JP2003282466A - 拡散炉用熱電対 - Google Patents

拡散炉用熱電対

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JP2003282466A JP2002083958A JP2002083958A JP2003282466A JP 2003282466 A JP2003282466 A JP 2003282466A JP 2002083958 A JP2002083958 A JP 2002083958A JP 2002083958 A JP2002083958 A JP 2002083958A JP 2003282466 A JP2003282466 A JP 2003282466A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 拡散炉内に設けられた炉心管の中に熱電対
(内部サーモカップ)を1本設け、炉心管の温度管理を
行っている。上記熱電対により、炉心管内のガス導入側
からウエハ導入側までの温度管理を行っている。半導体
ウエハを炉心管の中に収容し熱処理する場合、半導体ウ
エハ面内の各ポイントの温度管理(ウエハ面内温度分布
の確認)は行われていない。このため、半導体ウエハは
炉心管内での熱処理によりウエハ面内の不純物拡散や酸
化膜成長にバラツキが生じる可能性がある。また、ウエ
ハ面内での温度分布を確認することが困難であった。 【解決手段】 耐複数熱電対を耐熱性に優れ、コンタミ
の影響の少ない材料により接続し、炉心管内に挿入する
ことにより、炉心管内の温度分布を容易に確認すること
が可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置にお
ける拡散炉に関し、特に拡散炉内に設けられる炉心管の
内部実温度を管理する熱電対に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置における拡散炉は、拡散源と
半導体ウエハとを炉心管の中に収容し、炉心管全体を加
熱して拡散不純物をウエハにドープする。図5は拡散炉
の一例を示す斜視図である。
【0003】図5において、拡散炉51には、図1の炉
心管101の挿入および抜き出しを行うための出入口5
3が、上段、中段および下段の3段に設けられている。
出入口53の前方領域には、清浄な空間を形成するクリ
ーンベンチ52となっている。拡散炉51の一側部側に
は、図示しないボートに載せられた半導体ウエハの挿入
および引き出しを自動的に行うボートローダ54が設け
られている。更に、拡散炉51には、ドーピング系5
5、ボートローダ制御系56、炉温制御系57等がそれ
ぞれ設置されている。上記の拡散炉51では、拡散炉5
1に挿入された炉心管101の全端を所定の温度に加熱
して、炉心管101内に収容された半導体ウエハWヘの
不純物拡散を行う。炉心管101の加熱温度は、たとえ
ば、1000℃程度であり、半導体ウエハWへの不純物
拡散を所定通りに行うためには、所定時間の間、炉心管
の加熱温度を精度良く一定に保持する必要がある。
【0004】このため従来においては、図1の様に、拡
散炉51内に設けられた炉心管101の中に熱電対(内
部サーモカップ)501を1本設け、炉心管101の温
度管理を行っていた。この温度管理機構は、たとえば、
図1、2に示すように炉心管内に熱電対501を有して
いる。この熱電対501の計測温度によりヒーター20
1にフイードバックし、炉心管101内全体の温度管理
を行っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の拡散炉
装置においては、図1、2における熱電対501によ
り、炉心管101内のガス導入側101bからウエハ導
入側101aまでの温度管理を行っている。たとえば、
熱電対501はウエハ導入口から見て、炉心管101内
の左下方部に設けられている。半導体ウエハWを炉心管
101の中に収容し熱処理する場合、半導体ウエハW面
内の各ポイントの温度管理(ウエハ面内温度分布の確
認)は行われていない。このため、半導体ウエハWは炉
心管101内での熱処理によりウエハ面内の不純物拡散
や酸化膜成長にバラツキが生じる危険性がある。しかし
ながら、半導体ウエハW面内での温度バラツキを確認す
るためには、たとえばIC(半導体集積回路)の電気的
特性など間接的な方法でしか面内温度分布を確認するこ
とができなかった。しかし、上記方法では炉心管101
内での熱処理時のウエハ面内温度分布のバラツキのみで
はなく、不純物のドープバラツキなど他のプロセスでの
ウエハ面内バラツキもICの電気的特性に起因するため
上記方法の結果から容易に拡散炉での温度面内分布を判
断することは困難であった。
【0006】本発明は、半導体ウエハWが拡散炉の炉心
管101内に収容した位置でのウエハW面内温度確認を
可能とし、半導体ウエハヘの不純物拡散を精度良く行う
ことのできる拡散炉を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウエハ
を内部に収容し、不純物拡散や酸化膜成長させる拡散炉
装置において、複数の熱電対が一組で構成されている熱
電対を有することによって、全体が所定の温度に加熱さ
れる筒形状の炉心管101の内部温度分布を確認でき
る。さらに、前記複数熱電対において、各々の熱電対を
つなぐ治具を備えている。
【0008】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
説明する。従来の図である図1及び図2を用いて説明す
る。図1は、拡散炉51の炉心管101のウエハ導入口
部を示す縦断面図である。図2は、拡散炉51の内部構
成の一例を示す横断面図である。さらに、図3は、本発
明に係る複数熱電対101によって構成された温度管理
治具の斜視図である。拡散炉51は半導体ウエハWに不
純物を熱拡散させるため、もしくは拡散と同時に酸化膜
を成長させるための装置であり、炉心管101の配置方
向によって横型拡散炉と縦型拡散炉とがある。
【0009】図2は、炉心管101は横方向に配置され
ており、横型拡散炉を示している。図2に示すように、
横型拡散炉では、拡散炉51内に炉心管101が横に設
けられており、この炉心管101は、たとえば、耐熱の
ガラス材料等から形成される筒状の部材からなる。炉心
