JP2003272846A

JP2003272846A - チャンバ装置の運転方法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機ｅｌ装置

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Publication number: JP2003272846A
Application number: JP2002078721A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Hayashi; 高之林
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-03-20
Filing date: 2002-03-20
Publication date: 2003-09-26
Anticipated expiration: 2022-03-20
Also published as: JP3951765B2

Abstract

(57)【要約】【課題】チャンバルーム内を安定且つ新鮮な不活性ガ
スの雰囲気に維持することができるチャンバ装置の運転
方法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および
有機ＥＬ装置を提供することを課題とする。【解決手段】不活性ガスの補給および排気を連続させ
て、チャンバルーム１１内に不活性ガスの雰囲気を構成
する。また、チャンバルーム１１は略直方体形状を有
し、補給および排気に伴う不活性ガスの気流を、チャン
バルーム１１の略対角方向に流すものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ワーク処理を不活
性ガスの雰囲気中で行うことを要するワーク処理装置
を、チャンバルーム内に収容するチャンバ装置の運転方
法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有
機ＥＬ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ワーク処理を不活性ガスの雰囲気
中で行う半導体製造装置等に用いられるチャンバ装置で
は、不活性ガスの雰囲気を維持すべく、シールを強化し
て不活性ガスの漏れ（リーク）を極力少なくするように
している。また、不活性ガスの温度調節を行う場合に
は、温度調節装置を不活性ガスの循環経路に配設して、
不活性ガスを循環させることで行うようにしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような、従来のチ
ャンバ装置では、シール部分からの外部への不活性ガス
のリークや内部への水分の透過等により、雰囲気中の酸
素濃度や水分濃度を低濃度に維持することが難しい問題
がある。また、ワーク処理に溶剤等を用いる場合には、
雰囲気中の溶剤濃度が上がり装置自体に悪影響を及ぼす
問題も想定される。

【０００４】本発明は、チャンバルーム内を安定且つ新
鮮な不活性ガスの雰囲気に維持することができるチャン
バ装置の運転方法、チャンバ装置、これを備えた電気光
学装置および有機ＥＬ装置を提供することを課題として
いる。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明のチャンバ装置の
運転方法は、不活性ガスの補給および排気を連続させ
て、チャンバルーム内に不活性ガスの雰囲気を構成する
ことを特徴とする。

【０００６】この構成によれば、チャンバルーム内に不
活性ガスの雰囲気が、常に新鮮な不活性ガスの補給とそ
れに見合う雰囲気の排気とで、構成されるため、チャン
バルーム内を常に新鮮な不活性ガスで満たすことができ
る。また、不活性ガスの補給量を調整することで、雰囲
気の温度や酸素濃度および水分濃度等を容易に調節する
ことができる。

【０００７】この場合、チャンバルームは略直方体形状
を有し、補給および排気に伴う不活性ガスの気流を、チ
ャンバルームの略対角方向に流すことが、好ましい。

【０００８】不活性ガスの補給および排気を連続させる
ことで、チャンバルーム内には不活性ガスの気流が生ず
るが、この気流をチャンバルームの略対角方向に流すこ
とで、チャンバルーム内に、いわゆるガス溜りが生じ難
く、雰囲気を常に新鮮な不活性ガスに円滑に且つ連続的
に置換することができる。

【０００９】同様に、チャンバルームは略直方体形状を
有し、不活性ガスの補給を、チャンバール内の複数の隅
部から行うことが、好ましい。

【００１０】この構成によれば、チャンバルーム内を不
活性ガスが一様に流れ、チャンバルーム内に、いわゆる
ガス溜りが生じ難く、雰囲気を常に新鮮な不活性ガスに
円滑に且つ連続的に置換することができる。

【００１１】これらの場合、大気圧に対し、チャンバル
ーム内が正圧に保たれることが、好ましい。

【００１２】この構成によれば、チャンバルーム内の雰
囲気を構成する不活性ガスが、シール（エアータイト）
部分から外部に漏れることがあっても、外部の大気がチ
ャンバルーム内に侵入するのを確実に防止することがで
きる。なお、チャンバルーム内の正圧を維持するため
に、不活性ガスの補強をファン等により強制的に行うこ
とが好ましい。

【００１３】本発明のチャンバ装置は、ワーク処理を不
活性ガスの雰囲気中で行うことを要するワーク処理装置
を、チャンバルーム内に収容するチャンバ装置であっ
て、略直方体形状に形成されたチャンバルームと、チャ
ンバルーム内に不活性ガスを供給するガス供給流路と、
ガス供給流路に連なると共にチャンバルームに開口した
送気口と、チャンバルーム内の不活性ガスを排気する排
気流路と、排気流路に連なると共にチャンバルームに開
口した排気口とを備え、送気口と排気口とが相互に略対
角位置に配設されていることを特徴とする。

【００１４】この構成によれば、チャンバルームに形成
した不活性ガス供給用の送気口と、不活性ガス排気用の
排気口とが相互に略対角位置に配設されているため、こ
の送気口および排気口を介して不活性ガスを補給および
排気することにより、チャンバルーム内に生ずる不活性
ガスの気流が最も長い距離を流れ、気流がショートサー
キットし難くなる。このため、いわゆるガス溜りが生じ
難く、雰囲気を常に新鮮な不活性ガスに維持することが
でき、且つワーク処理により発生する不要な物質を適宜
排気することができる。

【００１５】この場合、ガス供給流路にはガスダンパー
が介設され、且つ排気流路には排気ダンパーが介設さ
れ、チャンバルームに対し不活性ガスの補給および排気
を連続させるために、ガスダンパーおよび排気ダンパー
は常時「開」に制御されていることが、好ましい。

【００１６】この構成によれば、チャンバルーム内に不
活性ガスの雰囲気が、常に新鮮な不活性ガスの補給とそ
れに見合う雰囲気の排気とで、構成されるため、チャン
バルーム内を常に新鮮な不活性ガスで満たすことがで
き、且つワーク処理により発生する不要な物質を円滑に
排気することができる。また、不活性ガスの補給量を調
整することで、雰囲気の温度や酸素濃度等を容易に調節
することができる。

【００１７】これらの場合、収容されるワーク処理装置
は、チャンバルームの上部空間の水平面内においてワー
ク処理エリアを有し、送気口はチャンバルームの上端部
に開口し、排気口はチャンバルームの下端部に開口して
いることが、好ましい。さらにこの場合、送気口から排
気口に流れる不活性ガスの主気流が、ワーク処理エリア
に交差することが、好ましい。

【００１８】これらの構成によれば、送気口からチャン
バルーム内に流入した新鮮な不活性ガスが、最初にワー
ク処理エリアに達するため、ワーク処理エリアを常に新
鮮な不活性ガスの雰囲気で包み込むことができる。

【００１９】これらの場合、チャンバルームの天井部に
は、送気口に連なると共に下面を開放したフィルタチャ
ンバと、フィルタチャンバの下面開放部に装着したフィ
ルタとが設けられていることが、好ましい。

【００２０】この構成によれば、大きなフィルタ面積の
フィルタを設けることができると共に、送気口から排気
口に向かって流れる不活性ガスの気流を、幾分ダウンフ
ロー気味に且つ均一な流速で流すことができる。

【００２１】この場合、フィルタは、少なくともワーク
処理エリアを包含する大きさを有していることが、好ま
しい。

【００２２】この構成によれば、不活性ガスを、ワーク
処理エリアに向かってほぼダウンフローで流すことがで
き、ワーク処理エリアを不活性ガスの雰囲気で安定に包
み込むことができる。

【００２３】これらの場合、ガス供給流路には、送気口
を介して不活性ガスをチャンバルームに強制送気するフ
ァンが介設されていることが、好ましい。

【００２４】この構成によれば、ガス供給流路からチャ
ンバルームを経て排気流路に至る不活性ガスの圧力損失
に対処することができると共に、チャンバルーム内にお
ける不活性ガスの流量および流速を容易に制御すること
ができ、且つチャンバルーム内を安定な正圧状態に維持
することができる。

【００２５】これらの場合、ガス供給流路には、不活性
ガスの温度を調節する温度調節装置が介設されているこ
とが、好ましい。

【００２６】この構成によれば、チャンバルーム内をワ
ーク処理に適した温度に保つことができる。また、不活
性ガスの連続的な補給および排気と相俟って、チャンバ
ルーム内の温度制御を容易に行うことができる。

【００２７】本発明の他のチャンバ装置は、ワーク処理
を不活性ガスの雰囲気中で行うことを要するワーク処理
装置を、チャンバルーム内に収容するチャンバ装置であ
って、略直方体形状に形成された前記チャンバルーム
と、チャンバルーム内に不活性ガスを供給するガス供給
流路と、ガス供給流路の下流端に設けられると共にチャ
ンバルーム内に開口した複数の送気口と、チャンバルー
ム内の不活性ガスを排気する排気流路と、排気流路に連
なると共にチャンバルームに開口した排気口とを備え、
各送気口は、排気口から離間したチャンバルーム内の複
数の隅部に配設されていることを特徴とする。

【００２８】この構成によれば、チャンバルームに形成
した不活性ガス供給用の複数の送気口が、排気口から離
間したチャンバルーム内の複数の隅部に配設されている
ため、不活性ガスを補給および排気することにより、チ
ャンバルーム内において、不活性ガスを一様に流すこと
ができる。このため、いわゆるガス溜りが生じ難く、雰
囲気を常に新鮮な不活性ガスに維持することができ、且
つワーク処理により発生する不要な物質を適宜排気する
ことができる。

【００２９】この場合、ガス供給流路にはガスダンパー
が介設され、且つ排気流路には排気ダンパーが介設さ
れ、チャンバルームに対し不活性ガスの補給および排気
を連続させるために、ガスダンパーおよび排気ダンパー
は常時「開」に制御されていることが、好ましい。

【００３０】この構成によれば、チャンバルーム内に不
活性ガスの雰囲気が、常に新鮮な不活性ガスの補給とそ
れに見合う雰囲気の排気とで、構成されるため、チャン
バルーム内を常に新鮮な不活性ガスで満たすことがで
き、且つワーク処理により発生する不要な物質を円滑に
排気することができる。また、不活性ガスの補給量を調
整することで、雰囲気の温度や酸素濃度等を容易に調節
することができる。

