JP2003258057A

JP2003258057A - 基板の搬送方法

Info

Publication number: JP2003258057A
Application number: JP2002051783A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Yuasa; 光博湯浅; Koji Honma; 孝治本間
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Chemitronics Co Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Chemitronics Co Ltd
Priority date: 2002-02-27
Filing date: 2002-02-27
Publication date: 2003-09-12

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は薄型化した基板を搬送するのに適し
た基板の搬送方法に関し、薄型化された基板であっても
平坦性を維持しつつ搬送を行ない得ると共にパーティク
ルの基板への付着を防止することを課題とする。【解決手段】ステージ１１の真空チャック１２がウェ
ハＷを保持している状態において搬送装置４０が静電チ
ャック４３をウェハＷに装着する工程と、真空チャック
１２がウェハＷを保持している状態中に静電チャック４
３を駆動してウェハＷを搬送装置４０に保持し、その後
に真空チャック１２によるウェハＷの保持を解除すると
共に真空チャック１２からガスをウェハＷに向け噴出す
る工程と、ステージ１１からステージ３３上へウェハＷ
を搬送する工程と、静電チャック４３がウェハＷを保持
している状態中に静電チャック３４を駆動してウェハＷ
をステージ３３に保持し、その後に静電チャック４３か
らウェハＷに向けガス噴射を行ないつつ、静電チャック
４３によるウェハＷの保持を解除する工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基板の搬送方法に係
り、特にバックグラインドされることにより薄型化した
基板を搬送するのに適した基板の搬送方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に半導体装置の製造工程は複雑であ
り、ウェハ（基板）は工程毎に当該工程を実施する製造
装置に搬送され所定の処理が実施される。このため、半
導体製造工場には、各半導体製造装置間でウェハを搬送
する搬送装置が配設されている。

【０００３】この種の基板搬送装置としては、例えば特
開平４−１５７７５１号公報に開示されたものがある。
同公報に開示された搬送装置は、クーロン力でウェハを
吸着（チャック）する構成とされている。そして、次の
手順により第１の位置から第２の位置へウェハを搬送す
る方法が採られていた。

【０００４】即ち、先ず搬送フォークを第１の位置まで
移動させ、その上でウェハを搬送フォーク上に装着す
る。次に、搬送フォークに設けられているウェハ保持部
（静電チャック）に電圧供給して、装着されたウェハを
クーロン力により保持する。

【０００５】続いて、ウェハを保持した搬送フォークを
第２の位置へ移動させ、その上で電圧印加を停止してウ
ェハ保持部によるウェハの静電チャックを解除する。次
に、第２の位置に設けられているウェハ保持部を駆動し
て、搬送フォーク上のウェハを第２の位置に保持させ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年では携
帯機器等の電子機器の小型薄型化に伴い、半導体装置の
薄型化も図られている。このため、ウェハの背面（回路
形成面と反対側の面）を研削（バックグラインド）し、
これにより半導体装置の薄型化を図ることが行なわれて
いる。

【０００７】しかしながら、この薄型化されたウェハを
上記した搬送装置を用いて搬送する場合、第１の位置か
ら搬送フォークにウェハを移す際、また搬送フォークか
ら第２の位置へウェハを移す際、ウェハにはウェハの平
坦を維持するための力（クーロン力等）が何ら作用しな
い時が存在する。

【０００８】上記のように薄型化されたウェハは、回路
形成面（配線等による金属膜が多く形成されている）に
対し背面は配線等が形成されていないため、回路形成面
と背面で応力が異なっている。このため、薄型化された
ウェハは反り易い状態となっている。このため、上記の
ようにウェハを保持するための力が作用しない時が存在
すると、この時にウェハに反りや曲がりが発生してしま
い、搬送後に実施される処理が良好に実施されなくなる
おそれがあるという問題点があった。

【０００９】また、搬送装置は、搬送フォークのウェハ
保持部（静電チャック）が直接ウェハと接触するため、
塵埃（パーティクル等）がウェハ保持部に付着して静電
チャックの吸着力が低減してしまう。また、パーティク
ルの付着量が多くなると、パーティクルがウェハ保持部
からウェハに付着してしまい、ウェハが汚染してしまう
という問題点があった。これは、第１の位置及び第２の
位置に設けられたウェハ保持部においても同様な問題点
が生じる。

【００１０】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、薄型化された基板であっても平坦性を維持しつつ
搬送を行ない得ると共にパーティクルの基板への付着を
防止し得る基板の搬送方法を提供することを目的とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。

【００１２】請求項１記載の発明は、第１の基板保持機
構と第１の流体噴出機構とを有する第１の基台から、第
２の基板保持機構を有する第２の基台へ、第３の基板保
持機構と第２の流体噴出機構とを有する搬送装置を用い
て基板を搬送する基板の搬送方法において、前記第１の
基板保持機構が前記基板を保持している状態において、
前記搬送装置が前記第３の基板保持機構を前記基板に装
着する工程と、前記第１の基台が前記基板を保持してい
る状態中に、前記第３の基板保持機構を駆動して前記基
板を前記搬送装置に保持し、その後に前記第１の基板保
持機構による前記基板の保持を解除すると共に前記第１
の流体噴出機構から流体噴出を行なう工程と、前記第１
の基台から第２の基台へ前記基板を搬送し、該基板を前
記第２の基板保持機構に装着する工程と、前記第３の基
台が前記基板を保持している状態中に、前記第２の基板
保持機構を駆動して前記基板を前記第２の基台に保持
し、その後に前記第２の流体噴出機構からの流体噴出
と、前記第３の基板保持機構による前記基板の保持の解
除とを行なう工程とを有することを特徴とするものであ
る。

