JP2003282243A - 発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】フルカラーディスプレイ、バックライト、照明
光源等の面光源やプリンタ−等の光源アレイなどに有効
に利用でき、耐久性に優れ、発光効率および発光輝度が
高い発光素子を提供する。 【解決手段】支持基板上に、透明電極、少なくとも発光
層を含む有機化合物層、及び背面電極を積層した発光積
層体を封止カバーで封止した発光素子において、封止カ
バーが、水分透過度が０．０１ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下、
かつ酸素透過度が０．０１ｃｃ／ｍ²・ｄａｙ・ａｔｍ
以下である可撓性のあるシートであり、該支持基板と該
封止カバーとを該発光積層体の周辺部で封止接着剤によ
り封止したことを特徴とする発光素子である。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明はフルカラーディスプ
レイ、バックライト、照明光源等の面光源やプリンター
等の光源アレイ等に有効に利用できる発光素子に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】有機物質を使用した有機発光素子は、固
体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子や書き込み
光源アレイとしての用途が有望視され、多くの開発が行
われている。一般に有機発光素子は、発光層及び該層を
挟んだ一対の対向電極から構成されている。両電極間に
電界が印加されると、陰極から電子が、陽極からは正孔
がそれぞれ発光層に注入される。発光は、この電子と正
孔が発光層において再結合し、電子が伝導帯から価電子
帯のエネルギー準位に戻る際にエネルギーを光として放
出する現象である。 【０００３】従来の有機発光素子においては、駆動電圧
が高く、発光輝度や発光効率も低いという問題があった
が、近年これを解決する技術が種々報告されている。そ
の一例として、有機化合物の蒸着により有機薄膜を形成
する有機発光素子が提案されている。（アプライド フ
ィジクスレタ−ズ、５１巻、９１３頁、１９８７年）。
この有機発光素子の場合、電子輸送材からなる電子輸送
層と、正孔輸送材からなる正孔輸送層との積層二層型の
構造を有し、単層型の構造を有する従来の有機発光素子
に比べて発光特性が大幅に向上している。この有機発光
素子においては、前記正孔輸送材として低分子アミン化
合物を用い、前記電子輸送材、兼発光材料として８−キ
ノリノ−ルのＡｌ錯体（Ａｌｑ）を用いており、発光は
緑色である。 【０００４】その後、このような蒸着により有機薄膜を
形成した有機発光素子が、数多く報告されている（マク
ロモレキュラリー シンポジウム、１２５巻、１頁、１
９９７年記載の参考文献参照）。 【０００５】一方、製造コストの低減や、バックライ
ト、照明光源等のフレキシブルな大面積素子への応用の
目的で、高分子化合物を湿式製膜法により製膜した有機
発光素子が報告されている。該高分子化合物としては、
例えば、緑色の発光を示すポリパラフェニレンビニレン
（ネイチャー、３４７巻、５３９頁、１９９０年）、赤
橙色の発光を示すポリ（３−アルキルチオフェン）（ジ
ャパニーズ ジャーナルオブ アプライド フィジク
ス、３０巻、Ｌ１９３８頁、１９９１年）、青色発光素
子としてポリアルキルフルオレン（ジャパニーズ ジャ
ーナル オブ アプライド フィジクス、３０巻、Ｌ１
９４１頁、１９９１年）などが挙げられる。また、特開
平２−２２３１８８号公報においては、低分子化合物を
バインダー樹脂に分散させ、湿式塗布で製膜する試みも
報告されている。 【０００６】ところで、可撓性のあるプラスチック基板
を用いれば、素子全体を軽量化したり、落下時の破損を
防いだりすることができる。さらに、ロール・トゥ・ロ
ール法等の製造方法をとることができ、コストダウンを
図ることができる。しかしながら、上記乾式法による発
光素子、湿式法による発光素子いずれにおいても可撓性
のあるプラスチック基板を用いた場合、ガラス基板を用
いた場合に比べ、耐久性が大きく劣るという欠点があ
り、実用化が困難とされてきた。ガラス基板を用いた場
合に比べ耐久性が劣るその一つの理由は、ＰＥＴ等のプ
ラスチック基板は水分透過度や酸素透過度が大きいこと
が挙げられる。発光素子に用いる有機材料は、侵入水分
や酸素などの影響を受けやすく、これらが発光素子の性
能を阻害する。例えば、発光素子内に水分があると、電
流を流す事によりその水分が電気分解され、水素ガスや
酸素ガスが発生し、ダークスポット（発光面における非
発光部位）が生じ輝度の低下などの原因となる。また、
基板以外でも、発光素子には陰極として非常に酸化され
やすい金属が使われているため、大気中の水分や酸素と
反応し酸化や腐食されやすく、ダークスポットや発光効
率低下の原因となる。発光素子において外気からの水分
や酸素の侵入を防ぐ方法として、特開２００１−１８５
３４８号公報に、絶縁層と金属層からなる封止層を設け
ることが記載されている。しかし、この方法では、陰極
上に蒸着法により封止層を設けているので、封止性能は
劣るものであり、さらに発光積層体に傷害を与える。 【０００７】また、発光素子を封止カバーにて封止する
方法もあり、封止カバーとしては、素子全体の軽量化や
扱いやすさの点から可撓性のあるプラスチックカバーが
望ましいが、プラスチックカバーを用いた場合、上記の
プラスチック基板の場合と同じく、水分透過度、酸素透
過度が大きく、侵入水分や酸素が発光素子の性能を阻害
することが問題となる。これら、水分透過度や酸素透過
度を満足するようなプラスチック材料は開発されていな
いのが現状である。透明フィルムとシーラントからなる
封止フィルムと金属箔とシーラントからなる封止フィル
ムとで、素子全体を真空封止する方法が、特開２００１
−２３７０６５号公報に記載されているが、ここに記載
の封止フィルムの水分透過度や酸素透過度は十分に小さ
いものとは言えず、さらに、封止時に封止フィルムと発
光積層体が密接するため、発光積層体に傷害を与える等
の問題もある。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来におけ
る前記諸問題を解決し、前記要望に応え、以下の目的を
達成することを課題とする。即ち、本発明は、フルカラ
ーディスプレイ、バックライト、照明光源等の面光源
や、プリンター等の光源アレイなどに有効に利用でき、
発光効率および発光輝度、耐久性に優れた可撓性のある
発光素子を提供することを目的とする。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決するために鋭意研究したところ、新規な封止方法を
発明し、発光素子の耐久性を著しく向上させることがで
きた。即ち、前記課題を解決するための手段は、以下の
通りである。 （１）支持基板上に、透明電極、少なくとも発光層を含
む有機化合物層、及び背面電極からなる発光積層体、並
びに封止カバーを有する発光素子であって、該封止カバ
ーは、水分透過度が０．０１ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下、か
つ酸素透過度が０．０１ｃｃ／ｍ²・ｄａｙ・ａｔｍ以
下の可撓性のあるシートであり、該封止カバーと該発光
積層体との間に空間を有することを特徴とする発光素
子。 （２）該支持基板が、可撓性のある支持基板であること
を特徴とする上記（１）記載の発光素子。 （３）該封止カバーが、金属箔の両面または片面に絶縁
層を設けたシートであることを特徴とする上記（１）ま
たは（２）記載の発光素子 （４）該支持基板と該封止カバーとを該発光積層体の周
辺部で封止接着剤により封止し、該封止接着剤が熱硬化
型接着剤であることを特徴とする上記（１）〜（３）の
いずれかに記載の発光素子。 【００１０】 【発明の実施の形態】本発明の発光素子は、支持基板上