【００３１】これらの場合、複数の送気口は、個々に流
量調節可能に構成され、排気口からの離間距離が長い送
気口は多流量に短い送気口は少流量にそれぞれ調整され
ていることが、好ましい。

【００３２】この構成によれば、チャンバルーム内にお
いて、不活性ガスをより一層、一様に流すことができ、
ガス溜りが生じ難くい構造とすることができる。

【００３３】これらの場合、収容されるワーク処理装置
は、チャンバルーム内の水平面内においてワーク処理エ
リアを有し、複数の送気口から排気口に流れる不活性ガ
スの主気流が、ワーク処理エリアに交差することが、好
ましい。

【００３４】この構成によれば、複数の送気口からチャ
ンバルーム内に流入した新鮮な不活性ガスにより、ワー
ク処理エリアを常に新鮮な雰囲気で包み込むことができ
る。

【００３５】本発明の電気光学装置は、上記したチャン
バ装置と、チャンバ装置に収容したワーク処理装置と、
を備えたことを特徴とする。そして、ワーク処理装置
が、有機ＥＬ装置の製造装置であることが、好ましい。

【００３６】この構成によれば、新鮮な不活性ガスの雰
囲気中でワーク処理を行うことができ、ワーク処理（有
機ＥＬ装置の製造）における信頼性および品質を高レベ
ルに維持することができる。

【００３７】この場合、有機ＥＬ装置の製造装置が、ワ
ークである基板に対し、発光機能材料を導入した機能液
滴吐出ヘッドを相対的に走査し、発光機能材料を選択的
に吐出して基板上の多数の画素領域に有機ＥＬ機能層を
形成する液滴吐出装置を有していることが、好ましい。

【００３８】有機ＥＬにおける発光機能材料は、大気
（酸素および水分）との接触により変質や損傷が生じや
すい。この構成によれば、発光機能材料の吐出して有機
ＥＬ機能層を形成する工程を、新鮮な不活性ガスの雰囲
気中で行うことができるため、発光機能材料の変質や損
傷を有効に防止することができる。また、発光機能材料
から気化した溶剤等を速やかに排気することができる。
なお、不活性ガスとしては、窒素、二酸化炭素、ヘリウ
ム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンおよびラ
ドンのいずれかであることが、好ましい。

【００３９】この場合、有機ＥＬ機能層が、ＥＬ発光層
および正孔注入層のうち少なくともＥＬ発光層であるこ
とが、好ましい。

【００４０】この構成によれば、有機ＥＬ装置における
発光機能の主体を為す部分を、機能液滴吐出ヘッドで形
成することができるため、より微小な画素を且つ精度良
く形成することができ、高解像で且つ高画質の有機ＥＬ
装置を製造することができる。

【００４１】これらの場合、ファンによるワーク処理エ
リアにおける気流が、機能液滴吐出ヘッドから吐出した
発光機能材料に飛行曲がりを生じない速度に調整されて
いることが、好ましい。

【００４２】この構成によれば、機能液滴吐出ヘッドに
よる発光機能材料の吐出が、不活性ガスの気流により乱
されることがなく、発光機能材料を基板の画素領域に精
度良く着弾させることができる。したがって、高品質の
有機ＥＬ装置を製造することができる。

【００４３】本発明の有機ＥＬ装置は、上記した電気光
学装置により製造されたことを特徴とする。

【００４４】この構成によれば、高い品質と高い歩留ま
りの有機ＥＬ装置を、低コストで提供することができ
る。

【００４５】

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して、本
発明の実施形態について説明する。インクジェットプリ
ンタのインクジェットヘッド（機能液滴吐出ヘッド）
は、微小なインク滴（液滴）をドット状に精度良く吐出
することができることから、例えば機能液滴（吐出対象
液）に特殊なインクや、発光性或いは感光性の樹脂等を
用いることにより、各種部品の製造分野への応用が期待
されている。

【００４６】本実施形態の電気光学装置は、例えば有機
ＥＬ装置等の、いわゆるフラットディスプレイの製造装
置に適用され、不活性ガスの雰囲気中において、その複
数の機能液滴吐出ヘッドから発光材料等の機能液を吐出
して（インクジェット方式）、有機ＥＬ装置の発光機能
を為す各画素のＥＬ発光層および正孔注入層を形成する
ものである。

【００４７】そこで、本実施形態では、有機ＥＬ装置の
製造装置に適用した電気光学装置について説明すると共
に、これにより製造される有機ＥＬ装置の構造および製
造方法（製造プロセス）について説明する。

【００４８】図１に示すように、実施形態の電気光学装
置１は、描画装置２と描画装置２を収容するチャンバ装
置３から成り、描画装置２に搭載した機能液滴吐出ヘッ
ド４により、発光材料を吐出して有機ＥＬ装置のＥＬ発
光層および正孔注入層を形成する一方、この機能液滴吐
出ヘッド４の吐出動作を含む一連の製造工程を、チャン
バ装置３で構成する不活性ガス（窒素ガス）の雰囲気中
で行うようにしている。

【００４９】詳細は後述するが、描画装置２は、液滴吐
出装置６とこれに付随する各種の装置から成る付帯装置
７とを備えている。チャンバ装置３は、チャンバルーム
１１に、電気室１２および機械室１３を併設した、いわ
ゆるクリーンルームの形態を有している。チャンバルー
ム１１には、不活性ガスである窒素ガスが導入され、こ
れに収容した上記の液滴吐出装置６および付帯装置７
は、全体として窒素ガスの雰囲気に曝され、窒素ガスの
雰囲気中で稼動する。

【００５０】図２ないし図５に示すように、液滴吐出装
置６は、床上に設置した架台１５と、架台１５上に設置
した石定盤１６と、石定盤１６上に設置したＸ軸テーブ
ル１７およびこれに直交するＹ軸テーブル１８と、Ｙ軸
テーブル１８に吊設するように設けたメインキャリッジ
１９と、メインキャリッジ１９に搭載したヘッドユニッ
ト２０とを有している。

【００５１】Ｘ軸テーブル１７は、Ｘ軸方向の駆動系が
構成するＸ軸エアースライダ２２およびＸ軸リニアモー
タ２３を有し、これにθテーブル２４および基板Ｗをエ
アー吸引する吸着テーブル２５を搭載して、構成されて
いる。また、Ｙ軸テーブル１８は、Ｙ軸方向の駆動系を
構成する一対のＹ軸スライダ２７，２７、Ｙ軸ボールね
じ２８およびＹ軸モータ（サーボモータ）２９を有し、
これに上記のメインキャリッジ１９を吊設するブリッジ
プレート３０を搭載して、構成されている。

【００５２】そして、メインキャリッジ１９に搭載した
ヘッドユニット２０には、サブキャリッジを介して、複
数の機能液滴吐出ヘッド４が搭載されている。特に詳細
は図示しないが、サブキャリッジには、１２個の機能液
滴吐出ヘッド４が搭載されており、これら機能液滴吐出
ヘッド４は、６個づつに二分され（図６では前後に二
分）、主走査方向に対し所定の角度傾けて配設されてい
る（図６参照）。

【００５３】本実施形態の液滴吐出装置６では、機能液
滴吐出ヘッド４の駆動（機能液滴の選択的吐出）に同期
して基板Ｗが移動する構成であり、機能液滴吐出ヘッド
４のいわゆる主走査は、Ｘ軸テーブル１７のＸ軸方向へ
の往復動作により行われる。また、これに対応して、い
わゆる副走査は、Ｙ軸テーブル１８により機能液滴吐出
ヘッド４のＹ軸方向への往動動作により行われる。

【００５４】一方、ヘッドユニット２０のホーム位置
は、図１における後側の位置となっており、且つこの液
滴吐出装置６の後方からヘッドユニット２０の運び込み
或いは交換が行われる（詳細は後述する）。また、同図
示の左側には、基板搬送装置（図示省略）が臨んでお
り、基板Ｗはこの左方から搬入・搬出される。そして、
この液滴吐出装置６の同図手前側には、上記付帯装置７
の主な構成装置が、一体的に添設されている。

【００５５】付帯装置７は、上記の架台１５および石定
盤１６に隣接するように配置したキャビネット形式の共
通機台３２と、共通機台３２内の一方の半部に収容した
エアー供給装置３３および真空吸引装置３４と、共通機
台３２内の一方の半部に主要装置を収容した機能液供給
回収装置３５と、共通機台３２上に主要装置を収容した
メンテナンス装置３６とを備えている。なお、図中の符
号３７は、メインタンク（図示省略）とヘッドユニット
２０との間の機能液流路に介設した、機能液供給回収装
置３５の中間タンクである。

【００５６】エアー供給装置３３、機能液供給回収装置
３５の圧力供給源を構成すると共に、メンテナンス装置
３６等におけるエアー圧アクチュエータの駆動源として
用いられる。真空吸引装置３４は、上記の吸着テーブル
２５に接続され、基板Ｗをエアー吸引により吸着セット
する。機能液供給回収装置３５は、機能液滴吐出ヘッド
４に機能液を供給すると共に、メンテナンス装置３６等
から不要となった機能液を回収する。

【００５７】メンテナンス装置３６は、機能液滴吐出ヘ
ッド４の定期的なフラッシング（全吐出ノズルからの機
能液の捨て吐出）を受けるフラッシングユニット４１
と、機能液滴吐出ヘッド４の機能液吸引および保管を行
うクリーニングユニット４２と、機能液滴吐出ヘッド４
のノズル形成面をワイピングするワイピングユニット４
３とを有している。クリーニングユニット４２およびワ
イピングユニット４３は、上記の共通機台３２上に配設
され、フラッシングユニット４１は、基板Ｗの近傍にお
いて、Ｘ軸テーブル（θテーブル２４）１７上に搭載さ
れている。

【００５８】ここで、図６の模式図を参照して、チャン
バ装置３内において窒素ガスの雰囲気中で稼動する描画
装置２の一連の動作を簡単に説明する。先ず、準備段階
として、ヘッドユニット２０が液滴吐出装置６に運び込
まれ、これがメインキャリッジ１９にセットされる。ヘ
ッドユニット２０がメインキャリッジ１９にセットされ
ると、Ｙ軸テーブル１８がヘッドユニット２０を図外の
ヘッド認識カメラの位置に移動させ、ヘッドユニット２
０の位置認識が行われる。ここで、この認識結果に基づ
いて、ヘッドユニット２０がθ補正され、且つヘッドユ
ニット２０のＸ軸方向およびＹ軸方向の位置補正がデー
タ上で行われる。位置補正後、ヘッドユニット（メイン
キャリッジ１９）２０はホーム位置に戻る。

