JP2003277730A - 研磨剤及び研磨方法 - Google Patents
研磨剤及び研磨方法Info
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Abstract
により効率よく研磨ができるようにする。 【解決手段】 キャリア粒子103と酸化セリウムなど
からなる砥粒104とが含まれた水溶液からなる研磨剤
105中に、研磨剤105中に含まれるキャリア粒子1
03や砥粒104などの粒子を凝集させる添加剤を添加
し、これを水晶などの研磨に用いる。キャリア粒子10
3は、例えば、ウレタンやナイロンもしくはポリイミド
またはポリエステルなどの有機高分子化合物からなる粒
子であり、平均粒径が1〜20μmである。キャリア粒
子103を構成する高分子材料としては、例えば、ベン
ゾグアナミン樹脂を用いることができる。また、添加剤
は、ジエタノールアミンなどのアルカノールアミン類を
含むものである。
Description
粒とからなる研磨剤及びこの研磨剤を用いた研磨方法に
関する。
どにおける基板の仕上げ工程や、半導体集積回路装置に
おける埋め込み金属配線などの形成において、種々の研
磨方法が用いられている。このような、ナノメータオー
ダの平坦度を要求される精密研磨においては、種々の研
磨布を用いた遊離砥粒研磨が採用されている。この研磨
方法では、一般には、織布,不織布,発泡体などの弾性
のある研磨布が使用されてきた。
のムラが荒さやうねりに悪影響を与えるため、近年で
は、発泡体が研磨布として主に用いられるようになって
いる。しかしながら、研磨布を用いる研磨方法には、ま
ず、切り屑により研磨対象の表面に傷を付けてしまう問
題がある。上記研磨布には、微細な複数の穴が存在し、
これらに砥粒を保持する機能を有しているが、ここに切
り屑も保持される。研磨布に保持される切り屑が適当に
処理されないと、これらで大きな砥粒を形成し、これに
より研磨対象に傷を付ける場合がある。
面の凹凸が少なくなり、また、切り屑や研磨材が堆積し
て研磨能率を低下させる現象がある。このため、ダイヤ
モンド砥石で研磨布の表面を削りなおし、研磨処理を引
き続き行うようにしている。しかしながらこれでは、研
磨布の寿命を短くしてしまう。また、研磨布は、一般に
2〜3mm程度の厚さを有しているため、弾性による変
形により研磨布自体が研磨対象に接触し、摩擦抵抗を増
加させて研磨機の動作を阻害する場合もある。しかも、
複数の研磨対象を一度に処理しようとするため、より大
きな面積の研磨布を用いるようになっている。このよう
な大きな研磨布を研磨機の定盤上に貼り付けることは、
容易ではない。
問題点を解消する技術として、つぎに説明する複合粒子
研磨法がある(文献:特開2001−300843)。
複合粒子研磨法は、研磨布の代わりに、研磨剤(砥粒)
を保持する複数のキャリア粒子を用いるようにしたもの
である。キャリア粒子は、砥粒の5〜500倍程度であ
る10μm前後と大きな粒径を有し、また弾性を有する
粒子であり、一般には有機高分子材料の微粒子が用いら
れる。
の間に介在して研磨対象を弾性保持し、研磨対象を堅い
定盤に直接接触させないようにしている。また、研磨布
を用いる場合と異なり、切り屑の排出がよく、加工能率
や加工精度も研磨布を用いる場合より優れている。とこ
ろで、研磨においては、砥粒を研磨対象の表面に運搬し
て摺り合わせて研磨している。したがって、複合粒子研
磨法による研磨では、キャリア粒子と研磨対象との間に
砥粒が存在していることが要件となる。このため、複合
粒子研磨法では、キャリア粒子に砥粒を付着させ、研磨
対象とキャリア粒子との間に効率よく砥粒を介在させる
必要がある。
などには、上述した複合粒子研磨法が適用しにくいとい
う問題があった。水晶やガラスなどの研磨では、酸化セ
リウム砥粒が古くから用いられている。これは、シリコ
ン酸化物である水晶やガラスの表面における水酸化物の
形成を、酸化セリウムが促進させる作用があるためと考
えられており、シリカを用いた場合より高速な研磨を可
能としている。しかしながら、酸化セリウム砥粒を用い
た複合粒子研磨法では、水晶やガラスをほとんど研磨で
きないという問題があった。
合粒子研磨法に用いられる一般的なキャリア粒子に、酸
化セリウム砥粒が付着しないことが、上述の原因と考え
られている。複合粒子研磨法では、図5に示すように、
定盤501と研磨対象502との間に複数のキャリア粒
子503と酸化セリウム砥粒504とが分散した研磨剤
505を介在させ、研磨対象502と定盤501とを摺
り合わせることで、研磨対象502を研磨する。
