JP2003282680A - Board lifer, clamp ring, and board processing device - Google Patents

Board lifer, clamp ring, and board processing device

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JP2003282680A
JP2003282680A JP2002078088A JP2002078088A JP2003282680A JP 2003282680 A JP2003282680 A JP 2003282680A JP 2002078088 A JP2002078088 A JP 2002078088A JP 2002078088 A JP2002078088 A JP 2002078088A JP 2003282680 A JP2003282680 A JP 2003282680A
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JP
Japan
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substrate
clamp ring
wafer
sheet
lifter
Prior art date
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JP2002078088A
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Japanese (ja)
Inventor
Keiji Takahashi
圭二 高橋
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a clamp ring and a board processing device using the same that can be used for a longer period of time. <P>SOLUTION: The clamp ring 10 is used to press down a wafer 8 and fix it onto a wafer holding body 1 in a sputtering film formation device, and it is provided with a first metal sheet 11 that is brought into contact with the wafer 8 when the wafer 8 is fixed, a second metal sheet 12 that is placed on the first metal sheet 11 and is smaller in width than the first metal sheet 11, and a sheet housing part 9a to house the first and the second metal sheets 11 and 12. The wafer is fixed on the wafer holding body while it is pressed down by means of the first metal sheet 11, and in this case, the first metal sheet 11 is bent in a dog leg shape at the end of the second metal sheet 12. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング成
膜装置などの基板処理装置、この基板処理装置内でウエ
ハを固定するために用いられるクランプリング及び基板
リフターに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus such as a sputtering film forming apparatus, a clamp ring used for fixing a wafer in the substrate processing apparatus, and a substrate lifter.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は、従来のスパッタリング成膜装置
内で用いられるクランプリングを示す断面図である。ス
パッタリング成膜装置はスパッタチャンバー(図示せ
ず)を備えている。このスパッタチャンバー内には、上
面にスパッタリングターゲット(図示せず)、下面にウ
エハ38を支持し且つ基板電極となるウエハ支持体31
及び基板を押さえるクランプリング30が配置されてい
る。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a sectional view showing a clamp ring used in a conventional sputtering film forming apparatus. The sputtering film forming apparatus includes a sputtering chamber (not shown). A wafer support 31 that supports a sputtering target (not shown) on the upper surface and a wafer 38 on the lower surface and serves as a substrate electrode is provided in the sputtering chamber.
Also, a clamp ring 30 for pressing the substrate is arranged.

【0003】クランプリング30は、ウエハ38をウエ
ハ支持体31の上に固定するものであって、接触部分3
2と段差部分34とを内周部分36に有している。接触
部分32は、クランプリング30の内周部分36の裏側
に、周方向に等間隔で複数箇所設けられており、ウエハ
38をスパッタリング装置内のヒータ、すなわちウエハ
支持体に押さえ付けるものである。段差部分34は、接
触部分32よりさらに内側に全周にわたって設けられた
ものである。
The clamp ring 30 is for fixing the wafer 38 onto the wafer support 31 and has a contact portion 3.
2 and the step portion 34 are provided in the inner peripheral portion 36. The contact portions 32 are provided on the back side of the inner peripheral portion 36 of the clamp ring 30 at a plurality of positions at equal intervals in the circumferential direction, and press the wafer 38 against the heater in the sputtering apparatus, that is, the wafer support. The step portion 34 is provided inside the contact portion 32 over the entire circumference.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記従来のスパッタリ
ング成膜装置では、スパッタされた粒子が段差部分34
とウエハ38との間に侵入し、その部分にスパッタされ
た粒子が堆積して埋め込まれることにより、ウエハ38
が段差部分34に貼り付いてしまうことがある。このよ
うにウエハが貼り付くと、クランプリング30からウエ
ハ38を取り外すことができなくなり、スパッタリング
成膜装置からウエハを回収することができなくなる。こ
の場合、スパッタチャンバーを大気開放してオペレータ
ーがウエハを取り出すことになる。この時、スパッタリ
ング成膜装置の再立ち上げに多くの時間(約6〜10時
間)を費やすことになり、装置稼働率の低下の原因とな
っていた。
In the conventional sputtering film forming apparatus described above, the sputtered particles have a step portion 34.
Between the wafer 38 and the wafer 38, and sputtered particles are deposited and embedded in that portion, so that the wafer 38
May stick to the step portion 34. If the wafer is stuck in this way, the wafer 38 cannot be removed from the clamp ring 30, and the wafer cannot be collected from the sputtering film forming apparatus. In this case, the sputter chamber is opened to the atmosphere and the operator takes out the wafer. At this time, a lot of time (about 6 to 10 hours) is spent to restart the sputtering film forming apparatus, which causes a decrease in the operation rate of the apparatus.

【0005】また、ウエハ38とクランプリング30の
段差部分34との間に所定のギャップ37(例えば0.
2mm)をとることができないと、特にウエハのクラン
プリングへの貼り付きが起こりやすい。このような所定
のギャップをとることができない原因は次の二つが考え
られる。一つは、最初に加工したときのクランプリング
の加工精度によるもの(即ち加工精度が低くて所定のギ
ャップをとることができないもの)である。他の一つ
は、クランプリングに貼り付いたウエハを取り外し、ク
ランプリングからスパッタ膜を除去する再生処理を行う
ことによりクランプリングの寸法が変化してしまい、そ
の結果、所定のギャップをとることができないものがあ
る。
Further, a predetermined gap 37 (for example, 0..0) is formed between the wafer 38 and the step portion 34 of the clamp ring 30.
If it cannot be set to 2 mm), the sticking of the wafer to the clamp ring is particularly likely to occur. There are two possible reasons why such a predetermined gap cannot be established. One is due to the processing accuracy of the clamp ring when first processed (that is, the processing accuracy is low and a predetermined gap cannot be formed). The other is that the size of the clamp ring is changed by removing the wafer attached to the clamp ring and performing a regenerating process to remove the sputtered film from the clamp ring, and as a result, a predetermined gap can be taken. There are things you can't do.

