JP2011191411A - Device and method for correcting defect - Google Patents

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Ryuichiro Sasaki
隆一郎 笹木
Akihiro Yamanaka
昭浩 山中
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Aisin Seiki Co Ltd
アイシン精機株式会社
Ntn Corp
Ntn株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To correct a defect of a pattern formed on a surface of a resin substrate with high quality by laser beam irradiation without damaging the resin substrate. <P>SOLUTION: A device 201 for correcting a defect is provided, including a laser 32 that emits a laser beam having a pulse width in the order of femtoseconds, and a correcting part correcting a defective part of a pattern formed on a surface of a film substrate 26 having a plane perpendicular to the optical axis (Z axis) of the laser beam. The correcting part irradiates the defective part with a laser beam with the optical axis perpendicular to the surface of the defective part. The defective part is irradiated with the laser beam by controlling the irradiation position of the laser beam to be variable on the surface in a direction along a Y axis perpendicular to the optical axis and in a direction along an X axis perpendicular to the optical axis and to the Y axis, and to be variable in a plurality of times along the optical axis from the surface of the defective part to the surface of the film substrate 26. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、フィルム基板上に形成されたパターンの欠陥部を修正する装置および方法に関する。   The present invention relates to an apparatus and method for correcting a defective portion of a pattern formed on a film substrate.
PDP(プラズマディスプレイパネル:Plasma Display Panel)はパネル本体から発生する電磁波の漏洩を防ぐために、パネル前面に電磁波シールドフィルムを装着している。PDP用の電磁波シールドフィルムは、透明の樹脂フィルムの基板上に金属を塗布することによる微細なメッシュ状のパターン(以下、電極ともいう)を形成したものである。電磁波の漏洩防止効果を得るために、電磁波シールドフィルムパターンには欠陥がないことが求められる。   A PDP (Plasma Display Panel) has an electromagnetic shielding film attached to the front of the panel in order to prevent leakage of electromagnetic waves generated from the panel body. An electromagnetic wave shielding film for PDP is formed by forming a fine mesh pattern (hereinafter also referred to as an electrode) by applying a metal on a transparent resin film substrate. In order to obtain an electromagnetic wave leakage preventing effect, the electromagnetic wave shielding film pattern is required to be free from defects.
しかしながら、電磁波シールドフィルムの製造工程においては、基板上に形成された微細パターンに種々の欠陥が発生する。欠陥が発生した基板を全て廃棄したのでは、歩留まりが低下してしまう。取分け、最近では、ディスプレイの市場価格の低下や、不良品廃却による環境負荷増加の抑制の観点から、修正可能なものは修正して製品化しようとする傾向が強くなってきており、電磁波シールドフィルムにおいても、欠陥修正を可能とする修正方法と修正装置が強く求められてきている。   However, in the manufacturing process of the electromagnetic wave shielding film, various defects occur in the fine pattern formed on the substrate. If all the substrates on which defects have occurred are discarded, the yield decreases. In particular, recently, from the viewpoint of lowering the market price of displays and suppressing the increase in environmental burden due to the disposal of defective products, there is a strong tendency to modify products that can be modified and commercialize them. There is also a strong demand for a correction method and a correction apparatus that can correct defects in films.
電磁波シールドフィルムの製造工程においては、電磁波シルードのパターン100の線の幅が太くなってしまう幅太欠陥101(図13(a)参照)、または、パターン100が欠落してしまう欠け欠陥102(図13(a)参照)などが発生する。欠陥を修正する方法として、幅太欠陥101については、パターン100の線幅が太くなってしまった部分を、レーザ光を照射して除去することにより欠陥を修正する。また、欠け欠陥102については、欠けた部分に、金属ペーストを塗布することにより欠陥を修正する。このような修正を行う装置として、たとえば、特許文献1にPDPの電極の欠陥を修正する装置が示される。   In the manufacturing process of the electromagnetic wave shielding film, the thick defect 101 (see FIG. 13A) in which the line width of the electromagnetic shielding pattern 100 becomes thick or the defective defect 102 in which the pattern 100 is missing (see FIG. 13). 13 (a)) occurs. As a method for correcting the defect, with respect to the thick defect 101, the defect is corrected by irradiating the portion where the line width of the pattern 100 is increased with laser light. In addition, the defect 102 is corrected by applying a metal paste to the chipped portion. As an apparatus for performing such correction, for example, Patent Document 1 discloses an apparatus for correcting an electrode defect of a PDP.
特開2000−56477号公報JP 2000-56477 A
特許文献1には、PDPやLCD(Liquid Crystal Display)の電極修正を行う装置が記載されている。PDPの電極欠陥修正では、電極のショート欠陥をカットするために、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)レーザまたはYLFレーザの第2高調波のパルス発振レーザが搭載されている。PDP電極のように、ガラス基板上に形成されたパターンについては、ガラス基板が第2高調波をほとんど透過することと、耐熱性に優れるため、電極欠陥部をレーザで選択的にカットすることが可能である。   Patent Document 1 describes an apparatus for correcting electrodes of a PDP or LCD (Liquid Crystal Display). In the electrode defect correction of the PDP, a YAG (Yttrium Aluminum Garnet) laser or YLF laser pulse oscillation laser of the second harmonic is mounted in order to cut the electrode short defect. About the pattern formed on the glass substrate like the PDP electrode, since the glass substrate almost transmits the second harmonic and is excellent in heat resistance, the electrode defect portion can be selectively cut with a laser. Is possible.
しかし、電磁波シールドフィルムのように、樹脂フィルム基板上にパターンが形成されている場合は、欠陥修正にレーザ光を用いた場合には、フィルム基板自体のレーザ光吸収による変形、歪み、穴明き等のダメージの発生、また電極カット時の発熱による変形、歪み、穴明き、黒色化等のダメージの発生が避けられない。   However, when a pattern is formed on a resin film substrate, such as an electromagnetic wave shielding film, when laser light is used for defect correction, the film substrate itself is deformed, distorted, or perforated by absorption of laser light. In addition, the occurrence of damage such as deformation, distortion, drilling, and blackening due to heat generation during electrode cutting is inevitable.
それゆえに、幅太欠陥の除去修正が困難であると共に、欠け欠陥の修正においてもペースト塗布修正後の整形加工における余分な部分の除去加工が困難である。結果として、従来の装置ではフィルム基板上に形成された金属パターンの修正を行うことができなかった。   Therefore, it is difficult to remove and correct the wide defect, and it is difficult to remove the excess portion in the shaping process after the paste application correction even in the correction of the chip defect. As a result, the conventional apparatus cannot correct the metal pattern formed on the film substrate.
本発明の目的は、樹脂基板の面上に形成されたパターンの欠陥を樹脂基板にダメージを与えることなく、レーザ光照射により高品位に修正することのできる欠陥修正装置および方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a defect correcting apparatus and method capable of correcting a defect of a pattern formed on the surface of a resin substrate to a high quality by laser beam irradiation without damaging the resin substrate. is there.
この発明のある局面に従う欠陥修正装置は、フェトム秒単位のパルス幅を有したレーザ光を出射するレーザ部と、レーザ光の光軸が直交する面を有する樹脂基板の面の上に金属材料で形成されたパターンの欠陥部を修正する修正部と、を備え、修正部は、欠陥部の表面と光軸とが直交するようにレーザ光を欠陥部に照射するレーザ照射部と、レーザ照射部によるレーザ光の照射位置を、表面において光軸と直交する第1軸が延びる方向と当該光軸および第1軸のそれぞれと直交する第2軸が延びる方向とに可変としながら、且つ当該照射位置を前記光軸に沿って欠陥部の表面から樹脂基板の面に至るまで複数回に分けて可変としながら、レーザ光を照射する照射位置可変部と、を含む。   A defect correcting device according to an aspect of the present invention is a metal material on a surface of a resin substrate having a laser part emitting a laser beam having a pulse width in femtosecond units and a surface in which the optical axes of the laser beam are orthogonal to each other. A correction unit that corrects a defect portion of the formed pattern, and the correction unit irradiates the defect portion with laser light so that the surface of the defect portion and the optical axis are orthogonal to each other, and the laser irradiation unit The irradiation position of the laser beam by the laser beam can be varied between a direction in which the first axis orthogonal to the optical axis extends on the surface and a direction in which the second axis orthogonal to each of the optical axis and the first axis extends. And an irradiation position variable portion that irradiates laser light while making the variable variable in a plurality of times from the surface of the defect portion to the surface of the resin substrate along the optical axis.
好ましくは、樹脂基板は、ロール状に収容可能な薄膜の樹脂基板であって、欠陥修正装置は、欠陥部を修正するために樹脂基板が載置される載置テーブルと、ロール状に巻かれた樹脂基板を、巻きを解きながらテーブルに送りだす送り出し部と、送り出されることによりテーブルを通過した樹脂基板を巻き取りながらロール状に収容する巻き取り部とを、さらに備える。   Preferably, the resin substrate is a thin film resin substrate that can be accommodated in a roll shape, and the defect correction device is wound in a roll shape with a mounting table on which the resin substrate is mounted in order to correct the defective portion. And a take-up unit that feeds the resin substrate to the table while unwinding, and a take-up unit that accommodates the resin substrate that has passed through the table while being unwound in a roll shape.
好ましくは、修正部は、樹脂基板の面上に形成された金属材料の欠落した欠け欠陥部に、針先端に付着した修正材料を接触させて塗布する修正材料塗布部と、塗布した修正材料を硬化させる修正材料硬化部と、をさらに含み、硬化した修正材料のうちの不要な部分を欠陥部として、レーザ照射部および照射位置可変部によりレーザ光を照射することによって除去する。   Preferably, the correction unit includes a correction material application unit that applies the correction material attached to the tip of the needle in contact with the missing defect portion of the metal material formed on the surface of the resin substrate, and the applied correction material. A correction material curing portion to be cured, and removing unnecessary portions of the cured correction material as defective portions by irradiating the laser beam with the laser irradiation unit and the irradiation position variable unit.
好ましくは、欠陥部を観察するための画像を撮像する観察部と、レーザ部、修正材料塗布部、修正材料硬化部および観察部を搭載する搭載部を含み、光軸に沿って搭載部を移動可能とするための光軸方向移動部と、光軸方向移動部を搭載し、光軸方向移動部を第2軸に沿って移動可能とするための第2軸方向移動部と、第2軸方向移動部を搭載し、第2軸方向移動部を第1軸に沿って移動可能とするための第1軸方向移動部と、をさらに備える。   Preferably, an observation unit that captures an image for observing a defect portion, and a mounting unit on which a laser unit, a correction material application unit, a correction material curing unit, and an observation unit are mounted, and the mounting unit is moved along the optical axis An optical axis direction moving part for enabling the optical axis direction moving part, a second axis direction moving part for enabling the optical axis direction moving part to move along the second axis, and a second axis A direction moving part is mounted, and further includes a first axial direction moving part for enabling the second axial direction moving part to move along the first axis.
