JP2003275881A - Laser beam machining device - Google Patents

Laser beam machining device

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JP2003275881A JP2002337766A JP2002337766A JP2003275881A JP 2003275881 A JP2003275881 A JP 2003275881A JP 2002337766 A JP2002337766 A JP 2002337766A JP 2002337766 A JP2002337766 A JP 2002337766A JP 2003275881 A JP2003275881 A JP 2003275881A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser beam machining device that facilitates verification as to whether the emission power of an energy beam is at a proper value and that easily finds the optimum driving conditions of the optimum beam source for a workpiece even if the type of workpiece is changed. <P>SOLUTION: The device is provided with a power meter for measuring the emission power of the pulsed laser beam emitted to a workpiece and a means for selectively executing an operation mode for measuring the emission power of the pulsed laser beam while automatically switching a plurality of driving conditions of a YAG laser beam machine and an ordinary machining operation mode. The device may be designed to perform selectively one of two operation modes, namely, an operation mode that forms a machining pattern for setting machining conditions for a workpiece on each of the plurality of driving conditions of the YAG laser beam machine while automatically switching the driving conditions, and the ordinary machining operation mode. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、パルスレーザービ
ーム等のパルス状のエネルギービームを用いて樹脂、セ
ラミック、金属等の加工対象物を加工するビーム加工装
置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a beam processing apparatus for processing an object to be processed such as resin, ceramics, metal, etc. using a pulsed energy beam such as a pulsed laser beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のビーム加工装置として、
Qスイッチを有するYAGレーザ装置から出射されるパ
ルス状のレーザービームを用い、加工対象物であるワー
クを切断したり穴開けしたりする加工装置が知られてい
る(例えば、特許文献1参照)。このビーム加工装置で
は、XYテーブル上にワークをセットし、パルス状のレ
ーザービームの照射方向と交差する方向にワークを移動
させながら、所定の繰り返し周波数のパルス状のレーザ
ビームをワークに連続的に照射する。このようなビーム
加工装置では、ワーク上の各照射スポットが一定のピッ
チで並ぶようにパルス状のレーザビームが照射される。
2. Description of the Related Art Conventionally, as this type of beam processing apparatus,
There is known a processing device that cuts or punches a workpiece as a processing target by using a pulsed laser beam emitted from a YAG laser device having a Q switch (for example, refer to Patent Document 1). In this beam processing apparatus, a work is set on an XY table, and while moving the work in a direction intersecting the irradiation direction of the pulsed laser beam, a pulsed laser beam having a predetermined repetition frequency is continuously applied to the work. Irradiate. In such a beam processing apparatus, a pulsed laser beam is irradiated so that the irradiation spots on the work are arranged at a constant pitch.

【0003】[0003]

【特許文献1】特開平11−226773号公報[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-226773

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
ビーム加工装置では、YAGレーザ装置を構成するラン
プや光学部品の劣化等により、レーザービームの繰り返
し周波数やYAGレーザ装置のランプ電流等の駆動条件
を一定に保持したとしてもYAGレーザ装置から出射さ
れるレーザービームのパワーが経時的に変化する場合が
あった。このようにレーザービームのパワーが変化する
と、ワーク加工が不十分になったり、逆に過剰な加工に
よってワークに損傷を与えたりするおそれがあるという
問題があった。
However, in the above-described conventional beam processing apparatus, driving conditions such as the repetition frequency of the laser beam and the lamp current of the YAG laser device are deteriorated due to deterioration of the lamps and optical parts that constitute the YAG laser device. Even if is kept constant, the power of the laser beam emitted from the YAG laser device may change with time. When the power of the laser beam changes in this way, there is a problem that the work may be insufficiently processed, or conversely, the work may be damaged due to excessive processing.

【0005】また、上記従来のビーム加工装置で加工す
るワークの種類が変わった場合、そのワークに最適なレ
ーザービームの繰り返し周波数やランプ電流等のYAG
レーザ装置の駆動条件も変わってしまう場合があった。
従来、このような各ワークについて最適なYAGレーザ
の駆動条件を見出すために、作業者がYAGレーザ装置
の駆動条件の設定を変化させながらワーク加工を行なう
という煩雑な作業を伴うという問題があった。
Further, when the type of work to be processed by the conventional beam processing apparatus is changed, the YAG such as the repetition frequency of the laser beam and the lamp current which are optimum for the work is changed.
The driving conditions of the laser device may also change.
Conventionally, in order to find the optimum YAG laser driving condition for each work as described above, there has been a problem that an operator has to perform a complicated work of machining the work while changing the setting of the driving condition of the YAG laser device. .

【0006】なお、上記問題は、パルス状のエネルギー
ビームとしてレーザービームを用いるビーム加工装置に
おいて発生するものであるが、電子ビームや荷電粒子ビ
ームなどの他のエネルギービームを用いるビーム加工装
置においても発生し得る。また、上記問題は、パルス状
のエネルギービームの照射ポイントを固定した状態でワ
ークを移動させる場合だけでなく、ワークを固定配置し
た状態でパルス状のエネルギービームの照射ポイントを
走査するように移動させる場合や、パルス状のエネルギ
ービームの照射ポイント及びワークの両者を移動させる
場合にも発生し得る。
The above problem occurs in a beam processing apparatus that uses a laser beam as a pulsed energy beam, but it also occurs in a beam processing apparatus that uses another energy beam such as an electron beam or a charged particle beam. You can Further, the above problem is not limited to the case where the work is moved with the irradiation point of the pulsed energy beam fixed, but the work is moved so as to scan the irradiation point of the pulsed energy beam with the work fixedly arranged. In some cases, it may occur when both the irradiation point of the pulsed energy beam and the work are moved.

【0007】本発明は以上の背景の下でなされたもので
あり、その第1の目的は、エネルギービームの照射パワ
ーが適正な値になっているか否かを容易に確認できるビ
ーム加工装置を提供することである。また、第2の目的
は、加工対象物の種類が変わった場合でも、その加工対
象物に最適なビーム源の最適な駆動条件を容易に見出す
ことが可能となるビーム加工装置を提供することであ
る。
The present invention has been made under the background described above, and a first object thereof is to provide a beam processing apparatus capable of easily confirming whether or not the irradiation power of an energy beam has an appropriate value. It is to be. A second object is to provide a beam processing apparatus capable of easily finding the optimum driving condition of the beam source optimum for the object to be processed even if the type of the object to be processed changes. is there.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るために、請求項1の発明は、パルス状のエネルギービ
ームを繰り返し出射するビーム源と、該ビーム源から出
射されたエネルギービームを加工対象物に案内して照射
するビーム照射手段と、該加工対象物と該加工対象物に
対する該エネルギービームの照射ポイントとを相対移動
させる相対移動手段と、加工制御データに基づいて該ビ
ーム源及び該相対移動手段を制御する制御手段とを備え
たビーム加工装置において、該加工対象物に照射される
該エネルギービームの照射パワーを測定するパワー測定
手段と、該ビーム源の複数の駆動条件を自動的に切り換
えながら該パワー測定手段で該エネルギービームの照射
パワーを測定するパワー測定用動作モードと、通常の加
工動作モードとを選択的に実行する動作モード選択実行
手段とを設けたことを特徴とするものである。なお、上
記「加工対象物」には、エネルギービームが照射される
面が平面のものだけでなく、エネルギービームが照射さ
れる面が円筒面などの曲面であるものも含まれる。ま
た、上記「ビーム源の駆動条件」としては、上記エネル
ギービームの繰り返し周波数及び上記ビーム源に供給す
る電流が挙げられる。請求項1のビーム加工装置におい
ては、動作モード選択実行手段でパワー測定用動作モー
ドを選択して実行することにより、ビーム源の複数の駆
動条件を自動的に切り換えながらパワー測定手段でエネ
ルギービームの照射パワーを測定する。この測定結果に
より、ビーム源の各駆動条件について、エネルギービー
ムの照射パワーが適正な値になっているか否かを確認す
ることができる。
In order to achieve the first object, the invention of claim 1 provides a beam source for repeatedly emitting a pulsed energy beam and an energy beam emitted from the beam source. Beam irradiation means for guiding and irradiating the object to be processed, relative moving means for relatively moving the object to be processed and an irradiation point of the energy beam with respect to the object to be processed, and the beam source and the beam source based on processing control data. In a beam processing apparatus provided with a control means for controlling the relative moving means, a power measuring means for measuring an irradiation power of the energy beam with which the object to be processed is irradiated, and a plurality of driving conditions of the beam source are automatically controlled. The operation mode for power measurement in which the irradiation power of the energy beam is measured by the power measuring means while switching the power supply and the normal processing operation mode. It is characterized in the provision of the operation mode selecting and executing means for executing the 択的. The "working object" includes not only a flat surface on which the energy beam is irradiated, but also a curved surface such as a cylindrical surface on which the energy beam is irradiated. Further, the “driving condition of the beam source” includes the repetition frequency of the energy beam and the current supplied to the beam source. In the beam processing apparatus according to claim 1, the operation mode selection executing means selects and executes the power measuring operation mode, thereby automatically switching between a plurality of driving conditions of the beam source while the power measuring means changes the energy beam. Measure the irradiation power. From this measurement result, it is possible to confirm whether or not the irradiation power of the energy beam has an appropriate value for each driving condition of the beam source.

【0009】請求項2の発明は、請求項1のビーム加工
装置において、上記パワー測定用動作モードの実行時に
おける上記パワー測定手段の測定結果に基づいて上記ビ
ーム源の駆動条件を補正する駆動条件補正手段を設けた
ことを特徴とするものである。請求項2のビーム加工装
置においては、パワー測定用動作モードの実行時におけ
るパワー測定手段の測定結果に基づいて、ビーム源の駆
動条件を補正することにより、エネルギービームの照射
パワーを適正な値にすることができる。
According to a second aspect of the present invention, in the beam processing apparatus according to the first aspect, a driving condition for correcting the driving condition of the beam source based on the measurement result of the power measuring means during execution of the power measuring operation mode. It is characterized in that a correction means is provided. In the beam processing apparatus according to claim 2, the irradiation power of the energy beam is set to an appropriate value by correcting the driving condition of the beam source based on the measurement result of the power measuring means when the power measuring operation mode is executed. can do.

【0010】請求項3の発明は、請求項1のビーム加工
装置において、上記パワー測定用動作モードの実行時に
おける上記パワー測定手段の測定結果に基づいて上記エ
ネルギービームの照射パワーが予め設定した基準範囲か
ら外れたときに警報を発する警報手段を設けたことを特
徴とするものである。請求項3のビーム加工装置におい
ては、パワー測定用動作モードの実行時におけるパワー
測定手段の測定結果に基づいて、エネルギービームのパ
ワーが予め設定した基準範囲から外れたときに警報を発
することにより、ビーム源を構成する部品の劣化等を作
業者に知らせて部品交換や修理等を促すことができる。
According to a third aspect of the invention, in the beam processing apparatus according to the first aspect, the irradiation power of the energy beam is preset based on the measurement result of the power measuring means when the power measuring operation mode is executed. It is characterized in that an alarm means for issuing an alarm when out of the range is provided. In the beam processing apparatus according to claim 3, an alarm is issued when the power of the energy beam deviates from a preset reference range based on the measurement result of the power measuring means during execution of the power measuring operation mode. It is possible to notify the worker of the deterioration of the components forming the beam source and to prompt the replacement and repair of the components.

【0011】上記第2の目的を達成するために、請求項
4の発明は、パルス状のエネルギービームを繰り返し出
射するビーム源と、該ビーム源から出射されたエネルギ
ービームを加工対象物に案内して照射するビーム照射手
段と、該加工対象物と該加工対象物に対する該エネルギ
ービームの照射ポイントとを相対移動させる相対移動手
段と、加工制御データに基づいて該ビーム源及び該相対
移動手段を制御する制御手段とを備えたビーム加工装置
において、該ビーム源の複数の駆動条件を自動的に切り
換えながら各駆動条件について該加工対象物に加工条件
設定用の加工パターンを形成する加工条件設定用動作モ
ードと、通常の加工動作モードとを選択的に実行するた
めの動作モード選択実行手段を設けたことを特徴とする
ものである。請求項4のビーム加工装置においては、加
工対象物の種類が変わった場合に動作モード選択実行手
段で加工条件設定用動作モードを実行することにより、
ビーム源の複数の駆動条件を自動的に切り換えながら各
駆動条件について加工対象物に加工条件設定用の加工パ
ターンを形成することにより、ビーム源の駆動条件の条
件出しのための作業者の負担を軽減する。
In order to achieve the second object, the invention according to claim 4 is a beam source for repeatedly emitting a pulsed energy beam, and an energy beam emitted from the beam source is guided to a workpiece. Beam irradiation means for irradiating the object to be processed, relative moving means for relatively moving the object to be processed and an irradiation point of the energy beam with respect to the object to be processed, and controlling the beam source and the relative moving means based on processing control data. In the beam processing apparatus including a control means for controlling the processing conditions, a processing condition setting operation for automatically switching a plurality of driving conditions of the beam source and forming a processing pattern for setting the processing conditions on the processing target for each driving condition. It is characterized in that an operation mode selection executing means for selectively executing the mode and the normal machining operation mode is provided. In the beam processing apparatus according to claim 4, when the type of the object to be processed changes, the operation mode selection executing means executes the operation mode for setting the processing condition,
By automatically switching a plurality of drive conditions of the beam source and forming a processing pattern for setting the processing condition on the workpiece for each drive condition, the burden on the operator for setting the condition of the beam source drive condition is reduced. Reduce.

【0012】請求項5の発明は、請求項4のビーム加工
装置において、上記加工条件設定用動作モードの実行時
に形成された上記加工対象物上の加工パターンを撮像す
る撮像手段と、該撮像手段で撮像された該加工パターン
の画像に基づいて加工の良否を判定し、その判定結果に
基づき必要に応じて通常の加工動作モードで用いる上記
ビーム源の駆動条件を自動的に切り換える駆動条件切り
換え手段とを設けたことを特徴とするものである。請求
項5のビーム加工装置においては、上記加工条件設定用
動作モードの実行時に形成された加工条件設定用の加工
パターンを撮像手段で撮像する。そして、撮像手段で撮
像された加工パターンの画像に基づいて加工の良否を判
定し、その判定結果に基づき必要に応じて通常の加工動
作モードで用いる上記ビーム源の駆動条件を自動的に切
り換えることにより、作業者による加工の良否の判定作
業及びビーム源の駆動条件の切り換え作業の負担を軽減
する。
According to a fifth aspect of the present invention, in the beam processing apparatus according to the fourth aspect, an image pickup means for picking up an image of a processing pattern formed on the object to be processed formed during execution of the processing condition setting operation mode, and the image pickup means. Driving condition switching means for judging whether the processing is good or bad based on the image of the processing pattern picked up in No. 2 and automatically switching the driving condition of the beam source used in the normal processing operation mode as needed based on the judgment result. And is provided. In the beam processing apparatus according to the fifth aspect, the imaging means images the processing pattern for setting the processing conditions formed when the operation mode for setting the processing conditions is executed. Then, the quality of the processing is judged based on the image of the processing pattern picked up by the image pickup means, and the driving condition of the beam source used in the normal processing operation mode is automatically switched if necessary based on the judgment result. As a result, the burden on the operator of the work quality determination work and the beam source drive condition switching work is reduced.