に、透明電極、少なくとも発光層を含む有機化合物層、
及び背面電極を積層した発光積層体を封止カバーで外部
の空気と遮断、封止した発光素子において、封止カバー
が、水分透過度が０．０１ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下、かつ
酸素透過度が０．０１ｃｃ／ｍ²・ｄａｙ・ａｔｍ以下
である可撓性のあるシートであり、該支持基板と該封止
カバーとを該発光積層体の周辺部で封止接着剤により封
止したことを特徴とする発光素子である。 【００１１】図１は、本発明の発光素子の一実施形態を
示す概略断面図である。図１に示す発光素子は支持基板
１の上に透明電極２、有機化合物層３、及び背面電極４
を積層してなる発光積層体７、並びに発光積層体７を封
止する封止カバー１０を有する。この実施形態におい
て、封止カバー１０と支持基板１とを発光積層体７の周
辺部で封止接着剤８および９により封止されている。ま
た、封止カバー１０と発光積層体７との間には空間１１
が設けられる。 【００１２】本発明の発光素子は、封止カバー１０と発
光積層体７との間に空間１１を有する。空間の設置によ
り、封止時に発光積層体に圧力がかかることなく、発光
積層体が傷害を受けることを防止できる。 【００１３】空間１１の大きさは、小さくとも封止カバ
ーと発光積層体とが接触しない程度の空間であればよ
く、その大きさは制限されることはない。発光素子とし
て封止カバーと発光積層体との長さ（間隔）は、０．１
ｍｍ以上５ｍｍ以下が好ましく、０．５ｍｍ以上３ｍｍ
以下がより好ましく、１ｍｍ以上２ｍｍ以下がさらに好
ましい。 【００１４】空間１１は、発光積層体の各層への水分や
酸素の侵入を防止するために、流体を封入してもよい。
流体は好ましくは窒素やアルゴンなどの不活性ガスな
ど、及びパーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、
パーフルオロエーテル等の液状フッ素化炭素、液状フッ
素化炭素に水分や酸素を吸着する吸着剤を分散させた液
体などであり、より好ましくは窒素やアルゴンなどの不
活性ガスなどが挙げられる。 【００１５】本発明において、支持基板１は特に限定さ
れることはないが、有機化合物層から発せられる光を散
乱又は減衰させないことが好ましい。その具体例として
は、ジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）、ガラス
等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチ
レンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエ
ステルやポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテ
ルスルホン、ポリアリレート、アリルジギリコールカー
ボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボ
ルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の
有機材料が挙げられる。有機材料の場合、耐熱性、寸法
安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れてい
ることが好ましい。なかでも本発明においては、素子の
軽量化、破損防止、製造上でのコストダウン等の観点か
ら可撓性のある支持基板が好ましく、特に水分透過度及
び酸素透過度の低いプラスチック基板が好適に用いられ
る。例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレン
フタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステ
ルやポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルス
ルホン、ポリアリレート、アリルジギリコールカーボネ
ート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネ
ン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等のプラ
スチック基板が用いられる。 【００１６】支持基板の形状、構造、大きさ等について
は、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて
適宜選択することができる。一般的には、前記形状とし
ては、板状である。前記構造としては、単層構造であっ
てもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材
で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されて
いてもよい。 【００１７】支持基板は、無色透明であってもよいし、
有色透明であってもよいが、発光層から発せられる光を
散乱あるいは減衰等させることがない点で、無色透明で
有る事が好ましい。 【００１８】支持基板には、その表面、又は裏面（前記
透明電極側）に透湿防止層（ガスバリア層）を設けるこ
とが好ましい。前記透湿防止層（ガスバリア層）の材料
としては、金属酸化物、金属窒化物が好適に用いられ、
中でも窒化珪素、酸化珪素、酸化アルミニウムなどの無
機物が好適に用いられる。該透湿防止層の形成法は特に
限定されることはないが、中でもスパッタ法や蒸着法、
ＣＶＤ法などの乾式法が好ましく用いられる。該透湿防
止層の膜厚は特に限定されることはないが、１０ｎｍ以
上１μｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下
がより好ましい。これより薄い膜厚の場合、ガスバリア
性が乏しくなるため好ましくなく、これより厚い膜厚の
場合、クラックが発生し易くなり、それによりガスバリ
ア性が乏しくなるため好ましくない。さらに膜形成に時
間を要し、コストが上昇するため好ましくない。支持基
板には、さらに必要に応じて、ハードコート層、アンダ
ーコート層などを設けてもよい。 【００１９】本発明においては、この支持基板上に後述
する透明電極、有機化合物層、背面電極を積層して発光
積層体を作成し、封止カバー１０を用いて、封止接着剤
８および９で封止する。本発明においては封止カバー１
０は水分透過度が０．０１ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下、かつ
酸素透過度が０．０１ｃｃ／ｍ²・ｄａｙ・ａｔｍ以下
である可撓性のあるシートである。水分透過度または酸
素透過度がこれよりも大きいと、発光素子内に水分また
は酸素が侵入し、耐久性が悪化する原因となる。水分透
過度はＪＩＳ Ｋ７１２９Ｂ法（１９９２年）に準拠し
た方法で主としてＭＯＣＯＮ法により測定でき、酸素透
過度はＪＩＳ Ｋ７１２６Ｂ法（１９８７年）に準拠し
た方法で主としてＭＯＣＯＮ法により測定できる。水分
透過度が０．０１ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下、かつ酸素透過
度が０．０１ｃｃ／ｍ²・ｄａｙ・ａｔｍ以下である可
撓性のあるシートとしては、本発明においては金属箔の
両面または片面に絶縁層を設けたシートが好ましく用い
られる。 【００２０】図２、図３は本発明における封止カバーの
一実施形態を示す概略断面図である。図２は金属箔１２
の両面に絶縁層１３および絶縁層１４を設けた一例であ
る。図３は金属箔１２の片面に絶縁層１３を設けた一例
である。いずれの場合にも絶縁層側が図１の背面電極４
側になるように設置し封止され、金属箔１２と背面電極
４が接触し導通することを防いでいる。 【００２１】封止カバー１０に用いられる金属箔１２と
しては特に限定されることはなく、アルミ箔、銅箔、ス
テンレス箔、金箔、銀箔等の金属箔が用いられる。中で
も加工のしやすさやコストの点からアルミ箔または銅箔
