JP2003332640A - ペルチェ素子モジュール - Google Patents
ペルチェ素子モジュールInfo
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- JP2003332640A JP2003332640A JP2002141900A JP2002141900A JP2003332640A JP 2003332640 A JP2003332640 A JP 2003332640A JP 2002141900 A JP2002141900 A JP 2002141900A JP 2002141900 A JP2002141900 A JP 2002141900A JP 2003332640 A JP2003332640 A JP 2003332640A
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- peltier
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度制御用ペルチェ素子を用いた光通信モジ
ュールを高密度化すると同時に温度制御精度を改善する
こと。 【解決手段】 駆動回路を、ペルチェ素子３の動作の制
御を行う駆動制御回路１と、ペルチェ素子３に必要な電
流を供給する電流出力回路２に分割し、駆動制御回路１
をペルチェ素子３の温度制御面に取り付け、ペルチェ素
子３と駆動制御回路１とを一体化してモジュールとす
る。
ュールを高密度化すると同時に温度制御精度を改善する
こと。 【解決手段】 駆動回路を、ペルチェ素子３の動作の制
御を行う駆動制御回路１と、ペルチェ素子３に必要な電
流を供給する電流出力回路２に分割し、駆動制御回路１
をペルチェ素子３の温度制御面に取り付け、ペルチェ素
子３と駆動制御回路１とを一体化してモジュールとす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度制御が必要に
なる光通信用レーザーダイオードの冷却等に用いるペル
チェ素子モジュールに関し、特にペルチェ素子の駆動回
路の最適配置に関するものである。
なる光通信用レーザーダイオードの冷却等に用いるペル
チェ素子モジュールに関し、特にペルチェ素子の駆動回
路の最適配置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６に従来のペルチェ素子モジュールの
配置を示す。ペルチェ素子７は冷却側基板５と放熱側基
板６とを持ち、図示していないが複数のＰ型及びＮ型の
熱電材料エレメントを挟み込んだ構造となっており、Ｐ
型エレメント、Ｎ型エレメントが交互に直列接続された
結線となっている。ペルチェ素子７の放熱側基板６は光
通信モジュールの箱型ケース４の底面にハンダ接合さ
れ、冷却側基板５にレーザーダイオード８が搭載され
る。レーザーダイオード８の近くにはサーミスタ２１が
実装され、レーザーダイオード８の温度をモニターす
る。サーミスタ２１が検出した温度情報は光通信モジュ
ールから外部に引き出され、光通信モジュールとは別に
設けた駆動モジュール２２に送られ、これを信号処理
し、レーザーダイオード８が所望の温度になるような駆
動電流をペルチェ素子７に供給する。
配置を示す。ペルチェ素子７は冷却側基板５と放熱側基
板６とを持ち、図示していないが複数のＰ型及びＮ型の
熱電材料エレメントを挟み込んだ構造となっており、Ｐ
型エレメント、Ｎ型エレメントが交互に直列接続された
結線となっている。ペルチェ素子７の放熱側基板６は光
通信モジュールの箱型ケース４の底面にハンダ接合さ
れ、冷却側基板５にレーザーダイオード８が搭載され
る。レーザーダイオード８の近くにはサーミスタ２１が
実装され、レーザーダイオード８の温度をモニターす
る。サーミスタ２１が検出した温度情報は光通信モジュ
ールから外部に引き出され、光通信モジュールとは別に
設けた駆動モジュール２２に送られ、これを信号処理
し、レーザーダイオード８が所望の温度になるような駆
動電流をペルチェ素子７に供給する。
【０００３】ケース４には図示されたペルチェ素子７、
レーザーダイオード８、サーミスタ２１が収納され、図
には示されていないが、更にレーザーダイオード８から
出力されるレーザー光を効率良く光ファイバーに結合す
るための光学部品等が収納され、最終的には窒素雰囲気
で蓋をして密閉される。
レーザーダイオード８、サーミスタ２１が収納され、図
には示されていないが、更にレーザーダイオード８から
出力されるレーザー光を効率良く光ファイバーに結合す
るための光学部品等が収納され、最終的には窒素雰囲気
