JP2003258112A

JP2003258112A - 半導体集積回路

Info

Publication number: JP2003258112A
Application number: JP2002062164A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Mashita; 博之真下
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-03-07
Filing date: 2002-03-07
Publication date: 2003-09-12

Abstract

(57)【要約】【課題】モニタすべき対象回路、その温度特性、又は
電源電圧等が変更される場合に、レイアウトの変更や回
路規模の大きな増加を伴うことなく対応できる温度検出
回路を内蔵した半導体集積回路を提供する。【解決手段】この半導体集積回路は、定電流を供給す
る定電流源１と、定電流源から定電流が供給される直列
接続された複数のダイオードＤ１〜Ｄ５と、複数のダイ
オードの内の所定のダイオードに並列に接続された電流
制御手段Ｑ１とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一般に半導体集積
回路に関し、特に、プリンタのサーマルヘッドやインク
ジェット方式のヘッド等の受動素子を駆動するために用
いられ、これらの受動素子又は半導体集積回路自身を温
度上昇による破壊から守るための温度検出回路を内蔵し
た半導体集積回路（ドライバＩＣ）に関する。

【０００２】

【従来の技術】プリンタのサーマルヘッドを駆動するた
めに、大電流を出力できるドライバＩＣが用いられる。
このようなドライバＩＣにおいては、サーマルヘッド又
はドライバＩＣを温度上昇による破壊から守るために、
温度検出回路（温度センサ）が内蔵されている。従来の
温度検出回路の構成の一部を図７に示す。

【０００３】図７に示すように、この温度検出回路は、
定電流源１０と、直列に接続されたダイオードＤ１１〜
Ｄ１５とを含んでいる。一般に、ダイオードの順方向電
圧Ｖ _Fは、次式に示すように温度の関数として表され
る。Ｖ_F＝（ｋＴ／ｑ）・ｌｎ｛（Ｉ＋Ｉ_S）／Ｉ_S｝ここで、ｋはボルツマン定数であり、Ｔは接合部の絶対
温度であり、ｑは電子の電荷であり、Ｉはダイオードを
流れる電流であり、Ｉ_Sは飽和電流（熱生成電流）であ
る。

【０００４】このように、ダイオードの順方向電圧Ｖ_F
は温度Ｔの関数であるので、図７に示すように、定電流
源１０によって電流Ｉを一定に保ちながらアノード端子
における電圧を測定することにより、温度によって変化
するモニタ電圧を求めることができる。その際に、複数
のダイオードＤ１１〜Ｄ１５を直列に接続して、各ダイ
オードの順方向電圧Ｖ_Fの変化量を加算すれば、モニタ
電圧の温度係数（絶対値）を大きくすることができる。

【０００５】図７に示す温度検出回路において、モニタ
電圧は、定電流源１０から出力される電流Ｉに対応する
各ダイオードの順方向電圧Ｖ_Fと、直列接続されるダイ
オードの個数とによって決定される。モニタ電圧に基づ
いて温度を判定することにより、サーマルヘッド又はド
ライバＩＣの温度が基準値を超えたことを検出して、ド
ライバＩＣからサーマルヘッドに供給される電流を制限
することができる。

【０００６】このような温度検出回路を回路構成の異な
るＩＣにおいて用いる場合、即ち、モニタすべき対象回
路、その温度特性、又は電源電圧等が変更される場合に
は、定電流源の出力電流値や直列接続されるダイオード
の個数を変更する必要がある。従来は、このような変更
が生じる都度、回路パターンのレイアウトを変更して新
たにマスクを起こすか、又は、このような変更を見越し
て、予め複数の回路をレイアウトに組み込んでおく必要
があった。

【０００７】また、ダイオードの順方向電圧Ｖ_Fはプロ
セス条件にも依存するため、狭い誤差範囲で規格を設定
した場合に、量産時のプロセスばらつきによっては温度
検出回路の評価において規格外であると判定され、半導
体集積回路の歩留まりの低下を引き起こすことがあっ
た。

