JP2002040411A - Liquid crystal display device and method for manufacturing the same - Google Patents

Liquid crystal display device and method for manufacturing the same

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JP2002040411A
JP2002040411A JP2000225023A JP2000225023A JP2002040411A JP 2002040411 A JP2002040411 A JP 2002040411A JP 2000225023 A JP2000225023 A JP 2000225023A JP 2000225023 A JP2000225023 A JP 2000225023A JP 2002040411 A JP2002040411 A JP 2002040411A
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pixel electrode
crystal display
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insulating film
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JP2000225023A
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Inventor
Satohisa Asano
Junji Boshita
Takashi Hirose
Yoshinobu Sakurai
Masahito Tanabe
Nobuyuki Tsuboi
Yasuhiko Yamanaka
純二 坊下
伸行 坪井
泰彦 山中
貴司 廣瀬
芳亘 櫻井
悟久 浅野
将人 田辺
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
松下電器産業株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device with a high opening ratio and a method for manufacturing the same by improving production efficiency with respect to reflective and semitransmissive liquid crystal display devices and their manufacturing method. SOLUTION: The liquid crystal display device is provided with a first insulation layer 12 covering the channel part of an active element and having an opening part on an electrode of the active element, a second insulation layer 20 having a projecting and recessing surface 20b and a contact hole overlapping with the opening part, and a pixel electrode 11 electrically connected with the electrode via the contact hole 20a and formed on the projecting and recessing surface 20b. The projecting and recessing surface 20b is provided with smooth projecting structural parts and recessing structural parts, the latter having diameters smaller than the diameter of the contact hole 20a and with unflat base parts.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、情報処理端末や映像機器などの画像表示応用装置の表示部に用いられる液晶表示装置およびその製造方法に関し、更に詳しくは入射光を反射することにより表示を行う反射型や、入射光および透過光の両方を用いる半透過型の液晶表示装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof used in a display unit of the image display application device such as the information processing terminals and video equipment, display by more specifically reflecting incident light reflective or performed, relating to a transflective liquid crystal display device and a manufacturing method thereof using both the incident light and transmitted light.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、情報の個人化にともない携帯電話の高性能化に見られるように携帯性を重視した情報端末機器が急速に発達している。 Conventionally, information terminal equipment with an emphasis on portability as seen in the performance of personalized in accordance with the mobile phone of the information has developed rapidly. これら携帯性のキーポイントであるバッテリーでの長時間駆動や薄型軽量化に対し、使用環境からの入射光を反射することによりバックライトなしで表示が可能な反射型液晶表示装置が注目されている。 To long driving and thin and light in the battery is these portable key points, the reflective liquid crystal display device capable of display without backlight is noted by reflecting incident light from the environment of use . 反射型の液晶表示装置およびその製造方法としては、特許番号第2756206号に記載されたものが知られている。 The reflective type liquid crystal display device and a manufacturing method thereof are known those described in Patent No. 2,756,206.

【0003】図4は従来の反射型の液晶表示装置およびその製造方法における平面図、図5は図4中ABでの断面を工程ごとに示した断面構造図である。 [0003] Figure 4 is a plan view of the liquid crystal display device and its manufacturing method of the conventional reflection type, and FIG. 5 is a cross section showing each step of the cross-section in a FIG AB.

【0004】図4、図5において1は基板、2a、3、 [0004] Figure 4, 1 5 the substrate, 2a, 3,
4、5、6a、7は薄膜トランジスタ(Thin Fi 4,5,6a, 7 thin film transistor (Thin Fi
lm Transistor;以下TFTと略す)を形成するそれぞれゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル層、コンタクト層、ソース電極、ドレイン電極、2はゲート電極2aと一体化したゲート配線、6はソース電極6aと一体化したソース配線、8はレジスト9をマスクとした加工により第1の凹凸部8aならびに第1のコンタクトホール8bが形成される第1の膜、10は第1の凹凸部8aを被覆し第2のコンタクトホール10aを有する第2の膜、11は画素電極である。 lm Transistor; hereinafter abbreviated as TFT) each gate electrode to form a gate insulating film, a channel layer, a contact layer, source electrode, drain electrode, 2 denotes a gate wiring which is integral with the gate electrode 2a, the source electrode 6a and the integral 6 phased source wiring, 8 first film first uneven portion 8a and the first contact hole 8b is formed by the processing in which the resist 9 as a mask, 10 second covers the first uneven portion 8a the second film having a contact hole 10a, 11 is a pixel electrode.

【0005】まず基板1上に、Cr、Ta等からなり分岐したゲート電極2aを有する複数のゲート配線2を形成する。 [0005] First, on the substrate 1, Cr, to form a plurality of gate lines 2 having the gate electrode 2a branched consists Ta or the like. 次に全面に窒化シリコン(以下SiN Xと略す)からなるゲート絶縁膜3を形成後ゲート電極2a上のゲート絶縁膜3上に非晶質シリコン(以下a-Siと略す)からなるチャネル層4を形成する。 Next, the channel layer 4 made of the entire surface of the silicon nitride (hereinafter referred to as SiN X) amorphous silicon on the gate insulating film 3 on the gate insulating film 3 formed after the gate electrode 2a made of (hereinafter abbreviated as a-Si) to form. 次にチャネル層4の両端に低抵抗a-Siからなるコンタクト層5とTi、Al等からなるソース電極6aおよびドレイン電極7とを重畳形成する。 Then it overlaps form a source electrode 6a and the drain electrode 7 made of the contact layer 5 and the Ti, Al or the like made of a low resistivity a-Si on both ends of the channel layer 4. ここでソース電極6aはソース配線6から分岐した形に形成する。 Here the source electrode 6a is formed in the shape branching from the source line 6. 次に、チャネル層4 Next, the channel layer 4
の保護膜として全面にSiNxからなる第1の膜8を形成しTFTアレイが得られる(図5(a))。 First film 8 formed TFT array made of SiNx on the entire surface as a protective film can be obtained (Figure 5 (a)).

【0006】以上のようにTFTを形成後、第1の膜8 [0006] After forming the TFT as described above, the first film 8
上にレジスト9をパターン形成する(図5(b))。 Resist 9 the pattern formed thereon (Figure 5 (b)). 次にレジスト9をマスクとして第1の膜8を加工し、反射電極の形成部に多数の微細な第1の凹凸部8aとドレイン電極7上に第1のコンタクトホール8bとを形成後レジスト9を除去する(図5(c))。 Then processing the first film 8 to resist 9 as a mask, a number of first fine uneven portions 8a and on the drain electrode 7 first the formation of the reflective electrode contact hole 8b and the formation after the resist 9 is removed (FIG. 5 (c)). 次に、全面にアクリル系樹脂を塗布し第2のコンタクトホール10aを有する第2の膜10を形成する(図5(d))。 Then, the entire surface to form a second layer 10 having a second contact hole 10a by applying an acrylic resin (Fig. 5 (d)). 次にA Then A
l、Ag等の光反射率の高い金属を、凹凸を有する第2 l, the metal having high light reflectance such as Ag, first an uneven 2
の膜10上ならびに第2のコンタクトホール10aを介してドレイン電極7に接続して形成し画素電極11とすることによりアクティブ素子アレイ基板が得られる(図4、図5(e))。 Active element array substrate by a film 10 above and a second contact hole 10a pixel electrode 11 is formed by connecting the drain electrode 7 through the obtained (FIG. 4, FIG. 5 (e)). さらに、上記のアクティブ素子アレイ基板に対向してカラーフィルターと透明電極を有する基板を貼り合わせ、間に液晶を封入して液晶表示装置が完成する。 Further, attaching a substrate having a color filter and the transparent electrode to face the active element array substrate of the liquid crystal display device is completed by sealing a liquid crystal between.

