JP2003273070A - Method and apparatus for processing wafer - Google Patents

Method and apparatus for processing wafer

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JP2003273070A
JP2003273070A JP2002077034A JP2002077034A JP2003273070A JP 2003273070 A JP2003273070 A JP 2003273070A JP 2002077034 A JP2002077034 A JP 2002077034A JP 2002077034 A JP2002077034 A JP 2002077034A JP 2003273070 A JP2003273070 A JP 2003273070A
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JP
Japan
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liquid
diluting
nozzle
chemical
nozzle hole
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Application number
JP2002077034A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadao Hirakawa
忠夫 平川
Masahiko Kurosawa
雅彦 黒澤
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Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate-processing apparatus for preventing a diluted solution supply pipe path from contamination, when a chemical flows in it. <P>SOLUTION: The substrate-processing apparatus, which processes a wafer W using a processing liquid where hydrofluoric acid is diluted with pure water comprises a chemical supply pipe path 21 which supplies hydrofluoric acid, a diluted solution supply pipe path 22 which supplies pure water, and a nozzle unit 11 to which the chemical supply pipe path and the diluted solution supply pipe path are connected. The nozzle unit comprises a nozzle body, a chemical nozzle hole 42, which is provided at the central part of the nozzle body in the axial direction and discharges the hydrofluoric acid supplied from the chemical supply pipe path, and a diluted solution nozzle hole 44, which is so provided to the nozzle body as to surround the chemical nozzle hole and discharges pure water supplied from the diluted solution supply pipe path, while dilutes the hydrofluoric acid discharged from the chemical nozzle hole with pure water before it reaches the wafer W. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は薬液を希釈液によ
って希釈した処理液を用いて基板を処理する基板処理装
置及び基板処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate using a processing liquid prepared by diluting a chemical liquid with a diluting liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体装置や液晶表示装置の製
造工程においては、基板としての半導体ウエハやガラス
基板に回路パターンを形成するための成膜プロセスやフ
ォトプロセスがある。これらのプロセスでは、基板に対
して成膜処理と洗浄処理とが繰り返し行われる。
2. Description of the Related Art Generally, in a manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, there are a film forming process and a photo process for forming a circuit pattern on a semiconductor wafer or a glass substrate as a substrate. In these processes, the film forming process and the cleaning process are repeatedly performed on the substrate.

【0003】上記各工程においては、たとえば、洗浄処
理では上記基板にノズルから処理液を噴射して処理する
ということが行われている。そのような処理液として
は、薬液としてのフッ酸を希釈液としての純水で希釈し
たものが用いられることがある。
In each of the above steps, for example, in the cleaning process, a process liquid is jetted from the nozzle onto the substrate for processing. As such a processing solution, a solution obtained by diluting hydrofluoric acid as a chemical solution with pure water as a diluting solution may be used.

【0004】薬液を希釈液によって希釈する場合、混合
器を用いることがある。この混合器には薬液供給管路と
希釈液供給管路とが接続されており、これら供給管路か
らはそれぞれマスフローコントローラにより流量制御さ
れた薬液及び希釈液が供給される。混合器内に供給され
た薬液及び希釈液はスタチックミキサ等で混合、攪拌さ
れることで、所定の濃度に希釈され、上記ノズルに供給
されることになる。この場合、上記薬液供給管路と希釈
液供給管路とは混合器を介して連通しているため、上記
各供給管路にそれぞれバルブを設け、薬液供給管路から
供給される薬液が希釈液供給管路に流入するのを防止し
ていた。
When diluting the chemical liquid with a diluting liquid, a mixer may be used. A chemical liquid supply pipe and a diluting liquid supply pipe are connected to this mixer, and the chemical liquid and the diluting liquid whose flow rates are controlled by the mass flow controllers are supplied from these supply pipes, respectively. The chemical liquid and the diluting liquid supplied into the mixer are mixed and stirred by a static mixer or the like to be diluted to a predetermined concentration and supplied to the nozzle. In this case, since the chemical solution supply pipeline and the diluent supply pipeline communicate with each other through a mixer, a valve is provided in each of the supply pipelines, and the chemical solution supplied from the chemical solution supply pipeline is diluted. It was prevented from flowing into the supply line.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、バルブ
不良があった場合など、バルブの上流側に滲入し、希釈
液供給管路を汚染するということがあった。
However, when the valve is defective, it may infiltrate into the upstream side of the valve and contaminate the diluent supply pipe.