【０００８】ところで、日本国特許出願公開（特開）平
４−１７５８０３号公報には、電源電圧検出回路におい
て検出電圧を任意に設定して精度の高い検出を行うため
に、電源電圧を分圧して複数の分圧出力を出力する電源
電圧分圧手段と、電源電圧分圧手段の複数出力の一を選
択する選択手段と、前記選択手段の出力と基準電圧との
電圧レベルを比較する比較手段と、比較手段の出力によ
って制御される計数手段と、計数手段のデータを記憶す
る記憶手段と、計数手段の出力及び記憶手段の出力を切
り換える切換手段と、外部の温度検出手段からのアナロ
グ信号をディジタルデータに変換するＡＤ変換手段とを
有し、切換手段の出力を選択手段の制御入力とし、ＡＤ
変換手段の出力データを記憶手段のアドレスデータとし
て構成することが開示されている。しかしながら、この
電源電圧検出回路は、温度を検出するためのものではな
く、また、電圧レベルの比較において基準電圧として用
いるダイオードの温度特性も選択可能ではない。

【０００９】さらに、特開平６−７６５７１号公報に
は、温度変化に起因したＭＯＳＦＥＴのスレッショルド
電圧の変動を補償することにより基準電位発生回路の出
力電位変動を抑制するために、正の電源線（外部電源電
圧レベルＶ_CC）と出力ノードとの間に抵抗素子を挿入
し、出力電位を帰還するように、ゲートが出力ノードに
接続され且つソースが接地線（接地電位Ｖ_SS）に接続さ
れたＮ型ＭＯＳＦＥＴを設け、ＭＯＳダイオードを構成
するように互いに直列接続された他の３つのＮ型ＭＯＳ
ＦＥＴを帰還用のＮ型ＭＯＳＦＥＴのドレインと出力ノ
ードとの間に挿入することが開示されている。しかしな
がら、この文献には、温度を検出することについては記
載されていない。

【００１０】また、特開平１−２１５０８０号公報に
は、高精度且つ対環境性の良いレーザダイオードの自動
出力調整回路を実現するために、レーザダイオードの光
量を検出し、その光量に応じた電流を出力するモニタフ
ォトダイオードと、該モニタフォトダイオードの出力を
検出し、その検出結果によってレーザダイオードへの出
力電流を制御する制御回路とを具備するレーザダイオー
ドの自動出力調整回路において、制御回路の最大出力電
流値を制御する信号出力を出力する温度検出回路を具備
することが開示されている。

【００１１】特開昭６３−１２８２７６号公報には、ダ
イオード等の素子特性を利用して温度変化を検出する際
に、作動温度の校正を自動化して大きなコスト増を招く
ことなく半導体集積回路チップの温度異常を検出するた
めに、温度変化に応じて出力が変化する第１の回路と、
上記第１の回路の出力を記憶する第２の回路と、上記第
１の回路の出力と上記第２の回路に記憶した内容とを比
較して半導体チップの温度又は温度変化の異常時に割込
信号を発生する第３の回路とを有する半導体集積回路装
置が開示されている。

【００１２】特開平１−２４４３７９号公報には、レー
ザダイオードの温度監視装置において、直接レーザダイ
オードの温度を検出していないために温度監視状況に誤
差が生じたり、温度センサの収容スペースを必要とする
ためにレーザダイオードのモジュールが大型化する等の
欠点を解消するために、レーザダイオードのバイアス電
流値を検出する検出手段と、該検出手段の検出出力をデ
ィジタル信号に変換するアナログ・ディジタル変換器
と、ディジタル信号によりアドレス指定を受けると共に
各アドレスにバイアス電流値と対応するレーザダイオー
ドの温度値をテーブルとして格納した読み出し用のメモ
リとを備えたことが開示されている。

【００１３】また、特開平８−２６５０４４号公報に
は、送信装置の周囲温度が高低変化することに伴う送信
周波数の変動を比較的簡単な構成によって効果的に抑止
可能とするために、共振子が組み込まれた発振回路を信
号源として利用する送信装置において、入力される変量
信号のレベルに応じて発振回路の発振周波数を調整可能
に設けられた周波数調整手段と、共振子の温度若しくは
これに近い温度を検出するように設けられた温度検出手
段と、共振子の温度係数を示す温度特性曲線データを予
め記憶している記憶手段と、この記憶手段に記憶された
温度特性曲線データに基づいて温度検出手段による検出
温度に対応した共振子の温度係数を得ると共に、その温
度係数に応じたレベルの変量信号を周波数調整手段に与
えることにより発振回路出力の温度補正を行う補正手段
とを備えることが開示されている。

