JP2003253450A

JP2003253450A - 薄膜形成方法及び成膜装置

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Publication number: JP2003253450A
Application number: JP2002050226A
Authority: JP
Inventors: Kunisuke Marai; 國弼馬來; Kazunori Tani; 和憲谷; Akira Iwama; 章岩間; Masanori Noda; 正紀野田; Hiroyoshi Ogawa; 裕誉小川; Nobuyoshi Watanabe; 信義渡邊
Original assignee: Soken Co Ltd; Noda Screen Co Ltd
Current assignee: Soken Co Ltd; Noda Screen Co Ltd
Priority date: 2002-02-26
Filing date: 2002-02-26
Publication date: 2003-09-10
Anticipated expiration: 2022-02-26
Also published as: JP4587633B2

Abstract

(57)【要約】【課題】均一で純度の高い薄膜を大気圧中で簡単に形
成する方法及びその成膜装置を提供する。【解決手段】被処理体上に薄膜を形成する本発明の薄
膜形成方法は、(1) 液体原料35を霧化させ、(2) 生成し
たエアロゾルをキャリアガスとともに反応容器１に送給
し、(3) 反応容器１内の温度を被処理体20の温度より高
くし、(4)熱分解・酸化反応により生成した膜成分微粒
子を被処理体20上に付着させることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は真空装置を必要とせ
ず、均一で純度の高い薄膜の形成が可能な薄膜形成方法
及び成膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年金属酸化物等の薄膜は産業に広く利
用されている。例えば酸化インジウム錫（ITO）膜は、
液晶ディスプレイ等の透明導電膜として、Cu₂O膜、SnO₂
膜等は薄膜太陽電池として、さらにTiO₂膜は光触媒膜と
して自動車等のミラー、光学レンズ等に使用されてい
る。これら種々の薄膜は、主にPVD、CVD等の気相法によ
り形成されている。気相法による薄膜形成は、真空分子
線蒸着、スパッタリング、レーザーアブレーション、イ
オンプレーティング等真空技術を用いて行われる。真空
中で行う理由としては、薄膜形成を速やかに行うことが
できること、被膜中に取り込まれる気体分子を少なくで
きるため純粋な膜を形成できること等が挙げられる。

【０００３】しかしながら、薄膜形成を真空中で行う場
合には真空装置が必要となるため製造コストを上昇させ
る欠点がある。一方、真空状態では保持できない対象に
ついても被膜形成が必要とされる場合がある。

【０００４】このような真空技術の問題を解決するため
特開平5-186244号、特開2000-119861号等に、液体原料
を超音波振動により霧化させ、霧化した液体材料を加熱
した被処理体上に噴霧し、熱分解・酸化反応により膜形
成する方法が開示されている。しかし、これらの方法は
被処理体上で熱分解・酸化反応を行うため不純物が膜に
取り込まれ易く、被処理体上に直接噴霧するため均一な
膜が得られ難いという欠点を有する。また、特開2001-3
35922号に液体原料を超音波を用いて霧化し、搬送ガス
を用いて高温炉の内部に搬入し、基板上に結晶薄膜を形
成する装置が開示されている。しかし、具体的な成膜条
件が開示されておらず、均一で純度の高い膜を形成する
上で十分なものとはいえない。

【０００５】このため、金属酸化物等の薄膜をPVD等の
真空技術を用いた場合と同等の品質で、かつ大気圧中で
簡便に形成する技術が求められている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、均一で純度の高い薄膜を大気圧中で簡単に形成する
方法及びその成膜装置を提供することである。

【０００７】

【課題を解決する手段】上記目的に鑑み鋭意研究の結
果、本発明者らは、超音波振動子により液体原料を霧化
させ、これをキャリアガスとともに反応容器に導入し、
反応容器内の温度を被処理体の温度よりも高く設定する
ことにより、予め膜原料を熱分解・酸化させ、生成した
膜成分微粒子を被処理体に付着させて均一で純度の高い
薄膜を大気圧中で容易に得られることを発見し、本発明
に想到した。

【０００８】すなわち、被処理体上に薄膜を形成する本
発明の薄膜形成方法は、(1) 液体原料を霧化させ、(2)
生成したエアロゾルをキャリアガスとともに反応容器に
送給し、(3) 反応容器内の温度を被処理体の温度より高
くし、(4) 熱分解・酸化反応により生成した膜成分微粒
子を被処理体上に付着させることを特徴とする。

