JPH11170074A - Laser beam machining device and its control method - Google Patents

Laser beam machining device and its control method

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JPH11170074A
JPH11170074A JP9342453A JP34245397A JPH11170074A JP H11170074 A JPH11170074 A JP H11170074A JP 9342453 A JP9342453 A JP 9342453A JP 34245397 A JP34245397 A JP 34245397A JP H11170074 A JPH11170074 A JP H11170074A
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reflected light
laser
processing
light intensity
detector
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Kazuhide Isaji
和英 伊左次
Hidehiko Karasaki
秀彦 唐▲崎▼
Hisashi Kinoshita
久 木下
Makoto Kato
真 加藤
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser drilling device capable of drilling for sure conduction between close conductive layers by precisely detecting the drilled state of a workpiece and controlling the machining. SOLUTION: A part of the output laser beam 14 is reflected by a multilayer substrate 7, becoming a reflected laser beam 15, advancing in the opposite direction on a laser optical path 16, and entering a reflected light detector 10. Information concerning the intensity of the reflected light so detected is processed by an arithmetic processor 11, controlling the laser generator and the optical system based on comparison between the reflected light intensity and the reference value. As a result, the drilled state of a workpiece is precisely detected and, by controlling the machining, a laser beam machining device can be realized that is capable of drilling for sure conduction between close conductive layers.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ加工装置に
関し、特に絶縁層と導電層とを積層して形成した回路基
板に穴加工を行うに適切なレーザ加工装置およびその制
御方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus, and more particularly to a laser processing apparatus suitable for drilling holes in a circuit board formed by laminating an insulating layer and a conductive layer, and a control method thereof. .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来例として、例えば特開平2−924
82号公報に記載のものが挙げられる。
2. Description of the Related Art As a conventional example, see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-924.
No. 82 publication.

【0003】これによると、加工対象物にレーザ光を照
射し穴を穿つ際に、レーザ発振器からの直接の照射光と
加工対象物からの反射光とをそれぞれ別のセンサにて検
出し、両者の光量から反射光量比を演算し、基準値との
比較でレーザ光の制御を行っている。
According to this, when a workpiece is irradiated with laser light and a hole is drilled, direct irradiation light from a laser oscillator and reflected light from the workpiece are detected by different sensors, respectively. The reflected light amount ratio is calculated from the amount of light, and the control of the laser light is performed by comparison with the reference value.

【0004】具体的には、反射光量比が予め設定された
基準値よりも大きくなった場合に、発振器を停止させる
ものである。
More specifically, the oscillator is stopped when the reflected light amount ratio becomes larger than a preset reference value.

【0005】このような動作を行うことで、レーザ光に
よる導電層の損傷をなくすことができ、同時に加工時間
が短縮されるとしている。
[0005] By performing such an operation, damage to the conductive layer due to laser light can be eliminated, and at the same time, the processing time is shortened.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
従来の技術においては、以下に示すような課題が存在し
ている。
However, the above-mentioned prior art has the following problems.

【0007】レーザ光が加工のための集光レンズを通過
する際に、走査ミラーで加工エリアの中心部を加工する
場合には、レーザ光は加工対象に対して垂直に照射され
るが、周辺部を加工する場合には、レーザ光が加工対象
に対して垂直に照射されず、加工対象物から反射したレ
ーザ光が途中の光学系部品からはみ出たり、光学部品保
持部品に照射されたりして、加工対象物から反射したレ
ーザ光が途中で遮断され、反射光が100%反射光検出
器に到達しない。このために反射したレーザ光を完全に
は検出できなくなり、その結果反射光の検出が不完全と
なり、しいては加工穴の加工状況判断の精度が低下して
しまう。
When the laser beam passes through the condensing lens for processing, when the central part of the processing area is processed by the scanning mirror, the laser light is radiated vertically to the processing object, but is irradiated to the periphery. When processing the part, the laser light is not irradiated perpendicularly to the processing target, and the laser light reflected from the processing target protrudes from the optical system part in the middle or is irradiated to the optical part holding part. In addition, the laser light reflected from the object to be processed is interrupted on the way, and the reflected light does not reach the 100% reflected light detector. As a result, the reflected laser light cannot be completely detected, and as a result, the detection of the reflected light becomes incomplete, and the accuracy of the processing state determination of the processing hole is reduced.

【0008】また、加工対象を設置するテーブルが傾い
ている場合には、加工対象から反射したレーザ光が上記
と同様にレーザ光の検出器まで100%戻らず、このた
め正確な反射光の検出ができなくなり、しいては加工穴
の検査の精度が低下してしまう。
Further, when the table on which the object to be processed is placed is tilted, the laser light reflected from the object to be processed does not return to the laser light detector 100% in the same manner as described above. And the precision of the inspection of the machined hole is reduced.

【0009】本発明は、以上のような点に鑑み、加工対
象物から反射したレーザ光を検出器で検出し、検出した
レーザ光の強度信号を補正して、加工対象物から反射し
たレーザ光の強度を正確に算出して、加工穴の加工状況
を正確に検出し、高品質の穴加工をするレーザ加工装置
およびその制御方法を提供することを目的とする。
In view of the above, the present invention detects a laser beam reflected from an object to be processed by a detector, corrects an intensity signal of the detected laser beam, and corrects a laser beam reflected from the object to be processed. It is an object of the present invention to provide a laser processing apparatus that accurately calculates the strength of a hole, accurately detects a processing state of a processing hole, and performs high-quality hole processing, and a control method thereof.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1記載の本発明は、レーザ光を出射するレー
ザ発振器と、前記レーザ光を加工対象物へ導く光学系構
造と、前記レーザ発振器を制御する制御装置を備え、前
記加工対象物からの反射光の光強度を検出する反射光検
出器と、前記加工対象物からの反射光が前記反射光検出
器へ到達するまでに変化する割合いを前記加工対象物の
加工位置ごとに記憶した反射光分布テーブルと、前記反
射光検出器と前記反射光分布テーブルから前記加工対象
物からの反射直後の反射光強度を算出する反射光強度算
出部を設け、前記反射光強度算出部の算出した反射光強
度とその基準値との比較に基づき前記制御装置にて前記
レーザ発振器を制御するものである。
According to the present invention, there is provided a laser oscillator for emitting a laser beam, an optical system structure for guiding the laser beam to an object to be processed, and A reflected light detector for detecting a light intensity of reflected light from the processing object, comprising a control device for controlling a laser oscillator, and a reflected light from the processing object changing until reaching the reflected light detector. A reflected light distribution table in which a ratio of the reflected light is stored for each processing position of the processing object, and reflected light for calculating a reflected light intensity immediately after reflection from the processing object from the reflected light detector and the reflected light distribution table. An intensity calculator is provided, and the control device controls the laser oscillator based on a comparison between the reflected light intensity calculated by the reflected light intensity calculator and a reference value thereof.

【0011】請求項2記載の本発明は、レーザ光を出射
するレーザ発振器と、前記レーザ光を加工対象物へ導く
光学系構造と、前記レーザ発振器を制御する制御装置を
備え、前記レーザ光の強度を検出する入射光検出器と、
前記加工対象物からの反射光の光強度を検出する反射光
検出器と、前記加工対象物からの反射光が前記反射光検
出器へ到達するまでに変化する割合いを前記加工対象物
の加工位置ごとに記憶した反射光分布テーブルと、前記
反射光検出器と前記反射光分布テーブルから前記加工対
象物からの反射直後の反射光強度を算出する反射光強度
算出部を設け、前記入射光検出器が検出した入射光強度
と前記反射光強度算出部が算出した反射光強度とから演
算した相対反射光強度とその基準値との比較に基づき前
記制御装置にて前記レーザ発振器を制御するものであ
る。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a laser oscillator for emitting a laser beam, an optical system structure for guiding the laser beam to an object to be processed, and a control device for controlling the laser oscillator. An incident light detector for detecting intensity;
The reflected light detector for detecting the light intensity of the reflected light from the processing object, and the rate at which the reflected light from the processing object changes until it reaches the reflected light detector, the processing of the processing object. A reflected light distribution table stored for each position, and a reflected light intensity calculation unit for calculating a reflected light intensity immediately after reflection from the processing object from the reflected light detector and the reflected light distribution table; The controller controls the laser oscillator based on a comparison between the relative reflected light intensity calculated from the incident light intensity detected by the detector and the reflected light intensity calculated by the reflected light intensity calculator and its reference value. is there.

