JP2003280582A - 表示装置およびその駆動方法 - Google Patents
表示装置およびその駆動方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学素子の劣化が生じる。
【解決手段】 表示装置１０は、それぞれ電流駆動型の
光学素子ＯＬＥＤ１を含む複数の画素回路と、各光学素
子ＯＬＥＤ１に電力を供給する電源Ｖｄｄと、電位制御
部２０を有する。電位制御部２０は、電源Ｖｄｄを各有
機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１のアノードに接続して各有機ＥＬ
素子ＯＬＥＤ１を発光させる一方、電源Ｖｄｄを各有機
ＥＬ素子ＯＬＥＤ１のカソードに接続して各有機ＥＬ素
子ＯＬＥＤ１に対して発光時とは逆のバイアスを生じさ
せる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に逆のバイアスを生じさ
せることにより、素子劣化を低減することができる。
光学素子ＯＬＥＤ１を含む複数の画素回路と、各光学素
子ＯＬＥＤ１に電力を供給する電源Ｖｄｄと、電位制御
部２０を有する。電位制御部２０は、電源Ｖｄｄを各有
機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１のアノードに接続して各有機ＥＬ
素子ＯＬＥＤ１を発光させる一方、電源Ｖｄｄを各有機
ＥＬ素子ＯＬＥＤ１のカソードに接続して各有機ＥＬ素
子ＯＬＥＤ１に対して発光時とは逆のバイアスを生じさ
せる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に逆のバイアスを生じさ
せることにより、素子劣化を低減することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置およびそ
の駆動方法に関する。本発明は特に、アクティブマトリ
ックス型の表示装置およびその駆動方法に関する。
の駆動方法に関する。本発明は特に、アクティブマトリ
ックス型の表示装置およびその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、発光素子として機能する有機ＥＬ
（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔ
ｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子を用いた表示装置が、ＣＲＴ
やＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。特
に、複数の画素が縦横にマトリックス状に多数配置され
たアクティブマトリックス型の表示装置の研究開発が盛
んに進められている。アクティブマトリックス型の表示
装置において、各画素にはスイッチング用の素子が配置
され、映像データはスイッチング用の素子によって走査
ラインごとに順次書込まれる。
（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔ
ｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子を用いた表示装置が、ＣＲＴ
やＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。特
に、複数の画素が縦横にマトリックス状に多数配置され
たアクティブマトリックス型の表示装置の研究開発が盛
んに進められている。アクティブマトリックス型の表示
装置において、各画素にはスイッチング用の素子が配置
され、映像データはスイッチング用の素子によって走査
ラインごとに順次書込まれる。
【０００３】有機ＥＬ素子を用いた表示装置の実用化設
計は草創期にあり、様々な画素回路が提案されている。
図３にそのような回路の一例を示す。
計は草創期にあり、様々な画素回路が提案されている。
図３にそのような回路の一例を示す。
【０００４】この回路は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、単にＴＦＴ
という）であるトランジスタＴｒ１０およびトランジス
タＴｒ２０、並びに容量Ｃを含む。トランジスタＴｒ１
０はスイッチング用、トランジスタＴｒ２０は有機ＥＬ
素子ＯＬＥＤ１０を駆動する駆動用である。トランジス
タＴｒ１０において、ゲート電極は走査線１１０に接続
され、ドレイン電極（またはソース電極）はデータ線１
１２に接続され、ソース電極（またはドレイン電極）は
トランジスタＴｒ２０のゲート電極および容量Ｃの一方
の電極に接続される。容量Ｃの他方の電極はトランジス
タＴｒ２０のソース電極に接続される。データ線１１２
は図示しない定電圧源に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥ
Ｄ１０に流れる電流を決定する輝度データを伝達する。
Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、単にＴＦＴ
という）であるトランジスタＴｒ１０およびトランジス
タＴｒ２０、並びに容量Ｃを含む。トランジスタＴｒ１
０はスイッチング用、トランジスタＴｒ２０は有機ＥＬ
素子ＯＬＥＤ１０を駆動する駆動用である。トランジス
タＴｒ１０において、ゲート電極は走査線１１０に接続
され、ドレイン電極（またはソース電極）はデータ線１
１２に接続され、ソース電極（またはドレイン電極）は
トランジスタＴｒ２０のゲート電極および容量Ｃの一方
の電極に接続される。容量Ｃの他方の電極はトランジス
タＴｒ２０のソース電極に接続される。データ線１１２
は図示しない定電圧源に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥ
Ｄ１０に流れる電流を決定する輝度データを伝達する。
【０００５】トランジスタＴｒ２０において、ソース電
極は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１０のアノードに接続され、
ドレイン電極は電源線１１４に接続される。電源線１１
４は画素領域外に設けられた電源Ｖｄｄに接続され、実
際に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１０を発光させるための電圧
が印加される。
極は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１０のアノードに接続され、
ドレイン電極は電源線１１４に接続される。電源線１１
４は画素領域外に設けられた電源Ｖｄｄに接続され、実
際に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１０を発光させるための電圧
が印加される。
【０００６】有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１０は、アノードと
カソードとの間に挟まれた発光素子層を含む。有機ＥＬ
素子ＯＬＥＤ１０のアノードはトランジスタＴｒ２のソ
ース電極に接続され、カソードは接地される。
カソードとの間に挟まれた発光素子層を含む。有機ＥＬ
素子ＯＬＥＤ１０のアノードはトランジスタＴｒ２のソ
ース電極に接続され、カソードは接地される。
【０００７】以上の構成による表示装置の動作を説明す
る。まず、走査線１１０を選択してトランジスタＴｒ１
０をオンとした後、データ線１１２にデータ電位を与え
る。このとき、容量Ｃの電極の電位が上昇する。同時
に、トランジスタＴｒ２０のゲート電極の電位も容量Ｃ
の電極の電位と同じに推移する。
る。まず、走査線１１０を選択してトランジスタＴｒ１
０をオンとした後、データ線１１２にデータ電位を与え
る。このとき、容量Ｃの電極の電位が上昇する。同時
に、トランジスタＴｒ２０のゲート電極の電位も容量Ｃ
の電極の電位と同じに推移する。
【０００８】トランジスタＴｒ２０のゲート電極の電位
が所定値以上になると、その電圧に応じた電流が電源線
１１４から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１０に流れ、有機ＥＬ
素子ＯＬＥＤ１０が発光する。走査線１１０を非選択と
しても、トランジスタＴｒ２０のゲート電位は容量Ｃに
より保持されるので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１０は、ト