【０００９】エアロゾルの熱分解・酸化反応を加熱部と
加熱滞留部からなる反応容器の加熱部内で行った後、生
成した膜成分微粒子を加熱滞留部内に拡散させながら被
処理体上に付着させるのが好ましい。その際加熱部内の
温度を250〜700℃、被処理体の温度を200〜600℃、及び
加熱部内の温度と被処理体の温度の差を20℃以上に設定
して行うのが好ましい。

【００１０】キャリアガスを反応容器の外周部から均等
に排出するのが好ましく、被処理体を回転させながら膜
成分微粒子を付着させるのが好ましい。

【００１１】液体原料は、有機金属化合物、金属又はケ
イ素のアルコラート化合物、金属キレート化合物及び金
属ハロゲン化合物からなる群から選ばれた少なくとも１
種の化合物と溶媒とを含有するのが好ましい。ITO膜を
形成する場合には、液体原料はインジウムアセチルアセ
トナート及び錫アセチルアセトナートとアセチルアセト
ン、又は塩化インジウム及び塩化錫と水とを含有するの
が好ましい。

【００１２】本発明の成膜装置は、加熱部及び加熱滞留
部からなる反応容器と、超音波振動子を備えた液体原料
容器と、反応容器と液体原料容器を連通する導入管とを
有する成膜装置であって、加熱滞留部の外周に均等に設
けた排出口を有することを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】[1] 成膜装置図１は本発明の成膜装置の一例を示す。成膜装置は反応
容器１と、液体原料容器２と、導入管３とからなり、反
応容器１の周囲にはカバー27が取付けられている。反応
容器１は加熱部11と加熱滞留部12とから構成され、加熱
部11及び加熱滞留部12の外壁にはそれぞれヒータ15,16
が設置されている。

【００１４】加熱部11は内部に筒状のチャンバを有し、
上部の入口21で導入管３と接続し、下部の出口22で加熱
滞留部12と接続している。加熱滞留部12はドーム状の形
状を有し、加熱滞留部12内にはガスを拡散させるチャン
バが設けられている。チャンバには被処理体を載置する
ためのホルダ13が備えられ、ホルダ13直下の反応容器１
外壁にはヒータ17が設置されている。ホルダ13は回転軸
24により回転自在に支持され、回転軸24は回転装置25に
接続している。反応容器１は加熱滞留部12において上下
に取り外しが可能であり、接合部14の外周に均等に僅か
な隙間を形成してキャリアガスの排出口18を設けてい
る。

【００１５】図２は図１に示す加熱滞留部のA−A断面図
である。加熱滞留部12内の中央部には被処理体20を載置
したホルダ13が備えられ、端部には円環状の接合部14が
設けられている。接合部14の円周上にスペーサー26が均
等に設けられ、キャリアガスの排出口18を形成してい
る。スペーサーの数、長さ、厚さ等はキャリアガスの排
出量に応じて適宜設定することができる。反応容器外へ
のキャリアガスの流れを均一にするために、スペーサー
26の代わりに円環状のハニカム又は多孔体を接合部14に
挟んで排出口18を形成してもよい。

【００１６】図３は図１に示す成膜装置の別の態様を示
す。この態様では加熱滞留部12内のホルダ13を排出口18
より高く配置している。ホルダ13と排出口18の位置は排
出されるキャリアガスの流れによりホルダ13上の気流が
乱されない高低差を有するのが好ましい。それ以外の部
分については図１に示す成膜装置と同様である。

【００１７】反応容器１の内部は石英、ステンレス等原
料ガスにより腐食されず、耐熱性に優れた材料で構成さ
れているのが好ましい。ステンレスとしては、例えばSU
S304等を用いるのが好ましい。

【００１８】液体原料容器２には膜原料を含む液体原料
35が貯留されている。液体原料容器２の上部にキャリア
ガスの導入口37が設けられ、さらに天井部に導入管３が
接続し反応容器１に連通している。導入管３には流量調
節用のバルブ31が取付けられ、液体原料容器２の底部に
は超音波振動子36が備えられている。

