JP2003276000A - 接合型マイクロ構造体 - Google Patents

接合型マイクロ構造体

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JP2003276000A
JP2003276000A JP2002083659A JP2002083659A JP2003276000A JP 2003276000 A JP2003276000 A JP 2003276000A JP 2002083659 A JP2002083659 A JP 2002083659A JP 2002083659 A JP2002083659 A JP 2002083659A JP 2003276000 A JP2003276000 A JP 2003276000A
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land
substrate
lands
electrode
movable
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JP2002083659A
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Masaya Tamura
昌弥 田村
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 通電用のランドから独立した他のランドにも
電圧を容易に印加できる構成とし、陽極接合部位の信頼
性や接合作業の効率を高める。 【解決手段】 基板2には、可動部4を変位可能に支持
する外枠ランド3と、振動発生部12及び接続片19を
有する駆動側ランド9と、角速度検出部17,18を有
する検出側ランド13とを設ける。また、電極14,1
5と電極16との対向面積を左,右非対称に形成する。
そして、他の基板20をランド3,9,13に陽極接合
するときには、外枠ランド3に電圧を印加することによ
り、接続片19を静電力により撓み変形させてランド
3,9間を接続すると共に、振動子6を左,右非対称な
静電力によりZ軸周りで傾くように変位させてランド
3,13間を接続する。これにより、電源に接続し難い
位置にあるランド9,13も確実に陽極接合することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばシリコン材
料等からなる構造物の両側にガラス基板等を接合するこ
とにより形成され、各種のセンサ、アクチュエータ等と
して好適に用いられる接合型マイクロ構造体に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、接合型マイクロ構造体として
は、例えばシリコン材料等からなる微細な構造物の両側
にガラス基板等を接合したものがあり、例えば角速度セ
ンサ、加速度センサ等を含めた各種の半導体センサや静
電駆動型のアクチュエータ等が知られている(例えば特
開平11−326366号、特開2000−18693
1号公報等)。
【0003】この種の従来技術による接合型マイクロ構
造体は、例えば陽極接合等の手段によってガラス基板の
表面に導電性のシリコン板を接合し、このシリコン板に
エッチング加工等を施してセンサやアクチュエータの各
部位を形成した後に、これらの部位の表面側に他のガラ
ス基板を接合することによって形成されている。
【0004】ここで、図11及び図12を参照しつつ、
従来技術の接合型マイクロ構造体について述べる。
【0005】図中、100は例えば絶縁性のガラス材料
等により形成された基板で、該基板100の表面側に
は、例えば導電性のシリコン材料にエッチング加工等を
施すことによってセンサやアクチュエータの各部位が設
けられている。そして、これらの部位は、例えば陽極接
合等の手段によって基板100に接合された通電ランド
としての外枠ランド101と、該外枠ランド101に取
囲まれる位置で基板100に接合され、外枠ランド10
1と絶縁された独立ランドとしての複数の内側ランド1
02(1個のみ図示)と、例えば外枠ランド101に支
持梁103A等を介して変位可能に支持された可動部1
03とを含んで構成されている。
【0006】また、外枠ランド101と各内側ランド1
02の表面側には、ガラス材料等からなる他の基板10
4が接合され、これによって可動部103等は基板10
0,104間に密閉状態で配置されている。
【0007】そして、このように構成されるマイクロ構
造体を用いたセンサにおいては、例えば角速度や加速度
等の外力によって可動部103を変位させ、このとき可
