JP2003255331A - Semitransmissive liquid crystal display and method for manufacturing liquid crystal display - Google Patents

Semitransmissive liquid crystal display and method for manufacturing liquid crystal display

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JP2003255331A
JP2003255331A JP2002055607A JP2002055607A JP2003255331A JP 2003255331 A JP2003255331 A JP 2003255331A JP 2002055607 A JP2002055607 A JP 2002055607A JP 2002055607 A JP2002055607 A JP 2002055607A JP 2003255331 A JP2003255331 A JP 2003255331A
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Japan
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liquid crystal
crystal display
active element
transparent electrode
insulating film
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Pending
Application number
JP2002055607A
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Japanese (ja)
Inventor
Shin Jumonji
慎 十文字
Yoshihiro Konishi
芳広 小西
Yoshinobu Sakurai
芳亘 櫻井
Hirosuke Baba
浩佐 馬場
Motokuni Aoki
基晋 青木
Seiji Nishiyama
誠司 西山
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reflectance in relation to a semitransmissive liquid crystal display. <P>SOLUTION: The semitransmissive liquid crystal display is provided with a reflection part to reflect light and a transmission part to transmit light, has a transparent electrode layer on the transmission part to transmit the light, and has a reflection plate which has no transparent electrode layer on the reflection part to reflect the light. When the transparent electrode layer is not formed on the reflection layer but formed only on the transmission part to transmit light, the reflectance is improved because the light reflected on the reflection layer is reflected without being absorbed by the transparent electrode layer. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、反射板を備える半
透過型液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transflective liquid crystal display device having a reflector.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、情報の個人化にともない携帯電話
の高性能化に見られるように携帯性を重視した情報端末
機器が急速に発達している。これら携帯性のキーポイン
トであるバッテリーでの長時間駆動や薄型軽量化に対
し、暗環境においてはバックライトを用い、明環境にお
いては環境光を反射することによりバックライトなしで
の表示を可能とした半透過型液晶表示装置が注目されて
いる。半透過型の液晶表示装置およびその製造方法とし
ては、特開平11−281992号公報に記載されたも
のが知られている。
2. Description of the Related Art In recent years, as personalization of information has progressed, information terminal devices that emphasize portability have been rapidly developed, as seen in higher performance of mobile phones. For long-term operation with a battery and reduction in thickness and weight, which are the key points of portability, it is possible to display without a backlight by using a backlight in a dark environment and reflecting ambient light in a bright environment. The transflective liquid crystal display device has attracted attention. As a transflective liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, the one described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-281992 is known.

【0003】図3は従来の半透過型の液晶表示装置およ
びその製造方法における断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional transflective liquid crystal display device and its manufacturing method.

【0004】図3において1は基板、2、3、4、5、
6、7はそれぞれゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル
層、コンタクト層、ソース電極、ドレイン電極、であ
り、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;以下TF
Tと略す。)を形成する。8はコンタクトホール8aお
よび凹凸部8bを有する層間絶縁膜、9、10は画素電
極を構成するそれぞれ透明電極および反射板である。2
0は20aの開口部を有する保護膜である。
In FIG. 3, 1 is a substrate, 2, 3, 4, 5,
Reference numerals 6 and 7 denote a gate electrode, a gate insulating film, a channel layer, a contact layer, a source electrode, and a drain electrode, respectively, which are thin film transistors (TF).
Abbreviated as T. ) Is formed. Reference numeral 8 is an interlayer insulating film having a contact hole 8a and a concavo-convex portion 8b, and 9 and 10 are a transparent electrode and a reflection plate respectively constituting a pixel electrode. Two
Reference numeral 0 is a protective film having an opening of 20a.

【0005】まず、基板1上にゲート電極2をパターン
形成後、全面を覆うゲート絶縁膜3と、ゲート電極2上
のゲート絶縁膜3近傍にチャネル層4を、さらにチャネ
ル層4の両端に低抵抗なコンタクト層5とソース電極6
およびドレイン電極7とを重畳形成しTFTアレイを形
成する。次に、ドレイン電極7上のコンタクトホール8
aと凹凸部8bとを有し有機樹脂膜からなる層間絶縁膜
8を形成する。
First, after the gate electrode 2 is patterned on the substrate 1, a gate insulating film 3 covering the entire surface, a channel layer 4 in the vicinity of the gate insulating film 3 on the gate electrode 2, and a low layer on both ends of the channel layer 4 are formed. Resistive contact layer 5 and source electrode 6
The drain electrode 7 and the drain electrode 7 are overlapped to form a TFT array. Next, the contact hole 8 on the drain electrode 7
An interlayer insulating film 8 having an a and an uneven portion 8b and made of an organic resin film is formed.

