JP2003272833A - 表示パネル - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬ素子を備えた表示パネルにおいて、
予め定められた発光輝度が得やすく、また発光輝度のば
らつきを抑制することが可能な表示パネルを提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 有機ＥＬ素子９は、ガラス基板（透光性
基板）２上に配設され、透明電極３と背面電極６とによ
って少なくとも発光層を含む有機層５を挟持してなる。
電極端子３ｃ，６ａ（第１の接続端子）は、透明電極３
と電気的に接続しガラス基板２上に設けられる。フレキ
シブル回路基板８は、電極端子３ａ，６ａと電気的に接
続する接続端子（第２の電極端子）８ｂが設けられてい
る。 電極端子３ｃ，６ａの幅Ｗ１は、接続端子８ｂの
幅Ｗ２より広く形成される。電極端子３ｃ，６ａと接続
端子８ｂとは異方性導電膜１１を介して電気的に接合す
る。
予め定められた発光輝度が得やすく、また発光輝度のば
らつきを抑制することが可能な表示パネルを提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 有機ＥＬ素子９は、ガラス基板（透光性
基板）２上に配設され、透明電極３と背面電極６とによ
って少なくとも発光層を含む有機層５を挟持してなる。
電極端子３ｃ，６ａ（第１の接続端子）は、透明電極３
と電気的に接続しガラス基板２上に設けられる。フレキ
シブル回路基板８は、電極端子３ａ，６ａと電気的に接
続する接続端子（第２の電極端子）８ｂが設けられてい
る。 電極端子３ｃ，６ａの幅Ｗ１は、接続端子８ｂの
幅Ｗ２より広く形成される。電極端子３ｃ，６ａと接続
端子８ｂとは異方性導電膜１１を介して電気的に接合す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも発光層
を有する有機層を少なくとも一方が透光性の一対の電極
によって挟持してなる有機ＥＬ素子を透光性基板上に配
設してなる表示パネルに関し、特にこの表示パネルと回
路基板との接続構造に関するものである。
を有する有機層を少なくとも一方が透光性の一対の電極
によって挟持してなる有機ＥＬ素子を透光性基板上に配
設してなる表示パネルに関し、特にこの表示パネルと回
路基板との接続構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】表示パネルとしては、ガラス材料からな
るガラス基板上に、ＩＴＯ（indium tin oxide）等によ
って陽極となる透明電極と、正孔注入層，正孔輸送層，
発光層及び電子輸送層からなる有機層と、陰極となるア
ルミニウム（Al）等の非透光性の背面電極とを順次積層
して積層体である有機ＥＬ素子を形成し、この積層体を
覆うガラス材料からなる凹部形状の封止部材を前記ガラ
ス基板上に紫外線硬化性接着剤を介して気密的に配設す
ることで得るものが知られている。
るガラス基板上に、ＩＴＯ（indium tin oxide）等によ
って陽極となる透明電極と、正孔注入層，正孔輸送層，
発光層及び電子輸送層からなる有機層と、陰極となるア
ルミニウム（Al）等の非透光性の背面電極とを順次積層
して積層体である有機ＥＬ素子を形成し、この積層体を
覆うガラス材料からなる凹部形状の封止部材を前記ガラ
ス基板上に紫外線硬化性接着剤を介して気密的に配設す
ることで得るものが知られている。
【０００３】前記表示パネルにおける他の機器（例え
ば、表示制御用のコントローラや定電流源回路等）との
接続においては、フレキシブル回路基板が設けられる。
前記ガラス基板の少なくとも一辺には、前記透明電極と
前記背面電極とからそれぞれ引き出し形成されたリード
部が集中配置され、前記リード部の先端部分には、前記
フレキシブル回路基板と電気的に接続するための電極端