好ましくは、欠陥部を観察するための画像を撮像する観察部と、修正材料塗布部を搭載し、修正材料塗布部を第1軸に沿って移動可能とするための第1軸方向移動部と、レーザ部、修正材料硬化部、観察部および第1軸方向移動部を搭載する搭載部を有し、搭載部を光軸に沿って移動可能とするための光軸方向移動部と、光軸方向移動部を搭載し、光軸方向移動部を第2軸に沿って移動可能とするための第2軸方向移動部と、をさらに備える。   Preferably, an observation unit that captures an image for observing the defect portion, a first material moving unit for mounting the correction material application unit, and allowing the correction material application unit to move along the first axis; An optical axis moving unit for mounting the laser unit, the correction material curing unit, the observation unit, and the first axial moving unit, the optical axis moving unit for allowing the mounting unit to move along the optical axis, A direction moving part is mounted, and a second axial direction moving part for allowing the optical axis direction moving part to move along the second axis is further provided.
好ましくは、修正部は、樹脂基板の面上に形成された金属材料の欠落した欠け欠陥部に、針先端に付着した修正材料を接触させて塗布する修正材料塗布部と、塗布した修正材料を硬化させる修正材料硬化部と、をさらに含み、硬化した修正材料のうちの不要な部分を欠陥部として、レーザ照射部および照射位置可変部により前記レーザ光を照射することによって除去する。   Preferably, the correction unit includes a correction material application unit that applies the correction material attached to the tip of the needle in contact with the missing defect portion of the metal material formed on the surface of the resin substrate, and the applied correction material. A correction material curing portion to be cured, and an unnecessary portion of the cured correction material as a defective portion is removed by irradiating the laser beam with the laser irradiation portion and the irradiation position variable portion.
好ましくは、欠陥部を修正するために樹脂基板が載置される載置テーブルと、欠陥部を観察するための画像を撮像する観察部と、レーザ部、修正材料塗布部、修正材料硬化部および観察部を搭載する搭載部を有し、搭載部を光軸に沿って移動可能とするための光軸方向移動部と、光軸方向移動部を搭載し、光軸方向移動部を載置テーブル上で第2軸に沿って移動可能とするための第2軸方向移動部と、載置テーブルを、第1軸に沿って移動可能とするための第1軸方向移動部と、をさらに備える。   Preferably, a mounting table on which a resin substrate is placed to correct the defect portion, an observation portion that captures an image for observing the defect portion, a laser portion, a correction material application portion, a correction material curing portion, and It has a mounting part for mounting the observation part, and is equipped with an optical axis direction moving part for enabling the mounting part to move along the optical axis, and an optical axis direction moving part, and the optical axis direction moving part is mounted on the mounting table. A second axial movement unit for enabling movement along the second axis above, and a first axial movement unit for allowing the mounting table to move along the first axis are further provided. .
好ましくは、照射位置可変部が、照射位置を前記光軸に沿って可変にする回数は、レーザ光のスポットの径および欠陥部の表面から樹脂基板の面に至るまでの光軸に沿った距離を含むパラメータに従い決定される。   Preferably, the number of times that the irradiation position variable portion makes the irradiation position variable along the optical axis is the distance along the optical axis from the diameter of the spot of the laser light and the surface of the defect portion to the surface of the resin substrate. It is determined according to parameters including
この発明の他の局面に従う欠陥修正方法は、面を有し、面の上に金属材料でパターンが形成された樹脂基板を載置するステップと、載置された樹脂基板に面の上に形成されたパターンの欠陥部を、フェトム秒単位のパルス幅を有したレーザ光を照射することにより修正する修正ステップと、を備え、修正ステップは、欠陥部の表面とレーザ光の光軸とが直交するように欠陥部にレーザ光を照射するレーザ照射ステップを含み、レーザ照射ステップによるレーザ光の照射位置を、表面において光軸と直交する第1軸が延びる方向と当該光軸および第1軸のそれぞれと直交する第2軸が延びる方向とに可変としながら、且つ当該照射位置を光軸が延びる方向に沿って欠陥部の表面から樹脂基板の面に至るまで複数回に分けて可変としながら、レーザ光を照射する。   A defect correction method according to another aspect of the present invention includes a step of placing a resin substrate having a surface and having a pattern formed of a metal material on the surface, and forming the resin substrate on the surface on the surface. A correction step of irradiating a laser beam having a pulse width of femtoseconds with a defect width of the patterned pattern, wherein the correction step has the surface of the defect portion orthogonal to the optical axis of the laser beam A laser irradiation step of irradiating the defect portion with laser light, and the irradiation position of the laser light by the laser irradiation step in the direction in which the first axis orthogonal to the optical axis extends on the surface, the optical axis and the first axis While being variable in the direction in which the second axis orthogonal to each extends, and changing the irradiation position in a plurality of times from the surface of the defect portion to the surface of the resin substrate along the direction in which the optical axis extends, Leh It is irradiated with light.
好ましくは、修正ステップは、樹脂基板の前記面上に形成された金属材料の欠落した欠け欠陥部に、針先端に付着した修正材料を接触させて塗布する修正材料塗布ステップと、塗布した修正材料を硬化させる修正材料硬化ステップと、をさらに含み、硬化した修正材料のうちの不要な部分を欠陥部として、レーザ照射ステップによりレーザ光を照射することによって除去する。   Preferably, the correction step includes a correction material application step of applying the correction material attached to the tip of the needle in contact with the missing defect portion of the metal material formed on the surface of the resin substrate, and the applied correction material. A correction material curing step for curing the substrate, and removing unnecessary portions of the cured correction material as defective portions by irradiating with laser light in the laser irradiation step.
好ましくは、レーザ照射ステップにおいて照射位置を前記光軸に沿って可変にする回数は、レーザ光のスポットの径および欠陥部の表面から樹脂基板の面に至るまでの光軸に沿った距離を含むパラメータに従い決定される。   Preferably, the number of times of changing the irradiation position along the optical axis in the laser irradiation step includes a spot diameter of the laser light and a distance along the optical axis from the surface of the defect portion to the surface of the resin substrate. Determined according to the parameters.
本発明によれば、樹脂基板の面上に形成されたパターンの欠陥を樹脂基板にダメージを与えることなく、レーザ光照射により高品位に修正することができる。   According to the present invention, the defect of the pattern formed on the surface of the resin substrate can be corrected to high quality by laser light irradiation without damaging the resin substrate.
本発明の実施の形態1に係る欠陥修正装置の概略外観図である。1 is a schematic external view of a defect correction apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 図1の制御用コンピュータの構成図である。It is a block diagram of the computer for control of FIG. 図1の巻き取りロール機構を説明する図である。It is a figure explaining the winding roll mechanism of FIG. 本発明の実施の形態1に係る欠陥修正方法の処理フローチャートである。It is a process flowchart of the defect correction method which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る欠陥修正方法の処理フローチャートである。It is a process flowchart of the defect correction method which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る欠陥修正方法の処理フローチャートである。It is a process flowchart of the defect correction method which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係るペースト塗布機構を説明する図である。It is a figure explaining the paste application | coating mechanism which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る観察光学系の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the observation optical system which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る欠陥修正装置において、対物レンズからフィルム基板にレーザが集光されて照射される状態を示す図である。In the defect correction apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention, it is a figure which shows the state in which a laser is condensed and irradiated to a film substrate from an objective lens. (a)〜(c)は、レーザ光が照射されるフィルム基板の表面部分を拡大して示す図である。(A)-(c) is a figure which expands and shows the surface part of the film board | substrate with which a laser beam is irradiated. 本発明の実施形態2に係る欠陥修正装置の概略外観図である。It is a general | schematic external view of the defect correction apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態3に係る欠陥修正装置の概略外観図である。It is a general | schematic external view of the defect correction apparatus which concerns on Embodiment 3 of this invention. 欠陥の種類と修正を模式的に説明する図である。It is a figure which illustrates typically the kind and correction of a defect.
以下、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、同一の構成要素には各図において同一の符号を付し、詳細な説明は繰返さない。ここでは、レーザ光が照射される基板表面は、直交するX軸およびY軸により規定される2次元座標平面に対応すると想定する。基板表面の鉛直方向に延びる軸を、すなわちX軸に直交し且つY軸に直交する軸をZ軸と想定する。X軸、Y軸およびZ軸のそれぞれが延びる方向を「X方向」、「Y方向」および「Z方向」と称する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the same components are denoted by the same reference symbols in the respective drawings, and detailed description thereof will not be repeated. Here, it is assumed that the substrate surface irradiated with the laser light corresponds to a two-dimensional coordinate plane defined by the orthogonal X axis and Y axis. An axis extending in the vertical direction of the substrate surface, that is, an axis orthogonal to the X axis and orthogonal to the Y axis is assumed to be the Z axis. The directions in which the X axis, the Y axis, and the Z axis extend are referred to as “X direction”, “Y direction”, and “Z direction”.
(実施の形態1)
図1を参照して、本実施形態1に係る欠陥修正装置201は、流動的に移動する樹脂材料からなる薄膜のフィルム基板26の主面上に金属を塗布することによって形成された微細パターンの欠陥部を修正する装置である。具体的には、欠陥修正装置201は、欠陥部をカットするためのレーザ光を照射するレーザ32、欠陥部の観察を可能とする観察光学系30を備える。フィルム基板26が移動のために流動する方向は、ここではY方向に対応すると想定する。また、レーザ32の光軸はZ軸に対応する。
(Embodiment 1)
Referring to FIG. 1, a defect correction apparatus 201 according to the first embodiment has a fine pattern formed by applying metal on the main surface of a thin film substrate 26 made of a resin material that is fluidly moved. It is an apparatus for correcting a defective part. Specifically, the defect correction apparatus 201 includes a laser 32 that irradiates a laser beam for cutting a defective portion, and an observation optical system 30 that enables observation of the defective portion. Here, it is assumed that the direction in which the film substrate 26 flows for movement corresponds to the Y direction. The optical axis of the laser 32 corresponds to the Z axis.
観察光学系30は、レーザ32から出射されたレーザ光のパワーコントロールを行なう図示しないアッテネータ50、レーザ光をX方向およびY方向に走査するための図示しないガルバノスキャナ51、およびフィルム基板26上のレーザ光が照射される欠陥部を観察するためのCCD(Charge Coupled Device)カメラ31を含む。CCDカメラ31は、欠陥部からの反射光を受光し、受光量に応じた電気信号に変換し出力する。出力された電気信号は、撮像して得られた画像データを指す。CCDカメラ31は欠陥部を観察する観察部に対応する。   The observation optical system 30 includes an attenuator 50 (not shown) that controls the power of the laser light emitted from the laser 32, a galvano scanner 51 (not shown) for scanning the laser light in the X direction and the Y direction, and a laser on the film substrate 26. A CCD (Charge Coupled Device) camera 31 for observing a defective portion irradiated with light is included. The CCD camera 31 receives reflected light from the defective portion, converts it into an electrical signal corresponding to the amount of received light, and outputs it. The output electrical signal indicates image data obtained by imaging. The CCD camera 31 corresponds to an observation unit that observes a defective portion.
ガルバノスキャナ51は、高速に加工するために光軸を動かす為のユニットである。レーザ32から出射されたレーザ光が入射および反射するミラーと、このミラーの傾きを制御するモータとを備える。モータの動作は後述の制御コンピュータ35を使って制御する。   The galvano scanner 51 is a unit for moving the optical axis in order to process at high speed. A mirror on which the laser beam emitted from the laser 32 is incident and reflected, and a motor for controlling the tilt of the mirror are provided. The operation of the motor is controlled using a control computer 35 described later.