【0006】また、この方法では上記混合器や攪拌器な
どが必要となるため、装置の大型化につながっていた。
Further, this method requires the mixer and the agitator, which leads to an increase in the size of the apparatus.

【0007】この発明は、薬液が滲入して希釈液供給管
路が汚染されるのを防止できるとともに装置の構成を小
型、簡素化できる基板処理装置及び基板処理方法を提供
することにある。
It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which can prevent the dilution liquid supply pipe line from being contaminated by infiltration of a chemical liquid and can make the structure of the apparatus small and simple.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、薬液
を希釈液によって希釈した処理液を用いて基板を処理す
る基板処理装置において、上記薬液を供給する薬液供給
管路と、上記希釈液を供給する希釈液供給管路と、上記
薬液供給管路と希釈液供給管路とが接続されたノズル装
置とを具備し、上記ノズル装置は、ノズル本体と、この
ノズル本体の中心部に軸方向に沿って設けられ上記薬液
供給管路から供給される薬液を吐出する薬液ノズル孔
と、上記ノズル本体に上記薬液ノズル孔を囲む状態で設
けられ上記希釈液供給管路から供給される希釈液を吐出
するとともにその希釈液によって上記薬液ノズル孔から
吐出された薬液を上記基板に到達する前に希釈する希釈
液ノズル孔とを備えていることを特徴とする基板処理装
置にある。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid obtained by diluting a chemical liquid with a diluting liquid, and a chemical liquid supply pipeline for supplying the chemical liquid and the diluting liquid. A diluent supply pipe for supplying a liquid, and a nozzle device to which the chemical liquid supply pipe and the diluent supply pipe are connected, the nozzle device includes a nozzle body and a central portion of the nozzle body. A chemical liquid nozzle hole that is provided along the axial direction and discharges the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply pipe line, and a dilution liquid that is provided in the nozzle main body in a state surrounding the chemical liquid nozzle hole and is supplied from the diluent liquid supply pipe line A substrate processing apparatus comprising: a diluting liquid nozzle hole for discharging a liquid and diluting the liquid medicine discharged from the chemical liquid nozzle hole with the diluting liquid before reaching the substrate.

【0009】請求項2の発明は、上記薬液ノズル孔の先
端開口面は、上記希釈液ノズル孔の先端開口面よりも先
端側に突出していることを特徴とする請求項1記載の基
板処理装置にある。
According to a second aspect of the present invention, the substrate processing apparatus according to the first aspect is characterized in that the tip end opening surface of the chemical solution nozzle hole projects toward the tip end side from the tip end opening surface of the diluting solution nozzle hole. It is in.

【0010】請求項3の発明は、上記希釈液ノズル孔の
先端部分は、上記ノズル本体の中心方向に向って傾斜し
ていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置に
ある。
A third aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein a tip portion of the diluent nozzle hole is inclined toward the center of the nozzle body.

【0011】請求項4の発明は、薬液を希釈液によって
希釈した処理液を用いて基板を処理する基板の処理方法
において、ノズル本体と、このノズル本体の中心部に軸
方向に沿って設けられ上記薬液供給管路から供給される
薬液を吐出する薬液ノズル孔と、上記ノズル本体に上記
薬液ノズル孔を囲む状態で設けられ上記希釈液供給管路
から供給される希釈液を吐出するとともにその希釈液に
よって上記薬液ノズル孔から吐出された薬液を上記基板
に到達する前に希釈する希釈液ノズル孔とを備えたノズ
ル装置を有し、上記基板に処理液を供給するときには上
記希釈液ノズル孔から希釈液を吐出させてから上記薬液
ノズル孔から薬液を吐出させ、処理液の供給を停止する
ときには上記薬液ノズル孔からの薬液の吐出を停止して
から上記希釈液ノズル孔からの希釈液の吐出を停止する
ことを特徴とする基板の処理方法にある。
According to a fourth aspect of the present invention, in a substrate processing method for processing a substrate using a processing liquid obtained by diluting a chemical liquid with a diluting liquid, the nozzle main body and the central portion of the nozzle main body are provided along the axial direction. A chemical liquid nozzle hole for discharging the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply pipe line, and a dilution liquid supplied from the dilution liquid supply pipe line provided in the nozzle body so as to surround the chemical liquid nozzle hole and diluting the same. It has a nozzle device having a diluting liquid nozzle hole for diluting the chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle hole by liquid before reaching the substrate, and when supplying the processing liquid to the substrate, the diluting liquid nozzle hole When the diluting liquid is discharged and then the chemical liquid is discharged from the chemical liquid nozzle hole, and when the supply of the processing liquid is stopped, the discharge of the chemical liquid from the chemical liquid nozzle hole is stopped before the diluting liquid nozzle is discharged. In the processing method of a substrate, characterized in that to stop the discharge of the diluent from Le holes.