子が形成されている。一方、前記フレキシブル回路基板
には、所定の回路配線が形成され、前記回路配線の末端
部分に前記電極端子と電気的に接合する接続端子（電極
端子）を備えている。そして、前記表示パネルと前記フ
レキシブル回路基板との前記各端子群の電気的な接合に
関しては、異方性導電膜（異方性導電フイルム）が用い
られる。
ば、表示制御用のコントローラや定電流源回路等）との
接続においては、フレキシブル回路基板が設けられる。
前記ガラス基板の少なくとも一辺には、前記透明電極と
前記背面電極とからそれぞれ引き出し形成されたリード
部が集中配置され、前記リード部の先端部分には、前記
フレキシブル回路基板と電気的に接続するための電極端
子が形成されている。一方、前記フレキシブル回路基板
には、所定の回路配線が形成され、前記回路配線の末端
部分に前記電極端子と電気的に接合する接続端子（電極
端子）を備えている。そして、前記表示パネルと前記フ
レキシブル回路基板との前記各端子群の電気的な接合に
関しては、異方性導電膜（異方性導電フイルム）が用い
られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記表示パネルと前記
フレキシブル回路基板との前記各端子群の接合構造は、
例えば前記表示パネル側の電極端子の形成間隔や端子形
状等の形成パターンを考慮して前記フレキシブル回路基
板の接続端子の形成パターンを決定するものであるが、
第１，第２の電極端子の各形成パターンとしては同等に
設定されることが一般的である。しかしながら、前記電
極端子と前記接続端子との形成パターンを同等にする
と、各端子が形成されるガラス基板とフレキシブル回路
基板との各基材の熱膨張率の違いにより形成間隔にずれ
が生じ、前記各端子群を前記異方性導電膜を用いて電気
的に接合する場合に、前記各端子群における各々の端子
毎の接合面積にばらつきが生じることから、接触抵抗が
接合する端子毎に異なることになり、電流駆動素子であ
る有機ＥＬ素子において、所定の輝度が得られないばか
りか、前記表示パネルの表示部単位で発光輝度のばらつ
きが生じてしまうといった問題点を有していた。
フレキシブル回路基板との前記各端子群の接合構造は、
例えば前記表示パネル側の電極端子の形成間隔や端子形
状等の形成パターンを考慮して前記フレキシブル回路基
板の接続端子の形成パターンを決定するものであるが、
第１，第２の電極端子の各形成パターンとしては同等に
設定されることが一般的である。しかしながら、前記電
極端子と前記接続端子との形成パターンを同等にする
と、各端子が形成されるガラス基板とフレキシブル回路
基板との各基材の熱膨張率の違いにより形成間隔にずれ
が生じ、前記各端子群を前記異方性導電膜を用いて電気
的に接合する場合に、前記各端子群における各々の端子
毎の接合面積にばらつきが生じることから、接触抵抗が
接合する端子毎に異なることになり、電流駆動素子であ
る有機ＥＬ素子において、所定の輝度が得られないばか
りか、前記表示パネルの表示部単位で発光輝度のばらつ
きが生じてしまうといった問題点を有していた。
【０００５】そこで、本発明は、前述した問題点に着目
し、有機ＥＬ素子を備えた表示パネルにおいて、所定の
発光輝度を得やすく、また発光輝度のばらつきを抑制す
ることが可能な表示パネルを提供することを目的とする
ものである。
し、有機ＥＬ素子を備えた表示パネルにおいて、所定の
発光輝度を得やすく、また発光輝度のばらつきを抑制す
ることが可能な表示パネルを提供することを目的とする
ものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、請求項１に記載の通り、透光性基板上に配
設され、少なくとも一方が透光性の一対の電極によって
少なくとも発光層を含む有機層を挟持してなる有機ＥＬ
素子と、前記電極と電気的に接続され前記透光性基板上
に設けられる第１の電極端子と、前記第１の電極端子と