で蓋をして密閉される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光通信の幹線系におい
ては、通信容量の増大に対応して波長多重による装置の
高密度化が進んでおり、多数の光通信モジュール及び光
通信モジュールの駆動回路がひとつのユニットに組み込
まれる傾向にある。このような高密度化を実現するに
は、光通信モジュールの小型化と同時に駆動回路の小型
化も同時に実現する必要がある。これには、従来のよう
に比較的大きな駆動回路を光通信モジュールとは別個に
設ける構成は不利である。
ては、通信容量の増大に対応して波長多重による装置の
高密度化が進んでおり、多数の光通信モジュール及び光
通信モジュールの駆動回路がひとつのユニットに組み込
まれる傾向にある。このような高密度化を実現するに
は、光通信モジュールの小型化と同時に駆動回路の小型
化も同時に実現する必要がある。これには、従来のよう
に比較的大きな駆動回路を光通信モジュールとは別個に
設ける構成は不利である。
【０００５】また、波長の有効活用の点から多重の波長
間隔が狭められているが、これに伴って光通信モジュー
ルの発光波長制御精度を高くする必要がある。従来方式
では、光通信モジュールと駆動回路とは全く独立に製造
された部品であるため、それらを最適な整合状態にする
には手間がかかり、困難であり、また、必要な性能を得
る為にはそれぞれの部品に過剰な品質が求められる事が
あり、コスト、製造能力の点でも問題を抱えていた。
間隔が狭められているが、これに伴って光通信モジュー
ルの発光波長制御精度を高くする必要がある。従来方式
では、光通信モジュールと駆動回路とは全く独立に製造
された部品であるため、それらを最適な整合状態にする
には手間がかかり、困難であり、また、必要な性能を得
る為にはそれぞれの部品に過剰な品質が求められる事が
あり、コスト、製造能力の点でも問題を抱えていた。
【０００６】また、光通信モジュールと駆動モジュール
は全く独立に製造され、装置組立工程で組み合わされる
ため、光通信モジュールと駆動モジュールを組み合わせ
る段階でそれぞれの特性バラツキを吸収する調整を行な
うか、それぞれの部品の性能を過剰に高めておく必要が
あり、コスト面での問題があった。
は全く独立に製造され、装置組立工程で組み合わされる
ため、光通信モジュールと駆動モジュールを組み合わせ
る段階でそれぞれの特性バラツキを吸収する調整を行な
うか、それぞれの部品の性能を過剰に高めておく必要が
あり、コスト面での問題があった。
【０００７】あるいは、光通信モジュール内に駆動ＩＣ
を組み込むことも考えられるが、この場合は、駆動ＩＣ
の発熱を考慮すると光通信モジュールのケースに直接取
り付けることになるが、駆動ＩＣがケース温度変動の影
響を受けるため高精度化にとって不利となる。高精度化
のためにペルチェ素子の温度制御面に駆動ＩＣを取り付
けるとペルチェ素子は駆動ＩＣの発熱分も吸熱する必要
があり、要求される冷却能力が増大し、大型のペルチェ
素子及び大型のケースを採用しなければならなくなる。
を組み込むことも考えられるが、この場合は、駆動ＩＣ
の発熱を考慮すると光通信モジュールのケースに直接取
り付けることになるが、駆動ＩＣがケース温度変動の影
響を受けるため高精度化にとって不利となる。高精度化
のためにペルチェ素子の温度制御面に駆動ＩＣを取り付
けるとペルチェ素子は駆動ＩＣの発熱分も吸熱する必要
があり、要求される冷却能力が増大し、大型のペルチェ
素子及び大型のケースを採用しなければならなくなる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、駆動回路
を、ペルチェ素子動作の制御を行う駆動制御回路と、ペ
ルチェ素子に必要な電流を供給する電流出力回路に分割
し、駆動制御回路をペルチェ素子の温度制御面に取り付
ける。これにより大幅な温度変化が発生しない環境で駆
動制御回路を動作させる事ができ、上記の課題を解決し
ている。
を、ペルチェ素子動作の制御を行う駆動制御回路と、ペ
ルチェ素子に必要な電流を供給する電流出力回路に分割
し、駆動制御回路をペルチェ素子の温度制御面に取り付
ける。これにより大幅な温度変化が発生しない環境で駆
動制御回路を動作させる事ができ、上記の課題を解決し
ている。
【０００９】また、レーザーダイオードの温度モニター
として駆動制御回路内に温度センサーを搭載する事がで
き、個別の温度センサを用いずに高精度の温度検出が可
能となり、更にペルチェ素子と駆動制御回路が組みにな
ってモジュール化されるため、光通信モジュールの段階
で制御特性の確認・調整が実施でき、装置組み立てでの
