JP2003257080A - 追記型光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 情報の記録再生が行なわれる領域において有
機層の膜厚のバラツキや無機層のマイクロポアがある場
合でも、優れた記録再生及び必要な場合には消去が可能
な追記型光記録媒体の提供。 【解決手段】 情報トラックを構成する溝を設けた基板
上に、少なくとも、無機材料を主成分とする無機層と有
機材料を主成分とする有機層をこの順に有し、レーザ光
を照射することにより情報の記録再生が行なわれる追記
型光記録媒体であって、情報の記録再生が行われる領域
の１０点平均表面粗さをＲｔとして、Ｒｔ＜２ｎｍであ
り、かつ情報の記録再生が行われる領域のディスク１周
分のトラック溝内及び／又はランド部上の有機層に存在
する、該ディスク１周分のトラック溝内及び／又はラン
ド部上の有機層の平均膜厚よりも２％以上薄い連続した
部分の面積が何れも２２５μｍ^２以下であることを特徴
とする追記型光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザーにより情
報の記録再生及び必要な場合には消去が可能な追記型光
記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来技術】記録可能な光記録媒体では、記録前後の記
録層の物理的な変形、相変化、磁気的性質変化などに起
因した反射率の変化により記録された情報が再生され
る。このような光記録媒体がＣＤと互換可能な記録媒体
として用いられるためには、上記の高反射率、ＣＮＲ特
性の以外にも記録の長期保存性及び高い記録感度が要求
される。このように、光記録媒体の特性向上と製造上の
容易性のために様々な材料を用いた多様な光記録媒体が
提案され、その一部が実用化されている。例えば、特許
文献１〜６には、プリグルーブの形成されている基板
と、前記基板上に順次に積層されている金属記録膜、バ
ッファ層及び反射層を含む光記録媒体において、前記バ
ッファ層が、６００〜８００ｎｍ波長のレーザービーム
に対する吸光性の低い物質として、６５０ｎｍでは吸光
率（ｋ）が１．０以下であり、７８０ｎｍでは吸光率
（ｋ）が０．１以下である有機物質からなることを特徴
とする光記録媒体が提案されている。

【０００３】また、超高密度の記録が可能となる青色レ
ーザの開発は急速に進んでおり、それに対応した追記型
の光記録媒体の開発が行なわれている。従来の追記型光
記録媒体では、有機材料からなる記録層にレーザ光を照
射し、有機材料の分解・変質による屈折率変化を主に生
じさせることで記録ピットを形成させており、記録層に
用いられる有機材料の光学定数、分解挙動が良好な記録
ピットを形成させるための重要な要素となっている。従
って、記録層に用いる有機材料には、青色レーザ波長に
対する光学的性質や分解挙動の適切な材料を選択する必
要がある。青色レーザ対応の有機材料は、例えば、特許
文献７〜１１に記載されている。しかし、これらの公報
では、実施例において溶液と薄膜のスペクトルを測定し
ているのみで、記録再生に関する記載がない。

【０００４】特許文献１２〜１４には、実施例に記録の
記載があるものの、記録波長は４８８ｎｍであり、また
記録条件や記録密度に関する記載はなく、良好な記録ピ
ットが形成できた旨の記載があるのみである。特許文献
１５には、実施例に記録の記載があるものの、記録波長
は４３０ｎｍであり、また記録条件や記録密度に関する
記載はなく、良好な変調度が得られた旨の記載があるの
みである。特許文献１６〜２５には、実施例に記録波長
４３０ｎｍ、ＮＡ０．６５での記録例があるが、最短ピ
ットが０．４μｍという低記録密度条件（ＤＶＤと同等
の記録密度）である。特許文献２６には、記録再生波長
４０５〜４０８ｎｍの記載があるが、記録密度に関する
具体的な記載はなく、１４Ｔ−ＥＦＭ信号の記録という
低記録密度条件である。

【０００５】また、従来のＣＤ、ＤＶＤ系光記録媒体と
異なる層構成や記録方法に関して、以下のような技術が
公開されている。特許文献２７には、基板／金属蒸着層
／光吸収層／保護シートという構成で、光吸収層によっ
て発生した熱によって、金属蒸着層を変色又は変形させ
ることで記録を行なう技術が開示されている。特許文献
２８には、基板／誘電体層／光吸収体を含む記録層／反
射層という構成で、記録層の膜厚を変え溝部の深さを変
えることにより記録を行なう技術が開示されている。特
許文献２９には、基板／絶縁層／シアニン記録膜／反射
膜／保護膜という構成で、絶縁膜に熱を逃がし記録部を
修正する技術が開示されている。特許文献３０には、基
板／光吸収層／記録補助層／光反射層という構成で、記
録補助層を凹状に変形させると共に、記録補助層の変形
に沿って光反射層を凹状に変形させることで記録を行な
う技術が開示されている。

【０００６】特許文献３１には、基板／光吸収層／多孔
質な記録補助層／光反射層、或いは基板／多孔質な記録
補助層／光吸収層／光反射層という構成で、記録補助層
を凹状に変形させると共に、記録補助層の変形に沿って
光反射層を凹状に変形させることで記録を行なう技術が
開示されている。特許文献３２には、基板／多孔質な光
吸収層／光反射層という構成で、光吸収層を凹状に変形
させると共に、光吸収層の変形に沿って光反射層を凹状
に変形させて記録を行なう技術が開示されている。特許
文献３３には、基板／薄層／色素／反射層／保護層とい
う構成の光ディスクが開示されている。上記の光記録媒
体に共通して見られるのは、基板上に無機層を成膜した
場合に、膜材又はゴミなどの欠陥によって、直径数ミク
ロンのポアが形成されることである。このようなポアが
あると、スピンコーティング法で有機層を積層する場合
に、そのポアに溶液が浸透して更に大きな欠陥となり、
記録信号ではエラーとなって情報を正確に再生すること
ができないことになる。

【０００７】

【特許文献１】特許第２９６６３７７号公報

【特許文献２】特開平１０−１３４４１５号公報

【特許文献３】特開平１０−１２４９２６号公報

【特許文献４】特開平１０−１２４９２７号公報

【特許文献５】特開平９−２６５６６０号公報

【特許文献６】特表２０００−５１６００７号公報

【特許文献７】特開２００１−１８１５２４号公報

【特許文献８】特開２００１−１５８８６５号公報

【特許文献９】特開２０００−３４３８２４号公報

【特許文献１０】特開２０００−３４３８２５号公報

【特許文献１１】特開２０００−３３５１１０号公報

【特許文献１２】特開平１１−２２１９６４号公報

【特許文献１３】特開平１１−３３４２０６号公報

【特許文献１４】特開２０００−４３４２３号公報

【特許文献１５】特開平１１−５８９５５号公報

【特許文献１６】特開２００１−３９０３４号公報

【特許文献１７】特開２０００−１４９３２０号公報

【特許文献１８】特開２０００−１１３５０４号公報

【特許文献１９】特開２０００−１０８５１３号公報

【特許文献２０】特開２０００−２２２７７２号公報

【特許文献２１】特開２０００−２１８９４０号公報

【特許文献２２】特開２０００−２２２７７１号公報

【特許文献２３】特開２０００−１５８８１８号公報

【特許文献２４】特開２０００−２８０６２１号公報

【特許文献２５】特開２０００−２８０６２０号公報

【特許文献２６】特開２００１−１４６０７４号公報

【特許文献２７】特開平８−８３４３９号公報

【特許文献２８】特開平８−１３８２４５号公報

【特許文献２９】特許第２５０６８６７号公報

【特許文献３０】特許第２５９１９３９号公報

【特許文献３１】特許第２５９１９４０号公報

【特許文献３２】特許第２５９１９４１号公報

【特許文献３３】特開平１０−１７２１８１号公報

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、情報の記録
再生が行なわれる領域において有機層の膜厚のバラツキ
や無機層のマイクロポアがある場合でも、優れた記録再
生及び必要な場合には消去が可能な追記型光記録媒体の
提供を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題は、次の１）〜
３）の発明（以下、本発明１〜３という。）によって解
決される。 １） 情報トラックを構成する溝を設けた基板上に、少
なくとも、無機材料を主成分とする無機層と有機材料を
主成分とする有機層をこの順に有し、レーザ光を照射す
ることにより情報の記録再生が行なわれる追記型光記録
媒体であって、情報の記録再生が行われる領域の１０点
平均表面粗さをＲｔとして、Ｒｔ＜２ｎｍであり、かつ
情報の記録再生が行われる領域のディスク１周分のトラ
ック溝内及び／又はランド部上の有機層に存在する、該
ディスク１周分のトラック溝内及び／又はランド部上の
有機層の平均膜厚よりも２％以上薄い連続した部分の面
積が何れも２２５μｍ^２以下であることを特徴とする追
記型光記録媒体。 ２） 前記無機層に直径１０μｍ以下のマイクロポアが
存在し、該マイクロポアの存在する部分に対応して、前
記有機層の平均膜厚よりも２％以上薄い連続した部分が
存在することを特徴とする１）記載の追記型光記録媒
体。 ３） 無機層が、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｚｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓ
ｂ及びＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の
物質及び／又はＦｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚ
ｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｂ
及びＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の物
質の酸化物、窒化物、硫化物又は炭化物を主成分とし、
かつ厚さが１〜２００ｎｍであることを特徴とする１）
又は２）記載の追記型光記録媒体。

【００１０】以下、上記本発明について詳しく説明す
る。従来の追記型光記録媒体は、情報の記録再生が行わ
れる領域のディスク１周分のトラック及び／又はランド
上の有機層に存在する、該ディスク１周分のトラック及
び／又はランド上の有機層の平均膜厚よりも２％以上薄
い連続した部分の面積が３００〜４５０μｍ^２もあり、
良好な記録を行うことは困難であった。そこで本発明者
らは、該平均膜厚よりも２％以上薄い連続した部分の面
積をどのようにして減らすかについて検討したところ、
マイクロポアに塗布溶媒が進入しない一定の接触角を有
する溶媒を用いたり、マイクロポアに塗布溶媒が進入し
ないように瞬時に溶媒を乾燥させることによって、その
面積を２２５μｍ^２以下に抑えることができ、この条件
を満足すれば、電気信号で確認する場合に記録波形の変
形又は変調度の不足が生じたり、光学顕微鏡１００倍以
上で観察した場合にコントラストの差が認識できないな
どの問題も起らず、良好な記録が行えることを見出し、
本発明に至った。また、上記のような条件を満足する追
記型光記録媒体を得るには、基板と有機層の間に設ける
無機層の、情報の記録再生が行われる領域に存在するマ
イクロポアの直径を全て１０μｍ以下とすることが好ま
しいことも見出した。

【００１１】無機層のマイクロポアのサイズの調節は欠
陥検査機などの既存の光学的装置を用いて作成した媒体
を調べることにより行う事ができる。即ち、本発明にお
いては、欠陥検査機でマイクロポアのサイズを測定し、
直径が１０μｍよりも大きいマイクロポアを有する媒体
を生じない製造条件を探索した。マイクロポアのサイズ
を直径１０μｍ以下に調節する方法としては、スパッタ
装置のチャンバー内の真空度を上げて、クリーン度をア
ップする方法が簡便で好ましい。例えば基板セットでチ
ャンバー内を１０^−４〜１０^−５台の真空度とする事に
より、直径１０μｍを越えるサイズのポアを低減させる
ことができる。前記平均膜厚よりも２％以上薄い連続し
た部分は、その面積が２２５μｍ^２以下である限り、ま
た、前記無機層に存在するマイクロポアについても、直
径１０μｍ以下ならば、何れもプレーヤーのエラー修正
機能により記録再生に悪影響を与えないように処理でき
るため、それらの個数は問題にならない。なお、前記平
均膜厚よりも２％以上薄い連続した部分の薄さの上限値
は１００％である。即ち、有機層に孔があいて有機層が
全くない状態でも構わない。

【００１２】なお、本発明における平均膜厚とは、記録
を連続又は不連続に行う部分の膜厚を表し、例えばグル
ーブ内に記録するのであればグルーブ内の１トラックの
平均膜厚、ランド部に記録するのであればランド上の１
トラックの平均膜厚、グルーブ内及びランド部に記録す
るのであればグルーブ内と隣接するランド部を併せた１
トラックの平均膜厚を表す。情報の記録再生が行われる
領域の有機層に、上記1トラックの平均膜厚よりも２％
以上薄い連続した部分が存在すると、電気信号で確認す
る場合は記録波形の変形又は変調度の不足が生じ、光学
顕微鏡１００倍以上で観察した場合はコントラストの差
が認識できないなど、良好な記録再生が行われなくな
る。

【００１３】記録用レーザー光と再生用レーザー光の波
長は、再生用レーザー光による記録部の破壊や記録層材
料の光による劣化を防止できるため、異なっていても良
い。また、本発明の追記型光記録媒体は、前記平均膜厚
よりも２％以上薄い連続した部分の面積が最大で２２５
μｍ^２であるから、この最大面積でもエラー訂正可能な
ピットのサイズである、最短ピット長が０．２５μｍ、
即ちピット長が０．２５μｍ以上となるような記録条件
で用いることが好ましい。つまり、ピットが上記より小
さいサイズの場合は、そのサイズに相関して訂正可能な
最大面積が小さくなってしまう。

【００１４】次に、本発明に係る追記型光記録媒体の第
一の例を、図１、図２に基づいて説明する。図１は要部
拡大断面図、図２は平面図である。この追記型光記録媒
体は、片面にプリフォーマットパターン２が微細な凹凸
状に形成された透明基板１、無機層３、有機層４、第二
の無機層５、該第二の無機層５を覆うようにコーティン
グされた保護層１０、その上のインク層１１から構成さ
れている。これらの層構成において、通常、無機層は、
光吸収層や保護層として機能し、有機層は、熱受容層と
して機能する。しかし、これに限られる訳ではなく、有
機層が光吸収機能を有する場合もあるし、無機層が光干
渉機能を有する場合などもあり、追記型光記録媒体とし
て用いることができる範囲で種々の組み合わせが可能で
ある。

【００１５】透明基板１は、レーザーに対して透明性を
維持することができ、優れた衝撃強度を有し、８０〜２
００℃の温度で容易に膨脹する材料からなる。このよう
な特性を満足する材料としては、ポリカーボネート、ポ
リメチルメタクリレート、エポキシ樹脂、ポリエステ
ル、非晶質ポリオレフィンなどがあり、ガラス転移温度
（Ｔｇ）が１００〜２００℃であるものが望ましい。透
明基板１の作製は公知の方法で行うことができ、上記透
明樹脂材料を所望の形状に成形し、その片面に所望のプ
リフォーマットパターンを転写したものや、所望の形状
に形成されたガラス等の透明セラミックス板の片面に所
望のプリフォーマットパターンが転写された透明樹脂層
を密着したものなど、公知に属する任意の透明基板を用
いることができる。また、ディスク状光記録媒体（以
下、光ディスクという）には、図２に示すような中心部
にセンタ孔１ａを有する円盤状のものを用いる。更に、
基板表面に形成されるプリグルーブの深さは１０〜２０
０ｎｍとすることが望ましい。深さが１０ｎｍ未満の場
合には、記録後の基板膨脹により反射率が大きく増大し
て記録信号にノイズが多くなり、２００ｎｍを超える場
合には、熱受容層層にもプリグルーブが深く生じるため
均一な膜を得難い。

【００１６】また、本発明の光記録媒体に波長４５０ｎ
ｍ以下のレーザー光と開口度（ＮＡ）が０．５以上、
０．７未満の対物レンズを用いて記録再生を行う場合に
は、トラックピッチは１００〜３００ｎｍ、２００〜４
００ｎｍ、３００〜５００ｎｍ、４００〜６００ｎｍの
範囲が安定したトラッキングを達成するために好適であ
り、中でも３００〜５００ｎｍが適している。更に安定
したトラッキングのためには４００〜５００ｎｍが良
い。一方、溝の深さはトラックピッチとの相関性がない
ので独自に設定することができ、１０〜１５０ｎｍ、２
０〜１４０ｎｍ、２０〜１００ｎｍ、２０〜５０ｎｍの
範囲が良好に使用可能な範囲である。中でも４９±５ｎ
ｍ、５０±１０ｎｍ、６０±２０ｎｍの条件でスタンパ
を作製すると、グルーブ内に色素が十分に充填され良好
な変調度が得られるので好適である。特に４９±５ｎｍ
では、成形が容易で良好な変調度が得られるので好適で
ある。溝の形状は、底辺が現れないＶ溝、底辺が現れる
Ｕ溝の何れでもよいが、より安定したトラッキングを達
成するためにはＵ溝が好適である。

【００１７】溝幅は溝の形状により変わるが、まずＶ溝
の開口部の幅（溝幅Ｄ１）に関して述べる。溝幅Ｄ１は
トラックピッチと相関があり、トラックピッチをＴｐと
した場合、０．１×Ｔｐ〜０．９×Ｔｐの範囲で設ける
事ができる。更には０．２×Ｔｐ〜０．８×Ｔｐ、０．
３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐ
のような０．５Ｔｐを中心とした関係が良好であり、特
に、０．５Ｔｐよりやや幅の広い０．４×Ｔｐ〜０．６
５×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐの関係が良好に
トラッキングでき、クロストークが少ないので好適であ
る。

【００１８】次に、Ｕ溝の開口部の幅（溝幅Ｄ２）に関
して述べる。溝幅Ｄ２はトラックピッチと相関があり、
トラックピッチをＴｐとした場合、０．１×Ｔｐ〜０．
９×Ｔｐの範囲で設ける事ができる。更には０．２×Ｔ
ｐ〜０．８×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．
４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐのような０．５Ｔｐを中心とし
た関係が良好であり、特に、０．５Ｔｐよりやや幅の広
い０．４×Ｔｐ〜０．６５×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．
７×Ｔｐの関係が良好にトラッキングでき、クロストー
クが少ないので好適である。次に、Ｕ溝の底部の幅（溝
幅Ｄ３）に関して述べる。溝幅Ｄ３は、溝幅Ｄ２とは相
関性がないので、成形が可能である限り適宜設定でき
る。しかし、トラックピッチとは相関があり、トラック
ピッチをＴｐとした場合、０．１×Ｔｐ〜０．９×Ｔｐ
の範囲で設ける事ができる。更には０．２×Ｔｐ〜０．
８×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ
〜０．６×Ｔｐのような０．５Ｔｐを中心とした関係が
良好であり、特に、０．５Ｔｐよりやや幅の狭い０．２
×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐ、
０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐの関係が良好にトラッキン
グでき、クロストークが少ないので好適である。

【００１９】更に溝幅を現す値として、半分の溝深さで
現す半値幅という表現がある。これを溝幅Ｄ４とする。
溝幅Ｄ４はトラックピッチと相関があり、トラックピッ
チをＴｐとした場合、０．１×Ｔｐ〜０．９×Ｔｐの範
囲で設ける事ができる。更には０．２×Ｔｐ〜０．８×
Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜
０．６×Ｔｐのような０．５Ｔｐを中心とした関係が良
好であり、中でも、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．
４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐが好ましく、特に、０．４×Ｔ
ｐ〜０．６×Ｔｐが好適である。以上に挙げた数字の測
定はＳＥＭ(走査型電子顕微鏡)、タリステップ、ＡＦＭ
（原子間力顕微鏡）、ＳＴＭ（スキャニングトンネルマ
イクロスコープ）等の既存の何れかの装置を使用して行
う。また、ここで挙げたトラックピッチ、溝深さ、溝幅
の数値は、スタンパ及びスタンパを用いて成形した基板
の何れにも適応するものである。つまり、スタンパを上
記の範囲内で作製した場合（従って、成形基板は上記の
範囲外になることもある）、スタンパを上記の範囲外で
作製し、基板が上記の範囲に入っている場合を含む。