【0012】この発明によれば、薬液が希釈液供給管路
に流入するのを防止できるとともに、装置を小型化する
ことができる。
According to the present invention, it is possible to prevent the chemical liquid from flowing into the diluting liquid supply pipe line, and it is possible to downsize the device.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながらこの発
明の実施の形態を説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】図1〜図3はこの発明の第1の実施の形態
を示す。図1に示す基板処理装置は上面から下面に連通
する通孔5を備えたベース板1を有し、このベース板1
の上面には円筒状のカップ体2が設けられている。この
カップ体2の上端部には径方向内方に向って高く傾斜し
た反射板3が周方向全周にわたって設けられており、内
部には回転テーブル4がほぼ水平に設けられている。
1 to 3 show a first embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus shown in FIG. 1 has a base plate 1 having a through hole 5 communicating from the upper surface to the lower surface.
A cylindrical cup body 2 is provided on the upper surface of the. At the upper end of the cup body 2, a reflector plate 3 that is highly inclined radially inward is provided over the entire circumference, and a rotary table 4 is provided substantially horizontally inside.

【0015】上記ベース板1の下面側には駆動モータ5
1がブラケット51aによって固定されている。この駆
動モータ51の駆動軸6は上記ベース板1の通孔5を挿
通し、上端は上記回転テーブル4の下面のほぼ中心部に
固着されている。したがって、上記駆動モータ51を作
動することで、上記回転テーブル4を周方向に回転駆動
できるようになっている。
A drive motor 5 is provided on the lower surface side of the base plate 1.
1 is fixed by a bracket 51a. The drive shaft 6 of the drive motor 51 is inserted through the through hole 5 of the base plate 1, and the upper end thereof is fixed to the lower surface of the rotary table 4 substantially in the center thereof. Therefore, the rotary table 4 can be rotationally driven in the circumferential direction by operating the drive motor 51.

【0016】上記回転テーブル4には例えば半導体装置
に用いられる半導体ウエハなどの基板Wが保持される。
つまり、上記回転テーブル4の上面の周辺部には周方向
に所定間隔で複数の支持部材7が設けられている。各支
持部材7の上端部には基板Wの周辺部下面を支持する支
持ピン8、及び基板Wの外周面に係合する係合ピン9が
立設されている。
A substrate W such as a semiconductor wafer used in a semiconductor device is held on the turntable 4.
That is, a plurality of supporting members 7 are provided at a peripheral portion of the upper surface of the turntable 4 at predetermined intervals in the circumferential direction. At the upper end of each support member 7, a support pin 8 that supports the lower surface of the peripheral portion of the substrate W and an engagement pin 9 that engages with the outer peripheral surface of the substrate W are provided upright.

【0017】それによって、基板Wは上記回転テーブル
4の上面に保持された状態で、この回転テーブル4とと
もに周方向に回転されるようになっている。
As a result, the substrate W is rotated in the circumferential direction together with the rotary table 4 while being held on the upper surface of the rotary table 4.

【0018】上記ベース板1には上記カップ体2の周辺
部に回転駆動源10が設けられている。この回転駆動源
10の回転軸14にはアーム12の基端部が連結固定さ
れている。このアーム12の先端部には取り付け部13
が設けられており、この取り付け部13にはノズル装置
11がほぼ垂直に設けられている。
The base plate 1 is provided with a rotary drive source 10 around the cup body 2. The base end of the arm 12 is connected and fixed to the rotary shaft 14 of the rotary drive source 10. A mounting portion 13 is attached to the tip of the arm 12.
Is provided, and the nozzle device 11 is provided on the mounting portion 13 substantially vertically.

【0019】したがって、上記回転軸14を回転駆動す
れば上記アーム12が連動するから、上記ノズル装置1
1を上記回転テーブル4に保持された基板Wの上面側で
径方向に揺動できるようになっている。
Therefore, when the rotary shaft 14 is rotationally driven, the arm 12 is interlocked, so that the nozzle device 1
1 can be swung in the radial direction on the upper surface side of the substrate W held on the rotary table 4.

【0020】なお、基板Wは上記回転テーブル4に図示
しないロボットによって受渡しされる。
The substrate W is delivered to the rotary table 4 by a robot (not shown).