【0007】上記のように、第2の膜10を用い第1の膜8からなる平面状態の多い第1の凹凸部8a上に曲面状態からなる凹凸を形成し、その上に画素電極11を形成することにより、画素電極11による正反射成分(平面による反射で鏡面状態を示す)が少なくなる。 [0007] As described above, the second film forming irregularities comprising a curved state on a large 10 planarity state of a first film 8 using the first uneven portion 8a, a pixel electrode 11 thereon by forming the positive reflection component by the pixel electrode 11 (showing a mirror surface state in reflection by plane) is reduced. もって、鏡面状態でなく散乱面状態に近い画素電極が得られ、周辺光の映り込みが抑制されるとともに曲面状態からなる凹凸を制御することにより反射光を集光することによる反射効率の高い液晶表示装置を得ることが可能となる。 Have been obtained pixel electrode close to the scattering surface state rather than a mirror state, high reflection efficiency due to the condensed reflected light by controlling the irregularities composed of curved state along with reflection of ambient light is suppressed LCD it is possible to obtain a display device.

【0008】 [0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従来の液晶表示装置およびその製造方法では、保護膜としてのSiNxからなる第1の凹凸部8aの形状でもって入射光に対する反射特性を大まか決定し、その正反射成分低減を目的として第2の膜10の塗布形成を行っているため、第2の膜10は第1の凹凸部8aの平坦部を曲面状態にする程度に薄く例えば0.5μm程度に形成する必要がある。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, this conventional liquid crystal display device and its manufacturing method, and roughly determine the reflection characteristics with respect to incident light with a shape of the first concave-convex portion 8a made of SiNx as a protective film, because doing coating formation of the second film 10 and the specular reflection component reducing purposes, the second layer 10 thin e.g. 0.5μm about enough to the curved surface state flat portion of the first concave-convex portion 8a it is necessary to form on. 第2の膜10を0.5μmより厚く例えば1μm以上とすると第1の凹凸部8aが埋まってしまい全面平坦な鏡面状態となってしまう。 When the second film 10 and thick example 1μm or more than 0.5μm would filled is first uneven portion 8a becomes entirely flat mirror surface state. よって、液晶表示装置としての明るさを求めて画素電極11を大きくすなわち開口率を大きくすると、画素電極とソース配線6 Therefore, when the pixel electrode 11 asking the brightness of the liquid crystal display device greatly i.e. to increase the aperture ratio, the pixel electrode and the source wiring 6
ならびにゲート配線2との間の距離が近接し、この間の寄生容量が大きくなることによるクロストークの発生が懸念される。 And close distance between the gate line 2, is concerned the generation of crosstalk due to this period of the parasitic capacitance increases. 反射型液晶表示装置の特徴のひとつは、画素電極をアクティブ素子アレイ基板の最上層に形成することにより、透過型で開口率を規制する要因となる配線やアクティブ素子の面積を考慮する必要がない点である。 One of the features of the reflective liquid crystal display device, by forming a pixel electrode on the uppermost layer of the active element array substrate, there is no need to consider the area of ​​the wiring and active elements is a factor which regulates the aperture ratio by a transmission is the point. 本来高開口率化に適する反射型でありながら、この従来の液晶表示装置およびその製造方法では、クロストーク発生の懸念から開口率を大きくすることができない。 Yet reflective suitable for original high aperture ratio, in this conventional liquid crystal display device and its manufacturing method, it is impossible to increase the aperture ratio because of concerns about cross-talk occurs. ここで第1の膜であるSiN Xを厚くすることが考えられるが、この場合SiN X成膜時間ならびに第1の凹凸部8aおよび第1のコンタクトホール8bの加工形成時間の延長や、SiN X厚膜化による応力増加にともなう基板のそりによる破損等の生産性課題の発生が懸念される。 Although it is conceivable to increase the thickness of the SiN X is a first film where the extension and the processing time for forming this case SiN X film formation time and a first concave-convex portion 8a and the first contact hole 8b, SiN X generating productivity problems such as breakage due to warping of the substrate due to the stress increase due to thickening is concerned. さらにまた、凹凸形成を第1の凹凸部8aの形成と第2の膜10の塗布形成との2工程によりおこなっており生産効率の低下をもたらしている。 Furthermore, it has led to and decrease in production efficiency by performing the two steps of a roughening coating formed of a first formation of the concave-convex portion 8a and the second layer 10.

【0009】本発明は上記課題に鑑み、生産効率を向上させるとともに、高開口率な液晶表示装置およびその製造方法を得ることを目的とする。 [0009] In view of the above problems, thereby improving the production efficiency, and to obtain a high aperture ratio of the liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】この課題を解決するために本発明の液晶表示装置およびその製造方法は、工程削減を行いながら第1絶縁膜と第2絶縁膜とからなるより厚い層間絶縁膜を導入し、この層間絶縁膜に開口部と孔部でコンタクトホールを設けるとともに、滑らかな凹凸表面を同時に形成し、凹凸表面の形状制御を行い画素電極形状を形成する。 Means for Solving the Problems A liquid crystal display device and its manufacturing method of the present invention in order to solve this problem, the first insulating film while step reduction and thick interlayer insulating film from and a second insulating film introduced, provided with a contact hole opening and the hole in the interlayer insulating film, forming a smooth irregular surface at the same time, forming a pixel electrode shape perform shape control of the uneven surface.

【0011】本発明によれば、生産効率を向上させつつ高開口率で明るい反射型や、半透過型の液晶表示装置およびその製造方法が得られる。 According to the present invention, while improving the production efficiency bright reflective and at a high aperture ratio, a liquid crystal display device and its manufacturing method of the transflective type is obtained.

【0012】 [0012]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の液晶表示装置は、相対する2枚の基板の隙間部に液晶層とシール部とを有し、上記シール部は上記液晶層を封止するように上記隙間部の外周部に備え、上記2枚の基板の片方の基板は上記液晶層と接する面に上記液晶層を駆動する複数の画素電極部と上記画素電極部と接続されるアクティブ素子部とを有し、上記画素電極部は画素電極用の第1絶縁膜と画素電極用の第2絶縁膜と画素電極とを有し、上記画素電極用の第2絶縁膜は上記画素電極用の第1絶縁膜を被覆するように備え、上期画素電極は上期画素電極用の第2絶縁膜を被覆するように備え、上記アクティブ素子部はアクティブ素子とアクティブ素子用の第1絶縁膜とアクティブ素子用の第2絶縁膜と上記画素電極の一部分とを有し DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A liquid crystal display device according to claim 1 of the present invention, a liquid crystal layer and the sealing portion into the gap portion of the opposed two substrates, the sealing portion seals the liquid crystal layer provided on an outer peripheral portion of the gap portion so as to stop, one of the substrate of the two substrates are connected to a plurality of pixel electrode portion and the pixel electrode unit for driving the liquid crystal layer on a surface in contact with the liquid crystal layer and a active element portion, the pixel electrode portion and a second insulating film and the pixel electrode for the first insulating film and the pixel electrode of the pixel electrode, a second insulating film for the pixel electrode is the pixel provided so as to cover the first insulating film for the electrode, the first half pixel electrode arranged to the first half cover the second insulating film for the pixel electrode, a first insulating film of the active element portion for an active element and active element and a portion of the second insulating film and the pixel electrode for an active element and 上記アクティブ素子はチャネル部と電極部とを有し、上記アクティブ素子用の第1絶縁膜は上記アクティブ素子を被覆するように備え、上記アクティブ素子用の第2絶縁膜は上記アクティブ素子用の第1絶縁膜を被覆するように備え、上記アクティブ素子用の第1絶縁膜はアクティブ素子の上記電極部を被覆する部分に開口部を有し、上記アクティブ素子用の第2絶縁膜も上記開口部の位置で孔部を有し、上記孔部は上記画素電極の一部分で被覆されることで上記孔部の底部で上記電極と上記画素電極とが電気的に接続され、上記画素電極と上記画素電極用の第2絶縁膜とが接する面に凹凸面を有し、上記画素電極の表面に凹凸表面を有し、上記凹凸表面が滑らかな凸構造と上記孔部の径よりも小さく底部が平坦でない凹構造とを有するこ The active element has a channel portion and the electrode portion, the first insulating film for the active element is arranged to cover the active element, a second insulating film for the active element is first for the active element It provided so as to cover the first insulating film, a first insulating film for the active element has an opening in a portion covering the electrode portions of the active element, the second insulating film is also the opening for the active element has a hole portion at a position, the hole portion and the electrode and the pixel electrode at the bottom of the hole by being covered with a portion of the pixel electrode is electrically connected, the pixel electrode and the pixel has an uneven surface on the surface and a second insulating film for the electrode is in contact, it has an irregular surface on the surface of the pixel electrode, small bottom flatter than the diameter of the irregular surface smooth convex structure and the holes this having a concave structure not を特徴とする。 The features.
このようにして、生産効率を向上しかつ高開口率な反射型や半透過型アクティブ素子アレイ基板が得られる。 Thus, to improve production efficiency and a high aperture ratio of the reflective type or transflective type active element array substrate is obtained. そして、クロストークの発生懸念を低減できる。 Then, it is possible to reduce the occurrence concern of cross-talk.