【００２０】また、本発明の光記録媒体に波長４５０ｎ
ｍ以下のレーザー光と開口度（ＮＡ）が０．７以上の対
物レンズを用いて記録再生を行う場合には、トラックピ
ッチは１００〜３００ｎｍ、２００〜４００ｎｍ、３０
０〜５００ｎｍ、４００〜６００ｎｍの範囲が安定した
トラッキングを達成するために好適であり、中でも３０
０〜５００ｎｍが適している。更に安定したトラッキン
グのためには３００〜４００ｎｍが良い。一方、溝の深
さはトラックピッチとは相関性がないので、独自に設定
することができ、１０〜１５０ｎｍ、２０〜１４０ｎ
ｍ、２０〜１００ｎｍ、２０〜５０ｎｍで表される範囲
が良好に使用可能な範囲である。中でも４９±５ｎｍ、
５０±１０ｎｍ、６０±２０ｎｍの条件でスタンパを作
製する事がグルーブ内に色素が十分に充填され良好な変
調度が得られる点で好適である。特に４９±５ｎｍで
は、成形が容易で良好な変調度が得られるので好適であ
る。溝の形状は、底辺が現れないＶ溝、底辺が現れるＵ
溝の何れでもよいが、より安定したトラッキングを達成
するためにはＵ溝が好適である。

【００２１】溝幅は溝の形状により変わるが、まずＶ溝
の開口部の幅（溝幅Ｄ５）に関して述べる。溝幅Ｄ５は
トラックピッチと相関があり、トラックピッチをＴｐと
した場合、０．１×Ｔｐ〜０．９×Ｔｐの範囲で設ける
事ができる。更には０．２×Ｔｐ〜０．８×Ｔｐ、０．
３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐ
のような０．５Ｔｐを中心とした関係が良好であり、特
に、０．５Ｔｐよりやや幅の広い０．４×Ｔｐ〜０．６
５×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐの関係が良好に
トラッキングでき、クロストークが少ないという点で好
適である。次に、Ｕ溝の開口部の幅（溝幅Ｄ６）に関し
て述べる。溝幅Ｄ６はトラックピッチと相関があり、ト
ラックピッチをＴｐとした場合、０．１×Ｔｐ〜０．９
×Ｔｐの範囲で設ける事ができる。更には０．２×Ｔｐ
〜０．８×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４
×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐのような０．５Ｔｐを中心とした
関係が良好であり、特に、０．５Ｔｐよりやや幅の広い
０．４×Ｔｐ〜０．６５×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．７
×Ｔｐの関係が良好にトラッキングでき、クロストーク
が少ないという点で好適である。次に、Ｕ溝の底部の幅
（溝幅Ｄ７）に関して述べる。溝幅Ｄ７は、溝幅Ｄ６と
は相関性がないので、成形が可能である限り適宜設定で
きる。しかし、トラックピッチとは相関があり、トラッ
クピッチをＴｐとした場合、０．１×Ｔｐ〜０．９×Ｔ
ｐの範囲で設ける事ができる。更には０．２×Ｔｐ〜
０．８×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×
Ｔｐ〜０．６×Ｔｐのような０．５Ｔｐを中心とした関
係が良好であり、特に、０．５Ｔｐよりやや幅の狭い
０．２×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．６×
Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐの関係が良好にトラ
ッキングでき、クロストークが少ないので好適である。

【００２２】更に溝幅を現す値として、半分の溝深さで
現す半値幅という表現がある。これを溝幅Ｄ８とする。
溝幅Ｄ８はトラックピッチと相関があり、トラックピッ
チをＴｐとした場合、０．１×Ｔｐ〜０．９×Ｔｐの範
囲で設ける事ができる。更には０．２×Ｔｐ〜０．８×
Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜
０．６×Ｔｐのような０．５Ｔｐを中心とした関係が良
好であり、中でも、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．
４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐが好ましく、特に、０．４×Ｔ
ｐ〜０．６×Ｔｐが好適である。以上に挙げた数字の測
定はＳＥＭ、タリステップ、ＡＦＭ、ＳＴＭ等の既存の
いずれかの装置を使用して行う。また、ここで挙げたト
ラックピッチ、溝深さ、溝幅の数値は、スタンパ及びス
タンパを用いて成形した基板の何れにも適応するもので
ある。つまり、スタンパを上記の範囲内で作製した場合
（従って、成形基板は上記の範囲外になることもあ
る）、スタンパを上記の範囲外で作製し、基板が上記の
範囲に入っている場合を含む。また、トラックピッチＴ
ｐ＝０．１〜０．６μｍの範囲において、ウォブリング
量Ｗは、Ｗ＝Ｔｐ／２０〜Ｔｐ／４０の範囲が良好にア
ドレスを読み出す事ができるので好適である。

【００２３】プリフォーマットパターン２は、少なくと
も記録・再生用レーザービームを記録トラックに追従さ
せるためのビーム案内部を含んで構成される。図１、図
２の例では、ビーム案内部が、センタ孔１ａと同心の渦
巻状又は同心円状に形成された案内溝２ａを以って構成
されており、当該案内溝２ａに沿って、アドレスピット
やクロックピット等のプリピット２ｂが形成されてい
る。プリピット２ｂが案内溝２ａ上に重ねて形成される
場合には、両者を光学的に識別できるようにするため、
図１に示すように、案内溝２ａとプリピット２ｂとがそ
れぞれ異なる深さに形成される。プリピット２ｂが相隣
接する案内溝２ａの間に形成される場合には、両者を同
じ深さに形成することもできる。なお、ビーム案内部と
しては、案内溝２ａに代えてウォブルピットを記録トラ
ックに沿って形成することもできる。また、プリピット
２ｂを無くし案内溝のみで形成しても良い。

【００２４】無機層３の材料としては、例えば原子配列
を変化させることにより情報の記録ができる相変化記録
材料を使用できる。具体的にはα−β−γ−Ｇｅ−Ｔｅ
で代表される金属及び合金が挙げられる。ここでαは、
Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐ
ｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｈｇ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、
Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ランタニド元素、アクチニド元素、
アルカリ土類金属元素、不活性ガス元素などから選ばれ
た少なくとも一つの元素を表し、βは、Ｔｌ、Ｉなどの
ハロゲン元素、Ｎａなどのアルカリ金属元素から選ばれ
た少なくとも一つの元素を表し、γは、Ｓｂ、Ｓｎ、Ａ
ｓ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ
から選ばれた少なくとも一つの元素を表す。また、光磁
気記録材料に使用される金属材料、例えば上記金属元素
の中のＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏなども無機層３として使用可能
である。

【００２５】更に、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｚｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓ
ｂ及びＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の
物質及び／又はそれらの酸化物、窒化物、炭化物、硫化
物を含有することが望ましい。酸化物などの具体例とし
ては、ＺｎＳ、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ−Ｓｉ
Ｏ_２、ＳｉＣ、ＺｎＯ _２等が挙げられる。本発明では上
記のような材料を無機層の主成分として用いるが、ここ
で主成分とは上記の材料を５０重量％以上含有すること
を意味する。また、銀を主体とする金属又は合金を用い
る場合には、銀の含有率が８０原子％以上、好ましくは
９０原子％以上であることが好ましい。

【００２６】無機層３の膜厚は、１〜２００ｎｍが好適
である。膜厚が１ｎｍより薄いと、割れを生じ良好な成
膜ができない。また、膜厚が２００ｎｍより厚い場合に
は、熱の伝達が大きくなり、良好な記録をすることがで
きない。材料別の好適な膜厚の例を示すと、ＳｉＣの場
合、８〜１４ｎｍ、Ａｇの場合１０〜１００ｎｍ、Ｔｅ
の場合、１〜５ｎｍ、ＴｅＯの場合、１〜１００ｎｍ、
ＺｎＯ−ＳｉＯ_２の場合、５〜５０ｎｍ、好ましくは１
０〜４０ｎｍ、更に好ましくは２０〜３０ｎｍ、ＺｎＳ
の場合、５〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜４０ｎｍ、更
に好ましくは２０〜３０ｎｍ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ａｌ
Ｎ、ＺｎＯ_２の場合、1〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜
４０ｎｍ、更に好ましくは２０〜３０ｎｍ、Ｓｉ_３Ｎ_４
の場合、５〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜４０ｎｍ、更
に好ましくは３０〜４０ｎｍである。

【００２７】この層には、通常、図１に示す様な貫通し
ていない独立気泡タイプのマイクロポア３ａが存在し、
中には貫通している連続気泡タイプ３ｂが存在する。ま
た、マイクロポアの深さは、あまり影響ないが、情報を
記録・再生・消去する情報領域の平均膜厚を１００とし
た場合、５０以下が殆どであることが好ましく、１０〜
３０が多い方がより好ましい。無機層３は、その材料と
して金属材料又は合金材料を用いる場合には、スパッタ
リングや真空蒸着などの真空成膜法によって形成するこ
とができる。その場合、真空槽内の真空度を変えて（例
えば、１０〜５ｔｏｒｒ程度）スパッタリングを行い、
密度又は結晶化状態の違う膜を形成することにより金属
反射膜の反射率を高くする技術を採用することもでき
る。第二の無機層５は、膜厚も材料も無機層３と同様で
ある。

【００２８】一方、有機層４は、第一の無機層３よりも
熱的な影響を受け易く、変形又は光学的に変化し易い材
料を主成分とする必要がある。このような条件を満足す
る材料としては、例えば、アントラキノン系、ダイオキ
シディン系、トリフェノジチアジン系、フェナントレン
系、シアニン系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン
系、メロシアニン系、ピリリウム系、キサンテン系、ト
リフェニルメタン系、クロコニウム系、アゾ系、インジ
ゴイド系、メチン系、アズレン系、スクアリリウム系、
スルファイド系及びメタンジチオールレート系の色素か
らなる群より選択される少なくとも１つの色素；上記色
素の少なくとも１つに加えて、ビニールアルコール系樹
脂、ビニールアセテート系樹脂、アクリレート系樹脂、
ポリエステル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリスチレ
ン系樹脂、ポリウレタン系樹脂、セルロース系樹脂及び
脂肪酸系樹脂からなる群より選択される少なくとも１つ
の高分子物質を５０重量％以下含有する材料；金属錯体
化していてもよいポルフィリン、モノ、ジ、トリアザポ
ルフィリン系化合物群が挙げられる。この他に、芳香族
化合物、脂肪族化合物、アミド、エステル、アミン、ウ
レア、硫黄化合物、ヒドロキシ化合物などから上記の条
件を満足する化合物を適宜選択して用いることもでき
る。本発明では上記のような材料を有機層の主成分とし
て用いるが、ここで主成分とは上記の材料を５０重量％
以上含有することを意味する。

【００２９】特に下記一般式（１）で表される化合物を
少なくとも１種含有していると優れた効果を発揮する。
そして、波長３００〜５００ｎｍ及び／又は５００〜７
００ｎｍから選択される記録レーザー波長及び再生レー
ザー波長に対して記録再生が可能である。中でも、波長
３００〜４５０ｎｍ及び／又は６００〜７００ｎｍ、更
には波長３３９〜４３５ｎｍ及び／又は６３５〜６７０
ｎｍの範囲から選択される記録レーザー波長及び再生レ
ーザー波長に対して良好なＣ／Ｎ比を得ることができ、
また、再生光安定性も良く、高品位な信号特性が得られ
る追記型光記録媒体である。

【化１】 〔式中、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有
していてもよいピロール環骨格を表し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそ
れぞれ独立に置換基を有していてもよいメチン基又は窒
素原子を表し、Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つが置換
基を有していてもよいメチン基であり、Ｍは２個の水素
原子、置換基又は配位子を有していてもよい２〜４価の
金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子の何れかを表
す。〕

【００３０】上記一般式（１）で表される化合物は、置
換基の選択により吸光係数を保持した状態で吸収波長を
任意に選択できるため、前記レーザー光の波長におい
て、記録層に必要な光学定数を満足することのできる極
めて有用な有機色素である。また、一般式（１）の、置
換基を有していてもよいピロール環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの置
換基の具体例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シア
ノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、ス
ルホン酸基、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラル
キルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ
基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミ
ノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキル
オキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ア
ルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニ
ル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基又は
ヘテロアリール基等が挙げられる。

【００３１】また、一般式（１）のアザポルフィリン骨
格のメソ位に位置する置換基を有していてもよいメチン
基Ｘ、Ｙ、Ｚの置換基の具体例としては、それぞれ下記
式（１ａ）、式（１ｂ）、式（１ｃ）で示される置換し
ていてもよいメチン基等が挙げられる。

【化２】 〔式中、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｇ^３は水素原子、ハロゲン原子、
シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル
基、アリール基」の何れかを示す。〕 また、上記ピロール環の置換基、及びＸ、Ｙ、Ｚで表さ
れるメチン基上の置換基は、連結基を介してピロール環
上の各置換基同士で、或いはピロール環上の置換基と隣
接するメチン基上の置換基とで連結していてもよく、具
体的には脂肪族縮合又は芳香族縮合による環の形成、或
いは連結基としてヘテロ原子又は金属錯体残基等のヘテ
ロ原子を含む複素環の形成等が挙げられる。更に、一般
式（１）のＭの具体例としては、２価の無置換又は配位
子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金
属原子又は半金属原子、オキシ金属原子等が挙げられ
る。

【００３２】上記一般式（１）で表される化合物の好ま
しい例としては、次の一般式（２）〜（８）で表される
化合物が挙げられる。

【化３】 〔式中、Ｒ^１〜Ｒ^８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミ
ノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、置換又は無置換
の「アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニ
ル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオ
キシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラル
キルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基」、モ
ノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、置換又は無置換の
「アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキ
シカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケ
ニルオキシカルボニル基」、モノ置換アミノカルボニル
基、ジ置換アミノカルボニル基、置換又は無置換の「ア
シルオキシ基、ヘテロアリール基」の何れかを表し、Ｌ
^１は窒素原子又はＣ−Ｒ^９（Ｒ^９は水素原子、ハロゲン
原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラ
ルキル基、アリール基」の何れかを表す）で示される置
換されていてもよいメチン基を表し、Ｌ^２は窒素原子又
はＣ−Ｒ^１０（Ｒ ^１０は水素原子、ハロゲン原子、シア
ノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、
アリール基」の何れかを表す）で示される置換されてい
てもよいメチン基を表し、Ｌ^３は、窒素原子又はＣ−Ｒ
^１１（Ｒ^１１は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置
換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール
基」の何れかを表す）で示される置換されていてもよい
メチン基を表し、Ｌ^１〜Ｌ^３のうち、少なくとも１つは
メチン基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^１１の各置換基は連結基を介
して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ^１
は２個の水素原子、２価の無置換又は配位子を有する金
属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半
金属原子、オキシ金属原子の何れかを表す。〕

【００３３】

【化４】 〔式中、Ｒ^１２〜Ｒ^１９はそれぞれ独立に、前記一般式
（２）のＲ^１〜Ｒ^８と同一の基を表し、Ｒ^２０、Ｒ^２１
はそれぞれ独立に、前記一般式（２）のＲ^９〜Ｒ ^１１と
同一の基を表し、Ｒ^１２〜Ｒ^２１の各置換基は連結基を
介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ
^２は前記一般式（２）のＭ^１と同一の物質を表す。（中
でも、Ｒ^２０、Ｒ^２１が置換又は無置換のフェニル基の
ものが好ましい。）〕

【００３４】

【化５】 〔式中、Ｒ^２２〜Ｒ^２９はそれぞれ独立に、前記一般式
（２）のＲ^１〜Ｒ^８と同一の基を表し、Ｒ^３０〜Ｒ^３２
はそれぞれ独立に、前記一般式（２）のＲ^９〜Ｒ ^１１と
同一の基を表し、Ｒ^２２〜Ｒ^３２の各置換基は連結基を
介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ
^３は前記一般式（２）のＭ^１と同一の物質を表す。（Ｒ
^３０〜Ｒ^３２が置換又は無置換のフェニル基も好ましく
用いられる。）〕

【００３５】

【化６】 〔式中、Ｒ^３３〜Ｒ^４４はそれぞれ独立に、水素原子、
ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換又は無置換の「ア
ルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキ
シ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基、又はヘテロアリール基」の
何れかを表し、Ｒ^３３とＲ^３４、Ｒ^３５とＲ^３６は、連
結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪
族環を形成してもよく、Ｘ^１、Ｙ^１、Ｚ^１はそれぞれ独
立にメチン基又は窒素原子を表し、Ｘ^１、Ｙ^１、Ｚ^１の
うち少なくとも２つが窒素原子であり、Ｍ^４は前記一般
式（２）のＭ^１と同一の物質を表す。〕

【００３６】

【化７】 〔式中、Ｒ^４５〜Ｒ^５６はそれぞれ独立に、前記一般式
（５）のＲ^３３〜Ｒ^４４と同一の基を表し、Ｒ^４５とＲ
^４６、Ｒ^４７とＲ^４８は、連結基を介して、それぞれ置
換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｍ
^５は前記一般式（２）のＭ^１と同一の物質を表す。〕

【００３７】

【化８】 〔式中、Ｒ^５７〜Ｒ^６８はそれぞれ独立に、前記一般式
（５）のＲ^３３〜Ｒ^４４と同一の基を表し、Ｒ^５７とＲ
^５８、Ｒ^５９とＲ^６０は連結基を介して、それぞれ置換
基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｍ^６
は前記一般式（２）のＭ^１と同一の物質を表す。〕

【００３８】

【化９】 〔式中、Ｒ^６９〜Ｒ^８０はそれぞれ独立に、前記一般式
（５）のＲ^３３〜Ｒ^４４と同一の基を表し、Ｒ^６９とＲ
^７０、Ｒ^７１とＲ^７２は連結基を介して、それぞれ置換
基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｍ^７
は前記一般式（２）のＭ^１と同一の物質を表す。〕

【００３９】下記一般式（９）で表されるマレオニトリ
ルと下記一般式（１０）で表されるアセトフェノンとハ
ロゲン化金属及び／又は金属誘導体と反応させることに
より製造される下記一般式（１１）で表されるアザポル
フィリン化合物の混合物（ここでいう混合物とは、原料
のマレオニトリル及びアセトフェノンの結合の仕方によ
り生成する構造異性体の混合物のことである）。

【化１０】 〔式中、Ｒ^８１〜Ｒ^８６はそれぞれ独立に、前記一般式
（５）のＲ^３３〜Ｒ^４４と同一の基を表し、Ｒ^８１とＲ
^８２は連結基を介して、置換基を有していてもよい脂肪
族環を形成してもよく、Ｑはハロゲン原子又はシアノ基
を表す。〕