【００５９】一方、Ｘ軸テーブル１７の吸着テーブル２
５上に基板（この場合は、導入される基板毎）Ｗが導入
されると、導入位置において図外の基板認識カメラが基
板Ｗを位置認識する。ここで、この認識結果に基づい
て、吸着テーブル２５を支持するθテーブル２４により
基板Ｗがθ補正され、且つ基板ＷのＸ軸方向およびＹ軸
方向の位置補正がデータ上で行われる。

【００６０】このようにして準備が完了すると、実際の
液滴吐出作業では、先ずＸ軸テーブル１７が駆動し、基
板Ｗを主走査方向に往復動させると共に複数の機能液滴
吐出ヘッド４を駆動して、機能液滴の基板Ｗへの選択的
な吐出動作が行われる。基板Ｗが復動した後、こんどは
Ｙ軸テーブル１８が駆動し、ヘッドユニット２０を１ピ
ッチ分、副走査方向に移動させ、再度基板Ｗの主走査方
向への往復移動と機能液滴吐出ヘッド４の駆動が行われ
る。そしてこれを、数回繰り返すことで、基板Ｗの端か
ら端まで（全領域）液滴吐出が行われる。これにより、
有機ＥＬ装置の発光層等が形成される。

【００６１】一方、上記の動作に並行し、液滴吐出装置
６のヘッドユニット（機能液滴吐出ヘッド４）２０に
は、エアー供給装置３３を圧力供給源として機能液供給
回収装置３５から機能液が連続的に供給され、また吸着
テーブル２５では、基板Ｗを吸着すべく、真空吸引装置
３４によりエアー吸引が行われる。また、液滴吐出作業
の直前には、ヘッドユニット２０がクリーニングユニッ
ト４２およびワイピングユニット４３に臨んで、機能液
滴吐出ヘッド４の全吐出ノズルからの機能液吸引と、こ
れに続くノズル形成面の拭取りが行われる。液滴吐出作
業中には、適宜ヘッドユニット２０がフラッシングユニ
ット４１に臨んで、機能液滴吐出ヘッド４のフラッシン
グが行われる。

【００６２】なお、本実施形態では、ヘッドユニット２
０に対し、その吐出対象物である基板Ｗを主走査方向
（Ｘ軸方向）に移動させるようにしているが、ヘッドユ
ニット２０を主走査方向に移動させる構成であってもよ
い。また、ヘッドユニット２０を固定とし、基板Ｗを主
走査方向および副走査方向に移動させる構成であっても
よい。

【００６３】次に、図７の系統図、および図８ないし図
１３の構造図を参照して、チャンバ装置３について説明
する。なお、チャンバ装置の説明では、図８における紙
面の下側を「前」、上側「後」、左側を「左」、右側を
「右」して説明する。

【００６４】チャンバ装置３は、上記の描画装置２を収
容するチャンバルーム１１と、チャンバルーム１１の右
前部に併設した電気室１２と、チャンバルーム１１の右
後部に併設した機械室１３とを備えている。なお、チャ
ンバルーム１１に充填する不活性ガスとしては、窒素、
二酸化炭素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプト
ン、キセノンおよびラドンのいずれかを用いることが好
ましいが、本実施形態では、コストおよび安全性を考慮
し窒素（窒素ガス）を用いている。

【００６５】不活性ガス（窒素ガス）は、図外のガス製
造装置からガス導入ユニット１０１を介して機械室１３
に導入され、ここで調和処理されてチャンバルーム１１
に導入される。また、チャンバルーム１１内の不活性ガ
スは、チャンバルーム１１の左前部に添設した排気ダク
ト（排気流路）１０２から適宜は排気され、図外のガス
処理装置に送られる。実際の運転では、チャンバルーム
１１に対し、不活性ガスの補給と排気とが連続して行わ
れ、わずかに流れる不活性ガスにより、チャンバルーム
１１内の雰囲気が構成されるようになっている。

【００６６】チャンバルーム１１は、左側壁１１１、右
側壁１１２、前部着脱パネルユニット１１３、後部着脱
パネルユニット１１４、床壁１１５および天壁１１６
を、エアータイト材で相互にシールして組み上げたプレ
ハブ形式のものである。一方、チャンバルーム１１の内
部に収容される液滴吐出装置６は、前後方向をＹ軸方向
とし、左右方向をＸ軸方向とした姿勢で収容されている
（図１参照）。すなわち、メンテナンス等を考慮して、
描画装置２の付帯装置７は前部着脱パネルユニット１１
３に面し、ヘッドユニット２０の運び込み等を考慮し
て、ヘッドユニット２０のホーム位置側が後部着脱パネ
ルユニット１１４に面している。また、左側壁１１１に
は、基板Ｗの搬入搬出を行うためのシャッタ付き受渡し
開口１１７が形成されている（図１１参照）。

【００６７】前部着脱パネルユニット１１３および後部
着脱パネルユニット１１４は、いずれも内パネルユニッ
ト１２１および外パネルユニット１２２の二重構造を有
している。内パネルユニット１２１は、左右の中間に縦
枠１２３ａを有する枠体１２３と、縦枠１２３ａにより
構成した左右の開口部（メンテナンス開口）にそれぞれ
着脱自在に装着した窓付きの一対の内パネル１２４，１
２４とで構成されている（図１３参照）。各内パネル１
２４には、左右のハンドルの他、複数のロックレバーが
設けられており（いずれも図示省略）、内パネル１２４
は、けんどん形式で枠体１２３に当てがわれ且つこの複
数のロックレバーにより枠体１２３に気密に装着されて
いる。

【００６８】同様に、外パネルユニット１２２は、左右
の中間に縦枠１２５ａを有する枠体１２５と、縦枠１２
５ａにより構成した左右の開口部（メンテナンス開口）
にそれぞれ着脱自在に装着した窓付きの一対の外パネル
１２６，１２６とで構成されている（図１３参照）。各
外パネル１２６には、左右のハンドル１２７，１２７の
他、複数のロックレバー１２８が設けられており、この
場合も外パネル１２６は、けんどん形式で枠体に当てが
われ且つこの複数のロックレバー１２８により枠体１２
５に気密に装着されている。そして、外パネルユニット
１２２は、内パネルユニット１２１よりに幾分幅広に且
つ幾分丈が長く形成されていて、内外両パネル１２１，
１２２の着脱作業に支障を生じないようになっている
（図１３参照）。

【００６９】また、内外各パネル１２４，１２６には、
その上側に複数の電磁ロック装置１２９が組み込まれて
おり、チャンバルーム１１内の酸素濃度に応じて、内外
各パネル１２４，１２６をロック・アンロックできるよ
うになっている（詳細は後述する）。すなわち、前部着
脱パネルユニット１１３および後部着脱パネルユニット
１１４は、電磁ロック装置１２９によりインターロック
されている。

【００７０】右側壁１１２の後上部には、機械室１３に
連なる送気口１３１が形成され、これに対応して左側壁
１１１の前下部には、排気ダクト１０２に連なる排気口
１３２が形成されている。また、チャンバルーム１１の
天井部分には、送気口１３１に連なるフィルタチャンバ
１３３が形成されている。フィルタチャンバ１３３は、
天井部分を格子状のフィルタ装着枠１３４で水平に仕切
って構成され、このフィルタ装着枠１３４に複数（４
つ）のフィルタ（ＨＥＰＡフィルタ）１３５が装着され
ている（図８参照）。

【００７１】送気口１３１から流入した不活性ガスはフ
ィルタチャンバ１３３に流入し、複数のフィルタ１３５
を通過して液滴吐出装置６の上部に流入する。この場
合、送気口１３１から流入した不活性ガスは、フィルタ
（フィルタチャンバ１３３）１３５を通過するものの、
その気流の主体は、チャンバルーム１１内をほぼ対角方
向に流れて排気口１３２に至るようになっている。そし
て、この対角方向の気流の主流路上には、液滴吐出装置
６の液滴吐出動作を行う領域、すなわち吐出エリアが臨
んでいる。

【００７２】すなわち、チャンバルーム１１内では、不
活性ガスの主気流が吐出エリアを包み込むように流れ、
且つ気流全体としはフィルタからダウンフローした後、
排気口１３２に向かって流れる。これにより、吐出エリ
アは、常に新鮮な不活性ガスの雰囲気に曝されることに
なる。なお、この場合の気流の流速は、機能液滴吐出ヘ
ッド４から吐出した機能液滴に飛行曲がりが生じない程
度に調整されていることは、言うまでもない。

【００７３】機械室１３の上部には、図外のガス製造装
置に連なるガス導入ユニット１０１が設けられており、
また機械室１１の内部は、適宜隔壁１３７で仕切られ、
ガス導入ユニット１０１から上記の送気口１３１に至る
ガス流路１３８が形成されている。すなわち、機械室１
３の内部には、ガス流路１３８となるダクトが一体的に
形成されている。

【００７４】ガス導入ユニット１０１には、上流側から
順に、ガス開閉バルブ（電磁弁）１４２、ガス調整ダン
パー（電動弁：高密度モータダンパー）１４３およびガ
ス開閉ダンパー（高密度モータダンパー）１４４から成
るガスダンパーユニット１４１が組み込まれている（図
７参照）。上述したように、実施形態のチャンバ装置３
では、不活性ガスの補給と排気とを連続して行う運転形
態をとっており、ガス開閉バルブ１４２およびガス開閉
ダンパー１４４を「開」とした状態で、ガス調整ダンパ
ー１４３により不活性ガスの補給流量が調整される。ま
た、後述する大気置換運転では、ガス開閉バルブ１４
２、ガス調整ダンパー１４３およびガス開閉ダンパー１
４４は、いずれも「閉」に制御される。