【0013】請求項6の発明は、請求項4又は5のビー
ム加工装置において、上記加工対象物の種類に関連付け
て上記加工条件設定用動作モードで形成する上記加工条
件設定用の加工パターンの形成条件を予め記憶しておく
データ記憶手段と、加工対象物の種類のデータを入力す
るデータ入力手段とを備え、上記動作モード選択実行手
段を、該データ入力手段で入力された該加工対象物の種
類のデータに対応する該加工パターンの形成条件を該デ
ータ記憶手段から読み出し、この読み出された形成条件
で上記加工条件設定用の加工パターンを形成するように
構成したことを特徴とするものである。請求項6のビー
ム加工装置においては、作業者がデータ入力手段から加
工対象物の種類のデータを入力すると、その加工対象物
の種類のデータに対応した加工パターンの形成条件がデ
ータ記憶手段から自動的に読み出される。この読み出さ
れた形成条件で上記加工条件設定用の加工パターンが形
成される。よって、作業者が加工対象物の種類に基づい
て上記加工パターンの形成条件を設定する作業が不要と
なる。したがって、上記加工条件設定用動作モードを実
行するときの作業者の負担を軽減できるとともに、加工
条件の設定のための時間を短縮することができる。更
に、加工対象物の種類が変わるたびに作業者が判断して
上記加工パターンの形成条件を設定する場合に比して、
加工パターンの形成条件の誤設定の危険性が少なくな
る。
According to a sixth aspect of the present invention, in the beam processing apparatus according to the fourth or fifth aspect, the processing pattern for forming the processing conditions is formed in the operation mode for setting the processing conditions in association with the type of the object to be processed. Data processing means for pre-storing conditions and data input means for inputting data of the type of the object to be machined are provided, and the operation mode selection executing means is provided for the object to be machined inputted by the data input means. The processing pattern forming condition corresponding to the data of the type is read from the data storage means, and the processing pattern for setting the processing condition is formed under the read forming condition. is there. In the beam processing apparatus according to claim 6, when an operator inputs data of the type of the processing target object from the data input means, the formation condition of the processing pattern corresponding to the data of the type of the processing target object is automatically stored in the data storage means. Read out. The processing pattern for setting the above processing conditions is formed under the read formation conditions. Therefore, it is unnecessary for the operator to set the above-mentioned processing pattern forming conditions based on the type of the processing object. Therefore, it is possible to reduce the burden on the operator when executing the processing condition setting operation mode and shorten the time for setting the processing conditions. Further, as compared with the case where the operator makes a judgment each time the type of the processing object changes and sets the formation condition of the processing pattern,
The risk of erroneous setting of processing pattern formation conditions is reduced.

【0014】請求項7の発明は、請求項4又は5のビー
ム加工装置において、上記加工条件設定用の加工パター
ンの形成条件のデータを記憶するデータ記憶手段と、上
記加工条件設定用動作モードで使用した該加工条件設定
用の加工パターンの形成条件が新規な場合にその新規な
形状条件を該データ記憶手段に蓄積していくデータ処理
手段と、該データ記憶手段から選択する該加工パターン
の形成条件を指定する条件指定手段とを備え、上記動作
モード選択実行手段を、該条件指定手段で指定された該
加工パターンの形成条件を該データ記憶手段から読み出
し、この読み出された形成条件で上記加工条件設定用の
加工パターンを形成するように構成したことを特徴とす
るものである。請求項7のビーム加工装置においては、
上記加工条件設定用動作モードで使用した加工条件設定
用の加工パターンの形成条件が新規な場合にその新規な
形状条件がデータ記憶手段に蓄積されていく。そして、
上記加工条件設定用動作モードを実行する際に、作業者
が、データ記憶手段に蓄積されている過去に使用された
複数の加工パターンの形成条件から適切な形成条件を選
択できる。よって、加工対象物の種類が変わるたびに作
業者が判断して加工対象物に適した条件のデータを入力
する場合に比して、加工パターンの形成条件の設定作業
の時間を短くできるとともに、その設定作業の負担を軽
減できる。
According to a seventh aspect of the present invention, in the beam processing apparatus according to the fourth or fifth aspect, there is provided a data storage unit for storing data of forming conditions of the processing pattern for setting the processing conditions and an operation mode for the processing conditions setting. Data processing means for accumulating the new shape condition in the data storage means when the used formation condition of the processing pattern for setting the processing condition is new, and formation of the processing pattern selected from the data storage means A condition designating unit for designating a condition, the operation mode selection executing unit reads out the formation condition of the processing pattern designated by the condition designating unit from the data storage unit, and the formation condition thus read out It is characterized in that it is configured to form a processing pattern for setting processing conditions. In the beam processing apparatus according to claim 7,
When the forming condition of the processing pattern for setting the processing condition used in the operation mode for setting the processing condition is new, the new shape condition is accumulated in the data storage means. And
When executing the processing condition setting operation mode, the operator can select an appropriate forming condition from the forming conditions of the plurality of processing patterns used in the past accumulated in the data storage means. Therefore, compared with the case where the operator judges every time the type of the processing target changes and inputs the data of the condition suitable for the processing target, the time for setting the processing conditions for forming the processing pattern can be shortened, and The burden of the setting work can be reduced.

【0015】請求項8の発明は、請求項7のビーム加工
装置において、上記加工対象物の種類のデータを入力す
るデータ入力手段を備え、上記データ処理手段を、上記
加工対象物の種類に関連付けて上記加工条件設定用の加
工パターンの形成条件を蓄積していき、該データ入力手
段で入力された該加工対象物の種類のデータに対応する
該加工パターンの形成条件を該データ記憶手段から読み
出し、この読み出された形成条件で上記加工条件設定用
の加工パターンを形成するように構成したことを特徴と
するくように構成したことを特徴とするものである。請
求項8のビーム加工装置においては、上記加工対象物の
種類に関連付けて上記加工条件設定用の加工パターンの
形成条件を蓄積している。そして、作業者がデータ入力
手段から加工対象物の種類のデータを入力すると、その
加工対象物の種類のデータに対応した加工パターンの形
成条件がデータ記憶手段から自動的に読み出される。こ
の読み出された形成条件で上記加工条件設定用の加工パ
ターンが形成される。よって、作業者が加工対象物の種
類に基づいて上記加工パターンの形成条件を設定する作
業が不要となる。したがって、上記加工条件設定用動作
モードを実行するときの作業者の負担を更に軽減できる
とともに、加工条件の設定のための時間を短縮すること
ができる。更に、加工対象物の種類が変わるたびに作業
者が判断して上記加工パターンの形成条件を設定する場
合に比して、加工パターンの形成条件の誤設定の危険性
が少なくなる。
According to an eighth aspect of the present invention, in the beam processing apparatus according to the seventh aspect, there is provided data input means for inputting data of the type of the processing object, and the data processing means is associated with the type of the processing object. And accumulates the processing pattern forming conditions for setting the processing conditions, and reads the processing pattern forming conditions corresponding to the data of the type of the processing object input by the data inputting means from the data storing means. The present invention is characterized in that the processing pattern for setting the processing conditions is formed under the read forming conditions. In the beam processing apparatus according to the eighth aspect, the forming condition of the processing pattern for setting the processing condition is accumulated in association with the type of the object to be processed. Then, when the operator inputs the data of the type of the object to be processed from the data input means, the formation condition of the processing pattern corresponding to the data of the type of the object to be processed is automatically read from the data storage means. The processing pattern for setting the above processing conditions is formed under the read formation conditions. Therefore, it is unnecessary for the operator to set the above-mentioned processing pattern forming conditions based on the type of the processing object. Therefore, it is possible to further reduce the burden on the operator when executing the processing condition setting operation mode, and it is possible to shorten the time for setting the processing conditions. Further, the risk of erroneous setting of the processing pattern forming conditions is reduced as compared with the case where the operator judges and sets the processing pattern forming conditions each time the type of the processing target changes.

【0016】請求項9の発明は、請求項1、2、3、
4、5、6、7又は8のビーム加工装置において、上記
パワー測定用動作モード又は上記加工条件設定用動作モ
ードにおいて上記ビーム源の駆動条件の設定を変更した
とき、該ビーム源から出射されるエネルギービームのパ
ワーが安定するビーム安定化時間が経過した後に、上記
エネルギービームのパワーの測定又は上記加工条件を見
出すための加工を開始するように、上記制御手段を構成
したことを特徴とするものである。請求項9のビーム加
工装置においては、ビーム源の駆動条件の設定を変更し
たとき、ビーム源から出射されるエネルギービームのパ
ワーが安定する安定化時間が経過した後に、上記エネル
ギービームのパワーの測定又は上記加工条件を見出すた
めの加工を開始する。これにより、ビーム源の各駆動条
件下で、エネルギービームのパワーが安定した状態でパ
ワーの測定したり加工条件設定を行なったりすることが
できる。
The invention of claim 9 relates to claim 1, 2, 3,
In the beam processing device of 4, 5, 6, 7 or 8, when the setting of the driving condition of the beam source is changed in the power measurement operation mode or the processing condition setting operation mode, the beam is emitted from the beam source. The control means is configured to start the processing for measuring the power of the energy beam or finding the processing conditions after a beam stabilization time for stabilizing the power of the energy beam has elapsed. Is. In the beam processing apparatus according to claim 9, when the setting of the driving condition of the beam source is changed, the power of the energy beam emitted from the beam source is measured after the stabilization time has elapsed. Alternatively, the processing for finding the above processing conditions is started. As a result, under each driving condition of the beam source, the power of the energy beam can be measured and the processing conditions can be set in a stable state.

【0017】請求項10の発明は、請求項1、2、3、
4、5、6、7、8又は9のビーム加工装置において、
上記加工対象物が、絶縁性基板上に形成された透明導電
膜であり、該透明導電膜の一部をスリット状に除去する
加工を行うことを特徴とするものである。請求項10の
ビーム加工装置においては、絶縁性基板上の透明導電膜
の一部をスリット状に除去する加工の際に、絶縁性基板
とエネルギービームの照射ポイントとの間の相対移動の
速度が変化する場合でも、上記相対移動の方向において
エネルギービームの各照射スポットが一定間隔で絶縁性
基板上の透明導電膜に照射される。これにより、上記エ
ネルギービームで透明導電膜が除去されたスリットの形
状が均一になる。
The invention of claim 10 is the invention of claim 1, 2, 3,
In 4, 5, 6, 7, 8 or 9 beam processing equipment,
The object to be processed is a transparent conductive film formed on an insulating substrate, and processing for removing a part of the transparent conductive film in a slit shape is performed. In the beam processing apparatus according to claim 10, in the process of removing a part of the transparent conductive film on the insulating substrate into a slit shape, the relative movement speed between the insulating substrate and the irradiation point of the energy beam is Even if it changes, the irradiation spots of the energy beam are irradiated at regular intervals on the transparent conductive film on the insulating substrate in the direction of the relative movement. Thereby, the slits from which the transparent conductive film is removed by the energy beam have a uniform shape.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明を、ハイブリッド型
のタッチパネルの絶縁性透明基板上に形成された透明導
電膜の一部を、スリット状に除去して透明電極を形成す
る透明導電膜のビーム加工装置に適用した実施形態につ
いて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will now be described with reference to a transparent conductive film for forming a transparent electrode by removing a part of the transparent conductive film formed on an insulating transparent substrate of a hybrid type touch panel in a slit shape. An embodiment applied to a beam processing apparatus will be described.

【0019】図2は、本発明に係るビーム加工装置の概
略構成図である。本ビーム加工装置は、パルス状のエネ
ルギービームとしてのパルスレーザ光を繰り返し出射す
るビーム源としてのYAGレーザ装置1と、YAGレー
ザ装置1から出射されたパルスレーザ光を加工対象物に
案内して照射するビーム照射手段2と、加工対象物と加
工対象物に対する該エネルギービームの照射ポイントと
を相対移動させる相対移動手段としてのXYテーブル5
と、加工制御データに基づいてYAGレーザ装置1及び
XYテーブル5等を制御する制御手段しての制御システ
ム6とを備えている。
FIG. 2 is a schematic block diagram of the beam processing apparatus according to the present invention. This beam processing apparatus guides and irradiates a YAG laser device 1 as a beam source that repeatedly emits a pulsed laser beam as a pulsed energy beam, and a pulsed laser beam emitted from the YAG laser device 1 to an object to be processed. Irradiating means 2 for irradiating, and an XY table 5 as a relative moving means for relatively moving the object to be processed and the irradiation point of the energy beam with respect to the object to be processed.
And a control system 6 as a control means for controlling the YAG laser device 1 and the XY table 5 based on the processing control data.

【0020】上記YAGレーザ装置1は、YAGロッド
101a、Qスイッチ101b、励起光源としてのラン
プ101c、ミラー101d,101e等を内蔵したレ
ーザヘッド101と、Qスイッチ101bを駆動するQ
スイッチ駆動部102と、レーザヘッド101のランプ
101cに電流(以下「ランプ電流」という。)を供給
するレーザ電源103とを有している。上記Qスイッチ
駆動部102は、制御システム6から送られてきたレー
ザ制御信号に基づいて、レーザヘッド101内のQスイ
ッチ101bを駆動する。Qスイッチ101bをオンす
ると、レーザヘッド101から近赤外光(波長λ=10
64nm)からなるパルスレーザ光が出射される。上記
Qスイッチ駆動部102に入力するパルス状のレーザ制
御信号の繰り返し周波数は20Hz〜20kHz(周期
=50msec〜0.05msec)の範囲で変化させ
ることができ、また、上記レーザ制御信号のパルス幅は
80〜500nsecの範囲で変化させることができ
る。このQスイッチ駆動部102でレーザヘッド101
内のQスイッチ101bを駆動することにより、上記繰
り返し周波数が1kHz〜10kHzの範囲内で、レー
ザヘッド101からパルスレーザ光を出射することがで
きる。
The YAG laser device 1 has a laser head 101 including a YAG rod 101a, a Q switch 101b, a lamp 101c as an excitation light source, mirrors 101d and 101e, and a Q switch 101b.
It has a switch driving unit 102 and a laser power source 103 for supplying a current (hereinafter referred to as “lamp current”) to a lamp 101c of the laser head 101. The Q switch driving section 102 drives the Q switch 101b in the laser head 101 based on the laser control signal sent from the control system 6. When the Q switch 101b is turned on, near-infrared light (wavelength λ = 10) is emitted from the laser head 101.
A pulsed laser beam of 64 nm) is emitted. The repetition frequency of the pulsed laser control signal input to the Q switch driver 102 can be changed in the range of 20 Hz to 20 kHz (cycle = 50 msec to 0.05 msec), and the pulse width of the laser control signal is It can be changed within the range of 80 to 500 nsec. With this Q switch drive unit 102, the laser head 101
By driving the Q switch 101b in the inside, pulsed laser light can be emitted from the laser head 101 within the repetition frequency range of 1 kHz to 10 kHz.