ランジスタＴｒ２０のゲート電極に印加されるデータ電
位に応じた輝度で発光しつづける。
が所定値以上になると、その電圧に応じた電流が電源線
１１４から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１０に流れ、有機ＥＬ
素子ＯＬＥＤ１０が発光する。走査線１１０を非選択と
しても、トランジスタＴｒ２０のゲート電位は容量Ｃに
より保持されるので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１０は、ト
ランジスタＴｒ２０のゲート電極に印加されるデータ電
位に応じた輝度で発光しつづける。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、有機ＥＬ素子
を用いた表示装置においては、経年変化により素子劣化
が生じ、そのために輝度のばらつきが発生するという問
題がある。素子劣化の原因の一つに、有機ＥＬ素子にお
ける有機層と無機層の界面や有機層と有機層の界面、ま
たはバルク状に形成された有機層内に生じるキャリアの
トラップ現象が挙げられる。この現象によれば、有機Ｅ
Ｌ素子内でトラップされたキャリアが内部電界を形成す
るため、有機ＥＬ素子に印加される電圧による電界が実
質的に減少してしまい、駆動初期において輝度低下が見
られる。そこで、逆方向に電界を与えてトラップされた
キャリアを解放すれば輝度低下を緩和できるとされてい
る（城戸淳二監修「有機ＥＬ材料とディスプレイ」、株
式会社シーエムシー発行）。
を用いた表示装置においては、経年変化により素子劣化
が生じ、そのために輝度のばらつきが発生するという問
題がある。素子劣化の原因の一つに、有機ＥＬ素子にお
ける有機層と無機層の界面や有機層と有機層の界面、ま
たはバルク状に形成された有機層内に生じるキャリアの
トラップ現象が挙げられる。この現象によれば、有機Ｅ
Ｌ素子内でトラップされたキャリアが内部電界を形成す
るため、有機ＥＬ素子に印加される電圧による電界が実
質的に減少してしまい、駆動初期において輝度低下が見
られる。そこで、逆方向に電界を与えてトラップされた
キャリアを解放すれば輝度低下を緩和できるとされてい
る（城戸淳二監修「有機ＥＬ材料とディスプレイ」、株
式会社シーエムシー発行）。
【００１０】本発明はこうした状況に鑑みなされたもの
であり、その目的は光学素子の劣化を低減させる点にあ
る。本発明の別の目的は光学素子の劣化を低減させるこ
とにより輝度のばらつきを解消する点にある。本発明の
さらに別の目的は、光学素子の寿命を延ばすことにあ
る。
であり、その目的は光学素子の劣化を低減させる点にあ
る。本発明の別の目的は光学素子の劣化を低減させるこ
とにより輝度のばらつきを解消する点にある。本発明の
さらに別の目的は、光学素子の寿命を延ばすことにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のある態様は表示
装置に関する。この装置は、それぞれ電流駆動型の光学
素子を含む複数の画素回路と、各光学素子に電力を供給
する電源と、電源を各光学素子の一端に接続して各光学
素子を発光させる一方、電源を各光学素子の他端に接続
して各光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じ
させる電位制御部と、を有する。ここで、電位制御部
は、複数の画素回路にそれぞれ含まれるそれぞれの光学
素子に同時に発光時とは逆のバイアスを生じさせてよ
い。ここで、光学素子の一端とは、光学素子のアノー
ド、他端とはカソードであってよい。光学素子に対して
発光時とは逆のバイアスを生じさせることにより、光学
素子の界面等にトラップされたキャリアを解放すること
ができ、素子劣化を低減することができる。
装置に関する。この装置は、それぞれ電流駆動型の光学
素子を含む複数の画素回路と、各光学素子に電力を供給
する電源と、電源を各光学素子の一端に接続して各光学
素子を発光させる一方、電源を各光学素子の他端に接続
して各光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じ
させる電位制御部と、を有する。ここで、電位制御部
は、複数の画素回路にそれぞれ含まれるそれぞれの光学
素子に同時に発光時とは逆のバイアスを生じさせてよ
い。ここで、光学素子の一端とは、光学素子のアノー
ド、他端とはカソードであってよい。光学素子に対して
発光時とは逆のバイアスを生じさせることにより、光学
素子の界面等にトラップされたキャリアを解放すること
ができ、素子劣化を低減することができる。
【００１２】本発明の別の態様も表示装置に関する。こ
の装置は、それぞれ電流駆動型の光学素子を含む複数の
画素回路と、各光学素子の一端に電力を供給して該光学
素子を発光させる第一の電源と、各光学素子の他端に電
力を供給する第二の電源と、第一の電源の電位を第二の
電源の電位よりも高くして各光学素子を発光させる一
方、第二の電源の電位を第一の電源の電位よりも高くし
て各光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じさ
せる電位制御部と、を有する。光学素子に対して発光時
とは逆のバイアスを生じさせることにより、光学素子の
界面等にトラップされたキャリアを解放することがで
き、素子劣化を低減することができる。
の装置は、それぞれ電流駆動型の光学素子を含む複数の
画素回路と、各光学素子の一端に電力を供給して該光学
素子を発光させる第一の電源と、各光学素子の他端に電
力を供給する第二の電源と、第一の電源の電位を第二の
電源の電位よりも高くして各光学素子を発光させる一
方、第二の電源の電位を第一の電源の電位よりも高くし
て各光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じさ
せる電位制御部と、を有する。光学素子に対して発光時
とは逆のバイアスを生じさせることにより、光学素子の
界面等にトラップされたキャリアを解放することがで
き、素子劣化を低減することができる。
【００１３】電位制御部は、複数の画素回路のいずれに
対しても輝度データの書込みが行われていないときに、
各光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じさせ
てよい。
対しても輝度データの書込みが行われていないときに、
各光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じさせ
てよい。
【００１４】電位制御部は、１または複数のフレームを
周期として光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを
生じさせてよい。フレームを周期として逆のバイアスを
生じさせることにより、利用者に発光の停止を感じさせ
ることのないスムーズな表示が容易になる。
周期として光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを
生じさせてよい。フレームを周期として逆のバイアスを
生じさせることにより、利用者に発光の停止を感じさせ
ることのないスムーズな表示が容易になる。
【００１５】電位制御部は、あるフレームにおける複数
の画素回路全てに対する輝度データの書込みが終了した
後、次のフレームの書込みが開始されるまでの間に光学
素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じさせてよ
い。このように、ＣＲＴ（cathode-ray tube）でいう所
のいわゆる垂直帰線期間において、光学素子に逆のバイ
アスを生じさせることにより、利用者に発光の停止を感
じさせることのないスムーズな表示が容易になる。
の画素回路全てに対する輝度データの書込みが終了した
後、次のフレームの書込みが開始されるまでの間に光学
素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じさせてよ
い。このように、ＣＲＴ（cathode-ray tube）でいう所
のいわゆる垂直帰線期間において、光学素子に逆のバイ
アスを生じさせることにより、利用者に発光の停止を感
じさせることのないスムーズな表示が容易になる。
【００１６】電位制御部は、複数の画素回路に対してあ
るフレームの輝度データの書込みが行われている間、各