【0006】次に、反射板材料としてAlを成膜後、フ
ォトリソグラフィにより、凹凸部8b上で凹凸形状を有
する反射板10を形成する。
Next, after forming a film of Al as a reflecting plate material, the reflecting plate 10 having an uneven shape is formed on the uneven portion 8b by photolithography.

【0007】次に、透明電極材料としてインジュウム錫
酸化物(Indium Tin Oxide 以下、ITOと略す。)を成膜
後、フォトリソグラフィにより透明電極9を形成するこ
とによりアクティブ素子アレイ基板が得られる(図
3)。
Next, after forming a film of indium tin oxide (hereinafter abbreviated as ITO) as a transparent electrode material, a transparent electrode 9 is formed by photolithography to obtain an active element array substrate (see FIG. 3).

【0008】さらに、上記のアクティブ素子アレイ基板
に対向してカラーフィルターと透明電極を有する対向基
板を貼り合わせ、間に液晶を封入して液晶表示装置が完
成する。
Further, a liquid crystal display device is completed by adhering a counter substrate having a color filter and a transparent electrode to the above active element array substrate so as to face it, and enclosing a liquid crystal therebetween.

【0009】上記のように画素電極を、環境光を反射す
る反射板としての機能を有する反射板10とバックライ
トからの光を透過する透過板としての機能を有する透明
電極9との2種類の電極からなる画素電極とすることに
より、それぞれ反射特性ならびに透過特性をともに最適
化した半透過型液晶表示装置が得られる。よって、暗環
境ならびに明環境のどちらにおいても視認性の優れた液
晶表示装置を得ることが可能となる。
As described above, there are two types of pixel electrodes, that is, the reflection plate 10 having a function as a reflection plate for reflecting ambient light and the transparent electrode 9 having a function as a transmission plate for transmitting light from the backlight. By using the pixel electrode composed of electrodes, a semi-transmissive liquid crystal display device in which both the reflection characteristic and the transmission characteristic are optimized can be obtained. Therefore, it is possible to obtain a liquid crystal display device having excellent visibility in both dark and bright environments.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような、反射板および透明電極を画素電極として用いた
液晶表示装置によれば良好な反射特性を実現することが
可能となるが、反射板で反射した光が反射板上に形成さ
れた透明電極層によって吸収され反射率が低下するとい
う課題を有する。
However, according to the liquid crystal display device using the reflection plate and the transparent electrode as the pixel electrode as described above, good reflection characteristics can be realized. There is a problem that the reflected light is absorbed by the transparent electrode layer formed on the reflection plate and the reflectance is lowered.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたものであり、反射板上の透明電極
層を除去することにより、高い反射率を実現することが
可能な半透過液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is possible to realize a high reflectance by removing the transparent electrode layer on the reflector. An object is to provide a transmissive liquid crystal display device.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1記載の発明は、
液晶および前記液晶を挟持する互いに対向する一対の基
板と、前記一対の基板の一方の基板の内面に形成された
反射板と、前記一方の基板の側から前記一対の基板に光
を供給する照明装置とを備え、前記反射板で反射される
光および前記照明装置から供給される光の光量を前記液
晶を介して制御することにより表示を行う半透過型液晶
表示装置であって、前記一方の基板は、電極を有するア
クティブ素子と、前記アクティブ素子上に形成され、平
面および凹凸面と前記アクティブ素子の前記電極上に形
成されたコンタクトホールとを有する層間絶縁膜と、前
記層間絶縁膜上に形成され、少なくとも一部に反射およ
び散乱の機能を有する反射板と、前記コンタクトホール
を介して前記アクティブ素子の前記電極に接続され、透
過の機能を有する透明導電膜で形成された第1の透明電
極層と、前記層間絶縁膜および前記反射板上に形成さ
れ、透過の機能を有する透明導電膜で形成された第2の
透明電極層とを備え、前記反射板は、表面に光を反射す
る反射部と光を透過する透過部とを有することを特徴と
する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The invention according to claim 1 of the present invention is
A liquid crystal and a pair of substrates sandwiching the liquid crystal, which face each other, a reflector formed on the inner surface of one of the pair of substrates, and an illumination which supplies light to the pair of substrates from the side of the one substrate. A semi-transmissive liquid crystal display device comprising: a device, wherein the light reflected by the reflection plate and the amount of light supplied from the lighting device are controlled through the liquid crystal to perform display. The substrate is an active element having an electrode, an interlayer insulating film formed on the active element, having a flat surface and a concavo-convex surface, and a contact hole formed on the electrode of the active element, and an interlayer insulating film on the interlayer insulating film. A reflective plate formed and having at least a part having a function of reflection and scattering, and a function of transmission connected to the electrode of the active element through the contact hole. A first transparent electrode layer formed of a bright conductive film; and a second transparent electrode layer formed of a transparent conductive film having a transmission function, which is formed on the interlayer insulating film and the reflection plate, The reflector has a reflecting portion that reflects light and a transmitting portion that transmits light on the surface.

