
    を制御するペルチェ素子駆動回路部を更に備える、請求
    項１に記載の光素子制御回路。
  3. 【請求項３】 前記ペルチェ素子駆動回路部は、前記ノ
    ードに電流を供給する電流供給部と、前記ノードから電
    流を吸い込む電流吸い込み部と、前記電流供給部及び前
    記電流吸い込み部を制御する制御部とを有する、請求項
    ２に記載の光素子制御回路。
  4. 【請求項４】 前記電力供給回路部は、前記半導体発光
    素子と前記ペルチェ素子との間に接続され前記半導体発
    光素子を駆動する駆動部を含む、請求項１から請求項３
    のいずれかに記載の光素子制御回路。
  5. 【請求項５】 前記電力供給回路部は、前記半導体発光
    素子と前記ペルチェ素子との間に接続され前記半導体発
    光素子を駆動する駆動部を含み、 前記駆動部は、変調電流生成部およびバイアス電流生成
    部を含む、請求項１から請求項３のいずれかに記載の光
    素子制御回路。
  6. 【請求項６】 第１および第２の電源端子を有するハウ
    ジングと、 前記ハウジング内に配置されたペルチェ素子と、 前記ペルチェ素子上に配置された半導体発光素子と、 前記半導体発光素子に光学的に結合された光導波路と、 前記ハウジング内に配置され前記半導体発光素子に接続
    された電力供給回路素子と、を備え、 前記半導体発光素子および前記ペルチェ素子は、前記第
    １および第２の電源端子間に直列に設けられており、 前記半導体発光素子は半導体レーザ素子を含む、発光モ
    ジュール。
  7. 【請求項７】 第１および第２の電源端子を有するハウ
    ジングと、 前記ハウジング内に配置されたペルチェ素子と、 前記ペルチェ素子上に配置された半導体発光素子と、 前記半導体発光素子に光学的に結合された光導波路と、 前記光導波路と光学的に結合された回折格子と、 前記ハウジング内に配置され前記半導体発光素子に接続
    された電力供給回路素子と、を備え、 前記半導体発光素子および前記ペルチェ素子は、前記第
    １および第２の電源端子間に直列に設けられており、 前記半導体発光素子は半導体光増幅素子を含む、発光モ
    ジュール。
  8. 【請求項８】 第１および第２の電源端子を有するハウ
    ジングと、前記ハウジング内に配置されたペルチェ素子
    と、 前記ペルチェ素子上に配置された半導体発光素子と、 前記半導体発光素子に光学的に結合された光導波路と、 前記ハウジング内に配置され前記半導体発光素子に接続
    された電力供給回路素子とを備え、 前記半導体発光素子は、発光素子部と前記発光素子部と
    光学的に結合された変調素子部とを含み、 前記発光素子部および前記ペルチェ素子は、前記第１お
    よび第２の電源端子間に直列に設けられている、発光モ
    ジュール。
  9. 【請求項９】 前記半導体発光素子と前記ペルチェ素子
    との間のノードに接続されたペルチェ素子駆動素子を更
    に備え、 前記ペルチェ素子駆動素子は、前記ペルチェ素子に流す
    電流を供給する電流供給部と、前記半導体発光素子に流
    れた電流を吸い込む電流吸い込み部と、前記電流供給部
    及び前記電流吸い込み部を制御する制御部とを有する、
    請求項６から請求項８のいずれかに記載の発光モジュー
    ル。
  10. 【請求項１０】 前記半導体発光素子と前記ペルチェ素
    子との間のノードに接続され前記ノードに電流を供給す
    るための第１の半導体素子と、前記ノードに接続され前
    記ノードから電流を吸い込むための第２の半導体素子
    と、前記第１及び第２の半導体素子を制御する制御素子
    とを有する、請求項６から請求項８のいずれかに記載の
    発光モジュール。
  11. 【請求項１１】 第１及び第２の電源ノードと、 一又は複数の入力と、第１及び第２の端子を有する半導
    体発光素子と、前記入力に受けた信号から前記半導体発
    光素子の前記第１の端子を駆動する信号を生成する駆動
    回路とを含む発光素子回路と、 前記半導体発光素子の温度を制御するためのペルチェ素
    子と、を備え、 前記発光素子回路及び前記ペルチェ素子は、前記発光素
    子回路及び前記ペルチェ素子のための電力を受けるよう
    に前記第１の電源ノードと第２の電源ノードとの間に設
    けられており、 前記ペルチェ素子及び前記発光素子回路の一方は、他方
    と直列に電気的に接続されている、光素子制御回路。
