JP2003264165A - 基板処理装置および基板処理システム - Google Patents

基板処理装置および基板処理システム

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JP2003264165A
JP2003264165A JP2002063277A JP2002063277A JP2003264165A JP 2003264165 A JP2003264165 A JP 2003264165A JP 2002063277 A JP2002063277 A JP 2002063277A JP 2002063277 A JP2002063277 A JP 2002063277A JP 2003264165 A JP2003264165 A JP 2003264165A
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ashing
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡易な構成にて異なる処理を行う複数の処理
部を備えた基板処理装置を運用することができる基板処
理技術を提供する。 【解決手段】 インラインコントローラ2は、ホストコ
ンピュータ3からの指示を受けて基板処理装置1内の洗
浄処理部10、灰化処理部20を制御するとともに、洗
浄処理部10、灰化処理部20から取得された装置情報
をホストコンピュータ3に伝達する。インラインコント
ローラ2に洗浄処理部10と灰化処理部20と同期調整
を行わせれば、両処理部を一体化した装置を運用するた
めの統合制御ソフトウェアを再構築することなく、簡易
な構成にて洗浄処理部10と灰化処理部20とを備えた
基板処理装置1を運用することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、それぞれが半導体
基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラ
ス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称
する)に異なる処理を行う複数の処理部を備えた基板処
理装置とホストコンピュータとを通信ラインにて接続し
た基板処理システムに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体や液晶ディスプレイなどの製品
は、基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エ
ッチング、イオン注入、レジスト剥離、層間絶縁膜の形
成、熱処理などの一連の諸処理を施すことにより製造さ
れている。これら諸処理のうち、例えばレジスト剥離は
プラズマ化したガスとレジストを反応させ、レジストを
気化させて取り除くプラズマアッシャによって行われる
ことが多い。レジストは炭素、酸素、水素からなる有機
物質であって、プラズマアッシャはこれと酸素プラズマ
とを化学反応させるアッシング(灰化処理)によってレ
ジスト除去を行う。
【0003】実際のレジストには重金属などの気化しな
い不純物も多少含まれており、アッシング後の基板には
これらの残存物質がパーティクルとして付着している。
このため、一般にはアッシング後の基板に対して洗浄処
理を行うことにより、パーティクルを完全に除去してい
る。
【0004】従来より、プラズマアッシャには複数の未
処理基板がキャリアに収納された状態で搬入され、その
キャリアから未処理基板が順次に取り出されてアッシン
グが行われる。アッシングが施された基板は一旦元のキ
ャリアに戻され、該キャリアに複数のアッシング後の基
板が収納された状態でプラズマアッシャから洗浄装置に
搬送される。そして、洗浄装置にてキャリアから取り出
された基板に順次に洗浄処理が行われていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ようにしてアッシングから洗浄処理を行うと一旦キャリ
アに複数枚のアッシング後基板を収納した後にそのキャ
リアをプラズマアッシャから洗浄装置に搬送することと
なるため、装置間搬送のための無駄な時間が生じること
となる。
【0006】また、アッシングの後にある程度時間が経
過してから洗浄処理を行うと、アッシング後に残ったパ
ーティクルが基板に強固に付着することとなるため、洗
浄処理性能が低下することにもなる。
【0007】このため、本発明者は洗浄装置にプラズマ
アッシャを組み込んで一体化した装置を検討している
が、このように異なる処理を行う2種類以上の装置を一
体化した場合、装置を制御するためのソフトウェアの再
構築が必要となる。すなわち、従来においては、洗浄装
置は洗浄処理のための専用の制御ソフトウェアによって
運用されている一方でプラズマアッシャはアッシングの
ための専用の制御ソフトウェアによって運用されていた
のであるが、例えば洗浄装置にプラズマアッシャを搭載
する場合には、洗浄装置側にプラズマアッシャのソフト
情報を開示して一体化した装置全体を運用するための統
合制御ソフトウェアを再構築する必要があった。
【0008】また、最近のφ300mm対応の基板処理
装置においては、全ての装置をホストコンピュータに接
続し、各装置の装置情報をホストコンピュータに伝達す
ることが規格によって義務付けられているが、ホストコ
ンピュータに設けられている接続ポートは各装置に対し
て1つずつであり、洗浄装置にプラズマアッシャを組み
込んで一体化した装置にてそれぞれを個別に制御してい
たのではホストコンピュータとの接続が出来ない。この
ような規格に対応するためにも統合制御ソフトウェアを
再構築する必要がある。
【0009】ところが、既に実績のある洗浄処理用およ
びアッシングのための専用の制御ソフトウェアを廃止し
て新たな統合制御ソフトウェアの再構築には多大な労力
と時間を要するという問題がある。
【0010】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、簡易な構成にて異なる処理を行う複数の処理部
を備えた基板処理装置を運用することができる基板処理