【0013】また、本発明の請求項2に記載の液晶表示装置は、画素電極用の第2絶縁膜およびアクティブ素子用の第2絶縁膜が有機膜であることを特徴とする。 Further, the liquid crystal display device according to claim 2 of the present invention, the second insulating film for the second insulating film and the active element of the pixel electrode is characterized in that an organic film. このようにして、容易に厚い層間絶縁膜が形成できるという作用をが得られる。 Thus, to obtain the effect that can be formed easily thick interlayer insulating film.

【0014】また、本発明の請求項3に記載の液晶表示装置は、液晶表示装置の画素電極が高光反射金属の、反射型の液晶表示装置である。 Further, the liquid crystal display device according to claim 3 of the present invention, the pixel electrode of the liquid crystal display device of high light reflective metal, reflective-type liquid crystal display device.

【0015】また、本発明の請求項4に記載の液晶表示装置は、液晶表示装置の画素電極が高光反射金属の、半透過型の液晶表示装置である。 Further, the liquid crystal display device according to claim 4 of the present invention, the pixel electrode of the liquid crystal display device of high light reflecting metal, a semi-transmission type liquid crystal display device. このようにして、高光反射金属の膜厚を制御することにより明るい反射型または半透過型の液晶表示装置が得られる。 In this way, a bright reflective or transflective liquid crystal display device can be obtained by controlling the thickness of the high light reflecting metal.

【0016】また、本発明の請求項5に記載の液晶表示装置は、液晶表示装置の画素電極が高光反射金属部と透明電極部とからなることを特徴とする半透過型の液晶表示装置である。 Further, the liquid crystal display device according to claim 5 of the present invention is a transflective liquid crystal display device, wherein the pixel electrodes of the liquid crystal display device is composed of a high light reflecting metal portion and a transparent electrode portion is there. このようにして、使用環境が明るい場合での反射型としての明るさと使用環境が暗い場合での透過型としての明るさを供えもつという作用が得られる。 In this way, the action of having equipped the brightness of the transmissive when brightness and the use environment as a reflective type when the use environment is bright dark is obtained.

【0017】また、本発明の請求項6に記載の液晶表示装置は、画素電極がAlまたはAl合金またはAgまたはAg合金のいづれかであることを特徴とする。 Further, the liquid crystal display device according to claim 6 of the present invention is characterized in that the pixel electrode is either a Al or Al alloy or Ag or Ag alloy. このようにして、AlまたはAl合金またはAgまたはAg合金の膜厚を制御することにより明るい反射型または半透過型の液晶表示装置が得られる。 In this way, a bright reflective or transflective liquid crystal display device by controlling the thickness of the Al or Al alloy or Ag or Ag alloy is obtained.

【0018】また、本発明の請求項7に記載の液晶表示装置は、液晶表示装置の透明電極部がインジウム錫酸化物であることを特徴とする。 Further, the liquid crystal display device according to claim 7 of the present invention is characterized in that the transparent electrode of the liquid crystal display device is indium tin oxide. このようにして、透過表示において明るい半透過型の液晶表示装置が得られる。 In this way, bright in the transmissive display transflective liquid crystal display device can be obtained.

【0019】また、本発明の請求項8に記載の液晶表示装置は、液晶表示装置のアクティブ素子が薄膜トランジスタであることを特徴とする。 Further, the liquid crystal display device according to claim 8 of the present invention, an active element of a liquid crystal display device is characterized in that it is a thin film transistor.

【0020】また、本発明の請求項9に記載の液晶表示装置は、液晶表示装置のアクティブ素子が非線形2端子素子であることを特徴とする。 Further, the liquid crystal display device according to claim 9 of the present invention is characterized in that the active element of a liquid crystal display device is a non-linear two-terminal element.

【0021】また、本発明の請求項10に記載の液晶表示装置は、液晶表示装置のアクティブ素子がMIM素子であることを特徴とする。 Further, the liquid crystal display device according to claim 10 of the present invention, an active element of a liquid crystal display device is characterized in that it is a MIM element.

【0022】そして、本発明の請求項11に記載の液晶表示装置の製造方法は、相対する2枚の基板の隙間部に液晶層とシール部とを設け、上記シール部は上記液晶層を封止するように上記隙間部の外周部に設け、上記2枚の基板の片方の基板は上記液晶層と接する面に上記液晶層を駆動する複数の画素電極部と上記画素電極部と接続されるアクティブ素子部とを設け、上記画素電極部は画素電極用の第1絶縁膜と画素電極用の第2絶縁膜と画素電極とを設け、上記画素電極用の第2絶縁膜は上記画素電極用の第1絶縁膜を被覆するように設け、上記画素電極は上記画素電極用の第2絶縁膜を被覆するように設け、上記アクティブ素子部はアクティブ素子とアクティブ素子用の第1絶縁膜とアクティブ素子用の第2絶縁膜と上記画素電極の一 [0022] Then, The method according to claim 11 of the present invention is provided with a liquid crystal layer and the sealing portion into the gap portion of the opposed two substrates, the sealing portion seals the liquid crystal layer provided on the outer peripheral portion of the gap portion so as to stop, one of the substrate of the two substrates are connected to a plurality of pixel electrode portion and the pixel electrode unit for driving the liquid crystal layer on a surface in contact with the liquid crystal layer provided an active element portion, the pixel electrode portion is provided and a second insulating film and the pixel electrode for the first insulating film and the pixel electrode of the pixel electrode, a second insulating film for the pixel electrode for the pixel electrode first provided so as to cover the insulating film, the pixel electrode is provided so as to cover the second insulating film for the pixel electrode, the first insulating film and the active of the active element portion for an active element and active element of one second insulating film and the pixel electrode of the element 分とを設け、上記アクティブ素子はチャネル部と電極部とを設け、上記アクティブ素子用の第1絶縁膜は上記アクティブ素子を被覆するように設け、上記アクティブ素子用の第2絶縁膜は上記アクティブ素子用の第1絶縁膜を被覆するように設け、上記アクティブ素子用の第1絶縁膜はアクティブ素子の上記電極部を被覆する部分に開口部を設け、上記アクティブ素子用の第2絶縁膜も上記開口部の位置で孔部を設け、上記孔部は上記画素電極の一部分で被覆されることで上記孔部の底部で上記電極と上記画素電極とが電気的に接続され、上記画素電極と上記画素電極用の第2絶縁膜とが接する面に凹凸面を設け、上記画素電極の表面に凹凸表面を設け、上記凹凸表面が滑らかな凸構造と上記孔部の径よりも小さく底部が平坦でない凹構造 Minute and provided, in the active element is provided and a channel portion and the electrode portion, the first insulating film for the active element is provided so as to cover the active element, a second insulating film for the active element is the active provided so as to cover the first insulating film for element, the first insulating film for the active element an opening is provided in a portion covering the electrode portions of the active element, the second insulating film for the active element a hole provided at the position of the opening, the hole portion and the electrode and the pixel electrode at the bottom of the hole by being covered with a portion of the pixel electrode is electrically connected, and the pixel electrode an uneven surface formed on a surface of the second insulating film for the pixel electrode is in contact, an uneven surface provided on the surface of the pixel electrode, small bottom flatter than the diameter of the irregular surface smooth convex structure and the holes concave structure not で設けられることを特徴とする。 Characterized in that it is provided with. このようにして、生産効率を向上しつつ高開口率な反射型又は半透過型アクティブ素子アレイ基板が得られる。 Thus, a high aperture ratio of the reflective or semi-transmissive active element array substrate is obtained while improving the production efficiency.