【００７５】機械室１３の内部に構成したガス流路１３
８は、ガス導入ユニット１０１から機械室１３の下部ま
で延び、ここでＵターンして上部の送気口１３１に至る
ようになっている。そして、このガス流路１３８のう
ち、上方に向かう流路部分に、後述するガス調和機器１
５５が組み込まれている。

【００７６】また、ガス流路１３８は、図７に示すよう
に、ガス導入ユニット１０１の下流側で分岐しており、
ガス導入ユニット１０１からガス調和機器１５５を通過
して送気口１３１に至る一方の主ガス流路１４７と、ガ
ス導入ユニット１０１から直接送気口１３１に至る他方
のバイパス流路１４８とで構成されている。主ガス流路
１４７およびバイパス流路１４８には、それぞれ流路切
替え用の手動ダンパー１４９，１５０が設けられてお
り、この両手動ダンパー１４９，１５０は、チャンバ装
置３を設置した初期調整時にのみ調整される。

【００７７】なお、図７にのみ示すが、チャンバルーム
１１にはリターン流路（リターン口）１５１が形成され
ており、チャンバルーム１１のリターンガスは、このリ
ターン流路１５１を介して機械室１３に戻され、ガス調
和機器１５５の上流側において主ガス流路１４７に合流
する。但し、このリターンは予備的なものであり、通常
運転時にはリターン運転は行わない。

【００７８】主ガス流路１４７には、クーラ（チーリン
グユニット）１５６、ヒータ（電気ヒータ）１５７およ
び２台のファン（シロッコファン）１５８，１５８から
成るガス調和機器１５５が介設されている。クーラ１５
６およびヒータ１５７は、機械室の上下中間位置に隣接
して配置されており、温度調節装置を構成している。こ
れにより、チャンバルーム１１内の不活性ガスの雰囲気
が、所定の温度、例えば実施形態のものでは２０℃±
０．５℃に維持されるようになっている。

【００７９】ファン１５８は、機械室１３の上部にあっ
て、送気口１３１に近接して設けられている。ガス導入
ユニット１０１から導入した不活性ガスは、このファン
１５８により、送気口１３１を介してチャンバルーム１
１内に強制的に送気される。そして、このファン１５８
により、チャンバルーム１１内への不活性ガスの補給量
およびチャンバルーム１１内の気流の流速等が制御され
る。

【００８０】排気流路を構成する排気ダクト１０２は、
排気口１３２の近傍に排気チャンバ１６１を有してお
り、この排気チャンバ１６１から立ち上がり、さらにチ
ャンバルーム１１の上面に沿って水平に延在している。
排気ダクト１０２の下流側（チャンバルーム１１の上面
に位置する部分）には、排気調整ダンパー１６３および
排気開閉ダンパー１６４から成る排気ダンパーユニット
１６２が介設され（図７参照）、この排気調整ダンパー
１６３により排気流量が調整される。

【００８１】また、排気チャンバ１６１には、上記の前
部着脱パネルユニット１１３および後部着脱パネルユニ
ット１１４からそれぞれ延びる２本の排気パイプ（パネ
ル体排気流路）１６６，１６６が接続されている（図
８、図９および図１１参照）。各排気パイプの上流端
は、内パネルユニット１２１と外パネルユニット１２２
との間の空隙１３０に連通しており、また各排気パイプ
１６６には排気バルブ（パネル体排気ダンパー）１６７
が介設されている。これにより、内外両パネルユニット
１１３，１１４の空隙１３０部分にリークした不活性ガ
スを排気できるようになっている（詳細は後述する）。

【００８２】一方、ガス調和機器１５５の上流側におい
て主ガス流路１４７には、隔壁１３７により機械室内１
３に構成した外気流路１７１が合流している（図７参
照）。外気流路１７１の外気取入れ口１７２は、機械室
１３の下部側面に開口しており、外気流路１７１の下流
端は、クーラ１５６の上流側で主ガス流路１４７に合流
している。また、外気流路１７１には、外気取入れ口１
７２側から順に、外気開閉ダンパー１７４、外気調整ダ
ンパー１７５および外気開閉バルブ１７６から成る外気
ダンパーユニット１７３が介設されている。

【００８３】この場合、外気開閉ダンパー１７４および
外気調整ダンパー１７５は高気密ダンパーで構成され、
外気開閉バルブ１７６は電磁弁（または電動二方弁）で
構成されている。詳細は後述するが、外気置換運転を行
う場合には、外気開閉ダンパー１７４、外気調整ダンパ
ー１７５および外気開閉バルブ１７６はいずれも「開」
に制御され、外気調整ダンパー１７５により外気の流量
調整が行われる。また通常運電時には、これらダンパー
１７４，１７５およびバルブ１７６はいずれも「閉」に
制御され、これらの高気密性と個数とにより、外気の侵
入を確実に遮断する。

【００８４】次に、チャンバ装置３の運転方法について
簡単に説明する。チャンバルーム１１に不活性ガスを導
入する通常運転時では、外気ダンパーユニット１７３を
「閉」とした状態で、ガスダンパーユニット１４１およ
び排気ダンパーユニット１６２を「開」とし、ファン１
５８により、チャンバルーム１１内に不活性ガスの補給
および排気を行って、その雰囲気を構成する。

【００８５】ガス調整バルブ１４３には、コントローラ
１８１を介して、チャンバルーム１１内に設けた酸素濃
度計（低濃度）１８２および水分計１８３が接続されて
おり、これらの計測結果に基づいて、不活性ガスの補給
流量が調整される。より具体的には、ガス調整バルブ１
４３により、チャンバルーム１１内の酸素濃度および水
分濃度がいずれも１０ｐｐｍ以下に維持されるように、
制御される。なお、図中の符号１８４は、酸素濃度を表
示するスケーリングメータである。

【００８６】一方、排気調整ダンパー１６３には、コン
トローラ１８６を介して圧力計１８７が接続されてお
り、圧力計１８７の計測結果に基づいて、不活性ガスの
排気流量が調整される。すなわち、排気調整ダンパー１
６３により、大気圧に対しチャンバルーム１１内が幾分
正圧になるように、制御される。これにより、チャンバ
ルーム１１から不活性ガスが漏れることはあっても、外
気の侵入は防止される。また、ガスダンパーユニット１
４１の下流側近傍、および排気ダンパーユニット１６２
の上流側近傍には、それぞれ風速モニター１８８ａ，１
８８ｂが設けられており、この風速モニター１８８ａ，
１８８ｂの風力差の変化により、ファン１５８の故障や
不活性ガスのリークが確認できるようになっている。

【００８７】さらに、チャンバルーム１１内には、温度
調節計（温度計）１８９が設けられており、温度調節計
１８９は、リレー１９０を介してヒータ１５７に接続さ
れている。この場合、温度調節装置のクーラ１５６は常
時定格運転となっており、ヒータ１５７により、チャン
バルーム１１内が２０℃±０．５℃になるように制御さ
れる。

【００８８】一方、チャンバルーム１１内の不活性ガス
追い出して外気を導入する大気置換運転では、ガスダン
パーユニット１４１を「閉」とし、外気ダンパーユニッ
ト１７３および排気ダンパーユニット１６２を「開」と
して、ファン１５８により、チャンバルーム１１内に外
気を強制的に導入する。すなわち、チャンバルーム１１
内に外気を強制送気し、チャンバルーム１１内の不活性
ガスを押し出すようにする。また、両排気バルブ１６
７，１６７を「開」とし、内外両パネルユニット１２
１，１２２の空隙１３０部分にリークした不活性ガスも
排気する。

【００８９】描画装置２のメンテナンス（着脱パネルユ
ニット１１３，１１４の開放）を前提とする大気置換運
転では、ヒータ１５７をＯＦＦとすると共に、外気調整
ダンパー１７５および排気調整ダンパー１６３を「全
開」として、流量調整は行わない。これにより、最短時
間で大気置換が行われる。そして、チャンバルーム１１
内に設けた酸素濃度計（高濃度）１９１の計測結果に基
づいて、大気置換の完了が確認され、且つ上記の電磁ロ
ック装置１２９のロック状態が解除される。これによ
り、前後両着脱パネルユニット１１３，１１４が開放可
能状態となる。

【００９０】また、描画装置（液滴吐出装置６）２の精
度確認に関する試験運転を前提とする大気置換運転で
は、ヒータ１５７をＯＮとすると共に、外気調整ダンパ
ー１７５および排気調整ダンパー１６３が流量調整さ
れ、チャンバルーム１１内が所望の温度（２０℃±０．
５℃）の雰囲気（大気）に置換される。

【００９１】このように、描画装置２をチャンバルーム
１１に収容し、液滴吐出装置６による液滴吐出作業を新
鮮な不活性ガスの雰囲気中で行うようにしているため、
基板Ｗ上に着弾した機能液滴（発光材料）が変質したり
損傷したりすることがなく、有機ＥＬ装置を安定に製造
することができる。また、大気置換を行う場合に、ファ
ン１５８を用いて外気をチャンバルーム１１内に強制的
送り込むようにしているため、短時間で外気置換を行う
ことができる共に、不活性ガスの残留を極力防止するこ
とができる。

【００９２】次に、電気光学装置１の第２実施形態につ
いて説明する。

【００９３】図１４ないし図１７に示すように、この電
気光学装置２０１では、液滴吐出装置２０３をチャンバ
装置２０４のチャンバルーム２０５内に収容し、これを
キャビネット形式の架台２０６に支持して、描画装置２
０２が構成されている。また、描画装置２０２に併設す
るようにしてエアー供給ユニット２１８を組み込んだ電
装ボックス２０７と、不活性ガスをチャンバルーム２０
５内に導入するためのガス導入ユニット２０８と、これ
ら構成装置を操作する操作ユニット２０９とが設けられ
ている。このうち、ガス導入ユニット２０８は描画装置
２０２の側面に固定されているが、他の装置はそれぞれ
別体で構成され、個々に移動可能に付設されている。

【００９４】チャンバルーム２０５内には、液滴吐出装
置２０３と共にその付帯装置が収容されている。付帯装
置は、機能液滴吐出ヘッド２１１の吐出液滴量を計測す
る電子天秤２１２、基板Ｗを画像認識する基板認識カメ
ラ２１３、機能液滴吐出ヘッド（吐出ノズル）２１１を
画像認識するヘッド認識カメラ２１４、基板Ｗ吸着用の
真空ポンプ２１６および機能液滴吐出ヘッド２１１のメ
ンテナンスに供するメンテナンス装置２１５等で構成さ
れている。