技術を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、それぞれが基板に異なる処理を
行う複数の処理部を備えた基板処理装置とホストコンピ
ュータとを通信ラインにて接続した基板処理システムに
おいて、前記ホストコンピュータから指示を受けて前記
複数の処理部のそれぞれを制御するとともに、前記複数
の処理部から取得された装置情報を前記ホストコンピュ
ータに伝達する中間コントローラと、前記中間コントロ
ーラと前記ホストコンピュータとを接続し、前記中間コ
ントローラと前記ホストコンピュータとの間でデータ通
信を行わせるホスト通信ラインと、前記中間コントロー
ラと前記複数の処理部とを個別に接続し、前記中間コン
トローラと前記複数の処理部のそれぞれとの間でデータ
通信を行わせる複数のローカル通信ラインと、を備え
る。
【0012】また、請求項2の発明は、請求項1の発明
にかかる基板処理システムにおいて、前記複数の処理部
に、基板に洗浄処理を行う洗浄部と、前記洗浄処理の直
前処理工程としての前処理を行う前処理部と、を含ませ
ている。
【0013】また、請求項3の発明は、請求項1または
請求項2の発明にかかる基板処理システムにおいて、前
記前処理を灰化処理とし、前記前処理部を灰化処理部と
している。
【0014】また、請求項4の発明は、それぞれが基板
に異なる処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置
において、装置外部のホストコンピュータから指示を受
けて前記複数の処理部のそれぞれを制御するとともに、
前記複数の処理部から取得された装置情報を前記ホスト
コンピュータに伝達する中間コントローラを備え、前記
中間コントローラと前記複数の処理部とを一体化して前
記基板処理装置内に組み込んでいる。
【0015】また、請求項5の発明は、請求項4の発明
にかかる基板処理装置において、前記複数の処理部に、
基板に洗浄処理を行う洗浄部と、前記洗浄処理の直前処
理工程としての前処理を行う前処理部と、を含ませてい
る。
【0016】また、請求項6の発明は、請求項4または
請求項5の発明にかかる基板処理装置において、前記前
処理を灰化処理とし、前記前処理部を灰化処理部として
いる。
【0017】
【発明の実施の形態】図1は、本発明にかかる基板処理
システムの構成の概要を示す図である。また、図2はこ
の基板処理システムの構成を示すブロック図である。こ
の基板処理システムは、1台のホストコンピュータ3と
3台の基板処理装置1とを通信ラインにて接続して構成
されている。そして、ホストコンピュータ(HOST)
3とそれぞれの基板処理装置1との間にはインラインコ
ントローラ(ILC)2が設けられている。ホストコン
ピュータ3とインラインコントローラ2とはホスト通信
ライン4によって接続されている。また、インラインコ
ントローラ2と基板処理装置1とはローカル通信ライン
5によって接続されており、より正確にはローカル通信
ライン5aによって基板処理装置1の洗浄処理部10と
インラインコントローラ2とが接続され、ローカル通信
ライン5bによって基板処理装置1の灰化処理部20と
インラインコントローラ2とが接続されている。なお、
図1においては、ホストコンピュータ3に3台の基板処
理装置1を接続しているが、ホストコンピュータ3に接
続する基板処理装置1の数は任意である。また、ローカ
ル通信ライン5a,5bを特に区別する必要のないとき
は、単にローカル通信ライン5と記載する。
【0018】ホストコンピュータ3は、通常のコンピュ
ータを用いて構成されており、その本体部であって演算
処理を行うCPU91と、読み出し専用メモリーである
ROM92と、読み書き自在のメモリーであるRAM9
3と、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく
磁気ディスク94と、外部との間で通信を行うインター
フェイス95とを備えている。CPU91と磁気ディス
ク94やインターフェイス95等とはバスライン99を
介して電気的に接続されている。そして、インターフェ
イス95にはホスト通信ライン4が接続されている。
【0019】インラインコントローラ2も通常のコンピ
ュータを用いて構成された制御ユニットであり、その本
体部であって演算処理を行うCPU81と、読み出し専
用メモリーであるROM82と、読み書き自在のメモリ
ーであるRAM83と、制御用ソフトウェアやデータな
どを記憶しておく磁気ディスク84と、外部との間で通
信を行うインターフェイス85,86とを備えている。
CPU81と磁気ディスク84やインターフェイス8
5,86等とはバスライン89を介して電気的に接続さ
れている。インターフェイス86は、ホストコンピュー
タ3と接続するためのインターフェイスであって、ホス
ト通信ライン4と接続されている。一方、インターフェ
イス85は、基板処理装置1と接続するためのインター
フェイスであって、ローカル通信ライン5a,5bと接
続されている。また、磁気ディスク84には、基板処理
装置1における処理手順や処理条件を記述したレシピが
格納されている。
【0020】図3は、基板処理装置1の構成を示す平面
図である。図4は、図3のV−V線に沿って見た断面図
である。なお、図3から図5にはそれらの方向関係を明
確にするため必要に応じてZ軸方向を鉛直方向とし、X
Y平面を水平面とするXYZ直交座標系を付している。
この基板処理装置1は、基板にアッシングを行った後、
引き続いてその基板に対して洗浄処理を行う装置であ
る。基板処理装置1は、インデクサIDと、洗浄処理部
10と、灰化処理部20と、搬送ロボットTRと、反転
部50とを備えている。
【0021】インデクサIDは、複数枚の基板を収納可
能なキャリアCを載置するとともに移載ロボットTFを
備え、未処理基板を当該キャリアCから取り出して搬送
ロボットTRに払い出すとともに処理済基板を搬送ロボ
ットTRから受け取ってキャリアCに収容する。それぞ
れのキャリアCには、多段の収納溝が刻設されており、
それぞれの溝には1枚の基板Wを水平姿勢にて(主面を
水平面に沿わせて)収容することができる。従って、各
キャリアCには、複数の基板W(例えば25枚)を水平
姿勢かつ多段に所定の間隔を隔てて積層した状態にて収