欠陥修正装置201は、さらに、欠陥部に金属のペーストを塗布するペースト塗布機構25、およびペースト塗布機構25で塗布したペーストを乾燥または焼成することにより硬化させるためのペースト焼成機構33を含む修正ヘッド部を備える。観察光学系30、レーザ32および修正ヘッド部を搭載し、載置テーブル40上に載置されたフィルム基板26の表面に対してZ方向に自在に移動可能とするZ軸テーブル27、Z軸テーブル27を搭載し、フィルム基板26の流動方向と直交すX方向に移動可能とするX軸テーブル28、およびX軸テーブル28を搭載し、フィルム基板26の流動方向と同じ方向であるY方向に移動可能とするY軸テーブル29を備える。   The defect correcting device 201 further includes a paste applying mechanism 25 for applying a metal paste to the defective portion, and a correction head including a paste baking mechanism 33 for curing the paste applied by the paste applying mechanism 25 by drying or baking. A part. A Z-axis table 27 and a Z-axis table, which are mounted with an observation optical system 30, a laser 32, and a correction head unit, and can freely move in the Z direction with respect to the surface of the film substrate 26 placed on the placement table 40. 27, and an X-axis table 28 that can move in the X direction orthogonal to the flow direction of the film substrate 26, and the X-axis table 28 are mounted, and move in the Y direction, which is the same direction as the flow direction of the film substrate 26. A Y-axis table 29 is provided.
さらに、欠陥修正装置201は、フィルム基板26をロール形態で収容して保持し、収容されたロールの巻きを解きながらフィルム基板26を載置テーブル40に載置するようにY方向に送り出すための送り出しロール機構38、送り出されたフィルム基板26を載置テーブル40において固定する吸着プレート37および載置テーブル40を通過して送り出されるフィルム基板26をY方向に巻き取りながらロール状にして収容するための図3に示す巻き取りロール機構39を備える。さらに、欠陥修正装置201は、上述の各部の駆動制御を行なう制御コンピュータ35、制御コンピュータ35に指令を入力するためにオペレータが操作する操作パネル36、および図示しない画像処理装置を備える。画像処理装置は、CCDカメラ31が出力する画像データを入力する。画像処理装置は、画像データを処理し、その処理結果と画像データを、制御コンピュータ35に出力する。   Further, the defect correcting device 201 accommodates and holds the film substrate 26 in a roll form, and sends the film substrate 26 in the Y direction so as to place the film substrate 26 on the placement table 40 while unwinding the accommodated roll. In order to accommodate the feeding roll mechanism 38, the suction plate 37 that fixes the fed film substrate 26 on the mounting table 40, and the film substrate 26 that is fed through the mounting table 40 in a roll shape while being wound in the Y direction. The take-up roll mechanism 39 shown in FIG. Further, the defect correction apparatus 201 includes a control computer 35 that controls the driving of each unit described above, an operation panel 36 that is operated by an operator to input a command to the control computer 35, and an image processing apparatus (not shown). The image processing apparatus inputs image data output from the CCD camera 31. The image processing apparatus processes the image data and outputs the processing result and the image data to the control computer 35.
フィルム基板26を移動させるため、およびフィルム基板26の欠陥位置に基づき各種機構を移動させるために、何らかの基準となるものが必要となるが、ここでは、フィルム基板26上に所定間隔で基準マークが形成されていると想定する。   In order to move the film substrate 26 and to move various mechanisms based on the defect position of the film substrate 26, a certain reference is required. Here, however, reference marks are provided on the film substrate 26 at predetermined intervals. Assume that it is formed.
図2を参照して制御コンピュータ35は、CRT(陰極線管)またはLCDなどからなるディスプレイ610、キーボード650、マウス660および操作パネル36を有する入力部700、該制御用コンピュータ35の動作を集中的に制御および監視するためのCPU(中央処理装置の略)622、ROM(Read Only Memory)またはRAM(Random Access Memoryの略)を含んで構成されるメモリ624、固定ディスク626、FD(Flexible Disc)632が着脱自在に装着されて、装着されたFD632をアクセスするFD駆動装置630、CD−ROM(Compact Disc Read Only Memory)642が着脱自在に装着されて、装着されたCD−ROM642をアクセスするCD−ROM駆動装置640、他の各部と通信をするための通信回線300、および通信回線300と該制御用コンピュータ35とを通信接続するための通信インターフェイス680を含む。これらの各部はバスを介して通信接続される。   Referring to FIG. 2, the control computer 35 concentrates the operation of the display computer 610, a keyboard 650, a mouse 660, an operation panel 36, and an operation panel 36, each of which includes a CRT (cathode ray tube) or LCD. A CPU (abbreviation of central processing unit) 622 for controlling and monitoring, a memory 624 including ROM (Read Only Memory) or RAM (abbreviation of Random Access Memory), a fixed disk 626, and an FD (Flexible Disc) 632 Is detachably mounted, an FD drive device 630 that accesses the mounted FD 632, and a CD-ROM (Compact Disc Read Only Memory) 642 is detachably mounted and the CD-ROM that accesses the mounted CD-ROM 642 ROM drive device 640, communication line 300 for communicating with other components, and communication circuit Includes a communication interface 680 for communicating connecting the 300 and 該制 patronage computer 35. These units are connected for communication via a bus.
使用するレーザは、パルス時間幅が10フェトム秒から20ピコ秒のパルスレーザである。その構成は、たとえば使用するファイバがエリビウムドープ光ファイバまたはイッテルビウムドープ光ファイバまたはエリビウム・イッテルビウム共ドープ光ファイバを共振器および増幅媒体に使用しているレーザ、たとえば、チタンをドープしたサファイア結晶を使用した再生増幅方式によるレーザ、たとえば、イッテルビウムをドープしたイットリウム・アルミニウム・ガーネットの円盤型結晶を使用したレーザ、などの様々な方式のレーザが挙げられる。   The laser to be used is a pulse laser having a pulse time width of 10 femtoseconds to 20 picoseconds. Its configuration is, for example, a laser using an erbium-doped optical fiber or ytterbium-doped optical fiber or an erbium-ytterbium co-doped optical fiber as a resonator and an amplifying medium, for example, reproduction using a sapphire crystal doped with titanium. There are various types of lasers such as lasers using amplification methods, for example, lasers using yttrium-aluminum-garnet disk crystals doped with ytterbium.
欠陥修正装置201は、電磁波シールドパターンに発生する欠陥部のパターンをカットするためのレーザ32として、フェトム秒レーザを用いる。本実施の形態では、発振パルス幅が500fs(fsはフェムト秒(10−15秒)の略)以下のレーザ32を用いる。 The defect correcting apparatus 201 uses a femtosecond laser as the laser 32 for cutting the pattern of the defective portion generated in the electromagnetic wave shield pattern. In this embodiment, the oscillation pulse width is 500 fs (fs stands for femtosecond (10 -15 seconds)) using the following laser 32.
このように発振パルス幅が非常に狭いフェトム秒レーザ32によれば、加工対象であるパターンにレーザ照射して格子振動による熱が発生する前に、加工対象をアブレーションにより除去することが可能である。従来のパターン修正に使用しているYAGレーザ(パルス幅は10ns)では、フィルム基板26上の金属膜であるパターンをフィルム基板26にダメージを与えずに加工することは困難であるのに対し、フェムト秒レーザはパターンのみを除去しフィルム基板26にダメージを与えない点で、優れている。   Thus, according to the femtosecond laser 32 having a very narrow oscillation pulse width, it is possible to remove the object to be processed by ablation before the pattern to be processed is irradiated with the laser and heat is generated by the lattice vibration. . With a YAG laser (pulse width is 10 ns) used for conventional pattern correction, it is difficult to process a pattern that is a metal film on the film substrate 26 without damaging the film substrate 26, The femtosecond laser is excellent in that only the pattern is removed and the film substrate 26 is not damaged.
また、フェムト秒のレーザ32を用いたカットにおいては、多光子吸収(強力な光が物質に入射した時、電子が同時に2つ以上の光子を吸収して励起される現象)によりレーザ光が集光された焦点部分のみで光との反応が局所的に発生し、これにより、パターンの膜厚方向(この膜厚方向は、Z方向に対応する)に対して数μmの部分のみ除去することが可能である。   In the cut using the femtosecond laser 32, laser light is collected by multiphoton absorption (a phenomenon in which electrons are excited by absorbing two or more photons simultaneously when powerful light is incident on a substance). The reaction with light occurs locally only at the illuminated focal part, and by this, only a part of several μm is removed with respect to the film thickness direction of the pattern (this film thickness direction corresponds to the Z direction). Is possible.
また、除去効率を向上させ、除去に要する時間を短縮するために、発明者の実験によればレーザ32の発振周波数は90kHz以上であることが望ましい。   Further, in order to improve the removal efficiency and reduce the time required for the removal, it is desirable that the oscillation frequency of the laser 32 is 90 kHz or higher according to the experiments by the inventors.
(欠陥修正のための概略手順)
図1の欠陥修正装置201によるフィルム基板26のパターンに発生した欠陥の修正方法について、図4〜図6のフローチャートを参照し説明する。これらフローチャートに従うプログラムは予めメモリ624に格納されておりCPU622が、メモリ624からプログラムを読出し実行することにより、欠陥修正のための処理が実行される。
(Outline procedure for defect correction)
A method for correcting defects generated in the pattern of the film substrate 26 by the defect correcting apparatus 201 of FIG. 1 will be described with reference to the flowcharts of FIGS. Programs according to these flowcharts are stored in the memory 624 in advance, and the CPU 622 reads out the program from the memory 624 and executes the program to execute defect correction processing.
なお、欠陥修正処理に先立って、欠陥データ643が検出されて、メモリ624に格納されていると想定する。欠陥データ643は、図示しない検査装置により検出されて、工場内のCIM(Computer Integrated Manufacturing)経由など、何らかの手段により制御用コンピュータ35のメモリ624に格納されているものとする。欠陥データ643は、たとえば画像のパターン認識により検出された欠陥部のそれぞれについて、フィルム基板26上の位置を指す位置情報と、当該欠陥部が幅太欠陥、または、欠け欠陥のいずれであるかを指す欠陥種類データとが対応付けされて含まれると想定する。ここで、位置情報は、フィルム基板26上の座標値(X,Y)を用いて指示される。   It is assumed that defect data 643 is detected and stored in the memory 624 prior to the defect correction process. It is assumed that the defect data 643 is detected by an inspection device (not shown) and stored in the memory 624 of the control computer 35 by some means such as via CIM (Computer Integrated Manufacturing) in the factory. The defect data 643 includes, for example, position information indicating the position on the film substrate 26 for each of the defect portions detected by pattern recognition of the image, and whether the defect portion is a wide defect or a chip defect. It is assumed that the defect type data to be pointed is included in association with each other. Here, the position information is indicated using the coordinate values (X, Y) on the film substrate 26.
