JP2002229049A - Liquid crystal display and method of manufacturing for the same - Google Patents

Liquid crystal display and method of manufacturing for the same

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JP2002229049A
JP2002229049A JP2001028269A JP2001028269A JP2002229049A JP 2002229049 A JP2002229049 A JP 2002229049A JP 2001028269 A JP2001028269 A JP 2001028269A JP 2001028269 A JP2001028269 A JP 2001028269A JP 2002229049 A JP2002229049 A JP 2002229049A
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JP
Japan
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electrode layer
pixel electrode
liquid crystal
forming
crystal display
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Application number
JP2001028269A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Hirose
貴司 廣瀬
Yoshinobu Sakurai
芳亘 櫻井
Nobuyuki Tsuboi
伸行 坪井
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display of a translucent type, which minimizes the degradation in production efficiency and has no concern for impairing the contact characteristics between pixel electrodes and drain electrodes, and to provide a method of manufacturing the same. SOLUTION: This liquid crystal display has liquid crystals pinched between two sheets of substrates, has active element arrays on one substrate of two sheets of the substrates, has the pixel electrodes on each of the active element arrays and displays images by driving the liquid crystals across the pixel electrodes; the pixel electrodes have a laminated structure consisting of a least two layers; a transparent electrode layer and a translucent electrode layer; and the transparent electrode layer and the translucent electrode layer are molded simultaneously by one-time photoresist working, using the same resist mask.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、情報処理端末や映
像機器に用いられる液晶表示装置及びその製造方法に関
する。特に、入射光及び透過光の両方を用いる半透過型
の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a liquid crystal display device used for an information processing terminal or a video device and a method of manufacturing the same. In particular, the present invention relates to a transflective liquid crystal display device using both incident light and transmitted light, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、情報の個人化に伴う携帯電話等の
高性能化に見られるように、携帯性を重視した情報端末
機器が急速に発達してきている。これら携帯性を確保す
るための重要なポイントとして、バッテリーにおける長
時間駆動及び薄型軽量化が挙げられる。しかし、長時間
駆動するためにはバッテリーが大きくなり、薄型軽量化
に反するというジレンマがあり、かかる問題解決のため
に、暗環境においてはバックライトを用い、明環境にお
いては環境光を反射することによりバックライトなしで
の表示を可能とする半透過型液晶表示装置が注目を浴び
ている。
2. Description of the Related Art Conventionally, information terminal equipment which emphasizes portability has been rapidly developed, as seen in higher performance of mobile phones and the like accompanying personalization of information. Important points for ensuring such portability include long-time operation and reduction in thickness and weight of the battery. However, there is a dilemma that driving for a long time requires a large battery, which is contrary to thinning and weight reduction.To solve this problem, use a backlight in a dark environment and reflect ambient light in a bright environment. Accordingly, a transflective liquid crystal display device capable of performing display without a backlight has attracted attention.

【0003】図3は従来の半透過型の液晶表示装置及び
その製造方法における断面図である。図3において1は
基板を、2は薄膜トランジスタ(Thin Film Transisto
r;以下「TFT」という。)を形成するゲート電極
を、3はTFTを形成するゲート絶縁膜を、4はTFT
を形成するチャネル層を、5はTFTを形成するコンタ
クト層を、6はTFTを形成するソース電極を、7はは
TFTを形成するドレイン電極を、それぞれ示してい
る。また、8はコンタクトホール8a及び凹凸部8bを
有する層間絶縁膜を、9及び10は画素電極を構成する
透過電極及び反射電極を、それぞれ示している。
FIG. 3 is a sectional view of a conventional transflective liquid crystal display device and a method of manufacturing the same. In FIG. 3, 1 is a substrate, 2 is a thin film transistor (Thin Film Transistor).
r; hereinafter referred to as “TFT”. ), 3 is a gate insulating film for forming a TFT, and 4 is a TFT.
, A contact layer 5 for forming a TFT, a source electrode 6 for forming a TFT, and a drain electrode 7 for forming a TFT. Reference numeral 8 denotes an interlayer insulating film having a contact hole 8a and an uneven portion 8b, and reference numerals 9 and 10 denote a transmission electrode and a reflection electrode constituting a pixel electrode, respectively.

【0004】まず、基板1上にゲート電極2をパターン
形成した後、全面を覆うゲート絶縁膜3と、ゲート電極
2上のゲート絶縁膜3近傍にチャネル層4を、さらにチ
ャネル層4の両端に低抵抗なコンタクト層5とソース電
極6及びドレイン電極7とを重畳形成してTFTアレイ
を形成する。
[0004] First, after a gate electrode 2 is patterned on a substrate 1, a gate insulating film 3 covering the entire surface, a channel layer 4 near the gate insulating film 3 on the gate electrode 2, and further on both ends of the channel layer 4. The TFT array is formed by overlapping the low-resistance contact layer 5 with the source electrode 6 and the drain electrode 7.