【0012】請求項3記載の本発明は、請求項2記載の
レーザ加工装置において、入射光強度と反射光強度とか
ら相対反射光強度を求める演算式が(数1)で示される
ものである。
According to a third aspect of the present invention, in the laser processing apparatus according to the second aspect, an arithmetic expression for calculating the relative reflected light intensity from the incident light intensity and the reflected light intensity is represented by (Equation 1). .

【0013】請求項4記載の本発明は、レーザ光を出射
するレーザ発振器と、前記レーザ光を加工対象物へ導く
光学系構造と、前記レーザ発振器を制御する制御装置を
備え、前記レーザ光の強度を検出する入射光検出器と、
加工対象物を置く位置に設置した固定ミラーと、前記固
定ミラーからの反射光の光強度を検出する反射光検出器
と、前記加工対象物のある加工座標位置に前記レーザ光
を照射した時の前記反射光検出器で検出した反射光強度
と入射検出器から検出した入射光強度から前記固定ミラ
ーから反射した直後の反射光が前記反射光検出器に到達
する反射光強度の割合を算出する反射光分布算出部と、
前記反射光分布算出部の算出結果を記憶する反射光分布
テーブルを設けたものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a laser oscillator for emitting a laser beam, an optical system structure for guiding the laser beam to an object to be processed, and a control device for controlling the laser oscillator. An incident light detector for detecting intensity;
A fixed mirror installed at a position where the object to be processed is placed, a reflected light detector for detecting the light intensity of the reflected light from the fixed mirror, and a laser beam is irradiated at a processing coordinate position of the object to be processed. Reflection for calculating the ratio of the reflected light intensity at which the reflected light immediately after being reflected from the fixed mirror reaches the reflected light detector from the reflected light intensity detected by the reflected light detector and the incident light intensity detected by the incident detector. A light distribution calculator,
A reflected light distribution table for storing the calculation result of the reflected light distribution calculation unit is provided.

【0014】請求項5記載の本発明は、請求請1〜4の
いずれかに記載のレーザ加工装置において、反射光の反
射検出器に到達する割合のデータを加工位置が等間隔で
ある位置に対して反射光分布テーブルに記憶したもので
ある。
According to a fifth aspect of the present invention, in the laser processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the data of the ratio of the reflected light reaching the reflection detector is stored in a position where the processing positions are equally spaced. On the other hand, it is stored in the reflected light distribution table.

【0015】請求項6記載の本発明は、請求請1〜4の
いずれかに記載のレーザ加工装置において、反射光の反
射光検出器に到達する割合のデータを加工領域の中央部
は粗分割で、周辺部は細分割して反射光分布テーブルに
記憶したものである。
According to a sixth aspect of the present invention, in the laser processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the data of the ratio of the reflected light reaching the reflected light detector is roughly divided at the center of the processing area. The peripheral portion is subdivided and stored in the reflected light distribution table.

【0016】請求項7記載の本発明は、レーザ発振器か
らレーザ光を出射して加工対象物を加工するレーザ加工
装置の制御方法であって、前記加工対象物からの反射光
の光強度を反射光検出器で検出し、前記加工対象物から
の反射光が前記反射光検出器へ到達するまでに変化する
割合いを前記加工対象物の加工位置ごとに記憶した反射
光分布テーブルのデータに基づいて前記加工対象物から
の反射直後の反射光強度を算出し、この算出した反射光
強度と基準値との比較に基づき前記レーザ発振器を制御
する方法をとる。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a control method of a laser processing apparatus for processing a processing object by emitting a laser beam from a laser oscillator, wherein the laser intensity is reflected from the processing object. Detected by the photodetector, and based on the data of the reflected light distribution table stored for each processing position of the processing object, the rate at which the reflected light from the processing object changes until reaching the reflected light detector. Then, the reflected light intensity immediately after the reflection from the object to be processed is calculated, and the laser oscillator is controlled based on a comparison between the calculated reflected light intensity and a reference value.

【0017】請求項8記載の本発明は、レーザ発振器か
らレーザ光を出射して加工対象物を加工するレーザ加工
装置の制御方法であって、前記レーザ光の強度を入射光
強度として入射光検出器で検出するとともに、前記加工
対象物からの反射光の光強度を反射光検出器で検出し、
前記加工対象物からの反射光が前記反射光検出器へ到達
するまでに変化する割合いを前記加工対象物の加工位置
ごとに記憶した反射光分布テーブルのデータと前記反射
光検出器の出力から前記加工対象物からの反射直後の反
射光強度を算出し、前記入射光強度と前記算出した反射
光強度とから演算した相対反射光強度とその基準値との
比較に基づいて前記レーザ発振器を制御する方法をと
る。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a control method of a laser processing apparatus for processing a processing object by emitting a laser beam from a laser oscillator, wherein the intensity of the laser beam is used as an incident light intensity. With the detector, the light intensity of the reflected light from the processing object is detected by the reflected light detector,
From the output of the reflected light detector and the data of the reflected light distribution table stored for each processing position of the processed object, the rate at which the reflected light from the processing object changes until it reaches the reflected light detector Calculating the reflected light intensity immediately after the reflection from the processing object, controlling the laser oscillator based on a comparison between the relative reflected light intensity calculated from the incident light intensity and the calculated reflected light intensity and its reference value. Take the way to.

【0018】請求項9記載の本発明は、請求項8記載の
レーザ加工装置の制御方法において、入射光強度と反射
光強度とから相対反射光強度を求める演算式が(数2)
で示される方法をとる。
According to a ninth aspect of the present invention, in the control method of the laser processing apparatus according to the eighth aspect, the arithmetic expression for calculating the relative reflected light intensity from the incident light intensity and the reflected light intensity is represented by (Equation 2).
The method shown in is used.

【0019】請求項10記載の本発明は、レーザ発振器
からレーザ光を出射して加工対象物を加工するレーザ加
工装置の制御方法であって、前記レーザ光の強度を入射
光強度として入射光検出器で検出するとともに、前記加
工対象物を置く位置に設置した固定ミラーからの反射光
の光強度を反射光検出器で検出し、前記加工対象物のあ
る加工座標位置に前記レーザ光を照射した時の前記反射
光検出器で検出した反射光強度と入射検出器から検出し
た入射光強度から前記固定ミラーから反射した直後の反
射光が前記反射光検出器に到達する反射光強度の割合を
算出し、その算出結果を記憶した反射光分布テーブルの
データと基準値との比較に基づき前記レーザ発振器を制
御する方法をとる。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a method of controlling a laser processing apparatus for processing a processing object by emitting a laser beam from a laser oscillator, wherein the intensity of the laser beam is used as an incident light intensity. While detecting with the detector, the light intensity of the reflected light from the fixed mirror installed at the position where the processing object is placed was detected by the reflected light detector, and the laser light was irradiated to a processing coordinate position where the processing object was located. From the reflected light intensity detected by the reflected light detector and the incident light intensity detected by the incident detector, the ratio of the reflected light intensity at which the reflected light immediately after being reflected from the fixed mirror reaches the reflected light detector is calculated. Then, a method of controlling the laser oscillator based on a comparison between the data of the reflected light distribution table storing the calculation result and the reference value is adopted.

【0020】請求項11記載の本発明は、請求請7〜1
0のいずれかに記載のレーザ加工装置の制御方法におい
て、反射光の反射検出器に到達する割合のデータを加工
位置が等間隔である位置に対して反射光分布テーブルに
記憶した方法をとる。
The present invention described in claim 11 is the invention according to claim 7 to claim 1.
0, wherein the data of the ratio of the reflected light reaching the reflection detector is stored in the reflected light distribution table with respect to the positions where the processing positions are equally spaced.

