JP2003273370A5 - - Google Patents

Description

【００２２】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法は、絶縁層の表面が帯電しないエッチング条件は、トレンチ工程におけるエッチングを行う際に印加する周波数を５ＭＨｚ以下に設定したことを特徴している。

【００２３】
請求項３に記載の発明によれば、トレンチ工程におけるエッチングを行う際に印加する周波数を５ＭＨｚ以下に設定したことにより、絶縁層の表面を帯電させずにエッチングを行うことができるため、請求項１に記載の製造方法を実現することができる。

【００２５】
請求項４に記載の発明によれば、可動部工程におけるエッチングを行う際に印加する周波数を５ＭＨｚ以上、望ましくは１０ＭＨｚ以上に設定したことにより、絶縁層の表面を帯電させてエッチングを行うことができるため、請求項１に記載の製造方法を実現することができる。

【００７４】
まず、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以上、望ましくは１０ＭＨｚ以上に設定した場合、ドライエッチングの際に供給されるエッチングイオンと電子のうち、帯電を中和させる電子は電界方向に追従して進行方向が変化するが、エッチングイオンの進行方向は変化しないため、トレンチ底部には電子よりもエッチングイオンが多量に供給され、酸化膜の表面を帯電させることができる。

【００７５】
そして、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以下に設定した場合、電子の進行方向だけでなく、エッチングイオンの進行方向も電界方向に追従して変化するため、トレンチ底部にはエッチングイオンと電子がほぼ同量供給され、この供給された電子により酸化膜の表面の帯電を緩和することができる。尚、この酸化膜の表面の帯電を緩和するエッチングは、低周波ＲＦ電源を用いたパルス発振によって実現している。

【００７６】
よって、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すトレンチ形成工程においては、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以下に設定すると、酸化膜１３の表面が帯電しないエッチングを実現することができ、図３（ｄ）に示す可動部形成工程においては、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以上、望ましくは１０Ｈｚ以上に設定すると、酸化膜１３の表面が帯電するエッチングを実現することができる。

Claims (6)

1. 第１の半導体層上に絶縁層を介して第２の半導体層を積層してなる積層体と、前記第２の半導体層に形成され力学量の印加に応じて変位可能な可動部とを備えた半導体装置の製造方法において、前記積層体を用意し、前記絶縁層の表面が帯電しないエッチング条件でエッチングを行い、前記可動部を画定するためのトレンチを、前記第２の半導体層の表面から前記絶縁層に達するように形成するトレンチ形成工程と、前記トレンチ形成工程を実行した後に、前記トレンチの底部の前記絶縁層の表面が帯電するエッチング条件でエッチングを行い、前記エッチングのイオンを前記トレンチの底部の横方向に位置する前記第２の半導体層へ当てて当該横方向に位置する前記第２の半導体層を除去することにより、前記可動部を形成する可動部形成工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記トレンチは、開口幅が広い第１のトレンチと前記第１のトレンチに比して開口幅が狭い第２のトレンチを備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記絶縁層の表面が帯電しないエッチング条件は、前記トレンチ工程におけるエッチングを行う際に印加する周波数を５ＭＨｚ以下に設定したことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記絶縁層の表面が帯電するエッチング条件は、前記可動部形成工程におけるエッチングを行う際に印加する周波数を５ＭＨｚ以上、望ましくは１０ＭＨｚ以上に設定したことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１つに記載の半導装置の製造方法。
5. 前記絶縁層の表面が帯電しない条件で行うエッチングは、低周波ＲＦ電源を用いたパルス発振で行うことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１つに記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記絶縁層の表面が帯電する条件で行うエッチングは、高周波ＲＦ電源を用いた連続発振で行うことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１つに記載の半導体装置の製造方法。