動部103と内側ランド102との間の静電容量の変化
を外力として検出する。また、静電駆動型のアクチュエ
ータにおいては、例えば内側ランド102と可動部10
3との間に駆動信号を印加して静電力を発生させること
により、可動部103を静電力によって変位させるもの
である。
【0008】また、マイクロ構造体の製造時には、図1
1に示す如く、まず基板100の表面側にランド10
1,102、可動部103等を形成する。次に、他の基
板104を全てのランド101,102に当接させて所
定の接合位置に配設し、これらの加熱処理を行う。
【0009】そして、図12に示すように、例えば陽極
接合用の接合装置等に設けられた電極板(陰極)105
を基板104に接触させ、電極ピン(陽極)106を外
枠ランド101の側面等に接触させると共に、この状態
で電源107によって電極板105と電極ピン106と
の間に直流電圧を印加することにより、複数のランド1
01,102と基板104との間を陽極接合するもので
ある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術によるマイクロ構造体は、外枠ランド101内に
複数の内側ランド102が絶縁状態で配置されている。
このため、基板104を陽極接合するときには、例えば
電極ピン106を外枠ランド101に接触させて大きな
電圧を印加しても、内側ランド102に十分な電圧が印
加されないことがあるため、内側ランド102と基板1
04との間で陽極接合の反応が十分に進行せず、例えば
図12中の部位A等で両者の接合状態が不良となる場合
がある。
【0011】しかし、基板104の接合部位Aには、例
えば内側ランド102を外部の回路等に接続するための
貫通孔B等を形成することが多い。このため、従来技術
では、基板100,104間の密閉空間が不良な接合部
位Aと貫通孔Bとを介して外部に連通し、外部から水
分、ダスト等の異物が基板100,104間に侵入する
虞れがあり、信頼性が低下するという問題がある。
【0012】これに対し、図12中に仮想線で示すよう
に、例えば上側の基板104を接合する前に、下側の基
板100のうち各内側ランド102が接合された部位に
複数の貫通孔Cを予め穿設しておき、上側の基板104
を接合するときには、これらの貫通孔Cを介して他の電
極ピン106′を各内側ランド102に接触させる方法
も考えられる。
【0013】しかし、この場合には、各貫通孔Cの穿孔
作業に余分な手間がかかるばかりでなく、接合装置等に
は、複数の電極ピン106′を各貫通孔Cと正確に位置
合わせした状態で取付ける必要があるため、接合装置の
大型化、複雑化やコストアップを招くという問題があ
る。しかも、例えば複数種類のマイクロ構造体を製造す
る場合には、その種類に対応して接合装置に取付ける電
極ピン106′の本数、取付位置等を個別に変更しなけ
ればならず、生産性が低下する。
【0014】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明の目的は、接合装置等を複雑化す
ることなく、基板に全てのランドを確実に接合でき、そ
の接合作業を効率よく実行できると共に、信頼性や生産
性を向上できるようにした接合型マイクロ構造体を提供
することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために本発明は、絶縁性の材料により形成された第1の
基板と、導電性の材料によって該第1の基板に接合して
設けられ外部から通電可能な通電ランドと、導電性の材
料により形成され該通電ランドと絶縁して前記第1の基
板に接合された1個または複数個の独立ランドと、絶縁
性の材料により形成され前記通電ランドと独立ランドと
を挟んで前記第1の基板と反対側で接合される第2の基
板とを備えてなる接合型マイクロ構造体に適用される。
【0016】そして、請求項1の発明が採用する構成の
特徴は、通電ランドと独立ランドのうちいずれか一方の
ランドには、前記通電ランドに電圧を印加したときに静
電力により他方のランドと接続される接続片を設ける構
成としたことにある。
【0017】このように構成することにより、第1の基
板に接合した通電ランドと独立ランドとに対して、さら
に第2の基板を接合するときには、通電ランドに電圧を
印加することにより、接続片を静電力によって変位させ
ることができ、通電ランドと独立ランドとの間を接続片
によって接続することができる。これにより、例えば独
立ランドが電源と接続し難い位置に配設されていたとし
ても、通電ランドと独立ランドの両方に電圧を印加で
き、これらを基板と接合することができる。