納することができる。なお、本実施形態のキャリアCの
形態としては、基板Wを密閉空間に収納するFOUP(f
ront opening unified pod)を採用しているが、これに
限定されるものではなく、SMIF(Standard Mechanic
al Inter Face)ポッドや収納基板Wを外気に曝すOC(o
pen casette)であっても良い。
【0022】各キャリアCの正面側(図中(−X)側)
には蓋が設けられており、当該蓋は基板Wの出し入れを
行えるように着脱可能とされている。キャリアCの蓋の
着脱は、図示を省略するポッドオープナーによって行わ
れる。キャリアCから蓋を取り外すことにより当該蓋部
分が基板通過可能な開口部となる。キャリアCに対する
基板Wの搬入搬出はこの開口部を介して行われる。な
お、キャリアCのインデクサIDへの載置およびインデ
クサIDからの搬出は、通常AGV(Automatic Guided
Vehicle)やOHT(over-head hoist transport)等によ
って自動的に行うようにしている。
【0023】移載ロボットTFは、後述する搬送ロボッ
トTR(図5)と類似する構成を備えている。移載ロボ
ットTFが後述の搬送ロボットTRと異なるのは、2本
の搬送アーム41a,41bではなくそれらと形状の異
なる1本の移載アーム75を備えている点と、ボールネ
ジとガイドレールとからなる図示省略のY軸方向駆動機
構を有することによって図3中矢印AR1にて示すよう
にY軸方向に沿った水平移動が可能である点であり、残
余の点については同じである。従って、移載ロボットT
Fは、移載アーム75を高さ方向に昇降動作させるこ
と、Y軸方向に沿って水平移動させること、回転動作さ
せることおよび水平方向に進退移動させることができ
る。つまり、移載ロボットTFは、移載アーム75を3
次元的に移動させることができるのである。
【0024】このような構成により、移載ロボットTF
は、各キャリアCから未処理の基板Wを取り出して搬送
ロボットTRに渡すことと、処理済みの基板Wを搬送ロ
ボットTRから受け取っていずれかのキャリアCに収容
することができる。
【0025】洗浄処理部10と灰化処理部20とは搬送
ロボットTRが配置された搬送路9を挟んで対向配置さ
れている。また、搬送路9の一端部はインデクサIDと
接触し、他端部には反転部50が配置されている。
【0026】洗浄処理部10は、表面スクラバーSSお
よび裏面スクラバーSSRをそれぞれ一つずつ備える。
表面スクラバーSSは、基板Wの表面(デバイス面)を
上側に向けて水平面内にて基板Wを回転させつつその表
面にリンス液(純水)を吐出して洗浄ブラシを当接また
は近接させることによって表面洗浄処理を行う。表面ス
クラバーSSは、基板Wの裏面(デバイス面とは反対側
の面)を真空吸着するいわゆるバキュームチャックを採
用している。
【0027】一方、裏面スクラバーSSRは、基板Wの
裏面を上側に向けて水平面内にて基板Wを回転させつつ
その裏面にリンス液(純水)を吐出して洗浄ブラシを当
接または近接させることによって裏面洗浄処理を行う。
裏面スクラバーSSRは、デバイス面を吸着保持するこ
とができないため、基板Wの周縁部を把持するいわゆる
メカチャックを採用している。
【0028】図4には裏面スクラバーSSRの一部構成
を示している。回転ベース11の上面には複数のピン1
2が立設されている。ピン12は保持される基板Wの外
周に沿って配置されており、図示を省略する開閉機構に
よって基板Wに対して開閉することができるようにされ
ている。すなわち、ピン12が基板Wの周縁に対して接
離するように構成されている。複数のピン12が基板W
の周縁部に接して押圧することにより、当該基板Wは回
転ベース11に水平姿勢にて保持される。一方、複数の
ピン12が基板Wの周縁部から離間した開放姿勢をとる
ことにより、回転ベース11から基板Wを取り出すこと
が出来るとともに、回転ベース11に新たな基板Wを渡
すことができる。
【0029】回転ベース11は鉛直方向に沿った回転軸
を中心として回転自在にモータ13に支持されている。
回転ベース11に基板Wを保持させた状態にてモータ1
3が回転ベース11を回転させることにより基板Wは水
平面内にて回転することとなる。
【0030】また、裏面スクラバーSSRには洗浄ブラ
シ14と純水吐出ノズル16とが設けられている。純水
吐出ノズル16は、図外の純水供給源と連通接続されて
いる。洗浄ブラシ14はブラシアーム15の先端に取り
付けられている。ブラシアーム15は図外の駆動機構に
よって昇降することと、水平面内にて揺動することとが
可能とされている。基板Wの裏面洗浄処理を行うときに
は、基板Wを回転させるとともに、その基板Wの上面
(裏面)に純水吐出ノズル16からリンス液として純水
を吐出しつつ洗浄ブラシ14を基板Wの裏面に当接また
は近接させた状態で、ブラシアーム15を揺動させるこ
とによって、基板Wの裏面に付着したパーティクル等の
汚染物質を除去する。なお、表面スクラバーSSもバキ
ュームチャックを採用している点を除いては裏面スクラ
バーSSRと同様の構成を有している。なお、表面スク
ラバーにおいてもいわゆるメカチャックを採用してもか
まわない。
【0031】灰化処理部20は、アッシングユニットA
SHにクールプレートCPを内蔵させて構成されてい
る。アッシングユニットASHは、プレート21(図
4)を内包する処理室と、その処理室内を真空排気する
真空システムと、処理室に酸素等の処理ガスを供給する
処理ガス供給機構と、高周波電界を印加してプラズマを
形成するプラズマ形成機構とを備えている。このような
構成により、アッシングユニットASHは、プレート2
1上に基板Wを載置した状態でその周辺を真空にして酸
素プラズマによりアッシング(灰化処理)を行うことが
できる。なお、既述したように、アッシングとは有機物
であるレジストを酸素プラズマによって気化する処理で
ある。
【0032】アッシングユニットASHに内蔵されたク
ールプレートCPは、プレートに載置した基板Wをペル
チェ素子または恒温水循環によって所定温度まで冷却す
る。ここでのクールプレートCPは、アッシングによっ
て昇温した基板Wを洗浄処理可能な温度にまで冷却する
ためのものである。