  12. 【請求項１２】 前記発光素子回路は、前記第１の電源
    ノードと中間ノードとの間に電気的に接続されており、 前記ペルチェ素子は、前記中間ノードと前記第２の電源
    ノードとの間に電気的に接続されている、請求項１１に
    記載の光素子制御回路。
  13. 【請求項１３】 前記発光素子回路は、前記第２の電源
    ノードと中間ノードとの間に電気的に接続されており、 前記ペルチェ素子は、前記中間ノードと前記第１の電源
    ノードとの間に電気的に接続されている、請求項１１に
    記載の光素子制御回路。
  14. 【請求項１４】 前記半導体発光素子の前記第２の端子
    は、前記第１の電源ノードに電気的に接続されている、
    請求項１２に記載の光素子制御回路。
  15. 【請求項１５】 前記半導体発光素子の前記第２の端子
    は、前記第２の電源ノードに電気的に接続されている、
    請求項１３に記載の光素子制御回路。
  16. 【請求項１６】 前記半導体発光素子の前記第２の端子
    は、前記中間ノードに電気的に接続されている、請求項
    １２又は請求項１３に記載の光素子制御回路。
  17. 【請求項１７】 前記発光素子回路は、第１及び第２の
    内部ノードを有しており、 前記駆動回路は、前記駆動回路のための電力を受けるよ
    うに前記第１の内部ノードと前記第２の内部ノードとの
    間に設けられており、 前記駆動回路は、 一又は複数の入力と、 前記入力に受けた信号から一対の駆動信号を生成する増
    幅回路部と、 前記一対の駆動信号の一方を受ける制御端子並びに第１
    及び第２の電流端子を有しており前記制御端子上の信号
    に応じて前記第１及び第２の電流端子間に流れる電流を
    制御可能な第１のトランジスタと、 前記一対の駆動信号の他方を受ける制御端子並びに第１
    及び第２の電流端子を有しており前記制御端子上の信号
    に応じて前記第１及び第２の電流端子間に流れる電流を
    制御可能な第２のトランジスタと、 前記第１のトランジスタの前記第１及び第２の電流端子
    のうちの一端子及び前記第２のトランジスタの前記第１
    及び第２の電流端子のうちの一端子に接続されており変
    調電流を生成する第１の回路部と、 前記第１のトランジスタの前記第１及び第２の電流端子
    のうちの他端子に接続された第１の出力と、 前記第２のトランジスタの前記第１及び第２の電流端子
    のうちの他端子に接続された第２の出力と、 前記第１の出力に接続されておりバイアス電流を生成す
    る第２の回路部と、 前記第１の回路部及び前記第２の回路部に接続され前記
    変調電流を制御するための信号及び前記バイアス電流を
    制御するためのそれぞれの信号を生成するバイアス電流
    ・変調電流制御回路部と、 を備え、 前記半導体発光素子の前記第１の端子は、前記第１の出
    力に電気的に接続されており、 前記半導体発光素子の前記第２の端子は、前記第１の内
    部ラインに電気的に接続されており、 前記第２の出力は、前記第１の内部ラインに電気的に接
    続されている、請求項１１〜１６のいずれかに記載の光
    素子制御回路。
  18. 【請求項１８】 前記発光素子回路は、前記第１の内部
    ラインと前記駆動回路の前記第２の出力との間に電気的
    に接続された負荷を更に備えている、請求項１７に記載
    の光素子制御回路。
  19. 【請求項１９】 第１及び第２の電源端子を有するハウ
    ジングと、 前記ハウジング内に配置されたペルチェ素子と、 前記ペルチェ素子上に搭載された半導体発光素子と、 前記半導体発光素子に電気的に接続された駆動素子と、 前記半導体発光素子に光学的に結合された光導波路とを
    備え、 前記半導体発光素子及び前記駆動素子と前記ペルチェ素
    子とは、前記第１の電源端子と前記第２の電源端子との
    間に直列に電気的に接続されており、 前記半導体発光素子は半導体レーザ素子を含む、光モジ
    ュール。
  20. 【請求項２０】 第１及び第２の電源端子を有するハウ
    ジングと、 前記ハウジング内に配置されたペルチェ素子と、 前記ペルチェ素子上に搭載された半導体発光素子と、 前記半導体発光素子に電気的に接続された駆動素子と、 前記半導体発光素子に光学的に結合された光導波路と、 前記光導波路に光学的に結合された回折格子とを備え、 前記半導体発光素子及び前記駆動素子と前記ペルチェ素
    子とは、前記第１の電源端子と前記第２の電源端子との