【0021】上記基板処理装置は、上記ノズル装置11
に薬液としてのフッ酸及び希釈液としての純水をそれぞ
れ供給する薬液供給管路21及び希釈液供給管路22を
有する。上記薬液供給管路21及び希釈液供給管路22
は、中途部にそれぞれ薬液制御バルブ23及び希釈液制
御バルブ24が設けられている。各供給管路21、22
の一端はそれぞれ薬液タンク27に貯えられたフッ酸及
び希釈液タンク28に貯えられた純水に浸漬している。
The substrate processing apparatus includes the nozzle device 11
Further, it has a chemical solution supply pipe 21 and a diluent supply pipe 22 for supplying hydrofluoric acid as a chemical liquid and pure water as a diluting liquid, respectively. The chemical liquid supply pipe 21 and the diluting liquid supply pipe 22
Is provided with a chemical liquid control valve 23 and a diluting liquid control valve 24 in the middle. Each supply line 21, 22
One end of each is immersed in the hydrofluoric acid stored in the chemical liquid tank 27 and the pure water stored in the diluting liquid tank 28.

【0022】上記薬液タンク27及び希釈液タンク28
と上記薬液制御バルブ23及び希釈液制御バルブ24と
の間にはそれぞれ薬液用ポンプ29及び希釈液用ポンプ
30が設けられ、各ポンプ29、30と上記各バルブ2
3、24との間にはそれぞれマスフローコントローラ3
1、32が設けられている。
The above-mentioned chemical liquid tank 27 and diluting liquid tank 28
And a chemical liquid control valve 23 and a diluting liquid control valve 24 are provided with a chemical liquid pump 29 and a diluting liquid pump 30, respectively.
Mass flow controller 3 between 3 and 24
1, 32 are provided.

【0023】上記バルブ23、24、ポンプ29、30
及びマスフローコントローラ31、32には制御装置3
3が接続されており、この制御装置33は各バルブ2
3、24の開閉制御、各ポンプ29、30の発停制御、
及び各マスフローコントローラ31、32による制御流
量値の設定を行えるようになっている。
The valves 23 and 24 and the pumps 29 and 30
And the mass flow controllers 31 and 32 include the control device 3
3 is connected, and this control device 33 controls each valve 2
Open / close control of 3, 24, start / stop control of each pump 29, 30
Also, the control flow rate value can be set by the mass flow controllers 31 and 32.

【0024】図2に示すように、上記ノズル装置11は
円柱状のノズル本体41を有する。
As shown in FIG. 2, the nozzle device 11 has a cylindrical nozzle body 41.

【0025】このノズル本体41の径方向ほぼ中心部に
は薬液ノズル孔42が軸方向に沿って穿設されている。
この薬液ノズル孔42の先端側は上記ノズル本体41の
先端面に突出して形成された凸部43内を通じ、この凸
部43の先端に薬液吐出口48として開口している。
A chemical solution nozzle hole 42 is bored along the axial direction at a substantially central portion of the nozzle body 41 in the radial direction.
The tip side of the chemical solution nozzle hole 42 passes through the inside of a convex portion 43 formed so as to project on the tip surface of the nozzle body 41, and a chemical solution outlet 48 is opened at the tip of the convex portion 43.

【0026】また、上記ノズル本体41には上記薬液ノ
ズル孔42を囲むように円環状の希釈液ノズル孔44が
穿設されている。この希釈液ノズル孔44の先端側は径
方向内方に窄まるように傾斜しており、上記ノズル本体
41の先端面において円環状に開口した希釈液吐出口4
7を形成している。すなわち、上記薬液ノズル孔42の
先端開口面45は上記希釈液ノズル孔44の先端開口面
46よりも先端側に突出している。
An annular diluent nozzle hole 44 is formed in the nozzle body 41 so as to surround the chemical solution nozzle hole 42. The tip side of the diluent nozzle hole 44 is inclined so as to be narrowed inward in the radial direction, and the diluent outlet 4 which is annularly opened on the tip surface of the nozzle body 41.
Forming 7. That is, the tip end opening surface 45 of the chemical solution nozzle hole 42 projects further toward the tip end side than the tip end opening surface 46 of the diluting solution nozzle hole 44.

【0027】上記ノズル本体41の後端面及び外周面の
後端部側には、上記薬液ノズル孔42及び希釈液ノズル
孔44に連通して薬液供給管路21及び希釈液供給管路
22がそれぞれ接続されている。
On the rear end side of the nozzle body 41 and on the rear end side of the outer peripheral surface, a chemical solution supply pipe 21 and a dilution liquid supply pipe 22 are respectively connected to the chemical liquid nozzle hole 42 and the diluent liquid nozzle hole 44. It is connected.