が好ましい。金属箔の厚みは１０μｍ以上１００μｍ以
下であることが好ましい。これよりも薄くなると、水分
透過度、酸素透過度が大きくなってガスバリア性が乏し
くなり、発光素子の耐久性が悪化する。また、これより
も厚いと可撓性が無くなり、取り扱いが不便になる上、
素子全体の厚みや質量も増すことになる。 【００２２】封止カバー１０に用いられる絶縁層１３，
１４としては特に限定されることはなく、例えば酸化珪
素、酸化ゲルマニウム、酸化亜鉛、酸化アルミ、酸化チ
タン、酸化銅等の金属酸化物、窒化珪素、窒化ゲルマニ
ウム、窒化アルミニウム等の金属窒化物等の無機物や、
ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレー
ト、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルやポリ
スチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、
ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、
ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレ
ン）、ポリイミド、等のプラスチック材料を用いること
ができる。 【００２３】絶縁層が金属酸化物、金属窒化物等の無機
物の場合、その厚みは１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下で
あることが好ましく、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であ
ることがさらに好ましい。これよりも薄いと絶縁性が低
下する。また、これよりも厚いとクラックが生じやすく
なり、ピンホールができ絶縁性が低下する。金属酸化
物、金属窒化物絶縁層を製膜する方法としては、特に限
定されることはないが、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ方
等の乾式法や、ゾル−ゲル法等の湿式法または金属酸化
物および／または金属窒化物の粒子を溶剤に分散し塗布
する方法もとることができる。 【００２４】絶縁層にプラスチック材料を用いる場合に
は、プラスチック材料をシート状にし、該プラスチック
シートと金属箔をラミネートし、貼り付けることで封止
シートを形成することが可能である。また、プラスチッ
ク材料を溶剤に溶解し、任意の塗布法で金属箔に塗布、
乾燥することで封止シートを得ることもできる。プラス
チック絶縁層の厚みとしては１０μｍ以上２００μｍ以
下であることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下
であることがさらに好ましい。これよりも薄いと絶縁性
が低下し、またピンホールができ、その影響でも絶縁性
が低下する。これよりも厚いとカールが生じたりし、取
り扱いに不便さが生じる。 【００２５】本発明においては、上記絶縁層を金属箔の
片面だけに設けてもよく、また両面に設けてもよい。両
面に設ける場合、両面とも金属酸化物、金属窒化物等の
無機物絶縁層であってもよく、また両面ともプラスチッ
ク絶縁層であってもよい。また片面が金属酸化物、金属
窒化物等の無機物絶縁層であり、一方の片面がプラスチ
ック絶縁層であってもよい。 【００２６】また、封止カバー全体の厚みとしては、２
０μｍ以上３００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以上１
５０μｍ以下がより好ましい。これよりも薄いとガスバ
リア性が小さくなり好ましくなく、これよりも厚いと可
撓性が小さくなり、取り扱いに不便さが生じる。 【００２７】以上のごとくにして、本発明の好ましい態
様となる金属箔と絶縁層からなる封止カバーは、水分透
過度、酸素透過度が共に小さく、かつ可撓性を有してい
るので、十分な水分及び酸素防止能を有し、取り扱い性
もよい封止カバーとしては優れたものである。 【００２８】本発明においては前記支持基板１と該封止
カバー１０とを該発光積層体７の周辺部で発光積層体を
外部の空気と遮断すべく、封止接着剤により封止する。
封止接着剤としては特に限定されることはなく、あらゆ
る接着剤を用いることができるが、なかでも本発明にお
いては、接着性、水分透過性、酸素透過性の点から熱硬
化型封止接着剤を用いることが好ましく、エポキシ型の
２液混合型接着剤が好ましい。接着剤の水分透過度及び
酸素透過度は、前記した封止カバーと同程度であること
が好ましい。熱硬化型接着剤を用いる場合、本発明の発
光素子は、支持基板１の発光積層体７周辺部に必要量塗
布し、前記封止カバー１０を重ね、加熱することにより
得ることができる。加熱温度は特に限定されることはな
いが、有機化合物層３に用いられている有機化合物が変
質しない温度であればよい。例えば、上記エポキシ型の
２液混合型接着剤の場合は、加熱して硬化させる温度は
２０〜１００℃が好ましい。 【００２９】以下に本発明の発光積層体について、詳細
に説明する。 −有機化合物層− 本発明において、前記有機化合物層は、少なくとも一層
の発光層を含有する。 −−有機化合物層の構成−− 前記有機化合物層の前記発光素子における形成位置とし
ては、特に制限はなく、該発光素子の用途、目的に応じ
て適宜選択することができるが、前記透明電極上に又は
前記背面電極上に形成されるのが好ましい。この場合、
該有機化合物層は、前記透明電極又は前記背面電極上の
前面又は一面に形成される。前記有機化合物層の形状、
大きさ、厚み等については、特に制限はなく、目的に応
じて適宜選択することができる。 【００３０】具体的な層構成としては、透明電極／発光
層／背面電極、透明電極／発光層／電子輸送層／背面電
極、透明電極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／背面
電極、透明電極／正孔輸送層／発光層／背面電極、透明
電極／発光層／電子輸送層／電子注入層／背面電極、透
明電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層
／電子注入層／背面電極等が挙げられる。 【００３１】−−発光層−− 本発明に用いられる発光層は、少なくとも一種の発光材
からなり、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ホス
ト材を含んでもよい。本発明に用いられる発光材として
は特に限定されることはなく、蛍光発光性化合物または
燐光発光性化合物であれば用いることができる。例えば
蛍光発光性化合物としては、ベンゾオキサゾール誘導
体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導
体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジ
フェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン
誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリ
レン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導
体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペン
タジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キ
ナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾ
ロピリジン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメ
チリデン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や