光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じさせ、
複数の画素回路に対する次のフレームの輝度データの書
込みが開始されるまでの間に各光学素子を発光させてよ
い。このように、フレームごとの輝度データの書込み終
了後に各光学素子を発光させることにより、スムーズな
表示が容易になる。また、各光学素子が発光されていな
いときに逆のバイアスを生じさせることにより、光学素
子の界面等にトラップされたキャリアを解放することが
でき、素子劣化を低減することができる。
るフレームの輝度データの書込みが行われている間、各
光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じさせ、
複数の画素回路に対する次のフレームの輝度データの書
込みが開始されるまでの間に各光学素子を発光させてよ
い。このように、フレームごとの輝度データの書込み終
了後に各光学素子を発光させることにより、スムーズな
表示が容易になる。また、各光学素子が発光されていな
いときに逆のバイアスを生じさせることにより、光学素
子の界面等にトラップされたキャリアを解放することが
でき、素子劣化を低減することができる。
【００１７】電位制御部は、複数の画素回路の一部に輝
度データの書込みが行われている間、各光学素子に対し
て発光時とは逆のバイアスを生じさせてもよい。
度データの書込みが行われている間、各光学素子に対し
て発光時とは逆のバイアスを生じさせてもよい。
【００１８】本発明のさらに別の態様は、それぞれ電流
駆動型の光学素子を含む複数の画素回路を含む表示装置
の駆動方法に関する。この方法は、各光学素子への電力
の供給方向を変えて、各光学素子に発光時とは逆のバイ
アスを生じさせる。
駆動型の光学素子を含む複数の画素回路を含む表示装置
の駆動方法に関する。この方法は、各光学素子への電力
の供給方向を変えて、各光学素子に発光時とは逆のバイ
アスを生じさせる。
【００１９】この方法において、複数の画素回路のいず
れに対しても輝度データの書込みが行われていないとき
に、各光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じ
させてよい。
れに対しても輝度データの書込みが行われていないとき
に、各光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じ
させてよい。
【００２０】この方法において、１または複数のフレー
ムを周期として光学素子に対して発光時とは逆のバイア
スを生じさせてよい。
ムを周期として光学素子に対して発光時とは逆のバイア
スを生じさせてよい。
【００２１】この方法において、あるフレームにおける
複数の画素回路全てに対する輝度データの書込みが終了
した後、次のフレームの書込みが開始されるまでの間に
光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じさせて
よい。
複数の画素回路全てに対する輝度データの書込みが終了
した後、次のフレームの書込みが開始されるまでの間に
光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じさせて
よい。
【００２２】この方法において、複数の画素回路に対し
てあるフレームの輝度データの書込みが行われている
間、各光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じ
させ、複数の画素回路に対する次のフレームの輝度デー
タの書込みが開始されるまでの間に各光学素子を発光さ
せてよい。
てあるフレームの輝度データの書込みが行われている
間、各光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じ
させ、複数の画素回路に対する次のフレームの輝度デー
タの書込みが開始されるまでの間に各光学素子を発光さ
せてよい。
【００２３】この方法において、複数の画素回路の一部
に輝度データの書込みが行われている間に、各光学素子
に対して発光時とは逆のバイアスを生じさせてもよい。
に輝度データの書込みが行われている間に、各光学素子
に対して発光時とは逆のバイアスを生じさせてもよい。
【００２４】なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本
発明の表現を方法、装置、システム、などの間で変換し
たものもまた、本発明の態様として有効である。
発明の表現を方法、装置、システム、などの間で変換し
たものもまた、本発明の態様として有効である。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下の実施の形態においては、表
示装置としてアクティブマトリックス型有機ＥＬディス
プレイを想定する。
示装置としてアクティブマトリックス型有機ＥＬディス
プレイを想定する。
【００２６】（第一の実施の形態）本実施の形態におい
ては、１フレームを周期として、各画素への輝度データ
の書込みが行われていないときに有機ＥＬ素子に発光時
とは逆のバイアスを生じさせる。図１は、本発明の第一
の実施の形態に係る表示装置の１フレーム分の画素回路
の構成を示す。この表示装置１０は、横方向にｍ個の画
素、縦方向にｎ個の画素を含み、１フレームは計ｍ×ｎ
個の画素で構成される。各画素は、第一のトランジスタ
Ｔｒ１、第二のトランジスタＴｒ２、および有機ＥＬ素
子ＯＬＥＤ１をそれぞれ有する。第一のトランジスタＴ
ｒ１はスイッチング用、第二のトランジスタＴｒ２は有
機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を駆動する駆動用である。本実施
の形態において、第一のトランジスタＴｒ１および第二
のトランジスタＴｒ２はｎチャネル型である。
ては、１フレームを周期として、各画素への輝度データ
の書込みが行われていないときに有機ＥＬ素子に発光時
とは逆のバイアスを生じさせる。図１は、本発明の第一
の実施の形態に係る表示装置の１フレーム分の画素回路
の構成を示す。この表示装置１０は、横方向にｍ個の画
素、縦方向にｎ個の画素を含み、１フレームは計ｍ×ｎ
個の画素で構成される。各画素は、第一のトランジスタ
Ｔｒ１、第二のトランジスタＴｒ２、および有機ＥＬ素
子ＯＬＥＤ１をそれぞれ有する。第一のトランジスタＴ
ｒ１はスイッチング用、第二のトランジスタＴｒ２は有
機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を駆動する駆動用である。本実施
の形態において、第一のトランジスタＴｒ１および第二
のトランジスタＴｒ２はｎチャネル型である。
【００２７】各画素は、同じ構成を有するので、ここで
は第１１画素Ｐ11について説明する。第一のトランジス
タＴｒ１において、ゲート電極は第一の走査線ＳＬ１に
接続され、ドレイン電極（またはソース電極）は第一の
データ線ＤＬ１に接続され、ソース電極（またはドレイ
ン電極）は第二のトランジスタＴｒ２のゲート電極に接
続される。各データ線ＤＬ１〜ＤＬｍは、それぞれ図示
しない定電圧源に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に
流れる電流を決定する輝度データを伝搬する。
は第１１画素Ｐ11について説明する。第一のトランジス
タＴｒ１において、ゲート電極は第一の走査線ＳＬ１に
接続され、ドレイン電極（またはソース電極）は第一の
データ線ＤＬ１に接続され、ソース電極（またはドレイ
ン電極）は第二のトランジスタＴｒ２のゲート電極に接
続される。各データ線ＤＬ１〜ＤＬｍは、それぞれ図示
しない定電圧源に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に
流れる電流を決定する輝度データを伝搬する。
【００２８】第二のトランジスタＴｒ２において、ドレ
イン電極は第一の電源線１２に接続され、ソース電極は
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１のアノードに接続される。第一
の電源線１２は画素領域外に設けられた第一の電源１４
に接続される。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、アノードと
カソードとの間に挟まれた発光素子層を含む。有機ＥＬ
素子ＯＬＥＤ１のカソードは第二の電源線１６に接続さ