【００９５】そして、本実施形態の構成装置を統括制御
する制御装置（制御手段）２１０は、上記の架台２０６
に搭載された装置コントロール用ＰＣ（パーソナルコン
ピュータ）２１０−１、ヘッド駆動用ＰＣ２１０−２お
よび画像処理装置２１０−３で構成されている。なお、
図示しないが、機能液タンク等の機能液供給系の装置
は、架台２０６上に配設されている。

【００９６】なお、ホーム位置における機能液滴吐出ヘ
ッド２１１の中心位置、電子天秤２１２の中心位置およ
びヘッド認識カメラ２１４の中心位置は、横並びに同位
置（Ｙ軸方向において同位置）となっている。また、基
板認識カメラ２１３は、基板Ｗの四隅に設けたアライメ
ントマークを認識すべく、Ｘ軸方向に移動自在に構成さ
れている。

【００９７】メンテナンス装置２１５は、機能液滴吐出
ヘッド２１１の定期的なフラッシング（全吐出のノズル
からの機能液の捨て吐出）を受けるフラッシングユニッ
ト２１７と、機能液滴吐出ヘッド２１１の機能液吸引等
を行う吸引キャップ（図示省略）付きの吸引ポンプ２１
９とで構成されている。なお、実施形態の機能液吸引
（クリーニング）およびワイピングは、手動で行われ
る。

【００９８】操作部ユニット２０９は、両画像認識カメ
ラ２１３，２１４で撮像した画像を映し出す位置補正用
ディスプレイ２２２と、画像分割装置２２３と、操作処
理用のディスプレイ２２４およびキーボード２２５と
を、筐体２２６に搭載して構成されている。

【００９９】そして、機能液滴吐出ヘッド２１１はサブ
キャリッジに搭載されてヘッドユニット２２８を構成し
ており（図１８参照）、このヘッドユニット２２８が液
滴吐出装置２０３に着脱可能にセットされている。すな
わち、液滴吐出装置２１１は、このヘッドユニット２２
８を搭載したＸ軸テーブル２３１と、Ｘ軸テーブル２３
１に直交すると共に基板ＷをセットするＹ軸テーブル２
３２とを備えている。また、ヘッドユニット２２８の近
傍に位置してＸ軸テーブル２３１には、着弾した基板Ｗ
上の機能液滴に不活性ガスを吹き付けて、これを乾燥さ
せるブロー装置２３３が搭載されている。

【０１００】Ｙ軸テーブル２３２は、Ｙ軸方向の駆動系
を構成するＹ軸リニアガイド２４１およびＹ軸リニアモ
ータ２４２を有し、これにθテーブル２４３および基板
Ｗをエアー吸引する吸着テーブル２４４を搭載して、構
成されている。なお、図示では省略したが、吸着テーブ
ル２４４内には基板乾燥用のセラミックヒータが内蔵さ
れており、セラミックヒータは架台２０６に収容した温
調ユニット２３０により制御される。同様に、Ｘ軸テー
ブル２３１は、Ｘ軸方向の駆動系が構成するＸ軸リニア
ガイド２４５およびＸ軸リニアモータ２４６を有し、こ
れにメインキャリッジ２４７を搭載して、構成されてい
る。そして、メインキャリッジ２４７には、微調整ステ
ージ２４８を介してヘッドユニット２２８が吊設され、
且つヘッドユニット２２８の先方に位置して、上記のブ
ロー装置２３３が固定されている。

【０１０１】この場合、機能液滴吐出ヘッド２１１の駆
動（機能液滴の選択的吐出）に同期して基板Ｗが移動す
る構成であり、機能液滴吐出ヘッド２１１のいわゆる主
走査は、Ｙ軸テーブル２３２の往動動作（または往復の
両動作）により行われる。また、これに対応して、いわ
ゆる副走査は、Ｘ軸テーブル２３１による機能液滴吐出
ヘッド２１１のＸ軸方向への往動動作により行われる。
さらに、上記の主走査を後方から追いかけるように（実
際には基板Ｗが移動）、ブロー装置２３３による不活性
ガスの吹付けが行われ、且つこれらの作業は、チャンバ
ルーム２０５内に充填した不活性ガス（窒素ガス）の雰
囲気中で行われる。なお、この実施形態では、単一の機
能液滴吐出ヘッド２１１が用いられており、機能液滴吐
出ヘッド２１１は主走査方向に対し幾分斜めに傾けて配
設されている（図１８参照）。

【０１０２】このように構成された実施形態の描画装置
２０２では、図１８の模式図に示すように、先ず、準備
段階として、ヘッドユニット２２８が液滴吐出装置２０
３に運び込まれてこれにセットされる。ヘッドユニット
２２８がセットされると、Ｘ軸テーブル２３１が、ホー
ム位置にあるヘッドユニット２２８を電子天秤２１２の
直上部に移動させる。ここで、機能液滴吐出ヘッド２１
１が駆動し、電子天秤２１２上に全吐出ノズルから複数
回に亘って機能液滴を吐出する。この機能液滴は電子天
秤２１２で計測され、その計測結果に基づいて、吐出ノ
ズルにおける１回の機能液滴の量（重量）が、制御装置
２１０により演算処理され、設計値になるようにヘッド
ドライバの印加電圧が補正される。もちろん、電子天秤
２１２の計測値を読み取って、人的処理により印加電圧
を補正することも可能である。

【０１０３】機能液滴の量的補正の後、再度Ｘ軸テーブ
ル２３１が駆動し、ホーム位置を越えてヘッドユニット
２２８をヘッド認識カメラ２１４に臨ませる。ここで、
ヘッド認識カメラ２１４によりヘッドユニット（機能液
滴吐出ヘッド２１１のノズル列）２２８が位置認識（画
像認識）され、この認識結果に基づいて、ヘッドユニッ
ト２２８のＸ・Ｙ・θ補正が行われる。また同時に、機
能液滴吐出ヘッド２１１のノズル面の汚れ等が、ヘッド
認識カメラ２１４により認識される（汚れている場合ク
リーニングを行う）。そして、位置補正後、ヘッドユニ
ット２２８はホーム位置に戻る。

【０１０４】一方、Ｙ軸テーブル２３２の吸着テーブル
２４４上に基板（この場合は、導入される基板毎）Ｗが
導入されると、Ｙ軸テーブル２３２が基板Ｗを基板認識
カメラ２１３の直下に移動させ、Ｘ軸方向に移動する基
板認識カメラ２１３により基板Ｗの位置認識（画像認
識）が行われる。ここで、この認識結果に基づいて、基
板ＷのＸ・Ｙ・θ補正が行われる。位置補正後、基板
（吸着テーブル２４４）Ｗはホーム位置に戻る。

【０１０５】このようにして準備が完了すると、実際の
液滴吐出作業では、先ずＹ軸テーブル２３２が駆動し、
基板Ｗを主走査方向に往動させると共に機能液滴吐出ヘ
ッド２１１を駆動して、機能液滴の基板Ｗへの選択的な
吐出動作が行われる。また、この吐出動作に同期してブ
ロー装置２３３が駆動し、基板Ｗ上に着弾した機能液滴
に不活性ガスを吹き付ける。すなわち、基板Ｗを固定と
して相対的に考えると、基板Ｗに対し機能液滴吐出ヘッ
ド２１１が往動して吐出動作が行われると共に、これに
後行してブロー装置２３３が移動し、着弾機能液滴への
不活性ガスによる乾燥動作が行われる。

【０１０６】吐出動作が終了して基板Ｗが復動した後、
こんどはＸ軸テーブル２３１が駆動し、ヘッドユニット
２２８を１ピッチ分、副走査方向に移動させ、再度基板
Ｗの主走査方向への往復移動と機能液滴吐出ヘッド２１
１およびブロー装置２３３の駆動が行われる。そしてこ
れを、数回繰り返すことで、基板Ｗの端から端まで（全
領域）液滴吐出が行われる。なお、ブロー装置２３３に
より着弾した機能液滴はその溶剤が気化する（乾燥）
が、完全乾燥を期するために上記の処理の後、改めて図
外の乾燥装置に導入することが、好ましい。

【０１０７】また、本実施形態では、ヘッドユニット２
２８に対し、その吐出対象物である基板Ｗを主走査方向
（Ｙ軸方向）に移動させるようにしているが、ヘッドユ
ニット２２８を主走査方向に移動させる構成であっても
よい。また、ヘッドユニット２２８を固定とし、基板Ｗ
を主走査方向および副走査方向に移動させる構成であっ
てもよい。さらに、ヘッドユニット２２８のＹ軸方向へ
の相対的に往動時のみならず、復動時にも機能液滴の吐
出動作が行われる構成としてもよい。

【０１０８】次に、図１９ないし図２３（同時に図１４
参照）を参照して、チャンバ装置２０４について詳細に
説明する。

【０１０９】チャンバ装置２０４は、液滴吐出装置２０
３を収容するチャンバルーム２０５と、上記のガス導入
ユニット２０８と、ガス導入ユニット２０８からチャン
バルーム２０５内に不活性ガスを導入する供給チューブ
（ガス供給流路：図２３参照）２５２と、チャンバルー
ム２０５から不活性ガスを排気する一対の排気ダクト
（排気流路）２５３，２５３とを備えている。また、大
気置換のために上記のエアー供給ユニットを備えてい
る。

【０１１０】チャンバルーム２０５は、直方体に組んだ
枠体２６１の６面にパネル２６２を気密に装着したもの
であり、液滴吐出装置２０３の機台を構成する底面パネ
ル２６２ａを除いて他の５面のパネル２６２は、透明な
パネルで構成されている。左側面パネル２６２ｂの前部
および正面パネル２６２ｃの中央部は、広く脱着パネル
構造となっており、この部分にはそれぞれ手作業を行う
ための１組のグローブホルダ２６４，２６４が取り付け
られている。なお、他のパネル２６２は、枠体２６１に
嵌め殺しで装着されている。

