JPS63184460A - Method and apparatus for controlling laser luminous quantity - Google Patents

Method and apparatus for controlling laser luminous quantity

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JPS63184460A
JPS63184460A JP62016796A JP1679687A JPS63184460A JP S63184460 A JPS63184460 A JP S63184460A JP 62016796 A JP62016796 A JP 62016796A JP 1679687 A JP1679687 A JP 1679687A JP S63184460 A JPS63184460 A JP S63184460A
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JP
Japan
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current
light
amount
laser diode
laser
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JP62016796A
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Japanese (ja)
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Hisayoshi Monma
門馬 久喜
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To excluse the change in slope efficiency automatically by setting the modulation current in the range of prescribed luminous emitting quantity and changing the luminous quantity of the set current and applying scanning in applying the scanning one main scanning section with exposure. CONSTITUTION:When the slope efficiency of a laser diode 32 is decreased due to secular change or temperature change or the like and the characteristic is changed, the required current with a laser power of 3mW is 90mA, and with a power of 1.2mW the current is 70mA. Since two sample-and-hold operations are applied without fail at the start of one scanning with respect to the change, the current I2 is 35mA at one section of the SMPL1 when a 1st sampling pulse 52 is at a high level, then the resulting current I1+I2 is 90mA (55mA+35mA). In the period of SMPL2 when a 2nd sampling gate 54 is at a high level, since I1=35mA, the resulting current I1+I2 is 70mA.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は写真感光材料、すなわち、フィルム等の画像記
録担体を露光して画像等を記録する際に用いられるレー
ザ光源の制御方法および装置に関し、一層詳細には、画
像記録担体の一主走査区間の任意の点の露光量を一定と
するために前記画像記録担体の一主走査区間に対応して
レーザダイオードの発光光量を略正弦的に変化させるこ
との必要な共振型偏向器用のレーザ光量の制御方法およ
び装置において、複数の光量値設定手段を配設し、前記
画像記録担体の一主走査区間を露光する際、先ず、前記
複数の光量値設定手段により前記レーザダイオードのス
ロープ効率(レーザ発振領域における単位駆動電流光た
りの光出力の平均増加値、ΔP/Δ■)に係る変調電流
を設定し、次に、当該変調電流を基準に一主走査区間の
間、前記レーザダイオードの発光光量の変化を略正弦状
に調節制御するように構成し、その結果、前記レーザダ
イオードのスロープ効率の経年変化や温度変化を自動的
に排除することを可能とするレーザ光量の制御方法およ
び装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method and apparatus for controlling a laser light source used to record an image by exposing a photographic material, that is, an image recording carrier such as a film. Necessary resonance in which the amount of light emitted by the laser diode is changed approximately sinusoidally in correspondence to one main scanning section of the image recording carrier in order to keep the exposure amount at any point in one main scanning section of the record carrier constant. In the method and apparatus for controlling the amount of laser light for a type deflector, a plurality of light amount value setting means are provided, and when exposing one main scanning section of the image recording carrier, first, the plurality of light amount value setting means The modulation current related to the slope efficiency of the diode (average increase in optical output per unit drive current light in the laser oscillation region, ΔP/Δ■) is set, and then the modulation current is set for one main scanning period based on the modulation current. , the amount of laser light is configured to adjust and control changes in the amount of light emitted by the laser diode in a substantially sinusoidal manner, and as a result, it is possible to automatically eliminate changes in the slope efficiency of the laser diode over time and changes in temperature. The present invention relates to a control method and device.

一般に、共振型偏向器は高速の画像書込装置として使用
されているが、−主走査区間内での走査速度が、第1図
aに示すように、略正弦状であって一定ではない。そこ
で、フィルムに対する単位時間当たりの露光量を一定に
してフィルムの露光むらを排除するために、第1図すの
破線に示すように、露光用レーザダイオードの発光光量
出力を前記共振型偏向器の走査速度に対応させて変化さ
せている。つまり、走査速度の遅い主走査区間の両端部
では発光光量出力を低下させ、一方、走査速度の早い中
央部では発光光量出力を増大させることにより、全体と
してフィルムに対する単位時間当たりの露光量が均一に
なるように構成している。
Generally, a resonant deflector is used as a high-speed image writing device, but the scanning speed within the main scanning section is approximately sinusoidal and not constant, as shown in FIG. 1a. Therefore, in order to keep the exposure amount of the film constant per unit time and eliminate uneven exposure of the film, as shown by the broken line in Figure 1, the light emission output of the exposure laser diode is changed to that of the resonant deflector. It is changed according to the scanning speed. In other words, by reducing the light emission output at both ends of the main scanning section where the scanning speed is slow, and increasing the light emission output at the center where the scanning speed is fast, the overall exposure amount per unit time to the film is uniform. It is configured so that