【0018】また、請求項2の発明によると、接続片は
基端側が一方のランドに固着され先端側が前記他方のラ
ンドに向けて延びる構成としている。
【0019】これにより、通電ランドに電圧を印加した
ときには、例えば接続片の自由端側を静電力により撓み
変形させて他方のランドに接触させることができ、接続
片を介して独立ランドにも電圧を印加することができ
る。
【0020】また、請求項3の発明によると、通電ラン
ドと独立ランドのうち一方のランドには2つの固定電極
を互いに間隔をもって設け、他方のランドには該各固定
電極と対向面積を異にして対向し該各固定電極と近接,
離間する方向に変位する2つの可動電極を設け、前記通
電ランドに電圧を印加したときに、前記2つの可動電極
のうち一側の可動電極が固定電極から離間し他側の可動
電極が固定電極に近接する構成としている。
【0021】これにより、接合型マイクロ構造体は、例
えば角速度、加速度等の外力を固定電極と可動電極との
間の静電容量により検出するセンサを構成したり、可動
電極を静電力により変位させる静電駆動型のアクチュエ
ータを構成することができる。また、第2の基板を接合
するときには、通電ランドに電圧を印加することによ
り、一側,他側の可動電極と固定電極との間に静電力を
発生でき、このとき一側の可動電極に加わる静電力と他
側の可動電極に加わる静電力とは個々の対向面積に応じ
て非対称となる。このため、例えば一側,他側の可動電
極を固定電極に対して傾くように変位させ、一側の可動
電極を固定電極に接触させることができるので、これら
の電極により通電ランドと独立ランドとの間を接続で
き、両方のランドに電圧を印加して各ランドを基板と接
合することができる。
【0022】また、請求項4の発明によると、通電ラン
ドは独立ランドを取囲んで枠状に形成する構成としてい
る。
【0023】これにより、通電ランドは、第1,第2の
基板間に位置して独立ランド等を含めたマイクロ構造体
の各部位を外側から取囲むことができ、マイクロ構造体
の外枠を構成することができる。また、基板の接合時に
は、外側の通電ランドに電圧を印加することにより、内
側の独立ランドにも電圧を加えることができる。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
接合型マイクロ構造体として、角速度センサを例に挙
げ、図1ないし図10を参照しつつ詳細に説明する。
【0025】図中、1は本実施の形態に適用される角速
度センサ、2は該角速度センサ1の下部側を構成する第
1の基板で、該第1の基板2は、例えば絶縁性のガラス
材料等によって四角形状に形成され、例えば互いに直交
するX軸とY軸とに沿って水平に延びている。
【0026】また、基板2の表面側には、図1、図2に
示す如く、例えば単結晶または多結晶をなす低抵抗なシ
リコン材料にエッチング加工を施すことにより、導電性
を有する後述のランド3,9,13、可動部4、支持梁
7,8、電極10,11,14,15,16、接続片1
9等が形成されている。そして、これらの部位のうちラ
ンド3,9,13は基板2,20の両方に接合され、ラ
ンド3,9,13を除いた部位は基板2,20の両方と
離間して配置されている。
【0027】3は基板2に接合された通電ランドとして
の外枠ランドで、該外枠ランド3は、基板2,20の外
縁側に沿って延びる四角形の枠状に形成され、その内側
には、外側支持梁7を介して可動部4をX軸方向に変位
(振動)可能に支持する左,右の支持部3A,3Aが設
けられている。また、外枠ランド3内には、各駆動側ラ
ンド9と検出側ランド13とが離間して配置され、これ
らのランド3,9,13は互いに絶縁されている。
【0028】4は外枠ランド3内に変位可能に配置され
た2重枠状の可動部で、該可動部4は、四角形の枠状に
形成された枠体5と、該枠体5内に配置され略「日」の
字をなす枠状体として一体に形成された振動子6とを含
んで構成されている。
【0029】そして、枠体5は、X軸方向に延びた前,
後の横枠部5Aと、Y軸方向に延びた左,右の縦枠部5
Bとにより構成され、各縦枠部5Bは、可動部4の両側
に配置された左,右の外側支持梁7を介して外枠ランド
3の支持部3A,3Aにそれぞれ連結されている。この
場合、外側支持梁7は、Y軸方向に延びてX軸方向に撓
み変形可能に形成されている。
【0030】また、振動子6は、前,後の横枠部6A
と、左,右の縦枠部6Bと、各横枠部6A間に位置して
X軸方向に延びた中間枠部6Cとにより構成され、各横
枠部6Aは、例えばX軸方向に延びてY軸方向に撓み変
形可能に形成された4本の内側支持梁8を介して枠体5
内に連結されている。これにより、振動子6は、枠体5