【0006】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、基板の位置決め精度を向
上させた基板リフター及びそれを用いた基板処理装置を
提供することにある。また、本発明の他の目的は、より
長期間の使用を可能としたクランプリング及びそれを用
いた基板処理装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a substrate lifter with improved substrate positioning accuracy and a substrate processing apparatus using the same. Another object of the present invention is to provide a clamp ring that can be used for a longer period and a substrate processing apparatus using the clamp ring.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る基板リフターは、基板処理装置内で基
板を位置決めする基板リフターにおいて、基板を載置す
る基板載置面と、この基板載置面に繋がるテーパー面
と、を具備し、上記テーパー面は、基板を基板載置面に
載置する際に基板をガイドするものであることを特徴と
する。
In order to solve the above-mentioned problems, a substrate lifter according to the present invention is a substrate lifter for positioning a substrate in a substrate processing apparatus, and a substrate mounting surface on which the substrate is mounted and the substrate mounting surface. A tapered surface connected to the mounting surface, wherein the tapered surface guides the substrate when the substrate is mounted on the substrate mounting surface.

【0008】上記基板リフターによれば、テーパー面を
有しているため、このテーパー面が基板を基板載置面に
落とし込む際のガイドとなる。テーパー面により基板が
基板載置面に落とし込まれ、この際に正確に位置決めさ
れて基板載置面上に基板を載置することができる。
Since the substrate lifter has a tapered surface, this tapered surface serves as a guide when the substrate is dropped onto the substrate mounting surface. The tapered surface causes the substrate to be dropped onto the substrate mounting surface, and at this time, the substrate can be accurately positioned and the substrate can be mounted on the substrate mounting surface.

【0009】また、本発明に係る基板リフターにおいて
は、上記テーパー面の外側に配置された嵌め合わせ用テ
ーパー面をさらに含み、この嵌め合わせ用テーパー面
は、基板の位置決めの時、この面を受け止める部材に形
成されたテーパー面とほぼ同じ傾斜を有する面であるこ
とが好ましい。
Further, the substrate lifter according to the present invention further includes a fitting tapered surface arranged outside the tapered surface, and the fitting tapered surface receives the surface when positioning the substrate. It is preferable that the surface has the same inclination as the tapered surface formed on the member.

【0010】また、本発明に係る基板リフターにおいて
は、上記基板が半導体ウエハであり、上記基板処理装置
がスパッタリング成膜装置であることも可能である。
Further, in the substrate lifter according to the present invention, the substrate may be a semiconductor wafer and the substrate processing apparatus may be a sputtering film forming apparatus.

【0011】本発明に係るクランプリングは、基板処理
装置内で基板保持体に基板を押さえ付けることによって
固定するクランプリングにおいて、基板を固定する際に
基板に接触する第1シートと、第1シートの上に配置さ
れた、第1シートより幅の狭い第2シートと、第1シー
ト及び第2シートを収容するシート収容部と、を具備
し、第1シートを介して基板保持体に基板を押さえ付け
て固定するものであり、その際、第2シートの端部で第
1シートがくの字型に曲げられながら固定することを特
徴とする。
A clamp ring according to the present invention is a clamp ring for fixing a substrate by pressing it onto a substrate holder in a substrate processing apparatus, and a first sheet that comes into contact with the substrate when fixing the substrate, and a first sheet. A second sheet having a width narrower than that of the first sheet and a sheet accommodating portion for accommodating the first sheet and the second sheet, which is disposed on the upper surface of the first sheet. The first sheet is pressed and fixed, and at that time, the first sheet is fixed while being bent in a dogleg shape at the end portion of the second sheet.

【0012】上記クランプリングによれば、シート収納
部に第1シート及び第2シートを収納し、第1シートを
介して基板保持体に基板を押さえ付けるようにしている
ため、所定の枚数の基板に基板処理を行った後にシート
を交換することができる。したがって、より長期間のク
ランプリングの使用が可能となる。
According to the above clamp ring, the first sheet and the second sheet are accommodated in the sheet accommodating portion, and the substrates are pressed against the substrate holder via the first sheet. Sheets can be replaced after substrate processing. Therefore, the clamp ring can be used for a longer period of time.

【0013】また、本発明に係るクランプリングにおい
ては、上記第1シート及び第2シートそれぞれはメタル
シートであることが好ましい。
Further, in the clamp ring according to the present invention, it is preferable that each of the first sheet and the second sheet is a metal sheet.

【0014】本発明に係るクランプリングは、基板処理
装置内で基板保持体に基板を押さえ付けることによって
固定するクランプリングにおいて、基板を押さえ付ける
クランプ面を有し、このクランプ面が曲面であることを
特徴とする。
The clamp ring according to the present invention has a clamp surface for pressing the substrate in the clamp ring for fixing the substrate by pressing it on the substrate holder in the substrate processing apparatus, and the clamp surface is a curved surface. Is characterized by.