【0013】また、本発明の請求項2記載の発明は、請
求項1記載の半透過型液晶表示装置であって、前記反射
板が形成された前記一方の基板は平坦な底部と前記底部
から突出する凸部とを有し、前記凸部の少なくとも一部
に前記反射板が設けられていることを特徴とする。
The invention according to claim 2 of the present invention is the semi-transmissive liquid crystal display device according to claim 1, wherein the one substrate on which the reflector is formed comprises a flat bottom portion and the bottom portion. It has a convex part which projects, and the above-mentioned reflector is provided in at least one copy of the convex part.

【0014】また、本発明の請求項3記載の発明は、請
求項1記載の半透過型液晶表示装置であって、凹凸面を
有する前記層間絶縁膜上に形成された反射板は凸部を有
し、この凸部上にいずれの透明電極層も有しないことを
特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the semi-transmissive liquid crystal display device according to the first aspect, the reflecting plate formed on the interlayer insulating film having the uneven surface has a convex portion. It is characterized by having and not having any transparent electrode layer on this convex part.

【0015】また、本発明の請求項4記載の発明は、請
求項1〜3のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置で
あって、前記透明電極層がインジュウム錫酸化物からな
ることを特徴とする。
The invention according to claim 4 of the present invention is the transflective liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 3, wherein the transparent electrode layer is made of indium tin oxide. Characterize.

【0016】また、本発明の請求項5記載の発明は、請
求項1〜4のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置で
あって、前記反射板がAlまたはAl合金またはAgま
たはAg合金からなることを特徴とする。
The invention according to claim 5 of the present invention is the transflective liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 4, wherein the reflector is Al or Al alloy, Ag or Ag alloy. It is characterized by consisting of.

【0017】また、本発明の請求項6記載の発明は、ガ
ラス基板上にアクティブ素子を形成する工程と、前記ア
クティブ素子上に平面および凹凸面を有する層間絶縁膜
を形成する工程と、前記層間絶縁膜の前記アクティブ素
子の電極上にコンタクトホールを形成する工程と、前記
層間絶縁膜上全面に、反射と散乱の機能を有する反射板
を形成したのち、少なくとも前記コンタクトホール上の
前記反射板を除去する工程と、前記層間絶縁膜および反
射板上に、前記コンタクトホールを介して前記アクティ
ブ素子の電極に接続するよう透明電極層を形成する工程
と、前記反射板上の透明電極層を除去する工程とを備え
る液晶表示装置の製造方法である。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a step of forming an active element on a glass substrate, a step of forming an interlayer insulating film having a flat surface and an uneven surface on the active element, Forming a contact hole on the electrode of the active element of an insulating film, and forming a reflecting plate having a function of reflection and scattering on the entire surface of the interlayer insulating film, and then forming at least the reflecting plate on the contact hole. A step of removing, a step of forming a transparent electrode layer on the interlayer insulating film and the reflector so as to connect to the electrode of the active element through the contact hole, and a step of removing the transparent electrode layer on the reflector. And a step of manufacturing a liquid crystal display device.

【0018】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
ながら説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0019】図1は半透過型の液晶表示装置のアクティ
ブ素子アレイにおける画素部の断面構造を示し、図2は
その製造工程での断面構造を工程ごとに示したものであ
る。
FIG. 1 shows a cross-sectional structure of a pixel portion in an active element array of a semi-transmissive liquid crystal display device, and FIG. 2 shows a cross-sectional structure in the manufacturing process for each process.