内に各内側支持梁8を介してY軸方向に変位可能に支持
されている。
【0031】9は外枠ランド3内に位置して基板2に接
合された独立ランドとしての例えば4個の駆動側ランド
で、該各駆動側ランド9は四角形の島状体として形成さ
れ、可動部4の外側に位置してY軸方向の両側に配置さ
れている。
【0032】10は各駆動側ランド9にそれぞれ設けら
れた固定側駆動電極で、該各固定側駆動電極10は、X
軸方向に突出しY軸方向に間隔をもって櫛歯状に配置さ
れた複数の電極板10Aを有している。
【0033】11は各駆動側ランド9に対応する位置で
可動部4(枠体5)の横枠部5Aに設けられた例えば4
個の可動側駆動電極で、該各可動側駆動電極11は、固
定側駆動電極10の各電極板10AとY軸方向の隙間を
挟んで噛合する複数の電極板11Aを有している。
【0034】12は可動部4の枠体5と各駆動側ランド
9との間に設けられた例えば4個の振動発生部で、該各
振動発生部12は、駆動電極10,11によってそれぞ
れ構成されている。そして、振動発生部12は、例えば
直流バイアス電圧と交流電圧からなる駆動信号が入力さ
れることにより、駆動電極10,11間に静電引力を発
生し、可動部4をX軸方向に振動させるものである。
【0035】13は可動部4の振動子6内に位置して基
板2に接合された独立ランドとしての例えば2個の検出
側ランドで、該各検出側ランド13は、振動子6の中間
枠部6Cを挟んでY軸方向の両側に前,後配置されてい
る。
【0036】14,15は個々の検出側ランド13に
左,右方向に間隔をもって設けられた例えば2つの固定
電極としての固定側検出電極で、該固定側検出電極1
4,15は、振動子6がY軸方向に変位するときに、後
述する可動側検出電極16との間の静電容量の変化を角
速度Ωとして検出するものである。
【0037】ここで、各検出側ランド13のうち図1中
の上側に位置する検出側ランド13においては、振動子
6の中心(例えば、振動子6の重心G等)を通ってY軸
方向に延びる直線を軸線L−Lとしたときに、この軸線
L−Lよりも左側に固定側検出電極14が配置され、該
固定側検出電極14は、X軸方向に突出しY軸方向に間
隔をもって櫛歯状に配置された複数の電極板14Aを有
している。また、固定側検出電極15は軸線L−Lより
も右側に配置され、その各電極板15Aは、固定側検出
電極14の電極板14Aよりも長尺に形成されている。
【0038】この結果、固定側検出電極15と可動側検
出電極16との対向面積S1は、固定側検出電極14と
可動側検出電極16との対向面積S2よりも大きく形成
され(S1>S2)、これらの対向面積S1,S2は、互い
に異なって左,右非対称な大きさに設定されている。
【0039】一方、図1中の下側に位置する検出側ラン
ド13においては、上側の検出側ランド13の場合と逆
に、可動側検出電極16に対して大きな対向面積S1を
もつ固定側検出電極15が左側に配置され、小さな対向
面積S2をもつ固定側検出電極14が右側に配置されて
いる。
【0040】16,16は振動子6の中間枠部6Cに設
けられた例えば2つの可動電極としての可動側検出電極
で、該各可動側検出電極16は、軸線L−Lを挟んで左
側と右側とに対称形状をもって配置され、中間枠部6C
からY軸方向の両側に突出している。また、可動側検出
電極16は、固定側検出電極14,15の各電極板14
A,15AとY軸方向の隙間を挟んでそれぞれ噛合する
複数の電極板16Aを有し、可動部4がY軸方向に変位
することにより固定側検出電極14,15に対して近
接,離間する構成となっている。
【0041】そして、後述する第2の基板20とランド
3,9,13とを陽極接合するときには、図8、図9に
示す如く、外枠ランド3に電圧を印加すると、固定側検
出電極14,15と可動側検出電極16との間には、こ
れらの対向面積S1,S2に応じて左,右非対称な静電引
力F1,F2が発生する。この結果、振動子6は、例えば
一側の可動側検出電極16が固定側検出電極14から離
間し他側の可動側検出電極16が固定側検出電極15に
近接するように、静電引力F1,F2による回転モーメン
トMを受けてZ軸周りで傾くように変位(揺動)し、一
側の可動側検出電極16が固定側検出電極15と接触す
るようになるため、外枠ランド3に印加される電圧は、
これらの検出電極15,16や可動部4等を介して各検
出側ランド13にも加わる構成となっている。
【0042】17,18は可動部4の振動子6と各検出
側ランド13との間に設けられた例えば2個の角速度検
出部で、該角速度検出部17,18は、固定側検出電極
14,15と可動側検出電極16とによりそれぞれ構成