【００１３】上記発明によれば、第１の基板保持機構に
よる基板の保持を解除する際、第１の流体噴出機構から
流体噴出が行われるため、第１の基板保持機構に付着し
た塵埃（パーティクル等）は流体が噴出により除去され
る。同様に、第３の基板保持機構による基板の保持を解
除する際、第２の流体噴出機構から流体噴出を行ないつ
ため、第３の基板保持機構に付着した塵埃も流体噴出に
より除去される。このように、各保持機構に塵埃が付着
するのを防止できることにより、各保持機構の吸引力の
経時的な低下を防止することができ、また基板に各保持
機構から塵埃が付着することを防止することができる。

【００１４】また上記発明では、基板を第１の基台から
搬送装置に受け渡す際、第１の基台が基板を保持してい
る状態中に第３の基板保持機構を駆動して基板を搬送装
置に保持し、その後に第１の基板保持機構による基板の
保持を解除するため、基板には常に吸引力が印加された
状態を維持している。

【００１５】また、基板を搬送装置から第２の基台に受
け渡す際、搬送装置が基板を保持している状態中に第２
の基板保持機構を駆動して基板を第２の基台に保持し、
その後に第３の基板保持機構による基板の保持を解除す
る。

【００１６】このため、基板を搬送装置から第２の基台
に受け渡す時においても、基板には常に吸引力が印加さ
れる。これにより、基板に反りや曲がりが発生すること
を防止でき、よって搬送時における基板の平坦性を維持
することができる。

【００１７】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の基板の搬送方法において、更に、前記搬送装置に設
けられた第３の基板保持機構を洗浄する洗浄工程を有す
ることを特徴とするものである。

【００１８】上記発明によれば、搬送装置に設けられた
第３の基板保持機構を洗浄する洗浄工程を設けたことに
より、基板を直接搬送する第３の基板保持機構に付着し
た塵埃を確実に洗浄できるため、第３の基板保持機構か
ら基板に塵埃か付着することを確実に防止できると共
に、第１及び第２の保持機構に塵埃が付着することも防
止できる。

【００１９】また、請求項３記載の発明は、請求項１ま
たは２記載の基板の搬送方法において、前記基板は、バ
ックサイドエッチング処理が実施された後に、前記第１
の基板保持機構に保持されることを特徴とする基板の搬
送方法。

【００２０】上記のように、本発明はバックグラインド
処理が実施されることにより薄型化がされ、これにより
反り易くなった基板に適用した場合に効果的である。

【００２１】また、請求項４記載の発明は、請求項１乃
至３のいずれか１項に記載の基板の搬送方法において、
少なくとも前記第１または第２の基台のいずれか一方
と、前記搬送装置とを減圧室に配設すると共に、減圧室
に配設された基台に設けられた基板保持機構と、前記第
３の基板保持機構を静電チャックとしたことを特徴とす
る基板の搬送方法。

【００２２】上記発明によれば、第３の基板保持機構を
静電チャックとしたことにより、第１または第２の基台
のいずれか一方と搬送装置とを減圧室に配設しても、基
板を確実に搬送することができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１は、本発明の一実施例であ
る基板の搬送方法を説明するための工程図である。図１
は、本発明の一実施例である基板の搬送方法に用いる処
理装置を示す構成図である。

【００２４】処理装置はウェハＷに対して半導体製造の
ための各種処理を行なうものであり、大略するとプラッ
トフォーム１０，ロードロック室２０，処理室３０，及
び洗浄室６０（図１７に示す）等により構成されてい
る。尚、処理装置には、バックサイドエッチング処理、
ダイシング処理等を行なうための複数の処理室３０を有
しているが、図示の便宜上、図にはひとつの処理室３０
のみを示している。

【００２５】プラットフォーム１０は、複数の処理室３
０に共通のステージ１１を有している。ある処理室３０
で処理がされたウェハＷは、一旦プラットフォーム１０
に配設されたステージ１１に装着された後、次の処理室
３０に搬送される構成とされている。このプラットフォ
ーム１０は、大気雰囲気（以下、ＡＴＭという）に置か
れるものである。

【００２６】また、プラットフォーム１０に配設された
ステージ１１には、ウェハＷを装着するための真空チャ
ック１２が設けられている。真空チャック１２は、図示
しない噴射／吸引装置に接続されている。

【００２７】そして、ウェハＷを装着する時は、この噴
射／吸引装置を吸引モードとしてウェハＷを吸引するこ
とにより、ウェハＷは真空チャック１２に保持される
（吸引力がウェハＷの吸引力となる）。一方、ウェハＷ
を取り出す（離脱させる）時は、この噴射／吸引装置を
噴射モードとして洗浄ガス（例えば、不活性ガス）をウ
ェハＷに向け噴射する。

【００２８】これにより、ウェハＷの離脱時においてウ
ェハＷを真空チャック１２から容易に離脱させることが
可能となると共に、ウェハＷに付着している塵埃（パー
ティクル等）を噴射ガスにより吹き飛ばすことができ
る。よって、以後の工程において、ウェハＷに付着した
パーティクルに起因した不良が発生することを防止する
ことができる。