手間や無駄を省くことができる。
として駆動制御回路内に温度センサーを搭載する事がで
き、個別の温度センサを用いずに高精度の温度検出が可
能となり、更にペルチェ素子と駆動制御回路が組みにな
ってモジュール化されるため、光通信モジュールの段階
で制御特性の確認・調整が実施でき、装置組み立てでの
手間や無駄を省くことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の一つの形態では、ペルチ
ェ素子の冷却側基板にレーザーダイオードとペルチェ素
子の駆動制御回路を載せて、電流出力回路は別に設けて
いる。これにより駆動制御回路の温度が比較的安定であ
る為、精度の高い制御が可能となっている。
ェ素子の冷却側基板にレーザーダイオードとペルチェ素
子の駆動制御回路を載せて、電流出力回路は別に設けて
いる。これにより駆動制御回路の温度が比較的安定であ
る為、精度の高い制御が可能となっている。
【００１１】また、別の形態ではペルチェ素子の冷却側
基板に熱伝導板を接合し、この上にレーザーダイオード
と温度検出器を含む駆動制御回路を載せ、電流出力回路
は別に設けている。この形態ではレーザーダイオードの
温度を駆動制御回路に含まれる温度検出器により正確に
モニターし、この温度を安定に保つよう高精度の制御が
可能である。
基板に熱伝導板を接合し、この上にレーザーダイオード
と温度検出器を含む駆動制御回路を載せ、電流出力回路
は別に設けている。この形態ではレーザーダイオードの
温度を駆動制御回路に含まれる温度検出器により正確に
モニターし、この温度を安定に保つよう高精度の制御が
可能である。
【００１２】更に別の形態では放熱部材にペルチェ素子
と電流出力回路を実装し、ペルチェ素子の冷却側基板に
直接あるいは熱伝導板を介してレーザーダイオード及び
駆動制御回路を載せ、駆動制御回路と電流出力回路、電
流出力回路とペルチェ素子を結線して制御回路付きペル
チェ素子モジュールを構成している。この場合、一つの
モジュールの中にペルチェ駆動回路も組み込まれるた
め、トータルスペースの節約と使い勝手の点で有利とな
る。 （実施の形態１）本発明における実施の形態を図面を基
づいて説明する。
と電流出力回路を実装し、ペルチェ素子の冷却側基板に
直接あるいは熱伝導板を介してレーザーダイオード及び
駆動制御回路を載せ、駆動制御回路と電流出力回路、電
流出力回路とペルチェ素子を結線して制御回路付きペル
チェ素子モジュールを構成している。この場合、一つの
モジュールの中にペルチェ駆動回路も組み込まれるた
め、トータルスペースの節約と使い勝手の点で有利とな
る。 （実施の形態１）本発明における実施の形態を図面を基
づいて説明する。
【００１３】図１は、本発明の実施の形態１にかかわる
ペルチェ素子モジュールの回路構成を示すブロック図で
ある。駆動制御回路１はペルチェ素子３の制御情報を受
けて、例えばペルチェ素子３に取りつけられるレーザー
ダイオードの温度が一定になるような制御信号を電流出
力回路２に出力する。電流出力回路２はこの信号を受け
てペルチェ素子３に適切な電流を供給する。このように
制御回路は、扱う電流が小さく低消費電流である駆動制
御回路１と、比較的大電流を出力するため消費電流が大
きく、放熱が必要となる電流出力回路２とに分けられて
いる。
ペルチェ素子モジュールの回路構成を示すブロック図で
ある。駆動制御回路１はペルチェ素子３の制御情報を受
けて、例えばペルチェ素子３に取りつけられるレーザー
ダイオードの温度が一定になるような制御信号を電流出
力回路２に出力する。電流出力回路２はこの信号を受け
てペルチェ素子３に適切な電流を供給する。このように
制御回路は、扱う電流が小さく低消費電流である駆動制
御回路１と、比較的大電流を出力するため消費電流が大
きく、放熱が必要となる電流出力回路２とに分けられて
いる。
【００１４】図２に、本発明の実施の形態１にかかわる
ペルチェ素子モジュールの部品配置を示す。この図２は
ペルチェ素子７の駆動回路の配置を示すための図であ
り、駆動回路の配置の説明にとって重要でないものは省
略している。放熱性を考慮されたケース４にペルチェ素
子７が取り付けられている。ペルチェ素子７はケース４
に接合される放熱側基板６と温度制御される冷却側基板
５と、これらの基板に挟まれ、交互に直列結線された図
示していない複数のＰ型及びＮ型の熱電材料エレメント
から成っている。
ペルチェ素子モジュールの部品配置を示す。この図２は
ペルチェ素子７の駆動回路の配置を示すための図であ
り、駆動回路の配置の説明にとって重要でないものは省
略している。放熱性を考慮されたケース４にペルチェ素