【0005】次に、ドレイン電極7上のコンタクトホー
ル8aと凹凸部8bとを有し有機樹脂膜からなる層間絶
縁膜8を形成する。そして、透過電極材料としてインジ
ュウム錫酸化物(Indium Tin Oxide ;以下「ITO」
という。)を成膜した後、フォトリソグラフィにより透
過電極9を形成する。
Next, an interlayer insulating film 8 having a contact hole 8a on the drain electrode 7 and an uneven portion 8b and made of an organic resin film is formed. Indium tin oxide (hereinafter referred to as "ITO") is used as a transmission electrode material.
That. Is formed, a transmission electrode 9 is formed by photolithography.

【0006】次に、反射電極材料としてAlを成膜した
後、フォトリソグラフィによりコンタクトホール8aを
介してドレイン電極7と接続し、凹凸部8b上での凹凸
形状を有し透過電極9と接続した反射電極10を形成す
ることによって、図3に示すようなアクティブ素子アレ
イ基板を得ることができる。さらに、上記のアクティブ
素子アレイ基板に対向してカラーフィルタと透明電極を
有する基板を貼り合わせ、両基板の間に液晶を封入する
ことで液晶表示装置が完成する。
Next, after a film of Al is formed as a reflective electrode material, the film is connected to the drain electrode 7 through the contact hole 8a by photolithography, and is connected to the transmission electrode 9 having an uneven shape on the uneven portion 8b. By forming the reflective electrode 10, an active element array substrate as shown in FIG. 3 can be obtained. Further, a substrate having a color filter and a transparent electrode is attached to face the active element array substrate, and liquid crystal is sealed between the two substrates to complete a liquid crystal display device.

【0007】上記のように画素電極として、環境光を反
射する反射板としての機能を有する反射電極10と、バ
ックライトからの光を透過する透過板としての機能を有
する透過電極9の2種類の電極からなる画素電極とする
ことにより、それぞれ反射特性並びに透過特性を、とも
に最適化した半透過型液晶表示装置が得られる。したが
って、暗環境並びに明環境のどちらにおいても視認性の
優れた液晶表示装置を得ることが可能となる。
As described above, there are two types of the pixel electrode, the reflective electrode 10 having a function as a reflective plate for reflecting ambient light and the transmissive electrode 9 having a function as a transmissive plate for transmitting light from a backlight. By using a pixel electrode composed of an electrode, a transflective liquid crystal display device in which both the reflection characteristics and the transmission characteristics are optimized can be obtained. Therefore, it is possible to obtain a liquid crystal display device having excellent visibility in both a dark environment and a bright environment.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の液晶表示装置及びその製造方法では、画
素電極の形成において透過電極9の形成と反射電極10
の形成との2工程が必要になる。このことは、透過電極
9をフォトリソグラフィにより形成する際にコンタクト
ホール8a部でのドレイン電極7がダメージを受け、次
工程で形成する反射電極10とドレイン電極7とのコン
タクト性を損なう懸念を生じることとなる。また、画素
電極形成工程が増加することによって生産効率の低下を
もたらすことにもなる。
However, in the conventional liquid crystal display device and the method of manufacturing the same as described above, in the formation of the pixel electrode, the formation of the transmission electrode 9 and the formation of the reflection electrode
And two steps are required. This causes a fear that the drain electrode 7 at the contact hole 8a is damaged when the transmission electrode 9 is formed by photolithography, and that the contact property between the reflection electrode 10 and the drain electrode 7 formed in the next step is impaired. It will be. In addition, an increase in the number of pixel electrode forming steps causes a decrease in production efficiency.

【0009】本発明は上記課題に鑑み、生産効率の低下
を最小限に押さえるとともに、画素電極とドレイン電極
とのコンタクト性を損なう懸念のない半透過型の液晶表
示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and provides a transflective liquid crystal display device which minimizes a decrease in production efficiency and has no fear of impairing contact between a pixel electrode and a drain electrode, and a method of manufacturing the same. The purpose is to.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明にかかる液晶表示装置は、2枚の基板間に挟持
された液晶を有し、2枚の基板のうち一方の基板にアク
ティブ素子アレイを有し、アクティブ素子アレイの各々
に画素電極を有し、画素電極を介して液晶を駆動するこ
とによって画像を表示する液晶表示装置であって、画素
電極が透明電極層と半透過電極層との少なくとも2層か
らなる積層構造を有し、同一のレジストマスクを用いて
透明電極層と半透過電極層が一回のフォトレジスト加工
で同時に成形されることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a liquid crystal display device according to the present invention has a liquid crystal sandwiched between two substrates and has an active liquid crystal on one of the two substrates. What is claimed is: 1. A liquid crystal display device comprising: an element array; a pixel electrode in each of the active element arrays; and a liquid crystal display device for displaying an image by driving a liquid crystal through the pixel electrode. A transparent electrode layer and a semi-transmissive electrode layer are simultaneously formed by one photoresist processing using the same resist mask.