管101の一端部が半導体ウエハWを載置しているボー
トを出し入れするためのウエハ導入口101aが設けら
れている。また、炉心管101の他端部には、不純物ガ
スやH2、N2等のキャリアガス等の各種ガスGを導入す
る導入口101bが形成されている。
【0010】炉心管101の外周には、たとえば高周波
コイル201aあるいは抵抗加熱ヒーター等を内職した
炉体201が設けられ、炉心管101はこの炉体201
によって外周から加熱される。高周波コイル201a
は、複数に分割されており、それぞれの高周波コイル2
01aは分割されて制御されている。また、炉心管10
1内には、半導体ウエハWが、たとえば、図3の石英製
のボート12に載置されて収容される。
【0011】本願発明では、半導体ウエハWをボート1
2に載置せず、図3の様に、複数熱電対は、例えば、熱
電対501a、501b、501c、501d、501
eを載置する。ボート12に載置された複数熱電対50
1a〜501eが炉心管101内に挿入される。挿入さ
れた複数熱電対501a〜501eにより炉心管101
内の温度分布を容易に確認することができ、半導体ウエ
ハ拡散炉処理における面内バラツキ異常時の炉心管内の
温度分布管理を可能とする。なお、図示していないが、
各熱電対501a〜501eは、それぞれ長さの異なる
複数の熱電対を有している。このために、炉心管101
の長手方向の温度分布を測定することができる。
【0012】また、複数熱電対501a〜501eを炉
心管101内の長方向に垂直に、そして、長手方向に対
して垂直な面に均等に分布させて支持する複数の治具1
1および複数の垂直冶具11aが、ボート12に備えら
れる。そして、ボート12には、ボート脚部13が備え
られている。それらは、ガラス系の材料もしくはセラミ
ック系の材料を使用される。冶具11は、例えば各熱電
対501a〜501eを夫々炉心管101の上下、左右
及び中央に位置させるための枠状のものである。そし
て、複数の垂直冶具11aは、ボート12上に複数の冶
具11を所定の位置に配置するためのものである。
【0013】つまり、まずボート12に半導体ウエハW
を載置する代わりに、各熱電対501a〜501eを保
持しおている冶具11および垂直冶具11aを乗せ、開
口部101aから炉心管101内に挿入し、所定の温度
に加熱する。各熱電対にて、炉心管101内の温度分布
を計測しながら、分割されている高周波コイル201a
を、各位置の温度が一定(同じ)になるように夫々制御
する。
【0014】そして、熱電対501a〜501eに代え
て、半導体ウエハWをボート12に載置し、元々備えら
れている熱電対501にて温度測定しながら、過熱す
る。その時、前に計測したときのように高周波コイル2
01aを夫々制御する。
【0015】冶具11、垂直冶具11a、ボート12及
びボート脚部13は、ガラス系の材料もしくはセラミッ
ク系材料を使用する。これらの材料はパーティクルが少
なくコンタミの影響が少ない。セラミック系はガラス系
の材料に比べ、耐熱性にすぐれる。たとえば、1200
℃以上の熱処理の場合、ガラス系の材料では使用頻度に
より接続材料11が変形してしまう可能性がある。セラ
ミック系の材料は耐熱性が良く、変形する可能性が少な
い。
【0016】本発明は用途やプロセス温度により熱電対
501a〜501eを支持するための治具11の材質
は、選ばれる。
【0017】また、前記複数熱電対を接続している治具
11とボート12を接続している垂直冶具11aおよび
ボート脚部13bは平地に対して垂直に設けられてい
る。垂直に接続されていることにより垂直冶具11aの
劣化を防ぐことでき、常に同条件(位置)での炉心管1
01内の温度確認が可能である。
【0018】また、治具11および垂直冶具11aおよ
びボート脚部13は角ムク棒を使用する。上記角ムク棒
はたとえば丸ムク棒に比べ、耐熱性が良く変形などの劣
化の可能性が少なく、常に同条件(位置)での炉心管1
01内の温度確認が可能である。
【0019】
【発明の効果】本発明は、半導体プロセスの拡散炉にお
いて複数熱電対治具により以下の効果を有する。
【0020】炉心管内の温度分布を確認することが容易
に可能である。耐熱性の良いボートや熱電対接続治具の
材質や形状、接続角度により劣化を防ぎ、常に同条件で
の温度管理が可能である。これらにより、本発明による
複数熱の電対により温度管理が行われる拡散炉装置を用
いて処理した半導体ウエハヘの不純物拡散の均一化、炉
心管内の温度分布異常時の迅速な対応、また作製された
ICの特性均一化、歩留まりの向上に効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、拡散炉の有する炉心管内をウエハ導入
口部から見た図である。
【図2】図2は、拡散炉の内部構成の一例を示す槻略図
である。
【図3】図3は、本発明に係る複数熱電対および接続治
具およびボートの一例を示す斜視図である。
【図4】図4は、本発明に係る複数熱電対および接続治
具およびボートの一例を示す正面図である。
【図5】図5は、拡散炉の外観の一例を斜視図である。
【符号の説明】
101 炉心管 101a ウエハ導入口部(ウエハ導入側) 101b ガス導入口 501 熱電対(サーモカップ) 501a〜501e 熱電対(サーモカップ) 11 冶具 11a 垂直冶具 13:ボート

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の熱電対が炉心管軸に対して放射方
    向に間隔をおいて複数配置され、前記各熱電対には、炉
    心管軸方向に複数の副熱電対にて構成されていることを
    特徴とする拡散炉用熱電対。
  2. 【請求項2】 前記複数熱電対は、それらを前記炉心管
    内に炉心管軸に対して放射方向に均等に支持するための
    治具により支持されている請求項1記載の拡散炉用温度
    熱。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011253986A (ja) * 2010-06-03 2011-12-15 Mitsubishi Electric Corp 拡散炉用熱電対、温度測定方法、及び半導体装置の製造方法

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