され、平行平板型のコンデンサをなし、振動子6の中間
枠部6Cを挟んでY軸方向の両側に配置されている。
【0043】そして、角速度検出部17,18は、振動
子6がZ軸周りの角速度ΩによってY軸方向に変位する
ときに、その変位量を固定側検出電極14,15と可動
側検出電極16との間の静電容量の変化により検出し、
角速度Ωに対応した検出信号をそれぞれ出力するもので
ある。
【0044】19は外枠ランド3と各駆動側ランド9と
の間にそれぞれ設けられた複数の接続片で、該各接続片
19は、その基端側が駆動側ランド9に固着され、先端
側が自由端となって外枠ランド3に向けて撓み変形可能
に延びると共に、基板2,20と離間して配置されてい
る。
【0045】そして、第2の基板20とランド3,9,
13とを陽極接合するときには、図8に示す如く、外枠
ランド3に電圧を印加すると、外枠ランド3と接続片1
9との間に静電引力が発生することにより、接続片19
が外枠ランド3に引付けられて撓み変形する。この結
果、接続片19は、外枠ランド3に接触して外枠ランド
3と各駆動側ランド9との間を接続し、外枠ランド3の
電圧が各駆動側ランド9にも印加されるものである。
【0046】一方、20はランド3,9,13に基板2
と反対側で接合される第2の基板で、該第2の基板20
は、図2に示す如く、例えば絶縁性のガラス材料等によ
り四角形状に形成されている。また、基板20には、可
動部4等を基板20に対して離間させる凹窪部20A
と、該凹窪部20Aを取囲む枠状の接合突部20Bと、
凹窪部20A内に位置した複数の接合突部20Cと、接
合突部20B,20Cに対応する位置で基板20を貫通
した複数の貫通孔20Dとが設けられている。そして、
基板20は、接合突部20Bが外枠ランド3に接合さ
れ、各接合突部20Cが駆動側ランド9と検出側ランド
13とにそれぞれ接合されるものである。
【0047】21は基板20の各貫通孔20D等に設け
られた複数の電極パッドで、該各電極パッド21は、図
1、図2に示す如く、例えば金属膜等により形成され、
外枠ランド3、駆動側ランド9及び検出側ランド13に
それぞれ接続されている。そして、これらの電極パッド
21は、各振動発生部12に対する駆動信号の入力、角
速度検出部17,18による検出信号の出力等を行うも
のである。
【0048】本実施の形態による角速度センサ1は上述
の如き構成を有するもので、次にその作動について説明
する。
【0049】まず、左,右の振動発生部12に対して、
互いに逆位相となる交流の駆動信号を直流バイアス電圧
と共に印加すると、左,右の固定側駆動電極10と可動
側駆動電極11との間に静電引力が交互に発生し、可動
部4の枠体5と振動子6とは、外側支持梁7が撓み変形
することによってX軸方向に振動する。
【0050】そして、この状態で可動部4にZ軸周りの
角速度Ωが加わると、振動子6は、その質量、X軸方向
の速度、角速度Ωの大きさ等に応じたコリオリ力をY軸
方向に受けるようになるため、振動子6は、内側支持梁
8が撓み変形することにより、コリオリ力に応じてY軸
方向に変位する。
【0051】この結果、角速度検出部17,18は、固
定側検出電極14,15と可動側検出電極16との間の
電極間隔(静電容量)が変化し、この静電容量の変化に
対応した検出信号をそれぞれ出力するので、これらの検
出信号に対して例えば差動増幅等の信号処理を行うこと
により、Z軸周りの角速度Ωを高い精度で検出すること
ができる。
【0052】次に、図4ないし図9を参照しつつ、角速
度センサ1の製造方法について説明する。
【0053】まず、図4に示す第1の接合工程では、例
えば導電性のシリコン材料等からなるシリコン板22の
裏面側に対して、基板2と可動部4等との間に隙間を形
成するための凹窪部22Aを予め形成しておき、このシ
リコン板22を第1の基板2の表面側に配置すると共
に、陽極接合用の接合装置等に設けられた電極板(陰
極)23を基板2に接触させる。そして、接合装置の電
極ピン(陽極)24をシリコン板22に接触させ、この
状態で電源25によって電極板23と電極ピン24との
間に直流電圧を印加することにより、基板2とシリコン
板22とを陽極接合する。
【0054】次に、図5に示すエッチング工程では、例
えばレジスト膜等をマスクとしてシリコン板22にエッ
チング加工を施すことにより、シリコン板22を用いて
ランド3,9,13、可動部4、支持梁7,8、電極1
0,11,14,15,16、接続片19等を形成す
る。
【0055】次に、図6ないし図9に示す第2の接合工
程では、まずランド3,9,13の表面側に対して、第
