JP2003268129A - Film - Google Patents

Film

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Publication number
JP2003268129A
JP2003268129A JP2002077830A JP2002077830A JP2003268129A JP 2003268129 A JP2003268129 A JP 2003268129A JP 2002077830 A JP2002077830 A JP 2002077830A JP 2002077830 A JP2002077830 A JP 2002077830A JP 2003268129 A JP2003268129 A JP 2003268129A
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JP
Japan
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film
group
bis
hydroxyphenyl
acid
Prior art date
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Pending
Application number
JP2002077830A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akimitsu Tsukuda
佃  明光
Mitsuhiro Horiuchi
光弘 堀内
Nobuaki Ito
伸明 伊藤
Keijiro Takanishi
慶次郎 高西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Filing date
Publication date
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Priority to JP2002077830A priority Critical patent/JP2003268129A/en
Publication of JP2003268129A publication Critical patent/JP2003268129A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film excellent in homogeneity and surface smoothness and high in productivity. <P>SOLUTION: The film is one at least either surface of which has a center line average surface roughness of 5 nm or smaller and which is made from a polymer comprising structural units each being a phosphonic acid ressidue represented by structural formula (1) (wherein R<SP>1</SP>is an organic group; and X<SP>1</SP>is O, S, or Se) and structural units each of which is a dihydric phenol residue represented by structural formula (2) (wherein R<SP>2</SP>and R<SP>3</SP>are each H, NO<SB>2</SB>, a halogen atom, a 1-20C aliphatic group, or an aromatic group; p and q are integers with the proviso that 0≤p+q≤8; and Y<SP>1</SP>is O, S, an alkylene, an alkylidene, a cycloalkylene, a halo-substituted alkylene, a halo-substituted alkylidene, a phenylalkylidene, a carbonyl group, a sulfo group, an aliphatic phsphine oxide group, an aromatic phsphine oxide group, an alkylsilane group, a dialkylsilane group, or a fluorene group). <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表面平滑性、均質
性に優れ、更に生産性の高い光学用途に適したフィルム
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film having excellent surface smoothness and homogeneity and having high productivity, which is suitable for optical applications.

【0002】[0002]

【従来の技術】無色透明材料は光学レンズ、機能性光学
フィルム、ディスク基板などその多様な用途に応じて種
々の材料が適用されているが、ヘルスケアやエレクトロ
ニクスなどの急速な発展に伴い、材料自体に要求される
機能・性能もますます精密かつ高度なものとなってきて
いる。
2. Description of the Related Art As colorless transparent materials, various materials are applied according to their various uses such as optical lenses, functional optical films, disk substrates, etc., but with the rapid development of healthcare and electronics, The functions and performances required for themselves are becoming more precise and sophisticated.

【0003】特にフィルムにおいては、IT化の進展に
伴い、偏光板、位相差板などのディスプレー用部材、ま
た、ディスク保護フィルムとして、ポリカーボネート、
環状ポリオレフィン、セルロース系フィルム等が使用さ
れてきている。
Particularly, in the case of film, with the progress of IT, members for display such as a polarizing plate and a retardation plate, and polycarbonate as a disk protective film,
Cyclic polyolefins, cellulosic films, etc. have been used.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、ポリカ
ーボネートのような無色透明の熱可塑性樹脂は、エレク
トロニクス用途として広く用いられており、位相差フィ
ルムなどの光学フィルムやディスク用基板等の用途が挙
げられる。特に、位相差フィルムは、反射型カラー液晶
ディスプレイのコントラストを決める重要な構成部材の
ひとつである。例えば、現在用いられているポリカーボ
ネートについては、特開平4−204503号公報や特
開平9−304619号公報に開示されているが、これ
らは十分な波長分散特性を有しているとはいえない。反
射型液晶ディスプレイの高コントラスト化のためには、
位相差フィルムとして用いるポリマーフィルムの波長分
散特性の向上がひとつの技術課題となっている。
As described above, colorless and transparent thermoplastic resins such as polycarbonate are widely used for electronic applications, and are used for optical films such as retardation films and disk substrates. Can be mentioned. In particular, the retardation film is one of the important constituent members that determine the contrast of the reflective color liquid crystal display. For example, currently used polycarbonates are disclosed in JP-A-4-204503 and JP-A-9-304619, but they cannot be said to have sufficient wavelength dispersion characteristics. To increase the contrast of reflective liquid crystal displays,
One of the technical issues is to improve the wavelength dispersion characteristic of a polymer film used as a retardation film.

【0005】また、リン系官能基を含有するポリマーは
種々知られており、特にホスホン酸エステル基を主鎖に
含むポリマーはポリホスホネートと呼ばれ(K. S. Kim,
J.Appl. Polym. Sci., 28, 1119 (1983); Y. Imai et
al, Makromol. Chem., Rapid Commun., 1, 419 (198
0); USP3719727)、難燃機能の向上などを目指し精力
的な研究が行われている。これらのポリホスホネート系
ポリマーの光学特性や力学特性などの諸物性については
詳細な知見がなかったため、本発明者らはそれらを合成
し物性評価を行った。結果として、それらポリホスホネ
ート系ポリマーは、低分子量体ゆえに力学特性、光学特
性が不十分であったり、フィルム化が困難で、またフィ
ルム化しても均質なフィルムを得ることが困難であっ
た。
Various polymers containing phosphorus functional groups are known, and a polymer containing a phosphonate ester group in its main chain is called polyphosphonate (KS Kim,
J. Appl. Polym. Sci., 28 , 1119 (1983); Y. Imai et
al, Makromol. Chem., Rapid Commun., 1 , 419 (198
0); USP3719727), active research is being conducted with the aim of improving the flame retardant function. Since there was no detailed knowledge about the physical properties such as optical properties and mechanical properties of these polyphosphonate-based polymers, the present inventors synthesized them and evaluated the physical properties. As a result, these polyphosphonate-based polymers have insufficient mechanical properties and optical properties due to their low molecular weight, and are difficult to form into a film, and even if they are formed into a film, it is difficult to obtain a homogeneous film.

【0006】本発明は、上記した従来の課題を解決し、
無色透明で、均質性、表面平滑性に優れ、更に生産性の
高いフィルムを提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems,
It is an object of the present invention to provide a film that is colorless and transparent, has excellent homogeneity and surface smoothness, and has high productivity.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、少なくとも片面の中心線平均粗さが5nm
以下であり、かつ、分子中に構造式(1)で表されるホ
スホン酸残基および構造式(2)で表される2価フェノ
ール残基を構成単位として含んでいるポリマーを含有す
るフィルムを特徴とする。
According to the present invention for solving the above-mentioned problems, the center line average roughness of at least one surface is 5 nm.
A film containing a polymer which is as follows and which contains a phosphonic acid residue represented by the structural formula (1) and a dihydric phenol residue represented by the structural formula (2) in the molecule as constituent units: Characterize.

【0008】[0008]

【化3】 1:有機基 X1:O、SまたはSe (ただし、R1またはX1の異なるホスホン酸残基をポリ
マー中に2種以上含んでいてもよい。)
[Chemical 3] R 1 : organic group X 1 : O, S or Se (however, two or more kinds of phosphonic acid residues having different R 1 or X 1 may be contained in the polymer.)

【0009】[0009]

【化4】 2、R3:H、NO2、ハロゲン原子または炭素数1〜
20の脂肪族基もしくは芳香族基 p、q:整数であって0≦p+q≦8 Y1:O、S、アルキレン基、アルキリデン基、シクロ
アルキレン基、シクロアルキリデン基、ハロ置換アルキ
レン基、ハロ置換アルキリデン基、フェニルアルキリデ
ン基、カルボニル基、スルホン基、脂肪族ホスフィンオ
キシド基、芳香族ホスフィンオキシド基、アルキルシラ
ン基、ジアルキルシラン基またはフルオレン基 (ただし、Y1は単なる単結合であってもよい。また、
2、R3またはY1の異なる2価フェノール残基をポリ
マー中に2種以上含んでいてもよい。)
[Chemical 4] R 2, R 3: H, NO 2, 1~ halogen atom or carbon atoms
20 aliphatic or aromatic groups p, q: integers and 0 ≦ p + q ≦ 8 Y 1 : O, S, alkylene group, alkylidene group, cycloalkylene group, cycloalkylidene group, halo-substituted alkylene group, halo-substituted Alkylidene group, phenylalkylidene group, carbonyl group, sulfone group, aliphatic phosphine oxide group, aromatic phosphine oxide group, alkylsilane group, dialkylsilane group or fluorene group (wherein Y 1 may be a single bond. Also,
Two or more dihydric phenol residues having different R 2 , R 3 or Y 1 may be contained in the polymer. )

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明のフィルムに含まれるポリ
マーは、5価のリン原子を有する構造、中でも構造式
(1)で表されるホスホン酸構造をポリマー主鎖に有し
ていることが特徴である。特に、ポリマーがカーボネー
ト残基を含んでいる場合は、上記ホスホン酸残基のモル
分率は0.5以上1未満であることが好ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The polymer contained in the film of the present invention has a structure having a pentavalent phosphorus atom, particularly a phosphonic acid structure represented by the structural formula (1) in the polymer main chain. It is a feature. In particular, when the polymer contains a carbonate residue, the molar fraction of the phosphonic acid residue is preferably 0.5 or more and less than 1.

【0011】[0011]

【化5】 1:有機基 X1:O、SまたはSe (ただし、R1またはX1の異なるホスホン酸残基をポリ
マー中に2種以上含んでいてもよい。) この、ホスホン酸残基のモル分率は、単位あたりに存在
するホスホン酸残基およびカーボネート残基の総モル数
に対するホスホン酸残基のモル数の割合により算出され
るもので、以下の式で表される値である。
[Chemical 5] R 1 : organic group X 1 : O, S or Se (however, the polymer may contain two or more phosphonic acid residues having different R 1 or X 1 ). The ratio is calculated by the ratio of the number of moles of phosphonic acid residues to the total number of moles of phosphonic acid residues and carbonate residues present per unit, and is a value represented by the following formula.

【0012】 ホスホン酸残基のモル分率=a/(a+b) a:単位当たりに存在する、構造式(1)で表されるホ
スホン酸残基のモル数 b:単位当たりのカーボネート残基のモル数 上記モル分率の値は、ホスホン酸残基の共重合分率を表
しているともいえ、ポリマー合成時の反応が化学量論的
に進行する場合は、その原料仕込み比率によっても算出
できる。また、成形体においては、NMR(核磁気共鳴
法)を用いて、測定可能である。
Molar Fraction of Phosphonic Acid Residue = a / (a + b) a: Number of Molar Phosphonic Acid Residues Represented by Structural Formula (1) Present Per Unit b: Carbonate Residue Per Unit The number of moles can be said to represent the copolymerization fraction of the phosphonic acid residue, and if the reaction during polymer synthesis proceeds stoichiometrically, it can also be calculated by the raw material charging ratio. . Further, in the molded body, it can be measured by using NMR (nuclear magnetic resonance method).

【0013】構造式(1)で表されるホスホン酸残基の
モル分率が0.5未満である場合には、ポリマーの高屈
折性が発現しにくく、本発明の効果が得られ難い傾向が
ある。このモル分率は0.75以上1未満であるとより
好ましい。
When the molar fraction of the phosphonic acid residue represented by the structural formula (1) is less than 0.5, the high refractive index of the polymer is difficult to be exhibited, and the effect of the present invention tends to be difficult to be obtained. There is. This molar fraction is more preferably 0.75 or more and less than 1.