【００４０】

【化１１】 〔式中、Ａ^１、Ａ^２は何れか一方が前記一般式（９）の
Ｒ^８１、他方がＲ^８２を表し、Ａ^３、Ａ^４は何れか一方
が前記一般式（９）のＲ^８１、他方がＲ^８２を表し、Ｂ
^１、Ｂ^２、Ｂ^３、Ｂ^４は順に前記一般式（１０）のＲ
^８３、Ｒ^８４、Ｒ^{８ ５}、Ｒ^８６又はＲ^８６、Ｒ^８５、Ｒ
^８４、Ｒ^８３を表し、Ｂ^５、Ｂ^６、Ｂ^７、Ｂ ^８は順に前
記一般式（１０）のＲ^８３、Ｒ^８４、Ｒ^８５、Ｒ^８６又
はＲ^８６、Ｒ ^８５、Ｒ^８４、Ｒ^８３を表し、Ｍ^８は前記
一般式（２）のＭ^１と同一の物質を表す。〕

【００４１】前記一般式（２）で表されるアザポルフィ
リン化合物において、Ｒ^１〜Ｒ^８がハロゲン原子である
場合の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子が挙げられる。また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換
又は無置換のアルキル基である場合の具体例としては、
次の（イ）〜（オ）の基が挙げられる。 （イ） メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ
−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ
−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル
基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、
１，１−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ−
ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチ
ル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、
３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル
基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチ
ル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブ
チル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１
−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、
１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メ
チルプロピル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、
２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メ
チルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメ
チルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル
基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリメ
チルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，
２，４−トリメチルペンチル基、３，５，５−トリメチ
ルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、４−エチ
ルオクチル基、４−エチル−４，５−メチルヘキシル
基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，
７−テトラエチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、
６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−
メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、
ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、
２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチ
ル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−
シクロペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−シ
クロヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基などの炭素
数１〜１５の無置換の直鎖、分岐又は環状のアルキル
基；

【００４２】（ロ） クロロメチル基、クロロエチル
基、ブロモエチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル
基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタ
フルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル
基、２，２，２−トリクロロエチル基、１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル基、ノナフ
ルオロブチル基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原
子で置換した炭素数１〜１０のアルキル基；

【００４３】（ハ） ヒドロキシメチル基、２−ヒドロ
キシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロ
キシブチル基、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピル
基、２−ヒドロキシ−３−クロロプロピル基、２−ヒド
ロキシ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−
ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−シクロヘ
キシルオキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、
２−ヒドロキシブチル基、４−ヒドロキシデカリル基な
どのヒドロキシル基で置換した炭素数１〜１０のアルキ
ル基；

【００４４】（ニ） ヒドロキシメトキシメチル基、ヒ
ドロキシエトキシエチル基、２−（２′−ヒドロキシ−
１′−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、２−
（３′−フルオロ−２′−ヒドロキシプロポキシ）エチ
ル基、２−（３′−クロロ−２′−ヒドロキシプロポキ
シ）エチル基、ヒドロキシブトキシシクロヘキシル基な
どのヒドロキシアルコキシ基で置換した炭素数２〜１０
のアルキル基；

【００４５】（ホ） ヒドロキシメトキシメトキシメチ
ル基、ヒドロキシエトキシエトキシエチル基、［２′−
（２′−ヒドロキシ−１′−メチルエトキシ）−１′−
メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２′−（２′−
フルオロ−１′−ヒドロキシエトキシ）−１′−メチル
エトキシ］エトキシエチル基、［２′−（２′−クロロ
−１′−ヒドロキシエトキシ）−１′−メチルエトキ
シ］エトキシエチル基などのヒドロキシアルコキシアル
コキシ基で置換した炭素数３〜１０のアルキル基；

【００４６】（ヘ） シアノメチル基、２−シアノエチ
ル基、３−シアノプロピル基、４−シアノブチル基、２
−シアノ−３−メトキシプロピル基、２−シアノ−３−
クロロプロピル基、２−シアノ−３−エトキシプロピル
基、３−ブトキシ−２−シアノプロピル基、２−シアノ
−３−シクロヘキシルプロピル基、２−シアノプロピル
基、２−シアノブチル基などのシアノ基で置換した炭素
数２〜１０のアルキル基；

【００４７】（ト） メトキシメチル基、エトキシメチ
ル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキ
シエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、
ブトキシエチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、（４
−メチルペントキシ）エチル基、（１，３−ジメチルブ
トキシ）エチル基、（２−エチルヘキシルオキシ）エチ
ル基、ｎ−オクチルオキシエチル基、（３，５，５−ト
リメチルヘキシルオキシ）エチル基、（２−メチル−１
−ｉｓｏ−プロピルプロポキシ）エチル基、（３−メチ
ル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルオキシ）エチル基、２
−エトキシ−１−メチルエチル基、３−メトキシブチル
基、（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エチル
基、（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エチル基な
どのアルコキシ基で置換した炭素数２〜１５のアルキル
基；

【００４８】（チ） メトキシメトキシメチル基、メト
キシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プ
ロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル
基、シクロヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリル
オキシプロポキシエトキシエチル基、（１，２−ジメチ
ルプロポキシ）エトキシエチル基、（３−メチル−１−
ｉｓｏ−ブチルブトキシ）エトキシエチル基、（２−メ
トキシ−１−メチルエトキシ）エチル基、（２−ブトキ
シ−１−メチルエトキシ）エチル基、２−（２′−エト
キシ−１′−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、
（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エトキシエチ
ル基、（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エトキシ
エチル基などのアルコキシアルコキシ基で置換した炭素
数３〜１５のアルキル基；

【００４９】（リ） メトキシメトキシメトキシメチル
基、メトキシエトキシエトキシエチル基、エトキシエト
キシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエトキシエチ
ル基、シクロヘキシルオキシエトキシエトキシエチル
基、プロポキシプロポキシプロポキシエチル基、（２，
２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシエトキシエチ
ル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシエ
トキシエチル基などのアルコキシアルコキシアルコキシ
基で置換した炭素数４〜１５のアルキル基；

【００５０】（ヌ） ホルミルメチル基、２−オキソブ
チル基、３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、
２，６−ジオキソシクロヘキサン−１−イル基、２−オ
キソ−５−ｔ−ブチルシクロヘキサン−１−イル基等の
アシル基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；

【００５１】（ル） ホルミルオキシメチル基、アセト
キシエチル基、プロピオニルオキシエチル基、ブタノイ
ルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、（２−エ
チルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−ト
リメチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５
−トリメチルヘキサノイルオキシ）ヘキシル基、（３−
フルオロブチリルオキシ）エチル基、（３−クロロブチ
リルオキシ）エチル基などのアシルオキシ基で置換した
炭素数２〜１５のアルキル基；

【００５２】（ヲ） ホルミルオキシメトキシメチル
基、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシ
エトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、
（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、
（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）オキシブトキ
シエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオ
キシ）エトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニル
オキシ）エトキシエチル基、（２−クロロプロピオニル
オキシ）エトキシエチル基などのアシルオキシアルコキ
シ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；

【００５３】（ワ） アセトキシメトキシメトキシメチ
ル基、アセトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオ
ニルオキシエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシ
エトキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイル
オキシ）エトキシエトキシエチル基、（３，５，５−ト
リメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル
基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエト
キシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エト
キシエトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシア
ルコキシ基で置換した炭素数５〜１５のアルキル基；

【００５４】（カ） メトキシカルボニルメチル基、エ
トキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル
基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニル
エチル基、ブトキシカルボニルエチル基、（ｐ−エチル
シクロヘキシルオキシカルボニル）シクロヘキシル基、
（２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシカルボニ
ル）メチル基、（２，２，３，３−テトラクロロプロポ
キシカルボニル）メチル基などのアルコキシカルボニル
基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；

【００５５】（ヨ） フェノキシカルボニルメチル基、
フェノキシカルボニルエチル基、（４−ｔ−ブチルフェ
ノキシカルボニル）エチル基、ナフチルオキシカルボニ
ルメチル基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基など
のアリールオキシカルボニル基で置換した炭素数８〜１
５のアルキル基；

【００５６】（タ） ベンジルオキシカルボニルメチル
基、ベンジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオ
キシカルボニルメチル基、（４−シクロヘキシルオキシ
ベンジルオキシカルボニル）メチル基などのアラルキル
オキシカルボニル基で置換した炭素数９〜１５のアルキ
ル基；

【００５７】（レ） ビニルオキシカルボニルメチル
基、ビニルオキシカルボニルエチル基、アリルオキシカ
ルボニルメチル基、シクロペンタジエニルオキシカルボ
ニルメチル基、オクテノキシカルボニルメチル基などの
アルケニルオキシカルボニル基で置換した炭素数４〜１
０のアルキル基；

【００５８】（ソ） メトキシカルボニルオキシメチル
基、メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシカル
ボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチ
ル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニル
オキシ）エチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ
カルボニルオキシ）エチル基などのアルコキシカルボニ
ルオキシ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；

【００５９】（ツ） メトキシメトキシカルボニルオキ
シメチル基、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル
基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブト
キシエトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２
−トリフルオロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエ
チル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシ
カルボニルオキシエチル基などのアルコキシアルコキシ
カルボニルオキシ基で置換した炭素数４〜１５のアルキ
ル基；

【００６０】（ネ） ジメチルアミノメチル基、ジエチ
ルアミノメチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ
−ｎ−ヘキシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミ
ノメチル基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソ
アミル−Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル
基、ジ（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキ
シエチル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミ
ノメチル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ
（プロポキシエチル）アミノメチル基、ジ（ブトキシエ
チル）アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキ
シエチル）アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、
ジエチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル
基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチ
ルアミノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ
−イソアミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノ
エチル基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ
（メトキシエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチ
ル）アミノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチ
ル基、ジ（プロポキシエチル）アミノエチル基、ジ（ブ
トキシエチル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキ
シルオキシエチル）アミノエチル基、ジメチルアミノプ
ロピル基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチル
アミノプロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル
基、ジ−ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシ
ルアミノプロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミ
ノプロピル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメ
チル）アミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノ
プロピル基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、
ジ（エトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（プロポキ
シエチル）アミノプロピル基、ジ（ブトキシエチル）ア
ミノプロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチ
ル）アミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエ
チルアミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、
ジ−ｎ−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルア
ミノブチル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イ
ソアミル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチ
ル基、ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メト
キシエチル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）ア
ミノブチル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、
ジ（プロポキシエチル）アミノブチル基、ジ（ブトキシ
エチル）アミノブチル基、ビス（２−シクロヘキシルオ
キシエチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が
置換した炭素数３〜２０のアルキル基；

【００６１】（ナ） アセチルアミノメチル基、アセチ
ルアミノエチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタ
ノイルアミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミ
ノエチル基、ｐ−メチルシクロヘキサンカルボニルアミ
ノエチル基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミ
ノ基で置換した炭素数３〜１０のアルキル基；

【００６２】（ラ） メチルスルホンアミノメチル基、
メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノ
エチル基、プロピルスルホンアミノエチル基、オクチル
スルホンアミノエチル基などのアルキルスルホンアミノ
基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；

【００６３】（ム） メチルスルホニルメチル基、エチ
ルスルホニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メ
チルスルホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、
ブチルスルホニルエチル基、２−エチルヘキシルスルホ
ニルエチル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピ
ルスルホニルメチル基、２，２，３，３−テトラクロロ
プロピルスルホニルメチル基などのアルキルスルホニル
基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；

【００６４】（ウ） ベンゼンスルホニルメチル基、ベ
ンゼンスルホニルエチル基、ベンゼンスルホニルプロピ
ル基、ベンゼンスルホニルブチル基、トルエンスルホニ
ルメチル基、トルエンスルホニルエチル基、トルエンス
ルホニルプロピル基、トルエンスルホニルブチル基、キ
シレンスルホニルメチル基、キシレンスルホニルエチル
基、キシレンスルホニルプロピル基、キシレンスルホニ
ルブチル基などのアリールスルホニル基で置換した炭素
数７〜１２のアルキル基；

【００６５】（ヰ） チアジアゾリノメチル基、ピロリ
ノメチル基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル
基、イミダゾリジノメチル基、オキサゾリル基、トリア
ゾリノメチル基、モルホリノメチル基、インドーリノメ
チル基、ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメ
チル基などの複素環基で置換した炭素数２〜１３のアル
キル基；

【００６６】（ノ−１） フェロセニルメチル基、フェ
ロセニルエチル基、フェロセニル−ｎ−プロピル基、フ
ェロセニル−ｉｓｏ−プロピル基、フェロセニル−ｎ−
ブチル基、フェロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、フェロセ
ニル−ｓｅｃ−ブチル基、フェロセニル−ｔ−ブチル
基、フェロセニル−ｎ−ペンチル基、フェロセニル−ｉ
ｓｏ−ペンチル基、フェロセニル−２−メチルブチル
基、フェロセニル−１−メチルブチル基、フェロセニル
ネオペンチル基、フェロセニル−１，２−ジメチルプロ
ピル基、フェロセニル−１，１−ジメチルプロピル基、
フェロセニルシクロペンチル基、フェロセニル−ｎ−ヘ
キシル基、フェロセニル−４−メチルペンチル基、フェ
ロセニル−３−メチルペンチル基、フェロセニル−２−
メチルペンチル基、フェロセニル−１−メチルペンチル
基、フェロセニル−３，３−ジメチルブチル基、フェロ
セニル−２，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−
１，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，２−ジ
メチルブチル基、フェロセニル−１，２−ジメチルブチ
ル基、フェロセニル−１，１−ジメチルブチル基、フェ
ロセニル−３−エチルブチル基、フェロセニル−２−エ
チルブチル基、フェロセニル−１−エチルブチル基、フ
ェロセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、フェロ
セニル−１，１，２−トリメチルブチル基、フェロセニ
ル−１−エチル−２−メチルプロピル基、フェロセニル
シクロヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ヘプチル基、フ
ェロセニル−２−メチルヘキシル基、フェロセニル−３
−メチルヘキシル基、フェロセニル−４−メチルヘキシ
ル基、フェロセニル−５−メチルヘキシル基、フェロセ
ニル−２，４−ジメチルペンチル基、フェロセニル−ｎ
−オクチル基、フェロセニル−２−エチルヘキシル基、
フェロセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、フェロセ
ニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、フェロセニ
ル−２，４−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，
２，４−トリメチルペンチル基、フェロセニル−３，
５，５−トリメチルヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ノ
ニル基、フェロセニル−ｎ−デシル基、

【００６７】（ノ−２） コバルトセニルメチル基、コ
バルトセニルエチル基、コバルトセニル−ｎ−プロピル
基、コバルトセニル−ｉｓｏ−プロピル基、コバルトセ
ニル−ｎ−ブチル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−ブチル
基、コバルトセニル−ｓｅｃ−ブチル基、コバルトセニ
ル−ｔ−ブチル基、コバルトセニル−ｎ−ペンチル基、
コバルトセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、コバルトセニル
−２−メチルブチル基、コバルトセニル−１−メチルブ
チル基、コバルトセニルネオペンチル基、コバルトセニ
ル−１，２−ジメチルプロピル基、コバルトセニル−
１，１−ジメチルプロピル基、コバルトセニルシクロペ
ンチル基、コバルトセニル−ｎ−ヘキシル基、コバルト
セニル−４−メチルペンチル基、コバルトセニル−３−
メチルペンチル基、コバルトセニル−２−メチルペンチ
ル基、コバルトセニル−１−メチルペンチル基、コバル
トセニル−３，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル
−２，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，３
−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，２−ジメチ
ルブチル基、コバルトセニル−１，２−ジメチルブチル
基、コバルトセニル−１，１−ジメチルブチル基、コバ
ルトセニル−３−エチルブチル基、コバルトセニル−２
−エチルブチル基、コバルトセニル−１−エチルブチル
基、コバルトセニル−１，２，２−トリメチルブチル
基、コバルトセニル−１，１，２−トリメチルブチル
基、コバルトセニル−１−エチル−２−メチルプロピル
基、コバルトセニルシクロヘキシル基、コバルトセニル
−ｎ−ヘプチル基、コバルトセニル−２−メチルヘキシ
ル基、コバルトセニル−３−メチルヘキシル基、コバル
トセニル−４−メチルヘキシル基、コバルトセニル−５
−メチルヘキシル基、コバルトセニル−２，４−ジメチ
ルペンチル基、コバルトセニル−ｎ−オクチル基、コバ
ルトセニル−２−エチルヘキシル基、コバルトセニル−
２，５−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−２，
５，５−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−２，
４−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−２，２，４
−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−３，５，５
−トリメチルヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ノニル
基、コバルトセニル−ｎ−デシル基、

【００６８】（ノ−３） ニッケロセニルメチル基、ニ
ッケロセニルエチル基、ニッケロセニル−ｎ−プロピル
基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−プロピル基、ニッケロセ
ニル−ｎ−ブチル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−ブチル
基、ニッケロセニル−ｓｅｃ−ブチル基、ニッケロセニ
ル−ｔ−ブチル基、ニッケロセニル−ｎ−ペンチル基、
ニッケロセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、ニッケロセニル
−２−メチルブチル基、ニッケロセニル−１−メチルブ
チル基、ニッケロセニルネオペンチル基、ニッケロセニ
ル−１，２−ジメチルプロピル基、ニッケロセニル−
１，１−ジメチルプロピル基、ニッケロセニルシクロペ
ンチル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘキシル基、ニッケロ
セニル−４−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３−
メチルペンチル基、ニッケロセニル−２−メチルペンチ
ル基、ニッケロセニル−１−メチルペンチル基、ニッケ
ロセニル−３，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル
−２，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，３
−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，２−ジメチ
ルブチル基、ニッケロセニル−１，２−ジメチルブチル
基、ニッケロセニル−１，１−ジメチルブチル基、ニッ
ケロセニル−３−エチルブチル基、ニッケロセニル−２
−エチルブチル基、ニッケロセニル−１−エチルブチル
基、ニッケロセニル−１，２，２−トリメチルブチル
基、ニッケロセニル−１，１，２−トリメチルブチル
基、ニッケロセニル−１−エチル−２−メチルプロピル
基、ニッケロセニルシクロヘキシル基、ニッケロセニル
−ｎ−ヘプチル基、ニッケロセニル−２−メチルヘキシ
ル基、ニッケロセニル−３−メチルヘキシル基、ニッケ
ロセニル−４−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−５
−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチ
ルペンチル基、ニッケロセニル−ｎ−オクチル基、ニッ
ケロセニル−２−エチルヘキシル基、ニッケロセニル−
２，５−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，
５，５−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−２，
４−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，２，４
−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−３，５，５
−トリメチルヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ノニル
基、ニッケロセニル−ｎ−デシル基、

【００６９】（ノ−４） ジクロロチタノセニルメチル
基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメチル基、
ビス（トリフルオルメタンスルホナト）チタノセンメチ
ル基、ジクロロジルコノセニルメチル基、ジメチルジル
コノセニルメチル基、ジエトキシジルコノセニルメチル
基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメチル基、ビ
ス（シクロペンタジエニル）ジクロロモリブデンメチル
基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウム
メチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオ
ブメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウム
メチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメ
チル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジ
ウムメチル基などのメタロセニル基で置換した炭素数１
１〜２０のアルキル基；

