JP2003272533A

JP2003272533A - ガス放電パネルおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2003272533A
Application number: JP2002073617A
Authority: JP
Inventors: Koji Akiyama; 浩二秋山; Hidetaka Tono; 秀隆東野; Seiki Nishimura; 征起西村
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-03-18
Filing date: 2002-03-18
Publication date: 2003-09-26
Anticipated expiration: 2022-03-18
Also published as: JP4151289B2

Abstract

(57)【要約】【課題】放電開始電圧を低減し高輝度を実現するとと
もに、かつ経時劣化の生じ難い高信頼性のＰＤＰ用ガス
放電パネルおよびその製造方法を提供する。【解決手段】透明で絶縁性の前面側基板１０１上に複
数の表示電極対１０４とそれを覆う誘電体層１０５と保
護層１０６とが形成された前面板１００と、背面側基板
１１１上に少なくとも蛍光体層１１５と隔壁１１４が形
成されてなる背面板１１０とを放電空間１２０を介して
対向させた構成であって、上述の保護層１０６が周期表
第ＩＩ族および第ＶＩ族の元素を主成分とし、かつ周期
表第ＩＶ族の元素と周期表第Ｖ族の元素とから選択され
た少なくとも１つの第１の添加元素を含有し、誘電体層
１０５側から放電空間１２０側に向かう膜厚方向におい
て第１の添加元素の濃度が誘電体層１０５側に比べて放
電空間１２０側を大きくした構成を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イパネル（以下、ＰＤＰと略称する）に代表されるガス
放電パネルおよびその製造方法に係わり、特に対向３電
極面放電型とよばれる交流駆動のＰＤＰ用ガス放電パネ
ルに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＰＤＰ用ガス放電パネルは、ガス放電に
よって発生した紫外線で蛍光体を励起発光させ、画像表
示する平面型ディスプレイである。その放電の形成手法
から交流（ＡＣ）型と直流（ＤＣ）型とに分類される。
ＡＣ型は、輝度、発光効率、寿命の各特性でＤＣ型より
優れ、特に、ＡＣ型の中でも、反射型面放電タイプは輝
度、発光効率の点で際立っているため、このタイプのも
のは広く利用されている。

【０００３】面放電形ＡＣガス放電パネルは、前面板と
背面板とを放電空間を有して貼り合わせた構成であり、
前面板には一対の表示電極対が複数個配列され、その上
に誘電体層と保護層とが形成されている。また、背面板
には複数のアドレス電極と、このアドレス電極に平行に
隔壁が形成され、さらに隔壁間には蛍光体層が形成され
ている。なお、前面板に形成された表示電極対と背面板
に形成されたアドレス電極とは直交するように貼り合わ
される。

【０００４】ＡＣ駆動型のＰＤＰでは、表示電極対上に
形成する誘電体層が特有の電流制限機能を示すので、Ｄ
Ｃ駆動型のＰＤＰに比べて長寿命にできる。この誘電体
層は表示電極対とブラックマトリクスとの形成後で、し
かも、これらを確実に覆うように形成することが必要と
されるために、一般的には低融点ガラスを印刷・焼成方
式で形成している。また、保護層はプラズマ放電により
誘電体層がスパッタリングされないようにするために設
けるもので、耐スパッタリング性に優れた材料であるこ
とが要求される。このために、酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）が多く用いられている。なお、このＭｇＯは大きな
二次電子放出係数（γ）を有しているので、放電開始電
圧を低減する効果もある。

【０００５】前面板と背面板とを対向させると、前面板
と背面板との間で、かつそれぞれ２本の隔壁で囲まれた
ストライプ状の放電空間が生じる。この空間にネオン
（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスを約６６．５ｋ
Ｐａの圧力となるように充填し、それぞれの表示電極対
間に数１０ｋＨｚ〜数１００ｋＨｚの交流電圧を印加し
て放電させると、励起されたＸｅ原子が基底状態に戻る
際に発生する紫外線により蛍光体層を励起することがで
きる。この励起により蛍光体層は、塗布された材料に応
じて赤（Ｒ光）、緑（Ｇ光）、または青（Ｂ光）の発光
をするので、アドレス電極により発光させる画素および
色の選択を行えば、所定の画素部で必要な色を発光させ
ることができ、カラー画像を表示することが可能とな
る。

【０００６】このようなガス放電パネルにおいては、よ
り低電圧で駆動でき、かつ高輝度とすることが要求され
ている。これに対して、一般的に使用されているＸｅと
Ｎｅとからなる放電ガスにかえて、さらにアルゴン（Ａ
ｒ）を添加した放電ガスを用いることで放電開始電圧を
低減する方法が提案されている。これは、Ａｒガスのペ
ニング効果によって放電開始電圧を下げ、発光輝度を向
上させる方法である（特開２０００−１５６１６４号公
報）。

【０００７】また、点灯すべき放電セルが点灯せず、い
わゆる黒ノイズが生じることを改善するために、保護層
として用いるＭｇＯ膜中にシリコンやアルミニウムを５
００重量ｐｐｍ〜１００００重量ｐｐｍの範囲で含有さ
せて、この保護層の１平方センチメートル当たりの１０
０Ｈｚにおけるインピーダンスを２３０ｋΩ〜３３０ｋ
Ωとする構成が提案されている。このような所定の範囲
の値とすることで、黒ノイズの原因であるアドレスミス
が抑制できる。すなわち、インピーダンスを所定の範囲
の値とすることで、二次電子の放出量が増大して残留電
荷による実効電圧の低下が補われること、電荷の残留自
体が軽減されること、残留電荷が速やかに消失すること
で、アドレスミスが抑制できるとされている（特開平１
０−３３４８０９号公報）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】画像表示においては、
ＶＧＡ（６４０×４８０）以上の解像度を有しておれ
ば、画面輝度が高いほど表示画像が美しく見える。ま
た、画面輝度を高くできれば、前面板の光の透過率を若
干落として外光の反射を抑えることで明所コントラスト
を高めることができ、明所でも美しい画像を表示でき
る。ＰＤＰにおいて発光輝度を上げるには、駆動電圧を
上げて投入する電力を大きくすることが考えられる。し
かし、ＰＤＰではもともと駆動電圧そのものが高いの
で、さらに電圧を上げると誤放電が生じたり、ドライバ
回路素子の高耐圧化が必要となりコスト高になる等の課
題が生じる。したがって、単純に駆動電圧を上げること
はできず、このためカラー陰極線管（ＣＲＴ）の画像表
示に比べて明所コントラストが低い。