【００１４】しかしながら、これらの文献には、温度検
出手段（モニタ、センサ）が基準として用いる基準電圧
を発生する回路素子において温度特性を選択することに
ついては、記載されていない。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上記の点に鑑み、本発
明は、モニタすべき対象回路、その温度特性、又は電源
電圧等が変更される場合に、回路パターンのレイアウト
の変更や回路規模の大きな増加を伴うことなく対応でき
る温度検出回路を内蔵した半導体集積回路を提供するこ
とを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明の第１の観点に係る半導体集積回路は、定電
流を供給する定電流源と、定電流源から定電流が供給さ
れる直列接続された複数のダイオードと、複数のダイオ
ードの内の所定のダイオードに並列に接続された電流制
御手段とを具備する。

【００１７】本発明の第１の観点によれば、ダイオード
群の温度特性が電流制御手段によって切り換えられるの
で、モニタすべき対象回路、その温度特性、又は電源電
圧等が変更される場合でも、回路パターンのレイアウト
を変更しないで対応できる。

【００１８】ここで、電流制御手段としては、ＭＯＳト
ランジスタを使用することができる。また、半導体集積
回路が、温度によって変化する複数のダイオードの両端
の電圧に基づいて温度を判定する温度判定手段をさらに
具備しても良い。

【００１９】さらに、半導体集積回路が、電流制御手段
を制御するための制御信号を供給する制御信号供給手段
をさらに具備しても良い。その場合に、半導体集積回路
が、外部から供給される入力データを印字ヘッドに転送
するデータ転送手段をさらに具備し、制御信号供給手段
が、入力データに付加された制御データをクロック信号
に同期してシフトさせるシフト手段と、シフト手段から
出力される制御データをラッチして電流制御手段に制御
信号として供給するラッチ手段とを含むようにしても良
い。このように、データ転送手段を活用しながら制御信
号供給手段を構成することにより、回路規模の大きな増
加を伴うことがない。

【００２０】あるいは、半導体集積回路が、電流制御手
段を制御するための制御信号を記憶する記憶手段をさら
に具備するようにしても良い。記憶手段としては、Ｅ²
ＰＲＯＭを使用することができる。

【００２１】以上において、半導体集積回路が、複数の
ダイオードの内の複数の所定のダイオードにそれぞれ並
列に接続されている複数の電流制御手段を具備するよう
にしても良い。あるいは、半導体集積回路が、複数のダ
イオードの内の所定のダイオードに並列に接続されてい
る複数の電流制御手段を具備するようにしても良い。

【００２２】また、本発明の第２の観点に係る半導体集
積回路は、定電流を供給する定電流源と、定電流源から
定電流が供給される直列接続された複数のダイオード
と、複数のダイオードの内の所定のダイオードに並列に
接続されたヒューズを含むインピーダンス素子とを具備
する。

【００２３】本発明の第２の観点によれば、直列接続さ
れた複数のダイオードの温度特性がヒューズを切断する
ことによって切り換えられるので、量産時のプロセスば
らつきによる歩留まり低下を防ぐことができる。

【００２４】ここで、半導体集積回路が、温度によって
変化する複数のダイオードの両端の電圧に基づいて温度
を判定する温度判定手段をさらに具備しても良い。

【００２５】以上において、半導体集積回路が、複数の
ダイオードの内の複数の所定のダイオードにそれぞれ並
列に接続されている複数のインピーダンス素子を具備す
るようにしても良い。あるいは、半導体集積回路が、複
数のダイオードの内の所定のダイオードに並列に接続さ
れている複数のインピーダンス素子を具備するようにし
ても良い。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態について説明する。なお、同一の構成要素には
同一の参照番号を付して、説明を省略する。図１は、本
発明の第１の実施形態に係る半導体集積回路及び周辺回
路の構成の一部を示す図である。本実施形態に係る半導
体集積回路は、プリンタのサーマルヘッドを駆動するド
ライバＩＣであり、温度を検出してサーマルヘッド又は
ドライバＩＣを温度上昇による破壊から守るための温度
検出回路を含んでいる。