【0028】次に、上記構成の基板処理装置を使用する
際の作用について説明する。
Next, the operation of using the substrate processing apparatus having the above structure will be described.

【0029】上記基板処理装置を使用する場合、予め、
使用する処理液の濃度に応じてマスフローコントローラ
31、32の制御流量値を設定しておく。
When using the above substrate processing apparatus,
The control flow rate values of the mass flow controllers 31 and 32 are set according to the concentration of the processing liquid used.

【0030】上記回転テーブル4の上面に基板Wを保持
したならば、アーム12を回動駆動してノズル装置11
を基板Wの上面側の噴射位置に設定する。上記ノズル装
置11が上記噴射位置に設定されたならば、まず希釈液
制御バルブ24を開放し希釈液用ポンプ30を駆動する
ことで、希釈液タンク28からノズル装置11の希釈液
ノズル孔44に純水を供給し、その先端の円環状の希釈
液吐出口47から吐出させる。
When the substrate W is held on the upper surface of the turntable 4, the arm 12 is rotated to drive the nozzle device 11.
Is set to the ejection position on the upper surface side of the substrate W. When the nozzle device 11 is set to the injection position, first, the diluent control valve 24 is opened and the diluent pump 30 is driven to move the diluent tank 28 to the diluent nozzle hole 44 of the nozzle device 11. Pure water is supplied and discharged from the annular diluent discharge port 47 at the tip.

【0031】上記希釈液ノズル孔44から純水を吐出さ
せたならば、次いで、薬液制御バルブ23を開放し薬液
用ポンプ29を駆動することで、薬液タンク27から上
記ノズル装置11の薬液ノズル孔42にフッ酸を供給
し、その先端の薬液吐出口48から吐出させる。
After the pure water is discharged from the dilution liquid nozzle hole 44, the chemical liquid control valve 23 is then opened and the chemical liquid pump 29 is driven to drive the chemical liquid nozzle 27 from the chemical liquid tank 27 to the chemical liquid nozzle hole of the nozzle device 11. Hydrofluoric acid is supplied to 42 and discharged from the chemical liquid discharge port 48 at the tip thereof.

【0032】上記薬液ノズル孔42からは、図2に矢印
Xで示すように基板Wの上面に向かってほぼ垂直にフッ
酸が噴射される。一方、上記希釈液ノズル孔44は、上
記希釈液吐出口47が円環状であり、また先端側が径方
向内方に窄まるように傾斜している。そのため、純水は
図2に矢印Yで示すように上記薬液ノズル孔42から噴
射されたフッ酸の周囲を覆うように、かつこのフッ酸に
向って傾斜して噴射される。
From the chemical solution nozzle hole 42, hydrofluoric acid is jetted almost vertically toward the upper surface of the substrate W as shown by an arrow X in FIG. On the other hand, in the diluting liquid nozzle hole 44, the diluting liquid discharge port 47 is annular, and the tip side is inclined so as to be narrowed radially inward. Therefore, the pure water is sprayed so as to cover the periphery of the hydrofluoric acid sprayed from the chemical liquid nozzle hole 42 as shown by the arrow Y in FIG.

【0033】それによって、上記薬液ノズル孔42から
吐出したフッ酸は、上記基板Wに到達する前に、純水に
よって希釈され、基板Wに到達したときには処理に適し
た所定濃度の処理液となり、基板Wはこの処理液によっ
て処理される。
As a result, the hydrofluoric acid discharged from the chemical solution nozzle hole 42 is diluted with pure water before reaching the substrate W, and when it reaches the substrate W, it becomes a treatment liquid having a predetermined concentration suitable for the treatment. The substrate W is processed by this processing liquid.

【0034】上記処理液によって回転する基板Wの上面
を所定の時間だけ処理したならば、まず、上記薬液用ポ
ンプ29の駆動を停止するとともに上記薬液制御バルブ
23を閉鎖し、上記薬液ノズル孔42からのフッ酸の吐
出を停止する。次いで、上記希釈液用ポンプ30の駆動
を停止するとともに上記希釈液制御バルブ24を閉鎖
し、上記希釈液ノズル孔44からの純水の吐出を停止す
る。以上で基板Wの処理が終了する。
After the upper surface of the rotating substrate W is processed by the processing liquid for a predetermined time, first, the driving of the chemical liquid pump 29 is stopped, the chemical liquid control valve 23 is closed, and the chemical liquid nozzle hole 42 is formed. To stop the discharge of hydrofluoric acid. Next, the driving of the diluent pump 30 is stopped, the diluent control valve 24 is closed, and the discharge of pure water from the diluent nozzle hole 44 is stopped. Thus, the processing of the substrate W is completed.