【0023】また、本発明の請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法は、画素電極用の第2絶縁膜およびアクティブ素子用の第2絶縁膜を設ける際に用いる露光機の解像度よりも孔部の径の寸法を大きし、かつ上記露光機の解像度よりも凹構造の径の寸法を小さくすることを特徴とする。 [0023] The manufacturing method of the liquid crystal display device according to claim 12 of the present invention, than the resolution of an exposure apparatus for use in providing the second insulating film and the second insulating film for the active elements of the pixel electrode large sake of size of the diameter of the hole, and is characterized in that to reduce the size of the diameter of the concave structure than the resolution of the exposure machine. このようにして、生産効率を向上しつつ高開口率な反射型又は半透過型アクティブ素子アレイ基板が得られる。 Thus, a high aperture ratio of the reflective or semi-transmissive active element array substrate is obtained while improving the production efficiency. そして、クロストークの発生懸念を低減できる。 Then, it is possible to reduce the occurrence concern of cross-talk.

【0024】また、本発明の請求項13に記載の液晶表示装置の製造方法は、凹凸表面を設ける際に、上記凹凸表面をより滑らかな表面形状にするために、画素電極用の第2絶縁膜およびアクティブ素子用の第2絶縁膜に熱エネルギーを加えることを特徴とする。 [0024] The manufacturing method of the liquid crystal display device according to claim 13 of the present invention, when providing the uneven surface, to the irregular surface to a smoother surface shape, a second insulation pixel electrode and wherein the application of heat energy to the second insulating film for film and active elements. このようにして、容易に厚い層間絶縁膜が形成できるという作用が得られる。 In this way, the effect that can be formed easily thick interlayer insulating film is obtained.

【0025】また、本発明の請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法は、画素電極用の第1絶縁膜およびアクティブ素子用の第1絶縁膜が窒化シリコンで設けられることを特徴とする。 [0025] The manufacturing method of the liquid crystal display device according to claim 14 of the present invention, the first insulating film for the first insulating film and the active element of the pixel electrode is characterized in that it is provided with a silicon nitride . このようにして、工程数を低減できるという作用が得られる。 In this way, the effect of reducing the number of steps is obtained.

【0026】また、本発明の請求項15に記載の液晶表示装置の製造方法は、画素電極用の第2絶縁膜およびアクティブ素子用の第2絶縁膜が有機膜で設けられることを特徴とする。 [0026] The manufacturing method of the liquid crystal display device according to claim 15 of the present invention, the second insulating film and the second insulating film for the active elements of the pixel electrode is characterized in that it is provided with an organic film . このようにして、容易に厚い層間絶縁膜が形成できるという作用が得られる。 In this way, the effect that can be formed easily thick interlayer insulating film is obtained.

【0027】また、本発明の請求項16に記載の液晶表示装置の製造方法は、画素電極が高光反射金属で設けられる反射型の液晶表示装置の製造方法である。 [0027] The manufacturing method of the liquid crystal display device according to claim 16 of the present invention is a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device provided pixel electrode with high light reflective metal.

【0028】また、本発明の請求項17に記載の液晶表示装置の製造方法は、画素電極が高光反射金属で設けられる半透過型の液晶表示装置の製造方法である。 [0028] The manufacturing method of the liquid crystal display device according to claim 17 of the present invention is a method of manufacturing a transflective liquid crystal display device in which pixel electrodes are provided in the high light reflective metal. このようにして、高光反射金属の膜厚を制御することにより明るい反射型または半透過型の液晶表示装置が得られる。 In this way, a bright reflective or transflective liquid crystal display device can be obtained by controlling the thickness of the high light reflecting metal.

【0029】また、本発明の請求項18に記載の液晶表示装置の製造方法は、画素電極が高光反射金属部と透明電極部とで設けられる半透過型の液晶表示装置の製造方法である。 [0029] The manufacturing method of the liquid crystal display device according to claim 18 of the present invention is a method of manufacturing a transflective liquid crystal display device in which pixel electrodes are provided between the high light reflecting metal portion and a transparent electrode portion. 使用環境が明るい場合での反射型としての明るさと、使用環境が暗い場合での透過型としての明るさとを供えもつという作用が得られる。 And brightness of the reflective when the use environment is bright, the action of having equipped the brightness of the transmissive when the use environment is dark can be obtained.

【0030】また、本発明の請求項19に記載の液晶表示装置の製造方法は、画素電極がAlまたはAl合金またはAgまたはAg合金のいづれかで設けられることを特徴とする。 [0030] The manufacturing method of the liquid crystal display device according to claim 19 of the present invention is characterized in that the pixel electrode is provided with either an Al or Al alloy or Ag or Ag alloy. このようにして、AlまたはAl合金またはAgまたはAg合金の膜厚を制御することにより明るい反射型又は半透過型の液晶表示装置が得られる。 In this way, a bright reflective type or transflective liquid crystal display device by controlling the thickness of the Al or Al alloy or Ag or Ag alloy is obtained.

【0031】また、本発明の請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法は、液晶表示装置の製造方法の透明電極部を設ける際に、上記透明電極部がインジウム錫酸化物で設けられることを特徴とする。 [0031] The manufacturing method of the liquid crystal display device according to claim 20 of the present invention, in providing a transparent electrode portion of the manufacturing method of the liquid crystal display device, that the transparent electrode portions are provided with an indium tin oxide the features. このようにして、透過表示において明るい半透過型の液晶表示装置が得られる。 In this way, bright in the transmissive display transflective liquid crystal display device can be obtained.

【0032】また、本発明の請求項21に記載の液晶表示装置の製造方法は、アクティブ素子が薄膜トランジスタで設けられることを特徴とする。 [0032] The manufacturing method of the liquid crystal display device according to claim 21 of the present invention is characterized in that the active element is provided with a thin film transistor.

【0033】また、本発明の請求項22に記載の液晶表示装置の製造方法は、アクティブ素子が非線形2端子素子で設けられることを特徴とする。 [0033] The manufacturing method of the liquid crystal display device according to claim 22 of the present invention is characterized in that the active elements are provided with non-linear two-terminal element.

【0034】また、本発明の請求項23に記載の液晶表示装置の製造方法は、アクティブ素子がMIM素子でもうけられることを特徴とする。 [0034] The manufacturing method of the liquid crystal display device according to claim 23 of the present invention is characterized in that the active elements are provided in the MIM element.

【0035】そして、本発明の画像表示応用装置は、上記の液晶表示装置が備えられることを特徴とする。 [0035] Then, the image display application device of the present invention is characterized in that the liquid crystal display device is provided. このようにして、より明るい画像表示応用装置が得られるという作用が得られる。 In this way, acts as a brighter image display application device can be obtained is obtained.