動作において、まず、CPU622は、欠陥修正装置201に与えられる上述の欠陥データ643をメモリ624から読出す(ステップS3)。   In operation, first, the CPU 622 reads out the above-described defect data 643 given to the defect correcting device 201 from the memory 624 (step S3).
続いて、CPU622は、送り出しロール機構38および巻き取りロール機構39を制御して、フィルム基板26を載置テーブル40に載置するために送り出す。そして、欠陥が観察可能な位置に観察光学系30を移動させる(ステップS7)。具体的には、予め登録された基準マークの位置まで観察光学系30を移動させ、続いて欠陥部に観察光学系30を移動させる。   Subsequently, the CPU 622 controls the delivery roll mechanism 38 and the take-up roll mechanism 39 to send out the film substrate 26 for placement on the placement table 40. Then, the observation optical system 30 is moved to a position where the defect can be observed (step S7). Specifically, the observation optical system 30 is moved to the position of the reference mark registered in advance, and then the observation optical system 30 is moved to the defect portion.
基準マークの位置まで観察光学系30を移動させる場合について説明する。ここで、フィルム基板26の基準マークが流動してくる位置(X方向の座標)のデータは、予めメモリ624に格納されており、CPU622は、X軸テーブル28を、メモリ624から読出した基準マークの位置データに従い移動させる。X軸テーブル28の移動により、観察光学系30は移動し基準マークの位置で停止する。ここで、現在の観察光学系30の座標位置は、X軸テーブル28に組込まれた図示のないリニアスケールにより検出される。制御用コンピュータ35のCPU622は、観察光学系30の検出された現在位置と、基準マークの位置データの座標位置とを比較しながら、比較結果に従いX軸テーブル28を移動させる。これにより、予め登録された基準マークの位置まで観察光学系30を移動させることができる。   A case where the observation optical system 30 is moved to the position of the reference mark will be described. Here, the data of the position (the coordinate in the X direction) where the fiducial mark of the film substrate 26 flows is stored in the memory 624 in advance, and the CPU 622 reads the fiducial mark from the memory 624. It moves according to the position data. As the X-axis table 28 moves, the observation optical system 30 moves and stops at the position of the reference mark. Here, the current coordinate position of the observation optical system 30 is detected by a linear scale (not shown) incorporated in the X-axis table 28. The CPU 622 of the control computer 35 moves the X-axis table 28 according to the comparison result while comparing the current position detected by the observation optical system 30 and the coordinate position of the position data of the reference mark. Thereby, the observation optical system 30 can be moved to the position of the reference mark registered in advance.
CPU622は、次に、送り出しロール機構38および巻き取りロール機構39を制御し、基準マークを観察光学系30で観察可能な位置にまでフィルム基板26を送り出す。具体的には次の手順にしたがう。まず、フィルム基板26を欠陥修正装置201の載置テーブル40に搭載した時に、一度、基準マークを観察光学系30の観察中心(CCDカメラ31の撮像視野の中心)にセットし、この状態で図3に示す巻き取りロール機構39の駆動ロール392に組み込まれたエンコーダ391の値をCPU622が読出し、メモリ624に格納する。ここで、フィルム基板26上に基準マークはY方向に一定間隔で形成されているので、CPU622は、当該一定間隔の値と、駆動ロール392の外径寸法と、エンコーダ391の値とに基づき、基準マークを観察光学系30で観察可能な位置にまで移動させるためのフィルム基板26の巻き取り量を計算することができる。したがって、CPU622は、計算した巻き取り量に基づき送り出しロール機構38および巻き取りロール機構39を制御して、次の基準マークを観察光学系30の観察中心位置に来るように、フィルム基板26を、自動で巻き取ることができる。   Next, the CPU 622 controls the delivery roll mechanism 38 and the take-up roll mechanism 39 to send the film substrate 26 to a position where the reference mark can be observed by the observation optical system 30. Specifically, follow the procedure below. First, when the film substrate 26 is mounted on the mounting table 40 of the defect correcting device 201, the reference mark is once set at the observation center of the observation optical system 30 (the center of the imaging field of view of the CCD camera 31). The CPU 622 reads the value of the encoder 391 incorporated in the drive roll 392 of the take-up roll mechanism 39 shown in FIG. 3 and stores it in the memory 624. Here, since the reference marks are formed on the film substrate 26 at regular intervals in the Y direction, the CPU 622 determines based on the value of the regular intervals, the outer diameter of the drive roll 392, and the value of the encoder 391. The amount of winding of the film substrate 26 for moving the reference mark to a position that can be observed by the observation optical system 30 can be calculated. Therefore, the CPU 622 controls the feed roll mechanism 38 and the take-up roll mechanism 39 based on the calculated winding amount, and the film substrate 26 is moved so that the next reference mark comes to the observation center position of the observation optical system 30. Can be wound automatically.
基準マークを観察中心位置に来るように観察光学系30を移動した後に、欠陥が観察可能な位置に観察光学系30を移動させる。CPU622は、メモリ624から読出した当該基準位置の情報と欠陥データ643が指す欠陥位置の情報とに基づき、観察光学系30を、欠陥部を観察可能なX軸ライン位置へ移動させる。ここで、吸着プレート37で移動しないようにフィルム基板26を固定する。   After moving the observation optical system 30 so that the reference mark comes to the observation center position, the observation optical system 30 is moved to a position where the defect can be observed. The CPU 622 moves the observation optical system 30 to the X-axis line position where the defect portion can be observed based on the reference position information read from the memory 624 and the defect position information indicated by the defect data 643. Here, the film substrate 26 is fixed so as not to move by the suction plate 37.
次に、観察光学系30を、X軸テーブル28を移動させることにより、欠陥が観察できる位置へ移動させる。   Next, the observation optical system 30 is moved to a position where the defect can be observed by moving the X-axis table 28.
観察光学系30を欠陥が観察可能な位置に移動させた後に、欠陥修正が行われる(ステップS9)。欠陥修正の詳細は図5で後述する。   After the observation optical system 30 is moved to a position where the defect can be observed, defect correction is performed (step S9). Details of the defect correction will be described later with reference to FIG.
欠陥の修正が終了すると、CPU622は、メモリ624の欠陥データ643が指す全ての欠陥の修正が終了したか否かを判定する(ステップS11)。欠陥を全て修正したと判定すると(ステップS11でYES)、一連の処理は終了する。修正が終了していないと判定すると(ステップS11でNO)、処理はステップS7に戻り、欠陥データ643に基づき前述のようにフィルム基板26を移動させ、観察光学系30を次の欠陥部を観察可能な位置に移動させた後に、次の欠陥部について欠陥修正を行う。   When the defect correction is completed, the CPU 622 determines whether or not the correction of all the defects indicated by the defect data 643 in the memory 624 is completed (step S11). If it is determined that all the defects have been corrected (YES in step S11), the series of processing ends. If it is determined that the correction has not been completed (NO in step S11), the process returns to step S7, the film substrate 26 is moved as described above based on the defect data 643, and the observation optical system 30 observes the next defect portion. After moving to a possible position, the defect is corrected for the next defective portion.
(欠陥修正の詳細手順)
図5を参照して欠陥修正(ステップS9)について説明する。
(Detailed procedure for defect correction)
Defect correction (step S9) will be described with reference to FIG.
CPU622は、ステップS7で観察光学系30が観察対象としている欠陥部の位置情報に基づき、メモリ624の欠陥データ643を検索し、対応する欠陥種類のデータを読出す。そして、読出した欠陥種類は‘太幅欠陥’および‘欠け欠陥’のいずれを指すかを判定する(ステップS21)。   In step S7, the CPU 622 searches the defect data 643 in the memory 624 based on the position information of the defect portion to be observed by the observation optical system 30 and reads the data of the corresponding defect type. Then, it is determined whether the read defect type indicates a 'thick defect' or a 'missing defect' (step S21).
‘太幅欠陥’を指すと判定されると、図6に示す後述のレーザ除去処理(ステップS23)が行われる。具体的には、レーザ32からレーザ光を欠陥部に照射することにより、欠陥部のパターンを除去して修正する。この時、レーザ光は、アッテネータ50で適切なパワーにコントロールされ、光路はガルバノスキャナ51によりXY方向に制御されて、フィルム基板26表面のレーザ光の照射位置がXY方向に制御される。このようなガルバノスキャナ51の光路の制御により必要な部分のみXY方向にレーザ光が走査されながら照射される。この状態で、フィルム基板26にダメージを与えないように、予め条件出しされた条件に従い、複数回に分けてZ軸テーブル27を下降させながら欠陥部分の除去を行なう。その後、処理は元の処理に戻る。   If it is determined that it points to the 'thick defect', a laser removal process (step S23) described later shown in FIG. 6 is performed. Specifically, the pattern of the defect portion is removed and corrected by irradiating the defect portion with laser light from the laser 32. At this time, the laser light is controlled to an appropriate power by the attenuator 50, the optical path is controlled in the XY direction by the galvano scanner 51, and the irradiation position of the laser light on the surface of the film substrate 26 is controlled in the XY direction. By controlling the optical path of the galvano scanner 51, only a necessary portion is irradiated while being scanned in the X and Y directions. In this state, in order not to damage the film substrate 26, the defective portion is removed while lowering the Z-axis table 27 in a plurality of times in accordance with conditions set in advance. Thereafter, the process returns to the original process.
ここで、ガルバノスキャナ51の走査量(駆動角度)と、フィルム基板26上でのレーザ光の走査量の関係は、レーザ光が通る観察光学系30との関係で決まる。観察光学系30のCCDカメラ31によって取得された欠陥部の画像データに従う画像は、制御コンピュータ35のディスプレイ610に表示される。オペレータは、画像をモニタしながら、どの位置にレーザ光を照射するかを確認した上で、操作パネル36を操作してディスプレイ610の画面上でレーザ照射範囲を指定し入力する。指定入力された位置(欠陥部位置)データは、CPU622により読取られて、CPU622は読取った位置データを、所定手順に従いフィルム基板26上のXY座標の位置データに変換し、変換後のXY座標位置データが指す位置にレーザ光が照射されるように、ガルバノスキャナ51を制御する。   Here, the relationship between the scanning amount (driving angle) of the galvano scanner 51 and the scanning amount of the laser light on the film substrate 26 is determined by the relationship with the observation optical system 30 through which the laser light passes. An image according to the image data of the defect acquired by the CCD camera 31 of the observation optical system 30 is displayed on the display 610 of the control computer 35. The operator confirms which position is irradiated with the laser beam while monitoring the image, and then operates the operation panel 36 to designate and input the laser irradiation range on the screen of the display 610. The designated and input position (defective portion position) data is read by the CPU 622, and the CPU 622 converts the read position data into XY coordinate position data on the film substrate 26 according to a predetermined procedure, and the converted XY coordinate position. The galvano scanner 51 is controlled so that the position indicated by the data is irradiated with the laser beam.