【0021】請求項12記載の本発明は、請求請7〜1
0のいずれかに記載のレーザ加工装置の制御方法におい
て、反射光の反射光検出器に到達する割合のデータを加
工領域の中央部は粗分割で、周辺部は細分割して反射光
分布テーブルに記憶した方法をとる。
The present invention according to claim 12 provides the invention according to claims 7 to 1
0, wherein the data of the ratio of the reflected light reaching the reflected light detector is roughly divided at the center of the processing area, and finely divided at the periphery of the reflected light distribution table. Take the method you remember.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】請求項1および7記載のレーザ加
工装置およびその制御方法によれば、加工対象物の加工
状況を正確に検出できるので、その後にレーザ発振器や
光学系構造を制御することで、高品質なレーザ加工を実
現することができる。
According to the laser processing apparatus and the control method thereof according to the first and seventh aspects, it is possible to accurately detect a processing state of a processing object, and thereafter to control a laser oscillator and an optical system structure. Thus, high-quality laser processing can be realized.

【0023】また、請求項2および8記載のレーザ加工
装置およびその制御方法によれば、加工対象物の加工状
況を正確に検出し、その後にレーザ発振器や光学系構造
を制御することで、高品質なレーザ加工を実現すること
ができる。
Further, according to the laser processing apparatus and the control method thereof according to the second and eighth aspects, the processing state of the processing object is accurately detected, and thereafter, the laser oscillator and the optical system structure are controlled, thereby achieving high performance. High quality laser processing can be realized.

【0024】ここで、請求項3および9記載のように、
(数1)または(数2)で示される相対反射光強度を求
める演算式により、加工対象物の穴加工の状態をより一
層的確に判断でき、その後のレーザ発振器や光学系構造
を制御することで、歩留まりが高く高品質な穴加工を達
成するレーザ加工を実現することができる。
Here, as described in claims 3 and 9,
An arithmetic expression for calculating the relative reflected light intensity shown in (Equation 1) or (Equation 2) allows the state of drilling of the processing object to be more accurately determined, and controls the laser oscillator and the optical system structure thereafter. Thus, laser processing that achieves high yield and high quality hole processing can be realized.

【0025】また、請求項4および10記載レーザ加工
装置およびその制御方法によれば、加工対象物の加工状
況を正確に検出でき、高品質なレーザ加工を実現するこ
とができる。ここで、請求項5および11記載のよう
に、加工対象物で反射された直後の反射光強度を推定す
るための加工対象物の加工位置に対する補正値のデータ
テーブルが、加工位置が等間隔ごとに記憶する構成、ま
たは、請求項6および12記載のように、加工領域の中
心部のデータテーブルのデータ間隔を粗く、周辺部のデ
ータ間隔を密にすることで、データテーブルの容量を少
なくすることができる。
Further, according to the laser processing apparatus and the control method thereof according to the fourth and tenth aspects, the processing state of the processing object can be accurately detected, and high quality laser processing can be realized. Here, as described in claims 5 and 11, the data table of the correction value for the processing position of the processing object for estimating the reflected light intensity immediately after being reflected by the processing object is such that the processing position is at regular intervals. , Or as described in claims 6 and 12, the data table capacity in the central part of the processing area is made coarse and the data interval in the peripheral part is made small, thereby reducing the capacity of the data table. be able to.

【0026】(実施の形態1)以下、本発明の実施の形
態1について、図面を参照しながら詳細に説明する。
(Embodiment 1) Hereinafter, Embodiment 1 of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0027】図1は、本実施の形態を示すレーザ加工装
置の概略図である。図1において、1は加工用光源の一
例として用いるパルスレーザ発振器、2はベンドミラ
ー、3はビームスプリッタ、4は第一の走査ミラー、5
は第二の走査ミラー、6は加工用集光レンズ、12はレ
ーザ発振器1と第一の走査ミラー4と第二の走査ミラー
を制御する制御装置であり、ベンドミラー2、ビームス
プリッタ3、第一の走査ミラー4、第二の走査ミラー
5、加工用集光レンズ光路6で光学系構造を構成する。
FIG. 1 is a schematic view of a laser processing apparatus according to the present embodiment. In FIG. 1, 1 is a pulse laser oscillator used as an example of a processing light source, 2 is a bend mirror, 3 is a beam splitter, 4 is a first scanning mirror, 5
Is a second scanning mirror, 6 is a condensing lens for processing, 12 is a control device for controlling the laser oscillator 1, the first scanning mirror 4, and the second scanning mirror, and includes a bend mirror 2, a beam splitter 3, and a second One scanning mirror 4, the second scanning mirror 5, and the optical path 6 for the condensing lens for processing constitute an optical system structure.

【0028】ここで、本実施の形態で用いたパルスレー
ザ発振器1は、例えば炭酸ガスレーザ発振器を用いてい
る。
Here, as the pulse laser oscillator 1 used in the present embodiment, for example, a carbon dioxide laser is used.

【0029】ついで、7は加工対象物である多層基板で
あり、多層基板は絶縁層8、導電層9から構成される。
Next, reference numeral 7 denotes a multi-layer substrate to be processed. The multi-layer substrate includes an insulating layer 8 and a conductive layer 9.

【0030】また、10は多層基板7からの反射光を検
出する反射光検出器、18は反射光検出器10からの信
号を増幅するアンプ、19は加工対象物の反射直後の反
射光が反射光検出器10まで戻る反射光の割合を加工対
象物の加工位置に対応して記憶している反射光分布テー
ブル、20は反射光分布テーブル、制御装置12の加工
位置とアンプ18の出力とから反射光を補正する反射光
強度算出部である。11は反射光検出器10からの出力
信号を用いて演算する演算処理装置、12はパルスレー
ザ発振器1、第一の走査ミラー4,第二の走査ミラー5
を制御するための制御装置、13は加工対象物たる多層
基板7を載置している移動機構である。
Reference numeral 10 denotes a reflected light detector for detecting reflected light from the multilayer substrate 7, reference numeral 18 denotes an amplifier for amplifying a signal from the reflected light detector 10, and reference numeral 19 denotes reflected light immediately after reflection of the object to be processed. The reflected light distribution table stores the ratio of the reflected light returning to the photodetector 10 corresponding to the processing position of the object to be processed. Reference numeral 20 denotes a reflected light distribution table, based on the processing position of the control device 12 and the output of the amplifier 18. This is a reflected light intensity calculation unit that corrects reflected light. Numeral 11 denotes an arithmetic processing unit for performing arithmetic operations using an output signal from the reflected light detector 10, and 12 denotes a pulse laser oscillator 1, a first scanning mirror 4, and a second scanning mirror 5.
Is a control device for controlling the movement of the multi-layer substrate 7 as a processing object.

【0031】そして、14はレーザ発振器1から発信さ
れたパルス化された出力レーザ光、15は加工対象物た
る多層基板7で出力レーザ光14が反射された反射レー
ザ光であり、多層基板7方向へ向かう光路における出力
レーザ光14と、多層基板7で反射されてレーザ発振器
1方向に戻る光路における反射レーザ光15とは、走査
ミラー4、5、集光レンズ6を介したビームスプリッタ
3と多層基板7との間で、レーザ光16で示されるよう
な方向は逆向きであるが光路は一致する光束となる。
Reference numeral 14 denotes a pulsed output laser beam emitted from the laser oscillator 1, and reference numeral 15 denotes a reflected laser beam obtained by reflecting the output laser beam 14 from the multilayer substrate 7 which is a processing object. The output laser light 14 on the optical path toward the optical path and the reflected laser light 15 on the optical path reflected by the multilayer substrate 7 and returning toward the laser oscillator 1 are combined with the beam splitter 3 via the scanning mirrors 4 and 5 and the condenser lens 6 to form a multilayer. The direction as shown by the laser light 16 is opposite to that of the substrate 7, but the light path is the same.

【0032】以上の構成により、多層基板7には、加工
穴17が形成されることになるが、この動作について説
明する。
With the above configuration, the processing hole 17 is formed in the multilayer substrate 7. This operation will be described.

【0033】はじめに、パルスレーザ発振器1から出射
された出力レーザ光14は、ベンドミラー2、ビームス
プリッタ3にてそれぞれ反射され、ガルバノミラーによ
り構成される第一の走査ミラー4及び同じくガルバノミ
ラーにより構成される第二の走査ミラー5で、要求され
る加工形態に対応して走査可能として順次反射される。
First, the output laser light 14 emitted from the pulse laser oscillator 1 is reflected by the bend mirror 2 and the beam splitter 3, respectively, and is constituted by a first scanning mirror 4 constituted by a galvano mirror and a galvano mirror similarly. The second scanning mirror 5 is sequentially reflected so as to be scannable according to a required processing mode.