【0021】上記レーザヘッド101内のYAGロッド
101aは、希土類元素のNd(ネオジウム)をドープ
したYAG(イットリウム、アルミニウム、ガーネッ
ト)結晶であり、励起光源としてのランプ101cで励
起される。励起光源としては、ランプのほか半導体レー
ザなどを使用することもできる。YAGロッド101a
は、希土類元素のNd(ネオジウム)をドープしたYA
G(イットリウム、アルミニウム、ガーネット)結晶で
あり、ランプ101cはレーザ電源103からランプ電
流Idが供給されることにより点灯する。このレーザ電
源103からランプ101cに供給されるランプ電流I
dは、制御システム6からレーザ電源103に送られて
くる制御指令に基づいて変更することができ、これによ
り、YAGレーザ装置1から出射されるパルスレーザ光
の出力を変更することができる。
The YAG rod 101a in the laser head 101 is a YAG (yttrium, aluminum, garnet) crystal doped with a rare earth element Nd (neodymium) and is excited by a lamp 101c as an excitation light source. As the excitation light source, a semiconductor laser or the like can be used in addition to the lamp. YAG rod 101a
Is YA doped with a rare earth element Nd (neodymium)
It is a G (yttrium, aluminum, garnet) crystal, and the lamp 101c is turned on when the lamp current Id is supplied from the laser power source 103. The lamp current I supplied from the laser power source 103 to the lamp 101c
d can be changed based on the control command sent from the control system 6 to the laser power source 103, and thus the output of the pulsed laser light emitted from the YAG laser device 1 can be changed.

【0022】図3は、上記YAGレーザ装置1から出射
されるパルスレーザ光の出力変化の一例を示す図であ
る。ここで、上記レーザヘッド101のレーザ出射端で
計測されたパルスレーザ光の平均出力Pa[W]とし、
パルスレーザ光のレーザ出力波形の繰り返し周波数をF
r[Hz]とし、同レーザ出力波形のパルス幅をτ[n
sec]とすると、同レーザ出力波形のピーク出力Ppe
ak[W]は次式で与えられる。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a change in output of the pulsed laser light emitted from the YAG laser device 1. Here, the average output Pa [W] of the pulsed laser light measured at the laser emission end of the laser head 101 is
The repetition frequency of the laser output waveform of pulsed laser light is F
r [Hz] and the pulse width of the same laser output waveform is τ [n
sec], the peak output Ppe of the same laser output waveform
ak [W] is given by the following equation.

【数1】Ppeak={Pa/(Fr×τ)}×10 ## EQU1 ## Ppeak = {Pa / (Fr × τ)} × 10 6

【0023】上記ビーム照射手段2は、パルスレーザ光
をガイドするステップインデックス型の光ファイバ20
1と、光ファイバ201でガイドされてきたパルスレー
ザ光を結像して加工対象物に照射するレーザ照射ヘッド
202とを用いて構成されている。
The beam irradiation means 2 is a step index type optical fiber 20 for guiding a pulsed laser beam.
1 and a laser irradiation head 202 that forms an image of the pulsed laser light guided by the optical fiber 201 and irradiates the object to be processed.

【0024】ITO(インジウム酸化スズ)からなる加
工対象物としての透明導電膜4が表面に形成された透明
ガラスや透明プラスチック材(例えばPET、ポリカー
ボネート)からなる透明絶縁性基板3は、XYテーブル
5のリニアモータ502(例えば、サーボモータやステ
ッピングモータ)で駆動される載置台501上に、図示
しない吸引及び機械的なクランプ機構等によって固定さ
れる。この透明絶縁性基板3が固定された載置台501
を駆動するリニアモータ502を制御システム6で制御
することにより、上記透明導電膜4が形成された透明絶
縁性基板3を、上記パルスレーザ光の照射方向に垂直な
仮想面内で互いに直交するX方向及びY方向(図中の紙
面に垂直な方向)に2次元的に移動させることができ
る。
The transparent insulating substrate 3 made of transparent glass or transparent plastic material (for example, PET or polycarbonate) on the surface of which a transparent conductive film 4 made of ITO (indium tin oxide) is formed is an XY table 5. Is fixed on a mounting table 501 driven by a linear motor 502 (for example, a servo motor or a stepping motor) by a suction and mechanical clamp mechanism (not shown). Mounting table 501 to which this transparent insulating substrate 3 is fixed
By controlling the linear motor 502 that drives the X-axis, the transparent insulating substrate 3 on which the transparent conductive film 4 is formed is orthogonal to each other in a virtual plane perpendicular to the irradiation direction of the pulsed laser light. It can be moved two-dimensionally in the direction and the Y direction (direction perpendicular to the paper surface in the figure).

【0025】また、加工速度、XYテーブルの加速度、
加工精度をより向上させるために、XYテーブル5につ
いては、発泡チタン、マグネジウム、酸化アルミナ系、
アルミ合金系の超軽量素材で形成することが好ましい。
Further, the processing speed, the acceleration of the XY table,
In order to further improve the processing accuracy, for the XY table 5, titanium foam, magnesium, alumina oxide,
It is preferable to use an ultra-light aluminum alloy material.

【0026】また、載置台501の内部に貫通孔を形成
して軽量化を図ってもよい。この貫通孔は、絶縁性透明
基板3と透明導電膜4との一体物がシート状のものであ
る場合の真空チャック用の気流経路を兼ねることもでき
る。載置台501については、絶縁性透明基板3の少な
くともパルスレーザ光が照射される部分の下側に凹部を
形成し、絶縁性透明基板3の下面と載置台501の上面
との間の距離をできるだけ長くするように構成すること
が好ましい。かかる構成により、絶縁性透明基板3を通
過して載置台501の表面で反射したレーザー光が透明
導電膜4にあたることによってその加工に悪影響を及ぼ
すことを抑制することができる。
Further, a through hole may be formed inside the mounting table 501 to reduce the weight. The through hole can also serve as an air flow path for a vacuum chuck when the insulating transparent substrate 3 and the transparent conductive film 4 are in the form of a sheet. Regarding the mounting table 501, a concave portion is formed at least under the portion of the insulating transparent substrate 3 where the pulse laser light is irradiated, and the distance between the lower surface of the insulating transparent substrate 3 and the upper surface of the mounting table 501 is set as much as possible. It is preferable to make it longer. With such a configuration, it is possible to prevent the laser light that has passed through the insulating transparent substrate 3 and reflected on the surface of the mounting table 501 from hitting the transparent conductive film 4 from adversely affecting its processing.

【0027】また、本実施形態では、上記XYテーブル
5に、移動距離検出パルス信号生成手段としてのリニア
スケール503が取り付けられている。このリニアスケ
ール503は、X方向及びY方向の2方向のそれぞれに
ついて設けられ、上記透明絶縁性基板3が載置された載
置台501のX方向及びY方向の一定距離の移動ごとに
移動距離検出パルス信号を生成する。この移動距離検出
パルス信号をカウントすることにより、上記透明絶縁性
基板3が載置された載置台501の移動距離がわかる。
本実施形態では、この移動距離検出パルス信号に基づい
て、上記透明絶縁性基板3が載置された載置台501の
移動距離に同期させて各パルスレーザ光の照射タイミン
グを制御している。
Further, in this embodiment, a linear scale 503 as a moving distance detection pulse signal generating means is attached to the XY table 5. The linear scale 503 is provided in each of the two directions of the X direction and the Y direction, and the moving distance is detected every time the mounting table 501 on which the transparent insulating substrate 3 is mounted is moved by a constant distance in the X direction and the Y direction. Generate a pulse signal. By counting the moving distance detection pulse signal, the moving distance of the mounting table 501 on which the transparent insulating substrate 3 is mounted can be known.
In the present embodiment, the irradiation timing of each pulse laser beam is controlled in synchronization with the moving distance of the mounting table 501 on which the transparent insulating substrate 3 is mounted, based on the moving distance detection pulse signal.

【0028】本実施形態では、上記リニアスケール50
3としては、目盛格子が互いに形成されたスケールと走
査板とを非接触対向させて組み合わせることにより0.
5μm〜1.0μm程度の分解能が得られるもの(例え
ば、ハイデンハイン株式会社製のオープンタイプ測長シ
ステム:商品名)を用いている。ここで、例えばリニア
スケール503の分解能が1μmのときは1μmごとに
1パルス出力されるので、上記透明絶縁性基板3が載置
された載置台501の移動速度が1m/secの場合
は、1MHzの周波数(周期=1μsec)で移動距離
検出パルス信号が出力される。なお、上記リニアスケー
ル503は、加工精度や加工速度等の条件に応じて最適
なものを適宜選択して用いられる。また、上記移動距離
検出パルス信号生成手段は、X方向及びY方向の2方向
のそれぞれについて上記透明絶縁性基板3が載置された
載置台501の一定距離の移動ごとに移動距離検出パル
ス信号を生成するものであればよく、上記特定のリニア
スケールに限定されるものではない。
In the present embodiment, the linear scale 50 described above is used.
As for No. 3, by combining the scale and the scanning plate, which have graduation gratings formed on each other, in a non-contact opposed relationship,
A device capable of obtaining a resolution of about 5 μm to 1.0 μm (for example, an open type length measuring system manufactured by HEIDENHAIN CORPORATION: trade name) is used. Here, for example, when the resolution of the linear scale 503 is 1 μm, one pulse is output every 1 μm. Therefore, when the moving speed of the mounting table 501 on which the transparent insulating substrate 3 is mounted is 1 m / sec, 1 MHz. The moving distance detection pulse signal is output at the frequency (cycle = 1 μsec). The linear scale 503 is appropriately selected and used according to conditions such as machining accuracy and machining speed. Further, the moving distance detection pulse signal generating means outputs a moving distance detection pulse signal for each fixed distance movement of the mounting table 501 on which the transparent insulating substrate 3 is mounted in each of the X direction and the Y direction. It may be generated as long as it is generated, and is not limited to the above specific linear scale.

【0029】上記制御システム6は、ビーム加工装置全
体を監視するとともに加工制御データとしてのCAM
(Computer Aided Manufacturing)データに基づいて各
部に制御指令を出すパーソナルコンピュータ等からなる
上位コンピュータ装置601と、テーブル駆動制御装置
(シーケンサ)602と、同期連動型運転用の制御回路
基板603とを用いて構成されている。
The control system 6 monitors the entire beam processing apparatus and CAM as processing control data.
(Computer Aided Manufacturing) Using a host computer device 601 including a personal computer that issues a control command to each unit based on data, a table drive control device (sequencer) 602, and a control circuit board 603 for synchronous interlocking type operation It is configured.

【0030】上記CAMデータは、CAD(Computer A
ided Design)のデータに基づいてビーム加工装置の装
置パラメータを考慮して生成され、例えば線分形状の各
加工要素について照射ポイントのピッチと加工開始
点の座標と加工終了点の座標とが1組となったデータ
構造となっている。
The CAM data is CAD (Computer A
It is generated in consideration of the device parameters of the beam processing device based on the data of the ided design), and for example, for each processing element of the line segment shape, the pitch of the irradiation point, the coordinates of the processing start point, and the coordinates of the processing end point are one The data structure is as follows.

【0031】上位コンピュータ装置601は、ユーザが
加工速度Voのデータを入力するための加工速度入力手
段、及びユーザが入力した加工速度Voのデータに基づ
いてXYテーブル5の載置台501の駆動条件とパルス
レーザ光の照射条件とを設定する加工条件設定手段とし
ても用いられる。上位コンピュータ装置601に上記C
AMデータが保存されたFDなどの記録媒体がセットさ
れCAMデータが読み込まれる。このCAMデータの読
み込みとともに、ユーザが希望する加工速度のデータが
上位コンピュータ装置601に入力される。なお、上記
載置台501の最大移動速度である加工速度について
は、予め実験などで求められたデータに基づいて、図4
に示すように上限値Vmaxが設定されており、ユーザが
入力した加工速度Voの値が上限値Vmaxを超えている場
合は、上位コンピュータ装置601のディスプレイ上
に、入力値が上限値Vmaxを超えている旨の警告メッセ
ージと、加工速度データの再入力を促すメッセージが表
示される。
The host computer device 601 has a processing speed input means for the user to input data of the processing speed Vo, and a driving condition of the mounting table 501 of the XY table 5 based on the processing speed Vo data inputted by the user. It is also used as a processing condition setting means for setting the irradiation condition of the pulsed laser light. The above-mentioned C is added to the host computer 601.
A recording medium such as an FD in which AM data is stored is set and CAM data is read. Along with the reading of the CAM data, the processing speed data desired by the user is input to the host computer 601. Note that the processing speed, which is the maximum moving speed of the mounting table 501 described above, is calculated based on data obtained in advance by experiments or the like as shown in FIG.
When the upper limit value Vmax is set as shown in FIG. 7 and the value of the machining speed Vo input by the user exceeds the upper limit value Vmax, the input value exceeds the upper limit value Vmax on the display of the host computer 601. Warning message and a message prompting you to re-enter the processing speed data are displayed.

【0032】上記上位コンピュータ装置601では、上
記CAMデータとユーザが入力した加工速度Voとに基
づき、各加工要素ごとに、XYテーブル5の載置台5
01の移動開始点及び移動終了点の座標、載置台50
1の加速領域における正の加速度α及び減速領域におけ
る負の加速度β(図4参照)、載置台501の最大移
動速度(=加工速度)、上記パルスレーザ光の照射条
件としてのレーザ電源103から供給されるランプ電流
Id、などのデータが算出され、所定の記憶領域に記憶
される。これらのデータの算出には、予め実験などで求
められた最適範囲を含むデータテーブルが用いられる。
In the host computer 601, the mounting table 5 of the XY table 5 is prepared for each machining element based on the CAM data and the machining speed Vo input by the user.
01 movement start point and movement end point coordinates, mounting table 50
The positive acceleration α in the acceleration region 1 and the negative acceleration β in the deceleration region (see FIG. 4), the maximum moving speed (= processing speed) of the mounting table 501, and the laser power supply 103 as the irradiation condition of the pulsed laser light are supplied. The data such as the lamp current Id is calculated and stored in a predetermined storage area. For the calculation of these data, a data table including an optimum range obtained in advance by experiments or the like is used.

【0033】表1は、本実施形態のビーム加工装置でラ
ンプ電流Id[A]と繰り返し周波数Fr[Hz]を変
化させて加工品質を調べた実験で求められた最適範囲の
データテーブルの一例を示している。表1は、PET
(ポリエチレンテレフタレート)からなる透明絶縁性基
板3上に形成されたITO(インジウム酸化スズ)から
なる透明導電膜4にスリットを形成する加工を行った実
験の結果である。
Table 1 shows an example of the data table of the optimum range obtained by the experiment in which the beam quality Id [A] and the repetition frequency Fr [Hz] were changed and the processing quality was investigated in the beam processing apparatus of this embodiment. Shows. Table 1 shows PET
It is a result of an experiment in which a slit is formed in the transparent conductive film 4 made of ITO (indium tin oxide) formed on the transparent insulating substrate 3 made of (polyethylene terephthalate).