希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン
誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレ
ン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が
挙げられる。これらは一種もしくは二種以上を混合して
用いることができる。 【００３２】燐光発光性化合物としては特に限定される
ことはないが、オルトメタル化金属錯体、又はポルフィ
リン金属錯体が好ましい。 【００３３】前記オルトメタル化金属錯体とは、例えば
山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」１５０頁、
２３２頁、裳華房社（１９８２年発行）やH.Yersin著
「Photochemistry and Photophisics of Coodination C
ompounds」７１〜７７頁、１３５〜１４６頁、Springer
-Verlag社（１９８７年発行）等に記載されている化合
物群の総称である。該オルトメタル化金属錯体を含む前
記有機化合物層は、高輝度で発光効率に優れる点で有利
である。 【００３４】前記オルトメタル化金属錯体を形成する配
位子としては、種々のものがあり、上記文献にも記載さ
れているが、その中でも好ましい配位子としては、２−
フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導
体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−
ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導
体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換
基を有してもよい。前記オルトメタル化金属錯体は、前
記配位子のほかに、他の配位子を有していてもよい。 【００３５】本発明で用いるオルトメタル化金属錯体は
Inorg.Chem. 1991年, 30号, 1685頁. ,同 1988年, 27
号, 3464頁. ,同 1994年, 33号, 545頁. Inorg.Chim.Ac
ta 1991年，181号, 245頁. J.Organomet.Chem. 1987
年， 335号， 293頁.J.Am.Chem.Soc. 1985年, 107号,
1431頁. 等、種々の公知の手法で合成することができ
る。前記オルトメタル化錯体の中でも、三重項励起子か
ら発光する化合物が本発明においては発光効率向上の観
点から好適に使用することができる。また、ポルフィリ
ン金属錯体の中ではポルフィリン白金錯体が好ましい。 【００３６】前記燐光発光性の化合物は１種単独で使用
してもよいし、２種以上を併用してもよい。また、前記
蛍光発光性化合物と燐光発光性化合物を同時に用いても
よい。本発明においては、発光輝度、発光効率の点か
ら、前記燐光発光性化合物を用いることが好ましい。 【００３７】前記正孔輸送材としては、低分子正孔輸送
材、高分子正孔輸送材いずれも用いることができ、陽極
から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極か
ら注入された電子を障壁する機能のいずれかを有してい
るもので有れば限定されることはなく、例えば以下の材
料を挙げることができる。カルバゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール
誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘
導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレ
ンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換
カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオ
レノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、
シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルア
ミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリ
ン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカ
ルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェン
オリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマ
ー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポ
リフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等
の高分子化合物等が挙げられる。これらは、１種単独で
使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。前記正
孔輸送材の前記発光層における含有量としては０〜９
９．９質量％が好ましく、さらに好ましくは０〜８０質
量％である。 【００３８】前記電子輸送材としては電子を輸送する機
能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか
を有しているもので有れば制限されることはなく例えば
以下の材料を挙げることができる。トリアゾール誘導
体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フ
ルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アン
トロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジ
オキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリ
デンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタ
レンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタ
ロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体
やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾ
チアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金
属錯体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、
ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオ
フェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレン
ビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合
物を挙げることができる。前記電子輸送材の前記発光層
における含有量としては０〜９９．９質量％が好まし
く、さらに好ましくは０〜８０質量％である。 【００３９】前記ホスト材とは、正孔輸送材から正孔
を、電子輸送材から電子を受け取り、その正孔と電子の
対からなる励起子を生成し、この励起子を発光材に渡す
役割を担う化合物で、言い換えれば、その励起状態から
前記蛍光発光性化合物または燐光発光性の化合物へエネ
ルギー移動を起こし、その結果、該蛍光発光性または燐
光発光性の化合物を発光させる機能を有する化合物のこ
とである。前記ホスト材としては励起子エネルギーを発