【0015】上記クランプリングによれば、クランプ面
が曲面であるため、基板を処理する際、クランプ面と基
板との接触部まで処理用の粒子が回り込むことがない。
これにより、クランプリングの使用回数を飛躍的に増加
させることができる。
According to the above clamp ring, since the clamp surface is a curved surface, the particles for processing do not wrap around to the contact portion between the clamp surface and the substrate when processing the substrate.
As a result, the number of times the clamp ring is used can be dramatically increased.

【0016】また、本発明に係るクランプリングにおい
ては、上記曲面が基板の端面の曲率と異なる曲率を有す
るものであることが好ましい。
In the clamp ring according to the present invention, it is preferable that the curved surface has a curvature different from that of the end surface of the substrate.

【0017】また、本発明に係るクランプリングにおい
ては、上記基板が半導体ウエハであり、上記基板処理装
置がスパッタリング成膜装置であることも可能である。
In the clamp ring according to the present invention, the substrate may be a semiconductor wafer and the substrate processing apparatus may be a sputtering film forming apparatus.

【0018】本発明に係る基板処理装置は、基板を処理
するチャンバーと、このチャンバー内に配置され、基板
を位置決めする基板リフターと、チャンバー内に配置さ
れ、基板を保持する基板保持体と、この基板保持体に基
板を押さえ付けて固定するクランプリングと、を具備
し、上記基板リフターが請求項1に記載の基板リフター
であることを特徴とする。
The substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber for processing a substrate, a substrate lifter arranged in the chamber for positioning the substrate, a substrate holder arranged in the chamber for holding the substrate, and And a clamp ring for pressing and fixing the substrate on the substrate holder, wherein the substrate lifter is the substrate lifter according to claim 1.

【0019】また、本発明に係る基板処理装置において
は、上記クランプリングが請求項4又は6に記載のクラ
ンプリングであることも可能である。
Further, in the substrate processing apparatus according to the present invention, the clamp ring may be the clamp ring according to claim 4 or 6.

【0020】本発明に係る基板処理装置は、基板を処理
するチャンバーと、このチャンバー内に配置され、基板
を位置決めする基板リフターと、チャンバー内に配置さ
れ、基板を保持する基板保持体と、この基板保持体に基
板を押さえ付けて固定するクランプリングと、を具備
し、上記クランプリングが請求項4又は6に記載のクラ
ンプリングであることを特徴とする。
A substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber for processing a substrate, a substrate lifter arranged in the chamber for positioning the substrate, a substrate holder arranged in the chamber for holding the substrate, and A clamp ring for pressing and fixing the substrate to the substrate holder, the clamp ring being the clamp ring according to claim 4 or 6.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図1〜図3は、本発明に係
る第1の実施の形態によるスパッタリング成膜装置のス
パッタチャンバー内にウエハを固定する手順を説明する
断面図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 3 are cross-sectional views illustrating a procedure of fixing a wafer in a sputtering chamber of a sputtering film forming apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【0022】スパッタリング成膜装置はスパッタチャン
バー(図示せず)を備えている。このスパッタチャンバ
ー内には、図1に示すように、上面にスパッタリングタ
ーゲット(図示せず)、下面にウエハ8を支持し且つ基
板電極となるウエハ支持体1及び基板を押さえるクラン
プリング10が配置されている。また、スパッタチャン
バー内には、ウエハハンドラロボット(図示せず)によ
ってスパッタチャンバーに搬送されたウエハ8を載置す
る基板リフター3が配置されている。基板リフター3及
びウエハ支持体1それぞれは、駆動機構(図示せず)に
より上下に移動可能に構成されている。基板リフター3
はウエハの位置決めを行うものである。
The sputtering film forming apparatus has a sputtering chamber (not shown). In this sputtering chamber, as shown in FIG. 1, a sputtering target (not shown) is arranged on the upper surface, a wafer support 1 that supports the wafer 8 and serves as a substrate electrode, and a clamp ring 10 that holds the substrate are arranged on the lower surface. ing. In addition, a substrate lifter 3 on which a wafer 8 transferred to a sputtering chamber by a wafer handler robot (not shown) is placed is disposed in the sputtering chamber. Each of the substrate lifter 3 and the wafer support 1 is configured to be vertically movable by a drive mechanism (not shown). Board lifter 3
Is for positioning the wafer.

【0023】ウエハ8をスパッタチャンバー内に設置す
る場合、まず、ウエハハンドラロボットによってウエハ
8をスパッタチャンバーに搬送し、基板リフター3にウ
エハ8を載置する。基板リフター3は、ウエハ載置面3
aを備えており、このウエハ載置面3a上にウエハ8を
載置するように構成されている。また、基板リフター3
には、ウエハ載置面3aに繋がるテーパー面3bが形成
されている。このテーパー面3bは、ウエハ8をウエハ
載置面3aに落とし込む際のガイドとなる。テーパー面
3bによりウエハ8がウエハ載置面3aに落とし込ま
れ、この際に正確に位置決めされてウエハ載置面3a上
にウエハ8が載置される。また、基板リフター3は、載
置するウエハ8のサイズに応じてウエハ載置面3aの径
を調整できるようになっている。
When the wafer 8 is set in the sputtering chamber, first, the wafer 8 is transferred to the sputtering chamber by the wafer handler robot and placed on the substrate lifter 3. The substrate lifter 3 is mounted on the wafer mounting surface 3
a, and is configured to mount the wafer 8 on the wafer mounting surface 3a. Also, the board lifter 3
A tapered surface 3b connected to the wafer mounting surface 3a is formed on the. The tapered surface 3b serves as a guide when the wafer 8 is dropped onto the wafer mounting surface 3a. The wafer 8 is dropped onto the wafer mounting surface 3a by the tapered surface 3b, and at this time, the wafer 8 is mounted on the wafer mounting surface 3a with accurate positioning. Further, the substrate lifter 3 can adjust the diameter of the wafer mounting surface 3a according to the size of the wafer 8 to be mounted.