    間に直列に電気的に接続されており、 前記半導体発光素子は半導体光増幅素子を含む、光モジ
    ュール。
  21. 【請求項２１】 第１及び第２の電源端子を有するハウ
    ジングと、 前記ハウジング内に配置されたペルチェ素子と、 前記ペルチェ素子上に搭載された半導体発光素子と、 前記半導体発光素子に電気的に接続された駆動素子と、 前記半導体発光素子に光学的に結合された光導波路とを
    備え、 前記半導体発光素子は、発光素子部と、前記発光素子部
    と光学的に結合された変調素子部とを含み、 前記半導体発光素子の前記発光素子部及び前記駆動素子
    と前記ペルチェ素子とは、前記第１の電源端子と前記第
    ２の電源端子との間に直列に電気的に接続されている、
    光モジュール。
  22. 【請求項２２】 前記駆動素子は前記ペルチェ素子上に
    搭載されている、請求項１９〜２１のいずれかに記載の
    光モジュール。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008227401A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送信器

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7228020B2 (en) * 2004-08-31 2007-06-05 Finisar Corporation Optoelectronic arrangement having a surface-mountable semiconductor module and a cooling element
US20070009267A1 (en) * 2005-06-22 2007-01-11 Crews Darren S Driving a laser using an electrical link driver
US7290943B2 (en) * 2005-08-12 2007-11-06 Murry Stefan J Modular laser package system and associated methods
US7478955B2 (en) 2005-08-12 2009-01-20 Applied Optoelectronics, Inc. Modular laser package system
KR100859717B1 (ko) * 2007-05-07 2008-09-23 한국전자통신연구원 3 단자 ｍｉｔ 스위치, 그 스위치를 이용한 스위칭 시스템,및 그 스위치의 ｍｉｔ 제어방법
US10581279B2 (en) * 2017-05-25 2020-03-03 United Technologies Corporation Radio frequency and optical based power for remote component conditioning using thermoelectrics
CN107219593A (zh) * 2017-07-06 2017-09-29 成都光创联科技有限公司 多端口光电器件封装方法及基于该方法的多端口光电器件

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3407893B2 (ja) * 1991-05-27 2003-05-19 パイオニア株式会社 半導体レーザ制御装置
EP0618653B1 (en) * 1993-03-30 1997-07-16 Nec Corporation Frequency stabilization method of semiconductor laser and frequency-stabilized light source
JP3307346B2 (ja) 1998-11-27 2002-07-24 日本電気株式会社 波長制御回路
JP2002033538A (ja) * 2000-07-13 2002-01-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ励起固体レーザ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008227401A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送信器

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