そして、この発光光量出力、すなわち、レーザパワーは
、例えば、第1図すに示すように、中央部で最大値3m
W、端部で最小値1.2mWになるように調整されてい
る。なお、第1図すにおいてハツチングで示す部分はレ
ーザダイオードに電流が供給されていてレーザダイオー
ドが発光している部分を示す。
The output of this emitted light, that is, the laser power, has a maximum value of 3 m at the center, for example, as shown in Figure 1.
W is adjusted to a minimum value of 1.2 mW at the end. Note that the hatched portion in FIG. 1 indicates the portion where current is supplied to the laser diode and the laser diode emits light.

ここで、レーザダイオードについてその供給電流とレー
ザパワーの特性例を第1図Cに示す。
Here, an example of the characteristics of the supply current and laser power of a laser diode is shown in FIG. 1C.

第1図Cに示す特性例の横軸は供給電流を示し、縦軸は
レーザパワーを示す。
In the characteristic example shown in FIG. 1C, the horizontal axis represents the supplied current, and the vertical axis represents the laser power.

今、第1図Cの実線で示される特性につい −て考察す
ると、供給電流I’r  (レーザパワー変調電流)に
対してレーザパワーは3mWと1.2 mWの量変化す
ることが判る。この場合においては、レーザパワーの最
大出力3mW点に係る電流IA(図中、A点に係る電流
)と変調電流ITを設定することにより、レーザパワー
は3mWと1.2mWの間を制御可能であることが、容
易に諒解出来る。
Now, when considering the characteristics shown by the solid line in FIG. 1C, it is found that the laser power changes by an amount of 3 mW and 1.2 mW with respect to the supply current I'r (laser power modulation current). In this case, the laser power can be controlled between 3 mW and 1.2 mW by setting the current IA related to the maximum laser power output point of 3 mW (the current related to point A in the figure) and the modulation current IT. One thing is easy to understand.

ところで、前記制御はスロープ効率の値が一定の場合に
は成立するが、例えば、第1図Cの破線で示すように、
温度変化や経年変化によりスロープ効率が減少した場合
には、レーザパワーの最大出力設定点3mW点に係る電
流I。
By the way, the above control is valid when the slope efficiency value is constant, but for example, as shown by the broken line in FIG. 1C,
If the slope efficiency decreases due to temperature changes or aging, the current I related to the maximum output setting point of the laser power of 3 mW.

(図中、B点に係る電流)と変調電流Itを指定しても
、レーザパワーの最小出力値が2mWとなってしまい、
この場合においては、最早、フィルムに対する単位時間
当たりの露光量が一定にならず、結局、フィルムに露光
むらを惹起する虞が存在する。
(current related to point B in the figure) and modulation current It, the minimum output value of the laser power is 2 mW,
In this case, the amount of exposure per unit time to the film is no longer constant, and there is a possibility that uneven exposure may occur on the film.

本発明は前記の不都合を克服するためになされたもので
あって、共振型偏向器を介して露光されるフィルムの一
主走査区間の任意の点の露光量を一定とするため、複数
の光量値設定手段を配設し、前記画像記録担体の一主走
査区間を露光する際、先ず、前記複数の光量値設定手段
により前記レーザダイオードのスロープ効率に係る変調
電流を設定し、次に、当該変調電流を基準に一主走査区
間の間、前記ダイオードの発光光量の変化を略正弦状に
調節制御することにより、前記レーザダイオードのスロ
ープ効率の経年変化や温度変化を自動的に排除すること
が可能なレーザ光量の制御方法および装置を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made to overcome the above-mentioned disadvantages, and in order to make the exposure amount constant at any point in one main scanning section of the film exposed through a resonant deflector, it is possible to A value setting means is provided, and when exposing one main scanning section of the image recording carrier, first, the modulation current related to the slope efficiency of the laser diode is set by the plurality of light amount value setting means, and then the modulation current related to the slope efficiency of the laser diode is set. By adjusting and controlling the change in the amount of light emitted by the diode in a substantially sinusoidal manner during one main scanning period based on the modulation current, it is possible to automatically eliminate secular change and temperature change in the slope efficiency of the laser diode. An object of the present invention is to provide a method and device for controlling the amount of laser light.