2の基板20の接合突部20B,20Cをそれぞれ当接
させる。そして、図7に示すように、接合装置の電極板
23を基板20に接触させ、電極ピン24を外枠ランド
3の側面に接触させると共に、この状態で電源25によ
って電極板23と電極ピン24との間に直流電圧を印加
する。
【0056】この結果、図8に示すように、電極ピン2
4を介して外枠ランド3に電圧が印加されると、電圧が
加わっていない各駆動側ランド9と外枠ランド3との間
には電位差が生じるため、各接続片19と外枠ランド3
との間には静電引力が発生する。このため、接続片19
は、外枠ランド3に引付けられてこれと接触する位置ま
で撓み変形し、外枠ランド3と各駆動側ランド9との間
を接続するので、外枠ランド3の電圧を各駆動側ランド
9にも印加することができる。
【0057】また、外枠ランド3に電圧を印加したとき
には、この電圧が加わる可動側検出電極16と、電圧が
加わっていない検出側ランド13の固定側検出電極1
4,15との間にも、電位差による静電引力が発生す
る。
【0058】この場合、検出電極15,16間に発生す
る静電引力F1は、図3,図9に示す如く、その対向面積
S1が検出電極14,16間の対向面積S2よりも大きく
形成されているため、検出電極14,16間に発生する
静電引力F2よりも大きくなる。そして、振動子6は、
大きな静電引力F1等により回転モーメントMを受け、
内側支持梁8が撓み変形することによってZ軸周りで傾
くように変位する。この結果、可動側検出電極16の電
極板16Aが固定側検出電極15の電極板15Aと接触
するようになるので、外枠ランド3の電圧を可動部4、
支持梁7,8、検出電極15,16等を介して各検出側
ランド13にも印加することができる。
【0059】これにより、第2の接合工程では、接合装
置の電極ピン24を用いて外枠ランド3、各駆動側ラン
ド9及び各検出側ランド13の全てに電圧を加えること
ができるから、これらのランド3,9,13と第2の基
板20の接合突部20B,20Cとをそれぞれ確実に陽
極接合することができる。そして、この接合工程後に
は、基板20に各貫通孔20Dを穿設し、各電極パッド
21を設けることにより、角速度センサ1を製造するこ
とができる。
【0060】かくして、本実施の形態によれば、各駆動
側ランド9には、外枠ランド3に接続される接続片19
を設ける構成としたので、これらのランド3,9に第2
の基板20を接合するときには、角速度センサ1の外面
側に露出した外枠ランド3に電圧を印加するだけで、各
接続片19を静電力により撓み変形させて外枠ランド3
と接触させることができ、簡単な構造で外枠ランド3と
各駆動側ランド9との間を接続することができる。
【0061】これにより、駆動側ランド9が外枠ランド
3に取囲まれて電源25と接続し難い位置にある場合で
も、接続片19を用いて駆動側ランド9にも電圧を容易
に印加でき、これらのランド3,9の両方を基板20の
接合突部20B,20Cに確実に陽極接合することがで
きる。
【0062】従って、従来技術のように内側ランド10
2の接合状態が不良となったり、他の電極ピン106′
等を設けることによって接合装置の構造が複雑化するの
を防止でき、基板20の接合作業を効率よく実行できる
と共に、可動部4等を基板2,20と外枠ランド3との
内側に安定的に密閉でき、信頼性や生産性を向上させる
ことができる。
【0063】また、本実施の形態では、各検出側ランド
13を接合するにあたって、固定側検出電極15と可動
側検出電極16との対向面積S1を、固定側検出電極1
4と可動側検出電極16との対向面積S2よりも大きく
形成し、これらの対向面積S1,S2を左,右非対称に設
定している。
【0064】これにより、外枠ランド3に電圧を印加し
たときには、振動子6(可動側検出電極16)を非対称
な静電引力F1,F2によりZ軸周りで傾くように変位さ
せることができ、可動側検出電極16を固定側検出電極
15と確実に接触させることができる。この結果、これ
らの電極15,16等を介して外枠ランド3と検出側ラ
ンド13との間を接続できるから、外枠ランド3と可動
部4の両方に取囲まれて電源25と接続し難い位置にあ
る各検出側ランド13に対しても、電圧を容易に印加す
ることができ、検出側ランド13を基板20の接合突部
20Cに確実に陽極接合することができる。
【0065】従って、本実施の形態によれば、例えば角
速度センサ1のように外枠ランド3内に複数の駆動側ラ
ンド9と検出側ランド13とが配置されているマイクロ
構造体においても、外枠ランド3に電圧を供給するだけ
で、全てのランド3,9,13と基板20との陽極接合