【0035】上記基板処理装置によれば、フッ酸を純水
で希釈する際に、上記薬液供給管路21と希釈液供給管
路22とを接続する必要がないため、上記希釈液供給管
路22に薬液が流入することがない。そのため、希釈液
供給管路22がフッ酸によって汚染されるのを防止でき
る。
According to the above substrate processing apparatus, when diluting hydrofluoric acid with pure water, it is not necessary to connect the chemical liquid supply pipe 21 and the diluting liquid supply pipe 22. The chemical solution does not flow into 22. Therefore, it is possible to prevent the diluent supply pipe line 22 from being contaminated with hydrofluoric acid.

【0036】しかも、上記薬液ノズル孔42の先端開口
面45は上記希釈液ノズル孔44の先端開口面46より
も先端側に突出している。そのため、上記薬液ノズル孔
42の先端開口面45で滞留したフッ酸が上記希釈液ノ
ズル孔44の希釈液吐出口47から希釈液供給管路22
に流入し難くいから、そのことによっても希釈液供給管
路22がフッ酸によって汚染されるのを防止できる。
Moreover, the tip end opening surface 45 of the chemical solution nozzle hole 42 projects further toward the tip side than the tip end opening surface 46 of the diluting solution nozzle hole 44. Therefore, the hydrofluoric acid staying on the tip end opening surface 45 of the chemical liquid nozzle hole 42 flows from the diluent liquid discharge port 47 of the diluent liquid nozzle hole 44 to the diluent liquid supply line 22.
Since it is difficult for the diluting liquid supply conduit 22 to flow into the diluting liquid supply conduit 22, it is possible to prevent the diluent supply conduit 22 from being contaminated with hydrofluoric acid.

【0037】また、基板Wに処理液を供給するときには
上記希釈液ノズル孔44から純水を吐出させてから上記
薬液ノズル孔42からフッ酸を吐出させ、処理液の供給
を停止するときには、上記薬液ノズル孔42からのフッ
酸の吐出を停止してから上記希釈液ノズル44からの純
水の吐出を停止するようにした。そのため、上記薬液ノ
ズル孔42からフッ酸を吐出するとき、常に上記希釈液
ノズル孔44から純水が吐出しているため、希釈液吐出
口47から希釈液ノズル孔44内にフッ酸が流入し難く
なっている。
When the processing liquid is supplied to the substrate W, pure water is discharged from the diluting liquid nozzle hole 44 and then hydrofluoric acid is discharged from the chemical liquid nozzle hole 42. When the processing liquid supply is stopped, The discharge of hydrofluoric acid from the chemical liquid nozzle hole 42 was stopped, and then the discharge of pure water from the dilution liquid nozzle 44 was stopped. Therefore, when the hydrofluoric acid is ejected from the chemical liquid nozzle hole 42, pure water is always ejected from the diluent liquid nozzle hole 44, so that the hydrofluoric acid flows from the diluent outlet 47 into the diluent nozzle hole 44. It's getting harder.

【0038】このように、上記希釈液供給管路22にフ
ッ酸が流入し難くなっているため、希釈液供給管路22
にフッ酸の流入を防止するための逆支弁等を設ける必要
がない。しかも、この構成によると従来のようにフッ酸
と純水とを混合する混合器及びこの混合器からノズル装
置11に処理液を供給する供給タンク等が不要となる。
そのため、基板処理装置の構成を簡単にし、小型化する
ことができる。
As described above, since it is difficult for hydrofluoric acid to flow into the diluent supply pipe 22, the diluent supply pipe 22 is provided.
It is not necessary to provide a check valve or the like to prevent the inflow of hydrofluoric acid. Moreover, according to this configuration, a mixer for mixing hydrofluoric acid and pure water and a supply tank for supplying the treatment liquid from the mixer to the nozzle device 11 as in the conventional case are not required.
Therefore, the structure of the substrate processing apparatus can be simplified and downsized.