電気的に接続する第２の電極端子を備えた回路基板とを
備え、前記第１，第２の電極端子の何れか一方の電極端
子の幅は、他方の電極端子よりも幅広く形成されてなる
ものである。
決するため、請求項１に記載の通り、透光性基板上に配
設され、少なくとも一方が透光性の一対の電極によって
少なくとも発光層を含む有機層を挟持してなる有機ＥＬ
素子と、前記電極と電気的に接続され前記透光性基板上
に設けられる第１の電極端子と、前記第１の電極端子と
電気的に接続する第２の電極端子を備えた回路基板とを
備え、前記第１，第２の電極端子の何れか一方の電極端
子の幅は、他方の電極端子よりも幅広く形成されてなる
ものである。
【０００７】また、請求項２に記載の通り、幅広く形成
される電極端子は、導電性の低い材料によって形成され
てなるものである。
される電極端子は、導電性の低い材料によって形成され
てなるものである。
【０００８】また、請求項３に記載の通り、前記第１の
電極端子と前記第２の電極端子とは、異方性導電膜もし
くはヒートシールを介して電気的に接続されてなるもの
である。
電極端子と前記第２の電極端子とは、異方性導電膜もし
くはヒートシールを介して電気的に接続されてなるもの
である。
【０００９】また、請求項４に記載の通り、前記回路基
板は、柔軟性を有する基板からなるものである。
板は、柔軟性を有する基板からなるものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づき説明する。
図面に基づき説明する。
【００１１】図１〜図３を用いて本発明の実施の形態に
ついて説明する。表示パネル１は、ガラス基板（透光性
基板）２と、透明電極３と、絶縁層４と、有機層５と、
背面電極６と、封止部材７と、フレキシブル回路基板８
から主に構成されている。
ついて説明する。表示パネル１は、ガラス基板（透光性
基板）２と、透明電極３と、絶縁層４と、有機層５と、
背面電極６と、封止部材７と、フレキシブル回路基板８
から主に構成されている。
【００１２】ガラス基板２は、長方形形状からなる透光
性の支持基板である。
性の支持基板である。
【００１３】透明電極３は、ガラス基板２上にＩＴＯ等
の導電性材料を蒸着法やスパッタリング法等の手段によ
って形成されるもので、日の字型の表示セグメント部３
ａと、個々の表示セグメント部３ａからそれぞれ引き出
し形成されたリード部３ｂと、リード部３ｂの終端部に
設けられる電極端子３ｃとを備えており、表示セグメン
ト部３ａ単位毎に図示しない給電回路からの定電流を選
択的に与えることが可能な構造を得ている。尚、電極端
子３ｃは、ガラス基板２の一辺に集中的に配設されるよ
うに各表示セグメント部３ａに対応するリード部３ｂが
引き出し形成される。
の導電性材料を蒸着法やスパッタリング法等の手段によ
って形成されるもので、日の字型の表示セグメント部３
ａと、個々の表示セグメント部３ａからそれぞれ引き出
し形成されたリード部３ｂと、リード部３ｂの終端部に
設けられる電極端子３ｃとを備えており、表示セグメン
ト部３ａ単位毎に図示しない給電回路からの定電流を選
択的に与えることが可能な構造を得ている。尚、電極端
子３ｃは、ガラス基板２の一辺に集中的に配設されるよ
うに各表示セグメント部３ａに対応するリード部３ｂが
引き出し形成される。
【００１４】絶縁層４は、例えば、ポリイミド系等の絶
縁材料からなり、例えばフォトリソグラフィー法等の手
段によって形成される。絶縁層４は、表示セグメント部
３ａに対応した窓部４ａを有し、発光領域の輪郭を鮮明
に表示するため、透明電極３の表示セグメント部３ａの
周縁部と若干重なるように窓部４ａが形成され、また、
透明電極３と背面電極６との絶縁を確保するためにリー
ド部３ｂ上を覆うように配設される。
縁材料からなり、例えばフォトリソグラフィー法等の手
段によって形成される。絶縁層４は、表示セグメント部