【００１９】図４は本発明の薄膜形成方法に用いる成膜
装置の別の例を示す。この例では反応容器１の外周部に
排出口18を設けず、ホルダ13の回転軸24に沿って排気用
の配管41を設けている。配管41は回収装置42に接続し、
反応容器１に導入されたキャリアガスを未反応原料等と
ともに回収装置42に回収する。それ以外の部分は図１に
示す成膜装置と同じであるので説明を省略する。

【００２０】[2] 液体原料 (1) 膜原料本発明の薄膜形成方法に適用できる薄膜は、例えばCo、
Cu、Zn、Fe、In、Cr、Ba、Sn、Si、Ti、V、Zｒ等の酸化
物膜、これらの複合酸化物膜等が挙げられる。具体的に
はFe₂O₃、Cr₂O₃、Al₂O₃、In₂O₃、Y₂O₃、V₂O₃、VO₂、SnO
₂、TiO₂、ZrO₂、ITO、Cu₂O、BaO等の薄膜が好ましい。
これら薄膜を形成するための原料としては、有機金属化
合物、金属又はケイ素のアルコラート化合物、金属キレ
ート化合物、金属ハロゲン化合物（フッ化物、塩化物
等）等が挙げられ、これら化合物の１種又は２種以上を
用いるのが好ましい。

【００２１】(2) 溶媒膜原料を溶解する溶媒としては、膜原料に対する溶解能
が高いことと共に超音波振動によりエアロゾルを発生し
やすいことが重要である。具体的にはアルコール（メチ
ルアルコール、エチルアルコール、ブチルアルコール
等）、ケトン（アセトン、アセチルアセトン等）、エス
テル（酢酸エチルエステル等）、芳香族炭化水素（トル
エン、キシレン等）等の有機溶媒又は水が好ましい。

【００２２】(3) 調製液体原料は上記（1）に示す膜原料を溶質とし、上記(2)
に示す溶媒に溶解して使用する。エアロゾルを発生させ
るためには、溶媒と溶質の適切な組合わせを選択するこ
とが必要であり、溶質の濃度は0.01〜0.5 M程度の濃厚
な方が好ましい。なお、膜原料は完全に溶解している必
要はなく、液体原料はゾル液のように膜原料が均一に分
散した分散液であってもよい。

【００２３】液体原料の具体例として、ITO、TiO₂、Cu₂
O及びBaO膜の液体原料を以下に示す。ITO膜を形成する
場合は、溶媒としてアセチルアセトンを用い、溶質とし
て0.01〜0.5 Mのインジウムアセチルアセトナート及びI
n原子に対するSn原子の割合が５〜10重量％となる量の
錫アセチルアセトナートを加えて調製するか、あるいは
溶媒として水を用い、溶質として0.01〜0.5 Mの塩化イ
ンジウム、及びIn原子に対するSn原子の割合が５〜10重
量％となる量の塩化錫を加えて調製するのが好ましい。
同様にTiO₂膜を形成する場合には溶媒としてブチルアル
コール、溶質としてチタニウムテトラブトキシドを用
い、Cu₂O膜を形成する場合には溶媒として水、溶質とし
て銅アセテートを用い、BaO膜を形成する場合には溶媒
として水、溶質として硝酸バリウムを用いてそれぞれ調
製するのが好ましい。これら膜成分、並びに液体原料に
用いる溶媒、溶質及び濃度をまとめて表１に示す。

【００２４】

【表１】注：(1) In原子に対するSn原子の割合（重量％）を表
す。

【００２５】[3] 成膜方法本発明の薄膜形成方法を図１〜４を参照して説明する。
まず膜原料を溶媒に溶解して液体原料を調製する。次に
調製した液体原料35を液体原料容器２に貯留した後、超
音波振動子36を用いて0.5〜10 MHｚの超音波振動を付与
することによりエアロゾルを発生させる。発生させるエ
アロゾルの量及びエアロゾルの直径は付与する超音波の
振動数により調節することができる。エアロゾルの発生
量は所望する熱分解・酸化速度、成膜速度等により適宜
調節する。エアロゾルの直径は特に制限はないが、通常
１〜10 μmが好ましい。次に液体原料容器２内に導入し
たキャリアガスにより発生したエアロゾルを導入管３を
通して反応容器１に送給する。キャリアガスは少なくと
も１種以上のガスを用い、例えば空気、空気と窒素との
混合ガス、空気と各種ガスとの混合ガス等を適宜用いる
ことができる。