前記の目的を達成するために、本発明はレーザ光源の光
量を制御する方法であって、画像記録担体の一主走査区
間をレーザダイオードの導通/非導通により露光して走
査する際、先ず、第1の光量設定手段と第2の光量設定
手段によりレーザダイオードの所定の発光量範囲に係る
変調電流を設定し、次に、当該設定した変調電流に係る
所定の光量を前記画像記録担体の一主走査区間に対応し
て変化させて走査することを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides a method for controlling the light intensity of a laser light source, in which, when scanning one main scanning section of an image recording carrier by exposing it to light by conducting/non-conducting the laser diode, first, A modulation current related to a predetermined light emission amount range of the laser diode is set by the first light amount setting means and a second light amount setting means, and then a predetermined light amount related to the set modulation current is applied to one of the image recording carriers. It is characterized in that scanning is performed by changing it in accordance with the main scanning section.

さらにまた、本発明は画像記録担体の一主走査区間に対
応してレーザダイオードの発光量を略正弦的に変化させ
る共振型偏向器のレーザ光源の制御装置において、レー
ザダイオードを駆動する電圧−電流変換手段と、複数の
光量値設定手段を配設し、当該複数の光量値設定手段に
より前記レーザダイオードの所定の発光量範囲に係る電
圧を検出して当該検出した電圧により前記電圧−電流変
換手段の出力電流値を制御するよう構成することを特徴
とする。
Furthermore, the present invention provides a control device for a laser light source of a resonant deflector that changes the amount of light emitted from a laser diode approximately sinusoidally in accordance with one main scanning section of an image recording carrier. A conversion means and a plurality of light amount value setting means are provided, and the plurality of light amount value setting means detect a voltage related to a predetermined light emission amount range of the laser diode, and the voltage-current conversion means is converted by the detected voltage. The present invention is characterized in that it is configured to control the output current value of.

次に、本発明に係るレーザ光量の制御方法についてそれ
を実施するための装置との関係において好適な実施態様
を挙げ、添付の図面を参照しながら以下詳細に説明する
Next, the method for controlling the amount of laser light according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings, citing preferred embodiments in relation to the apparatus for implementing the method.

第2図は本発明を実施するための基本ブロック図であっ
て、その中、参照符号10は一主走査区間に係るゲート
信号、所謂、スキャン信号が接続される端子であって、
当該スキャン信号の接続端子10はカウンタ14のリセ
ット入力端子Rに接続される。一方、カウンタ14のク
ロック入力端子にはグリッドパルス導入端子12からグ
リッドパルスが導入され、その時、カウンタ14はグリ
ッドパルス毎にカウントアツプされ、その出力信号はル
ックアップテーブルとしてのメモl716のアドレス入
力端子に導入される。
FIG. 2 is a basic block diagram for implementing the present invention, in which reference numeral 10 is a terminal to which a gate signal, so-called scan signal, related to one main scanning section is connected,
The connection terminal 10 of the scan signal is connected to the reset input terminal R of the counter 14. On the other hand, a grid pulse is introduced from the grid pulse introduction terminal 12 into the clock input terminal of the counter 14, and at that time, the counter 14 counts up for each grid pulse, and its output signal is sent to the address input terminal of the memory 1716 as a look-up table. will be introduced in

メモリ16の出力デジタル信号(本実施態様ではOO乃
至FF信号)は乗算型D/A変換器18のデジタル入力
端子に導入される。当該乗算型D/A変換器18のアナ
ログ入力端子Mには第1オペアンプ20の出力端子が接
続され、当該D/A変換器18のアナログ出力端子Aに
はデジタル入力端子り並びにアナログ入力端子Mに導入
される信号の積信号が出力される。
The output digital signals of the memory 16 (in this embodiment, the OO to FF signals) are introduced into the digital input terminal of the multiplication type D/A converter 18. The analog input terminal M of the multiplication type D/A converter 18 is connected to the output terminal of the first operational amplifier 20, and the analog output terminal A of the D/A converter 18 is connected to the digital input terminal and the analog input terminal M. A product signal of the signals introduced into is output.

前記D/A変換器18のアナログ出力端子Aは第2オペ
アンプ22の第1入力端子に接続される。
An analog output terminal A of the D/A converter 18 is connected to a first input terminal of a second operational amplifier 22.

第2オペアンプ22の出力端子は第1のトランジスタ2
4のベース端子に接続され、当該第1トランジスタ24
のエミッタは前記第2オペアンプ22の第2入力端子と
接続されると共に抵抗26を介して電源+Vに接続され
る。
The output terminal of the second operational amplifier 22 is connected to the first transistor 2
4, the first transistor 24 is connected to the base terminal of the first transistor 24.
The emitter of is connected to the second input terminal of the second operational amplifier 22 and to the power supply +V via a resistor 26.