３ａに対応した窓部４ａを有し、発光領域の輪郭を鮮明
に表示するため、透明電極３の表示セグメント部３ａの
周縁部と若干重なるように窓部４ａが形成され、また、
透明電極３と背面電極６との絶縁を確保するためにリー
ド部３ｂ上を覆うように配設される。
【００１５】有機層５は、少なくとも発光層を有するも
のであれば良いが、本発明の実施の形態においては正孔
注入層，正孔輸送層，発光層及び電子輸送層を蒸着法等
の手段によって順次積層形成してなるものである。
のであれば良いが、本発明の実施の形態においては正孔
注入層，正孔輸送層，発光層及び電子輸送層を蒸着法等
の手段によって順次積層形成してなるものである。
【００１６】背面電極６は、アルミ（Al）やアルミリチ
ウム（Al:Li），マグネシウム銀（Mg:Ag）等の金属性の
導電性材料を蒸着法やスパッタリング法等の手段によっ
て有機層６上に形成してなるもので、長方形形状をなす
単一の金属電極であり、有機層５における発光部（表示
セグメント部３ａ）の共通電極となる。背面電極６は、
透明電極３の各電極端子３ｃに隣接するようにガラス基
板２の一辺に設けられる陰極用の電極端子６ａと電気的
に接続される。尚、電極端子６ａは透明電極３と同材料
により、背面電極６の幅方向に沿うように細長状に形成
される。
ウム（Al:Li），マグネシウム銀（Mg:Ag）等の金属性の
導電性材料を蒸着法やスパッタリング法等の手段によっ
て有機層６上に形成してなるもので、長方形形状をなす
単一の金属電極であり、有機層５における発光部（表示
セグメント部３ａ）の共通電極となる。背面電極６は、
透明電極３の各電極端子３ｃに隣接するようにガラス基
板２の一辺に設けられる陰極用の電極端子６ａと電気的
に接続される。尚、電極端子６ａは透明電極３と同材料
により、背面電極６の幅方向に沿うように細長状に形成
される。
【００１７】以上のように、ガラス基板２上に透明電極
３と絶縁層４と有機層５と背面電極６とを順次積層し積
層体を形成することで有機ＥＬ素子９が得られる。
３と絶縁層４と有機層５と背面電極６とを順次積層し積
層体を形成することで有機ＥＬ素子９が得られる。
【００１８】封止部材７は、例えばガラス材料からなる
平板部材に収納部である凹部７ａを形成してなるもので
ある。封止部材７は、凹部７ａを取り囲むように形成さ
れる支持部７ｂを、例えば紫外線硬化型エポキシ樹脂接
着剤１０を介しガラス基板２上に気密的に配設すること
で、封止部材７とガラス基板２とで有機ＥＬ素子９を収
納する気密空間Ｓを構成する。封止部材７は、透明電極
３の電極端子３ｃ及び背面電極６の電極端子６ａが外部
に露出するようにガラス基板２よりも若干小さ目に構成
されている。
平板部材に収納部である凹部７ａを形成してなるもので
ある。封止部材７は、凹部７ａを取り囲むように形成さ
れる支持部７ｂを、例えば紫外線硬化型エポキシ樹脂接
着剤１０を介しガラス基板２上に気密的に配設すること
で、封止部材７とガラス基板２とで有機ＥＬ素子９を収
納する気密空間Ｓを構成する。封止部材７は、透明電極
３の電極端子３ｃ及び背面電極６の電極端子６ａが外部
に露出するようにガラス基板２よりも若干小さ目に構成
されている。
【００１９】また、フレキシブル回路基板８は、柔軟性
を有する絶縁材料に所定の回路配線８ａが形成され、表
示制御用のコントローラや定電流源回路等の他の機器と
接続するための接続部材である。また回路配線８ａの末
端部分には、表示パネル１の各電極端子３ｃ，６ａと電
気的に接合する接続端子（第２の電極端子）８ｂが、フ
レキシブル回路基板８の幅方向に沿って列状に複数設け
られている。接続端子８ｂは、例えば銅箔上の銀や金等
の導電材料を積層してなるもので、ＩＴＯからなる電極
端子３ｃ，６ａよりも導電率が良好な材料によって構成
される。
を有する絶縁材料に所定の回路配線８ａが形成され、表
示制御用のコントローラや定電流源回路等の他の機器と
接続するための接続部材である。また回路配線８ａの末