【0024】従来の基板リフターでは、ウエハ載置面に
ウエハを落とし込むものとなっているが、テーパー面を
有しておらず、ある程度余裕(ガタ)を持ち、ウエハ載
置面上でウエハが前後左右にプラスマイナス1mm程度
動くような余裕があり、さらにある程度回転できるよう
になっている。このため、基板リフターでウエハを上方
に移動させる際、金属上にウエハが乗っている状態なの
でウエハが動いてしまう。従って、ウエハをクランプリ
ングで押さえ付ける際、ウエハが位置ズレを起こすこと
があった。これに対して、本実施の形態では、前述した
ようにウエハ載置面上で正確な位置にウエハを固定する
ことができ、ウエハの位置ずれによる成膜面のずれを防
止できる。従って、成膜不良の発生を低減でき、生産性
の向上を図ることができる。
In the conventional substrate lifter, the wafer is dropped on the wafer mounting surface, but it does not have a taper surface and has a certain amount of looseness (backlash) so that the wafer can be moved back and forth on the wafer mounting surface. There is a margin to move about ± 1mm to the left and right, and it can rotate to some extent. Therefore, when the wafer is moved upward by the substrate lifter, the wafer moves because the wafer is on the metal. Therefore, when the wafer is pressed by the clamp ring, the wafer may be displaced. On the other hand, in the present embodiment, as described above, the wafer can be fixed at an accurate position on the wafer mounting surface, and the deviation of the film formation surface due to the positional deviation of the wafer can be prevented. Therefore, it is possible to reduce the occurrence of film formation defects and improve productivity.

【0025】次に、図2に示すように、基板リフター3
を駆動機構により上方に移動させ、基板リフター3をク
ランプリング10に合体させる。クランプリング10に
は、下方から上昇してくる基板リフター3を受け止める
凹部が設けられている。この凹部は、水平面10aとそ
れに繋がっているテーパー面10bにより形成されてい
る。テーパー面10は基板リフター3の外側に配置され
ている。また、基板リフター3には、クランプリング1
0の凹部に嵌め合わされる凸部が設けられている。この
凸部は、水平面3cとそれに繋がっているテーパー面3
dにより形成されている。したがって、基板リフター3
の凸部のテーパー面3dがクランプリング10の凹部の
テーパー10bにガイドされながら、基板リフター3の
凸部の水平面3cとクランプリング10の凹部の水平面
10aを接触させて、この凹部と凸部を嵌め合わせる。
このように凹部のテーパー面10bと凸部のテーパー面
3dによってガイドすることにより、クランプリング1
0と基板リフター3の相対的な位置決めを正確に行うこ
とができ、その結果、基板リフター3に載置されたウエ
ハ8とクランプリング10の相対的な位置決めも正確に
行うことができる。
Next, as shown in FIG. 2, the substrate lifter 3
Is moved upward by a drive mechanism to combine the substrate lifter 3 with the clamp ring 10. The clamp ring 10 is provided with a recess for receiving the substrate lifter 3 rising from below. This concave portion is formed by a horizontal surface 10a and a tapered surface 10b connected to it. The tapered surface 10 is arranged outside the substrate lifter 3. In addition, the clamp ring 1 is attached to the substrate lifter 3.
A convex portion that fits into the zero concave portion is provided. This convex portion has a horizontal surface 3c and a tapered surface 3 connected to it.
It is formed by d. Therefore, the substrate lifter 3
While the tapered surface 3d of the convex portion of is guided by the tapered taper 10b of the concave portion of the clamp ring 10, the horizontal surface 3c of the convex portion of the substrate lifter 3 and the horizontal surface 10a of the concave portion of the clamp ring 10 are brought into contact with each other, and the concave portion and the convex portion are Fit together.
In this manner, the clamp ring 1 is guided by the tapered surface 10b of the concave portion and the tapered surface 3d of the convex portion.
0 and the substrate lifter 3 can be accurately positioned relative to each other, and as a result, the wafer 8 mounted on the substrate lifter 3 and the clamp ring 10 can also be accurately positioned relative to each other.

【0026】上述したようにクランプリングの凹部と基
板リフターの凸部を嵌め合わせる際、テーパー面10
b,3d同士が擦れてたとえ粉塵が発生したとしても、
基板リフター3のウエハ載置面3aの外側にテーパー面
3dを配置しているため、ウエハ8上に粉塵が載ること
はない。つまり、クランプリング位置決めの際に、ウエ
ハ上にパーティクルが発生しにくい構造となっている。
As described above, when the concave portion of the clamp ring and the convex portion of the substrate lifter are fitted together, the tapered surface 10
Even if b and 3d rub against each other and dust is generated,
Since the tapered surface 3d is arranged on the outer side of the wafer mounting surface 3a of the substrate lifter 3, dust is not deposited on the wafer 8. That is, the structure is such that particles are less likely to be generated on the wafer when the clamp ring is positioned.