次に、第1基準電流I、の流れる第1トランジスタ24
のコレクタは第2基準電流I2が流れる第2トランジス
タ28のコレクタと第3トランジスタ30のコレクタお
よびレーザダイオード32のアノードに接続される。レ
ーザダイオード32のカソードは接地される。そして、
前記第2トランジスタ28のエミッタは抵抗34を介し
て+■電源に接続される。また、当該第2トランジスタ
28のベースは第3オペアンプ36の出力端子と接続さ
れる。次いで、前記第3トランジスタ30のエミッタは
抵抗38を介して−V電源に接続される。当該第3トラ
ンジスタ30のベースに係る端子40にはフィルム露光
用の導通/非導通信号が導入される。
Next, the first transistor 24 through which the first reference current I flows
The collector is connected to the collector of the second transistor 28 through which the second reference current I2 flows, the collector of the third transistor 30, and the anode of the laser diode 32. The cathode of laser diode 32 is grounded. and,
The emitter of the second transistor 28 is connected to the +■ power supply via a resistor 34. Further, the base of the second transistor 28 is connected to the output terminal of the third operational amplifier 36. The emitter of the third transistor 30 is then connected to the -V power supply through a resistor 38. A conduction/non-conduction signal for film exposure is introduced into the terminal 40 related to the base of the third transistor 30.

一方、前記レーザダイオード32はPINフォトダイオ
ード42によってその光出力が検出される。そして、当
該PINフォトダイオード42のアノードは抵抗44を
介して一■電源に接続されると共に、バッファとしての
第4オペアンプ46の入力端子に接続される。前記PI
Nフォトダイオード42のカソードは接地される。前記
第4オペアンプ46の出力端子は第1のサンプルホール
ド回路48のアナログ入力端子に接続されると共に、第
2サンプルホールド回路50のアナログ入力端子に接続
される。ここで、第1のサンプルホールド回路48のゲ
ート端子GIには第1のサンプリングゲートパルス52
が導入される。また、前記サンプルホールド回路50の
ゲート端子G2には第2のサンプリングゲートパルス5
4が導入される。そして、前記第1サンプルホールド回
路48のホールド出力端子は前記第3オペアンプ36の
一方の入力端子に接続され、前記第2サンプルホールド
回路50の出力端子は前記第1オペアンプ20の一方の
入力端子に接続される。
On the other hand, the optical output of the laser diode 32 is detected by a PIN photodiode 42. The anode of the PIN photodiode 42 is connected to a power supply via a resistor 44, and is also connected to the input terminal of a fourth operational amplifier 46 as a buffer. Said PI
The cathode of the N photodiode 42 is grounded. The output terminal of the fourth operational amplifier 46 is connected to an analog input terminal of a first sample and hold circuit 48 and also to an analog input terminal of a second sample and hold circuit 50. Here, the first sampling gate pulse 52 is applied to the gate terminal GI of the first sample and hold circuit 48.
will be introduced. Further, a second sampling gate pulse 5 is applied to the gate terminal G2 of the sample and hold circuit 50.
4 will be introduced. The hold output terminal of the first sample and hold circuit 48 is connected to one input terminal of the third operational amplifier 36, and the output terminal of the second sample and hold circuit 50 is connected to one input terminal of the first operational amplifier 20. Connected.

そして、第3オペアンプ36および第1オペアンプ20
の他方の入力端子には夫々基準光量3mWに係る第1可
変基準電圧源■、と基準光量1.2mWに係る第2可変
基準電圧源V2が接続される。
Then, the third operational amplifier 36 and the first operational amplifier 20
A first variable reference voltage source V2 having a reference light amount of 3 mW and a second variable reference voltage source V2 having a reference light amount of 1.2 mW are respectively connected to the other input terminal of the power source.

本実施態様に係るレーザ光量の制御方法を実施するため
の装置は基本的には以上のように構成されるものであり
、次にその作用並びに効果について説明する。
The apparatus for carrying out the method for controlling the amount of laser light according to this embodiment is basically constructed as described above, and its operation and effects will be explained next.