光材にエネルギー移動できる化合物ならば特に制限はな
く、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には
カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾー
ル誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導
体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、
ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリー
ルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリル
アントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン
誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第
三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチ
リデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノ
ジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン
誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド
誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピ
ラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカ
ルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノ
ール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾ
オキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯
体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ
（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合
体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性
高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニ
レン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフル
オレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。 【００４０】前記ホスト化合物は、１種単独で使用して
もよいし、２種以上を併用してもよい。前記ホスト化合
物の前記発光層における含有量としては０〜９９．９質
量％が好ましく、さらに好ましくは０〜９９．０質量％
である。 【００４１】前記その他の成分としては、特に本発明に
おいては発光層には必要に応じて、電気的に不活性なポ
リマーバインダーを用いることができる。必要に応じて
用いられる電気的に不活性なポリマーバインダーとして
は、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリ
スチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタ
クリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニ
レンオキシド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロー
ス、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン
樹脂、不飽和ポリエステル、アルキド樹脂、エポキシ樹
脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニル
アセタール等を挙げることができる。前記発光層が前記
ポリマーバインダーを含有していると、該発光層を湿式
製膜法により容易にかつ大面積に塗布形成することがで
きる点で有利である。 【００４２】−−他の有機化合物層−− 本発明においては、必要に応じて他の有機化合物層を設
けてもよい。例えば透明電極と発光層の間に正孔注入層
や正孔輸送層、発光層と背面電極との間に電子輸送層や
電子注入層を設けてもよい。 【００４３】正孔輸送層、正孔注入層には、前記正孔輸
送材が、電子輸送層、電子注入層には前記電子輸送材が
好適に用いられる。 【００４４】−−有機化合物層の形成−− 前記有機化合物層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜
法、ディッピング、スピンコート法、ディップコート
法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バー
コート法、グラビアコート法等の湿式製膜法いずれによ
っても好適に製膜することができる。 【００４５】なかでも、前記湿式製膜法による塗布形成
の場合、前記有機化合物層を容易に大面積化することが
でき、高輝度で発光効率に優れた発光素子が低コストで
効率よく得られる点で有利である。なお、これらの製膜
法の種類の選択は、該有機化合物層の材料に応じて適宜
おこなうことができる。前記湿式製膜法により製膜した
場合は、製膜した後、適宜乾燥を行うことができ、該乾
燥の条件としては特に制限はないが、塗布形成した層が
損傷しない範囲の温度等を採用することができる。 【００４６】前記有機化合物層を前記湿式製膜法で塗布
形成する場合、該有機化合物層には、バインダー樹脂を
添加することができる。この場合、該バインダー樹脂と
してはポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレ
ート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオ
キシド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、
フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸
ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不
飽和ポリエステル、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリ
コン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセター
ルなどが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよ
いし、２種以上を併用してもよい。 【００４７】前記有機化合物層を湿式製膜法により塗布
形成する場合、該有機化合物層の材料を溶解して塗布液
を調整する際に用いられる溶剤としては、特に制限はな
く、前記正孔輸送材、前記オルトメタル化錯体、前記ホ
スト材、前記ポリマーバインダー等の種類に応じて適宜
選択することができ、例えば、クロロホルム、四塩化炭
素、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロ
ベンゼン等のハロゲン系溶剤、アセトン、メチルエチル
ケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン系容剤、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族系溶剤、酢酸エチル、酢酸ｎ−
プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸メチル、プロ
ピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、炭酸ジエチル等
のエステル系溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
のエーテル系溶剤、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド等のアミド系溶剤、ジメチルスルホキシド、
水等が挙げられる。 【００４８】なお、前記塗布液における固形分量溶剤に
対する固形分量としては、特に制限はなく、その粘度も
湿式製膜方法に応じて任意に選択することができる。 【００４９】−透明電極− 前記透明電極としては、通常、前記有機化合物層に正孔
を供給する陽極としての機能を有していればよく、その
形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光
素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選
択することができる。前記透明電極を陰極として機能さ
せることもでき、この場合、前記背面電極を陽極として
機能させるようにすればよい。 【００５０】前記透明電極の材料としては、例えば、金
属、合金、金属酸化物、有機導電性化合物、またはこれ
らの混合物を好適に挙げられ、陽極として機能させる場
合は仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料が好ましい。具体
例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫
（ＡＴＯ、ＦＴＯ），酸化錫，酸化亜鉛，酸化インジウ
ム．酸化インジウム錫（ＩＴＯ），酸化亜鉛インジウム
（ＩＺＯ）等の半導性金属酸化物、金，銀，クロム，ニ
ッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化
物との混合物または積層物、ヨウ化銅，硫化銅などの無
機導電性物質、ポリアニリン，ポリチオフェン，ポリピ
ロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯと
の積層物などが挙げられる。 【００５１】前記透明電極は例えば、印刷方式、コーテ
ィング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、
プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などの中から前記材
料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って前記基
板上に形成することができる。例えば、前記透明電極の
材料として、ＩＴＯを選択する場合には、該透明電極の
形成は、直流あるいは高周波スパッタ法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
また前記透明電極の材料として有機導電性化合物を選択
する場合には湿式製膜法に従って行うことができる。 【００５２】前記透明電極の前記発光素子における形成
位置としては、特に制限はなく、該発光素子の用途、目
的に応じて適宜選択することができるが、前記基板上に
形成されるのが好ましい。この場合、該透明電極は、前
記基板における一方の表面の全部に形成されていてもよ
く、その一部に形成されていてもよい。 【００５３】なお、前記透明電極のパターニングは、フ
ォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングにより
行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチング
により行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着や
スパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷
法により行ってもよい。 【００５４】前記透明電極の厚みとしては、前記材料に
より適宜選択することができ、一概に規定することはで
きないが、通常１０ｎｍ〜５０μｍであり、５０ｎｍ〜
２０μｍが好ましい。前記透明電極の表面抵抗値として
は、発熱を抑え、素子の安定性や耐久性を上げるため
に、１０³Ω／□以下が好ましく、１０²Ω／□以下がよ
り好ましい。前記透明電極は、無色透明であっても、有
色透明であってもよく、該透明電極側から発光を取り出
すためには、その透過率としては、６０％以上が好まし
く、７０％以上がより好ましい。この透過率は、分光光
度計を用いた公知の方法に従って測定することができ
る。 【００５５】なお、前記透明電極については、沢田豊監
修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）
に詳述があり、これらを本発明に適用することができ
る。耐熱性の低いプラステチック支持基板を用いる場合
は、ＩＴＯまたはＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温
で製膜した透明電極が好ましい。 【００５６】−背面電極−前記背面電極としては、通
常、前記有機化合物層に電子を注入する陰極としての機
能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等につ
いては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じ
て、公知の電極の中から適宜選択することができる。前
記背面電極を陽極として機能させることもでき、この場
合、前記透明電極を陰極として機能させるようにすれば
よい。 【００５７】前記背面電極の材料としては、例えば、金
属、合金、金属酸化物、有機電気伝導性化合物、これら
の混合物などが挙げられ、陰極として機能させる場合に
は仕事関数が４．５ｅＶ以下のものが好ましい。具体例
としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃ
ｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、
金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合
金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合
金、インジウム，イッテルビウム等の希土類金属、ポリ
チオフェン，ポリピロール，ポリパラフェニレンビニレ
ンやそれらのイオンドープ化合物などの有機電気伝導性
化合物などが挙げられる。これらは、１種単独で使用し
てもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点か
らは、２種以上を好適に併用することができる。 【００５８】これらの中でも、電子注入性の点で、アル
カリ金属やアルカリ度類金属が好ましく、保存安定性に
優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好まし
い。前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニ
ウム単独、又はアルミニウムと０．０１〜１０質量％の
アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属との合金若しく
は混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグ
ネシウム−アルミニウム合金など）をいう。 【００５９】なお、前記背面電極の材料については、特
開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号