【０００９】上記の第１の例は、放電ガスにＡｒを添加
することによりペニング効果によって放電開始電圧を低
減し、同じ駆動電圧でも放電電流を増加させて高輝度を
実現するものである。つまり、放電開始電圧を低くする
ことで、その分放電電流を増加でき、したがって投入電
力を増加することが可能となり、より高輝度の画像表示
が得られる。しかし、Ａｒを添加すると、周知のように
Ａｒは固体物質の表面をスパッタし易い性質を有してい
るので、ＭｇＯ保護層がスパッタされて表面は損傷を受
ける。このような損傷が生じると、ＭｇＯ保護層の二次
電子放出係数（γ）が低下する。この結果、経時劣化が
生じる。例えば、数千時間の駆動動作によって、放電開
始電圧が上昇し、輝度が低下してしまう。

【００１０】また、上記の第２の例では、アドレスミス
を防止して黒ノイズ発生を抑制することについては示さ
れているが、このような構成とすることによりガス放電
パネルの輝度を向上できたということについては何ら示
されていない。実際に、本発明者らも検討を行ったとこ
ろ黒ノイズの発生防止には効果が見られたが、輝度向上
については十分でないことが見出された。

【００１１】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、放電開始電圧を低減し高輝度を実
現するとともに、かつ経時劣化の生じ難い高信頼性のＰ
ＤＰ用ガス放電パネルおよびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達するため本
発明のガス放電パネルは、透明で絶縁性の前面側基板上
に複数の表示電極対とそれを覆う誘電体層と保護層とが
形成された前面板と、背面側基板上に少なくとも蛍光体
層と隔壁が形成されてなる背面板とを放電空間を介して
対向させて構成されるパネルであって、保護層が周期表
第ＩＩ族および第ＶＩ族の元素を主成分とし、かつ周期
表第ＩＶ族および周期表第Ｖ族の元素から選択された少
なくとも１つの第１の添加元素を含有し、誘電体層側か
ら放電空間側に向かう膜厚方向において、第１の添加元
素の濃度が誘電体層側に比べて放電空間側が大きい構成
を有する。このような構成とすることにより、保護層の
放電空間側に電子が存在する割合を増加させることがで
き、保護層の二次電子放出係数（γ）を大きくすること
ができる。この結果、放電開始電圧を低減し、高輝度の
ガス放電パネルが実現される。さらに、保護層の放電空
間側に従来構成に比べて電子の存在する割合を増加でき
るので、長時間の使用により保護層の表面に変質が生じ
てもγの変動が生じ難く、信頼性の大きなガス放電パネ
ルが得られる。

【００１３】また、本発明のガス放電パネルは、保護層
内の第１の添加元素の濃度が誘電体層側から放電空間側
の膜厚方向にむけて連続的に増加している構成を有す
る。

【００１４】また、本発明のガス放電パネルは、保護層
内の第１の添加元素の濃度が誘電体層側から放電空間側
の膜厚方向にむけてステップ状に増加している構成を有
する。

【００１５】また、本発明のガス放電パネルは、保護層
内の第１の添加元素の濃度が誘電体層側から放電空間側
の膜厚方向に向けて連続的に増加する領域とステップ状
に増加する領域とからなる構成を有する。

【００１６】また、本発明のガス放電パネルは、保護層
内の第１の添加元素の濃度分布における濃度の最小領域
が、誘電体層側から放電空間側に向かう膜厚方向におい
て、誘電体層近傍に存在する構成を有する。

【００１７】また、本発明のガス放電パネルは、保護層
内の第１の添加元素の濃度が誘電体層側から放電空間側
の膜厚方向に向けて大きく変化する点を有し、この変化
する点が保護層の膜厚比に対して０．５より大きい放電
空間側の位置に設けられている構成を有する。

【００１８】また、本発明のガス放電パネルは、保護層
はさらに周期表第Ｉ族の元素および第Ｖ族の元素から選
択された少なくとも１つの第２の添加元素を含有し、誘
電体層側から放電空間側に向かう膜厚方向において、第
２の添加元素の濃度が誘電体層側に比べて放電空間側が
小さい構成を有する。この構成により、第ＩＶ族と第Ｖ
ＩＩ族とから選択された第１の添加元素がドナーとして
作用し、同時に第Ｉ族と第Ｖ族とから選択された第２の
添加元素はアクセプタとして作用するので、保護層内部
に発生する拡散電位はさらに大きくでき、保護層表面に
さらに多くの電子を存在させることができる。この結
果、放電開始電圧をさらに低減できる。

【００１９】また、本発明のガス放電パネルは、保護層
内の第２の添加元素の濃度が誘電体層側から放電空間側
の膜厚方向にむけて連続的に減少している構成を有す
る。

【００２０】また、本発明のガス放電パネルは、保護層
内の第２の添加元素の濃度が誘電体層側から放電空間側
の膜厚方向にむけてステップ状に減少している構成を有
する。

【００２１】また、本発明のガス放電パネルは、保護層
内の第２の添加元素の濃度が誘電体層側から放電空間側
の膜厚方向に向けて連続的に減少する領域とステップ状
に減少する領域とからなる構成を有する。

【００２２】また、本発明のガス放電パネルは、保護層
内の第２の添加元素の濃度分布における濃度の最小領域
が、誘電体層側から放電空間側に向かう膜厚方向におい
て放電空間側に存在する構成を有する。

【００２３】また、本発明のガス放電パネルは、保護層
内の第２の添加元素の濃度が誘電体層側から放電空間側
の膜厚方向にむけて大きく変化する点を有し、この変化
する点が保護層の膜厚比に対して０．５より大きい放電
空間側の位置に設けられている構成を有する。

【００２４】さらに、本発明のガス放電パネルの製造方
法は、透明絶縁性基板上に複数の表示電極対とそれを覆
う誘電体層と保護層とが形成された前面板と、背面側基
板上に少なくとも蛍光体層と隔壁が形成されてなる背面
板とを放電空間を介して対向させて構成されるガス放電
パネルの製造方法であって、周期表第ＩＩ族および第Ｖ
Ｉ族の元素を主成分とする固体状の成膜材料と、周期表
第ＩＶ族の元素および周期表第ＶＩＩ族の元素から選択
された少なくとも１つの第１の添加元素を含む固体状の
成膜材料とを複数個の成膜源に配置して、第１の添加元
素の濃度分布が誘電体層側から放電空間側に向かう膜厚
方向において、誘電体層側に比べて放電空間側が大きく
なるように複数個の成膜源から蒸発またはスパッタリン
グにより形成する方法からなる。この製造法により、保
護層の膜厚方向における第１の添加元素の濃度分布を自
由に設定することができるだけでなく、量産性のよい装
置構成が実現される。