【0036】以下、本発明の実施の形態について、図1、図2および図3を用いて説明する。 [0036] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2 and 3. 画素電極用の第1絶縁膜とアクティブ素子用の第1絶縁膜とは同じ材質で、同じ工程で設けているので、以下の説明では画素電極用の第1絶縁膜とアクティブ素子用の第1絶縁膜を合わせて、第1絶縁膜と呼称する。 The first insulating film and the first insulating film for the active elements of the pixel electrodes of the same material, since provided in the same step, the first for the first insulating film and the active element of the pixel electrode in the following description the combined insulating film, referred to as the first insulating film. また、画素電極用の第2絶縁膜とアクティブ素子用の第2絶縁膜とは同じ材質で、同じ工程で設けているので、以下の説明では画素電極用の第2絶縁膜とアクティブ素子用の第2絶縁膜を合わせて、第2絶縁膜と呼称する。 Further, the second insulating film and the second insulating film for the active elements of the pixel electrodes of the same material, since provided in the same step, in the following description for the second insulating film and the active element of the pixel electrode the combined second insulating film, referred to as the second insulating film. また孔部は、コンタクトホールとも呼称され、以下ではコンタクトホールで説明する。 The holes may also contact hole is called, in the following description in the contact hole.

【0037】(実施の形態1)図1は液晶表示装置のアクティブ素子アレイ基板における画素部の断面構造を示し、図2は同様に画素部の平面図、図3は図2中C-D [0037] (Embodiment 1) Figure 1 shows a cross-sectional structure of a pixel portion in an active device array substrate of a liquid crystal display device, the plan view of FIG. 2 is similar to the pixel unit, 3 in Fig. 2 C-D
での断面を各工程ごとに示す。 The cross-section at shown in each step.

【0038】図1、図2および図3において、12は開口部12aを有する第1絶縁膜、20はコンタクトホール20aおよび凹凸表面20bを有する第2の絶縁膜、 [0038] In FIG. 1, 2 and 3, 12 is a first insulating film having an opening 12a, 20 is a second insulating film having a contact hole 20a and uneven surface 20b,
21は遮光層22により第1の透過部24ならびに第2 21 by the light shielding layer 22 first transmitting portion 24 and the second
の透過部25を有するフォトマスク基板、23は上記フォトマスク基板21を通じて上記第2の絶縁膜20に照射する照射光であり、その他の構成において、従来例として図4、図5に示した液晶表示装置およびその製造方法と同一構成部分については同一番号および同一名称を付して詳細な説明を省略する。 Photomask substrate having the transmissive portion 25, 23 is irradiation light irradiated on the second insulating film 20 through the photomask substrate 21, in other configurations, shown as a conventional example in FIGS. 4 and 5 the liquid crystal display device and will not be described in detail are given the same numbers and the same names method for manufacturing the same constituent portions thereof.

【0039】まず、ガラスからなる基板1上に、Arガスを用いたスパッタリング法によりTi/Al/Tiをそれぞれ100/200/100nm積層して成膜後、 Firstly, after on the substrate 1 made of glass, by sputtering method respectively stacked 100/200/100 nm with Ti / Al / Ti by using Ar gas deposition,
分岐したゲート電極2aを有する複数のゲート配線2を形成する。 Forming a plurality of gate lines 2 having a branched gate electrode 2a. 次に、プラズマ化学気相蒸着法(以下p−C Then, plasma-enhanced chemical vapor deposition (hereinafter referred to as p-C
VD法と略す)によりSiN X 、a-Si、低抵抗a-S SiN X by abbreviated to VD method), a-Si, low-resistance a-S
iの3層を成膜後、TFT領域以外のa-Si、低抵抗a-Siをエッチング除去し島状のそれぞれチャネル層4とコンタクト層5ならびに全面にわたるゲート絶縁膜3を形成する。 After forming the three layers of i, a-Si other than TFT region, a gate insulating film 3 over the channel layer 4 and the contact layer 5 and the entire surface respective low-resistance a-Si is removed by etching the island. 次に、再度Arガスを用いたスパッタリング法によりTi/Al/Tiをそれぞれ100/20 Next, each of the Ti / Al / Ti by a sputtering method using again Ar gas 100/20
0/100nm積層して成膜後、複数のソース配線6とこれから分岐したTFTのソース電極6aならびにドレイン電極7のパターンに加工する。 0/100 nm after lamination to the film forming, processed into a pattern of the source electrode 6a and the drain electrode 7 of the TFT which is now branching a plurality of source lines 6. ここで同時にコンタクト層5は、ソースならびにドレインの領域に分離形成される。 Here the same time the contact layer 5 is separated formed in a region of the source and drain. 次に、全面にp−CVD法によりチャネル層4 Next, the channel layer on the entire surface by p-CVD method 4
の保護膜としてSiN Xからなる第1絶縁膜12を形成しTFTアレイが得られる(図3(a))。 The first insulating film 12 is formed TFT array of SiN X as a protective film can be obtained (Figure 3 (a)).

【0040】以上のように従来例と同様にTFTアレイを形成後、レジストをマスクとして第1の絶縁膜12を加工し上記ドレイン電極7上に開口部12aを形成する(図3(b))。 [0040] After forming the TFT array as in the conventional example as described above, resist processing the first insulating film 12 as a mask to form an opening 12a on the drain electrode 7 (FIG. 3 (b)) . 次に全面に感光性アクリル系樹脂(J Then the entire surface photosensitive acrylic resin (J
SR社製PC305)を約3μm塗布し、短辺が解像度に比べ十分大きい約8μmとした楕円形状の第1の透過部24と径が解像度限界の約4μmとした第2の透過部25とを遮光層22により形成したフォトマスク基板2 SR Inc. PC 305) was about 3μm coating, and a second transmitting portion 25 the diameter of the first transmitting portion 24 of the elliptical short side is sufficiently larger about 8μm than the resolution was about 4μm resolution limit photo was formed by the light shielding layer 22 the mask substrate 2
1を用い、露光機(CANON社製MA3000)により照射光23での露光後現像することにより、上記第1 With 1, by developing after exposure with irradiation light 23 by an exposure machine (CANON KK MA3000), the first
の透過部24に対応し下地のドレイン電極7を十分露呈したコンタクトホール20aと、上記第2の透過部25 A contact hole 20a which corresponds to the transmissive portion 24 and the drain electrode 7 of the underlying fully exposed, and the second transmission portion 25
に対応し下地の露呈されない凹形状からなる凹凸表面2 Consisting concave shape which is not exposed in the corresponding base to the irregular surface 2
0bとを有する第2の絶縁膜20を形成する(図3 Forming a second insulating film 20 having a 0b (Figure 3
(c))。 (C)). 次に、220℃の熱処理を行い上記第2絶縁膜20を温度上昇に伴う軟化により表面形状を滑らかにしつつ硬化させる。 Then cured while a smooth surface shape by softening with increasing temperature the second insulating film 20 by heat treatment of 220 ° C.. 次に全面にAlを成膜後、上記凹凸表面20bを覆いコンタクトホール20aを通じてドレイン電極7と電気的に接続するとともにゲート配線2の一部ならびにソース配線6の一部に重なり合うまで伸延した画素電極11に加工形成することによりアクティブ素子アレイ基板が得られる(図1、図2、図3 Then after forming the Al on the entire surface, the pixel electrodes extending to overlap a portion of the part as well as the source line 6 of the gate line 2 with connecting the irregular surface 20b electrically to the drain electrode 7 through the contact hole 20a covering the active element array substrate obtained by processing formed in 11 (FIGS. 1, 2, 3
(d))。 (D)). さらに、従来例と同様に上記のアクティブ素子アレイ基板に対向してカラーフィルターと透明電極を有する基板を貼り合わせ、間に液晶を封入して液晶表示装置が完成する。 Furthermore, the conventional example as well as to face the active element array substrate of the bonded substrate having a color filter and a transparent electrode, a liquid crystal display device is completed by sealing a liquid crystal between.

