JP2003282466A - 拡散炉用熱電対 - Google Patents
拡散炉用熱電対Info
- Publication number
- JP2003282466A JP2003282466A JP2002083958A JP2002083958A JP2003282466A JP 2003282466 A JP2003282466 A JP 2003282466A JP 2002083958 A JP2002083958 A JP 2002083958A JP 2002083958 A JP2002083958 A JP 2002083958A JP 2003282466 A JP2003282466 A JP 2003282466A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core tube
- temperature
- diffusion furnace
- thermocouple
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(内部サーモカップ)を1本設け、炉心管の温度管理を
行っている。上記熱電対により、炉心管内のガス導入側
からウエハ導入側までの温度管理を行っている。半導体
ウエハを炉心管の中に収容し熱処理する場合、半導体ウ
エハ面内の各ポイントの温度管理(ウエハ面内温度分布
の確認)は行われていない。このため、半導体ウエハは
炉心管内での熱処理によりウエハ面内の不純物拡散や酸
化膜成長にバラツキが生じる可能性がある。また、ウエ
ハ面内での温度分布を確認することが困難であった。 【解決手段】 耐複数熱電対を耐熱性に優れ、コンタミ
の影響の少ない材料により接続し、炉心管内に挿入する
ことにより、炉心管内の温度分布を容易に確認すること
が可能である。
Description
ける拡散炉に関し、特に拡散炉内に設けられる炉心管の
内部実温度を管理する熱電対に関する。
半導体ウエハとを炉心管の中に収容し、炉心管全体を加
熱して拡散不純物をウエハにドープする。図5は拡散炉
の一例を示す斜視図である。
心管101の挿入および抜き出しを行うための出入口5
3が、上段、中段および下段の3段に設けられている。
出入口53の前方領域には、清浄な空間を形成するクリ
ーンベンチ52となっている。拡散炉51の一側部側に
は、図示しないボートに載せられた半導体ウエハの挿入
および引き出しを自動的に行うボートローダ54が設け
られている。更に、拡散炉51には、ドーピング系5
5、ボートローダ制御系56、炉温制御系57等がそれ
ぞれ設置されている。上記の拡散炉51では、拡散炉5
1に挿入された炉心管101の全端を所定の温度に加熱
して、炉心管101内に収容された半導体ウエハWヘの
不純物拡散を行う。炉心管101の加熱温度は、たとえ
ば、1000℃程度であり、半導体ウエハWへの不純物
拡散を所定通りに行うためには、所定時間の間、炉心管
の加熱温度を精度良く一定に保持する必要がある。
散炉51内に設けられた炉心管101の中に熱電対(内
部サーモカップ)501を1本設け、炉心管101の温
度管理を行っていた。この温度管理機構は、たとえば、
図1、2に示すように炉心管内に熱電対501を有して
いる。この熱電対501の計測温度によりヒーター20
1にフイードバックし、炉心管101内全体の温度管理
を行っている。
装置においては、図1、2における熱電対501によ
り、炉心管101内のガス導入側101bからウエハ導
入側101aまでの温度管理を行っている。たとえば、
熱電対501はウエハ導入口から見て、炉心管101内
の左下方部に設けられている。半導体ウエハWを炉心管
101の中に収容し熱処理する場合、半導体ウエハW面
内の各ポイントの温度管理(ウエハ面内温度分布の確
認)は行われていない。このため、半導体ウエハWは炉
心管101内での熱処理によりウエハ面内の不純物拡散
や酸化膜成長にバラツキが生じる危険性がある。しかし
ながら、半導体ウエハW面内での温度バラツキを確認す
るためには、たとえばIC(半導体集積回路)の電気的
特性など間接的な方法でしか面内温度分布を確認するこ
とができなかった。しかし、上記方法では炉心管101
内での熱処理時のウエハ面内温度分布のバラツキのみで
はなく、不純物のドープバラツキなど他のプロセスでの
ウエハ面内バラツキもICの電気的特性に起因するため
上記方法の結果から容易に拡散炉での温度面内分布を判
断することは困難であった。
管101内に収容した位置でのウエハW面内温度確認を
可能とし、半導体ウエハヘの不純物拡散を精度良く行う
ことのできる拡散炉を提供することを目的とする。
を内部に収容し、不純物拡散や酸化膜成長させる拡散炉
装置において、複数の熱電対が一組で構成されている熱
電対を有することによって、全体が所定の温度に加熱さ
れる筒形状の炉心管101の内部温度分布を確認でき
る。さらに、前記複数熱電対において、各々の熱電対を
つなぐ治具を備えている。
説明する。従来の図である図1及び図2を用いて説明す
る。図1は、拡散炉51の炉心管101のウエハ導入口
部を示す縦断面図である。図2は、拡散炉51の内部構
成の一例を示す横断面図である。さらに、図3は、本発
明に係る複数熱電対101によって構成された温度管理
治具の斜視図である。拡散炉51は半導体ウエハWに不
純物を熱拡散させるため、もしくは拡散と同時に酸化膜
を成長させるための装置であり、炉心管101の配置方
向によって横型拡散炉と縦型拡散炉とがある。
ており、横型拡散炉を示している。図2に示すように、
横型拡散炉では、拡散炉51内に炉心管101が横に設
けられており、この炉心管101は、たとえば、耐熱の
ガラス材料等から形成される筒状の部材からなる。炉心
管101の一端部が半導体ウエハWを載置しているボー
トを出し入れするためのウエハ導入口101aが設けら
れている。また、炉心管101の他端部には、不純物ガ
スやH2、N2等のキャリアガス等の各種ガスGを導入す
る導入口101bが形成されている。
コイル201aあるいは抵抗加熱ヒーター等を内職した
炉体201が設けられ、炉心管101はこの炉体201
によって外周から加熱される。高周波コイル201a
は、複数に分割されており、それぞれの高周波コイル2