【表1】 [Table 1]

【0034】上記表1の符号「A」で示した白抜きの部
分は、良好なスリット加工ができた条件範囲を示してい
る。一方、表1の符号「B」で示した部分は、パルスレ
ーザ光の出力が不足してスリットにおける透明導電膜4
が十分に除去されず絶縁不良が発生した条件範囲を示し
ている。また、表1の符号「C」で示した部分は、パル
スレーザ光の出力が強すぎてスリットが形成されている
部分の透明絶縁性基板3や透明導電膜4にダメージが発
生した条件範囲を示している。ここで、パルスレーザ光
の繰り返し周波数Frの範囲は、載置台501の駆動条
件によって決定され、この繰り返し周波数Frの範囲に
おいて良好なスリット加工ができるように、上記表1に
基づいて符号「A」で示した最適範囲に入るランプ電流
Idが設定される。なお、加工対象物に照射するパルス
レーザ光のパワーをチェックするためのパワー測定用動
作モードや、加工対象物の種類が変わったときのランプ
電流Idの条件出し用の動作モードについては、後述す
る。
The white portion shown by the symbol "A" in Table 1 above shows the condition range in which good slit processing can be performed. On the other hand, in the portion indicated by the symbol “B” in Table 1, the output of the pulsed laser light is insufficient and the transparent conductive film 4 in the slit is formed.
Indicates a range of conditions in which insulation was not removed sufficiently and insulation failure occurred. In addition, the portion indicated by the symbol “C” in Table 1 indicates the condition range in which the transparent insulating substrate 3 and the transparent conductive film 4 in the portion where the output of the pulsed laser light is too strong and the slit is formed are damaged. Shows. Here, the range of the repetition frequency Fr of the pulsed laser light is determined by the driving conditions of the mounting table 501, and the reference numeral "A" is used based on Table 1 above so that good slit processing can be performed in this range of the repetition frequency Fr. The lamp current Id within the optimum range indicated by is set. The power measurement operation mode for checking the power of the pulsed laser beam applied to the object to be processed and the operation mode for determining the condition of the lamp current Id when the type of the object to be processed are changed will be described later. .

【0035】上記テーブル駆動制御装置602は、上位
コンピュータ装置601から送られてきた制御指令に基
づいて、リニアモータ502の駆動を制御するものであ
る。このテーブル駆動制御部602は、例えばリニアモ
ータ502がサーボモータのときはサーボコントローラ
を用いて構成され、またリニアモータ502がパルスモ
ータのときはパルスコントローラを用いて構成される。
The table drive control device 602 controls the drive of the linear motor 502 based on the control command sent from the host computer device 601. The table drive control unit 602 is configured using, for example, a servo controller when the linear motor 502 is a servo motor and a pulse controller when the linear motor 502 is a pulse motor.

【0036】図5は、上記制御回路基板603の一構成
例を示すブロック図である。この制御回路基板603
は、CPU603aと、I/Oインタフェース603
b、パルスカウンタ603cと、比較回路603dと、
パルス幅整形回路603eと、スイッチ回路603f
と、図示しないメモリ(RAM、ROM等)を用いて構
成されている。
FIG. 5 is a block diagram showing a structural example of the control circuit board 603. This control circuit board 603
Is a CPU 603a and an I / O interface 603.
b, a pulse counter 603c, a comparison circuit 603d,
Pulse width shaping circuit 603e and switch circuit 603f
And a memory (RAM, ROM, etc.) (not shown).

【0037】上記I/Oインタフェース603bは、C
PU603aと外部の上位パーソナルコンピュータ装置
601との間でデータ通信を行うための信号処理を行
う。
The I / O interface 603b is a C
It performs signal processing for data communication between the PU 603a and the external host personal computer device 601.

【0038】上記パルスカウンタ603cは、リニアス
ケール503で生成された移動距離検出パルス信号Sm
のパルス数をカウントする。このパルスカウンタ603
cによるカウント値Nmは、比較回路603dにおいて
CPU603aから送られてきた基準値Nrefと比較さ
れ、両方の値が一致したとき比較回路603dからパル
ス信号が出力される。上記基準値Nrefは、加工条件に
応じて任意に設定することができる。また、上記パルス
カウンタ603cに入力される移動距離検出パルス信号
Smは、上記XYテーブル5の載置台501の移動方向
に応じて切り替えられる。例えば、載置台501をX方
向に移動させるときは、X方向用のリニアスケール50
3から出力される
The pulse counter 603c has a moving distance detection pulse signal Sm generated by the linear scale 503.
Count the number of pulses. This pulse counter 603
The count value Nm of c is compared with the reference value Nref sent from the CPU 603a in the comparison circuit 603d, and when both values match, a pulse signal is output from the comparison circuit 603d. The reference value Nref can be set arbitrarily according to the processing conditions. The moving distance detection pulse signal Sm input to the pulse counter 603c is switched according to the moving direction of the mounting table 501 of the XY table 5. For example, when moving the mounting table 501 in the X direction, the linear scale 50 for the X direction is used.
Output from 3

【0039】上記パルス幅整形回路603dは、上記比
較回路603cから出力された移動距離検出パルス信号
Spのパルス幅を上記Qスイッチが動作可能なパルス幅
まで広げる回路である。このパルス幅整形回路603d
を調整することにより、YAGレーザ装置1から出射さ
れるパルスレーザ光のパルス幅を変更することができ
る。
The pulse width shaping circuit 603d is a circuit that widens the pulse width of the moving distance detection pulse signal Sp output from the comparison circuit 603c to a pulse width at which the Q switch can operate. This pulse width shaping circuit 603d
The pulse width of the pulsed laser light emitted from the YAG laser device 1 can be changed by adjusting.

【0040】上記スイッチ回路603eは、CPU60
3aからの制御指令に基づいて、連続加工と断続加工と
を適宜切り替えて実行できるように、パルス幅整形回路
603dから上記Qスイッチ駆動部102に出力される
レーザ制御信号をオン/オフ制御する回路である。
The switch circuit 603e is the CPU 60.
A circuit for on / off controlling a laser control signal output from the pulse width shaping circuit 603d to the Q switch driving unit 102 so that continuous machining and intermittent machining can be appropriately switched and executed based on a control command from 3a. Is.

【0041】図6及び図7は、上記制御回路基板603
の各部の信号の一例を示すタイムチャートである。これ
らの図は、上記透明導電膜4上に照射されるパルスレー
ザ光の照射スポットのピッチを330μmに設定し、上
記リニアスケール503の分解能が0.5μmであって
0.5μmごとに一つのパルス信号Spを出力する場合
について示している。上記基準値Nrefは660(=3
30μm/0.5μm)に設定し、上記XYテーブル5
の載置台501の移動速度は、2m/secに設定して
いる。図6に示すように、上記XYテーブル5の載置台
501の移動に伴ってリニアスケール503から繰り返
し周波数f=4MHz(周期=0.25μsec)で移
動距離検出パルス信号Smが出力される。この移動距離
検出パルス信号Smがパルスカウンタ603cでカウン
トされる。そして、660個の移動距離検出パルス信号
Smがカウントされるたびに、すなわち上記載置台50
1が330μm移動するたびに、比較器603dからパ
ルス状のレーザ制御信号Spが出力される。そして、パ
ルス幅整形器603eにより、比較器603dから出力
されたレーザ制御信号Spの幅が、上記YAGレーザ装
置1のQスイッチ101bの駆動に必要な幅まで広げら
れる。次に、図7に示すように、所定のパルス幅に整形
されたレーザ制御信号Sp'は、CPU603aで制御さ
れるスイッチ回路603fにより、加工制御データに基
づいてオン/オフ制御される。このスイッチ回路603
fでオン/オフ制御されたレーザ制御信号Sp"が、Qス
イッチ駆動部102に入力され、これにより、透明絶縁
性基板3の移動距離に同期した所定のタイミングで、上
記YAGレーザ装置1からパルスレーザ光が出射し、透
明絶縁性基板3上の透明導電膜4に照射される。このよ
うにXYテーブル5の載置台501に固定された透明絶
縁性基板3の移動距離に同期するように制御されたパル
スレーザ光が、透明絶縁性基板3上の透明導電膜4に照
射されることにより、図8(a)に示すように、透明導
電膜4に照射されるパルスレーザ光の照射スポットLp
(X)がX軸方向に一定のピッチで並ぶ。これにより、図
8(b)に示すように透明導電膜4が均一な加工幅でス
リット状に除去される。図8の例では、照射スポットL
pが10個分並んだ長さのスリット4a(X)が2つ連続
して形成されている。
6 and 7 show the control circuit board 603.
3 is a time chart showing an example of signals of respective parts of FIG. In these figures, the pitch of the irradiation spot of the pulsed laser light irradiated on the transparent conductive film 4 is set to 330 μm, the resolution of the linear scale 503 is 0.5 μm, and one pulse is generated every 0.5 μm. The case where the signal Sp is output is shown. The reference value Nref is 660 (= 3
30 μm / 0.5 μm), and the above XY table 5
The moving speed of the mounting table 501 is set to 2 m / sec. As shown in FIG. 6, as the mounting table 501 of the XY table 5 moves, the linear scale 503 outputs a moving distance detection pulse signal Sm at a repetition frequency f = 4 MHz (cycle = 0.25 μsec). This moving distance detection pulse signal Sm is counted by the pulse counter 603c. Then, each time the 660 movement distance detection pulse signals Sm are counted, that is, the mounting table 50 described above.
Each time 1 moves by 330 μm, the pulsed laser control signal Sp is output from the comparator 603d. Then, the pulse width shaper 603e widens the width of the laser control signal Sp output from the comparator 603d to a width necessary for driving the Q switch 101b of the YAG laser device 1. Next, as shown in FIG. 7, the laser control signal Sp ′ shaped into a predetermined pulse width is on / off controlled by the switch circuit 603f controlled by the CPU 603a based on the processing control data. This switch circuit 603
The laser control signal Sp ″, which is on / off controlled by f, is input to the Q switch driving unit 102, which causes the YAG laser device 1 to pulse at a predetermined timing synchronized with the moving distance of the transparent insulating substrate 3. Laser light is emitted and irradiated on the transparent conductive film 4 on the transparent insulating substrate 3. In this way, control is performed in synchronization with the moving distance of the transparent insulating substrate 3 fixed to the mounting table 501 of the XY table 5. By irradiating the transparent conductive film 4 on the transparent insulating substrate 3 with the generated pulsed laser light, as shown in FIG. 8A, the irradiation spot Lp of the pulsed laser light with which the transparent conductive film 4 is irradiated.
(X) are arranged at a constant pitch in the X-axis direction. As a result, as shown in FIG. 8B, the transparent conductive film 4 is removed in a slit shape with a uniform processing width. In the example of FIG. 8, the irradiation spot L
Two slits 4a (X) each having a length of 10 p's are formed continuously.

【0042】また、上記制御システム6は、上位コンピ
ュータ装置601のデータ入力手段としてのキーボード
等を使ってオペレータが入力したモード選択データに基
づいて、通常の加工動作モード(以下、「通常加工モー
ド」という。)と、パワー測定用動作モード(以下、
「パワーチェックモード」という。)と、加工条件設定
用動作モード(以下、「加工条件出しモード」とい
う。)とを選択的に実行する動作モード選択実行手段と
しても機能している。さらに、この制御システム6は、
パワー測定用動作モードの実行時におけるパワーメータ
の測定結果に基づいてパルスレーザ光の照射パワーが予
め設定した基準範囲から外れたときに警報を発する警報
手段としても機能している。この警報は、上位コンピュ
ータ装置601のディスプレイに表示したり、上位コン
ピュータ装置601のスピーカから音情報を出力したり
することができ、この警報の態様は特に限定されない。
Further, the control system 6 operates in the normal machining operation mode (hereinafter referred to as "normal machining mode") based on the mode selection data input by the operator using a keyboard or the like as the data input means of the host computer 601. And the operation mode for power measurement (hereinafter,
It is called "power check mode". ) And a processing condition setting operation mode (hereinafter, referred to as a “processing condition setting mode”) are selectively operated. Furthermore, this control system 6
It also functions as an alarm means for issuing an alarm when the irradiation power of the pulsed laser light deviates from a preset reference range based on the measurement result of the power meter during execution of the power measurement operation mode. This alarm can be displayed on the display of the host computer device 601, or sound information can be output from the speaker of the host computer device 601, and the mode of this alarm is not particularly limited.

【0043】図1は、上記構成のビーム加工装置のメイ
ン制御のフローチャートである。まず、オペレータが上
位PC装置601を操作し、通常の加工動作モード(以
下、「通常加工モード」という。)、パワー測定用動作
モード(以下、「パワーチェックモード」という。)、
及び加工条件設定用動作モード(以下、「加工条件出し
モード」という。)の3つの動作モードから、いずれか
一つの動作モードを選択する。ここで、通常加工モード
を選択すると、前述のように加工制御データに基づいて
透明絶縁性基板3上の透明導電膜4をスリット状に除去
して透明電極を形成する加工を実行するように制御され
る。一方、オペレータがパワーチェックモードや加工条
件出しモードを選択すると、次に示すように制御され
る。
FIG. 1 is a flow chart of main control of the beam processing apparatus having the above configuration. First, an operator operates the upper-level PC device 601, and a normal machining operation mode (hereinafter referred to as “normal machining mode”), a power measurement operation mode (hereinafter referred to as “power check mode”),
And any one of the three operation modes of the operation condition setting operation mode (hereinafter, referred to as “machining condition setting mode”). Here, if the normal processing mode is selected, control is performed so that the transparent conductive film 4 on the transparent insulating substrate 3 is removed in a slit shape to form a transparent electrode based on the processing control data as described above. To be done. On the other hand, when the operator selects the power check mode or the processing condition setting mode, the following control is performed.