第3図は第2図に示す基本ブロック図に係る波形図であ
る。第3図aは一主走査区間に係るスキャン信号を示し
、当該スキャン信号のハイレベルによりカウンタ14が
動作する。この時、カウンタ14に導入される図示しな
いグリッドパルス毎にカウンタ14はカウントアツプす
る。カウンタ14の出力信号がメモリ16のアドレス入
力端子に導入されると、メモリ16のデジタル出力は予
め定められた第3図fに示すデジタルパターン値を出力
する。第3図fに示すデジタル値は第3図すに示すSM
PLIのハイレベル部でFF値となり、次に、第3図e
に示すSMPL2のハイレベル部でOOとなり、次いで
、スキャン信号の略中央部でFF、両端部でOOとなる
ように正弦的に増減する。
FIG. 3 is a waveform diagram related to the basic block diagram shown in FIG. 2. FIG. 3a shows a scan signal related to one main scanning section, and the counter 14 is activated by the high level of the scan signal. At this time, the counter 14 counts up every time a grid pulse (not shown) is introduced into the counter 14. When the output signal of the counter 14 is introduced into the address input terminal of the memory 16, the digital output of the memory 16 outputs the predetermined digital pattern values shown in FIG. 3f. The digital value shown in Fig. 3 f is the SM shown in Fig. 3 S.
The high level part of PLI becomes the FF value, and then the
It becomes OO at the high level portion of SMPL2 shown in , and then increases and decreases sinusoidally so that it becomes FF at approximately the center of the scan signal and becomes OO at both ends.

そこで、今、前記第1可変基準電圧源■1が第1基準光
量、例えば、3mWに係る電圧に調整され、また、第2
可変基準電圧源■2が第2基準光量1.2m Wに係る
電圧に調整されているとする。そして、この場合におい
て、先ず、第3図すに示す第1サンプリングゲートパル
ス52がハイレベル状態、すなわち、図中、SMP L
1区間では前記乗算型D/A変換器18のアナログ入力
電圧端子Mに導入される電圧は無視されるので、第1ト
ランジスタ24からレーザダイオード32に供給される
電流は、第3図dに示すように、55mAでピークにな
るように抵抗26が調整されているものとする。そして
、当該SMPLI時には、第3図Cに示すように、第2
トランジスタ28からレーザダイオード32に供給され
る電流I2は徐々に増加する。そして、1.+I 2 
=75mA、すなわち、PINフォトダイオード42の
端子間電圧がレーザダイオード32のレーザパワーが3
mWに係る電圧になった時に第1サンプルホールド回路
48がホールドされ(図中、S1点)、その結果、第2
トランジスタ28からレーザダイオード32に供給され
る第2トランジスタ電流■2の値は次の第3図すのSM
PL1信号がハイレベルになるまでの間20mAに保た
れる。以上の動作により第1基準光量3mWに係る電圧
がサンプルホールド回路48によりサンプルホールドさ
れる。
Therefore, the first variable reference voltage source 1 is now adjusted to a voltage related to the first reference light amount, for example, 3 mW, and the second variable reference voltage source
Assume that the variable reference voltage source (2) is adjusted to a voltage related to the second reference light amount of 1.2 mW. In this case, first, the first sampling gate pulse 52 shown in FIG.
In one section, the voltage introduced into the analog input voltage terminal M of the multiplication type D/A converter 18 is ignored, so the current supplied from the first transistor 24 to the laser diode 32 is as shown in FIG. 3d. Assume that the resistor 26 is adjusted so that the current peaks at 55 mA. Then, at the time of the SMPLI, as shown in FIG. 3C, the second
Current I2 supplied from transistor 28 to laser diode 32 gradually increases. And 1. +I 2
= 75 mA, that is, the voltage between the terminals of the PIN photodiode 42 and the laser power of the laser diode 32 are 3 mA.
When the voltage reaches mW, the first sample and hold circuit 48 is held (point S1 in the figure), and as a result, the second
The value of the second transistor current ■2 supplied from the transistor 28 to the laser diode 32 is SM as shown in the following figure 3.
The current is maintained at 20 mA until the PL1 signal becomes high level. Through the above operation, the voltage related to the first reference light amount of 3 mW is sampled and held by the sample and hold circuit 48.

次に、第3図eに示す第2サンプリングゲート54がハ
イレベル状態にある区間の動作、すなわち、図中、SM
PL2区間での第2基準光量1.2m W点に係るサン
プルホールド動作について説明する。この場合、第2ト
ランジスタ電流I2は20mAと一定であるので、第3
図dに示すように、第1トランジスタ24の第1トラン
ジスタ電流■、が制御される。然るに、前述したように
第1トランジスタ電流1.は第1オペアンプ20の出力
電圧であるD/A変換器18のアナログ入力端子Mに加
えられる電圧とD/A変換器18のデジタル入力端子り
に加えられるメモリ16の出力電圧、すなわち、この場
合においてはSMPL2区間の出力信号OOに係る電圧
との積により決定される。従って、この場合、SMPL
2区間で第3図dに示す第1トランジスタ電流1.が徐
々に減少し、I + + I z =65mA。
Next, the operation in the period in which the second sampling gate 54 is in the high level state shown in FIG.
The sample and hold operation related to the second reference light amount W point of 1.2 m in the PL2 section will be explained. In this case, the second transistor current I2 is constant at 20 mA, so the third
As shown in FIG. d, the first transistor current 2 of the first transistor 24 is controlled. However, as described above, the first transistor current 1. is the output voltage of the first operational amplifier 20, which is the voltage applied to the analog input terminal M of the D/A converter 18, and the output voltage of the memory 16, which is applied to the digital input terminal of the D/A converter 18, that is, in this case. is determined by the product of the voltage related to the output signal OO in the SMPL2 section. Therefore, in this case, SMPL
The first transistor current shown in FIG. 3d in two sections is 1. gradually decreases, I + + I z =65 mA.