【0033】図4に示すように、本実施形態において
は、搬送路9を挟んで洗浄処理部10と灰化処理部20
とが同一の高さ位置に対向配置されている。なお、搬送
路9、洗浄処理部10および灰化処理部20の下方空間
は液配管や電気配線を収納するキャビネットとして機能
している。
【0034】洗浄処理部10と灰化処理部20とに挟み
込まれた搬送路9の中央部には搬送ロボットTRが配置
されている。図5は、搬送ロボットTRの外観斜視図で
ある。搬送ロボットTRは、伸縮体40の上部に2本の
搬送アーム41a,41bを備えたアームステージ45
を設けるとともに、伸縮体40によってテレスコピック
型の多段入れ子構造を実現している。
【0035】伸縮体40は、上から順に4つの分割体4
0a,40b,40c,40dによって構成されてい
る。分割体40aは分割体40bに収容可能であり、分
割体40bは分割体40cに収容可能であり、分割体4
0cは分割体40dに収容可能である。そして、分割体
40a〜40dを順次に収納していくことによって伸縮
体40は収縮し、逆に分割体40a〜40dを順次に引
き出していくことによって伸縮体40は伸張する。すな
わち、伸縮体40の収縮時においては、分割体40aが
分割体40bに収容され、分割体40bが分割体40c
に収容され、分割体40cが分割体40dに収容され
る。一方、伸縮体40の伸張時においては、分割体40
aが分割体40bから引き出され、分割体40bが分割
体40cから引き出され、分割体40cが分割体40d
から引き出される。
【0036】伸縮体40の伸縮動作は、その内部に設け
られた伸縮昇降機構によって実現される。伸縮昇降機構
としては、例えば、ベルトとローラとを複数組み合わせ
たものをモータによって駆動する機構を採用することが
できる。搬送ロボットTRは、このような伸縮昇降機構
によって搬送アーム41a,41bの昇降動作を行うこ
とができる。
【0037】また、搬送ロボットTRは、搬送アーム4
1a,41bの水平進退移動および回転動作を行うこと
もできる。具体的には、分割体40aの上部にアームス
テージ45が設けられており、そのアームステージ45
によって搬送アーム41a,41bの水平進退移動およ
び回転動作を行う。すなわち、アームステージ45が搬
送アーム41a,41bのそれぞれのアームセグメント
を屈伸させることにより搬送アーム41a,41bが水
平進退移動を行い、アームステージ45自体が伸縮体4
0に対して回転動作を行うことにより搬送アーム41
a,41bが回転動作を行う。
【0038】従って、搬送ロボットTRは、搬送アーム
41a,41bを高さ方向に昇降動作させること、回転
動作させることおよび水平方向に進退移動させることが
できる。つまり、搬送ロボットTRは、搬送アーム41
a,41bを3次元的に移動させて洗浄処理部10と灰
化処理部20との双方に対して基板Wの搬出入を行うこ
とができる。そして、基板Wを保持した搬送アーム41
a,41bが3次元的に移動してインデクサID、洗浄
処理部10、灰化処理部20および反転部50の間で基
板Wの受け渡しを行うことにより当該基板Wにアッシン
グおよび洗浄処理を行わせることができる。なお、既述
したように、インデクサIDの移載ロボットTFは、ア
ームの形状、個数およびY軸方向に沿って移動可能であ
る点を除いては搬送ロボットTRと同様の構成を有す
る。
【0039】搬送路9の端部に配置された反転部50
は、2つの反転ユニットREV1,REV2を2段に積
層して構成されている。反転ユニットREV1,REV
2は、いずれも基板Wの周縁部を把持して基板の上下面
を反転させることが可能に構成されている。反転ユニッ
トREV1,REV2は同様の機能を有するものである
が、本実施形態では反転ユニットREV1が基板Wの裏
面を上面に向けるために使用され、反転ユニットREV
2が基板Wの表面を上面に向けるために使用される。
【0040】以上のように、本実施形態では、洗浄処理
部10および灰化処理部20を1つの基板処理装置1に
一体化して組み込んでいる。すなわち、基板処理装置1
は従来別個独立した装置であった洗浄装置とプラズマア
ッシャとを一体化したものである。機械的なハードウェ
ア構成を一体化しても、ソフトウェアの一体化、つまり
統合制御ソフトウェアの再構築が困難であることは既述
した通りである。このため基板処理装置1では、図2に
示すように、洗浄処理部10および灰化処理部20のそ
れぞれに制御部31,32を設けている。
【0041】洗浄処理部10の制御部31は基板処理装
置1に内蔵されたコンピュータによって構成されてお
り、演算処理を行うためのCPU、メモリ、磁気ディス
ク等を備えている。制御部31は洗浄処理部10を構成
する各機構、例えば裏面スクラバーSSRのモータ13
を制御する。また、制御部31はインデクサID、搬送
ロボットTRおよび反転部50とも電気的に接続されて
おり、それらの各機構も制御部31によって制御されて
いる。換言すれば、制御部31は、従来の洗浄装置(い
わゆるスピンスクラバー)に設けられていた制御ユニッ
トと同じであり、従来の洗浄装置用の制御ソフトウェア
を実行することによって機能するものである。
【0042】一方、灰化処理部20の制御部32も基板
処理装置1に内蔵されたコンピュータによって構成され
ており、演算処理を行うためのCPU、メモリ、磁気デ
ィスク等を備えている。制御部32は灰化処理部20を
構成する各機構、例えば上述した真空システムや処理ガ
ス供給機構等を制御する。換言すれば、制御部32は、
従来のプラズマアッシャに設けられていた制御ユニット
と同じであり、従来のプラズマアッシャ用の制御ソフト
ウェアを実行することによって機能するものである。
【0043】洗浄処理部10の制御部31はローカル通
信ライン5aを介してインラインコントローラ2と接続
されている。また、灰化処理部20の制御部32はロー
カル通信ライン5bを介してインラインコントローラ2
と接続されている。
【0044】ホストコンピュータ3とインラインコント
ローラ2とはホスト通信ライン4を介して接続され、ホ
スト通信ライン4によってホストコンピュータ3とイン
ラインコントローラ2との間でデータ通信が行われる。
一方、インラインコントローラ2と基板処理装置1の洗