【0011】かかる構成により、透明電極層と半透過電
極層を一回の成型工程で同時に成型できることから生産
効率の低下を最小限に押さえることができるとともに、
が素電極成形工程においてドレイン電極の露出がないた
め、ドレイン電極がダメージを受けるおそれがなく、画
素電極とドレイン電極とのコンタクト性を損なう懸念が
ない。
With this configuration, the transparent electrode layer and the semi-transmissive electrode layer can be simultaneously molded in a single molding step, so that a decrease in production efficiency can be minimized.
However, since the drain electrode is not exposed in the element electrode forming process, the drain electrode is not likely to be damaged, and there is no concern that the contact property between the pixel electrode and the drain electrode is impaired.

【0012】また、本発明にかかる液晶表示装置は、半
透過電極層が厚さ20nm以下のAl、Al合金、A
g、Ag合金のいずれかであることが好ましい。いずれ
も高反射率であるとともに、所望の透過率を有する画素
電極を得ることができるからである。
Further, in the liquid crystal display device according to the present invention, the semi-transmissive electrode layer has a thickness of 20 nm or less.
g or an Ag alloy. This is because a pixel electrode having a high transmittance and a desired transmittance can be obtained.

【0013】また、本発明にかかる液晶表示装置は、透
明電極層がインジュウム錫酸化物であることが好まし
い。低抵抗で透明な透明電極層を得ることができるから
である。
Further, in the liquid crystal display device according to the present invention, the transparent electrode layer is preferably made of indium tin oxide. This is because a transparent electrode layer with low resistance and transparency can be obtained.

【0014】次に、上記目的を達成するために本発明に
かかる液晶表示装置の製造方法は、2枚の基板間に挟持
された液晶を設け、2枚の基板のうち一方の基板にアク
ティブ素子アレイを設け、アクティブ素子アレイの各々
に画素電極を設け、画素電極を介して液晶を駆動するこ
とによって画像を表示する液晶表示装置の製造方法であ
って、基板上にアクティブ素子をアレイ状に形成する工
程と、アクティブ素子の電極上に、コンタクトホールと
凹凸形状とを有する層間絶縁膜を形成する工程と、全面
に透明な第1の画素電極層を形成した後、半透過な第2
の画素電極層を形成する工程と、全面に感光性レジスト
を塗布し、露光現像によりレジストマスクを形成する工
程と、レジストマスクを用いて第1の画素電極層ならび
に第2の画素電極層を選択エッチングする工程と、レジ
ストマスクを除去し、第1の画素電極層からなる透明電
極層と第2の画素電極層からなる半透過電極層との積層
構造からなり、コンタクトホールを介してアクティブ素
子の電極と電気的に接続された画素電極を形成する工程
とを有することを特徴とする。
Next, in order to achieve the above object, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises providing a liquid crystal sandwiched between two substrates, providing an active element on one of the two substrates. A method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein an array is provided, a pixel electrode is provided in each of the active element arrays, and an image is displayed by driving a liquid crystal through the pixel electrodes, wherein the active elements are formed in an array on a substrate. Forming an interlayer insulating film having a contact hole and a concavo-convex shape on the electrode of the active element; forming a transparent first pixel electrode layer on the entire surface;
Forming a pixel electrode layer, applying a photosensitive resist to the entire surface, forming a resist mask by exposure and development, and selecting a first pixel electrode layer and a second pixel electrode layer using the resist mask. An etching step, removing the resist mask, forming a laminated structure of a transparent electrode layer composed of a first pixel electrode layer and a semi-transmissive electrode layer composed of a second pixel electrode layer, and forming an active element through a contact hole. Forming a pixel electrode electrically connected to the electrode.

【0015】かかる構成により、透明電極層と半透過電
極層を一回の成型工程で同時に成型できることから生産
効率の低下を最小限に押さえることができるとともに、
が素電極成形工程においてドレイン電極の露出がないた
め、ドレイン電極がダメージを受けるおそれがなく、画
素電極とドレイン電極とのコンタクト性を損なう懸念が
ない。
With this configuration, the transparent electrode layer and the semi-transmissive electrode layer can be simultaneously molded in one molding step, so that a decrease in production efficiency can be suppressed to a minimum.
However, since the drain electrode is not exposed in the element electrode forming process, the drain electrode is not likely to be damaged, and there is no concern that the contact property between the pixel electrode and the drain electrode is impaired.