【0044】図10はパワーチェックモードのフローチ
ャートである。オペレータがパワーチェックモードを選
択すると、図11に示すようにレーザ照射ヘッド202
のレーザ出射口202a近傍に配置されたパワー測定手
段としてのパワーメータ203を、図示しない駆動機構
によって退避位置(実線の位置)から測定位置(一点鎖
線の位置)へ移動させる(ステップ1)。次に、レーザ
駆動条件(繰り返し周波数Fr、ランプ電流Id)を、
上記通常加工モードで用いるレーザ駆動条件の範囲から
予め選ばれた複数のパワーチェック用のレーザ駆動条件
の一つに初期設定される(ステップ2)。次に、励起安
定時間(本実施形態では10秒)が経過してレーザ発振
が安定した後(ステップ3)、レーザ照射ヘッド202
から出射されるパルスレーザ光の平均出力Pa[W]を
照射パワーとして測定する(ステップ4)。この測定時
間は例えば30秒程度に設定する。次に、照射パワーの
測定値が予め決められている許容下限値と比較され(ス
テップ5)、照射パワーの測定値が許容下限値よりも小
さいときは、YAGレーザ装置1を構成するフラッシュ
ランプ等の構成部品が劣化している旨をオペレータに報
知する警報を発するように制御される(ステップ6)。
この警報により、YAGレーザ装置1を構成するフラッ
シュランプ等の構成部品の劣化等をオペレータに知らせ
て部品交換や修理等を促すことができる。一方、照射パ
ワーの測定値が許容下限値以上のときは、その測定値が
日常管理用の履歴データとして上位PC装置の記憶装置
(例えばハードディクス)に保存される(ステップ
7)。次に、予め決められている複数のパワーチェック
用のレーザ駆動条件についてパワーチェックが終了した
か否かが判断され(ステップ8)、パワーチェックが済
んでいないレーザ駆動条件があったときは、次のレーザ
駆動条件(繰り返し周波数Fr、ランプ電流Id)に設
定し(ステップ9)、上記ステップ3〜8を繰り返す。
すべてのパワーチェック用のレーザ駆動条件についてパ
ワーチェックが終了すると、パワーメータ203を退避
位置(図11の実線の位置)に移動させ、次の動作モー
ドに備えられる。
FIG. 10 is a flowchart of the power check mode. When the operator selects the power check mode, as shown in FIG.
The power meter 203 as a power measuring means arranged in the vicinity of the laser emission port 202a is moved from the retracted position (the position indicated by the solid line) to the measurement position (the position indicated by the alternate long and short dash line) by a drive mechanism (not shown) (step 1). Next, the laser driving conditions (repetition frequency Fr, lamp current Id)
Initialization is performed to one of a plurality of laser drive conditions for power check, which is selected in advance from the range of laser drive conditions used in the normal processing mode (step 2). Next, after the excitation stabilization time (10 seconds in this embodiment) has elapsed and the laser oscillation has stabilized (step 3), the laser irradiation head 202
The average output Pa [W] of the pulsed laser light emitted from is measured as the irradiation power (step 4). This measurement time is set to about 30 seconds, for example. Next, the measured value of the irradiation power is compared with a predetermined allowable lower limit value (step 5), and when the measured value of the irradiation power is smaller than the allowable lower limit value, a flash lamp or the like constituting the YAG laser device 1 It is controlled so as to issue an alarm for notifying the operator that the constituent parts of (3) are deteriorated (step 6).
With this alarm, it is possible to notify the operator of the deterioration of the components such as the flash lamp that constitute the YAG laser device 1 and to prompt the operator to replace or repair the components. On the other hand, when the measured value of the irradiation power is equal to or higher than the allowable lower limit value, the measured value is stored in the storage device (for example, hard disk) of the host PC device as history data for daily management (step 7). Next, it is judged whether or not the power check has been completed for a plurality of predetermined laser drive conditions for power check (step 8), and if there is a laser drive condition for which the power check has not been completed, Laser driving conditions (repetition frequency Fr, lamp current Id) are set (step 9), and steps 3 to 8 are repeated.
When the power check is completed for all the laser drive conditions for power check, the power meter 203 is moved to the retracted position (the position indicated by the solid line in FIG. 11) to prepare for the next operation mode.

【0045】図12は加工条件出しモードのフローチャ
ートである。オペレータは加工条件出しモードを選択す
るとともに、実際の加工と同じ材料で作成された加工条
件出し用の加工素材をXYテーブル5の載置台501上
にセットする(ステップ1)。次に、パルスレーザ光の
繰り返し周波数Frを、上記通常加工モードで用いるこ
とができる繰り返し周波数Frの範囲(例えば1kHz
〜10kHz)から予め選ばれた複数の繰り返し周波数
Frの一つ(例えば1kHz)に初期設定される(ステ
ップ2)。次に、実際の加工で用いる移動速度でXYテ
ーブル5の載置台501をX方向に移動させながらパル
スレーザ光を照射することにより、図13に示すように
上記加工素材上の透明導電膜に横方向のスリット4a
(X)を形成する。この横方向(X方向)のスリット形
成を、レーザのランプ電流Id(20A〜30A)の設
定を変更しつつ縦方向(Y方向)にずらしながら行な
う。同様に、縦方向(Y方向)のスリット形成を、YA
Gレーザ装置のランプ電流Id(20A〜30A)の設
定を変更しつつ横方向(X方向)にずらしながら行な
う。以上の加工により、図13に示すように、ランプ電
流Idが異なるスリットからなる格子状のパターンが形
成される(ステップ3)。ここで、ランプ電流Idの設
定を変えたときは、励起安定時間(本実施形態では10
秒)が経過してレーザ発振が安定した後に、スリット加
工を開始する。次に、予め決められている複数の条件出
し用のパターン加工が終了したか否かが判断され(ステ
ップ4)、条件出し用のパターン加工が済んでいない繰
り返し周波数があったときは、次の繰り返し周波数Fr
に設定し(ステップ5)、上記ステップ3を繰り返す。
すべての繰り返し周波数について条件出し用のパターン
加工が終了すると、オペレータが加工素材上の加工パタ
ーンを目視して、スリットの幅の寸法、スリット内の白
い輝点の存在、スリット交差部の損傷の有無等を判断パ
ラメータとして、すべての繰り返し周波数について所望
の加工パターンを形成することができる最適なランプ電
流Idを決定する。図13の例では、黒丸の位置で示す
ように21Aを最適なランプ電流Idとして決定してい
る。この決定した最適条件(ランプ電流Id)のデータ
がオペレータによって上位PC装置601から入力さ
れ、上位PC装置の記憶装置(例えばハードディクス)
に保存され(ステップ6)、通常加工モードの実行時に
用いられる。
FIG. 12 is a flowchart of the processing condition setting mode. The operator selects the processing condition setting mode, and sets the processing material for processing condition setting made of the same material as the actual processing on the mounting table 501 of the XY table 5 (step 1). Next, the repetition frequency Fr of the pulsed laser light is set to the range of the repetition frequency Fr that can be used in the normal processing mode (for example, 1 kHz).
(10 kHz) to one of a plurality of repetition frequencies Fr selected in advance (for example, 1 kHz) (step 2). Next, by irradiating with pulse laser light while moving the mounting table 501 of the XY table 5 in the X direction at the moving speed used in actual processing, as shown in FIG. Direction slit 4a
(X) is formed. The slit formation in the horizontal direction (X direction) is performed while shifting the lamp current Id (20A to 30A) of the laser while shifting in the vertical direction (Y direction). Similarly, slit formation in the vertical direction (Y direction) is performed by YA
It is performed while changing the setting of the lamp current Id (20A to 30A) of the G laser device while shifting in the lateral direction (X direction). As a result of the above processing, as shown in FIG. 13, a grid-like pattern formed of slits having different lamp currents Id is formed (step 3). Here, when the setting of the lamp current Id is changed, the excitation stabilization time (10 in this embodiment) is set.
(Seconds) has elapsed and laser oscillation has stabilized, then slit processing is started. Next, it is judged whether or not a plurality of predetermined pattern processing for condition setting has been completed (step 4), and when there is a repetition frequency for which the pattern processing for condition setting has not been completed, Repeat frequency Fr
(Step 5) and step 3 is repeated.
When the pattern processing for condition determination is completed for all repetition frequencies, the operator visually checks the processing pattern on the processing material and determines the width of the slit, the presence of white bright spots in the slit, and the presence of damage at the slit intersection. The optimum lamp current Id with which a desired processing pattern can be formed for all repetition frequencies is determined by using the above as a determination parameter. In the example of FIG. 13, 21A is determined as the optimum lamp current Id as shown by the position of the black circle. The data of the determined optimum condition (lamp current Id) is input from the host PC device 601 by the operator, and the storage device (eg hard disk) of the host PC device.
(Step 6) and used when executing the normal machining mode.

【0046】以上、本実施形態によれば、上記パワーチ
ェックモードを実行することにより、YAGレーザ装置
1の駆動条件(繰り返し周波数Fr、ランプ電流Id)
を実際の加工時の条件に設定した状態で加工対象物に照
射されるパルスレーザ光の照射パワーを測定し、パルス
レーザ光の照射パワーが適正な値になっているか否かを
容易に確認することができる。
As described above, according to the present embodiment, the driving condition of the YAG laser device 1 (repetition frequency Fr, lamp current Id) is achieved by executing the power check mode.
Measure the irradiation power of the pulsed laser light that irradiates the object to be processed under the conditions set for actual processing, and easily check whether the irradiation power of the pulsed laser light is an appropriate value. be able to.

【0047】また、本実施形態によれば、上記加工条件
出しモードを実行することにより、オペレータによる条
件出しのための加工作業の負担を軽減し、加工対象物に
最適なYAGレーザ装置1の駆動条件(ランプ電流I
d)を容易に見出すことができる。
Further, according to the present embodiment, by executing the above-mentioned processing condition setting mode, the load of the processing work for the condition setting by the operator is reduced, and the YAG laser device 1 that is optimum for the processing target is driven. Conditions (lamp current I
d) can be easily found.

【0048】また、本実施形態によれば、XYテーブル
5の載置台501の移動距離に同期するようにパルスレ
ーザ光の照射タイミングを制御しているので、載置台5
01の加速域及び減速域においても上記均一なスリット
加工が可能となる。
Further, according to the present embodiment, since the irradiation timing of the pulsed laser light is controlled so as to be synchronized with the movement distance of the mounting table 501 of the XY table 5, the mounting table 5
Even in the acceleration region and the deceleration region of 01, the uniform slit processing can be performed.

【0049】なお、上記実施形態のパワーチェックモー
ドでは、パワーメータ203によるパルスレーザ光の照
射パワーの測定結果に基づいてYAGレーザ装置1のラ
ンプ電流Idを自動補正するように制御してもよい。こ
のランプ電流Idを自動補正する駆動条件補正手段とし
ては、上記制御システム6を用いることができる。そし
て、例えば、図14のフローチャートに示すように、各
レーザ駆動条件(繰り返し周波数Fr、ランプ電流I
d)でのパワー測定が終了した後(ステップ1〜9)、
各測定値が予め設定した目標範囲内に入っているか否か
を判定し(ステップ10)、目標範囲から外れていると
きはすべての繰り返し周波数Frについて照射パワーが
目標範囲に入るようにランプ電流Idを補正する(ステ
ップ11)。
In the power check mode of the above embodiment, the lamp current Id of the YAG laser device 1 may be automatically corrected based on the measurement result of the irradiation power of the pulsed laser light by the power meter 203. The control system 6 can be used as the drive condition correction means for automatically correcting the lamp current Id. Then, for example, as shown in the flowchart of FIG. 14, each laser drive condition (repetition frequency Fr, lamp current I
After the power measurement in d) is completed (steps 1-9),
It is determined whether or not each measured value is within a preset target range (step 10), and if it is outside the target range, the lamp current Id is set so that the irradiation power falls within the target range for all repetition frequencies Fr. Is corrected (step 11).

【0050】また、上記実施形態の加工条件出しモード
では、上記加工条件設定用の格子状の加工パターンの画
像に基づいて加工の良否を判定し、その判定結果に基づ
いき、YAGレーザ装置1のランプ電流Idを必要に応
じて切り換えて加工対象物に最適な値に設定するように
制御してもよい。この加工パターンの加工の良否に対す
る判定結果に基づく駆動条件切り換え手段としては、上
記制御システム6を用いることができる。そして、例え
ば、図15に示すように、条件出し用のパターン加工が
終了した後(ステップ1〜5)、加工素材上に形成され
た格子状の加工パターンをCCDカメラ等の撮像手段で
撮像し(ステップ6)、撮像された加工パターンの画像
に基づいて加工の良否を判定し、その判定結果に基づい
てYAGレーザ装置1のランプ電流Idをその加工対象
物に最適な値を自動的に決定して必要に応じて切り換え
て設定する(ステップ7)。
Further, in the processing condition setting mode of the above embodiment, the quality of the processing is judged based on the image of the lattice-shaped processing pattern for setting the processing conditions, and based on the judgment result, the YAG laser device 1 is judged. The lamp current Id may be switched as needed to control so as to set the optimum value for the workpiece. The control system 6 can be used as the drive condition switching means based on the determination result regarding the quality of processing of the processing pattern. Then, for example, as shown in FIG. 15, after the pattern processing for condition setting is completed (steps 1 to 5), the lattice-shaped processing pattern formed on the processing material is imaged by an imaging means such as a CCD camera. (Step 6), the quality of the processing is determined based on the captured image of the processing pattern, and the optimum value for the lamp current Id of the YAG laser device 1 is automatically determined based on the determination result. Then, it is switched and set as necessary (step 7).

【0051】また、上記実施形態において、加工条件設
定用の加工パターンの形成条件を記憶しておくデータ記
憶手段と、作業者が加工対象物の種類のデータを入力す
るためのデータ入力手段とを設けてよい。上記データ記
憶手段は、ビーム加工装置で加工する加工対象物の種類
に関連付けて上記加工条件出しモードで形成する加工条
件設定用の加工パターンの形成条件をライブラリー化し
て予め記憶しておくものである。このデータ記憶手段と
しては、上記上位コンピュータ装置601のハードディ
クス等の記憶装置を用いることができる。また、上記デ
ータ入力手段しては、上位コンピュータ装置601のキ
ーボードなどを用いることができる。そして、上記動作
モード選択実行手段としての制御システム6は、上記デ
ータ入力手段で入力された加工対象物の種類のデータに
対応する加工パターンの形成条件を上記データ記憶手段
から読み出す。この読み出された形成条件で上記加工条
件設定用の加工パターンが形成される。ここで、上記加
工対象物の種類は、例えば加工対象物の基材の種類や加
工面に形成された膜の厚みで分類される。この場合は、
作業者がデータ入力手段から加工対象物の種類のデータ
を入力すると、その加工対象物の種類のデータに対応し
た加工パターンの形成条件がデータ記憶手段から自動的
に読み出される。この読み出された形成条件で上記加工
条件設定用の加工パターンが形成される。よって、作業
者が加工対象物の種類に基づいて上記加工パターンの形
成条件を設定する作業が不要となる。したがって、上記
加工条件設定用動作モードを実行するときの作業者の負
担を軽減できるとともに、加工条件の設定のための時間
を短縮することができる。更に、加工対象物の種類が変
わるたびに作業者が判断して上記加工パターンの形成条
件を設定する場合に比して、加工パターンの形成条件の
誤設定の危険性が少なくなる。
Further, in the above embodiment, the data storage means for storing the formation conditions of the processing pattern for setting the processing conditions and the data input means for the operator to input the data of the type of the processing object are provided. May be provided. The data storage means stores the formation conditions of the processing pattern for setting the processing conditions formed in the processing condition setting mode in association with the type of the object to be processed by the beam processing device in advance as a library. is there. As the data storage means, a storage device such as the hard disk of the host computer 601 can be used. Further, as the data input means, a keyboard of the host computer 601 or the like can be used. Then, the control system 6 as the operation mode selection executing means reads from the data storing means the forming condition of the processing pattern corresponding to the data of the type of the processing object inputted by the data inputting means. The processing pattern for setting the above processing conditions is formed under the read formation conditions. Here, the type of the processing target is classified by, for example, the type of the base material of the processing target and the thickness of the film formed on the processing surface. in this case,
When the operator inputs the data of the type of the object to be processed from the data input means, the formation condition of the processing pattern corresponding to the data of the type of the object to be processed is automatically read from the data storage means. The processing pattern for setting the above processing conditions is formed under the read formation conditions. Therefore, it is unnecessary for the operator to set the above-mentioned processing pattern forming conditions based on the type of the processing object. Therefore, it is possible to reduce the burden on the operator when executing the processing condition setting operation mode and shorten the time for setting the processing conditions. Further, the risk of erroneous setting of the processing pattern forming conditions is reduced as compared with the case where the operator judges and sets the processing pattern forming conditions each time the type of the processing target changes.