【0034】ここで、本実施の形態の場合、第一の走査
ミラー4と第二の走査ミラー5とは、互いに直交する方
向に出力レーザ光14を走査するよう構成されており、
結果、出力レーザ光14は多層基板7上を二次元的に走
査可能な構成とした。
Here, in the case of the present embodiment, the first scanning mirror 4 and the second scanning mirror 5 are configured to scan the output laser light 14 in directions orthogonal to each other.
As a result, the output laser light 14 is configured to be able to scan the multilayer substrate 7 two-dimensionally.

【0035】ついで、fθレンズにて構成される加工用
集光レンズ6に入射され、集光されながら、加工対象物
移動機構13上に設置され加工位置にある多層基板7へ
入射される。
Next, the light is incident on the processing condensing lens 6 composed of an fθ lens, and while being condensed, is incident on the multi-layer substrate 7 installed on the processing object moving mechanism 13 and located at the processing position.

【0036】このように、集光された出力レーザ光を用
いて多層基板7に加工穴17を形成する加工を行う。
As described above, the processing for forming the processing hole 17 in the multilayer substrate 7 is performed by using the collected output laser light.

【0037】そして、このように多層基板7に照射され
た出力レーザ光14の一部は、多層基板7にて反射さ
れ、反射レーザ光15となる。
Then, a part of the output laser light 14 applied to the multilayer substrate 7 is reflected by the multilayer substrate 7 to become a reflected laser light 15.

【0038】この反射レーザ光15は、出力レーザ光1
4が通ってきたレーザ光路を反対方向へと伝搬され、集
光レンズ6、走査ミラー5、4の順でビームスプリッタ
3に至り、ビームスプリッタ3では透過されて、反射光
検出器10へと入射されることになる。
The reflected laser light 15 is the output laser light 1
The laser beam 4 propagates in the opposite direction through the laser beam path, reaches the beam splitter 3 in the order of the condenser lens 6 and the scanning mirrors 5 and 4, passes through the beam splitter 3, and enters the reflected light detector 10. Will be done.

【0039】そして、反射光検出器10で検出された反
射レーザ光15の光強度に関する検出信号は、アンプ1
8にてある任意の定数倍に増幅された後、反射光強度算
出部20に送られる。反射光強度算出部20では、制御
装置12から多層基板の加工の位置情報29と反射光分
布テーブル19から加工した多層基板から照射されたレ
ーザ光が反射されて、反射光検出器に到達する割合を抽
出する。たとえば、反射光分布テーブルには、加工対象
物の加工位置を1mmピッチごとに反射光が反射光検出
器に戻る割合が記憶されている。加工した位置がX=
2.5mm、Y=1mmとすると、反射光分布テーブル
から、X=2mm、Y=1mmの反射光戻りの割合例え
ば0.99と、X=3mm、Y=1mmの反射光戻りの
割合例えば0.97を抽出し、2点を補間する。
The detection signal relating to the light intensity of the reflected laser light 15 detected by the reflected light detector 10 is supplied to the amplifier 1
After being amplified by an arbitrary constant multiple in step 8, it is sent to the reflected light intensity calculation unit 20. The reflected light intensity calculator 20 reflects the position information 29 of the processing of the multilayer substrate from the controller 12 and the laser light emitted from the processed multilayer substrate from the reflected light distribution table 19 and reaches the reflected light detector. Is extracted. For example, the reflected light distribution table stores the ratio of reflected light returning to the reflected light detector at every 1 mm pitch in the processing position of the processing target. The processed position is X =
Assuming that 2.5 mm and Y = 1 mm, from the reflected light distribution table, the ratio of the reflected light return of X = 2 mm and Y = 1 mm, for example, 0.99, and the ratio of the reflected light return of X = 3 mm, Y = 1 mm, for example, 0 .97 and interpolate between two points.

【0040】例えば比例補間すると、X=2.5mm、
Y=1mmの反射光戻りの割合は0.98となる。さら
に、アンプ18の出力のパルス振幅が電圧で出力される
場合、例えば出力さる値が3[V]の場合、多層基板から
反射された直後の反射光の強度は、3/0.98[V]=
3.06[V]となる。
For example, when proportional interpolation is performed, X = 2.5 mm,
The rate of return of the reflected light at Y = 1 mm is 0.98. Further, when the pulse amplitude of the output of the amplifier 18 is output as a voltage, for example, when the output value is 3 [V], the intensity of the reflected light immediately after being reflected from the multilayer substrate is 3 / 0.98 [V]. ] =
3.06 [V].

【0041】次に、この情報が演算処理装置11に送出
されて演算処理されることとなり、演算処理装置11の
出力信号は、制御装置12へ送出され、制御装置7はレ
ーザ発振器1、走査ミラー4、5を制御する。ここで、
反射光の強度が予め定められた基準値より大きい穴に対
しては、その穴に対して加工を停止し、基準値より小さ
い穴に対しては、その穴に対して追加工を行う。
Next, this information is sent to the arithmetic processing unit 11 and subjected to arithmetic processing. The output signal of the arithmetic processing unit 11 is sent to the control unit 12, and the control unit 7 includes the laser oscillator 1, the scanning mirror 4 and 5 are controlled. here,
If the intensity of the reflected light is larger than a predetermined reference value, the machining of the hole is stopped, and if the intensity of the reflected light is smaller than the reference value, the hole is additionally machined.

【0042】次に、反射光検出器10で検出された反射
レーザ光15の光強度に関する検出信号をもとにレーザ
発振器1、走査ミラー4、5を制御する方法について説
明する。
Next, a method of controlling the laser oscillator 1 and the scanning mirrors 4 and 5 based on a detection signal regarding the light intensity of the reflected laser light 15 detected by the reflected light detector 10 will be described.

【0043】図2は加工穴17が徐々に深くなっていく
様子を示し、図2(a)は加工穴がまだ導電層9まで達
していない様子、図2(b)は加工穴の一部が導電層9
まで達した様子、図2(c)は加工穴の大部分が導電層
9まで達した様子をそれぞれ示す模式図である。
FIG. 2 shows a state where the processing hole 17 gradually becomes deeper. FIG. 2 (a) shows that the processing hole has not yet reached the conductive layer 9, and FIG. 2 (b) shows a part of the processing hole. Is the conductive layer 9
FIG. 2C is a schematic view showing a state where most of the processed holes have reached the conductive layer 9.

【0044】出力レーザ光14の反射のほとんどは絶縁
層9にて発生するため、反射レーザ光15の光量は、
(a)、(b)、(c)の順で大きくなる。
Since most of the reflection of the output laser beam 14 occurs in the insulating layer 9, the amount of the reflected laser beam 15 is
(A), (b), and (c) increase in this order.

【0045】反射光検出器10にて検出された反射レー
ザ光15の光強度に関する信号は、アンプ18を経て演
算処理装置11へ送出され、演算処理装置11内部に予
め設定しておいた基準値と比較され、加工が終了したか
未達成かを判断し、その情報を制御装置12へ送出す
る。
A signal relating to the light intensity of the reflected laser beam 15 detected by the reflected light detector 10 is sent to the arithmetic processing unit 11 via the amplifier 18 and is set to a reference value preset in the arithmetic processing unit 11. It is determined whether the processing is completed or not completed, and the information is sent to the control device 12.

【0046】基準値を図2(b)の穴の状態からの反射
光量と図2(c)の穴の状態からの反射光量との中間に
設定した場合、図2(b)の穴からの反射光量は基準値
よりも小さいため、演算処理装置11は加工が未達成で
あると判断し、制御装置12へさらにレーザ光14を照
射するような命令信号を送る。
When the reference value is set to an intermediate value between the amount of reflected light from the state of the hole in FIG. 2B and the amount of reflected light from the state of the hole in FIG. Since the reflected light amount is smaller than the reference value, the arithmetic processing unit 11 determines that the processing has not been completed, and sends a command signal to the control unit 12 to further irradiate the laser beam 14.