【0016】次に、上記目的を達成するために本発明に
かかる液晶表示装置の製造方法は、2枚の基板間に挟持
された液晶を設け、2枚の基板のうち一方の基板にアク
ティブ素子アレイを設け、アクティブ素子アレイの各々
に画素電極を設け、画素電極を介して液晶を駆動するこ
とによって画像を表示する液晶表示装置の製造方法であ
って、基板上にアクティブ素子をアレイ状に形成する工
程と、アクティブ素子の電極上にコンタクトホールと凹
凸形状とを有する層間絶縁膜を形成する工程と、全面に
半透過な第1の画素電極層を形成した後、透明な第2の
画素電極層を形成する工程と、全面に感光性レジストを
塗布して、露光現像によりレジストマスクを形成する工
程と、レジストマスクを用いて第1の画素電極層ならび
に第2の画素電極層を選択エッチングする工程と、レジ
ストマスクを除去し、第1の画素電極層からなる半透過
電極層と第2の画素電極層からなる透明電極層との積層
構造からなり、コンタクトホールを介しアクティブ素子
の電極と電気的に接続された画素電極を形成する工程と
を有することを特徴とする。
Next, in order to achieve the above object, in a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, a liquid crystal sandwiched between two substrates is provided, and an active element is provided on one of the two substrates. A method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein an array is provided, a pixel electrode is provided in each of the active element arrays, and an image is displayed by driving a liquid crystal through the pixel electrodes, wherein the active elements are formed in an array on a substrate. Forming an interlayer insulating film having a contact hole and a concavo-convex shape on an electrode of the active element; forming a semi-transparent first pixel electrode layer on the entire surface; and forming a transparent second pixel electrode Forming a layer, applying a photosensitive resist over the entire surface, forming a resist mask by exposure and development, and using the resist mask to form a first pixel electrode layer and a second pixel electrode. And a resist mask is removed, and a stacked structure of a semi-transmissive electrode layer composed of a first pixel electrode layer and a transparent electrode layer composed of a second pixel electrode layer is formed. Forming a pixel electrode electrically connected to the first electrode.

【0017】かかる構成により、透明電極層と半透過電
極層を一回の成型工程で同時に成型できることから生産
効率の低下を最小限に押さえることができるとともに、
が素電極成形工程においてドレイン電極の露出がないた
め、ドレイン電極がダメージを受けるおそれがなく、画
素電極とドレイン電極とのコンタクト性を損なう懸念が
ない。
With this configuration, the transparent electrode layer and the semi-transmissive electrode layer can be simultaneously molded in a single molding step, so that a reduction in production efficiency can be suppressed to a minimum.
However, since the drain electrode is not exposed in the element electrode forming process, the drain electrode is not likely to be damaged, and there is no concern that the contact property between the pixel electrode and the drain electrode is impaired.

【0018】また、本発明にかかる液晶表示装置の製造
方法は、半透過な画素電極層が厚さ20nm以下のA
l、Al合金、Ag、Ag合金のいずれかであることが
好ましい。いずれも高反射率であるとともに、所望の透
過率を有する画素電極を得ることができるからである。
Further, according to the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the transflective pixel electrode layer has an A thickness of 20 nm or less.
1, Al alloy, Ag, or Ag alloy. This is because a pixel electrode having a high transmittance and a desired transmittance can be obtained.

【0019】また、本発明にかかる液晶表示装置の製造
方法は、透明な画素電極層がインジュウム錫酸化物であ
ることが好ましい。低抵抗で透明な透明電極層を得るこ
とができるからである。
In the method of manufacturing a liquid crystal display according to the present invention, it is preferable that the transparent pixel electrode layer is made of indium tin oxide. This is because a transparent electrode layer with low resistance and transparency can be obtained.

【0020】また、本発明にかかる液晶表示装置の製造
方法は、層間絶縁膜が有機膜であることが好ましい。容
易に厚い層間絶縁膜を形成することができるからであ
る。
In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, it is preferable that the interlayer insulating film is an organic film. This is because a thick interlayer insulating film can be easily formed.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態にかか
る液晶表示装置について、図面を参照しながら説明す
る。図1は本発明の実施の形態にかかる半透過型の液晶
表示装置のアクティブ素子アレイにおける画素部の断面
図を示し、図2は各製造工程における断面図を示したも
のである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a pixel portion in an active element array of a transflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view in each manufacturing process.

【0022】図1および図2において、20は開口部2
0aを有する保護膜を、23は層間絶縁膜8上に形成し
た第1の画素電極層21と第2の画素電極層22との積
層で形成した画素電極を、それぞれ示しており、その他
の構成において、従来例として図3に示した液晶表示装
置及びその製造方法と同一構成部分については同一番号
及び同一名称を付することで詳細な説明を省略する。
1 and 2, reference numeral 20 denotes an opening 2
0a, a reference numeral 23 denotes a pixel electrode formed by laminating a first pixel electrode layer 21 and a second pixel electrode layer 22 formed on the interlayer insulating film 8; Here, the same components as those of the liquid crystal display device shown in FIG. 3 as a conventional example and the method of manufacturing the same are given the same numbers and the same names, and detailed explanations are omitted.

【0023】まず、ガラスからなる基板1上に、Arガ
スを用いたスパッタリング法によりTi/Al/Tiを
それぞれ100/200/100nm積層して成膜した
後、ゲート電極2に加工形成する。次に、プラズマ化学
気相蒸着法(以下「p−CVD法」という。)によりS
iNx、a-Si、低抵抗a-Siの3層を成膜した後、
TFT領域以外のa-Si、低抵抗a-Siをエッチング
除去し、島状のチャネル層4及びコンタクト層5、なら
びに全面にわたるゲート絶縁膜3を形成する。
First, a 100/200/100 nm layer of Ti / Al / Ti is formed on a glass substrate 1 by sputtering using Ar gas to form a film. Next, S is formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (hereinafter, referred to as “p-CVD”).
After forming three layers of iNx, a-Si and low-resistance a-Si,
The a-Si and the low-resistance a-Si other than the TFT region are removed by etching to form the island-like channel layer 4 and the contact layer 5 and the gate insulating film 3 over the entire surface.