‘欠け欠陥’を指すと判定されると、処理はステップS25に移行する。ステップS25では、欠け欠陥102の欠け部分にペースト塗布機構25を用いて金属ペーストを塗布する。ペースト塗布時には、オペレータは、画像をモニタしながら、どの位置にペーストを塗布するかを確認した上で、操作パネル36を操作してディスプレイ610の画面上で塗布範囲を指定し入力する。指定入力された位置(欠陥部位置)データは、CPU622により読取られて、CPU622は読取った位置データを、所定手順に従いフィルム基板26上のXY座標の位置データに変換し、変換後のXY座標位置データに従いX軸テーブル28とY軸テーブル29を移動させて、ペースト塗布機構25を欠陥部にまで移動させる。これにより、欠陥の位置にペーストを塗布することが可能となる。ペースト塗布機構25によるペースト塗布の詳細については後述する。   If it is determined that it indicates a “missing defect”, the process proceeds to step S25. In step S <b> 25, a metal paste is applied to the chipped portion of the chipped defect 102 using the paste coating mechanism 25. At the time of applying the paste, the operator confirms where the paste is applied while monitoring the image, and then operates the operation panel 36 to designate and input the application range on the screen of the display 610. The designated and input position (defective portion position) data is read by the CPU 622, and the CPU 622 converts the read position data into XY coordinate position data on the film substrate 26 according to a predetermined procedure, and the converted XY coordinate position. The X-axis table 28 and the Y-axis table 29 are moved according to the data, and the paste application mechanism 25 is moved to the defective portion. This makes it possible to apply the paste at the position of the defect. Details of paste application by the paste application mechanism 25 will be described later.
続いて、塗布したペーストをペースト焼成機構33(ペースト焼成機構33には、ハロゲンランプまたは半導体レーザ、CO2レーザ(炭酸ガスレーザ)などが用いられる)により加熱して焼成し硬化させる(ステップS27)。焼成後の画像を確認し、正常なパターンの線幅に修正されたと判断されると(ステップS29でNO)、処理は元の処理に戻る。   Subsequently, the applied paste is heated and baked and cured by a paste baking mechanism 33 (a halogen lamp, a semiconductor laser, a CO2 laser (carbon dioxide laser) or the like is used for the paste baking mechanism 33) (step S27). After confirming the image after firing and determining that the line width of the normal pattern has been corrected (NO in step S29), the process returns to the original process.
画像を確認しペーストを塗布し焼成した部分が正常なパターンの線幅より太くなってしまい不要な部分を除去することで整形が必要な場合は(ステップS29でYES)、オペレータは操作パネル36から指示を入力する。CPU622は、入力指示に従う指示信号に基づきレーザ32によるレーザ光の照射およびガルバノスキャナ51を制御し、整形が必要な部分に幅太欠陥101の場合(ステップS23)と同様に、レーザ光を走査しながら照射することにより修正する(ステップS31)。その後、処理は元の処理に戻る。   If the image is checked, the paste is applied, and the fired portion becomes thicker than the line width of the normal pattern and the unnecessary portion is removed so that shaping is necessary (YES in step S29), the operator uses the operation panel 36. Enter instructions. The CPU 622 controls the irradiation of the laser beam by the laser 32 and the galvano scanner 51 on the basis of the instruction signal in accordance with the input instruction, and scans the laser beam in the same manner as in the case of the thick defect 101 (step S23) in the portion that needs to be shaped. It corrects by irradiating it (step S31). Thereafter, the process returns to the original process.
(レーザ照射の詳細手順)
ステップS31およびステップS23のパターンを除去(整形)するためにレーザ光を照射する工程について、図6のフローチャートを参照し説明する。
(Detailed procedure of laser irradiation)
The step of irradiating with laser light to remove (shape) the patterns in step S31 and step S23 will be described with reference to the flowchart of FIG.
レーザ光の照射はフィルム基板26にダメージを与えないように、所定条件に従い、複数回(ここでは、N(≧2)回)に分けて、Z軸テーブル27をフィルム基板26表面の方向に下降させながら、レーザ光を照射する。なお、上述の所定条件は、フィルム基板26上に形成されたパターンの種類により異なる。メモリ624には、パターンの種類毎に、対応の所定条件のデータが予め格納される。   In order not to damage the film substrate 26 by the laser light irradiation, the Z-axis table 27 is lowered in the direction of the surface of the film substrate 26 in a plurality of times (here, N (≧ 2) times) according to a predetermined condition. While irradiating, laser light is irradiated. The predetermined condition described above varies depending on the type of pattern formed on the film substrate 26. In the memory 624, data of a predetermined condition corresponding to each pattern type is stored in advance.
動作において、CPU622は、オペレータが入力部700から入力したパターンの種類に基づき、メモリ624を検索して対応する所定条件を読出し、読出した所定条件に従い、上述のN回を決定する(ステップS31)。この決定の詳細手順は後述する。   In operation, the CPU 622 searches the memory 624 based on the type of pattern input by the operator from the input unit 700, reads the corresponding predetermined condition, and determines the above N times according to the read predetermined condition (step S31). . The detailed procedure for this determination will be described later.
続いて、フロー制御のための一時変数nに0を設定する(ステップS33)。その後は、変数nの値を1ずつインクリメントしながら(ステップS35)、(n>N)の条件が成立するかを判定する(ステップS39)。成立しないと判定される間は(ステップS39でNO)、変数nが1インクリメントされる毎に、Z軸テーブル27をフィルム基板26の方向に所定距離だけ下降さ(ステップS41)、レーザ32によるレーザ照射をXY方向に走査しながら行う(ステップS37)。(n>N)の条件が成立したと判定されると(ステップS39でYES)、レーザ除去の処理は終了し、元の処理に戻る。   Subsequently, 0 is set to a temporary variable n for flow control (step S33). Thereafter, while incrementing the value of the variable n by 1 (step S35), it is determined whether or not the condition of (n> N) is satisfied (step S39). While it is determined that the condition is not satisfied (NO in step S39), every time the variable n is incremented by 1, the Z-axis table 27 is lowered by a predetermined distance in the direction of the film substrate 26 (step S41), and the laser 32 is used. Irradiation is performed while scanning in the XY directions (step S37). If it is determined that the condition (n> N) is satisfied (YES in step S39), the laser removal process ends and the process returns to the original process.
ここで、N回を決定するための所定条件は、レーザ32の照射パワーを決定するアッテネータ50の設定値(アッテネータ50の制御によるレーザ光出力の決定)、フィルム基板26上のレーザ集光径(後述の集光スポット322の径)、レーザ光照射時の走査速度を決定するガルバノスキャナ51の駆動速度、レーザ光照射時の走査回数(Z方向における同じ高さ位置でのXY方向のスキャン回数)、Z方向のレーザ32の移動量を含む。所定条件は、フィルム基板26上に形成されたパターンの種類により異なるため、パターンの種類毎に予め条件の検出が必要とされる。パターンの種類毎に検出した条件に従い、レーザ32を駆動制御し、レーザ光を照射して各パターンをカットする。なお、パターンの種類はパターンの材料などにより決定される。N回を決定するための上述の所定条件のデータはパターンの種類毎に予め実験などにより検出される。   Here, the predetermined conditions for determining N times are the set value of the attenuator 50 for determining the irradiation power of the laser 32 (determination of the laser light output by the control of the attenuator 50), the laser focused diameter on the film substrate 26 ( The diameter of the focused spot 322 described later), the driving speed of the galvano scanner 51 that determines the scanning speed at the time of laser light irradiation, the number of scans at the time of laser light irradiation (the number of scans in the XY directions at the same height position in the Z direction) , Including the amount of movement of the laser 32 in the Z direction. Since the predetermined condition differs depending on the type of pattern formed on the film substrate 26, it is necessary to detect the condition in advance for each type of pattern. The laser 32 is driven and controlled according to the conditions detected for each type of pattern, and each pattern is cut by irradiating the laser beam. The type of pattern is determined by the pattern material and the like. The data of the above-described predetermined condition for determining N times is detected in advance by experiments or the like for each pattern type.
ここでは、Z軸テーブル27をN回に分けてZ方向にフィルム基板26表面へ向けて下降させているが、N回で下降させるべきトータル距離は、フィルム基板26上に形成されたパターンの厚さにより一意に決まる。   Here, the Z-axis table 27 is divided N times and lowered toward the surface of the film substrate 26 in the Z direction, but the total distance to be lowered N times is the thickness of the pattern formed on the film substrate 26. It is uniquely determined by the size.
具体的には、欠陥部分は、正常な部分の膜厚(パターンの厚さ)よりも厚くなっている場合があるので、オペレータはディスプレイ610で欠陥部の画像をモニタしながら、操作パネル36を操作し、まず、フィルム基板26の表面位置(Z方向位置)に、観察光学系30の画像フォーカスを合わせることで欠陥部を確認する。その後、同様にモニタしながら欠陥部表面に画像フォーカスを合わせるように、操作パネル36を操作し、Z軸テーブル27をZ方向に移動させることにより、観察光学系30をZ方向に従って移動させる。観察光学系30を移動させながら、欠陥部をモニタ確認する。オペレータは、欠陥部表面において合焦を確認したならば、Z軸テーブル27の移動を停止する。これにより、観察光学系30の移動も停止する。そして、このZ軸テーブル27の停止位置から、フィルム基板26の表面位置までのZ方向に従った距離が、N回に分けて下降させるべきトータル距離と等しくなる。したがって、上述の所定距離は、このトータル距離をNで除した値となる。   Specifically, since the defective part may be thicker than the film thickness (pattern thickness) of the normal part, the operator monitors the operation panel 36 while monitoring the image of the defective part on the display 610. In operation, first, the defect portion is confirmed by adjusting the image focus of the observation optical system 30 to the surface position (Z direction position) of the film substrate 26. Thereafter, the observation optical system 30 is moved in the Z direction by operating the operation panel 36 and moving the Z-axis table 27 in the Z direction so as to focus the image focus on the surface of the defective portion while monitoring in the same manner. While moving the observation optical system 30, the defect is monitored and confirmed. The operator stops the movement of the Z-axis table 27 when the in-focus state is confirmed on the surface of the defective portion. Thereby, the movement of the observation optical system 30 is also stopped. The distance in the Z direction from the stop position of the Z-axis table 27 to the surface position of the film substrate 26 is equal to the total distance to be lowered in N times. Therefore, the above-mentioned predetermined distance is a value obtained by dividing the total distance by N.
なお、より精度良くZ方向の移動を制御する方法としては、欠陥部の高さをレーザ変位計で測定し、その測定結果に基づき、Z方向に下降させる方法であってもよい。   In addition, as a method of controlling the movement in the Z direction with higher accuracy, a method of measuring the height of the defective portion with a laser displacement meter and lowering in the Z direction based on the measurement result may be used.
(ペースト塗布の詳細手順)
図7を参照して、ステップS25におけるペースト塗布機構25を用いたペースト塗布について説明する。
(Detailed procedure for applying paste)
With reference to FIG. 7, the paste application | coating using the paste application | coating mechanism 25 in step S25 is demonstrated.
X軸テーブル28とY軸テーブル29の移動により欠陥部の上には図7のペースト塗布機構25が位置する。ペースト塗布時には、図7の塗布針1の先端にペーストを付着させ、欠陥部に塗布針1の先端を接触させることで、ペーストを欠陥部に転写塗布する。   The paste application mechanism 25 shown in FIG. 7 is positioned on the defective portion by the movement of the X-axis table 28 and the Y-axis table 29. At the time of applying the paste, the paste is attached to the tip of the application needle 1 in FIG. 7 and the tip of the application needle 1 is brought into contact with the defective portion, whereby the paste is transferred and applied to the defective portion.