【0047】一方、図2(c)の穴からの反射光量は基
準値よりも大きいため、演算処理装置11は加工が終了
したと判断し、制御装置12へは当該穴位置に対しては
これ以上のレーザ照射を行わないような命令信号を送
る。
On the other hand, since the amount of light reflected from the hole shown in FIG. 2C is larger than the reference value, the arithmetic processing unit 11 determines that the machining is completed, and the control unit 12 informs the control unit 12 about the position of the hole. A command signal for not performing the above laser irradiation is sent.

【0048】以上説明したような過程を経ることによ
り、近接する導電層間の導通が確実に得られる加工を、
精度よく確実に行うことができる。
By performing the above-described processes, a process for surely obtaining conduction between adjacent conductive layers can be performed.
It can be performed accurately and reliably.

【0049】なお、本実施の形態ではアンプ18を用い
て信号の増幅を行ったが、レーザ光検出器21から送り
出される信号の大きさが、演算処理装置11が信号検出
を行う際に充分な大きさを持っているならば、アンプ1
8は必ずしも必要とされる訳ではない。
In the present embodiment, the signal is amplified using the amplifier 18. However, the magnitude of the signal sent from the laser beam detector 21 is sufficient for the arithmetic processing unit 11 to perform signal detection. If you have the size, amplifier 1
8 is not always required.

【0050】また、本実施の形態では、レーザ発振器を
パルスレーザ発振器としたが、加工対象物との関係で
は、連続的にレーザ光を出射するレーザ発振器を用いる
ことができる場合もある。
In this embodiment, the laser oscillator is a pulse laser oscillator. However, a laser oscillator that emits laser light continuously may be used in some cases in relation to the object to be processed.

【0051】また、本実施の形態では、走査ミラーとし
てガルバノミラーを用いたが、ポリゴンミラー、音響光
学素子、電気光学素子、ホログラムスキャナ等を用いて
も同様な効果が得られるものである。
In this embodiment, a galvano mirror is used as a scanning mirror. However, similar effects can be obtained by using a polygon mirror, an acousto-optic device, an electro-optic device, a hologram scanner, or the like.

【0052】また、本実施の形態では、加工用集光レン
ズ6としてfθレンズを用いたが、単レンズやフレネル
レンズを複数枚組み合わせた光学系を用いても、同様な
効果が得られるものである。
In this embodiment, the fθ lens is used as the processing condensing lens 6, but the same effect can be obtained by using an optical system in which a single lens or a plurality of Fresnel lenses are combined. is there.

【0053】また、本実施の形態では、反射光戻り分布
補正部20において、反射光戻り分布テーブル19から
抽出した反射光戻りの割合を比例補間したが、指数関数
補間、多項式補間、スプライン補間、対数補間等を用い
てもよい。
In the present embodiment, the reflected light return distribution correction unit 20 performs proportional interpolation on the ratio of reflected light returned from the reflected light return distribution table 19. However, exponential function interpolation, polynomial interpolation, spline interpolation, Logarithmic interpolation or the like may be used.

【0054】また、本実施の形態では、反射光戻り分布
テーブル19は等間隔ピッチごとに格子状に反射光戻り
の割合を記憶したが、反射光の戻り割合幅により戻り割
合の値を記憶しておいたり、加工対象物である多層基板
7の中央部は、ピッチを粗く、周辺部に従いピッチを密
にして反射光の戻り割合値を記憶してもよい。
Further, in this embodiment, the reflected light return distribution table 19 stores the reflected light return ratio in a grid pattern at regular intervals, but stores the value of the returned ratio based on the reflected light return ratio width. Alternatively, the pitch of the central portion of the multi-layer substrate 7 which is the object to be processed may be coarse, and the pitch may be made denser along the peripheral portion to store the return ratio value of the reflected light.

【0055】さらに、反射光戻り分布テーブル19を移
動機構13が作動するごとに対応する反射光戻り分布テ
ーブル19を作成し、適用してもよい。
Further, the reflected light return distribution table 19 may be prepared and applied every time the moving mechanism 13 operates.

【0056】(実施の形態2)以下、本発明の実施の形
態2について、図面を参照しながら詳細に説明する。
(Embodiment 2) Hereinafter, Embodiment 2 of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0057】図3は、本実施の形態を示すレーザ加工装
置の概略図である。図3が示す本実施の形態の構成は、
図1が示す実施の形態1の構成におけるベンドミラー2
をビームスプリッタ26に置き換え、ビームスプリッタ
26を透過した出力レーザ光14の一部を検出するよう
入射光検出器27を設け、入射光検出器27で検出され
た出力レーザ光14の光強度に関する検出信号は、アン
プ28にてある任意の定数倍に増幅された後、演算処理
装置11へ送出されて演算処理されることと、加工対象
物たる多層基板22が第一の導電層23、絶縁層24、
第二の導電層25から構成されること以外は、図1が示
す実施の形態1と同様な構成である。
FIG. 3 is a schematic view of a laser processing apparatus according to the present embodiment. The configuration of the present embodiment shown in FIG.
Bend mirror 2 in the configuration of the first embodiment shown in FIG.
Is replaced by a beam splitter 26, and an incident light detector 27 is provided so as to detect a part of the output laser light 14 transmitted through the beam splitter 26, and the light intensity of the output laser light 14 detected by the incident light detector 27 is detected. The signal is amplified by an amplifier 28 to an arbitrary constant multiple, and then sent out to the arithmetic processing unit 11 for arithmetic processing. The multi-layer substrate 22 as a processing target includes the first conductive layer 23, the insulating layer 24,
The configuration is similar to that of the first embodiment shown in FIG.

【0058】つまり、本実施の形態においては、反射レ
ーザ光の検出を行い、加工を制御する基本機能は、実施
の形態1と同様であるが、実施の形態1に対して反射レ
ーザ光強度の検出の際の機能をより強化した構成を有す
る。
That is, in the present embodiment, the basic function of detecting the reflected laser light and controlling the processing is the same as that of the first embodiment. It has a configuration that enhances the function of detection.

【0059】前述した実施の形態1では、反射レーザ光
15の光強度に関する信号を検出し、基準値と比較した
結果に基づき加工を制御している。
In the first embodiment, a signal related to the light intensity of the reflected laser light 15 is detected, and the processing is controlled based on the result of comparison with the reference value.

【0060】以下、具体的に数字を挙げて説明する。ま
ず、簡略化のため、(数1)(数2)に記載されている
定数kの値をk×b max=amaxを満たすような値に決め
ておく。
In the following, a specific description will be given with reference to figures. Ma
For simplicity, it is described in (Equation 1) and (Equation 2)
The value of the constant k is k × b max= AmaxDetermine a value that satisfies
Keep it.

【0061】これにより、cmax=1となり、(数1)
(数2)に示された式は(数3)のように記述される。
As a result, c max = 1, and (Expression 1)
The equation shown in (Equation 2) is described as (Equation 3).

【0062】[0062]

【数3】 (Equation 3)

【0063】最初に、ある任意の穴Aからの反射光に関
して検討する。穴Aにパルスレーザ光を時間連続的に照
射したとき、1番目のパルスレーザ光のピーク値に関す
る情報がc1=0.1であり、N番目のパルスレーザ光
のピーク値に関する情報がcN=0.7だったとする。
First, consideration will be given to light reflected from an arbitrary hole A. When the hole A is continuously irradiated with the pulse laser light over time, the information about the peak value of the first pulse laser light is c 1 = 0.1, and the information about the peak value of the N-th pulse laser light is c N. = 0.7.

【0064】これは、第一の導電層23で反射されるレ
ーザ光は0.1であり、0.9は穴加工に使用されるこ
とを意味し、またN番目のパルスでは0.7から0.1
を減算した0.6が穴内部からの反射光であることを意
味している。
This means that the laser light reflected by the first conductive layer 23 is 0.1, 0.9 means that it is used for drilling holes, and that the laser light reflected from the first conductive layer 23 is 0.7 to 0.7 in the Nth pulse. 0.1
0.6 means that the light is reflected light from the inside of the hole.

【0065】このとき、N番目の相対反射光強度は(数
3)より0.667であることがわかる。
At this time, the Nth relative reflected light intensity is found to be 0.667 from (Equation 3).