【0041】以上の実施の形態1によれば、厚い第2絶縁膜20により、クロストークの発生懸念を低減して画素電極11をソース配線6ならびにゲート配線2近傍にまで形成できる。 [0041] According to the first above embodiment, the thick by the second insulating film 20 can be formed to the source line 6 and the gate line 2 near the pixel electrode 11 to reduce the occurrence concerns crosstalk. また凹凸表面20bならびにコンタクトホ-ル20aを形成するためのフォト工程を1回に低減できるという作用を有する。 The uneven surface 20b and the contact hole - has the effect of a photo step for forming the Le 20a can be reduced to one. さらに滑らかな凹凸形状を有する凹凸表面20b上に画素電極11を形成することにより、正反射成分が少なく周辺光の映り込みが抑制されるとともに、曲面状態からなる凹凸形状を制御することにより反射効率を高くすなわち明るくできるという作用を有する。 By forming the pixel electrode 11 on the uneven surface 20b having a more smooth irregular shape, with reflection of specular reflection components is small peripheral light is suppressed, reflection efficiency by controlling the uneven shape composed of curved state It has the effect of a higher i.e. bright.

【0042】なお以上の説明では、第2絶縁膜20への凹凸表面の形成を、解像限界である約4μm径の第2の透過部25を有するフォトマスク基板21を用いての露光現像によるものとしたが、凹凸表面の形成は凹形状の底部が平坦でない凹凸表面の形成であればよく、たとえばより解像度の高い露光機を用い、その露光機での解像度限界(3μmなど)の径からなる第2の透過部25を有するフォトマスク基板21を用いての露光現像としてもよい。 [0042] Note that the above description, the formation of uneven surface of the second insulating film 20, by exposure and development of using a photomask substrate 21 having a second transmitting portion 25 of about 4μm diameter is the resolution limit Although the things, the formation of the irregular surface may be any form of uneven surface the bottom of the concave shape is not flat, for example, using a higher resolution exposure apparatus, the diameter of the resolution limit at that exposure machine (such as 3 [mu] m) it may be exposed and developed for using a photomask substrate 21 having a second transmission portion 25 made. また第2の絶縁膜20の凹凸形状をすべて凹形状の底部が平坦でない形状としたが、凹凸形状の底部が平坦でない形状は画素電極11により所望の反射特性が得られる面積があればよく、たとえば凹形状部の一部で下地が露呈し底部が平坦であってもよい。 Although the bottom concave all irregularities of the second insulating film 20 has a shape that is not flat, the shape the bottom of the uneven shape is not flat may be any area desired reflection characteristic by the pixel electrode 11 is obtained, for example the bottom underlayer exposed part of the concave portion may be flat. さらに、画素電極11をAlからなるものとしたが、画素電極11はドレイン電極7と電気的に接合し高反射率のものであれば何でもよく例えばAl合金としてAlTi、AlT Further, it is assumed that becomes the pixel electrode 11 from Al, the pixel electrode 11 is AlTi as anything may e.g. Al alloy as long as the drain electrode 7 and electrically connected to the high reflectivity, AlT
a、AlW、AlNd、AlZr等またはAgまたはA a, AlW, AlNd, AlZr etc. or Ag or A
g合金としてAgCu、AgPdCu、AgTiCu等からなるものとしてもよい。 AgCu as g alloy, AgPdCu, may be made of AgTiCu like. さらに、アクティブ素子をTFTからなるものとしたが、MIM等の非線形2端子素子としてもよい。 Further, it is assumed that becomes an active element from TFT, may be non-linear two-terminal element of the MIM or the like.

【0043】 [0043]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、厚い第2 According to the present invention as described above, according to the present invention, the thick second
絶縁膜20により、クロストークの発生懸念を低減して画素電極11をソース配線6ならびにゲート配線2近傍にまで形成することにより、高開口率の明るい反射型又は半透過型の液晶表示装置が得られ、かつ、凹凸表面2 Obtained by the insulating film 20, by forming up to the reduced source line 6 and the gate line 2 near the pixel electrode 11 to generate concerns crosstalk, high aperture ratio bright reflective or transflective liquid crystal display device of is, and, uneven surface 2
0bならびにコンタクトホール20aを形成するためのフォト工程を1回に低減することにより、生産性の大幅な向上がもたらされるという有利な効果がもたらされる。 0b and by reducing the photolithographic process for forming the contact hole 20a at a time, a considerable improvement in productivity leads to advantageous effect brought about. さらに、滑らかな凹凸形状を有する凹凸表面20b Furthermore, irregular surface 20b having a smooth irregular shape
上に画素電極11を形成することにより、正反射成分が少なく周辺光の映り込みが抑制されるとともに、曲面状態からなる凹凸形状を制御することにより反射効率を高くすなわち明るい反射型や、半透過型の液晶表示装置が得られ、産業的価値が大である。 By forming the pixel electrode 11 above, with reflection of specular reflection components is small peripheral light is suppressed, high i.e. or bright reflective reflection efficiency by controlling the uneven shape composed of curved state, transflective type liquid crystal display device can be obtained, is large industrial value.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の一実施の形態の液晶表示装置およびその製造方法を示した断面構造図 Cross section showing a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof of an embodiment of the present invention; FIG

【図2】本発明の一実施の形態の液晶表示装置およびその製造方法を示した平面図 Plan view of a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof of an embodiment of the present invention; FIG

【図3】本発明の一実施の形態の液晶表示装置およびその製造方法を各工程を示す断面構造図 Sectional view showing the steps of the liquid crystal display device and a manufacturing method thereof of an embodiment of the present invention; FIG

【図4】従来の液晶表示装置およびその製造方法における平面図 Plan view in FIG. 4 conventional liquid crystal display device and a manufacturing method thereof

【図5】従来の液晶表示装置およびその製造方法における各工程を示す断面構造図 Sectional structure view showing the steps of FIG. 5 conventional liquid crystal display device and a manufacturing method thereof

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基板 2 ゲート配線 2a ゲート電極 3 ゲート絶縁膜 4 チャネル層 5 コンタクト層 6 ソース配線 6a ソース電極 7 ドレイン電極 8 第1の膜 8a 第1の凹凸部 8b 第1のコンタクトホール 9 レジスト 10 第2の膜 10a 第2のコンタクトホール 11 画素電極 12 第1絶縁膜(画素電極用の第1絶縁膜とアクティブ素子用の第1絶縁膜) 12a 開口部 20 第2絶縁膜(画素電極用の第2絶縁膜とアクティブ素子用の第2絶縁膜) 20a コンタクトホール(孔部) 20b 凹凸表面 21 フォトマスク基板 22 遮光層 23 照射光 24 第1の透過部 25 第2の透過部 1 substrate 2 gate wires 2a gate electrode 3 gate insulating film 4 channel layer 5 contact layer 6 source wiring 6a source electrode 7 drain electrode 8 first layer 8a first uneven portion 8b first contact hole 9 resist 10 second the second insulation for 12a opening 20 the second insulating film (pixel electrode (first insulating film for the first insulating film and the active element of the pixel electrode) film 10a second contact hole 11 pixel electrode 12 first insulation film the second insulating film) 20a contact hole (hole portion) 20b uneven surface 21 photomask substrate 22 light shielding layer 23 irradiated light 24 first transmitting portion 25 and the second transmitting portion of the membrane and the active element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坊下 純二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 浅野 悟久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田辺 将人 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山中 泰彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 櫻井 芳亘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2H091 FA16X FA16Y FB02 FB08 FC02 FC10 FC22 FC26 FC29 FD04 FD06 FD12 FD23 GA03 GA13 GA17 HA07 LA11 LA13 LA16 2H092 HA05 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB57 JB63 JB68 KA05 KA07 KA12 KA16 KA18 KB25 MA13 MA17 MA27 MA35 MA37 MA41 NA03 NA25 NA ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor Bow under Junji Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita Electric industrial Co., Ltd. in the (72) inventor Asano SatoruHisa Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita Electric industrial Co., Ltd. the inner (72) inventor Masato Tanabe Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita Electric industrial Co., Ltd. in the (72) inventor Yasuhiko Yamanaka Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita Electric industrial Co., Ltd. in the (72) invention's Sakurai KaoruWataru Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita Electric industrial Co., Ltd. in the F-term (reference) 2H091 FA16X FA16Y FB02 FB08 FC02 FC10 FC22 FC26 FC29 FD04 FD06 FD12 FD23 GA03 GA13 GA17 HA07 LA11 LA13 LA16 2H092 HA05 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB57 JB63 JB68 KA05 KA07 KA12 KA16 KA18 KB25 MA13 MA17 MA27 MA35 MA37 MA41 NA03 NA25 NA 27 PA03 PA12 5C094 AA09 AA12 AA42 BA03 BA43 CA19 DA13 DA15 EA02 EA04 EA05 EA07 EB02 FB01 5F110 AA02 AA16 BB01 CC07 DD02 EE03 EE04 EE15 EE44 FF03 FF30 GG02 GG15 GG45 HK03 HK04 HK09 HK16 HK22 HK33 HK35 HL02 HL03 HL06 NN03 NN24 NN27 NN35 NN72 QQ09 27 PA03 PA12 5C094 AA09 AA12 AA42 BA03 BA43 CA19 DA13 DA15 EA02 EA04 EA05 EA07 EB02 FB01 5F110 AA02 AA16 BB01 CC07 DD02 EE03 EE04 EE15 EE44 FF03 FF30 GG02 GG15 GG45 HK03 HK04 HK09 HK16 HK22 HK33 HK35 HL02 HL03 HL06 NN03 NN24 NN27 NN35 NN72 QQ09