れる。第二の電源線１６は、画素領域外に設けられた第
二の電源１８に接続される。第一の電源１４および第二
の電源１８は、それぞれ所定の電圧Ｖｄｄを供給可能で
あり、Ｖｄｄと接地電位ＧＮＤとに接続切替え可能なス
イッチを有する。表示装置１０は、第一の電源１４およ
び第二の電源１８のスイッチを制御する電位制御部２０
を有する。電位制御部２０は、通常、第一の電源１４の
スイッチをＶｄｄに接続すると共に第二の電源１８のス
イッチをＧＮＤに接続している。これにより、第一の電
源線１２には実際に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を発光させ
るための電圧が印加される。
イン電極は第一の電源線１２に接続され、ソース電極は
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１のアノードに接続される。第一
の電源線１２は画素領域外に設けられた第一の電源１４
に接続される。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、アノードと
カソードとの間に挟まれた発光素子層を含む。有機ＥＬ
素子ＯＬＥＤ１のカソードは第二の電源線１６に接続さ
れる。第二の電源線１６は、画素領域外に設けられた第
二の電源１８に接続される。第一の電源１４および第二
の電源１８は、それぞれ所定の電圧Ｖｄｄを供給可能で
あり、Ｖｄｄと接地電位ＧＮＤとに接続切替え可能なス
イッチを有する。表示装置１０は、第一の電源１４およ
び第二の電源１８のスイッチを制御する電位制御部２０
を有する。電位制御部２０は、通常、第一の電源１４の
スイッチをＶｄｄに接続すると共に第二の電源１８のス
イッチをＧＮＤに接続している。これにより、第一の電
源線１２には実際に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を発光させ
るための電圧が印加される。
【００２９】表示装置１０は、各走査線ＳＬ１からＳＬ
ｎを選択するタイミングを制御する走査タイミング制御
部２２をさらに有する。電位制御部２０は走査タイミン
グ制御部２２からの信号を受け取り、第一の電源１４お
よび第二の電源１８のスイッチの切替えタイミングを制
御する。また、同様に、走査タイミング制御部２２は電
位制御部２０からの信号を受け取り、各走査線ＳＬ１か
らＳＬｎを選択するタイミングを制御する。
ｎを選択するタイミングを制御する走査タイミング制御
部２２をさらに有する。電位制御部２０は走査タイミン
グ制御部２２からの信号を受け取り、第一の電源１４お
よび第二の電源１８のスイッチの切替えタイミングを制
御する。また、同様に、走査タイミング制御部２２は電
位制御部２０からの信号を受け取り、各走査線ＳＬ１か
らＳＬｎを選択するタイミングを制御する。
【００３０】以上の構成による表示装置１０の動作を説
明する。各画素への輝度データの書込み時には、電位制
御部２０は、第一の電源１４のスイッチをＶｄｄに接続
すると共に第二の電源１８のスイッチをＧＮＤに接続し
ている。まず、走査タイミング制御部２２が第一の走査
線ＳＬ１が選択し、第一のトランジスタＴｒ１をオンと
した後、第一のデータ線ＤＬ１にデータ電位を与えて輝
度データを書込む。このとき、第二のトランジスタＴｒ
２のゲート電極にデータ電位が保持される。第二のトラ
ンジスタＴｒ２のゲート電極の電位が所定値以上になる
と、その電圧に応じた電流が第一の電源線１２から有機
ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１が
発光する。同様にして、第一行目の第１１画素Ｐ１１か
ら第１ｍ画素Ｐ１ｍまでの輝度データの書込みが行われ
る。
明する。各画素への輝度データの書込み時には、電位制
御部２０は、第一の電源１４のスイッチをＶｄｄに接続
すると共に第二の電源１８のスイッチをＧＮＤに接続し
ている。まず、走査タイミング制御部２２が第一の走査
線ＳＬ１が選択し、第一のトランジスタＴｒ１をオンと
した後、第一のデータ線ＤＬ１にデータ電位を与えて輝
度データを書込む。このとき、第二のトランジスタＴｒ
２のゲート電極にデータ電位が保持される。第二のトラ
ンジスタＴｒ２のゲート電極の電位が所定値以上になる
と、その電圧に応じた電流が第一の電源線１２から有機
ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１が
発光する。同様にして、第一行目の第１１画素Ｐ１１か
ら第１ｍ画素Ｐ１ｍまでの輝度データの書込みが行われ
る。
【００３１】次に、第二の走査線ＳＬ２が選択され、第
２行目の第２１画素Ｐ２１から第２ｍ画素Ｐ２ｍまでの
輝度データの書込みが行われる。第二の走査線ＳＬ２が
選択されたとき、第一の走査線ＳＬ１は非選択となる
が、第二のトランジスタＴｒ２により輝度データが保持
されているため、第１１画素Ｐ１１から第１ｍ画素Ｐ１
ｍにおける有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、輝度データに応
じた輝度で発光しつづける。
２行目の第２１画素Ｐ２１から第２ｍ画素Ｐ２ｍまでの
輝度データの書込みが行われる。第二の走査線ＳＬ２が
選択されたとき、第一の走査線ＳＬ１は非選択となる
が、第二のトランジスタＴｒ２により輝度データが保持
されているため、第１１画素Ｐ１１から第１ｍ画素Ｐ１
ｍにおける有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、輝度データに応
じた輝度で発光しつづける。
【００３２】同様にして、第三の走査線ＳＬ３から第ｎ
の走査線ＳＬｎが順次選択され、第ｎｍ画素Ｐｎｍへの
輝度データの書込みにより、このフレームにおける輝度
データの書込みが終了する。この後、走査タイミング制
御部２２は再び第一の走査線ＳＬ１を選択し、次のフレ
ームの輝度データの書込みが開始される。本実施の形態
においては、現フレームの輝度データの書込み終了後、
次のフレームの輝度データの書込みが開始されるまでの
タイミングにおいて、電位制御部２０は走査タイミング
制御部２２からの信号を受け、第一の電源１４のスイッ
チを切替えて第一の電源線１２をＧＮＤに接続すると共
に第二の電源１８のスイッチを切替えて第二の電源線１
６をＶｄｄに接続する。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬ
ＥＤ１のカソードの電位がアノードの電位よりも高くな
り、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１には逆のバイアスがかけら
れる。
の走査線ＳＬｎが順次選択され、第ｎｍ画素Ｐｎｍへの
輝度データの書込みにより、このフレームにおける輝度
データの書込みが終了する。この後、走査タイミング制
御部２２は再び第一の走査線ＳＬ１を選択し、次のフレ
ームの輝度データの書込みが開始される。本実施の形態
においては、現フレームの輝度データの書込み終了後、
次のフレームの輝度データの書込みが開始されるまでの
タイミングにおいて、電位制御部２０は走査タイミング
制御部２２からの信号を受け、第一の電源１４のスイッ
チを切替えて第一の電源線１２をＧＮＤに接続すると共
に第二の電源１８のスイッチを切替えて第二の電源線１
６をＶｄｄに接続する。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬ
ＥＤ１のカソードの電位がアノードの電位よりも高くな
り、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１には逆のバイアスがかけら
れる。
【００３３】続いて、電位制御部２０は、再び第一の電
源１４のスイッチを切替えて第一の電源線１２をＶｄｄ
に接続すると共に第二の電源１８のスイッチを切替えて
第二の電源線１６をＧＮＤに接続する。これにより、第
一の電源線１２には有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を発光させ
るための電圧が印加される。各画素の第二のトランジス
タＴｒ２のゲート電極には、輝度データが保持されてい
るので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は輝度データに応じた
輝度で再び発光する。走査タイミング制御部２２は、電
位制御部２０からの信号を受け、再び第一の走査線ＳＬ