【0066】次に、ある任意の穴Bからの反射光に関し
て検討する。穴Bにパルスレーザ光を時間連続的に照射
したとき、1番目のパルスレーザ光のピーク値に関する
情報がc1=0.3であり、N番目のパルスレーザ光の
ピーク値に関する情報がcN=0.7だったとする。
Next, the reflected light from an arbitrary hole B will be discussed. When the hole B is continuously irradiated with the pulse laser light over time, the information about the peak value of the first pulse laser light is c 1 = 0.3, and the information about the peak value of the N-th pulse laser light is c N. = 0.7.

【0067】これは、第一の導電層23で反射されるレ
ーザ光は0.3であり、0.7は穴加工に使用されるこ
とを意味し、またN番目のパルスでは0.7から0.3
を減算した0.4が穴内部からの反射光であることを意
味している。
This means that the laser beam reflected by the first conductive layer 23 is 0.3, 0.7 means that it is used for drilling, and that the N-th pulse has a value of 0.7 to 0.7. 0.3
0.4 means reflected light from the inside of the hole.

【0068】このとき、N番目の相対反射光強度は(数
3)より0.571であることがわかる。
At this time, the Nth relative reflected light intensity is found to be 0.571 from (Equation 3).

【0069】どちらの穴もN番目のパルスレーザ光のピ
ーク値に関する情報は0.7という同じ値を持つため、
単純にN番目の情報だけから穴加工の合否判断を行おう
とすると、誤った結論を導いてしまう。
Since the information on the peak value of the N-th pulse laser beam in both holes has the same value of 0.7,
If an attempt is made simply to determine whether or not to drill a hole only from the Nth information, an incorrect conclusion is drawn.

【0070】このように、実際に穴の内部に照射された
光量に対してどれくらいの光量比が反射光として戻って
くるかを検討することで、的確な穴加工の合否判断を行
うことが可能となり、近接する導電層間の導通が確実に
得られるような穴加工を確実に行うことができるばかり
でなく、出力レーザ光の無駄な発振を回避することが可
能であり、加工のスループットも上昇することができ
る。
As described above, by examining how much light amount ratio returns as reflected light with respect to the light amount actually illuminated into the inside of the hole, it is possible to accurately determine whether or not the hole processing is successful. In addition, not only can the hole be formed so that conduction between the adjacent conductive layers can be reliably obtained, but also unnecessary oscillation of the output laser light can be avoided, and the processing throughput also increases. be able to.

【0071】なお、本実施の形態においては、演算式に
用いるレーザ光強度に関する情報の値として、パルスレ
ーザ光のピーク値を想定して説明を行ったが、レーザ光
の発振やレーザの発振命令信号の立ち上がりまたは立ち
下がりをトリガーとして、その時点からある任意の時間
経過後のレーザ光強度を用いても同様な効果が得られる
ことはいうまでもない。
In this embodiment, the description has been made assuming the peak value of the pulsed laser light as the value of the information on the laser light intensity used in the arithmetic expression. It is needless to say that the same effect can be obtained by using the laser beam intensity after a certain time has elapsed from the rise or fall of the signal as a trigger.

【0072】また、説明の簡略化のため定数kをk×b
max=amaxを満たすような値として説明を行ったが、定
数kは実数であるならばどのような値を用いてもいっこ
うにかまわない。
For the sake of simplicity, the constant k is set to k × b
Although the description has been given as a value satisfying max = amax , any value may be used as long as the constant k is a real number.

【0073】さらに、cmaxを求める方法として、実際
の加工に先立って金ミラーや銅ミラー等を加工対象物の
代わりに用いて求めておく方法が好適であるが、必要に
応じて実際の加工中に取得されたデータを用いて求めて
もよい。
Further, as a method of obtaining c max , a method of using a gold mirror, a copper mirror, or the like instead of the object to be processed prior to the actual processing is preferable. It may be determined using data acquired during the process.

【0074】また、(数1)(数2)に記述した式中の
1は、1番目の入射レーザ光強度と1番目の反射光強
度とから求めた値であるが、加工穴の穴底からの反射光
量がほとんど0に近い条件であれば、1番目の値を用い
ずともいっこうにかまわない。
In the equations described in (Equation 1) and (Equation 2), c 1 is a value obtained from the first incident laser light intensity and the first reflected light intensity. If the amount of reflected light from the bottom is almost zero, the first value does not need to be used.

【0075】さらに、入射レーザ光強度の時空間的なば
らつきがほとんど無視できる状態であるならば、an
nの値に関わらずほぼ一定と見なせることになるので、
(数1)(数2)の代わりに(数4)で示される演算式
を用いても同様な効果が得られることはいうまでもな
い。
[0075] Further, if the spatial variation when the incident laser beam intensity is in the state almost negligible, since a n will be regarded as substantially constant regardless of the value of n,
It goes without saying that a similar effect can be obtained by using the arithmetic expression shown in (Equation 4) instead of (Equation 1) and (Equation 2).

【0076】[0076]

【数4】 (Equation 4)

【0077】このとき、a↓nがnの値に関わらずほぼ
一定であることが前もってわかっている場合には、入射
光検出器27を設定する必要がないことは自明である。
At this time, if it is known in advance that a ↓ n is substantially constant regardless of the value of n, it is obvious that the incident light detector 27 does not need to be set.

【0078】(実施の形態3)以下、本発明の実施の形
態3について、図面を参照にしながら詳細に説明する。
(Embodiment 3) Hereinafter, Embodiment 3 of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0079】図4は、本実施の形態を示すレーザ加工装
置の概略図である。図4が示す本実施の形態の構成は、
図3が示す実施の形態1の構成において、テーブル作成
部21を追加し、反射光戻り補正算出部を削除し、多層
基板のかわりに固定ミラー30を設置した構成である。
FIG. 4 is a schematic view of a laser processing apparatus according to the present embodiment. The configuration of the present embodiment shown in FIG.
In the configuration of the first embodiment shown in FIG. 3, a table creation unit 21 is added, a reflected light return correction calculation unit is deleted, and a fixed mirror 30 is installed instead of the multilayer substrate.

【0080】以上の構成により、この動作についてより
詳細に説明する。はじめに、パルスレーザ発振器1から
出射されたレーザ14が、固定ミラ−30に到達し、反
射光15が反射光検出器まで到達しアンプ18である任
意の定数倍に増幅されるまでは、上記実施の形態2と同
様である。
With the above configuration, this operation will be described in more detail. First, the above-described operation is performed until the laser 14 emitted from the pulse laser oscillator 1 reaches the fixed mirror 30 and the reflected light 15 reaches the reflected light detector and is amplified to an arbitrary constant multiple of the amplifier 18. This is the same as in Embodiment 2.

【0081】制御装置12からの位置情報からと、アン
プ28、アンプ18の出力から、アンプ28の出力に対
するアンプ18の出力の比を算出する。この計算を加工
領域全般に対して反射光戻り補正テーブルに必要なレー
ザ照射位置に対応するデータだけレーザを固定ミラー3
0に対して照射し、各レーザ照射位置に対して下記計算
を実施する。
The ratio of the output of the amplifier 18 to the output of the amplifier 28 is calculated from the position information from the control device 12 and the outputs of the amplifier 28 and the amplifier 18. This calculation is performed by setting the laser to the fixed mirror 3 only for the data corresponding to the laser irradiation position necessary for the reflected light return correction table for the entire processing area.
Irradiation is performed for 0, and the following calculation is performed for each laser irradiation position.

【0082】反射光戻り割合=(反射光/入射光)/M
AX(反射光/入射光) 次に、上記計算結果を各レーザ照射位置に対応した反射
光戻り割合を反射光分布テーブル19に記憶する。ここ
で、図5は反射光分布テーブルの具体例である。加工領
域の各位置に対して反射光の戻る割合をテーブルとして
記憶する。これにより、前記実施の形態1、と実施の形
態2で使用する反射光戻り分布テーブルを作成すること
ができる。
Return ratio of reflected light = (reflected light / incident light) / M
AX (reflected light / incident light) Next, the above calculation result is stored in the reflected light distribution table 19 with the reflected light return ratio corresponding to each laser irradiation position. Here, FIG. 5 is a specific example of the reflected light distribution table. The return ratio of the reflected light for each position in the processing area is stored as a table. As a result, the reflected light return distribution tables used in the first and second embodiments can be created.