【0052】また、上記実施形態において、上記加工条
件設定用の加工パターンの形成条件のデータを記憶する
データ記憶手段と、加工パターンの形成条件を蓄積して
いくデータ処理手段と、作業者が加工パターンの形成条
件を指定する条件指定手段とを設けてもよい。上記デー
タ処理手段は、上記加工条件設定用動作モードで使用し
た加工条件設定用の加工パターンの形成条件が新規な場
合にその新規な形状条件を該データ記憶手段に蓄積して
いくものである。また、上記条件指定手段は、上記デー
タ記憶手段から選択する加工パターンの形成条件を作業
者が指定するためのものである。上記データ記憶手段と
しては、上記上位コンピュータ装置601のハードディ
クス等の記憶装置を用いることができる。また、上記デ
ータ処理手段としては、上位コンピュータ装置601を
用いることができ、上記条件指定手段としては、上位コ
ンピュータ装置601のキーボードなどを用いることが
できる。そして、上記動作モード選択実行手段としての
制御システム6は、上記条件指定手段で作業者が指定し
た加工パターンの形成条件を上記データ記憶手段から読
み出す。この読み出された形成条件で上記加工条件設定
用の加工パターンが形成される。この場合は、上記加工
条件設定用動作モードを実行する際に、作業者が、デー
タ記憶手段に蓄積されている過去に使用された複数の加
工パターンの形成条件から適切な形成条件を選択でき
る。よって、加工対象物の種類が変わるたびに作業者が
判断して加工対象物に適した条件のデータを入力する場
合に比して、加工パターンの形成条件の設定作業の時間
を短くできるとともに、その設定作業の負担を軽減でき
る。
Further, in the above embodiment, the data storing means for storing the data of the forming condition of the processing pattern for setting the processing condition, the data processing means for accumulating the forming condition of the processing pattern, and the operator performing the processing. A condition designating unit that designates a pattern forming condition may be provided. The data processing means accumulates the new shape condition in the data storage means when the forming condition of the processing pattern for the processing condition setting used in the processing condition setting operation mode is new. Further, the condition designating means is for the operator to designate the forming condition of the processing pattern selected from the data storing means. As the data storage means, a storage device such as the hard disk of the host computer device 601 can be used. A host computer 601 can be used as the data processing means, and a keyboard or the like of the host computer 601 can be used as the condition specifying means. Then, the control system 6 as the operation mode selection executing means reads out the forming condition of the processing pattern designated by the operator by the condition designating means from the data storing means. The processing pattern for setting the above processing conditions is formed under the read formation conditions. In this case, when executing the processing condition setting operation mode, the operator can select an appropriate forming condition from the forming conditions of the plurality of previously used processing patterns accumulated in the data storage means. Therefore, compared with the case where the operator judges every time the type of the processing target changes and inputs the data of the condition suitable for the processing target, the time for setting the processing conditions for forming the processing pattern can be shortened, and The burden of the setting work can be reduced.

【0053】ここで、上記新規な加工条件設定用の加工
パターンの形成条件は、その形成条件を用いた加工対象
物の種類に関連付けてライブラリー化して蓄積していっ
てもよい。この場合は、作業者が上記上位コンピュータ
装置601のキーボードなどからなるデータ入力手段で
加工対象物の種類のデータを入力したときは、その加工
対象物の種類のデータに対応する加工パターンの形成条
件が上記データ記憶手段から読み出される。この読み出
された形成条件で上記加工条件設定用の加工パターンが
形成される。よって、作業者が加工対象物の種類に基づ
いて上記加工パターンの形成条件を設定する作業が不要
となる。したがって、上記加工条件設定用動作モードを
実行するときの作業者の負担を更に軽減できるととも
に、加工条件の設定のための時間を短縮することができ
る。更に、加工対象物の種類が変わるたびに作業者が判
断して上記加工パターンの形成条件を設定する場合に比
して、加工パターンの形成条件の誤設定の危険性が少な
くなる。
Here, the conditions for forming the new processing conditions for setting the processing conditions may be stored in a library in association with the type of the object to be processed using the forming conditions. In this case, when the operator inputs the data of the type of the object to be processed by the data input means such as the keyboard of the host computer device 601, the formation condition of the processing pattern corresponding to the data of the type of the object to be processed. Is read from the data storage means. The processing pattern for setting the above processing conditions is formed under the read formation conditions. Therefore, it is unnecessary for the operator to set the above-mentioned processing pattern forming conditions based on the type of the processing object. Therefore, it is possible to further reduce the burden on the operator when executing the processing condition setting operation mode, and it is possible to shorten the time for setting the processing conditions. Further, the risk of erroneous setting of the processing pattern forming conditions is reduced as compared with the case where the operator judges and sets the processing pattern forming conditions each time the type of the processing target changes.

【0054】また、上記実施形態において、上記透明絶
縁性基板3上の透明導電膜4に格子状のスリットを形成
する場合は、まず、上記図8(a)に示すように交差点
Pcをさけながら透明絶縁性基板3をX軸方向に移動し
つつパルスレーザ光を照射することにより、所定長のX
軸方向のスリット4a(X)を複数形成する。その後、上
記交差点Pcを通過するように、透明絶縁性基板3をY
軸方向に移動しつつパルスレーザ光を照射する。これに
より、図16(a)に示すように、透明導電膜4に照射
されるパルスレーザ光の照射スポットLp(Y)がY軸方
向に一定のピッチで並ぶ。その結果、図16(b)に示
すようにY軸方向においても透明導電膜4が均一な加工
幅でスリット状に除去され、X軸方向のスリット4a
(X)とY軸方向のスリット4a(Y)とが交差した格子状の
スリットを形成することができる。特に、図16で示し
た格子状のスリットの加工例では、上記交差点Pcにお
いても他の照射ポイントと同様に、パルスレーザ光が1
回しか照射されないので、上記交差点Pcにおける過剰
なレーザ照射による損傷の発生などの不具合を防止する
ことができる。なお、図16の加工例では、X軸方向の
スリット4a(X)のほうを上記交差点Pcを避けながら
形成し、Y軸方向のスリット4a(Y)のほうを連続的に
形成しているが、X軸方向のスリット4a(X)のほうを
連続的に形成するようにしてもよい。
In the above embodiment, when forming the lattice-like slits in the transparent conductive film 4 on the transparent insulating substrate 3, first, avoiding the intersection Pc as shown in FIG. 8A. By irradiating a pulsed laser beam while moving the transparent insulating substrate 3 in the X-axis direction, a predetermined length of X
A plurality of axial slits 4a (X) are formed. After that, the transparent insulating substrate 3 is set to Y so as to pass through the intersection Pc.
The pulsed laser light is emitted while moving in the axial direction. As a result, as shown in FIG. 16A, the irradiation spots Lp (Y) of the pulsed laser light with which the transparent conductive film 4 is irradiated are arranged at a constant pitch in the Y-axis direction. As a result, as shown in FIG. 16B, the transparent conductive film 4 is removed in a slit shape with a uniform processing width also in the Y-axis direction, and the slit 4a in the X-axis direction is formed.
It is possible to form a lattice-shaped slit in which (X) intersects with the slit 4a (Y) in the Y-axis direction. In particular, in the processing example of the lattice-shaped slits shown in FIG. 16, the pulse laser light is 1 at the intersection Pc as in the other irradiation points.
Since the irradiation is performed only once, it is possible to prevent a defect such as damage due to excessive laser irradiation at the intersection Pc. In the processing example of FIG. 16, the slit 4a (X) in the X-axis direction is formed while avoiding the intersection Pc, and the slit 4a (Y) in the Y-axis direction is continuously formed. , The slit 4a (X) in the X-axis direction may be formed continuously.

【0055】図17は、本ビーム加工装置での透明導電
膜4の加工によって電極パターンが形成されるタッチパ
ネル基板を用いて構成されたタッチパネルの断面図であ
る。また、図18(a)及び(b)はそれぞれ、同タッ
チパネルの分解斜視図及び平面図である。図17に示す
ように、タッチパネルは、各透明導電膜4からなる透明
電極が通常状態で接触しないように1組の上下タッチパ
ネル基板7、8を所定の高さ(例えば9〜12μm)の
スペーサ9を介して対向させた構造になっている。そし
て、このタッチパネルを図17中の上方から押圧する
と、上タッチパネル基板7が2点鎖線で示すように変形
し、上下のタッチパネル基板7、8の透明電極同士が接
触する。この接触による上下透明電極間の抵抗の変化か
ら、押圧されたか否か及び押圧された位置を知ることが
できる。また、このタッチパネルは、図18(a)及び
(b)に示すように上下のタッチパネル基板7、8のそ
れぞれに、互いに直交するスリット7a、8aが各透明
導電膜4に形成されている。
FIG. 17 is a sectional view of a touch panel constructed by using a touch panel substrate on which an electrode pattern is formed by processing the transparent conductive film 4 in the beam processing apparatus. 18A and 18B are an exploded perspective view and a plan view of the touch panel, respectively. As shown in FIG. 17, in the touch panel, a pair of upper and lower touch panel substrates 7 and 8 are provided with a spacer 9 having a predetermined height (for example, 9 to 12 μm) so that the transparent electrodes made of the transparent conductive films 4 do not contact each other in a normal state. The structure is such that they face each other. Then, when this touch panel is pressed from above in FIG. 17, the upper touch panel substrate 7 is deformed as shown by the chain double-dashed line, and the transparent electrodes of the upper and lower touch panel substrates 7 and 8 come into contact with each other. From the change in the resistance between the upper and lower transparent electrodes due to this contact, it is possible to know whether or not it has been pressed and the pressed position. Further, in this touch panel, as shown in FIGS. 18A and 18B, slits 7 a and 8 a orthogonal to each other are formed in each of the upper and lower touch panel substrates 7 and 8 in each transparent conductive film 4.

【0056】本実施形態のビーム加工装置は、図18
(a)及び(b)に示すスリット7a、8aを、透明導
電膜4に形成するものである。真空蒸着、イオンプレー
ティング、スパッタリング等によって表面に透明導電膜
4(厚さ=約500オングストローム)が形成された絶
縁性透明基板3は、透明導電膜4側の上方に向けて載置
台501上にセットされる。セットされた絶縁性透明基
板3上の透明導電膜4は、所定のスポット径に絞られた
パルスレーザ光が照射されながらXYテーブル5によっ
て一方向に移動させられる。この移動の過程で、幅50
0〜1000[μm]程度のパルスレーザ光の照射部分
が蒸発して透明導電膜4から除去され、各電極領域を絶
縁するスリット7a、8aが形成される。
The beam processing apparatus of this embodiment is shown in FIG.
The slits 7a and 8a shown in (a) and (b) are formed in the transparent conductive film 4. The insulating transparent substrate 3 having the transparent conductive film 4 (thickness = about 500 angstroms) formed on the surface by vacuum deposition, ion plating, sputtering, or the like is placed on the mounting table 501 toward the upper side of the transparent conductive film 4 side. Set. The transparent conductive film 4 on the set insulating transparent substrate 3 is moved in one direction by the XY table 5 while being irradiated with the pulsed laser light having a predetermined spot diameter. In the process of this movement, width 50
Portions irradiated with pulsed laser light of about 0 to 1000 [μm] are evaporated and removed from the transparent conductive film 4, and slits 7a and 8a for insulating each electrode region are formed.

【0057】本実施形態のビーム加工装置では、エッチ
ング処理を伴うフォトリソグラフィー法を用いることな
く、透明導電膜4を加工して絶縁性透明基板3上に複数
の透明電極を形成することができる。このため、フォト
レジストの現像液やエッチング液の廃液によって環境を
汚すことなく、上下のタッチパネル基板7、8を製造す
ることができる。また、透明電極のパターン形状を変え
る場合でも、フォトリソグラフィー用の遮光マスクを用
いることなくCAMデータで透明導電膜4を加工してパ
ターンに応じた複数の透明電極を形成することができ
る。このため、異なった電極パターンのタッチパネル基
板7、8についてそれぞれ専用の遮光パターンの遮光マ
スクを用意しなければならず他品種少量生産が困難にな
ったり、残留レジスト液によってワークを汚したりなど
フォトリソグラフィー法による不具合が起こらず、リー
ドタイムを短縮化してオンデマンドの要求に対しても十
分に対応することができる。
In the beam processing apparatus of this embodiment, the transparent conductive film 4 can be processed to form a plurality of transparent electrodes on the insulating transparent substrate 3 without using the photolithography method involving etching treatment. Therefore, the upper and lower touch panel substrates 7 and 8 can be manufactured without polluting the environment with the developer of the photoresist and the waste liquid of the etching liquid. Further, even when the pattern shape of the transparent electrode is changed, it is possible to form the plurality of transparent electrodes according to the pattern by processing the transparent conductive film 4 with CAM data without using a light shielding mask for photolithography. For this reason, it is necessary to prepare a light-shielding mask having a dedicated light-shielding pattern for each of the touch panel substrates 7 and 8 having different electrode patterns, which makes it difficult to perform small-scale production of other types of products and stains the work with residual resist solution. It is possible to shorten the lead time and sufficiently meet on-demand requests without causing any problems due to the law.

【0058】一方、フォトリソグラフィー法を用いた電
極加工では、フォトレジストの現像液やエッチング液等
の廃液が発生して環境を汚してしまうという不具合があ
る。また、透明電極のパターンを変える場合は、フォト
リソグラフィー用の遮光マスクを新規に作成しなければ
ならないため、加工効率が悪く、他品種少量生産への対
応及び低コスト化が難しかった。特に、アナログ方式の
タッチパネルのように透明導電膜4に数本のスリットを
形成するような場合でも、数百本のスリットを形成する
デジタル方式のタッチパネルの場合と同じフォトリソグ
ラフィー工程が必要になってくるため、加工部分が少な
いにもかかわらず廃液の低減及び低コスト化を図ること
が難しかった。
On the other hand, in the electrode processing using the photolithography method, there is a problem that waste liquid such as photoresist developing solution and etching solution is generated to pollute the environment. Further, when the pattern of the transparent electrode is changed, a light-shielding mask for photolithography must be newly created, so that the processing efficiency is poor, and it is difficult to cope with small-volume production of other products and to reduce the cost. In particular, even in the case of forming several slits in the transparent conductive film 4 like an analog type touch panel, the same photolithography process as in the case of a digital type touch panel forming hundreds of slits is required. Therefore, it is difficult to reduce the waste liquid and reduce the cost even though the processed portion is small.