【0027】次に、図3に示すように、ウエハ支持体1
を駆動機構により上方に移動させる。これによって、ウ
エハ8をウエハ支持体1に載置させながらウエハ8を上
方に移動させる。そして、ウエハ8のエッジ(外周)と
クランプリング10に取り付けられた第1メタルシート
11が接触する。クランプリング10は、ウエハ8をウ
エハ支持体1の上に固定するものである。クランプリン
グ10にはウエハを固定する際に押さえ付ける押さえ部
9が設けられており、押さえ部9はウエハの全周にわた
って設けられている。この押さえ部9の下にはシート収
納部9aが設けられており、このシーと収容部9aはウ
エハの周方向に等間隔で複数箇所設けられている。この
シート収納部9aには第1メタルシート11及び第2メ
タルシート12が挿入されている。シート収納部9aに
おいて、第1メタルシート11の上に第2メタルシート
12が重ねて配置されている。第1メタルシート11の
幅は第2メタルシート12の幅より狭く形成されてい
る。このため、ウエハ支持体1を上方に移動させ、第1
メタルシート11をウエハ8のエッジで上方に押すこと
により、図3に示すように、第1メタルシート11は第
2メタルシート12の内側を支点としてくの字型に曲げ
られながらクランプリングの押さえ部9によってウエハ
8がウエハ支持体1に押さえ付けられる。
Next, as shown in FIG. 3, the wafer support 1
Is moved upward by the drive mechanism. As a result, the wafer 8 is moved upward while the wafer 8 is placed on the wafer support 1. Then, the edge (outer periphery) of the wafer 8 comes into contact with the first metal sheet 11 attached to the clamp ring 10. The clamp ring 10 fixes the wafer 8 on the wafer support 1. The clamp ring 10 is provided with a pressing portion 9 that presses when fixing the wafer, and the pressing portion 9 is provided over the entire circumference of the wafer. A sheet storage portion 9a is provided below the pressing portion 9, and the sheets and the storage portions 9a are provided at a plurality of positions at equal intervals in the circumferential direction of the wafer. A first metal sheet 11 and a second metal sheet 12 are inserted in the sheet storage portion 9a. In the sheet storage portion 9a, the second metal sheet 12 is arranged so as to overlap the first metal sheet 11. The width of the first metal sheet 11 is formed narrower than the width of the second metal sheet 12. Therefore, the wafer support 1 is moved upward and
By pushing the metal sheet 11 upward with the edge of the wafer 8, the first metal sheet 11 is bent in a dogleg shape with the inner side of the second metal sheet 12 as a fulcrum, as shown in FIG. The wafer 8 is pressed against the wafer support 1 by the portion 9.

【0028】ウエハ支持体1の上面でウエハ8を固定す
るクランプリング10のシート収納部9aに第1メタル
シート11及び第2メタルシート12を挿入しているの
で、図3に示すようにウエハ8をウエハ支持体1に固定
した際、ウエハ8とクランプリングの押さえ部9との間
の所定のギャップを正確に確保することができる。ま
た、クランプリング10の自重により始め平らであった
第1メタルシート11がくの字型に変形し、ウエハ8の
側面エッジの円周線上でのみ第1メタルシート11が接
触する。これにより、ウエハ8との接触部分を最小限に
することが可能となる。また、第2メタルシート12の
内外周の大きさ(即ち幅)を変えることにより、第1メ
タルシート11のくの字型に変形する支点を変えること
ができるので、第1メタルシート11の最適な変形量を
適切な値に調整することが可能である。
Since the first metal sheet 11 and the second metal sheet 12 are inserted into the sheet accommodating portion 9a of the clamp ring 10 for fixing the wafer 8 on the upper surface of the wafer support 1, the wafer 8 as shown in FIG. When is fixed to the wafer support 1, a predetermined gap between the wafer 8 and the holding portion 9 of the clamp ring can be accurately ensured. Further, the first metal sheet 11 which is initially flat is deformed into a dogleg shape due to the weight of the clamp ring 10, and the first metal sheet 11 contacts only on the circumferential line of the side edge of the wafer 8. This makes it possible to minimize the contact area with the wafer 8. Also, by changing the size (ie, width) of the inner and outer peripheries of the second metal sheet 12, the fulcrum of the first metal sheet 11 that is deformed into a dogleg shape can be changed. It is possible to adjust the appropriate deformation amount to an appropriate value.

【0029】次に、ウエハ8上にスパッタ膜を成膜した
後、ウエハ支持体1を駆動機構により下方に移動させる
ことにより、クランプリング10をウエハ8から引き離
す。この際、第1メタルシート11は始めの平らな形状
に戻ろうとするバネ力を発揮する。これにより、ウエハ
8をクランプリングの押さえ部9から確実に引き離すこ
とができる。このように第1メタルシート11のバネ力
を利用しているため、従来のスパッタリング成膜装置の
ようなウエハのクランプリングへの貼り付きを防止する
ことができる。従って、スパッタリング成膜装置からウ
エハを容易に回収することができるので、従来のように
スパッタリング成膜装置の再立ち上げに多くの時間を費
やす必要がなくなり、装置稼働率の低下を抑制できる。
また、第1メタルシート11は始め平らであるが故に、
ウエハが第1メタルシート11から離れる際、ウエハの
成膜面を擦るような事がない。
Next, after forming a sputtered film on the wafer 8, the clamp ring 10 is separated from the wafer 8 by moving the wafer support 1 downward by a driving mechanism. At this time, the first metal sheet 11 exerts a spring force to return to the initial flat shape. As a result, the wafer 8 can be reliably separated from the clamp ring pressing portion 9. Since the spring force of the first metal sheet 11 is used in this way, it is possible to prevent the wafer from sticking to the clamp ring as in the conventional sputtering film forming apparatus. Therefore, since the wafer can be easily recovered from the sputtering film forming apparatus, it is not necessary to spend a lot of time to restart the sputtering film forming apparatus as in the conventional case, and it is possible to suppress a decrease in the operation rate of the apparatus.
Moreover, since the first metal sheet 11 is initially flat,
When the wafer separates from the first metal sheet 11, the film forming surface of the wafer is not rubbed.