【0083】なお、反射光分布テーブルに記憶するデー
タは、記憶するデータが加工領域を等分割したり、また
記憶するデータの変化する割合が一定となるように、加
工領域の中央部は粗に、加工領域周辺部は密に分割して
もよい。
The data to be stored in the reflected light distribution table is roughly divided at the center of the processing area so that the stored data divides the processing area equally and the change rate of the stored data is constant. Alternatively, the periphery of the processing area may be divided densely.

【0084】また、本実施の形態においては、固定ミラ
ーは実使用上は金ミラーや銅ミラーや誘電体多層膜ミラ
ー等を用いてもよい。
In the present embodiment, a gold mirror, a copper mirror, a dielectric multilayer mirror, or the like may be used as the fixed mirror in practical use.

【0085】[0085]

【発明の効果】本発明は上述した構成、方法を採用する
ことにより、アンプから出力される反射光の信号パルス
振幅を加工位置により補正することで、加工対象物であ
る多層基板からの反射直後の反射光の強度を推定するこ
とができ、穴加工状況判断が可能となり、正確にかつ確
実に加工を行うことができるばかりでなく、出力レーザ
光の無駄な発振を回避することができる。
According to the present invention, by adopting the above-described configuration and method, the signal pulse amplitude of the reflected light output from the amplifier is corrected by the processing position, so that the signal pulse amplitude immediately after the reflection from the multi-layer substrate which is the processing object. The intensity of the reflected light can be estimated, and the drilling situation can be determined, and not only can the drilling be performed accurately and reliably, but also unnecessary oscillation of the output laser light can be avoided.

【0086】また、検出した反射光から加工対象物であ
る多層基板からの反射直後の反射光の強度を推定すると
ともに、実際に穴の内部に照射された光量に対してどれ
くらいの光量比が反射光として戻ってくるかを算出する
ことで、穴加工状況判断が可能となり、正確にかつ確実
に加工を行うことができるばかりでなく、出力レーザ光
の無駄な発振を回避することができる。
Further, the intensity of the reflected light immediately after the reflection from the multi-layer substrate, which is the object to be processed, is estimated from the detected reflected light, and the ratio of the amount of reflected light to the amount of light actually illuminated inside the hole is determined. By calculating whether the light returns as light, it is possible to determine the state of drilling, not only to perform drilling accurately and reliably, but also to avoid unnecessary oscillation of the output laser light.

【0087】さらに、各加工位置に対してミラーにレー
ザを照射し、ミラーに照射するレーザと反射光のレーザ
光を検出して、その割合から反射光の戻り割合をテーブ
ルに記憶して利用することで、レーザを照射した対象か
ら反射した直後の反射光強度を正確に推定することがで
きる。
Further, a laser is irradiated to the mirror at each processing position, the laser irradiated to the mirror and the laser light of the reflected light are detected, and the return ratio of the reflected light is stored in a table from the ratio and used. This makes it possible to accurately estimate the intensity of the reflected light immediately after the light is reflected from the object irradiated with the laser.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態を示すレーザ加工装
置の概略図
FIG. 1 is a schematic view of a laser processing apparatus showing a first embodiment of the present invention.

【図2】(a)加工穴が導電層まで達していない様子を
示す模式図 (b)加工穴の一部が導電層まで達した様子を示す模式
図 (c)加工穴の大部分が導電層まで達した様子を示す模
式図
FIG. 2A is a schematic diagram showing a state in which a machined hole does not reach a conductive layer. FIG. 2B is a schematic diagram showing a state in which a part of the machined hole has reached a conductive layer. Schematic diagram showing the state of reaching the layer

【図3】本発明の第2の実施の形態を示すレーザ加工装
置の概略図
FIG. 3 is a schematic diagram of a laser processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4の実施の形態を示すレーザ加工装
置の概略図
FIG. 4 is a schematic view of a laser processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第4の実施の形態を示すレーザ加工装
置のうち反射光分布テーブル図
FIG. 5 is a reflected light distribution table diagram of a laser processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 パルスレーザ発振器 2 ベンドミラー 3 ビームスプリッタ 4 第一の走査ミラー 5 第二の走査ミラー 6 加工用集光レンズ 7 多層基板 8 絶縁層 9 導電層 10 反射光検出器 11 演算処理装置 12 制御装置 13 移動機構 14 出力レーザ光 15 反射レーザ光 16 レーザ光 17 加工穴 18 アンプ 19 反射光戻り分布テーブル 20 反射光戻り補正算出部 21 テーブル作成部 22 多層基板 23 第一の導電層 24 絶縁層 25 第二の導電層 26 ビームスプリッタ 27 入射光検出器 28 アンプ 29 位置情報 30 固定ミラー Reference Signs List 1 pulse laser oscillator 2 bend mirror 3 beam splitter 4 first scanning mirror 5 second scanning mirror 6 processing condenser lens 7 multilayer substrate 8 insulating layer 9 conductive layer 10 reflected light detector 11 arithmetic processing unit 12 controller 13 Movement mechanism 14 Output laser light 15 Reflected laser light 16 Laser light 17 Processing hole 18 Amplifier 19 Reflected light return distribution table 20 Reflected light return correction calculation unit 21 Table creation unit 22 Multilayer substrate 23 First conductive layer 24 Insulating layer 25 Second Conductive layer 26 beam splitter 27 incident light detector 28 amplifier 29 positional information 30 fixed mirror

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 真 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番1 号 松下技研株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Makoto Kato 3-10-1 Higashi-Mita, Tama-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Matsushita Giken Co., Ltd.