端部分には、表示パネル１の各電極端子３ｃ，６ａと電
気的に接合する接続端子（第２の電極端子）８ｂが、フ
レキシブル回路基板８の幅方向に沿って列状に複数設け
られている。接続端子８ｂは、例えば銅箔上の銀や金等
の導電材料を積層してなるもので、ＩＴＯからなる電極
端子３ｃ，６ａよりも導電率が良好な材料によって構成
される。
【００２０】次に図４を用いて、表示パネル１とフレキ
シブル回路基板８との接合構造について詳述する。
シブル回路基板８との接合構造について詳述する。
【００２１】図４は、表示パネル１の電極端子３ｃ，６
ａ群とフレキシブル回路基板８の接続端子８ｂ群の接合
構造を示す拡大断面図である。表示パネル１の電極端子
３ｃ，６ａは、所定の幅Ｗ１を有し、所定の形成間隔Ｐ
にて列状に形成される。一方、フレキシブル回路基板８
の接続端子８ｂは、電極端子３ｃ，６ａの幅Ｗ１より狭
い幅Ｗ２を有するとともに（Ｗ１＞Ｗ２）、電極端子３
ｃ，６ａと同等の形成間隔Ｐにて形成される。電極端子
３ｃ，６ａ及び接続端子８ｂの各幅Ｗ１，Ｗ２及び形成
間隔Ｐは、ガラス基板１とフレキシブル回路基板８との
基材の違いによる熱膨張率の違いを考慮して設定される
もので、前記基材の違いよって少なくとも一方の形成間
隔Ｐにずれが生じる場合であっても、接続端子８ｂが電
極端子３ｃ，６ａの幅Ｗ１から外れてたり、はみ出した
りしないように設定される。尚、電極端子３ｃ，６ａと
接続端子８ｂとは異方性導電膜１１によって電気的に接
合される。
ａ群とフレキシブル回路基板８の接続端子８ｂ群の接合
構造を示す拡大断面図である。表示パネル１の電極端子
３ｃ，６ａは、所定の幅Ｗ１を有し、所定の形成間隔Ｐ
にて列状に形成される。一方、フレキシブル回路基板８
の接続端子８ｂは、電極端子３ｃ，６ａの幅Ｗ１より狭
い幅Ｗ２を有するとともに（Ｗ１＞Ｗ２）、電極端子３
ｃ，６ａと同等の形成間隔Ｐにて形成される。電極端子
３ｃ，６ａ及び接続端子８ｂの各幅Ｗ１，Ｗ２及び形成
間隔Ｐは、ガラス基板１とフレキシブル回路基板８との
基材の違いによる熱膨張率の違いを考慮して設定される
もので、前記基材の違いよって少なくとも一方の形成間
隔Ｐにずれが生じる場合であっても、接続端子８ｂが電
極端子３ｃ，６ａの幅Ｗ１から外れてたり、はみ出した
りしないように設定される。尚、電極端子３ｃ，６ａと
接続端子８ｂとは異方性導電膜１１によって電気的に接
合される。
【００２２】かかる表示パネル１の特徴となる点は、電
極端子３ｃ，６ａと接続端子８ｂとの何れか一方の幅
を、他方よりも幅広く形成することにある。即ち、接続
端子８ｂが電極端子３ｃ，６ａの幅Ｗ１から外れたり、
はみ出したりすることが無くなるため、電極端子３ｃ，
６ａと接続端子８ｂとの接合面積を個々に均一化するこ
とが可能となるため、各端子間の接触抵抗を略同等とす
ることができる。従って、電流駆動素子である各有機Ｅ
Ｌ素子９に供給する電流のばらつきを抑制した状態で供
給できるため、各有機ＥＬ素子９の発光輝度のばらつき
を抑制することが可能となり、予め定められた発光輝度
も得やすくなる。
極端子３ｃ，６ａと接続端子８ｂとの何れか一方の幅
を、他方よりも幅広く形成することにある。即ち、接続
端子８ｂが電極端子３ｃ，６ａの幅Ｗ１から外れたり、
はみ出したりすることが無くなるため、電極端子３ｃ，
６ａと接続端子８ｂとの接合面積を個々に均一化するこ
とが可能となるため、各端子間の接触抵抗を略同等とす
ることができる。従って、電流駆動素子である各有機Ｅ
Ｌ素子９に供給する電流のばらつきを抑制した状態で供
給できるため、各有機ＥＬ素子９の発光輝度のばらつき
を抑制することが可能となり、予め定められた発光輝度
も得やすくなる。
【００２３】また、表示パネル１は、電極端子３ｃ，６
ａの幅Ｗ１を接続端子８ｂの幅Ｗ２より広く形成するこ
とに特徴を有する。電極端子３ｃ，６ａは、透明電極３
と同材料（ＩＴＯ）の背面電極６よりも導電性の低い材