【0039】さらに、上記薬液ノズル孔42から噴射さ
れたフッ酸は、上記希釈液ノズル孔44から噴射された
純水によって基板Wに到達する前に希釈される。しか
も、処理液の吐出停止時には、純水の供給よりも先にフ
ッ酸の供給を停止する。それによって、基板Wの上面に
高濃度のフッ酸が供給されるのを防止している。
Further, the hydrofluoric acid sprayed from the chemical solution nozzle hole 42 is diluted with pure water sprayed from the diluting solution nozzle hole 44 before reaching the substrate W. Moreover, when the discharge of the treatment liquid is stopped, the supply of hydrofluoric acid is stopped before the supply of pure water. This prevents the high concentration of hydrofluoric acid from being supplied to the upper surface of the substrate W.

【0040】図4はこの発明の第2の実施の形態を示
す。この実施の形態は上記ノズル装置11の変形例であ
って、ノズル本体41に薬液ノズル孔42を囲む円環状
の希釈液ノズル孔44を穿設する代わりに、この薬液ノ
ズル孔42の周囲に複数、この実施の形態では5つの希
釈液ノズル孔44Aを穿設したものである。この場合に
おいても、上記薬液ノズル孔42の先端部分を上記希釈
液ノズル孔44Aの先端部分よりも先端側に突出させる
ように設定し、さらに上記希釈液ノズル孔44Aの先端
部分を上記薬液ノズル孔42側に向って傾斜させること
で、上記第1の実施の形態と同様の効果が得られること
はいうまでもない。
FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention. This embodiment is a modified example of the nozzle device 11 described above, and instead of forming an annular diluent nozzle hole 44 surrounding the chemical nozzle hole 42 in the nozzle body 41, a plurality of nozzles are formed around the chemical nozzle hole 42. In this embodiment, five diluent nozzle holes 44A are formed. Also in this case, the tip portion of the chemical liquid nozzle hole 42 is set to project further toward the tip side than the tip portion of the dilution liquid nozzle hole 44A, and the tip portion of the dilution liquid nozzle hole 44A is further set to the chemical liquid nozzle hole. It goes without saying that the same effect as that of the first embodiment can be obtained by inclining toward the 42 side.

【0041】つまり、上記希釈液ノズル孔は円環状であ
る必要はなく、上記薬液ノズル孔から噴射されるフッ酸
が基板Wに到達する前に確実に希釈することができれ
ば、たとえどんな形態であってもよい。
That is, the diluting liquid nozzle hole does not have to be annular, and any form may be used as long as the hydrofluoric acid sprayed from the chemical liquid nozzle hole can be surely diluted before reaching the substrate W. May be.

【0042】図5と図6はこの発明の第3の実施の形態
を示す。この実施の形態は上記ノズル装置11の変形例
であって、上記ノズル本体41に上記薬液ノズル孔42
及び希釈液ノズル孔44を穿設するのではなく、薬液ノ
ズル孔42Bを有する薬液ノズル51をほぼ垂直に設置
し、この薬液ノズル51を囲むように複数、この実施の
形態では希釈液ノズル孔44Bを有する4つの希釈液ノ
ズル52を配置したものである。この場合、所定の位置
にノズルを配設するだけでよいから、装置の構成を簡単
にすることができる。
5 and 6 show the third embodiment of the present invention. This embodiment is a modified example of the nozzle device 11, in which the chemical liquid nozzle hole 42 is formed in the nozzle body 41.
Further, instead of forming the diluting liquid nozzle hole 44, the chemical liquid nozzle 51 having the chemical liquid nozzle hole 42B is installed almost vertically, and a plurality of chemical liquid nozzles are provided so as to surround the chemical liquid nozzle 51. The four diluting liquid nozzles 52 having the above are arranged. In this case, since it is only necessary to dispose the nozzle at a predetermined position, the structure of the device can be simplified.

【0043】[0043]

【発明の効果】この発明によれば、薬液が希釈液供給管
路に流入するのを防止できるとともに、全体の構成を小
型化することができる。
According to the present invention, the chemical liquid can be prevented from flowing into the diluting liquid supply pipe line, and the entire structure can be downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1の実施の形態に係る基板処理装
置の概略図。
FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同実施の形態に係るノズル装置の概略図。FIG. 2 is a schematic view of a nozzle device according to the same embodiment.

【図3】図2のA―A線に沿った断面図。FIG. 3 is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【図4】この発明の第2の実施の形態に係るノズル装置
の横断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a nozzle device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】この発明の第3の実施の形態に係るノズル装置
の概略図。
FIG. 5 is a schematic view of a nozzle device according to a third embodiment of the present invention.