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザ光を出射するレーザ発振器と、前
記レーザ光を加工対象物へ導く光学系構造と、前記レー
ザ発振器を制御する制御装置を備え、前記加工対象物か
らの反射光の光強度を検出する反射光検出器と、前記加
工対象物からの反射光が前記反射光検出器へ到達するま
でに変化する割合いを前記加工対象物の加工位置ごとに
記憶した反射光分布テーブルと、前記反射光検出器と前
記反射光分布テーブルから前記加工対象物からの反射直
後の反射光強度を算出する反射光強度算出部を設け、前
記反射光強度算出部の算出した反射光強度とその基準値
との比較に基づき前記制御装置にて前記レーザ発振器を
制御するレーザ加工装置。
1. A laser oscillator for emitting a laser beam, an optical system structure for guiding the laser beam to an object to be processed, and a control device for controlling the laser oscillator, the light intensity of reflected light from the object to be processed. A reflected light detector that detects the reflected light distribution table that stores, for each processing position of the processing object, the rate at which the reflected light from the processing object changes until it reaches the reflected light detector, A reflected light intensity calculator is provided for calculating a reflected light intensity immediately after reflection from the processing object from the reflected light detector and the reflected light distribution table, and the reflected light intensity calculated by the reflected light intensity calculator and its reference A laser processing device for controlling the laser oscillator by the control device based on a comparison with a value.
【請求項2】 レーザ光を出射するレーザ発振器と、前
記レーザ光を加工対象物へ導く光学系構造と、前記レー
ザ発振器を制御する制御装置を備え、前記レーザ光の強
度を検出する入射光検出器と、前記加工対象物からの反
射光の光強度を検出する反射光検出器と、前記加工対象
物からの反射光が前記反射光検出器へ到達するまでに変
化する割合いを前記加工対象物の加工位置ごとに記憶し
た反射光分布テーブルと、前記反射光検出器と前記反射
光分布テーブルから前記加工対象物からの反射直後の反
射光強度を算出する反射光強度算出部を設け、前記入射
光検出器が検出した入射光強度と前記反射光強度算出部
が算出した反射光強度とから演算した相対反射光強度と
その基準値との比較に基づき前記制御装置にて前記レー
ザ発振器を制御するレーザ加工装置。
2. An incident light detection device comprising: a laser oscillator for emitting a laser beam; an optical system structure for guiding the laser beam to an object to be processed; and a control device for controlling the laser oscillator, and detecting an intensity of the laser beam. The reflected light detector for detecting the light intensity of the reflected light from the processing object, and the ratio of the reflected light from the processing object changing until reaching the reflected light detector is the processing object. A reflected light distribution table stored for each processing position of the object, and a reflected light intensity calculation unit for calculating the reflected light intensity immediately after reflection from the processing target from the reflected light detector and the reflected light distribution table; The controller controls the laser oscillator based on a comparison between a relative reflected light intensity calculated from the incident light intensity detected by the incident light detector and the reflected light intensity calculated by the reflected light intensity calculation unit and a reference value thereof. Do Laser processing equipment.
【請求項3】 入射光強度と反射光強度とから相対反射
光強度を求める演算式が(数1)で示される請求項2記
載のレーザ加工装置。 【数1】
3. The laser processing apparatus according to claim 2, wherein an arithmetic expression for calculating the relative reflected light intensity from the incident light intensity and the reflected light intensity is represented by (Equation 1). (Equation 1)
【請求項4】 レーザ光を出射するレーザ発振器と、前
記レーザ光を加工対象物へ導く光学系構造と、前記レー
ザ発振器を制御する制御装置を備え、前記レーザ光の強
度を検出する入射光検出器と、加工対象物を置く位置に
設置した固定ミラーと、前記固定ミラーからの反射光の
光強度を検出する反射光検出器と、前記加工対象物のあ
る加工座標位置に前記レーザ光を照射した時の前記反射
光検出器で検出した反射光強度と入射検出器から検出し
た入射光強度から前記固定ミラーから反射した直後の反
射光が前記反射光検出器に到達する反射光強度の割合を
算出する反射光分布算出部と、前記反射光分布算出部の
算出結果を記憶する反射光分布テーブルを設けたレーザ
加工装置。
4. A laser oscillator for emitting a laser beam, an optical system structure for guiding the laser beam to an object to be processed, and a control device for controlling the laser oscillator, wherein incident light detection for detecting the intensity of the laser beam Vessel, a fixed mirror placed at a position where the processing object is placed, a reflected light detector for detecting the light intensity of the reflected light from the fixed mirror, and irradiating the laser light to a processing coordinate position where the processing object is located. From the reflected light intensity detected by the reflected light detector and the incident light intensity detected from the incident detector, the ratio of the reflected light intensity at which the reflected light immediately after being reflected from the fixed mirror reaches the reflected light detector is calculated. A laser processing apparatus provided with a reflected light distribution calculation unit to calculate and a reflected light distribution table for storing the calculation result of the reflected light distribution calculation unit.
【請求項5】 反射光の反射検出器に到達する割合のデ
ータを加工位置が等間隔である位置に対して反射光分布
テーブルに記憶した請求請1〜4のいずれかに記載のレ
ーザ加工装置。
5. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein data of a ratio of the reflected light reaching the reflection detector is stored in a reflected light distribution table with respect to positions where processing positions are equally spaced. .
【請求項6】 反射光の反射光検出器に到達する割合の
データを加工領域の中央部は粗分割で、周辺部は細分割
して反射光分布テーブルに記憶した請求請1〜4のいず
れかに記載のレーザ加工装置。
6. A method according to claim 1, wherein the data of the ratio of the reflected light reaching the reflected light detector is coarsely divided at the center of the processing area and finely divided at the peripheral part and stored in the reflected light distribution table. A laser processing apparatus according to any one of the above.
【請求項7】 レーザ発振器からレーザ光を出射して加
工対象物を加工するレーザ加工装置の制御方法であっ
て、前記加工対象物からの反射光の光強度を反射光検出
器で検出し、前記加工対象物からの反射光が前記反射光
検出器へ到達するまでに変化する割合いを前記加工対象
物の加工位置ごとに記憶した反射光分布テーブルのデー
タに基づいて前記加工対象物からの反射直後の反射光強
度を算出し、この算出した反射光強度と基準値との比較
に基づき前記レーザ発振器を制御するレーザ加工装置の
制御方法。
7. A control method of a laser processing apparatus for processing a processing object by emitting a laser beam from a laser oscillator, wherein a light intensity of light reflected from the processing object is detected by a reflected light detector, The rate at which the reflected light from the processing object changes until it reaches the reflected light detector is based on the data of the reflected light distribution table stored for each processing position of the processing object, from the processing object. A control method for a laser processing apparatus, which calculates reflected light intensity immediately after reflection and controls the laser oscillator based on a comparison between the calculated reflected light intensity and a reference value.
【請求項8】 レーザ発振器からレーザ光を出射して加
工対象物を加工するレーザ加工装置の制御方法であっ
て、前記レーザ光の強度を入射光強度として入射光検出
器で検出するとともに、前記加工対象物からの反射光の
光強度を反射光検出器で検出し、前記加工対象物からの
反射光が前記反射光検出器へ到達するまでに変化する割
合いを前記加工対象物の加工位置ごとに記憶した反射光
分布テーブルのデータと前記反射光検出器の出力から前
記加工対象物からの反射直後の反射光強度を算出し、前
記入射光強度と前記算出した反射光強度とから演算した
相対反射光強度とその基準値との比較に基づいて前記レ
ーザ発振器を制御するレーザ加工装置の制御方法。
8. A control method of a laser processing apparatus for processing a processing object by emitting laser light from a laser oscillator, wherein the intensity of the laser light is detected as incident light intensity by an incident light detector, and The light intensity of the reflected light from the object to be processed is detected by a reflected light detector, and the rate at which the reflected light from the object to be processed reaches the reflected light detector is the processing position of the object to be processed. The reflected light intensity immediately after reflection from the object to be processed was calculated from the data of the reflected light distribution table stored for each and the output of the reflected light detector, and was calculated from the incident light intensity and the calculated reflected light intensity. A control method for a laser processing apparatus for controlling the laser oscillator based on a comparison between a relative reflected light intensity and a reference value thereof.
【請求項9】 入射光強度と反射光強度とから相対反射
光強度を求める演算式が(数2)で示される請求項8記
載のレーザ加工装置の制御方法。 【数2】
9. The control method for a laser processing apparatus according to claim 8, wherein an arithmetic expression for calculating the relative reflected light intensity from the incident light intensity and the reflected light intensity is represented by (Equation 2). (Equation 2)
【請求項10】 レーザ発振器からレーザ光を出射して
加工対象物を加工するレーザ加工装置の制御方法であっ
て、前記レーザ光の強度を入射光強度として入射光検出
器で検出するとともに、前記加工対象物を置く位置に設
置した固定ミラーからの反射光の光強度を反射光検出器
で検出し、前記加工対象物のある加工座標位置に前記レ
ーザ光を照射した時の前記反射光検出器で検出した反射
光強度と入射検出器から検出した入射光強度から前記固
定ミラーから反射した直後の反射光が前記反射光検出器
に到達する反射光強度の割合を算出し、その算出結果を
記憶した反射光分布テーブルのデータと基準値との比較
に基づき前記レーザ発振器を制御するレーザ加工装置の
制御方法。
10. A control method of a laser processing apparatus for processing a processing object by emitting laser light from a laser oscillator, wherein the intensity of the laser light is detected as incident light intensity by an incident light detector, and The reflected light detector detects the light intensity of the reflected light from the fixed mirror installed at the position where the object to be processed is placed, and irradiates the laser light to a processing coordinate position where the object is processed. From the reflected light intensity detected in step 2 and the incident light intensity detected from the incident detector, the ratio of the reflected light intensity at which the reflected light immediately after being reflected from the fixed mirror reaches the reflected light detector is calculated, and the calculation result is stored. A method of controlling a laser processing apparatus for controlling the laser oscillator based on a comparison between the data of the reflected light distribution table and a reference value.
【請求項11】 反射光の反射検出器に到達する割合の
データを加工位置が等間隔である位置に対して反射光分
布テーブルに記憶した請求請7〜10のいずれかに記載
のレーザ加工装置の制御方法。
11. The laser processing apparatus according to claim 7, wherein data of a ratio of the reflected light reaching the reflection detector is stored in a reflected light distribution table with respect to positions where processing positions are equally spaced. Control method.
【請求項12】 反射光の反射光検出器に到達する割合
のデータを加工領域の中央部は粗分割で、周辺部は細分
割して反射光分布テーブルに記憶した請求請7〜10の
いずれかに記載のレーザ加工装置の制御方法。
12. A method according to claim 7, wherein the data of the ratio of the reflected light reaching the reflected light detector is roughly divided at the center of the processing area and finely divided at the peripheral part and stored in the reflected light distribution table. A method for controlling a laser processing apparatus according to any one of the above.
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