【００２７】図１に示すように、この温度検出回路は、
定電流を供給する定電流源１と、定電流源１から定電流
が供給される直列接続された複数のダイオードＤ１〜Ｄ
５と、ダイオードＤ１〜Ｄ５の内の所定のダイオード
（図１においてはダイオードＤ１）に並列に接続された
ＭＯＳトランジスタ（以下、単にトランジスタという）
Ｑ１と、トランジスタＱ１にゲート電圧を供給する制御
信号供給回路４と、ダイオードＤ５のアノードに接続さ
れたアノード端子とを有している。この温度検出回路
は、ダイオードの順方向電圧が温度の関数として変化す
ることを利用しており、直列接続された複数のダイオー
ドの一端の電圧をモニタ電圧としてアノード端子から出
力する。ここで、トランジスタＱ１と制御信号供給回路
４を用いることにより、ダイオード群Ｄ１〜Ｄ５の温度
特性を可変としている。

【００２８】この温度検出回路のアノード端子には、温
度判定回路２が接続されている。温度判定回路２は、温
度によって変化するモニタ電圧に基づいて温度を判定す
ることにより、異常な温度上昇を検出する。なお、半導
体集積回路内に温度判定回路２を設けるようにしても良
い。

【００２９】さらに、本実施形態に係る半導体集積回路
は、外部から供給される入力データをサーマルヘッドに
転送するデータ転送回路３を含んでいる。データ転送回
路３は、入力データをクロック信号に同期してシフトさ
せる複数のＤフリップフロップ３１と、複数のＤフリッ
プフロップ３１から出力されるデータをそれぞれラッチ
して印字データとして出力する複数のラッチ回路３２と
を有している。

【００３０】データ転送回路３に供給される入力データ
には、トランジスタＱ１を制御するための制御データが
付加されている。制御信号供給回路４は、データ転送回
路３の終段のＤフリップフロップから出力される制御デ
ータをクロック信号に同期してシフトさせるＤフリップ
フロップ４１と、Ｄフリップフロップ４１から出力され
る制御データをラッチして、トランジスタＱ１のゲート
に制御信号として供給するラッチ回路４２とを有してい
る。このように、データ転送回路３を活用しながら制御
信号供給回路４を構成することにより、回路規模の大き
な増加を伴うことがない。

【００３１】ダイオードＤ１に並列に接続されているト
ランジスタＱ１は、制御信号供給回路４から出力される
ハイレベル又はローレベルの制御信号に従って、オン又
はオフ状態となる。トランジスタＱ１がオフ状態である
ときには、アノード端子に発生するモニタ電圧は、ダイ
オード５個分の温度特性を有している。一方、トランジ
スタＱ１が完全にオン状態であるときには、アノード端
子に発生するモニタ電圧は、ダイオード４個分の温度特
性を有している。このようにして、モニタ電圧の温度特
性が切り換えられる。あるいは、トランジスタＱ１のサ
イズを調整することにより、トランジスタＱ１に流れる
電流とダイオードＤ１に流れる電流との比を調整して、
所望のモニタ電圧値を得ることもできる。

【００３２】本実施形態によれば、従来の温度検出回路
にトランジスタ及び制御信号供給回路を追加するだけで
良いので、これらのレイアウトに必要な面積はわずかで
足りる。また、制御信号供給回路の入力信号としては、
サーマルヘッドで使用する印字データに付加された制御
データを使用するので、ドライバＩＣに入力パッド等を
新たに設ける必要がなく、配線も簡単で済む。

【００３３】なお、本実施形態においては、トランジス
タＱ１が、最も接地電位側にあるダイオードＤ１と並列
に接続されているが、トランジスタを接続する位置はこ
れに限られるものではなく、任意のダイオードと並列に
接続することができる。

【００３４】次に、本発明の第２の実施形態に係る半導
体集積回路について、図２を参照しながら説明する。本
実施形態に係る半導体集積回路は、定電流源に直列接続
された複数のダイオードに、複数のトランジスタをそれ
ぞれ並列に接続したものである。

【００３５】図２に示すように、複数のトランジスタＱ
１〜Ｑ３が、複数のダイオードＤ１〜Ｄ３にそれぞれ並
列に接続されている。トランジスタＱ１〜Ｑ３のゲート
には、制御信号供給回路５から複数の制御信号がそれぞ
れ供給されている。制御信号供給回路５は、これらの制
御信号を供給するために、データ転送回路３の終段のＤ
フリップフロップから出力される制御データをクロック
信号に同期してシフトさせる複数のＤフリップフロップ
５１と、これらのＤフリップフロップ５１から出力され
る制御データをラッチして、トランジスタＱ１〜Ｑ３の
ゲートに制御信号として供給する複数のラッチ回路５２
とを有している。