【０１１１】また、背面パネル２６２ｄには、横並びに
２つの排気口２６５，２６５が形成され、この排気口２
６５，２６５にそれぞれ上記の排気ダクト２５３，２５
３が接続されている。図示しないが、この一対の排気ダ
クト２５３，２５３の下流側は、排気ダンパーを介して
ガス処理装置に接続されている。

【０１１２】ガス導入ユニット２０８は、描画装置２０
２の外部にあって、架台２０６に添設するように設けら
れている（図１７参照）。図２３（ｂ）に示すように、
ガス導入ユニット２０８には、ドライヤ、レギュレー
タ、フィルタ、開閉バルブ等が組み込まれており、圧
力、温度および湿度等が管理された不活性ガスを、チャ
ンバルーム２０５に供給できるようになっている。

【０１１３】同様に、エアー供給ユニット２１８は、描
画装置２０２の外部にあって、上記の電装ボックス２０
７内に収容されている。（図１６参照）。この場合も、
エアー供給ユニット２１８には、ドライヤ、レギュレー
タ、フィルタ、開閉バルブ等が組み込まれている。

【０１１４】図２３（ｂ）に示すように、供給チューブ
２５２は、ガス導入ユニット２０８の下流側で、ブロー
系、左パージ系および右パージ系の３系統に分岐してい
る。ブロー系供給チューブ２７１は、上記のブロー装置
２３３に接続されており、これにより供給される不活性
ガスは、ブロー装置２３３で加熱した後、基板Ｗに吹き
付けられる。

【０１１５】左パージ系供給チューブ２７２はさらに３
分岐し、この３本の左分岐チューブ２７２ａ，２７２
ａ，２７２ａが、それぞれ流量計２７３および流量調整
バルブ２７４を介して（図２１参照）、図１９における
左側面パネル２６２ｂの隅部３個所に設けたガス吹出口
（送気口）２７５，２７５，２７５に接続されている。
この場合、ガス吹出口２７５の設置位置は、左側面パネ
ル２６２ｂの隅部のうち、排気口２６５から最も離れた
隅部３個所となっている。

【０１１６】同様に、右パージ系供給チューブ２７７は
３分岐し、この３本の右分岐チューブ２７７ａ，２７７
ａ，２７７ａが、それぞれ流量計２７３および流量調整
バルブ２７４を介して（図２２参照）、図１９における
右側面パネル２６２ｅの隅部３個所に設けたガス吹出口
（送気口）２７５に接続されている。この場合も、ガス
吹出口２７５の設置位置は、左側面パネル２６２ｅの隅
部のうち、排気口２６５から最も離れた隅部３個所とな
っている。すなわち、排気口２６５から離間した位置に
設けた６個のガス吹出口２７５は、個々に、不活性ガス
の吹出し流量を調整できるようになっている。

【０１１７】第２実施形態のチャンバ装置２０４も、上
記実施形態と同様に、不活性ガスの補給と排気とを連続
させて、チャンバルーム２０５内に良好な雰囲気を構成
する運転形態をとっており、ガス導入ユニット２０８に
より不活性ガスの全体の補給量が調整されるが、さらに
計６個のガス吹出口２７５毎に、不活性ガスの補給量が
調整される。

【０１１８】例えば、後下部の一対の排気口２６５，２
６５から最も離れた前上部の２つのガス吹出口２７５，
２７５における不活性ガスの吹出し流量を他のものより
多くして、チャンバルーム２０５内の気流が略対角方向
に流れるようにすることが、好ましい。これにより、不
活性ガスの主流路が、液滴吐出装置２０３の液滴吐出動
作を行う領域、すなわち吐出エリアに交差するように且
つこれを包み込むように流れ、吐出エリアに常に新鮮な
不活性ガスを供給することができる。

【０１１９】また、チャンバルーム２０５内には、６つ
のガス吹出口２７５から不活性ガスが流入するため、不
活性ガスのガス溜まりが生じ難く、全体として新鮮な不
活性ガスによる雰囲気を構成することができる。なお、
不活性ガスのガス溜まりを防止する他の対策としては、
隅部をアール形状に埋めることや、気流の流れ方向を調
整する邪魔板等を設けることも可能である。

【０１２０】一方、図２３（ａ）に示すように、エアー
供給ユニット２１８に連なるエアーチューブ２８１も、
エアー供給ユニット２１８の下流側で、左パージ系およ
び右パージ系の２系統に分岐している。そして、左パー
ジ系エアーチューブ２８２は３分岐し、この３本の左分
岐チューブ２８２ａが、それぞれ流量計２８３および流
量調整バルブ２８４を介して（図２１参照）、図１９に
おける左側面パネル２６２ｂの隅部３個所に設けたエア
ー吹出口（送気口）２８５，２８５に接続されている。
同様に、右パージ系供給チューブ２８７は３分岐し、こ
の３本の右分岐チューブ２８７ａが、それぞれ流量計２
８３および流量調整バルブ２８４を介して（図２２参
照）、図１９における右側面パネル２６２ｅの隅部３個
所に設けたエアー吹出口（送気口）２８５，２８５，２
８５に接続されている。

【０１２１】このように構成されたエアー供給ユニット
２１８を用いて、チャンバルーム２０５内の大気置換を
行う場合には、単純に、ガス導入ユニット２０８を閉塞
しておいて、エアー供給ユニット２１８を開放し、６つ
のガス吹出口２８５から圧縮エアーをチャンバルーム２
０５内に導入し、不活性ガスを排気口２６５に向かって
押し出すようにする。

【０１２２】次に、上記第１および第２実施形態の電気
光学装置１，２０１を用いた有機ＥＬ装置の製造方法に
ついて説明する。

【０１２３】図２４ないし図３６は、有機ＥＬ装置の製
造プロセスと共にその構造を表している。この製造プロ
セスは、バンク部形成工程と、プラズマ処理工程と、正
孔注入／輸送層形成工程及び発光層形成工程からなる発
光素子形成工程と、対向電極形成工程と、封止工程とを
具備して構成されている。

【０１２４】バンク部形成工程では、基板５０１に予め
形成した回路素子部５０２上及び電極５１１（画素電極
ともいう）上の所定の位置に、無機物バンク層５１２ａ
と有機物バンク層５１２ｂを積層することにより、開口
部５１２ｇを有するバンク部５１２を形成する。このよ
うに、バンク部形成工程には、電極５１１の一部に、無
機物バンク層５１２ａを形成する工程と、無機物バンク
層の上に有機物バンク層５１２ｂを形成する工程が含ま
れる。

【０１２５】まず無機物バンク層５１２ａを形成する工
程では、図２４に示すように、回路素子部５０２の第２
層間絶縁膜５４４ｂ上及び画素電極５１１上に、無機物
バンク層５１２ａを形成する。無機物バンク層５１２ａ
を、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等
によって層間絶縁層５１４及び画素電極５１１の全面に
ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂等の無機物膜を形成する。

【０１２６】次にこの無機物膜をエッチング等によりパ
ターニングして、電極５１１の電極面５１１ａの形成位
置に対応する下部開口部５１２ｃを設ける。このとき、
無機物バンク層５１２ａを電極５１１の周縁部と重なる
ように形成しておく必要がある。このように、電極５１
１の周縁部（一部）と無機物バンク層５１２ａとが重な
るように無機物バンク層５１２ａを形成することによ
り、発光層５１０の発光領域を制御することができる。

【０１２７】次に有機物バンク層５１２ｂを形成する工
程では、図２５に示すように、無機物バンク層５１２ａ
上に有機物バンク層５１２ｂを形成する。有機物バンク
層５１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりエッチン
グして、有機物バンク層５１２ｂの上部開口部５１２ｄ
を形成する。上部開口部５１２ｄは、電極面５１１ａ及
び下部開口部５１２ｃに対応する位置に設けられる。

【０１２８】上部開口部５１２ｄは、図２５に示すよう
に、下部開口部５１２ｃより広く、電極面５１１ａより
狭く形成することが好ましい。これにより、無機物バン
ク層５１２ａの下部開口部５１２ｃを囲む第１積層部５
１２ｅが、有機物バンク層５１２ｂよりも電極５１１の
中央側に延出された形になる。このようにして、上部開
口部５１２ｄ、下部開口部５１２ｃを連通させることに
より、無機物バンク層５１２ａ及び有機物バンク層５１
２ｂを貫通する開口部５１２ｇが形成される。

【０１２９】次にプラズマ処理工程では、バンク部５１
２の表面と画素電極の表面５１１ａに、親インク性を示
す領域と、撥インク性を示す領域を形成する。このプラ
ズマ処理工程は、予備加熱工程と、バンク部５１２の上
面（５１２ｆ）及び開口部５１２ｇの壁面並びに画素電
極５１１の電極面５１１ａを親インク性を有するように
加工する親インク化工程と、有機物バンク層５１２ｂの
上面５１２ｆ及び上部開口部５１２ｄの壁面を、撥イン
ク性を有するように加工する撥インク化工程と、冷却工
程とに大別される。

【０１３０】まず、予備加熱工程では、バンク部５１２
を含む基板５０１を所定の温度まで加熱する。加熱は、
例えば基板５０１を載せるステージにヒータを取り付
け、このヒータで当該ステージごと基板５０１を加熱す
ることにより行う。具体的には、基板５０１の予備加熱
温度を、例えば７０〜８０℃の範囲とすることが好まし
い。

【０１３１】つぎに、親インク化工程では、大気雰囲気
中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ₂プラズマ
処理）を行う。このＯ₂プラズマ処理により、図２６に
示すように、画素電極５１１の電極面５１１ａ、無機物
バンク層５１２ａの第１積層部５１２ｅ及び有機物バン
ク層５１２ｂの上部開口部５１２ｄの壁面ならびに上面
５１２ｆが親インク処理される。この親インク処理によ
り、これらの各面に水酸基が導入されて親インク性が付
与される。図２６では、親インク処理された部分を一点
鎖線で示している。

【０１３２】つぎに、撥インク化工程では、大気雰囲気
中で４フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理（Ｃ
Ｆ₄プラズマ処理）を行う。ＣＦ₄プラズマ処理により、
図２７に示すように、上部開口部５１２ｄ壁面及び有機
物バンク層の上面５１２ｆが撥インク処理される。この
撥インク処理により、これらの各面にフッ素基が導入さ
れて撥インク性が付与される。図２７では、撥インク性
を示す領域を二点鎖線で示している。