【0024】次に、再度Arガスを用いたスパッタリン
グ法によりTi/Al/Tiをそれぞれ100/200
/100nm積層して成膜した後、TFTのソース電極
6ならびにドレイン電極7のパターンに加工する。ここ
で同時にコンタクト層5は、ソースならびにドレインの
領域に分離形成される。
Next, Ti / Al / Ti were respectively reduced to 100/200 by a sputtering method using Ar gas again.
After forming a film with a thickness of / 100 nm, it is processed into a pattern of the source electrode 6 and the drain electrode 7 of the TFT. At this time, the contact layer 5 is formed separately in the source and drain regions.

【0025】そして、図2(a)に示すように全面にp
−CVD法によりチャネル層4の保護膜としてSiNx
からなる保護膜20を形成することで、TFTアレイが
得られる。
Then, as shown in FIG.
SiNx as a protective film of the channel layer 4 by the CVD method
By forming the protective film 20 made of, a TFT array is obtained.

【0026】さらに図2(b)に示すように、レジスト
をマスクとして保護膜20を加工してドレイン電極7上
に開口部20aを形成する。そして、図2(c)に示す
ように、全面に感光性アクリル系樹脂(JSR社製PC
305)を約3μm塗布した後、露光現像により開口部
20aにおけるコンタクトホール8aと凹凸部8bとを
有する層間絶縁膜8を形成する。
Further, as shown in FIG. 2B, an opening 20a is formed on the drain electrode 7 by processing the protective film 20 using a resist as a mask. Then, as shown in FIG. 2 (c), a photosensitive acrylic resin (PC made by JSR)
305) is applied by about 3 μm, and an interlayer insulating film 8 having a contact hole 8a and an uneven portion 8b in the opening 20a is formed by exposure and development.

【0027】次に図2(d)に示すように、第1の画素
電極層21としてITOを100nm成膜した後、続い
て第2の画素電極層22としてAlを15nm成膜す
る。そして、図2(e)に示すように、画素電極パターン
を有するレジストマスクを形成した後、レジストマスク
を用いて第2の画素電極層22をリン酸系のエッチャン
トで加工し、続いて同一マスクを用いて第1の画素電極
層22をシュウ酸系エッチャントで加工して画素電極2
3を形成する。そして、レジストマスクを除去すること
によってアクティブ素子アレイを得ることができる。
Next, as shown in FIG. 2D, a 100 nm thick ITO film is formed as the first pixel electrode layer 21 and then a 15 nm thick Al film is formed as the second pixel electrode layer 22. Then, as shown in FIG. 2E, after forming a resist mask having a pixel electrode pattern, the second pixel electrode layer 22 is processed with a phosphoric acid-based etchant using the resist mask, and then the same mask is formed. The first pixel electrode layer 22 is processed with an oxalic acid-based etchant using
Form 3 Then, the active element array can be obtained by removing the resist mask.

【0028】さらに、従来例と同様に得られたアクティ
ブ素子アレイを有する基板に対向してカラーフィルタと
透明電極を有する対向基板を貼り合わせ、基板間に液晶
を封入することで液晶表示装置が完成する。
Further, a liquid crystal display device is completed by bonding a color filter and a counter substrate having a transparent electrode to a substrate having an active element array obtained in the same manner as in the conventional example, and sealing a liquid crystal between the substrates. I do.

【0029】以上のような製造工程にすることによっ
て、画素電極23を透明電極層としてのITOからなる
第1の画素電極層21と半透過電極層としての薄いAl
からなる第2の画素電極層22との積層で形成するた
め、画素電極を一回のフォトマスク形成で加工できるこ
とから生産効率の低下を最小限に押さえることができ
る。さらに、ドレイン電極7が画素電極加工の工程にお
いて露呈することがないため、画素電極成形工程におけ
るフォトマスク加工によってドレイン電極7がダメージ
を受けるおそれがなく、ドレイン電極7と画素電極のコ
ンタクト性を損なう懸念がない半透過型の液晶表示装置
を得ることができる。
With the above-described manufacturing process, the pixel electrode 23 is made of a first pixel electrode layer 21 made of ITO as a transparent electrode layer and a thin Al
Since the pixel electrode is formed by lamination with the second pixel electrode layer 22, the pixel electrode can be processed by a single photomask formation, so that a reduction in production efficiency can be minimized. Further, since the drain electrode 7 is not exposed in the pixel electrode processing step, the drain electrode 7 is not likely to be damaged by the photomask processing in the pixel electrode forming step, and the contact property between the drain electrode 7 and the pixel electrode is impaired. A transflective liquid crystal display device without concern can be obtained.