【００２５】さらに、本発明のガス放電パネルの製造方
法は、透明絶縁性基板上に複数の表示電極対とそれを覆
う誘電体層と保護層とが形成された前面板と、背面側基
板上に少なくとも蛍光体層と隔壁が形成されてなる背面
板とを放電空間を介して対向させて構成されるガス放電
パネルの製造方法であって、周期表第ＩＩ族および第Ｖ
Ｉ族の元素を主成分とする固体状の成膜材料と、周期表
第ＩＶ族の元素および周期表第ＶＩＩ族の元素から選択
された少なくとも１つの第１の添加元素を含む固体状の
成膜材料と、周期表第Ｉ族の元素および周期表第Ｖ族の
元素から選択された少なくとも１つの第２の添加元素を
含む固体状の成膜材料とを複数個の成膜源に配置して、
第１の添加元素の濃度分布が誘電体層側から放電空間側
に向かう膜厚方向において誘電体層側に比べて放電空間
側が大きく、かつ、第２の添加元素の濃度分布が誘電体
層側から放電空間側に向かう膜厚方向において誘電体層
側に比べて放電空間側が小さくなるように、複数個の成
膜源から蒸発またはスパッタリングにより形成する方法
からなる。このような製造方法により、保護層中にはド
ナーとして作用する第１の添加元素と、アクセプタとし
て作用する第２の添加元素とを任意の濃度で、かつ、任
意の厚さ方向に形成することができる。

【００２６】さらに、本発明のガス放電パネルは、複数
個の成膜源がそれぞれ異なる量の第１の添加元素または
第２の添加元素が含まれている工法からなる方法であ
る。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。

【００２８】（第１の実施の形態）図１は本第１の実施
の形態のＰＤＰ用ガス放電パネルの要部斜視図であり、
図２はアドレス電極に沿って切断した断面図である。

【００２９】透明で絶縁性の前面側基板１０１上に、表
示電極対１０４とブラックマトリクス１０７と、これら
を覆うように誘電体層１０５とが形成され、さらにこの
誘電体層１０５上に保護層１０６が形成されて、前面板
１００が構成される。この表示電極対１０４は、サステ
ィン電極１０２とスキャン電極１０３とで構成されてお
り、これらは透明導電膜１０２ａ、１０３ａと、さらに
配線抵抗を小さくするためのバス電極１０２ｂ、１０３
ｂとにより構成されている。なお、このバス電極１０２
ｂ、１０３ｂは、それぞれ透明導電膜１０２ａ、１０３
ａ上に平行で、かつこの透明導電膜１０２ａ、１０３ａ
よりも細幅に形成されている。このような表示電極対１
０４が前面側基板１０１上に一定のピッチを有して必要
な表示本数形成されている。

【００３０】透明導電膜１０２ａ、１０３ａは、インジ
ウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）等の透明
導電性材料を印刷・焼成あるいはスパッタリング等の方
式で形成する。この透明導電性材料単独では電極として
の抵抗を低くできないために、特に大画面のＰＤＰにお
いては、この導電膜による電力のロスが無視し得ない値
となる。これを防止するために透明導電膜１０２ａ、１
０３ａ上にバス電極１０２ｂ、１０３ｂとして、抵抗の
低い銀やアルミニウムや銅等の単層構成膜、あるいはク
ロムと銅の２層構成、クロムと銅とクロムの３層構成等
の積層構成膜を、印刷・焼成方式やスパッタリング等の
薄膜形成技術で形成する。

【００３１】例えば、透明導電膜１０２ａ、１０３ａと
してＩＴＯをスパッタリングで約０．２μｍ〜０．５μ
ｍ形成した場合、この膜のシート抵抗は約１０Ω／□〜
２５Ω／□となる。一方、バス電極１０２ｂ、１０３ｂ
として銀を印刷方式で約２μｍ〜１０μｍ形成すると、
シート抵抗は約１ｍΩ／□〜３ｍΩ／□となる。透明導
電膜１０２ａ、１０３ａとバス電極１０２ｂ、１０３ｂ
とが並列に形成されているので、表示電極対１０４のシ
ート抵抗は、このバス電極１０２ｂ、１０３ｂでほぼ決
まり十分に低い抵抗とすることができる。

【００３２】ＡＣ駆動型のＰＤＰでは、表示電極対１０
４上に形成する誘電体層１０５が特有の電流制限機能を
示すので、ＤＣ駆動型のＰＤＰに比べて長寿命にでき
る。この誘電体層１０５は表示電極対１０４とブラック
マトリクス１０７との形成後で、しかも、これらを確実
に覆うように形成することが必要とされるために、一般
的には低融点ガラスを印刷・焼成方式で形成している。
ガラスペースト材料としては、例えば酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）、酸化ホウ素（Ｂ
₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、および酸化バリウム（Ｂ
ａＯ）等を含む、いわゆる（ＰｂＯ−ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃
−ＺｎＯ−ＢａＯ）系ガラス組成を有する低融点ガラス
ペーストを用いることができる。このガラスペーストを
用いて、例えばスクリーン印刷と焼成とを繰り返すこと
で、所定の膜厚の誘電体層１０５を容易に得ることがで
きる。なお、この膜厚は表示電極対１０４の厚さや、目
標とする静電容量値等に応じて設定すればよい。本第１
の実施の形態では約４０μｍの膜厚とした。さらにＰｂ
Ｏ、酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）および酸化リン（Ｐ
Ｏ₄）の少なくとも１つを主成分とするガラスペースト
を用いることもできる。

【００３３】また、保護層１０６は先述したように、プ
ラズマ放電により誘電体層１０５がスパッタリングされ
ないようにするために設けるもので、耐スパッタリング
性に優れた材料であることが要求される。このために、
ＭｇＯが多く用いられている。このＭｇＯ膜の形成につ
いては、後にさらに詳しく述べる。

【００３４】一方、同様に透明で絶縁性を有する背面側
基板１１１上に、画像データを書き込むためのアドレス
電極１１２が前面板１００の表示電極対１０４に対して
直交する方向に形成される。このアドレス電極１１２を
覆うように背面側基板１１１面上に下地誘電体層１１３
を形成した後、このアドレス電極１１２と平行で、かつ
アドレス電極１１２、１１２間のほぼ中央部に隔壁１１
４を形成し、さらに２つの隔壁１１４、１１４で挟まれ
た領域に、隔壁１１４、１１４の上部まで含めて蛍光体
層１１５が形成されて、背面板１１０が構成される。な
お、この蛍光体層１１５は、図１に示すように、Ｒ光、
Ｇ光およびＢ光に発光する蛍光体層１１５ａ、１１５
ｂ、１１５ｃが隣接して形成され、これらで画素を構成
している。