【図6】図5のB―B線に沿った断面図。6 is a sectional view taken along line BB of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…ノズル装置 21…薬液供給管路 22…希釈液供給管路 42…希釈液ノズル孔 44…薬液ノズル孔 11 ... Nozzle device 21 ... Chemical supply line 22 ... Diluent supply line 42 ... Diluent nozzle hole 44 ... Chemical solution nozzle hole

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 薬液を希釈液によって希釈した処理液を
用いて基板を処理する基板処理装置において、 上記薬液を供給する薬液供給管路と、 上記希釈液を供給する希釈液供給管路と、 上記薬液供給管路と希釈液供給管路とが接続されたノズ
ル装置とを具備し、 上記ノズル装置は、ノズル本体と、このノズル本体の中
心部に軸方向に沿って設けられ上記薬液供給管路から供
給される薬液を吐出する薬液ノズル孔と、上記ノズル本
体に上記薬液ノズル孔を囲む状態で設けられ上記希釈液
供給管路から供給される希釈液を吐出するとともにその
希釈液によって上記薬液ノズル孔から吐出された薬液を
上記基板に到達する前に希釈する希釈液ノズル孔とを備
えていることを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for processing a substrate by using a processing liquid obtained by diluting a chemical liquid with a diluting liquid, a chemical liquid supply conduit for supplying the chemical liquid, and a diluting liquid supply conduit for supplying the diluting liquid, A nozzle device in which the chemical liquid supply pipe line and the diluting liquid supply pipe line are connected to each other, wherein the nozzle device is provided with a nozzle main body and the chemical liquid supply pipe provided in a central portion of the nozzle main body along an axial direction. A chemical solution nozzle hole for discharging a chemical solution supplied from a channel, and a diluent solution which is provided in the nozzle body so as to surround the chemical solution nozzle hole and discharges a diluting solution supplied from the diluting solution supply line and the chemical solution by the diluting solution. A substrate processing apparatus comprising: a diluting liquid nozzle hole for diluting a chemical liquid discharged from a nozzle hole before reaching the substrate.
【請求項2】 上記薬液ノズル孔の先端開口面は、上記
希釈液ノズル孔の先端開口面よりも先端側に突出してい
ることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the tip opening surface of the chemical solution nozzle hole is projected to the tip side with respect to the tip opening surface of the diluting solution nozzle hole.
【請求項3】 上記希釈液ノズル孔の先端部分は、上記
ノズル本体の中心方向に向って傾斜していることを特徴
とする請求項1記載の基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a tip portion of the diluent nozzle hole is inclined toward a center direction of the nozzle body.
【請求項4】 薬液を希釈液によって希釈した処理液を
用いて基板を処理する基板の処理方法において、 ノズル本体と、このノズル本体の中心部に軸方向に沿っ
て設けられ上記薬液供給管路から供給される薬液を吐出
する薬液ノズル孔と、上記ノズル本体に上記薬液ノズル
孔を囲む状態で設けられ上記希釈液供給管路から供給さ
れる希釈液を吐出するとともにその希釈液によって上記
薬液ノズル孔から吐出された薬液を上記基板に到達する
前に希釈する希釈液ノズル孔とを備えたノズル装置を有
し、 上記基板に処理液を供給するときには上記希釈液ノズル
孔から希釈液を吐出させてから上記薬液ノズル孔から薬
液を吐出させ、処理液の供給を停止するときには上記薬
液ノズル孔からの薬液の吐出を停止してから上記希釈液
ノズル孔からの希釈液の吐出を停止することを特徴とす
る基板の処理方法。
4. A substrate processing method for processing a substrate using a processing liquid obtained by diluting a chemical liquid with a diluting liquid, comprising: a nozzle main body; and the chemical liquid supply conduit provided axially in a central portion of the nozzle main body. And a chemical solution nozzle for discharging the chemical solution supplied from the diluting solution supplied from the diluting solution supply pipe provided in the nozzle body so as to surround the chemical solution nozzle hole and the chemical solution nozzle by the diluting solution. It has a nozzle device having a diluting liquid nozzle hole for diluting the chemical liquid ejected from the hole before reaching the substrate, and when the processing liquid is supplied to the substrate, the diluting liquid nozzle is ejected from the diluting liquid nozzle hole. Then, when the chemical liquid is discharged from the chemical liquid nozzle hole and the supply of the processing liquid is stopped, the chemical liquid is discharged from the chemical liquid nozzle hole and then diluted from the dilution liquid nozzle hole. Method of processing a substrate, characterized in that to stop the discharge.
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