浄処理部10、灰化処理部20とはローカル通信ライン
5a,5bを介して接続され、ローカル通信ライン5
a,5bによってインラインコントローラ2と洗浄処理
部10、灰化処理部20のそれぞれとの間でデータ通信
が行われる。
【0045】以上のようにして、ホストコンピュータ3
と基板処理装置1との間にインラインコントローラ2を
設けるという本発明にかかる基板処理システムが構成さ
れる。次に、上記構成を有する基板処理システムにおけ
る基板処理装置1の処理内容について説明する。ここで
はまず、半導体等の製造工程の一部について簡単に説明
する。図6は、半導体製造工程の一部を示すフローチャ
ートである。図6においては、露光処理以前の工程につ
いては省略している。酸化膜の成膜、レジスト塗布、露
光処理が終了した基板には、露光された部分(または露
光されなかった部分)を現像液で溶かす現像処理が行わ
れる(ステップS1)。現像処理の後、エッチングによ
ってパターン形状に酸化膜を溶かす(ステップS2)。
エッチングには、フッ酸等の薬液を使用するウェットエ
ッチングとイオンを使用するドライエッチングとがあ
る。特にドライエッチングは微細回路に適しているが、
反応性イオンによってレジストの一部がポリマーに変質
して基板に付着するため、ポリマー除去のための洗浄を
行うことが多い(ステップS3)。
【0046】次に、基板のシリコン部分へのイオン注入
を行う(ステップS4)。イオン注入後、レジスト膜は
不要となるためレジスト剥離処理が行われる。このよう
なレジスト剥離のための処理がアッシング(ステップS
5)である。既述したように、アッシング後の基板には
レジスト膜の残存物質がパーティクルとして付着してい
るため、アッシング後の基板に対しては洗浄処理を行う
(ステップS6)。この後、保護膜の形成等を行い、最
終的な製品として仕上げる。
【0047】以上の製造工程のうち本実施形態の基板処
理装置1が行うのはアッシング(ステップS5)および
洗浄処理(ステップS6)である。つまり、基板処理装
置1は、洗浄処理とその直前の処理工程である灰化処理
とを連続して行うものである。
【0048】次に、基板処理装置1における処理につい
てさらに説明する。上述したように、基板処理装置1は
アッシングとその直後の洗浄処理とを行う装置であり、
イオン注入後の不要なレジスト膜が付着したままの基板
Wが未処理基板として複数枚キャリアCに収容された状
態で基板処理装置1のインデクサIDに搬入される。図
7は、基板処理装置1における基板Wの搬送手順の例を
示すフローチャートである。また、図8は、基板処理時
における上記基板処理システム内のデータ通信の内容を
示す図である。
【0049】図8に示すように、この基板処理システム
において基板処理装置1に基板処理を実行させるときに
は、まずあるロットについて適用するレシピをホストコ
ンピュータ3がインラインコントローラ2に指定する。
具体的には、ホストコンピュータ3がインラインコント
ローラ2にレシピ番号を送信したり新たに作成されたレ
シピデータそのものを送信したりする。なお、「レシ
ピ」とは基板Wの処理手順および処理条件を記述したも
のである。また、ホストコンピュータ3からのレシピの
指定がホスト通信ライン4を経由したデータ通信によっ
て行われることは勿論である。
【0050】次に、ホストコンピュータ3によって指定
されたレシピに基づいてインラインコントローラ2が洗
浄処理部10の制御部31および灰化処理部20の制御
部32のそれぞれに指示を与えるとともに、洗浄処理部
10と灰化処理部20との同期調整を行う。この内容に
ついて図7を参照しつつ説明する。
【0051】図7(a)に示す例では、インデクサID
の移載ロボットTFがキャリアCから1枚の未処理基板
Wを取り出して搬送ロボットTRに渡す。搬送ロボット
TRは、インデクサIDから渡された基板Wを灰化処理
部20のアッシングユニットASHに搬入する。このと
きに搬送ロボットTRが基板WをアッシングユニットA
SHに搬入する旨の報告が洗浄処理部10の制御部31
からインラインコントローラ2になされる。その報告を
受けたインラインコントローラ2は、灰化処理部20の
制御部32にアッシングの開始を指示する。アッシング
ユニットASHは、プレート21上に枚葉状態で基板W
を載置してアッシングを行う。アッシングが終了する
と、灰化処理部20の制御部32からアッシングが完了
した旨の報告がインラインコントローラ2になされる。
その報告を受けたインラインコントローラ2は、洗浄処
理部10の制御部31に搬送ロボットTRによって灰化
処理部20内のクールプレートCPに基板を搬送するよ
うに指示する。アッシング後の基板はそのまま洗浄する
には温度が高すぎるため、搬送ロボットTRによってク
ールプレートCPに移され、冷却されるのである。
【0052】その後、灰化処理部20内のクールプレー
トCPでの基板の冷却処理が完了すると、灰化処理部2
0の制御部32から基板の冷却処理が完了した旨の報告
がインラインコントローラ2になされる。その報告を受
けたインラインコントローラ2は、洗浄処理部10の制
御部31に搬送ロボットTRによって灰化処理部20内
のクールプレートCPから基板を搬出し、反転部50の
反転ユニットREV1に搬送するように指示する。この
指示を受けて、基板Wは搬送ロボットTRによって灰化
処理部20から反転部50の反転ユニットREV1に搬
入される。このときに搬送ロボットTRが基板Wを反転
部50に搬入する旨の報告が洗浄処理部10の制御部3
1からインラインコントローラ2になされる。その報告
を受けたインラインコントローラ2は、洗浄処理部10
の制御部31に洗浄処理の開始を指示する。
【0053】反転ユニットREV1は基板Wの上下面を
反転させて裏面を上面にする。上下反転された基板Wは
枚葉状態のまま搬送ロボットTRによって洗浄処理部1
0の裏面スクラバーSSRに搬入される。裏面スクラバ
ーSSRは、基板Wの裏面のスクラブ洗浄を行う。アッ
シング時に生じたパーティクルが基板Wの裏面に回り込
んで付着することがあり、裏面スクラバーSSRはその
ようなパーティクルを除去するのである。
【0054】裏面洗浄の後、基板Wは搬送ロボットTR
によって洗浄処理部10から反転部50の反転ユニット