１を選択し、次のフレームの輝度データの書込みが開始
される。
源１４のスイッチを切替えて第一の電源線１２をＶｄｄ
に接続すると共に第二の電源１８のスイッチを切替えて
第二の電源線１６をＧＮＤに接続する。これにより、第
一の電源線１２には有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を発光させ
るための電圧が印加される。各画素の第二のトランジス
タＴｒ２のゲート電極には、輝度データが保持されてい
るので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は輝度データに応じた
輝度で再び発光する。走査タイミング制御部２２は、電
位制御部２０からの信号を受け、再び第一の走査線ＳＬ
１を選択し、次のフレームの輝度データの書込みが開始
される。
【００３４】このように、本実施の形態においては、１
フレームを周期として有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に逆のバ
イアスがかけられるので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１中の
界面等にトラップされたキャリアを解放することがで
き、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の素子劣化を低減すること
ができる。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の輝度
低下を緩和することができ、表示装置における輝度のば
らつきを防ぐこともできる。
フレームを周期として有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に逆のバ
イアスがかけられるので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１中の
界面等にトラップされたキャリアを解放することがで
き、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の素子劣化を低減すること
ができる。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の輝度
低下を緩和することができ、表示装置における輝度のば
らつきを防ぐこともできる。
【００３５】（第二の実施の形態）本実施の形態におい
ても、１フレームを周期として、各画素への輝度データ
の書込みが行われていないときに有機ＥＬ素子に発光時
とは逆のバイアスを生じさせる。図２は、本発明の第二
の実施の形態に係る表示装置の１フレーム分の画素回路
の構成を示す。本実施の形態において、第一の電源１４
がスイッチを有さず、所定の電圧Ｖ１（Ｖ１＞ＧＮＤ）
を供給する点、および第二の電源１８が所定の電圧Ｖ２
を供給可能である点で第一の実施の形態と異なる。ここ
で、Ｖ２はＶ１より大きくなるように設定される。本実
施の形態における電位制御部２０は、第二の電源１８の
スイッチのみを制御する。本実施の形態において、第一
の実施の形態と同様の構成要素には同様の符号を付し、
適宜説明を省略する。
ても、１フレームを周期として、各画素への輝度データ
の書込みが行われていないときに有機ＥＬ素子に発光時
とは逆のバイアスを生じさせる。図２は、本発明の第二
の実施の形態に係る表示装置の１フレーム分の画素回路
の構成を示す。本実施の形態において、第一の電源１４
がスイッチを有さず、所定の電圧Ｖ１（Ｖ１＞ＧＮＤ）
を供給する点、および第二の電源１８が所定の電圧Ｖ２
を供給可能である点で第一の実施の形態と異なる。ここ
で、Ｖ２はＶ１より大きくなるように設定される。本実
施の形態における電位制御部２０は、第二の電源１８の
スイッチのみを制御する。本実施の形態において、第一
の実施の形態と同様の構成要素には同様の符号を付し、
適宜説明を省略する。
【００３６】以上の構成による表示装置３０の動作を説
明する。各画素への輝度データの書込み時には、電位制
御部２０は、第二の電源１８のスイッチをＧＮＤに接続
している。第一の実施の形態と同様に、第１１画素Ｐ
１１から第ｎｍ画素Ｐｎｍまでの書込みが終了すると、
電位制御部２０は、第二の電源１８のスイッチを切替え
て第二の電源線１６をＶ２に接続する。ここで、Ｖ２＞
Ｖ１に設定されているので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の
カソードの電位がアノードの電位よりも高くなり、有機
ＥＬ素子ＯＬＥＤ１には逆のバイアスがかけられる。こ
の後、電位制御部２０は、第二の電源１８のスイッチを
切替えて第二の電源線１６をＧＮＤに接続する。これに
より各画素の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１が再び発光する。
明する。各画素への輝度データの書込み時には、電位制
御部２０は、第二の電源１８のスイッチをＧＮＤに接続
している。第一の実施の形態と同様に、第１１画素Ｐ
１１から第ｎｍ画素Ｐｎｍまでの書込みが終了すると、
電位制御部２０は、第二の電源１８のスイッチを切替え
て第二の電源線１６をＶ２に接続する。ここで、Ｖ２＞
Ｖ１に設定されているので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の
カソードの電位がアノードの電位よりも高くなり、有機
ＥＬ素子ＯＬＥＤ１には逆のバイアスがかけられる。こ
の後、電位制御部２０は、第二の電源１８のスイッチを
切替えて第二の電源線１６をＧＮＤに接続する。これに
より各画素の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１が再び発光する。
【００３７】本実施の形態においては、電位制御部２０
が第二の電源１８のスイッチのみを制御することによ
り、第一の実施の形態と同様のメリットが得られるの
で、回路構成をより簡易に保つことができる。
が第二の電源１８のスイッチのみを制御することによ
り、第一の実施の形態と同様のメリットが得られるの
で、回路構成をより簡易に保つことができる。
【００３８】（第三の実施の形態）本実施の形態におい
ては、１フレームを周期として、各画素へのあるフレー
ムの輝度データの書込みが行われている間に有機ＥＬ素
子に発光時とは逆のバイアスを生じさせる。その後、複
数の画素回路に対する次のフレームの輝度データの書込
みが開始されるまでの間に各有機ＥＬ素子を発光させ
る。本実施の形態において、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に
発光時とは逆のバイアスを生じさせるタイミングが異な
る点で第一の実施の形態と異なるが、画素回路の構成は
第一の実施の形態と同様である。
ては、１フレームを周期として、各画素へのあるフレー
ムの輝度データの書込みが行われている間に有機ＥＬ素
子に発光時とは逆のバイアスを生じさせる。その後、複
数の画素回路に対する次のフレームの輝度データの書込
みが開始されるまでの間に各有機ＥＬ素子を発光させ
る。本実施の形態において、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に
発光時とは逆のバイアスを生じさせるタイミングが異な
る点で第一の実施の形態と異なるが、画素回路の構成は
第一の実施の形態と同様である。
【００３９】図１を参照して、本実施の形態における表
示装置１０の動作を説明する。まず、電位制御部２０
は、第一の電源１４のスイッチをＧＮＤに接続すると共
に第二の電源１８のスイッチをＶｄｄに接続する。この
状態で、第一の実施の形態と同様に、第１１画素Ｐ１１
から第ｎｍ画素Ｐｎｍまでの画素への輝度データの書込
みが行われ、各画素の第二のトランジスタＴｒ２のゲー
ト電極に、輝度データが保持される。このとき、各画素
の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１には発光時とは逆のバイアス
がかけられるので、各画素の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は
発光しない。
示装置１０の動作を説明する。まず、電位制御部２０
は、第一の電源１４のスイッチをＧＮＤに接続すると共
に第二の電源１８のスイッチをＶｄｄに接続する。この