【０１３３】次に、冷却工程では、プラズマ処理のため
に加熱された基板５０１を室温、またはインクジェット
工程（液滴吐出工程）の管理温度まで冷却する。プラズ
マ処理後の基板５０１を室温、または所定の温度（例え
ばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却するこ
とにより、次の正孔注入／輸送層形成工程を一定の温度
で行うことができる。

【０１３４】次に発光素子形成工程では、画素電極５１
１上に正孔注入／輸送層及び発光層を形成することによ
り発光素子を形成する。発光素子形成工程には、４つの
工程が含まれる。即ち、正孔注入／輸送層を形成するた
めの第１組成物を各前記画素電極上に吐出する第１液滴
吐出工程と、吐出された前記第１組成物を乾燥させて前
記画素電極上に正孔注入／輸送層を形成する正孔注入／
輸送層形成工程と、発光層を形成するための第２組成物
を前記正孔注入／輸送層の上に吐出する第２液滴吐出工
程と、吐出された前記第２組成物を乾燥させて前記正孔
注入／輸送層上に発光層を形成する発光層形成工程とが
含まれる。

【０１３５】まず、第１液滴吐出工程では、インクジェ
ット法（液滴吐出法）により、正孔注入／輸送層形成材
料を含む第１組成物を電極面５１１ａ上に吐出する。な
お、この第１液滴吐出工程以降は、水、酸素の無い窒素
雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うこ
とが好ましい。（なお、画素電極上にのみ正孔注入／輸
送層を形成する場合は、有機物バンク層に隣接して形成
される正孔注入／輸送層は形成されない）

【０１３６】図２８に示すように、インクジェットヘッ
ド（機能液滴吐出ヘッド）Ｈに正孔注入／輸送層形成材
料を含む第１組成物を充填し、インクジェットヘッドＨ
の吐出ノズルを下部開口部５１２ｃ内に位置する電極面
５１１ａに対向させ、インクジェットヘッドＨと基板５
０１とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当た
りの液量が制御された第１組成物滴５１０ｃを電極面５
１１ａ上に吐出する。

【０１３７】ここで用いる第１組成物としては、例え
ば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリ
チオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の
混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることが
できる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアル
コール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト
−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグ
リコールエーテル類等を挙げることができる。なお、正
孔注入／輸送層形成材料は、Ｒ・Ｇ・Ｂの各発光層５１
０ｂに対して同じ材料を用いても良く、発光層毎に変え
ても良い。

【０１３８】図２８に示すように、吐出された第１組成
物滴５１０ｃは、親インク処理された電極面５１１ａ及
び第１積層部５１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部５
１２ｃ、５１２ｄ内に満たされる。電極面５１１ａ上に
吐出する第１組成物量は、下部、上部開口部５１２ｃ、
５１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層
の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃
度等により決定される。また、第１組成物滴５１０ｃは
１回のみならず、数回に分けて同一の電極面５１１ａ上
に吐出しても良い。

【０１３９】次に正孔注入／輸送層形成工程では、図２
９に示すように、吐出後の第１組成物を乾燥処理及び熱
処理して第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させるこ
とにより、電極面５１１ａ上に正孔注入／輸送層５１０
ａを形成する。乾燥処理を行うと、第１組成物滴５１０
ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層５
１２ａ及び有機物バンク層５１２ｂに近いところで起
き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料
が濃縮されて析出する。

【０１４０】これにより図２９に示すように、乾燥処理
によって電極面５１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、
これにより電極面５１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材
料からなる平坦部５１０ａが形成される。電極面５１１
ａ上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正
孔注入／輸送層の形成材料が電極面５１１ａ上で均一に
濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部５１０ａが形
成される。

【０１４１】次に第２液滴吐出工程では、インクジェッ
ト法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２
組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出する。この
第２液滴吐出工程では、正孔注入／輸送層５１０ａの再
溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第２組
成物の溶媒として、正孔注入／輸送層５１０ａに対して
不溶な非極性溶媒を用いる。

【０１４２】しかしその一方で正孔注入／輸送層５１０
ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶
媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐
出しても、正孔注入／輸送層５１０ａと発光層５１０ｂ
とを密着させることができなくなるか、あるいは発光層
５１０ｂを均一に塗布できないおそれがある。そこで、
非極性溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入／
輸送層５１０ａの表面の親和性を高めるために、発光層
を形成する前に表面改質工程を行うことが好ましい。

【０１４３】そこでまず、表面改質工程について説明す
る。表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第１組成
物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒であ
る表面改質用溶媒を、インクジェット法（液滴吐出
法）、スピンコート法またはディップ法により正孔注入
／輸送層５１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより
行う。

【０１４４】例えば、インクジェット法による塗布は、
図３０に示すように、インクジェットヘッドＨに、表面
改質用溶媒を充填し、インクジェットヘッドＨの吐出ノ
ズルを基板（すなわち、正孔注入／輸送層５１０ａが形
成された基板）に対向させ、インクジェットヘッドＨと
基板５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルＨから
表面改質用溶媒５１０ｄを正孔注入／輸送層５１０ａ上
に吐出することにより行う。そして、図３１に示すよう
に、表面改質用溶媒５１０ｄを乾燥させる。

【０１４５】次に第２液滴吐出工程では、インクジェッ
ト法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２
組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出する。図３
２に示すように、インクジェットヘッドＨに、青色
（Ｂ）発光層形成材料を含有する第２組成物を充填し、
インクジェットヘッドＨの吐出ノズルを下部、上部開口
部５１２ｃ、５１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層５
１０ａに対向させ、インクジェットヘッドＨと基板５０
１とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たり
の液量が制御された第２組成物滴５１０ｅとして吐出
し、この第２組成物滴５１０ｅを正孔注入／輸送層５１
０ａ上に吐出する。

【０１４６】発光層形成材料としては、ポリフルオレン
系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘
導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾー
ル、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン
系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機
ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブ
レン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、
テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン
６、キナクリドン等をドープすることにより用いること
ができる。

【０１４７】非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層５
１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロ
へキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチ
ルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることがで
きる。このような非極性溶媒を発光層５１０ｂの第２組
成物に用いることにより、正孔注入／輸送層５１０ａを
再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。

【０１４８】図３２に示すように、吐出された第２組成
物５１０ｅは、正孔注入／輸送層５１０ａ上に広がって
下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に満たされる。
第２組成物５１０ｅは１回のみならず、数回に分けて同
一の正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出しても良い。こ
の場合、各回における第２組成物の量は同一でも良く、
各回毎に第２組成物量を変えても良い。

【０１４９】次に発光層形成工程では、第２組成物を吐
出した後に乾燥処理及び熱処理を施して、正孔注入／輸
送層５１０ａ上に発光層５１０ｂを形成する。乾燥処理
は、吐出後の第２組成物を乾燥処理することにより第２
組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発して、図３３に示す
ような青色（Ｂ）発光層５１０ｂを形成する。

【０１５０】続けて、図３４に示すように、青色（Ｂ）
発光層５１０ｂの場合と同様にして、赤色（Ｒ）発光層
５１０ｂを形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層５１０ｂを
形成する。なお、発光層５１０ｂの形成順序は、前述の
順序に限られるものではなく、どのような順番で形成し
ても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順
番を決める事も可能である。

【０１５１】次に対向電極形成工程では、図３５に示す
ように、発光層５１０ｂ及び有機物バンク層５１２ｂの
全面に陰極５０３（対向電極）を形成する。なお，陰極
５０３は複数の材料を積層して形成しても良い。例え
ば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成す
ることが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが
可能であり、また材料によっては下層にＬｉＦ等を薄く
形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）
には下部側よりも仕事関数が高いものが好ましい。これ
らの陰極（陰極層）５０３は、例えば蒸着法、スパッタ
法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法
で形成することが、発光層５１０ｂの熱による損傷を防
止できる点で好ましい。

【０１５２】また、フッ化リチウムは、発光層５１０ｂ
上のみに形成しても良く、更に青色（Ｂ）発光層５１０
ｂ上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）
発光層及び緑色（Ｇ）発光層５１０ｂ、５１０ｂには、
ＬｉＦからなる上部陰極層５０３ｂが接することとな
る。また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッタ法、Ｃ
ＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用いること
が好ましい。また、陰極５０３上に、酸化防止のために
ＳｉＯ₂、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。

【０１５３】最後に、図３６に示す封止工程では、窒
素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気中で、有
機ＥＬ素子５０４上に封止用基板５０５を積層する。封
止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰
囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極５０
３にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部
分から水や酸素等が陰極５０３に侵入して陰極５０３が
酸化されるおそれがあるので好ましくない。そして最後
に、フレキシブル基板の配線に陰極５０３を接続すると
ともに、駆動ＩＣに回路素子部５０２の配線を接続する
ことにより、本実施形態の有機ＥＬ装置５００が得られ
る。

【０１５４】

【発明の効果】以上のように、本発明のチャンバ装置の
運転方法およびチャンバ装置によれば、不活性ガスの補
給および排気により、チャンバルーム内の雰囲気が構成
されるため、チャンバルーム内を常に新鮮な不活性ガス
の雰囲気に維持することができる。また、チャンバルー
ム内における雰囲気の温度や酸素濃度等の調節を簡単に
行うことができる。したがって、良好な環境でワーク処
理等を行うことができる。

【０１５５】また、本発明の電気光学装置および有機Ｅ
Ｌ装置によれば、新鮮な不活性ガスの雰囲気中でワーク
処理を行うことができるため、ワーク処理（有機ＥＬ装
置の製造）における信頼性および品質を高レベルに維持
することができる。したがって、有機ＥＬ装置において
は、高品質で且つ信頼性の高いものを低コストで提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る電気光学装置の外観斜
視図である。