【0030】なお、以上の説明では、第1の画素電極層
21としてITOを、第2の画素電極層22としてAl
を用いた積層構造の画素電極23としたが、第1の画素
電極層21と第2の画素電極層22は透明電極層と半透
過電極層との組み合わせであれば特に限定されるもので
はない。すなわち、第1の画素電極層21を半透過電極
層としてAlを15nm成膜した後、続いて第2の画素
電極層22を透明電極層としてITOを100nm成膜
するように、第1の画素電極層21と第2の画素電極層
22とが逆の構成であっても良い。
In the above description, ITO is used as the first pixel electrode layer 21 and Al is used as the second pixel electrode layer 22.
Is used as the pixel electrode 23 having a stacked structure, but the first pixel electrode layer 21 and the second pixel electrode layer 22 are not particularly limited as long as they are a combination of a transparent electrode layer and a semi-transmissive electrode layer. . That is, the first pixel electrode layer 21 is formed to have a thickness of 15 nm using the first pixel electrode layer 21 as a transflective electrode layer, and then the ITO is formed to have a thickness of 100 nm using the second pixel electrode layer 22 as a transparent electrode layer. The electrode layer 21 and the second pixel electrode layer 22 may have opposite configurations.

【0031】この場合、画素電極パターンを有するレジ
ストマスクを形成した後、レジストマスクを用いて第2
の画素電極層22をシュウ酸系エッチャントで加工し、
続いて同一マスクを用いて第1の画素電極層22をリン
酸系エッチャントで加工することで画素電極23を形成
することになる。
In this case, after a resist mask having a pixel electrode pattern is formed, a second mask is formed using the resist mask.
Is processed with an oxalic acid-based etchant,
Subsequently, the pixel electrode 23 is formed by processing the first pixel electrode layer 22 with a phosphoric acid-based etchant using the same mask.

【0032】さらに、半透過電極層としてAlを15n
m成膜したものとしたが、半透過電極層は反射効率が高
く低抵抗のものであれば特に限定されるものではなく、
例えばAl合金としてAlTi、AlTa、AlW、A
lNd、AlZr等、又はAgやAg合金としてAgC
u、AgPdCu,AgTiCu等からなるものであっ
ても良い。
Further, 15n of Al is used as a semi-transmissive electrode layer.
m, but the transflective electrode layer is not particularly limited as long as it has high reflection efficiency and low resistance.
For example, AlTi, AlTa, AlW, A
1Nd, AlZr, etc., or Ag or AgC as Ag alloy
u, AgPdCu, AgTiCu or the like.

【0033】また、膜厚としては、バックライトを含む
液晶表示装置の明るさ設計に依存するが、半透過電極層
として透過率が10%以上必要であることから、20n
m以下であればよく、15nmに特に限定されるもので
はない。さらに、アクティブ素子をTFTからなるもの
としたが、MIM等の非線形2端子素子としてもよいこ
とは明らかである。
The thickness depends on the brightness design of the liquid crystal display device including the backlight. However, since the transflective electrode layer needs to have a transmittance of 10% or more, the thickness is 20 n.
m or less, and is not particularly limited to 15 nm. Further, although the active element is formed of a TFT, it is apparent that a non-linear two-terminal element such as MIM may be used.

【0034】なお、上述したような液晶表示装置は様々
な種類の画像表示応用装置に適用することができ、各々
の画像表示応用装置において同様の効果が期待できるこ
とは言うまでもない。
The liquid crystal display device as described above can be applied to various types of image display application devices, and it goes without saying that similar effects can be expected in each image display application device.

【0035】以上のように本実施の形態によれば、画素
電極23を透明電極層と半透過電極層との積層構造とす
ることによって、一回のフォトマスク形成で加工できる
ことから、生産効率の低下を最小限に押さえることが可
能となる。
As described above, according to the present embodiment, since the pixel electrode 23 has a laminated structure of the transparent electrode layer and the semi-transmissive electrode layer, the pixel electrode 23 can be processed by a single photomask formation. It is possible to minimize the decrease.

【0036】また、ドレイン電極7が画素電極加工にお
いて露呈することがないため、画素電極23とドレイン
電極7との良好なコンタクト性が確保されることから、
コンタクト不良に伴う欠陥発生の少ない半透過型の液晶
表示装置を得ることが可能となる。
Further, since the drain electrode 7 is not exposed during the processing of the pixel electrode, a good contact property between the pixel electrode 23 and the drain electrode 7 is ensured.
It is possible to obtain a transflective liquid crystal display device with less occurrence of defects due to contact failure.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上のように本発明にかかる液晶表示装
置の製造方法によれば、画素電極を透明電極層と半透過
電極層との積層構造とすることによって、一回のフォト
マスク形成で加工できることから、生産効率の低下を最
小限に押さえることが可能となる。
As described above, according to the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the pixel electrode has a laminated structure of a transparent electrode layer and a semi-transmissive electrode layer, so that a single photomask can be formed. Since processing can be performed, it is possible to minimize a decrease in production efficiency.