状態で、第一の実施の形態と同様に、第１１画素Ｐ１１
から第ｎｍ画素Ｐｎｍまでの画素への輝度データの書込
みが行われ、各画素の第二のトランジスタＴｒ２のゲー
ト電極に、輝度データが保持される。このとき、各画素
の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１には発光時とは逆のバイアス
がかけられるので、各画素の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は
発光しない。
【００４０】第ｎｍ画素Ｐｎｍへの輝度データの書込み
が終了すると、電位制御部２０は走査タイミング制御部
２２からの信号を受け、第一の電源１４のスイッチを切
替えて第一の電源線１２をＶｄｄに接続すると共に第二
の電源１８のスイッチを切替えて第二の電源線１６をＧ
ＮＤに接続する。これにより、各画素の有機ＥＬ素子Ｏ
ＬＥＤ１が第二のトランジスタＴｒ２のゲート電極に保
持された輝度データに応じて発光する。所定の発光時間
の経過後、電位制御部２０は第一の電源１４のスイッチ
を切替えて第一の電源線１２をＧＮＤに接続すると共に
第二の電源１８のスイッチを切替えて第二の電源線１６
をＶｄｄに接続し、同様にして次のフレームの輝度デー
タの書込みを開始する。
が終了すると、電位制御部２０は走査タイミング制御部
２２からの信号を受け、第一の電源１４のスイッチを切
替えて第一の電源線１２をＶｄｄに接続すると共に第二
の電源１８のスイッチを切替えて第二の電源線１６をＧ
ＮＤに接続する。これにより、各画素の有機ＥＬ素子Ｏ
ＬＥＤ１が第二のトランジスタＴｒ２のゲート電極に保
持された輝度データに応じて発光する。所定の発光時間
の経過後、電位制御部２０は第一の電源１４のスイッチ
を切替えて第一の電源線１２をＧＮＤに接続すると共に
第二の電源１８のスイッチを切替えて第二の電源線１６
をＶｄｄに接続し、同様にして次のフレームの輝度デー
タの書込みを開始する。
【００４１】本実施の形態においては、フレームごとの
輝度データの書込み終了後に各画素の有機ＥＬ素子ＯＬ
ＥＤ１を一斉に発光させることにより、有機ＥＬ素子Ｏ
ＬＥＤ１が発光中に輝度データの書換えが行われないの
で、スムーズな表示が容易になる。さらに、各有機ＥＬ
素子ＯＬＥＤ１が発光されていないときに逆のバイアス
を生じさせることにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の界
面等にトラップされたキャリアを解放することができ、
素子劣化を低減することができる。
輝度データの書込み終了後に各画素の有機ＥＬ素子ＯＬ
ＥＤ１を一斉に発光させることにより、有機ＥＬ素子Ｏ
ＬＥＤ１が発光中に輝度データの書換えが行われないの
で、スムーズな表示が容易になる。さらに、各有機ＥＬ
素子ＯＬＥＤ１が発光されていないときに逆のバイアス
を生じさせることにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の界
面等にトラップされたキャリアを解放することができ、
素子劣化を低減することができる。
【００４２】なお、第二の実施の形態における表示装置
２０においても、第三の実施の形態と同様のタイミング
で各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に発光時とは逆のバイアス
を生じさせてもよい。
２０においても、第三の実施の形態と同様のタイミング
で各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に発光時とは逆のバイアス
を生じさせてもよい。
【００４３】（第四の実施の形態）本実施の形態におい
ては、複数の画素の一部に輝度データの書込みが行われ
ている間に各有機ＥＬ素子に発光時とは逆のバイアスを
生じさせる。本実施の形態において、有機ＥＬ素子ＯＬ
ＥＤ１に発光時とは逆のバイアスを生じさせるタイミン
グが異なる点で第一の実施の形態と異なるが、画素回路
の構成は第一の実施の形態と同様である。
ては、複数の画素の一部に輝度データの書込みが行われ
ている間に各有機ＥＬ素子に発光時とは逆のバイアスを
生じさせる。本実施の形態において、有機ＥＬ素子ＯＬ
ＥＤ１に発光時とは逆のバイアスを生じさせるタイミン
グが異なる点で第一の実施の形態と異なるが、画素回路
の構成は第一の実施の形態と同様である。
【００４４】図１を参照して、本実施の形態における表
示装置１０の動作を説明する。本実施の形態において
は、まず、電位制御部２０は、第一の電源１４のスイッ
チをＶｄｄに接続すると共に第二の電源１８のスイッチ
をＧＮＤに接続する。この状態で第１行目および第２行
目の画素への輝度データの書込みが行われる。このと
き、各画素の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、輝度データに
応じて発光する。
示装置１０の動作を説明する。本実施の形態において
は、まず、電位制御部２０は、第一の電源１４のスイッ
チをＶｄｄに接続すると共に第二の電源１８のスイッチ
をＧＮＤに接続する。この状態で第１行目および第２行
目の画素への輝度データの書込みが行われる。このと
き、各画素の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、輝度データに
応じて発光する。
【００４５】第２行目の画素への輝度データの書込みが
終了すると、電位制御部２０は走査タイミング制御部２
２からの信号を受け、第一の電源１４のスイッチを切替
えて第一の電源線１２をＶｄｄに接続すると共に第二の
電源１８のスイッチを切替えて第二の電源線１６をＧＮ
Ｄに接続する。その状態で、第３行目および第４行目の
画素への輝度データの書込みを行う。このとき、各画素
の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１には発光時とは逆のバイアス
がかけられている。
終了すると、電位制御部２０は走査タイミング制御部２
２からの信号を受け、第一の電源１４のスイッチを切替
えて第一の電源線１２をＶｄｄに接続すると共に第二の
電源１８のスイッチを切替えて第二の電源線１６をＧＮ
Ｄに接続する。その状態で、第３行目および第４行目の
画素への輝度データの書込みを行う。このとき、各画素
の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１には発光時とは逆のバイアス
がかけられている。
【００４６】その後、電位制御部２０は走査タイミング
制御部２２からの信号を受け、再び第一の電源１４のス
イッチを切替えて第一の電源線１２をＧＮＤに接続する
と共に第二の電源１８のスイッチを切替えて第二の電源
線１６をＶｄｄに接続する。続いて、第５行目および第
６行目の画素への輝度データの書込みが開始される。こ
のように、本実施の形態においては、所定数の行の画素
への書込みごとに有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光と逆の
バイアスの印加とが順次行われる。以上の説明では、２
行分の画素への書込みごとに有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の
発光と逆のバイアスの印加とが行われるとしたが有機Ｅ
Ｌ素子ＯＬＥＤ１の発光と逆のバイアスの印加とが行わ
れるタイミングは、例えば３行分の画素の書込み時に有
機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光が行われ、１行分の画素の
書込み時に逆のバイアスの印加が行われるなど、適宜設
定されてよい。
制御部２２からの信号を受け、再び第一の電源１４のス
イッチを切替えて第一の電源線１２をＧＮＤに接続する
と共に第二の電源１８のスイッチを切替えて第二の電源
線１６をＶｄｄに接続する。続いて、第５行目および第
６行目の画素への輝度データの書込みが開始される。こ
のように、本実施の形態においては、所定数の行の画素
への書込みごとに有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光と逆の
バイアスの印加とが順次行われる。以上の説明では、２
行分の画素への書込みごとに有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の
発光と逆のバイアスの印加とが行われるとしたが有機Ｅ