すなわち、PINフォトダイオード42の端子間電圧が
レーザダイオード32のレーザパワーが1.2mWに係
る電圧に至った時に第2サンプルホールド回路50はホ
ールドされる(図中、82点)。その結果、第1トラン
ジスタ24からレーザダイオード32に供給される第1
トランジスタ電流■、の値は45mAにホールドされる
That is, when the voltage between the terminals of the PIN photodiode 42 reaches a voltage corresponding to the laser power of the laser diode 32 of 1.2 mW, the second sample and hold circuit 50 is held (point 82 in the figure). As a result, the first
The value of transistor current {circle around (2)} is held at 45 mA.

以上の動作により第2の基準光量1.2mWに係る電圧
がサンプルホールドされる。
Through the above operation, the voltage related to the second reference light amount of 1.2 mW is sampled and held.

そして、第3図eに示すSMPL2区間以降ではメモリ
16の出力値はカウンタ14の出力値により制御され、
第3図fに示すように、10.20.40・・・FOl
FF、FO・・・40.20.10.00と略正弦状に
出力されるので、この場合、第1トランジスタ24を流
れる電流も第3図dの32点以降に示すように略正弦状
に変化する。これらによりレーザダイオード32の光量
は、第3図りに破線で示すように、最大値3mW、最小
値1.2mWと略正弦状に出力される。これは前記共振
型偏向器の走査速度に反比例した値であり、結果として
、図示しないフィルムに対する単位時間当たりの露光時
間が均一になるように動作する。
After the SMPL2 interval shown in FIG. 3e, the output value of the memory 16 is controlled by the output value of the counter 14,
As shown in Figure 3 f, 10.20.40...FOl
Since FF, FO...40.20.10.00 are output in a substantially sinusoidal manner, in this case, the current flowing through the first transistor 24 is also substantially sinusoidal as shown from point 32 onward in FIG. 3d. Change. As a result, the amount of light from the laser diode 32 is output in a substantially sinusoidal manner, with a maximum value of 3 mW and a minimum value of 1.2 mW, as shown by the broken line in the third diagram. This value is inversely proportional to the scanning speed of the resonant deflector, and as a result, the exposure time per unit time for the film (not shown) is made uniform.

なお、この場合、第3トランジスタ30のベース端子に
フィルム露光用の導通/非導通信号が第3図gに示すよ
うに加えられると、レーザダイオード32からトランジ
スタ30のOFF期間、フィルムに対して第3図りに示
すように規定の光量が照射されることになる。
In this case, when a conducting/non-conducting signal for film exposure is applied to the base terminal of the third transistor 30 as shown in FIG. As shown in Figure 3, a prescribed amount of light is irradiated.

そこで、次に、経年変化や温度変化等によりレーザダイ
オード32のスロープ効率が減少して、第4図の実線に
示す特性から第4図の破線で示す特性に変化したとする
。この場合、第4図から容易に諒解出来るように、レー
ザパワー3mW時の必要電流は90mAとなり1.2m
W時の必要電流は70mAとなる。
Next, let us assume that the slope efficiency of the laser diode 32 decreases due to aging, temperature changes, etc., and changes from the characteristic shown by the solid line in FIG. 4 to the characteristic shown by the broken line in FIG. 4. In this case, as can be easily understood from Figure 4, the required current when the laser power is 3 mW is 90 mA, which is 1.2 m.
The required current at W is 70 mA.

この変化に対して、第2図に示す本発明の実施態様に示
す回路構成では1スキヤンの開始時に必ず1回、2度の
サンプルホールド動作を行うので、この場合において前
記と同様の考察によりSMPLI区間の時に、I 2 
= 35 m A 、従って、レーザダイオード32に
流れる合成電流I + + I z =90mAとなり
、SMPL2区間の時にはI l=35mAとなるので
、合成電流■。
In response to this change, in the circuit configuration shown in the embodiment of the present invention shown in FIG. 2, sample and hold operations are always performed once and twice at the start of one scan. At the time of the interval, I 2
= 35 mA, therefore, the combined current I + + I z flowing through the laser diode 32 becomes 90 mA, and in the SMPL2 section, I l = 35 mA, so the combined current ■.