公報に詳述されている。 【００６０】前記背面電極の形成法は、特に制限はな
く、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印
刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的
方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、など
の中から前記材料との適性を考慮して適宜選択した方法
に従って前記基板上に形成することができる。例えば、
前記背面電極の材料として、金属等を選択する場合に
は、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法
等に従って行うことができる。 【００６１】なお、前記背面電極のパターニングは、フ
ォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングにより
行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチング
により行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着や
スパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷
法により行ってもよい。 【００６２】前記背面電極の前記発光積層体における形
成位置としては、特に制限はなく、該発光素子の用途、
目的に応じて適宜選択することができるが、前記有機化
合物層上に形成されるのが好ましい。この場合、該背面
電極は、前記有機化合物層上の全部に形成されていても
よく、その一部に形成されていてもよい。また、前記背
面電極と前記有機化合物層との間に前記アルカリ金属又
は前記アルカリ土類金属のフッ化物等による誘電体層を
０．１〜５ｎｍの厚みで挿入しても電子注入性を良化さ
せる観点から好ましい。なお、該誘電体層は、例えば、
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法等により形成することができる。 【００６３】前記背面電極の厚みとしては、前記材料に
より適宜選択することができ、一概に規定することはで
きないが、通常１０ｎｍ〜５μｍであり、５０ｎｍ〜１
μｍが好ましい。前記背面電極は、透明であってもよい
し、不透明であってもよい。なお、透明な背面電極は、
前記背面電極の材料を１〜１０ｎｍの厚みに薄く製膜
し、更に前記ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積
層することにより形成することができる。 【００６４】−その他の層− 前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じ
て適宜選択することができ、例えば、保護層などが挙げ
られる。前記保護層としては、例えば、特開平７−８５
９７４号公報、同７−１９２８６６号公報、同８−２２
８９１号公報、同１０−２７５６８２号公報、同１０−
１０６７４６号公報等に記載のものが好適に挙げられ
る。前記保護層は、前記発光積層体において、その最表
面に、例えば、前記支持基板、前記透明電極、前記有機
化合物層、及び前記背面電極がこの順に積層される場合
には、該背面電極上に形成され、前記支持基板、前記背
面電極、前記有機化合物層、及び前記透明電極がこの順
に積層される場合には、該透明電極上に形成される。前
記保護層の形状、大きさ、厚み等については、適宜選択
することができ、その材料としては、水分や酸素等の発
光素子を劣化させ得るものを該発光素子内に侵入乃至透
過させるのを抑制する機能を有していれば特に制限はな
く、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、酸化ゲルマニウ
ム、二酸化ゲルマニウム、等が挙げられる。 【００６５】前記保護層の形成方法としては、特に限定
はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応
性スパッタリング法、分子センエピタキシ法、クラスタ
ーイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ
重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶ
Ｄ法、コーティング法、などが挙げられる。 【００６６】更に、本発明においては、前記発光積層体
における各層への水分や酸素の侵入を防止する目的で、
封止層を設けるのも好ましい。前記封止層の材料として
は、例えば、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種
のコモノマーとを含む共重合体、共重合主鎖に環状構造
を有する含フッ素共重合体、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリユ
リア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフ
ルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、ク
ロロトリフルオロエチレン及びジクロロジフルオロエチ
レンから選択される２種以上の共重合体、吸水率１％以
上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｌ、Ｎｉ
等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇｅ
Ｏ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｔｉ
Ｏ₂等の金属酸化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、Ｃａ
Ｆ₂等の金属フッ化物、パーフルオロアルカン、パーフ
ルオロアミン、パーフルオロエーテル等の液状フッ素化
炭素、液状フッ素化炭素に水分や酸素を吸着する吸着剤
を分散させたもの、などが挙げられる。上記保護層や封
止層を設けることにより、前記封止カバーと相まって大
気中の水分や酸素が素子内に侵入するのを防止する効果
が高まり、阻止の耐久性を向上させることができる。 【００６７】本発明の発光素子は、前記透明電極と前記
背面電極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んで
もよい）電圧（通常２ボルト〜４０ボルト）、又は直流
電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の発光素子の駆動については、特開平２−１４８
６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０
号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同
８−２４１０４７号、米国特許５８２８４２９号、同６
０２３３０８号、日本特許第２７８４６１５号、等に記
載の方法を利用することができる。 【００６８】 【実施例】以下に、本発明の発光素子の実施例について
説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定され
るものではない。 【００６９】（実施例１）基板としてとして厚みが０．
２ｍｍのポリエステルフィルム（帝人テトロンフィル
ム、帝人（株）製、軟化点１６０℃）を２．５ｃｍ角に
切断し、スパッタ真空チャンバー内に導入し、ＳｉＯ₂
ターゲットを用いて、ＤＣマグネトロンスパッタ（条
件：基材温度１００℃、酸素圧１×１０^-3Ｐａ）によ
り、ガスバリア層としてのＳｉＯ₂薄膜（厚み０．１μ
ｍ）を両面に形成した。さらにＺｎＯ₂含有率が１０質
量％であるＩＺＯターゲット（Ｉｎ₂Ｏ₃：ＺｎＯ＝９
０：１０（モル比））を用いて、ＤＣマグネトロンスパ