Ｌ素子ＯＬＥＤ１の発光と逆のバイアスの印加とが行わ
れるタイミングは、例えば３行分の画素の書込み時に有
機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光が行われ、１行分の画素の
書込み時に逆のバイアスの印加が行われるなど、適宜設
定されてよい。
【００４７】本実施の形態においては、各画素の有機Ｅ
Ｌ素子ＯＬＥＤ１の発光と逆バイアスの印加とを順次行
うので、スムーズな表示が容易になるとともに、有機Ｅ
Ｌ素子ＯＬＥＤ１の界面等にトラップされたキャリアを
解放することができ、素子劣化を低減することができ
る。
Ｌ素子ＯＬＥＤ１の発光と逆バイアスの印加とを順次行
うので、スムーズな表示が容易になるとともに、有機Ｅ
Ｌ素子ＯＬＥＤ１の界面等にトラップされたキャリアを
解放することができ、素子劣化を低減することができ
る。
【００４８】なお、第二の実施の形態における表示装置
２０においても、第四の実施の形態と同様のタイミング
で各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に発光時とは逆のバイアス
を生じさせてもよい。
２０においても、第四の実施の形態と同様のタイミング
で各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に発光時とは逆のバイアス
を生じさせてもよい。
【００４９】以上、本発明を実施の形態をもとに説明し
た。これらの実施の形態は例示であり、それらの各構成
要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可
能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあるこ
とは当業者に理解されるところである。以下、そうした
例を説明する。
た。これらの実施の形態は例示であり、それらの各構成
要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可
能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあるこ
とは当業者に理解されるところである。以下、そうした
例を説明する。
【００５０】第一および第二の実施の形態では、あるフ
レームにおける輝度データの書込み終了後、次のフレー
ムにおける輝度データの書込み開始までの間に有機ＥＬ
素子ＯＬＥＤ１に発光時とは逆のバイアスを生じさせる
としたが、この逆のバイアスを生じさせる処理は、どの
タイミングで行われてもよい。また、必ずしも毎フレー
ムごとに逆のバイアスを生じさせる処理を行わなくても
よく、例えば２〜３フレームごとに１回この処理を行っ
てもよく、さらに間隔をあけてこの処理を行ってもよ
い。
レームにおける輝度データの書込み終了後、次のフレー
ムにおける輝度データの書込み開始までの間に有機ＥＬ
素子ＯＬＥＤ１に発光時とは逆のバイアスを生じさせる
としたが、この逆のバイアスを生じさせる処理は、どの
タイミングで行われてもよい。また、必ずしも毎フレー
ムごとに逆のバイアスを生じさせる処理を行わなくても
よく、例えば２〜３フレームごとに１回この処理を行っ
てもよく、さらに間隔をあけてこの処理を行ってもよ
い。
【００５１】また、例えば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に
発光時とは逆のバイアスをかけるために、第一の電源１
４と第二のトランジスタＴｒ２との間を遮断して、第二
の電源１８から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光時におけ
る第二のトランジスタＴｒ２のドレイン電極の電位と有
機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１のアノードの電位との電位差より
大きい電圧を供給するようにしてもよい。
発光時とは逆のバイアスをかけるために、第一の電源１
４と第二のトランジスタＴｒ２との間を遮断して、第二
の電源１８から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光時におけ
る第二のトランジスタＴｒ２のドレイン電極の電位と有
機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１のアノードの電位との電位差より
大きい電圧を供給するようにしてもよい。
【００５２】また、第一のトランジスタＴｒ１と第二の
トランジスタＴｒ２との間に保持容量の一の電極を接続
させてもよい。この場合、保持容量の他の電極は接地さ
れる。
トランジスタＴｒ２との間に保持容量の一の電極を接続
させてもよい。この場合、保持容量の他の電極は接地さ
れる。
【００５３】また、実施の形態では第一のトランジスタ
Ｔｒ１および第二のトランジスタＴｒ２がｎチャネル型
であるとしたが、これらのトランジスタはｐチャネル型
であってもよく、ｎチャネル型とｐチャネル型との組合
せであってよい。
Ｔｒ１および第二のトランジスタＴｒ２がｎチャネル型
であるとしたが、これらのトランジスタはｐチャネル型
であってもよく、ｎチャネル型とｐチャネル型との組合
せであってよい。
【００５４】さらに、駆動用の第二のトランジスタＴｒ
２に輝度データを設定するスイッチング用の第一のトラ
ンジスタＴｒ１は、ふたつ以上直列におかれてもよい。
その際、電流増幅率など、それらのトランジスタの特性
を異ならせてもよい。例えば、第二のトランジスタＴｒ
２に近い側のトランジスタの電流増幅率を低めに設定す
れば、漏れ電流を減らす効果が大きい。
２に輝度データを設定するスイッチング用の第一のトラ
ンジスタＴｒ１は、ふたつ以上直列におかれてもよい。
その際、電流増幅率など、それらのトランジスタの特性
を異ならせてもよい。例えば、第二のトランジスタＴｒ
２に近い側のトランジスタの電流増幅率を低めに設定す
れば、漏れ電流を減らす効果が大きい。
【００５５】さらに、スイッチング用の第一のトランジ
スタＴｒ１と駆動用の第二のトランジスタＴｒ２の特性
を変えてもよい。例えば、第二のトランジスタＴｒ２の
電流増幅率を小さくした場合、同じ輝度レンジに対応す
る設定データのレンジが広がるため、輝度の制御が容易
になる。
スタＴｒ１と駆動用の第二のトランジスタＴｒ２の特性
を変えてもよい。例えば、第二のトランジスタＴｒ２の
電流増幅率を小さくした場合、同じ輝度レンジに対応す
る設定データのレンジが広がるため、輝度の制御が容易
になる。
【００５６】
【発明の効果】本発明によれば、光学素子の劣化を低減
させることができる。
させることができる。
【図１】 本発明の第一の実施の形態における表示装置
の１フレーム分の画素回路の構成を示す図である。
の１フレーム分の画素回路の構成を示す図である。
【図２】 本発明の第二の実施の形態における表示装置
の１フレーム分の画素回路の構成を示す図である。
の１フレーム分の画素回路の構成を示す図である。
【図３】 従来の表示装置の一画素分の画素回路の構成
を示す図である。
を示す図である。
１０ 画素回路、 １２ 第一の電源線、 １４ 第一
の電源、 １６ 第二の電源線、 １８ 第二の電源、
２０ 電位制御部、 ２２ 走査タイミング制御部、
Ｔｒ１ 第一のトランジスタ、 Ｔｒ２ 第二のトラ
ンジスタ、 ＯＬＥＤ１ 有機ＥＬ素子
の電源、 １６ 第二の電源線、 １８ 第二の電源、
２０ 電位制御部、 ２２ 走査タイミング制御部、
Ｔｒ１ 第一のトランジスタ、 Ｔｒ２ 第二のトラ
ンジスタ、 ＯＬＥＤ１ 有機ＥＬ素子
Claims (8)
- 【請求項１】 それぞれ電流駆動型の光学素子を含む複
数の画素回路と、 各前記光学素子に電力を供給する電源と、 前記電源を各前記光学素子の一端に接続して前記各光学
素子を発光させる一方、前記電源を前記各光学素子の他
端に接続して前記各光学素子に対して発光時とは逆のバ
イアスを生じさせる電位制御部と、 を有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 それぞれ電流駆動型の光学素子を含む複
数の画素回路と、 各前記光学素子の一端に電力を供給して該光学素子を発
光させる第一の電源と、 前記各光学素子の他端に電力を供給する第二の電源と、 前記第一の電源の電位を前記第二の電源の電位よりも高
くして前記各光学素子を発光させる一方、前記第二の電
源の電位を前記第一の電源の電位よりも高くして前記各