子７が取り付けられている。ペルチェ素子７はケース４
に接合される放熱側基板６と温度制御される冷却側基板
５と、これらの基板に挟まれ、交互に直列結線された図
示していない複数のＰ型及びＮ型の熱電材料エレメント
から成っている。
【００１５】冷却側基板５の上にはレーザーダイオード
８が実装されており、ペルチェ素子７の動作を制御する
ための駆動制御回路ＩＣ９がレーザーダイオード８の横
に実装されている。レーザーダイオード８から出力され
るレーザー光はレンズを介して光ファイバーに入射され
ケース４の外に引き出されるが、これらの光学部品は図
２では省略している。また、駆動制御回路ＩＣ９及びペ
ルチェ素子７はケース４に設けられた端子を通じて外部
と電気的に接続されるが、これらも図２では省略してい
る。更に、最終的に光通信モジュールとして密閉するた
めの蓋も省略している。
８が実装されており、ペルチェ素子７の動作を制御する
ための駆動制御回路ＩＣ９がレーザーダイオード８の横
に実装されている。レーザーダイオード８から出力され
るレーザー光はレンズを介して光ファイバーに入射され
ケース４の外に引き出されるが、これらの光学部品は図
２では省略している。また、駆動制御回路ＩＣ９及びペ
ルチェ素子７はケース４に設けられた端子を通じて外部
と電気的に接続されるが、これらも図２では省略してい
る。更に、最終的に光通信モジュールとして密閉するた
めの蓋も省略している。
【００１６】ケース４の外には電流出力回路であるＦＥ
Ｔ１０が用意されている。ケース４及びＦＥＴ１０は放
熱部材に取り付けられて使用される。配線は省略してい
るが、ＦＥＴ１０のゲートには駆動制御回路ＩＣ９の出
力電圧が加えられ、ペルチェ素子７に接続されるＦＥＴ
１０のドレイン出力を制御し、必要な冷却能力が得られ
るようペルチェ素子７の動作をコントロールする。
Ｔ１０が用意されている。ケース４及びＦＥＴ１０は放
熱部材に取り付けられて使用される。配線は省略してい
るが、ＦＥＴ１０のゲートには駆動制御回路ＩＣ９の出
力電圧が加えられ、ペルチェ素子７に接続されるＦＥＴ
１０のドレイン出力を制御し、必要な冷却能力が得られ
るようペルチェ素子７の動作をコントロールする。
【００１７】駆動制御回路ＩＣ９は低消費電力化するこ
とができ、ペルチェ素子７の冷却側基板５に取りつけて
も、ペルチェ素子７の冷却動作にとっては負担とならな
い。この場合、冷却側基板５は温度が制御されており、
駆動制御回路ＩＣ９の内部に設けられた制御のための基
準回路の動作を安定に保つことができ、高精度の制御が
可能となる。 （実施の形態２）図３は、本発明の実施の形態２にかか
わるペルチェ素子モジュールの構成を示す断面図であ
る。図２と同一の部品には同じ番号が付番されている。
ペルチェ素子は放熱側基板１１と冷却側基板１２とそれ
らの基板の間に挟まれた熱電材料エレメント１３とから
なっている。実際には、熱電材料エレメント１３はＰ型
とＮ型に分けられ、Ｐ型とＮ型が電気的に交互に直列接
続されている。冷却側基板１２の上に熱伝導率の高い銅
系金属材料を用いた熱伝導板１４が接合され、この熱伝
導板１４の上にレーザーダイオード８と駆動制御回路Ｉ
Ｃ９が取り付けられている。
とができ、ペルチェ素子７の冷却側基板５に取りつけて
も、ペルチェ素子７の冷却動作にとっては負担とならな
い。この場合、冷却側基板５は温度が制御されており、
駆動制御回路ＩＣ９の内部に設けられた制御のための基
準回路の動作を安定に保つことができ、高精度の制御が
可能となる。 （実施の形態２）図３は、本発明の実施の形態２にかか
わるペルチェ素子モジュールの構成を示す断面図であ
る。図２と同一の部品には同じ番号が付番されている。
ペルチェ素子は放熱側基板１１と冷却側基板１２とそれ
らの基板の間に挟まれた熱電材料エレメント１３とから
なっている。実際には、熱電材料エレメント１３はＰ型
とＮ型に分けられ、Ｐ型とＮ型が電気的に交互に直列接
続されている。冷却側基板１２の上に熱伝導率の高い銅
系金属材料を用いた熱伝導板１４が接合され、この熱伝
導板１４の上にレーザーダイオード８と駆動制御回路Ｉ
Ｃ９が取り付けられている。
【００１８】このように、冷却側基板１２に比較して熱
伝導率の高い熱伝導板１４を用いることにより、レーザ
ーダイオード８を有効に冷却できると同時に、駆動制御
回路ＩＣ９の温度安定性も改善されることになる。 （実施の形態３）図４は本発明の実施の形態３にかかわ
るペルチェ素子モジュールの回路構成を示すブロック図
である。駆動制御回路１５の出力が電流出力回路２に接
続され、この出力がペルチェ素子３に供給され温度制御
が行なわれる点では、図１と同様な構成となっている。