【0014】上記構造式(1)で表される構造単位のリ
ン原子上の置換基R1は有機基であり、具体的には、フ
ェニル、ハロ置換フェニル、メトキシフェニル、エトキ
シフェニル、エチル、イソプロピル、シクロヘキシル、
ビニル、アリル、ベンジル、アミノアルキル、ヒドロキ
シアルキル、ハロ置換アルキル、アルキルサルファイド
基等を用いることができる。また、このような置換基を
有するホスホン酸残基を構成するホスホン酸を具体的に
例示すると、メチルホスホン酸、エチルホスホン酸、n
−プロピルホスホン酸、イソプロピルホスホン酸、n−
ブチルホスホン酸、イソブチルホスホン酸、t−ブチル
ホスホン酸、n−ペンチルホスホン酸、ネオペンチルホ
スホン酸、シクロヘキシルホスホン酸、ベンジルホスホ
ン酸、クロロメチルホスホン酸、ジクロロメチルホスホ
ン酸、ブロモメチルホスホン酸、ジブロモメチルホスホ
ン酸、2−クロロエチルホスホン酸、1,2−ジクロロ
エチルホスホン酸、2−ブロモエチルホスホン酸、1,
2−ジブロモエチルホスホン酸、3−クロロプロピルホ
スホン酸、2,3−ジクロロプロピルホスホン酸3−ブ
ロモプロピルホスホン酸、2,3−ジブロモプロピルホ
スホン酸、2−クロロー1−メチルエチルホスホン酸、
1,2−ジクロロー1−メチルエチルホスホン酸、2−
ブロモー1−メチルエチルホスホン酸、1,2−ジブロ
モー1−メチルエチルホスホン酸、4−クロロブチルホ
スホン酸、3,4−ジクロロブチルホスホン酸、4−ブ
ロモブチルホスホン酸、3,4−ジブロモブチルホスホ
ン酸、3−クロロー1−メチルプロピルホスホン酸、
2,3−ジクロロ−1−メチルプロピルホスホン酸、3
−ブロモ−1メチルプロピルホスホン酸、2,3−ジブ
ロモ−1−メチルホスホン酸、1−クロロメチルプロピ
ルホスホン酸、1−クロロー1−クロロメチルプロピル
ホスホン酸、1−ブロモメチルプロピルホスホン酸、1
−ブロモ−1−ブロモメチルプロピルホスホン酸、5−
クロロペンチルホスホン酸、4,5−ジクロロペンチル
ホスホン酸、5−ブロモペンチルホスホン酸、4,5−
ジブロモペンチルホスホン酸、1−ヒドロキシメチルホ
スホン酸、2−ヒドロキシエチルホスホン酸、3−ヒド
ロキシプロピルホスホン酸、4−ヒドロキシブチルホス
ホン酸、5−ヒドロキシペンチルホスホン酸、1−アミ
ノメチルホスホン酸、2−アミノエチルホスホン酸、3
−アミノプロピルホスホン酸、4−アミノブチルホスホ
ン酸、5−アミノペンチルホスホン酸、メチルチオメチ
ルホスホン酸、メチルチオエチルホスホン酸、メチルチ
オプロピルホスホン酸、メチルチオブチルホスホン酸、
エチルチオメチルホスホン酸、エチルチオエチルホスホ
ン酸、エチルチオプロピルホスホン酸、プロピルチオメ
チルホスホン酸、プロピルチオエチルホスホン酸、ブチ
ルチオメチルホスホン酸、フェニルホスホン酸、4−ク
ロロフェニルホスホン酸、3,4−ジクロロフェニルホ
スホン酸、3,5−ジクロロフェニルホスホン酸、4−
ブロモフェニルホスホン酸、3,4−ブロモフェニルホ
スホン酸、3,5−ブロモフェニルホスホン酸、4−メ
トキシフェニルホスホン酸、3,4−ジメトキシフェニ
ルホスホン酸、1−ナフチルホスホン酸、2−ナフチル
ホスホン酸、5,6,7,8−テトラヒドロ−2−ナフ
チルホスホン酸、5,6,7,8−テトラヒドロ−1−
ナフチルホスホン酸、ベンジルホスホン酸、4−ブロモ
フェニルメチルホスホン酸、3,4−ジブロモフェニル
メチルホスホン酸、3,5−ジブロモフェニルメチルホ
スホン酸、2−フェニルエチルホスホン酸、2−(4−
ブロモフェニル)エチルホスホン酸、2−(3,4−ジ
ブロモフェニル)エチルホスホン酸、2−(3,5−ジ
ブロモフェニル)エチルホスホン酸、3−フェニルプロ
ピルホスホン酸、3−(4−ブロモフェニル)プロピル
ホスホン酸、3−(3,4−ジブロモフェニル)プロピ
ルホスホン酸、3−(3,5−ジブロモフェニル)プロ
ピルホスホン酸、4−フェニルブチルホスホン酸、4−
(4−ブロモフェニル)ブチルホスホン酸、4−(3,
4−ジブロモフェニル)ブチルホスホン酸、4−(3,
5−ジブロモフェニル)ブチルホスホン酸、2−ピリジ
ルホスホン酸、3−ピリジルホスホン酸、4−ピリジル
ホスホン酸、1−ピロリジノメチルホスホン酸、1−ピ
ロリジノエチルホスホン酸、1−ピロリジノプロピルホ
スホン酸、1−ピロリジノブチルホスホン酸、ピロール
−1−ホスホン酸、ピロール−2−ホスホン酸、ピロー
ル−3−ホスホン酸、チオフェン−2−ホスホン酸、チ
オフェン−3−ホスホン酸、ジチアン−2−ホスホン
酸、トリチアン−2−ホスホン酸、フラン−2−ホスホ
ン酸、フラン−3−ホスホン酸、ビニルホスホン酸、ア
リルホスホン酸などが挙げられる。また、X1に相当す
る、これらのリン原子に2重結合で結合している酸素原
子(O)が硫黄原子(S)に置換されたチオホスホン酸
も同様に挙げられる。さらに、X1がセレン原子(S
e)であってもよい。これらは1種類でも、複数種併用
することもできる。また、これらホスホン酸はその酸塩
化物、エステル、アミドなどのホスホン酸誘導体であっ
てもよい。
The substituent R 1 on the phosphorus atom of the structural unit represented by the above structural formula (1) is an organic group, specifically, phenyl, halo-substituted phenyl, methoxyphenyl, ethoxyphenyl, ethyl, isopropyl. , Cyclohexyl,
Vinyl, allyl, benzyl, aminoalkyl, hydroxyalkyl, halo-substituted alkyl, alkylsulfide groups and the like can be used. Specific examples of the phosphonic acid forming the phosphonic acid residue having such a substituent include methylphosphonic acid, ethylphosphonic acid, and n.
-Propylphosphonic acid, isopropylphosphonic acid, n-
Butylphosphonic acid, isobutylphosphonic acid, t-butylphosphonic acid, n-pentylphosphonic acid, neopentylphosphonic acid, cyclohexylphosphonic acid, benzylphosphonic acid, chloromethylphosphonic acid, dichloromethylphosphonic acid, bromomethylphosphonic acid, dibromomethylphosphonic acid, 2 -Chloroethylphosphonic acid, 1,2-dichloroethylphosphonic acid, 2-bromoethylphosphonic acid, 1,
2-dibromoethylphosphonic acid, 3-chloropropylphosphonic acid, 2,3-dichloropropylphosphonic acid 3-bromopropylphosphonic acid, 2,3-dibromopropylphosphonic acid, 2-chloro-1-methylethylphosphonic acid,
1,2-dichloro-1-methylethylphosphonic acid, 2-
Bromo-1-methylethylphosphonic acid, 1,2-dibromo-1-methylethylphosphonic acid, 4-chlorobutylphosphonic acid, 3,4-dichlorobutylphosphonic acid, 4-bromobutylphosphonic acid, 3,4-dibromobutylphosphonic acid Acid, 3-chloro-1-methylpropylphosphonic acid,
2,3-dichloro-1-methylpropylphosphonic acid, 3
-Bromo-1methylpropylphosphonic acid, 2,3-dibromo-1-methylphosphonic acid, 1-chloromethylpropylphosphonic acid, 1-chloro-1-chloromethylpropylphosphonic acid, 1-bromomethylpropylphosphonic acid, 1
-Bromo-1-bromomethylpropylphosphonic acid, 5-
Chloropentylphosphonic acid, 4,5-dichloropentylphosphonic acid, 5-bromopentylphosphonic acid, 4,5-
Dibromopentylphosphonic acid, 1-hydroxymethylphosphonic acid, 2-hydroxyethylphosphonic acid, 3-hydroxypropylphosphonic acid, 4-hydroxybutylphosphonic acid, 5-hydroxypentylphosphonic acid, 1-aminomethylphosphonic acid, 2-aminoethylphosphonic acid Acid, 3
-Aminopropylphosphonic acid, 4-aminobutylphosphonic acid, 5-aminopentylphosphonic acid, methylthiomethylphosphonic acid, methylthioethylphosphonic acid, methylthiopropylphosphonic acid, methylthiobutylphosphonic acid,
Ethylthiomethylphosphonic acid, ethylthioethylphosphonic acid, ethylthiopropylphosphonic acid, propylthiomethylphosphonic acid, propylthioethylphosphonic acid, butylthiomethylphosphonic acid, phenylphosphonic acid, 4-chlorophenylphosphonic acid, 3,4-dichlorophenylphosphonic acid , 3,5-dichlorophenylphosphonic acid, 4-
Bromophenylphosphonic acid, 3,4-bromophenylphosphonic acid, 3,5-bromophenylphosphonic acid, 4-methoxyphenylphosphonic acid, 3,4-dimethoxyphenylphosphonic acid, 1-naphthylphosphonic acid, 2-naphthylphosphonic acid , 5,6,7,8-tetrahydro-2-naphthylphosphonic acid, 5,6,7,8-tetrahydro-1-
Naphthylphosphonic acid, benzylphosphonic acid, 4-bromophenylmethylphosphonic acid, 3,4-dibromophenylmethylphosphonic acid, 3,5-dibromophenylmethylphosphonic acid, 2-phenylethylphosphonic acid, 2- (4-
Bromophenyl) ethylphosphonic acid, 2- (3,4-dibromophenyl) ethylphosphonic acid, 2- (3,5-dibromophenyl) ethylphosphonic acid, 3-phenylpropylphosphonic acid, 3- (4-bromophenyl) Propylphosphonic acid, 3- (3,4-dibromophenyl) propylphosphonic acid, 3- (3,5-dibromophenyl) propylphosphonic acid, 4-phenylbutylphosphonic acid, 4-
(4-Bromophenyl) butylphosphonic acid, 4- (3,
4-dibromophenyl) butylphosphonic acid, 4- (3,
5-dibromophenyl) butylphosphonic acid, 2-pyridylphosphonic acid, 3-pyridylphosphonic acid, 4-pyridylphosphonic acid, 1-pyrrolidinomethylphosphonic acid, 1-pyrrolidinoethylphosphonic acid, 1-pyrrolidinopropylphosphonic acid, 1-pyrrolidinobutylphosphonic acid, pyrrole-1-phosphonic acid, pyrrole-2-phosphonic acid, pyrrole-3-phosphonic acid, thiophen-2-phosphonic acid, thiophen-3-phosphonic acid, dithian-2-phosphonic acid, Examples thereof include trithian-2-phosphonic acid, furan-2-phosphonic acid, furan-3-phosphonic acid, vinylphosphonic acid and allylphosphonic acid. Moreover, the thiophosphonic acid corresponding to X 1 in which the oxygen atom (O) double-bonded to these phosphorus atoms is substituted with the sulfur atom (S) is also included. Furthermore, X 1 is a selenium atom (S
e). These may be used alone or in combination of two or more. Further, these phosphonic acids may be phosphonic acid derivatives such as acid chlorides, esters and amides thereof.

【0015】なお、ポリマー中にカーボネート残基を含
まない場合は、X1はSまたはSeが好ましい。
When the polymer does not contain a carbonate residue, X 1 is preferably S or Se.

【0016】また、これらホスホン酸残基については、
それぞれ対応する3価のリン官能基であるホスホナイト
残基に一部置き換えてもよい。これによりポリマーの耐
酸化性を付与することができるが、光学特性等の特性安
定性を考慮すると、その置換比率は50%以下が好まし
く、より好ましくは25%以下、さらに好ましくは10
%以下である。すなわち、ポリマーがホスホナイト残基
を含み、構造式(1)で表されるホスホン酸残基とホス
ホナイト残基とに対するホスホナイト残基のモル分率が
0.5以下であることが好ましく、より好ましくは0.
25以下、さらに好ましくは0.1以下である。
Regarding these phosphonic acid residues,
Each may be partially replaced with a corresponding phosphonite residue which is a trivalent phosphorus functional group. Although the oxidation resistance of the polymer can be imparted by this, the substitution ratio is preferably 50% or less, more preferably 25% or less, still more preferably 10 in view of the characteristic stability such as optical characteristics.
% Or less. That is, it is preferable that the polymer contains a phosphonite residue, and the molar ratio of the phosphonite residue to the phosphonic acid residue and the phosphonite residue represented by the structural formula (1) is 0.5 or less, and more preferably. 0.
It is 25 or less, more preferably 0.1 or less.

【0017】また、本発明におけるポリマーは以下の構
造式(2)で表される2価フェノール残基を構成単位と
して含んでいる。
Further, the polymer in the present invention contains a dihydric phenol residue represented by the following structural formula (2) as a constituent unit.

【0018】[0018]

【化6】 2、R3:H、NO2、ハロゲン原子または炭素数1〜
20の脂肪族基もしくは芳香族基 p、q:整数であって0≦p+q≦8 Y1:O、S、アルキレン基、アルキリデン基、シクロ
アルキレン基、シクロアルキリデン基、ハロ置換アルキ
レン基、ハロ置換アルキリデン基、フェニルアルキリデ
ン基、カルボニル基、スルホン基、脂肪族ホスフィンオ
キシド基、芳香族ホスフィンオキシド基、アルキルシラ
ン基、ジアルキルシラン基またはフルオレン基 (ただし、Y1は単なる単結合であってもよい。また、
2、R3またはY1の異なる2価フェノール残基をポリ
マー中に2種以上含んでいてもよい。) この2価フェノール残基を2価フェノールの形で具体的
に例示すると、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
エタン、1,1−ビス(4−メチル−2−ヒドロキシフ
ェニル)メタン、1,1−ビス(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−4−メチルペンタン、1,1−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘプタン、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロオクタ
ン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロデ
カン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロ
ドデカン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2−エチルヘキサ
ン、2,2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン、1,1−ビス(3−メチル−4−ヒド
ロキシフェニル)メタン、4,4’−ビフェノール、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、1,
1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルプロ
パン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−
フェニルメタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)オクタン、1,1−ビス(3−メチル−4−ヒドロ
キシフェニル)シクロヘキサン、2,2−ビス(3−ア
リル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビ
ス(3−イソプロピル−4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン、2,2−ビス(3−tert−ブチル−4−ヒド
ロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−sec
ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビスフェ
ノールフローレン、1,1−ビス(2−メチル−4−ヒ
ドロキシ−5−tert−ブチルフェニル)−2−メチ
ルプロパン、4,4’−〔1,4−フェニレン−ビス
(2−プロピリデン)〕−ビス(2−メチルフェノー
ル)、1,1−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフ
ェニル)シクロヘキサン、4,4’−ジヒドロキシフェ
ニルエーテル、1,1−ビス(2−ヒドロキシフェニ
ル)メタン、2,4’−メチレンビスフェノール、1,
1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)メタ
ン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、1,1−ビス(2−ヒドロキシ−5−メチルフェニ
ル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
−3−メチル−ブタン、1,1−ビス(2−ヒドロキシ
−3,5−ジメチルフェニル)メタン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、1,1−
ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロペ
ンタン、3,3−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペン
タン、3,3−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)ペンタン、3,3−ビス(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)ペンタン、2,2−ビス(2−
ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ノナン、1,
1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−1
−フェニルエタン、1,1−ビス(3,5−ジメチル−
4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、2,2−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)デカン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)デカン、1,1−ビス(2
−ヒドロキシ−3−tert−ブチル−5−メチルフェ
ニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)ジフェニルメタン、テルペンジフェノール、1,1
−ビス(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)シクロヘキサン、1,1−ビス(2−メチル−4−
ヒドロキシ−5−tert−ブチルフェニル)−2−メ
チルプロパン、2,2−ビス(3−シクロヘキシル−4
−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(3,
5−ジtert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)メ
タン、1,1−ビス(3,5−ジsecブチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(3−シクロ
ヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、
1,1−ビス(2−ヒドロキシ−3,5−ジtert−
ブチルフェニル)エタン、1,1−ビス(3−ノニル−
4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(3,
5−ジtert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン、1,1−ビス(2−ヒドロキシ−3,5−ジt
ert−ブチル−6−メチルフェニル)メタン、1,1
−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)−1
−フェニルエタン、4,4−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)ペンタン酸、ビス(4−ヒドロキシフェニル)酢
酸ブチルエステル、1,1−ビス(3−フルオロ−4−
ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(2−ヒド
ロキシ−5−フルオロフェニル)メタン、2,2−ビス
(4ーヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3
−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−フルオ
ロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス
(3−フルオロ−4−ヒドロキシフェニル)−1−フェ
ニルメタン、1,1−ビス(3−フルオロ−4−ヒドロ
キシフェニル)−1−(p−フルオロフェニル)メタ
ン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−
(p−フルオロフェニル)メタン、2,2−ビス(3−
クロロ−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン、2,2−ビス(3−クロロ−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(3,5
−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2
−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)
プロパン、2,2−ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン、3,3’−ジメチル−4,4’−
ビフェノール、3,3’,5,5’−テトラメチル−
4,4’−ビフェノール、3,3’,5,5’−テトラ
tert−ブチル−4,4’−ビフェノール、ビス(4
−ヒドロキシフェニル)ケトン、3,3’−ジフルオロ
−4,4’−ビフェノール、3,3’,5,5’−テト
ラフルオロ−4,4’−ビフェノール、ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)ジメチルシラン、ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)スルホン、ビス(3−メチル−4−ヒドロ
キシフェニル)スルホン、ビス(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,5−ジブ
ロモ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−
ヒドロキシフェニル)チオエーテル、ビス(3−メチル
−4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3−メチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)チオエーテル、ビス
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)エーテ
ル、ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)チオエーテル、1,1−ビス(2,3,5−トリメ
チル−4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルメタ
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ドデカ
ン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)ドデカン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−
ヒドロキシフェニル)ドデカン、1,1−ビス(3−t
ert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−1−フェ
ニルエタン、1,1−ビス(3,5−ジtert−ブチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、
1,1−ビス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−シク
ロヘキシルフェニル)−2−メチルプロパン、1,1−
ビス(2−ヒドロキシ−3,5−ジtert−ブチルフ
ェニル)エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン酸メチルエステル、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)プロパン酸エチルエステル、イサチ
ンビスフェノール、イサチンビスクレゾール、2,
2’,3,3’,5,5’−ヘキサメチル−4,4’−
ビフェノール、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタ
ン、2,4’−メチレンビスフェノール、1,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)エタン、2−(4−ヒドロ
キシフェニル)−2−(2−ヒドロキシフェニル)プロ
パン、ビス(2−ヒドロキシ−3−アリルフェニル)メ
タン、1,1−ビス(2−ヒドロキシ−3,5−ジメチ
ルフェニル)−2−メチルプロパン、1,1−ビス(2
−ヒドロキシ−5−tert−ブチルフェニル)エタ
ン、ビス(2−ヒドロキシ−5−フェニルフェニル)メ
タン、1,1−ビス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5
−tert−ブチルフェニル)ブタン、ビス(2−メチ
ル−4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル)メ
タン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタ
デカン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)ペンタデカン、2,2−ビス(3,5−ジメチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)ペンタデカン、1,2−
ビス(3,5−ジtert−ブチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)エタン、ビス(2−ヒドロキシ−3,5−ジt
ert−ブチルフェニル)メタン、2,2−ビス(3−
スチリル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−(p−ニトロ
フェニル)エタン、ビス(3,5−ジフルオロ−4−ヒ
ドロキシフェニル)メタン、ビス(3,5−ジフルオロ
−4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルメタン、ビ
ス(3,5−ジフルオロ−4−ヒドロキシフェニル)ジ
フェニルメタン、ビス(3−フルオロ−4−ヒドロキシ
フェニル)ジフェニルメタン、2,2−ビス(3−クロ
ロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、3,3’,
5,5’−テトラtert−ブチル−2,2’−ビフェ
ノール、2,2’−ジアリル−4,4’−ビフェノー
ル、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,
3,5−トリメチル−シクロヘキサン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5,5−テトラ
メチル−シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−3,3,4−トリメチル−シクロヘキサ
ン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3
−ジメチル−5−エチル−シクロヘキサン、1,1−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチ
ル−シクロペンタン、1,1−ビス(3,5−ジメチル
−4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチル
−シクロヘキサン、1,1−ビス(3,5−ジフェニル
−4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチル
−シクロヘキサン、1,1−ビス(3−メチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチル−シクロ
ヘキサン、1,1−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキ
シフェニル)−3,3,5−トリメチル−シクロヘキサ
ン、1,1−ビス(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシ
フェニル)−3,3,5−トリメチル−シクロヘキサ
ン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレ
ン、9,9−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)フルオレン、1,1−ビス(3,5−ジブロ
モ−4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチ
ル−シクロヘキサン、α、α−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1,4−ジイソプロピルベンゼン等が挙げら
れる。これらは1種類でも、複数種併用することもでき
る。これら2価フェノールは得られるポリマーの性能に
応じて適宜選択し用いることができる。
[Chemical 6] R 2, R 3: H, NO 2, 1~ halogen atom or carbon atoms
20 aliphatic or aromatic groups p, q: integers and 0 ≦ p + q ≦ 8 Y 1 : O, S, alkylene group, alkylidene group, cycloalkylene group, cycloalkylidene group, halo-substituted alkylene group, halo-substituted Alkylidene group, phenylalkylidene group, carbonyl group, sulfone group, aliphatic phosphine oxide group, aromatic phosphine oxide group, alkylsilane group, dialkylsilane group or fluorene group (wherein Y 1 may be a single bond. Also,
Two or more dihydric phenol residues having different R 2 , R 3 or Y 1 may be contained in the polymer. ) Specific examples of this dihydric phenol residue in the form of dihydric phenol include 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) methane and 1,1-bis (4-hydroxyphenyl).
Ethane, 1,1-bis (4-methyl-2-hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (3,5-dimethyl-4)
-Hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) -4-methylpentane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 1,1
-Bis (4-hydroxyphenyl) cycloheptane,
1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclooctane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclodecane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclododecane, 2,2-bis (4-hydroxy) Phenyl) propane, 2,2-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3,5-dimethyl-
4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (4
-Hydroxyphenyl) -1-phenylethane, 1,1
-Bis (4-hydroxyphenyl) -2-ethylhexane, 2,2-bis (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) methane, 4, 4'-biphenol,
2,2-bis (4-hydroxyphenyl) butane, 1,
1-bis (4-hydroxyphenyl) -2-methylpropane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1-
Phenylmethane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) octane, 1,1-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 2,2-bis (3-allyl-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-isopropyl-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-sec)
Butyl-4-hydroxyphenyl) propane, bisphenolfluorene, 1,1-bis (2-methyl-4-hydroxy-5-tert-butylphenyl) -2-methylpropane, 4,4 '-[1,4-phenylene -Bis (2-propylidene)]-bis (2-methylphenol), 1,1-bis (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 4,4'-dihydroxyphenyl ether, 1,1-bis (2 -Hydroxyphenyl) methane, 2,4'-methylenebisphenol, 1,
1-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (2-hydroxy-5-methylphenyl) ethane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl)
-3-methyl-butane, 1,1-bis (2-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclopentane, 1,1-
Bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) cyclopentane, 3,3-bis (4-hydroxyphenyl) pentane, 3,3-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) pentane, 3,3-bis ( 3,5-dimethyl-4
-Hydroxyphenyl) pentane, 2,2-bis (2-
Hydroxy-3,5-dimethylphenyl) propane,
2,2-bis (4-hydroxyphenyl) nonane, 1,
1-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -1
-Phenylethane, 1,1-bis (3,5-dimethyl-
4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) decane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) decane, 1,1-bis (2
-Hydroxy-3-tert-butyl-5-methylphenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) diphenylmethane, terpene diphenol, 1,1
-Bis (3-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 1,1-bis (2-methyl-4-)
Hydroxy-5-tert-butylphenyl) -2-methylpropane, 2,2-bis (3-cyclohexyl-4)
-Hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (3,3
5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (3,5-disecbutyl-4-hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (3-cyclohexyl-4-hydroxyphenyl) Cyclohexane,
1,1-bis (2-hydroxy-3,5-ditert-
Butylphenyl) ethane, 1,1-bis (3-nonyl-
4-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (3,3
5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (2-hydroxy-3,5-dit)
ert-butyl-6-methylphenyl) methane, 1,1
-Bis (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) -1
-Phenylethane, 4,4-bis (4-hydroxyphenyl) pentanoic acid, bis (4-hydroxyphenyl) acetic acid butyl ester, 1,1-bis (3-fluoro-4-)
Hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (2-hydroxy-5-fluorophenyl) methane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3
-Hexafluoropropane, 2,2-bis (3-fluoro-4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (3-fluoro-4-hydroxyphenyl) -1-phenylmethane, 1,1-bis (3 -Fluoro-4-hydroxyphenyl) -1- (p-fluorophenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1-
(P-Fluorophenyl) methane, 2,2-bis (3-
Chloro-4-hydroxy-5-methylphenyl) propane, 2,2-bis (3,5-dichloro-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-chloro-4-)
Hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (3,5
-Dibromo-4-hydroxyphenyl) methane, 2,2
-Bis (3,5-dibromo-4-hydroxyphenyl)
Propane, 2,2-bis (3-nitro-4-hydroxyphenyl) propane, 3,3'-dimethyl-4,4'-
Biphenol, 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-
4,4'-biphenol, 3,3 ', 5,5'-tetratert-butyl-4,4'-biphenol, bis (4
-Hydroxyphenyl) ketone, 3,3'-difluoro-4,4'-biphenol, 3,3 ', 5,5'-tetrafluoro-4,4'-biphenol, bis (4-hydroxyphenyl) dimethylsilane, Bis (4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (3,5-dimethyl-4)
-Hydroxyphenyl) sulfone, bis (3,5-dibromo-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-
Hydroxyphenyl) thioether, bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) ether, bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) thioether, bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) ether, bis (3,3 5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) thioether, 1,1-bis (2,3,5-trimethyl-4-hydroxyphenyl) -1-phenylmethane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) dodecane, 2 , 2-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) dodecane, 2,2-bis (3,5-dimethyl-4-)
Hydroxyphenyl) dodecane, 1,1-bis (3-t
ert-butyl-4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane, 1,1-bis (3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane,
1,1-bis (2-methyl-4-hydroxy-5-cyclohexylphenyl) -2-methylpropane, 1,1-
Bis (2-hydroxy-3,5-ditert-butylphenyl) ethane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propanoic acid methyl ester, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propanoic acid ethyl ester, Isatin bisphenol, isatin biscresol, 2,
2 ', 3,3', 5,5'-hexamethyl-4,4'-
Biphenol, bis (2-hydroxyphenyl) methane, 2,4'-methylenebisphenol, 1,2-bis (4-hydroxyphenyl) ethane, 2- (4-hydroxyphenyl) -2- (2-hydroxyphenyl) propane , Bis (2-hydroxy-3-allylphenyl) methane, 1,1-bis (2-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -2-methylpropane, 1,1-bis (2
-Hydroxy-5-tert-butylphenyl) ethane, bis (2-hydroxy-5-phenylphenyl) methane, 1,1-bis (2-methyl-4-hydroxy-5)
-Tert-butylphenyl) butane, bis (2-methyl-4-hydroxy-5-cyclohexylphenyl) methane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) pentadecane, 2,2-bis (3-methyl-4-) Hydroxyphenyl) pentadecane, 2,2-bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) pentadecane, 1,2-
Bis (3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl) ethane, bis (2-hydroxy-3,5-dit
ert-butylphenyl) methane, 2,2-bis (3-
Styryl-4-hydroxyphenyl) propane, 1,1
-Bis (4-hydroxyphenyl) -1- (p-nitrophenyl) ethane, bis (3,5-difluoro-4-hydroxyphenyl) methane, bis (3,5-difluoro-4-hydroxyphenyl) -1- Phenylmethane, bis (3,5-difluoro-4-hydroxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-fluoro-4-hydroxyphenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (3-chloro-4-hydroxyphenyl) propane, 3, 3 ',
5,5'-tetratert-butyl-2,2'-biphenol, 2,2'-diallyl-4,4'-biphenol, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3,
3,5-Trimethyl-cyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3,3,5,5-tetramethyl-cyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3,3,4 -Trimethyl-cyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3,3
-Dimethyl-5-ethyl-cyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3,3,5-trimethyl-cyclopentane, 1,1-bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)- 3,3,5-Trimethyl-cyclohexane, 1,1-bis (3,5-diphenyl-4-hydroxyphenyl) -3,3,5-trimethyl-cyclohexane, 1,1-bis (3-methyl-4-) Hydroxyphenyl) -3,3,5-trimethyl-cyclohexane, 1,1-bis (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) -3,3,5-trimethyl-cyclohexane, 1,1-bis (3,5- Dichloro-4-hydroxyphenyl) -3,3,5-trimethyl-cyclohexane, 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene, 9,9-bis ( , 5-Dimethyl-4-hydroxyphenyl) fluorene, 1,1-bis (3,5-dibromo-4-hydroxyphenyl) -3,3,5-trimethyl-cyclohexane, α, α-bis (4-hydroxyphenyl) ) -1,4-diisopropylbenzene and the like. These may be used alone or in combination of two or more. These dihydric phenols can be appropriately selected and used according to the performance of the obtained polymer.

【0019】R2の炭素数が20を超える場合、耐熱性
の低下、成形性の低下などが起こることがある。
If the carbon number of R 2 exceeds 20, heat resistance and moldability may deteriorate.

【0020】また、ジヒドロキシベンゼンを本発明の効
果が損なわれない範囲で用い、ポリマー骨格に同構造を
導入することができる。これらジヒドロキシベンゼンと
しては、レゾルシノール、ハイドロキノン、1,2−ジ
ヒドロキシベンゼン等が挙げられ、これらは1種類で
も、複数種併用することもできる。
Further, the same structure can be introduced into the polymer skeleton by using dihydroxybenzene within the range where the effect of the present invention is not impaired. Examples of these dihydroxybenzenes include resorcinol, hydroquinone, and 1,2-dihydroxybenzene. These may be used alone or in combination of two or more.

【0021】本発明で用いるポリマーは必ずしも直鎖状
である必要はなく、得られるポリマーの性能に応じて多
価フェノールを共重合することができる。このような多
価フェノールを具体的に例示すると、トリス(4−ヒド
ロキシフェニル)メタン、4,4’−〔1−〔4−〔1
−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル〕フ
ェニル〕エチリデン〕ビスフェノール、2,3,4,
4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、4−〔ビス
(4−ヒドロキシフェニル)メチル〕−2−メトキシフ
ェノール、トリス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)メタン、4−〔ビス(3−メチル−4−ヒドロキシ
フェニル)メチル〕−2−メトキシフェノール、4−
〔ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)
メチル〕−2−メトキシフェノール、1,1,1−トリ
ス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1,1−ト
リス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)エタン、
1,1,1−トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキ
シフェニル)エタン、トリス(3−メチル−4−ヒドロ
キシフェニル)メタン、トリス(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)メタン、2,6−ビス〔(2−
ヒドロキシ−5−メチルフェニル)メチル〕−4−メチ
ルフェノール、4−〔ビス(3,5−ジメチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)メチル〕−1,2−ジヒドロキシベ
ンゼン、2−〔ビス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5
−シクロヘキシルフェニル)メチル〕−フェノール、4
−〔ビス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−シクロヘ
キシルフェニル)メチル〕−1,2−ジヒドロキシベン
ゼン、4−メチルフェニル−1,2,3−トリヒドロキ
シベンゼン、4−〔(4−ヒドロキシフェニル)メチ
ル〕−1,2,3−トリヒドロキシベンゼン、4−〔1
−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチル−エチル〕
−1,3−ジヒドロキシベンゼン、4−〔(3,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)メチル〕−1,2,
3−トリヒドロキシベンゼン、1,4−ビス〔1−ビス
(3,4−ジヒドロキシフェニル)−1−メチル−エチ
ル〕ベンゼン、1,4−ビス〔1−ビス(2,3,4−
トリヒドロキシフェニル)−1−メチル−エチル〕ベン
ゼン、2,4−ビス〔(4−ヒドロキシフェニル)メチ
ル〕−1,3−ジヒドロキシベンゼン、2−〔ビス(3
−メチル−4−ヒドロキシフェイル)メチル〕フェノー
ル、4−〔ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェイ
ル)メチル〕フェノール、2−〔ビス(2−メチル−4
−ヒドロキシフェイル)メチル〕フェノール、4−〔ビ
ス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)メチル〕−
1,2−ジヒドロキシベンゼン、4−〔ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)メチル〕−2−エトキシフェノール、
2−〔ビス(2,3−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)メチル〕フェノール、4−〔ビス(3,5−ジメチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)メチル〕フェノール、3
−〔ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)メチル〕フェノール、2−〔ビス(2−ヒドロキシ
−3,6−ジメチルフェニル)メチル〕フェノール、4
−〔ビス(2−ヒドロキシ−3,6−ジメチルフェニ
ル)メチル〕フェノール、4−〔ビス(3,5−ジメチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)メチル〕−2−メトキシ
フェノール、3,6−〔ビス(3,5−ジメチル−4−
ヒドロキシフェニル)メチル〕−1,2−ジヒドロキシ
ベンゼン、4,6−〔ビス(3,5−ジメチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)メチル〕−1,2,3−トリヒドロ
キシベンゼン、2−〔ビス(2,3,6−トリメチル−
4−ヒドロキシフェニル)メチル〕フェノール、2−
〔ビス(2,3,5−トリメチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)メチル〕フェノール、3−〔ビス(2,3,5−
トリメチル−4−ヒドロキシフェニル)メチル〕フェノ
ール、4−〔ビス(2,3,5−トリメチル−4−ヒド
ロキシフェニル)メチル〕フェノール、4−〔ビス
(2,3,5−トリメチル−4−ヒドロキシフェニル)
メチル〕−1,2−ジヒドロキシベンゼン、3−〔ビス
(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフ
ェニル)メチル〕フェノール、4−〔ビス(2−メチル
−4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル)メチ
ル〕フェノール、4−〔ビス(2−メチル−4−ヒドロ
キシ−5−シクロヘキシルフェニル)メチル〕−2−メ
トキシフェノール、2,4,6−〔トリス(4−ヒドロ
キシフェニルメチル)−1,3−ジヒドロキシベンゼ
ン、1,1,2,2−テトラ(3−メチル−4−ヒドロ
キシフェニル)エタン、1,1,2,2−テトラ(3,
5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,
4−〔〔ビス(4−ヒドロキシフェニル)メチル〕〕ベ
ンゼン、1,4−ジ〔ビス(3−メチル−4−ヒドロキ
シフェニル)メチル〕ベンゼン、1,4−ジ〔ビス
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)メチ
ル〕ベンゼン、4−〔1,1−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)エチル〕アニリン、(2,4−ジヒドロキシフ
ェニル)(4−ヒドロキシフェニル)ケトン、2−〔ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)メチル〕フェノール、
1,3,3−トリ(4−ヒドロキシフェニル)ブタン等
が挙げられ、これらは1種類でも、複数種併用すること
もできる。
The polymer used in the present invention does not necessarily have to be linear, and a polyhydric phenol can be copolymerized depending on the performance of the obtained polymer. Specific examples of such polyphenols include tris (4-hydroxyphenyl) methane, 4,4 ′-[1- [4- [1
-(4-Hydroxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, 2,3,4
4'-tetrahydroxybenzophenone, 4- [bis (4-hydroxyphenyl) methyl] -2-methoxyphenol, tris (3-methyl-4-hydroxyphenyl) methane, 4- [bis (3-methyl-4-hydroxy) Phenyl) methyl] -2-methoxyphenol, 4-
[Bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)
Methyl] -2-methoxyphenol, 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1,1-tris (3-methyl-4-hydroxyphenyl) ethane,
1,1,1-tris (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) ethane, tris (3-methyl-4-hydroxyphenyl) methane, tris (3,5-dimethyl-4)
-Hydroxyphenyl) methane, 2,6-bis [(2-
Hydroxy-5-methylphenyl) methyl] -4-methylphenol, 4- [bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) methyl] -1,2-dihydroxybenzene, 2- [bis (2-methyl- 4-hydroxy-5
-Cyclohexylphenyl) methyl] -phenol, 4
-[Bis (2-methyl-4-hydroxy-5-cyclohexylphenyl) methyl] -1,2-dihydroxybenzene, 4-methylphenyl-1,2,3-trihydroxybenzene, 4-[(4-hydroxyphenyl ) Methyl] -1,2,3-trihydroxybenzene, 4- [1
-(4-hydroxyphenyl) -1-methyl-ethyl]
-1,3-dihydroxybenzene, 4-[(3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) methyl] -1,2,
3-trihydroxybenzene, 1,4-bis [1-bis (3,4-dihydroxyphenyl) -1-methyl-ethyl] benzene, 1,4-bis [1-bis (2,3,4-)
Trihydroxyphenyl) -1-methyl-ethyl] benzene, 2,4-bis [(4-hydroxyphenyl) methyl] -1,3-dihydroxybenzene, 2- [bis (3
-Methyl-4-hydroxyphenyl) methyl] phenol, 4- [bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) methyl] phenol, 2- [bis (2-methyl-4)
-Hydroxyphenyl) methyl] phenol, 4- [bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) methyl]-
1,2-dihydroxybenzene, 4- [bis (4-hydroxyphenyl) methyl] -2-ethoxyphenol,
2- [bis (2,3-dimethyl-4-hydroxyphenyl) methyl] phenol, 4- [bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) methyl] phenol, 3
-[Bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) methyl] phenol, 2- [bis (2-hydroxy-3,6-dimethylphenyl) methyl] phenol, 4
-[Bis (2-hydroxy-3,6-dimethylphenyl) methyl] phenol, 4- [bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) methyl] -2-methoxyphenol, 3,6- [bis ( 3,5-dimethyl-4-
Hydroxyphenyl) methyl] -1,2-dihydroxybenzene, 4,6- [bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) methyl] -1,2,3-trihydroxybenzene, 2- [bis (2 , 3,6-Trimethyl-
4-hydroxyphenyl) methyl] phenol, 2-
[Bis (2,3,5-trimethyl-4-hydroxyphenyl) methyl] phenol, 3- [bis (2,3,5-
Trimethyl-4-hydroxyphenyl) methyl] phenol, 4- [bis (2,3,5-trimethyl-4-hydroxyphenyl) methyl] phenol, 4- [bis (2,3,5-trimethyl-4-hydroxyphenyl) )
Methyl] -1,2-dihydroxybenzene, 3- [bis (2-methyl-4-hydroxy-5-cyclohexylphenyl) methyl] phenol, 4- [bis (2-methyl-4-hydroxy-5-cyclohexylphenyl) Methyl] phenol, 4- [bis (2-methyl-4-hydroxy-5-cyclohexylphenyl) methyl] -2-methoxyphenol, 2,4,6- [tris (4-hydroxyphenylmethyl) -1,3- Dihydroxybenzene, 1,1,2,2-tetra (3-methyl-4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1,2,2-tetra (3
5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) ethane, 1,
4-[[bis (4-hydroxyphenyl) methyl]] benzene, 1,4-di [bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) methyl] benzene, 1,4-di [bis (3,5-dimethyl) -4-hydroxyphenyl) methyl] benzene, 4- [1,1-bis (4-hydroxyphenyl) ethyl] aniline, (2,4-dihydroxyphenyl) (4-hydroxyphenyl) ketone, 2- [bis (4 -Hydroxyphenyl) methyl] phenol,
1,3,3-tri (4-hydroxyphenyl) butane and the like are listed, and these may be used alone or in combination of two or more.

【0022】本発明のフィルムは、少なくとも片面の中
心線平均粗さが5nm以下である。中心線平均粗さが5
nmを超えると、フィルムに光を透過したときに曇り、
像のゆがみなどが発生することがあり、高性能の光学用
フィルムとして機能しなくなることがある。これらの曇
りや像のゆがみは、表面の粗れ、斑などにより、光線が
乱反射し易くなることにより発生する。また、フィルム
成形時に内部構造が不均一になることにより生じる場合
もあり、そのような場合においても中心線平均粗さも5
nmを超えやすい。従って、フィルム表面の中心線平均
粗さを指標として制御することにより、表面、内部構造
ともに高機能の光学フィルムを得やすくなる。中心線平
均粗さは好ましくは3nm以下であり、より好ましくは
2nm以下、更に好ましくは1nm以下である。中心線
平均粗さの下限は特に限定されるものではないが、成形
時、加工時のハンドリング性の観点から、0.1nm以
上であることが好ましい。また、中心線平均粗さは、フ
ィルムの両面において上記範囲を充たすことが、フィル
ムの曇り、像のゆがみをより低減できることから、一層
好ましい。
The film of the present invention has a center line average roughness of 5 nm or less on at least one side. Centerline average roughness is 5
When it exceeds nm, it becomes cloudy when light is transmitted through the film,
Image distortion may occur, and the film may not function as a high-performance optical film. The cloudiness and the image distortion are caused by the rough surface, the unevenness, and the like, and the light rays are likely to be irregularly reflected. Also, it may occur due to non-uniform internal structure during film formation, and even in such a case, the center line average roughness is 5
It is easy to exceed nm. Therefore, by controlling the center line average roughness of the film surface as an index, it becomes easy to obtain an optical film having a high function both on the surface and the internal structure. The center line average roughness is preferably 3 nm or less, more preferably 2 nm or less, still more preferably 1 nm or less. The lower limit of the center line average roughness is not particularly limited, but it is preferably 0.1 nm or more from the viewpoint of handleability during molding and processing. Further, it is more preferable that the center line average roughness satisfies the above-mentioned range on both sides of the film, because the haze of the film and the distortion of the image can be further reduced.

【0023】また、本発明のフィルムに含まれるポリマ
ーの数平均分子量は、20,000以上500,000
以下であると、フィルムの靱性が向上し、更にフィルム
化する際の生産性を大幅に向上させることができる。す
なわち、光学用のフィルムを成形する場合は、一般にポ
リマーを溶液に溶解させて支持体上にキャストして成形
する溶液製膜法が用いられるが、ポリマーの分子量が2
0,000未満であるとフィルム構造に不均一性が発生
しやすくなり、それを回避しようとすると、溶媒を除去
する工程が極めて長時間となり、生産性が大幅に低下す
る傾向にある。分子量は高い方が、上記知見からは有効
であるが、500,000を超えるとポリマーの重合が
困難になったり、重合生産性の低下、ポリマーの均一性
の低下が発生したり、また、フィルムとしての透明性が
損なわれることがある。数平均分子量は、より好ましく
は30,000以上450,000以下であり、更に好
ましくは40,000以上400,000以下である。
The number average molecular weight of the polymer contained in the film of the present invention is 20,000 or more and 500,000 or more.
When it is below, the toughness of the film is improved, and further the productivity in forming the film can be significantly improved. That is, when an optical film is molded, a solution film-forming method is generally used in which a polymer is dissolved in a solution and cast on a support, and the molecular weight of the polymer is 2
If it is less than 10,000, the film structure tends to have non-uniformity, and if it is attempted to avoid it, the step of removing the solvent will take an extremely long time, and the productivity will tend to be significantly reduced. A higher molecular weight is more effective from the above findings, but if it exceeds 500,000, it will be difficult to polymerize the polymer, the polymerization productivity will decrease, and the homogeneity of the polymer will decrease. Transparency may be impaired. The number average molecular weight is more preferably 30,000 or more and 450,000 or less, and further preferably 40,000 or more and 400,000 or less.

【0024】本発明のフィルムの厚みは10〜100μ
mであることが、光学用部材として薄膜、軽量化が図れ
るために好ましい。偏光板、位相差板などの光学部材と
しては、現在、厚みが100μmを超えるものが用いら
れているが、近年、強くなってきている軽量化、薄膜化
の要請に応えるためには、100μm以下、より好まし
くは、80μm以下、更に好ましくは60μm以下とす
ることが好ましい。一方、厚みが10μm未満である
と、加工時にしわが発生したり、他の部材との接着が不
均一になったりすることがある。
The thickness of the film of the present invention is 10 to 100 μm.
It is preferable that m is a thin film as an optical member and the weight can be reduced. Optical members having a thickness of more than 100 μm are currently used as optical members such as a polarizing plate and a retardation plate. However, in order to meet the growing demand for weight reduction and thinning, the thickness is 100 μm or less. , More preferably 80 μm or less, further preferably 60 μm or less. On the other hand, if the thickness is less than 10 μm, wrinkles may occur during processing, or adhesion with other members may become uneven.

【0025】本発明のフィルムを構成材としてフィルム
部材を得る場合、特に、1/2波長位相差板、1/4波
長位相差板の部材として本発明のフィルムを用いる場合
は、フィルムの複屈折による位相差を付与する必要があ
る。付与する位相差は、それぞれの目的に応じて適切に
選定されるべきものであるが、1/4波長位相差板用途
に使用する場合、波長550nmにおける位相差が、5
0〜1,500nmであると、均一な位相差を発現しや
すくなるため好ましい。より好ましくは、50〜1,2
00nm、更に好ましくは、100〜500nmであ
る。また、上記位相差は、可視光波長域である400〜
700nmで、上記範囲であることが、光学用途に使用
する場合、一層好ましい。
When a film member is obtained by using the film of the present invention as a constituent material, particularly when the film of the present invention is used as a member of a half-wave retardation plate or a quarter-wave retardation plate, the birefringence of the film It is necessary to add a phase difference due to. The retardation to be given should be appropriately selected according to each purpose, but when used for a quarter wavelength retardation plate application, the retardation at a wavelength of 550 nm is 5
A thickness of 0 to 1,500 nm is preferable because a uniform retardation is likely to be exhibited. More preferably, 50 to 1,2
00 nm, and more preferably 100 to 500 nm. In addition, the phase difference is 400 to 400 which is a visible light wavelength range.
The above range at 700 nm is more preferable for use in optical applications.

【0026】更に、本発明のフィルムにおいて、位相差
分散性、すなわち位相差の波長依存性は下式を充たすこ
とが、1/4波長位相差板用途に用いる場合の好ましい
実施様態となる。
Further, in the film of the present invention, it is a preferred embodiment when the retardation dispersion property, that is, the wavelength dependence of the retardation satisfies the following formula, when it is used for a quarter wavelength retardation plate.

【0027】 R(450)/R(550)=1.03〜1.25 R(650)/R(550)=0.80〜0.95 ここで、Rは位相差(nm)であり、括弧内の数値は、
波長(nm)を表す。
R (450) / R (550) = 1.03 to 1.25 R (650) / R (550) = 0.80 to 0.95 Here, R is a phase difference (nm), The numbers in parentheses are
Represents a wavelength (nm).

【0028】1/4波長位相差板は、可視光波長域で、
位相差をそれぞれの波長の1/4にすることが求められ
る。そのためには、一般に位相差分散性の異なるフィル
ムを、その主軸が平行にならないように積層する方法が
用いられる。積層する対手には、環状ポリオレフィン
系、ポリカーボネート系、酢酸トリアセテート系、アク
リル系のフィルムが用いられ、特に環状ポリオレフィン
が好ましく用いられる。
The quarter-wave retarder is a visible light wavelength region,
It is required to make the phase difference ¼ of each wavelength. For that purpose, a method is generally used in which films having different retardation dispersion properties are laminated so that their principal axes are not parallel. A cyclic polyolefin-based film, a polycarbonate-based film, a triacetate acetic acid-based film, or an acrylic-based film is used for stacking, and a cyclic polyolefin is particularly preferably used.

【0029】本発明のフィルムにおいて、位相差分散性
が上記範囲であると、このようなポリマーフィルムと積
層したときに、従来用いられてきたポリカーボネート
や、酢酸トリアセテート系フィルムに較べて、1/4波
長位相差板として、一層良好な位相差分散性を発現させ
ることが可能となる。
When the retardation dispersibility of the film of the present invention is within the above range, when laminated with such a polymer film, it is 1/4 as compared with a conventionally used polycarbonate or acetic acid triacetate type film. As a wavelength retardation plate, it becomes possible to exhibit even better retardation dispersion.

【0030】本発明のフィルムの位相差分散性は、より
好ましくは、 R(450)/R(550)=1.1〜1.22 R(650)/R(550)=0.82〜0.93 である。
The retardation dispersibility of the film of the present invention is more preferably R (450) / R (550) = 1.1-1.22 R (650) / R (550) = 0.82-0. .93.

【0031】本発明のフィルムは、JIS−C2318
に準拠した測定法で得られる引張ヤング率が、少なくと
も一方向で3GPa以上であると、薄膜化したときのハ
ンドリング性が向上するため好ましい。より好ましく
は、4GPa以上である。ヤング率を上記範囲にするた
めには、本発明で規定するポリマーは、従来用いられて
きたポリカーボネート等に比し、剛直であるため好まし
い。また、フィルム成形において、延伸を施すことによ
り、ヤング率を上記範囲とすることもできるが、延伸を
強くしすぎると、靱性が低下したり、位相差が実用的な
範囲を超えてしまうことがあるため、ヤング率の上限と
しては、8GPa程度である。また、本発明のフィルム
は、少なくとも一方向の破断伸度が、5%以上、より好
ましくは10%以上であると成形、加工時の破断が少な
くなるため好ましい。破断伸度の上限は特に限定される
ものではないが、現実的には、250%程度である。
The film of the present invention is JIS-C2318.
It is preferable that the tensile Young's modulus obtained by the measuring method according to the above is 3 GPa or more in at least one direction because the handling property when thinned is improved. More preferably, it is 4 GPa or more. In order to keep the Young's modulus within the above range, the polymer specified in the present invention is preferable because it is more rigid than conventionally used polycarbonate and the like. Further, in film forming, the Young's modulus can be adjusted to the above range by performing stretching, but if the stretching is too strong, the toughness may be lowered or the phase difference may exceed the practical range. Therefore, the upper limit of the Young's modulus is about 8 GPa. Further, it is preferable that the film of the present invention has a breaking elongation of at least 5% in at least one direction, more preferably 10% or more, because breakage during molding and processing is reduced. Although the upper limit of the breaking elongation is not particularly limited, it is practically about 250%.

【0032】本発明のフィルムは、100℃で30分
間、実質的に張力を掛けない状態で熱処理したときの少
なくとも一方向の熱収縮率が、10%以下であると、加
工時の寸法変化、また位相差特性の変化を抑えることが
できるため好ましい。より好ましくは5%以下、更に好
ましくは2%以下である。ここで、熱収縮率とは、以下
の式で定義される。
When the film of the present invention has a thermal shrinkage of 10% or less in at least one direction when it is heat-treated at 100 ° C. for 30 minutes in a state in which substantially no tension is applied, dimensional change during processing, In addition, it is preferable because the change in the phase difference characteristics can be suppressed. It is more preferably 5% or less, still more preferably 2% or less. Here, the heat shrinkage rate is defined by the following equation.

【0033】熱収縮率(%)=((熱処理前の試長−熱
処理し冷却後の試長)/熱処理前の試長)×100 熱収縮率は低い方が好ましいが、現実的には下限は0.
1%程度である。
Thermal contraction rate (%) = ((test length before heat treatment-test length after heat treatment and cooling) / test length before heat treatment) × 100 It is preferable that the heat contraction rate is low, but the lower limit is practically lower. Is 0.
It is about 1%.

【0034】本発明のフィルムは、25℃/75RH%
での吸湿率が3%以下、より好ましくは2%以下、更に
好ましくは0.5%以下であると、使用時、加工時の湿
度変化による特性の変化が少なくなるため好ましい。こ
こでいう吸湿率は以下の方法で測定するものである。ま
ず、フィルムを約0.5gを、脱湿のため120℃で3
時間の加熱を行った後、吸湿しないようにして25℃ま
で降温後の重量を0.1mg単位まで正確に秤量する
(この時の重量をW0とする)。次いで、25℃で75
RH%の雰囲気下に48時間静置し、その後の重量を測
定し、W1として以下の式で吸湿率を求める。
The film of the present invention has a temperature of 25 ° C./75 RH%.
A moisture absorption rate of 3% or less, more preferably 2% or less, still more preferably 0.5% or less is preferable because the change in characteristics due to humidity change during use and processing is reduced. The moisture absorption rate here is measured by the following method. First, about 0.5 g of the film is dehumidified at 120 ° C for 3 days.
After heating for a period of time, the weight after cooling to 25 ° C. is accurately weighed to a unit of 0.1 mg so as not to absorb moisture (the weight at this time is defined as W0). Then 75 at 25 ℃
The sample is allowed to stand for 48 hours in an atmosphere of RH%, the weight is measured thereafter, and W1 is used to obtain the moisture absorption rate by the following formula.

【0035】 吸湿率(%)=((W1−W0)/W1)×100 吸湿率は低い方が好ましいが、現実的には下限は0.0
3%程度である。
Moisture absorption rate (%) = ((W1−W0) / W1) × 100 It is preferable that the moisture absorption rate is low, but in reality, the lower limit is 0.0.
It is about 3%.

【0036】本発明のフィルムは、透明性を求められる
分野では、どのような用途にも適用できるが、特に、偏
光板、位相差板、反射防止板、基板などのディスプレー
部材、光ディスクの基板、保護フィルムなどの光記録部
材などの各種フィルム部材の構成材としてのフィルムと
して用いると、表面、内部構造の均一性が高いため好適
である。
The film of the present invention can be applied to any application in the field where transparency is required. In particular, a polarizing plate, a retardation plate, an antireflection plate, a display member such as a substrate, an optical disk substrate, When used as a film as a constituent material of various film members such as an optical recording member such as a protective film, the uniformity of the surface and the internal structure is high, which is preferable.

【0037】これらのフィルムは、用途により、実質的
に無配向フィルム(光学的に等方)が用いられたり、延
伸を施すことにより実現される配向フィルム(光学異方
性を有する)が用いられ、本発明のフィルムは何れにお
いても好適に使用できるが、特に、本発明に記載のポリ
マーを用いた場合は、ポリマー自身の分極率が高いこと
から、配向フィルムとして使用することが一層好まし
い。具体的には、偏光板、位相差板、特に上述した1/
4波長位相差板用途に適用した場合、本発明の効果を最
も奏することができる。
For these films, a substantially non-oriented film (optically isotropic) is used or an oriented film (having optical anisotropy) realized by stretching is used depending on the application. The film of the present invention can be preferably used in any case, but particularly when the polymer described in the present invention is used, since the polymer itself has a high polarizability, it is more preferably used as an oriented film. Specifically, the polarizing plate and the retardation plate, especially 1 /
When applied to a 4-wavelength phase difference plate application, the effect of the present invention can be best achieved.

【0038】本発明に記載のポリマーの製造方法として
は、酸ハライドと2価のフェノールを有機溶剤中で反応
させる溶液重合法(A. Conix, Ind. Eng. Chem., 51, 1
47 (1959)、特公昭37−5599号公報)、酸ハライ
ドと2価のフェノールを塩化マグネシウム等の触媒存在
下で加熱する溶融重合法、2価の酸と2価のフェノール
をジアリルカーボネートの存在下で加熱する溶融重合法
(特公昭38−26299号公報)、水と相溶しない有
機溶剤に溶解せしめた2価の酸ハライドとアルカリ水溶
液に溶解せしめた2価のフェノールとを混合する界面重
合法(W. M. Eareckson, J. Poly. Sci., XL 399 (195
9)、特公昭40−1959号公報)等が挙げられるが、
特に溶液重合法が好適に採用される。
As the method for producing the polymer described in the present invention, a solution polymerization method (A. Conix, Ind. Eng. Chem., 51 , 1) in which an acid halide and a divalent phenol are reacted in an organic solvent.
47 (1959), Japanese Examined Patent Publication No. 37-5599), a melt polymerization method of heating an acid halide and a divalent phenol in the presence of a catalyst such as magnesium chloride, a divalent acid and a divalent phenol in the presence of diallyl carbonate. Melt polymerization method of heating under temperature (Japanese Patent Publication No. 38-26299), interfacial weight of mixing divalent acid halide dissolved in an organic solvent incompatible with water and divalent phenol dissolved in an alkaline aqueous solution. Legal (WM Eareckson, J. Poly. Sci., XL 399 (195
9), Japanese Examined Patent Publication No. 40-1959) and the like.
In particular, the solution polymerization method is preferably adopted.

【0039】溶液重合法について一例を説明すると、ホ
スホン酸残基の前駆体分子であるホスホン酸誘導体と、
2価フェノールをトリエチルアミンなどの塩基存在下混
合して反応させ、続いてカーボネート残基の前駆体分
子、たとえばトリホスゲンなどを添加して縮合重合する
ことによって本発明のポリマーを得ることができる。こ
のとき、ホスホン酸誘導体とトリホスゲンを同時に添加
し反応させることもできるが、より好ましくは、トリホ
スゲンをホスホン酸誘導体添加後に添加することによっ
て、より高分子量体を得ることができる。ホスホン酸誘
導体あるいはカーボネート誘導体としてはそれらのハロ
ゲン化物、酸無水物、エステル等が用いられるが特に限
定されない。また、溶媒としてはモノマー、ポリマーを
溶解するものであれば特に限定されず、複数の溶媒を混
合して用いていも差し支えないが、塩化メチレン等のハ
ロゲン系溶媒を好適に用いることができる。但し、本発
明の目的に適うためには、これらの溶媒の水分量を20
0ppm(重量基準)以下とすることが好ましく、15
0ppm以下とすることが更に好ましく、100ppm
以下とすることが最も好ましい。この水分量は、カール
フィッシャー水分計を用いる等の滴定法、分光法等の方
法で測定することができる。
An example of the solution polymerization method will be described. A phosphonic acid derivative which is a precursor molecule of a phosphonic acid residue,
The polymer of the present invention can be obtained by mixing and reacting a dihydric phenol in the presence of a base such as triethylamine, followed by addition of a precursor molecule of a carbonate residue such as triphosgene and condensation polymerization. At this time, the phosphonic acid derivative and triphosgene can be simultaneously added and reacted, but more preferably, a higher molecular weight product can be obtained by adding triphosgene after the addition of the phosphonic acid derivative. As the phosphonic acid derivative or carbonate derivative, halides, acid anhydrides, esters and the like thereof are used, but are not particularly limited. The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the monomer and the polymer, and a plurality of solvents may be mixed and used, but a halogen-based solvent such as methylene chloride can be preferably used. However, in order to meet the purpose of the present invention, the water content of these solvents should be 20% or less.
It is preferably 0 ppm (weight basis) or less, and 15
0 ppm or less is more preferable, 100 ppm
Most preferably, This water content can be measured by a titration method such as using a Karl Fischer water content meter, a spectroscopic method, or the like.

【0040】また、重合溶液は重合の進行に伴い粘度が
上昇していくため、分子量を所定の範囲に制御するため
には、効率的な剪断力を付与することが好ましい。剪断
力を与える手段としては、攪拌、捏和、混合などが挙げ
られ、バッチ式、連続式の何れであっても差し支えない
が、攪拌を用いてバッチ式で行うことが、より好まし
い。攪拌の場合、分子量を所定の範囲に制御するために
は、その翼の形状、大きさは極めて重要な因子である。
翼の形状としては、パドル型、アンカー型、ゲート型、
ダブルモーションパドル型などの楷型のものやヘリカル
リボン、ダブルヘリカルリボン、ヘリカルスクリュー型
などを挙げることができるが、ヘリカルリボン、ダブル
ヘリカルリボンが反応の均一性を向上させるために好ま
しい。また、翼径は、重合槽内径の90%以上100%
未満が好ましく、より好ましくは95%以上99%以下
である。更に、攪拌を効果的に行うため、攪拌回転数を
制御することも重要である。一般的に、回転数を上げる
と混合効率は良くなるが、一方で温度上昇によるポリマ
ーの分解や、共廻りによる効率の低下が発生することが
あるため、重合するポリマーの種類、重合装置により適
切な条件を選定する必要がある。具体的な好適範囲は、
例えば、溶液重合の場合20〜100rpmが好まし
く、より好ましくは、30〜60rpmである。
Since the viscosity of the polymerization solution increases with the progress of polymerization, it is preferable to apply an efficient shearing force in order to control the molecular weight within a predetermined range. Examples of means for applying a shearing force include stirring, kneading, mixing and the like, and any of batch type and continuous type may be used, but batch type using stirring is more preferable. In the case of stirring, the shape and size of the blade are extremely important factors for controlling the molecular weight within a predetermined range.
As the shape of the wing, paddle type, anchor type, gate type,
Examples thereof include a double type such as a double motion paddle type, a helical ribbon, a double helical ribbon, a helical screw type, and the like, and the helical ribbon and the double helical ribbon are preferable for improving the uniformity of the reaction. The blade diameter is 90% or more and 100% of the inner diameter of the polymerization tank.
It is preferably less than 95%, more preferably 95% or more and 99% or less. Further, in order to effectively carry out stirring, it is important to control the stirring rotation speed. Generally, increasing the number of rotations improves the mixing efficiency, but on the other hand, the polymer may decompose due to the temperature rise and the efficiency may decrease due to co-rotation. It is necessary to select appropriate conditions. A specific preferred range is
For example, in the case of solution polymerization, 20 to 100 rpm is preferable, and 30 to 60 rpm is more preferable.

【0041】また、フィルム成形時の分解を防止し、更
に分子量を安定させる目的で、重合時に一官能の物質を
添加し、分子末端を封止しても差し支えない。ここでい
う一官能物質としては、フェノール、クレゾール、p−
tert−ブチルフェノール等の一価フェノール類、安
息香酸クロライド、メタンスルホニルクロライド、フェ
ニルクロロホルメート等の一価酸クロライド類が挙げら
れる。
Further, for the purpose of preventing decomposition during film formation and further stabilizing the molecular weight, a monofunctional substance may be added at the time of polymerization to seal the molecular end. As the monofunctional substance here, phenol, cresol, p-
Examples include monohydric phenols such as tert-butylphenol, monohydric acid chlorides such as benzoic acid chloride, methanesulfonyl chloride, and phenylchloroformate.

【0042】本発明のポリマーには、その特性を損なわ
ない範囲で、ヒンダードフェノール系、ヒンダードアミ
ン系、チオエーテル系、燐系の各種抗酸化剤を添加する
ことができる。
To the polymer of the present invention, various hindered phenol-based, hindered amine-based, thioether-based, and phosphorus-based antioxidants can be added as long as the characteristics are not impaired.

【0043】また、本発明のフィルムの特性を損なわな
い範囲で、ポリマーに可塑性を持たせる目的で、また、
製膜支持体からの剥離性を向上させる目的で、無機物、
柔軟剤、異種ポリマーなどを、添加してもよい。こうし
た物質としては、塩化カルシウム、塩化リチウム、塩化
マグネシウム、硝酸リチウム、トリエタノールアミン、
リン酸トリフェニル、ポリエチレングリコール、ポリサ
ルフォン、ポリエーテルサルフォンなどが挙げられる。
Further, for the purpose of imparting plasticity to the polymer within a range not impairing the characteristics of the film of the present invention,
For the purpose of improving the releasability from the film-forming support, an inorganic material,
Softeners, dissimilar polymers, etc. may be added. Such substances include calcium chloride, lithium chloride, magnesium chloride, lithium nitrate, triethanolamine,
Examples thereof include triphenyl phosphate, polyethylene glycol, polysulfone, and polyether sulfone.

【0044】このようにして得られたポリマーを次いで
フィルム化する。
The polymer thus obtained is then filmed.

【0045】上記で得られたポリマー溶液は、そのまま
で製膜原液として溶液製膜によりフィルム化しても構わ
ないが、貧溶媒中に投入するなどの方法で単離後、洗
浄、乾燥を経て粉末、ペレットとし、そのまま溶融製膜
あるいは溶媒に溶解させて溶液製膜によりフィルム化し
ても差し支えない。ただし、光学用フィルムとして品
位、均質性を高める上では、単離後のポリマーを洗浄、
乾燥後、溶媒に溶解させた製膜原液を用いて溶液製膜法
によりフィルム化することが好ましい。
The polymer solution obtained above may be used as it is as a film-forming stock solution to form a film by solution film-forming, but after isolation by a method such as charging in a poor solvent, washing and drying are performed to obtain a powder. Alternatively, it may be formed into pellets, and may be directly melt-cast or dissolved in a solvent to form a film by solution casting. However, in order to improve the quality and homogeneity as an optical film, wash the polymer after isolation,
After drying, it is preferable to form a film by a solution film-forming method using a film-forming stock solution dissolved in a solvent.

【0046】以下、溶液製膜法により成形する方法につ
いて記す。
The method of forming by the solution casting method will be described below.

【0047】使用する溶媒としては、ポリマーを溶解す
るものであれば特に限定されない。このような溶媒とし
ては、塩化メチレン、クロロホルム、1,1,2,2−
テトラクロロエタン、1,2−ジクロロエタン、テトラ
ヒドロフラン、1,4−ジオキサン、トルエン、キシレ
ン、γ−ブチロラクトン、ベンジルアルコール、イソホ
ロン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ヘキサフル
オロイソプロパノール、ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン(以下、
NMPとする)等が挙げられる。更に、光学用フィルム
として必要となる低欠点性を実現する目的で、溶液を濾
過することは好ましく行われる。濾過精度は、2,00
0nm以下が好ましく、1,000nm以下がより好ま
しく、600nm以下が更に好ましい。なお、ここでい
う濾過精度とは、フィルターを通過させた時に、90%
の確率でフィルター上に捕捉される濾過物の大きさとし
て定義され、例えば、ANSI B93、31−197
3に基づくシングルパスF−2試験法に準拠して測定す
ることができる。
The solvent used is not particularly limited as long as it dissolves the polymer. Such solvents include methylene chloride, chloroform, 1,1,2,2-
Tetrachloroethane, 1,2-dichloroethane, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, toluene, xylene, γ-butyrolactone, benzyl alcohol, isophorone, chlorobenzene, dichlorobenzene, hexafluoroisopropanol, dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methyl-2. -Pyrrolidone (hereinafter
NMP) and the like. Further, it is preferable to filter the solution for the purpose of realizing the low defectivity required as an optical film. Filtration accuracy is 2,000
It is preferably 0 nm or less, more preferably 1,000 nm or less, still more preferably 600 nm or less. The filtration accuracy here means 90% when passing through a filter.
Is defined as the size of the filtrate that is captured on the filter with a probability of, for example, ANSI B93, 31-197.
It can be measured in accordance with the single pass F-2 test method based on 3.

【0048】上記のように調製された製膜原液は、乾式
法、乾湿式法、湿式法、半乾半湿式法等の溶液製膜法に
よりフィルム化が行なわれるが、フィルムの表面、内部
構造を均一にするためには、乾式法あるいは乾湿式法が
好ましく、以下、乾湿式法・乾式法を例にとって説明す
る。
The film-forming stock solution prepared as described above is formed into a film by a solution film-forming method such as a dry method, a dry-wet method, a wet method, and a semi-dry semi-wet method. In order to make the temperature uniform, a dry method or a dry-wet method is preferable, and the dry-wet method / dry method will be described below as an example.

【0049】上記の原液を口金からドラム、エンドレス
ベルト等の支持体上に押し出して薄膜とし、次いでかか
る薄膜層から溶媒を飛散させ、薄膜を乾燥する。本発明
のフィルムを得るためには、支持体上にキャスト後、実
質的に溶媒が蒸発しない状態で、0.1〜5秒間、好ま
しくは0.2〜1秒間保持し、その後乾燥炉へ導入する
ことが有効である。フィルムの生産性を考慮すると、キ
ャスト直後に乾燥を開始することが好ましいが、その場
合、キャスト斑、口金形状斑がそのまま固定され、中心
線平均粗さが5nmを超える場合がある。実質的に溶媒
が蒸発しない状態で保持するための条件については、使
用する溶媒、キャストの速度などを勘案した上で、最適
の条件を見出す必要があるが、温度0〜30℃の乾燥空
気をキャストフィルム上に0.1〜5秒間当て、冷却す
ることは有効な手段である。
The above stock solution is extruded from a die onto a support such as a drum or an endless belt to form a thin film, and then the solvent is scattered from the thin film layer to dry the thin film. In order to obtain the film of the present invention, after being cast on a support, it is kept for 0.1 to 5 seconds, preferably 0.2 to 1 second in a state where the solvent is not substantially evaporated, and then introduced into a drying oven. It is effective to do. Considering the productivity of the film, it is preferable to start the drying immediately after casting, but in that case, the cast spots and the die-shaped spots are fixed as they are, and the center line average roughness may exceed 5 nm. Regarding the conditions for holding the solvent in a state in which the solvent does not substantially evaporate, it is necessary to find the optimum conditions in consideration of the solvent used, the casting speed, etc. It is an effective means to cool the cast film by applying it for 0.1 to 5 seconds.

【0050】溶媒乾燥においては、溶媒としてNMPを
用いる場合、乾燥温度は、70〜180℃が好ましく、
100〜150℃がより好ましい。乾燥温度が高すぎる
と、表面の粗れや不均一構造が発生しやすく中心線平均
粗さが本発明の範囲を超えることがある。また、低すぎ
ると生産性の大幅な低下を招くことがある。こうして大
部分の溶媒を除去されたフィルムは、自己支持性を得、
支持体から剥離される。フィルムを支持体から剥離する
ときのポリマー濃度は30〜90重量%であることが好
ましく、60〜80重量%であることがより好ましい。
ポリマー濃度が30重量%未満の場合は、フィルムの自
己支持性が不十分で破れやすくなることがあり、90重
量%を超える場合は、剥離が困難となることがある。
In the solvent drying, when NMP is used as the solvent, the drying temperature is preferably 70 to 180 ° C.,
100-150 degreeC is more preferable. If the drying temperature is too high, surface roughness and non-uniform structure tend to occur, and the center line average roughness may exceed the range of the present invention. On the other hand, if it is too low, productivity may be significantly reduced. The film from which most of the solvent has been removed in this way is self-supporting,
It is peeled off from the support. The polymer concentration when peeling the film from the support is preferably 30 to 90% by weight, and more preferably 60 to 80% by weight.
If the polymer concentration is less than 30% by weight, the self-supporting property of the film may be insufficient and the film may be easily broken. If it exceeds 90% by weight, peeling may be difficult.

【0051】次いでフィルムは、残余の溶媒を除去する
ために、湿式浴に導入される。湿式浴としては、一般に
水系浴が用いられるが、溶媒除去速度を上げる目的で、
エタノール、メタノール等の有機溶媒浴、またはこれら
有機溶媒と水との混合浴を用いていも、塩化カルシウ
ム、塩化リチウム等の無機塩を含んだ浴を用いても差し
支えない。尚、乾式法の場合、こうした湿式浴を経ず
に、オーブン、テンターでの加熱により残存溶媒を除去
しても構わない。
The film is then introduced into a wet bath to remove residual solvent. As the wet bath, an aqueous bath is generally used, but for the purpose of increasing the solvent removal rate,
An organic solvent bath such as ethanol or methanol, or a mixed bath of these organic solvents and water may be used, or a bath containing an inorganic salt such as calcium chloride or lithium chloride may be used. In the case of the dry method, the residual solvent may be removed by heating in an oven or a tenter without using such a wet bath.

【0052】残存溶媒を除去したフィルムは、テンター
に導入され、熱処理が行われる。また、配向フィルムと
する場合は、テンター内で縦方向あるいは横方向に延伸
が行われる。熱処理温度は、フィルムの寸法安定性を向
上させる点から100〜170℃が好ましく、120〜
160℃がより好ましい。また、延伸温度が上記範囲か
ら外れると、表面性が悪化する場合もある。更に、延伸
を施す場合は、目的に応じて、熱処理と同時に行っても
よく、また、熱処理後に行われても差し支えない。延伸
倍率は、用途により適切に設定されるべきものである
が、好ましくは1.01〜2倍、より好ましくは1.0
3〜1.6倍である。
The film from which the residual solvent has been removed is introduced into a tenter and subjected to heat treatment. In the case of an oriented film, stretching is carried out in the tenter in the machine direction or the transverse direction. The heat treatment temperature is preferably 100 to 170 ° C., and 120 to 170 ° C. from the viewpoint of improving the dimensional stability of the film.
160 ° C. is more preferable. If the stretching temperature is out of the above range, the surface property may be deteriorated. Furthermore, when stretching is performed, it may be performed simultaneously with the heat treatment or after the heat treatment, depending on the purpose. The draw ratio should be appropriately set depending on the application, but is preferably 1.01 to 2 times, more preferably 1.0.
3 to 1.6 times.

【0053】なお本発明のフィルムは、積層フィルムで
あってもよい。積層の方法としては、通常の方法、たと
えば、口金内での積層、複合管での積層や、一旦1層を
形成しておいてその上に他の層を形成する方法などを用
いればよい。
The film of the present invention may be a laminated film. As a method of stacking, a normal method, for example, stacking in a die, stacking in a composite pipe, or a method of once forming one layer and then forming another layer thereon may be used.

【0054】このようにして、本発明のフィルムを得る
ことができるが、これに限定されるものではない。
In this way, the film of the present invention can be obtained, but the invention is not limited thereto.

【0055】[0055]

【実施例】本発明における物性の測定方法、効果の評価
方法は次の方法に従って行った。
EXAMPLES The methods of measuring physical properties and the effects of the present invention were carried out according to the following methods.

【0056】(1)中心線平均粗さ(Ra) Digital Instruments社製原子間力顕微鏡Nano Scope II
I ver.3.20を用いて、以下の条件で10ヶ所測定し、平
均値を求めた。
(1) Centerline average roughness (Ra) Atomic force microscope Nano Scope II manufactured by Digital Instruments
Using I ver.3.20, 10 locations were measured under the following conditions, and an average value was obtained.

【0057】カンチレバ−:シリコン単結晶 走査モ−ド:タッピングモ−ド 走査範囲:5μm×5μm 走査速度:1.0Hz 走査線数:256本 測定環境:25℃、相対湿度65% (2)数平均分子量 フィルムサンプルを溶媒中に溶解する。次いで、ゲル浸
透クロマトグラフ(GPC)に、低角度レーザー光散乱
光度計(LALLS)および示差屈折率計(RI)を組
み入れ、GPC装置でサイズ分別された分子鎖溶液の光
散乱強度および屈折率差を溶出時間を追って測定するこ
とにより、溶質の分子量とその含有率を順次計算し、分
子量分布を求めた。測定条件を以下に記す。
Cantilever: Silicon single crystal scanning mode: Tapping mode scanning range: 5 μm × 5 μm scanning speed: 1.0 Hz number of scanning lines: 256 measuring environment: 25 ° C., relative humidity 65% (2) number Dissolve average molecular weight film sample in solvent. Then, a gel permeation chromatograph (GPC) was incorporated with a low-angle laser light scattering photometer (LALLS) and a differential refractometer (RI), and the light scattering intensity and the refractive index difference of the molecular chain solution size-sorted by the GPC apparatus were incorporated. By measuring the elution time, the molecular weight of the solute and its content were sequentially calculated, and the molecular weight distribution was obtained. The measurement conditions are described below.

【0058】A.GPC 装置:244型ゲル浸透クロマトグラフ(WATERS
社製) カラム:TRC−GM(東レリサーチセンター社製) Shodex KD−802(昭和電工社製) 流速:0.6ml/分 B.LALLS 装置:CMX−100型低角度レーザー光散乱光度計
(Chromatix社製) 波長:633nm (4)フィルム厚み マイクロ厚み計(アンリツ社製)を用いて測定した。
A. GPC device: Model 244 gel permeation chromatograph (WATERS
Column: TRC-GM (Toray Research Center) Shodex KD-802 (Showa Denko) Flow rate: 0.6 ml / min. LALLS device: CMX-100 type low-angle laser light scattering photometer (manufactured by Chromatix) Wavelength: 633 nm (4) Film thickness It was measured using a micro-thickness meter (manufactured by Anritsu).

【0059】(5)位相差 下記測定器を用いて測定した。(5) Phase difference It measured using the following measuring device.

【0060】装置:セルギャップ検査装置RETS−1
100(大塚電子社製) 測定径:φ5mm 測定波長:400〜800nm 上記測定で、波長450nm,550nm、650nm
の時の位相差をそれぞれR(450)、R(550)、
R(650)とした。
Apparatus: Cell gap inspection apparatus RETS-1
100 (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.) Measurement diameter: φ5 mm Measurement wavelength: 400 to 800 nm In the above measurement, wavelengths of 450 nm, 550 nm, 650 nm
The phase difference at the time of is R (450), R (550),
It was set to R (650).

【0061】(6)フィルム均一性 得られたフィルムを白色光源(D65光源)下で、目視
観察し、以下の基準で評価した。
(6) Film uniformity The obtained film was visually observed under a white light source (D65 light source) and evaluated according to the following criteria.

【0062】 ○:フィルムの曇り、像のゆがみが全くない △:フィルムの曇り、または像のゆがみが一部見られる ×:フィルムの曇り、または像のゆがみが全面に見られ
る (7)生産性評価 未延伸で80μmの厚みとなるように、ポリマー濃度3
0wt%のNMP溶液をSUS板上にキャストし、30
℃の乾燥空気流下で5秒間静置する。次いで、熱風吹き
出しノズルを備えた乾燥機で、10分間乾燥を行う。次
いで、フィルムをSUS板から剥離し、水洗、180℃
で乾燥後のフィルムの支持体非接触面の中心線平均粗さ
(Ra)を測定する。乾燥温度を100℃、140℃、
170℃と変えて実験を行い、中心線平均粗さが5nm
を超える温度で、以下の評価を行う。
◯: Haze of film, no image distortion Δ: Haze of film or partial image distortion ×: Haze of film or image distortion observed on the entire surface (7) Productivity The polymer concentration was set to 3 so that the thickness would be 80 μm without evaluation.
Cast 0 wt% NMP solution on SUS plate,
Let stand for 5 seconds under a stream of dry air at 0 ° C. Then, it is dried for 10 minutes with a dryer equipped with a hot air blowing nozzle. Then, the film is peeled from the SUS plate, washed with water, 180 ° C
The center line average roughness (Ra) of the non-support surface of the film after drying is measured. Drying temperature is 100 ℃, 140 ℃,
Experiments were performed with the temperature changed to 170 ° C and the center line average roughness was 5 nm.
The following evaluations are performed at a temperature above.

【0063】 ◎:170℃乾燥で、Ra≦5nm ○:140℃乾燥で、Ra≦5nm、170℃では、R
a>5nm △:100℃乾燥で、Ra≦5nm、140℃では、R
a>5nm ×:100℃乾燥で、Ra>5nm 乾燥温度は、フィルムが支持体から剥離する時間に大き
く影響するため、生産性を支配する重要因子である。す
なわち、均質なフィルムを得られる範囲で、乾燥温度を
高くできるほど、生産性が高くなるものといえる。
⊚: 170 ° C. drying, Ra ≦ 5 nm ○: 140 ° C. drying, Ra ≦ 5 nm, 170 ° C. R
a> 5 nm Δ: Ra ≦ 5 nm when dried at 100 ° C., R at 140 ° C.
a> 5 nm x: 100 ° C. drying, Ra> 5 nm The drying temperature is an important factor that governs productivity because it greatly affects the time for the film to peel from the support. That is, it can be said that the higher the drying temperature is, the higher the productivity is, as long as a uniform film can be obtained.

【0064】本発明の具体的実施態様を以下に実施例を
もって述べるが、本発明はこれに限定されるものではな
い。 (実施例1)SUS316製の翼径27cm、翼高さ3
0cmのダブルヘリカルリボン翼を備えた、内径28c
mのSUS316製の竪型重合槽(翼径/内径=0.9
6、槽底と翼下面のクリアランス=5mm)に、窒素雰
囲気下、1,2−ジクロロエタン(15L)を投入し
た。次いで1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シ
クロヘキサン(1,610g)、およびトリエチルアミ
ン(1,335g)を混合し、氷冷下攪拌した。この溶
液にフェニルホスホン酸ジクロライド(873g)の
1,2−ジクロロエタン(6.75L)溶液を60分間
かけて滴下し、滴下終了後120分間攪拌した。この時
の攪拌回転数は30rpmであった。その後、濃度0.
571mol/Lであるトリホスゲンの1,2−ジクロ
ロエタン(841ml)溶液を30分かけて滴下し、滴
下終了後120分間攪拌した。この間、溶液温度は20
〜30℃になるように制御した。
Specific embodiments of the present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. (Example 1) Blade diameter 27 cm and blade height 3 made of SUS316
Inner diameter 28c with 0 cm double helical ribbon blade
m SUS316 vertical polymerization tank (blade diameter / inner diameter = 0.9
6, clearance of 5 mm from the bottom of the tank to the lower surface of the blade was charged with 1,2-dichloroethane (15 L) under a nitrogen atmosphere. Next, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane (1,610 g) and triethylamine (1,335 g) were mixed, and the mixture was stirred under ice cooling. A 1,2-dichloroethane (6.75 L) solution of phenylphosphonic acid dichloride (873 g) was added dropwise to this solution over 60 minutes, and after the addition was completed, the mixture was stirred for 120 minutes. The stirring rotation speed at this time was 30 rpm. After that, the density of 0.
A solution of triphosgene in 1,2-dichloroethane (841 ml) of 571 mol / L was added dropwise over 30 minutes, and the mixture was stirred for 120 minutes after completion of the addition. During this time, the solution temperature is 20
The temperature was controlled to be -30 ° C.

【0065】尚、使用した1,2−ジクロロエタン中の
水分含有率は120ppmであった。
The water content of the 1,2-dichloroethane used was 120 ppm.

【0066】得られた反応溶液をヘキサンに投入して再
沈し、ポリマーを濾取した後、(1)エタノール、
(2)水/エタノール=1/1混合溶液、(3)水の順
で生成したポリマーを洗浄、乾燥し、ポリマーを得た。
The obtained reaction solution was poured into hexane for reprecipitation, and the polymer was collected by filtration, followed by (1) ethanol,
The polymer produced in the order of (2) water / ethanol = 1/1 mixed solution and (3) water was washed and dried to obtain a polymer.

【0067】このポリマーの数平均分子量(以下、M
n)は35,000であった。
The number average molecular weight of this polymer (hereinafter, M
n) was 35,000.

【0068】次いで、このポリマーを30℃で、NMP
に30wt%溶液となるように溶解させ、濾過精度0.
5μmのフィルター(日本ポール社製、MCY1001
Y005H4)で濾過して、製膜原液とした。
The polymer is then subjected to NMP at 30.degree.
And a filtration accuracy of 0.
5 μm filter (manufactured by Nippon Pole, MCY1001
Y005H4) was filtered to obtain a membrane-forming stock solution.

【0069】この製膜原液を厚さ1mmのSUS316
板上に流延し、30℃の乾燥空気流中を1秒間通過させ
た後、熱風吹き出しノズルを有する乾燥機で、100
℃、10分間乾燥した。乾燥後のフィルムをSUS板か
ら剥離して、40℃の流水浴を通過させ、その後、定長
下で、180℃、10分間の熱処理を行い、厚さ80μ
mのフィルムを得た。
This film-forming stock solution was applied to SUS316 having a thickness of 1 mm.
It was cast on a plate, passed through a dry air flow at 30 ° C. for 1 second, and then dried with a dryer having a hot air blowing nozzle to 100
C., dried for 10 minutes. The dried film is peeled from the SUS plate, passed through a running water bath at 40 ° C, and then heat-treated at 180 ° C for 10 minutes under a fixed length to give a thickness of 80μ.
m film was obtained.

【0070】このフィルムのRaは、支持体非接触面
(以下、A面)、支持体接触面(以下、B面)それぞ
れ、0.6nm、0.8nmであり、フィルムの曇り、
像のゆがみが全く見られないものであった。
Ra of this film was 0.6 nm and 0.8 nm, respectively, for the support non-contact surface (hereinafter A surface) and the support contact surface (hereinafter B surface).
There was no distortion of the image.

【0071】また、R(550)=2nmと光学等方な
フィルムであり、生産性評価は○であった。 (実施例2)実施例1のポリマーを用いて、製膜時の乾
燥を140℃で、7分行った他は、実施例1と同様にし
て、厚さ80μmのフィルムを得た。
The film was an optically isotropic film with R (550) = 2 nm, and the productivity evaluation was ◯. Example 2 Using the polymer of Example 1, a film having a thickness of 80 μm was obtained in the same manner as in Example 1, except that the film was dried at 140 ° C. for 7 minutes.

【0072】このフィルムのRaは、A面、B面それぞ
れ2.7nm、1.8nmであり、一部に、像のゆがみ
が見られた。
Ra of this film was 2.7 nm and 1.8 nm for the A and B sides, respectively, and image distortion was partially observed.

【0073】また、R(550)=4nmと光学等方な
フィルムであり、生産性評価は○であった。 (実施例3)使用する1,2−ジクロロエタンの水分率
を70ppm、重合時の攪拌回転数を60rpmとした
他は、実施例1と同様にしてポリマーを得た。
The film was an optically isotropic film with R (550) = 4 nm, and the productivity evaluation was ◯. (Example 3) A polymer was obtained in the same manner as in Example 1 except that the water content of 1,2-dichloroethane used was 70 ppm and the stirring rotation speed during polymerization was 60 rpm.

【0074】このポリマーのMnは45,000であっ
た。
The Mn of this polymer was 45,000.

【0075】更に実施例1と同様に製膜を行って、厚さ
80μmのフィルムを得た。
Further, film formation was carried out in the same manner as in Example 1 to obtain a film having a thickness of 80 μm.

【0076】このフィルムのRaは、A面、B面それぞ
れ0.6nm、0.7nmであり、フィルムの曇り、像
のゆがみが全く見られないものであった。
Ra of this film was 0.6 nm and 0.7 nm for the A side and the B side, respectively, and no haze or image distortion was observed in the film.

【0077】また、R(550)=2nmと光学等方な
フィルムであり、生産性評価は◎であった。 (実施例4)実施例3のポリマーを用いて、製膜時の乾
燥を140℃で、7分行った他は、実施例1と同様にし
て、厚さ80μmのフィルムを得た。
The film was an optically isotropic film with R (550) = 2 nm, and the productivity evaluation was ⊚. Example 4 Using the polymer of Example 3, a film having a thickness of 80 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film was dried at 140 ° C. for 7 minutes.

【0078】更に実施例1と同様に製膜を行って、厚さ
80μmのフィルムを得た。
Further, film formation was carried out in the same manner as in Example 1 to obtain a film having a thickness of 80 μm.

【0079】このフィルムのRaは、A面、B面それぞ
れ0.7nm、0.8nmであり、フィルムの曇り、像
のゆがみが全く見られないものであった。
Ra of this film was 0.7 nm and 0.8 nm for the A side and the B side, respectively, and no clouding of the film or distortion of the image was observed at all.

【0080】また、R(550)=2nmと光学等方な
フィルムであり、生産性評価は◎であった。 (実施例5)使用する1,2−ジクロロエタンの水分率
を180ppmとした他は、実施例1と同様にしてポリ
マーを得た。
The film was an optically isotropic film with R (550) = 2 nm, and the productivity evaluation was ⊚. (Example 5) A polymer was obtained in the same manner as in Example 1 except that the water content of 1,2-dichloroethane used was 180 ppm.

【0081】このポリマーのMnは22,000であっ
た。
The Mn of this polymer was 22,000.

【0082】更に実施例1と同様に製膜を行って、厚さ
80μmのフィルムを得た。
Further, film formation was carried out in the same manner as in Example 1 to obtain a film having a thickness of 80 μm.

【0083】このフィルムのRaは、A面、B面それぞ
れ3.5nm、2.3nmであり、一部に、像のゆがみ
が見られ、実施例1のフィルムに較べると曇りが生じて
いた。
Ra of this film was 3.5 nm and 2.3 nm for the A side and the B side, respectively, and image distortion was partially observed, and clouding occurred as compared with the film of Example 1.

【0084】また、R(550)=4nmと光学等方な
フィルムであり、生産性評価は△であった。 (実施例6)使用するダブルヘリカルリボン翼の翼径を
24cmとした他は、実施例1と同様にしてポリマーを
得た。
The film was an optically isotropic film with R (550) = 4 nm, and the productivity evaluation was Δ. (Example 6) A polymer was obtained in the same manner as in Example 1 except that the blade diameter of the double helical ribbon blade used was 24 cm.

【0085】このポリマーのMnは18,000であっ
た。
The Mn of this polymer was 18,000.

【0086】実施例1と同様にして調製した製膜原液
を、乾燥温度80℃で30分乾燥させた他は、実施例1
と同様に製膜を行って、厚さ80μmのフィルムを得
た。
Example 1 except that the film-forming stock solution prepared in the same manner as in Example 1 was dried at a drying temperature of 80 ° C. for 30 minutes.
Film formation was performed in the same manner as in (1) to obtain a film having a thickness of 80 μm.

【0087】このフィルムのRaは、A面、B面それぞ
れ4.3nm、3.1nmであり、一部に、像のゆがみ
が見られ、実施例1のフィルムに較べると曇りが生じて
いた。
Ra of this film was 4.3 nm and 3.1 nm for the A side and the B side, respectively, and image distortion was observed in part, and clouding occurred as compared with the film of Example 1.

【0088】また、R(550)=4nmと光学等方な
フィルムであり、生産性評価は×であった。 (実施例7)使用する1,2−ジクロロエタンの水分率
を30ppmとし、また、濃度0.571mol/Lの
トリホスゲンの1,2−ジクロロエタン溶液を893m
l滴下した他は、実施例1と同様の方法で重合を行っ
た。但し、反応途中で重合度の上昇に伴い、溶液粘度が
大きく上昇したため、攪拌回転数を15rpmまで低下
させ、更に、ポリマー溶液に不均質性が観察されたた
め、トリホスゲン滴下後の攪拌時間を540分まで延長
した。その後、実施例1と同様に、再沈、洗浄、乾燥を
行いポリマーを得た。
The film was an optically isotropic film with R (550) = 4 nm, and the productivity evaluation was x. (Example 7) The water content of 1,2-dichloroethane used was 30 ppm, and a 1,2-dichloroethane solution of triphosgene having a concentration of 0.571 mol / L was 893 m.
Polymerization was performed in the same manner as in Example 1 except that 1 l was dropped. However, as the degree of polymerization increased during the course of the reaction, the solution viscosity increased significantly, so the stirring speed was reduced to 15 rpm, and since heterogeneity was observed in the polymer solution, the stirring time after the addition of triphosgene was 540 minutes. Extended to. Then, reprecipitation, washing and drying were carried out in the same manner as in Example 1 to obtain a polymer.

【0089】このポリマーのMnは510,000であ
った。
The Mn of this polymer was 510,000.

【0090】更に実施例1と同様にして、厚さ80μm
のフィルムを得た。
Further, in the same manner as in Example 1, the thickness is 80 μm.
I got a film of.

【0091】このフィルムのRaは、A面、B面それぞ
れ3.1nm、3.1nmであり、一部に、像のゆがみ
が見られ、曇りが見られた。
Ra of this film was 3.1 nm and 3.1 nm for the A side and B side, respectively, and image distortion and clouding were observed in part.

【0092】また、R(550)=10nmであり、生
産性評価は△であった。 (比較例1)実施例1のポリマー、製膜原液を用い、乾
燥温度を185℃とした他は、実施例1と同様にして厚
さ80μmのフィルムを得た。
Further, R (550) = 10 nm, and the productivity evaluation was Δ. Comparative Example 1 A film having a thickness of 80 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the polymer of Example 1 and the stock solution for film formation were used and the drying temperature was 185 ° C.

【0093】このフィルムのRaは、A面、B面それぞ
れ5.6nm、5.1nmであり、全面に、像のゆが
み、曇りが見られた。 (比較例2)実施例5のポリマー、製膜原液を用い、乾
燥温度を140℃とした他は、実施例1と同様にして厚
さ80μmのフィルムを得た。
Ra of this film was 5.6 nm and 5.1 nm for the A side and the B side, respectively, and image distortion and clouding were observed on the entire surface. Comparative Example 2 A film having a thickness of 80 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the polymer of Example 5 and the stock solution for film formation were used and the drying temperature was 140 ° C.

【0094】このフィルムのRaは、A面、B面それぞ
れ6.2nm、5.3nmであり、全面に、像のゆが
み、曇りが見られた。
Ra of this film was 6.2 nm and 5.3 nm for the A side and the B side, respectively, and image distortion and clouding were observed on the entire surface.

【0095】上記の実施例、比較例の評価結果を表1、
2に示す。 (比較例3)実施例1のポリマーを用いて、キャスト直
後に乾燥工程に導入した他は、実施例2と同様にして厚
さ80μmのフィルムを得た。
Table 1 shows the evaluation results of the above Examples and Comparative Examples.
2 shows. (Comparative Example 3) A 80 µm thick film was obtained in the same manner as in Example 2 except that the polymer of Example 1 was used in the drying step immediately after casting.

【0096】このフィルムのRaは、A面、B面それぞ
れ5.1nm、5.5nmであり、全面に、像のゆが
み、曇りが見られた。
Ra of this film was 5.1 nm and 5.5 nm for the A side and the B side, respectively, and image distortion and clouding were observed on the entire surface.

【0097】[0097]

【表1】 [Table 1]

【0098】[0098]

【表2】 実施例8、9および比較例4は延伸フィルムの例であ
る。 (実施例8)実施例3で得られたフィルムを非延伸方向
を定長にして、140℃で1.4倍の一軸延伸を行っ
た。
[Table 2] Examples 8 and 9 and Comparative Example 4 are examples of stretched films. Example 8 The film obtained in Example 3 was uniaxially stretched 1.4 times at 140 ° C. with the non-stretching direction being a constant length.

【0099】得られたフィルムの厚みは55μm、Ra
は、A面、B面それぞれ1.2nm、1.3nmと未延
伸フィルムよりやや大きくなったが優れたものであり、
像のゆがみ、曇りは見られなかった。
The thickness of the obtained film was 55 μm, Ra
Is better than the unstretched film, which is 1.2 nm and 1.3 nm on the A and B sides, respectively, which is excellent.
There was no distortion of the image and no cloudiness.

【0100】また、R(550)は520nm、R(4
50)/R(550)、R(650)/R(550)は
それぞれ、1.12,0.91と1/4波長位相差板と
して適性の高いものであった。 (実施例9)実施例3で得られたフィルムを非延伸方向
を定長にして、150℃で1.4倍の一軸延伸を行っ
た。
Further, R (550) is 520 nm and R (4
50) / R (550) and R (650) / R (550) were highly suitable as 1.12, 0.91 and 1/4 wavelength retardation plates, respectively. (Example 9) The film obtained in Example 3 was uniaxially stretched 1.4 times at 150 ° C with the non-stretching direction being a constant length.

【0101】得られたフィルムの厚みは55μm、Ra
は、A面、B面それぞれ0.7nm、0.8nmと未延
伸フィルムと同等の優れたものであり、像のゆがみ、曇
りは全く見られなかった。
The thickness of the obtained film was 55 μm, Ra
Is 0.7 nm and 0.8 nm respectively on the A side and the B side, which are excellent equivalent to those of the unstretched film, and no image distortion or clouding was observed.

【0102】また、R(550)は310nm、R(4
50)/R(550)、R(650)/R(550)は
それぞれ、1.12,0.91と1/4波長位相差板と
して適性の高いものであった。 (比較例4)実施例6で得られたフィルムを非延伸方向
を定長にして、180℃で1.4倍の一軸延伸を行っ
た。
Further, R (550) is 310 nm and R (4
50) / R (550) and R (650) / R (550) were highly suitable as 1.12, 0.91 and 1/4 wavelength retardation plates, respectively. Comparative Example 4 The film obtained in Example 6 was uniaxially stretched 1.4 times at 180 ° C. with the non-stretching direction being a constant length.

【0103】得られたフィルムの厚みは55μm、Ra
は、A面、B面それぞれ6.6nm、7.2nmと未延
伸フィルムより悪化し、全面に像のゆがみ、曇りが発生
した。
The thickness of the obtained film was 55 μm, Ra
Was worse than the unstretched film with 6.6 nm and 7.2 nm respectively on the A side and B side, and image distortion and clouding occurred on the entire surface.

【0104】また、位相差の測定を行ったが、斑が大き
く正確な測定とすることができなかった。
Further, the phase difference was measured, but the unevenness was large and the measurement could not be performed accurately.

【0105】上記の実施例、比較例の評価結果を表3に
示す。
Table 3 shows the evaluation results of the above Examples and Comparative Examples.

【0106】[0106]

【表3】 [Table 3]

【0107】[0107]

【発明の効果】本発明のフィルムは、透明で、フィルム
の均質性、表面平滑性に優れ、更に生産性に優れたもの
であるため、光学用フィルムとして優れた性能を発現す
るものである。本発明のフィルムは、ディスプレーなど
の表示用部材、光記録部材など光学用フィルムとして好
適に使用することができるが、特に、延伸により優れた
位相差特性を発現するため、位相差板、とりわけ1/4
波長位相差板用途に好適に用いることができる。
The film of the present invention is transparent, has excellent film homogeneity and surface smoothness, and has excellent productivity, and therefore exhibits excellent performance as an optical film. The film of the present invention can be suitably used as an optical film such as a display member such as a display and an optical recording member, but in particular, it exhibits excellent retardation properties by stretching, and therefore, the retardation plate, especially 1 / 4
It can be suitably used for wavelength retardation plate applications.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高西 慶次郎 滋賀県大津市園山1丁目1番1号 東レ株 式会社滋賀事業場内 Fターム(参考) 4F071 AA50 AA51 AA68 AA81 AF27Y AF30 AF31 AH19 BA02 BB02 BC01 BC08 BC16 4J030 CA01 CB02 CB22 CB32 CB33 CB34 CB35 CC25 CD11 CE02 CE11 CG06    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Keijiro Takanishi             1-1 1-1 Sonoyama, Otsu City, Shiga Prefecture Toray Co., Ltd.             Ceremony company Shiga business site F-term (reference) 4F071 AA50 AA51 AA68 AA81 AF27Y                       AF30 AF31 AH19 BA02 BB02                       BC01 BC08 BC16                 4J030 CA01 CB02 CB22 CB32 CB33                       CB34 CB35 CC25 CD11 CE02                       CE11 CG06

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも片面の中心線平均粗さが5n
m以下であり、かつ、分子中に構造式(1)で表される
ホスホン酸残基および構造式(2)で表される2価フェ
ノール残基を構成単位として含んでいるポリマーを含有
するフィルム。 【化1】 1:有機基 X1:O、SまたはSe (ただし、R1またはX1の異なるホスホン酸残基をポリ
マー中に2種以上含んでいてもよい。) 【化2】 2、R3:H、NO2、ハロゲン原子または炭素数1〜
20の脂肪族基もしくは芳香族基 p、q:整数であって0≦p+q≦8 Y1:O、S、アルキレン基、アルキリデン基、シクロ
アルキレン基、シクロアルキリデン基、ハロ置換アルキ
レン基、ハロ置換アルキリデン基、フェニルアルキリデ
ン基、カルボニル基、スルホン基、脂肪族ホスフィンオ
キシド基、芳香族ホスフィンオキシド基、アルキルシラ
ン基、ジアルキルシラン基またはフルオレン基 (ただし、Y1は単なる単結合であってもよい。また、
2、R3またはY1の異なる2価フェノール残基をポリ
マー中に2種以上含んでいてもよい。)
1. The center line average roughness of at least one surface is 5 n.
A film containing a polymer having a molecular weight of m or less and containing a phosphonic acid residue represented by the structural formula (1) and a divalent phenol residue represented by the structural formula (2) as constituent units in the molecule. . [Chemical 1] R 1 : organic group X 1 : O, S or Se (however, two or more kinds of phosphonic acid residues having different R 1 or X 1 may be contained in the polymer) R 2, R 3: H, NO 2, 1~ halogen atom or carbon atoms
20 aliphatic groups or aromatic groups p, q: integers and 0 ≦ p + q ≦ 8 Y 1 : O, S, alkylene group, alkylidene group, cycloalkylene group, cycloalkylidene group, halo-substituted alkylene group, halo-substituted Alkylidene group, phenylalkylidene group, carbonyl group, sulfone group, aliphatic phosphine oxide group, aromatic phosphine oxide group, alkylsilane group, dialkylsilane group or fluorene group (provided that Y 1 may be a single bond. Also,
Two or more dihydric phenol residues having different R 2 , R 3 or Y 1 may be contained in the polymer. )
【請求項2】 ポリマーがカーボネート残基を含み、ホ
スホン酸残基とカーボネート残基との合計量に対するホ
スホン酸残基のモル分率が0.5以上1未満である、請
求項1に記載のフィルム。
2. The polymer according to claim 1, wherein the polymer contains a carbonate residue, and the molar ratio of the phosphonic acid residue to the total amount of the phosphonic acid residue and the carbonate residue is 0.5 or more and less than 1. the film.
【請求項3】 ポリマーがホスホナイト残基を含み、ホ
スホン酸残基とホスホナイト残基との合計量に対するホ
スホナイト残基のモル分率が0.5以下である請求項1
または2に記載のフィルム。
3. The polymer contains a phosphonite residue, and the molar ratio of the phosphonite residue to the total amount of the phosphonic acid residue and the phosphonite residue is 0.5 or less.
Or the film according to 2.
【請求項4】 ポリマーの数平均分子量が20,000
以上500,000以下である、請求項1〜3のいずれ
かに記載のフィルム。
4. The number average molecular weight of the polymer is 20,000.
The film according to claim 1, which is not less than 500,000 and not more than 500,000.
【請求項5】 厚みが10〜100μmであり、かつ、
波長550nmにおける位相差が50〜1,500nm
である、請求項1〜4のいずれかに記載のフィルム。
5. A thickness of 10 to 100 μm, and
Phase difference at a wavelength of 550 nm is 50 to 1,500 nm
The film according to any one of claims 1 to 4, which is
【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載のフィル
ムを構成材とするフィルム部材。
6. A film member comprising the film according to claim 1 as a constituent material.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003268113A (en) * 2002-03-20 2003-09-25 Toray Ind Inc Resin and molding therefrom
JP2004269844A (en) * 2003-02-18 2004-09-30 Toray Ind Inc Thermoplastic resin and molded item
WO2004106413A1 (en) * 2003-05-27 2004-12-09 Toray Industries, Inc. Resin and article molded therefrom

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003268113A (en) * 2002-03-20 2003-09-25 Toray Ind Inc Resin and molding therefrom
JP2004269844A (en) * 2003-02-18 2004-09-30 Toray Ind Inc Thermoplastic resin and molded item
WO2004106413A1 (en) * 2003-05-27 2004-12-09 Toray Industries, Inc. Resin and article molded therefrom
US7635748B2 (en) 2003-05-27 2009-12-22 Toray Industries, Inc. Resin and article molded therefrom

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