REV2に搬入される。反転ユニットREV2は基板W
の上下面を反転させて表面を上面にする。上下反転され
た基板Wは枚葉状態のまま搬送ロボットTRによって洗
浄処理部10の表面スクラバーSSに搬入される。表面
スクラバーSSは、基板Wの表面のスクラブ洗浄を行
う。基板Wの表面にはアッシング後の残存物質がパーテ
ィクルとして付着しており、表面スクラバーSSはその
ようなパーティクルを除去する。
【0055】表面洗浄の後、基板Wは搬送ロボットTR
によって洗浄処理部10から再びインデクサIDに戻さ
れる。すなわち、処理済の基板Wは搬送ロボットTRか
らインデクサIDの移載ロボットTFに渡され、移載ロ
ボットTFがその基板WをキャリアCに収納する。やが
て、複数枚の処理済の基板Wが収納されたキャリアCは
基板処理装置1のインデクサIDから搬出されることと
なる。
【0056】また、基板処理装置1における基板Wの処
理手順は図7(b)のようにしても良い。図7(b)に
示す例では、インデクサIDの移載ロボットTFがキャ
リアCから1枚の未処理基板Wを取り出して搬送ロボッ
トTRに渡す。搬送ロボットTRは、インデクサIDか
ら渡された基板Wを灰化処理部20のアッシングユニッ
トASHに搬入する。このときに搬送ロボットTRが基
板WをアッシングユニットASHに搬入する旨の報告が
洗浄処理部10の制御部31からインラインコントロー
ラ2になされる。その報告を受けたインラインコントロ
ーラ2は、灰化処理部20の制御部32にアッシングの
開始を指示する。アッシングユニットASHは、プレー
ト21上に基板Wを載置してアッシングを行う。アッシ
ングが終了すると、灰化処理部20の制御部32からア
ッシングが完了した旨の報告がインラインコントローラ
2になされる。その報告を受けたインラインコントロー
ラ2は、洗浄処理部10の制御部31に搬送ロボットT
Rによって灰化処理部20内のクールプレートCPに基
板を搬送するように指示する。これによってアッシング
後の基板Wは搬送ロボットTRによってクールプレート
CPに移され、冷却される。
【0057】その後、灰化処理部20内のクールプレー
トCPでの基板の冷却処理が完了すると、灰化処理部2
0の制御部32から基板の冷却処理が完了した旨の報告
がインラインコントローラ2になされる。その報告を受
けたインラインコントローラ2は、洗浄処理部10の制
御部31に搬送ロボットTRによって灰化処理部20内
のクールプレートCPから基板を搬出し、洗浄処理部1
0の表面スクラバーSSに搬送するように指示する。こ
の指示を受けて、枚葉状態の基板Wは搬送ロボットTR
によって灰化処理部20から洗浄処理部10の表面スク
ラバーSSに搬入される。このときに搬送ロボットTR
が基板Wを表面スクラバーSSに搬入する旨の報告が洗
浄処理部10の制御部31からインラインコントローラ
2になされる。その報告を受けたインラインコントロー
ラ2は、洗浄処理部10の制御部31に洗浄処理の開始
を指示する。
【0058】表面スクラバーSSは、基板Wの表面のス
クラブ洗浄を行う。表面洗浄の後、基板Wは搬送ロボッ
トTRによって洗浄処理部10から反転部50の反転ユ
ニットREV1に搬入される。反転ユニットREV1は
基板Wの上下面を反転させて裏面を上面にする。上下反
転された基板Wは枚葉状態のまま搬送ロボットTRによ
って洗浄処理部10の裏面スクラバーSSRに搬入され
る。裏面スクラバーSSRは、基板Wの裏面のスクラブ
洗浄を行う。
【0059】その後、基板Wは搬送ロボットTRによっ
て洗浄処理部10から反転部50の反転ユニットREV
2に搬入される。反転ユニットREV2は基板Wの上下
面を反転させて表面を上面にする。上下反転された基板
Wは搬送ロボットTRによって反転ユニットREV2か
ら再びインデクサIDに戻される。すなわち、処理済の
基板Wは搬送ロボットTRからインデクサIDの移載ロ
ボットTFに渡され、移載ロボットTFがその基板Wを
キャリアCに収納する。
【0060】このようにレシピに従った処理を行うとき
に、インラインコントローラ2は、基板処理装置1に含
まれる処理部のうち灰化処理部20以外の処理部と灰化
処理部20との同期調整を行うのである。制御部31,
32はインラインコントローラ2の同期調整に従って、
それぞれが独自の動作制御、つまり洗浄処理のための動
作制御(インデクサID、洗浄処理部10、搬送ロボッ
トTRおよび反転部50の制御)とアッシングのための
動作制御(灰化処理部20の制御)とを行う。
【0061】また、基板Wの処理を行っているときに
は、制御部31,32がそれぞれ装置情報を取得する。
制御部31は、基板処理装置1に含まれる処理部のうち
灰化処理部20以外の処理部の装置情報、例えば裏面ス
クラバーSSRにおける実際の洗浄時間や基板Wの回転
数等を取得する。一方、制御部32は灰化処理部20の
装置情報、例えば処理室内の真空度や印加電圧を取得す
る。制御部31,32は、それぞれが取得した装置情報
をインラインコントローラ2に伝達する。
【0062】インラインコントローラ2は、制御部3
1,32のそれぞれから伝達された装置情報をまとめて
ホストコンピュータ3に伝達する。ホストコンピュータ
3は、インラインコントローラ2から伝達された基板処
理装置1に関する装置情報をデータベースとして磁気デ
ィスク94等に格納しておく。すなわち、インラインコ
ントローラ2は、ホストコンピュータ3からの指示を受
けて基板処理装置1内の洗浄処理部10、灰化処理部2
0等を制御するとともに、洗浄処理部10、灰化処理部
20等から取得された装置情報をホストコンピュータ3
に伝達するのである。
【0063】以上のように、インラインコントローラ2
を設けてこれに灰化処理部20とそれ以外の処理部との
同期調整を行わせれば、統合制御ソフトウェアを再構築
することなく簡易な構成にて洗浄処理部10と灰化処理
部20とを備えた基板処理装置1を運用することができ
る。
【0064】また、ホストコンピュータ3とインライン
コントローラ2との間は1本のホスト通信ライン4によ
って接続されているため基板処理装置1に対するホスト
コンピュータ3側の接続ポートが1つのままであったと
しても、インラインコントローラ2を介してホストコン