【００２６】本発明の好ましい態様では、エアロゾルの
流量を１〜３ml／分、キャリアガスの流量を1〜30 L／
分に設定して送給する。このように設定することにより
熱分解・酸化反応及び生成する膜成分微粒子の被処理体
への付着を安定して行うことができる。

【００２７】熱分解・酸化反応を行う反応容器１内の温
度は形成する薄膜の種類等により適宜設定することがで
きる。加熱部11内に温度勾配を設けてもよく、加熱部11
の入口21を低温にし加熱部11の出口22に向けて昇温させ
る構成にすることもできる。反応容器１に送られたエア
ロゾルを筒状の加熱部11内に通すことにより、まずエア
ロゾルの溶媒を蒸発させ、次いで膜原料の熱分解・酸化
反応を行う。例えば膜原料が金属塩化物の場合には、熱
分解反応により塩素原子が外れるとともに酸化反応によ
り金属酸化物分子又は薄膜成分からなる膜成分微粒子を
生成する。

【００２８】本発明の薄膜形成方法は、被処理体20に到
達するまでに膜原料を熱分解・酸化し、生成した膜成分
微粒子を被処理体20上に堆積させる。このように予め熱
分解・酸化反応を行うため、加熱部11内の温度T₁と加熱
滞留部12内の温度T₂とから構成される反応容器１内の温
度を被処理体20の温度T₃より高く設定することが必要で
ある（T₃＜T₁，T₂）。熱分解・酸化反応を加熱部11及び
加熱滞留部12の両方で行うこともできるが、まず加熱部
11内で熱分解・酸化反応を実質的に終了させ、生成した
膜成分微粒子を加熱滞留部12内に拡散させ徐々に被処理
体20上に薄膜を形成する方が、不純物が膜に取り込まれ
難く均一な膜を形成することができる。従って、反応容
器の加熱部11内の温度T₁と加熱滞留部12内の温度T₂は異
なっていてよく、その場合加熱部11内の温度T₁を加熱滞
留部12内の温度T₂より高く設定するのが好ましい（T₃＜
T₂＜T₁）。これら各部の温度を加熱部11内壁、加熱滞留
部12内壁及びホルダ13上に温度センサー（図示せず）を
設けることにより検知し、所定の温度に自動的に制御す
ることが可能である。

【００２９】熱分解・酸化反応を加熱部11内で実質的に
終了させるには、加熱部11のチャンバの直径を５〜10 c
m、入口21から出口22までの長さを６〜30 cmに設定し、
濃度0.01〜0.5 g／Lのエアロゾルを含むキャリアガスを
流量１〜30 L／分で加熱部11内に通して熱分解・酸化さ
せるのが好ましい。

【００３０】ITO膜を形成する場合には加熱部11内の温
度T₁を250〜700 ℃、加熱滞留部12内の温度T₂を250〜65
0℃、被処理体20の温度T₃を200〜600 ℃に設定するのが
好ましい。加熱部11内の温度T₁と被処理体20の温度T₃と
の差は20 ℃以上であるのが好ましい。

【００３１】このように本発明の薄膜形成方法は被処理
体20上で熱分解・酸化反応を行うのではなく、反応容器
１内で予め熱分解・酸化反応を行い、生成した膜成分微
粒子を被処理体20に堆積させて膜形成を行うため不純物
が膜内に取り込まれ難く、純度の高い結晶を成長させる
ことが可能となる。

【００３２】生成した膜成分微粒子をホルダ13上の被処
理体20に均一に付着させる。その際キャリアガスの流量
が多過ぎるとガスの流れにより膜成分微粒子の付着が不
均一になる。従って、均一な薄膜を得るためには膜成分
微粒子を十分に加熱滞留部12内に拡散させ、膜成分微粒
子の濃度を均一にして徐々に被処理体20上に膜形成する
のが好ましい。また図２に示すように反応容器に送給さ
れたキャリアガスを未反応膜原料、未付着膜成分微粒子
等とともに反応容器１の外周に設けた排出口18から均等
に排出するのが好ましい。このようにキャリアガスを均
等に排出することにより、反応容器１内のガスの流れが
均一になり被処理体20への膜成分微粒子の付着がより均
一になる。図３に示すようにホルダ13の高さを排出口18
の高さより高く配置することにより、キャリアガスの流
れにより被処理体20上で膜成分微粒子の流れが乱される
のを防ぐことができる。さらに被処理体20を回転させな
がら付着させることにより、被処理体20上の各部位にお
ける膜形成を均一にすることができる。その際被処理体
20の回転速度が速すぎると却って均一性を損なうため、
ホルダ13の回転速度を60〜1400 rpmに設定して行うのが
有効である。均一に膜形成するための上記方法は薄膜の
用途、膜成分等に応じて適宜選択可能であり、例えばガ
スの拡散と被処理体20の回転により所望の均一性が得ら
れる場合には、図４に示すようにキャリアガスを１箇所
から排出してもよい。