Claims (24)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 相対する2枚の基板の隙間部に液晶層とシール部とを有し、前記シール部は前記液晶層を封止するように前記隙間部の外周部に備え、前記2枚の基板の片方の基板は前記液晶層と接する面に前記液晶層を駆動する複数の画素電極部と前記画素電極部と接続されるアクティブ素子部とを有し、前記画素電極部は画素電極用の第1絶縁膜と画素電極用の第2絶縁膜と画素電極とを有し、前記画素電極用の第2絶縁膜は前記画素電極用の第1絶縁膜を被覆するように備え、前記画素電極は前記画素電極用の第2絶縁膜を被覆するように備え、前記アクティブ素子部はアクティブ素子とアクティブ素子用の第1絶縁膜とアクティブ素子用の第2絶縁膜と前記画素電極の一部分とを有し、前記アクティブ素子はチャネル部と電極部とを有し 1. A and a liquid crystal layer and the sealing portion into the gap portion of the opposed two substrates, the sealing portion is provided on an outer peripheral portion of the gap portion so as to seal the liquid crystal layer, the two the of one substrate of a substrate having an active element unit connected to the plurality of pixel electrodes that drives the liquid crystal layer on a surface in contact with the liquid crystal layer and the pixel electrode portion, the pixel electrode section pixel electrode first and a second insulating film and the pixel electrode of the insulating film and the pixel electrode, a second insulating film for the pixel electrode is arranged to cover the first insulating film for the pixel electrode, the pixel of electrodes arranged to cover the second insulating film for the pixel electrode, the active element portion and the second insulating film for the first insulating film and the active elements for active element and an active element and a portion of the pixel electrode It has the active element has a channel portion and the electrode portion 、前記アクティブ素子用の第1絶縁膜は前記アクティブ素子を被覆するように備え、前記アクティブ素子用の第2絶縁膜は前記アクティブ素子用の第1絶縁膜を被覆するように備え、前記アクティブ素子用の第1絶縁膜はアクティブ素子の前記電極部を被覆する部分に開口部を有し、前記アクティブ素子用の第2絶縁膜も前記開口部の位置で孔部を有し、前記孔部は前記画素電極の一部分で被覆されることで前記孔部の底部で前記電極と前記画素電極とが電気的に接続され、前記画素電極と前記画素電極用の第2絶縁膜とが接する面に凹凸面を有し、前記画素電極の表面に凹凸表面を有し、前記凹凸表面が滑らかな凸構造と前記孔部の径よりも小さく底部が平坦でない凹構造とを有することを特徴とする液晶表示装置。 The first insulating film for the active element is arranged to cover the active element, a second insulating film for the active element is arranged to cover the first insulating film for the active element, the active element the first insulating film use has an opening at a portion that covers the electrode portion of the active element, a second insulating film for the active element also has a hole at the location of the opening, the hole is wherein said electrode at the bottom of the hole by being covered with a portion of the pixel electrode and the pixel electrode are electrically connected, irregularities in the second insulating film are in contact with the surface for the pixel electrode and the pixel electrode has a surface having an uneven surface on a surface of the pixel electrode, the liquid crystal display smaller bottom than the diameter of the uneven surface and a smooth convex structure wherein hole portions and having a concave uneven structure apparatus.
  2. 【請求項2】 画素電極用の第2絶縁膜およびアクティブ素子用の第2絶縁膜が有機膜であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 2. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein the second insulating film and the second insulating film for the active elements of the pixel electrode is characterized in that an organic film.
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2のいづれかに記載の液晶表示装置の画素電極が高光反射金属であることを特徴とする反射型の液晶表示装置。 3. A reflection type liquid crystal display device, wherein the pixel electrode of the liquid crystal display device according to either of claims 1 or claim 2 is a high light reflecting metal.
  4. 【請求項4】 請求項1または請求項2のいづれかに記載の液晶表示装置の画素電極が高光反射金属であることを特徴とする半透過型の液晶表示装置。 4. A transflective liquid crystal display device, wherein the pixel electrode of the liquid crystal display device according to either of claims 1 or claim 2 is a high light reflecting metal.
  5. 【請求項5】 請求項1または請求項2のいづれかに記載の液晶表示装置の画素電極が高光反射金属部と透明電極部とからなることを特徴とする半透過型の液晶表示装置。 5. A transflective liquid crystal display device, wherein a pixel electrode of the liquid crystal display device according to either of claims 1 or claim 2 comprising a high light reflecting metal portion and a transparent electrode portion.
  6. 【請求項6】 画素電極がAlまたはAl合金またはA 6. A pixel electrode is Al or an Al alloy, or A
    gまたはAg合金のいづれかであることを特徴とする請求項1又は請求項2のいづれかに記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to either of claims 1 or claim 2, characterized in that it is either a g or Ag alloy.
  7. 【請求項7】 請求項1又は請求項2のいづれかに記載の液晶表示装置の透明電極部がインジウム錫酸化物であることを特徴とする液晶表示装置。 7. A liquid crystal display device a transparent electrode of a liquid crystal display device according to either of claims 1 or claim 2, characterized in that indium-tin oxide.
  8. 【請求項8】 請求項1又は請求項2のいづれかに記載の液晶表示装置のアクティブ素子が薄膜トランジスタであることを特徴とする液晶表示装置。 8. A liquid crystal display device which active elements of the liquid crystal display device according to either of claims 1 or claim 2, characterized in that a thin film transistor.
  9. 【請求項9】 請求項1又は請求項2のいづれかに記載の液晶表示装置のアクティブ素子が非線形2端子素子であることを特徴とする液晶表示装置。 9. A liquid crystal display device which active elements of the liquid crystal display device according to either of claims 1 or claim 2 characterized in that it is a non-linear two-terminal element.
  10. 【請求項10】 請求項1又は請求項2のいづれかに記載の液晶表示装置のアクティブ素子がMIM素子であることを特徴とする液晶表示装置。 10. The liquid crystal display device which active elements of the liquid crystal display device according to either of claims 1 or claim 2 characterized in that it is a MIM element.
  11. 【請求項11】 相対する2枚の基板の隙間部に液晶層とシール部とを設け、前記シール部は前記液晶層を封止するように前記隙間部の外周部に設け、前記2枚の基板の片方の基板は前記液晶層と接する面に前記液晶層を駆動する複数の画素電極部と前記画素電極部と接続されるアクティブ素子部とを設け、前記画素電極部は画素電極用の第1絶縁膜と画素電極用の第2絶縁膜と画素電極とを設け、前記画素電極用の第2絶縁膜は前記画素電極用の第1絶縁膜を被覆するように設け、前記画素電極は前記画素電極用の第2絶縁膜を被覆するように設け、前記アクティブ素子部はアクティブ素子とアクティブ素子用の第1絶縁膜とアクティブ素子用の第2絶縁膜と前記画素電極の一部分とを設け、前記アクティブ素子はチャネル部と電極部とを設 11. provided a liquid crystal layer and the sealing portion into the gap portion of the opposed two substrates, the sealing portion is provided on an outer circumferential portion of the gap portion so as to seal the liquid crystal layer, the two one of the substrates of the substrate provided with an active element unit connected to the plurality of pixel electrode portions and the pixel electrode unit for driving the liquid crystal layer on a surface in contact with the liquid crystal layer, the pixel electrode portion is first for the pixel electrode 1 is provided and a second insulating film and the pixel electrode of the insulating film and the pixel electrode, a second insulating film for the pixel electrode is provided so as to cover the first insulating film for the pixel electrode, the pixel electrode is the provided so as to cover the second insulating film for the pixel electrode, the active element portion provided with a portion of the second insulating film and the pixel electrode for the first insulating film and the active elements for active element and active element, the active element is set to the channel portion and the electrode portion け、前記アクティブ素子用の第1絶縁膜は前記アクティブ素子を被覆するように設け、前記アクティブ素子用の第2絶縁膜は前記アクティブ素子用の第1絶縁膜を被覆するように設け、前記アクティブ素子用の第1絶縁膜はアクティブ素子の前記電極部を被覆する部分に開口部を設け、前記アクティブ素子用の第2 Only the first insulating film for the active element is provided so as to cover the active element, a second insulating film for the active element is provided so as to cover the first insulating film for the active element, the active the first insulating film for element an opening is provided in a portion covering the electrode portions of the active element, a second for the active element