を確実に行うことができ、角速度センサ1を効率よく製
造することができる。
【0066】なお、実施の形態では、駆動側ランド9に
接続片19を設ける構成としたが、本発明はこれに限ら
ず、例えば図10に示す変形例のように構成してもよ
い。この場合、外枠ランド3には、電圧を印加したとき
に各駆動側ランド9にそれぞれ接触する複数の接続片1
9′(1個のみ図示)が設けられている。
【0067】また、実施の形態では、外枠ランド3に可
動部4、可動側検出電極16等を変位可能に設ける構成
としたが、本発明はこれに限らず、通電ランドに固定電
極を設け、独立ランドに可動部、可動電極等を変位可能
に設ける構成としてもよい。
【0068】また、実施の形態では、固定側検出電極1
4,15を異なる形状に形成することにより、これらの
電極14,15と電極16との対向面積S1,S2に差異
を与える構成としたが、本発明はこれに限らず、例えば
2つの固定電極を同じ形状とし、2つの可動電極を互い
に異なる形状に構成してもよい。
【0069】また、実施の形態では、角速度センサ1の
製造時に、基板2と可動部4等との間に隙間を形成する
為にシリコン板22に凹窪部22Aを設ける構成とし
た。しかし、本発明はこれに限るものではなく、シリコ
ン板22に凹窪部を形成せずに基板2の表面側に凹窪部
を形成する構成としてもよい。
【0070】また、実施の形態では、接合型マイクロ構
造体として角速度センサ1を例に挙げて述べたが、本発
明はこれに限るものではなく、例えば加速度センサ、静
電駆動型のアクチュエータ等を含めて各種のセンサ、ア
クチュエータに適用できるのは勿論である。
【0071】
【発明の効果】以上詳述した通り、請求項1の発明によ
れば、通電ランドと独立ランドのうちいずれか一方のラ
ンドには、通電ランドに電圧を印加したときに他方のラ
ンドと接続される接続片を設ける構成としたので、これ
らのランドに第2の基板を接合するときには、通電ラン
ドに電圧を印加するだけで、接続片を静電力により変位
させて通電ランドと独立ランドとの間を接続でき、例え
ば独立ランドが電源と接続し難い位置にある場合でも、
接続片を用いて独立ランドにも電圧を容易に加えること
ができる。これにより、通電ランドと独立ランドの両方
を第2の基板に確実に接合でき、従来技術のように独立
ランドの接合状態が不良となったり、接合装置の構造等
が複雑化するのを防止することができる。また、第2の
基板の接合作業を効率よく実行でき、信頼性や生産性を
向上させることができる。
【0072】また、請求項2の発明によれば、接続片
は、基端側が一方のランドに固着され先端側が他方のラ
ンドに向けて延びる構成としたので、通電ランドに電圧
を印加したときには、例えば接続片を撓み変形させて通
電ランドと独立ランドとの間を容易に接続でき、簡単な
構造で接続片を介して独立ランドにも電圧を印加するこ
とができる。
【0073】また、請求項3の発明によれば、通電ラン
ドと独立ランドのうち一方のランドに設けた2つの固定
電極に対して、他方のランドに設けた2つの可動電極を
異なる対向面積で対向させる構成としたので、通電ラン
ドに電圧を印加したときには、2つの可動電極に非対称
な静電力を付加でき、該各可動電極のうち一側の可動電
極を固定電極と接触させることができる。従って、これ
らの電極等を介して通電ランドと独立ランドとの間を接
続でき、例えば電源と接続し難い位置にある独立ランド
にも電圧を容易に印加できるから、通電ランドと独立ラ
ンドの両方を第2の基板に確実に接合でき、信頼性や生
産性を向上させることができる。
【0074】また、請求項4の発明によれば、通電ラン
ドは、独立ランドを取囲んで枠状に構成したので、外側
の通電ランドに電圧を印加することにより、電源と接続
し難い位置にある内側の独立ランドにも電圧を容易に加
えることができる。従って、これらのランドを第2の基
板に確実に接合でき、例えば可動電極等を第1,第2の
基板と通電ランドとの内側に安定的に密閉することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による角速度センサを第2
の基板を省略して示す平面図である。
【図2】角速度センサを図1中の矢示II−II方向からみ
た断面図である。
【図3】角速度センサの可動部等を示す図1中の要部拡
大図である。
【図4】第1の接合工程により第1の基板とシリコン板
とを陽極接合する状態を示す断面図である。
【図5】エッチング工程によりシリコン板にエッチング
加工を施してランド等を形成した状態を示す断面図であ
る。
【図6】第2の接合工程において第2の基板を各ランド
に当接する状態を示す断面図である。