【００２９】ロードロック室２０は、図示しない真空装
置に接続されることにより、その内部を所定の減圧雰囲
気（以下、ＶＡＣという）としうる構成とされている。
また、ロードロック室２０のプラットフォーム１０と対
向する壁には、シャッター２１が設けられている。この
シャッター２１は開閉可能な構成とされており、閉まっ
た状態ではロードロック室２０を気密に閉塞する。よっ
て、前記したようにシャッター２１を設けても、ロード
ロック室２０はＶＡＣとしうる構成となっている。この
ロードロック室２０の内部には、搬送装置４０が設けら
れている。

【００３０】搬送装置４０は、例えば昇降部４１及びア
ーム部４２を有した多軸自由度を有したロボットにより
構成されている。また、アーム部４２の先端部には、静
電チャック４３が配設されている。また、昇降部４１は
アーム部４２を昇降動作させるものであり、またアーム
部４２は静電チャック４３を水平方向に移動させる。こ
れにより、搬送装置４０は静電チャック４３を任意位置
に移動できる構成となっている。

【００３１】ここで、静電チャック４３の詳細につい
て、図１８及び図１９を参照して説明する。尚、図１８
は静電チャック４３の断面図であり、図１９は静電チャ
ック４３の底面図である。

【００３２】静電チャック４３は、チャック本体４４内
に静電吸着用電極４５及び複数の溝部４８等を設けた構
成とされている。静電吸着用電極４５は配線４６により
電圧印加される構成とされており、そして電圧印加され
ることにより発生するクーロン力によりウェハＷを吸着
する構成とされている（クーロン力がウェハＷの吸引力
となる）。

【００３３】また、溝部４８はウェハＷを吸着する吸着
面４７に中心から放射状に複数配設されている。この各
溝部４８の吸着面４７の中心位置側は連結しており、こ
の連結部分は噴射通路４９に接続されている。この噴射
通路４９は、図１８に示すように、チャック本体４４内
及びアーム部４２内に形成されており、その端部はガス
（安定性の高い、例えば不活性ガス等）を噴射するガス
供給装置（図示せず）に接続されている。

【００３４】上記構成とされた静電チャック４３は、ウ
ェハＷを装着する時は前記のように静電吸着用電極４５
に電圧印加する。これにより、静電吸着用電極４５に静
電力が発生し、この静電力によりウェハＷは静電チャッ
ク４３に吸着される。この際、ガス供給装置は停止され
ており、溝部４８からガスの噴射はされていない。この
ため、ガスによりウェハＷが静電チャック４３から離脱
するようなことはない。

【００３５】これに対し、ウェハＷを静電チャック４３
から離間させる時には、静電吸着用電極４５への電圧印
加を停止させると共にガス供給装置を起動する。これに
より、ガス供給装置から噴射通路４９にガスが噴射さ
れ、溝部４８からガスが噴射される。

【００３６】これにより、ウェハＷの離脱時においてウ
ェハＷを静電チャック４３から容易に離脱させることが
可能となると共に、ウェハＷに付着している塵埃を噴射
ガスにより吹き飛ばすことができる。よって、以後の工
程において、ウェハＷに付着したパーティクルに起因し
た不良が発生することを防止することができる。尚、溝
部４８の配設の仕方は放射状に限定されるものではな
く、吸着面４７及びウェハＷに付着した塵埃が効率よく
飛散する構成であれば、他の形状（例えば、環状等）と
してもよい。

【００３７】処理室３０は、例えば図示しないプラズマ
エッチング処理装置が設けられており、ウェハＷの裏面
（回路のない側）をエッチングし薄型化するバックサイ
ドエッチング処理を実施する。この処理室３０は、図示
しない真空装置に接続されることにより、その内部を所
定のＶＡＣ（減圧雰囲気）としうる構成とされている。
また、処理室３０の内部には、ウェハＷを装着するため
のステージ３３が設けられている。

【００３８】このステージ３３は、図１８及び図１９を
用いて説明した搬送装置４０に設けられた静電チャック
４３と同じ構造とされている（以下、図１８及び図１９
に示した構成と同一構成については、同一符号を付して
説明する）。即ち、静電チャック３４はチャック本体４
４内に静電吸着用電極４５及び複数の溝部４８等を設け
た構成とされている。静電吸着用電極４５は配線４６に
より電圧印加され、これにより発生するクーロン力によ
りウェハＷを吸着する。

【００３９】また、静電チャック３４の上面の吸着面４
７には、溝部４８が中心から放射状に複数配設されてい
る。この各溝部４８は噴射通路４９に接続されており、
ガス供給装置（図示せず）からガスが噴射通路４９を介
して供給されることにより、ガスは溝部４８から噴射さ
れる。

【００４０】上記構成とされた静電チャック３４は、ウ
ェハ装着時には、静電吸着用電極４５に電圧印加し、こ
れにより発生する静電力によりウェハＷを吸着する。こ
の際、ガス供給装置は停止されている。これに対し、ウ
ェハＷを静電チャック４３から離間させる時には、静電
吸着用電極４５への電圧印加を停止すると共にガス供給
装置を起動してガスを溝部４８から噴射させる。

【００４１】これにより、ウェハＷを静電チャック３４
から容易に離脱させることが可能となる。また、ウェハ
Ｗに付着している塵埃が噴射ガスにより吹き飛ばされる
ため、以後の工程において、ウェハＷに付着したパーテ
ィクルに起因した不良が発生することを防止できる。