【００３３】上記具体例では熱分解・酸化反応に必要な
活性化エネルギーをヒータにより加熱して付与するが、
これ以外にUV光照射等の光エネルギーにより付与しても
よいし、ヒータによる加熱と併用してもよい。また、膜
形成を複数の膜原料を用いて逐次的に行い複数の薄膜の
多層構造とすることもできる。

【００３４】

【実施例】本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。

【００３５】実施例１ (1) 液体原料の調製 50 mlのアセチルアセトンにインジウムアセチルアセト
ナートを0.2 Mになるように加え、次に添加したIn原子
に対するSn原子の割合が５重量％になるように錫アセチ
ルアセトナートを加えて液体原料を調製した。

【００３６】(2) ITO膜の作製図１に示すように調製した液体原料を液体原料容器２に
入れ、導入管３の一端を液体原料容器２に接続し、他端
を反応容器１に接続した。反応容器１は加熱部11と加熱
滞留部12とからなり、ヒータによりそれぞれの内部を62
0℃に設定した。加熱滞留部12に設置したホルダ13に50
ｍｍ×50mmのガラス基板（コーニング1737、コーニング
社製）を載置しホルダ13を100 rpmで回転させた。次い
でホルダ13直下のヒータ17により基板の温度を600℃に
設定した。

【００３７】次に液体原料容器２の底部に設けた超音波
振動子36により2.4MHｚの超音波振動を付与し、エアロ
ゾルを0.1 g／分で発生させた。次いでキャリアガスと
して圧縮空気を７L／分の流量で液体原料容器２に導入
し、発生したエアロゾルをキャリアガスとともに反応容
器１に送給した。反応容器１中で10分間熱分解・酸化及
び付着を行い、ITOの薄膜を基板上に形成した。

【００３８】形成した薄膜について以下の評価を行っ
た。X線回折装置SLX-I（（株）リガク製）によりX線回
折パターンを測定した結果を図５に示す。ピーク全体に
ITOの特徴を認めるとともに、シャープなピークを観察
した。このことから純度の高いITO膜が形成されたこと
が分かる。分光光度計U-3500（（株）日立製作所製）に
より垂直入射による可視光・近赤外領域の反射・透過ス
ペクトルを測定した結果を図６に示す。反射率（％R）
と透過率（％T）から吸収率[100−（％R＋％T）]を求め
たところ、1000〜2000 nmにおいてITOの特徴的なピーク
を認めた。四端子法の抵抗率計MCP-T600（三菱化学
（株）製）による電気抵抗測定及び接触式段差計（アル
バックテクノ（株）製）による膜厚測定を行った。膜厚
を500、1000及び6000（Å）にして成膜した場合にそれ
ぞれ抵抗率４×10^-4Ωcm、６×10^-4Ωcm、５×10^-4
Ωcmの薄膜が得られた。

【００３９】実施例２ 50 mlの水に塩化インジウムを0.2 Mになるように加え、
次に添加したIn原子に対するSn原子の割合が５重量％に
なるように塩化錫を加えて液体原料を調製した以外は実
施例１と同様にしてガラス基板上にITO膜を形成した。

【００４０】実施例３ 50 mlのブチルアルコールにチタニウムテトラブトキシ
ドを0.2 Mになるように加えて液体原料を調製した以外
は実施例１と同様にしてガラス基板上に薄膜を形成し、
均一なTiO₂膜を得た。

【００４１】実施例４ 50 mlの水に銅アセテートを0.04 Mになるように加えて
液体原料を調製した以外は実施例１と同様にしてガラス
基板上に薄膜を形成し、均一なCu₂O膜を得た。

【００４２】実施例５ 50 mlの水に硝酸バリウムを0.02 Mになるように加えて
液体原料を調製した以外は実施例１と同様にしてガラス
基板上に薄膜を形成し、均一なBaO膜を得た。