ペースト塗布機構25は、塗布針1を上下方向にCPU622からの指示信号に従い駆動する塗布針駆動シリンダ2の駆動軸3に、塗布針1を保持する保持部材4を有する。また、塗布針駆動シリンダ2と隣接して、塗布針1にペーストを供給するための回転テーブル10が搭載され、回転テーブル10には、ペーストを収容するペーストポット13〜16が設置されている。その他、回転テーブル10には、塗布針1に付着したペーストを洗浄するための洗浄装置17、エアパージ装置18が設置されている。そして、回転テーブル10には、塗布針1が貫通するための切欠部12が形成されている。回転テーブル10は、回転軸11を介してモータ21と連結されており、CPU622からの指示信号に従うモータ21の回転に連動して回転可能となっている。回転軸11には、モータ21の回転位置を検出するためのインデック板22が付いており、原点復帰用センサ24でモータ21の原点位置を検出し、インデックス用センサ23で、モータ21の各位置へのインデックス状態を検出することができる。検出結果は、CPU622に与えられるので、CPU622は入力する検出結果に基づき指示信号を出力する。   The paste application mechanism 25 has a holding member 4 that holds the application needle 1 on a drive shaft 3 of an application needle drive cylinder 2 that drives the application needle 1 in the vertical direction in accordance with an instruction signal from the CPU 622. Further, a rotary table 10 for supplying paste to the application needle 1 is mounted adjacent to the application needle drive cylinder 2, and paste pots 13 to 16 for storing the paste are installed on the rotary table 10. In addition, the rotary table 10 is provided with a cleaning device 17 and an air purge device 18 for cleaning the paste adhering to the application needle 1. The rotary table 10 has a notch 12 through which the application needle 1 passes. The rotary table 10 is connected to the motor 21 via the rotary shaft 11 and can rotate in conjunction with the rotation of the motor 21 in accordance with an instruction signal from the CPU 622. The rotary shaft 11 is provided with an index plate 22 for detecting the rotational position of the motor 21. The origin return sensor 24 detects the origin position of the motor 21, and the index sensor 23 detects each position of the motor 21. The index status to can be detected. Since the detection result is given to the CPU 622, the CPU 622 outputs an instruction signal based on the input detection result.
ペースト塗布時には、モータ21により回転テーブル10が駆動され、塗布するべきペーストが収容されたペーストポットが塗布針1の直下に位置決めされる。この状態で、塗布針駆動シリンダ2により塗布針1は下降し、位置決めされたペーストポット内のペーストに浸漬され、再び上昇し、ペーストポットから塗布針1が抜かれる。この時、塗布針1の先端にはペーストが付着している。   At the time of applying the paste, the rotary table 10 is driven by the motor 21, and the paste pot containing the paste to be applied is positioned immediately below the application needle 1. In this state, the application needle 1 is lowered by the application needle drive cylinder 2, is immersed in the paste in the positioned paste pot, rises again, and the application needle 1 is removed from the paste pot. At this time, the paste is attached to the tip of the application needle 1.
次に、回転テーブル10が回転され、塗布針1の直下に切欠部12が位置決めされる。そして、塗布針1が塗布針駆動用シリンダ2で下降され、塗布針1の先端が位置決めされた切欠部12を通過して、欠陥部に接触し、その結果、ペーストが欠陥部に塗布される。   Next, the rotary table 10 is rotated, and the notch 12 is positioned immediately below the application needle 1. Then, the application needle 1 is lowered by the application needle driving cylinder 2 and passes through the notched part 12 where the tip of the application needle 1 is positioned to come into contact with the defective part. As a result, the paste is applied to the defective part. .
上記塗布後、次の欠陥部に対して異なる種類のペーストを塗布する場合には、塗布針1に付着したペーストを洗浄する。洗浄する場合には、塗布針1の直下に洗浄装置17が位置決めされ、塗布針1が位置決めされた洗浄装置17に挿入され洗浄が行われる。その後、塗布針1の直下にエアパージ装置18が位置決めされ、塗布針1が位置決めされたエアパージ装置18内に挿入され乾燥が行われ塗布針1の洗浄が完了する。その後、塗布針1は次に塗布すべき種類のペーストが収容されるペーストポットに挿入されペーストに塗布針1の先端が浸漬し、次の欠陥部に対してペースト塗布が行われる。   When different types of paste are applied to the next defective portion after the application, the paste attached to the application needle 1 is washed. In the case of cleaning, the cleaning device 17 is positioned immediately below the application needle 1 and is inserted into the cleaning device 17 in which the application needle 1 is positioned for cleaning. Thereafter, the air purge device 18 is positioned immediately below the application needle 1 and is inserted into the air purge device 18 in which the application needle 1 is positioned, and drying is performed to complete the cleaning of the application needle 1. Thereafter, the application needle 1 is inserted into a paste pot in which the type of paste to be applied next is stored, and the tip of the application needle 1 is immersed in the paste, and the paste is applied to the next defective portion.
なお、連続して同じ種類のペーストを塗布する場合は、塗布針1は、ペースト塗布動作終了後、塗布したペーストが収容されるペースト容器に挿入されペーストに塗布針1の先端が浸漬した状態で待機し、塗布針1の先端に付着したペーストが乾燥しないようになっている。   In addition, when applying the same kind of paste continuously, the application needle 1 is inserted into a paste container in which the applied paste is accommodated after the paste application operation is completed, and the tip of the application needle 1 is immersed in the paste. It waits and the paste adhering to the front-end | tip of the application needle | hook 1 is prevented from drying.
(レーザ照射の手順)
図8〜図10を参照して、レーザ32から照射されるレーザ光321を用いたパターン除去について説明する。
(Laser irradiation procedure)
With reference to FIGS. 8 to 10, pattern removal using laser light 321 emitted from the laser 32 will be described.
図8は、一部省略したレーザ光321の光路図である。まず、図8を参照して、レーザ光321の光路について説明する。レーザ32から出射された平行光のレーザ光321は、アッテネータ50でパワーコントロールされ、ガルバノスキャナ51のガルバノミラー56で、XY方向に走査されて導出される。導出されされたレーザ光321はミラー52に入射し、ここで反射されて、その後、ダイクロイックミラー53に入射する。ミラー52の方向からダイクロイックミラー53に入射したレーザ光321は、全て反射されて、対物レンズ54に入射する。対物レンズ54に入射したレーザ光321は対物レンズ54により集光されてフィルム基板26に照射される。   FIG. 8 is an optical path diagram of the laser light 321 that is partially omitted. First, the optical path of the laser beam 321 will be described with reference to FIG. The parallel laser beam 321 emitted from the laser 32 is power-controlled by the attenuator 50 and is derived by being scanned in the XY directions by the galvano mirror 56 of the galvano scanner 51. The derived laser light 321 enters the mirror 52, is reflected here, and then enters the dichroic mirror 53. All the laser light 321 incident on the dichroic mirror 53 from the direction of the mirror 52 is reflected and incident on the objective lens 54. The laser beam 321 incident on the objective lens 54 is condensed by the objective lens 54 and irradiated onto the film substrate 26.
レーザ光321は、ガルバノスキャナ51を制御することにより、フィルム基板26表面の欠陥部分で、数百μm角の範囲で任意の形状にXY方向に走査可能である。したがって、幅太欠陥101の形状に合わせて不要なパターン部分を除去することができる。   By controlling the galvano scanner 51, the laser beam 321 can be scanned in an XY direction in an arbitrary shape within a range of several hundred μm square at a defective portion on the surface of the film substrate 26. Therefore, unnecessary pattern portions can be removed in accordance with the shape of the wide defect 101.
次に、上述の光路を経由してフィルム基板26上に集光されるレーザ光321によるパターン除去について説明する。   Next, the pattern removal by the laser beam 321 condensed on the film substrate 26 via the above optical path will be described.
図9には、フィルム基板26上の電磁波シールドパターン100の幅太欠陥101に、レーザ光321が集光している状態が示される。図9のレーザ光321が集光している部分200が図10(a)〜(c)に拡大して示される。   FIG. 9 shows a state where the laser beam 321 is focused on the thick defect 101 of the electromagnetic wave shield pattern 100 on the film substrate 26. A portion 200 where the laser beam 321 in FIG. 9 is condensed is shown enlarged in FIGS. 10 (a) to 10 (c).
前述したように、発振パルス幅が500fs以下のレーザ32による除去加工においては、加工対象であるパターン100に格子振動による熱が発生する前に、加工対象をアブレーションにより除去することができるため、加工による温度上昇の少ない加工が可能である。また、レーザ32でのカットにおいては、多光子吸収によりレーザ光321が集光された焦点部分のみで光との反応が局所的に発生するため、パターン100の膜厚方向(Z方向)に対して数μmの部分のみ除去することが可能である。   As described above, in the removal processing using the laser 32 having an oscillation pulse width of 500 fs or less, the processing target can be removed by ablation before heat generated by lattice vibration is generated in the pattern 100 to be processed. It is possible to process with little temperature rise. Further, in the cutting with the laser 32, the reaction with the light is locally generated only at the focal point where the laser beam 321 is condensed by multiphoton absorption, so that the film thickness direction (Z direction) of the pattern 100 is reduced. It is possible to remove only a few μm.
この加工特性を活かし、図10(a)〜(c)に示すように、電磁波シールドパターン100の表面にレーザ光321を照射し集光スポット322を形成する。レーザ照射時には、集光スポット322の照射位置を、Z方向に従い欠陥部表面位置からフィルム基板26の表面に至るまで鉛直に上述のN回に分けて降下するように変化させながら、各回において欠陥部表面の集光スポット322をXY方向に変化させる。これにより、各回において、XYZの各方向に、欠陥部のパターンがプラズマ蒸散されて除去される。このとき、レーザ光321を照射しているにもかかわらず、フィルム基板26の温度上昇を少なくできて極力ダメージを与えずに欠陥部分のみをカット除去することが可能となる(13(b)参照)。   Taking advantage of this processing characteristic, as shown in FIGS. 10A to 10C, the surface of the electromagnetic wave shield pattern 100 is irradiated with a laser beam 321 to form a focused spot 322. At the time of laser irradiation, while changing the irradiation position of the condensing spot 322 from the surface of the defect portion to the surface of the film substrate 26 according to the Z direction, the defect portion is changed at each time while changing so as to fall in N times as described above. The focused spot 322 on the surface is changed in the XY directions. Thereby, in each time, the pattern of the defective part is removed by plasma evaporation in each direction of XYZ. At this time, although the laser beam 321 is irradiated, it is possible to reduce the temperature rise of the film substrate 26 and cut and remove only the defective portion without damaging as much as possible (see 13 (b)). ).
図10(a)〜(c)の図中の矢印は、レーザ光321の走査方向を指し、走査方向は、ガルバノスキャナ51により制御されるXYの2次元方向である。なお、観察光学系30をZ軸の同じ位置において、複数回走査させてもよい。   The arrows in FIGS. 10A to 10C indicate the scanning direction of the laser light 321, and the scanning direction is an XY two-dimensional direction controlled by the galvano scanner 51. Note that the observation optical system 30 may be scanned a plurality of times at the same position on the Z axis.