【0020】従来例として図3に示した液晶表示装置お
よびその製造方法と同一構成部分については同一番号お
よび同一名称を付して詳細な説明を省略する。
The same components as those of the liquid crystal display device and the manufacturing method thereof shown in FIG. 3 as a conventional example are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

【0021】まず、ガラスからなる基板1上に、Arガ
スを用いたスパッタリング法によりTi/Al/Tiをそ
れぞれ100/200/100nm積層して成膜後、ゲート電極2に
加工形成する。次に、プラズマ化学気相蒸着法(以下p-
CVD法と略す。)によりSiNx、a-Si、低抵抗a-
Siの3層を成膜後、TFT領域以外のa-Si、およ
び低抵抗a-Siをエッチング除去し、島状のそれぞれ
チャネル層4とコンタクト層5ならびに全面にわたるゲ
ート絶縁膜3を形成する。
First, 100/200/100 nm of Ti / Al / Ti are laminated on the substrate 1 made of glass by a sputtering method using Ar gas to form a film, and then the gate electrode 2 is processed and formed. Next, plasma chemical vapor deposition (hereinafter p-
Abbreviated as CVD method. ), SiNx, a-Si, low resistance a-
After forming the three layers of Si, a-Si and low-resistance a-Si other than the TFT region are removed by etching to form the island-shaped channel layer 4, the contact layer 5, and the gate insulating film 3 over the entire surface.

【0022】次に、再度Arガスを用いたスパッタリン
グ法により、Ti/Al/Tiを積層して成膜後、TFT
のソース電極6ならびにドレイン電極7のパターンに加
工する。ここで同時にコンタクト層5は、ソースならび
にドレインの領域に分離形成される。次に、全面にp-CV
D法によりチャネル層4の保護膜としてSiNxからな
る保護膜20を形成しTFTアレイが得られる(図2
(a))。
Next, Ti / Al / Ti is laminated again by a sputtering method using Ar gas to form a film, and then the TFT is formed.
Are processed into the pattern of the source electrode 6 and the drain electrode 7. At the same time, the contact layer 5 is separately formed in the source and drain regions. Next, p-CV on the entire surface
By forming the protective film 20 made of SiNx as the protective film of the channel layer 4 by the D method, a TFT array is obtained (FIG. 2).
(a)).

【0023】次にレジストをマスクとして保護膜20を
加工し、ドレイン電極7上に開口部20aを形成する
(図2(b))。次に、全面に感光性アクリル系樹脂を約
3μm塗布後、露光現像により開口部20aにおけるコ
ンタクトホール8aと凹凸部8bと平面部8cを有する
層間絶縁膜8を形成する(図2(c))。
Next, the protective film 20 is processed using the resist as a mask to form an opening 20a on the drain electrode 7 (FIG. 2 (b)). Next, after applying a photosensitive acrylic resin on the entire surface by about 3 μm, the interlayer insulating film 8 having the contact hole 8a, the uneven portion 8b, and the plane portion 8c in the opening 20a is formed by exposure and development (FIG. 2 (c)). .

【0024】次に反射板(反射層)21としてAlまたは
Al合金を成膜し、レジストマスクを用いパターニングす
る(図2(d))。次に画素電極層として透過性を有する
ITOを成膜する。次に、大部分の反射板(反射層)2
1上にはITO層が形成されず、一部のITOが反射板
21と重なる様にレジストマスクを形成後、レジストマ
スクを用い画素電極となる透明電極層をリン酸系のエッ
チャントで加工し形成する。
Next, as a reflection plate (reflection layer) 21, Al or
An Al alloy film is formed and patterned using a resist mask (FIG. 2D). Next, a transparent ITO film is formed as a pixel electrode layer. Next, most of the reflection plate (reflection layer) 2
No ITO layer is formed on 1 and a resist mask is formed so that a part of ITO overlaps the reflection plate 21, and then a transparent electrode layer to be a pixel electrode is processed by using a phosphoric acid-based etchant using the resist mask. To do.

【0025】このようにして、コンタクトホールを介し
てアクティブ素子のドレイン電極に接続された第1の透
明電極層22と、層間絶縁膜および反射層上に形成され
た第2の透明電極層23を形成する。
In this way, the first transparent electrode layer 22 connected to the drain electrode of the active element through the contact hole and the second transparent electrode layer 23 formed on the interlayer insulating film and the reflection layer are formed. Form.