【００７０】（オ−１） フェロセニルメトキシメチル
基、フェロセニルメトキシエチル基、フェロセニルメト
キシプロピル基、フェロセニルメトキシブチル基、フェ
ロセニルメトキシペンチル基、フェロセニルメトキシヘ
キシル基、フェロセニルメトキシヘプチル基、フェロセ
ニルメトキシオクチル基、フェロセニルメトキシノニル
基、フェロセニルメトキシデシル基、フェロセニルエト
キシメチル基、フェロセニルエトキシエチル基、フェロ
セニルエトキシプロピル基、フェロセニルエトキシブチ
ル基、フェロセニルエトキシペンチル基、フェロセニル
エトキシヘキシル基、フェロセニルエトキシヘプチル
基、フェロセニルエトキシオクチル基、フェロセニルエ
トキシノニル基、フェロセニルエトキシデシル基、フェ
ロセニルプロポキシメチル基、フェロセニルプロポキシ
エチル基、フェロセニルプロポキシプロピル基、フェロ
セニルプロポキシブチル基、フェロセニルプロポキシペ
ンチル基、フェロセニルプロポキシヘキシル基、フェロ
セニルプロポキシヘプチル基、フェロセニルプロポキシ
オクチル基、フェロセニルプロポキシノニル基、フェロ
セニルプロポキシデシル基、フェロセニルブトキシメチ
ル基、フェロセニルブトキシエチル基、フェロセニルブ
トキシプロピル基、フェロセニルブトキシブチル基、フ
ェロセニルブトキシペンチル基、フェロセニルブトキシ
ヘキシル基、フェロセニルブトキシヘプチル基、フェロ
セニルブトキシオクチル基、フェロセニルブトキシノニ
ル基、フェロセニルブトキシデシル基、フェロセニルデ
シルオキシメチル基、フェロセニルデシルオキシエチル
基、フェロセニルデシルオキシプロピル基、フェロセニ
ルデシルオキシブチル基、フェロセニルデシルオキシペ
ンチル基、フェロセニルデシルオキシヘキシル基、フェ
ロセニルデシルオキシヘプチル基、フェロセニルデシル
オキシオクチル基、フェロセニルデシルオキシノニル
基、フェロセニルデシルオキシデシル基、

【００７１】（オ−２） コバルトセニルメトキシメチ
ル基、コバルトセニルメトキシエチル基、コバルトセニ
ルメトキシプロピル基、コバルトセニルメトキシブチル
基、コバルトセニルメトキシペンチル基、コバルトセニ
ルメトキシヘキシル基、コバルトセニルメトキシヘプチ
ル基、コバルトセニルメトキシオクチル基、コバルトセ
ニルメトキシノニル基、コバルトセニルメトキシデシル
基、コバルトセニルエトキシメチル基、コバルトセニル
エトキシエチル基、コバルトセニルエトキシプロピル
基、コバルトセニルエトキシブチル基、コバルトセニル
エトキシペンチル基、コバルトセニルエトキシヘキシル
基、コバルトセニルエトキシヘプチル基、コバルトセニ
ルエトキシオクチル基、コバルトセニルエトキシノニル
基、コバルトセニルエトキシデシル基、コバルトセニル
プロポキシメチル基、コバルトセニルプロポキシエチル
基、コバルトセニルプロポキシプロピル基、コバルトセ
ニルプロポキシブチル基、コバルトセニルプロポキシペ
ンチル基、コバルトセニルプロポキシヘキシル基、コバ
ルトセニルプロポキシヘプチル基、コバルトセニルプロ
ポキシオクチル基、コバルトセニルプロポキシノニル
基、コバルトセニルプロポキシデシル基、コバルトセニ
ルブトキシメチル基、コバルトセニルブトキシエチル
基、コバルトセニルブトキシプロピル基、コバルトセニ
ルブトキシブチル基、コバルトセニルブトキシペンチル
基、コバルトセニルブトキシヘキシル基、コバルトセニ
ルブトキシヘプチル基、コバルトセニルブトキシオクチ
ル基、コバルトセニルブトキシノニル基、コバルトセニ
ルブトキシデシル基、コバルトセニルデシルオキシメチ
ル基、コバルトセニルデシルオキシエチル基、コバルト
セニルデシルオキシプロピル基、コバルトセニルデシル
オキシブチル基、コバルトセニルデシルオキシペンチル
基、コバルトセニルデシルオキシヘキシル基、コバルト
セニルデシルオキシヘプチル基、コバルトセニルデシル
オキシオクチル基、コバルトセニルデシルオキシノニル
基、コバルトセニルデシルオキシデシル基、

【００７２】（オ−３） ニッケロセニルメトキシメチ
ル基、ニッケロセニルメトキシエチル基、ニッケロセニ
ルメトキシプロピル基、ニッケロセニルメトキシブチル
基、ニッケロセニルメトキシペンチル基、ニッケロセニ
ルメトキシヘキシル基、ニッケロセニルメトキシヘプチ
ル基、ニッケロセニルメトキシオクチル基、ニッケロセ
ニルメトキシノニル基、ニッケロセニルメトキシデシル
基、ニッケロセニルエトキシメチル基、ニッケロセニル
エトキシエチル基、ニッケロセニルエトキシプロピル
基、ニッケロセニルエトキシブチル基、ニッケロセニル
エトキシペンチル基、ニッケロセニルエトキシヘキシル
基、ニッケロセニルエトキシヘプチル基、ニッケロセニ
ルエトキシオクチル基、ニッケロセニルエトキシノニル
基、ニッケロセニルエトキシデシル基、ニッケロセニル
プロポキシメチル基、ニッケロセニルプロポキシエチル
基、ニッケロセニルプロポキシプロピル基、ニッケロセ
ニルプロポキシブチル基、ニッケロセニルプロポキシペ
ンチル基、ニッケロセニルプロポキシヘキシル基、ニッ
ケロセニルプロポキシヘプチル基、ニッケロセニルプロ
ポキシオクチル基、ニッケロセニルプロポキシノニル
基、ニッケロセニルプロポキシデシル基、ニッケロセニ
ルブトキシメチル基、ニッケロセニルブトキシエチル
基、ニッケロセニルブトキシプロピル基、ニッケロセニ
ルブトキシブチル基、ニッケロセニルブトキシペンチル
基、ニッケロセニルブトキシヘキシル基、ニッケロセニ
ルブトキシヘプチル基、ニッケロセニルブトキシオクチ
ル基、ニッケロセニルブトキシノニル基、ニッケロセニ
ルブトキシデシル基、ニッケロセニルデシルオキシメチ
ル基、ニッケロセニルデシルオキシエチル基、ニッケロ
セニルデシルオキシプロピル基、ニッケロセニルデシル
オキシブチル基、ニッケロセニルデシルオキシペンチル
基、ニッケロセニルデシルオキシヘキシル基、ニッケロ
セニルデシルオキシヘプチル基、ニッケロセニルデシル
オキシオクチル基、ニッケロセニルデシルオキシノニル
基、ニッケロセニルデシルオキシデシル基、

【００７３】（オ−４） ジクロロチタノセニルメトキ
シメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメ
トキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナ
ト）チタノセンメトキシプロピル基、ジクロロジルコノ
セニルメトキシブチル基、ジメチルジルコノセニルメト
キシペンチル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシメ
チル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメトキシ
ヘキシル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハ
フニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニ
ル）ジクロロニオブメトキシオクチル基、ビス（シクロ
ペンタジエニル）ルテニウムメトキシメチル基、ビス
（シクロペンタジエニル）バナジウムメトキシメチル
基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウム
メトキシエチル基、オスモセニルメトキシエチル基など
のメタロセニルアルキルオキシ基で置換した炭素数１２
〜３０のアルキル基；

【００７４】（オ−５） フェロセンカルボニルオキシ
メチル基、フェロセンカルボニルオキシエチル基、フェ
ロセンカルボニルオキシプロピル基、フェロセンカルボ
ニルオキシブチル基、フェロセンカルボニルオキシペン
チル基、フェロセンカルボニルオキシヘキシル基、フェ
ロセンカルボニルオキシヘプチル基、フェロセンカルボ
ニルオキシオクチル基、フェロセンカルボニルオキシノ
ニル基、フェロセンカルボニルオキシデシル基、

【００７５】（オ−６） コバルトセンカルボニルオキ
シメチル基、コバルトセンカルボニルオキシエチル基、
コバルトセンカルボニルオキシプロピル基、コバルトセ
ンカルボニルオキシブチル基、コバルトセンカルボニル
オキシペンチル基、コバルトセンカルボニルオキシヘキ
シル基、コバルトセンカルボニルオキシヘプチル基、コ
バルトセンカルボニルオキシオクチル基、コバルトセン
カルボニルオキシノニル基、コバルトセンカルボニルオ
キシデシル基、

【００７６】（オ−７） ニッケロセンカルボニルオキ
シメチル基、ニッケロセンカルボニルオキシエチル基、
ニッケロセンカルボニルオキシプロピル基、ニッケロセ
ンカルボニルオキシブチル基、ニッケロセンカルボニル
オキシペンチル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘキ
シル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘプチル基、ニ
ッケロセンカルボニルオキシオクチル基、ニッケロセン
カルボニルオキシノニル基、ニッケロセンカルボニルオ
キシデシル基、

【００７７】（オ−８） ジクロロチタノセニルカルボ
ニルオキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジ
エニルカルボニルオキシエチル基、ビス（トリフルオロ
メタンスルホナト）チタノセンカルボニルオキシメトキ
シプロピル基、ジクロロジルコノセンカルボニルオキシ
ブチル基、ジメチルジルコノセンカルボニルオキシペン
チル基、ジエトキシジルコノセンカルボニルオキシメチ
ル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムカルボニル
オキシヘキシル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジク
ロロハフニウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シク
ロペンタジエニル）ジクロロニオブカルボニルオキシオ
クチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムカ
ルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニ
ル）バナジウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シク
ロペンタジエニル）ジクロロバナジウムカルボニルオキ
シエチル基、ビス（シクロペンタジエニル）オスミウム
カルボニルオキシエチル基などのメタロセニルカルボニ
ルオキシ基で置換した炭素数１２〜３０のアルキル基。

【００７８】また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換又は無置換のアラ
ルキルオキシ基である場合の具体例としては、前述した
アルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルオ
キシ基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルオキシ基、
ニトロベンジルオキシ基、シアノベンジルオキシ基、ヒ
ドロキシベンジルオキシ基、メチルベンジルオキシ基、
トリフルオロメチルベンジルオキシ基、ナフチルメトキ
シ基、ニトロナフチルメトキシ基、シアノナフチルメト
キシ基、ヒドロキシナフチルメトキシ基、メチルナフチ
ルメトキシ基、トリフルオロメチルナフチルメトキシ
基、フルオレン−９−イルエトキシ基などの炭素数７〜
１５のアラルキルオキシ基等である。

【００７９】また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換又は無置換のアリ
ールオキシ基である場合の具体例としては、前述したア
ルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールオキシ
基が挙げられ、好ましいのは、フェノキシ基、２−メチ
ルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブ
チルフェノキシ基、２−メトキシフェノキシ基、４−ｉ
ｓｏ−プロピルフェノキシ基、ナフトキシ基、フェロセ
ニルオキシ基、コバルトセニルオキシ基、ニッケロセニ
ルオキシ基、オクタメチルフェロセニルオキシ基、オク
タメチルコバルトセニルオキシ基、オクタメチルニッケ
ロセニルオキシ基などの炭素数６〜１８のアリールオキ
シ基である。

【００８０】また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換又は無置換のアル
ケニルオキシ基である場合の具体例としては、前述した
アルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルオ
キシ基が挙げられ、好ましいのは、ビニルオキシ基、プ
ロペニルオキシ基、１−ブテニルオキシ基、ｉｓｏ−ブ
テニルオキシ基、１−ペンテニルオキシ基、２−ペンテ
ニルオキシ基、２−メチル−１−ブテニルオキシ基、３
−メチル−１−ブテニルオキシ基、２−メチル−２−ブ
テニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキシ基、２，
２−ジシアノビニルオキシ基、２−シアノ−２−メチル
カルボキシルビニルオキシ基、２−シアノ−２−メチル
スルホンビニルオキシ基、スチリルオキシ基、４−フェ
ニル−２−ブテニルオキシ基、シンナミルアルコキシ基
などの炭素数２〜１０のアルケニルオキシ基である。

【００８１】また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換又は無置換のアル
キルチオ基である場合の具体例としては、前述したアル
キル基の場合と同様な置換基を有するアルキルチオ基が
挙げられ、好ましいのは、メチルチオ基、エチルチオ
基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ
−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチ
ルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉ
ｓｏ−ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、２−メチ
ルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチルチオ基、２
−エチルヘキシルチオ基、３，５，５−トリメチルヘキ
シルチオ基、デカリルチオ基などの炭素数１〜１０のア
ルキルチオ基である。

【００８２】また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換又は無置換のアラ
ルキルチオ基である場合の具体例としては、前述したア
ルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルチオ
基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルチオ基、ニトロ
ベンジルチオ基、シアノベンジルチオ基、ヒドロキシベ
ンジルチオ基、メチルベンジルチオ基、トリフルオロメ
チルベンジルチオ基、ナフチルメチルチオ基、ニトロナ
フチルメチルチオ基、シアノナフチルメチルチオ基、ヒ
ドロキシナフチルメチルチオ基、メチルナフチルメチル
チオ基、トリフルオロメチルナフチルメチルチオ基、フ
ルオレン−９−イルエチルチオ基などの炭素数７〜１２
のアラルキルチオ基等である。

【００８３】また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換又は無置換のアリ
ールチオ基である場合の具体例としては、前述したアル
キル基の場合と同様な置換基を有するアリールチオ基が
挙げられ、好ましいのは、フェニルチオ基、４−メチル
フェニルチオ基、２−メトキシフェニルチオ基、４−ｔ
−ブチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基、フェロセニ
ルチオ基、コバルトセニルチオ基、ニッケロセニルチオ
基、オクタメチルフェロセニルチオ基、オクタメチルコ
バルトセニルチオ基、オクタメチルニッケロセニルチオ
基等の炭素数６〜１０のアリールチオ基などである。

【００８４】また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換又は無置換のアル
ケニルチオ基である場合の具体例としては、前述したア
ルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルチオ
基が挙げられ、好ましいのは、ビニルチオ基、アリルチ
オ基、ブテニルチオ基、ヘキサンジエニルチオ基、シク
ロペンタジエニルチオ基、スチリルチオ基、シクロヘキ
セニルチオ基、デセニルチオ基等の炭素数２〜１０のア
ルケニルチオ基などである。

【００８５】また、Ｒ^１〜Ｒ^８がモノ置換アミノ基であ
る場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と
同様な置換基を有するモノ置換アミノ基が挙げられ、好
ましいのは、次の（イ）〜（ホ）の基である。 （イ） メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルア
ミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシル
アミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、（２
−エチルヘキシル）アミノ基、シクロヘキシルアミノ
基、（３，５，５−トリメチルヘキシル）アミノ基、ノ
ニルアミノ基、デシルアミノ基などの炭素数１〜１０の
モノアルキルアミノ基；

【００８６】（ロ） ベンジルアミノ基、フェネチルア
ミノ基、（３−フェニルプロピル）アミノ基、（４−エ
チルベンジル）アミノ基、（４−イソプロピルベンジ
ル）アミノ基、（４−メチルベンジル）アミノ基、（４
−エチルベンジル）アミノ基、（４−アリルベンジル）
アミノ基、〔４−（２−シアノエチル）ベンジル〕アミ
ノ基、〔４−（２−アセトキシエチル）ベンジル〕アミ
ノ基などの炭素数７〜１０のモノアラルキルアミノ基；

【００８７】（ハ） アニリノ基、ナフチルアミノ基、
トルイジノ基、キシリジノ基、エチルアニリノ基、イソ
プロピルアニリノ基、メトキシアニリノ基、エトキシア
ニリノ基、クロロアニリノ基、アセチルアニリノ基、メ
トキシカルボニルアニリノ基、エトキシカルボニルアニ
リノ基、プロポキシカルボニルアニリノ基、４−メチル
アニリノ基、４−エチルアニリノ基、フェロセニルアミ
ノ基、コバルトセニルアミノ基、ニッケロセニルアミノ
基、ジルコノセニルアミノ基、オクタメチルフェロセニ
ルアミノ基、オクタメチルコバルトセニルアミノ基、オ
クタメチルニッケロセニルアミノ基、オクタメチルジル
コノセニルアミノ基など、炭素数６〜１０のモノアリー
ルアミノ基；

【００８８】（ニ） ビニルアミノ基、アリルアミノ
基、ブテニルアミノ基、ペンテニルアミノ基、ヘキセニ
ルアミノ基、シクロヘキセニルアミノ基、シクロペンタ
ジエニルアミノ基、オクタジエニルアミノ基、アダマン
テニルアミノ基などの炭素数２〜１０のモノアルケニル
アミノ基；

【００８９】（ホ） ホルミルアミノ基、メチルカルボ
ニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピ
ルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−プロピルカルボニルア
ミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−ブチ
ルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミ
ノ基、ｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカ
ルボニルアミノ基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニルアミノ
基、ネオペンチルカルボニルアミノ基、２−メチルブチ
ルカルボニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、メチルベ
ンゾイルアミノ基、エチルベンゾイルアミノ基、トリル
カルボニルアミノ基、プロピルベンゾイルアミノ基、４
−ｔ−ブチルベンゾイルアミノ基、ニトロベンジルカル
ボニルアミノ基、３−ブトキシ−２−ナフトイルアミノ
基、シンナモイルアミノ基、フェロセンカルボニルアミ
ノ基、１−メチルフェロセン−１′−カルボニルアミノ
基、コバルトセンカルボニルアミノ基、ニッケロセンカ
ルボニルアミノ基などの炭素数１〜１６のアシルアミノ
基等のアミノ基。

【００９０】また、Ｒ^１〜Ｒ^８がジ置換アミノ基である
場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同
様な置換基を有するジ置換アミノ基が挙げられ、好まし
いのは、次の（イ）〜（ヘ）の基である。 （イ） ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチル
エチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ
基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミ
ノ基、ジオクチルアミノ基、ビス（メトキシエチル）ア
ミノ基、ビス（エトキシエチル）アミノ基、ビス（プロ
ポキシエチル）アミノ基、ビス（ブトキシエチル）アミ
ノ基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノ基、ジ（ヒド
ロキシエチル）アミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−（２−シア
ノエチル）アミノ基、ジ（プロピオニルオキシエチル）
アミノ基などの炭素数２〜１６のジアルキルアミノ基；

【００９１】（ロ） ジベンジルアミノ基、ジフェネチ
ルアミノ基、ビス（４−エチルベンジル）アミノ基、ビ
ス（４−イソプロピルベンジル）アミノ基などの炭素数
１４〜２０のジアラルキルアミノ基； （ハ） ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ−
フェニル−Ｎ−トリルアミノ基などの炭素数１２〜１４
のジアリールアミノ基； （ニ） ジビニルアミノ基、ジアリルアミノ基、ジブテ
ニルアミノ基、ジペンテニルアミノ基、ジヘキセニルア
ミノ基、ビス（シクロペンタジエニル）アミノ基、Ｎ−
ビニル−Ｎ−アリルアミノ基などの炭素数４〜１２のジ
アルケニルアミノ基；