    絶縁膜も前記開口部の位置で孔部を設け、前記孔部は前記画素電極の一部分で被覆されることで前記孔部の底部で前記電極と前記画素電極とが電気的に接続され、前記画素電極と前記画素電極用の第2絶縁膜とが接する面に凹凸面を設け、前記画素電極の表面に凹凸表面を設け、 Insulating film is also a hole provided at the location of the opening, the hole and the electrode at the bottom of the hole by being covered by a portion of the pixel electrode and the pixel electrode are electrically connected, wherein an uneven surface formed in the second insulating film are in contact with the surface for the pixel electrode and the pixel electrode, an uneven surface provided on the surface of the pixel electrode,
    前記凹凸表面が滑らかな凸構造と前記孔部の径よりも小さく底部が平坦でない凹構造とで設けられることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that said uneven surface is provided with a concave structure is not flat small bottom than the diameter of the hole and smooth convex structure.
  12. 【請求項12】 画素電極用の第2絶縁膜およびアクティブ素子用の第2絶縁膜を設ける際に用いる露光機の解像度よりも孔部の径の寸法を大きし、かつ前記露光機の解像度よりも凹構造の径の寸法を小さくすることを特徴とする請求項11記載の液晶表示装置の製造方法。 12. Large sake of dimensions of the diameter of the hole than the resolution of an exposure apparatus for use in providing the second insulating film and the second insulating film for the active elements of the pixel electrode, and than the resolution of the exposure machine method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 11 also characterized by reducing the size of the diameter of the concave structure.
  13. 【請求項13】 凹凸表面を設ける際に、前記凹凸表面をより滑らかな表面形状にするために、画素電極用の第2絶縁膜およびアクティブ素子用の第2絶縁膜に熱エネルギーを加えることを特徴とする請求項11又請求項1 In providing the 13. irregular surface, to the uneven surface to a smoother surface shape, applying heat energy to the second insulating film and the second insulating film for the active elements of the pixel electrode claim wherein 11 Further claim 1
    2のいづれかに記載の液晶表示装置の製造方法。 The method according to either of two.
  14. 【請求項14】 画素電極用の第1絶縁膜およびアクティブ素子用の第1絶縁膜が窒化シリコンで設けられることを特徴とする請求項11から請求項13のいづれかに記載の液晶表示装置の製造方法。 Manufacturing a liquid crystal display device according to claim 14 claim 11, the first insulating film and the first insulating film for the active elements of the pixel electrode is characterized in that it is provided with a silicon nitride either of claims 13 Method.
  15. 【請求項15】 画素電極用の第2絶縁膜およびアクティブ素子用の第2絶縁膜が有機膜で設けられることを特徴とする請求項11から請求項14のいづれかに記載の液晶表示装置の製造方法。 Manufacturing a liquid crystal display device according to claim 15 claim 11 in which the second insulating film and the second insulating film for the active elements of the pixel electrode is characterized in that it is provided with an organic film to either of claims 14 Method.
  16. 【請求項16】 請求項11から請求項15のいづれかに記載の液晶表示装置の製造方法の画素電極が高光反射金属で設けられることを特徴とする反射型の液晶表示装置の製造方法。 16. A method of manufacturing a reflective liquid crystal display device, wherein the pixel electrode manufacturing method of the liquid crystal display device according to either of claims 11 of claim 15 is provided with a high light reflective metal.
  17. 【請求項17】 請求項11から請求項15のいづれかに記載の液晶表示装置の製造方法の画素電極が高光反射金属で設けられることを特徴とする半透過型の液晶表示装置の製造方法。 17. The method of a transflective liquid crystal display device, wherein the pixel electrode manufacturing method of the liquid crystal display device according to either of claims 11 of claim 15 is provided with a high light reflective metal.
  18. 【請求項18】 請求項11から請求項15のいづれかに記載の液晶表示装置の製造方法の画素電極が高光反射金属部と透明電極部とで設けられることを特徴とする半透過型の液晶表示装置の製造方法。 18. The semi-transmissive liquid crystal display, wherein the pixel electrode manufacturing method of the liquid crystal display device according is provided with a high light reflective metal part and the transparent electrode portion either of claims 11 of claim 15 manufacturing method of the device.
  19. 【請求項19】 画素電極がAlまたはAl合金またはAgまたはAg合金のいづれかで設けられることを特徴とする請求項11から請求項15のいづれかに記載の液晶表示装置。 19. The liquid crystal display device according to either of claims 11 having a pixel electrode and which are located in either the Al or Al alloy or Ag or Ag alloy of claim 15.
  20. 【請求項20】 請求項11から請求項15のいづれかに記載の液晶表示装置の製造方法の透明電極部を設ける際に、前記透明電極部がインジウム錫酸化物で設けられることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 20. When providing the transparent electrode of the method of manufacturing a liquid crystal display device according to either of claims 11 of claim 15, the liquid crystal in which the transparent electrode portion and which are located in the indium tin oxide method for manufacturing a display device.
  21. 【請求項21】 請求項11から請求項15のいづれかに記載の液晶表示装置の製造方法のアクティブ素子が薄膜トランジスタで設けられることを特徴とする液晶表示装置。 21. The liquid crystal display device which active elements of the method of manufacturing the liquid crystal display device according to either of claims 11 of claim 15 characterized in that it is provided with a thin film transistor.
  22. 【請求項22】 請求項11から請求項15のいづれかに記載の液晶表示装置の製造方法のアクティブ素子が非線形2端子素子で設けられることを特徴とする液晶表示装置。 22. A liquid crystal display device which active elements of the method of manufacturing the liquid crystal display device according to either of claims 11 of claim 15 characterized in that it is provided with a non-linear two-terminal element.
  23. 【請求項23】 請求項11から請求項15のいづれかに記載の液晶表示装置の製造方法のアクティブ素子がM 23. The active element of the method of manufacturing the liquid crystal display device according to either of claims 11 of claim 15 M
    IM素子で設けられることを特徴とする液晶表示装置。 The liquid crystal display device, characterized in that provided in the IM device.
  24. 【請求項24】 請求項1から請求項10のいづれかに記載の液晶表示装置が備えられることを特徴とする画像表示応用装置。 24. The image display application device, characterized in that the liquid crystal display device is provided according to either of claims 1 10.
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