料によって形成されるが、電極端子３ｃ，６ａを幅広く
形成することで接触面積を大きく確保できるため、接触
抵抗を低下させることが可能となる。従って発光部であ
る有機ＥＬ素子９への駆動電流の流れを良好とすること
ができるため、有機ＥＬ素子９の発光輝度のばらつきを
更に抑制することができる。
ａの幅Ｗ１を接続端子８ｂの幅Ｗ２より広く形成するこ
とに特徴を有する。電極端子３ｃ，６ａは、透明電極３
と同材料（ＩＴＯ）の背面電極６よりも導電性の低い材
料によって形成されるが、電極端子３ｃ，６ａを幅広く
形成することで接触面積を大きく確保できるため、接触
抵抗を低下させることが可能となる。従って発光部であ
る有機ＥＬ素子９への駆動電流の流れを良好とすること
ができるため、有機ＥＬ素子９の発光輝度のばらつきを
更に抑制することができる。
【００２４】また、表示パネル１の電極端子３ｃ，６ａ
とフレキシブル回路基板８の接続端子８ｂとは、異方性
導電膜１１を介して電気的に接続されるもので、各端子
の形成間隔が微細ピッチであっても、良好な電気接続が
得られる。
とフレキシブル回路基板８の接続端子８ｂとは、異方性
導電膜１１を介して電気的に接続されるもので、各端子
の形成間隔が微細ピッチであっても、良好な電気接続が
得られる。
【００２５】また、他の機器への接続部材としてフレキ
シブル回路基板８を用いることから、前記他の機器への
引き回し配線を良好とし、また異方性導電膜１１との電
気接続における信頼性も向上させることが可能となる。
シブル回路基板８を用いることから、前記他の機器への
引き回し配線を良好とし、また異方性導電膜１１との電
気接続における信頼性も向上させることが可能となる。
【００２６】尚、本発明の実施の形態では、セグメント
表示式の表示パネル１を用いて説明したが、少なくとも
一方が透光性の第１，第２電極ライン（電極）をそれぞ
れ複数備え、前記各電極ラインを交差する状態で配設す
るとともに、前記各電極ライン間に少なくとも発光層を
含む有機層を挟持してマトリクス状の有機ＥＬ素子を透
光性基板上に配設する表示パネルに本発明を適用しても
良い。
表示式の表示パネル１を用いて説明したが、少なくとも
一方が透光性の第１，第２電極ライン（電極）をそれぞ
れ複数備え、前記各電極ラインを交差する状態で配設す
るとともに、前記各電極ライン間に少なくとも発光層を
含む有機層を挟持してマトリクス状の有機ＥＬ素子を透
光性基板上に配設する表示パネルに本発明を適用しても
良い。
【００２７】また、本発明の実施の形態では、電極端子
３ｃ，６ａと接続端子８ｂとの異方性導電膜１１を用い
て電気的に接合するものあったが、ヒートシールを用い
るものであっても良い。
３ｃ，６ａと接続端子８ｂとの異方性導電膜１１を用い
て電気的に接合するものあったが、ヒートシールを用い
るものであっても良い。
【００２８】また、本発明の実施の形態では、電極端子
３ｃ，６ａの幅Ｗ１を接続端子８ｂの幅Ｗ２よりも広く
形成するものであったが、請求項１に記載の本発明にあ
っては、何れか一方の端子の幅が、他方の端子の幅より
も広く形成されるものであれば良く、フレキシブル回路
基板８の接続端子８ｂの幅Ｗ２が表示パネル１の電極端
子３ｃ，６ａの幅Ｗ１よりも広い関係（Ｗ２＞Ｗ１）で
あっても良く、この場合であっても接合面積を安定させ
ることが可能となるため、有機ＥＬ素子の発光輝度のば
らつきを抑制することが可能となる。
３ｃ，６ａの幅Ｗ１を接続端子８ｂの幅Ｗ２よりも広く
形成するものであったが、請求項１に記載の本発明にあ
っては、何れか一方の端子の幅が、他方の端子の幅より
も広く形成されるものであれば良く、フレキシブル回路
基板８の接続端子８ｂの幅Ｗ２が表示パネル１の電極端
子３ｃ，６ａの幅Ｗ１よりも広い関係（Ｗ２＞Ｗ１）で
あっても良く、この場合であっても接合面積を安定させ
ることが可能となるため、有機ＥＬ素子の発光輝度のば