【図7】第2の基板と各ランドとを陽極接合する状態を
示す断面図である。
【図8】外枠ランドに電圧を印加することにより駆動側
ランドと検出側ランドとが外枠ランドと接続された状態
を示す平面図である。
【図9】可動部の振動子が傾くように変位した状態を示
す図8中の要部拡大図である。
【図10】本発明の変形例による角速度センサの接続片
等を示す要部拡大図である。
【図11】従来技術の接合型マイクロ構造体を示す断面
図である。
【図12】従来技術のランドと第2の基板とを陽極接合
する状態を示す断面図である。
【符号の説明】
1 角速度センサ 2 第1の基板 3 外枠ランド(通電ランド) 3A 支持部 4 可動部 5 枠体 5A,5B,6A,6B,6C 枠部 6 振動子 7 外側支持梁 8 内側支持梁 9 駆動側ランド(独立ランド) 10 固定側駆動電極 10A,11A,14A,15A,16A 電極板 11 可動側駆動電極 12 振動発生部 13 検出側ランド(独立ランド) 14,15 固定側検出電極(固定電極) 16 可動側検出電極(可動電極) 17,18 角速度検出部 19,19′ 接続片 20 第2の基板 20A 凹窪部 20B,20C 接合突部 20D 貫通孔 21 電極パッド 22 シリコン板 23 電極板 24 電極ピン 25 電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // G01P 9/04 G01P 9/04

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁性の材料により形成された第1の基
    板と、導電性の材料によって該第1の基板に接合して設
    けられ外部から通電可能な通電ランドと、導電性の材料
    により形成され該通電ランドと絶縁して前記第1の基板
    に接合された1個または複数個の独立ランドと、絶縁性
    の材料により形成され前記通電ランドと独立ランドとを
    挟んで前記第1の基板と反対側で接合される第2の基板
    とを備えてなる接合型マイクロ構造体において、 前記通電ランドと独立ランドのうちいずれか一方のラン
    ドには、前記通電ランドに電圧を印加したときに静電力
    により他方のランドと接続される接続片を設ける構成と
    したことを特徴とする接合型マイクロ構造体。
  2. 【請求項2】 前記接続片は基端側が前記一方のランド
    に固着され先端側が前記他方のランドに向けて延びる構
    成としてなる請求項1に記載の接合型マイクロ構造体。
  3. 【請求項3】 絶縁性の材料により形成された第1の基
    板と、導電性の材料によって該第1の基板に接合して設
    けられ外部から通電可能な通電ランドと、導電性の材料
    により形成され該通電ランドと絶縁して前記第1の基板
    に接合された1個または複数個の独立ランドと、絶縁性
    の材料により形成され前記通電ランドと独立ランドとを
    挟んで前記第1の基板と反対側で接合される第2の基板
    とを備えてなる接合型マイクロ構造体において、 前記通電ランドと独立ランドのうち一方のランドには2
    つの固定電極を互いに間隔をもって設け、他方のランド
    には該各固定電極と対向面積を異にして対向し該各固定
    電極と近接,離間する方向に変位する2つの可動電極を
    設け、前記通電ランドに電圧を印加したときに、前記2
    つの可動電極のうち一側の可動電極が固定電極から離間
    し他側の可動電極が固定電極に近接する構成としたこと
    を特徴とする接合型マイクロ構造体。
  4. 【請求項4】 前記通電ランドは前記独立ランドを取囲
    んで枠状に形成してなる請求項1,2または3に記載の
    接合型マイクロ構造体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1619164A2 (en) * 2004-07-19 2006-01-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical offset structure and method for fabricating the same
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CN110779510A (zh) * 2019-11-14 2020-02-11 无锡莱斯能特科技有限公司 一种三轴mems陀螺仪

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