ここで、n回目のレーザ光321の照射を終了するタイミングは、特に限定されないが、たとえば、CPU622がZ方向に従う観察光学系30の移動開始の指示信号を出力するタイミングに対応し、(n+1)回目の照射を開始するタイミングは、CPU622が、Z方向に従う観察光学系30の移動完了信号を検出するタイミングに対応する、としてもよい。   Here, the timing of ending the n-th irradiation of the laser beam 321 is not particularly limited. For example, it corresponds to the timing when the CPU 622 outputs a movement start instruction signal of the observation optical system 30 according to the Z direction, and (n + 1) The timing at which the second irradiation is started may correspond to the timing at which the CPU 622 detects a movement completion signal of the observation optical system 30 in the Z direction.
(実施の形態2)
図11は、本実施形態2における微細パターンの欠陥修正装置202の構成が示される。図11の欠陥修正装置202と、図1の欠陥修正装置201とを比較し異なる点は、図1の欠陥修正装置201では、Y軸テーブル29にX軸テーブル28が搭載されていたが、図11の欠陥修正装置202では、Z軸テーブル27にY軸テーブル29を搭載し、このY軸テーブル29にペースト塗布機構25が搭載されている点である。欠陥修正装置202のX軸テーブル28は欠陥修正装置201のそれと同様にZ軸テーブル27を搭載する。欠陥修正装置202の他の構成は、欠陥修正装置201の構成と同じである。
(Embodiment 2)
FIG. 11 shows the configuration of a fine pattern defect correction apparatus 202 according to the second embodiment. 11 differs from the defect correction apparatus 201 of FIG. 1 in that the X-axis table 28 is mounted on the Y-axis table 29 in the defect correction apparatus 201 of FIG. 11, the Y-axis table 29 is mounted on the Z-axis table 27, and the paste application mechanism 25 is mounted on the Y-axis table 29. The X-axis table 28 of the defect correction device 202 is equipped with the Z-axis table 27 as in the defect correction device 201. Other configurations of the defect correcting device 202 are the same as the configurations of the defect correcting device 201.
欠陥修正装置202を用いたペースト塗布時には、ペースト塗布機構25を備える修正ヘッド全体を、X軸テーブル28で移動させ、ペースト塗布機構25をY軸テーブル29の移動に連動して移動させることで、図1の欠陥修正装置201と同様に、欠陥の任意の位置にペーストを塗布することが可能である。従って、図1の欠陥修正装置201と同様に、フィルム基板26上に形成された電磁波シールドパターン100における幅太欠陥101、欠け欠陥102を修正することが可能である。   During paste application using the defect correction device 202, the entire correction head including the paste application mechanism 25 is moved by the X-axis table 28, and the paste application mechanism 25 is moved in conjunction with the movement of the Y-axis table 29. Similar to the defect correction apparatus 201 of FIG. 1, it is possible to apply paste at an arbitrary position of a defect. Accordingly, it is possible to correct the wide defect 101 and the chip defect 102 in the electromagnetic wave shield pattern 100 formed on the film substrate 26 as in the defect correcting device 201 of FIG.
(実施の形態3)
図12には、本実施形態3における微細パターンの欠陥修正装置203の構成が示される。図12の欠陥修正装置203と、図1の欠陥修正装置201とを比較し異なる点は、修正対象とする電磁波シールドパターン100が形成されるフィルム基板26として、ロール形態ではなく、フラットなシート形態となった状態のフィルム基板26を対象とすることである。本実施の形態では、欠陥修正時にはY軸テーブル29上にフィルム基板26が載置される。したがって、図12の欠陥修正装置203には、ロール送り出し機構38およびロール巻き取り機構39は搭載されない。他の構成は、欠陥修正装置201のそれと同様である。
(Embodiment 3)
FIG. 12 shows the configuration of a fine pattern defect correcting apparatus 203 according to the third embodiment. 12 differs from the defect correction apparatus 201 of FIG. 1 in that the film substrate 26 on which the electromagnetic wave shielding pattern 100 to be corrected is formed is not a roll form but a flat sheet form. It is intended to target the film substrate 26 in the state. In the present embodiment, the film substrate 26 is placed on the Y-axis table 29 at the time of defect correction. Therefore, the roll feeding mechanism 38 and the roll winding mechanism 39 are not mounted on the defect correcting device 203 of FIG. Other configurations are the same as those of the defect correction apparatus 201.
図12の欠陥修正装置203は、欠陥部をカットするためのレーザ光321を照射するレーザ32および欠陥部の観察を可能とする観察光学系30を備える。観察光学系30は、レーザ32から出射されたレーザ光321のパワーコントロールを行なう、図示しないアッテネータ50と、レーザ光321をXY方向に走査する、図示しないガルバノスキャナ51を有する。欠陥修正装置203は、フィルム基板26表面で反射した光を受光し、受光信号を画像を指す電気信号に変換して出力する観察部に対応のCCDカメラ31、欠陥部にペーストを塗布するペースト塗布機構25、およびペースト塗布機構25で塗布したペーストを乾燥または焼成することにより硬化させるペースト焼成機構33を含む修正ヘッド部を備える。欠陥修正装置203は、さらに、この修正ヘッド部およびレーザ32を搭載し、被修正対象であるフィルム基板26の表面に対してZ方向に移動可能とするZ軸テーブル27、Z軸テーブル27を搭載し、X方向に移動可能とするX軸テーブル28、フィルム基板26を搭載し、X方向と直交するY方向に移動可能とするY軸テーブル29、Y軸テーブル29に搭載され、フィルム基板26をY軸テーブル29に固定するための吸着プレート37、これら各部の駆動制御を行なう制御コンピュータ35、制御コンピュータ35に指令を入力する操作パネル36、および図示しない画像処理装置を備える。ここでは、Y軸テーブル29が、フィルム基板26を載置する載置テーブル40に対応する。   The defect correction apparatus 203 in FIG. 12 includes a laser 32 that emits laser light 321 for cutting a defective portion, and an observation optical system 30 that enables observation of the defective portion. The observation optical system 30 includes an attenuator 50 (not shown) that controls the power of the laser beam 321 emitted from the laser 32, and a galvano scanner 51 (not shown) that scans the laser beam 321 in the XY directions. The defect correction device 203 receives light reflected from the surface of the film substrate 26, converts the received light signal into an electrical signal indicating an image, and outputs the CCD camera 31 corresponding to the observation unit, and paste application that applies paste to the defect portion. A correction head unit including a mechanism 25 and a paste baking mechanism 33 that cures the paste applied by the paste application mechanism 25 by drying or baking. The defect correcting device 203 is further mounted with a Z-axis table 27 and a Z-axis table 27 that are mounted with the correction head unit and the laser 32 and are movable in the Z direction with respect to the surface of the film substrate 26 to be corrected. The X-axis table 28 and the film substrate 26 that are movable in the X direction are mounted, and the Y-axis table 29 and the Y-axis table 29 that are movable in the Y direction orthogonal to the X direction are mounted. A suction plate 37 for fixing to the Y-axis table 29, a control computer 35 for controlling the driving of these units, an operation panel 36 for inputting commands to the control computer 35, and an image processing device (not shown) are provided. Here, the Y-axis table 29 corresponds to the mounting table 40 on which the film substrate 26 is mounted.
図12の欠陥修正装置203では、フィルム基板26に形成された基準マークを基に、修正ヘッド部を、X軸テーブル28およびY軸テーブル29の移動により欠陥位置へ移動させる。欠陥修正装置201および202と同様に、幅太欠陥101および欠け欠陥102の修正が可能である。   In the defect correction device 203 of FIG. 12, the correction head unit is moved to the defect position by the movement of the X axis table 28 and the Y axis table 29 based on the reference mark formed on the film substrate 26. Similar to the defect correction apparatuses 201 and 202, the wide defect 101 and the chip defect 102 can be corrected.
各実施の形態に係る微細パターンの欠陥修正装置201〜203によれば、フェトム秒レーザ32からのレーザ光321の照射による欠陥部表面における集光スポット322の位置を、欠陥部表面位置からフィルム基板26表面に対して鉛直方向に精密にZ軸テーブル27の移動によるN回に分けて徐々に下降させる位置制御が可能な構成としている。これにより、フィルム基板26にダメージを与えない高品位な欠陥部除去を可能としている。また、欠け欠陥部へペーストを塗布し、焼成した後に整形する必要が生じた場合でも、レーザ32を用いて除去することが可能であり、従来と比較して高品位な修正が可能である。   According to the fine pattern defect correcting apparatuses 201 to 203 according to the respective embodiments, the position of the condensing spot 322 on the surface of the defect portion due to the irradiation of the laser beam 321 from the femtosecond laser 32 is changed from the position of the defect portion surface to the film substrate. 26, the position can be controlled to be gradually lowered N times by moving the Z-axis table 27 precisely in the vertical direction with respect to the surface. This enables high-quality defect removal without damaging the film substrate 26. Moreover, even when it becomes necessary to apply the paste to the chipped defect portion and form it after firing, it can be removed using the laser 32, and a high-quality correction can be made as compared with the conventional case.
各実施の形態では、PDPの電磁波シールドのフィルム基板26上に形成されたパターンの欠陥修正について説明したが、これに限らず、今後、フィルム基板化が進むと思われる、太陽電池やフラットパネルディスプレイの電極パターンの修正にも欠陥修正装置201〜203と修正方法の適用が可能である。   In each of the embodiments, the defect correction of the pattern formed on the film substrate 26 of the electromagnetic wave shield of the PDP has been described. However, the present invention is not limited to this, and a solar cell or a flat panel display that is expected to become a film substrate in the future. The defect correction apparatuses 201 to 203 and the correction method can be applied to the correction of the electrode pattern.
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
25 ペースト塗布機構、26 フィルム基板、27 X軸テーブル、28 Y軸テーブル、29 Z軸テーブル、30 観察光学系、31 CCDカメラ、32 レーザ、33 ペースト焼成機構、35 制御用コンピュータ、50 アッテネータ、100 パターン、101 幅太欠陥、102 欠け欠陥、201,202,203 欠陥修正装置、321 レーザ光。   25 paste application mechanism, 26 film substrate, 27 X-axis table, 28 Y-axis table, 29 Z-axis table, 30 observation optical system, 31 CCD camera, 32 laser, 33 paste firing mechanism, 35 control computer, 50 attenuator, 100 Pattern, 101 wide defect, 102 chip defect, 201, 202, 203 defect correction device, 321 laser beam.