【００３５】なお、アドレス電極１１２は前面板１００
のバス電極１０２ｂ、１０３ｂと同様な材料と成膜法で
形成することができる。また、下地誘電体層１１３は誘
電体層１０５と同一の材料と成膜方式で形成することも
できるし、さらにＰｂＯ、Ｂｉ₂Ｏ₃およびＰＯ₄の少な
くとも１つを主成分とするガラスペーストを用いてもよ
い。隔壁１１４はガラスペーストを複数回スクリーン印
刷して約１２０μｍの厚さに形成すれば、この隔壁１１
４、１１４で囲まれ１２０μｍ程度の高さを有する空間
が放電空間１２０となる。また、蛍光体層１１５は、そ
れぞれＲ光、Ｇ光、およびＢ光に発光する蛍光体を例え
ばインクジェット法で隔壁１１４部分に形成することが
できる。

【００３６】前面板１００と背面板１１０とを対向させ
ると、それぞれ２本の隔壁１１４、１１４、前面側基板
１０１上の保護層１０６、および背面側基板１１１上の
蛍光体層１１５で囲まれたストライプ状の放電空間１２
０が生じる。この空間１２０に先述したＮｅとＸｅの混
合ガスを約６６．５ｋＰａの圧力となるように充填し、
それぞれのバス電極１０２ｂ、１０３ｂを介してサステ
ィン電極１０２とスキャン電極１０３間に数１０ｋＨｚ
〜数１００ｋＨｚの交流電圧を印加して放電させると、
励起されたＸｅ原子が基底状態に戻る際に発生する紫外
線により蛍光体層１１５を励起することができる。この
励起により蛍光体層１１５は、塗布された材料に応じて
Ｒ光、Ｇ光、またはＢ光の発光をするので、アドレス電
極１１２により発光させる画素および色の選択を行え
ば、所定の画素部で必要な色を発光させることができ、
カラー画像を表示することが可能となる。

【００３７】なお、前面板１００と背面板１１０とを対
向させた状態では、隔壁１１４により隣接する放電空間
１２０同士は遮蔽されるようにしてあり、誤放電や光学
的クロストークを防ぐような設計がされている。また、
図示しないが、背面板１１０には可視光（４００ｎｍ〜
８００ｎｍ）に対し高反射率を呈するように、反射鏡を
設けることもある。

【００３８】次に、本発明の保護層１０６の作製方法に
ついて説明する。図３は、本第１の実施の形態の保護層
１０６を形成するために用いた電子ビーム蒸着装置の概
略説明図である。ベルジャ３１０の内部はバルブ３１２
を介して真空ポンプ３１１に接続されており、基板ホル
ダー３０１に誘電体層１０５までを形成した前面板１０
０を取り付けた後、バルブ３１２を開にしてベルジャ３
１０の内部を真空ポンプ３１１で所定の真空度まで排気
する。ベルジャ３１０の下部には、第１の電子ビーム蒸
発源３０４、第２の電子ビーム蒸発源３０７および第３
の電子ビーム蒸発源３０９が前面板１００に対して均一
な膜厚を確保するように所定角度に傾けて配置されてい
る。それぞれの電子ビーム蒸発源は、電子銃３０２、３
０５、３１４と、この電子銃からの電子を受けて加熱蒸
発させる蒸発物質を保持するハース３０３、３０６、３
０８から構成されている。それぞれのハース３０３、３
０６および３０８には、第ＩＩ族および第ＶＩ族元素か
ら構成されるＭｇＯのペレットがおかれ、しかもそれぞ
れのハースに設置するＭｇＯのペレットは第ＩＶ族から
選択された少なくとも１つの元素である第１の添加元素
の量を各々異ならせている。例えば、本実施の形態にお
いては、第１の添加元素としてＧｅ元素を選択し、Ｍｇ
Ｏペレットに対して添加する量を変化させた。すなわ
ち、第１の電子ビーム蒸発源３０４にはＧｅを全く添加
していないＭｇＯのペレット３２１、第２の電子ビーム
蒸発源３０７には最大の濃度を添加したＭｇＯペレット
３２２、および第３の電子ビーム蒸発源３０９には両者
の中間の量のＧｅを添加したＭｇＯペレット３２３をそ
れぞれのハースに配置する。

【００３９】本実施の形態においては、このような電子
ビーム蒸着装置を用いて、図４に示すような膜厚方向の
Ｇｅ濃度プロファイルを有するＭｇＯの保護層１０６を
形成した。このような濃度プロファイルを有するＭｇＯ
膜は、第１の電子ビーム蒸発源３０４により所定の膜厚
となるまで蒸着した後、第２の電子ビーム蒸発源３０７
からさらに最終必要となる膜厚まで蒸着すれば容易に得
られる。なお、図４では、横軸は保護層の厚さ方向の深
さを示し、縦軸はその深さにおける添加元素の濃度を示
している。このような保護層１０６を有するガス放電パ
ネルを実施例１とする。

【００４０】なお、比較のために図５に示すように、膜
厚方向に一定のＧｅ濃度を有するＭｇＯ膜、およびＧｅ
を添加していないＭｇＯ膜も形成して、ガス放電パネル
としての比較評価を行った。一定のＧｅ濃度を有する保
護層からなるガス放電パネルを比較例１、Ｇｅを添加し
ていない保護層からなるガス放電パネルを比較例２とす
る。なお、Ｇｅの濃度分布については、前面板１００と
同一距離の位置に配置したモリブデン板３１５上に形成
されたＭｇＯ膜について二次イオン質量分析（ＳＩＭ
Ｓ）を行って確認した。

【００４１】実施例１、比較例１および比較例２につい
て、同じ駆動電圧波形を印加して放電開始電圧を調べ
た。この結果、実施例１では１５７Ｖ、比較例１では１
７１Ｖ、さらに比較例２では１７３Ｖが得られた。一
方、同じ駆動電圧（１７５Ｖ）を印加して、全白表示で
の輝度を評価したところ、実施例１では５３５ｃｄ／ｍ
²、比較例１では４８０ｃｄ／ｍ²、比較例２では４７０
ｃｄ／ｍ²であった。この結果からわかるように、本発
明の構成の保護層では、放電開始電圧を小さくできるこ
とが見出された。