+ 12 =70mAとなり、結果として、レーザダイ
オード32のスロープ効率が減少しても同一の光量幅、
すなわち、3mW乃至1.2mWの出力を得ることが出
来る。
+ 12 = 70 mA, and as a result, even if the slope efficiency of the laser diode 32 decreases, the light amount width remains the same,
That is, an output of 3 mW to 1.2 mW can be obtained.

以上が本発明の第1の実施態様であり、次に本発明の他
の実施態様を第5図に示し、その作用を説明する。なお
、第5図において、第2図に示す第1の実施態様で示し
た構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し
、その詳細な説明は省略する。
The above is the first embodiment of the present invention. Next, another embodiment of the present invention is shown in FIG. 5, and its operation will be explained. In FIG. 5, the same components as those shown in the first embodiment shown in FIG. 2 are given the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.

第5図において、参照符号60はD/A変換器であって
、当該D/A変換器60は第1出力設定端子01、第2
出力設定端子02およびデジタル入力端子りに導入され
る夫々の値により出力のV IIEF値が決定される。
In FIG. 5, reference numeral 60 is a D/A converter, and the D/A converter 60 has a first output setting terminal 01 and a second output setting terminal 01.
The VIIEF value of the output is determined by the respective values introduced into the output setting terminal 02 and the digital input terminal.

例えば、01端子の電圧が3v、02端子の電圧が5■
である時、D端子のデジタル値が00.FF、80.1
0.00と変化すると、■REF値は3■、5V、4V
、3.125 V、3vと変化する。すナワち、D/A
変換器60の2つの出力設定端子01.0□の電圧によ
り前記第2図に示す第1の実施態様におけるレーザダイ
オード32の電流供給用トランジスタの数を2個から1
個に減らすことが可能である。そして、第5図に示す他
の実施態様においては、第1のサンプルホールド回路4
8により第1基準光量3mWに係る光量を決定し、第2
のサンプルホールド回路50により第2基準光量1.2
mWに係る光量を一義的に決定出来ることになる。
For example, the voltage at the 01 terminal is 3V, and the voltage at the 02 terminal is 5V.
When , the digital value of the D terminal is 00. FF, 80.1
When it changes to 0.00, ■REF value is 3■, 5V, 4V
, 3.125 V, changes to 3v. Sunawachi, D/A
The number of current supply transistors of the laser diode 32 in the first embodiment shown in FIG.
It is possible to reduce the number of In another embodiment shown in FIG. 5, the first sample and hold circuit 4
8 to determine the light amount related to the first reference light amount of 3 mW, and
The second reference light amount is set to 1.2 by the sample hold circuit 50 of
This means that the amount of light in mW can be uniquely determined.

以上のように、本発明によれば、複数の光量値設定手段
を配設し、画像記録担体の一主走査区間を露光する際、
先ず、前記複数の光量値設定手段により前記レーザダイ
オードのスロープ効率に係る変調電流を設定し、次に、
当該変調電流を基準に一主走査区間の間、前記レーザダ
イオードの発光光量の変化を略正弦状に調節制御出来る
ため、前記レーザダイオードの発光効率の経年変化や温
度変化を自動的に排除することが可能なレーザ光量の制
御方法および装置が得られる。
As described above, according to the present invention, when a plurality of light amount value setting means are provided and one main scanning section of an image recording carrier is exposed,
First, a modulation current related to the slope efficiency of the laser diode is set by the plurality of light amount value setting means, and then,
Since the change in the amount of light emitted by the laser diode can be adjusted and controlled in a substantially sinusoidal manner during one main scanning period based on the modulation current, it is possible to automatically eliminate secular changes and temperature changes in the light emitting efficiency of the laser diode. Thus, a method and apparatus for controlling the amount of laser light can be obtained.