が、キャリア粒子503に付着しないため、研磨対象5
02の研磨面に酸化セリウム砥粒504を作用させるこ
とができない。このため、従来では、酸化セリウム砥粒
を用いた複合粒子研磨法では、水晶やガラスなどの研磨
が容易に行えないものと考えられている。このように、
従来では、キャリア粒子に砥粒が付着しない状態では、
複合粒子研磨法による研磨が困難であるという問題があ
った。
ためになされたものであり、どのような砥粒であって
も、複合粒子研磨法により効率よく研磨ができるように
することを目的とする。
水からなる母液と、この母液に含まれた複数の砥粒と、
母液に含まれ、砥粒より粒径の大きい弾性部材からなる
複数のキャリア粒子と、母液に含まれて母液中の粒子を
凝集させる添加剤とを少なくとも備えたものである。こ
の研磨剤によれば、研磨対象と定盤との間に研磨剤が供
給されると、添加剤によりキャリア粒子が部分的に凝集
して集団を形成し、このキャリア粒子集団に砥粒が保持
される状態が得られる。上記研磨剤において、例えば、
砥粒は酸化セリウムから構成され、キャリア粒子は高分
子材料から構成され、添加剤は、例えばジエタノールア
ミンやトリエタノールアミンなどのアルカノールアミン
類から構成されたものである。
る母液と、この母液に含まれた複数の砥粒と、母液に含
まれて砥粒より粒径の大きい弾性部材からなる複数のキ
ャリア粒子と、母液に含まれて母液中の粒子を凝集させ
る添加剤とを少なくとも備えた研磨剤を用意し、研磨対
象の研磨面と定盤の上面との間に研磨剤を介在させて研
磨対象と定盤とを相対的に摺動させるようにしたもので
ある。この研磨方法によれば、研磨対象と定盤との間に
介在している研磨剤は、添加剤によりキャリア粒子が部
分的に凝集して集団を形成し、このキャリア粒子集団に
砥粒が保持され、保持された砥粒が研磨対象に作用可能
な状態となる。
化セリウムから構成され、キャリア粒子は高分子材料か
ら構成され、添加剤は、アルカノールアミン類から構成
されたものを用いればよい。また、このような研磨剤を
用いれば、例えば水晶板を研磨することができる。
て図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態
における研磨剤を用いた研磨方法における研磨状態を模
式的に示す断面図である。本実施の形態では、キャリア
粒子103と砥粒104とが含まれた水溶液からなる研
磨剤105中に、研磨剤105中に含まれるキャリア粒
子103や砥粒104などの粒子を凝集させる添加剤を
添加し、これを水晶などの研磨に用いるようにした。
やナイロンもしくはポリイミドまたはポリエステルなど
の有機高分子化合物からなる粒子であり、平均粒径が1
〜20μmと砥粒104より大きい粒径を有している。
キャリア粒子103を構成する高分子材料としては、例
えば、ベンゾグアナミン樹脂を用いることができる。ま
た、砥粒104は、例えば酸化セリウムから構成された
ものを用いることができる。
のアルカノールアミン類を含むものである。アルカノー
ルアミン類は、研磨剤105中に酸化セリウムからなる
砥粒104を分散させる作用があるが、研磨剤105中
に酸化セリウムからなる砥粒104とともにキャリア粒
子103などが存在する場合、研磨剤中の粒子を凝集さ
せるように作用する。
させただけでは、図2に示すように、キャリア粒子や砥
粒の凝集は観察されない。これに対し、キャリア粒子と
砥粒とを分散させた研磨剤中に、前述したようにジエタ
ノールアミンを添加した場合、図3に示すように、キャ
リア粒子と砥粒との凝集が観察されるようになる。これ
らの結果から、ジエタノールアミンを添加することで、
キャリア粒子と酸化セリウムからなる砥粒とが、凝集す
ることがわかる。
砥粒を5wt%,キャリア粒子を2.5wt%を加えて
攪拌したもの(試料1)と、同様の容器内に砥粒を5w
t%,キャリア粒子を2.5wt%およびこれらにジエ
タノールアミンを添加して攪拌したもの(試料2)とを
用意し、攪拌した後20分間静置した。この結果、両試
料とも完全沈降したが、試料1より試料2の方が沈降高
さが高い状態となった。粒子が凝集している方が沈降高
さが高くなるものと考えられるので、これらの結果から
も、ジエタノールアミンを添加することで、キャリア粒
子と酸化セリウムからなる砥粒とが、凝集することがわ
かる。
は、研磨剤105中に存在する粒子を凝集させる添加剤
を研磨剤105添加して研磨に用いるようにし、水晶板
102の研磨面と定盤101の上面との間に研磨剤10
5を介在させ、水晶板102と定盤101とを相対的に