【００９２】（ホ） ジホルミルアミノ基、ジ（メチル
カルボニル）アミノ基、ジ（エチルカルボニル）アミノ
基、ジ（ｎ−プロピルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓ
ｏ−プロピルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−ブチルカ
ルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−ブチルカルボニル）
アミノ基、ジ（ｓｅｃ−ブチルカルボニル）アミノ基、
ジ（ｔ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−ペンチ
ルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−ペンチルカルボ
ニル）アミノ基、ジ（ネオペンチルカルボニル）アミノ
基、ジ（２−メチルブチルカルボニル）アミノ基、ジ
（ベンゾイル）アミノ基、ジ（メチルベンゾイル）アミ
ノ基、ジ（エチルベンゾイル）アミノ基、ジ（トリルカ
ルボニル）アミノ基、ジ（プロピルベンゾイル）アミノ
基、ジ（４−ｔ−ブチルベンゾイル）アミノ基、ジ（ニ
トロベンジルカルボニル）アミノ基、ジ（３−ブトキシ
−２−ナフトイル）アミノ基、ジ（シンナモイル）アミ
ノ基、コハク酸イミノ基などの炭素数２〜３０のジアシ
ルアミノ基；

【００９３】（ヘ） Ｎ−フェニル−Ｎ−アリルアミノ
基、Ｎ−（２−アセチルオキシエチル）−Ｎ−エチルア
ミノ基、Ｎ−トリル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ビニル
−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−アリルアミ
ノ基、Ｎ−メチル−フェロセニルアミノ基、Ｎ−エチル
−コバルトセニルアミノ基、Ｎ−ブチル−ニッケロセニ
ルアミノ基、Ｎ−ヘキシル−オクタメチルフェロセニル
アミノ基、Ｎ−メチル−オクタメチルコバルトセニルア
ミノ基、Ｎ−メチル−オクタメチルニッケロセニルアミ
ノ基など等の置換又は無置換のアルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルケニル基より選択した置換基を有
する炭素数３〜２４のジ置換アミノ基。

【００９４】また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換又は無置換のアシ
ル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基
の場合と同様な置換基を有するアシル基が挙げられ、好
ましいのは、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチル
カルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、ｉｓｏ−プ
ロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｉｓｏ
−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基、
ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、
ｉｓｏ−ペンチルカルボニル基、ネオペンチルカルボニ
ル基、２−メチルブチルカルボニル基、ベンゾイル基、
メチルベンゾイル基、エチルベンゾイル基、トリルカル
ボニル基、プロピルベンゾイル基、４−ｔ−ブチルベン
ゾイル基、ニトロベンジルカルボニル基、３−ブトキシ
−２−ナフトイル基、シンナモイル基、フェロセンカル
ボニル基、１−メチルフェロセン−１′−カルボニル
基、コバルトセンカルボニル基、ニッケロセンカルボニ
ル基などの炭素数１〜１６のアシル基である。

【００９５】また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換又は無置換のアル
コキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述
したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルコキ
シカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の（イ）
〜（ト）の基である。 （イ） メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉｓｏ−プロポキシ
カルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブ
トキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、
ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペントキシカルボニル
基、ｉｓｏ−ペントキシカルボニル基、ネオペントキシ
カルボニル基、２−ペントキシカルボニル基、２−エチ
ルヘキシルオキシカルボニル基、３，５，５−トリメチ
ルヘキシルオキシカルボニル基、デカリルオキシカルボ
ニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、クロロエ
トキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシカルボニル
基、ヒドロキシエトキシカルボニル基などの炭素数２〜
１１のアルコキシカルボニル基；

【００９６】（ロ） メトキシメトキシカルボニル基、
メトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシカル
ボニル基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシ
エトキシカルボニル基、ペントキシエトキシカルボニル
基、ヘキシルオキシエトキシカルボニル基、ブトキシブ
トキシカルボニル基、ヘキシルオキシブトキシカルボニ
ル基、ヒドロキシメトキシメトキシカルボニル基、ヒド
ロキシエトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシ
基が置換した炭素数３〜１１のアルコキシカルボニル
基；

【００９７】（ハ） メトキシメトキシメトキシカルボ
ニル基、メトキシエトキシエトキシカルボニル基、エト
キシエトキシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキ
シエトキシカルボニル基、ブトキシエトキシエトキシカ
ルボニル基、ペントキシエトキシエトキシカルボニル
基、ヘキシルオキシエトキシエトキシカルボニル基など
のアルコキシアルコキシ基が置換した炭素数４〜１１の
アルコキシカルボニル基；

【００９８】（ニ） フェロセニルメトキシカルボニル
基、フェロセニルエトキシカルボニル基、フェロセニル
プロポキシカルボニル基、フェロセニルブトキシカルボ
ニル基、フェロセニルペンチルオキシカルボニル基、フ
ェロセニルヘキシルオキシカルボニル基、フェロセニル
ヘプチルオキシカルボニル基、フェロセニルオクチルオ
キシカルボニル基、フェロセニルノニルオキシカルボニ
ル基、フェロセニルデシルオキシカルボニル基、

【００９９】（ホ） コバルトセニルメトキシカルボニ
ル基、コバルトセニルエトキシカルボニル基、コバルト
セニルプロポキシカルボニル基、コバルトセニルブトキ
シカルボニル基、コバルトセニルペンチルオキシカルボ
ニル基、コバルトセニルヘキシルオキシカルボニル基、
コバルトセニルヘプチルオキシカルボニル基、コバルト
セニルオクチルオキシカルボニル基、コバルトセニルノ
ニルオキシカルボニル基、コバルトセニルデシルオキシ
カルボニル基、 （ヘ） ニッケロセニルメトキシカルボニル基、ニッケ
ロセニルエトキシカルボニル基、ニッケロセニルプロポ
キシカルボニル基、ニッケロセニルブトキシカルボニル
基、ニッケロセニルペンチルオキシカルボニル基、ニッ
ケロセニルヘキシルオキシカルボニル基、ニッケロセニ
ルヘプチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルオクチ
ルオキシカルボニル基、ニッケロセニルノニルオキシカ
ルボニル基、ニッケロセニルデシルオキシカルボニル
基、

【０１００】（ト） ジクロロチタノセニルメトキシカ
ルボニル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメ
トキシカルボニル基、ビス（トリフルオロメタンスルホ
ナト）チタノセンメトキシカルボニル基、ジクロロジル
コノセニルメトキシカルボニル基、ジメチルジルコノセ
ニルメトキシカルボニル基、ジエトキシジルコノセニル
メトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）
クロムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエ
ニル）ジクロロハフニウムメトキシカルボニル基、ビス
（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメトキシカル
ボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメ
トキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）バ
ナジウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジ
エニル）ジクロロバナジウムメトキシカルボニル基、ビ
ス（シクロペンタジエニル）オスミウムメトキシカルボ
ニル基などのメタロセニル基で置換した炭素数１１〜２
０のアルコキシカルボニル基。

【０１０１】また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換又は無置換のアラ
ルキルオキシカルボニル基である場合の具体例として
は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有する
アラルキルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいの
は、ベンジルオキシカルボニル基、ニトロベンジルオキ
シカルボニル基、シアノベンジルオキシカルボニル基、
ヒドロキシベンジルオキシカルボニル基、メチルベンジ
ルオキシカルボニル基、トリフルオロメチルベンジルオ
キシカルボニル基、ナフチルメトキシカルボニル基、ニ
トロナフチルメトキシカルボニル基、シアノナフチルメ
トキシカルボニル基、ヒドロキシナフチルメトキシカル
ボニル基、メチルナフチルメトキシカルボニル基、トリ
フルオロメチルナフチルメトキシカルボニル基、フルオ
レン−９−イルエトキシカルボニル基などの炭素数８〜
１６のアラルキルオキシカルボニル基等である。

【０１０２】また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換又は無置換のアリ
ールオキシカルボニル基である場合の具体例としては、
前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリ
ールオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、フ
ェノキシカルボニル基、２−メチルフェノキシカルボニ
ル基、４−メチルフェノキシカルボニル基、４−ｔ−ブ
チルフェノキシカルボニル基、２−メトキシフェノキシ
カルボニル基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシカルボ
ニル基、ナフトキシカルボニル基、フェロセニルオキシ
カルボニル基、コバルトセニルオキシカルボニル基、ニ
ッケロセニルオキシカルボニル基、ジルコノセニルオキ
シカルボニル基、オクタメチルフェロセニルオキシカル
ボニル基、オクタメチルコバルトセニルオキシカルボニ
ル基、オクタメチルニッケロセニルオキシカルボニル
基、オクタメチルジルコノセニルオキシカルボニル基な
どの炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基であ
る。

【０１０３】また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換又は無置換のアル
ケニルオキシカルボニル基である場合の具体例として
は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有する
アルケニルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいの
は、ビニルオキシカルボニル基、プロペニルオキシカル
ボニル基、１−ブテニルオキシカルボニル基、ｉｓｏ−
ブテニルオキシカルボニル基、１−ペンテニルオキシカ
ルボニル基、２−ペンテニルオキシカルボニル基、シク
ロペンタジエニルオキシカルボニル基、２−メチル−１
−ブテニルオキシカルボニル基、３−メチル−１−ブテ
ニルオキシカルボニル基、２−メチル−２−ブテニルオ
キシカルボニル基、２，２−ジシアノビニルオキシカル
ボニル基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニル
オキシカルボニル基、２−シアノ−２−メチルスルホン
ビニルオキシカルボニル基、スチリルオキシカルボニル
基、４−フェニル−２−ブテニルオキシカルボニル基な
どの炭素数３〜１１のアルケニルオキシカルボニル基で
ある。

【０１０４】また、Ｒ^１〜Ｒ^８がモノ置換アミノカルボ
ニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル
基の場合と同様な置換基を有するモノ置換アミノカルボ
ニル基が挙げられ、好ましいのは、次の（イ）〜（ニ）
の基である。 （イ） メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカル
ボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノ
カルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシル
アミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オ
クチルアミノカルボニル基、（２−エチルヘキシル）ア
ミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル
基、（３，５，５−トリメチルヘキシル）アミノカルボ
ニル基、ノニルアミノカルボニル基、デシルアミノカル
ボニル基などの炭素数２〜１１のモノアルキルアミノカ
ルボニル基；

【０１０５】（ロ） ベンジルアミノカルボニル基、フ
ェネチルアミノカルボニル基、（３−フェニルプロピル
アミノカルボニル基、（４−エチルベンジル）アミノカ
ルボニル基、（４−イソプロピルベンジル）アミノカル
ボニル基、（４−メチルベンジル）アミノカルボニル
基、（４−エチルベンジル）アミノカルボニル基、（４
−アリルベンジル）アミノカルボニル基、〔４−（２−
シアノエチル）ベンジル〕アミノカルボニル基、〔４−
（２−アセトキシエチル）ベンジル〕アミノカルボニル
基などの炭素数８〜１１のモノアラルキルアミノカルボ
ニル基；

【０１０６】（ハ） アニリノカルボニル基、ナフチル
アミノカルボニル基、トルイジノカルボニル基、キシリ
ジノカルボニル基、エチルアニリノカルボニル基、イソ
プロピルアニリノカルボニル基、メトキシアニリノカル
ボニル基、エトキシアニリノカルボニル基、クロロアニ
リノカルボニル基、アセチルアニリノカルボニル基、メ
トキシカルボニルアニリノカルボニル基、エトキシカル
ボニルアニリノカルボニル基、プロポキシカルボニルア
ニリノカルボニル基、４−メチルアニリノカルボニル
基、４−エチルアニリノカルボニル基など、炭素数７〜
１１のモノアリールアミノカルボニル基；

【０１０７】（ニ） ビニルアミノカルボニル基、アリ
ルアミノカルボニル基、ブテニルアミノカルボニル基、
ペンテニルアミノカルボニル基、ヘキセニルアミノカル
ボニル基、シクロヘキセニルアミノカルボニル基、オク
タジエニルアミノカルボニル基、アダマンテニルアミノ
カルボニル基、などの炭素数３〜１１のモノアルケニル
アミノカルボニル基。

【０１０８】また、Ｒ^１〜Ｒ^８がジ置換アミノカルボニ
ル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基
の場合と同様な置換基を有するジ置換アミノカルボニル
基が挙げられ、好ましいのは、次の（イ）〜（ホ）の基
である。 （イ） ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノ
カルボニル基、メチルエチルアミノカルボニル基、ジプ
ロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル
基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノカルボニル基、ジシクロヘ
キシルアミノカルボニル基、ジオクチルアミノカルボニ
ル基、ピロリジノカルボニル基、ピペリジノカルボニル
基、モルホリノカルボニル基、ビス（メトキシエチル）
アミノカルボニル基、ビス（エトキシエチル）アミノカ
ルボニル基、ビス（プロポキシエチル）アミノカルボニ
ル基、ビス（ブトキシエチル）アミノカルボニル基、ジ
（アセチルオキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（ヒ
ドロキシエチル）アミノカルボニル基、Ｎ−エチル−Ｎ
−（２−シアノエチル）アミノカルボニル基、ジ（プロ
ピオニルオキシエチル）アミノカルボニル基などの炭素
数３〜１７のジアルキルアミノカルボニル基；

【０１０９】（ロ） ジベンジルアミノカルボニル基、
ジフェネチルアミノカルボニル基、ビス（４−エチルベ
ンジル）アミノカルボニル基、ビス（４−イソプロピル
ベンジル）アミノカルボニル基などの炭素数１５〜２１
のジアラルキルアミノカルボニル基； （ハ） ジフェニルアミノカルボニル基、ジトリルアミ
ノカルボニル基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノカル
ボニル基などの炭素数１３〜１５のジアリールアミノカ
ルボニル基；

【０１１０】（ニ） ジビニルアミノカルボニル基、ジ
アリルアミノカルボニル基、ジブテニルアミノカルボニ
ル基、ジペンテニルアミノカルボニル基、ジヘキセニル
アミノカルボニル基、Ｎ−ビニル−Ｎ−アリルアミノカ
ルボニル基などの炭素数５〜１３のジアルケニルアミノ
カルボニル基； （ホ） Ｎ−フェニル−Ｎ−アリルアミノカルボニル
基、Ｎ−（２−アセチルオキシエチル）−Ｎ−エチルア
ミノカルボニル基、Ｎ−トリル−Ｎ−メチルアミノカル
ボニル基、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチルアミノカルボニル
基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−アリルアミノカルボニル基等の
置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数４
〜１１のジ置換アミノカルボニル基。

【０１１１】また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換又は無置換のアシ
ルオキシ基である場合の具体例としては、前述したアル
キル基の場合と同様な置換基を有するアシルオキシ基が
挙げられ、好ましいのは、ホルミルオキシ基、メチルカ
ルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プ
ロピルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−プロピルカルボニ
ルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−
ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル
オキシ基、ｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチ
ルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニルオ
キシ基、ネオペンチルカルボニルオキシ基、２−メチル
ブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、メチ
ルベンゾイルオキシ基、エチルベンゾイルオキシ基、ト
リルカルボニルオキシ基、プロピルベンゾイルオキシ
基、４−ｔ−ブチルベンゾイルオキシ基、ニトロベンジ
ルカルボニルオキシ基、３−ブトキシ−２−ナフトイル
オキシ基、シンナモイルオキシ基、フェロセンカルボニ
ルオキシ基、１−メチルフェロセン−１′−カルボニル
オキシ基、コバルトセンカルボニルオキシ基、ニッケロ
センカルボニルオキシ基などの炭素数２〜１６のアシル
オキシ基である。

【０１１２】また、Ｒ^１〜Ｒ^８が置換又は無置換のヘテ
ロアリール基である場合の具体例としては、前述したア
ルキル基の場合と同様な置換基を有するヘテロアリール
基が挙げられ、好ましいのは、次の（ａ）に示す無置換
ヘテロアリール基、或いは（ｂ）に示す置換基により置
換したヘテロアリール基である。 （ａ） フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ基、ピ
ラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾ
リル基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３
−トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，
３，４−チアジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニ
ル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル
基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル
基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾ
チアゾリル基、ベンゾトリアゾール−２−イル基、ベン
ゾトリアゾール−１−イル基、プリニル基、キノリニル
基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル
基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾ
リル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、
フラボニル基、フタルイミド基、ナフチルイミド基など
の無置換ヘテロアリール基；

【０１１３】（ｂ）ヘテロアリール基の置換基 ・フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハ
ロゲン原子； ・シアノ基； ・メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル
基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、エトキシエ
チル基、トリフルオロメチル基等のアルキル基； ・ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基； ・フェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メ
シル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のア
リール基； ・メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ
基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ
基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，５，５−トリメ
チルヘキシルオキシ基、フェロセンメトキシ基、コバル
トセンメトキシ基、ニッケロセンメトキシ基等のアルコ
キシ基；

【０１１４】・ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基
などのアラルキルオキシ基； ・フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフトキシ基、キシ
リルオキシ基、メシチルオキシ基、クロロフェノキシ
基、メトキシフェノキシ基等のアリールオキシ基； ・ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブタジエニル基、
ペンテニル基、シクロペンタジエニル基、オクテニル基
等のアルケニル基； ・ビニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ
基、ブタジエニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、シク
ロペンタジエニルオキシ基、オクテニルオキシ基等のア
ルケニルオキシ基； ・メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチ
ルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチル
チオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、メトキシメチ
ルチオ基、エトキシエチルチオ基、エトキシエチルチオ
基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキルチオ基； ・ベンジルチオ基、フェネチルチオ基などのアラルキル
チオ基； ・フェニルチオ基、トリルチオ基、ナフチルチオ基、キ
シリルチオ基、メシルチオ基、クロロフェニルチオ基、
メトキシフェニルチオ基等のアリールチオ基；

【０１１５】・ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、
ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキル
アミノ基； ・アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、フェロ
センカルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッケ
ロセンカルボニル基等のアシル基； ・メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェ
ロセンメトキシカルボニル基、１−メチルフェロセン−
１′−イルメトキシカルボニル基、コバルトセニルメト
キシカルボニル基、ニッケロセニルメトキシカルボニル
基等のアルコキシカルボニル基； ・ベンジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカル
ボニル基等のアラルキルオキシカルボニル基； ・フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル
基、ナフトキシカルボニル基、キシリルオキシカルボニ
ル基、メシルオキシカルボニル基、クロロフェノキシカ
ルボニル基、メトキシフェノキシカルボニル基等のアリ
ールオキシカルボニル基；

【０１１６】・ビニルオキシカルボニル基、アリルオキ
シカルボニル基、ブテニルオキシカルボニル基、ブタジ
エニルオキシカルボニル基、シクロペンタジエニルオキ
シ基、ペンテニルオキシカルボニル基、オクテニルオキ
シカルボニル基等のアルケニルオキシカルボニル基； ・メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル
基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボ
ニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノ
カルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチル
アミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、３，
５，５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル基、２−
エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数２〜１０
のモノアルキルアミノカルボニル基 ・ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボ
ニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミ
ノカルボニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘ
キシルアミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニ
ル基、ジオクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカル
ボニル基、モルホリノカルボニル基、４−メチルピペラ
ジノカルボニル基、４−エチルピペラジノカルボニル基
等の炭素数３〜２０のジアルキルアミノカルボニル基等
のアルキルアミノカルボニル基；

【０１１７】・フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ
基、ピロリジノ基、１，３−オキソラニル基、ピラゾリ
ル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダ
ゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３
−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、
１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾ
リル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニ
ル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル
基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、
トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、
チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチア
ゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル
基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル
基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナント
ロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複
素環基； ・フェロセニル基、コバルトセニル基、ニッケロセニル
基、ルテノセニル基、オスモセニル基、チタノセニル基
などのメタロセニル基。