【００４２】第ＩＩ族と第ＶＩ族元素とからなる保護層
中に、第ＩＶ属から選択される元素を添加し、しかも放
電空間側のこの添加元素の濃度を大きくすることで、放
電開始電圧を低下することができたことについては、以
下のように本発明者らは考えている。すなわち、ＭｇＯ
保護層１０６中で、Ｇｅ原子はＭｇ原子の格子位置、あ
るいはＭｇ原子とＯ原子の格子間に入り込むことで、ド
ナーとしての働きをする。特に、図４に示すように、Ｇ
ｅ原子の濃度をステップ状で、かつ放電空間側の濃度を
小さくするような濃度分布を設けることにより、ＭｇＯ
保護層内には図６に示すようなバンド構造が得られる。
これにより保護層１０６内部に生じる拡散電位によっ
て、保護層１０６表面にはより多くの電子が存在できる
ようになる。その結果、保護層１０６であるＭｇＯ表面
からの電子放出がより促進されるので放電開始電圧を低
下することができたものと考える。

【００４３】一方、比較例１および比較例２では、ドナ
ーが保護層１０６の表面側に片寄って存在しないか、あ
るいは全く存在しないために、図６に示すような拡散電
位が形成されず、保護層の表面側に電子をより多く存在
させることができない。このため、上記のような作用が
得られず、放電開始電圧を低減できない。ただし、比較
例１の方が比較例２に比べて放電開始電圧がやや低くな
ったのは、Ｇｅ原子がドナーとして作用しており、Ｇｅ
原子を添加していない比較例２より保護層１０６である
ＭｇＯ膜表面の電子の数が多くなったためと推定してい
る。

【００４４】ここで、図４の濃度プロファイルにおい
て、膜厚方向のＧｅ濃度が減少し始めるＡ点で示す位置
までの膜厚を保護層１０６の全体の膜厚比に対して０．
５より大きくすることで、電子が閉じ込められる領域を
狭くすることが可能となり、さらに放電開始電圧を低減
することができることが見出された。

【００４５】また、実施例１のガス放電パネルを通常使
用で５万時間に相当する加速寿命試験を行ったが、放電
開始電圧および発光輝度は無視できる程度の変動しか生
じず、非常に安定に動作できることが確認された。さら
に、このパネルを分解してＭｇＯ膜を観察したが、放電
ガスによるスパッタで膜厚が減少していないことが確認
された。

【００４６】なお、本実施の形態では放電ガスとしてＮ
ｅとＸｅの混合ガスを用いたが、本発明はこれに限定さ
れるものではなくＡｒより質量数が少なく、ＭｇＯ膜に
対するスパッタリング効果が小さいＨｅを混合して使用
してもよい。

【００４７】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態のガス放電パネルは、第１の実施の形態と同様な
構成としたが、第ＩＶ族から選択される添加元素として
はＳｉを用いた。保護層１０６であるＭｇＯ膜中の添加
元素の濃度分布としては、図７に示すようにした。図７
に示すＳｉ濃度分布を有するＭｇＯ膜は、以下のように
して作製した。すなわち、第１の実施の形態と同様に図
３に示す電子ビーム蒸着装置を用い、第１の電子ビーム
蒸発源３０４にはＳｉを全く添加していないＭｇＯのペ
レット３２１、第２の電子ビーム蒸発源３０７にはＳｉ
を最大の濃度で添加したＭｇＯペレット３２２をそれぞ
れのハースに配置して、最初は第１の電子ビーム蒸発源
３０４から所定の膜厚となるまで成膜し、その後第１の
電子ビーム蒸発源３０４と第２の電子ビーム蒸発源３０
７とを同時に用いて、それぞれの投入電力を調節しなが
ら成膜することで連続的な濃度分布で、かつ放電空間側
に最大の濃度を有するＭｇＯ膜を得ることができる。こ
のようにして作製した保護層１０６からなるガス放電パ
ネルを実施例２とよぶ。

【００４８】なお、比較のために図５に示すＳｉ濃度分
布を有するＭｇＯ膜を保護層１０６としたガス放電パネ
ルも作製した。これを比較例３とよぶ。この保護層は、
ＭｇＯペレット中に所定濃度となるＳｉを添加して電子
ビームで蒸着すれば容易に得られる。

【００４９】このようにして作成した実施例２と比較例
３とについて、第１の実施の形態と同様な評価を行っ
た。放電開始電圧は、実施例２が１５５Ｖであり、比較
例３が１７０Ｖであった。また、両方ともに同一の駆動
電圧（１７０Ｖ）を印加して全白表示での輝度を評価し
たところ、実施例２では５３５ｃｄ／ｍ²が得られたの
に対して、比較例３では４６５ｃｄ／ｍ²であった。す
なわち、保護層１０６としてＭｇＯ膜を用い、この膜中
のＳｉ原子の濃度が放電空間側で大きくなるような濃度
分布とすることで放電開始電圧を低減することができ
た。この理由としては、第１の実施の形態で説明したと
同様な効果によるものと推定している。

【００５０】（第３の実施の形態）本発明の第３の実施
の形態のガス放電パネルは、第２の実施の形態と同様に
保護層１０６としてＭｇＯ膜を用い、第ＩＶ族から選択
される第１の添加元素としてはＳｉを用いた。ＭｇＯ膜
中のＳｉ濃度分布については、図４および図８（Ａ）か
ら（Ｅ）に示すように作製した。例えば、図８（Ｂ）に
示す濃度分布を有するＭｇＯ膜は、以下のようにして作
製することができる。すなわち、第１の実施の形態と同
様な電子ビーム蒸着装置を用い、第１の電子ビーム蒸発
源３０４にはＳｉを全く添加していないＭｇＯのペレッ
ト３２１、第２の電子ビーム蒸発源３０７には最大の濃
度を添加したＭｇＯペレット３２２、および第３の電子
ビーム蒸発源３０９には両者の中間の量のＳｉを添加し
たＭｇＯペレット３２３をそれぞれのハースに配置す
る。最初は第１の電子ビーム蒸発源３０４を用いて所定
の膜厚となるまで成膜する。その後、第３の電子ビーム
蒸発源３０９と第１の電子ビーム蒸発源３０４とを同時
に用いて、それぞれの投入電力を調整しながら、さらに
所定の膜厚まで蒸着する。次に、第２の電子ビーム蒸発
源３０７と第１の電子ビーム蒸発源３０４とを同時に用
いて、それぞれの投入電力を調整しながら最終的に必要
な膜厚まで蒸着すればよい。