【００４３】

【発明の効果】上記の通り、本発明の薄膜形成方法は反
応容器内の温度を被処理体の温度より高く設定して行う
ので、予め膜原料を熱分解・酸化した後、生成した膜成
分微粒子を被処理体上に付着させて膜形成する。また、
反応容器に加熱滞留部を設け加熱滞留部内に膜成分微粒
子を拡散させるとともに、反応容器の外周部からキャリ
アガスを均等に排出するのでガスの流れを均一にするこ
とができる。そのため均一で純度の高い薄膜を形成する
ことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の成膜装置の一例を示す概略部分断面
図である。

【図２】図１に示す加熱滞留部のA−A断面図である。

【図３】本発明の成膜装置における排出口とホルダの
配置の一例を示す概略部分断面図である。

【図４】本発明の成膜装置の別の例を示す概略部分断
面図である。

【図５】本発明の実施例で作製したITO膜のX線回折パ
ターンである。

【図６】本発明の実施例で作製したITO膜の透過率、
反射率及び吸収率を示すスペクトルである。

【符号の説明】

１・・・反応容器２・・・液体原料容器３・・・導入管 11・・・加熱部 12・・・加熱滞留部 13・・・ホルダ 14・・・接合部 15，16，17・・・ヒータ 18・・・排出口 20・・・被処理体 24・・・回転軸 25・・・回転装置 26・・・スペーサー 27・・・カバー 31，32・・・バルブ 35・・・液体原料 36・・・超音波振動子 41・・・配管 42・・・回収装置 A・・・吸収率 R・・・反射率 T・・・透過率

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者谷和憲東京都羽村市神明台４−４−37 有限会社イーエスディー内 (72)発明者岩間章茨城県ひたちなか市西大島３−４−21 (72)発明者野田正紀愛知県小牧市大字本庄字大坪415番地株式会社野田スクリーン内 (72)発明者小川裕誉愛知県小牧市大字本庄字大坪415番地株式会社野田スクリーン内 (72)発明者渡邊信義東京都昭島市昭和町２−３−19 株式会社ソウケン内Ｆターム(参考） 4K030 AA03 AA06 AA09 AA11 BA11 BA16 BA42 EA01 FA10 JA10 LA18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体上に薄膜を形成する方法であっ
て、(1) 液体原料を霧化させ、(2) 生成したエアロゾル
をキャリアガスとともに反応容器に送給し、(3) 前記反
応容器内の温度を前記被処理体の温度より高くし、(4)
熱分解・酸化反応により生成した膜成分微粒子を前記被
処理体上に付着させることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】請求項１に記載の薄膜形成方法におい
て、前記反応容器は加熱部と加熱滞留部からなり、前記
加熱部内で熱分解・酸化反応を行った後、前記膜成分微
粒子を前記加熱滞留部内に拡散させながら前記被処理体
上に付着させることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項３】請求項２に記載の薄膜形成方法におい
て、前記加熱部内の温度を250〜700℃、前記被処理体の
温度を200〜600℃、及び前記加熱部内の温度と前記被処
理体の温度の差を20℃以上に設定することを特徴とする
薄膜形成方法。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜形
成方法において、前記キャリアガスを前記反応容器の外
周部から均等に排出することを特徴とする薄膜形成方
法。
【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜形
成方法において、前記被処理体を回転させながら前記膜
成分微粒子を付着させることを特徴とする薄膜形成方
法。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜形
成方法において、前記液体原料は、有機金属化合物、金
属又はケイ素のアルコラート化合物、金属キレート化合
物及び金属ハロゲン化合物からなる群から選ばれた少な
くとも１種の化合物と溶媒とを含有することを特徴とす
る薄膜形成方法。
【請求項７】請求項６に記載の薄膜形成方法におい
て、前記液体原料は、インジウムアセチルアセトナート
及び錫アセチルアセトナートとアセチルアセトン、又は
塩化インジウム及び塩化錫と水とを含有することを特徴
とする薄膜形成方法。
【請求項８】加熱部及び加熱滞留部からなる反応容器
と、超音波振動子を備えた液体原料容器と、前記反応容
器と前記液体原料容器を連通する導入管とを有する成膜
装置であって、前記加熱滞留部の外周に均等に設けた排
出口を有することを特徴とする成膜装置。