光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じさせる
電位制御部と、 を有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項３】 前記電位制御部は、前記複数の画素回路
のいずれに対しても輝度データの書込みが行われていな
いときに、前記各光学素子に対して発光時とは逆のバイ
アスを生じさせることを特徴とする請求項１または２に
記載の表示装置。 - 【請求項４】 前記電位制御部は、１または複数のフレ
ームを周期として前記各光学素子に対して発光時とは逆
のバイアスを生じさせることを特徴とする請求項１から
３のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項５】 前記電位制御部は、あるフレームにおけ
る前記複数の画素回路全てに対する輝度データの書込み
が終了した後、次のフレームの書込みが開始されるまで
の間に前記各光学素子に対して発光時とは逆のバイアス
を生じさせることを特徴とする請求項４に記載の表示装
置。 - 【請求項６】 前記電位制御部は、前記複数の画素回路
に対してあるフレームの輝度データの書込みが行われて
いる間、前記各光学素子に対して発光時とは逆のバイア
スを生じさせ、前記複数の画素回路に対する次のフレー
ムの輝度データの書込みが開始されるまでの間に前記各
光学素子を発光させることを特徴とする請求項１または
２に記載の表示装置。 - 【請求項７】 前記電位制御部は、前記複数の画素回路
の一部に輝度データの書込みが行われている間、前記各
光学素子に対して発光時とは逆のバイアスを生じさせる
ことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。 - 【請求項８】 それぞれ電流駆動型の光学素子を含む複
数の画素回路を含む表示装置の駆動方法であって、各前
記光学素子への電力の供給方向を変えて、前記各光学素
子に発光時とは逆のバイアスを生じさせることを特徴と
する表示装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002084579A JP2003280582A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 表示装置およびその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002084579A JP2003280582A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 表示装置およびその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003280582A true JP2003280582A (ja) | 2003-10-02 |
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ID=29231844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002084579A Pending JP2003280582A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 表示装置およびその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003280582A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007179021A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置および電子機器 |
| US7274345B2 (en) | 2003-05-19 | 2007-09-25 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and driving device thereof |
| JP2011237756A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその駆動方法 |
| US8212750B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| CN105976764A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-09-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 电源芯片及amoled驱动系统 |
| JP2017107194A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、入出力装置、情報処理装置、情報処理装置の駆動方法 |
| JP2017535813A (ja) * | 2014-11-04 | 2017-11-30 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | Ａｍｏｌｅｄ駆動装置及び駆動方法 |
| CN112530358A (zh) * | 2019-09-03 | 2021-03-19 | 联咏科技股份有限公司 | 用于面板的控制电路 |
-
2002
- 2002-03-25 JP JP2002084579A patent/JP2003280582A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7274345B2 (en) | 2003-05-19 | 2007-09-25 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and driving device thereof |
| JP2007179021A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置および電子機器 |
| US8212750B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US8531364B2 (en) | 2005-12-02 | 2013-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| JP2011237756A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその駆動方法 |
| US9449548B2 (en) | 2010-05-10 | 2016-09-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method for driving thereof |
| JP2017535813A (ja) * | 2014-11-04 | 2017-11-30 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | Ａｍｏｌｅｄ駆動装置及び駆動方法 |
| JP2017107194A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、入出力装置、情報処理装置、情報処理装置の駆動方法 |
| JP7083594B2 (ja) | 2015-11-30 | 2022-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| CN105976764A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-09-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 电源芯片及amoled驱动系统 |
| CN112530358A (zh) * | 2019-09-03 | 2021-03-19 | 联咏科技股份有限公司 | 用于面板的控制电路 |
| CN112530358B (zh) * | 2019-09-03 | 2022-02-22 | 联咏科技股份有限公司 | 用于面板的控制电路 |
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