ピュータ3と基板処理装置1との間の通信を確保するこ
とができる。
【0065】また、洗浄処理の直前処理工程であるアッ
シングを行う灰化処理部20から洗浄処理を行う洗浄処
理部10の順に共通の搬送ロボットTRによって基板W
を枚葉状態で保持したまま搬送している。このため、装
置間搬送に要する無駄時間を無くすことができる。
【0066】また、アッシング後比較的短時間にて基板
Wの洗浄処理が行われることとなるため、アッシング後
に残ったパーティクルが基板に強固には付着しておら
ず、洗浄処理性能を向上させることができる。
【0067】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態においてはインラインコントロー
ラ2を基板処理装置1と別体としてホストコンピュータ
3と基板処理装置1との間に設けるようにしていたが、
インラインコントローラ2を基板処理装置1と一体に設
けるようにしても良い。
【0068】図9は、本発明にかかる基板処理システム
の構成の他の例を示す図である。この基板処理システム
では、インラインコントローラ2aを基板処理装置1内
に組み込んでいる。すなわち、インラインコントローラ
2aと洗浄処理部10、灰化処理部20とを一体化して
基板処理装置1内に組み込んでいる。なお、インライン
コントローラ2aの機能は上記実施形態のインラインコ
ントローラ2と同じであり、ホスト通信ライン4によっ
てホストコンピュータ3に接続される。但し、インライ
ンコントローラ2aと洗浄処理部10、灰化処理部20
等とは装置内配線によって接続されている。従って、イ
ンラインコントローラ2aは、基板処理装置1外部のホ
ストコンピュータ3から指示を受けて洗浄処理部10、
灰化処理部20等を制御するとともに、洗浄処理部1
0、灰化処理部20等から取得された装置情報をホスト
コンピュータ3に伝達する。
【0069】このようにしても、インラインコントロー
ラ2aによって灰化処理部20とそれ以外の処理部との
同期調整を行わせれば、統合制御ソフトウェアを再構築
することなく簡易な構成にて洗浄処理部10と灰化処理
部20とを備えた基板処理装置1を運用することができ
る。
【0070】また、ホストコンピュータ3とインライン
コントローラ2aとの間は1本のホスト通信ライン4に
よって接続されているため基板処理装置1に対するホス
トコンピュータ3側の接続ポートが1つのままであった
としても、インラインコントローラ2を介してホストコ
ンピュータ3と基板処理装置1との間の通信を確保する
ことができる。
【0071】また、上記実施形態においては、洗浄処理
部10と灰化処理部20とを1つの基板処理装置1に組
み込むようにしていたが、洗浄処理は半導体等の製造工
程において複数回行うものであり、洗浄処理部10と他
の処理部とを1つの装置内に組み込むようにしても良
い。例えば、酸化膜の成膜を行う成膜処理部、基板のエ
ッチングを行うエッチング処理部等と洗浄処理部と一体
化して1の装置内に組み込むようにしても良い。すなわ
ち、基板の洗浄処理を行う洗浄処理部と、洗浄処理の直
前処理工程に該当する処理を行う前処理部とを一体化し
て1の装置内に組み込み、それらとインラインコントロ
ーラ2とをローカル通信ライン5にてそれぞれ接続する
ようにすれば、上記実施形態と同様に、簡易な構成にて
異なる処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置を
運用することができる。
【0072】また、洗浄処理部と洗浄処理の直前処理工
程を実行する処理部とを一体化して基板処理装置1に組
み込むことに限定されるものではなく、それぞれが基板
に連続しない異なる処理を行う複数の処理部を一体化し
て基板処理装置1に組み込むようにしても良い。例え
ば、基板処理装置1にレジスト塗布処理を行う塗布処理
部と現像処理を行う現像処理部とフォトリソグラフィー
工程における基板検査を実行する検査部とを一体化して
組み込み、それらとインラインコントローラ2とをロー
カル通信ライン5にてそれぞれ接続するようにしても良
い。このようにしても、上記実施形態と同様に、簡易な
構成にて異なる処理を行う複数の処理部を備えた基板処
理装置を運用することができる。
【0073】さらに、上記実施形態においては、洗浄処
理部10を洗浄ブラシによって機械的な洗浄を行うスピ
ンスクラバーとしていたが、これに限定されるものでは
なく、超音波を付与した純水を基板に吹き付けることに
よって洗浄を行うユニット、高圧の純水を基板に吹き付
けることによって洗浄を行うユニット、液相に気相を混
合して基板に吹き付けることによって洗浄を行うユニッ
ト等によって洗浄処理部を構成するようにしても良い。
【0074】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項1の発明
によれば、ホストコンピュータから指示を受けて複数の
処理部のそれぞれを制御するとともに、複数の処理部か
ら取得された装置情報をホストコンピュータに伝達する
中間コントローラを備えるため、複数の処理部全体を制
御するための統合制御ソフトウェアを再構築することな
く簡易な構成にて異なる処理を行う複数の処理部を備え
た基板処理装置を運用することができる。
【0075】また、請求項2の発明によれば、複数の処
理部が基板に洗浄処理を行う洗浄部と洗浄処理の直前処
理工程としての前処理を行う前処理部とを含むため、簡
易な構成にて洗浄部と前処理部とを備えた基板処理装置
を運用することができる。
【0076】また、請求項3の発明によれば、前処理が
灰化処理であり、前処理部が灰化処理部であるため、簡
易な構成にて洗浄部と灰化処理部とを備えた基板処理装
置を運用することができる。
【0077】また、請求項4の発明によれば、装置外部
のホストコンピュータから指示を受けて複数の処理部の
それぞれを制御するとともに、複数の処理部から取得さ
れた装置情報をホストコンピュータに伝達する中間コン
トローラを備えるため、複数の処理部全体を制御するた
めの統合制御ソフトウェアを再構築することなく簡易な
構成にて異なる処理を行う複数の処理部を備えた基板処
理装置を運用することができる。
【0078】また、請求項5の発明によれば、複数の処