【0030】また、従来のスパッタリング成膜装置で
は、クランプリングの加工精度及びメンテナンス頻度に
より、クランプリングとウエハとの間のギャップを安定
させることができなかった。これに対して、本実施の形
態では、クランプリングのシート収納部9aに第1メタ
ルシート11及び第2メタルシート12を挿入している
ので、所定の枚数のウエハにスパッタ膜を成膜処理した
後にメタルシート11,12を交換することができ、そ
れによりクランプリングとウエハとの間のギャップを安
定させることができる。これにより、ウエハのクランプ
リングへの貼り付きを防止することができる。
Further, in the conventional sputtering film forming apparatus, the gap between the clamp ring and the wafer could not be stabilized due to the processing accuracy and maintenance frequency of the clamp ring. On the other hand, in the present embodiment, since the first metal sheet 11 and the second metal sheet 12 are inserted in the sheet storage portion 9a of the clamp ring, the sputtered film is formed on a predetermined number of wafers. The metal sheets 11, 12 can later be replaced, which makes it possible to stabilize the gap between the clamp ring and the wafer. This can prevent the wafer from sticking to the clamp ring.

【0031】また、従来のスパッタリング成膜装置で
は、クランプリングの再生処理を行うと、クランプリン
グのギャップ形成部分がエッチングにより変形してしま
い、およそ20回程度再生処理を行うとそのクランプリ
ングは使用できなくなっていた。これに対して、本実施
の形態では、メタルシート11,12を用いているた
め、クランプリングの使用回数を飛躍的に増加させるこ
とができ、それによりコスト削減に貢献することが期待
できる。メタルシートの価格は1枚千円前後であり、ク
ランプリングの価格は数十万円程度であるので、クラン
プリングの使用期間を長くすることでコスト削減効果は
大きいと考えられる。
In the conventional sputtering film forming apparatus, when the clamp ring is regenerated, the gap forming portion of the clamp ring is deformed by etching, and when the regeneration process is performed about 20 times, the clamp ring is used. I couldn't do it. On the other hand, in the present embodiment, since the metal sheets 11 and 12 are used, the number of times the clamp ring is used can be dramatically increased, which can be expected to contribute to cost reduction. The price of the metal sheet is around 1,000 yen per sheet, and the price of the clamp ring is about several hundred thousand yen. Therefore, it is considered that the cost reduction effect is great by prolonging the usage period of the clamp ring.

【0032】図4は、本発明に係る第2の実施の形態に
よるクランプリングを説明する構成断面図であり、図1
〜図3と同一部分には同一符号を付し、異なる部分につ
いてのみ説明する。
FIG. 4 is a sectional view showing the construction of a clamp ring according to a second embodiment of the present invention.
The same parts as those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals, and only different parts will be described.

【0033】従来のクランプリングの問題点であったウ
エハのクランプリングへの貼り付きを回避すべく、ウエ
ハ8の端面(側面)が曲面であることに着目し、クラン
プリング10のクランプ面21をウエハ8の端面と異な
る曲率を持つ曲面とする構造とした。このため、クラン
プ面21とウエハ8の端面は互いに曲率が異なるので、
クランプリングでウエハ8を押さえ付ける際、両者は線
で接触する。つまり、曲率Rの異なる曲面と曲面は点で
接触し、断面がRである場合、両者は線で接触するから
である。
In order to avoid the sticking of the wafer to the clamp ring, which is a problem of the conventional clamp ring, paying attention to the fact that the end surface (side surface) of the wafer 8 is a curved surface, the clamp surface 21 of the clamp ring 10 is The curved surface has a different curvature from the end surface of the wafer 8. Therefore, since the clamp surface 21 and the end surface of the wafer 8 have different curvatures,
When the wafer 8 is pressed by the clamp ring, the two come into contact with each other with a line. That is, curved surfaces having different curvatures R are in contact with each other at points, and when the cross section is R, both are in contact with each other at a line.

【0034】また、クランプ面21とウエハ8の接触部
22は、図4に示すようにウエハの側面の上方に位置
し、クランプ面21が曲面であるため、ウエハ8にスパ
ッタリングによる成膜を行う際、スパッタ粒子23が接
触部22まで回り込むことがない。従って、ウエハのク
ランプリングへの貼り付きを防止することができる。
Further, the contact portion 22 between the clamp surface 21 and the wafer 8 is located above the side surface of the wafer as shown in FIG. 4, and since the clamp surface 21 is a curved surface, a film is formed on the wafer 8 by sputtering. At this time, the sputtered particles 23 do not go around to the contact portion 22. Therefore, it is possible to prevent the wafer from sticking to the clamp ring.