【００４２】一方、処理室３０とロードロック室２０
は、隔壁３１により気密に画成された構成とされてい
る。この隔壁３１には開閉可能なシャッター３２が設け
られており、このシャッター３２は閉まった状態ではロ
ードロック室２０を気密に閉塞する。よって、シャッタ
ー３２を設けても、処理室３０はＶＡＣとしうる構成と
なっている。また、シャッター３２を開いた状態で、ロ
ードロック室２０と処理室３０は連通した状態となる。

【００４３】洗浄室６０は、図１７に示すように、洗浄
液６２を充填した洗浄槽６１を有している。この洗浄室
６０は、搬送装置４０に設けられたアーム部４２の移動
範囲内にあり、かつ処理室３０の配設に邪魔にならない
位置に配設位置が選定されている。また、洗浄槽６１に
充填された洗浄液６２は、後述するように搬送装置４０
の静電チャック４３を洗浄しうる構成となっている。

【００４４】このように、洗浄室６０を設けることによ
り、静電チャック４３に付着した塵埃の内、前記した各
静電チャック３４，４３でのガス噴射では除去できなか
ったものも洗浄されるため、ウェハＷに付着したパーテ
ィクルに起因した不良の発生をより確実に防止すること
ができる。

【００４５】続いて、図２乃至図１７を参照して、上記
構成とされた処理装置におけるウェハＷのプラットフォ
ーム１０から処理室３０まで搬送し、再び処理室３０か
らプラットフォーム１０にウェハＷを搬送する搬送例に
ついて説明するものとする。尚、図２乃至図１７におい
て、各チャック１２，３４，４３において“ＯＦＦ”と
記載されているものは駆動停止中でウェハＷの吸引力が
発生してない状態を示しており、“ＯＮ”と記載されて
いるものは駆動中でウェハＷの吸引力が発生している状
態を示している。

【００４６】図２は、処理室３０において実施されるバ
ックサイドエッチング処理の前工程であるバックサイド
エッチング処理が終了したウェハＷが、移送アーム５０
によりプラットフォーム１０のステージ１１に装着され
た状態を示している。移送アーム５０は、その先端に真
空チャック５１を有している。

【００４７】バックグラインド処理で薄型化されたウェ
ハＷは、真空チャック５１に保持された状態でステージ
１１の真空チャック１２上に装着される。この際、ステ
ージ１１の真空チャック１２は停止された状態（ＯＦ
Ｆ）であり、よって真空吸引力は発生していない。ま
た、静電チャック３４及び静電チャック４３も駆動して
おらず（ＯＦＦ）、よって各チャック３４，４３におい
ても吸引力は発生していない。また、シャッター２１，
３２は閉まった状態であり、各室２０，３０はＶＡＣと
されている。更に、搬送装置４０は、ロードロック室２
０内に待機した状態となっている。

【００４８】上記のようにウェハＷが真空チャック１２
上に装着されると、真空チャック１２が起動（ＯＮ）し
てウェハＷの吸引を開始する。この状態において、真空
チャック５１は依然としてウェハＷの保持を維持してい
る。

【００４９】そして、この真空チャック１２がＯＮとな
りウェハＷの吸引が開始された後、図３に示すように、
移送アーム５０の真空チャック５１によるウェハＷの吸
引が停止（ＯＦＦ）される。これにより、ウェハＷは移
送アーム５０の真空チャック５１からステージ１１の真
空チャック１２に受け渡され、真空チャック１２により
保持されることとなる。

【００５０】ところで、バックグラインド処理がされる
ことにより薄型化されたウェハＷは、機械的強度が弱い
上に回路形成面には金属配線が高密度に配設されている
ため、表裏で実質的に応力差が生じ反り易くなる。

【００５１】しかしながら本実施例のように、ウェハＷ
を移送アーム５０からステージ１１に受け渡す際、真空
チャック５１（移送アーム５０）がウェハＷを保持して
いる状態中に真空チャック１２を駆動（ＯＮ）してウェ
ハＷを真空チャック１２に保持し、その後に真空チャッ
ク５１によるウェハＷの保持を解除（ＯＦＦ）する方法
を採ることにより、ウェハＷには真空チャック５１或い
は真空チャック１２のいずれかのチャックの吸引力が常
に印加された状態を維持する。

【００５２】このため、ウェハＷを移送アーム５０から
プラットフォーム１０のステージ１１に受け渡す際、ウ
ェハＷに反りや曲がりが発生することを防止でき、ウェ
ハＷの平坦性を維持することができる。尚、ウェハＷが
真空チャック５１から真空チャック１２に受け渡される
と、真空チャック５１はウェハＷから離間し、再びバッ
クグラインド装置へ移動する。

【００５３】ウェハＷがステージ１１に装着されると、
ロードロック室２０をＡＴＭとした後にシャッター２１
が開き、図４に示すように、搬送装置４０（昇降部４
１，アーム部４２）が駆動して、静電チャック４３をス
テージ１１に保持されたウェハＷ上に移動（装着）させ
る。この時、静電チャック４３は電圧印加がされていな
い非駆動状態（ＯＦＦ）となっており、またシャッター
３２は閉じられており処理室３０内はＶＡＣとなってい
る。