らつきを抑制することが可能となる。
【００２９】
【発明の効果】本発明は、少なくとも発光層を有する有
機層を少なくとも一方が透光性の一対の電極によって挟
持してなる有機ＥＬ素子を透光性基板上に配設してなる
表示パネルに関し、発光輝度のばらつきを抑制すること
が可能となり、また予め定められた発光輝度も得やすく
なる。
機層を少なくとも一方が透光性の一対の電極によって挟
持してなる有機ＥＬ素子を透光性基板上に配設してなる
表示パネルに関し、発光輝度のばらつきを抑制すること
が可能となり、また予め定められた発光輝度も得やすく
なる。
【図１】本発明の実施の形態の表示パネルの斜視図。
【図２】同上実施の形態の表示パネルの要部断面図。
【図３】同上実施の形態の表示パネルの平面図。
【図４】同上実施の形態の表示パネルの端子の接合状態
を示す図。
を示す図。
１ 表示パネル
２ ガラス基板（透光性基板）
３ 透明電極
３ａ 表示セグメント部
３ｂ リード部
３ｃ 電極端子（第１の電極端子）
５ 有機層
６ 背面電極
６ａ 電極端子（第１の電極端子）
８ フレキシブル回路基板
８ａ 回路配線
８ｂ 接続端子（第２の電極端子）
９ 有機ＥＬ素子
１１ 異方性導電膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB05 AB17 AB18 BB07
CC05 DB03 FA02
Claims (4)
- 【請求項１】 透光性基板上に配設され、少なくとも一
方が透光性の一対の電極によって少なくとも発光層を含
む有機層を挟持してなる有機ＥＬ素子と、前記電極と電
気的に接続され前記透光性基板上に設けられる第１の電
極端子と、前記第１の電極端子と電気的に接続する第２
の電極端子を備えた回路基板とを備え、 前記第１，第２の電極端子の何れか一方の電極端子の幅
は、他方の電極端子よりも幅広く形成されてなることを
特徴とする表示パネル。 - 【請求項２】 幅広く形成される電極端子は、導電性の
低い材料によって形成されてなることを特徴とする請求
項１に記載の表示パネル。 - 【請求項３】 前記第１の電極端子と前記第２の電極端
子とは、異方性導電膜もしくはヒートシールを介して電
気的に接続されてなることを特徴とする請求項１もしく
は請求項２に記載の表示パネル。 - 【請求項４】 前記回路基板は、柔軟性を有する基板か
らなることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002077397A JP2003272833A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002077397A JP2003272833A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003272833A true JP2003272833A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=29205708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002077397A Abandoned JP2003272833A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003272833A (ja) |
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002077397A patent/JP2003272833A/ja not_active Abandoned
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051124 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20051223 |