摺動させることで、水晶板102の表面を研磨するよう
にした。このため、定盤101の上面と研磨対象の水晶
板102の研磨面との間に供給される研磨剤105にお
いては、図1に示すように、キャリア粒子103や砥粒
104が凝集して偏在するようになる。この結果、砥粒
104がキャリア粒子103に付着しないものであって
も、複数のキャリア粒子103及び砥粒104の集団に
よる凝集体上には、砥粒104が保持されるようにな
る。
凝集体上に保持され、図1に示すように、水晶板102
の研磨面に作用するようになり、この結果、本実施の形
態によれば、実用的な研磨速度で水晶板102の表面を
鏡面に研磨することが可能となる。例えば、砥粒として
セイミケミカル株式会社製のTE−508(酸化セリウ
ム)5wt%,キャリア粒子として日本触媒株式会社製
のエポスターL152.5wt%,ジエタノールアミン
0.5wt%含む水溶液を研磨剤として用い、加工圧力
として10kPa加えてアルミナからなる定盤(加工プ
レート)を60rpmで回転させることにより、水晶基
板を鏡面研磨することが可能となる。
を行う両面研磨装置の部分的な構成を概略的に示す平面
図(a)と断面図(b)である。この両面研磨装置は、
両面研磨を行う水晶基板102をキャリア203で保持
し、キャリア203の外周歯に太陽歯車204と内歯歯
車205の各歯部を噛合させてキャリア203を自転と
同時に公転させるようにしたものである。定盤(下定
盤)101と上定盤201との間では、上述したように
キャリア203が自転,公転して移動し、また、上定盤
201に設けられた研磨剤供給穴202より研磨剤が供
給された状態となっている。
に異なる方向に回転している。したがって、キャリア2
03に保持されている水晶基板102は、研磨剤を介し
て定盤101及び上定盤201と摺動している。この摺
動により、水晶基板102の下面が定盤101との間の
研磨剤中の砥粒により研磨され、水晶基板102の上面
が上定盤201との間の研磨剤中の砥粒により研磨され
る。
の形態における研磨材を用いるようにすれば、まず、研
磨布を用いることが無く、研磨対象である水晶基板10
2の両面を研磨できるようになる。加えて、本実施の形
態における研磨材によれば、砥粒がキャリア粒子に付着
しないものであっても、母液中の粒子を凝集させるよう
にしているので、キャリヤ粒子や砥粒が凝集して凝集体
を構成するようになるため砥粒を研磨対象の表面に作用
させることが可能となり、実用的な研磨速度が得られる
ようになる。
が、これに限るものではなく、上述した研磨方法は、S
iO2系の他のガラス材料などでも適用できることはい
うまでもない。また、上述では、酸化セリウムを砥粒と
して用いるようにしたが、酸化クロム,ベンガラ(Fe
2O3)などを砥粒として用いるようにしても同様であ
る。また、コランダムやニオブ酸リチウムなどの他の材
料を研磨する場合であっても、これらを研磨するための
砥粒にキャリア粒子を加えた研磨剤中に、粒子を凝集さ
せる添加剤を加えて研磨(複合粒子研磨法)に用いるよ
うにすれば、同様の効果を奏する。
対象と定盤との間に研磨剤が供給されると、添加剤によ
り研磨剤中の粒子が部分的に凝集して集団を形成し、こ
の粒子の集団に砥粒が保持される状態が得られるように
なり、保持された砥粒が研磨対象に作用可能な状態とな
る。この結果、本発明によれば、どのような砥粒であっ
ても、キャリア粒子を用いる複合粒子研磨法により効率
よく研磨ができるようになるという優れた効果が得られ
る。
研磨方法における研磨状態を模式的に示す断面図であ
る。
態を観察した結果を示す写真である。
態を観察した結果を示す写真である。
装置の部分的な構成を概略的に示す平面図(a)と断面
図(b)である。
面図である。
子、104…砥粒、105…研磨剤。
問題点を解消する技術として、つぎに説明する複合粒子
研磨法がある(文献:特開2001−300843)。
複合粒子研磨法は、研磨布の代わりに、研磨材(砥粒)
を保持する複数のキャリア粒子を用いるようにしたもの
である。キャリア粒子は、砥粒の5〜500倍程度であ
る10μm前後と大きな粒径を有し、また弾性を有する
粒子であり、一般には有機高分子材料の微粒子が用いら
れる。
Claims (4)
- 【請求項1】 水からなる母液と、 この母液に含まれた複数の砥粒と、 前記母液に含まれ、前記砥粒より粒径の大きい弾性部材
からなる複数のキャリア粒子と、 前記母液に含まれて前記母液中の粒子を凝集させる添加