【００３６】このように、制御信号供給回路５から供給
される制御信号を切り換えて、オン状態にするトランジ
スタの数を選択することにより、モニタ電圧を様々な値
に設定することができる。また、制御信号の出力タイミ
ングを変化させることにより、ダイオード１個分に流れ
る電流の値を細かく制御することができるので、モニタ
電圧値を細分して設定することも可能である。

【００３７】本実施形態によれば、同一の温度検出回路
を回路構成の異なるＩＣにおいて用いる場合、即ち、モ
ニタすべき対象回路、その温度特性、又は電源電圧等が
変更される場合においても、ＩＣのレイアウトを変更す
ることなく、制御信号の設定だけでモニタ電圧値を変更
することができる。さらに、同一のＩＣを電源電圧が異
なる複数のシステムで使用する場合においても、制御信
号を切り換えるだけで使用することが可能となる。

【００３８】なお、本実施形態においても、トランジス
タを接続する位置は図２に示す位置に限られるものでは
なく、任意の数のトランジスタを、任意の数のダイオー
ドと並列に接続することができる。

【００３９】次に、本発明の第３の実施形態に係る半導
体集積回路について、図３を参照しながら説明する。本
実施形態に係る半導体集積回路は、定電流源に直列接続
された複数のダイオードのいずれかに、複数のトランジ
スタを並列に接続したものである。

【００４０】図３に示すように、複数のトランジスタＱ
１１〜Ｑ１３が、ダイオードＤ１に並列に接続されてい
る。本実施形態においては、ダイオードに接続されるト
ランジスタとして、能力の小さい、即ち、サイズの小さ
いものを用いることが望ましい。１つのダイオードに対
して複数のトランジスタが並列に接続されるので、能力
の大きいトランジスタを用いると、電流が完全にダイオ
ードをパスしてしまうからである。具体的には、電流供
給能力としてはダイオードに流れる定電流の半分程度で
あり、オン抵抗としては数ｋΩ〜数十ｋΩ程度のものが
用いられる。トランジスタＱ１１〜Ｑ１３のゲートに
は、第２の実施形態におけるのと同様の制御信号供給回
路から複数の制御信号Ｓ１〜Ｓ３がそれぞれ供給され
る。

【００４１】図３及び図４を参照しながら、本実施形態
に係る半導体集積回路の動作について説明する。図４
は、図３に示す半導体集積回路の動作におけるタイムチ
ャートである。制御信号供給回路から供給される制御信
号Ｓ１〜Ｓ３は、図４に示すようにハイレベル又はロー
レベルをとる。また、モニタ電圧Ｖ（５）は、ダイオー
ド５個分の順方向電圧を示し、モニタ電圧Ｖ（４）は、
ダイオード４個分の順方向電圧を示している。ここで、
モニタ電圧Ｖ（５）とモニタ電圧Ｖ（４）との差は、ダ
イオード１個分の順方向電圧に相当する。

【００４２】図３において、トランジスタＱ１１〜Ｑ１
３の全てがオフ状態であるとき、ダイオードＤ２からの
電流は、全てダイオードＤ１に流れる。このとき、ダイ
オードＤ１の端子間電圧はＶ₀であり、モニタ電圧はＶ
（５）である。

【００４３】ここで、図４に示すように、時刻Ｔ₁にお
いて制御信号Ｓ１がハイレベルになると、トランジスタ
Ｑ１１がオンになり、ダイオードＤ１に流れていた電流
の一部がトランジスタＱ１１に分流する。このとき、ダ
イオードＤ１の端子間電圧はＶ₁となる。

【００４４】次に、時刻Ｔ₂において制御信号Ｓ２がハ
イレベルになると、トランジスタＱ１２がオンになり、
ダイオードＤ１及びトランジスタＱ１１に流れていた電
流の一部がトランジスタＱ１２に分流する。このとき、
ダイオードＤ１の端子間電圧はＶ₂となる。