【０１１８】Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３で表される置換されてい
てもよいメチン基の置換基Ｒ^９、Ｒ ^１０、Ｒ^１１の例と
しては、シアノ基；前述のＲ^１〜Ｒ^８において示したの
と同様のハロゲン原子、置換又は無置換の「アルキル
基、アラルキル基、アリール基」が挙げられる。

【０１１９】Ｒ^１〜Ｒ^１１が連結基を介して、それぞれ
環を形成する際の連結基としては、窒素原子、酸素原
子、硫黄原子、リン原子、金属原子、半金属原子などの
ヘテロ原子及び炭素原子の中から適宜選択して組み合わ
せてなる基であり、好ましい連結基の例としては、−Ｏ
−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、又は置換されていてもよ
いメチレン基、イミノ基、金属原子などが挙げられ、適
宜組み合わせて所望する環を得ることができる。連結基
により形成する環としては、連結基により連結した鎖
状、面状又は立体状の環が挙げられる。連結した骨格の
好適な例としては、次の（イ）〜（ニ）のものが挙げら
れる。 （イ） −ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ
_２（ＮＯ_２）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ（Ｃ
Ｈ_３）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ（Ｃｌ）−
ＣＨ_２−ＣＨ_２−等（脂肪族縮合環を形成する）；

【０１２０】（ロ） −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−
Ｃ（ＮＯ_２）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ_３）＝
ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ
Ｈ−、−Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）−、
−Ｃ（ＯＣＨ_３）＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＯＣＨ_３）−、−
Ｃ〔ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）−（ＯＣＨ_３）〕＝
Ｃ（Ｃｌ）−Ｃ（Ｃｌ）＝Ｃ〔ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ（Ｃ
Ｈ_３）−（ＯＣＨ_３）〕−、−Ｃ〔ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ
（ＣＨ_３）_２〕＝Ｃ（Ｃｌ）−Ｃ（Ｃｌ）＝Ｃ〔ＯＣＨ
_２ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）_２〕−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）
−Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−Ｃ（Ｃｌ）＝ＣＨ−ＣＨ＝
ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ_３）_２〕_２｝＝ＣＨ
−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（Ｃ
Ｈ_３）_２〕_２｝＝Ｃ（Ｂｒ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛Ｏ
ＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ_３）_２〕_２｝＝ＣＨ−Ｃ（Ｂｒ）＝Ｃ
Ｈ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ_３）_２〕_２｝＝ＣＨ−
ＣＨ＝Ｃ（Ｂｒ）−等（芳香族縮合環を形成する）；

【０１２１】（ハ） −Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−
Ｏ−ＣＨ（ＣＨ_３）−ＣＨ（ＣＨ_３）−Ｏ−、−ＣＯＯ
−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＣＯＮＨ
−ＣＨ _２−ＣＨ_２−、−ＣＯＮＨ−ＣＨ_２−、−ＣＯＮ
（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−
ＣＨ_２−等（複素環を形成する）；

【０１２２】（ニ）

【化１２】 〔式中、Ｍ′は、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｏｓ又は
Ｍ″Ｒ′_２（Ｍ″はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｖ
の何れかを表し、Ｒ′は、ＣＯ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
前述のＲ^１〜Ｒ^８と同様の置換基を有する炭素数１〜１
０のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリール
オキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基の何れか
を表す。）の何れかを表す。〕等（金属錯体残基を含む
複素環を形成する）。

【０１２３】Ｒ^１〜Ｒ^１１が各々隣接する置換基と連結
基を介して連結する際に好適な連結の組合せは、Ｒ^１と
Ｒ^２、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^５とＲ^６、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^２とＲ
^９、Ｒ^３とＲ^９、Ｒ^４とＲ^１０、Ｒ^５とＲ^１０、Ｒ^６と
Ｒ^１１、Ｒ^７とＲ^１１等が挙げられる。

【０１２４】Ｍ^１が２価の無置換金属原子である場合の
具体例としては、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｈ
ｇ、Ｃｄ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ等が挙げられる。Ｍ
^１が配位子を有する２価の金属原子である場合の具体例
としては、Ｃｕ（ＮＨ_３）_２、Ｆｅ（ＮＨ_３）_２、Ｆｅ
（ピリジン）_２、Ｆｅ（γ−ピコリン）_２、Ｆｅ（トシ
ルメチルイソシアニド）_２、Ｆｅ（ベンジルイソシアニ
ド）_２等の含窒素化合物が配位した２価の金属原子が挙
げられる。

【０１２５】Ｍ^１が置換基を有する３価の金属原子であ
る場合の具体例としては、Ａｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｃｌ、Ａｌ
−Ｂｒ、Ａｌ−Ｉ、Ｇａ−Ｆ、Ｇａ−Ｃｌ、Ｇａ−Ｂ
ｒ、Ｇａ−Ｉ、Ｉｎ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｌ、Ｉｎ−Ｂｒ、Ｉ
ｎ−Ｉ、Ｔｉ−Ｆ、Ｔｉ−Ｃｌ、Ｔｉ−Ｂｒ、Ｔｉ−
Ｉ、Ａｌ−Ｃ_６Ｈ_５、Ａｌ−Ｃ_６Ｈ_４（ＣＨ_３）、Ｉｎ
−Ｃ_６Ｈ_５、Ｉｎ−Ｃ_６Ｈ_４（ＣＨ_３）、Ｍｎ（Ｏ
Ｈ）、Ｍｎ（ＯＣＨ_３）、Ｍｎ（ＯＣ_６Ｈ_５）、Ｍｎ
〔ＯＳｉ（ＣＨ_３）_３〕、Ｆｅ−Ｆ、Ｆｅ−Ｃｌ、Ｆｅ
−Ｂｒ、Ｆｅ−Ｉ、Ｒｕ−Ｆ、Ｒｕ−Ｃｌ、Ｒｕ−Ｂ
ｒ、Ｒｕ−Ｉ等の１置換の３価の金属原子が挙げられ
る。

【０１２６】Ｍ^１が置換基を有する４価の金属原子であ
る場合の具体例としては、ＣｒＣｌ _２、ＳｎＦ_２、Ｓｎ
Ｃｌ_２、ＳｎＢｒ_２、ＳｎＩ_２、ＺｎＦ_２、ＺｎＣ
ｌ_２、ＺｎＢｒ_２、ＺｎＩ_２、ＧｅＦ_２、ＧｅＣｌ_２、
ＧｅＢｒ_２、ＧｅＩ_２、ＴｉＦ_２、ＴｉＣｌ_２、ＴｉＢ
ｒ_２、ＴｉＩ_２、Ｓｎ（ＯＨ）_２、Ｇｅ（ＯＨ）_２、Ｚ
ｒ（ＯＨ）_２、Ｍｎ（ＯＨ）_２、ＴｉＡ_２、ＣｒＡ_２、
ＳｉＡ_２、ＳｎＡ_２、ＧｅＡ_２、Ｔｉ（ＯＡ）_２、Ｃｒ
（ＯＡ）_２、Ｓｎ（ＯＡ）_２、Ｇｅ（ＯＡ）_２、Ｔｉ
（ＳＡ）_２、Ｃｒ（ＳＡ）_２、Ｓｎ（ＳＡ）_２、Ｇｅ
（ＳＡ）_２〔Ａは、前述のＲ^１〜Ｒ^８において示したの
と同様の置換又は無置換の「アルキル基、アリール基、
ヘテロアリール基」を表す。〕等の２置換の４価の金属
原子が挙げられる。

【０１２７】Ｍ^１が置換基を有する３価又は４価の半金
属原子である場合の具体例としては、Ｂ−Ｆ、Ｂ−Ｃ
ｌ、Ｂ−Ｂｒ、Ｂ−Ｉ、Ｂ−Ａ、Ｂ（ＯＨ）、Ｂ（Ｏ
Ａ）、Ｂ〔ＯＳｉ（ＣＨ_３）_３〕〔Ａは、前述のＡと同
じ〕等の１置換の３価の半金属原子や、ＳｉＦ_２、Ｓｉ
Ｃｌ_２、ＳｉＢｒ_２、ＳｉＩ_２、Ｓｉ（ＯＨ）_２、Ｓｉ
Ａ _２、Ｓｉ（ＯＡ）_２、Ｓｉ（ＳＡ）_２〔Ａは、前述の
Ａと同じ〕等の２置換の４価の半金属原子が挙げられ
る。Ｍ^１がオキシ金属原子である場合の具体例として
は、ＶＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯ等が挙げられる。

【０１２８】上記の中でもＭ^１として好ましいのは、Ｐ
ｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｆｅ
（ピリジン）_２、Ｆｅ（γ−ピコリン）_２、Ｆｅ（トシ
ルメチルイソシアニド）_２、Ｆｅ（ベンジルイソシアニ
ド）_２、Ｆｅ−Ｆ、Ｆｅ−Ｃｌ、Ｆｅ−Ｂｒ、Ｆｅ−
Ｉ、ＶＯ、ＴｉＯ、ＴｉＡ_２、ＳｉＡ_２、ＳｎＡ_２、Ｒ
ｕＡ_２、ＲｈＡ_２、ＧｅＡ_２、ＳｉＡ_２、Ｓｉ（ＯＡ）
_２、Ｓｎ（ＯＡ）_２、Ｇｅ（ＯＡ）_２、Ｓｉ（Ｓ
Ａ）_２、Ｓｎ（ＳＡ）_２、Ｇｅ（ＳＡ）_２〔Ａは、前述
のＡと同じ〕である。

【０１２９】前記一般式（３）で表されるジアザポルフ
ィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ^１２〜
Ｒ^１９の例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スル
ホン酸基、又は前述のＲ^１〜Ｒ^８で示されるハロゲン原
子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニ
ル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオ
キシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラル
キルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ
置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシ
カルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリー
ルオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル
基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボ
ニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基と同様のハ
ロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラル
キルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ
基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミ
ノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキル
オキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ア
ルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニ
ル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘ
テロアリール基が挙げられる。

【０１３０】また、Ｒ^２０、Ｒ^２１で表される置換され
ていてもよいメチン基の置換基の例としては、シアノ
基；又は前述のＲ^１〜Ｒ^８において示したのと同様のハ
ロゲン原子、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキ
ル基、アリール基」が挙げられる。特に、溶解性向上並
びに光学特性向上のため、置換基Ｒ^２０、Ｒ^２１は置換
又は無置換の炭素数１以上の基が好ましく、置換又は無
置換のフェニル基がより好ましい。また、Ｒ^１２〜Ｒ
^１９が連結基を介して、それぞれ形成する環の例として
は、前述のＲ^１〜Ｒ^１１において示したのと同様の脂肪
族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。また、
Ｍ^２で表される中心原子の例としては、２個の水素原
子；又は前述のＭ ^１において示したのと同様の、２価の
無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３
価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子
が挙げられる。

【０１３１】前記一般式（４）で表されるモノアザポル
フィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ^２２
〜Ｒ^２９の例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シア
ノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、ス
ルホン酸基、又は前述のＲ^１〜Ｒ^８において示したハロ
ゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ア
ルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリ
ールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、
アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ
基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル
基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカ
ルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミ
ノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基と
同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、ア
ラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ
基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニ
ルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリ
ールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ
置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ア
ラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニ
ル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノ
カルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキ
シ基、ヘテロアリール基が挙げられる。

【０１３２】また、Ｒ^３０〜Ｒ^３２で表される置換され
ていてもよいメチン基の置換基の例としては、シアノ
基；又は前述のＲ^１〜Ｒ^８において示したのと同様のハ
ロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル
基、アリール基が挙げられる。Ｒ^２２〜Ｒ^３２が連結基
を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ
^１〜Ｒ^１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳
香族縮合環、複素環が挙げられる。Ｍ^３で表される中心
原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ^１に
おいて示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有
する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子
又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。

【０１３３】前記一般式（５）で表されるアザポルフィ
リン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ^３３〜Ｒ
^４４の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又
は前述のＲ^１〜Ｒ^８において示したハロゲン原子、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハ
ロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール
基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキ
シ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリール
チオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。Ｒ^３３〜Ｒ
^４４が連結基を介して、それぞれ形成した環の例として
は、前述のＲ^１〜Ｒ^１１において示したのと同様の脂肪
族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。Ｍ^４で
表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は
前述のＭ^１において示したのと同様の、２価の無置換又
は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４
価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げら
れる。

【０１３４】前記一般式（６）で表されるアザポルフィ
リン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ^４５〜Ｒ
^５６の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又
は前述のＲ^１〜Ｒ^８において示したハロゲン原子、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハ
ロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール
基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキ
シ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリール
チオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。Ｒ^４５〜Ｒ
^５６が連結基を介して、それぞれ形成した環の例として
は、前述のＲ^１〜Ｒ^１１において示したのと同様の脂肪
族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。Ｍ^５で
表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は
前述のＭ^１において示したのと同様の、２価の無置換又
は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４
価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げら
れる。

【０１３５】前記一般式（７）で表されるアザポルフィ
リン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ^５７〜Ｒ
^６８の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又
は前述のＲ^１〜Ｒ^８において示したハロゲン原子、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハ
ロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール
基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキ
シ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリール
チオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。Ｒ^５７〜Ｒ
^６８が連結基を介して、それぞれ形成した環の例として
は、前述のＲ^１〜Ｒ^１１において示したのと同様の脂肪
族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。Ｍ^６で
表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は
前述のＭ^１において示したのと同様の、２価の無置換又
は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４
価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げら
れる。

【０１３６】前記一般式（８）で表されるアザポルフィ
リン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ^６９〜Ｒ
^８０の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又
は前述のＲ^１〜Ｒ^８において示したハロゲン原子、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハ
ロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール
基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキ
シ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリール
チオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。Ｒ^６９〜Ｒ
^８０が連結基を介して、それぞれ形成した環の例として
は、前述のＲ^１〜Ｒ^１１において示したのと同様の脂肪
族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。Ｍ^７で
表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は
前述のＭ^１において示したのと同様の、２価の無置換又
は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４
価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げら
れる。

【０１３７】前述したようなアザポルフィリン系化合物
の製造方法は特に限定されないが、例えば前記化合物
（３）の場合、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（Ｃ），２２−
２９（１９９６）、Ｊ．Ｂｉｏｃｈｅｍ．，１２１，６
５４−６６０（１９９７）、Ｚ．Ｐｈｙｓｉｏｌ．Ｃｈ
ｅｍ，２１４，１４５（１９３３）、Ｄｉｅ Ｃｈｅｍ
ｉｅ ｄｅｓ Ｐｙｒｒｏｌｓ，Ｂａｎｄ ＩＩ，Ｈａ
ｌｆｔｅ ２，ｐｐ．４１１−４１４，Ａｋａｄｅｍｉ
ｓｃｈｅ Ｖｅｒｌａｇｅｓｅｌｌｓｃｈｕｆｔ，Ｌｅ
ｉｐｚｉｇ（１９４０）等に記載の方法に準じて製造さ
れる。代表的には、以下のような三段階の反応にて製造
することができる。まず、第一段階では、一般式（１
２）及び一般式（１３）で表されるジピロメタン化合物
をそれぞれ酢酸等のカルボン酸系溶媒あるいは塩化メチ
レン等のハロゲン化炭化水素系溶媒中で、臭素、ヨウ
素、Ｎ−ブロモコハク酸イミド、Ｎ−ヨードコハク酸イ
ミド等のハロゲン化剤によりハロゲン化し、各々一般式
（１４）及び一般式（１５）で示されるジピロメテン化
合物を得る。

【０１３８】

【化１３】

【化１４】 〔式（１２）、（１３）中、Ｒ^１２〜Ｒ^２１は、一般式
（３）のＲ^１２〜Ｒ^２１とそれぞれ同一の基を表し、ｒ
は水素原子又はカルボキシル基を表す。〕

【化１５】

【化１６】 〔式（１４）、（１５）中、Ｒ^１２〜Ｒ^２１は、一般式
（３）のＲ^１２〜Ｒ^２１とそれぞれ同一の基を表し、ａ
はハロゲン原子を表す。〕

【０１３９】次いで第二段階では、一般式（１４）及び
一般式（１５）で表されるジピロメテン化合物を、それ
ぞれエタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチ
ルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中で、金
属又は半金属の硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化塩などの無
機塩、或いは酢酸塩、アセチルアセトナート塩等の有機
金属塩等の金属又は半金属化合物を用い、空気などの酸
化剤の存在下或いは非存在下で反応させることにより、
一般式（１６）で表されるジピロメテン金属錯体を得
る。

【化１７】 〔式中、Ｒ^１２〜Ｒ^２１は一般式（３）のＲ^１２〜Ｒ
^２１とそれぞれ同一の基を表し、ａはハロゲン原子を表
し、Ｍ^２は一般式（３）のＭ^２と同一の意を表す。〕

【０１４０】次いで、第三段階では、上記ジピロメテン
金属錯体（１６）をエタノール等のアルコール系溶媒及
び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有
機溶媒中でアジ化ナトリウム等のアジ化塩と反応させる
ことにより、一般式（３）で示される本発明のジアザポ
ルフィリン化合物を得ることができる。ここで、第一段
階で得られた一般式（１４）及び一般式（１５）で示さ
れるジピロメテン化合物を、それぞれエタノール等のア
ルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のア
ミド溶媒などの有機溶媒中で、金属又は半金属の硫酸
塩、硝酸塩、ハロゲン化塩などの無機塩、或いは酢酸
塩、アセチルアセトナート塩等の有機金属塩等を用い、
空気などの酸化剤の存在下又は非存在下で、アジ化ナト
リウム等のアジ化塩と反応させることにより、一般式
（３）の化合物を得ることもできる。更に、無金属の一
般式（３）で表されるジアザポルフィリン化合物〔Ｍが
２個の水素原子〕は、一般式（７）及び（８）で表され
るジピロメテン化合物をメタノール等のアルコール系溶
媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒など
の有機溶媒中でアジ化ナトリウム等と反応させるか、或
いは、金属錯体化した一般式（２）の化合物をクロロホ
ルム等の溶媒中で、トリフルオロ酢酸等の有機酸と反応
させることにより得ることができる。

【０１４１】一般式（３）で表されるジアザポルフィリ
ン化合物の具体例としては、例えば表１〜表５に記載す
る置換基を有する化合物（１−１）〜（１−６５）等が
挙げられる。

【表１】

【表２】

【表３】

【表４】

【表５】

【０１４２】また、好ましいポルフィリンとしては、下
記一般式（１７）で示される化合物が挙げられる。

【化１８】 〔式中、Ａ^１〜Ａ^４、Ｂ^１〜Ｂ^８は、水素原子、アルキ
ル基、シクロアルキル基、フェニル基の何れかを表す。
Ｂ^ｎとＢ^ｎ＋１（ｎ＝１、３、５、７）は、Ｃ_４Ｈ_４残
基を介して環状に結合していてもよい。Ｍは２個又は４
個のプロトン若しくは１個の金属原子を表す。〕

【０１４３】中でも、下記一般式（１８）で示される化
合物が好ましく、特に好ましいのは下記一般式（１９）
で示される化合物である。

【化１９】 〔式中、Ｒ_１は水素原子、メチル基、アリル基、又はフ
ェニル基を表し、Ｒ_２は水素原子、メチル基、アリル
基、フェニル基、メトキシフェニル基、トリル基、ニト
ロ基、アミノ基、又はシアノ基を表し、Ｒ_３は水素原
子、メチル基、ハロゲン原子、アリル基、フェニル基、
メトキシフェニル基、トリル基、ニトロ基、アミノ基、
又はシアノ基を表す。Ｍは２個又は４個のプロトン若し
くはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎから選ばれた２価の
金属を表す。〕