01aは分割されて制御されている。また、炉心管10
1内には、半導体ウエハWが、たとえば、図3の石英製
のボート12に載置されて収容される。
2に載置せず、図3の様に、複数熱電対は、例えば、熱
電対501a、501b、501c、501d、501
eを載置する。ボート12に載置された複数熱電対50
1a〜501eが炉心管101内に挿入される。挿入さ
れた複数熱電対501a〜501eにより炉心管101
内の温度分布を容易に確認することができ、半導体ウエ
ハ拡散炉処理における面内バラツキ異常時の炉心管内の
温度分布管理を可能とする。なお、図示していないが、
各熱電対501a〜501eは、それぞれ長さの異なる
複数の熱電対を有している。このために、炉心管101
の長手方向の温度分布を測定することができる。
心管101内の長方向に垂直に、そして、長手方向に対
して垂直な面に均等に分布させて支持する複数の治具1
1および複数の垂直冶具11aが、ボート12に備えら
れる。そして、ボート12には、ボート脚部13が備え
られている。それらは、ガラス系の材料もしくはセラミ
ック系の材料を使用される。冶具11は、例えば各熱電
対501a〜501eを夫々炉心管101の上下、左右
及び中央に位置させるための枠状のものである。そし
て、複数の垂直冶具11aは、ボート12上に複数の冶
具11を所定の位置に配置するためのものである。
を載置する代わりに、各熱電対501a〜501eを保
持しおている冶具11および垂直冶具11aを乗せ、開
口部101aから炉心管101内に挿入し、所定の温度
に加熱する。各熱電対にて、炉心管101内の温度分布
を計測しながら、分割されている高周波コイル201a
を、各位置の温度が一定(同じ)になるように夫々制御
する。
て、半導体ウエハWをボート12に載置し、元々備えら
れている熱電対501にて温度測定しながら、過熱す
る。その時、前に計測したときのように高周波コイル2
01aを夫々制御する。
びボート脚部13は、ガラス系の材料もしくはセラミッ
ク系材料を使用する。これらの材料はパーティクルが少
なくコンタミの影響が少ない。セラミック系はガラス系
の材料に比べ、耐熱性にすぐれる。たとえば、1200
℃以上の熱処理の場合、ガラス系の材料では使用頻度に
より接続材料11が変形してしまう可能性がある。セラ
ミック系の材料は耐熱性が良く、変形する可能性が少な
い。
501a〜501eを支持するための治具11の材質
は、選ばれる。
11とボート12を接続している垂直冶具11aおよび
ボート脚部13bは平地に対して垂直に設けられてい
る。垂直に接続されていることにより垂直冶具11aの
劣化を防ぐことでき、常に同条件(位置)での炉心管1
01内の温度確認が可能である。
びボート脚部13は角ムク棒を使用する。上記角ムク棒
はたとえば丸ムク棒に比べ、耐熱性が良く変形などの劣
化の可能性が少なく、常に同条件(位置)での炉心管1
01内の温度確認が可能である。
いて複数熱電対治具により以下の効果を有する。
に可能である。耐熱性の良いボートや熱電対接続治具の
材質や形状、接続角度により劣化を防ぎ、常に同条件で
の温度管理が可能である。これらにより、本発明による
複数熱の電対により温度管理が行われる拡散炉装置を用
いて処理した半導体ウエハヘの不純物拡散の均一化、炉
心管内の温度分布異常時の迅速な対応、また作製された
ICの特性均一化、歩留まりの向上に効果を奏する。
口部から見た図である。
である。
具およびボートの一例を示す斜視図である。
具およびボートの一例を示す正面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 複数の熱電対が炉心管軸に対して放射方
向に間隔をおいて複数配置され、前記各熱電対には、炉
心管軸方向に複数の副熱電対にて構成されていることを
特徴とする拡散炉用熱電対。 - 【請求項2】 前記複数熱電対は、それらを前記炉心管
内に炉心管軸に対して放射方向に均等に支持するための
治具により支持されている請求項1記載の拡散炉用温度
熱。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002083958A JP4497785B2 (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 拡散炉用熱電対 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002083958A JP4497785B2 (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 拡散炉用熱電対 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003282466A true JP2003282466A (ja) | 2003-10-03 |
JP4497785B2 JP4497785B2 (ja) | 2010-07-07 |
Family
ID=29231506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002083958A Expired - Fee Related JP4497785B2 (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 拡散炉用熱電対 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4497785B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011253986A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 拡散炉用熱電対、温度測定方法、及び半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01174917U (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-13 | ||
JPH03225819A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板用熱処理炉の温度測定方法 |