【００４５】さらに、時刻Ｔ₃において制御信号Ｓ３が
ハイレベルになると、トランジスタＱ１３がオンにな
り、ダイオードＤ１及びトランジスタＱ１１、Ｑ１２に
流れていた電流の一部がトランジスタＱ１３に分流す
る。このとき、ダイオードＤ１の端子間電圧はＶ₃とな
る。

【００４６】次に、時刻Ｔ₄において制御信号Ｓ１〜Ｓ
３がローレベルになると、トランジスタＱ１１〜Ｑ１３
はオフ状態となり、ダイオードＤ１には電流Ｉが流れ
る。これにより、ダイオードＤ１の端子間電圧はＶ₀と
なり、モニタ電圧は再び最初の値Ｖ（５）に戻る。

【００４７】このように、本実施形態によれば、複数の
トランジスタにタイミングをずらして制御信号を入力で
きるので、モニタ電圧値を複数の段階において設定する
ことが可能である。また、サイズの小さいトランジスタ
を用いるので、チップ面積の増大を抑えることができ
る。

【００４８】次に、本発明の第４の実施形態に係る半導
体集積回路について、図５を参照しながら説明する。図
５に示すように、本実施形態に係る半導体集積回路は、
これまでの実施形態において用いた制御信号供給回路の
替わりに、記憶手段としてＥ²ＰＲＯＭ６を設けたもの
である。即ち、制御信号供給回路から供給される制御信
号の替わりに、Ｅ²ＰＲＯＭ６に記憶されている制御信
号によってトランジスタＱ１１、Ｑ１２、…を制御す
る。

【００４９】図５に示す回路において、モニタ電圧の実
測値と規格値との差に応じて、Ｅ²ＰＲＯＭ６に記憶さ
れる制御データが設定される。Ｅ²ＰＲＯＭ６から読み
出された制御データは、トランジスタＱ１１、Ｑ１２、
…に制御信号として供給されて、これらのトランジスタ
がオン又はオフ状態となる。これにより、トランジスタ
のオン抵抗とダイオードＤ１の抵抗との比によってダイ
オードに流れる電流が決定され、モニタ電圧が合わせ込
まれる。

【００５０】本実施形態によれば、Ｅ²ＰＲＯＭを用い
てダイオードの温度特性を合わせ込むことができるの
で、モニタ電圧の精度とＩＣの歩留まりを向上させるこ
とができる。また、モニタ電圧の補正をプログラマブル
に行うことができるので、温度検出回路をアプリケーシ
ョンに組み込んだ後でモニタ電圧の設定を変える必要が
生じたときでも、Ｅ²ＰＲＯＭに記憶する制御データの
内容を変更するだけで対応できる。

【００５１】次に、本発明の第５の実施形態に係る半導
体集積回路について、図６を参照しながら説明する。本
実施形態における半導体集積回路は、量産時のプロセス
によるバラツキを補償することができるものである。図
６に示すように、この温度検出回路においては、直列に
接続された複数のダイオードの内で最も接地電位側にあ
るダイオードＤ１に、ヒューズと抵抗とを含むインピー
ダンス素子が複数個並列に接続されている。即ち、ダイ
オードＤ１の両端には、ヒューズＨ１と抵抗Ｒ１とを含
むインピーダンス素子、ヒューズＨ２と抵抗Ｒ２とを含
むインピーダンス素子等が並列に接続されている。

【００５２】モニタ電圧の合わせ込みは、次のようにし
て行われる。ドライバＩＣのＤＣチェックにおいて、ヒ
ューズＨ１、Ｈ２、…の内の幾つかが、モニタ電圧の実
測値と規格値との差異に応じて切断される。これによ
り、ダイオードＤ１の端子間に接続されている抵抗Ｒ
１、Ｒ２、…のインピーダンス（抵抗値）が決定され
る。ダイオードＤ１に流れる電流は、接続されている抵
抗のトータルの抵抗値と、ダイオードＤ１の抵抗値との
比によって決定され、これによりモニタ電圧が合わせ込
まれる。

【００５３】本実施形態によれば、ＤＣチェックにおい
てモニタ電圧の合わせ込みを行うことにより、モニタ電
圧の精度を向上させることができる。その結果、プロセ
スのバラツキによる製品の規格外判定を減少させて、歩
留まり低下を防ぐことが可能である。