【0038】また、本発明にかかる液晶表示装置の製造
方法によれば、ドレイン電極が画素電極加工において露
呈することがないため、画素電極とドレイン電極との良
好なコンタクト性を確保することができ、コンタクト不
良に伴う欠陥発生の少ない半透過型の液晶表示装置を得
ることが可能となる。
Further, according to the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, since the drain electrode is not exposed during the processing of the pixel electrode, good contact between the pixel electrode and the drain electrode can be ensured. In addition, it is possible to obtain a semi-transmissive liquid crystal display device with less occurrence of defects due to contact failure.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置に
おけるアクティブ素子アレイの画素部を示した断面図
FIG. 1 is a sectional view showing a pixel portion of an active element array in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置の
製造方法の説明断面図
FIG. 2 is an explanatory sectional view of a method for manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図3】 従来の液晶表示装置におけるアクティブ素子
アレイの画素部を示した断面図
FIG. 3 is a sectional view showing a pixel portion of an active element array in a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 ゲート電極 3 ゲート絶縁膜 4 チャネル層 5 コンタクト層 6 ソース電極 7 ドレイン電極 8 層間絶縁膜 8a コンタクトホール 8b 凹凸部 9 透過電極 10 反射電極 20 保護膜 21 第1の画素電極層 22 第2の画素電極層 23 画素電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Gate electrode 3 Gate insulating film 4 Channel layer 5 Contact layer 6 Source electrode 7 Drain electrode 8 Interlayer insulating film 8a Contact hole 8b Concavo-convex part 9 Transmissive electrode 10 Reflective electrode 20 Protective film 21 First pixel electrode layer 22 Second Pixel electrode layer of 23 Pixel electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 29/786 H01L 29/78 612D 21/336 616K 619A (72)発明者 坪井 伸行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2H091 FA15Y FB08 FD06 GA02 GA03 GA13 LA12 LA30 2H092 GA17 HA02 HA03 HA05 JA03 JA26 JA46 KB13 MA13 NA13 NA27 5F033 GG04 HH08 HH09 HH10 HH14 HH18 HH38 JJ01 JJ08 JJ09 JJ10 JJ14 JJ38 KK08 KK18 MM05 PP15 QQ08 QQ09 QQ10 QQ19 QQ21 QQ37 RR06 SS15 VV15 WW02 XX09 XX33 5F110 AA16 AA26 CC07 DD02 EE03 EE04 EE15 EE44 FF03 FF30 GG02 GG15 GG45 HK03 HK04 HK09 HK16 HK22 HK33 HK35 HL02 HL03 HL06 HL07 HL09 HL11 NN03 NN24 NN27 NN35 NN36 NN40 NN72 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 29/786 H01L 29/78 612D 21/336 616K 619A (72) Inventor Nobuyuki Tsuboi Okadoma, Kadoma-shi, Osaka 1006 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.F-term (reference) MM05 PP15 QQ08 QQ09 QQ10 QQ19 QQ21 QQ37 RR06 SS15 VV15 WW02 XX09 XX33 5F110 AA16 AA26 CC07 DD02 EE03 EE04 EE15 EE44 FF03 FF30 GG02 NN15 HG45 HK03 HK04 HK03 HK16 HK24