【0035】また、クランプリング10に洗浄などの再
生処理を施しても、従来のクランプリングのようにクラ
ンプ面にエッジを持たない構造であるため、従来のクラ
ンプリングより大変多くの再生処理を施してもクランプ
リング10の使用が可能であることが期待される。
Further, even if the clamp ring 10 is subjected to a regenerating treatment such as washing, since it has a structure in which the clamp surface does not have an edge unlike the conventional clamp ring, much more regenerating treatment than the conventional clamp ring is performed. However, it is expected that the clamp ring 10 can be used.

【0036】上記第2の実施の形態においても第1の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
Also in the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

【0037】すなわち、従来のスパッタリング成膜装置
のようなウエハのクランプリングへの貼り付きを防止す
ることができる。従って、スパッタリング成膜装置から
ウエハを容易に回収することができるので、従来のよう
にスパッタリング成膜装置の再立ち上げに多くの時間を
費やす必要がなくなり、装置稼働率の低下を抑制でき
る。また、クランプリング10の使用回数を飛躍的に増
加させることができ、それによりコスト削減に貢献する
ことが期待できる。
That is, it is possible to prevent the wafer from sticking to the clamp ring as in the conventional sputtering film forming apparatus. Therefore, since the wafer can be easily recovered from the sputtering film forming apparatus, it is not necessary to spend a lot of time to restart the sputtering film forming apparatus as in the conventional case, and it is possible to suppress a decrease in the operation rate of the apparatus. In addition, the number of times the clamp ring 10 is used can be dramatically increased, which can be expected to contribute to cost reduction.

【0038】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
第1の実施の形態における基板リフターのテーパー面3
dのテーパー角度、クランプリングのテーパー面10b
のテーパー角度、クランプリングの押さえ部9の数など
は、種々適切な角度などに変更して実施することが可能
である。また、メタルシート11,12は、バネ力を有
する材質であればメタルに限らず他の材質でシートを形
成することも可能である。また、第2の実施の形態にお
けるクランプ面の曲率は、種々適切な曲率に変更して実
施することが可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be implemented with various modifications. For example,
Tapered surface 3 of substrate lifter in the first embodiment
Taper angle of d, taper surface 10b of clamp ring
The taper angle, the number of the holding portions 9 of the clamp ring, etc. can be changed to various appropriate angles. Further, the metal sheets 11 and 12 are not limited to metal as long as they have a spring force, and other sheets can be used. Further, the curvature of the clamp surface in the second embodiment can be changed to various appropriate curvatures.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板の位置決め精度を向上させた基板リフター及びそれを
用いた基板処理装置を提供することができる。また、他
の本発明によれば、より長期間の使用を可能としたクラ
ンプリング及びそれを用いた基板処理装置を提供するこ
とができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a substrate lifter with improved substrate positioning accuracy and a substrate processing apparatus using the same. Further, according to another aspect of the present invention, it is possible to provide a clamp ring that can be used for a longer period and a substrate processing apparatus using the clamp ring.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る第1の実施の形態によるスパッタ
リング成膜装置のスパッタチャンバー内にウエハを固定
する手順を説明する断面図である。
FIG. 1 is a sectional view illustrating a procedure for fixing a wafer in a sputtering chamber of a sputtering film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明に係る第1の実施の形態によるスパッタ
リング成膜装置のスパッタチャンバー内にウエハを固定
する手順を説明するものであり、図1の次の手順を示す
断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a procedure of fixing a wafer in a sputtering chamber of a sputtering film forming apparatus according to the first embodiment of the present invention, and showing the next procedure of FIG.

【図3】本発明に係る第1の実施の形態によるスパッタ
リング成膜装置のスパッタチャンバー内にウエハを固定
する手順を説明するものであり、図2の次の手順を示す
断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a procedure of fixing a wafer in a sputtering chamber of a sputtering film forming apparatus according to the first embodiment of the present invention, and showing the next procedure of FIG. 2.

【図4】本発明に係る第2の実施の形態によるクランプ
リングを説明する構成断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a structure for explaining a clamp ring according to a second embodiment of the present invention.

【図5】従来のスパッタリング成膜装置内で用いられる
クランプリングを示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing a clamp ring used in a conventional sputtering film forming apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,31…ウエハ支持体 3…基板リフター 3a…ウエハ載置面 3b…テーパー面 3c…凸部の水平面 3d…凸部のテー
パー面 8…ウエハ 9…押さえ部 10…クランプリング 10a…凹部の水
平面 10b…凹部のテーパー面 21…クランプ面 22…接触部 23…スパッタ粒
子 30…クランプリング 31…ウエハ支持
体 32…接触部 34…段差部分 36…内周部分 37…ギャップ 38…ウエハ
1, 31 ... Wafer support 3 ... Substrate lifter 3a ... Wafer mounting surface 3b ... Tapered surface 3c ... Horizontal surface of convex portion 3d ... Tapered surface of convex portion 8 ... Wafer 9 ... Holding portion 10 ... Clamp ring 10a ... Horizontal surface of concave portion Reference numeral 10b ... Tapered surface of concave portion 21 ... Clamping surface 22 ... Contact portion 23 ... Sputtered particle 30 ... Clamp ring 31 ... Wafer support 32 ... Contact portion 34 ... Step portion 36 ... Inner peripheral portion 37 ... Gap 38 ... Wafer