JPH05152231A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Kokusai Electric Co Ltd | 縦型拡散・cvd装置における炉内温度分布プロフアイル測定方法 |
-
2002
- 2002-03-25 JP JP2002083958A patent/JP4497785B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01174917U (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-13 | ||
JPH03225819A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板用熱処理炉の温度測定方法 |
JPH05152231A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Kokusai Electric Co Ltd | 縦型拡散・cvd装置における炉内温度分布プロフアイル測定方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011253986A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 拡散炉用熱電対、温度測定方法、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4497785B2 (ja) | 2010-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950009940B1 (ko) | 열처리 방법 및 열처리 장치 | |
EP1796149B1 (en) | Quartz jig and semiconductor manufacturing equipment | |
KR101374442B1 (ko) | 배치대 장치, 처리 장치, 온도 제어 방법 및 프로그램이 기억된 기억 매체 | |
US20030019585A1 (en) | Substrate processing apparatus and method for fabricating semiconductor device | |
US8186661B2 (en) | Wafer holder for supporting a semiconductor wafer during a thermal treatment process | |
JPH04179223A (ja) | 熱処理装置 | |
JP4143376B2 (ja) | 加熱装置及び半導体素子製造装置用ヒータアセンブリ | |
US5626680A (en) | Thermal processing apparatus and process | |
JPH11501160A (ja) | 熱処理装置及びプロセス | |
EP0477897A2 (en) | Heat treatment apparatus having a wafer boat | |
US6971835B2 (en) | Vapor-phase epitaxial growth method | |
TWI755775B (zh) | 晶圓的退火方法 | |
JP2003282466A (ja) | 拡散炉用熱電対 | |
JP4079582B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
TW515117B (en) | Method of manufacturing semiconductor wafer | |
JP5378779B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP4558031B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
JP2002208591A (ja) | 熱処理装置 | |
JPH06260438A (ja) | 熱処理用ボート | |
US6306183B1 (en) | Method of forming manufacturing semiconductor device | |
JP2001156011A (ja) | 半導体ウェーハ熱処理装置 | |
JPS60152675A (ja) | 縦型拡散炉型気相成長装置 | |
JP3084232B2 (ja) | 縦型加熱処理装置 | |
JP2003037109A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2002134491A (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040304 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080708 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091104 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091105 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091112 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100407 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100413 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4497785 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140423 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |