JP2003264337A - Semiconductor laser driving circuit and image forming equipment - Google Patents
Semiconductor laser driving circuit and image forming equipmentInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高出力型半導体レ
ーザの駆動電流を高速にパルス変調する際に生じる変調
レベルの電圧の変動を抑制可能な半導体レーザ駆動回
路、およびこの半導体レーザ駆動回路を用いて記録材料
上に画像信号に対応した画像を形成する画像形成装置に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser drive circuit capable of suppressing fluctuation in voltage at a modulation level which occurs when pulse-modulating a drive current of a high-power semiconductor laser, and a semiconductor laser drive circuit for the same. The present invention relates to an image forming apparatus for forming an image corresponding to an image signal on a recording material.
【0002】[0002]
【従来の技術】図4は、従来の半導体レーザ駆動回路の
一例の構成概略図である。同図は、高出力型半導体レー
ザの駆動回路として一般的に用いられているものであ
る。図中左側の駆動回路52と同右側の半導体レーザL
Dは、コネクタCNを介してツイストペアケーブル56
により接続されている。半導体レーザLDは、そのアノ
ードがグランド電位に、カソードが負電位に接続されて
おり、駆動回路52は、半導体レーザLDから供給され
る電流を引き抜くように構成されている。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an example of a conventional semiconductor laser drive circuit. This figure is generally used as a drive circuit for a high power semiconductor laser. A semiconductor laser L on the right side of the drive circuit 52 on the left side of the drawing
D is a twisted pair cable 56 via the connector CN.
Connected by. The semiconductor laser LD has its anode connected to the ground potential and its cathode connected to the negative potential, and the drive circuit 52 is configured to extract the current supplied from the semiconductor laser LD.
【0003】図示例の半導体レーザ駆動回路52は、電
圧発生部60と、電圧加算および定電流源62とによっ
て構成されている。The semiconductor laser drive circuit 52 of the illustrated example is composed of a voltage generator 60 and a voltage addition and constant current source 62.
【0004】まず、電圧発生部60は、半導体レーザL
Dに定常的に供給する直流バイアス電流IBの値を決定
するバイアスレベルの電圧Vb、および、このバイアス
レベルの電圧Vbに重畳して、半導体レーザLDを発振
させる電流の値を決定する変調レベルの電圧Vdを発生
するものであり、2組のD/A(デジタル/アナログ)
変換器64,66およびオペアンプ68,70と、スイ
ッチSWとを備えている。First, the voltage generating section 60 includes a semiconductor laser L.
The bias level voltage Vb that determines the value of the DC bias current IB that is steadily supplied to D, and the modulation level that determines the value of the current that causes the semiconductor laser LD to oscillate by being superimposed on the bias level voltage Vb. Generates voltage Vd, and 2 sets of D / A (digital / analog)
The converters 64 and 66, the operational amplifiers 68 and 70, and the switch SW are provided.
【0005】ここで、D/A変換器64,66の出力は
それぞれオペアンプ68,70へ入力されている。スイ
ッチSWの一方の入力端子にはオペアンプ68の出力が
接続され、その他方の入力端子はグランド電位に接続さ
れている。このスイッチSWは、オンオフ(ON/OF
F)変調信号がオン状態の時にオペアンプ68の出力に
接続され、オフ状態の時にはグランド電位に接続され
る。また、スイッチSWの出力端子とオペアンプ70の
出力はそれぞれ抵抗R1,R2を介して接続されてい
る。Outputs of the D / A converters 64 and 66 are input to operational amplifiers 68 and 70, respectively. The output of the operational amplifier 68 is connected to one input terminal of the switch SW, and the other input terminal is connected to the ground potential. This switch SW is on / off (ON / OF
F) When the modulation signal is in the on state, it is connected to the output of the operational amplifier 68, and when it is in the off state, it is connected to the ground potential. The output terminal of the switch SW and the output of the operational amplifier 70 are connected via resistors R1 and R2, respectively.
【0006】電圧発生部60では、図中下側のD/A変
換器66およびオペアンプ70によりバイアスレベルの
電圧Vbが発生され、同上側のD/A変換器64および
オペアンプ68により変調レベルの電圧Vdが発生され
る。変調レベルの電圧Vdは、スイッチSWにより、画
像信号に基づくオンオフ(ON/OFF)変調信号に従
ってパルス変調され、パルス変調された変調レベルの電
圧Vd’が発生される。In the voltage generator 60, a bias level voltage Vb is generated by the lower D / A converter 66 and operational amplifier 70 in the figure, and a modulation level voltage is generated by the upper D / A converter 64 and operational amplifier 68. Vd is generated. The modulation level voltage Vd is pulse-modulated by the switch SW according to an on / off modulation signal based on the image signal, and a pulse-modulated voltage Vd ′ of a modulation level is generated.
【0007】電圧加算および定電流源62は、電圧発生
部60において発生させたバイアスレベルの電圧Vb
と、パルス変調後の変調レベルの電圧Vd’とを加算
し、これらの和の電圧信号に比例したレーザ駆動電流I
LDを発生するものであり、オペアンプ74と、トラン
ジスタTr1,Tr2と、抵抗R1〜R6とを備えてい
る。ここで、オペアンプ74の正電源電圧は+VS、負
電源電圧は−VSである。また、トランジスタTr1,
Tr2は、正電源電圧+VCCと負電源電圧−VCCと
の間に直列に接続され、そのベースにはオペアンプ74
の出力電圧VOUTが入力されている。The voltage adding / constant current source 62 has a bias level voltage Vb generated in the voltage generator 60.
And the modulation level voltage Vd ′ after pulse modulation are added, and the laser drive current I proportional to the voltage signal of these sums is added.
It generates an LD, and includes an operational amplifier 74, transistors Tr1 and Tr2, and resistors R1 to R6. Here, the positive power supply voltage of the operational amplifier 74 is + VS, and the negative power supply voltage thereof is -VS. Also, the transistors Tr1,
Tr2 is connected in series between the positive power supply voltage + VCC and the negative power supply voltage −VCC, and has an operational amplifier 74 at its base.
Output voltage VOUT is input.
【0008】通常、光出力が1Wを超える高出力型半導
体レーザを駆動する場合には2A以上の大電流が必要と
なる。このため、図4に示す駆動回路52のように、電
圧加算および定電流源62のオペアンプ74の後段にト
ランジスタTr1,Tr2を付加することにより電流駆
動能力を向上させるのが一般的である。Usually, a large current of 2 A or more is required to drive a high-power semiconductor laser whose optical output exceeds 1 W. Therefore, as in the drive circuit 52 shown in FIG. 4, it is general to add the transistors Tr1 and Tr2 after the operational amplifier 74 of the voltage addition and constant current source 62 to improve the current drive capability.
【0009】電圧加算および定電流源62では、バイア
スレベルの電圧Vbおよびパルス変調後の変調レベルの
電圧Vd’とレーザ駆動電流ILDとの間に下記式
(1)で示す関係が成立する。
ILD=(R4/(R6×R1))×(Vb+Vd’) … (1)
ここで、R1=R2,R4=R5,R3=R1//R2
=R1/2である。半導体レーザLDは、上記式(1)
で算出されるレーザ駆動電流ILDに応じて駆動され
る。In the voltage addition / constant current source 62, the relationship expressed by the following equation (1) is established between the bias level voltage Vb and the pulse-modulated modulation level voltage Vd ′ and the laser drive current ILD. ILD = (R4 / (R6 × R1)) × (Vb + Vd ′) (1) Here, R1 = R2, R4 = R5, R3 = R1 // R2
= R1 / 2. The semiconductor laser LD has the above formula (1).
It is driven according to the laser drive current ILD calculated in.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ところで、変調レベル
の電圧Vdを発生するオペアンプ68の出力端子に着目
すると、オペアンプ68の出力端子は、前述のように、
オンオフ変調信号がオン状態の時にはスイッチSWを介
して抵抗R1に接続され、オンオフ変調信号がオフ状態
の時には無負荷(オープン状態)となる。このため、オ
ペアンプ68の出力は、オンオフ変調信号のオンオフの
状態に応じてその負荷が急激に変動するという特徴があ
る。By the way, focusing attention on the output terminal of the operational amplifier 68 which generates the voltage Vd of the modulation level, the output terminal of the operational amplifier 68 is as described above.
When the on / off modulation signal is in the on state, it is connected to the resistor R1 through the switch SW, and when the on / off modulation signal is in the off state, there is no load (open state). For this reason, the output of the operational amplifier 68 is characterized in that its load rapidly changes according to the on / off state of the on / off modulation signal.
【0011】特に、オンオフ変調信号がオフ状態からオ
ン状態へ変化した時にオペアンプ68の出力端子の負荷
が急激に変化することにより、オペアンプ68の出力電
圧Vdが一時的に降下し、図5に示すタイミングチャー
トの図中下部のオンオフ変調信号に対するオペアンプ6
8の出力電圧(変調レベルの電圧)Vdおよびレーザ駆
動電流ILDの波形は実際には、それぞれ同図中央部お
よび上部に示すタイミングチャートのような波形にな
る。In particular, when the on / off modulation signal changes from the off state to the on state, the load on the output terminal of the operational amplifier 68 changes abruptly, and the output voltage Vd of the operational amplifier 68 temporarily drops, as shown in FIG. Operational amplifier 6 for ON / OFF modulation signal in the lower part of the timing chart
The waveforms of the output voltage (voltage of modulation level) Vd and the laser drive current ILD of No. 8 are actually the waveforms shown in the timing charts in the central portion and the upper portion of FIG.
【0012】つまり、オンオフ変調信号の状態が変化し
た時に変調レベルの電圧Vdが大きく変動するため、こ
の結果、従来の半導体レーザ駆動回路52では、オンオ
フ変調信号がオン状態となってからレーザ駆動電流IL
Dが所望の値ILD1で安定するまでに必要な時間Δt
dが比較的長くなり、このΔtdよりも短い時間では駆
動電流を安定化することができないので、駆動電流IL
Dを高速にパルス変調することができないという問題が
発生していた。That is, when the state of the on / off modulation signal changes, the voltage Vd of the modulation level fluctuates greatly. As a result, in the conventional semiconductor laser drive circuit 52, the laser drive current is changed after the on / off modulation signal is turned on. IL
The time Δt required for D to stabilize at the desired value ILD1
Since d becomes relatively long and the drive current cannot be stabilized in a time shorter than Δtd, the drive current IL
There has been a problem that D cannot be pulse-modulated at high speed.
【0013】本発明の目的は、前記従来技術に基づく問
題点を解消し、光出力が1W以上の高出力型半導体レー
ザを駆動するに際し、半導体レーザ駆動電流を高速にパ
ルス変調することができる半導体レーザ駆動回路、およ
び、この半導体レーザ駆動回路を用いて記録材料を走査
露光する画像形成装置を提供することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and to drive a semiconductor laser driving current at high speed when driving a high power semiconductor laser having an optical output of 1 W or more. It is an object of the present invention to provide a laser drive circuit and an image forming apparatus that scans and exposes a recording material using the semiconductor laser drive circuit.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、画像信号に応じてパルス変調された電圧
信号を発生する電圧発生部と、この電圧発生部によって
発生された電圧信号に基づいて半導体レーザを駆動する
ためのレーザ駆動電流を発生する定電流源とを備え、前
記電圧発生部は、前記半導体レーザに定常的に供給する
直流バイアス電流の値を決定するバイアスレベルの電圧
の発生手段と、前記バイアスレベルの電圧に重畳して前
記半導体レーザを発振させる電流の値を決定する変調レ
ベルの電圧の発生手段と、この変調レベルの電圧の発生
手段と前記定電流源との間に配置され、オンオフ変調信
号により前記変調レベルの電圧もしくはグランド電位を
前記定電流源に接続するよう制御され、前記変調レベル
の電圧をパルス変調するスイッチと、前記変調レベルの
電圧の発生手段に接続され、前記スイッチと相補的に動
作する負荷調整回路とを備え、前記負荷調整回路は、前
記スイッチにより、前記変調レベルの電圧が前記定電流
源に接続された場合には前記変調レベルの電圧の発生手
段から切り離され、グランド電位が前記定電流源に接続
された場合には、前記変調レベルの電圧の発生手段を、
前記バイアスレベルの電圧およびパルス変調後の前記変
調レベルの電圧を加算した後の電圧と略同一の電圧に接
続することを特徴とする半導体レーザ駆動回路を提供す
るものである。To achieve the above object, the present invention provides a voltage generator for generating a voltage signal pulse-modulated according to an image signal, and a voltage signal generated by the voltage generator. And a constant current source for generating a laser drive current for driving the semiconductor laser based on the voltage level of the bias level that determines the value of the DC bias current that is constantly supplied to the semiconductor laser. Of the modulation level, the generation means of the voltage of the modulation level for determining the value of the current superposed on the voltage of the bias level to oscillate the semiconductor laser, and the generation means of the voltage of the modulation level and the constant current source. The modulation level voltage is controlled by an ON / OFF modulation signal so as to connect the modulation level voltage or the ground potential to the constant current source. And a load adjusting circuit that is connected to the modulation level voltage generating means and operates complementarily to the switch, wherein the load adjusting circuit causes the switch to change the modulation level voltage to the constant current. When connected to the source, the modulation level voltage generating means is disconnected, and when the ground potential is connected to the constant current source, the modulation level voltage generating means,
The present invention provides a semiconductor laser drive circuit, characterized in that the semiconductor laser drive circuit is connected to a voltage substantially the same as the voltage after adding the voltage of the bias level and the voltage of the modulation level after pulse modulation.
【0015】また、本発明は、画像信号に対応した画像
を記録材料上に形成する画像形成装置であって、上記に
記載の半導体レーザ駆動回路と、この半導体レーザ駆動
回路によって駆動制御され、前記記録材料の露光光源と
なる半導体レーザと、この半導体レーザから射出される
光ビームが、レンズを介して前記記録材料の表面近傍で
結像するように制御する結像光学系と、前記半導体レー
ザから前記結像光学系を介して射出される光ビームおよ
び前記記録材料を主走査方向およびこの主走査方向と略
直交する副走査方向に相対的に移動させながら、前記画
像信号に基づいて、前記半導体レーザから射出される光
ビームにより前記記録材料を走査露光する走査露光手段
とを備えることを特徴とする画像形成装置を提供する。Further, the present invention is an image forming apparatus for forming an image corresponding to an image signal on a recording material, the semiconductor laser drive circuit described above, and drive control by the semiconductor laser drive circuit, A semiconductor laser that serves as an exposure light source for the recording material, an imaging optical system that controls a light beam emitted from the semiconductor laser so as to form an image near the surface of the recording material via a lens, and the semiconductor laser Based on the image signal, while moving the light beam emitted through the imaging optical system and the recording material in the main scanning direction and the sub scanning direction substantially orthogonal to the main scanning direction, the semiconductor An image forming apparatus comprising: a scanning exposure unit that scans and exposes the recording material with a light beam emitted from a laser.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下に、添付の図面に示す好適実
施例に基づいて、本発明の半導体レーザ駆動回路および
画像形成装置を詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A semiconductor laser drive circuit and an image forming apparatus of the present invention will be described below in detail with reference to the preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
【0017】図1は、本発明の画像形成装置の一実施例
の概略斜視図である。同図に示す画像形成装置10は、
本発明の半導体レーザ駆動回路により、画像信号に基づ
いて露光光源となる半導体レーザLDを駆動制御し、こ
の半導体レーザLDから射出される光ビームにより記録
材料Aを走査露光して、記録材料A上に画像信号に対応
した画像を形成するものであり、光源部12と、走査露
光部14と、結像光学系16とを備えている。FIG. 1 is a schematic perspective view of an embodiment of the image forming apparatus of the present invention. The image forming apparatus 10 shown in FIG.
The semiconductor laser driving circuit of the present invention drives and controls the semiconductor laser LD, which serves as an exposure light source, based on an image signal, scans and exposes the recording material A with a light beam emitted from the semiconductor laser LD, and An image corresponding to the image signal is formed, and includes a light source unit 12, a scanning exposure unit 14, and an image forming optical system 16.
【0018】なお、図示例の場合、光源部12のファイ
バアレイ24および結像光学系16は、1つの移動支持
台38上の所定位置に固定され、結像ユニット36とさ
れている。In the illustrated example, the fiber array 24 of the light source section 12 and the image forming optical system 16 are fixed to a predetermined position on one moving support 38 to form an image forming unit 36.
【0019】画像形成装置10において、まず、光源部
12は、所定の間隔を空けて一列に配置された複数本の
光ビームからなるマルチビームを射出するものであり、
複数個の半導体レーザ18と、これらの半導体レーザ1
8に1対1に対応して設けられた複数本の光ファイバケ
ーブル20と、これらの光ファイバケーブル20の中央
部および終端部を1カ所に束ねるコネクタアレイ22お
よびファイバアレイ24とを備えている。In the image forming apparatus 10, first, the light source section 12 emits a multi-beam composed of a plurality of light beams arranged in a line at a predetermined interval.
A plurality of semiconductor lasers 18 and these semiconductor lasers 1
8 is provided with a plurality of optical fiber cables 20 provided in a one-to-one correspondence, and a connector array 22 and a fiber array 24 for bundling the central portion and the end portion of these optical fiber cables 20 at one place. .
【0020】ここで、複数個の半導体レーザ18は、ヒ
ートシンク26上の副走査方向(図中矢印c方向)に所
定の間隔を空けて一列に配置され、このヒートシンク2
6により所定温度に保持されている。各々の半導体レー
ザ18からは、記録材料Aを露光するための光ビームが
射出される。図示例の場合、各々の半導体レーザ18か
らそれぞれ1本の光ビームが射出され、合計複数本の光
ビームからなるマルチビームが射出される。Here, the plurality of semiconductor lasers 18 are arranged in a row on the heat sink 26 at a predetermined interval in the sub-scanning direction (direction of arrow c in the figure).
It is kept at a predetermined temperature by 6. A light beam for exposing the recording material A is emitted from each semiconductor laser 18. In the case of the illustrated example, one light beam is emitted from each semiconductor laser 18, and a multi-beam composed of a plurality of light beams in total is emitted.
【0021】なお、図示を省略しているが、各々の半導
体レーザ18は、後述する本発明の半導体レーザ駆動回
路によって駆動される。Although not shown, each semiconductor laser 18 is driven by a semiconductor laser drive circuit of the present invention described later.
【0022】光ファイバケーブル20は、その始端部の
入射端面が各々対応する半導体レーザ18の光ビームの
出射部に接続されている。また、コネクタアレイ22に
より、その中央部が支持板28上に一括して束ねられ、
ファイバアレイ24により、光ファイバケーブル20の
終端部の出射端面から射出されるマルチビームが、記録
材料A上で副走査方向に所定の間隔を空けて配置される
ように、支持部材30により一列に配置されている。The optical fiber cable 20 is connected at its incident end face at the starting end to the corresponding emitting part of the light beam of the semiconductor laser 18. In addition, the connector array 22 bundles the central portion of the connector array 22 on the support plate 28 at a time.
The fiber array 24 allows the multi-beams emitted from the emission end face of the terminal end of the optical fiber cable 20 to be arranged on the recording material A at a predetermined interval in the sub-scanning direction so as to be arranged in a row by the support member 30. It is arranged.
【0023】各々の半導体レーザ18から射出された光
ビームは、各々対応する光ファイバケーブル20を通し
て、ファイバアレイ24の支持部材30により一列に配
置された終端部の出射端面から射出される。The light beams emitted from the respective semiconductor lasers 18 pass through the corresponding optical fiber cables 20, and are emitted from the emission end face of the terminal end arranged in a line by the supporting member 30 of the fiber array 24.
【0024】続いて、図1に示す画像形成装置10にお
いて、走査露光部14は、記録材料Aに対してアウター
ドラム(外面ドラム)方式の走査露光を行うものであ
り、アウタードラム32と、このアウタードラム32の
回転駆動手段(図示省略)と、副走査手段34とを備え
ている。Subsequently, in the image forming apparatus 10 shown in FIG. 1, the scanning exposure section 14 performs the scanning exposure of the recording material A by the outer drum (outer surface drum) system, and the outer drum 32 and this. The outer drum 32 is provided with a rotation driving means (not shown) and a sub-scanning means 34.
【0025】ここで、アウタードラム32は、その外周
面上にPS版(PreSensitized plate )等の記録材料A
が装着され、走査露光時には、図示していない回転駆動
手段によって主走査方向 (アウタードラム32の回転
方向)に所定の一定速度で回転される。Here, the outer drum 32 has a recording material A such as a PS plate (PreSensitized plate) on the outer peripheral surface thereof.
Is mounted and is rotated at a predetermined constant speed in the main scanning direction (rotational direction of the outer drum 32) by a rotation driving means (not shown) during scanning exposure.
【0026】副走査手段34は、結像ユニット36を副
走査方向に移動させるものであり、結像ユニット36の
基台となる移動支持台38と、ボールねじ(駆動ねじ)
40と、このボールねじ40の回転駆動手段(図示省
略)と、基台42とを備えている。The sub-scanning means 34 moves the image forming unit 36 in the sub-scanning direction, and includes a moving support base 38 which is a base of the image forming unit 36 and a ball screw (driving screw).
40, a rotation driving means (not shown) for the ball screw 40, and a base 42.
【0027】ここで、移動支持台38の下部には、副走
査方向に延在するV字型の突起部が形成され、この突起
部の中央部分には、副走査方向に延在するボールねじ4
0と螺合するめねじが形成されている。また、基台42
には、移動支持台38のV字型の突起部と嵌合し、副走
査方向に延在するV字型の溝44が形成されており、移
動支持台38は、図示していない回転駆動機構によるボ
ールねじ40の回転によって副走査方向に移動可能に構
成されている。Here, a V-shaped protrusion extending in the sub-scanning direction is formed in the lower portion of the movable support base 38, and a ball screw extending in the sub-scanning direction is formed in the center of the protrusion. Four
A female screw threaded with 0 is formed. Also, the base 42
Is formed with a V-shaped groove 44 that fits with the V-shaped protrusion of the movable support base 38 and extends in the sub-scanning direction. The movable support base 38 is rotationally driven (not shown). It is configured to be movable in the sub-scanning direction by the rotation of the ball screw 40 by the mechanism.
【0028】図1に示すように、基台42の上面部分に
は、光源部12のヒートシンク26およびコネクタアレ
イ22も載置されている。As shown in FIG. 1, the heat sink 26 of the light source section 12 and the connector array 22 are also mounted on the upper surface of the base 42.
【0029】続いて、図1に示す画像形成装置10にお
いて、結像光学系16は、光源部12から射出されたマ
ルチビームを所定のスポットサイズで走査露光部14の
記録材料A上に結像する縮小光学系であり、コリメータ
レンズ46と、結像レンズ48とを備えている。Subsequently, in the image forming apparatus 10 shown in FIG. 1, the image forming optical system 16 forms an image of the multi-beam emitted from the light source unit 12 on the recording material A of the scanning exposure unit 14 with a predetermined spot size. The reduction optical system includes a collimator lens 46 and an imaging lens 48.
【0030】ここで、コリメータレンズ46は、ファイ
バアレイ24の光の進行方向下流側に配置されており、
ファイバアレイ24から射出されるマルチビームの全て
の光ビームはコリメート光(平行光)とされる。結像レ
ンズ48は、コリメータレンズ46とアウタードラム3
2の外周面上に装着された記録材料Aとの間に配置され
ており、結像レンズ48を通して射出された光ビーム
は、所定のスポットサイズで記録材料A上に結像され
る。Here, the collimator lens 46 is arranged on the downstream side of the fiber array 24 in the light traveling direction,
All the multi-beam light beams emitted from the fiber array 24 are collimated light (parallel light). The imaging lens 48 includes the collimator lens 46 and the outer drum 3.
The light beam, which is arranged between the recording material A and the recording material A mounted on the outer peripheral surface of the second light beam and is emitted through the imaging lens 48, is imaged on the recording material A with a predetermined spot size.
【0031】画像形成装置10では、走査露光時に、ア
ウタードラム32が主走査方向に所定の一定速度で回転
されつつ、副走査手段34により、結像ユニット36が
副走査方向に所定の一定速度で移動される。これによ
り、記録材料Aは、半導体レーザ18、光ファイバケー
ブル20および結像光学系16を通して記録材料A上に
結像されるマルチビームによって2次元的に走査露光さ
れ、画像信号に対応した画像が記録材料A上に形成され
る。In the image forming apparatus 10, during scanning exposure, while the outer drum 32 is rotated at a predetermined constant speed in the main scanning direction, the image forming unit 36 is moved at a predetermined constant speed in the sub scanning direction by the sub-scanning means 34. Be moved. As a result, the recording material A is two-dimensionally scanned and exposed by the multi-beam imaged on the recording material A through the semiconductor laser 18, the optical fiber cable 20, and the imaging optical system 16, and an image corresponding to the image signal is formed. It is formed on the recording material A.
【0032】なお、本発明の画像形成装置は、図示例に
限定されず、以下に説明する本発明の半導体レーザ駆動
回路を用いて半導体レーザを駆動制御し、走査露光手段
により、半導体レーザから結像光学系を介して射出され
る光ビームと記録材料とを相対的に主走査方向および副
走査方向に移動させながら記録材料を2次元的に走査露
光するあらゆる構成の画像形成装置に適用可能である。
また、記録材料もPS版等の印刷版に限定されず、従来
公知のあらゆる記録材料が利用可能である。The image forming apparatus of the present invention is not limited to the illustrated example, and the semiconductor laser driving circuit of the present invention described below is used to drive and control the semiconductor laser, and the semiconductor laser is connected by the scanning exposure means. The present invention can be applied to image forming apparatuses of any structure that two-dimensionally scan and expose a recording material while moving a light beam emitted through an image optical system and the recording material relatively in the main scanning direction and the sub scanning direction. is there.
The recording material is not limited to a printing plate such as a PS plate, and any conventionally known recording material can be used.
【0033】次に、図1に示す個々の半導体レーザ18
を駆動する本発明の半導体レーザ駆動回路について説明
する。Next, the individual semiconductor lasers 18 shown in FIG.
A semiconductor laser drive circuit of the present invention for driving the laser will be described.
【0034】図2は、本発明の半導体レーザ駆動回路の
一実施例の構成概略図である。同図に示す半導体レーザ
駆動回路50は、図4に示す従来の半導体レーザ駆動回
路52に対して本発明を適用したものであり、半導体レ
ーザLDは、そのアノードがグランド電位に、カソード
が負電位に接続されている。また、電圧発生部60から
電圧加算および定電流源62へ供給される電圧信号V
N’は正電圧であり、駆動回路50は、半導体レーザL
Dから電流を引き抜くように構成されている。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an embodiment of the semiconductor laser drive circuit of the present invention. The semiconductor laser drive circuit 50 shown in the same figure is one in which the present invention is applied to the conventional semiconductor laser drive circuit 52 shown in FIG. 4, and the semiconductor laser LD has its anode at a ground potential and its cathode at a negative potential. It is connected to the. In addition, the voltage signal V supplied from the voltage generator 60 to the voltage addition and constant current source 62
N ′ is a positive voltage, and the drive circuit 50 is the semiconductor laser L
It is configured to draw an electric current from D.
【0035】図2に示す本発明の半導体レーザ駆動回路
50と図4に示す従来の半導体レーザ駆動回路52との
違いは、負荷調整回路76を備えている点である。この
負荷調整回路76は、抵抗R7と、Nチャネル型のFE
T(電界効果トランジスタ)78と、インバータ80と
を備えている。抵抗R7およびFET78は、オペアン
プ68の出力端子と電圧Vssとの間に直列に接続さ
れ、FET78のゲートには、インバータ80を介して
オンオフ(ON/OFF)変調信号が入力されている。The difference between the semiconductor laser driving circuit 50 of the present invention shown in FIG. 2 and the conventional semiconductor laser driving circuit 52 shown in FIG. 4 is that a load adjusting circuit 76 is provided. The load adjusting circuit 76 includes a resistor R7 and an N channel type FE.
A T (field effect transistor) 78 and an inverter 80 are provided. The resistor R7 and the FET 78 are connected in series between the output terminal of the operational amplifier 68 and the voltage Vss, and an ON / OFF modulation signal is input to the gate of the FET 78 via the inverter 80.
【0036】なお、これ以外の半導体レーザ駆動回路5
0の構成は、図4に示す従来の半導体レーザ駆動回路5
2と同じであるから、ここでは同一構成要件に同一の符
号を付し、その詳細な説明は省略する。また、図2に示
す半導体レーザ駆動回路50の動作は、負荷調整回路7
6により、パルス変調時の変調レベルの電圧Vdの変動
が抑えられる点を除いて、基本的に図4に示す従来の半
導体レーザ駆動回路52と同じであるから、以下簡単に
説明する。Semiconductor laser driving circuit 5 other than this
The configuration of 0 corresponds to the conventional semiconductor laser drive circuit 5 shown in FIG.
Since it is the same as No. 2, the same constituents are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. The operation of the semiconductor laser drive circuit 50 shown in FIG.
6 is basically the same as the conventional semiconductor laser drive circuit 52 shown in FIG. 4 except that the fluctuation of the voltage Vd of the modulation level at the time of pulse modulation is suppressed, and therefore will be briefly described below.
【0037】すなわち、電圧発生部60では、図中下側
のD/A変換器66およびオペアンプ70によりバイア
スレベルの電圧Vbが発生され、同上側のD/A変換器
64およびオペアンプ68により変調レベルの電圧Vd
が発生される。変調レベルの電圧Vdは、スイッチSW
により、画像信号に基づくオンオフ変調信号に従ってパ
ルス変調され、パルス変調された変調レベルの電圧V
d’が発生される。That is, in the voltage generator 60, a bias level voltage Vb is generated by the D / A converter 66 and the operational amplifier 70 on the lower side in the figure, and a modulation level is generated by the D / A converter 64 and the operational amplifier 68 on the upper side. Voltage Vd
Is generated. The modulation level voltage Vd is set by the switch SW.
According to the on-off modulation signal based on the image signal, the voltage V of the modulation level pulse-modulated
d'is generated.
【0038】電圧発生部60によって発生されたパルス
変調された変調レベルの電圧Vd’およびバイアスレベ
ルの電圧Vbは、それぞれ抵抗R1,R2を介して電圧
加算および定電流源62のオペアンプ74に供給され
る。電圧加算および定電流源62では、オペアンプ74
およびトランジスタTr2および抵抗R1〜R6によ
り、電圧発生部60から供給される電圧信号Vbおよび
Vd’の電圧信号の和に比例したレーザ駆動電流ILD
が発生され、半導体レーザLDは、電圧加算および定電
流源62によって発生されるレーザ駆動電流ILDに応
じて駆動される。The pulse-modulated voltage Vd 'of the modulation level and the voltage Vb of the bias level generated by the voltage generator 60 are supplied to the operational amplifier 74 of the voltage addition and constant current source 62 via the resistors R1 and R2, respectively. It In the voltage addition and constant current source 62, the operational amplifier 74
The laser drive current ILD proportional to the sum of the voltage signals of the voltage signals Vb and Vd ′ supplied from the voltage generator 60 by the transistor Tr2 and the resistors R1 to R6.
Is generated, and the semiconductor laser LD is driven according to the voltage addition and the laser drive current ILD generated by the constant current source 62.
【0039】ここで、オンオフ変調信号がオン状態(本
実施例の場合にはハイレベル)であれば、スイッチSW
により、オペアンプ68の出力端子と抵抗R1とが電気
的に接続される。負荷調整回路76はスイッチSWと相
補的に動作する。すなわち、この場合、オンオフ変調信
号のハイレベルはインバータ80によって反転されてロ
ウレベルとなり、したがってFET78がオフするの
で、オペアンプ68の出力端子から電気的に切り離され
る。If the on / off modulation signal is in the on state (high level in this embodiment), the switch SW
Thus, the output terminal of the operational amplifier 68 and the resistor R1 are electrically connected. The load adjustment circuit 76 operates complementarily to the switch SW. That is, in this case, the high level of the on / off modulation signal is inverted by the inverter 80 to a low level, and therefore the FET 78 is turned off, so that it is electrically disconnected from the output terminal of the operational amplifier 68.
【0040】一方、オンオフ変調信号がオフ状態(本実
施例の場合にはロウレベル)であれば、スイッチSWに
より、グランド電位と抵抗R1とが電気的に接続され、
オペアンプ68の出力端子はオープン状態とされる。こ
の時、負荷調整回路76は、オンオフ変調信号のロウレ
ベルがインバータ80によって反転されてハイレベルと
なり、したがってFET78がオンするので、オペアン
プ68の出力端子は、抵抗R7およびFET78を介し
て電圧Vssに接続される。On the other hand, when the on / off modulation signal is in the off state (low level in this embodiment), the switch SW electrically connects the ground potential and the resistor R1,
The output terminal of the operational amplifier 68 is opened. At this time, in the load adjusting circuit 76, the low level of the on / off modulation signal is inverted by the inverter 80 to become a high level, and therefore the FET 78 is turned on, so that the output terminal of the operational amplifier 68 is connected to the voltage Vss via the resistor R7 and the FET 78. To be done.
【0041】従って、抵抗R7と抵抗R1とをほぼ同じ
抵抗値とし、なおかつ電圧Vssとオペアンプ74の反
転入力端子の電圧VN’とをほぼ同じ電圧としておくこ
とにより、オンオフ変調信号のオンオフの状態に係わら
ず、オペアンプ68の出力端子の負荷を常に一定とする
ことができるので、パルス変調時に変調レベルの電圧V
dが変動するのを防止することができる。Therefore, the resistors R7 and R1 have substantially the same resistance value, and the voltage Vss and the voltage VN 'of the inverting input terminal of the operational amplifier 74 are substantially the same voltage, so that the on / off modulation signal is turned on / off. Regardless, the load on the output terminal of the operational amplifier 68 can be made constant at all times, so that the voltage V
It is possible to prevent the variation of d.
【0042】なお、Vss=VN’=(R3/(R3+
R5))×VM=(R3/(R3+R5))×VLDで
ある。ここで、VMは、半導体レーザ駆動回路50の出
力電圧、VLDは、半導体レーザLDの順方向電圧であ
る。Vss = VN '= (R3 / (R3 +
R5)) * VM = (R3 / (R3 + R5)) * VLD. Here, VM is the output voltage of the semiconductor laser drive circuit 50, and VLD is the forward voltage of the semiconductor laser LD.
【0043】すなわち、本発明の半導体レーザ駆動回路
50において、レーザ駆動電流ILDをパルス変調する
場合、図3のタイミングチャートに示すように、オンオ
フ変調信号が変化したときの変調レベルの電圧Vdの変
動はごく僅かであり、レーザ駆動電流ILDを短時間で
安定させることができる。従って、レーザ駆動電流IL
Dを高速にパルス変調することができ、本発明の半導体
レーザ駆動回路50を用いる画像形成装置10では、記
録材料上に高画質な画像を高速に形成することができ
る。That is, in the semiconductor laser drive circuit 50 of the present invention, when the laser drive current ILD is pulse-modulated, as shown in the timing chart of FIG. 3, the fluctuation of the modulation level voltage Vd when the on / off modulation signal changes. Since it is extremely small, the laser drive current ILD can be stabilized in a short time. Therefore, the laser drive current IL
D can be pulse-modulated at high speed, and the image forming apparatus 10 using the semiconductor laser drive circuit 50 of the present invention can form a high-quality image on the recording material at high speed.
【0044】なお、本発明の半導体レーザ駆動回路は、
オンオフ変調信号の状態に係わらず、パルス変調時の変
調レベルの電圧Vdの変動を抑制するために、変調レベ
ルの電圧Vdの発生手段の出力端子に負荷調整回路を設
けることを主旨とするものであり、これ以外の具体的な
回路構成は何ら限定されるものではない。同様に、負荷
調整回路の具体的な回路構成も何ら限定されるものでは
なく、同様の機能を実現する他の回路を使用してもよ
い。The semiconductor laser driving circuit of the present invention is
Regardless of the state of the on-off modulation signal, the purpose is to provide a load adjustment circuit at the output terminal of the means for generating the modulation level voltage Vd in order to suppress fluctuations in the modulation level voltage Vd during pulse modulation. However, the specific circuit configuration other than this is not limited at all. Similarly, the specific circuit configuration of the load adjusting circuit is not limited at all, and another circuit that realizes a similar function may be used.
【0045】また、本発明の画像形成装置は、本発明の
半導体レーザ駆動回路を用いて半導体レーザLDを駆動
制御し、記録材料上に画像信号に対応した画像を形成す
るものであり、これ以外の具体的な構成は何ら限定され
ない。また、図2に示す例では、半導体レーザLDのア
ノードをグランド電位に、カソードを負電位に接続して
いるが、これも限定されず、カソードをグランド電位
に、アノードを正電位に接続する構成とし、これに応じ
て半導体レーザ駆動回路の各部位の信号の極性等を変更
してもよい。The image forming apparatus of the present invention drives and controls the semiconductor laser LD using the semiconductor laser drive circuit of the present invention to form an image corresponding to an image signal on a recording material. The specific configuration of is not limited at all. Further, in the example shown in FIG. 2, the anode of the semiconductor laser LD is connected to the ground potential and the cathode is connected to the negative potential, but this is not a limitation, and the cathode is connected to the ground potential and the anode is connected to the positive potential. The polarity of the signal of each part of the semiconductor laser drive circuit may be changed accordingly.
【0046】本発明の半導体レーザ駆動回路および画像
形成装置は、基本的に以上のようなものである。以上、
本発明の半導体レーザ駆動回路および画像形成装置につ
いて詳細に説明したが、本発明は上記実施例に限定され
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改
良や変更をしてもよいのはもちろんである。The semiconductor laser drive circuit and the image forming apparatus of the present invention are basically as described above. that's all,
Although the semiconductor laser drive circuit and the image forming apparatus of the present invention have been described in detail, the present invention is not limited to the above embodiments, and various improvements and changes may be made without departing from the spirit of the present invention. Of course.
【0047】[0047]
【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明の半導
体レーザ駆動回路は、変調レベルの電圧の発生手段に負
荷調整回路を設け、スイッチにより、変調レベルの電圧
が定電流源に接続された場合には、変調レベルの電圧の
発生手段から負荷調整回路を切り離し、グランド電位が
定電流源に接続された場合には、変調レベルの電圧の発
生手段を、バイアスレベルの電圧およびパルス変調後の
変調レベルの電圧を加算した後の電圧と略同一の電圧に
接続するようにしたものである。また、本発明の画像形
成装置は、本発明の半導体レーザ駆動回路を用いて半導
体レーザを駆動制御し、記録材料上に画像信号に対応し
た画像を形成するようにしたものである。これにより、
本発明の半導体レーザ駆動回路によれば、オンオフ変調
信号の状態に係わらず、パルス変調時の変調レベルの電
圧の変動をごく僅かに抑えることができ、レーザ駆動電
流を高速にパルス変調することができる。また、本発明
の画像形成装置によれば、記録材料に高画質画像を高速
に形成することができるという効果がある。As described in detail above, in the semiconductor laser drive circuit of the present invention, the load level adjusting circuit is provided in the modulation level voltage generating means, and the modulation level voltage is connected to the constant current source by the switch. In this case, disconnect the load adjustment circuit from the modulation level voltage generation means, and if the ground potential is connected to the constant current source, change the modulation level voltage generation means to the bias level voltage and after pulse modulation. The voltage of the modulation level is added, and the voltage is connected to substantially the same voltage. Further, the image forming apparatus of the present invention uses the semiconductor laser driving circuit of the present invention to drive and control the semiconductor laser and form an image corresponding to the image signal on the recording material. This allows
According to the semiconductor laser drive circuit of the present invention, the fluctuation of the voltage of the modulation level at the time of pulse modulation can be suppressed very slightly regardless of the state of the on / off modulation signal, and the laser drive current can be pulse-modulated at high speed. it can. Further, according to the image forming apparatus of the present invention, there is an effect that a high quality image can be formed on a recording material at high speed.
【図1】 本発明の画像形成装置の一実施例の概略斜視
図である。FIG. 1 is a schematic perspective view of an embodiment of an image forming apparatus of the present invention.
【図2】 本発明の半導体レーザ駆動回路の一実施例の
構成概略図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an embodiment of a semiconductor laser drive circuit of the present invention.
【図3】 図2に示す本発明の半導体レーザ駆動回路に
おいて、オンオフ変調信号、変調レベルの電圧およびレ
ーザ駆動電流の関係を表す一実施例のタイミングチャー
トである。FIG. 3 is a timing chart of an example showing a relationship between an on / off modulation signal, a modulation level voltage, and a laser drive current in the semiconductor laser drive circuit of the present invention shown in FIG.
【図4】 従来の半導体レーザ駆動回路の一例の構成概
略図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an example of a conventional semiconductor laser drive circuit.
【図5】 図4に示す従来の半導体レーザ駆動回路にお
いて、オンオフ変調信号、変調レベルの電圧およびレー
ザ駆動電流の関係を表す一例のタイミングチャートであ
る。5 is a timing chart showing an example of a relationship between an on / off modulation signal, a modulation level voltage, and a laser drive current in the conventional semiconductor laser drive circuit shown in FIG.
10 画像形成装置 12 光源部 14 走査露光部 16 結像光学系 18 半導体レーザ 20 光ファイバケーブル 22 コネクタアレイ 24 ファイバアレイ 26 ヒートシンク 28 支持板 30 支持部材 32 アウタードラム 34 副走査手段 36 結像ユニット 38 移動支持台 40 ボールねじ(駆動ねじ) 42 基台 44 溝 46 コリメータレンズ 48 結像レンズ 50,52 半導体レーザ駆動回路 56 ツイストペアケーブル 60 電圧発生部 62 電圧加算および定電流源 64,66 D/A変換器 68,70,74 オペアンプ 76 負荷調整回路 78 FET CN コネクタ LD 半導体レーザ R1〜R7 抵抗 SW スイッチ Tr1,Tr2 トランジスタ 10 image forming apparatus 12 Light source 14 Scanning exposure unit 16 Imaging optical system 18 Semiconductor laser 20 optical fiber cable 22 connector array 24 fiber array 26 heat sink 28 Support plate 30 Support member 32 outer drum 34 Sub-scanning means 36 Imaging unit 38 Moving support 40 ball screw (drive screw) 42 base 44 groove 46 Collimator lens 48 Imaging lens 50,52 Semiconductor laser drive circuit 56 twisted pair cable 60 voltage generator 62 Voltage addition and constant current source 64,66 D / A converter 68, 70, 74 operational amplifier 76 Load adjustment circuit 78 FET CN connector LD semiconductor laser R1 to R7 resistance SW switch Tr1, Tr2 transistor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2C162 AE23 AE28 AE48 AF14 AF72 AH75 FA04 FA18 FA48 2C362 AA07 AA55 AA61 CB71 5F073 BA07 EA14 GA02 GA24 GA25 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F-term (reference) 2C162 AE23 AE28 AE48 AF14 AF72 AH75 FA04 FA18 FA48 2C362 AA07 AA55 AA61 CB71 5F073 BA07 EA14 GA02 GA24 GA25
Claims (2)
号を発生する電圧発生部と、この電圧発生部によって発
生された電圧信号に基づいて半導体レーザを駆動するた
めのレーザ駆動電流を発生する定電流源とを備え、 前記電圧発生部は、前記半導体レーザに定常的に供給す
る直流バイアス電流の値を決定するバイアスレベルの電
圧の発生手段と、前記バイアスレベルの電圧に重畳して
前記半導体レーザを発振させる電流の値を決定する変調
レベルの電圧の発生手段と、この変調レベルの電圧の発
生手段と前記定電流源との間に配置され、オンオフ変調
信号により前記変調レベルの電圧もしくはグランド電位
を前記定電流源に接続するよう制御され、前記変調レベ
ルの電圧をパルス変調するスイッチと、前記変調レベル
の電圧の発生手段に接続され、前記スイッチと相補的に
動作する負荷調整回路とを備え、 前記負荷調整回路は、前記スイッチにより、前記変調レ
ベルの電圧が前記定電流源に接続された場合には前記変
調レベルの電圧の発生手段から切り離され、グランド電
位が前記定電流源に接続された場合には、前記変調レベ
ルの電圧の発生手段を、前記バイアスレベルの電圧およ
びパルス変調後の前記変調レベルの電圧を加算した後の
電圧と略同一の電圧に接続することを特徴とする半導体
レーザ駆動回路。1. A voltage generator for generating a voltage signal pulse-modulated according to an image signal, and a laser drive current for driving a semiconductor laser based on the voltage signal generated by the voltage generator. A constant current source, wherein the voltage generation unit is a bias level voltage generation unit that determines the value of a DC bias current that is constantly supplied to the semiconductor laser; and the semiconductor device that is superimposed on the bias level voltage. A modulation level voltage generating means for determining the value of the current for oscillating the laser, and a modulation level voltage generating means arranged between the modulation level voltage generating means and the constant current source, and the modulation level voltage or ground depending on an on / off modulation signal. A switch, which is controlled to connect an electric potential to the constant current source, pulse-modulates the voltage of the modulation level and a means for generating the voltage of the modulation level are connected. And a load adjusting circuit that operates in a complementary manner with the switch, wherein the load adjusting circuit, when the voltage of the modulation level is connected to the constant current source by the switch, the voltage of the modulation level. When the ground potential is connected to the constant current source, the voltage generator of the modulation level is added with the voltage of the bias level and the voltage of the modulation level after pulse modulation. A semiconductor laser drive circuit characterized in that it is connected to a voltage substantially the same as a subsequent voltage.
成する画像形成装置であって、 請求項1に記載の半導体レーザ駆動回路と、この半導体
レーザ駆動回路によって駆動制御され、前記記録材料の
露光光源となる半導体レーザと、この半導体レーザから
射出される光ビームが、レンズを介して前記記録材料の
表面近傍で結像するように制御する結像光学系と、前記
半導体レーザから前記結像光学系を介して射出される光
ビームおよび前記記録材料を主走査方向およびこの主走
査方向と略直交する副走査方向に相対的に移動させなが
ら、前記画像信号に基づいて、前記半導体レーザから射
出される光ビームにより前記記録材料を走査露光する走
査露光手段とを備えることを特徴とする画像形成装置。2. An image forming apparatus for forming an image corresponding to an image signal on a recording material, the semiconductor laser driving circuit according to claim 1, and the semiconductor laser driving circuit drivingly controlling the recording material. Of the semiconductor laser as an exposure light source, an imaging optical system for controlling a light beam emitted from the semiconductor laser so as to form an image near the surface of the recording material through a lens, and the semiconductor laser to form the connection. Based on the image signal, the semiconductor laser is moved from the semiconductor laser while relatively moving the light beam emitted through the image optical system and the recording material in the main scanning direction and the sub scanning direction substantially orthogonal to the main scanning direction. An image forming apparatus comprising: a scanning exposure unit that scans and exposes the recording material with an emitted light beam.
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---|---|---|---|
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