ッタ（条件：基材温度１００℃、酸素圧１×１０^-3Ｐ
ａ）により、透明電極としてのＩＺＯ薄膜（厚み０．２
μｍ）をガスバリア層上に形成した。ＩＺＯ薄膜の表面
抵抗は１０Ω／□であった。 【００７０】次に、この透明電極を形成した基板を洗浄
容器に入れ、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄し
た後、これにＵＶ−オゾン処理を３０分おこなった。こ
の透明電極上に正孔輸送層として、Ｎ，Ｎ’−ジナフチ
ル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジジンを真空蒸着法に
て１ｎｍ／秒の速度で０．０４μｍ設けた。この上に燐
光発光材であるオルトメタル錯体としトリス（２−フェ
ニルピリジル）イリジウム錯体およびホスト材として、
４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニルをそれ
ぞれ０．１ｎｍ／秒、１ｎｍ／秒の速度で共蒸着して、
０．０２４μｍの発光層を得た。さらにその上に、電子
輸送材として２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼ
ントリイル）トリス[３−（２−メチルフェニル）−３
Ｈ−イミダゾ[４，５−ｂ]ピリジン]を１ｎｍ／秒の速
度で蒸着して０．０２４μｍの電子輸送層を設けた。 【００７１】さらにこの電子輸送層上にパターニングし
たマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を
設置し、蒸着装置内でマグネシウム：銀＝１０：１（モ
ル比）を０．２５μｍ蒸着し、銀を０．３μｍ蒸着して
背面電極を形成した。前記透明電極（陽極として機能す
る）及び前記背面電極より、それぞれアルミニウムのリ
ード線を結線し、発光積層体を形成した。 【００７２】一方、３０μｍ厚みのアルミ箔の両面に、
５０μｍ厚みのポリイミドシート（ユーピレックス５０
Ｓ、宇部興産製）をラミネートし、本発明の封止カバー
を作成した。この封止カバーの水分透過度は０．０１ｇ
／ｍ²・ｄａｙ以下（ＭＯＣＯＮ法、２５℃、９０％Ｒ
Ｈ）、酸素透過度は０．０１ｃｃ／ｍ²・ｄａｙ・ａｔ
ｍ以下（ＭＯＣＯＮ法、２５℃、０％ＲＨ）であった。
前記発光積層体を形成した基板を窒素置換したグローブ
ボックス内に入れ、発光積層体の周辺部に２液混合熱硬
化型封止接着剤（アラルダイト、昭和高分子製）を塗布
し、５０℃で２時間加熱し硬化させた。以上により実施
例１の発光素子を作成した。 【００７３】該発光素子を用いて、以下の方法で評価し
た。東洋テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型
を用いて、直流電圧を有機ＥＬ素子に印加し発光させ
た。その時の最高輝度をＬ_max、Ｌ_maxが得られた時の電
圧をＶ_maxとした。さらに２００Ｃｄ／ｍ²時の発光効率
を外部量子効率（η_{20 0}）として表１に示した。また、
この発光素子を８５℃、９５％ＲＨの条件で、３０日放
置し、３０日保存後の発光性能を測定した。その時の最
高輝度をＬ_max(30)、Ｌ_max(30)が得られた時の電圧をＶ
_max(30)とした。さらに２００Ｃｄ／ｍ²時の発光効率を
外部量子効率（η_200(30)）として表１に示した。 【００７４】（実施例２）実施例１において、封止カバ
ーとして、以下に記したものを用いる以外は実施例１と
同じ方法で発光素子を作成し、実施例１と同じ方法で評
価した。その結果を表１に示した。 実施例２での封止カバー：５０μｍ厚みのアルミ箔の両
面に、ＤＣマグネトロンスパッタ（条件：基材温度１０
０℃、酸素圧１×１０^-3Ｐａ）により、ＳｉＯ ₂薄膜
（厚み０．１μｍ）を両面に形成した。この封止カバー
の水分透過度は０．０１ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下（ＭＯＣ
ＯＮ法、条件は実施例１と同じ）、酸素透過度は０．０
１ｃｃ／ｍ²・ｄａｙ・ａｔｍ以下（ＭＯＣＯＮ法、条
件は実施例１と同じ）であった。 【００７５】（実施例３）実施例１において、封止カバ
ーとして、以下に記したものを用いる以外は実施例１と
同じ方法で発光素子を作成し、実施例１と同じ方法で評
価した。その結果を表１に示した。 実施例３での封止カバー：３０μｍ厚みのアルミ箔の方
面に、ＤＣマグネトロンスパッタ（条件：基材温度１０
０℃、酸素圧１×１０^-3Ｐａ）により、ＳｉＯ ₂薄膜
（厚み０．１μｍ）を両面に形成した。もう一面に５０
μｍ厚みのポリイミドシート（ユーピレックス５０Ｓ、
宇部興産製）をラミネートし、本発明の封止カバーを作
成した。この封止カバーの水分透過度は０．０１ｇ／ｍ
²・ｄａｙ以下（ＭＯＣＯＮ法、条件は実施例１と同
じ）、酸素透過度は０．０１ｃｃ／ｍ ²・ｄａｙ・ａｔ
ｍ以下（ＭＯＣＯＮ法、条件は実施例１と同じ）であっ
た。尚、該封止カバーは、ＳｉＯ₂薄膜側を発光積層体
側に向け用いた。 【００７６】（実施例４）実施例１において、封止カバ
ーとして、以下に記したものを用いる以外は実施例１と
同じ方法で発光素子を作成し、実施例１と同じ方法で評
価した。その結果を表１に示した。 実施例４での封止カバー：３０μｍ厚みのアルミ箔の方
面に、ＤＣマグネトロンスパッタ（条件：基材温度１０
０℃、酸素圧１×１０^-3Ｐａ）により、ＳｉＯ ₂薄膜
（厚み０．１μｍ）を両面に形成し、本発明の封止カバ
ーを作成した。この封止カバーの水分透過度は０．０１
ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下（ＭＯＣＯＮ法、条件は実施例１
と同じ）、酸素透過度は０．０１ｃｃ／ｍ²・ｄａｙ・
ａｔｍ以下（ＭＯＣＯＮ法、条件は実施例１と同じ）で
あった。尚、該封止カバーは、ＳｉＯ₂薄膜側を発光積
層体側に向け用いた。 【００７７】（比較例１）実施例１において、封止カバ
ーとして、以下に記したものを用いる以外は実施例１と
同じ方法で発光素子を作成し、実施例１と同じ方法で評
価した。その結果を表１に示した。 比較例１での封止カバー：５０μｍ厚みのポリイミドシ
ート（ユーピレックス５０Ｓ、宇部興産製）を用いた。
この封止カバーの水分透過度は１．５ｇ／ｍ²・ｄａｙ
（ＭＯＣＯＮ法、条件は実施例１と同じ）、酸素透過度
は２．５ｃｃ／ｍ²・ｄａｙ・ａｔｍ（ＭＯＣＯＮ法、
条件は実施例１と同じ）であった。 【００７８】 【表１】 【００７９】表１から、本発明の発光素子は輝度や発光
効率の発光性能に優れ、特に３０日保存後の発光性能の
結果から、耐久性に関しては比較例１と比べると格段に
優れていることが分かる。 【００８０】 【発明の効果】本発明によると、フルカラーディスプレ
イ、バックライト等の面光源やプリンター等の光源アレ
イなどに有効に利用できる、高輝度で発光効率が極めて
高く、耐久性に優れたフレキシブルな発光素子を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の発光素子の一例の概略断面図である。 【図２】封止カバーの一例の断面図である。 【図３】封止カバーの一例の断面図である。 【符号の説明】 １ 支持基板 ２ 透明電極 ３ 有機化合物層 ４ 背面電極 ５ 透明電極リード ６ 背面電極リード ７ 発光積層体 ８ 封止接着剤 ９ 封止接着剤 １０ 封止カバー １１ 空間 １２ 金属箔 １３ 絶縁体 １４ 絶縁体

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 支持基板上に、透明電極、少なくとも発
   光層を含む有機化合物層、及び背面電極からなる発光積
   層体、並びに封止カバーを有する発光素子であって、該
   封止カバーは、水分透過度が０．０１ｇ／ｍ²・ｄａｙ
   以下、かつ酸素透過度が０．０１ｃｃ／ｍ²・ｄａｙ・
   ａｔｍ以下の可撓性のあるシートであり、該封止カバー
   と該発光積層体との間に空間を有することを特徴とする
   発光素子。