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 2枚の基板間に挟持された液晶を有し、 前記2枚の基板のうち一方の基板にアクティブ素子アレ
イを有し、 前記アクティブ素子アレイの各々に画素電極を有し、前
記画素電極を介して前記液晶を駆動することによって画
像を表示する液晶表示装置であって、 前記画素電極が透明電極層と半透過電極層との少なくと
も2層からなる積層構造を有し、同一のレジストマスク
を用いて前記透明電極層と前記半透過電極層が一回のフ
ォトレジスト加工で同時に成形されることを特徴とする
液晶表示装置。
1. A liquid crystal sandwiched between two substrates, one of the two substrates has an active element array, and each of the active element arrays has a pixel electrode, A liquid crystal display device that displays an image by driving the liquid crystal through the pixel electrode, wherein the pixel electrode has a laminated structure including at least two layers of a transparent electrode layer and a transflective electrode layer, Wherein the transparent electrode layer and the semi-transmissive electrode layer are simultaneously formed by a single photoresist process using the resist mask.
【請求項2】 前記半透過電極層が厚さ20nm以下の
Al、Al合金、Ag、Ag合金のいずれかである請求
項1記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the semi-transmissive electrode layer is any one of Al, Al alloy, Ag, and Ag alloy having a thickness of 20 nm or less.
【請求項3】 前記透明電極層がインジュウム錫酸化物
である請求項1記載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said transparent electrode layer is made of indium tin oxide.
【請求項4】 2枚の基板間に挟持された液晶を設け、 前記2枚の基板のうち一方の基板にアクティブ素子アレ
イを設け、 前記アクティブ素子アレイの各々に画素電極を設け、前
記画素電極を介して前記液晶を駆動することによって画
像を表示する液晶表示装置の製造方法であって、 基板上にアクティブ素子をアレイ状に形成する工程と、 前記アクティブ素子の電極上に、コンタクトホールと凹
凸形状とを有する層間絶縁膜を形成する工程と、 全面に透明な第1の画素電極層を形成した後、半透過な
第2の画素電極層を形成する工程と、 全面に感光性レジストを塗布し、露光現像によりレジス
トマスクを形成する工程と、 前記レジストマスクを用いて前記第1の画素電極層なら
びに前記第2の画素電極層を選択エッチングする工程
と、 前記レジストマスクを除去し、前記第1の画素電極層か
らなる透明電極層と前記第2の画素電極層からなる半透
過電極層との積層構造からなり、前記コンタクトホール
を介して前記アクティブ素子の電極と電気的に接続され
た画素電極を形成する工程とを有することを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。
4. A liquid crystal sandwiched between two substrates is provided; an active element array is provided on one of the two substrates; a pixel electrode is provided on each of the active element arrays; A method of manufacturing a liquid crystal display device that displays an image by driving the liquid crystal through the device, comprising: forming active elements in an array on a substrate; and forming contact holes and irregularities on the electrodes of the active elements. Forming an interlayer insulating film having a shape; forming a transparent first pixel electrode layer on the entire surface; forming a semi-transparent second pixel electrode layer; and applying a photosensitive resist on the entire surface Forming a resist mask by exposure and development; and selectively etching the first pixel electrode layer and the second pixel electrode layer using the resist mask; The resist mask is removed, and a laminated structure of a transparent electrode layer made of the first pixel electrode layer and a semi-transmissive electrode layer made of the second pixel electrode layer is formed. The electrode of the active element is formed through the contact hole. Forming a pixel electrode electrically connected to the liquid crystal display device.
【請求項5】 2枚の基板間に挟持された液晶を設け、 前記2枚の基板のうち一方の基板にアクティブ素子アレ
イを設け、 前記アクティブ素子アレイの各々に画素電極を設け、前
記画素電極を介して前記液晶を駆動することによって画
像を表示する液晶表示装置の製造方法であって、 基板上にアクティブ素子をアレイ状に形成する工程と、 前記アクティブ素子の電極上にコンタクトホールと凹凸
形状とを有する層間絶縁膜を形成する工程と、 全面に半透過な第1の画素電極層を形成した後、透明な
第2の画素電極層を形成する工程と、 全面に感光性レジストを塗布して、露光現像によりレジ
ストマスクを形成する工程と、 前記レジストマスクを用いて前記第1の画素電極層なら
びに前記第2の画素電極層を選択エッチングする工程
と、 前記レジストマスクを除去し、前記第1の画素電極層か
らなる半透過電極層と前記第2の画素電極層からなる透
明電極層との積層構造からなり、前記コンタクトホール
を介し前記アクティブ素子の電極と電気的に接続された
画素電極を形成する工程とを有することを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。
5. A liquid crystal sandwiched between two substrates, an active element array provided on one of the two substrates, a pixel electrode provided on each of the active element arrays, A method of manufacturing a liquid crystal display device that displays an image by driving the liquid crystal through the device, comprising: forming an active element in an array on a substrate; and forming a contact hole and a concavo-convex shape on an electrode of the active element. Forming a semi-transmissive first pixel electrode layer over the entire surface, forming a transparent second pixel electrode layer over the entire surface, and applying a photosensitive resist over the entire surface. Forming a resist mask by exposure and development; and selectively etching the first pixel electrode layer and the second pixel electrode layer using the resist mask; The resist mask is removed, and has a laminated structure of a semi-transmissive electrode layer composed of the first pixel electrode layer and a transparent electrode layer composed of the second pixel electrode layer, and is provided with an electrode of the active element through the contact hole. Forming an electrically connected pixel electrode.
【請求項6】 前記半透過な画素電極層が厚さ20nm
以下のAl、Al合金、Ag、Ag合金のいずれかであ
る請求項4又は5に記載の液晶表示装置の製造方法。
6. The method according to claim 1, wherein the translucent pixel electrode layer has a thickness of 20 nm.
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 4, wherein the method is any of the following Al, an Al alloy, Ag, and an Ag alloy.
【請求項7】 前記透明な画素電極層がインジュウム錫
酸化物である請求項4又は5に記載の液晶表示装置の製
造方法。
7. The method according to claim 4, wherein the transparent pixel electrode layer is made of indium tin oxide.
【請求項8】 前記層間絶縁膜が有機膜である請求項4
又は5に記載の液晶表示装置の製造方法。
8. The method according to claim 4, wherein the interlayer insulating film is an organic film.
6. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to item 5.
【請求項9】 請求項1から3のいずれか一項に記載の
液晶表示装置を備えることを特徴とする画像表示応用装
置。
9. An image display application device comprising the liquid crystal display device according to claim 1. Description:
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004191958A (en) * 2002-11-27 2004-07-08 Sharp Corp Method for forming conductive element and method for forming reflective electrode of liquid crystal display
US7570326B2 (en) 2006-05-18 2009-08-04 Nec Lcd Technologies, Ltd. Semi-transmissive type liquid-crystal display device and method of fabricating the same

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