【0026】最後に、レジストマスクを除去し、アクテ
ィブ素子アレイ基板が得られる(図2(e))。
Finally, the resist mask is removed to obtain an active element array substrate (FIG. 2 (e)).

【0027】さらに、従来例と同様に上記のアクティブ
素子アレイ基板に、このアクティブ素子アレイ基板に対
向してカラーフィルターと透明電極を有する対向基板を
貼り合わせ、両基板間に液晶を封入して液晶表示装置と
する。そして、この液晶表示装置に、バックライトと呼
ばれる照明装置をアレイ基板側に備えることにより、半
透過型液晶表示装置が完成する。
Further, similarly to the conventional example, a counter substrate having a color filter and a transparent electrode is attached to the above active element array substrate so as to face the active element array substrate, and liquid crystal is sealed between both substrates. Use as a display device. Then, a semi-transmissive liquid crystal display device is completed by providing the liquid crystal display device with a lighting device called a backlight on the array substrate side.

【0028】以上の実施の形態によれば、大部分の反射
板(反射層)上には透明電極層を形成せず、ほぼ光が透
過してくる透過部にのみ透明電極層を形成するため、反
射層上で反射した光が透明電極層で吸収されることがな
く高い反射率を実現することができる。
According to the above-described embodiment, the transparent electrode layer is not formed on most of the reflection plate (reflection layer), and the transparent electrode layer is formed only in the transmissive portion through which almost light is transmitted. Therefore, the light reflected on the reflective layer is not absorbed by the transparent electrode layer, and high reflectance can be realized.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反射板上で反射した光が透明電極層で吸収されることな
く反射されるので、反射率の向上が図ることができ、バ
ックライトを用いない環境でも明るい表示が可能な液晶
表示装置が得られ、その実用的効果は大きい。
As described above, according to the present invention,
Since the light reflected on the reflector is reflected without being absorbed by the transparent electrode layer, it is possible to improve the reflectance and obtain a liquid crystal display device capable of bright display even in an environment without a backlight. , Its practical effect is great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施の形態における半透過型の液晶
表示装置のアクティブ素子アレイにおける画素部を示し
た断面図
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a pixel portion in an active element array of a transflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態における半透過型の液晶
表示装置の製造方法をアクティブ素子アレイの工程ごと
に示した断面図
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a semi-transmissive liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention for each step of the active element array.

【図3】従来の半透過型の液晶表示装置の断面図FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional transflective liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2 ゲート電極 3 ゲート絶縁膜 4 チャネル層 5 コンタクト層 6 ソース電極 7 ドレイン電極 8 層間絶縁膜 8a コンタクトホール 8b 凹凸部 9 透明電極 10 反射板 20 保護膜 20a 開口部 21 反射板 22 第1の透明電極層 23 第2の透明電極層 1 glass substrate 2 Gate electrode 3 Gate insulation film 4 channel layers 5 Contact layer 6 Source electrode 7 Drain electrode 8 Interlayer insulation film 8a contact hole 8b uneven part 9 Transparent electrode 10 Reflector 20 Protective film 20a opening 21 Reflector 22 First transparent electrode layer 23 Second transparent electrode layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 櫻井 芳亘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 馬場 浩佐 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 青木 基晋 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 西山 誠司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2H091 FA14Y FB08 FC01 GA03 GA13 LA16 2H092 JA24 JA46 JB57 KA05 KB24 KB25 MA05 MA17 NA01 PA12 5F110 AA30 BB01 CC07 EE03 EE04 EE15 FF03 FF30 GG02 GG15 GG45 HK03 HK04 HK09 HK14 HK22 HK33 HK35 HL07 NN03 NN24 NN27 NN35 NN36 NN72   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Yoshikazu Sakurai             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Koba Baba             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Motoaki Aoki             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Seiji Nishiyama             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. F term (reference) 2H091 FA14Y FB08 FC01 GA03                       GA13 LA16                 2H092 JA24 JA46 JB57 KA05 KB24                       KB25 MA05 MA17 NA01 PA12                 5F110 AA30 BB01 CC07 EE03 EE04                       EE15 FF03 FF30 GG02 GG15                       GG45 HK03 HK04 HK09 HK14                       HK22 HK33 HK35 HL07 NN03                       NN24 NN27 NN35 NN36 NN72