【0059】なお、上記実施形態では、XYテーブル5
の載置台501をX軸方向あるいはY軸方向に移動させ
ながら加工する場合について説明したが、本発明は、X
軸方向及びY軸方向に交差する斜め方向に載置台501
を移動させながら加工する場合にも適用できるものであ
る。この斜め移動の場合は、CPU603aから比較器
603dに送る基準値として、下記の数2に示す基準値
Nref(X)又は数3に示す基準値Nref(Y)を用いる。式中
の演算子「INT」は、かっこ内の数値に最も近い整数
を求める演算子である。また、式の右辺の「Nref」は
X軸方向あるいはY軸方向に移動する場合の基準値であ
る。また、式中の「θ」は、図19に示すように移動方
向とX軸方向とのなす角度であり、加工制御データから
求められる。
In the above embodiment, the XY table 5 is used.
The case where processing is performed while moving the mounting table 501 of X in the X-axis direction or the Y-axis direction has been described.
The mounting table 501 in an oblique direction intersecting the axial direction and the Y-axis direction
It can also be applied when machining while moving. In the case of this diagonal movement, the reference value Nref (X) shown in the following equation 2 or the reference value Nref (Y) shown in the following equation 3 is used as the reference value sent from the CPU 603a to the comparator 603d. The operator "INT" in the expression is an operator that finds an integer closest to the numerical value in parentheses. Further, "Nref" on the right side of the equation is a reference value when moving in the X-axis direction or the Y-axis direction. Further, “θ” in the equation is an angle formed by the moving direction and the X-axis direction as shown in FIG. 19, and is obtained from the processing control data.

【数2】Nref(X)=INT(Nref×cosθ)[Formula 2] Nref (X) = INT (Nref × cos θ)

【数3】Nref(Y)=INT(Nref×sinθ)[Formula 3] Nref (Y) = INT (Nref × sin θ)

【0060】ここで、例えばX軸方向のリニアスケール
503から出力された移動距離検出パルス信号Sm(X)を
用いる場合は、上記基準値として数1に示す基準値Nre
f(X)を用いる。一方、Y軸方向のリニアスケール503
から出力された移動距離検出パルス信号Sm(Y)を用いる
場合は、上記基準値として数2に示す基準値Nref(y)を
用いる。なお、上記載置台501の移動距離を精度よく
検出するという観点から、載置台501の移動方向がX
軸に近い場合は、上記X軸方向のリニアスケール503
からの移動距離検出パルス信号Sm(X)と上記基準値Nre
f(X)とを組み合わせて用い、載置台501の移動方向が
Y軸に近い場合は、上記Y軸方向のリニアスケール50
3からの移動距離検出パルス信号Sm(Y)と上記基準値N
ref(Y)とを組み合わせて用いのが好ましい。このような
組み合わせを切り替えて用いることにより、上記パルス
レーザ光の照射スポットのピッチに対応した移動距離検
出パルス信号の数が極端に少なくなることがないので、
上記載置台501の斜め方向の移動距離をX軸方向ある
いはY軸方向に移動させる場合と同様に精度よく検出す
ることができる。
Here, for example, when using the moving distance detection pulse signal Sm (X) output from the linear scale 503 in the X-axis direction, the reference value Nre shown in Formula 1 is used as the reference value.
Use f (X). On the other hand, a linear scale 503 in the Y-axis direction
When using the moving distance detection pulse signal Sm (Y) output from the above, the reference value Nref (y) shown in Formula 2 is used as the above reference value. From the viewpoint of accurately detecting the moving distance of the mounting table 501, the moving direction of the mounting table 501 is X.
If it is close to the axis, the linear scale 503 in the X-axis direction
From the moving distance detection pulse signal Sm (X) and the reference value Nre
When f (X) is used in combination and the moving direction of the mounting table 501 is close to the Y axis, the linear scale 50 in the Y axis direction is used.
3 moving distance detection pulse signal Sm (Y) and the reference value N
It is preferably used in combination with ref (Y). By switching and using such a combination, the number of movement distance detection pulse signals corresponding to the pitch of the irradiation spot of the pulsed laser light does not become extremely small,
It is possible to detect the moving distance of the mounting table 501 in the diagonal direction with high accuracy as in the case of moving the mounting table 501 in the X-axis direction or the Y-axis direction.

【0061】また、上記実施形態においては、透明絶縁
性基板3上の透明導電膜4の一部を除去する加工を行な
う場合について説明したが、本発明は、このような加工
に限定されることなく適用することができるものであ
る。例えば、図20に示すように透明絶縁性基板3上の
透明導電膜4の表面に形成された導電性ペースト(例え
ば銀ペースト)からなる配線パターン13の周囲に配線
間絶縁用のスリット14を形成する場合にも用いること
ができ、同様な効果が得られるものである。
Further, in the above embodiment, the case where the processing of removing a part of the transparent conductive film 4 on the transparent insulating substrate 3 is performed has been described, but the present invention is limited to such processing. It can be applied without. For example, as shown in FIG. 20, a slit 14 for inter-wiring insulation is formed around a wiring pattern 13 made of a conductive paste (eg, silver paste) formed on the surface of the transparent conductive film 4 on the transparent insulating substrate 3. The same effect can be obtained by using the same.

【0062】また、本発明は、樹脂板にハーフエッチン
グ加工や穴開け加工を行う場合にも適用できるものであ
る。この場合は、加工部の深さも均一にすることができ
る。さらに、本発明は、上記スリット形成加工、ハーフ
エッチング加工、穴開け加工だけでなく、樹脂、セラミ
ック、金属、フォトリソ用の感光層などの加工対象物に
表面処理加工、フォトレジストへの露光を行う場合にも
適用できるものである。
The present invention can also be applied to the case where the resin plate is half-etched or punched. In this case, the depth of the processed portion can be made uniform. Furthermore, the present invention performs not only the slit forming process, the half etching process, and the drilling process, but also a surface treatment process on an object to be processed such as a resin, a ceramic, a metal, a photosensitive layer for photolithography, and an exposure to a photoresist. It is also applicable to cases.

【0063】また、上記実施形態では、リニアスケール
503から出力される移動距離検出パルス信号を用い
て、載置台501に載置された透明絶縁性基板3の移動
距離に同期させてパルスレーザ光の照射タイミングを制
御しているが、リニアスケールやリニアエンコーダ等の
出力を用いて透明絶縁性基板3を載置した載置台501
の移動速度を求め、この移動速度に同期するようにパル
スレーザ光の照射タイミングを制御してもよい。
In the above embodiment, the pulse distance of the pulse laser light is synchronized with the moving distance of the transparent insulating substrate 3 mounted on the mounting table 501 by using the moving distance detecting pulse signal output from the linear scale 503. Although the irradiation timing is controlled, the mounting table 501 on which the transparent insulating substrate 3 is mounted using the output of a linear scale, a linear encoder, or the like.
It is also possible to determine the moving speed of the pulse laser and control the irradiation timing of the pulsed laser light so as to be synchronized with this moving speed.

【0064】また、上記実施形態では、Qスイッチを有
するNd:YAGレーザから出射されたパルス状の近赤
外レーザビーム(波長λ=1064nm)を用いた場合
について説明したが、本発明は、このレーザビームに限
定されることなく適用できるものである。例えば、Qス
イッチを有する、Nd:YLFレーザ(波長λ=104
7nm)、Nd:YVOレーザ(波長λ=1064n
m)、COレーザ、銅蒸気レーザ等のパルスレーザを
用いる場合にも適用することができる。また、本発明
は、非線形光学結晶を用いて上記各種レーザの出力を波
長変換したレーザビームを用いる場合にも適用すること
ができる。例えば、Nd:YAGレーザと、LiB
(LBO)、KTiOPO、β−BaB(B
BO)、CsLiB10(CLBO)等の非線形光
学結晶とを組み合わせると、波長が355nm、266
nmの紫外領域のレーザビームを得ることができる。ま
た、上記透明導電膜を主にアブレーションで除去する紫
外領域のレーザビームとしては、KrFエキシマレーザ
ー等から出射されるパルス状の紫外光レーザビームを用
いることもできる。さらに、本発明は、レーザ光以外の
パルス状の光ビーム、荷電粒子ビーム等の他のパルス状
のエネルギービームを用いた場合にも適用が可能であ
る。
Further, in the above embodiment, the case where the pulsed near infrared laser beam (wavelength λ = 1064 nm) emitted from the Nd: YAG laser having the Q switch is used, but the present invention is not limited to this. The present invention can be applied without being limited to the laser beam. For example, an Nd: YLF laser with a Q switch (wavelength λ = 104
7 nm), Nd: YVO 4 laser (wavelength λ = 1064n
m), a pulsed laser such as a CO 2 laser and a copper vapor laser can be used. The present invention can also be applied to the case where a laser beam obtained by wavelength-converting the output of each of the above-mentioned lasers is used by using a nonlinear optical crystal. For example, Nd: YAG laser and LiB 3 O
5 (LBO), KTiOPO 4 , β-BaB 2 O 4 (B
(BO), CsLiB 6 O 10 (CLBO) and other nonlinear optical crystals are combined to obtain wavelengths of 355 nm and 266.
A laser beam in the ultraviolet region of nm can be obtained. A pulsed ultraviolet laser beam emitted from a KrF excimer laser or the like can also be used as the laser beam in the ultraviolet region that mainly removes the transparent conductive film by ablation. Furthermore, the present invention can be applied to the case of using a pulsed light beam other than laser light, a pulsed energy beam such as a charged particle beam, or the like.

【0065】また、上記実施形態では、パルスレーザ光
の照射経路をレーザ照射ヘッド202で固定し、加工対
象物を互いに直交するX方向及びY方向に移動させる場
合について説明したが、本発明は、加工対象物を固定し
てセットし、レーザ等のエネルギービームをX方向及び
Y方向に移動させる場合や、エネルギービーム及び加工
対象物の両方を移動させる場合にも適用できるものであ
る。
In the above embodiment, the case where the irradiation path of the pulsed laser light is fixed by the laser irradiation head 202 and the object to be processed is moved in the X direction and the Y direction orthogonal to each other has been described. The present invention can also be applied to a case where a processing object is fixed and set and an energy beam such as a laser is moved in the X direction and the Y direction, or when both the energy beam and the processing object are moved.

【0066】[0066]

【発明の効果】請求項1、2、3、6及び7の発明によ
れば、パワー測定用動作モードを実行することにより、
ビーム源の複数の駆動条件を自動的に切り換えながらパ
ワー測定手段でエネルギービームの照射パワーを測定
し、エネルギービームの照射パワーが適正な値になって
いるか否かを容易に確認することができるという効果が
ある。特に、請求項2の発明によれば、ビーム源の駆動
条件を自動的に補正してエネルギービームの照射パワー
を適正な値にすることができるという効果がある。特
に、請求項3の発明によれば、ビーム源を構成する部品
の劣化等を作業者に知らせて部品交換や修理等を促すこ
とができるという効果がある。請求項4乃至10の発明
によれば、加工対象物の種類が変わった場合に加工条件
設定用動作モードを実行することにより、ビーム源の駆
動条件の条件出しのための作業者の負担を軽減し、加工
対象物に最適なビーム源の駆動条件を容易に見出すこと
ができるという効果がある。特に、請求項5の発明によ
れば、作業者による加工の良否の判定作業及びビーム源
の駆動条件の切り換え作業の負担を軽減することができ
るという効果がある。特に、請求項6の発明によれば、
上記加工条件設定用動作モードを実行するときの作業者
の負担を軽減できるとともに、加工条件の設定のための
時間を短縮することができる。しかも、加工対象物の種
類が変わるたびに作業者が判断して上記加工パターンの
形成条件を設定する場合に比して、加工パターンの形成
条件の誤設定の危険性が少なくなるという効果がある。
特に、請求項7及び8の発明によれば、加工対象物の種
類が変わるたびに作業者が判断して加工対象物に適した
条件のデータを入力する場合に比して、加工パターンの
形成条件の設定作業の時間を短くできるとともに、その
設定作業の負担を軽減できるという効果がある。特に、
請求項8の発明によれば、上記加工条件設定用動作モー
ドを実行するときの作業者の負担を更に軽減できるとと
もに、加工条件の設定のための時間を短縮することがで
きる。しかも、加工対象物の種類が変わるたびに作業者
が判断して上記加工パターンの形成条件を設定する場合
に比して、加工パターンの形成条件の誤設定の危険性が
少なくなるという効果がある。特に、請求項9の発明に
よれば、ビーム源の各駆動条件下で、エネルギービーム
のパワーが安定した状態でパワーの測定したり加工条件
設定を行なったりすることができるので、パワー測定や
加工条件設定の精度の精度を高めることができるという
効果がある。特に、請求項10の発明によれば、導電性
薄膜が形成された透明基板とエネルギービームとの間の
相対移動の速度が変化する場合でも、エネルギービーム
で導電性薄膜が除去されたスリットの形状が均一になる
という効果がある。
According to the inventions of claims 1, 2, 3, 6 and 7, by executing the operation mode for power measurement,
It is said that it is possible to easily check whether the irradiation power of the energy beam is an appropriate value by measuring the irradiation power of the energy beam with the power measuring means while automatically switching a plurality of driving conditions of the beam source. effective. In particular, according to the second aspect of the invention, there is an effect that the driving condition of the beam source can be automatically corrected and the irradiation power of the energy beam can be set to an appropriate value. In particular, according to the third aspect of the invention, there is an effect that it is possible to notify the worker of deterioration or the like of the components forming the beam source and to prompt replacement of the components or repair. According to the invention of claims 4 to 10, by executing the processing condition setting operation mode when the type of the object to be processed is changed, the burden on the operator for setting the conditions for driving the beam source is reduced. However, there is an effect that the optimum driving condition of the beam source for the object to be processed can be easily found. In particular, according to the invention of claim 5, there is an effect that it is possible to reduce the burden on the operator of the work of judging the quality of the processing and the work of switching the driving condition of the beam source. Particularly, according to the invention of claim 6,
It is possible to reduce the burden on the operator when executing the processing condition setting operation mode and to shorten the time for setting the processing conditions. Moreover, there is an effect that the risk of erroneous setting of the formation condition of the processing pattern is reduced as compared with the case where the operator judges and sets the formation condition of the processing pattern each time the type of the processing target changes. .
In particular, according to the inventions of claims 7 and 8, the formation of the machining pattern is made as compared with the case where the operator judges every time the type of the machining object changes and inputs the data of the condition suitable for the machining object. This has the effect of shortening the time for setting the conditions and reducing the burden of the setting work. In particular,
According to the invention of claim 8, it is possible to further reduce the burden on the operator when executing the processing condition setting operation mode and to shorten the time for setting the processing conditions. Moreover, there is an effect that the risk of erroneous setting of the formation condition of the processing pattern is reduced as compared with the case where the operator judges and sets the formation condition of the processing pattern each time the type of the processing target changes. . In particular, according to the invention of claim 9, under each driving condition of the beam source, the power of the energy beam can be measured and the processing conditions can be set in a stable state. There is an effect that the accuracy of the condition setting can be improved. In particular, according to the invention of claim 10, even when the relative movement speed between the transparent substrate on which the conductive thin film is formed and the energy beam changes, the shape of the slit from which the conductive thin film is removed by the energy beam. Has the effect of being uniform.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施形態に係るビーム加工装置のメイ
ン制御のフローチャート。
FIG. 1 is a flowchart of main control of a beam processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】同ビーム加工装置の概略構成図。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the beam processing apparatus.