しかし、図４では駆動制御回路１５は温度検出回路１６
と温度制御回路１７とから成っており、駆動制御回路１
５そのものが温度検出機能を持っている。
伝導率の高い熱伝導板１４を用いることにより、レーザ
ーダイオード８を有効に冷却できると同時に、駆動制御
回路ＩＣ９の温度安定性も改善されることになる。 （実施の形態３）図４は本発明の実施の形態３にかかわ
るペルチェ素子モジュールの回路構成を示すブロック図
である。駆動制御回路１５の出力が電流出力回路２に接
続され、この出力がペルチェ素子３に供給され温度制御
が行なわれる点では、図１と同様な構成となっている。
しかし、図４では駆動制御回路１５は温度検出回路１６
と温度制御回路１７とから成っており、駆動制御回路１
５そのものが温度検出機能を持っている。
【００１９】図５は、図４に示す回路構成を採用した実
施の形態３にかかわるペルチェ素子モジュールの構成を
説明するための部品配置図である。図２と同様に冷却側
基板５と放熱側基板６などから構成されるペルチェ素子
７の冷却側基板５にレーザーダイオード８が搭載されて
いる。冷却側基板５には更に温度検出機能を持った温度
制御ＩＣ１８が取り付けられている。温度制御ＩＣ１８
は電流出力能力が低い低消費電力のＩＣであり、ペルチ
ェ素子７の冷却能力にとって負担にならない設計となっ
ている。温度制御ＩＣ１８の出力は電流出力回路である
電力用ＦＥＴチップ２０に加えられ、ＦＥＴチップ２０
の出力がペルチェ素子７に供給されて温度制御する。発
熱のあるペルチェ素子７の放熱側基板６及びＦＥＴチッ
プ２０は放熱性能を考慮された箱型ケース１９の底面に
接合され、ここでは省略されているが、必要な光学部品
を含めてケース１９内に収納される構成となっている。
施の形態３にかかわるペルチェ素子モジュールの構成を
説明するための部品配置図である。図２と同様に冷却側
基板５と放熱側基板６などから構成されるペルチェ素子
７の冷却側基板５にレーザーダイオード８が搭載されて
いる。冷却側基板５には更に温度検出機能を持った温度
制御ＩＣ１８が取り付けられている。温度制御ＩＣ１８
は電流出力能力が低い低消費電力のＩＣであり、ペルチ
ェ素子７の冷却能力にとって負担にならない設計となっ
ている。温度制御ＩＣ１８の出力は電流出力回路である
電力用ＦＥＴチップ２０に加えられ、ＦＥＴチップ２０
の出力がペルチェ素子７に供給されて温度制御する。発
熱のあるペルチェ素子７の放熱側基板６及びＦＥＴチッ
プ２０は放熱性能を考慮された箱型ケース１９の底面に
接合され、ここでは省略されているが、必要な光学部品
を含めてケース１９内に収納される構成となっている。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような構成を採
用する事により、以下のような効果が得られる。
用する事により、以下のような効果が得られる。
【００２１】ペルチェ素子の冷却側基板にレーザーダイ
オードとペルチェ素子の駆動制御回路を載せて、電流出
力回路は別に設ける構成により駆動制御回路の温度を安
定化する事ができ、比較的簡単な回路構成でも精度の高
い動作が可能である。
オードとペルチェ素子の駆動制御回路を載せて、電流出
力回路は別に設ける構成により駆動制御回路の温度を安
定化する事ができ、比較的簡単な回路構成でも精度の高
い動作が可能である。
【００２２】また本発明では、放熱部材にペルチェ素子
と電流出力回路を実装し、ペルチェ素子の冷却側基板に
レーザーダイオード及び駆動制御回路を載せる構成によ
り、ペルチェ素子・温度検出素子・制御素子全てが光通
信モジュール内に実装され、これらの特性を最適化し、
モジュールを動作させる上で必要となるペルチェ素子に
関する調整をモジュール段階で完結できる。このため、
トータルのスペース効率の向上、システムとしての調整
工程を最適化し、使い勝手の良いペルチェ素子モジュー
ルを提供する事ができる。
と電流出力回路を実装し、ペルチェ素子の冷却側基板に
レーザーダイオード及び駆動制御回路を載せる構成によ
り、ペルチェ素子・温度検出素子・制御素子全てが光通
信モジュール内に実装され、これらの特性を最適化し、
モジュールを動作させる上で必要となるペルチェ素子に
関する調整をモジュール段階で完結できる。このため、
トータルのスペース効率の向上、システムとしての調整
工程を最適化し、使い勝手の良いペルチェ素子モジュー
ルを提供する事ができる。
【図１】本発明の実施の形態１にかかわるペルチェ素子
モジュールの回路構成を示すブロック図である。
モジュールの回路構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかわるペルチェ素子