【００５４】上記のように静電チャック４３がウェハＷ
上に装着されると、静電チャック４３に前記した配線４
６を介して静電吸着用電極４５に電圧印加が行なわれ
る。これにより、静電チャック４３は起動（ＯＮ）し、
ウェハＷのクーロン力による吸引が開始される。この状
態において、真空チャック１２は依然としてウェハＷの
保持を維持している。

【００５５】そして、この静電チャック４３がＯＮとな
り、静電チャック４３によるウェハＷの吸引が開始され
た後、ステージ１１の真空チャック１２によるウェハＷ
の吸引が停止（ＯＦＦ）される。これにより、ウェハＷ
はステージ１１の真空チャック１２から、搬送装置４０
の静電チャック４３に受け渡され、静電チャック４３に
より保持される。

【００５６】また、ステージ１１の真空チャック１２に
よるウェハＷの吸引がＯＦＦされると同時に、噴射／吸
引装置はガスを真空チャック１２に供給され、よって図
５に示すように真空チャック１２からウェハＷに向けガ
スが噴射される。

【００５７】上記のように本実施例では、ウェハＷをス
テージ１１の真空チャック１２から搬送装置４０の静電
チャック４３に受け渡す際、真空チャック１２（ステー
ジ１１）がウェハＷを保持している状態中に静電チャッ
ク４３を駆動（ＯＮ）してウェハＷを静電チャック４３
に保持し、その後に真空チャック１２によるウェハＷの
保持を解除（ＯＦＦ）する方法を採ることにより、ウェ
ハＷには真空チャック１２或いは静電チャック４３のい
ずれかのチャックの吸引力が常に印加された状態を維持
する。

【００５８】このため、ウェハＷをステージ１１から搬
送装置４０の静電チャック４３に受け渡す際、ウェハＷ
に反りや曲がりが発生することを防止でき、ウェハＷの
平坦性を維持することができる。

【００５９】また、真空チャック１２によるウェハＷの
吸引がＯＦＦされると同時に真空チャック１２からウェ
ハＷに向けガスが噴射されるため、ウェハＷは静電チャ
ック４３に向け付勢される。これにより、ウェハＷが真
空チャック１２に張り付くことを防止でき、ウェハＷを
静電チャック４３に確実に受け渡すことができる。

【００６０】更に、静電チャック４３の上動によりウェ
ハＷと真空チャック１２との間に微細な隙間ができた
際、真空チャック１２から噴射されたガスはこの微細な
隙間を高速で流れる。よって、真空チャック１２のウェ
ハ吸着面及びウェハＷに付着している塵埃は、この高速
のガスにより除去される。

【００６１】これにより、真空チャック１２に塵埃が堆
積し吸引力の経時的な低下を防止することができ、真空
チャック１２からウェハＷに塵埃が付着されることを防
止することができる。更に、ウェハＷに塵埃が付着する
ことを防止することができるため、ウェハＷに対して実
施される後工程において塵埃が悪影響を及ぼすことを防
止することができる。

【００６２】上記のようにウェハＷが静電チャック４３
に受け渡されると、図６に示すように、搬送装置４０は
駆動してウェハＷをロードロック室２０内に引き込む。
また、この引き込みが終了すると、シャッター２１が閉
められてロードロック室２０は処理室３０内と略同等の
ＶＡＣとされる。この際、ウェハＷはクーロン力（静電
気力）により静電チャック４３に保持されているため、
ＶＡＣ内においても静電チャック４３はウェハＷを確実
に保持しうる。

【００６３】ロードロック室２０内が処理室３０と同等
のＶＡＣとなると、ロードロック室２０と処理室３０を
画成する隔壁３１に設けられているシャッター３２が開
く。そして、搬送装置４０が再び駆動して、図７に示す
ように、静電チャック４３に保持されたウェハＷを処理
室３０のステージ３３上に搬送する。

【００６４】続いて、図８に示すように、搬送装置４０
はウェハＷを処理室３０の静電チャック３４上に装着す
る。ウェハＷが静電チャック３４上に装着されると、静
電チャック３４が起動（ＯＮ）してウェハＷの吸引を開
始する。この状態において、搬送装置４０の静電チャッ
ク４３は依然としてウェハＷの保持を維持している。

【００６５】そして、静電チャック３４がＯＮとなりウ
ェハＷの吸引が開始された後、静電チャック４３は静電
吸着用電極４５に対する電圧印加が停止され、これによ
りウェハＷの吸着を停止（ＯＦＦ）する。このように、
静電チャック４３から静電チャック３４にウェハＷを受
け渡す際においても、静電チャック４３がウェハＷを保
持している状態中に静電チャック３４を駆動（ＯＮ）し
てウェハＷを静電チャック３４に保持し、その後に静電
チャック４３によるウェハＷの保持を解除（ＯＦＦ）す
る方法を採用している。

【００６６】これにより、静電チャック４３から静電チ
ャック３４にウェハＷを受け渡す際においても、ウェハ
Ｗには静電チャック４３或いは静電チャック３４のいず
れかのチャックの吸引力が常に印加された状態を維持す
る。このため、ウェハＷを搬送装置４０から処理室３０
のステージ３３に受け渡す時に、ウェハＷに反りや曲が
りが発生することを防止でき、ウェハＷの平坦性を維持
することができる。