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板処理装置内で基板を位置決めする基
板リフターにおいて、 基板を載置する基板載置面と、 この基板載置面に繋がるテーパー面と、 を具備し、 上記テーパー面は、基板を基板載置面に載置する際に基
板をガイドするものであることを特徴とする基板リフタ
ー。
1. A substrate lifter for positioning a substrate in a substrate processing apparatus, comprising: a substrate mounting surface on which a substrate is mounted; and a tapered surface connected to the substrate mounting surface, wherein the tapered surface is the substrate. A substrate lifter for guiding a substrate when the substrate is mounted on the substrate mounting surface.
【請求項2】 上記テーパー面の外側に配置された嵌め
合わせ用テーパー面をさらに含み、この嵌め合わせ用テ
ーパー面は、基板の位置決めの時、この面を受け止める
部材に形成されたテーパー面とほぼ同じ傾斜を有する面
であることを特徴とする請求項1に記載の基板リフタ
ー。
2. A tapered surface for fitting disposed outside the tapered surface, wherein the tapered surface for fitting is substantially the same as the tapered surface formed on a member for receiving the surface when positioning the substrate. The substrate lifter according to claim 1, wherein the substrates are surfaces having the same inclination.
【請求項3】 上記基板が半導体ウエハであり、上記基
板処理装置がスパッタリング成膜装置であることを特徴
とする請求項1又は2に記載の基板リフター。
3. The substrate lifter according to claim 1, wherein the substrate is a semiconductor wafer, and the substrate processing apparatus is a sputtering film forming apparatus.
【請求項4】 基板処理装置内で基板保持体に基板を押
さえ付けることによって固定するクランプリングにおい
て、 基板を固定する際に基板に接触する第1シートと、 第1シートの上に配置された、第1シートより幅の狭い
第2シートと、 第1シート及び第2シートを収容するシート収容部と、 を具備し、 第1シートを介して基板保持体に基板を押さえ付けて固
定するものであり、その際、第2シートの端部で第1シ
ートがくの字型に曲げられながら固定することを特徴と
するクランプリング。
4. A clamp ring for fixing a substrate by pressing it onto a substrate holder in a substrate processing apparatus, the first sheet being in contact with the substrate when the substrate is fixed, and the first sheet arranged on the first sheet. A second sheet having a width narrower than that of the first sheet, and a sheet accommodating portion for accommodating the first sheet and the second sheet, wherein the substrate is pressed and fixed to the substrate holder via the first sheet. In that case, the clamp ring is characterized in that the first sheet is fixed while being bent in a dogleg shape at the end portion of the second sheet.
【請求項5】 上記第1シート及び第2シートそれぞれ
はメタルシートであることを特徴とする請求項4に記載
のクランプリング。
5. The clamp ring according to claim 4, wherein each of the first sheet and the second sheet is a metal sheet.
【請求項6】 基板処理装置内で基板保持体に基板を押
さえ付けることによって固定するクランプリングにおい
て、 基板を押さえ付けるクランプ面を有し、このクランプ面
が曲面であることを特徴とするクランプリング。
6. A clamp ring for fixing a substrate by pressing it onto a substrate holder in a substrate processing apparatus, wherein the clamp ring has a clamp surface for pressing the substrate, and the clamp surface is a curved surface. .
【請求項7】 上記曲面が基板の端面の曲率と異なる曲
率を有するものであることを特徴とする請求項6に記載
のクランプリング。
7. The clamp ring according to claim 6, wherein the curved surface has a curvature different from that of the end surface of the substrate.
【請求項8】 上記基板が半導体ウエハであり、上記基
板処理装置がスパッタリング成膜装置であることを特徴
とする請求項4〜7のうちいずれか1項記載のクランプ
リング。
8. The clamp ring according to claim 4, wherein the substrate is a semiconductor wafer, and the substrate processing apparatus is a sputtering film forming apparatus.
【請求項9】 基板を処理するチャンバーと、 このチャンバー内に配置され、基板を位置決めする基板
リフターと、 チャンバー内に配置され、基板を保持する基板保持体
と、 この基板保持体に基板を押さえ付けて固定するクランプ
リングと、 を具備し、 上記基板リフターが請求項1に記載の基板リフターであ
ることを特徴とする基板処理装置。
9. A chamber for processing a substrate, a substrate lifter arranged in the chamber for positioning the substrate, a substrate holder for holding the substrate in the chamber, and a substrate held by the substrate holder. A substrate processing apparatus, comprising: a clamp ring that is attached and fixed; and the substrate lifter is the substrate lifter according to claim 1.
【請求項10】 上記クランプリングが請求項4又は6
に記載のクランプリングであることを特徴とする請求項
9に記載の基板処理装置。
10. The clamp ring according to claim 4 or 6.
The substrate processing apparatus according to claim 9, which is the clamp ring according to claim 9.
【請求項11】 基板を処理するチャンバーと、 このチャンバー内に配置され、基板を位置決めする基板
リフターと、 チャンバー内に配置され、基板を保持する基板保持体
と、 この基板保持体に基板を押さえ付けて固定するクランプ
リングと、 を具備し、 上記クランプリングが請求項4又は6に記載のクランプ
リングであることを特徴とする基板処理装置。
11. A chamber for processing a substrate, a substrate lifter arranged in the chamber for positioning the substrate, a substrate holder for holding the substrate in the chamber, and a substrate held by the substrate holder. A substrate processing apparatus, comprising: a clamp ring that is attached and fixed; and the clamp ring is the clamp ring according to claim 4 or 6.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107287573A (en) * 2016-04-12 2017-10-24 北京北方华创微电子装备有限公司 Mechanical chuck
JP2019024109A (en) * 2015-01-16 2019-02-14 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing

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