モジュールの部品配置を示す図である。
モジュールの部品配置を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態２にかかわるペルチェ素子
モジュールの構成を示す断面図である。
モジュールの構成を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３にかかわるペルチェ素子
モジュールの回路構成を示すブロック図である。
モジュールの回路構成を示すブロック図である。
【図５】図４に示す回路構成を採用した実施の形態３に
かかわるペルチェ素子モジュールの構成を説明するため
の部品配置図である。
かかわるペルチェ素子モジュールの構成を説明するため
の部品配置図である。
【図６】従来のペルチェ素子モジュールを示す配置図で
ある。
ある。
１ 駆動制御回路
２ 電流出力回路
３ ペルチェ素子
４ ケース
５ 冷却側基板
６ 放熱側基板
７ ペルチェ素子
８ レーザーダイオード
９ 駆動制御回路ＩＣ
１０ ＦＥＴ
１１ 放熱側基板
１２ 冷却側基板
１３ 熱電材料エレメント
１４ 熱伝導板
１５ 駆動制御回路
１６ 温度検出回路
１７ 温度制御回路
１８ 温度制御ＩＣ
１９ ケース
２０ ＦＥＴチップ
２１ サーミスタ
２２ 駆動モジュール
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 35/32 Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｃ
Claims (2)
- 【請求項１】 ペルチェ素子とペルチェ素子の動作を制
御する駆動制御回路と、駆動制御回路から出される信号
に従って前記ペルチェ素子に必要な電流を供給する電流
出力回路とからなり、前記駆動制御回路を前記ペルチェ
素子の温度制御面に、直接あるいは熱伝導部材を介して
取り付けて一体のモジュールを構成し、前記電流出力回
路はこの一体モジュールとは別体としていることを特徴
とするペルチェ素子モジュール。 - 【請求項２】 請求項１記載のペルチェ素子モジュール
であって、ペルチェ素子の温度制御面とは反対面を放熱
板に接合すると共に、電流出力回路も前記放熱板に取り
付けられていることを特徴とするペルチェ素子モジュー
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002141900A JP2003332640A (ja) | 2002-05-16 | 2002-05-16 | ペルチェ素子モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002141900A JP2003332640A (ja) | 2002-05-16 | 2002-05-16 | ペルチェ素子モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003332640A true JP2003332640A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29702359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002141900A Pending JP2003332640A (ja) | 2002-05-16 | 2002-05-16 | ペルチェ素子モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003332640A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017525135A (ja) * | 2014-06-02 | 2017-08-31 | ハット テクノロジ アノニム シルケット | 冷却アレイを有している集積回路 |
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2002
- 2002-05-16 JP JP2002141900A patent/JP2003332640A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017525135A (ja) * | 2014-06-02 | 2017-08-31 | ハット テクノロジ アノニム シルケット | 冷却アレイを有している集積回路 |
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