【００６７】一方、静電吸着用電極４５がＯＦＦされる
と同時に、静電チャック４３に接続されているガス供給
装置は起動し、図９に示すように、噴射通路４９を介し
て溝部４８からガスがウェハＷに向け噴射される。

【００６８】一般に、静電チャックの場合には電圧印加
を停止しても直ちに全ての電荷が消えることはなく、よ
って静電チャックがウェハＷを保持する力が完全になく
なるまでには所定の時間を要する。これは、ウェハＷを
受け渡す際のロス時間となり、スループットを低下させ
る要因となる。

【００６９】しかしながら、本実施例のように静電チャ
ック４３から静電チャック３４にウェハＷを受け渡す
際、静電チャック４３からガスをウェハＷに向け噴射す
ることにより、静電チャック４３から静電チャック３４
へのウェハＷの受け渡しを容易にかつ短時間で確実に受
け渡すことができる。これにより、ウェハＷの搬送処理
のスループットを向上させることができる。

【００７０】また、静電チャック４３はクーロン力によ
りウェハＷを保持する構成であるため、塵埃もクーロン
力により吸引するおそれがある。このように吸引された
塵埃は静電チャック４３に付着してしまう。しかしなが
ら、静電チャック４３が静電チャック３４から離間する
時に各チャック３４，４３間に微細な隙間ができた際、
静電チャック４３から噴射されたガスはこの微細な隙間
を高速で流れる。よって、静電チャック４３及びウェハ
Ｗに付着している塵埃は、この高速のガスにより除去さ
れる。

【００７１】これにより、静電チャック４３に塵埃が堆
積し吸引力の経時的な低下を防止することができ、静電
チャック４３からウェハＷに塵埃が付着されることを防
止することができる。更に、ウェハＷに塵埃が付着する
ことを防止することができるため、ウェハＷに対して実
施される後工程において塵埃が悪影響を及ぼすことを防
止することができる。

【００７２】ウェハＷが静電チャック４３から静電チャ
ック３４に受け渡されると、ガス供給装置は停止され静
電チャック４３からのガス噴射が停止されると共に、図
１０に示すように搬送装置４０が駆動して静電チャック
４３は再びロードロック室２０内に移動する。そして、
シャッター３２が閉じられ、処理室３０内においてプラ
ズマエッチング装置を用いてウェハＷに対するバックサ
イドエッチング処理が実施される。

【００７３】処理室３０におけるバックサイドエッチン
グ処理が終了すると、図１１に示すように、シャッター
３２が開くと共にロードロック室２０に待機していた搬
送装置４０が駆動して静電チャック４３を静電チャック
３４に保持されているウェハＷ上に装着される。静電チ
ャック４３がウェハＷ上に装着されると、静電チャック
４３が起動（ＯＮ）してウェハＷの吸引を開始する。こ
の状態において、ステージ３３の静電チャック３４は依
然としてウェハＷの保持を維持している。そして、静電
チャック４３がＯＮとなりウェハＷの吸引が開始された
後、静電チャック３４はウェハＷの吸着を停止（ＯＦ
Ｆ）する。

【００７４】これにより、ウェハＷに対するバックサイ
ドエッチング処理終了後に静電チャック３４から静電チ
ャック４３にウェハＷを受け渡すときにおいても、ウェ
ハＷには静電チャック３４或いは静電チャック４３のい
ずれかのチャックの吸引力が常に印加された状態を維持
する。このため、ウェハＷに反りや曲がりが発生するこ
とを防止でき、ウェハＷの平坦性を維持することができ
る。

【００７５】一方、静電チャック３４の静電吸着用電極
４５がＯＦＦされると同時に、静電チャック３４に接続
されているガス供給装置は起動し、図１２に示すよう
に、静電チャック３４からウェハＷに向けガスが噴射さ
れる。

【００７６】このように、静電チャック３４から静電チ
ャック４３にウェハＷを受け渡すときにおいても、静電
チャック３４からガスをウェハＷに向け噴射することに
より、ウェハＷの受け渡しを容易にかつ短時間で確実に
受け渡すことができ、ウェハＷの搬送処理のスループッ
トを向上させることができる。

【００７７】また、静電チャック３４はクーロン力によ
りウェハＷを保持する構成であるため、前記したように
塵埃もクーロン力により静電チャック３４に吸引するお
それがある。しかしながら、静電チャック４３の移動に
伴い各チャック３４，４３間に微細な隙間ができた際、
静電チャック３４から噴射されたガスがこの微細な隙間
を高速で流れることにより静電チャック３４及びウェハ
Ｗに付着している塵埃は除去される。

【００７８】これにより、静電チャック３４に塵埃が堆
積し吸引力の経時的な低下を防止することができ、静電
チャック３４からウェハＷに塵埃が付着されることを防
止することができる。更に、ウェハＷに塵埃が付着する
ことを防止することができるため、ウェハＷに対して実
施される後工程において塵埃が悪影響を及ぼすことを防
止することができる。

【００７９】上記のようにウェハＷを静電チャック４３
に保持すると、図１３に示すように、搬送装置４０はウ
ェハＷをロードロック室２０に搬入する。そして、シャ
ッター３２を閉めてロードロック室２０と処理室３０を
再び画成すると共に、ロードロック室２０内をＡＴＭと
する。

【００８０】ロードロック室２０内がＡＴＭとなると、
ロードロック室２０のシャッター２１が開く。そして、
搬送装置４０が再び駆動して、静電チャック４３に保持
されたウェハＷをプラットフォーム１０のステージ１１
上に搬送する。