Claims (10)

  1. フェトム秒単位のパルス幅を有したレーザ光を出射するレーザ部と、
    前記レーザ光の光軸が直交する面を有する樹脂基板の前記面の上に金属材料で形成されたパターンの欠陥部を修正する修正部と、を備え、
    前記修正部は、
    前記欠陥部の表面と前記光軸とが直交するように前記レーザ光を前記欠陥部に照射するレーザ照射部と、
    前記レーザ照射部による前記レーザ光の照射位置を、前記表面において前記光軸と直交する第1軸が延びる方向と当該光軸および前記第1軸のそれぞれと直交する第2軸が延びる方向とに可変としながら、且つ当該照射位置を前記光軸に沿って前記欠陥部の表面から前記樹脂基板の面に至るまで複数回に分けて可変としながら、前記レーザ光を照射する照射位置可変部と、を含む、欠陥修正装置。
    A laser unit that emits laser light having a pulse width in femtosecond units;
    A correction portion for correcting a defect portion of a pattern formed of a metal material on the surface of the resin substrate having a surface in which the optical axis of the laser beam is orthogonal, and
    The correction unit is
    A laser irradiation unit that irradiates the defect part with the laser beam so that the surface of the defect part and the optical axis are orthogonal;
    The irradiation position of the laser beam by the laser irradiation unit is set so that a first axis perpendicular to the optical axis extends on the surface and a second axis perpendicular to the optical axis and the first axis extends. An irradiation position variable portion that irradiates the laser light while being variable and variable in a plurality of times from the surface of the defect portion to the surface of the resin substrate along the optical axis. Including a defect correcting device.
  2. 前記樹脂基板は、ロール状に収容可能な薄膜の樹脂基板であって、
    前記欠陥修正装置は、
    前記欠陥部を修正するために前記樹脂基板が載置される載置テーブルと、
    前記ロール状に巻かれた前記樹脂基板を、巻きを解きながら前記テーブルに送りだす送り出し部と、
    送り出されることにより前記テーブルを通過した前記樹脂基板を巻き取りながら前記ロール状に収容する巻き取り部とを、さらに備える請求項1に記載の欠陥修正装置。
    The resin substrate is a thin film resin substrate that can be accommodated in a roll shape,
    The defect correcting device is:
    A mounting table on which the resin substrate is mounted to correct the defective portion;
    A delivery unit that feeds the resin substrate wound in the roll shape to the table while unwinding;
    The defect correction apparatus according to claim 1, further comprising: a winding unit that accommodates the resin substrate that has passed through the table while being wound up, while being wound.
  3. 前記修正部は、
    前記樹脂基板の前記面上に形成された金属材料の欠落した欠け欠陥部に、針先端に付着した修正材料を接触させて塗布する修正材料塗布部と、
    前記塗布した修正材料を硬化させる修正材料硬化部と、をさらに含み、
    前記硬化した前記修正材料のうちの不要な部分を前記欠陥部として、前記レーザ照射部および前記照射位置可変部により前記レーザ光を照射することによって除去する、請求項1または2に記載の欠陥修正装置。
    The correction unit is
    A correction material application part for applying the correction material attached to the tip of the needle in contact with the missing defect part of the metal material formed on the surface of the resin substrate; and
    A correction material curing portion that cures the applied correction material; and
    The defect correction according to claim 1, wherein an unnecessary portion of the cured correction material is removed as the defect portion by irradiating the laser beam with the laser irradiation unit and the irradiation position variable unit. apparatus.
  4. 前記欠陥部を観察するための画像を撮像する観察部と、
    前記レーザ部、前記修正材料塗布部、前記修正材料硬化部および前記観察部を搭載する搭載部を含み、前記光軸に沿って前記搭載部を移動可能とするための光軸方向移動部と、
    前記光軸方向移動部を搭載し、前記光軸方向移動部を前記第2軸に沿って移動可能とするための第2軸方向移動部と、
    前記第2軸方向移動部を搭載し、前記第2軸方向移動部を前記第1軸に沿って移動可能とするための第1軸方向移動部と、をさらに備える、請求項3に記載の欠陥修正装置。
    An observation unit that captures an image for observing the defective part;
    An optical axis direction moving part for enabling movement of the mounting part along the optical axis, including a mounting part on which the laser part, the correction material application part, the correction material curing part and the observation part are mounted;
    A second axial direction moving part for mounting the optical axis direction moving part and enabling the optical axis direction moving part to move along the second axis;
    The first axial direction moving part for mounting the second axial direction moving part and enabling the second axial direction moving part to move along the first axis. Defect correction device.
  5. 前記欠陥部を観察するための画像を撮像する観察部と、
    前記修正材料塗布部を搭載し、前記修正材料塗布部を前記第1軸に沿って移動可能とするための第1軸方向移動部と、
    前記レーザ部、前記修正材料硬化部、前記観察部および前記第1軸方向移動部を搭載する搭載部を有し、前記搭載部を前記光軸に沿って移動可能とするための光軸方向移動部と、
    前記光軸方向移動部を搭載し、前記光軸方向移動部を前記第2軸に沿って移動可能とするための第2軸方向移動部と、をさらに備える、請求項3に記載の欠陥修正装置。
    An observation unit that captures an image for observing the defective part;
    A first axial movement unit for mounting the correction material application unit and enabling the correction material application unit to move along the first axis;
    Optical axis movement for enabling mounting of the laser unit, the correction material curing unit, the observation unit, and the first axial movement unit so that the mounting unit can be moved along the optical axis. And
    The defect correction according to claim 3, further comprising: a second axis direction moving unit that mounts the optical axis direction moving unit and enables the optical axis direction moving unit to move along the second axis. apparatus.
  6. 前記欠陥部を修正するために前記樹脂基板が載置される載置テーブルと、
    前記欠陥部を観察するための画像を撮像する観察部と、
    前記レーザ部、前記修正材料塗布部、前記修正材料硬化部および前記観察部を搭載する搭載部を有し、前記搭載部を前記光軸に沿って移動可能とするための光軸方向移動部と、
    前記光軸方向移動部を搭載し、前記光軸方向移動部を前記載置テーブル上で前記第2軸に沿って移動可能とするための第2軸方向移動部と、
    前記載置テーブルを、前記第1軸に沿って移動可能とするための第1軸方向移動部と、をさらに備える、請求項3に記載の欠陥修正装置。
    A mounting table on which the resin substrate is mounted to correct the defective portion;
    An observation unit that captures an image for observing the defective part;
    An optical axis direction moving unit for mounting the laser unit, the correction material application unit, the correction material curing unit, and the observation unit, and for allowing the mounting unit to move along the optical axis; ,
    A second axial direction moving part for mounting the optical axis direction moving part and enabling the optical axis direction moving part to move along the second axis on the mounting table;
    The defect correction apparatus according to claim 3, further comprising: a first axial movement unit configured to allow the placement table to move along the first axis.
  7. 前記照射位置可変部が、前記照射位置を前記光軸に沿って可変にする回数は、前記レーザ光のスポットの径および前記欠陥部の表面から前記樹脂基板の面に至るまでの前記光軸に沿った距離を含むパラメータに従い決定される、請求項1から6のいずれかに記載の欠陥修正装置。   The number of times that the irradiation position variable portion makes the irradiation position variable along the optical axis depends on the diameter of the spot of the laser light and the optical axis from the surface of the defect portion to the surface of the resin substrate. The defect correction apparatus according to claim 1, wherein the defect correction apparatus is determined according to a parameter including a distance along the distance.
  8. 面を有し、前記面の上に金属材料でパターンが形成された樹脂基板を載置するステップと、
    載置された前記樹脂基板の面上に形成された前記パターンの欠陥部を、フェトム秒単位のパルス幅を有したレーザ光を照射することにより修正する修正ステップと、を備え、
    前記修正ステップは、
    前記欠陥部の表面と前記レーザ光の光軸とが直交するように前記欠陥部に前記レーザ光を照射するレーザ照射ステップを含み、
    前記レーザ照射ステップによる前記レーザ光の照射位置を、前記表面において前記光軸と直交する第1軸が延びる方向と当該光軸および前記第1軸のそれぞれと直交する第2軸が延びる方向とに可変としながら、且つ当該照射位置を前記光軸が延びる方向に沿って前記欠陥部の表面から前記樹脂基板の面に至るまで複数回に分けて可変としながら、前記レーザ光を照射する、欠陥修正方法。
    Placing a resin substrate having a surface and a pattern formed of a metal material on the surface;
    A correction step of correcting the defective portion of the pattern formed on the surface of the resin substrate placed by irradiating a laser beam having a pulse width in femtosecond units,
    The correcting step includes
    A laser irradiation step of irradiating the defect portion with the laser light such that the surface of the defect portion and the optical axis of the laser beam are orthogonal to each other;
    The irradiation position of the laser beam in the laser irradiation step is set to a direction in which a first axis orthogonal to the optical axis extends in the surface and a direction in which a second axis orthogonal to each of the optical axis and the first axis extends. Defect correction that irradiates the laser beam while making the irradiation position variable in multiple times from the surface of the defect portion to the surface of the resin substrate along the direction in which the optical axis extends. Method.
  9. 前記修正ステップは、
    前記樹脂基板の前記面上に形成された金属材料の欠落した欠け欠陥部に、針先端に付着した修正材料を接触させて塗布する修正材料塗布ステップと、
    前記塗布した修正材料を硬化させる修正材料硬化ステップと、をさらに含み、
    前記硬化した前記修正材料のうちの不要な部分を前記欠陥部として、前記レーザ照射ステップにより前記レーザ光を照射することによって除去する、請求項8に記載の欠陥修正方法。
    The correcting step includes
    A correction material application step of applying the correction material adhered to the tip of the needle in contact with the missing defect portion of the metal material formed on the surface of the resin substrate,
    A correction material curing step of curing the applied correction material; and
    The defect correction method according to claim 8, wherein an unnecessary portion of the cured correction material is removed as the defect portion by irradiating the laser beam in the laser irradiation step.
  10. 前記レーザ照射ステップにおいて前記照射位置を前記光軸に沿って可変にする回数は、前記レーザ光のスポットの径および前記欠陥部の表面から前記樹脂基板の面に至るまでの前記光軸に沿った距離を含むパラメータに従い決定される、請求項8または9に記載の欠陥修正方法。   The number of times of changing the irradiation position along the optical axis in the laser irradiation step is along the optical axis from the diameter of the spot of the laser light and the surface of the defect portion to the surface of the resin substrate. The defect correction method according to claim 8, wherein the defect correction method is determined according to a parameter including a distance.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102886610A (en) * 2012-09-24 2013-01-23 东莞市博世机电设备有限公司 Laser cutting machine for packaged nonmetallic materials

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008012924A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-31 Kuraray Co., Ltd. Method of and device for manufacturing display
JP2008242479A (en) * 2008-05-15 2008-10-09 Ntn Corp Pattern correcting device
JP2009266917A (en) * 2008-04-23 2009-11-12 Rohm Co Ltd Organic light-emitting device and repair apparatus for the same
JP2009262161A (en) * 2008-04-22 2009-11-12 Olympus Corp Correcting apparatus, correcting method, control device, and program

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008012924A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-31 Kuraray Co., Ltd. Method of and device for manufacturing display
JP2009262161A (en) * 2008-04-22 2009-11-12 Olympus Corp Correcting apparatus, correcting method, control device, and program
JP2009266917A (en) * 2008-04-23 2009-11-12 Rohm Co Ltd Organic light-emitting device and repair apparatus for the same
JP2008242479A (en) * 2008-05-15 2008-10-09 Ntn Corp Pattern correcting device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102886610A (en) * 2012-09-24 2013-01-23 东莞市博世机电设备有限公司 Laser cutting machine for packaged nonmetallic materials

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