【化２０】 〔式中、Ａ^１〜Ａ^４は、水素原子又はフェニル基を表
す。Ｍは２個又は４個のプロトン若しくはＺｎを表
す。〕

【０１４４】ポルフィリン誘導体はその構造の対称性か
ら結晶化し易いため、結晶化することなく良好な溶解性
で溶解させるためには、配位能を持つ分子構造を側鎖に
有する沸点の低い高分子と共に溶剤に溶解させることが
好ましい。この溶液をスピンコートすると、ポルフィリ
ン同士のスタックのない分散性に優れた記録層が形成さ
れる。本発明で用いるテトラベンゾポルフィリンとして
は、３００〜５００ｎｍの記録波長で記録が行われるも
のがよく、３３９〜４３５ｎｍで記録が行われるものが
更に好ましく、亜鉛錯体であるものが最も好ましい。そ
のようなものとして、テトラフェニルテトラベンゾポル
フィリン亜鉛錯体が挙げられる。

【０１４５】また、高分子物質としては、ポルフィリン
誘導体の中心金属に配位できる側鎖を有するもの、例え
ばイミダゾール誘導体、ピリジン誘導体、キノリン誘導
体、フェノール誘導体を側鎖に有する高分子物質のう
ち、ポルフィリン誘導体との相溶性を考慮して選択する
ことが望ましい。中でも、ポリ−４−ビニルピリジンが
好適である。ポルフィリン誘導体と高分子物質の組成比
は、高分子物質を構成するモノマーが、ポルフィリン誘
導体に対して５０倍以上のモル比で存在するように設定
することが好ましい。この組成比で、ポルフィリン誘導
体と高分子物質を混合することにより、ポルフィリンを
スタックさせることなく記録層中に良好に分散できる。
なお、更に最適な組成比は、用いる高分子物質とポルフ
ィリン誘導体の種類によって多少変化する。高分子物質
としてポリビニルピリジンを用いる場合には、ビニルピ
リジンモノマーがポルフィリン誘導体に対して６７倍以
上のモル比で存在するように組成比を設定することが好
ましい。

【０１４６】また、上記配位能を持つモノマーの高分子
物質全体に対する比率は、モル比で５０％以上であるこ
とが望ましい。配位能を持つモノマーをこの範囲で含有
する高分子物質は、配位子としてポルフィリンと良好に
相互作用し、ソーレー帯を長波長シフトさせ分子吸光係
数を増大させる。なお、このような記録層には、ポルフ
ィリン誘導体、高分子物質の他に、耐光性向上の目的
で、ヒンダードアミン類、ニッケル錯体等を３０重量部
以内の量、好ましくは０．１〜１０重量部添加しても良
い。有機層４の厚さは、５〜２００ｎｍが好ましい。膜
厚が５ｎｍより薄い場合は熱の吸収が十分ではなく、変
形や変化が不十分となる。また、膜厚が２００ｎｍより
厚い場合は体積が大きいため変形が抑えられたり、熱的
な影響を受けて光学的に変化できない部分が存在するた
め問題である。

【０１４７】有機層４は、上記の材料を有機溶媒に溶解
した後、無機層３上にスピンコーティングすることによ
って形成する。その際、有機溶媒は、上記の材料を容易
に溶解できる溶解度５ｍｇ／ｍｌ以上のものである必要
があり、その溶液はマイクロポアに進入しない一定の接
触角を有する必要がある。ここでマイクロポアに進入し
ない一定の接触角は、マイクロポアのサイズにより必要
とされる表面張力が異なるためにその値を数値で示すこ
とはできない。しかし、成膜後のマイクロポア部分に発
生する平均膜厚よりも２％以上薄い連続した部分の面積
は２２５μｍ^２が上限であり、２２５μｍ^２を超えると
トラッキング精度、エラー訂正が不可能になるなどの問
題が発生するので、マイクロポアに溶液が浸透した場合
でも上記の範囲以上に浸透が広がらなければ、マイクロ
ポアに進入しない一定の接触角を有する溶液に相当する
と判断する。接触角の制御を行わないと、最もダメージ
が大きい場合には、無機層３が割れて剥がれてしまう。
この接触角の調整により前記の面積を２２５μｍ^２以内
に抑えることができる。

【０１４８】上記マイクロポアに進入しない一定の接触
角を有する溶液を形成することができる溶剤としては、
例えば、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエス
テル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル
イソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，
２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水
素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサ
ンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテ
ル、ジオキサンなどのエーテル；エタノール、ｎ−プロ
パノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセト
ンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テト
ラフルオルプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることが
できる。中でも、２，２，３，３−テトラフルオルプロ
パノールなどのフッ素系溶剤が特に好適である。上記溶
剤は、使用する色素の溶解性を考慮し、単独又は二種以
上併用して適宜用いることができる。また、塗布溶液中
には、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤など各
種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。更に、マイ
クロポアへの進入を一層効果的に防止するため、有機層
用の溶液を塗布した後、乾燥するか又は架橋処理、結晶
化処理などを行って早期に膜を固定化することが好まし
い。架橋処理の具体的手段としては、後述する下地層６
の場合と同様の手段を採用することができる。

【０１４９】有機層４の成膜に際し色素と結合剤を使用
する場合の結合剤の例としては、例えばゼラチン、セル
ロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然
有機高分子物質；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
スチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂；ポリ
塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポ
リ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリアクリル
酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂；
ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ
樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホル
ムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物などの
合成有機高分子を挙げることができる。また、上記結合
剤の使用量は、一般に色素に対して色素の０．０１〜５
０重量％の範囲にあり、好ましくは０．１〜５重量％の
範囲にある。このようにして調製される塗布液の濃度
は、一般に０．０１〜１０重量％の範囲にあり、好まし
くは０．１〜５重量％の範囲にある。５０重量％より多
くなると、色素濃度が低くなり、吸収が不十分になるた
め良好に記録することができない。塗布方法としては、
スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコー
ト法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリー
ン印刷法などを挙げることができる。中でも短時間で成
膜が可能なためスピンコート法が好適である。なお、無
機層３及び有機層４は単層でも重層（２層以上の積層）
でもよい。

【０１５０】保護層１０は、例えばＳｉＯ、ＳｉＮ、Ａ
ｌＮ等の無機材料や、光硬化性樹脂などの有機材料を用
いて形成することができる。無機保護層は、真空成膜方
法によって形成することができ、有機保護層は、第二の
無機層５上に光硬化性樹脂膜〔例えば、大日本インキ化
学工業（株）のＳＤ１７００、ＳＤ３１８、ＳＤ３０
１〕をスピンコートした後、樹脂硬化光を照射すること
によって形成できる。また、高密度化を図るために高Ｎ
Ａのレンズを用いる場合、保護層を光透過性とする必要
がある。更に、高ＮＡ化すると、再生光が透過する部分
の厚さを薄くする必要がある。これは、高ＮＡ化に伴
い、光学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直
からズレる角度（いわゆるチルト角、光源の波長の逆数
と対物レンズの開口数の積の２乗に比例する）により発
生する収差の許容量が小さくなるためであり、このチル
ト角が基板の厚さによる収差の影響を受け易いためであ
る。従って、基板の厚さを薄くしてチルト角に対する収
差の影響をなるべく小さくするようにする必要がある。

【０１５１】そこで、例えば基板上に凹凸を形成して記
録層とし、その上に反射膜を設け、更にその上に光を透
過する薄膜である光透過性の保護層を設けるようにし、
保護層側から再生光を照射して記録層の情報を再生する
ような光記録媒体や、基板上に反射膜を設け、その上に
有機層を形成して記録層とし、更にその上に光透過性を
有する保護層を設けるようにし、保護層側から再生光を
照射して記録層の情報を再生するような光記録媒体が提
案されている。このようにすれば、カバー層を薄型化し
ていくことで対物レンズの高ＮＡ化に対応可能である。
つまり、薄いカバー層を設け、このカバー層側から記録
再生することで、更なる高記録密度化を図ることができ
る。なお、このような保護層は、ポリカーボネートシー
トや紫外線硬化型樹脂により形成する方法、又は、厚さ
７０μｍのシートを厚さ３０μｍの接着剤で固定する方
法が一般的である。合計の厚みは０．１ｍｍ程度が好適
である。上記の様に保護層側から光を照射しない場合は
インク層を保護層１０上に設けることもできる。インク
層１１には、公知の種々の材料を用いることができる
が、処理が簡便であることからＵＶ硬化性インクが好ま
しい。

【０１５２】このような光記録媒体にレーザー光を照射
すると、無機層３、有機層４に穴あけ記録を行うことが
できる。この場合、記録部位の反射率が未記録部位の反
射率に比べて低くなるため記録部位と未記録部位の反射
率に差が生じ、このような反射率の差によって記録再生
が行われる場合と、逆に記録部位の反射率が未記録部位
の反射率に比べて高くなるため記録部位と未記録部位の
反射率に差が生じ、このような反射率の差によって記録
再生が行われる場合がある。

【０１５３】一方、無機層３には超解像技術を付加する
ことも可能である。通常光ディスクの再生限界はλ／２
ＮＡで表される（ここで、λは波長、ＮＡは光の絞り込
み角度の正弦である）。この限界を超える分解能を実現
するため、以下の超解像技術を適応する。即ち、対物レ
ンズでレーザー光を媒体の上に集光させた再生ビームの
強度分布Ｉは、 Ｉ＝Ｉ_０×ｅｘｐ〔−２（ｒ／ｒ_０）^２〕 で表される（ここで、Ｉ_０はレーザービームの中心部の
強度、ｒ_０はレーザービームの強度が１／ｅ^２になる半
径である）。このように強度分布がガウス分布の再生ビ
ームで記録媒体が加熱されると、ビームが照射された部
分の温度分布も同じようにガウス分布に近いものとな
る。ビームの中心付近の温度が高い部分を再生領域と
し、周辺部分の温度の低い部分を記録再生に関与しない
部分とすることで実効的なビームスポットの径が小さく
なり分解能が向上する。ガウス分布では中心温度のおよ
そ０．６倍のところ、即ち半径ｒ_０／２のところで傾斜
が急になる。この部分に合わせると安定した記録再生が
可能となる。

【０１５４】更に、有機層４にサーモクロミック色素を
使用し、吸収係数の変化などの光学的変化を利用して記
録再生することもできる。用いるサーモクロミック色素
としては、スピロピラン、フルオラン、ビアントロン、
トリアリールイミダゾールが挙げられる。更に、無機層
３で光を吸収し、その光を電気エネルギーに変換し、そ
の電気化学的酸化還元により有機層４に記録を行うこと
もできる。その場合、無機層３にはＧｅ、Ｓｉ、ＧａＡ
ｓ、ＧａＰ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＺｎＯ、ＳｎＯ、Ｔｉ
Ｏ、ＳｉＣなどが使用可能であり、有機層４にはチオニ
ン色素、インジゴ系色素、酸化タングステン、メロシア
ニン、フタロシアニン、スクアリリウム、ペリレンテト
ラカルボン酸、ローダミン、キナクリドン、ポリアセチ
レン、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（Ｎ−メチ
ルピロール）が使用可能である。

【０１５５】次に、本発明に係る追記型光記録媒体の第
二の例を、図３に基づいて説明する。図３は要部拡大断
面図であり、本例では、透明基板１のプリフォーマット
パターン形成面に下地層６が形成されている。下地層６
は、透明基板１と無機層３との密着性の改善、記録感度
の改善、無機層３の保護等、及び熱受容層の機能を有す
る層として設けられるものであって、ポリビニルアルコ
ール、ポリエチレンオキシド、ポリアクリル酸、ポリス
チレンスルホン酸ナトリウム、ポリビニルピロリドン、
ポリメタクリル酸、ポリプロピレングリコール、メチル
セルロース、ポリビニルナイトレート、ニトロセルロー
スなどの親水性樹脂によって形成される。下地層６の形
成は、上記親水性樹脂の水溶液を、透明基板１のプリフ
ォーマットパターン形成面２にスピンコートすることに
よって行うことができる。なお、下地層６は親水性樹脂
よりなっているため、耐水性（耐湿性、透湿性）や耐熱
性が悪いので、架橋処理や結晶化処理を施して耐水性や
耐熱性を改善することが好ましい。具体的には、親水性
樹脂の水溶液に架橋剤を添加し、下地層６を成膜した後
に、光照射による架橋反応や加熱による架橋反応を起さ
せたり、或いは架橋剤を添加することなく下地層６を熱
処理して結晶化〔例えば、親水性樹脂としてポリビニル
アルコール（ＰＶＡ）を用いる場合には、ＰＶＡを変性
ＰＶＡ化する〕させたりする。

【０１５６】架橋処理と結晶化処理とを比較すると、加
熱による悪影響を透明基板１に与えることがなく、かつ
作業性にも優れていることから、架橋処理の方が好まし
い。以下に、架橋反応の具体例を示すが、実施に際して
は、これらの架橋反応の中から、必要に応じて任意の手
段を選択することができる。 （１）架橋剤として重クロム酸アンモニウムを添加し、
色素表面を処理すると同時に、成膜後に反応光を照射し
て下地層６に架橋反応を起させる方法。 （２）無機系架橋剤として、例えば銅、ホウ素、アルミ
ニウム、チタン、ジルコニウム、スズ、バナジウム、ク
ロム等を添加する方法。 （３）アルデヒドを用いてアセタール化する方法。 （４）水酸基をアルデヒド化する方法。 （５）活性化ビニル化合物を添加する方法。 （６）エポキシ化合物を添加してエーテル化する方法。 （７）酸解媒の存在下でジカルボン酸反応を起させる方
法。 （８）コハク酸及び硫酸を添加する方法。 （９）トリエチレングリコール及びアクリル酸メチルを
添加する方法。 （１０）ポリアクリル酸及びメチルビニルエーテルマレ
イン酸共重合体をブレンドする方法。

【０１５７】下地層６は、光エネルギーを吸収して熱エ
ネルギーに変換する材料、又はこの種のイオン性の色素
材料を少なくとも一部に含むヒートモード記録材料を、
前記プリフォーマットパターン２内に充填することによ
って形成される。下地層６を形成可能な色素材料として
は、例えばポリメチン系色素、アントラキノン系色素、
シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシア
ニン系色素、キサンテン系色素、トリフェニルメタン系
色素、ピリリウム系色素、アズレン系色素、含金属アゾ
染料、アゾ染料等を挙げることができる。これらの中で
は、ジカルボシアニン誘導体、フタロシアニン誘導体、
ナフタロシアニン誘導体、シアニン誘導体、アゾ染料誘
導体が特に好適に用いられる。また、アミニウム系色素
などの各種クエンチャが添加された色素材料を用いるこ
ともできる。更には、上記色素材料群より選択される１
種又は２種以上の色素材料を樹脂中に分散したものを、
下地層６の形成材料として用いることもできる。色素材
料を分散可能な樹脂材料としては、アクリル樹脂、ビニ
ル樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹
脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂などを挙げること
ができる。

【０１５８】下地層６は、透明基板１のプリフォーマッ
トパターン形成面に、先に例示的に列挙した色素材料群
より選択される色素材料の溶剤溶液をスピンコートして
形成する。更に、溝状のプリフォーマットパターン２内
に色素材料を充填した後、プリフォーマットパターン２
の間のランド部２ｃに付着した色素材料を選択的に除去
し、透明基板１の表面を露出すると共に、プリフォーマ
ットパターン２内にのみ色素材料を充填することによっ
て形成できる。なお、色素材料の溶剤としては、アルコ
ール系溶剤、セロソルブ系溶剤などを用いることができ
る。また、二座配位を取りうるキレート材を含有させて
本発明の目的を達成することもできる。このようなキレ
ート材としては、例えば、無機酸類、ジカルボン酸類、
オキシカルボン酸類、ジオキシ化合物、オキシオキシム
類、オキシアルデヒド及びその誘導体類、ジケトン類及
び類似化合物、オキシキノン類、トロボロン類、Ｎ−オ
キシド化合物、アミノカルボン酸及び類似化合物、ヒド
ロキシルアミン類、オキシン類、アルジミン類、オキシ
アゾ化合物、ニトロソナフトール類、トリアゼン類、ピ
ウレット類、ホルマザン類、ジチゾン類、ビクアリド
類、グリオキシム類、ジアミン類及び類似化合物、ヒド
ラジン誘導体類、チオエーテル類が挙げられる。更に、
イミノ基を有する誘導体も使用可能である。

【０１５９】また、上記有機材料の他に、原子配列を変
化させることにより情報の記録ができる相変化記録材料
も使用可能である。具体的にはα−β−γ−Ｇｅ−Ｔｅ
で代表される金属及び合金が挙げられる。ここでαは、
Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐ
ｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｈｇ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、
Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ランタニド元素、アクチニド元素、
アルカリ土類金属元素、不活性ガス元素などから選ばれ
た少なくとも一つの元素を表し、βは、Ｔｌ、Ｉなどの
ハロゲン元素、Ｎａなどのアルカリ金属元素から選ばれ
た少なくとも一つの元素を表し、γは、Ｓｂ、Ｓｎ、Ａ
ｓ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ及びＩ
ｎのうち少なくとも一つの元素を表す。また、光磁気材
料に使用される金属材料、例えば上記金属元素の中のＴ
ｂ、Ｆｅ、Ｃｏなども下地層６として使用可能である。

【０１６０】更に、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｚｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓ
ｂ及びＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の
物質；芳香族化合物、脂肪族化合物、アミド、エステ
ル、アミン、ウレア、硫黄化合物及びヒドロキシ化合物
からなる群から選択される少なくとも１つ；アントラキ
ノン系、ダイオキシディン系、トリフェノジチアジン
系、フェナントレン系、シアニン系、フタロシアニン
系、ナフタロシアニン系、メロシアニン系、ピリリウム
系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、クロコニウ
ム系、アゾ系、インジゴイド系、メチン系、アズレン
系、スクアリリウム系、スルファイド系、メタンジチオ
ールレート系の色素からなる群から選択される少なくと
も１つの色素；該色素の少なくとも１つに加えて、ビニ
ールアルコール系樹脂、ビニールアセテート系樹脂、ア
クリレート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエーテル
系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリウレタン系樹脂、セ
ルロース系樹脂及び脂肪酸系樹脂からなる群より選択さ
れる少なくとも１つの高分子物質を５０重量％以下含有
する材料；アルミニウム、金、銀、銅などの金属材料；
ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ_２等の無機材
料が使用可能であり、特に銀を主体とする金属又は合金
を用いることが好適である。ここで、銀を主体とすると
は、銀の含有率が８０〜１００原子％、好ましくは９０
〜１００原子％であることを意味する。

【０１６１】下地層６の膜厚は、５〜２００ｎｍが好適
である。膜厚が５ｎｍより薄いと成膜が安定しない。ま
た膜厚が２００ｎｍより厚い場合には、体積が大き過ぎ
るため、変形や熱の伝達、穴形成が不十分となる。具体
例としては、ＳｉＣを選択した場合の膜厚は８〜１４ｎ
ｍが好適であり、Ａｇを選択した場合の膜厚は１０〜４
０ｎｍが好適である。この層には、前述した図１に示す
のと同様なマイクロポア３ａが存在したり、中には貫通
している連続気泡タイプ３ｂが存在することもある。そ
の他、透明基板１、無機層３、有機層４、第二の無機層
５については、前述した第一の例と同様である。