【００５１】また、図８（Ｃ）の濃度分布を有するＭｇ
Ｏ膜は、第１の電子ビーム蒸発源３０４により所定の膜
厚まで蒸着し、次に第３の電子ビーム蒸発源３０９によ
り必要な膜厚まで蒸着する。最後に、第２の電子ビーム
蒸発源３０７を用いて最終的に必要な膜厚まで蒸着すれ
ばステップ状の濃度分布を有する保護層１０６が得られ
る。その他の濃度分布を有する保護層１０６も上述した
と同様な方法により容易に得られるので、説明は省略す
る。

【００５２】このように６種類の濃度分布のＭｇＯ膜か
らなる保護層１０６を有したガス放電パネルを作製し
て、放電開始電圧を評価した。その結果、上述の６種類
のガス放電パネルでは、放電開始電圧は１５４Ｖ〜１６
２Ｖの範囲であり、第２の実施の形態のガス放電パネル
と同様に放電開始電圧を低減できることが確認された。

【００５３】（第４の実施の形態）本発明の第４の実施
の形態では、第１の実施の形態で作製したガス放電パネ
ルにおいて、保護層１０６としてＳｉ原子とＮａ原子と
が図９に示すような濃度分布を有するＭｇＯ膜を用い
た。このＭｇＯ膜の作製は、以下のようにして作製し
た。すなわち、第１の実施の形態で説明した電子ビーム
蒸着装置において、第１の電子ビーム蒸発源３０４には
ＳｉとＮａとを全く添加していないＭｇＯのペレット３
２１、第２の電子ビーム蒸発源３０７には所定の濃度の
Ｓｉを添加したＭｇＯペレット３２２、および第３の電
子ビーム蒸発源３０９には所定の濃度のＮａを添加した
ＭｇＯペレット３２３をそれぞれのハースに配置する。
最初に、第３の電子ビーム蒸発源３０９を用いて所定の
膜厚まで蒸着する。次に、第１の電子ビーム蒸発源３０
４を用いて、同様に所定の膜厚まで蒸着する。最後に、
第２の電子ビーム蒸発源３０７を用いて、最終的に必要
な膜厚まで蒸着すればよい。このような濃度分布のＭｇ
Ｏ膜を保護層１０６としたガス放電パネルを実施例４と
よぶ。

【００５４】実施例４について、第１の実施の形態で説
明したように放電開始電圧を調べてみたところ、１５０
Ｖが得られた。また、駆動電圧を１７０Ｖとして、全白
表示での輝度を評価したところ５５０ｃｄ／ｍ²であっ
た。ところで、第３の実施の形態のガス放電パネルにお
いて、図８（Ａ）のＳｉ原子の濃度分布の保護層を用い
た場合には、放電開始電圧が１５４Ｖであったことか
ら、第Ｉ族の元素であるＮａを第２の添加元素として添
加することで、さらに放電開始電圧を低減できることが
確認された。

【００５５】このように、放電空間側でＳｉ原子の濃度
が大きく、かつ、Ｎａ原子の濃度が小さくなるような濃
度分布を有するＭｇＯ膜を保護層１０６とすることで、
放電開始電圧がさらに低減できた。このように低減でき
る理由としては、以下のように説明できる。ＭｇＯ膜中
で第Ｉ族の元素であるＮａは、Ｍｇ原子の格子位置に入
ることでアクセプタとして働く。一方、第ＩＶ族の元素
であるＳｉは、Ｍｇの格子位置、あるいはＭｇ原子とＯ
原子との格子間に入ることでドナーとして働く。したが
って、放電空間側において、Ｎａ原子の濃度を小さく、
かつ、Ｓｉ原子の濃度を大きくすれば、図１０に模式的
に示すようなバンド構造が得られる。このようなバンド
構造は、図６で模式的に示したバンド構造に比べて、保
護層１０６中に発生する拡散電位はさらに大きくなり、
この結果、保護層１０６の放電空間側に電子が存在する
割合は増加し、ＭｇＯ膜の表面からの電子放出がより促
進されて放電開始電圧を低減できたものである。

【００５６】ここで、Ｎａ原子の濃度が大きく変動する
ポイントＢは、例えば図９（Ｂ）に示すようにＢ点が放
電空間側に位置させるほうが、さらに放電開始電圧を低
減できることが見出された。この場合、Ｎａ原子の濃度
が大きい領域、Ｎａ原子とＳｉ原子との濃度が両方とも
に大きい領域、およびＳｉ原子の濃度が大きい領域が存
在するようになる。両方が存在する領域では、ドナーと
アクセプタはほとんどなく、放電空間側の表面側にドナ
ーとアクセプタが集中して存在することになるので、放
電空間側の狭い領域で電子がさらに多く閉じ込められ
る。したがって、放電開始電圧をさらに低減することが
可能となる。

【００５７】また、実施例４について、通常使用で５万
時間連続動作相当の加速寿命試験を行ったところ、放電
開始電圧に大きな変動はなく、安定であった。さらに、
このパネルを割ってＭｇＯ膜を観察したところ、スパッ
タによる膜厚減少がほとんど無いことも確認された。な
お、放電ガスとしては、Ｎｅ−Ｘｅの混合ガスに限定さ
れることはなく、これらのガスにＭｇＯ膜のスパッタ効
果の少ないＨｅを混合して使用してもよい。

【００５８】（第５の実施の形態）本発明の第５の実施
の形態では、第４の実施の形態で作製したガス放電パネ
ルにおいて、保護層１０６として第ＶＩＩ族の元素から
選択されたＣｌと第Ｉ族の元素から選択されたＮａとを
添加元素とした。すなわち、Ｃｌ原子とＮａ原子とが図
９（Ａ）に示すような濃度分布を有するＭｇＯ膜を用い
た。このＭｇＯ膜の作製は、第４の実施の形態で説明し
た方法において、ＳｉのかわりにＣｌを添加したＭｇＯ
ペレットを用いて、第４の実施の形態と同様な手順で蒸
着すれば容易に得られる。このような保護層１０６を有
するガス放電パネルについて、同様に放電開始電圧を評
価したところ、第４の実施の形態と同様な値の１５０Ｖ
が得られた。また、１７０Ｖを印加して全白表示での輝
度を評価したが、５５０ｃｄ／ｍ₂であった。これは、
Ｃｌ原子のような第ＶＩＩ族の元素は、ＭｇＯ中で、Ｏ
原子の位置、またはＭｇ原子とＯ原子との格子間位置に
入り込み、ドナーとして作用することによるものであ
る。