【図3】各パルスレーザ光の出力の時間変化を示す説明
図。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a change over time in the output of each pulsed laser beam.

【図4】透明絶縁性基板が載置された載置台の移動距離
と移動速度との関係を示すグラフ。
FIG. 4 is a graph showing a relationship between a moving distance and a moving speed of a mounting table on which a transparent insulating substrate is mounted.

【図5】同ビーム加工装置に用いる制御回路基板のブロ
ック図。
FIG. 5 is a block diagram of a control circuit board used in the beam processing apparatus.

【図6】リニアスケールの出力、比較器の出力及びパル
ス整形回路の出力を示すタイムチャート。
FIG. 6 is a time chart showing the output of a linear scale, the output of a comparator, and the output of a pulse shaping circuit.

【図7】パルス整形回路の出力、スイッチ回路のオン/
オフ制御及び出力を示すタイムチャート。
FIG. 7: Output of pulse shaping circuit, ON / OFF of switch circuit
The time chart which shows OFF control and output.

【図8】(a)は、透明絶縁性基板上の透明導電膜に照
射されるパルスレーザ光の照射スポットの説明図。
(b)は、パルスレーザ光の照射によって形成された透
明導電膜のスリットの説明図。
FIG. 8A is an explanatory diagram of irradiation spots of pulsed laser light with which a transparent conductive film on a transparent insulating substrate is irradiated.
(B) is explanatory drawing of the slit of the transparent conductive film formed by irradiation of a pulsed laser beam.

【図9】透明絶縁性基板が載置された載置台の移動距離
と移動速度との関係を示すグラフ。
FIG. 9 is a graph showing a relationship between a moving distance and a moving speed of a mounting table on which a transparent insulating substrate is mounted.

【図10】パワーチェックモードのフローチャート。FIG. 10 is a flowchart of a power check mode.

【図11】パワーメータの移動の様子を示した説明図。FIG. 11 is an explanatory diagram showing how the power meter moves.

【図12】加工条件出しモードのフローチャート。FIG. 12 is a flowchart of a processing condition setting mode.

【図13】加工条件出しに用いる格子状の加工パターン
の説明図。
FIG. 13 is an explanatory diagram of a grid-shaped processing pattern used for setting processing conditions.

【図14】変形例に係るパワーチェックモードのフロー
チャート。
FIG. 14 is a flowchart of a power check mode according to a modification.

【図15】変形例に係る加工条件出しモードのフローチ
ャート。
FIG. 15 is a flowchart of a processing condition setting mode according to a modification.

【図16】(a)は、透明絶縁性基板上の透明導電膜に
照射されるY軸方向のパルスレーザ光の照射スポットの
説明図。(b)は、パルスレーザ光の照射によって形成
された透明導電膜の格子状のスリットの説明図。
FIG. 16A is an explanatory diagram of irradiation spots of pulsed laser light in the Y-axis direction, which are irradiated on the transparent conductive film on the transparent insulating substrate. (B) is explanatory drawing of the lattice-shaped slit of the transparent conductive film formed by irradiation of a pulsed laser beam.

【図17】タッチパネルの拡大断面図。FIG. 17 is an enlarged sectional view of the touch panel.

【図18】(a)はタッチパネルの分解斜視図。(b)
は同タッチパネルの平面図。
FIG. 18A is an exploded perspective view of a touch panel. (B)
Is a plan view of the touch panel.

【図19】透明絶縁性基板が載置された載置台の移動方
向の傾き角度θの説明図。
FIG. 19 is an explanatory view of a tilt angle θ in a moving direction of a mounting table on which a transparent insulating substrate is mounted.

【図20】タッチパネルの周端部の配線パターン及びそ
の周囲のスリットの説明図。
FIG. 20 is an explanatory diagram of a wiring pattern at a peripheral end portion of the touch panel and slits around the wiring pattern.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 YAGレーザ装置 2 ビーム照射手段 3 透明絶縁性基板 4 透明導電膜 5 XYテーブル 6 制御システム 101 レーザヘッド 101a YAGロッド 101b Qスイッチ 102 Qスイッチ駆動部102 103 レーザ電源 201 光ファイバ 202 レーザ照射ヘッド 203 パワーメータ 501 載置台 502 リニアモータ 503 リニアスケール 601 上位コンピュータ装置 602 テーブル駆動制御装置 603 制御回路基板 1 YAG laser device 2 beam irradiation means 3 Transparent insulating substrate 4 Transparent conductive film 5 XY table 6 control system 101 laser head 101a YAG rod 101b Q switch 102 Q switch driver 102 103 Laser power supply 201 optical fiber 202 laser irradiation head 203 power meter 501 mounting table 502 linear motor 503 linear scale 601 Host computer device 602 Table drive control device 603 control circuit board

フロントページの続き (72)発明者 川上 康弘 鳥取県鳥取市北村10番地3 リコーマイク ロエレクトロニクス株式会社内 Fターム(参考) 4E068 CA02 CA03 CA18 CB02 CC02 CE01 DA11 5F072 AB02 HH02 HH03 JJ08 PP01 QQ02 RR01 YY06 Continued front page    (72) Inventor Yasuhiro Kawakami             Ricoh Mike, 10-3 Kitamura, Tottori City, Tottori Prefecture             RO Electronics Co., Ltd. F-term (reference) 4E068 CA02 CA03 CA18 CB02 CC02                       CE01 DA11                 5F072 AB02 HH02 HH03 JJ08 PP01                       QQ02 RR01 YY06

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】パルス状のエネルギービームを繰り返し出
射するビーム源と、該ビーム源から出射されたエネルギ
ービームを加工対象物に案内して照射するビーム照射手
段と、該加工対象物と該加工対象物に対する該エネルギ
ービームの照射ポイントとを相対移動させる相対移動手
段と、加工制御データに基づいて該ビーム源及び該相対
移動手段を制御する制御手段とを備えたビーム加工装置
において、 該加工対象物に照射される該エネルギービームの照射パ
ワーを測定するパワー測定手段と、 該ビーム源の複数の駆動条件を自動的に切り換えながら
該パワー測定手段で該エネルギービームの照射パワーを
測定するパワー測定用動作モードと、通常の加工動作モ
ードとを選択的に実行する動作モード選択実行手段とを
設けたことを特徴とするビーム加工装置。
1. A beam source for repeatedly emitting a pulsed energy beam, a beam irradiation means for guiding and irradiating an energy beam emitted from the beam source to an object to be processed, the object to be processed and the object to be processed. A beam processing apparatus comprising: a relative moving unit that relatively moves an irradiation point of the energy beam with respect to an object; and a control unit that controls the beam source and the relative moving unit based on processing control data. Power measuring means for measuring the irradiation power of the energy beam applied to the laser beam, and a power measuring operation for automatically measuring the irradiation power of the energy beam by the power measuring means while automatically switching a plurality of driving conditions of the beam source. A mode and an operation mode selection executing means for selectively executing a normal machining operation mode are provided. Over-time processing equipment.
【請求項2】請求項1のビーム加工装置において、 上記パワー測定用動作モードの実行時における上記パワ
ー測定手段の測定結果に基づいて上記ビーム源の駆動条
件を補正する駆動条件補正手段を設けたことを特徴とす
るビーム加工装置。
2. The beam processing apparatus according to claim 1, further comprising drive condition correcting means for correcting drive conditions of the beam source based on a measurement result of the power measuring means when the power measuring operation mode is executed. A beam processing device characterized in that
【請求項3】請求項1のビーム加工装置において、 上記パワー測定用動作モードの実行時における上記パワ
ー測定手段の測定結果に基づいて上記エネルギービーム
の照射パワーが予め設定した基準範囲から外れたときに
警報を発する警報手段を設けたことを特徴とするビーム
加工装置。
3. The beam processing apparatus according to claim 1, wherein the irradiation power of the energy beam deviates from a preset reference range based on the measurement result of the power measuring means during execution of the power measuring operation mode. A beam processing apparatus, characterized in that an alarm means for issuing an alarm is provided in the.
【請求項4】パルス状のエネルギービームを繰り返し出
射するビーム源と、該ビーム源から出射されたエネルギ
ービームを加工対象物に案内して照射するビーム照射手
段と、該加工対象物と該加工対象物に対する該エネルギ
ービームの照射ポイントとを相対移動させる相対移動手
段と、加工制御データに基づいて該ビーム源及び該相対
移動手段を制御する制御手段とを備えたビーム加工装置
において、 該ビーム源の複数の駆動条件を自動的に切り換えながら
各駆動条件について該加工対象物に加工条件設定用の加
工パターンを形成する加工条件設定用動作モードと、通
常の加工動作モードとを選択的に実行するための動作モ
ード選択実行手段を設けたことを特徴とするビーム加工
装置。
4. A beam source that repeatedly emits a pulsed energy beam, a beam irradiation means that guides and irradiates an energy beam emitted from the beam source to an object to be processed, the object to be processed and the object to be processed. A beam processing apparatus comprising: a relative moving unit that relatively moves an irradiation point of the energy beam with respect to an object; and a control unit that controls the beam source and the relative moving unit based on processing control data. To selectively execute a machining condition setting operation mode in which a machining pattern for machining condition setting is formed on the object to be machined for each driving condition while automatically switching a plurality of drive conditions, and a normal machining operation mode A beam processing apparatus, characterized in that the operation mode selection executing means is provided.
【請求項5】請求項4のビーム加工装置において、 上記加工条件設定用動作モードの実行時に形成された上
記加工対象物上の加工パターンを撮像する撮像手段と、 該撮像手段で撮像された該加工パターンの画像に基づい
て加工の良否を判定し、その判定結果に基づき必要に応
じて通常の加工動作モードで用いる上記ビーム源の駆動
条件を自動的に切り換える駆動条件切り換え手段とを設
けたことを特徴とするビーム加工装置。
5. The beam processing apparatus according to claim 4, wherein an image pickup means for picking up an image of a processing pattern formed on the object to be processed formed during execution of the processing condition setting operation mode; A driving condition switching means is provided for judging whether the processing is good or bad based on the image of the processing pattern, and automatically switching the driving condition of the beam source used in the normal processing operation mode as needed based on the judgment result. Beam processing equipment.
【請求項6】請求項4又は5のビーム加工装置におい
て、 上記加工対象物の種類に関連付けて上記加工条件設定用
動作モードで形成する上記加工条件設定用の加工パター
ンの形成条件を予め記憶しておくデータ記憶手段と、加
工対象物の種類のデータを入力するデータ入力手段とを
備え、 上記動作モード選択実行手段を、該データ入力手段で入
力された該加工対象物の種類のデータに対応する該加工
パターンの形成条件を該データ記憶手段から読み出し、
この読み出された形成条件で上記加工条件設定用の加工
パターンを形成するように構成したことを特徴とするビ
ーム加工装置。
6. The beam processing apparatus according to claim 4 or 5, wherein the forming conditions of the processing pattern for setting the processing conditions to be formed in the operation mode for setting the processing conditions are stored in advance in association with the type of the object to be processed. Data storage means and data input means for inputting data of the type of the object to be processed, and the operation mode selection executing means corresponds to the data of the type of the object to be processed inputted by the data input means. Reading the processing pattern forming conditions from the data storage means,
A beam processing apparatus configured to form a processing pattern for setting the processing conditions under the read forming conditions.
【請求項7】請求項4又は5のビーム加工装置におい
て、 上記加工条件設定用の加工パターンの形成条件のデータ
を記憶するデータ記憶手段と、上記加工条件設定用動作
モードで使用した該加工条件設定用の加工パターンの形
成条件が新規な場合にその新規な形状条件を該データ記
憶手段に蓄積していくデータ処理手段と、該データ記憶
手段から選択する該加工パターンの形成条件を指定する
条件指定手段とを備え、 上記動作モード選択実行手段を、該条件指定手段で指定
された該加工パターンの形成条件を該データ記憶手段か
ら読み出し、この読み出された形成条件で上記加工条件
設定用の加工パターンを形成するように構成したことを
特徴とするビーム加工装置。
7. The beam processing apparatus according to claim 4 or 5, wherein the data storage means stores data of forming conditions of the processing pattern for setting the processing conditions, and the processing conditions used in the operation mode for setting the processing conditions. Data processing means for accumulating the new shape condition in the data storing means when the forming condition of the setting processing pattern is new, and condition for specifying the forming condition of the processing pattern selected from the data storing means The operation mode selection executing means reads out the forming conditions of the processing pattern specified by the condition specifying means from the data storing means, and the processing conditions are set by the read forming conditions. A beam processing apparatus, which is configured to form a processing pattern.
【請求項8】請求項7のビーム加工装置において、 上記加工対象物の種類のデータを入力するデータ入力手
段を備え、 上記データ処理手段を、上記加工対象物の種類に関連付
けて上記加工条件設定用の加工パターンの形成条件を蓄
積していき、該データ入力手段で入力された該加工対象
物の種類のデータに対応する該加工パターンの形成条件
を該データ記憶手段から読み出し、この読み出された形
成条件で上記加工条件設定用の加工パターンを形成する
ように構成したことを特徴とするビーム加工装置。
8. The beam processing apparatus according to claim 7, further comprising data input means for inputting data of the type of the processing object, wherein the data processing means is associated with the type of the processing object to set the processing conditions. The processing pattern forming conditions for the processing are accumulated, and the processing pattern forming conditions corresponding to the data of the type of the processing object input by the data input means are read out from the data storage means, and are read out. A beam processing apparatus, which is configured to form a processing pattern for setting the above-described processing conditions under different forming conditions.
【請求項9】請求項1、2、3、4、5、6、7又は8
のビーム加工装置において、 上記パワー測定用動作モード又は上記加工条件設定用動
作モードにおいて上記ビーム源の駆動条件の設定を変更
したとき、該ビーム源から出射されるエネルギービーム
のパワーが安定するビーム安定化時間が経過した後に、
上記エネルギービームの照射パワーの測定又は上記加工
条件設定用の加工パターンの形成を開始することを特徴
とするビーム加工装置。
9. A method according to claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 or 8.
In the beam processing apparatus, the beam stability in which the power of the energy beam emitted from the beam source is stable when the setting of the driving condition of the beam source is changed in the power measuring operation mode or the processing condition setting operation mode. After the aging time has passed,
A beam processing apparatus, which starts measurement of irradiation power of the energy beam or formation of a processing pattern for setting the processing conditions.
【請求項10】請求項1、2、3、4、5、6、7、8
又は9のビーム加工装置において、 上記加工対象物が、絶縁性基板上に形成された透明導電
膜であり、 該透明導電膜の一部をスリット状に除去する加工を行う
ことを特徴とするビーム加工装置。
10. Claims 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
Alternatively, in the beam processing apparatus of Item 9, the beam is characterized in that the object to be processed is a transparent conductive film formed on an insulating substrate, and processing for removing a part of the transparent conductive film in a slit shape is performed. Processing equipment.
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