以上、本発明について好適な実施態様を挙げて説明した
が、本発明はこの実施態様に限定されるものではなく、
例えば、レーザダイオードの電流供給用トランジスタの
極性を反転し、ボルテージフォロワやエミッタフォロワ
とした上で供給電流を設定するための抵抗を前記フォロ
ワの出力端とレーザダイオードとの間に挿入するように
構成し、あるいはスロープ効率検出回路は1スキヤン毎
にサンプルホールドするのではなく電源入力時のみ作動
するようにし、その結果をマイクロコンピュータ等によ
り読み取って電流値を設定することも可能である等、本
発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の改良並びに
設計の変更が可能なことは勿論である。
Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, the present invention is not limited to these embodiments.
For example, the polarity of the current supply transistor of the laser diode is reversed to make it a voltage follower or emitter follower, and a resistor for setting the supply current is inserted between the output terminal of the follower and the laser diode. Alternatively, the slope efficiency detection circuit may be configured to operate only when power is input, instead of sampling and holding every scan, and the current value may be set by reading the result with a microcomputer, etc., according to the present invention. Of course, various improvements and changes in design are possible without departing from the gist of the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は共振型偏向器の光量制御に係る説明図、 第2図は本発明によるレーザダイオードの光量制御回路
の第1の実施態様に係るブロック図、第3図は第2図に
示す光量制御回路の波形説明図、 第4図はレーザダイオードの光量出力変化の説明図、 第5図は本発明の他の実施態様の回路ブロック図である
。 10・・・接続端子 12・・・グリッドパルス導入端子 14・・・カウンタ       16・・・メモリ1
8・・・乗算型D/A変換器 20.22・・・オペア
ンプ32・・・レーザダイオード 42・・・PINフォトダイオード 46・・・オペアンプ
FIG. 1 is an explanatory diagram of the light amount control of a resonant deflector, FIG. 2 is a block diagram of the first embodiment of the laser diode light amount control circuit according to the present invention, and FIG. 3 is the light amount shown in FIG. 2. FIG. 4 is an explanatory diagram of waveforms of the control circuit, FIG. 4 is an explanatory diagram of changes in light amount output of a laser diode, and FIG. 5 is a circuit block diagram of another embodiment of the present invention. 10... Connection terminal 12... Grid pulse introduction terminal 14... Counter 16... Memory 1
8... Multiplying D/A converter 20.22... Operational amplifier 32... Laser diode 42... PIN photodiode 46... Operational amplifier

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)レーザ光源の光量を制御する方法であって、画像
記録担体の一主走査区間をレーザダイオードの導通/非
導通により露光して走査する際、先ず、第1の光量設定
手段と第2の光量設定手段によりレーザダイオードの所
定の発光量範囲に係る変調電流を設定し、次に、当該設
定した変調電流に係る所定の光量を前記画像記録担体の
一主走査区間に対応して変化させて走査することを特徴
とするレーザ光量の制御方法。
(1) A method for controlling the light intensity of a laser light source, in which when one main scanning section of an image recording carrier is exposed and scanned by conduction/non-conduction of a laser diode, first, a first light intensity setting means and a second light intensity setting means are controlled. A modulation current related to a predetermined light emission amount range of the laser diode is set by the light amount setting means, and then a predetermined light amount related to the set modulation current is changed corresponding to one main scanning section of the image recording carrier. 1. A method for controlling the amount of laser light, characterized in that scanning is performed using a laser beam.
(2)特許請求の範囲第1項記載の方法において、所定
の発光量範囲に係る変調電流の設定は装置の電源投入時
の所定時にのみ行うことからなるレーザ光量の制御方法
(2) A method for controlling the amount of laser light, which comprises setting the modulation current for a predetermined range of light emission amount only at a predetermined time when the device is powered on.
(3)画像記録担体の一主走査区間に対応してレーザダ
イオードの発光量を略正弦的に変化させる共振型偏向器
のレーザ光源の制御装置において、レーザダイオードを
駆動する電圧−電流変換手段と、複数の光量値設定手段
を配設し、当該複数の光量値設定手段により前記レーザ
ダイオードの所定の発光量範囲に係る電圧を検出して当
該検出した電圧により前記電圧−電流変換手段の出力電
流値を制御するよう構成することを特徴とするレーザ光
量の制御装置。
(3) In a control device for a laser light source of a resonant deflector that changes the amount of light emitted from a laser diode substantially sinusoidally in correspondence to one main scanning section of an image recording carrier, a voltage-current conversion means for driving the laser diode; , a plurality of light amount value setting means are arranged, the plurality of light amount value setting means detects a voltage related to a predetermined light emission amount range of the laser diode, and the output current of the voltage-current conversion means is adjusted based on the detected voltage. 1. A laser light amount control device, characterized in that it is configured to control a value.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02308185A (en) * 1989-05-23 1990-12-21 Fuji Xerox Co Ltd Method for controlling laser light quantity

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JPH02308185A (en) * 1989-05-23 1990-12-21 Fuji Xerox Co Ltd Method for controlling laser light quantity

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