【００５４】なお、本実施形態においては、ヒューズと
抵抗とを含むインピーダンス素子が、最も接地電位側に
あるダイオードＤ１と並列に接続されているが、インピ
ーダンス素子を接続する位置はこれに限られるものでは
なく、任意の１つ又は複数のダイオードと並列に接続す
ることができる。

【００５５】

【発明の効果】以上述べた様に、本発明によれば、複数
のダイオード直列回路の温度特性が電流制御手段によっ
て切り換えられるので、モニタすべき対象回路、その温
度特性、又は電源電圧等が変更される場合でも、回路パ
ターンのレイアウトを変更しないで対応できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体集積回路
及び周辺回路の構成の一部を示す図である。

【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体集積回路
及び周辺回路の構成の一部を示す図である。

【図３】本発明の第３の実施形態に係る半導体集積回路
及び周辺回路の構成の一部を示す図である。

【図４】図３に示す半導体集積回路の動作におけるタイ
ムチャートである。

【図５】本発明の第４の実施形態に係る半導体集積回路
及び周辺回路の構成の一部を示す図である。

【図６】本発明の第５の実施形態に係る半導体集積回路
及び周辺回路の構成の一部を示す図である。

【図７】従来の温度検出回路の構成の一部を示す図であ
る。

【符号の説明】

１、１０定電流源２温度判定回路３データ転送回路４、５制御信号供給回路６Ｅ²ＰＲＯＭＨ１、Ｈ２、… ヒューズＲ１、Ｒ２、… 抵抗Ｄ１〜Ｄ５、Ｄ１１〜Ｄ１５ダイオードＱ１〜Ｑ３、Ｑ１１、Ｑ１２、… ＭＯＳトランジスタ３１、４１、５１Ｄフリップフロップ３２、４２、５２ラッチ回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】定電流を供給する定電流源と、前記定電流源から定電流が供給される直列接続された複
数のダイオードと、前記複数のダイオードの内の所定のダイオードに並列に
接続された電流制御手段と、を具備する半導体集積回
路。
【請求項２】前記電流制御手段がＭＯＳトランジスタ
を含む、請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項３】温度によって変化する前記複数のダイオ
ードの両端の電圧に基づいて温度を判定する温度判定手
段をさらに具備する請求項１又は２記載の半導体集積回
路。
【請求項４】前記電流制御手段を制御するための制御
信号を供給する制御信号供給手段をさらに具備する請求
項１〜３のいずれか１項記載の半導体集積回路。
【請求項５】外部から供給される入力データを印字ヘ
ッドに転送するデータ転送手段をさらに具備し、前記制御信号供給手段が、入力データに付加された制御
データをクロック信号に同期してシフトさせるシフト手
段と、前記シフト手段から出力される制御データをラッ
チして前記電流制御手段に制御信号として供給するラッ
チ手段とを含む、請求項４記載の半導体集積回路。
【請求項６】前記電流制御手段を制御するための制御
信号を記憶する記憶手段をさらに具備する請求項１〜３
のいずれか１項記載の半導体集積回路。
【請求項７】前記記憶手段がＥ²ＰＲＯＭを含む、請
求項６記載の半導体集積回路。
【請求項８】前記複数のダイオードの内の複数の所定
のダイオードにそれぞれ並列に接続されている複数の電
流制御手段を具備する請求項１〜７のいずれか１項記載
の半導体集積回路。
【請求項９】前記複数のダイオードの内の所定のダイ
オードに並列に接続されている複数の電流制御手段を具
備する請求項１〜７のいずれか１項記載の半導体集積回
路。
【請求項１０】定電流を供給する定電流源と、前記定電流源から定電流が供給される直列接続された複
数のダイオードと、前記複数のダイオードの内の所定のダイオードに並列に
接続されたヒューズを含むインピーダンス素子と、を具
備する半導体集積回路。
【請求項１１】温度によって変化する前記複数のダイ
オードの両端の電圧に基づいて温度を判定する温度判定
手段をさらに具備する請求項１０記載の半導体集積回
路。
【請求項１２】前記複数のダイオードの内の複数の所
定のダイオードにそれぞれ並列に接続されている複数の
インピーダンス素子を具備する請求項１０又は１１記載
の半導体集積回路。
【請求項１３】前記複数のダイオードの内の所定のダ
イオードに並列に接続されている複数のインピーダンス
素子を具備する請求項１０又は１１記載の半導体集積回
路。