剤とを少なくとも備えたことを特徴とする研磨剤。 - 【請求項2】 請求項1記載の研磨剤において、 前記砥粒は酸化セリウムから構成され、 前記キャリア粒子は高分子材料から構成され、 前記添加剤は、アルカノールアミン類から構成されたも
のであることを特徴とする研磨剤。 - 【請求項3】 水からなる母液と、 この母液に含まれた複数の砥粒と、 前記母液に含まれて前記砥粒より粒径の大きい弾性部材
からなる複数のキャリア粒子と、 前記母液に含まれて前記母液中の粒子を凝集させる添加
剤とを少なくとも備えた研磨剤を用意し、 研磨対象の研磨面と定盤の上面との間に前記研磨剤を介
在させて前記研磨対象と前記定盤とを相対的に摺動させ
ることを特徴とした研磨方法。 - 【請求項4】 請求項3記載の研磨方法において、 前記砥粒は酸化セリウムから構成され、 前記キャリア粒子は高分子材料から構成され、 前記添加剤は、アルカノールアミン類から構成されたも
のであることを特徴とする研磨方法。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10321569A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
JPH11114808A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-27 | Toray Ind Inc | 研磨材用複合粒子およびスラリー状研磨材 |
JP2001007061A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP2001044148A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Speedfam Co Ltd | 化合物半導体ウェーハエッジ加工方法 |
JP2001187877A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Nec Corp | 化学的機械的研磨用スラリー |
JP2001300843A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-10-30 | Yasuhiro Tani | 研磨剤及び製造方法並びに研磨方法 |
JP2001323256A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
JP2002080825A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 研磨粒子及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-03-26 JP JP2002085179A patent/JP4057322B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10321569A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
JPH11114808A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-27 | Toray Ind Inc | 研磨材用複合粒子およびスラリー状研磨材 |
JP2001007061A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP2001044148A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Speedfam Co Ltd | 化合物半導体ウェーハエッジ加工方法 |
JP2001187877A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Nec Corp | 化学的機械的研磨用スラリー |
JP2001300843A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-10-30 | Yasuhiro Tani | 研磨剤及び製造方法並びに研磨方法 |
JP2001323256A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
JP2002080825A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 研磨粒子及びその製造方法 |
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