【図２】実施形態に係る描画装置の外観斜視図である。

【図３】実施形態に係る描画装置の外観正面図である。

【図４】実施形態に係る描画装置の外観側面図である。

【図５】実施形態に係る描画装置の外観平面図である。

【図６】実施形態に係る描画装置の液滴吐出装置の模式
図である。

【図７】実施形態に係るチャンバ装置のシステム系統図
である。

【図８】実施形態に係るチャンバ装置の平面図である。

【図９】実施形態に係るチャンバ装置の正面図である。

【図１０】実施形態に係るチャンバ装置の右側面図であ
る。

【図１１】実施形態に係るチャンバ装置の左側面図であ
る。

【図１２】実施形態に係るチャンバ装置の背面図であ
る。

【図１３】実施形態に係るチャンバ装置の着脱パネルユ
ニットの横断面図（ａ）および横断面図（ｂ）である。

【図１４】第２実施形態に係る電気光学装置の外観斜視
図である。

【図１５】第２実施形態に係る電気光学装置の外観正面
図である。

【図１６】第２実施形態に係る電気光学装置の外観側面
図である。

【図１７】第２実施形態に係る電気光学装置の外観平面
図である。

【図１８】第２実施形態に係る描画装置の液滴吐出装置
における動作概念図である。

【図１９】第２実施形態に係るチャンバ装置の平面図で
ある。

【図２０】第２実施形態に係るチャンバ装置の正面図で
ある。

【図２１】第２実施形態に係るチャンバ装置の左側面図
である。

【図２２】第２実施形態に係るチャンバ装置の右側面図
である。

【図２３】第２実施形態に係るチャンバ装置のシステム
系統図である。

【図２４】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法にお
けるバンク部形成工程（無機物バンク）の断面図であ
る。

【図２５】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法にお
けるバンク部形成工程（有機物バンク）の断面図であ
る。

【図２６】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法にお
けるプラズマ処理工程（親水化処理）の断面図である。

【図２７】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法にお
けるプラズマ処理工程（撥水化処理）の断面図である。

【図２８】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法にお
ける正孔注入層形成工程（液滴吐出）の断面図である。

【図２９】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法にお
ける正孔注入層形成工程（乾燥）の断面図である。

【図３０】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法にお
ける表面改質工程（液滴吐出）の断面図である。

【図３１】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法にお
ける表面改質工程（乾燥）の断面図である。

【図３２】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法にお
けるＢ発光層形成工程（液滴吐出）の断面図である。

【図３３】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法にお
けるＢ発光層形成工程（乾燥）の断面図である。

【図３４】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法にお
けるＲ・Ｇ・Ｂ発光層形成工程の断面図である。

【図３５】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法にお
ける対向電極形成工程の断面図である。

【図３６】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法にお
ける封止工程の断面図である。

【符号の説明】

１電気光学装置２描画装置３チャンバ装置４機能液滴
吐出ヘッド６液滴吐出装置１１チャンバ
ルーム１２電気室１３機械室１７Ｘ軸テーブル１８Ｙ軸テ
ーブル２０ヘッドユニット１０１ガス導
入ユニット１０２排気ダクト１１３前部
着脱パネルユニット１１４後部着脱パネルユニット１２１内パ
ネルユニット１２２外パネルユニット１２４内パ
ネル１２６外パネル１２９電磁
ロック装置１３０空隙１３１送気
口１３２排気口１３３フィ
ルタチャンバ１３５フィルタ１３７隔壁１３８ガス流路１４１ガス
ダンパーユニット１４２ガス開閉バルブ１４３ガス
調整バルブ１４４ガス開閉ダンパー１４７主ガ
ス流路１５５ガス調和機器１５６クー
ラ１５７ヒータ１５８ファ
ン１６１排気チャンバ１６２排気
ダンパーユニット１６３排気調整ダンパー１６４排気
開閉ダンパー１６６排気パイプ１６７排気
バルブ１７１外気流路１７２外気
取入れ口１７３外気ダンパーユニット１７４外気
開閉ダンパー１７５外気調整ダンパー１７６外気
開閉バルブ２０１電気光学装置２０２描画
装置２０３液滴吐出装置２０４チャ
ンバ装置２０５チャンバルーム２０８ガス
導入ユニット２１１機能液滴吐出ヘッド２２８ヘッ
ドユニット２３１Ｘ軸テーブル２３２Ｙ軸
テーブル２５２供給チューブ２５３排気
ダクト２６５排気口２７４流量
調整バルブ２７５ガス吹出口５００有機
ＥＬ装置５０１基板５０４有機
ＥＬ素子５１０ａ正孔注入／輸送層５１０ｂ発
光層Ｗ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】不活性ガスの補給および排気を連続させ
て、チャンバルーム内に不活性ガスの雰囲気を構成する
ことを特徴とするチャンバ装置の運転方法。
【請求項２】前記チャンバルームは略直方体形状を有
し、前記補給および前記排気に伴う不活性ガスの気流を、前
記チャンバルームの略対角方向に流すことを特徴とする
請求項１に記載のチャンバ装置の運転方法。
【請求項３】前記チャンバルームは略直方体形状を有
し、前記不活性ガスの補給を、前記チャンバール内の複数の
隅部から行うことを特徴とする請求項１に記載のチャン
バ装置の運転方法。
【請求項４】大気圧に対し、前記チャンバルーム内が
正圧に保たれることを特徴とする請求項１、２または３
に記載のチャンバ装置の運転方法。
【請求項５】ワーク処理を不活性ガスの雰囲気中で行
うことを要するワーク処理装置を、チャンバルーム内に
収容するチャンバ装置であって、略直方体形状に形成された前記チャンバルームと、前記チャンバルーム内に不活性ガスを供給するガス供給
流路と、前記ガス供給流路に連なると共に前記チャンバルームに
開口した送気口と、前記チャンバルーム内の不活性ガスを排気する排気流路
と、前記排気流路に連なると共に前記チャンバルームに開口
した排気口とを備え、前記送気口と前記排気口とが相互に略対角位置に配設さ
れていることを特徴とするチャンバ装置。
【請求項６】前記ガス供給流路にはガスダンパーが介
設され、且つ前記排気流路には排気ダンパーが介設さ
れ、前記チャンバルームに対し不活性ガスの補給および排気
を連続させるために、前記ガスダンパーおよび前記排気
ダンパーは常時「開」に制御されていることを特徴とす
る請求項５に記載のチャンバ装置。
【請求項７】収容される前記ワーク処理装置は、前記
チャンバルームの上部空間の水平面内においてワーク処
理エリアを有し、前記送気口は前記チャンバルームの上端部に開口し、前
記排気口は前記チャンバルームの下端部に開口している
ことを特徴とする請求項５または６に記載のチャンバ装
置。
【請求項８】前記送気口から前記排気口に流れる不活
性ガスの主気流が、前記ワーク処理エリアに交差するこ
とを特徴とする請求項７に記載のチャンバ装置。
【請求項９】前記チャンバルームの天井部には、前記
送気口に連なると共に下面を開放したフィルタチャンバ
と、前記フィルタチャンバの下面開放部に装着したフィ
ルタとが設けられていることを特徴とする請求項７また
は８に記載のチャンバ装置。
【請求項１０】前記フィルタは、少なくとも前記ワー
ク処理エリアを包含する大きさを有していることを特徴
とする請求項９に記載のチャンバ装置。
【請求項１１】前記ガス供給流路には、前記送気口を
介して不活性ガスを前記チャンバルームに強制送気する
ファンが介設されていることを特徴とする請求項５ない
し１０のいずれかに記載のチャンバ装置。
【請求項１２】前記ガス供給流路には、不活性ガスの
温度を調節する温度調節装置が介設されていることを特
徴とする請求項５ないし１１のいずれかに記載のチャン
バ装置。
【請求項１３】ワーク処理を不活性ガスの雰囲気中で
行うことを要するワーク処理装置を、チャンバルーム内
に収容するチャンバ装置であって、略直方体形状に形成された前記チャンバルームと、前記チャンバルーム内に不活性ガスを供給するガス供給
流路と、前記ガス供給流路の下流端に設けられると共に前記チャ
ンバルーム内に開口した複数の送気口と、前記チャンバルーム内の不活性ガスを排気する排気流路
と、前記排気流路に連なると共に前記チャンバルームに開口
した排気口とを備え、前記各送気口は、前記排気口から離間した前記チャンバ
ルーム内の複数の隅部に配設されていることを特徴とす
るチャンバ装置。
【請求項１４】前記ガス供給流路にはガスダンパーが
介設され、且つ前記排気流路には排気ダンパーが介設さ
れ、前記チャンバルームに対し不活性ガスの補給および排気
を連続させるために、前記ガスダンパーおよび前記排気
ダンパーは常時「開」に制御されていることを特徴とす
る請求項１３に記載のチャンバ装置。
【請求項１５】前記複数の送気口は、個々に流量調節
可能に構成され、前記排気口からの離間距離が長い送気口は多流量に短い
送気口は少流量にそれぞれ調整されていることを特徴と
する請求項１３または１４に記載のチャンバ装置。
【請求項１６】収容される前記ワーク処理装置は、前
記チャンバルーム内の水平面内においてワーク処理エリ
アを有し、前記複数の送気口から前記排気口に流れる不活性ガスの
主気流が、前記ワーク処理エリアに交差することを特徴
とする請求項１３、１４または１５に記載のチャンバ装
置。
【請求項１７】請求項５ないし１６のいずれかに記載
のチャンバ装置と、前記チャンバ装置に収容した前記ワ
ーク処理装置と、を備えたことを特徴とする電気光学装
置。
【請求項１８】前記ワーク処理装置が、有機ＥＬ装置
の製造装置であることを特徴とする請求項１７に記載の
電気光学装置。
【請求項１９】前記有機ＥＬ装置の製造装置が、ワー
クである基板に対し、発光機能材料を導入した機能液滴
吐出ヘッドを相対的に走査し、前記発光機能材料を選択
的に吐出して前記基板上の多数の画素領域に有機ＥＬ機
能層を形成する液滴吐出装置を有していることを特徴と
する請求項１８に記載の電気光学装置。
【請求項２０】有機ＥＬ機能層が、ＥＬ発光層および
正孔注入層のうち少なくとも前記ＥＬ発光層であること
を特徴とする請求項１９に記載の電気光学装置。
【請求項２１】前記ファンによる前記ワーク処理エリ
アにおける気流が、前記機能液滴吐出ヘッドから吐出し
た前記発光機能材料に飛行曲がりを生じない速度に調整
されていることを特徴とする請求項１９または２０に記
載の電気光学装置。
【請求項２２】請求項１８ないし２１のいずれかに記
載の電気光学装置により製造されたことを特徴とする有
機ＥＬ装置。