理部が基板に洗浄処理を行う洗浄部と洗浄処理の直前処
理工程としての前処理を行う前処理部とを含むため、簡
易な構成にて洗浄部と前処理部とを備えた基板処理装置
を運用することができる。
【0079】また、請求項6の発明によれば、前処理が
灰化処理であり、前処理部が灰化処理部であるため、簡
易な構成にて洗浄部と灰化処理部とを備えた基板処理装
置を運用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる基板処理システムの構成の概要
を示す図である。
【図2】図1の基板処理システムの構成を示すブロック
図である。
【図3】図1の基板処理システムの基板処理装置の構成
を示す平面図である。
【図4】図3のV−V線に沿って見た断面図である。
【図5】図3の基板処理装置の搬送ロボットの外観斜視
図である。
【図6】半導体製造工程の一部を示すフローチャートで
ある。
【図7】図1の基板処理装置における基板Wの搬送手順
の例を示すフローチャートである。
【図8】図1の基板処理システムにおけるデータ通信の
内容を示す図である。
【図9】本発明にかかる基板処理システムの構成の他の
例を示す図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置 2,2a インラインコントローラ 3 ホストコンピュータ 4 ホスト通信ライン 5 ローカル通信ライン 10 洗浄処理部 20 灰化処理部 50 反転部 ASH アッシングユニット C キャリア ID インデクサ SS 表面スクラバー SSR 裏面スクラバー TR 搬送ロボット W 基板

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 それぞれが基板に異なる処理を行う複数
    の処理部を備えた基板処理装置とホストコンピュータと
    を通信ラインにて接続した基板処理システムであって、 前記ホストコンピュータから指示を受けて前記複数の処
    理部のそれぞれを制御するとともに、前記複数の処理部
    から取得された装置情報を前記ホストコンピュータに伝
    達する中間コントローラと、 前記中間コントローラと前記ホストコンピュータとを接
    続し、前記中間コントローラと前記ホストコンピュータ
    との間でデータ通信を行わせるホスト通信ラインと、 前記中間コントローラと前記複数の処理部とを個別に接
    続し、前記中間コントローラと前記複数の処理部のそれ
    ぞれとの間でデータ通信を行わせる複数のローカル通信
    ラインと、を備えることを特徴とする基板処理システ
    ム。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の基板処理システムにおい
    て、 前記複数の処理部は、 基板に洗浄処理を行う洗浄部と、 前記洗浄処理の直前処理工程としての前処理を行う前処
    理部と、を含むことを特徴とする基板処理システム。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の基板処
    理システムにおいて、 前記前処理は灰化処理であり、前記前処理部は灰化処理
    部であることを特徴とする基板処理システム。
  4. 【請求項4】 それぞれが基板に異なる処理を行う複数
    の処理部を備えた基板処理装置であって、 装置外部のホストコンピュータから指示を受けて前記複
    数の処理部のそれぞれを制御するとともに、前記複数の
    処理部から取得された装置情報を前記ホストコンピュー
    タに伝達する中間コントローラを備え、 前記中間コントローラと前記複数の処理部とは一体化さ
    れて前記基板処理装置内に組み込まれることを特徴とす
    る基板処理装置。
  5. 【請求項5】 請求項4記載の基板処理装置において、 前記複数の処理部は、 基板に洗浄処理を行う洗浄部と、 前記洗浄処理の直前処理工程としての前処理を行う前処
    理部と、を含むことを特徴とする基板処理装置。
  6. 【請求項6】 請求項4または請求項5に記載の基板処
    理装置において、 前記前処理は灰化処理であり、前記前処理部は灰化処理
    部であることを特徴とする基板処理装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008510302A (ja) * 2004-08-12 2008-04-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体基板処理装置
US8137161B2 (en) 2007-03-23 2012-03-20 Showa Denko K.K. Disk-shaped substrate manufacturing method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08110805A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Kokusai Electric Co Ltd 多連型プロセス装置の制御システム
JPH0945610A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08110805A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Kokusai Electric Co Ltd 多連型プロセス装置の制御システム
JPH0945610A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008510302A (ja) * 2004-08-12 2008-04-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体基板処理装置
US8137161B2 (en) 2007-03-23 2012-03-20 Showa Denko K.K. Disk-shaped substrate manufacturing method

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