【００５９】（第６の実施の形態）本発明の第６の実施
の形態では、第４の実施の形態で作製したガス放電パネ
ルにおいて、保護層１０６として第ＩＶ族の元素から選
択されたＳｉと第Ｖ族の元素から選択されたＰとを添加
元素とした。すなわち、Ｓｉ原子とＰ原子とが図９
（Ａ）に示すような濃度分布を有するＭｇＯ膜を用い
た。このＭｇＯ膜の作製は、第４の実施の形態で説明し
た方法において、ＮａのかわりにＰを添加したＭｇＯペ
レットを用いて、第４の実施の形態と同様な手順で蒸着
すれば容易に得られる。このような保護層１０６を有す
るガス放電パネルについて、同様に放電開始電圧を評価
したところ、第４の実施の形態と同様な値の１５０Ｖが
得られた。また、１７０Ｖを印加して全白表示での輝度
を評価したが、５５０ｃｄ／ｍ₂であった。これは、Ｐ
原子のような第Ｖ族の元素は、ＭｇＯ中でＯ原子の位置
に入ることで、アクセプタとして作用することによるも
のである。

【００６０】なお、第５の実施の形態と第６の実施の形
態では、添加元素の濃度分布は、これらで説明した濃度
分布に限定されるものではない。第ＩＶ族と第ＶＩＩ族
から選択される元素については、図４または図８（Ａ）
から（Ｅ）に示すような濃度分布としてもよい。また、
第Ｉ族と第Ｖ族とから選択される元素については、図１
１（Ａ）から（Ｇ）に示すような濃度分布としてもよ
い。

【００６１】さらに、本第１の実施の形態から第６の実
施の形態では、保護層として第ＩＩ族と第ＶＩ族とから
構成される保護層として、ＭｇＯ膜を用いて説明した
が、本発明はこれに限定されるものではない。プラズマ
ダメージを受け難く、イオン入射に対する二次電子放出
係数の大きい材料、例えばＣａＯ、ＢａＯ、またはＣｅ
Ｏ₂を用いてもよい。

【００６２】また、添加元素である第ＩＶ族元素として
は、ＧｅやＳｉのみでなく、炭素（Ｃ）、錫（Ｓｎ）ま
たは鉛（Ｐｂ）を用いてもよい。さらに、第ＶＩＩ族の
元素としては、Ｃｌのみでなく、フッ素（Ｆ）、臭素
（Ｂｒ）、または沃素（Ｉ）を用いてもよい。これらの
元素を複数添加してもよい。

【００６３】またさらに、第Ｉ族の元素としては、リチ
ウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、
またはセシウム（Ｃｓ）を用いることができる。また、
第Ｖ族の元素としては、Ｐのみでなく、窒素（Ｎ）、砒
素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）またはビスマス（Ｂ
ｉ）を用いてもよい。また、保護層１０６中に上記の第
Ｉ族の元素と第Ｖ族の元素とを両方添加してもよい。こ
れらの添加元素によるアクセプタとしての作用がより相
乗されることになり、さらに二次電子放出の効率を向上
できる。

【００６４】本第１から第６の実施の形態においては、
電子ビーム蒸着装置で保護層を形成したが、本発明は電
子ビーム蒸着に限定されるものではなく、イオンプレー
ティング、スパッタリング等で作製してもよい。スパッ
タリングで作製する場合には、添加元素の濃度を変化さ
せた複数個のターゲットを水平方向に配置し、これらの
ターゲット上を前面板が水平方向に移動しながら成膜す
ることで、所定の添加元素の濃度分布を有する保護層を
容易に形成できる。また、電子ビーム蒸着装置において
も、本実施の形態で説明したバッチ型装置に限定される
ものではなく、電子ビーム蒸発源を水平方向に複数個配
置して、基板がこれらの電子ビーム蒸発源上を水平に移
動しながら成膜する構成の装置であってもよい。

【００６５】なお、保護層に添加する第１の添加元素と
第２の添加元素の量は、０．０００１原子％以上で、２
０原子％が膜の結晶性を損なわず、本発明の特性を得ら
れる望ましい量である。

【００６６】

【発明の効果】本発明のガス放電パネルは、前面板に形
成する保護層が周期表第ＩＩ族および第ＶＩ族の元素を
主成分とし、かつ周期表第ＩＶ族の元素と周期表第Ｖ族
の元素とから選択された少なくとも１つの第１の添加元
素を含有し、誘電体層側から放電空間側に向かう膜厚方
向において第１の添加元素の濃度が誘電体層側に比べて
放電空間側が大きくした構成を有する。さらに、この第
１の添加元素に加えて、周期表第Ｉ族と第Ｖ族とから選
択される少なくとも１つの第２の添加元素を含有し、こ
の第２の添加元素の濃度が放電空間側で小さくした構成
を有する。

【００６７】このような構成とすることにより、保護層
の放電空間側に電子が存在する割合を増加させることが
でき、保護層の二次電子放出係数（γ）を大きくするこ
とができる。この結果、放電開始電圧を低減し、高輝度
で、かつ明所でもコントラストが大きく、しかも高信頼
性のガス放電パネルが実現できるという大きな効果を有
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態におけるガス放電パ
ネル要部斜視図