【００８１】続いて、図１４に示すように、搬送装置４
０はウェハＷをステージ１１の真空チャック１２上に装
着する。ウェハＷが真空チャック１２上に装着される
と、真空チャック１２が起動（ＯＮ）してウェハＷの真
空吸引を開始する。この状態において、搬送装置４０の
静電チャック４３は依然としてウェハＷの保持を維持し
ている。

【００８２】そして、真空チャック１２がＯＮとなりウ
ェハＷの吸引が開始された後、図１５に示すように、静
電チャック４３は静電吸着用電極４５に対する電圧印加
が停止され、これによりウェハＷの吸着を停止（ＯＦ
Ｆ）する。このように、静電チャック４３から真空チャ
ック１２にウェハＷを受け渡す際においても、静電チャ
ック４３がウェハＷを保持している状態中に真空チャッ
ク１２を駆動（ＯＮ）してウェハＷを真空チャック１２
に保持し、その後に静電チャック４３によるウェハＷの
保持を解除（ＯＦＦ）する方法を採用している。これに
より、静電チャック４３から真空チャック１２にウェハ
Ｗを受け渡す際においても、ウェハＷに反りや曲がりが
発生することを防止でき、ウェハＷの平坦性を維持する
ことができる。

【００８３】一方、静電チャック４３の静電吸着用電極
４５がＯＦＦされると同時に、静電チャック４３に接続
されているガス供給装置は起動し、図１６に示すよう
に、噴射通路４９を介して溝部４８からガスがウェハＷ
に向け噴射される。

【００８４】このように、静電チャック４３から真空チ
ャック１２にウェハＷを受け渡すときにおいても、静電
チャック４３からガスをウェハＷに向け噴射することに
より、ウェハＷの受け渡しを容易にかつ短時間で確実に
受け渡すことができ、ウェハＷの搬送処理のスループッ
トを向上させることができる。

【００８５】また、静電チャック４３はクーロン力によ
りウェハＷを保持する構成であるため、前記したように
塵埃もクーロン力により静電チャック３４に吸引するお
それがある。しかしながら、静電チャック４３の移動に
伴い各チャック１２，４３間に微細な隙間ができた際、
静電チャック４３から噴射されたガスがこの微細な隙間
を高速で流れることにより静電チャック４３及びウェハ
Ｗに付着している塵埃は除去される。

【００８６】これにより、静電チャック４３に塵埃が堆
積し吸引力の経時的な低下を防止することができ、静電
チャック４３からウェハＷに塵埃が付着されることを防
止することができる。更に、ウェハＷに塵埃が付着する
ことを防止することができるため、ウェハＷに対して実
施される後工程において塵埃が悪影響を及ぼすことを防
止することができる。

【００８７】上記した一連の処理が終了すると、図１７
に示すように、搬送装置４０はアーム部４２を洗浄室６
０に移動させる。前記したように、洗浄室６０には洗浄
液６２を充填した洗浄槽６１が設けられている。そし
て、搬送装置４０は静電チャック４３を洗浄液６２内に
浸漬させる。

【００８８】洗浄槽６１に充填された洗浄液６２は、静
電チャック４３に付着した塵埃（パーティクル等）及び
異物を洗浄除去する機能を有している。これにより、各
チャック１２，３４，４３から噴射されるガスでは除去
し切れなかった塵埃や異物についても、洗浄室６０によ
り除去することが可能となる。また、これに伴い、静電
チャック４３により搬送されるウェハＷに塵埃が付着す
ることも防止することができる。

【００８９】ここで、静電チャック４３の洗浄方法とし
ては、本実施例のように洗浄液６２に静電チャック４３
を浸漬させる方法の他に、ブラシや布をもちいた機械的
洗浄方法、高電圧による静電吸着を用いた洗浄方法等が
考えられるが、静電チャック４３に付着した塵埃や異物
を除去できるものであれば洗浄方法は限定されない。

【００９０】尚、上記した実施例において、請求項記載
の第１の基台はステージ１１に、第１の基板保持機構は
真空チャック１２に相当する。また、請求項記載の第２
の基台はステージ３３に、第２の基板保持機構は静電チ
ャック３４に相当する。更に、請求項記載の搬送装置は
搬送装置４０に、第３の基板保持機構は静電チャック４
３に相当するものである。しかしながら、本発明は上記
した実施例に限定されるものではなく、ウェハＷを搬送
する搬送装置として広く適用が可能なものである。

【００９１】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。

【００９２】請求項１及び請求項３記載の発明によれ
ば、各保持機構に塵埃（パーティクル）が付着するのを
防止でき、よって各保持機構の吸引力の経時的な低下、
及び基板に各保持機構から塵埃が付着することを防止す
ることができる。

【００９３】また、基板を各基台と搬送装置との間で受
け渡す時、基板には常に吸引力が印加されるため、基板
に反りや曲がりが発生することを防止でき、よって搬送
時における基板の平坦性を維持することができる。

【００９４】また、請求項２記載の発明によれば、基板
を直接搬送する第３の基板保持機構に付着した塵埃を確
実に洗浄できるため、第３の基板保持機構から基板に塵
埃か付着することを確実に防止できると共に第１及び第
２の保持機構に塵埃が付着することも防止できる。