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶および前記液晶を挟持する互いに対
向する一対の基板と、前記一対の基板の一方の基板の内
面に形成された反射板と、前記一方の基板の側から前記
一対の基板に光を供給する照明装置とを備え、 前記反射板で反射される光および前記照明装置から供給
される光の光量を前記液晶を介して制御することにより
表示を行う半透過型液晶表示装置であって、 前記一方の基板は、電極を有するアクティブ素子と、 前記アクティブ素子上に形成され、平面および凹凸面と
前記アクティブ素子の前記電極上に形成されたコンタク
トホールとを有する層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成され、少なくとも一部に反射お
よび散乱の機能を有する反射板と、 前記コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前
記電極に接続され、透過の機能を有する透明導電膜で形
成された第1の透明電極層と、 前記層間絶縁膜および前記反射板上に形成され、透過の
機能を有する透明導電膜で形成された第2の透明電極層
とを備え、 前記反射板は、表面に光を反射する反射部と光を透過す
る透過部とを有することを特徴とする半透過型液晶表示
装置。
1. A liquid crystal and a pair of substrates sandwiching the liquid crystal, which face each other, a reflector formed on the inner surface of one of the pair of substrates, and a pair of substrates from the side of the one substrate. A transflective liquid crystal display device comprising a lighting device that supplies light, and performing display by controlling the amount of light reflected by the reflector and the amount of light supplied from the lighting device via the liquid crystal. The one substrate is an active element having an electrode, an interlayer insulating film formed on the active element, having a flat surface and a concavo-convex surface, and a contact hole formed on the electrode of the active element, A reflector, which is formed on the interlayer insulating film and has at least a part of a function of reflecting and scattering, and a transparent plate which is connected to the electrode of the active element through the contact hole. A first transparent electrode layer formed of a transparent conductive film having a function of; and a second transparent electrode layer formed of a transparent conductive film having a function of transmission formed on the interlayer insulating film and the reflection plate. The semi-transmissive liquid crystal display device, wherein the reflection plate has a reflection portion that reflects light and a transmission portion that transmits light on a surface thereof.
【請求項2】 前記反射板が形成された前記一方の基板
は平坦な底部と前記底部から突出する凸部とを有し、前
記凸部の少なくとも一部に前記反射板が設けられている
請求項1記載の半透過型液晶表示装置。
2. The one substrate on which the reflection plate is formed has a flat bottom portion and a convex portion protruding from the bottom portion, and the reflection plate is provided on at least a part of the convex portion. Item 2. A transflective liquid crystal display device according to item 1.
【請求項3】 凹凸面を有する前記層間絶縁膜上に形成
された反射板は凸部を有し、この凸部上にいずれの透明
電極層も有しない請求項1記載の半透過型液晶表示装
置。
3. The transflective liquid crystal display according to claim 1, wherein the reflector formed on the interlayer insulating film having an uneven surface has a convex portion and does not have any transparent electrode layer on the convex portion. apparatus.
【請求項4】 前記透明電極層がインジュウム錫酸化物
からなる請求項1〜3のいずれかに記載の半透過型液晶
表示装置。
4. The transflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the transparent electrode layer is made of indium tin oxide.
【請求項5】 前記反射板がAlまたはAl合金または
AgまたはAg合金からなる請求項1〜4のいずれかに
記載の半透過型液晶表示装置。
5. The transflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the reflector is made of Al, Al alloy, Ag or Ag alloy.
【請求項6】 ガラス基板上にアクティブ素子を形成す
る工程と、 前記アクティブ素子上に平面および凹凸面を有する層間
絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜の前記アクティブ素子の電極上にコンタ
クトホールを形成する工程と、 前記層間絶縁膜上全面に、反射と散乱の機能を有する反
射板を形成したのち、少なくとも前記コンタクトホール
上の前記反射板を除去する工程と、 前記層間絶縁膜および反射板上に、前記コンタクトホー
ルを介して前記アクティブ素子の電極に接続するよう透
明電極層を形成する工程と、 前記反射板上の透明電極層を除去する工程とを備える液
晶表示装置の製造方法。
6. A step of forming an active element on a glass substrate, a step of forming an interlayer insulating film having a flat surface and an uneven surface on the active element, and a contact on the electrode of the active element of the interlayer insulating film. A step of forming a hole, a step of forming a reflector having a function of reflection and scattering on the entire surface of the interlayer insulating film, and then removing the reflector at least on the contact hole; A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: forming a transparent electrode layer on a plate so as to be connected to an electrode of the active element through the contact hole; and removing the transparent electrode layer on the reflection plate.
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