【図２】同実施の形態のガス放電パネルの要部断面図

【図３】同実施の形態で保護層を形成するための電子ビ
ーム蒸着装置の概略図

【図４】同実施の形態の保護層中の第１の添加元素の膜
厚方向の分布を示す図

【図５】比較例１および比較例３の保護層中の第１の添
加元素の膜厚方向の分布を示す図

【図６】同実施の形態の保護層についてのバンド構造を
説明するための摸式図

【図７】本発明の第２と第４の実施の形態による保護層
中の第１の添加元素の膜厚方向の分布を示す図

【図８】本発明の第３の実施の形態で作製した保護層中
の第１の添加元素の膜厚方向分布を示す図

【図９】本発明の第４、第５および第６の実施の形態で
作製した保護層中の第１および第２の添加元素の膜厚方
向分布を示す図

【図１０】同実施の形態の保護層についてのバンド構造
を説明するための摸式図

【図１１】本発明の第６の実施の形態で作製した保護層
中の第２の添加元素の膜厚方向分布を示す図

【符号の説明】

１００前面板１０１前面側基板１０２サスティン電極１０２ａ，１０３ａ透明導電膜１０２ｂ，１０３ｂバス電極１０３スキャン電極１０４表示電極対１０５誘電体層１０６保護層１０７ブラックマトリクス１１０背面板１１１背面側基板１１２アドレス電極１１３下地誘電体層１１４隔壁１１５蛍光体層１１５ａ蛍光体層（Ｒ光）１１５ｂ蛍光体層（Ｇ光）１１５ｃ蛍光体層（Ｂ光）１２０放電空間３０１基板ホルダー３０２，３０５，３１４電子銃３０３，３０６，３０８ハース３０４第１の電子ビーム蒸発源３０７第２の電子ビーム蒸発源３０９第３の電子ビーム蒸発源３１０ベルジャ３１１真空ポンプ３１２バルブ３１５モリブデン基板３２１，３２２，３２３ペレット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者西村征起大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 4K029 AA09 AA24 BA43 BC07 BD00 CA01 CA05 DB14 DC16 5C027 AA07 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GE01 GE08 GE09 JA07 KB02 KB03 KB06 MA03 MA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明で絶縁性の前面側基板上に複数の表
示電極対とそれを覆う誘電体層と保護層とが形成された
前面板と、背面側基板上に少なくとも蛍光体層と隔壁が
形成されてなる背面板とを放電空間を介して対向させて
構成されるガス放電パネルであって、前記保護層が周期表第ＩＩ族および第ＶＩ族の元素を主
成分とし、かつ周期表第ＩＶ族および周期表第ＶＩＩ族
の元素から選択された少なくとも１つの第１の添加元素
を含有し、前記誘電体層側から前記放電空間側に向かう
膜厚方向において、前記第１の添加元素の濃度が前記誘
電体層側に比べて前記放電空間側が大きいことを特徴と
するガス放電パネル。
【請求項２】前記保護層内の第１の添加元素の濃度
が、誘電体層側から放電空間側の膜厚方向にむけて連続
的に増加していることを特徴とする請求項１に記載のガ
ス放電パネル。
【請求項３】前記保護層内の第１の添加元素の濃度
が、誘電体層側から放電空間側の膜厚方向にむけてステ
ップ状に増加していることを特徴とする請求項１に記載
のガス放電パネル。
【請求項４】前記保護層内の第１の添加元素の濃度
が、誘電体層側から放電空間側の膜厚方向に向けて連続
的に増加する領域とステップ状に増加する領域とからな
ることを特徴とする請求項１に記載のガス放電パネル。
【請求項５】前記保護層内の第１の添加元素の濃度分
布における濃度の最小領域が、誘電体層側から放電空間
側に向かう膜厚方向において前記誘電体層近傍に存在す
ることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれ
かに記載のガス放電パネル。
【請求項６】前記保護層内の第１の添加元素の濃度が
誘電体層側から放電空間側の膜厚方向に向けて大きく変
化する点を有し、前記変化する点が前記保護層の膜厚比
に対して０．５より大きい前記放電空間側の位置に設け
られていることを特徴とする請求項１から請求項５まで
のいずれかに記載のガス放電パネル。
【請求項７】前記保護層はさらに周期表第Ｉ族の元素
および第Ｖ族の元素から選択された少なくとも１つの第
２の添加元素を含有し、誘電体層側から放電空間側に向
かう膜厚方向において、前記第２の添加元素の濃度が前
記誘電体層側に比べて前記放電空間側が小さいことを特
徴とする請求項１から請求項６までのいずれかに記載の
ガス放電パネル。
【請求項８】前記保護層内の第２の添加元素の濃度
が、誘電体層側から放電空間側の膜厚方向にむけて連続
的に減少していることを特徴とする請求項７に記載のガ
ス放電パネル。
【請求項９】前記保護層内の第２の添加元素の濃度
が、誘電体層側から放電空間側の膜厚方向にむけてステ
ップ状に減少していることを特徴とする請求項７に記載
のガス放電パネル。
【請求項１０】前記保護層内の第２の添加元素の濃度
が、誘電体層側から放電空間側の膜厚方向に向けて連続
的に減少する領域とステップ状に減少する領域とからな
ることを特徴とする請求項７に記載のガス放電パネル。
【請求項１１】前記保護層内の第２の添加元素の濃度
分布における濃度の最小領域が、誘電体層側から放電空
間側に向かう膜厚方向において前記放電空間側に存在す
ることを特徴とする請求項７から請求項１０までのいず
れかに記載のガス放電パネル。
【請求項１２】前記保護層内の第２の添加元素の濃度
が誘電体層側から放電空間側の膜厚方向にむけて大きく
変化する点を有し、前記変化する点が前記保護層の膜厚
比に対して０．５より大きい前記放電空間側の位置に設
けられていることを特徴とする請求項７から請求項１１
までのいずれかに記載のガス放電パネル。
【請求項１３】透明絶縁性基板上に複数の表示電極対
とそれを覆う誘電体層と保護層とが形成された前面板
と、背面側基板上に少なくとも蛍光体層と隔壁が形成さ
れてなる背面板とを放電空間を介して対向させて構成さ
れるガス放電パネルの製造方法であって、周期表第ＩＩ族および第ＶＩ族の元素を主成分とする固
体状の成膜材料と、周期表第ＩＶ族の元素および周期表
第ＶＩＩ族の元素から選択された少なくとも１つの第１
の添加元素を含む固体状の成膜材料とを複数個の成膜源
に配置して、前記第１の添加元素の濃度分布が前記誘電
体層側から前記放電空間側に向かう膜厚方向において前
記誘電体層側に比べて前記放電空間側が大きくなるよう
に、前記複数個の成膜源から蒸発またはスパッタリング
により形成することを特徴とするガス放電パネルの製造
方法。
【請求項１４】透明絶縁性基板上に複数の表示電極対
とそれを覆う誘電体層と保護層とが形成された前面板
と、背面側基板上に少なくとも蛍光体層と隔壁が形成さ
れてなる背面板とを放電空間を介して対向させて構成さ
れるガス放電パネルの製造方法であって、周期表第ＩＩ族および第ＶＩ族の元素を主成分とする固
体状の成膜材料と、周期表第ＩＶ族の元素および周期表
第ＶＩＩ族の元素から選択された少なくとも１つの第１
の添加元素を含む固体状の成膜材料と、周期表第Ｉ族の
元素および周期表第Ｖ族の元素から選択された少なくと
も１つの第２の添加元素を含む固体状の成膜材料とを複
数個の成膜源に配置して、前記第１の添加元素の濃度分布が前記誘電体層側から前
記放電空間側に向かう膜厚方向において前記誘電体層側
に比べて前記放電空間側が大きく、かつ、前記第２の添
加元素の濃度分布が前記誘電体層側から前記放電空間側
に向かう膜厚方向において前記誘電体層側に比べて前記
放電空間側が小さくなるように、前記複数個の成膜源か
ら蒸発またはスパッタリングにより形成することを特徴
とするガス放電パネルの製造方法。
【請求項１５】前記複数個の成膜源は、それぞれ異な
る量の第１の添加元素または第２の添加元素が含まれて
いることを特徴とする請求項１４に記載のガス放電パネ
ルの製造方法。