【００９５】また、請求項４記載の発明によれば、第３
の基板保持機構を静電チャックとしたことにより、第１
または第２の基台のいずれか一方と搬送装置とを減圧室
に配設しても、基板を確実に搬送することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置を適
用した処理装置を示す構成図である。

【図２】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の動
作を説明するための図であり、移送アームによりウェハ
がプラットフォームに搬送された状態を示す図である。

【図３】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の動
作を説明するための図であり、プラットフォームのステ
ージにウェハが装着された状態を示す図である。

【図４】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の動
作を説明するための図であり、搬送装置が駆動しアーム
部に取り付けられた静電チャックをウェハ上に装着した
状態を示す図である。

【図５】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の動
作を説明するための図であり、搬送装置の静電チャック
がウェハを吸引すると共に真空チャックがガス噴射を行
った状態を示す図である。

【図６】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の動
作を説明するための図であり、ウェハを吸引した搬送装
置の静電チャックがロードロック室内に収納された状態
を示す図である。

【図７】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の動
作を説明するための図であり、搬送装置がウェハを処理
室のステージ上まで搬送した状態を示す図である。

【図８】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の動
作を説明するための図であり、搬送装置がウェハを処理
室のステージに装着した状態を示す図である。

【図９】本発明の実施例であるウェハの搬送装置の動作
を説明するための図であり、搬送装置がウェハからガス
噴射しながら離間する状態を示す図である。

【図１０】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の
動作を説明するための図であり、ウェハが処理室内で処
理されている状態を示す図である。

【図１１】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の
動作を説明するための図であり、処理が終了したウェハ
に搬送装置の静電チャックを装着した状態を示す図であ
る。

【図１２】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の
動作を説明するための図であり、ウェハを搬送装置の静
電チャックに吸着すると共に、処理室の静電チャックか
らガスを噴出している状態を示す図である。

【図１３】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の
動作を説明するための図であり、ウェハを吸引した搬送
装置の静電チャックがロードロック室内に収納された状
態を示す図である。

【図１４】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の
動作を説明するための図であり、搬送装置がウェハをプ
ラットフォームのステージ上に装着した状態を示す図で
ある。

【図１５】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の
動作を説明するための図であり、搬送装置の静電チャッ
クがウェハの吸引を停止した状態を示す図である。

【図１６】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の
動作を説明するための図であり、搬送装置がウェハから
ガス噴射しながら離間する状態を示す図である。

【図１７】本発明の一実施例であるウェハの搬送装置の
動作を説明するための図であり、搬送装置の静電チャッ
クを洗浄している状態を示す図である。

【図１８】搬送装置の静電チャックを拡大して示す断面
図である。

【図１９】搬送装置の静電チャックを拡大して示す底面
図である。

【符号の説明】

１０プラットフォーム１１，３３ステージ１２真空チャック２０ロードロック室２１，３２シャッター３０処理室３１隔壁３４静電チャック４０搬送装置４１昇降部４２アーム部４３静電チャック４４チャック本体４５静電吸着用電極４８溝部４９噴射通路５０移送アーム５１真空チャック６０洗浄室６１洗浄槽６２洗浄液Ｗウェハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｂ６５Ｇ 49/07 Ｂ６５Ｇ 49/07 Ｇ (72)発明者本間孝治東京都東大和市立野２丁目703番地株式会社ケミトロニクス内Ｆターム(参考） 3C007 AS24 BS15 FS10 NS13 5F031 CA02 FA01 FA07 FA12 FA15 GA24 GA30 GA43 GA49 HA16 HA34 MA32 NA05 NA09 PA14 PA24 PA26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の基板保持機構と第１の流体噴出機
構とを有する第１の基台から、第２の基板保持機構を有
する第２の基台へ、第３の基板保持機構と第２の流体噴
出機構とを有する搬送装置を用いて基板を搬送する基板
の搬送方法において、前記第１の基板保持機構が前記基板を保持している状態
において、前記搬送装置が前記第３の基板保持機構を前
記基板に装着する工程と、前記第１の基台が前記基板を保持している状態中に、前
記第３の基板保持機構を駆動して前記基板を前記搬送装
置に保持し、その後に前記第１の基板保持機構による前
記基板の保持を解除すると共に前記第１の流体噴出機構
から流体噴出を行なう工程と、前記第１の基台から第２の基台へ前記基板を搬送し、該
基板を前記第２の基板保持機構に装着する工程と、前記第３の基台が前記基板を保持している状態中に、前
記第２の基板保持機構を駆動して前記基板を前記第２の
基台に保持し、その後に前記第２の流体噴出機構からの
流体噴出と、前記第３の基板保持機構による前記基板の
保持の解除とを行なう工程と、を有することを特徴とす
る基板の搬送方法。
【請求項２】請求項１記載の基板の搬送方法におい
て、更に、前記搬送装置に設けられた第３の基板保持機構を
洗浄する洗浄工程を有することを特徴とする基板の搬送
方法。
【請求項３】請求項１または２記載の基板の搬送方法
において、前記基板は、バックグラインド処理が実施された後に、
前記第１の基板保持機構に保持されることを特徴とする
基板の搬送方法。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
基板の搬送方法において、少なくとも前記第１または第２の基台のいずれか一方
と、前記搬送装置とを減圧室に配設すると共に、減圧室
に配設された基台に設けられた基板保持機構と、前記第
３の基板保持機構を静電チャックとしたことを特徴とす
る基板の搬送方法。