【０１６２】次に、本発明に係る追記型光記録媒体（デ
ィスク）の製造工程の一例のフローチャートを図４に示
す。各工程は公知であるが、簡単に説明すると以下の通
りである。 Ｓ１：ガラス円盤を研磨、洗浄する。 Ｓ２：シランコートを行う。 Ｓ３：ガラス円盤上にフォトレジストをスピンコート
し、所定の膜厚を有するレジスト層を形成する。 Ｓ４：溶剤をとばすためプリベークを行う。 Ｓ５：集光レンズを介してレジスト層にレーザーを照射
する（カッティング）。 Ｓ６：この露光済みガラス円盤を現像処理する。 Ｓ７：レジストをＴｇ以上に加熱し溝形状を整形する
（第一ベーク）。 Ｓ８：パターンの固化のためベークを行う（第二ベー
ク）。 Ｓ９：蒸着、メッキを行う。 Ｓ１０：ガラス円盤の凹凸面に金属膜を形成し、該金属
膜を剥離することによりスタンパを作成する。 Ｓ１１：スタンパを用いて射出成形を行い、所定の膜厚
を有するレプリカを形成する。 Ｓ１２：透明基板の片側にスピンコート法によりハード
コート層を形成する。 Ｓ１３：透明基板の片面に必要に応じてスピンコート法
又はスパッタ法により下地層を形成する。 Ｓ１４：下地層の上にスピンコート法又はスパッタ法で
無機層を形成する。 Ｓ１５：無機層の上に有機層を形成する。 Ｓ１６：有機層の上に反射層を形成する。 Ｓ１７：必要に応じて保護層などの他の層を積層し、デ
ィスク単板とする。（単板のままで使用する場合） Ｓ１８：必要に応じて保護層などの他の層を積層して得
られる単板ディスクを２枚貼り合わせて両面ディスクと
する。 Ｓ１９：ディスクをカートリッジに収納する。 Ｓ２０：特性の評価を行う。 このフローチャートにおいて、Ｓ７とＳ８の工程は同時
に行うこともできる。また、Ｓ７工程の溝形状の整形
は、加熱温度９０〜１８０℃、時間５〜９０分の範囲か
ら任意に選択できる。

【０１６３】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。なお、実施例では、ディスク状記録媒体を対象とし
たが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
く、例えばカード状、スティック状、テープ状など、他
の形態の追記型光記録媒体にも応用できることは勿論で
ある。

【０１６４】実施例１〜４ 図１、図２に示すプリフォーマットパターンを有するポ
リカーボネート基板１上に、厚さ２５ｎｍのＺｎＯ−Ｓ
ｉＯ_２膜をスパッタ法で成膜して無機層３とし、次い
で、〔実施例１〕：１，４−ビス（５′−フェニルオキ
サザール−２′−イル）ベンゼン、〔実施例２〕：１，
４−ビス（４′−メチル−５′−フェノキサゾール−
２′−イル）ベンゼン、〔実施例３〕：４，４′−ビス
（２′−スルホスチリル）ビフェニル、〔実施例４〕：
２，５−ビス（５′−メチルベンゾオキサゾール−２′
−イル）チオフェンの何れかと、下記化合物（２０）の
混合物を、溶媒２，２，３，３−テトラフルオルプロパ
ノール１００ｍｌと混合し、超音波処理を１０分間行っ
て溶解させ、色素塗布液を調製した。次いで、該色素塗
布液を、前記基板のグルーブを有する面の上に、スピン
コート法により、２２℃・４５％ＲＨの条件で、回転数
を３００ｒｐｍから６０００ｒｐｍまで変化させながら
塗布し、その後、１００℃で１５分間保持して、グルー
ブ内の厚さが６０ｎｍの有機層を形成した。

【化２１】 次いで、それぞれの有機層４上に、スパッタ法により厚
さ２５ｎｍのＺｎＯ−ＳｉＯ_２膜を形成し第二の無機層
５とした。次いで、厚さ７０μｍのポリカーボネートシ
ートを厚さ３０μｍの接着剤で固定して実施例１〜４の
追記型光記録媒体を得た。これらの媒体では無機層３に
次のような数の独立したポアが存在した。即ち、１０個
以上の直径２μｍのポア、４〜５個の直径５μｍのポ
ア、１〜２個の直径１０μｍのポアである。

【０１６５】上記光記録媒体に対し、パルステック工業
社製の光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００（波長：４
０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５）を用いて、下記の条件でグ
ルーブ内に記録を行なったところ、短マーク、長マーク
とも、変調度が充分大きく、非常に明瞭な信号が得られ
た。 ＜記録条件＞ 記録線速度 ：６．０（ｍ／ｓ） 記録ストラテジ：Ｂａｓｉｃ ｓｔｒａｔｅｇｙ（基本
ストラテジ） Ｔｔｏｐ−Ｔｍｐ＝１．４０−０．７５（Ｔ） 記録パワー ：１１．０（ｍＷ） 記録パターン ：３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ、８Ｔ、１４Ｔの単
一周期信号 上記の媒体には、ポアの影響により、２２５μｍ^２以下
の狭い面積の平均膜厚よりも２％以上薄い部分が存在し
たが、プレーヤーでエラー訂正され良好に再生すること
ができた。また、ポアが確認できない部分でも、平均膜
厚より２％以上薄い部分が島状に点在する様子が確認で
きた。また、独立気泡ではなく、連続気泡も確認するこ
とができた。

【０１６６】比較例１ 色素を溶解させる溶媒をエタノールに変更した点以外
は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を、記録再
生を行った。この媒体では、直径１０μｍのポアに対応
する、２２５μｍ^２よりも広い面積の平均膜厚よりも２
％以上薄い部分が発生し、プレーヤーでエラー訂正され
ずにエラーとして検出された。また、ポアが存在しない
部分でも、平均膜厚より２％以上薄い部分が島状に点在
する様子が確認でき、プレーヤーでエラー訂正されずに
エラーとして検出された。

【０１６７】比較例２ 直径１０μｍより大きいポアを形成した点以外は、実施
例１と同様にして追記型光記録媒体を作成し、記録再生
を行った。この媒体では、２２５μｍ^２より広い面積の
平均膜厚よりも２％以上薄い部分が発生し、プレーヤー
でエラー訂正されずにエラーとして検出された。

【０１６８】実施例５〜１７ 有機層の材料として、ＮＫ１３４２（実施例５）、ＮＫ
１９７７（実施例６）、ＮＫ１８８６（実施例７）、Ｎ
Ｋ１８１９（実施例８）、ＮＫ１３３１（実施例９）、
ＮＫ１８３７（実施例１０）、ＮＫ８６３（実施例１
１）、ＮＫ３２１２（実施例１２）、ＮＫ８８（実施例
１３）、ＮＫ３９８９（実施例１４）、ＮＫ１２０４
（実施例１５）、ＮＫ７２３（実施例１６）、ＮＫ３９
８４（実施例１７）〔以上、何れも日本感光色素社製〕
の何れかのアザポルフィリン系色素を用いた点以外は、
実施例１と同様にして、実施例５〜１７の追記型光記録
媒体を作製した。これらの光記録媒体におけるポアの存
在は主に無機層により決定されており、また、積層する
有機層に見られる平均膜厚よりも２％以上薄い部分が島
状に点在する様子は無機層のポアによる影響が大きく、
積層する有機層の影響は少ないことが確認された。その
結果、記録再生のエラー訂正は実施例１と同様の結果と
なった。

【０１６９】実施例１８〜２１ 有機層の材料として、下記化合物（２１）：（実施例１
８）、化合物（２２）：（実施例１９）、化合物（２
３）：（実施例２０）、化合物（２４）：（実施例２
１）の何れかを用いた点以外は、実施例１と同様にして
実施例１８〜２１の追記型光記録媒体を作製し、実施例
１と同様の記録再生を行ったところ、実施例１とほぼ同
様の結果が得られた。

【化２２】

【０１７０】実施例２２ 図１及び図２に示すプリフォーマットパターンを有する
ポリカーボネート基板上に、Ｔｅと酸素を含む無機層３
を、雰囲気中に酸素を導入しながらＴｅをスパッタリン
グすることにより厚さ５ｎｍ成膜し、その上に、下記化
合物（２５）に示す構造のフタロシアニンをスピンコー
ト法で厚さ４０ｎｍとなるように積層して有機層とし
た。溶媒は、テトラヒドロフラン：エチルシクロヘキサ
ン：イソプロピルアルコール：１−メトキシ−２−プロ
パノール＝（０．３２：１：０．３９：０．８１、容量
比）である。更に、高い反射率を得るため、有機層上に
Ａｇ反射膜をスパッタ法により厚さ１００ｎｍ成膜し追
記型光記録媒体を得た。Ａｇ反射膜がない場合の反射率
は１３％であり、Ａｇ反射膜がある場合は１８％であっ
た。この光記録媒体ではＴｅ層に１０個以上の直径２μ
ｍのポアが存在した。

【０１７１】この光記録媒体に対し、パルステック工業
社製の光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００（波長：４
０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５）を用いて、下記の条件でグ
ルーブ内に記録を行なったところ、短マーク、長マーク
とも、変調度が充分大きく、非常に明瞭な信号が得られ
た。 ＜記録条件＞ 記録線速度 ：６．０（ｍ／ｓ） 記録ストラテジ：Ｂａｓｉｃ ｓｔｒａｔｅｇｙ（基本
ストラテジ） Ｔｔｏｐ−Ｔｍｐ＝１．４０−０．７５（Ｔ） 記録パワー ：８．０〜１１．０（ｍＷ） 記録パターン ：３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ、８Ｔ、１４Ｔの単
一周期信号 この光記録媒体では、ポアの影響により、２２５μｍ^２
以下の狭い面積の平均膜厚よりも２％以上薄い部分が存
在したが、プレーヤーでエラー訂正され良好に再生する
ことができた。なお、フタロシアニンはポルフィリン環
内にある二重結合の共役に起因する、ＨＯＭＯからの遷
移ではない、Ｂ帯（ｓｏｒｅｔ帯）の吸収を利用して記
録を行った。

【化２３】

【０１７２】実施例２３ 無機層３を、酸素を導入せず大気中でＴｅをスパッタリ
ングして大気中の酸素を取り込む方法で成膜した点以外
は実施例２２と同様にして追記型光記録媒体を作製し、
実施例１と同様の記録再生を行ったところ、実施例２２
とほぼ同様の結果が得られた。

【０１７３】実施例２４ 無機層３を、スピンコート法に代えて蒸着法で積層した
点以外は、実施例２２と同様にして追記型光記録媒体を
作製し、実施例１と同様の記録再生を行ったところ、実
施例２２とほぼ同様の結果が得られた。

【０１７４】実施例２５ 有機層の材料として、下記（２６）のシアニン色素と
（２７）のメロシアニン色素の混合物を用いた点以外
は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作製し、
同様の記録再生を行ったところ、１０個以上の直径２μ
ｍのポアが無機層３に見られ、エラーの訂正の振る舞い
は実施例１の場合と同様であった。

【化２４】

【０１７５】実施例２６ 有機層の材料として、下記一般式（２８）で示されるシ
アニン色素の１種である、テトラβ−（１−ベンズイミ
ダゾリル）フタロシアニンと、下記一般式（２９）で示
されるメロシアニン色素の１種である、バナジル５，１
４，２３，３２−テトラフェニル−２，３−ナフタロシ
アニンとの混合物を用いた点以外は、実施例１と同様に
して追記型光記録媒体を作製し、同様の記録再生を行っ
たところ、エラー訂正の振る舞いは実施例１の場合と同
様であった。

【化２５】

【０１７６】実施例２７ 有機層の材料として、下記一般式（３０）で示されるア
ゾ染料の１種であるＲ _１〜Ｒ_６＝Ｈの化合物を用いた点
以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作製
し、同様の記録再生を行ったところ、エラー訂正の振る
舞いは実施例１の場合と同様であった。

【化２６】

【０１７７】実施例２８ 射出成形により表面にスパイラル状のプレグルーブ（ト
ラックピッチ：０．３２μｍ、０．３７μｍ、０．４０
μｍ、０．４３μｍ、０．４６μｍ、グルーブ幅：０．
１６μｍ、０．１８μｍ、０．２μｍ、０．２１μｍ、
０．２３μｍ、グルーブの深さ：０．０６μｍ、０．０
８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（複数種の
溝を有するゾーン基板、直径：１２０ｍｍ、厚さ：１．
１ｍｍ）のプレグルーブ側にスパッタ法により膜厚６０
ｎｍのＡｇ層を設けた。その上に、中心金属ＭがＶＯで
あり、４個のＲがＣ_６Ｈ_６−（ＣＦ_３）_２Ｃ−Ｏ−であ
る下記一般式（３１）で示されるフタロシアニン化合物
を、ＴＨＦ２．６ｇ、エチルシクロヘキサン６．２ｇ、
ＩＰＡ２．４ｇ、１メトキシ２プロパノール４．６ｇの
混合液に溶解して得た記録層形成用塗布液をスピンコー
トし、プレグルーブ内の厚さが約３５〜４５ｎｍの記録
層を形成した。その上に、スパッタ法で厚さ約４０ｎｍ
のＺｎＳ−ＳｉＯ_２層を形成した。その上に紫外線硬化
性樹脂（商品名：ＳＤ３１８、大日本インキ化学工業
製）を塗布し、紫外線を照射して硬化させ、膜厚７μｍ
の保護層を形成した。その上に、紫外線硬化接着剤（大
日本インキ化学工業製、商品名ＳＤ−３４７、色素への
溶解性０．０５％）をスピンコート法により２００ｒｐ
ｍで塗布した後、０．０７ｍｍ厚のポリカーボネート樹
脂シート（帝人製、商品名ピュアエース）からなるカバ
ー層を重ね、３００ｒｐｍから４０００ｒｐｍまで変化
させながら全面に接着剤を広げ、紫外線照射ランプによ
り硬化させて接着し、追記型光記録媒体を作製した。

【化２７】

【０１７８】この光記録媒体に対し、実施例１と同様の
記録再生を行ったところ、エラー訂正の振る舞いは実施
例１と同様であった。この光記録媒体には無機層３に次
のような数の独立したポアが存在した。即ち、５個以上
の直径２μｍのポア、４個の直径５μｍのポア、１個の
直径１０μｍのポアである。この光記録媒体に対し、パ
ルステック工業社製の光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０
００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５）を用いて、
下記の条件で記録を行なったところ、短マーク、長マー
クとも、変調度が充分大きく、非常に明瞭な信号が得ら
れた。 ＜記録条件＞ 記録線速度 ：６．０（ｍ／ｓ） 記録ストラテジ：Ｂａｓｉｃ ｓｔｒａｔｅｇｙ（基本
ストラテジ） Ｔｔｏｐ−Ｔｍｐ＝１．４０−０．７５（Ｔ） 記録パワー ：４．５〜８．０（ｍＷ） 記録パターン ：３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ、８Ｔ、１４Ｔの単
一周期信号 上記光記録媒体には、ポアの影響により、２２５μｍ^２
以下の狭い面積の平均膜厚よりも２％以上薄い部分が存
在したが、プレーヤーでエラー訂正され良好に再生する
ことができた。その光学顕微鏡写真を図５に示す。図の
中央にある周りよりも白く見える部分が、ポアの影響に
より生じた、２２５μｍ^２以下の狭い面積の平均膜厚よ
りも２％以上薄い部分である。また、ポアが確認できな
い部分でも、平均膜厚より２％以上薄い部分が島状に点
在する様子が確認できた。また、独立気泡ではなく、連
続気泡も確認することができた。

【０１７９】なお、上記実施例においては、ディスク状
記録媒体を例にとって説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、例えばカード状、スティック状、
テープ状などの、他の形態の追記型光記録媒体にも応用
できることは勿論である。また、上記実施例において、
高い反射光を得るために反射膜を設けた例も示したが、
反射率の制限が無い場合は反射膜を省略してもよく、そ
の場合には反射層の代りに保護層を積層することが望ま
しい。以上、本発明の実施例から、本発明の追記型光記
録媒体の層構成と記録原理が、青色レーザ波長にも対応
できる、有機材料からなる追記型光記録媒体、更には高
変調度が確保できる追記型光記録媒体の実現に非常に有
効であることが確認できた。

【０１８０】

【発明の効果】本発明１〜３によれば、情報を記録・再
生・消去する情報領域の有機層に膜厚のバラツキがあっ
たり、無機層にマイクロポアを有していても、本願の範
囲内のものであれば、プレーヤーによるエラー修正が可
能であり、記録再生に悪影響を与えない追記型光記録媒
体を提供できる。また、無機層に存在するマイクロポア
への有機層の進入をより効果的に防止した追記型光記録
媒体を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る追記型光記録媒体の第一の例の要
部拡大断面図である。

【図２】本発明に係る追記型光記録媒体の第一の例の平
面図である。

【図３】本発明に係る追記型光記録媒体の第二の例の要
部拡大断面図である。

【図４】本発明に係る追記型光記録媒体（ディスク）の
製造工程の一例のフローチャートである。

【図５】実施例２８の光記録媒体の光学顕微鏡写真を示
す図。

【符号の説明】

１ 透明基板 ２ プリフォーマットパターン ３ 無機層 ４ 有機層 ５ 第二の無機層 ６ 下地層 １０ 保護層 １１ インク層 １ａ センタ孔 ２ａ 案内溝 ３ａ マイクロポア ４ａ 連続気泡 ２ｂ プリピット ３ｂ 連続気泡 ２ｃ ランド部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 俊茂 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 笹 登 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 5D029 JA04 JB50 NA07

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 情報トラックを構成する溝を設けた基板
   上に、少なくとも、無機材料を主成分とする無機層と有
   機材料を主成分とする有機層をこの順に有し、レーザ光
   を照射することにより情報の記録再生が行なわれる追記
   型光記録媒体であって、情報の記録再生が行われる領域
   の１０点平均表面粗さをＲｔとして、Ｒｔ＜２ｎｍであ
   り、かつ情報の記録再生が行われる領域のディスク１周
   分のトラック溝内及び／又はランド部上の有機層に存在
   する、該ディスク１周分のトラック溝内及び／又はラン
   ド部上の有機層の平均膜厚よりも２％以上薄い連続した
   部分の面積が何れも２２５μｍ^２以下であることを特徴
   とする追記型光記録媒体。
2. 【請求項２】 前記無機層に直径１０μｍ以下のマイク
   ロポアが存在し、該マイクロポアの存在する部分に対応
   して、前記有機層の平均膜厚よりも２％以上薄い連続し
   た部分が存在することを特徴とする請求項１記載の追記
   型光記録媒体。
3. 【請求項３】 無機層が、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃ
   ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、
   Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｂ
   ｉ、Ｓｂ及びＴｌからなる群より選択される少なくとも
   一種の物質及び／又はＦｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、
   Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
   ｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｂ
   ｉ、Ｓｂ及びＴｌからなる群より選択される少なくとも
   一種の物質の酸化物、窒化物、硫化物又は炭化物を主成
   分とし、かつ厚さが１〜２００ｎｍであることを特徴と
   する請求項１又は２記載の追記型光記録媒体。